以下、本発明を有機ELディスプレイの製造に用いられる精製筒及び該精製筒を備えた不活性ガスの循環精製装置(以下、単に循環精製装置と記載する)に具体化した一実施形態を図1〜図5にしたがって説明する。
図1は不活性ガスの循環精製システムSを示している。図1に示すように、循環精製システムSは、循環精製装置11と、不活性ガス(本実施形態では窒素)の供給先としてのグローブボックスGとから構成されている。前記グローブボックスGは、例えば、樹脂パネルを組み付けてなる箱状に形成されている。また、循環精製システムSにおいて、循環精製装置11は、該循環精製装置11が備える精製筒31(図4参照)で精製された不活性ガスをグローブボックスGへ供給するための往路としての往管路10aを備えている。また、循環精製装置11は、グローブボックスGから排出された不活性ガス(排出ガス)を、前記精製筒31へ供給するための復路としての復管路10bを備えている。
循環精製装置11とグローブボックスGとは、前記往管路10a及び復管路10bを介して接続されている。そして、循環精製装置11においては、グローブボックスGから排出された不活性ガスを前記復管路10bを通じて精製筒31で受け入れ、該精製筒31で不活性ガスを精製し、精製後の不活性ガスを前記往管路10aを介してグローブボックスGへ再供給し、循環させるようになっている。また、循環精製システムSにおいては、グローブボックスGと循環精製装置11との間で不活性ガスを循環する循環回路を構成し、不活性ガスの大気との接触を無くす閉回路を構成している。
さらに、前記循環精製装置11は、前記グローブボックスGへ供給される不活性ガスの供給源としての不活性ガス供給源Nと、前記精製筒31を還元再生するために該精製筒31へ還元ガス(本実施形態では水素)を供給する還元ガス供給源Hとを備えている。さらに、循環精製装置11は、グローブボックスG内を不活性ガス雰囲気から大気圧雰囲気(酸素濃度約20%)に置換するためにグローブボックスG内へ酸素を供給する酸素供給源Dを備えている。循環精製システムSにおいては、不活性ガス供給源Nから循環精製装置11へ不活性ガスが供給され、該不活性ガスによって精製筒31が置換された後、不活性ガスが循環精製装置11から往管路10aを介してグローブボックスGへ供給されるようになっている。そして、グローブボックスG内が不活性ガス雰囲気とされ、該グローブボックスG内で有機ELディスプレイの製造工程が行われる。
そして、往管路10aを介した循環精製装置11からグローブボックスGへ不活性ガスが流れる方向、及び復管路10bを介したグローブボックスGから循環精製装置11へ不活性ガスが流れる方向を循環精製システムS、及び循環精製装置11における不活性ガスの流通方向とする。また、上記循環精製システムSにおいては、還元ガス供給源Hから循環精製装置11の精製筒31へ還元ガスが供給され、該還元ガスによって精製筒31が還元再生されるようになっている。
次に、前記循環精製装置11について説明する。図2は循環精製装置11の内部構成とグローブボックスGとの接続を模式的に示す図である。図2に示すように、循環精製装置11は、不活性ガスを精製する精製部22を4つ(4系統)備えている。本実施形態の循環精製装置11は、1つの精製部22に1つのグローブボックスGが往管路10a及び復管路10bを介して接続されており、1つの精製部22と、該精製部22に対応する1つのグローブボックスGと、往管路10a及び復管路10bとによって1つの循環回路が構成されている。そして、本実施形態の循環精製装置11とグローブボックスGの間には、4つの循環回路が構成されている。
また、循環精製装置11の4つの精製部22はそれぞれコントローラ23によって制御可能となっている。前記コントローラ23には操作パネル(図示せず)が接続されており、該操作パネルの操作によってコントローラ23に指示を伝達可能となっている。また、コントローラ23には通信部24が接続され、さらに、前記通信部24には通信ケーブル25を介して循環精製装置11とは別に設けられた指令装置26が接続されている。そして、循環精製装置11は、前記操作パネルの操作、又は通信ケーブル25を介して通信部24が受信した指令装置26からの指示に基づいてコントローラ23が各精製部22の動作を制御するようになっている。
次に、循環精製装置11の内部構造を図3(a)〜(c)を用いて具体的に説明する。図3(a)〜(c)は循環精製装置11の内部構造を模式的に示しており、具体的には循環精製装置11を構成する精製筒31、フィルタF、仕切板29、及び循環ポンプPの配置を示している。なお、図3(a)〜(c)では、循環精製装置11を構成する管路、バルブ等は省略している。
循環精製装置11は、金属製の四角箱よりなるケース27を備えている。なお、図3(a)の紙面側、図3(b)の右側、及び図3(c)の下側をケース27の前面側とし、ケース27の前面に対向する面をケース27の後面とする。そして、有機ELディスプレイの製造工場に循環精製装置11が設置された状態では、ケース27の前面に前記操作パネルが配設されており、作業者はケース27の前面に向き合うように立って操作パネルを操作するようになっている。すなわち、循環精製装置11においては、ケース27の前面側で作業者による作業が行われるようになっている。
ケース27は、その前面側及び後面側が、閉鎖部材としての閉鎖板28を取り付けることで閉塞される一方で、閉鎖板28をケース27から取り外すことで開放されるようになっている。したがって、図3(a)では、ケース27の前面側の閉鎖板28が取り外されて、ケース27の前面側が開放された状態を示し、図3(b)及び図3(c)では、ケース27の前後両面側が閉鎖板28によって閉鎖された状態を示している。
図3(a)〜(c)に示すように、ケース27内には、該ケース27内を前記前面側と後面側とに仕切る仕切板29が2枚配設されている。ケース27内にて、前記仕切板29よりもケース27の後面側には前記精製筒31が8本配設されている。ケース27内にて前記仕切板29よりもケース27の前面側であって、ケース27内上側には、図示しない吊下げ部材によってフィルタFが吊下げ支持されている。このフィルタFは、前記グローブボックスGへ供給される不活性ガス中の不純物を除去するために設けられている。また、ケース27内にて前記仕切板29よりもケース27の前面側であって、ケース27内下側には、循環ポンプPが配設されている。この循環ポンプPは、グローブボックスGから排出された不活性ガスの精製筒31への供給と、精製筒31で精製された精製後の不活性ガスのグローブボックスGへの再供給を行うために設けられている。
次に、前記精製部22の一部を構成し、前記往管路10aと復管路10bとの間に配設される前記精製筒31について図4に基づいて詳細に説明する。精製筒31は、上下両端部が閉塞された円筒状をなす筒本体32を備えている。筒本体32の内底部上には複数本(本実施形態では3本)のばね部材33が配設され、該ばね部材33上には、2枚の第1スクリーン部材341及び1枚のフィルタ351が積層配設されている。そして、第1スクリーン部材341及びフィルタ351によって、精製筒31内へ導入された不活性ガス中の不純物が除去されるようになっている。
前記フィルタ351上には触媒を充填してなる触媒層36が設けられている。前記触媒としてはニッケルが用いられ、該ニッケルは酸素の捕捉能が高く、さらには、一酸化炭素、水素及び二酸化炭素等も少量捕捉する能力を備えている。そして、触媒層36に不活性ガスが供給されると、該触媒層36で不活性ガス中の酸素、一酸化炭素、水素及び二酸化炭素等が捕捉されるようになっている。
前記触媒層36上には第2スクリーン部材342が配設され、該第2スクリーン部材342の中央部下面には有底円筒状をなす区画筒40が接合されている。この区画筒40の中心軸L2は、筒本体32の中心軸L1と同一軸線上に位置しており、区画筒40は筒本体32に対して同心円状に配設されている。そして、この区画筒40は、前記触媒層36の内側に配設されている。したがって、前記触媒層36は、筒本体32の下側にて、該筒本体32の内周面と区画筒40の外周面との間に形成される円環状領域内に設けられている。また、第2スクリーン部材342上には円環状をなすリングスペーサ37が配設されており、このリングスペーサ37は筒本体32に対して同心円状に配設されている。
前記リングスペーサ37上には、2枚の第3スクリーン部材343及びフィルタ352が積層配設されている。そして、前記第2及び第3スクリーン部材342,343、及びフィルタ352によって不活性ガス中の不純物が除去されるようになっている。前記フィルタ352上には吸着剤を充填してなる吸着剤層38が設けられている。前記吸着剤としては合成ゼオライトが用いられている。前記合成ゼオライトは、水除去能を有し、さらには、二酸化炭素、一酸化炭素等も少量除去する能力を備えている。そして、不活性ガスが吸着剤層38へ供給されると、該不活性ガス中の水分が吸着剤層38で吸着除去されるようになっている。
前記触媒層36と吸着剤層38とは、筒本体32の中心軸L1方向への厚みが異なっている。すなわち、筒本体32内への触媒の充填量は吸着剤の充填量より少なくなっている。そして、触媒層の筒本体32内への充填量及び吸着剤の筒本体32内への充填量は、触媒層36の酸素捕捉能及び吸着剤層38の水除去能を好適に発揮できるように設定される。
筒本体32内にて、前記触媒層36と吸着剤層38との間には、リングスペーサ37が介在されることで、触媒層36と吸着剤層38とを該触媒層36と吸着剤層38の積層方向(筒本体32の中心軸L1方向)へ離間させる空隙Kが形成されている。そして、触媒層36を通過した不活性ガスは、前記空隙K全体に拡散された後、吸着剤層38へと供給されるようになっている。前記吸着剤層38上には3枚の第4スクリーン部材344が積層配設されている。この第4スクリーン部材344によって不活性ガス中の不純物が除去されるようになっている。そして、この最上層の第4スクリーン部材344上であって筒本体32の上端部は、蓋部材39によって閉塞されている。
前記蓋部材39の中央部には、上端側が開放され、下端側に底部を備える有底円筒状をなす収容筒41が接合されている。この収容筒41は、外径が前記区画筒40の外径より小さく形成され、さらに、収容筒41の中心軸L3が筒本体32の中心軸L1及び区画筒40の中心軸L2と同一直線上に位置するように設けられている。すなわち、前記収容筒41及び区画筒40は、筒本体32に対して同心円状に配設されている。そして、収容筒41は、筒本体32の上端から下端に向かって前記蓋部材39、第4スクリーン部材344、吸着剤層38、フィルタ352、第3スクリーン部材343、リングスペーサ37、及び第2スクリーン部材342を貫通し、前記区画筒40内に挿入されている。
前記収容筒41内には、前記触媒層36及び吸着剤層38を内側から加熱する加熱手段としてのヒータ43が収容されている。そして、ヒータ43は、筒本体32の中心軸L1方向へ吸着剤層38の内側たる径方向中央部を貫通している。また、ヒータ43は、筒本体32の中心軸L1方向へ触媒層36内に挿入されている。
収容筒41を介したヒータ43の周面と、該ヒータ43の周面に対向する区画筒40を介した触媒層36の内周面とは一定距離を隔てて離間している。このため、ヒータ43の周面と、触媒層36の内周面との間には円環状をなす空洞Tが介在されている。一方、収容筒41を介したヒータ43の周面と、該ヒータ43の周面に対向する吸着剤層38の内周面との間の距離はゼロであり、ヒータ43の周面と吸着剤層38の内周面との間に介在される空洞はゼロとなっている。
そして、前記空洞Tを形成してヒータ43の周面と触媒層36の内周面との間を離間させることと、ヒータ43の周面と吸着剤層38の内周面との間の距離をゼロとすることは、ヒータ43による触媒層36の加熱温度を吸着剤層38の加熱温度よりも低くなるように調整する温度調整手段である。本実施形態では、前記空洞Tにより、筒本体32の径方向へのヒータ43の周面と触媒層36の内周面との間の距離は、ヒータ43の周面と吸着剤層38の内周面との間の距離より長くなっている。したがって、精製筒31は、空洞Tにより、ヒータ43による触媒層36の加熱温度を、吸着剤層38の加熱温度より低くなるように調整する構成となっている。なお、前記空洞Tの大きさ、すなわち、筒本体32の径方向に沿ったヒータ43の周面とヒータ43に対向する触媒層36の内周面との間の距離は、触媒層36の酸素捕捉能を好適に発揮させるのに適した値に設定される。
精製筒31の下側であって、筒本体32の下側周面には導入口44が設けられている。この導入口44には、前記復管路10bが接続され、グローブボックスGから排出された不活性ガスは導入口44から筒本体32内へ導入されるようになっている。また、精製筒31の上側であって、蓋部材39には導出口45が設けられている。この導出口45には、前記往管路10aが接続され、触媒層36及び吸着剤層38を通過した不活性ガスは導出口45から筒本体32外へ導出されるようになっている。
そして、導入口44から精製筒31内へ導入され、精製筒31内を通過して導出口45から導出される不活性ガスの流れを、精製筒31における不活性ガスの流通方向とする。この場合、精製筒31の筒本体32内では前記流通方向上流側に触媒層36が配設され、触媒層36よりも流通方向下流側に吸着剤層38が配設されている。また、精製筒31は、1つの筒本体32内に触媒層36、吸着剤層38及びヒータ43が収容配置され、一体化されている。
次に、循環精製装置11の回路構成を図5を用いて具体的に説明する。なお、循環精製装置11とグローブボックスGの間には4つの循環回路が構成されており、各循環回路での不活性ガスの循環は同じであるため、図5では1つの循環回路を用いて説明する。また、1つの循環回路の精製部22を構成する2本の精製筒31を、一方の精製筒31を第1精製筒31Aとし、他方の精製筒31を第2精製筒31Bとする。
図5に示すように、前記グローブボックスGに接続された復管路10bにおいて、第1及び第2精製筒31A,31Bよりも不活性ガスの流通方向上流側は、復管路10bの一部を構成する第1導入管12aと第2導入管12bに分岐されている。前記第1導入管12aは、第1精製筒31Aの導入口44に接続され、第2導入管12bは第2精製筒31Bの導入口44に接続されている。前記第1導入管12a及び第2導入管12b上にはバルブ52a,52bが設けられている。また、前記復管路10b上であって、前記第1導入管12a及び第2導入管12bに分岐するよりも、不活性ガスの流通方向上流側には循環ポンプPが設けられている。
前記第1精製筒31Aの導出口45には、前記往管路10aの一部を構成する第1導出管13aが接続され、第2精製筒31Bの導出口45には往管路10aの一部を構成する第2導出管13bが接続されている。前記第1導出管13a及び第2導出管13b上にはバルブ53a,53bが設けられている。前記第1導出管13aと第2導出管13bは一本の往管路10aに収束されてグローブボックスGに接続されている。往管路10a上には、前記フィルタF及び流量センサ60が設けられている。
また、往管路10aにおけるグローブボックスGの入口側と、復管路10bにおけるグローブボックスGの出口側との間には、グローブボックスGを迂回して連通するバイパス通路10cが設けられ、該バイパス通路10c上にはバイパス通路10cを開閉可能とする開閉弁としてのバルブ58が設けられている。前記往管路10a上であって、前記バイパス通路10cよりも不活性ガスの流通方向下流側にはバルブ50が設けられ、復管路10b上であって、前記バイパス通路10cよりも不活性ガスの流通方向上流側にはバルブ51が設けられている。
また、循環精製装置11が備える前記不活性ガス供給源Nには、管路10dが接続され、該管路10dは分岐管路14a,14bに分岐している。そして、前記分岐管路14aは、前記第1導出管13aに接続され、分岐管路14bは第2導出管13bに接続されている。前記分岐管路14a,14b上にはそれぞれバルブ54a,54bが設けられている。また、管路10d上には、フィルタ61、バルブ62、レギュレータ63、及び逆止弁64が設けられている。前記管路10dにて分岐管路14a,14bへの分岐点よりも不活性ガスの流通方向下流側は、次系統の第1及び第2導出管13a,13bに接続されて不活性ガスを供給可能としている。
さらに、循環精製装置11が備える前記還元ガス供給源Hには、管路10eが接続され、該管路10eは分岐管路15a,15bに分岐している。そして、管路10eから分岐した分岐管路15aは、前記第1導出管13aに接続され、分岐管路15bは第2導出管13bに接続されている。前記分岐管路15a,15b上にはそれぞれバルブ55a,55bが設けられている。また、管路10e上には、フィルタ65、バルブ66、レギュレータ67、逆止弁68、及び絞り69が設けられ、さらに、圧力センサ70が接続されている。管路10eにて分岐管路15a,15bへの分岐点よりも還元ガスの流通方向下流側は、次系統の第1及び第2導出管13a,13bに接続されて還元ガスを供給可能としている。
加えて、循環精製装置11が備える酸素供給源Dには、管路10fが接続され、該管路10fは、前記往管路10aであって前記フィルタFよりも不活性ガスの流通方向上流側に接続されている。管路10f上には、フィルタ75、バルブ76、レギュレータ77、及び逆止弁78が設けられている。そして、酸素供給源D、管路10f、フィルタ75、バルブ76、レギュレータ77及び逆止弁78は、グローブボックスG内を不活性ガス雰囲気から大気圧雰囲気へと置換する大気圧置換ラインMを構成している。
前記第1導入管12aには第1排出管16aが接続され、第2導入管12bには第2排出管16bが接続されており、第1排出管16aと第2排出管16bとは排出管16に接続されている。そして、この排出管16は、ドレン出口として外部へ開放されている。前記第1及び第2排出管16a,16b上にはそれぞれバルブ56a,56bが設けられている。さらに、前記第1導入管12aには第1圧抜き管17aが接続され、第2導入管12bには第2圧抜き管17bが接続されており、第1圧抜き管17aと第2圧抜き管17bとは圧抜き管17に接続されている。前記第1及び第2圧抜き管17a,17b上にはそれぞれバルブ57a,57bが設けられている。前記圧抜き管17上にはバルブ72が設けられ、さらに、圧抜き管17には真空ポンプ71が接続されている。加えて、復管路10bにて、循環ポンプPよりも不活性ガスの流通方向下流側には圧力センサ73が設けられている。
また、復管路10bにおいて、前記循環ポンプPよりも不活性ガスの流通方向下流側であり、第1導入管12a及び第2導入管12bへの分岐点よりも上流側には排気管80が接続されている。この排気管80は循環精製装置11の外部に開放されており、該排気管80上にはバルブ81が設けられている。そして、復管路10bにおいて、前記循環ポンプP、排気管80及びバルブ81は、グローブボックスG内の不活性ガスを排出するための排出機構を構成している。
なお、循環精製装置11において、前記精製部22は、第1及び第2導入管12a,12bと、該第1及び第2導入管12a,12b上のバルブ52a,52bと、第1及び第2精製筒31A,31Bと、第1及び第2導出管13a,13bと、該第1及び第2導出管13a,13b上のバルブ53a,53bとから構成されている。また、往管路10aは、前記第1及び第2導出管13a,13bを含み、復管路10bは前記第1及び第2導入管12a,12bを含んでいる。
続いて、上記構成の循環精製システムSにおける循環精製装置11を用いた不活性ガスの精製について説明する。なお、循環精製装置11の操作は、ケース27に設けられた操作パネルによって行われるとする。
まず、操作パネルの操作によって循環精製装置11の電源がオンされると第1精製筒31Aの窒素置換が行われる。このとき、管路10f上のバルブ76が閉状態とされて酸素供給源Dからの酸素の供給が停止され、管路10e上のバルブ66が閉状態とされて還元ガス供給源Hからの還元ガスの供給が停止されている。そして、往管路10a及び復管路10b上のバルブ50,51、バイパス通路10c上のバルブ58、及び排気管80上のバルブ81が閉状態とされる。さらに、第1及び第2導入管12a,12bのバルブ52a,52bと、第1及び第2導出管13a,13bのバルブ53a,53bと、分岐管路15a,15b上のバルブ55a,55bと、第1及び第2排出管16a,16bのバルブ56a,56bとがそれぞれ閉状態とされる。さらに、分岐管路14aのバルブ54aが閉状態とされ、分岐管路14bのバルブ54bが閉状態とされる。
そして、圧抜き管17上のバルブ72が開状態とされた後、真空ポンプ71が駆動し、バルブ57aが開状態となると、第1精製筒31Aが真空ポンプ71によって真空引きされる。その後、分岐管路14a上のバルブ54aが開状態とされるとともに、分岐管路14b上のバルブ54bが閉状態とされる。さらに、第1及び第2圧抜き管17a,17b上のバルブ57a,57bが閉状態とされ、圧抜き管17上のバルブ72が閉状態とされるとともに真空ポンプ71が停止される。
そして、管路10d上のバルブ62が開状態とされると不活性ガス供給源Nから第1精製筒31Aへ向けて不活性ガスが供給される。不活性ガス供給源Nからの不活性ガスは、管路10d上にてフィルタ61を通過する際に不純物が除去され、レギュレータ63によって不活性ガス供給源Nに高圧で貯蔵された不活性ガスが所定の圧力まで減圧される。さらに、管路10d及び分岐管路14a、第1導出管13a及び導出口45を介して第1精製筒31Aへ不活性ガスが供給され、第1精製筒31A内が窒素置換される。
次に、第2精製筒31Bの窒素置換が行われる。なお、このとき、管路10d上のバルブ62が閉状態とされ、不活性ガスの供給が停止されている。まず、分岐管路14aのバルブ54aが閉状態とされ、分岐管路14bのバルブ54bが閉状態とされる。そして、圧抜き管17上のバルブ72が開状態とされた後、真空ポンプ71が駆動し、バルブ57bが開状態となると、第2精製筒31Bが真空ポンプ71によって真空引きされる。その後、分岐管路14b上のバルブ54bが開状態とされるとともに、分岐管路14a上のバルブ54aが閉状態とされる。さらに、第1及び第2圧抜き管17a,17b上のバルブ57a,57bが閉状態とされ、圧抜き管17上のバルブ72が閉状態とされるとともに真空ポンプ71が停止される。
そして、管路10d上のバルブ62が開状態とされると不活性ガス供給源Nから第2精製筒31Bへ向けて不活性ガスが供給される。不活性ガス供給源Nからの不活性ガスは、管路10d上にてフィルタ61を通過する際に不純物が除去され、レギュレータ63によって不活性ガス供給源Nに高圧で貯蔵された不活性ガスが所定の圧力まで減圧される。さらに、管路10d及び分岐管路14b、第2導出管13b及び導出口45を介して第2精製筒31Bへ不活性ガスが供給され、第2精製筒31Bが窒素置換される。
次に、循環精製装置11において、第1精製筒31Aの還元再生が行われる。このとき、管路10f上のバルブ76が閉状態とされて酸素供給源Dからの酸素の供給が停止され、管路10d上のバルブ62が閉状態とされて不活性ガス供給源Nからの不活性ガスの供給が停止されている。往管路10a及び復管路10b上のバルブ50,51が閉状態とされ、バイパス通路10c上のバルブ58が閉状態とされる。また、排気管80上のバルブ81も閉状態とされる。さらに、第1及び第2導入管12a,12b上のバルブ52a,52bと、第1及び第2導出管13a,13b上のバルブ53a,53bと、分岐管路14a,14b上のバルブ54a,54bと、第1及び第2圧抜き管17a,17bのバルブ57a,57bとがそれぞれ閉状態とされる。また、分岐管路15aのバルブ55aが開状態とされ、分岐管路15bのバルブ55bが閉状態とされるとともに、第1排出管16aのバルブ56aが開状態とされ、第2排出管16bのバルブ56bが閉状態とされる。なお、圧抜き管17上のバルブ72は閉状態とされ、真空ポンプ71は停止されている。
そして、管路10e上のバルブ66が開状態とされると還元ガス供給源Hから第1精製筒31Aへ向けて不活性ガスが供給される。還元ガス供給源Hからの還元ガスは、管路10e上にてフィルタ65を通過する際に不純物が除去され、レギュレータ67によって還元ガス供給源Hに高圧で貯蔵された還元ガスが所定の圧力まで減圧される。さらに、管路10e、分岐管路15a、第1導出管13a及び導出口45を介して第1精製筒31Aへ水素が供給される。
そして、ヒータ43によって第1精製筒31Aが加熱されると、第1精製筒31Aにて、触媒層36及び吸着剤層38はヒータ43によって加熱される。ここで、収容筒41を介したヒータ43の周面と、区画筒40を介した触媒層36の内周面との間には空洞Tが介在されている。一方、収容筒41を介したヒータ43の周面と、吸着剤層38の内周面との間には空洞が介在されずヒータ43と吸着剤層38とが離間していない。
このため、ヒータ43から発せられる熱は、空洞Tにより触媒層36に伝達されにくくなり、触媒層36はヒータ43によって直接加熱されるよりも低い温度で加熱される。すなわち、触媒層36はヒータ43の熱により間接的に加熱されている。一方、吸着剤層38は、ヒータ43によって直接加熱され、触媒層36よりも高い温度で加熱される。したがって、精製筒31は、一本のヒータ43を用いた構成であっても触媒層36と吸着剤層38とを異なる温度で加熱することが可能となっている。
すると、ヒータ43からの熱により、触媒層36に捕捉されていた酸素は水素と反応して水となって触媒から離脱する。また、吸着剤層38に吸着されていた水も吸着剤から離脱する。その後、触媒層36や吸着剤層38から離脱した水は還元ガスとともに第1排出管16a及び排出管16を通過して排出される。その結果として、第1精製筒31Aの触媒層36及び吸着剤層38が還元再生され、触媒層36の酸素捕捉能及び吸着剤層38の水除去能が回復される。
次に、不活性ガスの自己循環が行われる。このとき、管路10f上のバルブ76が閉状態とされて酸素供給源Dからの酸素の供給が停止され、管路10e上のバルブ66が閉状態とされて還元ガス供給源Hからの還元ガスの供給が停止されている。また、管路10d上のバルブ62が閉状態とされて不活性ガス供給源Nからの不活性ガスの供給が停止されている。
往管路10a及び復管路10b上のバルブ50,51が閉状態とされ、排気管80上のバルブ81も閉状態とされる。さらに、分岐管路14a,14b上のバルブ54a,54bと、分岐管路15a,15b上のバルブ55a,55bと、第1及び第2排出管16a,16bのバルブ56a,56bと、第1及び第2圧抜き管17a,17bのバルブ57a,57bとがそれぞれ閉状態とされる。また、第1導入管12aのバルブ52aが開状態とされ、第2導入管12bのバルブ52bが閉状態とされるとともに、第1導出管13aのバルブ53aが開状態とされ、第2導出管13bのバルブ53bが閉状態とされる。なお、圧抜き管17上のバルブ72は閉状態とされ、真空ポンプ71は停止されている。
そして、循環ポンプPを駆動させると、第1精製筒31A内の不活性ガスは、第1精製筒31Aの導出口45から第1導出管13aへと導出され、さらに、フィルタFを通過し、バイパス通路10cを介して復管路10bへ供給される。その後、不活性ガスは、第1導入管12aから第1精製筒31Aへ供給され、第1導出管13a、バイパス通路10cを介して復管路10bへ供給される。すなわち、不活性ガスは、グローブボックスGへ供給されることなく、循環精製装置11内の第1精製筒31A側を自己循環している。
第1精製筒31A側で不活性ガスが自己循環している状態で、第2精製筒31Bの還元再生が行われる。分岐管路15bのバルブ55bが開状態とされるとともに、第2排出管16bのバルブ56bが開状態とされる。その後、第1精製筒31Aと同様に還元ガス供給源Hから第2精製筒31Bに還元ガスが供給されて該第2精製筒31Bが還元再生される。
さて、第1精製筒31A側を不活性ガスが自己循環している状態で操作パネルの操作に伴いコントローラ23によってグローブボックスGへの不活性ガスの供給が指示されると、バイパス通路10c上のバルブ58が閉状態とされるとともに、往管路10a上のバルブ50及び復管路10b上のバルブ51が開状態とされる。すると、第1精製筒31A側を自己循環していた不活性ガスが往管路10aを介してグローブボックスGへ供給される。グローブボックスG内を不活性ガス雰囲気とし、復管路10bへと排出された不活性ガスは、復管路10b、第1導入管12aを介して導入口44から第1精製筒31A内へ導入される。
そして、導入口44から第1精製筒31Aに供給された不活性ガスは、まず、触媒層36へ導入され、該触媒層36にて不活性ガスに含まれる酸素、及び少量の一酸化炭素、水素、二酸化炭素等が除去される。さらに、不活性ガスが、第1精製筒31A内をその流通方向下流側に向かうとリングスペーサ37によって触媒層36と吸着剤層38の間に介在される空隙Kへ導出される。そして、該空隙K全体に拡散した不活性ガスは、吸着剤層38へと導出される。そして、不活性ガス中の水分、及び少量の一酸化炭素、二酸化炭素が吸着剤に吸着される。
なお、吸着剤層38では、前記触媒層36で除去された酸素と、該触媒層36の還元再生の際に触媒層36へ導入された還元ガス(水素)との反応によって発生する水も吸着除去する。そして、第1精製筒31Aを通過し、精製された不活性ガスは、導出口45から第1精製筒31A外へ導出される。第1精製筒31A外へ導出された不活性ガスは、フィルタFでさらに不純物が除去された後、往管路10aを介してグローブボックスGへ再供給される。
第1精製筒31A側で不活性ガスの精製が所定期間行われると、第1精製筒31Aの還元再生が行われると同時に、第2精製筒31B側での不活性ガスの精製が行われる。すなわち、第1導入管12a上のバルブ52aが閉状態とされる一方で第2導入管12b上のバルブ52bが開状態とされるとともに、第1導出管13a上のバルブ53aが閉状態とされる一方で第2導出管13b上のバルブ53bが開状態とされる。すると、グローブボックスGからの不活性ガスが、復管路10b、第2導入管12bを介して導入口44から第2精製筒31Bへ導入される。不活性ガスは、第2精製筒31Bにて精製された後、第2精製筒31B外へ導出され、第2導出管13b、往管路10aを介してグローブボックスGへ再供給される。
第2精製筒31B側を不活性ガスが循環している際、第1精製筒31Aの還元再生が行われる。そして、上記と同様に第1精製筒31Aの還元再生後、該第1精製筒31A側は自己循環されるまで待機状態となっている。
なお、循環精製装置11において、往管路10a上の流量センサ60によって循環回路を循環する不活性ガスの流量が検出されている。そして、不活性ガスの流量が所定量以下となった場合には、コントローラ23の制御により不活性ガス供給源Nから不活性ガスが補給されるようになっている。また、循環精製装置11において、圧力センサ73によって循環回路内(グローブボックスG内)の圧力が検出されている。そして、循環回路内(グローブボックスG内)の圧力が所定圧力以上となった場合には、コントローラ23の制御により第1圧抜き管17a上のバルブ57a又は第2圧抜き管17b上のバルブ57bが開状態とされ、さらにバルブ72が開状態とされる。さらに、コントローラ23の制御により真空ポンプ71が駆動されると各循環回路内が減圧されるようになっている。
また、グローブボックスG内の不活性ガスを排気し、グローブボックスG内を大気圧雰囲気とする場合には、まず、コントローラ23の制御により、往管路10a上のバルブ50が開状態とされるとともに、復管路10b上のバルブ51が開状態とされる。さらに、管路10f上のバルブ76、及び排気管80上のバルブ81が開状態とされ、循環ポンプPが駆動されると、管路10f及び往管路10aを介して酸素供給源DからグローブボックスGへ酸素(ドライエア)が供給される。同時に、グローブボックスG内の不活性ガスは復管路10b及び排気管80を介して大気へ排出される。すると、大気圧置換ラインMにより、グローブボックスG内は酸素濃度が約20%となり、大気圧に置換される。
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
(1)精製筒31(第1及び第2精製筒31A,31B)は、1つの筒本体32内に触媒層36及び吸着剤層38を有し、さらに、触媒層36及び吸着剤層38の内側から両層36,38を加熱可能とするヒータ43を備えており、触媒層36、吸着剤層38及びヒータ43は1つの筒本体32内に収容配置されている。このため、例えば、精製筒31の外側にヒータを備えた背景技術の精製筒とは異なり、ヒータ43を精製筒31の外側に取り付けるための取付構造を必要とせず精製筒31の構造を簡易化して小型化することができる。
そして、精製筒31において、ヒータ43の周面と触媒層36にてヒータ43の周面に対向する内周面との間に空洞T(温度調整手段)を介在させる一方で、ヒータ43の周面と吸着剤層38にてヒータ43の周面に対向する内周面との間の距離をゼロ(温度調整手段)とした。このため、触媒層36はヒータ43から離間することでヒータ43の熱によって間接的に加熱され、吸着剤層38はヒータ43の熱によって直接的に加熱されることとなり、触媒層36を加熱する温度を吸着剤層38を加熱する温度より低くすることができる。したがって、1つの筒本体32内に種類の異なる触媒層36と吸着剤層38を設け、ヒータ43を収容した構成であっても、ヒータ43で触媒層36及び吸着剤層38を好適に加熱して触媒層36及び吸着剤層38の還元再生を好適に行うことができる。
(2)循環精製装置11(精製筒31)とグローブボックスGとを往管路10a及び復管路10bによって接続し、グローブボックスGから排出された不活性ガスを循環精製装置11の精製筒31に供給した後、精製された不活性ガスをグローブボックスGへ再供給する構成とした。したがって、グローブボックスGへ供給された不活性ガスを再利用することができ、不活性ガスの大量消費に伴うコスト増大を抑えることができる。また、循環精製装置11(精製筒31)とグローブボックスGとの間では、不活性ガスの閉回路を構成しているため、不活性ガスと大気との接触による不活性ガスの純度低下を防止することができる。
(3)精製筒31において、触媒層36と吸着剤層38との間には両層36,38の積層方向に沿って空隙Kが設けられている。このため、触媒層36を通過した不活性ガスは、空隙K全体に拡散された後、吸着剤層38へと供給される。したがって、例えば、触媒層36内を偏って通過した不活性ガスが、そのまま吸着剤層38へ供給されることが抑制される。すなわち、触媒層36を通過した後の不活性ガスは、空隙Kを通過することで吸着剤層38へ均等に供給され、吸着剤と不活性ガスとの接触面積を広くすることができ、吸着剤層38での水吸着能を好適に発揮させることができる。
(4)精製筒31は、還元ガス供給源Hからの還元ガスの供給によって還元再生される。そして、触媒層36に捕捉された酸素と、還元ガス(水素)とによって発生した水は、吸着剤層38により吸着される。したがって、精製筒31を還元再生した際に発生した水の排出機構を精製筒31に別途設ける必要が無く、精製筒31の構成を簡素化して体格を小型化することができる。
(5)循環精製装置11は、2本の精製筒31(第1精製筒31Aと第2精製筒31B)よりなる精製部22を1系統として備え、1つの精製部22で1つのグローブボックスGから排出された不活性ガスを精製する。このため、精製部22にて一方の精製筒31で不活性ガスの精製を行っている際には、他方の精製筒31の還元再生を行うことができる。したがって、2本の精製筒31を用いることで、不活性ガスの精製を連続して行うことができ、精製された不活性ガスをグローブボックスGへ連続して供給することができる。
(6)精製筒31において、筒本体32内に収容筒41を配設し、該収容筒41内にヒータ43を収容した。このため、収容筒41を設けず、ヒータ43を蓋部材39に直接吊下げる場合に比してヒータ43の揺れを防止することができる。したがって、ヒータ43の揺れに伴いヒータ43の周面と触媒層36の内周面との間の距離がずれ触媒層36の加熱温度にムラが生じることを防止することができる。さらに、筒本体32の中心軸L1上には収容筒41が配設され、この収容筒41内にヒータ43が収容されている。このため、筒本体32内に該筒本体32の中心軸L1に沿ってヒータ43を配設することができる。したがって、ヒータ43の周囲に触媒層36及び吸着剤層38を同心円状に設けることができ、触媒層36及び吸着剤層38の加熱ムラを抑制することができる。
(7)精製筒31において、筒本体32内には区画筒40が配設され、該区画筒40によってヒータ43の周面と触媒層36の内周面との間に空洞Tが区画されている。このため、区画筒40により空洞Tを確実に区画形成することができ、触媒層36の加熱温度を吸着剤層38の加熱温度よりも確実に低くすることができる。さらに、筒本体32の中心軸L1上には区画筒40が配設され、この区画筒40内にヒータ43が収容されている。このため、ヒータ43の外周側に空洞T、さらに触媒層36を同心円状に設けることができる。したがって、空洞Tを介した触媒層36においても加熱ムラを抑制することができる。
(8)往管路10aにてグローブボックスGへの入口側と、復管路10bにてグローブボックスGの出口側とをバイパス通路10cで接続した。そして、不活性ガスをバイパス通路10cを介して精製筒31へ供給するようにして、グローブボックスGへ不活性ガスを供給する直前まで不活性ガスを循環精製装置11内を自己循環させるようにした。このため、不活性ガスは、循環精製装置11内を自己循環することで常に精製されていることとなる。したがって、グローブボックスGへの不活性ガスの供給が指示されたときは、精製された不活性ガスをグローブボックスGへ供給することができる。
(9)循環精製装置11はケース27内に、精製筒31と、循環ポンプPとが収容されている。そして、ケース27において、作業者が作業する側となるケース27の前面側には循環ポンプPが配設されており、循環ポンプPよりも後面側に精製筒31が配設されている。したがって、循環精製装置11において、メンテナンスが頻繁に行われる循環ポンプPをケース27の前面側に配設することで、循環精製装置11のメンテナンス作業の作業性を良好とすることができる。加えて、フィルタFもケース27において、作業者が作業する側となるケース27の前面側に配設されている。したがって、循環精製装置11において、メンテナンスが頻繁に行われるフィルタFをケース27の前面側に配設することで、循環精製装置11のメンテナンス作業の作業性を良好とすることができる。
(10)循環精製装置11において、往管路10aには、管路10fを介して酸素供給源Dを接続し、酸素供給源Dを含めた大気圧置換ラインMを接続した。さらに、復管路10b上であって循環ポンプPよりも不活性ガスの流通方向下流側に排気管80を接続し、該排気管80上にバルブ81を設けた。そして、酸素供給源Dから往管路10aに酸素を供給しつつ、排気管80のバルブ81を開状態として循環ポンプPを駆動させることでグローブボックスG内の不活性ガスを酸素に置換して大気圧雰囲気とすることができる。したがって、グローブボックスG内への作業者の出入りを容易に可能とすることができる。
(11)精製筒31において、筒本体32内には1本のヒータ43が収容され、該1本のヒータ43は触媒層36及び吸着剤層38の内側中央部に配設されている。このため、触媒層36及び吸着剤層38を複数本のヒータ43を用いて加熱する場合に比して精製筒31の構成を簡素化することができ、精製筒31の小型化に寄与することができる。
なお、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
○ ヒータ43の周面と、吸着剤層38の内周面との間に温度調整手段としての空洞Tを介在させてもよい。この場合、筒本体32の径方向へのヒータ43の周面と触媒層36の内周面との間の距離を、ヒータ43の周面と吸着剤層38の内周面との間の距離より長くして、触媒層36の加熱温度が吸着剤層38の加熱温度より低くなるようにする。
○ 温度調整手段として、ヒータ43の周面と触媒層36の内周面との間、及びヒータ43の周面と吸着剤層38の内周面との間に熱伝導層を設けてもよい。この場合、ヒータ43の周面と触媒層36の内周面との間の熱伝導層の熱伝導率を、ヒータ43の周面と、吸着剤層38の内周面との間の熱伝導送の熱伝導率よりも低くして触媒層36の加熱温度が吸着剤層38の加熱温度より低くなるようにする。
○ ケース27内にて、循環ポンプP、フィルタF及び第1及び第2精製筒31A,31Bの前後位置は任意に変更してもよい。
○ 実施形態の循環精製装置11は、精製部22を4つ備える構成としたが、精製部22を2つ又は3つ備える構成としてもよく、精製部22を5つ以上備える構成としてもよい。
○ 精製筒31において、例えば、触媒層36及び吸着剤層38の外周面と筒本体32の内周面との間に加熱手段(例えばヒータ43)を設け、触媒層36及び吸着剤層38を外側から加熱してもよい。
○ 第1及び第2精製筒31A,31Bにおいて、触媒層36と吸着剤層38の間のリングスペーサ37を削除して空隙Kを無くしてもよく、この場合は、触媒層36と吸着剤層38の間に第2スクリーン部材342が介在されている。
○ 実施形態では、不活性ガスとして窒素に具体化したが、窒素の他にヘリウム、アルゴン、キセノンを利用してもよく、不活性ガス以外の空気を利用してもよい。
○実施形態では、吸着剤として合成ゼオライトを用いたが、合成ゼオライトの他にアルミナやシリカゲルを用いてもよい。
○ 循環精製装置11の操作を指令装置26からの指示に基づいて行ってもよい。
○ ケース27の前後両側に閉鎖部材としての開閉扉を設けてもよい。
○ 不活性ガスの供給先を金属チャンバとしてもよい。
K…空隙、M…大気圧置換ライン、P…循環ポンプ(排出機構)、T…温度調整手段としての空洞、10a…往路としての往管路、10b…復路としての復管路、10c…バイパス通路、11…空気又は不活性ガスの循環精製装置、27…ケース、28…閉鎖部材としての閉鎖板、31(31A,31B)…精製筒、32…筒本体、36…触媒層、38…吸着剤層、40…区画筒、41…収容筒、43…加熱手段としてのヒータ、53…開閉弁としてのバルブ、80…排出機構を構成する排気管、81…排出機構を構成するバルブ。