Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP4520587B2 - きのこの人工培養基及びそれを用いたきのこの人工栽培方法 - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP4520587B2 - きのこの人工培養基及びそれを用いたきのこの人工栽培方法 - Google Patents

きのこの人工培養基及びそれを用いたきのこの人工栽培方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4520587B2
JP4520587B2 JP2000187415A JP2000187415A JP4520587B2 JP 4520587 B2 JP4520587 B2 JP 4520587B2 JP 2000187415 A JP2000187415 A JP 2000187415A JP 2000187415 A JP2000187415 A JP 2000187415A JP 4520587 B2 JP4520587 B2 JP 4520587B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
culture medium
phosphorus compound
mushrooms
artificial culture
mushroom artificial
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000187415A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002000069A (ja
Inventor
秀朗 石田
悟 寺村
和博 宮下
賢一 西澤
雅弘 城石
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denka Co Ltd
Original Assignee
Denki Kagaku Kogyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denki Kagaku Kogyo KK filed Critical Denki Kagaku Kogyo KK
Priority to JP2000187415A priority Critical patent/JP4520587B2/ja
Publication of JP2002000069A publication Critical patent/JP2002000069A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4520587B2 publication Critical patent/JP4520587B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Mushroom Cultivation (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、きのこの人工培養基及びそれを用いたきのこの人工栽培方法に関する。
なお、本発明でいう部や%は特に規定のないかぎり質量基準である。
【0002】
【従来の技術とその課題】
従来、きのこの栽培は、くぬぎ、ぶな、及びなら等の原木を利用した、ほだ木栽培がほとんどであり、そのため、気象条件により収穫が左右されることが多いという課題があった。
【0003】
また、最近では、ほだ木栽培用の原木切り出しのための労働力が不足していることなどによって、原木の入手が困難になりつつあるという課題があった。
さらに、ほだ木栽培では栽培期間が長いこと、即ち、種菌の接種からきのこの収穫までに1年半から2年も要することにより、生産コストが相当高くつくという課題があった。
【0004】
近年、えのきたけ、ひらたけ、なめこ、まいたけ、及びしいたけなどは、鋸屑に米糠を配合した培養基を用い、瓶又は箱で栽培を行う菌床人工栽培方法が確立され、一年を通して、四季に関係なく安定してきのこが収穫できるようになっている。
【0005】
即ち、従来は農家での副業的性格が強く、小規模生産に頼っていたきのこ栽培が、現在では大規模専業生産が可能となり、かつ、原料が入手しやすい菌床人工栽培方法に移りつつある。
しかしながら、菌床人工栽培方法においても、きのこを大量に連続栽培するには、いまだ収率も低く、かつ、栽培期間がかなり長いため、その生産コストは安価とはいえず、今後これら生産性の改善が切望されている。
例えば、(Al2O3) X (SiO2)(ただし、式中のX は1以上の数)で示される化合物を前記の人工培養基に含有させたものや、(MgO) W (Al2O3) X (SiO2)y (ただし、式中のW は1〜3の数、X は1〜5の数、y は0〜3の数)で示される化合物を前記の人工培養基に含有させたもの、あるいはケイ酸アルミニウム、ケイ酸カルシウム、酸化第一鉄、酸化第二鉄、及び四三酸化鉄から選ばれるいずれか一種類の化合物を人工培養基に添加したものがあるが、充分な収率できのこを生産することができていないのが現状である(特開平03−210126号公報、特開平03−058716号公報、及び特開平07−322754号公報)。
【0006】
本発明者は、エトリンガイト、カルシウムアルミネート、アルミノケイ酸カルシウム、及びスラグ粉等の化合物を人工培養基に含有させることにより、きのこの収率が飛躍的に向上することを提案した(特開平11−155364号公報、特開平11−187762号公報、特開平11−243773号公報、特開平11−2993474号公報)。
本発明者は、さらに誠意検討を重ねた結果、特定の化合物を使用することにより、低価格で、しかも高収率できのこを栽培できることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【0007】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、りん化合物を含有してなるきのこの人工培養基であって、前記りん化合物は、平均粒子径が8μm以下である熔成りん肥であり、前記熔成りん肥の使用量が、前記人工培養基100質量部中、1.0〜10質量部であることを特徴とするきのこの人工培養基であり、この人工培養基を用いてなるきのこの人工栽培方法である。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をさらに詳しく説明する。
【0009】
本発明で使用するりん化合物とは、きのこの収率を向上させる目的で人工培養基に含有させるもので、P2O5量換算で2〜60%含有しているりん化合物が好ましく、5〜50%含有しているものがより好ましい。P2O5量が2%未満、又は60%を超えたりん化合物を使用すると、きのこの収量が向上しない場合がある。具体的な、りん化合物としては、りん鉱石があり、りん鉱石のうち、有機質系りん鉱石、無機質系りん鉱石いずれも使用可能である。有機質系りん鉱石としては、糞化石、グアノりん鉱、及び結塊りん鉱等があり、無機質系りん鉱石としては、りん灰石(アパタイト)が挙げられる。さらに、肥料として一般的に使用されている、水溶性りん酸やく溶性りん酸が使用可能である。水溶性りん酸としては、過りん酸石灰や重過りん酸石灰などがあり、く溶性りん酸としては、熔成りん肥や焼成りん肥が挙げられる。さらに、水溶性とく溶性両方のりん酸分を有した、苦土過りん酸や重焼りん、よう過りん、ダブリン、及びリンスター等も使用可能である。これらのりん化合物のうちP2O5量15〜30%程度の熔成りん肥がきのこの収率向上のうえから最も好ましい。熔成りん肥は、一般的には、蛇紋岩とりん鉱石を電気炉又は平炉で、1,400℃程度で熔かした後、炉外に導き水や空気で急冷することによって非晶質のりん化合物として製造することが可能である。非晶質のりん化合物は、きのこの収率を向上させる面から好ましい。非晶質のりん化合物としては、りん酸質肥料として市販されている熔成りん肥を使用することが可能であるが、通常の市販品は粒子径が1mm程度と粗いため、これを粉砕したほうが、少量の添加量できのこの収率が向上することから好ましい。具体的には、平均粒子径100μm以下の熔成りん肥が好ましく、8μm以下の熔成りん肥がより好ましい。粉末の飛散を抑えるため、粉末をPVA等により造粒したものはこの限りではない。さらに、りん酸化物以外の成分として、CaO、SiO2、MgO、Na2O、Al2O3、SO3、K2O、TiO2、Fe2O3、及びMnO2等が存在するが、りん化合物のP2O5量が2〜60%の範囲内であれば特に問題はない。りん化合物の使用量は、人工培養基100部中、0.01〜20部が好ましく、1.0〜10部がより好ましい。この範囲外ではきのこの収率の向上が得られない場合がある。
【0010】
本発明で使用する人工培養基としては、鋸屑、もみ殻、コーンコブ、バガス、パルプ廃材、ビート粕、及びデンプン粕等の基材に、米糠、もろこし粉砕物、及びフスマ等の栄養源の一種又は二種以上の混合物にりん化合物を含有させたものを使用することが可能である。
きのこの種類、栽培環境、及び条件等に応じて、基材や栄養源の種類、両者の配合割合は任意に変化するもので特に限定されるものではないが、栄養源の使用量は、例えば、鋸屑等の基材100部に対して、10〜150部混合したものが、きのこを高収率で得る面からより好ましい。
【0011】
本発明の人工培養基を用いてきのこを栽培する方法は、各々の環境や状況などに応じて任意に変えることができるので特に限定されるものではないが、通常、りん化合物を含有した人工培養基に水を加えて、人工培養基の水分含有量を50〜70%に調整し、必要に応じて殺菌・冷却後、菌を接種し、各々のきのこについて通常採用されている培養工程や生育条件に従って行うことが好ましい。
例えば、ぶなしめじ栽培の場合は、菌を接種した人工培養基を22〜26℃で約30日間培養後、24〜28℃で40〜50日間熟成し、菌かき後に温度14〜17℃、湿度95〜100%で20〜25日間育成を行って、ぶなしめじを栽培し収穫する。
また、しいたけ栽培の場合は、菌を接種した人工培養基を20〜25℃で約30日間培養後、26〜30℃で40〜50日間熟成し、その後、温度13〜17℃で1〜3日間低温処理し、温度17〜20℃、湿度90〜95%で約10日間発生を行ってしいたけを収穫し、この際に第1回目の収穫後に再び発生にかけて第2回目のしいたけの収穫を行うことも可能である。
【0012】
本発明では、前述の基材や栄養源の他にも、必要に応じて人工培養基において使用されている、例えば、炭酸カルシウム、卵殻粉末、貝殻粉末、及び消石灰等の成分を併用することも可能である。
【0013】
本発明で栽培されるきのこは人工栽培できるきのこであり、例えば、えのきたけ、ひらたけ、なめこ、ぶなしめじ、まいたけ、きくらげ、さるのこしかけ、及びしいたけ等が挙げられる。
【0014】
【実施例】
以下、本発明の実験例を示し、本発明をさらに説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0015】
実験例1
コーンコブ5部、米糠4部、及びフスマ1部を混合し、含水率63%の混合物を調製した。
調製した混合物とりん化合物からなる人工培養基100部中、りん化合物が2部となるように、調製した混合物に表1に示すりん化合物を添加混合した人工培養基700gをプラスチック製1,100ml広口瓶に圧詰めした。
圧詰めした広口瓶の中央に直径約2cmの穴を開け、打栓後、120℃で90分間殺菌した。冷却後、えのきたけの種菌を植菌し、温度18℃にて30日間培養した。
次に、菌かきをした後、芽出しを温度15℃、湿度95%で10日間、ならし・抑制を温度5〜8℃、湿度90%で7日間、収穫までの生育を温度5℃、湿度80%で栽培管理を行い30日後に収穫した。結果を表1に併記する。
【0016】
<使用材料>
コーンコブ:市販品
米糠 :市販品
フスマ :市販品
りん化合物ア:糞化石、P2O5量29.4%、平均粒子径8μm
りん化合物イ:りん灰石、P2O5量35.7%、平均粒子径8μm
りん化合物ウ:過りん酸石灰、P2O5量17.0%、平均粒子径8μm
りん化合物エ:重過りん酸石灰、P2O5量42.8%、平均粒子径8μm
りん化合物オ:熔成りん肥、P2O5量20.4%、平均粒子径8μm
りん化合物カ:焼成りん肥、P2O5量37.3%、平均粒子径8μm
りん化合物キ:苦土過りん酸、P2O5量14.2%、平均粒子径8μm
【0017】
<測定方法>
コントロール対比:りん化合物添加の子実体収量(g)/りん化合物無添加の子実体収量(g)×100 (%)
【0018】
【表1】
Figure 0004520587
【0019】
表1から明らかなように、人工培養基に、りん化合物を使用することにより、えのきたけの収率が向上した。
【0020】
実験例2
表2に示すりん化合物オを用いたこと以外は実験例1と同様に行った。結果を表2に併記する。
【0021】
【表2】
Figure 0004520587
【0022】
表2から明らかなように、人工培養基に対して、りん化合物の使用量が5部の場合、最もえのきたけの収率が向上した。
【0023】
実験例3
表3に示すようにりん化合物オの平均粒子径を変えたこと以外は実験例1と同様に行った。結果を表3に併記する。
【0024】
【表3】
Figure 0004520587
【0025】
表3から明らかなように、りん化合物の平均粒子径が小さくなるほど、えのきたけの収率が向上した。
【0026】
実験例4
広葉樹鋸屑250g、針葉樹鋸屑250g、米糠500g、及び水140mlをビニール袋に入れ充分に混合し、水分含水率65%の混合物を調製した。
調製した混合物とりん化合物からなる人工培養基100部中、りん化合物が2部となるように、調製した混合物に表4に示すりん化合物を添加混合した人工培養基500gをプラスチック製850mlの広口瓶に圧詰めした。
広口瓶の中央に直径約2cmの穴を開け、打栓後、120℃で90分間殺菌した。冷却後、ひらたけの種菌を植菌し、暗所、温度25℃、湿度55%の条件下で30日間培養した。
次に、栓を外して培養基の上部から約1cm菌かきして菌糸層を除いた後、水道水20mlを添加して充分に吸水させた。4時間放置後、上部に残った水を取り除いて、温度15℃、湿度95%、照度20ルックスの条件下で、7日間培養して子実体原基を形成させ、さらに照度を200ルックスに上げて、10日間培養を続け、りん化合物の組成が子実体収量におよぼす影響について検討した。結果を表4に示す。
【0027】
<使用材料>
広葉樹鋸屑:ぶな材の鋸屑
針葉樹鋸屑:すぎ材の鋸屑
米糠 :市販品
【0028】
【表4】
Figure 0004520587
【0029】
表4から明らかなように、人工培養基に、りん化合物を添加することにより、ひらたけの収率が向上した。
【0030】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したとおり、本発明による栽培方法によれば、きのこを高収率で得ることが可能となった。

Claims (2)

  1. りん化合物を含有してなるきのこの人工培養基であって、前記りん化合物は、平均粒子径が8μm以下である熔成りん肥であり、前記熔成りん肥の使用量が、前記人工培養基100質量部中、1.0〜10質量部であることを特徴とするきのこの人工培養基。
  2. 請求項1に記載の人工培養基を用いてなるきのこの人工栽培方法。
JP2000187415A 2000-06-22 2000-06-22 きのこの人工培養基及びそれを用いたきのこの人工栽培方法 Expired - Fee Related JP4520587B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000187415A JP4520587B2 (ja) 2000-06-22 2000-06-22 きのこの人工培養基及びそれを用いたきのこの人工栽培方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000187415A JP4520587B2 (ja) 2000-06-22 2000-06-22 きのこの人工培養基及びそれを用いたきのこの人工栽培方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002000069A JP2002000069A (ja) 2002-01-08
JP4520587B2 true JP4520587B2 (ja) 2010-08-04

Family

ID=18687398

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000187415A Expired - Fee Related JP4520587B2 (ja) 2000-06-22 2000-06-22 きのこの人工培養基及びそれを用いたきのこの人工栽培方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4520587B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112205239B (zh) * 2020-10-29 2023-04-07 福建省连城冠江铁皮石斛有限公司 微生物培养液及其在崖壁真菌培育和石斛共生种植方法
JP7263612B1 (ja) 2022-12-22 2023-04-24 デンカ株式会社 きのこ栽培用人工培養基、きのこ栽培用培地、きのこの人工栽培方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002000069A (ja) 2002-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7055025B2 (ja) きのこ栽培用添加材、きのこ栽培用人工培養基、きのこ栽培用培地及びきのこの人工栽培方法
CN106831260A (zh) 酿酒葡萄园土壤调理剂及其制备方法
CN107141156A (zh) 一种用于猕猴桃育苗的复合肥及其制备方法
JP4520587B2 (ja) きのこの人工培養基及びそれを用いたきのこの人工栽培方法
JP3534295B2 (ja) きのこの人工培養基及びそれを用いたきのこの人工栽培方法
JP3767998B2 (ja) きのこの人工培養基及びそれを用いたきのこの人工栽培方法
CN108610218A (zh) 烟用芝麻饼肥及其制备方法和应用
JP3652877B2 (ja) きのこの人工培養基及びそれを用いたきのこの人工栽培方法
JP4520568B2 (ja) きのこの人工培養基及びそれを用いたきのこの人工栽培方法
JP3854093B2 (ja) ハタケシメジの子実体の発生率向上剤
CN1623961A (zh) 有机生物发酵复混肥的生产方法
TW202425795A (zh) 蕈菇栽培用人工培養基、蕈菇栽培用介質、蕈菇之人工栽培方法
JP4726171B2 (ja) きのこの人工培養基およびそれを用いたきのこの人工栽培方法
KR20160028719A (ko) 인광석과 미생물을 이용한 천연비료의 제조방법
JP4578036B2 (ja) きのこの人工培養基及びそれを用いたきのこの人工栽培方法
JP4520616B2 (ja) きのこの人工培養基及びそれを用いたきのこの人工栽培方法
JP4578035B2 (ja) きのこの人工培養基及びそれを用いたきのこの人工栽培方法
KR20020040635A (ko) 광물질을 함유하는 비료 및 이의 제조방법
JP3205083B2 (ja) ハタケシメジの人工栽培方法
JP3393351B2 (ja) 植物栽培用培養土
JP5294270B2 (ja) きのこの栽培用添加材、きのこの人工培養基、及びそれを用いたきのこの人工栽培方法
JP4570297B2 (ja) きのこの人工培養基及びそれを用いたきのこの人工栽培方法
JP4578037B2 (ja) きのこの人工培養基およびそれを用いたきのこの人工栽培方法
JP4570296B2 (ja) きのこの人工培養基及びそれを用いたきのこの人工栽培方法
CN108377879A (zh) 一种水稻专用肥料

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060621

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080710

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080729

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20080911

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080922

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080911

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20081106

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081205

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081218

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20090109

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20090515

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100521

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130528

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140528

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees