JP4431286B2

JP4431286B2 - Stamper forming electrode material and stamper forming thin film

Info

Publication number: JP4431286B2
Application number: JP2001028456A
Authority: JP
Inventors: 昌広勝村; 哲哉飯田; 崇上野; 伸浩小田
Original assignee: Furuya Metal Co Ltd; Pioneer Corp
Current assignee: Furuya Metal Co Ltd; Pioneer Corp
Priority date: 2001-02-05
Filing date: 2001-02-05
Publication date: 2010-03-10
Anticipated expiration: 2021-02-05
Also published as: JP2002230850A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ＣＤ（ＣｏｍｐａｃｔＤｉｓｋ）やＤＶＤ（ＤｉｇｉｔａｌＶｅｒｓａｔｉｌｅＤｉｓｋ）等の光ディスクを量産する際の成形用鋳型として利用されるスタンパを形成するために使用されるスタンパ形成用薄膜、及びそのスタンパ形成用薄膜を構成するスタンパ形成用電極材料に関するものである。より詳しくは、前記スタンパを電鋳法により形成させる際に電極として利用されるスタンパ形成用薄膜、及び前記電極を構成する材料としてのスタンパ形成用電極材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、例えばＣＤやＤＶＤといった光ディスクを製造する場合には、まず、図３（ａ）に示すように、その表面を研磨して平滑にしたガラス製の原板１０１の表面にスピンコート等によりレジスト膜１０２を形成する。次いで、このレジスト膜１０２に対してパターニング処理が施される。パターニング処理は、図３（ｂ）に示すように、レジスト膜１０２をレーザビームで露光し、潜像１０２ａを形成した後、現像することにより行われる。すると、図３（ｃ）に示すように、レジスト膜１０２の表面には複数の溝部よりなる凹パターン１０２ｂが形成される。
【０００３】
このパターニング処理が行われた後、図３（ｄ）に示すように、レジスト膜１０２上には凹パターン１０２ｂの全体を被覆するように、金属材料よりなる電極膜１０３がスパッタリング法、蒸着法等により形成される。この電極膜１０３の金属材料には、導電率が高く膜形成後に組成変化しづらい性質を有するニッケル（Ｎｉ）元素が単体で使用されており、その膜厚は均一なものとなっている。その後、図３（ｅ）に示すように、この電極膜１０３を電極として用いる電鋳法により、電極膜１０３の表面にはＮｉ製の金属層１０４が積層される。
【０００４】
この後、図３（ｆ）に示すように、電極膜１０３とともに金属層１０４をレジスト膜１０２の表面から剥離させると、電極膜１０３及び金属層１０４が一体となったスタンパ１０４ａが得られる。このスタンパ１０４ａの表面には前記凹パターン１０２ｂとは逆転した形状となるように、複数の突部よりなる凸パターン１０４ｂが転写されている。そして、スタンパ１０４ａを成形型として使用し、凸パターン１０４ｂ側に合成樹脂材料を射出することにより、その表面に前記凹パターン１０２ｂと同一の凹パターンが複写された基板が形成され、この凹パターンを覆うように基板上に反射膜、保護層等を積層することにより光ディスクが製造される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
近年の光ディスクには、例えばＣＤに対するＤＶＤのように、サイズを大きくすることなく記憶容量を増大させるため、単位面積当たりの記録密度をさらに高度化させることが課題となっている。このため、前述したパターニング処理においては、レーザビームと比較して溝部をより幅狭とすることができ、高精細な凹パターン１０２ｂを形成可能な電子ビームが使用されるようになっている。そして、電子ビームで露光を行う際には、レジスト膜１０２を形成するレジスト材料中に、塩素、硫黄、フッ素等の電子吸引性の元素又は電子吸引機能を有する基等（以下、電子吸引基と記載する）が添加され、レジスト膜１０２の電子吸収感度が高められている。
【０００６】
ところが、上記のように電子吸収感度を向上させたレジスト膜１０２を使用すると、電鋳法で電極膜１０３上に金属層１０４を積層する際、電極膜１０３は、その材料であるＮｉ元素が電子吸引性の元素又は電子吸引基に対して反応し、変質する等して損傷するおそれがある。すると、スタンパ１０４ａは、この電極膜１０３により凸パターン１０４ｂの表面部分が形成されていることから、損傷した電極膜１０３により凸パターン１０４ｂの表面が荒れるという不具合を生じてしまう。そして、このようなスタンパ１０４ａを使用して形成された基板には前記凹パターン１０２ｂが正確に複写されず、データ読取り時のノイズが大きくなり、Ｓ／Ｎ比（Ｓｉｇｎａｌ−ｔｏ−Ｎｏｉｓｅｒａｔｉｏ）が低く、品質の低下した光ディスクが製造されてしまうという問題があった。
【０００７】
この発明は、このような従来技術に存在する問題点に着目してなされたものである。その目的とするところは、耐腐食性を向上させることにより、スタンパ形成用薄膜の損傷を抑制し、形成されるスタンパを高品質なものとすることができるように構成されたスタンパ形成用電極材料及びスタンパ形成用薄膜を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明のスタンパ形成用電極材料は、原板上のパターニング処理されたレジスト膜の表面に被覆されるスタンパ形成用薄膜を構成し、前記スタンパ形成用薄膜を電極として使用する電鋳法により、その薄膜の表面に金属層を積層させ、その金属層をスタンパ形成用薄膜とともにレジスト膜から剥離させてスタンパを形成するためのスタンパ形成用電極材料であって、銀（Ａｇ）元素を主成分として含有するとともに、他の元素として金（Ａｕ）元素及び銅（Ｃｕ）元素を含有し、前記銀（Ａｇ）元素及び前記他の元素とから固溶体を形成することを特徴とするものである。
【００１０】
請求項２に記載の発明のスタンパ形成用電極材料は、請求項１に記載の発明において、前記銀（Ａｇ）元素を９０重量パーセント以上含有することを特徴とするものである。
【００１２】
請求項３に記載の発明のスタンパ形成用電極材料は、原板上のパターニング処理されたレジスト膜の表面に被覆されるスタンパ形成用薄膜を構成し、前記スタンパ形成用薄膜を電極として使用する電鋳法により、その薄膜の表面に金属層を積層させ、その金属層をスタンパ形成用薄膜とともにレジスト膜から剥離させてスタンパを形成するためのスタンパ形成用電極材料であって、銀（Ａｇ）元素を主成分として含有するとともに、他の元素として５．０重量パーセント以下の金（Ａｕ）元素及び５．０重量パーセント以下の銅（Ｃｕ）元素を含有することを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明のスタンパ形成用薄膜は、請求項１から請求項３のいずれかに記載のスタンパ形成用電極材料からなることを特徴とするものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態を、図面に基づいて詳細に説明する。
図２（ｂ）に示すように、光ディスク２０を構成する基板２１は、合成樹脂である透明なポリカーボネートにより円板状に形成され、その上面には複数の微細な溝部よりなる凹パターン２１ａを有している。基板２１の上部には、この凹パターン２１ａの各溝部を被覆するようにアルミニウム製の薄膜よりなる反射膜２２が積層されている。さらに、反射膜２２の上部には、紫外線硬化樹脂よりなる保護層２３が凹パターン２１ａの各溝部を埋めつつ、さらに基板２１をその全面に渡って被覆するように積層されており、この保護層２３により凹パターン２１ａ及び反射膜２２の損傷が防止されている。
【００１４】
図２（ａ）に示すように、前記基板２１は、後述する製造方法により成形された金属製のスタンパ１５を用いて形成される。このスタンパ１５は、ニッケル（Ｎｉ）製の金属層１４と、その金属層１４の下面に積層された金属材料（スタンパ形成用電極材料）よりなるスタンパ形成用薄膜としての電極膜１３とにより一体的に形成されている。このスタンパ１５の下面は、基板２１の凹パターン２１ａとは逆転した形状をなし、複数の突部よりなる凸パターン１６を有している。そして、前記基板２１を成形する工程は、スタンパ１５を成形用鋳型として用い、凸パターン１６を有する下面側にポリカーボネート材料を射出して、ポリカーボネート材料が硬化した後、スタンパ１５から離型させることにより行われる。
【００１５】
また、光ディスク２０を製造する工程は、まず、射出成形された基板２１にスパッタリング法、蒸着法等の方法により反射膜２２を形成した後、その反射膜２２上に保護層２３を形成させる。
【００１６】
次に、上記スタンパ１５を成形するための製造方法について説明する。
さて、スタンパ１５を成形するための製造方法として、まず、図１（ａ）に示すように、原板１１上にレジスト膜１２を形成する工程について説明する。この工程は、その表面が研磨、洗浄されて平滑面とされたガラス板又はシリコンウェハからなる原板１１上に、スピンコート法等により液状のレジスト材料を均一な厚さとなるように塗布した後、プリベークすることにより行われる。その結果、前記レジスト材料が加熱乾燥されてレジスト膜１２が形成される。このレジスト材料中には、塩素、硫黄、フッ素等のような電子吸引性の元素又は電子吸引基が含有されているため、形成されたレジスト膜１２の電子吸収感度は向上されている。
【００１７】
次いで、前記レジスト膜１２に対し、パターニング処理を施す工程について説明する。この工程では、まず、図１（ｂ）に示すように、前記レジスト膜１２の上面側から電子ビームを照射することによりレジスト膜１２を露光し、そのレジスト膜１２の表面に潜像１２ａが形成されてデータ信号の記録が行われる。この後、図１（ｃ）に示すように、前記レジスト膜１２を現像することにより潜像１２ａ部分が除去されて、レジスト膜１２の上面に複数の溝部よりなる凹パターン１２ｂが形成される。続いて、このレジスト膜１２をポストベークすることにより、レジスト膜１２に対するパターニング処理が完了する。
【００１８】
続いて、図１（ｄ）に示すように、スタンパ形成用薄膜としての電極膜１３を形成する工程について説明する。この工程は、スパッタリング法、蒸着法、無電界メッキ法等の方法により、レジスト膜１２の上面にスタンパ形成用電極材料（金属材料）よりなる電極膜１３が均一な膜厚となるように形成されることにより行われる。この状態で電極膜１３には凹パターン１２ｂの形状が正確に転写されている。
【００１９】
最後に、スタンパ１５を形成する工程について説明する。この工程では、まず、図１（ｅ）に示すように、前記電極膜１３を電極として使用し、電鋳法を施すことにより、電極膜１３の上面にＮｉ元素が堆積され、金属層１４が積層される。そして、金属層１４を電極膜１３とともに、原板１１及びレジスト膜１２の表面から剥離させることにより、図１（ｆ）に示すように、金属層１４及び電極膜１３が一体となったスタンパ１５が得られる。
【００２０】
このスタンパ１５の下面には、凹パターン１２ｂの形状が正確に転写された電極膜１３により、前記凹パターン１２ｂとは逆転した形状をなす複数の突部より構成された凸パターン１６が形成されている。そして、このスタンパ１５を利用することにより、上述したように光ディスク２０を構成する基板２１が射出成形される。
【００２１】
なお、スタンパ１５を形成した以降の工程としては、上記の工程で得られるスタンパ１５をマスタスタンパとし、凸パターン１６が形成された面上に電鋳法を施すことにより、凹パターンを有するサブマスタスタンパの形成を行うことができる。さらにこの後、サブマスタスタンパを利用してマスタスタンパと同一形状の複数のベビースタンパを形成し、これらベビースタンパを使用して光ディスク２０の基板２１を射出成形することもできる。
【００２２】
一方、上記電極膜１３を構成するスタンパ形成用電極材料（金属材料）には、導電率が高く、レジスト材料中の電子吸引性の元素又は電子吸引基に対して化学反応を起こしにくいことから、銀（Ａｇ）を主成分として含有するとともに、少なくとも１種の他の元素を含有するものが使用される。なお、この明細書中で主成分とは、スタンパ形成用電極材料の中で含有量の最も多いものを指すものとする。前記他の元素としては、スタンパ形成用薄膜としての電極膜１３の耐腐食性を容易に向上させることができることから、金（Ａｕ）及び銅（Ｃｕ）の少なくともいずれか１種を選択するのが好ましい。また、金（Ａｕ）及び銅（Ｃｕ）以外にも、アルミニウム（Ａｌ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、バナジウム（Ｖ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）の少なくともいずれか１種を選択してもよい。
【００２３】
この実施形態のスタンパ形成用電極材料には、Ａｇを主成分とし、前に挙げた金属元素のうち、Ａｕ及びＣｕが添加されたものが使用されている。このようにスタンパ形成用電極材料中にＡｕ及びＣｕを添加した場合には、電極膜１３の導電性を維持しつつ、塩素、硫黄、フッ素等の電子吸引性の元素又はそれらを電子吸引基として有する物質に対する耐腐食性の向上を図ることができる。
【００２４】
さらに、Ａｕを添加させる場合、スタンパ形成用電極材料中におけるＡｕの含有率は、５.０重量パーセント以下とすることが好ましく、より好ましくは３．０重量パーセント以下であり、さらに好ましくは１．５重量パーセント以下である。Ａｕを５.０重量パーセントより多く含有すると、その組成によってはＡｇ及びＣｕのそれぞれと固溶体を形成しづらくなったり、生成される金属材料の性質が安定しなかったり、所望の耐腐食性を有していなかったりするおそれがある。また、スタンパ形成用電極材料中におけるＣｕの含有率は、５.０重量パーセント以下とすることが好ましく、より好ましくは３．０重量パーセント以下であり、さらに好ましくは１．５重量パーセント以下である。Ｃｕを５.０重量パーセントより多く含有すると、その組成によってはＡｇ及びＡｕと固溶体を形成しづらくなったり、生成される金属材料の性質が安定しなかったり、所望の耐腐食性を有していなかったりするおそれがある。
【００２５】
前記の実施形態によって発揮される効果について、以下に記載する。
・実施形態のスタンパ形成用薄膜としての電極膜１３には、Ａｇ、Ａｕ及びＣｕからなるスタンパ形成用電極材料（金属材料）が用いられている。このＡｇ、Ａｕ及びＣｕからなるスタンパ形成用電極材料は、塩素、硫黄、フッ素等の電子吸引性の元素又はそれらを電子吸引基として有する物質に対する耐腐食性が高いことから、電鋳法によりＮｉ製の金属層１４を形成させる際の電極膜１３の変質等といった損傷を防止することができる。
【００２６】
この電極膜１３により凸パターン１６の表面が形成されたスタンパ１５は、レジスト膜１２の凹パターン１２ｂが正確に転写されたままの状態で、その表面を平滑面として維持することができる。従って、このようなスタンパ１５を使用して形成された光ディスク２０の基板２１は、レジスト膜１２の凹パターン１２ｂが正確に複写された凹パターン２１ａを有するとともに、凹パターン２１ａを構成する各溝部の内面が平滑面となる。そして、光ディスク２０に記録されたデータを読み取るための光学ピックアップから照射されるレーザの乱反射が抑制されることから、Ｓ／Ｎ比（Ｓｉｇｎａｌ−ｔｏ−Ｎｏｉｓｅｒａｔｉｏ）が向上し、光ディスク２０の品質を高度に維持することができる。
【００２７】
・さらに、スタンパ形成用電極材料中におけるＡｕの含有率を５.０重量パーセント以下に、Ｃｕの含有率を５.０重量パーセント以下に設定することにより、電極膜１３の耐腐食性のさらなる向上を相乗効果的に図ることが可能である。
【００２８】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を挙げ、前記実施形態をさらに具体的に説明する。なお、この発明はそれらの実施例に限定されるものではない。
【００２９】
（実施例１〜６）
石英基板上に、ＲＦスパッタ装置を使用してＡｇ、Ａｕ及びＣｕからなる電極膜１３を形成した。すなわち、Ａｇ、Ａｕ及びＣｕの３種類のスパッタリングターゲットを用意し、ＲＦスパッタ装置に装着してスパッタリングを行い、各金属を同時に基板上に堆積させて電極膜１３を形成した。このとき、スパッタリングターゲットのサイズは、直径７.６２ｃｍ（３ｉｎｃｈ）、厚さ５ｍｍであり、このスパッタリングターゲットから基板までの距離を約９０ｃｍとした。成膜条件は、到達真空度を３×１０^-5Ｐａ、成膜時のガス圧を０.７〜１.０Ｐａとした。また、ＲＦ投入電力は１００〜５００Ｗとした。
【００３０】
そして、Ｃｕの含有率を０．１重量パーセント（これ以降、ｗｔ％として記載する）で一定とし、これに対してＡｕの含有率を各実施例でそれぞれ変えて、電極膜１３を形成した。なお、含有率は、各金属原子の放出量を制御することにより調整し、この金属原子の放出量の制御は、各スパッタリングターゲットへのＲＦ投入電力により行った。
【００３１】
（比較例１）
石英基板上に、ＲＦスパッタ装置を使用してＡｇのみからなる電極膜１３を形成した。すなわち、Ａｇのスパッタリングターゲットを用意し、ＲＦスパッタ装置に装着し、スパッタリングを行って電極膜１３を形成した。スパッタリングターゲットのサイズは、直径７.６２ｃｍ（３ｉｎｃｈ）、厚さ５ｍｍであり、このスパッタリングターゲットから基板までの距離を約９０ｃｍとした。成膜条件は、到達真空度を３×１０^-5Ｐａ、成膜時のガス圧を０.７〜１.０Ｐａとした。また、ＲＦ投入電力は１００〜５００Ｗとした。
【００３２】
（耐腐食性の評価）
実施例１〜６及び比較例１で得られた電極膜１３を石英基板とともに、その濃度が５体積パーセント（これ以降、ｖｏｌ％として記載する）の塩化ナトリウム水溶液中に常温で浸し、所定時間放置した後、経時変化の有無を評価した。測定結果を表１に示した。なお、金属材料中における組成、つまり各金属元素の含有率は、ｗｔ％で示した。経時変化の有無の評価は測定者の目視により行い、測定時に電極膜１３の表面が全く変質しなかったものを○、表面が若干変質したものを△、表面が変質したものを×として評価した。また、塩化ナトリウム水溶液を使用した理由は、任意で選択したレジスト材に塩素およびナトリウム含有による腐食作用が懸念されたためである。
【００３３】
【表１】

表１の結果より、比較例１は、塩化ナトリウム水溶液に浸漬すると、電極膜１３の表面において、その端部全体が黄色となるように変質した。これは、合金材料中のいずれかの金属元素が塩素と反応したことを示すものである。また、実施例６においては、電極膜１３の表面において、その端部の一部が若干黄色となるように変質した。一方、実施例１〜５においては、塩化ナトリウム水溶液に浸漬しても、電極膜１３の表面は変質しなかった。このため、Ａｇを主成分とする合金材料にＡｕ及びＣｕを添加することにより、耐腐食性が向上することが示された。
【００３４】
また、Ｃｕの含有率が一定であり、Ａｕの含有率を０．１〜６．０ｗｔ％の範囲内で変えた結果、実施例１〜５では電極膜１３の表面に変質はなく、実施例６では電極膜１３の表面が若干変質したことから、Ａｕの含有率は５．０ｗｔ％以下に設定することが好ましいことが示された。さらに、Ａｇの含有率が９４〜９９．９ｗｔ％の場合、Ａｕの含有率をＣｕの含有率と比較して１〜５０倍の範囲内に設定することが好ましいことが示された。そこで、以下に示す実施例では、電極膜１３を作製するためのＣｕの含有率の最適な条件を求めた。
【００３５】
（実施例７〜１１）
実施例１〜６と同様に各金属原子の放出量を制御しながらスパッタリングを行い、Ａｕの含有率を５．０ｗｔ％で一定とし、これに対してＣｕの含有率を実施例７〜１１でそれぞれ変えて、電極膜１３を形成した。そして、各実施例で得られた電極膜１３を前に挙げた耐腐食性の評価と同様に評価した。測定結果を表２に示した。
【００３６】
【表２】

表２の結果より、実施例７〜１０においては、塩化ナトリウム水溶液に浸漬しても、電極膜１３の表面は変質しなかった。実施例１１は、塩化ナトリウム水溶液に浸漬すると、電極膜１３の表面において、その端部の一部が若干黄色となるように変質した。Ａｕの含有率が一定であり、Ｃｕの含有率を０．７〜６．０ｗｔ％の範囲内で変えた結果、実施例７〜１０では電極膜１３の表面が変質せず、実施例１１では電極膜１３の表面が若干変質したことから、Ｃｕの含有率は５．０ｗｔ％以下に設定することが好ましいことが示された。さらに、Ａｇの含有率が９０〜９５．０ｗｔ％の場合、Ａｕの含有率をＣｕの含有率と比較して１．０〜７．５倍の範囲内に設定することが好ましいことが示された。
【００３７】
この結果を基にして、以下に示す実施例では、電極膜１３を作製するためのさらに最適な条件を求めた。
（実施例１２〜１８）
実施例１〜６と同様に各金属原子の放出量を制御しながらスパッタリングを行い、実施例１２〜１６においては、Ａｕの含有率を０．５ｗｔ％で一定とし、これに対してＣｕの含有率をそれぞれ変え、実施例１７及び実施例１８においては、Ｃｕの含有率を０．５ｗｔ％で一定とし、これに対してＡｕの含有率をそれぞれ変えて電極膜１３を形成した。そして、各実施例で得られた電極膜１３を上記の耐腐食性の評価と同じく、濃度が５ｖｏｌ％の塩化ナトリウム水溶液中に常温で浸し、５時間（これ以降、ｈｒとして記載する）、１０ｈｒ、２４ｈｒ後の変化の有無を評価した。測定結果を表３に示した。なお、変化の有無の評価は測定者の目視により行い、測定時に電極膜１３の表面が変質しなかったものを○、表面が変質したものを×として評価した。
【００３８】
【表３】

表３の結果より、実施例１２においては、５ｈｒの浸漬では電極膜１３の表面に変質が見られず、１０ｈｒの浸漬で変質が見られた。実施例１３及び実施例１４においては、５〜１０ｈｒの浸漬では電極膜１３の表面に変質が見られず、２４ｈｒの浸漬で変質が見られた。実施例１５〜１８においては、２４ｈｒの浸漬でも電極膜１３の表面に変質が見られなかった。
【００３９】
実施例１２及び実施例１３を比較すると、Ａｕの含有率が同じく０．５ｗｔ％であるにも係わらず、実施例１２よりも実施例１３の耐腐食性が高いことが示された。このため、Ａｕの含有率を０．５ｗｔ％とした場合には、Ｃｕの含有率は３．５ｗｔ％以下に設定することがより好ましいと考えられる。加えて、実施例１４及び実施例１５を比較すると、Ａｕの含有率が同じく０．５ｗｔ％であるにも係わらず、実施例１４よりも実施例１５の耐腐食性が高いことが示された。このため、Ａｕの含有率を０．５ｗｔ％とした場合には、Ｃｕの含有率は１．５ｗｔ％以下に設定することがさらに好ましいと考えられる。さらに、Ａｇの含有率が９８〜９９ｗｔ％の場合、Ｃｕの含有率をＡｕの含有率と比較して１〜３倍の範囲内に設定することがより好ましいことが示された。
【００４０】
一方、Ｃｕの含有率を０．５ｗｔ％で一定とした実施例１７及び実施例１８においては、両実施例ともに耐腐食性が非常に高いことが示された。この結果、Ｃｕの含有率を０．５ｗｔ％以下に設定するとともに、Ａｇの含有率を５．０ｗｔ％以下に設定することで最も良好な耐食性を付与することができると考えられる。さらに、Ａｇの含有率が９４〜９７ｗｔ％の場合、Ａｕの含有率をＣｕの含有率と比較して６〜１０倍の範囲内に設定することが好ましいことが示された。
【００４１】
なお、本実施形態は、次のように変更して具体化することも可能である。
・上記実施形態の光ディスク２０は、基板２１、反射膜２２及び保護層２３をそれぞれ１層ずつ有するものであったが、これに限定されず、例えば基板２１、反射膜２２及び保護層２３をそれぞれ２層ずつ有する光ディスク２０としてもよい。
【００４２】
さらに、前記実施形態より把握できる技術的思想について以下に記載する。
（１）９４〜９９．９重量パーセントの銀（Ａｇ）元素と、重量基準での含有率の比が銅（Ｃｕ）元素１に対して金（Ａｕ）元素１．０〜５０．０となるように設定したことを特徴とする請求項１に記載のスタンパ形成用電極材料。このように構成した場合、スタンパを形成するスタンパ形成用薄膜にさらに良好な耐腐食性を付与することができる。
【００４３】
（２）９８〜９９重量パーセントの銀（Ａｇ）元素と、重量基準での含有率の比が銅（Ｃｕ）元素１に対して金（Ａｕ）元素１．０〜３．０となるように設定したことを特徴とする請求項１に記載のスタンパ形成用電極材料。このように構成した場合、スタンパを形成するスタンパ形成用薄膜にさらに一層良好な耐腐食性を付与することができる。
【００４４】
（３）９４〜９７重量パーセントの銀（Ａｇ）元素と、重量基準での含有率の比が銅（Ｃｕ）元素１に対して金（Ａｕ）元素６．０〜１０．０となるように設定したことを特徴とする請求項１に記載のスタンパ形成用電極材料。このように構成した場合、スタンパを形成するスタンパ形成用薄膜にさらに一層良好な耐腐食性を付与することができる。
【００４５】
（４）前記（１）から前記（３）のいずれかに記載のスタンパ形成用電極材料からなることを特徴とするスタンパ形成用薄膜。このように構成した場合、スタンパを形成するスタンパ形成用薄膜により一層良好な耐腐食性を付与することができる。
【００４６】
【発明の効果】
以上詳述したように、この発明によれば、次のような効果を奏する。
請求項１に記載の発明のスタンパ形成用電極材料によれば、耐腐食性を向上させることにより、スタンパ形成用薄膜の損傷を抑制し、形成されるスタンパを高品質なものとすることができる。
【００４８】
請求項２に記載の発明のスタンパ形成用電極材料によれば、請求項１に記載の発明の効果に加えて、スタンパ形成用薄膜により一層良好な耐腐食性を付与することができる。
【００４９】
請求項３に記載の発明のスタンパ形成用電極材料によれば、スタンパ形成用薄膜にさらに良好な耐腐食性を付与することができ、スタンパ形成用薄膜の損傷を抑制し、形成されるスタンパを高品質なものとすることができる。
【００５０】
請求項４に記載の発明のスタンパ形成用薄膜によれば、耐腐食性を向上させることにより、スタンパ形成用薄膜の損傷を抑制し、形成されるスタンパを高品質なものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｆ）はいずれも、実施形態のスタンパの製造工程を模式的に示す部分拡大端面図。
【図２】（ａ）は実施形態のスタンパを用いた基板形成工程を模式的に示す部分拡大端面図、（ｂ）は光ディスクを模式的に示す部分拡大端面図。
【図３】（ａ）〜（ｆ）はいずれも、従来のスタンパの製造工程を模式的に示す部分拡大端面図。
【符号の説明】
１１…原板、１２…レジスト膜、１３…スタンパ形成用薄膜としての電極膜、１４…金属層、１５…スタンパ。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a stamper-forming thin film used for forming a stamper used as a molding mold for mass production of optical disks such as CD (Compact Disk) and DVD (Digital Versatile Disk), and the like. The present invention relates to an electrode material for forming a stamper constituting a thin film. More specifically, the present invention relates to a stamper forming thin film used as an electrode when the stamper is formed by electroforming, and a stamper forming electrode material as a material constituting the electrode.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, when manufacturing an optical disk such as a CD or DVD, as shown in FIG. 3A, first, as shown in FIG. 102 is formed. Next, the resist film 102 is subjected to patterning processing. As shown in FIG. 3B, the patterning process is performed by exposing the resist film 102 with a laser beam to form a latent image 102a and developing the latent image 102a. Then, as shown in FIG. 3C, a concave pattern 102b composed of a plurality of grooves is formed on the surface of the resist film 102.
[0003]
After this patterning process is performed, as shown in FIG. 3D, an electrode film 103 made of a metal material is formed on the resist film 102 so as to cover the entire concave pattern 102b by sputtering, vapor deposition, or the like. It is formed by. As the metal material of the electrode film 103, a nickel (Ni) element having a property of having high conductivity and being difficult to change in composition after film formation is used alone, and the film thickness thereof is uniform. Thereafter, as shown in FIG. 3E, a Ni metal layer 104 is laminated on the surface of the electrode film 103 by electroforming using the electrode film 103 as an electrode.
[0004]
Thereafter, as shown in FIG. 3F, when the metal layer 104 is peeled from the surface of the resist film 102 together with the electrode film 103, a stamper 104a in which the electrode film 103 and the metal layer 104 are integrated is obtained. On the surface of the stamper 104a, a convex pattern 104b composed of a plurality of protrusions is transferred so as to have a shape reverse to the concave pattern 102b. Then, by using the stamper 104a as a mold and injecting a synthetic resin material on the convex pattern 104b side, a substrate on which the concave pattern identical to the concave pattern 102b is copied is formed. An optical disk is manufactured by laminating a reflective film, a protective layer, etc. on the substrate so as to cover it.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
In recent optical discs, for example, as with DVDs for CDs, there is a problem of further increasing the recording density per unit area in order to increase the storage capacity without increasing the size. For this reason, in the above-described patterning process, the groove can be made narrower than the laser beam, and an electron beam capable of forming a high-definition concave pattern 102b is used. When performing exposure with an electron beam, the resist material for forming the resist film 102 includes an electron-withdrawing element such as chlorine, sulfur, or fluorine, or a group having an electron-withdrawing function (hereinafter referred to as an electron-withdrawing group). The electron absorption sensitivity of the resist film 102 is enhanced.
[0006]
However, when the resist film 102 with improved electron absorption sensitivity is used as described above, when the metal layer 104 is laminated on the electrode film 103 by electroforming, the electrode film 103 has an Ni element as an electron. There is a risk of damage by reacting with an absorptive element or electron withdrawing group. Then, the stamper 104a has a problem that the surface of the convex pattern 104b is roughened by the damaged electrode film 103 because the surface portion of the convex pattern 104b is formed by the electrode film 103. Further, the concave pattern 102b is not accurately copied on the substrate formed using such a stamper 104a, noise during data reading increases, and an S / N ratio (Signal-to-Noise ratio) is increased. There is a problem in that an optical disc with a low quality is produced.
[0007]
The present invention has been made paying attention to such problems existing in the prior art. The purpose is to provide an electrode material for forming a stamper that is configured to improve the corrosion resistance, thereby suppressing damage to the thin film for forming the stamper and to make the formed stamper of high quality. And providing a thin film for forming a stamper.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a stamper forming electrode material according to claim 1 comprises a stamper forming thin film coated on the surface of a patterned resist film on an original plate, and the stamper forming A stamper forming electrode material for forming a stamper by laminating a metal layer on the surface of the thin film by an electroforming method using the thin film for an electrode as an electrode and peeling the metal layer from the resist film together with the thin film for forming the stamper. And contains silver (Ag) element as the main component ,other Elements As gold (Au) element and copper (Cu) element And a solid solution is formed from the silver (Ag) element and the other elements.
[0010]
Claim 2 The electrode material for forming a stamper according to the invention described in claim 1 In the described invention, the silver (Ag) element is contained in 90 weight percent or more.
[0012]
Claim 3 The electrode material for forming a stamper according to the invention described above comprises a thin film for forming a stamper coated on the surface of a patterned resist film on an original plate, and an electroforming method using the thin film for forming a stamper as an electrode, A stamper-forming electrode material for forming a stamper by laminating a metal layer on the surface of the thin film and peeling the metal layer from the resist film together with the stamper-forming thin film, comprising a silver (Ag) element as a main component It is characterized by containing 5.0 wt% or less of gold (Au) element and 5.0 wt% or less of copper (Cu) element as other elements.
Claim 4 The thin film for forming a stamper according to the invention described in claim 1 to claim 1. 3 It consists of the electrode material for stamper formation in any one of these.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
As shown in FIG. 2B, the substrate 21 constituting the optical disk 20 is formed in a disc shape from transparent polycarbonate, which is a synthetic resin, and has a concave pattern 21a made up of a plurality of fine grooves on its upper surface. is doing. A reflective film 22 made of an aluminum thin film is laminated on the top of the substrate 21 so as to cover each groove of the concave pattern 21a. Further, a protective layer 23 made of an ultraviolet curable resin is laminated on the reflective film 22 so as to cover the entire surface of the substrate 21 while filling the grooves of the concave pattern 21a. 23 prevents the concave pattern 21a and the reflection film 22 from being damaged.
[0014]
As shown in FIG. 2A, the substrate 21 is formed using a metal stamper 15 formed by a manufacturing method described later. This stamper 15 is integrally formed by a nickel (Ni) metal layer 14 and an electrode film 13 as a stamper forming thin film made of a metal material (stamper forming electrode material) laminated on the lower surface of the metal layer 14. Is formed. The lower surface of the stamper 15 has a shape reverse to the concave pattern 21a of the substrate 21, and has a convex pattern 16 composed of a plurality of protrusions. And the process of shape | molding the said board | substrate 21 uses the stamper 15 as a shaping | molding casting_mold | template, inject | emits polycarbonate material to the lower surface side which has the convex pattern 16, and after mold | releasing a polycarbonate material, it is made to mold from the stamper 15. Done.
[0015]
In the process of manufacturing the optical disk 20, first, the reflective film 22 is formed on the injection-molded substrate 21 by a method such as sputtering or vapor deposition, and then the protective layer 23 is formed on the reflective film 22.
[0016]
Next, a manufacturing method for forming the stamper 15 will be described.
Now, as a manufacturing method for forming the stamper 15, first, a process of forming a resist film 12 on the original plate 11 as shown in FIG. In this step, after applying a liquid resist material to a uniform thickness by a spin coating method or the like on the original plate 11 made of a glass plate or a silicon wafer whose surface is polished and cleaned to be a smooth surface, This is done by pre-baking. As a result, the resist material is heated and dried to form a resist film 12. Since this resist material contains an electron-withdrawing element such as chlorine, sulfur, fluorine or the like or an electron-withdrawing group, the electron absorption sensitivity of the formed resist film 12 is improved.
[0017]
Next, a process of patterning the resist film 12 will be described. In this step, first, as shown in FIG. 1B, the resist film 12 is exposed by irradiating an electron beam from the upper surface side of the resist film 12, and a latent image 12a is formed on the surface of the resist film 12. Then, the data signal is recorded. Thereafter, as shown in FIG. 1C, the latent image 12 a is removed by developing the resist film 12, and a concave pattern 12 b made up of a plurality of grooves is formed on the upper surface of the resist film 12. Subsequently, the resist film 12 is post-baked to complete the patterning process for the resist film 12.
[0018]
Subsequently, as shown in FIG. 1D, a process of forming an electrode film 13 as a stamper forming thin film will be described. In this step, the electrode film 13 made of a stamper-forming electrode material (metal material) is formed on the upper surface of the resist film 12 by a method such as sputtering, vapor deposition, or electroless plating so as to have a uniform film thickness. Is done. In this state, the shape of the concave pattern 12b is accurately transferred to the electrode film 13.
[0019]
Finally, a process for forming the stamper 15 will be described. In this step, first, as shown in FIG. 1 (e), the electrode film 13 is used as an electrode and electroforming is performed, whereby Ni element is deposited on the upper surface of the electrode film 13, and the metal layer 14 is formed. Laminated. Then, by peeling the metal layer 14 together with the electrode film 13 from the surfaces of the original plate 11 and the resist film 12, as shown in FIG. 1F, the stamper 15 in which the metal layer 14 and the electrode film 13 are integrated is obtained. can get.
[0020]
On the lower surface of the stamper 15, a convex pattern 16 composed of a plurality of protrusions having a shape reversed to the concave pattern 12b is formed by the electrode film 13 in which the shape of the concave pattern 12b is accurately transferred. Yes. By using this stamper 15, the substrate 21 constituting the optical disk 20 is injection-molded as described above.
[0021]
As a process after the stamper 15 is formed, the stamper 15 obtained in the above process is used as a master stamper, and a sub master having a concave pattern is formed by performing electroforming on the surface on which the convex pattern 16 is formed. A stamper can be formed. Thereafter, a plurality of baby stampers having the same shape as the master stamper can be formed by using the sub master stamper, and the substrate 21 of the optical disk 20 can be injection molded using these baby stampers.
[0022]
On the other hand, the electrode material (metal material) for forming the stamper constituting the electrode film 13 has high conductivity and is less likely to cause a chemical reaction with respect to an electron-withdrawing element or electron-withdrawing group in the resist material. A material containing silver (Ag) as a main component and containing at least one other element is used. In this specification, the main component refers to the material having the largest content among the stamper forming electrode materials. As the other element, it is possible to easily improve the corrosion resistance of the electrode film 13 as a stamper-forming thin film. Therefore, at least one of gold (Au) and copper (Cu) is selected. preferable. In addition to gold (Au) and copper (Cu), aluminum (Al), palladium (Pd), nickel (Ni), vanadium (V), tantalum (Ta), tungsten (W), molybdenum (Mo), At least one of chromium (Cr), ruthenium (Ru), and magnesium (Mg) may be selected.
[0023]
As the stamper forming electrode material of this embodiment, Ag is used as a main component, and among the metal elements listed above, Au and Cu are added. Thus, when Au and Cu are added to the electrode material for forming a stamper, the electron-withdrawing element such as chlorine, sulfur, fluorine or the like is used as an electron-withdrawing group while maintaining the conductivity of the electrode film 13. It is possible to improve the corrosion resistance of the substance having the same.
[0024]
Further, when Au is added, the Au content in the stamper-forming electrode material is preferably 5.0 weight percent or less, more preferably 3.0 weight percent or less, and even more preferably 1. 5 weight percent or less. If more than 5.0 weight percent of Au is contained, depending on the composition, it becomes difficult to form a solid solution with each of Ag and Cu, the properties of the resulting metal material are not stable, and the desired corrosion resistance is obtained. There is a risk of not doing it. Further, the Cu content in the stamper-forming electrode material is preferably 5.0 weight percent or less, more preferably 3.0 weight percent or less, and even more preferably 1.5 weight percent or less. . If Cu is contained in an amount of more than 5.0 weight percent, depending on the composition, it becomes difficult to form a solid solution with Ag and Au, the properties of the metal material to be produced are not stable, and the desired corrosion resistance is obtained. There is a risk of not.
[0025]
The effects exhibited by the above embodiment will be described below.
The electrode film 13 as the stamper forming thin film of the embodiment uses a stamper forming electrode material (metal material) made of Ag, Au, and Cu. This electrode material for forming a stamper made of Ag, Au, and Cu has high corrosion resistance against an electron-withdrawing element such as chlorine, sulfur, fluorine, or a substance having these as an electron-withdrawing group. It is possible to prevent damage such as alteration of the electrode film 13 when the metal layer 14 is formed.
[0026]
The stamper 15 on which the surface of the convex pattern 16 is formed by the electrode film 13 can maintain the surface as a smooth surface while the concave pattern 12b of the resist film 12 is accurately transferred. Accordingly, the substrate 21 of the optical disk 20 formed using such a stamper 15 has a concave pattern 21a in which the concave pattern 12b of the resist film 12 is accurately copied, and each groove portion constituting the concave pattern 21a. The inner surface becomes a smooth surface. And since the irregular reflection of the laser irradiated from the optical pickup for reading the data recorded on the optical disc 20 is suppressed, the S / N ratio (Signal-to-Noise ratio) is improved and the quality of the optical disc 20 is improved. Highly maintainable.
[0027]
Furthermore, the corrosion resistance of the electrode film 13 is further improved by setting the Au content in the stamper-forming electrode material to 5.0 weight percent or less and the Cu content to 5.0 weight percent or less. Can be achieved synergistically.
[0028]
【Example】
Hereinafter, the embodiment will be described more specifically with reference to examples and comparative examples. In addition, this invention is not limited to those Examples.
[0029]
(Examples 1-6)
An electrode film 13 made of Ag, Au, and Cu was formed on a quartz substrate using an RF sputtering apparatus. That is, three types of sputtering targets of Ag, Au, and Cu were prepared, mounted on an RF sputtering apparatus, sputtering was performed, and each metal was deposited on the substrate at the same time to form the electrode film 13. At this time, the size of the sputtering target was 7.62 cm (3 inches) in diameter and 5 mm in thickness, and the distance from the sputtering target to the substrate was about 90 cm. The film formation condition is that the ultimate vacuum is 3 × 10. ^-Five Pa and the gas pressure during film formation were set to 0.7 to 1.0 Pa. The RF input power was 100 to 500W.
[0030]
Then, the electrode film 13 was formed by making the Cu content constant at 0.1 weight percent (hereinafter referred to as wt%), while changing the Au content in each example. The content rate was adjusted by controlling the emission amount of each metal atom, and the emission amount of the metal atom was controlled by the RF input power to each sputtering target.
[0031]
(Comparative Example 1)
An electrode film 13 made of only Ag was formed on a quartz substrate using an RF sputtering apparatus. That is, an Ag sputtering target was prepared, mounted on an RF sputtering apparatus, and sputtering was performed to form the electrode film 13. The size of the sputtering target was 7.62 cm (3 inches) in diameter and 5 mm in thickness, and the distance from the sputtering target to the substrate was about 90 cm. The film formation condition is that the ultimate vacuum is 3 × 10. ^-Five Pa and the gas pressure during film formation were set to 0.7 to 1.0 Pa. The RF input power was 100 to 500W.
[0032]
(Evaluation of corrosion resistance)
The electrode films 13 obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Example 1 were immersed together with a quartz substrate in a sodium chloride aqueous solution having a concentration of 5 volume percent (hereinafter referred to as vol%) and left for a predetermined time. Then, the presence or absence of change with time was evaluated. The measurement results are shown in Table 1. In addition, the composition in the metal material, that is, the content of each metal element is expressed by wt%. The evaluation of the presence or absence of the change with time was performed visually by the measurer, and the case where the surface of the electrode film 13 was not altered at the time of measurement was evaluated as ◯, the case where the surface was slightly altered was evaluated as Δ, and the case where the surface was altered was evaluated as x. . The reason why the sodium chloride aqueous solution is used is that there is a concern about the corrosive action caused by containing chlorine and sodium in the resist material selected arbitrarily.
[0033]
[Table 1]

From the results shown in Table 1, when the comparative example 1 was immersed in an aqueous sodium chloride solution, the entire end of the electrode film 13 was denatured so as to turn yellow. This indicates that any metal element in the alloy material has reacted with chlorine. Further, in Example 6, the surface of the electrode film 13 was denatured so that a part of the end thereof was slightly yellow. On the other hand, in Examples 1-5, even if it immersed in sodium chloride aqueous solution, the surface of the electrode film 13 did not change. For this reason, it was shown that corrosion resistance improves by adding Au and Cu to the alloy material which has Ag as a main component.
[0034]
In addition, as a result of changing the content ratio of Au within a range of 0.1 to 6.0 wt% with a constant Cu content ratio, in Examples 1 to 5, the surface of the electrode film 13 was not deteriorated. 6 showed that the surface of the electrode film 13 was slightly altered, so that the Au content is preferably set to 5.0 wt% or less. Furthermore, when the content rate of Ag is 94-99.9 wt%, it was shown that it is preferable to set the content rate of Au within the range of 1 to 50 times compared with the content rate of Cu. Therefore, in the examples shown below, the optimum conditions for the Cu content for producing the electrode film 13 were determined.
[0035]
(Examples 7 to 11)
Sputtering was performed while controlling the release amount of each metal atom in the same manner as in Examples 1 to 6, and the Au content was kept constant at 5.0 wt%, whereas the Cu content was changed to that in Examples 7 to 11. The electrode film 13 was formed by changing each. Then, the electrode film 13 obtained in each example was evaluated in the same manner as the corrosion resistance evaluation described above. The measurement results are shown in Table 2.
[0036]
[Table 2]

From the results of Table 2, in Examples 7 to 10, the surface of the electrode film 13 did not change even when immersed in a sodium chloride aqueous solution. In Example 11, when immersed in an aqueous sodium chloride solution, the surface of the electrode film 13 was denatured so that a part of the end thereof was slightly yellow. As a result of changing the content ratio of Cu within a range of 0.7 to 6.0 wt%, the surface of the electrode film 13 was not altered in Examples 7 to 10, and in Example 11, the content ratio of Au was constant. Since the surface of the electrode film 13 was slightly altered, it was shown that the Cu content is preferably set to 5.0 wt% or less. Furthermore, when the Ag content is 90 to 95.0 wt%, it is shown that it is preferable to set the Au content within a range of 1.0 to 7.5 times compared to the Cu content. It was.
[0037]
Based on this result, in the examples shown below, further optimum conditions for producing the electrode film 13 were obtained.
(Examples 12 to 18)
Sputtering was performed while controlling the release amount of each metal atom in the same manner as in Examples 1 to 6. In Examples 12 to 16, the Au content was kept constant at 0.5 wt%, whereas the Cu content was In Examples 17 and 18, the electrode film 13 was formed by changing the Cu content rate to be constant at 0.5 wt% and changing the Au content rate. Then, the electrode film 13 obtained in each example was immersed in an aqueous sodium chloride solution having a concentration of 5 vol% at room temperature, as in the above-described evaluation of corrosion resistance, for 5 hours (hereinafter referred to as hr), 10 hr. The presence or absence of changes after 24 hours was evaluated. The measurement results are shown in Table 3. In addition, evaluation of the presence or absence of a change was performed by a measurer's visual observation, and the case where the surface of the electrode film 13 did not change during the measurement was evaluated as ◯, and the case where the surface was changed was evaluated as ×.
[0038]
[Table 3]

From the results of Table 3, in Example 12, no alteration was observed on the surface of the electrode film 13 when immersed for 5 hr, and alteration was observed when immersed for 10 hr. In Example 13 and Example 14, no alteration was observed on the surface of the electrode film 13 when immersed for 5 to 10 hours, and alteration was observed when immersed for 24 hours. In Examples 15 to 18, no alteration was observed on the surface of the electrode film 13 even after immersion for 24 hours.
[0039]
When Example 12 and Example 13 were compared, it was shown that the corrosion resistance of Example 13 was higher than that of Example 12 even though the Au content was also 0.5 wt%. For this reason, when the Au content is set to 0.5 wt%, it is considered that the Cu content is preferably set to 3.5 wt% or less. In addition, comparing Example 14 and Example 15, it was shown that the corrosion resistance of Example 15 is higher than that of Example 14 even though the Au content is also 0.5 wt%. . For this reason, when the content rate of Au is 0.5 wt%, it is considered that the Cu content rate is more preferably set to 1.5 wt% or less. Furthermore, when the content rate of Ag is 98-99 wt%, it was shown that it is more preferable to set the Cu content rate within a range of 1 to 3 times as compared with the Au content rate.
[0040]
On the other hand, in Example 17 and Example 18 in which the Cu content was kept constant at 0.5 wt%, both examples showed very high corrosion resistance. As a result, it is considered that the best corrosion resistance can be imparted by setting the Cu content to 0.5 wt% or less and the Ag content to 5.0 wt% or less. Furthermore, it was shown that when the Ag content is 94 to 97 wt%, the Au content is preferably set within a range of 6 to 10 times compared to the Cu content.
[0041]
In addition, this embodiment can also be changed and embodied as follows.
The optical disc 20 of the above embodiment has the substrate 21, the reflective film 22, and the protective layer 23, but is not limited to this. For example, the substrate 21, the reflective film 22, and the protective layer 23 are provided. The optical disk 20 may have two layers.
[0042]
Further, the technical idea that can be grasped from the embodiment will be described below.
(1) The ratio of 94-99.9 weight percent of silver (Ag) element and the content ratio on a weight basis is 1.0-50.0 gold (Au) element with respect to copper (Cu) element 1 The stamper forming electrode material according to claim 1, wherein the stamper forming electrode material is set as follows. When comprised in this way, the further favorable corrosion resistance can be provided to the thin film for stamper formation which forms a stamper.
[0043]
(2) The ratio of 98 to 99 weight percent of silver (Ag) element and the content ratio on a weight basis is 1.0 to 3.0 of gold (Au) element with respect to copper (Cu) element 1 The electrode material for forming a stamper according to claim 1, which is set. When configured in this way, it is possible to impart even better corrosion resistance to the stamper-forming thin film that forms the stamper.
[0044]
(3) The ratio of 94 to 97 weight percent of silver (Ag) element and the content ratio on a weight basis is gold (Au) element 6.0 to 10.0 with respect to copper (Cu) element 1 The electrode material for forming a stamper according to claim 1, which is set. When configured in this way, it is possible to impart even better corrosion resistance to the stamper-forming thin film that forms the stamper.
[0045]
(4) A stamper-forming thin film comprising the stamper-forming electrode material according to any one of (1) to (3). When configured in this manner, better corrosion resistance can be imparted by the stamper-forming thin film that forms the stamper.
[0046]
【The invention's effect】
As described in detail above, the present invention has the following effects.
According to the electrode material for forming a stamper of the invention described in claim 1, by improving the corrosion resistance, damage to the thin film for forming the stamper can be suppressed and the formed stamper can be made of high quality. .
[0048]
Claim 2 According to the stamper forming electrode material of the invention described in claim 2, 1 In addition to the effects of the described invention, the stamper-forming thin film can impart better corrosion resistance.
[0049]
Claim 3 According to the electrode material for forming a stamper described in the invention, it is possible to impart even better corrosion resistance to a thin film for forming a stamper, to suppress damage to the thin film for forming a stamper, and to form a high quality stamper. Can be.
[0050]
Claim 4 According to the stamper-forming thin film of the invention described in the above, by improving the corrosion resistance, damage to the stamper-forming thin film can be suppressed and the formed stamper can be of high quality.
[Brief description of the drawings]
FIGS. 1A to 1F are partial enlarged end views schematically showing manufacturing steps of a stamper according to an embodiment.
FIG. 2A is a partially enlarged end view schematically showing a substrate forming process using the stamper of the embodiment, and FIG. 2B is a partially enlarged end view schematically showing an optical disc.
FIGS. 3A to 3F are partially enlarged end views schematically showing a conventional stamper manufacturing process.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Original plate, 12 ... Resist film | membrane, 13 ... Electrode film | membrane as a thin film for stamper formation, 14 ... Metal layer, 15 ... Stamper.

Claims

Configure a stamper forming thin film that is coated on the surface of the patterned resist film on the original plate,
For forming a stamper by forming a stamper by laminating a metal layer on the surface of the thin film by electroforming using the stamper forming thin film as an electrode, and peeling the metal layer from the resist film together with the stamper forming thin film. An electrode material,
With mainly containing silver (Ag) element, that contains gold (Au) element and copper (Cu) elements, to form a solid solution from said silver (Ag) element and the other element as other element An electrode material for forming a stamper.

2. The electrode material for forming a stamper according to claim 1, comprising 90% by weight or more of the silver (Ag) element .

Configure a stamper forming thin film that is coated on the surface of the patterned resist film on the original plate,
For forming a stamper by forming a stamper by laminating a metal layer on the surface of the thin film by electroforming using the stamper forming thin film as an electrode, and peeling the metal layer from the resist film together with the stamper forming thin film. An electrode material,
It contains a silver (Ag) element as a main component, and contains other elements of 5.0 weight percent or less gold (Au) element and 5.0 weight percent or less copper (Cu) element. Stamper forming electrode material.

A stamper-forming thin film comprising the stamper-forming electrode material according to any one of claims 1 to 3.