JP4445777B2

JP4445777B2 - 配線基板、及び配線基板の製造方法

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Publication number: JP4445777B2
Application number: JP2004055101A
Authority: JP
Inventors: 達也伊藤
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2004-02-27
Filing date: 2004-02-27
Publication date: 2010-04-07
Anticipated expiration: 2024-02-27
Also published as: JP2005244108A

Description

本発明は、配線基板、及びその製造方法に関する。

近年、電子機器における高機能化並びに軽薄短小化の要求により、ＩＣチップやＬＳＩ等の電子部品では高密度集積化が急速に進んでおり、これに伴い、電子部品を搭載するパッケージ基板には、従来にも増して高密度配線化及び多端子化が求められている。

このようなパッケージ基板としては、現状において、ビルドアップ多層配線基板が採用されている。ビルドアップ多層配線基板とは、補強繊維に樹脂を含浸させた絶縁性のコア基板（ＦＲ−４等のガラスエポキシ基板）のリジッド性を利用し、その両主表面上に、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に配されたビルドアップ層を形成したものである。このようなビルドアップ多層配線基板では、ビルドアップ層において高密度配線化が実現されており、一方、コア基板は補強の役割を果たす。そのため、コア基板は、ビルドアップ層と比べて非常に厚く構成され、またその内部にはそれぞれの主表面に配されたビルドアップ層間の導通を図るための配線（例えば、スルーホール導体と呼ばれる）が厚さ方向に貫通形成されている。ところが、使用する信号周波数が１ＧＨｚを超える高周波帯域となってきた現在では、そのような厚いコア基板を貫通する配線は、大きなインダクタンスとして寄与してしまうという問題があった。

そこで、そのような問題を解決するため、特許文献１に示されるような、コア基板を有さず、高密度配線化が可能なビルドアップ層を主体とした配線基板が提案されている。このような配線基板では、コア基板が省略されているため、全体の配線長が短く構成され、高周波用途に供するのに好適である。このような配線基板を製造するためには、段落００１２〜００２９及び図１〜４に記載されているように、ビルドアップ層の機械的強度を補償するために金属板を用いて、該金属板上にビルドアップ層を形成した後、金属板をエッチングすることにより薄膜のビルドアップ層のみを得る。そして、このビルドアップ層が配線基板とされる。

特開２００２−２６１７１号公報

ところが、上述のように、ビルドアップ層の機械的強度を補償するために金属板を支持基板として形成する場合、金属板は、従来のコア基板のように、ビルドアップ層の層面内領域に対して全面被覆する形でないので、外力を受けた際、ビルドアップ層における導体層と絶縁体層との界面付近に応力が集中しやすくなるという問題がある。特に、図４の模式図に示すように、金属パッド層が表面露出した形であると、絶縁体層との接着面積が少ないがために、応力集中した際、特にクラックやデラミ等の欠陥が発生しやすい領域となる。

上記のように、ビルドアップ層における導体層と絶縁体層との界面近傍にクラックやデラミ等の欠陥が発生すると、ビルドアップ層に求められる電気的特性などの品質を所望のものとできず、その欠陥が過大なものとなれば、製品化された多層配線基板は不良品として取り扱われることになり、歩留まりの低下を招く。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、コア基板を有さず、ビルドアップ層を多層配線層とする多層配線基板を対象とし、そのビルドアップ層の電気的特性などの品質向上に適した多層配線基板を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段及び作用・発明の効果

上記課題を解決するために、本発明の配線基板は、
両主表面が誘電体層にて構成されるよう、導体層と誘電体層とが積層されるとともに、少なくとも一方の主表面をなす前記誘電体層の開口に形成された金属端子パッドを有する配線基板であって、
前記金属端子パッドは、前記開口に露出面を有し、かつ該露出面の裏面で前記配線基板内部の前記導体層とビア接続されるパッド本体と、該パッド本体の外縁から前記配線基板の内層方向に、前記開口の壁部に沿って形成される壁面導体部と、にて構成されることを特徴とする。

上記本発明の特徴は、図１に示すように、導体層と誘電体層とが積層される配線基板において、その主表面のうち少なくとも一方に、図２に示すような導体構造を有する導体パターンが形成されるという点にある。この導体構造は金属端子パッドとして形成されるものであり、図２は、その金属端子パッドを拡大した断面図である。金属端子パッドＰＤは、下部誘電体層Ｂａに形成された開口に露出面を有し、かつその裏面で形成すべき配線基板内部の導体層とビア接続されるパッド本体ＰＤａと、該パッド本体ＰＤａの外縁から、形成されるべき配線基板の内層方向に延びてなる延長導体部（壁面導体部）ＰＤｂと、にて構成される導体構造をなす。この導体構造は、下部誘電体層Ｂａと密着して形成される上部誘電体層Ｂｂ内のビア導体ＶＡと、パッド本体ＰＤａの中央上部において接続されている。また、図２に示すパッド本体ＰＤａの下面は、外部基板への接続を担うパッド面として機能する。

図４は、従来の金属端子パッド（以下、パッドとも言う）の断面を示すものである。図４の金属端子パッドＰＤは、図２に示す本発明の金属端子パッドＰＤのパッド本体ＰＤａのみからなる導体構造を有している。この場合、パッド導体構造と誘電体層との界面、特に図のＡ，Ｂの破線内の界面では、内部応力が集中する傾向がある。従って、図のＡの領域においては、パッドと密着する誘電体層に、パッドと誘電体層との界面を起点にして、図のように配線基板の内層方向に伸びるクラックが発生しやすい。また、Ｂの領域においては、パッドＰＤの壁面から誘電体層Ｂａのはがれ（デラミネーションまたはデラミとも言う）が発生しやすい。これらのクラックやはがれは、配線基板製造時の積層工程時や積層後における加熱冷却によって、熱膨張率の低いパッドと熱膨張率の高い誘電体層とがそれぞれの熱膨張率に基づいて膨張収縮を繰り返すことによって、両者の界面に内部応力が加えられて生じるものである。

また、図１のようなコア基板を有さない配線基板を製造する積層工程では、パッドの露出面側が、ある程度のリジッド性を有する支持体と密着し、積層されるビルドアップ層等を支持している場合が多い。この場合、積層工程においては、リジッド性を有する支持体が誘電体層の膨張収縮によって生じる内部応力を支持しているが、この支持体は積層工程後、除去されてしまう。このとき、図のＢの領域には、積層工程で生じた内部応力に加えて、支持体が支持していた応力の一部も加わるため、この領域のパッドと誘電体層との界面では、図４のようなはがれなどを生じやすい状態となる。また、その際、Ｂの領域に集中した応力の一部はＡの領域にも伝わり、Ａの領域においても応力が増し、クラック等が発生する場合もある。

ところが本発明によれば、パッド構造が、従来のパッドよりも誘電体層の密着面積が広くなるように形成されている。これにより、パッドに集中する応力は分散され、クラックやはがれを効果的に防止することができる。また、図４において、クラックを発生しやすい領域であったＡの領域には、導体部（壁面導体部）ＰＤｂがパッド本体ＰＤａの外縁から配線基板の内層方向に伸びる形で形成されている。この導体部ＰＤｂは、特に応力が集中するＡの領域に加わる内部応力を効果的に分散し、クラックの発生を防止することができる。また、支持体除去時に増す応力にも耐え易い構造となる。なお、壁面導体部ＰＤｂは、少なくともパッド本体ＰＤａの端部（外縁部）から配線基板の内層方向に延びる導体部分が形成されていれば、上記効果を得ることができる。ただし、図２のように、パッド本体ＰＤａ側とは逆側の端部において、基板の積層方向に対して垂直に外側に向けて伸びている部分が形成されていてもよい。

また、本発明のパッド構造と接続するビア導体は、図２に示すように上記パッド本体ＰＤａの中央部で接続されるとともに、壁面導体部ＰＤｂと接触していない構造を有する。この構造によれば、パッド構造が対称に形成されるため、内部応力の分散のバランスが取りやすく、パッドの非対称構造に基づく局所的な応力の発生が生じ得ない。従って、クラック、はがれ等の防止に好適である。なお、ビア導体と壁面導体部との間は誘電体が形成されているが、この領域は他に比べて導体部が密集しているため、クラック等は発生しにくい状態にある。したがって、ビア導体と壁面導体部との間の領域を、導体で充填しておく必用はない。

また、本発明の配線基板は、前記壁面導体部は、前記パッド本体とは逆側の端部が、鉤型形状をなすことを特徴としても良い。

これにより、パッドと誘電体層との密着面積をさらに大きく形成することが可能となり、さらなる内部応力の分散を図ることができる。壁面導体部ＰＤｂ（図２）は、形成されるべき配線基板の内層方向に伸びて形成されるが、上層の導体と近接しすぎるとクロストーク等の不具合を生じかねない。従って、配線基板の内層方向に壁面導体部を形成するにも限界があるため、パッドと誘電体層との密着面積をさらに大きくするためには、壁面導体部のパッド本体とは逆側の端部を鉤型形状とし、鉤型形状の爪部分の導体部を面方向（形成される配線基板の側面側方向）に延長することで、更なる密着面積の拡大が可能となる。ただし、壁面導体部の鉤型形状の爪部分（壁面導体部の面方向に延びた部分）が、パッドの露出面に近接しすぎると、外部からの電磁的な影響を受けやすくなる可能性があるため、その形成位置については考慮される必要がある。

また、本発明の配線基板は、コア基板を有さないことを特徴とするものであってもよい。コア基板を有さない配線基板は、薄く形成されることを特徴とするものである。このような配線基板においては特に、クラックやはがれ等に効果を有する上記パッド構造は、配線基板の強度を増すという意味において有効である。

上記課題を解決するために、本発明の配線基板の製造方法は、
コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、導体層と誘電体層とが積層されるとともに、少なくとも一方の主表面をなす前記誘電体層の開口に形成された金属端子パッドを有する配線基板の製造方法であって、製造時における補強のために支持体を用いて、該支持体の主表面に第一誘電体層を形成し、該第一誘電体層の所定位置に開口を貫通形成し、該開口の壁部および底部を含む領域を覆うように前記金属端子パッドとなるべき被覆導体部を形成する金属端子パッド形成工程と、前記第一誘電体層上に形成された第二誘電体層に、前記被覆導体部のうち、前記開口の底部を覆う部位と接続するビア導体を形成するビア導体形成工程と、前記配線基板を構成すべき残部の導体層および誘電体層を積層させる積層工程と、前記積層工程後に、前記支持体を除去する支持体除去工程と、がこの順で行われることを特徴とする。

上記本発明の配線基板の製造方法は、上記本発明の配線基板の金属端子パッド（上記パッド本体と上記壁面導体部とからなる）を形成する金属端子パッド形成工程を有することを特徴とするものである。金属端子パッド形成工程の内容を具体的に述べると、製造時における補強のための支持体の主表面に第一誘電体層を形成し、該誘電体層の所定位置に開口を貫通して設け、前記支持体と密着するパッド本体と、該パッド本体から前記開口の壁面に沿って形成される壁面導体部とからなる金属端子パッドを形成するというものである。以下、本発明の配線基板の製造方法の一実施形態を、図５〜８を用いて簡単に説明する。

まず、図５に示すように、工程１，２にて形成された、配線基板の積層時における補強のための支持体（図では、ＦＲ−４等のガラスエポキシ基板２と下地誘電体層３と金属箔密着体５とからなる）９の主表面に、工程３にて第一誘電体層Ｂ１（図１）となるべき第一誘電体シート３１を形成する。このとき支持体９は、配線基板の積層後に除去されるものを対象とし、例えば、図に示されている上下に引き剥がし可能な金属箔密着体を備える支持体や、エッチング除去可能な金属板等であっても良い。

次いで、図６において、工程４で該第一誘電体シート３１にパッドを形成するための開口を貫通形成するとともに、工程５にて、該開口の底部と壁部とを覆うように導体を形成することで、上記金属端子パッドとなるべき被覆導体部１１ａを形成することができる。このとき、例えば、電解めっき処理によって該被膜導体部１１ａを形成すれば、上記パッド本体ＰＤａと壁面導体部ＰＤｂ（図２）とを同時に形成できるため、効率的に配線基板を製造することができる。

工程６では被覆導体部１１ａおよび第一誘電体シート３１上に第二誘電体シート３２を形成し、該第二誘電体シート３２にはビア用の開口（以下、ビア用開口ともいう）を、開口底部を覆ってなる導体部（図２のパッド本体ＰＤａ）が露出するように形成する。このとき形成されるビア用開口は、パッド本体ＰＤａ（図２）の中央部を露出させるように形成されることで、該ビア用開口に形成されるべきビア導体２１と被膜導体部１１ａとからなる導体構造は、パッド中心に対して対称に形成することができる。これにより、パッドをなす被膜導体部１１ａの構造の非対称性によって、内部応力が局所的に集中することを防ぐことができ、クラックやはがれの発生を防ぐことができる。

図７では、工程７，８では周知のビルドアップ法に基づきビルドアップ層１０を積層するとともに、図７の工程９および図８の工程１０，１１では、支持体を含む配線基板の不要部分を除去する。これにより上記した本発明の配線基板を形成することができ、ひいてはその量産も可能となる。なお、上記配線基板の製造方法の詳細は後述する。

また、本発明の配線基板の製造方法は、
前記金属端子パッド形成工程は、前記第一誘電体層の主表面において、前記開口及びその近傍を除く領域をマスク材により覆い、めっき処理により前記被膜導体部を選択的に形成することを特徴としても良い。

これによれば、上記した図６の工程４，５において、パッドを形成するための開口の底部および壁部を導体にて覆う処理を、めっき処理によって行うことができる。これにより、上記パッド本体および壁部導体部とを同時に形成することができるため、金属端子パッドとなるべき被覆導体部を効率的に形成することができる。また、このときマスク材にて被覆しない領域を、パッド形成用の開口およびその近傍（開口の壁部をなす第一誘電体層の主表面）とすることで、図６に示す工程４のめっきレジスト６のようなパターンのマスクが形成され、第一誘電体層の金属端子パッドの壁部導体部を、開口面に沿って鉤型状に形成することが可能となる。

発明の実施の形態

図１は、本発明の配線基板１の断面構造の概略を表す図である。配線基板１は、コア基板を有さず、且つ高分子材料からなる誘電体層（Ｂ１〜Ｂ４）と導体層（Ｍ１〜Ｍ４）とが積層された積層体を有する。該積層体の第一主表面ＭＰ１は、電子部品を搭載するための搭載面とされ、主表面にはソルダーレジストＳＲからなる第四誘電体層Ｂ４が形成されており、その開口からは第四導体層Ｍ４をなす導体パターンが露出している。該導体パターンは、電子部品等と接続する第二金属端子パッドＰＤ２をなすものである。その露出面上には電子部品と接続するための、ハンダで構成された周知のハンダバンプＦＢが形成され、突起状の金属端子をなしている。また、第二主表面ＭＰ２は、マザーボードや外部基板等と接続するための接続面とされ、第一誘電体層Ｂ１が形成されており、その開口には第一金属導体層Ｍ１をなす導体パターンが露出して形成され、外部基板への接続を担う第一金属端子パッドＰＤ１をなしている。

この第一金属端子パッドＰＤ１は、図２に示す金属端子パッドＰＤと同じ導体構造を有している。該金属端子パッドＰＤは、パッド本体ＰＤａと、該パッド本体ＰＤａの外縁から配線基板の内層方向に延び、パッド本体ＰＤａとは逆側の端部が鉤型形状をなす壁面導体部ＰＤｂとからなる導体構造を有している。この導体構造は、図２の上部誘電体層Ｂｂに形成されたビア導体ＶＡとパッド本体ＰＤａの中央上部で接続している。パッド本体ＰＤａの下部は、外部基板への接続を担うパッド面として機能する。

また、図１に戻り、金属導体層Ｍ２、Ｍ３には、導体パターンＣＬが形成されており、誘電体層Ｂ１〜Ｂ３内には異なる金属導体層間を接続するためのビア導体ＶＡが埋設形成されている。そして、導体パターンＣＬ及びビア導体ＶＡにより、電気導通路（例えばハンダバンプＦＢから金属端子パッドＰＤ１への）が形成される。なお、誘電体層Ｂ１〜Ｂ３は、例えばエポキシ樹脂を主成分とする材料にて構成することができ、また導体パターンＣＬ、ビア導体ＶＡ及び金属端子パッドＰＤは、例えば銅を主成分とする材料にて構成することができる。

以上のような配線基板１は、図３に示すように、第二金属端子パッドＰＤ２に、めっき表面層ＮＭを介してはんだバンプＦＢが形成され、配線基板は該ハンダバンプＦＢを介して電子部品ＩＣと接続される。このとき、電子部品ＩＣ下の隙間がアンダーフィル材ＵＦにて充填される。また、第一主表面ＭＰ１には、補強枠（スティフナー）ＳＴが設置されてもよい。これにより、図１に示す配線基板１は、図３に示す半導体装置１００となる。

上述したような本発明の配線基板における第一金属端子パッドＰＤ１（図１）は、通常の金属端子パッドが図４のパッド本体ＰＤａのみからなるのに対し、それに加えて側壁導体部ＰＤｂをも含むパッド導体構造をなしていることを特徴としている。このようなパッド導体構造によれば、パッドと誘電体層との密着面が通常のパッドが形成された場合よりも広くなり、パッドに集中する応力は分散される。従って、パッド導体構造と第一誘電体層との密着面を起点に発生するクラックやはがれ（デラミネーション）を、効果的に防止することができる。通常のパッドの場合は、図４に示すように、パッドＰＤと誘電体層をなす誘電体シート３０との界面を起点にクラックやはがれが生じ易かった。

なお、本発明は、図１に示す配線基板に限定されるものではなく、請求項の記載に基づく技術的範囲を逸脱しない限り、種々の変形ないし改良を付加することができる。

以下、本発明の実施形態である配線基板の製造方法の一例を、図５〜図８を用いて説明する。なお、本発明の配線基板の製造方法は、積層時に用いる支持基板を積層後に除去する配線基板の製造方法に対して、適用することが可能である。以下で説明する本発明の製造方法は、積層体と支持基板との分離を剥離によって行うことを特徴とする支持基板を有さない配線基板の製造方法に基づくものである。

まず、図５に示すように、工程１では、製造時における補強のための支持基板２上に下地誘電体シート３を形成する。支持基板２は、下地誘電体シート３が密着するものであれば特には限定されないが、例えばＦＲ−４等のガラスエポキシ基板（上述のようにコア基板に用いられる材料である）にて構成することができる。また、下地誘電体シート３も、特には限定されないが、後述する誘電体シートと同材料、例えばエポキシを主成分とする材料にて構成することもできる。

次に、工程２では、下地誘電体シート３の主表面上に、該主表面に包含されるよう配され、２つの金属箔５ａ、５ｂが密着してなる金属箔密着体５を配す。これにより、支持基板２と下地誘電体シート３と金属箔密着体５とからなる、積層形成時の支持体９が形成される。なお、金属箔密着体５は、半硬化状態の下地誘電体シート３上に配すようにすることができる。これにより、以降の工程で金属箔密着体５の下側金属箔５ａが下地誘電体シート３から剥れない程度の密着性を得ることができる。また、金属箔密着体５は、例えば２つの銅箔を金属メッキ（例えばＣｒ）を介して密着させたものを用いることができる。このような金属箔密着体５は、剥離が可能となる。

工程３では、金属箔密着体５を包むように、第一誘電体層Ｂ１の下部領域Ｂ１ａとなるべき第一誘電体シート３１を形成する。そして、該第一誘電体シート３１は、金属箔密着体５（上側金属箔５ｂ）とともに、金属箔密着体５の周囲領域にて下地誘電体シート３と密着して、金属箔密着体５を封止する。なお、誘電体シートの形成は、例えば周知の真空ラミネーション法を用いることができる。

次に、図６に示すように、工程４では、第一誘電体シート３１に、図１の金属端子パッドＰＤ１が形成されるべきパッド用開口を、例えば周知のフォトビアプロセスにより貫通形成する。この場合、第一誘電体シート３１は、少なくとも感光性を有する必用があり、例えば感光性樹脂フィルムであるプロビコートフィルム（日本ペイント株式会社製）等を用いることができる。また、第一誘電体シート３１の主表面側の露出面全面に無電解めっき処理によって無電解めっき層１１ｂを形成した上で、図６に示すようにパッド用開口及びその周部を除く領域を、めっきレジスト６でマスクする。

工程５では、このめっきレジスト６をマスクとして電解めっき処理を行った上で、めっきレジスト６を除去し、次いで電解めっき層をめっきレジスト（図示なし）によりマスクして、マスクされていない領域の無電解めっき層１１ｂを除去し、めっきレジスト層（図示なし）を除去する。これにより、図のような導体構造を有する導体パターン１１ａが露出して形成される。このように形成された導体パターン１１ａは、第一誘電体シート３１のパッド用開口の壁部の側面側と上面側とを覆うように形成され、この壁部を覆っている壁面導体部は鉤型形状をなしている。この導体パターン１１ａの導体構造は、図１の第一導体層Ｍ１に属する第一金属端子パッドＰＤ１をなすものであり、図６の工程５に示す導体パターン１１ａと上側金属箔５ｂとの接触面が、マザーボードや他の配線基板と接続するための接続面となる。

工程６では、導体パターン１１ａを包むように第二誘電体シート３２をラミネート（貼り合わせ）形成する。これにより、該第二誘電体シート３２と第一誘電体シート３１とにてなる図１の第一誘電体層Ｂ１となるべき誘電体領域が形成される。また、第二誘電体シート３２には、導体パターン１１ａの導体構造の中央部分が露出して現れる、ビア用開口が形成される。該ビア用開口は、例えば周知のレーザ加工で形成することができる。この場合、ビア用開口が形成される誘電体シートは、少なくとも熱硬化性を有し、かつ硬化処理が施されていることが好ましい。また、上述したように周知のフォトビアプロセスにより形成することも可能である。

次に図７に示すように、工程７では、ビア用開口に第一ビア導体２１が形成されるとともに、該第一ビア導体２１と接続する第二導体層Ｍ２（図１）をなす導体パターン１２が、第二誘電体シート上に形成される。なお、ビア導体は、形成されたビア用開口を、例えば周知のセミアディティブ法における無電解メッキによって充填することにより得ることができる。また、導体層の形成も、上述したセミアディティブ法により形成することができる。

工程８では、導体パターン１２上に、第二誘電体層Ｂ２となるべき第三誘電体シート３３を形成するとともに、該第三誘電体シート３３内にビア導体２２を形成する。次いで、第三誘電体シート３３およびビア導体２２からなる露出面上に、第三導体パターン１３、第四誘電体シート３４、第四導体パターン１４、第５誘電体シート３５を順次積層形成する。このとき、第四導体パターン１４は、図１に示す電子部品搭載側の第二金属端子パッドＰＤ２をなすものであり、該第四誘電体シート１４内にはビア導体２３が形成される。さらに、第五誘電体シート３５にはパッド接続用開口が形成され、第四導体パターン１４を露出させる。これらは、周知のビルドアップ法等により行うことができ、この工程８により、積層シート体１０が形成される。なお、本実施形態では、積層シート体１０は、金属箔密着体５及び誘電体シート３１〜３５にて構成されているが、誘電体シートの数はこれに限られることはない。以上により、下地誘電体シート３の主表面上に、該主表面に包含されるよう配された金属箔密着体５と、該金属箔密着体５を包むよう形成され、かつ該金属箔密着体５の周囲領域にて下地誘電体シート３と密着して該金属箔密着体５を封止する第一誘電体シート３１と、を有する積層シート体１０が形成される。

なお、上記積層工程において積層される誘電体シート３１〜３５は、例えばエポキシを主成分とする材料にて構成することができ、導体パターン１１ａ，１２〜１４、およびビア導体２１〜２３は、例えば銅を主成分として構成することができる。

また、本実施形態では、積層シート体１０の上側の露出した主表面が電子部品搭載側となるように形成されている。したがって、積層シート体１０の上側主表面をなす誘電体シート３５は、図１のようにソルダーレジストＳＲにて形成される。

工程８の後、次の工程９に移る前に、例えば、電解めっき処理により、第二金属端子パッドをなす導体パターン１４のそれぞれの露出表面にメッキ表面層７を形成する。電解メッキ処理は、例えば電解Ｎｉ−Ａｕメッキ又は電解Ｓｎ（ハンダ）メッキを用いることができる。また、このメッキ表面層７は、アルカリ性のエッチング液に対して耐性を有するため、以降の工程で、導体パターン１４を保護する保護層等を形成する必要がなくなる。

工程９では、積層シート体１０は、金属箔密着体５上の領域のみが、配線基板１（図１参照）となるように、該当領域以外を除去する。この除去処理は、例えば、金属薄密着体の両端部を含むＡ１−Ａ１´断面およびＡ２−Ａ２´断面で、下地誘電体シート３及び支持基板２ごと、例えばブレード刃等により切断することで行う。このような切断面を設けて切断処理を行えば、後述する金属薄５ａと金属薄５ｂとの引き剥がしが容易に行えるため有効である。このようにして、金属箔密着体５の上下の領域に形成された積層部分（以下、配線積層部ともいう）のみが残る。これにより、誘電体シート３１〜３５の残余部分が、配線基板１となるべき配線積層部１０´を構成する誘電体層３１´〜３５´となる。

次に図８に示すように、工程１０では、配線積層部１０´を支持基板２から、片方の金属箔（上側金属箔５ｂ）が付着した状態で、金属箔密着体５における２つの金属箔５ａ、５ｂの界面にて剥離する。

そして、工程１１に示すように、工程１０にて配線積層部１０´を支持基板２から剥離した後に、該配線積層部１０´の第一誘電体シート３１が構成する主表面に付着した金属箔５ｂを除去する。このとき露出した導体パターン１１ａ（図１の第一金属端子パッドＰＤ１）は、そのまま接続端子となる。また、導体パターン１４（図１の第二金属端子パッドＰＤ２）の露出面には、めっき表面層７を介してはんだバンプＦＢを形成する。これにより、図１に示す配線基板１が得られる。なお、上記製造方法では、マザーボードや他の配線基板と接続するための金属端子パッド側から積層形成されているが、電子部品ＩＣ側から積層形成されてもよく、この場合、電子部品搭載面側に、導体パターン１１ａのようなパッド導体構造が形成される。

なお、工程１１において、金属箔５ｂの除去は、例えばエッチングにより行うことができる。金属箔５ｂが除去された第一誘電体シート３１の主表面には、内部に第一金属端子パッドＰＤ１が露出して現れる。第一導体パターン１１ａ（図１の第一金属端子パッドＰＤ１）がＣｕを主成分として形成されていた場合は、金属箔５ｂのエッチングによりその表面は多少エッチングされる。つまり、完成した配線基板は、コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、高分子材料からなる誘電体層３１´〜３５´（図１の誘電体層Ｂ１ａ，Ｂ１ｂ，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４）と導体パターン１１ａ，１２，１３，１４（図１の導体層Ｍ１〜Ｍ４）とが積層されるとともに、上述したパッド導体構造を有する第一導体パターン１１ａ（図１の第一金属端子パッドＰＤ１）は、第一主表面ＭＰ１をなす第一誘電体層３１´（図１の誘電体層Ｂ１ａ）の第二主表面側に導体パターン１１ａの露出面がエッチングされて、第一誘電体層３１の第二主表面には凹部（パッド用開口）が形成され、その凹部に表れる新たな露出面を接続端子パッドとするとともに、その露出面の裏面側においてビア導体２１（図１のビア導体ＶＡ）と接続する構成となる。

また、配線積層部１０´の金属薄５ｂ側の主表面を凹凸の無い平坦面として形成したい場合は、例えば上側金属箔５ｂを、Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ａｇ，Ｓｎ等のうちの少なくとも１つ以上の金属材料からなる金属薄膜層として形成しても良い。つまり、金属箔密着体５をなす２つの金属箔５ａ、５ｂのうち、支持基板２を除去（この場合、２つの金属箔の剥離によって除去される）したときに配線積層部に付着して残る金属箔５ｂが、第一ビア導体または第一導体層（金属端子パッド）とは異なる金属材料からなることを特徴とするように形成されてもよい。金属薄膜層に、第一金属端子パッドＰＤ１とエッチング選択比が異なるもの、特には大きいものを用いることで、該金属薄膜層をエッチングする際に、金属端子パッド表面がエッチングされることがなくなる。従って、金属薄膜層の除去面を完全なフラット面として得ることができる。上記実施形態の場合、配線積層部１０´の金属薄５ｂ側の主表面を凹凸の無い平坦面として形成できる。

なお、積層シート体１０に含まれる配線積層部１０´を、上記の配線積層部１０´が連続的に複数個連なったものとすることができる。これにより、複数の配線基板を同時に形成することができる。

また、本発明は、図１をに示す配線基板に限定されるものではなく、請求項の記載に基づく技術的範囲を逸脱しない限り、種々の変形ないし改良を付加することができる。例えば、金属板を積層時の支持基板として用い、積層後に金属板を除去して形成されることを特徴とする配線基板の製造方法（例えば特許文献１）に対しても適用することが可能である。上記実施形態を第一実施形態とした上で、以下、図９〜図１１にて、金属板を支持基板とした場合の、本発明の配線基板の製造方法を、第二実施形態として説明する。

図９のように、支持基板２である金属板（たとえば、銅板）を用意し（工程１）、その直上に第一誘電体層３１´を形成し、金属端子パッドをなす導体パターン１１ａを形成する（工程３）。このとき、導体パターン１１ａは、上記第１実施形態の工程４，５（図６）に示す処理と同様の処理により形成可能である。次いで、図１０では、導体パターン１１ａとするためのビア開口を形成するとともに（工程４）、開口を導体で充填し、第二導体層を形成し（工程５）、周知のビルドアップ法にて配線積層部１０を形成する（工程６）。図１１では、まず支持基板２を、例えばウェットエッチング等によって除去して金属端子パッドをなす導体パターン１１ａを露出し（工程７）、導体パターン１１ａとは逆側に形成された、電子部品との接続端子となる金属端子パッドに、はんだバンプＦＢを形成する（工程８）。工程３〜６は、上記第一実施形態における工程５〜８と同様の処理での行うことが可能であり、本発明の特徴である図２に示す導体構造を有する金属端子パッドを支持基板（支持体）上に形成することができる。したがって、上記第一実施形態と同様に、第二実施形態においても本発明の効果を得ることができる。

本発明の配線基板の位置実施形態を示す概略図。本発明の金属端子パッドの導体構造を示す断面図。図１の配線基板１を用いた半導体装置従来の金属端子パッドの導体構造を示す断面図。本発明の第一実施形態である配線基板の製造方法の工程を表す図図５に続く図図６に続く図図７に続く図本発明の第二実施形態である配線基板の製造方法の工程を表す図図９に続く図図１０に続く図

符号の説明

１配線基板
２支持基板
３下地誘電体シート
５金属箔密着体
１０積層シート体
１１ａ第一導体パターン
２１第一ビア導体
３１第一誘電体シート
３２第二誘電体シート

Claims

両主表面が誘電体層にて構成されるよう、導体層と誘電体層とが積層されるとともに、少なくとも一方の主表面をなす前記誘電体層の開口に形成された金属端子パッドを有する配線基板であって、
前記金属端子パッドは、前記開口に露出面を有し、かつ該露出面の裏面で前記配線基板内部の前記導体層とビア接続されるパッド本体と、該パッド本体の外縁から前記配線基板の内層方向に、前記開口の壁部に沿って形成される壁面導体部と、にて構成されることを特徴とする配線基板。
コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、導体層と誘電体層とが積層されるとともに、少なくとも一方の主表面をなす前記誘電体層の開口に形成された金属端子パッドを有する配線基板の製造方法であって、
製造時における補強のために支持体を用いて、該支持体の主表面に第一誘電体層を形成し、該第一誘電体層の所定位置に開口を貫通形成し、該開口の壁部および底部を含む領域を覆うように前記金属端子パッドとなるべき被覆導体部を形成する金属端子パッド形成工程と、
前記第一誘電体層上に形成された第二誘電体層に、前記被覆導体部のうち、前記開口の底部を覆う部位と接続するビア導体を形成するビア導体形成工程と、
前記配線基板を構成すべき残部の導体層および誘電体層を積層させる積層工程と、
前記積層工程後に、前記支持体を除去する支持体除去工程と、
がこの順で行われることを特徴とする配線基板の製造方法。