JP4454317B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板（以下、単に基板と称する）に対して基板処理を行う基板処理装置に係り、特に、吐出口から処理液を吐出して基板に供給する処理液供給ノズル内の処理液を温調する技術に関する。

従来、処理液供給ノズル内の処理液を温調する技術として、ノズルに接続される処理液配管を取り囲むように温調配管を配設した２重管構造のものがあり、処理液配管内の処理液は温調配管内の恒温水によって温調されてノズルから吐出するようにしている（例えば、特許文献１参照。）。
また、故障などによって処理液配管を交換することを鑑みて、処理液配管が掃抜可能に挿通される温調配管を温調室に備え、温調室の内壁と温調配管の外壁とで形成された密閉空間内に恒温水を流通しているものもある（例えば、特許文献２参照。）。

しかしながら、このような２重管構造を有する場合には、温調配管が大口径となり、ノズル移動時の処理液配管の曲率が大きくとれない。従って、基板の鉛直方向である上下方向の空間が必要になり、装置を上下方向に小型化することができないという問題がある。

かかる問題を解決するために、図２０に示すような技術が提案されている。すなわち、平板状の液だまり部１０１を有するノズル１０２を、２つの温調板１０３が水平方向から挟み込んでノズル１０２内の処理液を温調する。これによって装置の小型化を実現している（例えば、特許文献３参照。）。

なお、図２１に示すように、温調板１０３の挟持面側には液だまり部１０１に当接される挟持板１０３ａが取り付けられているとともに、熱電冷却素子としてのペルチェ素子１０３ｂが取り付けられている。また、ペルチェ素子１０３ｂの挟持板１０３ｂとは反対側の表面には、ペルチェ素子１０３ｂからの発熱分を除去する冷却水を供給する冷却水循環部材１０３ｃが配設されている。また、狭持板１０３ｂには温度センサ（例えば熱電対）が配設されており、液だまり部１０１内の処理液の温度が温度センサから制御部に送られて、処理液が所定の温度に温調されるように温調板１０３のペルチェ素子１０３ｂへの電源電圧の供給を制御部が制御する。このように制御することで、温調の精度を向上させるとともに、基板に所望の温度に設定された処理液を供給することで基板処理の精度をも向上させることができる。
特開平６−２９１０２７号公報（第４−５頁、図３） 特開平７−２６３３２６号公報（第３頁、図１） 特開２００３−２９７７３９号公報（第３頁、図６、図７）

しかしながら、温度センサを設けているにも関わらず基板処理を精度良く行うことができない事態が発生することが判明した。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板処理を精度良く行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記の問題を解決するために鋭意研究した結果、次のような知見を得た。
すなわち、これまで温度センサなどに代表される温度検出部の精度を向上させる、あるいは液だまり部にも温度センサを配設して液だまり部と温調板の狭持板とでそれぞれ検出された温度差に基づいて制御するという発想を変えて、基板処理の精度が温度センサを配設する箇所に起因するとの仮定の下で、様々な実験を行った。

図２２は、温度センサを導入口から遠い上部に配設したときの概略図であって、図２２（ａ）は温調板の斜視図、図２２（ｂ）は液だまり部の縦断面図であり、図２３は、温度センサを導入口から近い下部に配設したときの概略図であって、図２３（ａ）は、温調板の斜視図、図２３（ｂ）は液だまり部の縦断面図であり、図２４（ａ）〜図２４（ｄ）は、図２２および図２３のときの温度の経時的変化をそれぞれ表した実験結果である。なお、図２２（ａ）や図２３（ａ）および、後述する図２５（ａ）や図２６（ａ）では温度センサの配設箇所をわかりやすくするために温調板のうち狭持板を点線のみで図示し、図２２（ｂ）や図２３（ｂ）および、後述する図２５（ｂ）や図２６（ｂ）では液だまり部とともに温度センサも図示することに留意されたい。

実験で用いる図２２および図２３の温調板１０３では、図２２（ａ）および図２３（ａ）に示すように、ペルチェ素子１０３ｂを２つに分割して配設している。なお、後述する図２５（ａ）や図２６（ａ）でも、ペルチェ素子１０３ｂを２つに分割して配設している。液だまり部１０１は、図２２（ｂ）および図２３（ｂ）に示すように、処理液流路１０１ａが形成されており、処理液流路１０１ａ内に供給する導入口１０１ｂと、処理液流路１０１ａから処理液を吐出して基板Ｗに供給する吐出口１０１ｃとがそれぞれ形成されている。なお、後述する図２５（ｂ）や図２６（ｂ）でも、処理液流路１０１ａや導入口１０１ｂや吐出口１０１ｃは、図２２（ｂ）および図２３（ｂ）と同じ箇所にそれぞれ形成されている。

図２２に示すように、温度センサ１０４を上部に設ける場合には、図２２（ｂ）に示すように導入口１０１ｂから遠い箇所に温度センサ１０４が配設され、図２３に示すように、温度センサ１０４を下部に設ける場合には、図２３（ｂ）に示すように導入口１０１ｂから近い箇所に温度センサ１０４が配設される。かかる図２２および図２３のときの温度の経時的変化をそれぞれ表した実験結果は、図２４（ａ）〜図２４（ｄ）に示すとおりである。

図２４の各図では、導入口１０１ｂに向けて処理液を供給する供給フラグＦに同期して処理液の温度が経時的に変化する。すなわち、供給フラグＦがＯＮになると、それに同期して導入口１０１ｂを介して処理液が処理液流路１０１ａ内に供給されて、導入口１０１ｂ付近での入口温度αと吐出口１０１ｃ付近での出口温度βとがそれぞれ経時的に変化する。図２４（ａ）および図２４（ｂ）は、２３℃の処理液を供給フラグＦに同期して吐出して導入口１０１ｂに供給したときに温調すべき目標温度を２０℃に設定した場合の実験結果であって、図２４（ｃ）および図２４（ｄ）は、２３℃の処理液を供給フラグＦに同期して吐出して導入口１０１ｂに供給したときに温調すべき目標温度を２６℃に設定した場合の実験結果である。また、図２４（ａ）および図２４（ｃ）は、図２２に示すように温度センサ１０４を上部に配設した場合での実験結果であって、図２４（ｂ）および図２４（ｄ）に示すように温度センサ１０４を下部に配設した場合での実験結果である。図中の右側の縦軸は入口温度αのスケールを表し、左側の縦軸は出口温度βのスケールを表す。

入口温度αでは、導入口１０１ｄ付近で処理液の供給による外乱の影響を直接的に受けるので供給フラグＦがＯＮになるたびに温度が上下に変化して、その後は温度センサ１０４の検出に基づく温度制御により目標温度に戻ろうと復帰動作に入る。例えば、図２４（ａ）および図２４（ｂ）のように２３℃の処理液を処理液流路１０１ａ内に供給して目標温度を２０℃に設定する場合には、供給フラグＦがＯＮになるたびに入口温度αが上昇して、復帰動作の際には目標温度の２０℃に戻ろうと入口温度αが下降する。図２４（ｃ）および図２４（ｄ）のように２３℃の処理液を処理液流路１０１ａ内に供給して目標温度を２６℃に設定する場合には、供給フラグＦがＯＮになるたびに入口温度αが下降して、復帰動作の際には目標温度の２６℃に戻ろうと入口温度αが上昇する。

一方、出口温度βでは、入口温度αと比較して導入口１０１ｂから遠いことから処理液の供給による外乱の影響を受けにくく、吐出口１０１ｃが下流であることから温度センサ１０４の検出に基づく温度制御で温調が行われている。したがって、入口温度αと比較すると温度の経時的変化が少なく、その温度は目標温度に近い値になっていることが図２４により確認された。ただ、図２４（ａ）および図２４（ｃ）のように温度センサ１０４を上部に配設した場合には、入口温度αの温度変化に影響して出口温度βが多少変化する。例えば、図２４（ａ）のように２３℃の処理液を処理液流路１０１ａ内に供給して目標温度を２０℃に設定する場合には、入口温度αの上昇に影響して出口温度βが多少上昇する。図２４（ｃ）のように２３℃の処理液を処理液流路１０１ａ内に供給して目標温度を２６℃に設定する場合には、入口温度αの下降に影響して出口温度βが多少下降する。

一方、図２４（ｂ）および図２４（ｄ）に示すように温度センサ１０４を下部に配設した場合には、図２４（ａ）および図２４（ｃ）のように温度センサ１０４を上部に配設した場合と比較すると、経時的変化がさらに少ない。例えば、図２４（ａ）および図２４（ｂ）のように２３℃の処理液を処理液流路１０１ａ内に供給して目標温度を２０℃に設定する場合には、図２４（ａ）の温度センサ１０４を上部に配設したときでオフセット（制御偏差が一定値に収束したときの値）（図２４では『ｄＴ』）が０．０６℃（図２４では『０．０６ｄｅｇ』）に対して、図２４（ｂ）の温度センサ１０４を下部に配設したときでオフセットが０．０２℃（図２４では『０．０２ｄｅｇ』）と経時的変化が少なくなることが確認された。図２４（ｃ）および図２４（ｄ）のように２３℃の処理液を処理液流路１０１ａ内に供給して目標温度を２６℃に設定する場合には、図２４（ｃ）の温度センサ１０４を上部に配設したときでオフセットが０．０７℃（図２４では『０．０７ｄｅｇ』）に対して、図２４（ｄ）の温度センサ１０４を下部に配設したときでオフセットが０．０１℃（図２４では『０．０１ｄｅｇ』）と経時的変化が少なくなることが確認された。

これは、図２４（ｂ）および図２４（ｄ）に示すように温度センサ１０４を下部に配設した場合には、図２４（ａ）および図２４（ｃ）のように温度センサ１０４を上部に配設した場合と比較すると、導入口１０１ｂから近くなり、上述した外乱が温度センサ１０４に、より早く伝達して、それを検出する時間が早くなるとともに温度制御もそれだけ早く行えるからだと考えられる。

なお、液だまり部１０１は、次期吐出相当量の処理液を少なくとも貯めることができる程度の大きさとなっている。つまり、これから基板に吐出すべきワンショット分（例えば、１〜１０ｃｍ³ ）の処理液が液だまり部１０１に貯留されている。通常は吐出相当量（ワンショット分）の２〜３倍程度の処理液が貯留できるようになっている。ノズル１０２内の処理液貯留領域において、基板への１回の吐出量に相当する量（ワンショット）としての処理液貯留領域の処理液のうち、当該処理液貯留領域の導入口１０１ｂ側を貯留領域部分ＳＡとすると、ワンショットごとに貯留領域部分ＳＡ内の処理液が入れ替わり、処理液が下流に押し出されて吐出口１０１ｃから吐出されることになる。したがって、処理液の供給による外乱は貯留領域部分ＳＡにまで及ぶものと考えることができる。してみれば、外乱を早く伝達させることでオフセットを少なくして基板処理を精度良く行うためには、その貯留領域部分ＳＡ（すなわち処理液貯留領域の処理液導入口側）の処理液の温度を温度検出部が検出するように温度センサ１０４などに代表される温度検出部を配設するのがよい。

このような知見に基づく本発明は、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に処理液を吐出して基板の処理を行う基板処理装置であって、内部に処理液を貯留する処理液貯留領域を有し、基板に処理液を吐出する処理液供給ノズルと、複数の前記処理液供給ノズルのうち一つを選択し、選択された前記処理液供給ノズルを挟み込んで、ノズル内の処理液を温調する温調部と、ノズル内の処理液の温度を検出する温度検出部と、前記温度検出部で検出された温度に基づいてノズル内の処理液を所定の温度に温調するように前記温調部を操作する制御手段とを備え、前記温度検出部は、基板への１回の吐出量に相当する量としての前記処理液貯留領域の処理液のうち、当該処理液貯留領域の処理液導入口側の処理液の温度を検出するように、前記温調部の前記処理液貯留領域部分に前記温度検出部を配設することを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項1に記載の発明によれば、温調部は、複数の処理液供給ノズルのうち一つを選択し、選択された処理液供給ノズルを挟みこんで、ノズル内の処理液を温調する。温度検出部はノズル内の処理液の温度を検出する。温度検出部で検出された温度に基づいて、制御手段が温調部を操作してノズル内の処理液を所定の温度に温調するように制御する。この温調制御の際に、ノズル内の処理液貯留領域において、基板への１回の吐出量に相当する量としての処理液貯留領域の処理液のうち、当該処理液貯留領域の処理液導入口側の処理液の温度を温度検出部が検出するように、温調部の処理液貯留領域部分に温度検出部を配設することで、処理液の供給による外乱を温度検出部が早く検出することができて、従来と比較して制御偏差（オフセット）を低減させることができる。その結果、熱交換の効率や温調の精度を改善することができ、基板に所望の温度に設定された処理液を供給することができ、基板処理を精度良く行うことができる。

また、上述した箇所以外に温度検出部（温度センサ）を配設する場合にも、基板処理の精度が変わることが、実験により確認された。図２５は、狭持板の領域内であってペルチェ素子に対向する領域に温度センサを配設したときの概略図であって、図２５（ａ）は温調板の斜視図、図２５（ｂ）は液だまり部の縦断面図であり、図２６は、狭持板の領域内であってペルチェ素子に対向する領域から外れた位置に温度センサを配設したときの概略図であって、図２６（ａ）は温調板の斜視図、図２６（ｂ）は液だまり部の縦断面図である。

ここでは、図２５および図２６のときの温度の経時的変化をそれぞれ表した実験結果を図示していないが、図２５に示すように、狭持板１０３ａの領域内であってペルチェ素子１０３ｂに対向する領域に温度センサ１０４を配設した場合での出口温度βのオフセットよりも、図２６に示すように、狭持板１０３ａの領域内であってペルチェ素子１０３ｂに対向する領域から外れた位置ＮＡに温度センサ１０４を配設した場合での出口温度βのオフセットが少なくなることが、その実験結果より確認された。

これは、狭持板１０３ａの領域内であってペルチェ素子１０３ｂに対向する領域に温度センサ１０４を配設した場合（図２５参照）には、請求項１に記載の発明で説明した処理液の供給による外乱とは相違し、ペルチェ素子１０３ｂによる外乱の方が処理液の供給による外乱よりも熱的影響が大きく、ペルチェ素子１０３ｂによる外乱によって温度制御が正確に行えないからだと考えられる。一方、狭持板１０３ａの領域内であってペルチェ素子１０３ｂに対向する領域から外れた位置ＮＡに温度センサ１０４を配設した場合（図２６参照）には、図２５のようにペルチェ素子１０３ｂに対向する領域に温度センサ１０４を配設した場合と比較すると、ペルチェ素子１０３ｂによる外乱が小さくなり温度制御がより正確に行えるからだと考えられる。してみれば、ペルチェ素子１０３ｂなどに代表される加熱手段に対向する領域に温度センサ１０４などに代表される温度検出部を配設するよりも、加熱手段（ペルチェ素子１０３ｂ）による外乱が小さい、対向する領域から外れた位置ＮＡに温度検出部を配設するのがよい。

このような知見に基づく本発明は、次のような構成をとる。
すなわち、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記各温調部は、ノズルに近接あるいは当接する温調部材と、ノズルとは反対側で温調部材に敷設されて、温調部材を所定の温度に設定する加熱手段とを備え、温調部材の領域内であって、加熱手段に対向する領域から外れた位置に前記温度検出部を配設することを特徴とすることを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項２に記載の発明によれば、温度検出部はノズル内の処理液の温度を検出する。温度検出部で検出された温度に基づいて、制御手段が温調部を操作してノズル内の処理液を所定の温度に温調するように制御する。なお、各温調部は、ノズルに近接あるいは当接する温調部材と、ノズルとは反対側で温調部材に敷設されて、温調部材を所定の温度に設定する加熱手段とを備えている。この温調制御の際に、温調部材の領域内であって、加熱手段に対向する領域から外れた位置に温度検出部を配設することで、加熱手段による外乱を小さくすることができて、従来と比較して制御偏差（オフセット）を低減させることができる。その結果、熱交換の効率や温調の精度を改善することができ、基板に所望の温度に設定された処理液を供給することができ、基板処理を精度良く行うことができる。

また、請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の基板処理装置において、前記加熱手段は、熱電冷却効果により前記温調部材を所定の温度に設定する熱電冷却素子であることを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項３に記載の発明によれば、熱電冷却効果により温調部材を所定の温度に設定する熱電冷却素子を加熱手段として利用する。したがって、温調部材の領域内であって、熱電冷却素子に対向する領域から外れた位置に温度検出部を配設することになる。

本発明に係る基板処理装置によれば、温調部は、複数の処理液供給ノズルのうち一つを選択し、選択された処理液供給ノズルを挟みこんで、ノズル内の処理液を温調する。温調制御の際に、ノズル内の処理液貯留領域において、基板への１回の吐出量に相当する量としての処理液貯留領域の処理液のうち、当該処理液貯留領域の処理液導入口側の処理液の温度を温度検出部が検出するように、温調部の処理液貯留領域部分に温度検出部を配設すること（請求項１に記載の発明）で、処理液の供給による外乱を温度検出部が早く検出することができて、従来と比較して制御偏差（オフセット）を低減させることができる。また請求項１に記載の発明に従属された基板処理装置によれば、温調制御の際に、温調部材の領域内であって、加熱手段に対向する領域から外れた位置に温度検出部を配設すること（請求項２に記載の発明）で、加熱手段による外乱を小さくすることができて、従来と比較して制御偏差（オフセット）を低減させることができる。その結果、熱交換の効率や温調の精度を改善することができ、基板に所望の温度に設定された処理液を供給することができ、基板処理を精度良く行うことができる。

以下、図面を参照して本発明の実施例1を説明する。
図１は、本発明の基板処理装置の実施例１に係る回転式塗布装置の概略構成を示す平面図であり、図２は、その側面図である。

なお、この実施例１では、基板処理装置としての回転式塗布装置、つまり、半導体ウエハ（以下、単に「基板」と呼ぶ）に処理液であるレジスト液を吐出して基板にレジスト処理を施す回転式塗布装置を例に採って説明する。

図１に示すように、この回転式塗布装置は、基板Ｗに処理液を供給して回転塗布する回転処理部１０と、処理液を吐出するノズル２０を把持するノズル把持部３０と、このノズル把持部３０を鉛直方向（Ｚ軸方向）に移動させる垂直移動部４０と、ノズル把持部３０をＹ軸方向に移動させるＹ軸水平移動部５０と、ノズル把持部３０をＸ軸方向に移動させるＸ軸水平移動部６０と、複数個（この実施例１では、例えば６個）のノズル２０を収納する待機部７０とを備えている。

回転処理部１０は、基板Ｗを水平姿勢で保持して回転駆動する回転保持部１１と、この回転保持部１１の周囲を取り囲み、基板Ｗから飛散される処理液が外方へ拡散するのを防止する中空の飛散防止カップ１２とを備えている。飛散防止カップ１２は、図示しない昇降機構によって昇降可能に構成されていて、基板Ｗが回転駆動される際に上昇して、基板Ｗ上に吐出された処理液がこの飛散防止カップ１２の外側の周囲に飛散するのを防止する。このとき、飛散防止カップ１２内に飛び散った処理液は、この飛散防止カップ１２に設けられている図示しない廃液回収構造によって回収される。

図１，２に示すように、基板Ｗに異なる種類の処理液を吐出するための複数個（例えば６個）のノズル２０が、待機部７０にそれぞれ待機収納されている。使用時には、選択されたノズル２０が待機部７０から回転処理部１０内の基板Ｗ上の所定位置に移動され、ノズル２０の先端の吐出口から基板Ｗに向けて処理液を吐出するようになっている。

ここで、このノズル２０について、図３および図４を用いて詳細に説明する。なお、図３（ａ）はノズル２０の外観を示す概略斜視図であり、図３（ｂ）はノズル２０の温調面を示す概略斜視図である。図４（ａ）はノズル２０の縦断面図であり、図４（ｂ）はノズル２０の側面図であり、図４（ｃ）はノズル２０の底面図であり、図４（ｄ）は図４（ａ）に示したノズル２０のＢ−Ｂ線断面図である。

図３（ａ）に示すように、ノズル２０は、その先端部に、処理液配管２１を通じて供給されてきた処理液を所定量貯める処理液だまり部２２を備えている。処理液だまり部２２は、次期吐出相当量の処理液を少なくとも貯めることができる程度の大きさとなっている。つまり、これから基板Ｗに吐出すべきワンショット分（例えば、１〜１０ｃｍ³ ）の処理液が処理液だまり部２２に貯留されていて、処理液だまり部２２に貯留された処理液が先端の吐出口２５ａから基板Ｗに向けて吐出されるようになっている。

具体的には、図３（ｂ）に示すように、ノズル２０の処理液だまり部２２は、例えば、熱伝導部材と断熱部材とからなる平板型のハウジング２３を備えている。ハウジング２３の正面板２３ａおよび背面板２３ｂは熱伝導部材で形成されており、ハウジング２３の上面板２３ｃ、底面板２３ｄ、左側面板２３ｅおよび右側面板２３ｆは断熱部材で形成されている。熱伝導部材としては、例えば、アルミニウムや銅やステンレスやカーボンなどが挙げられる。なお、熱伝導部材としてアルミニウムや銅を採用した場合には、このアルミニウムや銅の処理液との接液部分に、耐薬性の高い素材で被覆（フッ素樹脂コーティング）を施す。また、熱伝導部材としてカーボンを採用した場合には、このカーボンの処理液との接液部分に、耐薬性の高い素材で被覆（ダイヤモンドコーティング）を施す。

図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、ノズル２０の処理液だまり部２２は、上述の平板型のハウジング２３で覆われている。図４（ａ）に示すように、処理液だまり部２２は、体積当りの表面積が大きくなるようにするために、蛇行形状配管２４で構成されており、曲がりくねった処理液流路を形成している。この蛇行形状配管２４中に処理液を貯めることで、少なくとも次期吐出相当量の処理液が貯留されるようになっている。この処理液だまり部２２の下端には、蛇行形状配管２４に接続された突出部２５が形成されており、この突出部２５の先端には処理液を吐出するための吐出口２５ａが形成されている。また、図４（ｄ）に示すように、ハウジング２３と蛇行形状配管２４との間には、熱伝導性の高い材料である高熱伝導充填材２６が充填されている。ノズル２０は、本発明における処理液供給ノズルに相当する。

ここで、ノズル把持部３０について、図５を用いて詳細に説明する。なお、図５はノズル把持部３０の概略構成を示す平面図である。ノズル把持部３０は、ノズル２０の処理液だまり部２２を把持する一対の把持アーム３１，３１を備えている。各把持アーム３１，３１は、ベース部材３２の上面に敷設されたレール３３に沿ってＹ軸方向の互いに反対向きにスライド移動可能に取り付けられている。

一対の把持アーム３１，３１の基端側には、この一対の把持アーム３１，３１を互いに反対方向に水平移動させるリンク機構３４と、このリンク機構３４を駆動する駆動シリンダ３５とが備えられている。リンク機構３４は４節リンク構造を有し、リンク３４ａの一端とリンク３４ｂの一端とが回動自在に連結され、リンク３４ｃとリンク３４ｄとの連結部が駆動シリンダ３５のロッドに連結されている。さらに、リンク３４ｂとリンク３４ｄとの連結部およびリンク３４ａとリンク３４ｃとの連結部がそれぞれ把持アーム３１，３１に取り付けられている。そして、駆動シリンダ３５のロッドを伸長させると、一対の把持アーム３１，３１が互いに離反してノズル２０を開放し、駆動シリンダ３５のロッドを後退させると、一対の把持アーム３１，３１が互いに接近してノズル２０の処理液だまり部２２を把持する。

一方の把持アーム３１，３１には、処理液だまり部２２を挟み込んで処理液だまり部２２内の処理液を熱交換して温調する温調板３６をそれぞれ備えている。温調板３６は、例えば、処理液だまり部２２の熱交換部（正面板２３ａおよび背面板２３ｂ）と同等の大きさとしている。なお、温調板３６を処理液だまり部２２の熱交換部よりも大きくしてもよいし、処理液だまり部２２の温調に問題がなければ、温調板３６を熱交換部よりも小さくしてもよい。温調板３６は、本発明における温調部に相当する。

一対の温調板３６，３６の挟持面側には、処理液だまり部２２に当接される挟持板３６ａが取り付けられている。また、挟持板３６ａの挟持面側とは反対側の表面には、熱電冷却素子としてのペルチェ素子３６ｂが取り付けられている。ペルチェ素子３６ｂは、熱電冷却効果により、挟持板３６ａを短時間で所定の温度に設定することができる。また、ペルチェ素子３６ｂの挟持板３６ａとは反対側の表面には、ペルチェ素子３６ｂからの発熱分を除去する冷却水を供給する冷却水循環部材３６ｃが配設されている。冷却水循環部材３６ｃの一端には、内部に冷却水を送り込むための冷却水供給管３６Ａおよび冷却水を外方に取り出すための冷却水排出管３６Ｂが接続されている。この冷却水供給管３６Ａおよび冷却水排出管３６Ｂは外部に設けられた冷却水供給装置（図示省略）に接続されている。

この実施例１では、ペルチェ素子３６ｂを、図５に示すように２つに分割して配設している。この他に、温調板３６の狭持板３６ａには、処理液が所定の温度に温調できるように処理液の温度を検出する温度センサ３７（熱電対）が埋め込まれて配設されている。この実施例１では、温度センサ３７を一対の温調板３６，３６のうち、１つの温調板３６の狭持板３６ａのみに配設したが、もう１つの温調板３６の狭持板３６ａにも温度センサ３７を配設してよい。温度センサ３７の具体的な配設箇所については、図７〜図９で詳しく説明する。挟持板３６ａは、本発明における温調部材に相当し、ペルチェ素子３６ｂは、本発明における熱電冷却素子に相当し、温度センサ３７は、本発明における温度検出部に相当する。また、ペルチェ素子３６ｂは、本発明における加熱手段にも相当する。

一対の温調板３６，３６によりノズル２０を挟み込んで保持する際に、図６に示すように、ノズル２０の処理液だまり部２２の熱交換部（正面板２３ａおよび背面板２３ｂ）をノズル把持部３０の一対の把持アーム３１，３１で把持して、処理液だまり部２２内の処理液を熱交換して温調するようになっている。

また、図２に示すように、回転塗布処理装置の所定位置には、ペルチェ素子３６ｂ（図５参照）を駆動制御するための制御部８８と、この制御部８８に電源電圧を供給するための電源部８９とが備えられている。処理液だまり部２２（図５参照）内の処理液の温度が上述した温度センサ３７から制御部８８に送られるようになっている。制御部８８は、処理液が所定の温度に温調されるように温調板３６のペルチェ素子３６ｂへの電源電圧の供給を制御する。制御部８８は、本発明における制御手段に相当する。

温調動作時には、ノズル２０が収納された状態で、このノズル２０の処理液だまり部２２を一対の温調板３６，３６で所定の押圧力で挟み込んで、つまり、処理液だまり部２２の正面板２３ａおよび背面板２３ｂと温調板３６との接触圧を高めて当接させて、処理液だまり部２２内の処理液を熱交換して温調する。

続いて、垂直移動部４０，Ｙ軸水平移動部５０，およびＸ軸水平移動部６０について、図１および図２を用いて詳細に説明する。図１，図２に示すように、ノズル把持部３０は、このノズル把持部３０を鉛直方向（Ｚ軸方向）に移動させる垂直移動部４０に取り付けられている。垂直移動部４０は、ノズル把持部３０を支持する支持部材４１と、この支持部材４１を昇降移動させる昇降駆動部４２とを備えている。

また、昇降駆動部４２は、ノズル把持部３０をＹ軸方向に移動させるＹ軸水平移動部５０の水平移動部材５１に接続されている。水平移動部材５１の一端は、Ｙ軸方向に延びる回動ねじ５２に係合している。回動ねじ５２は駆動モータ（図示省略）により回動される。これにより、回動ねじ５２に係合した水平移動部材５１がＹ軸方向に往復移動し、それによって垂直移動部４０およびノズル把持部３０がＹ軸方向に往復移動する。

さらに、Ｙ軸水平移動部５０のスライド板６１の一端は、Ｘ軸方向に延びるＸ軸水平移動部６０の回動ねじ６２に係合している。回動ねじ６２は駆動モータ（図示省略）により回動される。回動ねじ６２の回動により、スライド板６１がガイド６３に沿ってＸ軸方向に往復移動し、それによってＹ軸水平移動部５０、垂直移動部４０およびノズル把持部３０がＸ軸方向に往復移動する。

図１に示すように、待機部７０には、例えば６個の後述する収納ポット７１がＹ軸方向に並設されており、異なる種類の処理液を供給する処理液供給源（図示省略）に処理液配管２１を介して接続された６個のノズル２０をそれぞれの収納ポット７１に収納している。なお、処理液配管２１の処理液供給源（図示省略）側には、電磁弁およびポンプ（図示省略）が接続されており、所定量の処理液が処理液配管２１を介してノズル２０に供給されるようになっている。

次に、温度センサ３７の具体的な配設箇所について、図７〜図９を用いて詳細に説明する。なお、図７は温度センサ３７を配設した温調板３６の斜視図である。図８は貯留領域部分を併せて図示したときの処理液だまり部２２の縦断面図である。図９は狭持板３６ａの領域内であってペルチェ素子３６ｂに対向する領域から外れた位置を併せて図示したときの概略図であって、図９（ａ）は温調板３６の概略構成を示す平面図であって、図９（ｂ）は処理液だまり部２２の縦断面図である。なお、図７では温度センサ３７の配設箇所をわかりやすくするために温調板３６のうち狭持板３６ａを点線のみで図示し、図８、図９（ｂ）では処理液だまり部２２とともに温度センサ３７も図示することに留意されたい。

処理液配管２１（図３参照）と処理液だまり部２２内の蛇行形状配管２４との間には、導入口２４ａが形成されている。導入口２４ａに向けて処理液を供給する供給フラグがＯＮになると、それに同期して蛇行形状配管２４内に処理液が吐出相当量（ワンショット分）だけ供給される。通常は吐出相当量（ワンショット分）の２〜３倍程度の処理液が貯留できるようになっている。すなわち、ノズル２０の処理液だまり部２２内の処理液貯留領域において、基板Ｗへの１回の吐出量に相当する量（ワンショット）としての処理液貯留領域のうち、当該処理液貯留領域の導入口２４ａ側を貯留領域部分ＳＡとすると、図８に示す貯留領域部分ＳＡ内の処理液がワンショットごとに入れ替わり、処理液が吐出口２５ａ方向である下流に押し出されて吐出口２５ａから吐出されることになる。処理液の供給による外乱は貯留領域部分ＳＡにまで及ぶものと考えられる。そこで、図８に示すように、貯留領域部分ＳＡにあって導入口２４ａから近い上部に温度センサ３７を配設した場合には、貯留領域部分ＳＡの処理液の温度を検出することになって、導入口２４ａ付近で処理液の供給による外乱の影響を直接的に受けるので、供給フラグがＯＮになるたびに上述した外乱を温度センサ３７が、より早く検出して、温度制御も早く行うことができる。逆に、貯留領域部分ＳＡ以外の貯留領域にあって例えば導入口２４ａから遠い下部に温度センサ３７を配設した場合には、上述した外乱を温度センサが遅く検出して、その間に処理液の温度が上下に変動してオフセットが大きくなる。

また、この実施例１では、別の見方をすると温度センサ３７は、図９に示すような箇所に配設されているともいえる。すなわち、狭持板３６ａの領域内では、図９（ａ）に示すように分割されたペルチェ素子３６ｂとペルチェ素子３６ｂとの間に、ペルチェ素子３６ｂに対向する領域から外れた領域ができる。この対向する領域から外れた位置を図９に示すように、『位置ＮＡ』とする。この位置ＮＡに温度センサ３７を配設した場合には、上述した処理液の供給による外乱とは相違し、ペルチェ素子３６ｂによる外乱の方が処理液の供給による外乱よりも熱的影響が小さくなり、ペルチェ素子３６ｂによる外乱の影響を受けにくいので、温度制御がより正確に行える。逆に、ペペルチェ素子３６ｂに対向する領域に温度センサ３７を配設した場合には、ペルチェ素子３６ｂによる外乱の方が処理液の供給による外乱よりも熱的影響が大きくなって、ペルチェ素子３６ｂによる外乱によって、温度制御が正確に行えない。

続いて、収納ポット７１について、図１０および図１１を用いて詳細に説明する。なお、図１０は収納ポット７１の概略構成を示す概略斜視図である。図１１（ａ）は図１に示した収納ポット７１のＡ−Ａ線断面図であり、図１１（ｂ）はノズル２０の収納ポット７１への収納状態でこのノズル２０の突出部２５が待機ポット９０内に挿入されることを説明するための図である。

図１０，図１１（ａ）に示すように、収納ポット７１は、ノズル２０を立設して収納する立設ポット８０と、ノズル２０の突出部２５を溶剤雰囲気中に収納するための待機ポット９０とを備えている。収納ポット７１は、待機ポット９０上に立設ポット８０を積み上げた２段構造になっている。

まず、立設ポット８０について説明する。図１０に示すように、立設ポット８０は、ノズル２０を収納するための立設容器本体８１を備えている。立設容器本体８１の天部および底部は開口されており、立設容器本体８１の天部の開口からノズル２０が挿入されるようになっている。

続いて、立設ポット８０の下側に位置する待機ポット９０について説明する。待機ポット９０は、ノズル２０の突出部２５が挿入される挿入孔９１を上面側に形成した待機容器本体９２を備え、待機中のノズル２０の突出部２５を溶剤雰囲気中に収納する。待機容器本体９２の中央下部には溶剤を保持する溶剤貯留部９３が形成され、その上方には溶剤空間９４が形成されている。溶剤空間９４には、溶剤を供給するための溶剤供給管９５が接続されている。また、待機容器本体９２におけるノズル２０の突出部２５の下方位置には、ノズル２０から滴下する処理液を外方へ排出するための排出管９６が接続されている。

なお、ノズル２０が収納ポット７１から取り出された状態において、待機ポット９０の挿入孔９１から立設ポット８０への溶剤雰囲気の流入を防止するために、この挿入孔９１を適宜に閉塞するようにしてもよい。よって、立設ポット８０の下側の待機ポット９０では、その挿入孔９１にノズル２０の突出部２５が挿入されており、ノズル２０の突出部２５を溶剤雰囲気中に収納している。

次に、この実施例１の回転式塗布装置の動作について説明する。図１に示すように、待機部７０には、異なる種類の処理液を供給する処理液供給源（図示省略）に処理液配管２１を介して接続された複数個（実施例１では６個）のノズル２０が収納ポット７１に収納された状態で収納され、各ノズル２０が待機状態にある。

図１０に示すように、収納ポット７１に収納された各ノズル２０は、処理液供給源（図示省略）から処理液配管２１を通じて処理液が供給されており、所定量の処理液が処理液だまり部２２内に貯められた状態となっている。

回転式塗布装置は、予め定められた処理条件に従って基板Ｗに供給する処理液を選択し、これに対応したノズル２０を選択する。ノズル２０が選択されると、垂直移動部４０、Ｙ軸水平移動部５０およびＸ軸水平移動部６０が駆動され、ノズル把持部３０が一対の把持アーム３１，３１を開いた状態でノズル２０に接近する。一対の把持アーム３１，３１が開くことに伴って、それに備えられた一対の温調板３６，３６も開いた状態でノズル２０に接近する。

一対の把持アーム３１，３１の温調板３６，３６が処理液だまり部２２を挟み込むことで、ノズル２０を把持して温調を行う。そして、垂直移動部４０を駆動させて、把持したノズル２０を上方に持ち上げ、Ｙ軸水平移動部５０およびＸ軸水平移動部６０を駆動させて、ノズル２０を回転処理部１０の基板Ｗ上の所定位置、例えば基板Ｗの中央上方の位置に移動する。

制御部８８は、処理液だまり部２２内の処理液の温度を、図８、図９に示す箇所に配設された温度センサ３７で測定し、この測定結果に応じて温調板３６のペルチェ素子３６ｂを駆動し、処理液だまり部２２の処理液を所定温度に温調する。温調のタイミングは、上述した移動時に限らず、ノズル２０を把持して待機しているときであってもよい。

基板Ｗ上の所定位置に移動したノズル２０は、所定の温度に調整された処理液だまり部２２内の処理液を基板Ｗの表面に吐出する。その後、基板Ｗが回転され、これによって基板Ｗの表面に処理液が回転塗布される。処理液の温度は所定の値に調整されているので、不適当な処理液の温度による薄膜の膜厚ばらつきを抑制することができる。

上述したように実施例１の回転式塗布装置によれば、上述した温度センサ３７の検出に基づく温度制御の際に、温度センサ３７を、基板Ｗへの１回の吐出量に相当する量としての処理液貯留領域のうち、当該処理液貯留領域の導入口２４ａ側（すなわち貯留領域部分ＳＡ）で温調板３６の狭持板３６ａに埋め込んで配設することで、貯留領域部分ＳＡの処理液の温度を温度センサ３７が検出することになり、この処理液の供給による外乱を温度センサ３７が早く検出することができて、従来と比較して制御偏差（オフセット）を低減させることができる。その結果、熱交換の効率や温調の精度を改善することができ、基板Ｗに所望の温度に設定された処理液を供給することができ、基板処理を精度良く行うことができる。

この実施例１では、別の見方をすると、温度センサ３７は、狭持板３６ａの領域内であって、ペルチェ素子３６ｂに対向する領域から外れた位置ＮＡに埋め込まれて配設されているともいえる。このように温度センサ３７を配設することで、ペルチェ素子３６ｂによる外乱を小さくすることができて、従来と比較して制御偏差（オフセット）を低減させることができる。その結果、熱交換の効率や温調の精度を改善することができ、基板Ｗに所望の温度に設定された処理液を供給することができ、基板処理を精度良く行うことができる。

次に、図１２，図１３を参照して本発明の実施例２を説明する。
図１２は、本発明の実施例２に係るノズル２０の外観を示す概略斜視図であり、図１３は、実施例２に係る収納ポット７１の概略構成を示す概略斜視図である。

なお、上述した実施例１では、図６に示す温調板３６をノズル把持部３０の一対の把持アーム３１，３１にそれぞれ備え、把持アーム３１，３１でノズル２０を挟み込んで移動しながら、または待機しながら温調を行っているが、実施例２では、図１０，図１１に示す立設ポット８０内に、実施例１と同じ構造をもつ一対の温調板８２，８２を設けて、収納ポット７１で収納されている間に温調を行う。以下、この実施例２および後述する実施例３では、この立設ポット８０を「温調ポット８０」として説明を行う。また、上述した実施例１と同じ構成には同じ符号を付すことで詳細な説明については省略する。

なお、実施例２の場合には、収納ポット７１で収納されている間に温調を行うので、一対の把持アーム３１，３１の温調板３６，３６が処理液だまり部２２を挟み込んで、ノズル２０を把持しながら温調を行う必要はない。従って、一対の把持アーム３１，３１は、実施例１のようにノズル２０の処理液だまり部２２を把持するのでなく、図１２に示すように、ノズル２０の基端部、つまり、処理液だまり部２２の上方位置に備えられた被把持部２７を一対の把持アーム３１，３１が把持する。ノズル２０の被把持部２７は、断熱部材で形成されている。ノズル把持部３０がノズル２０の被把持部２７を把持して移動することにより、ノズル２０が移動される。

実施例２の温調ポット８０は、実施例１の立設ポット８０と相違し、温調する機能を備えている。すなわち、図１３に示すように、収納ポット７１は、ノズル２０の処理液だまり部２２を温調するための温調ポット８０と、実施例１と同様の待機ポット９０とを備えている。

温調ポット８０は、ノズル２０を収納するための温調容器本体８１と、この温調容器本体８１内に配設された、ノズル２０の処理液だまり部２２を挟み込む一対の温調板８２，８２とを備えている。温調容器本体８１の天部および底部は開口されており、温調容器本体８１の天部の開口からノズル２０が挿入されるようになっている。一対の温調板８２，８２は、温調動作時には、処理液だまり部２２を挟み込むように互いに接近移動し、ノズル２０の挿抜時などには、処理液だまり部２２の挟み込みを解除するように互いに離反移動するようになっている。温調板８２は、実施例１の温調板３６と同じ構造を有している。すなわち、温調板８２の狭持板（図示省略）であって、貯留領域部分、かつペルチェ素子（図示省略）に対向する領域から外れた位置ＮＡに温度センサ（図示省略）を埋め込んで配設している。

上述したように、収納ポット７１で収納されている間に温調を行うので、一対の把持アーム３１，３１で把持しながら温調を行う必要はないが、把持中においても温調を行うように、実施例１と同様に一対の把持アーム３１，３１にも温調板３６をそれぞれ備え、温調板３６が処理液だまり部２２を挟み込んで温調を行ってもよい。このときには、温度センサ３７を実施例１と同じ箇所に温調板３６の狭持板３６ａに配設するとともに、温度センサを温調板８２の狭持板（図示省略）にも配設することになる。

実施例２に係る回転塗布処理装置によれば、実施例１と同様に、温度制御の際に、温調板８２の狭持板（図示省略）であって、温度センサを貯留領域部分、かつペルチェ素子（図示省略）に対向する領域から外れた位置ＮＡに温度センサ（図示省略）を埋め込んで配設することで、処理液の供給による外乱を温度センサに早く検出することができて、従来と比較して制御偏差（オフセット）を低減させることができるとともに、ペルチェ素子による外乱を小さくすることができて、従来と比較して制御偏差（オフセット）を低減させることができる。その結果、熱交換の効率や温調の精度を改善することができ、基板Ｗに所望の温度に設定された処理液を供給することができ、基板処理を精度良く行うことができる。

次に、図１４を参照して本発明の実施例３を説明する。
図１４は、本発明の実施例３に係る回転式塗布装置の概略構成を示す平面図である。

なお、上述した実施例３では、温調ポット８０と待機ポット９０とを上下２段に構成した６個の収納ポット７１を待機部７０に設けているが、実施例３では、待機部７０に６個の待機ポット９０のみを設け、この待機ポット９０とは別の位置に、単一の温調ポット８０を設ける。また、上述した実施例１，２と同じ構成には同じ符号を付すことで詳細な説明については省略する。

この実施例３の回転塗布処理装置では、６個の待機ポット９０と、単一の温調ポット８０とを分離独立して配置しているところに１つの特徴点がある。

次に、この実施例３の回転式塗布装置の動作について説明する。待機部７０には、異なる種類の処理液を供給する処理液供給源（図示省略）に処理液配管２１を介して接続された６個のノズル２０の突出部２５がそれぞれの待機ポット９０の挿入孔９１に挿入された状態で収納され、各ノズル２０が待機状態にある。

図１４に示すように、待機部７０の待機状態にある６個のノズル２０の中から選択された１個のノズル２０をノズル把持部３０で把持して単一の温調ポット８０に移動させて収納する。温調ポット８０は、収納されたノズル２０の処理液だまり部２２内の処理液を温調する。温調ポット８０による処理液だまり部２２内の処理液の温調後、温調ポット８０に収納されたノズル２０をノズル把持部３０で把持して回転処理部１０の基板Ｗ上の所定位置に移動し、温調された処理液を基板Ｗに吐出する。温調された処理液を基板Ｗに吐出した後にノズル２０はノズル把持部３０で待機部７０の対応する待機ポット９０に移動され、基板Ｗは温調された処理液により所定の処理が施される。

上述したように実施例３の回転式塗布装置によれば、待機ポット９０にてノズル２０の吐出口２５ａを所定雰囲気中で待機させることができ、これから使用すべきノズル２０を待機ポット９０から温調ポット８０に移動させて収納し、温調ポット８０で処理液だまり部２２内の処理液を温調することができるので、待機ポット９０の数だけ温調ポット８０を設ける必要がなく、少なくとも１個の温調ポット８０があればよいことから、待機ポット９０と同数の温調ポット８０を設けることに伴う装置の複雑化が低減できる。

なお、本発明は以下のように変形実施することも可能である。

（１）上述した各実施例装置では、図８、図９に示すように、温度センサ３７を、温調板３６の狭持板３６ｂであって、貯留領域部分ＳＡ、かつペルチェ素子３６ｂに対向する領域から外れた位置ＮＡに埋め込んで配設したが、貯留領域部分ＳＡまたは位置ＮＡの少なくともいずれか１つの箇所のみに温度センサ３７を配設してもよい。例えば、図１５（ａ）に示すように温度センサ３７を貯留領域部分ＳＡに配設するとともに、ペルチェ素子３６ｂによる外乱が小さいのならば、あるいはその外乱が大きくても熱交換の効率や温調の精度を改善することができるのならば、図１５（ｂ）に示すように位置ＮＡから外れた位置（すなわちペルチェ素子３６ｂに対向した領域）に配設してもよい。また、処理液の供給による外乱を温度センサ３７が早く検出できるのならば、あるいはその外乱を温度センサ３７が早く検出しなくても熱交換の効率や温調の精度を改善することができるのならば、図１６（ａ）に示すように温度センサ３７を貯留領域部分ＳＡ以外の領域（例えば導入口２４ａから遠く吐出口２５ａに近い下部）に配設するとともに、図１６（ｂ）に示すように位置ＮＡに配設してもよい。

（２）上述した各実施例装置では、基板Ｗが固定位置でノズル２０が移動する構成であったが、逆に基板Ｗが移動する構成であっても本発明は適用可能である。また、ノズル２０および基板Ｗがともに移動する構成であっても本発明は適用可能である。

（３）上述した各実施例装置では、待機部７０に６個の待機ポット９０を備え、ノズル２０を６個としているが、１個または６個以外の複数個のノズル２０を設けるようにしてもよい。

（４）上述した各実施例装置では、図５に示すように、温調板３６を直接にノズル２０の温調面（正面板２３ａおよび背面板２３ｂ）に当接させているが、温調板３６とノズル２０の温調面とが接触若しくは近接する界面に、熱伝導率の高いゲル状の物質や、磁性流体を介在させ、接触熱抵抗を低減し、熱交換速度を促進するようにしてもよい。

（５）上述した各実施例装置では、図４に示すように、ノズル２０の処理液だまり部２２として平板型のものを採用しているが、図１７（ａ），（ｂ）に示すように、円管型の処理液だまり部２２Ａを採用してもよい。この処理液だまり部２２Ａは円筒形状となっている。さらに、図１７（ｃ），（ｄ）に示すように、二重円管型の処理液だまり部２２Ｂを採用してもよい。この処理液だまり部２２Ｂは、内部に入子２８を配設し、体積当りの表面積を大きくするとともに、外側に近い位置に処理液を貯めるようにしている。こうすることで、処理液だまり部２２Ｂの処理液をより効果的に熱交換できる。また、図１７（ｅ），（ｆ）に示すように、コイル型の処理液だまり部２２Ｃを採用してもよい。この処理液だまり部２２Ｃは、螺旋形状配管２９を有しており、体積当りの表面積が大きくなっており、処理液だまり部２２Ｃの処理液を効果的に熱交換できる。

（６）上述した各実施例装置の処理液だまり部２２では、図４（ａ），（ｄ）に示すように、ハウジング２３と、断面が円形である蛇行形状配管２４との間に高熱伝導充填材２６を充填しているが、図１８に示すように、断面が四角形である蛇行形状配管２４Ａを採用することで、ハウジング２３と内部配管との間のスペース、つまり、高熱伝導充填材２６を充填するスペースを無くすようにしてもよい。

（７）上述した各実施例装置では、図４（ａ）に示すように、処理液だまり部２２の蛇行形状配管２４として、蛇行しながら上から下に向かう処理液流路を採用しているが、図１９に示すように、処理液だまり部２２は、処理液を下方位置に導いた後にこの下方位置よりも高い上方位置に導いてから再び下方に導いて吐出口から吐出させる流路２４Ａを備えたものとしてもよい。

図１９に示す場合では、一度、蛇行形状配管２４の下部にまで通路を落とし、そこから上方から処理液を通すような流路とすることで、蛇行形状配管２４内にエアを噛みこむことを確実に防止しつつ安定した処理液の供給が可能となる。

図１９に示す流路２４Ａの方向を有する蛇行形状配管２４の場合には、貯留領域部分ＳＡは、図１９に示すとおりである。この場合には、図１９に示す貯留領域部分ＳＡの処理液の温度を検出するように温度センサ３７を配設すればよい。

同様に、図２３（ｂ）に示すような蛇行形状配管２４（図２３では処理液流路１０１ａ）の場合には、貯留領域部分ＳＡは下部に位置し、温度センサ３７（図２３では温度センサ１０４）を下部に配設すればよい。

（８）上述した各実施例では回転式塗布装置を例に採って説明したが、本発明はこのような装置に限定されるものではなく、非回転式塗布装置にも適用可能であるし、基板の処理面に適宜の処理液（例えば、現像液、リンス液等）を吐出して、基板に処理（現像処理、洗浄処理等）を行う種々の基板処理装置に広く適用することができる。

（９）上述した各実施例では、ペルチェ素子を用いて温調板を構成していたが、例えばそれに代えて温調水を温調板に引き回すように構成することもできる。

（１０）また、実施例３においては、ノズル２０の処理液だまり部２２を温調ポット８０に移動させる構成を採用していたが、逆に、温調ポット８０を次に使用するノズル２０の処理液だまり部２２が待機する場所まで移動して温調を行うようにしてもよい。

（１１）上述した各実施例装置の温調板は水平方向からノズル２０を挟み込んだが、上下方向や斜め方向からも温調板はノズル２０を挟み込むような形態であってもよい。

（１２）上述した各実施例装置では、加熱手段の例として熱電冷却素子であるペルチェ素子３６ｂを挙げて、ペルチェ素子３６ｂに対向する領域から外れた位置ＮＡに温度センサ３７を配設したが、ペルチェ素子３６ｂ以外の加熱手段（例えばヒータなど）で温調板３６を構成し、その加熱手段に対向する領域から外れた位置ＮＡに温度センサ３７を配設してもよい。

（１３）上述した各実施例装置では、一対の温調板、すなわち２つの温調板が水平方向からノズル２０を挟み込んで温調を行ったが、例えば、２つの温調板が水平方向からノズルを挟み込んで温調を行うとともに、別の温調板が鉛直方向からノズルを挟み込んで温調を行うというように、３つ以上の温調板がノズルを挟み込んで温調を行ってもよい。また、１つの温調板であっても、例えば１つの温調板を屈曲させて、いわゆる『Ｕ』の字状に形成して、その『Ｕ』の字状に形成された温調板のすきまにノズルを挿入することでノズルを挟み込んで温調を行ってもよい。

本発明の基板処理装置の実施例１に係る回転式塗布装置の概略構成を示す平面図である。 図１に示した基板処理装置の側面図である。 （ａ）はノズルの外観を示す概略斜視図であり、（ｂ）はノズルの温調面を示す概略斜視図である。 （ａ）はノズルの縦断面図であり、（ｂ）はその側面図であり、（ｃ）はその底面図であり、（ｄ）は（ａ）に示したノズルのＢ−Ｂ線断面図である。 ノズル把持部の概略構成を示す平面図である。 図５に示したノズル把持部の把持動作を説明するための図である。 温度センサを配設した温調板の斜視図である。 貯留領域部分を併せて図示したときの処理液だまり部の縦断面図である。 狭持板の領域内であってペルチェ素子に対向する領域から外れた位置を併せて図示したときの概略図であって、（ａ）は温調板の概略構成を示す平面図であって、（ｂ）は処理液だまり部の縦断面図である。 収納ポットの概略構成を示す概略斜視図である。 （ａ）は図１に示した収納ポットのＡ−Ａ線断面図であり、（ｂ）はノズルの収納ポットへの収納状態でこのノズルの突出部が待機ポット内に挿入されることを説明するための図である。 本発明の基板処理装置の実施例２に係るノズルの外観を示す概略斜視図である。 実施例２に係る収納ポットの概略構成を示す概略斜視図である。 本発明の基板処理装置の実施例３に係る回転式塗布装置の概略構成を示す平面図である。 （ａ），（ｂ）は本実施例とは別の実施例の処理液だまり部の縦断面図である。 （ａ），（ｂ）は本実施例とは別の実施例の処理液だまり部の縦断面図である。 （ａ）〜（ｆ）は本実施例とは別の実施例のノズルの処理液だまり部を示す断面図並びに底面図である。 本実施例とは別の実施例の処理液だまり部を示す断面図である。 本実施例とは別の実施例の処理液だまり部を示す断面図である。 従来のノズルおよび温調板の概略構成を示す概略斜視図である。 従来のノズルおよび温調板の概略構成を示す平面図である。 温度センサを導入口から遠い上部に配設したときの概略図であって、（ａ）は温調板の斜視図、（ｂ）は液だまり部の縦断面図である。 温度センサを導入口から近い下部に配設したときの概略図であって、（ａ）は温調板の斜視図、（ｂ）は液だまり部の縦断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は図２２および図２３のときの温度の経時的変化をそれぞれ表した実験結果である。 狭持板の領域内であってペルチェ素子に対向する領域に温度センサを配設したときの概略図であって、（ａ）は温調板の斜視図、（ｂ）は液だまり部の縦断面図である。 狭持板の領域内であってペルチェ素子に対向する領域から外れた位置に温度センサを配設したときの概略図であって、（ａ）は温調板の斜視図、（ｂ）は液だまり部の縦断面図である。

符号の説明

２０ … ノズル
３６ … 温調板
３６ａ … 挟持板
３６ｂ … ペルチェ素子
３６ｃ … 冷却水循環部材
３７ … 温度センサ
８８ … 制御部
ＳＡ … 貯留領域部分
ＮＡ … （挟持板の領域内であってペルチェ素子に対向する領域から外れた）位置
Ｗ … 基板

Claims (3)

1. 基板に処理液を吐出して基板の処理を行う基板処理装置であって、
   内部に処理液を貯留する処理液貯留領域を有し、基板に処理液を吐出する処理液供給ノズルと、
   複数の前記処理液供給ノズルのうち一つを選択し、選択された前記処理液供給ノズルを挟み込んで、ノズル内の処理液を温調する温調部と、
   ノズル内の処理液の温度を検出する温度検出部と、
   前記温度検出部で検出された温度に基づいてノズル内の処理液を所定の温度に温調するように前記温調部を操作する制御手段とを備え、
   前記温度検出部は、基板への１回の吐出量に相当する量としての前記処理液貯留領域の処理液のうち、当該処理液貯留領域の処理液導入口側の処理液の温度を検出するように、前記温調部の前記処理液貯留領域部分に前記温度検出部を配設することを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記各温調部は、
   ノズルに近接あるいは当接する温調部材と、
   ノズルとは反対側で温調部材に敷設されて、温調部材を所定の温度に設定する加熱手段とを備え、
   温調部材の領域内であって、加熱手段に対向する領域から外れた位置に前記温度検出部を配設することを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置において、
   前記加熱手段は、熱電冷却効果により前記温調部材を所定の温度に設定する熱電冷却素子であることを特徴とする基板処理装置。

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