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JP4530024B2 - Resistor and manufacturing method thereof - Google Patents
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JP4530024B2 JP2007261752A JP2007261752A JP4530024B2 JP 4530024 B2 JP4530024 B2 JP 4530024B2 JP 2007261752 A JP2007261752 A JP 2007261752A JP 2007261752 A JP2007261752 A JP 2007261752A JP 4530024 B2 JP4530024 B2 JP 4530024B2
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Description

本発明は抵抗器およびその製造方法に関するものであり、特に微小の抵抗器およびその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a resistor and a manufacturing method thereof, and more particularly to a minute resistor and a manufacturing method thereof.

従来のこの種の抵抗器としては、図30に示すような抵抗器が知られている。   As a conventional resistor of this type, a resistor as shown in FIG. 30 is known.

図30に示す抵抗器は、基板1の上面の両端部に位置して基板1の端面より内側に設けた一対の上面電極膜2を跨ぐように抵抗層3を設けるとともに、前記基板1の端面に一対の上面電極膜2と電気的に接続される一対のコ字型の端面電極4を設け、そして前記端面電極4の構造は、上面電極膜2と電気的に接続されるNiCr薄膜、Ti薄膜またはCr薄膜からなるコ字型の第1の金属薄膜5と、この第1の金属薄膜5に重畳する低抵抗のCu薄膜からなる第2の金属薄膜6と、この第2の金属薄膜6に重畳するNiめっき膜からなる第1の金属めっき膜7と、この第1の金属めっき膜7に重畳するPb−Snめっき膜またはSnめっき膜からなる第2の金属めっき膜8の4層構造となっていた。   The resistor shown in FIG. 30 is provided with a resistance layer 3 so as to straddle a pair of upper surface electrode films 2 provided at both ends of the upper surface of the substrate 1 and on the inner side of the end surface of the substrate 1, and the end surface of the substrate 1. Are provided with a pair of U-shaped end surface electrodes 4 electrically connected to the pair of upper surface electrode films 2, and the structure of the end surface electrodes 4 is a NiCr thin film electrically connected to the upper surface electrode film 2, Ti A U-shaped first metal thin film 5 made of a thin film or a Cr thin film, a second metal thin film 6 made of a low-resistance Cu thin film superimposed on the first metal thin film 5, and the second metal thin film 6 A four-layer structure of a first metal plating film 7 made of Ni plating film superimposed on the first metal plating film and a second metal plating film 8 made of Pb—Sn plating film or Sn plating film superimposed on the first metal plating film 7 It was.

なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
特開平3−80501号公報
As prior art document information relating to the invention of this application, for example, Patent Document 1 is known.
Japanese Patent Laid-Open No. 3-80501

上記した従来の抵抗器においては、端面電極4をスパッタ、イオンプレーティング、P−CVD等の薄膜技術により一対の上面電極膜2と電気的に接続されるようにコ字型に形成しているが、この薄膜技術による端面電極4の形成方法は、どのような方法でコ字型に形成しているのか不明であるとともに、一対の上面電極膜2と端面電極4との電気的接続信頼性が十分であるか否かは不明であるという課題を有していた。   In the above-described conventional resistor, the end face electrode 4 is formed in a U-shape so as to be electrically connected to the pair of upper surface electrode films 2 by thin film technology such as sputtering, ion plating, P-CVD and the like. However, the method of forming the end face electrode 4 by this thin film technology is unclear as to how it is formed in a U shape, and the electrical connection reliability between the pair of top face electrode films 2 and the end face electrodes 4 is unknown. However, it was unclear whether or not it was sufficient.

本発明は上記従来の課題を解決するもので、薄膜技術による端面電極の形成が容易に、かつ確実に行えるとともに、端面電極と上面電極との電気的接続信頼性も確実なものが得られる抵抗器およびその製造方法を提供することを目的とするものである。   The present invention solves the above-described conventional problems, and can easily and reliably form an end face electrode by thin film technology, and can provide a reliable electrical connection reliability between the end face electrode and the upper face electrode. It is an object to provide a container and a method for manufacturing the same.

上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。   In order to achieve the above object, the present invention has the following configuration.

本発明の請求項1に記載の発明は、基板と、この基板の上面側に形成され、かつ互いに電気的に接続される上面電極および抵抗体と、前記基板の裏面の端部、前記基板の端面および前記上面電極の上面に設けられて前記上面電極と電気的に接続される略コの字型の端面電極とを備え、前記端面電極は、前記上面電極の上面、前記上面電極の端面および前記基板の端面に形成された略L字型の金属薄膜よりなる第1の端面電極と、前記基板の裏面の端部および前記第1の端面電極における前記基板の端面に形成された部分に形成された略L字型の金属薄膜よりなる第2の端面電極とを有したもので、この構成によれば、薄膜技術による端面電極の形成は、基板の裏面側からと、基板の上面側からの二方向から行われることになり、これにより、薄膜技術による端面電極の形成が容易に行えるとともに、品質的にも確実なものが得られるという作用効果を有するものである。 According to the first aspect of the present invention, a substrate, an upper surface electrode and a resistor formed on the upper surface side of the substrate and electrically connected to each other, an end portion of the back surface of the substrate, A substantially U-shaped end face electrode provided on the end face and the upper face of the upper face electrode and electrically connected to the upper face electrode, the end face electrode comprising: an upper face of the upper face electrode; an end face of the upper face electrode; Formed on a first end face electrode made of a substantially L-shaped metal thin film formed on the end face of the substrate, an end portion of the back face of the substrate, and a portion formed on the end face of the substrate in the first end face electrode. The second end face electrode made of a substantially L-shaped metal thin film is formed. According to this configuration, the end face electrode is formed from the back surface side of the substrate and from the upper surface side of the substrate. Will be done from two directions, With the formation of the end surface electrodes can be easily performed by membrane technology, and has a effect that what certainly can be obtained in the qualitative.

本発明の請求項2に記載の発明は、基板と、この基板の上面側に形成され、かつ互いに電気的に接続される上面電極および抵抗体と、前記基板の裏面の端部、前記基板の端面および前記上面電極の上面に設けられて前記上面電極と電気的に接続される略コの字型の端面電極とを備え、
前記端面電極は、前記基板の裏面の端部、前記基板の端面および前記上面電極の端面に形成された略L字型の金属薄膜よりなる第1の端面電極と、前記第1の端面電極における前記基板の端面に形成された部分および前記上面電極の上面に形成された略L字型の金属薄膜よりなる第2の端面電極とを有したもので、この構成によれば、薄膜技術による端面電極の形成は、基板の上面側からと、基板の裏面側からの二方向から行われることになり、これにより、薄膜技術による端面電極の形成が容易に行えるとともに、品質的にも確実なものが得られるという作用効果を有するものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate, an upper surface electrode and a resistor formed on the upper surface side of the substrate and electrically connected to each other, an end of the back surface of the substrate, A substantially U-shaped end surface electrode provided on the upper surface of the end surface and the upper surface electrode and electrically connected to the upper surface electrode;
The end surface electrode includes a first end surface electrode made of a substantially L-shaped metal thin film formed on an end portion of the back surface of the substrate, an end surface of the substrate, and an end surface of the upper surface electrode, and the first end surface electrode. A portion formed on the end surface of the substrate and a second end surface electrode made of a substantially L-shaped metal thin film formed on the upper surface of the upper surface electrode. The electrodes are formed from two directions from the upper surface side of the substrate and from the back surface side of the substrate. This makes it possible to easily form the end surface electrodes by thin film technology and ensure the quality. Is obtained .

本発明の請求項3に記載の発明は、特に、第1の端面電極をCr薄膜、Ti薄膜、Cr系合金薄膜、Ti系合金薄膜のいずれかからなる第1の薄膜とこの第1の薄膜と電気的に接続されるCu系の合金薄膜からなる第2の薄膜により構成し、かつ第2の端面電極をCr薄膜、Ti薄膜、Cr系合金薄膜、Ti系合金薄膜のいずれかからなる第1の薄膜とこの第1の薄膜と電気的に接続されるCu系の合金薄膜からなる第2の薄膜により構成したもので、この構成によれば、Cr薄膜、Ti薄膜、Cr系合金薄膜、Ti系合金薄膜のいずれかからなる第1の薄膜とこの第1の薄膜と電気的に接続されるCu系の合金薄膜からなる第2の薄膜により構成しているため、第1の薄膜と第2の薄膜との界面においては、Cu系の合金薄膜を構成する添加金属と第1の薄膜の構成金属とが全率固溶体を構成することになり、これにより、第1の薄膜と第2の薄膜との密着力が向上して信頼性を高めることができるという作用効果を有するものである。   In the invention according to claim 3 of the present invention, in particular, the first end face electrode is a first thin film made of any one of a Cr thin film, a Ti thin film, a Cr-based alloy thin film, and a Ti-based alloy thin film, and the first thin film. And a second end face electrode made of a Cr thin film, a Ti thin film, a Cr based alloy thin film, or a Ti based alloy thin film. 1 thin film and a second thin film made of a Cu-based alloy thin film electrically connected to the first thin film. According to this structure, a Cr thin film, a Ti thin film, a Cr-based alloy thin film, Since the first thin film made of any one of the Ti-based alloy thin films and the second thin film made of the Cu-based alloy thin film electrically connected to the first thin film, the first thin film and the first thin film 2 at the interface with the thin film 2 The metal and the constituent metal of the first thin film constitute a complete solid solution, thereby improving the adhesion between the first thin film and the second thin film and improving the reliability. It has an effect.

本発明の請求項4に記載の発明は、シート状の基板の上面に互いに電気的に接続される複数対の上面電極および複数の抵抗体を設ける工程と、前記複数の抵抗体における前記複数対の上面電極間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、前記シート状の基板に、前記複数対の上面電極を分離して複数の短冊状基板に分割するためのスリット状の第1の分割部を複数形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板の裏面から複数のスリット状の第1の分割部の内面における基板の端面および前記上面電極の端面にかけて略L字型の第1の端面電極を形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の上面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面電極に電気的に接続されるように前記上面電極の上面から第1の端面電極にかけて略L字型の第2の端面電極を形成する工程と、前記シート状の基板における複数の短冊状基板に、前記複数の抵抗体が個々に分離されて個片状基板に分割されるように前記スリット状の第1の分割部と直交する方向に複数の第2の分割部を形成する工程とを備えたもので、この製造方法によれば、スリット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板の裏面から複数のスリット状の第1の分割部の内面における基板の端面および前記上面電極の端面にかけて略L字型の第1の端面電極を形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の上面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面電極に電気的に接続されるように前記上面電極の上面から第1の端面電極にかけて略L字型の第2の端面電極を形成する工程を備えているため、上面電極と端面電極との電気的接続は第1の端面電極の形成と第2の端面電極の形成により確実なものが得られ、これにより、上面電極と端面電極との電気的接続信頼性を高めることができるという作用効果を有するものである。   According to a fourth aspect of the present invention, there are provided a plurality of pairs of upper surface electrodes and a plurality of resistors electrically connected to each other on an upper surface of a sheet-like substrate, and the plurality of pairs of the plurality of resistors. Trimming to correct the resistance value between the upper surface electrodes of the first and second slit-shaped substrates for separating the plurality of pairs of upper surface electrodes into a plurality of strip-shaped substrates on the sheet-like substrate. And a plurality of slits from the back surface of the sheet-like substrate using thin film technology on the back surface side of the sheet-like substrate in a state where the plurality of slit-like first divided portions are formed. Forming a substantially L-shaped first end face electrode over the end face of the substrate and the end face of the upper surface electrode on the inner surface of the first split section having a shape, and a plurality of the first slit-shaped split sections being formed Top surface of sheet-like substrate in state And forming a substantially L-shaped second end face electrode from the upper surface of the upper surface electrode to the first end face electrode so as to be electrically connected to the first end face electrode using thin film technology; A plurality of strip-shaped substrates in the sheet-shaped substrate, a plurality of resistors in a direction orthogonal to the slit-shaped first divided portion so that the plurality of resistors are individually separated and divided into pieces. And forming a second divided portion. According to this manufacturing method, thin film technology is applied to the back side of the sheet-like substrate in which a plurality of slit-shaped first divided portions are formed. A step of forming a substantially L-shaped first end surface electrode from the back surface of the sheet-shaped substrate to the end surface of the substrate and the end surface of the upper surface electrode on the inner surface of the plurality of slit-shaped first divided portions; In a state in which a plurality of first divided portions are formed A substantially L-shaped second electrode from the upper surface of the upper surface electrode to the first end surface electrode so as to be electrically connected to the first end surface electrode using thin film technology on the upper surface side of the substrate. Since the step of forming the end face electrode is provided, the electrical connection between the top face electrode and the end face electrode can be ensured by the formation of the first end face electrode and the formation of the second end face electrode. This has the effect of improving the reliability of electrical connection between the electrode and the end face electrode.

本発明の請求項5に記載の発明は、シート状の基板の上面に互いに電気的に接続される複数対の上面電極および複数の抵抗体を設ける工程と、前記複数の抵抗体における前記複数対の上面電極間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、前記シート状の基板に、前記複数対の上面電極を分離して複数の短冊状基板に分割するためのスリット状の第1の分割部を複数形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の上面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板の上面に設けた上面電極の上面から複数のスリット状の第1の分割部の内面における基板の端面にかけて略L字型の第1の端面電極を形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面電極に電気的に接続されるようにシート状の基板の裏面から第1の端面電極にかけて略L字型の第2の端面電極を形成する工程と、前記シート状の基板における複数の短冊状基板に、前記複数の抵抗体が個々に分離されて個片状基板に分割されるように前記スリット状の第1の分割部と直交する方向に複数の第2の分割部を形成する工程とを備えたもので、この製造方法によれば、スリット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の上面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板の上面に設けた上面電極の上面から複数のスリット状の第1の分割部の内面における基板の端面にかけて略L字型の第1の端面電極を形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面電極に電気的に接続されるようにシート状の基板の裏面から第1の端面電極にかけて略L字型の第2の端面電極を形成する工程を備えているため、上面電極と端面電極との電気的接続は第1の端面電極の形成と第2の端面電極の形成により確実なものが得られ、これにより、上面電極と端面電極との電気的接続信頼性を高めることができるという作用効果を有するものである。   The invention according to claim 5 of the present invention is the step of providing a plurality of pairs of upper surface electrodes and a plurality of resistors electrically connected to each other on the upper surface of the sheet-like substrate, and the plurality of pairs of the plurality of resistors. Trimming to correct the resistance value between the upper surface electrodes of the first and second slit-shaped substrates for separating the plurality of pairs of upper surface electrodes into a plurality of strip-shaped substrates on the sheet-like substrate. And a top surface provided on the top surface of the sheet-like substrate using thin film technology on the upper surface side of the sheet-like substrate in a state where the plurality of slit-like first divided portions are formed. Forming a substantially L-shaped first end face electrode from the upper surface of the electrode to the end face of the substrate on the inner surface of the plurality of slit-like first division parts, and a plurality of the slit-like first division parts are formed. Back side of sheet-like substrate Forming a substantially L-shaped second end face electrode from the back surface of the sheet-like substrate to the first end face electrode so as to be electrically connected to the first end face electrode using thin film technology; A plurality of strip-shaped substrates in the sheet-shaped substrate, a plurality of resistors in a direction orthogonal to the slit-shaped first divided portion so that the plurality of resistors are individually separated and divided into pieces. Forming a second divided portion. According to this manufacturing method, thin film technology is applied to the upper surface side of a sheet-like substrate in which a plurality of slit-shaped first divided portions are formed. Using the upper surface of the upper surface electrode provided on the upper surface of the sheet-like substrate to form the substantially L-shaped first end surface electrode from the upper surface of the plurality of slit-shaped first divided portions to the end surface of the substrate; In a state where a plurality of slit-shaped first divided portions are formed. A substantially L-shaped second surface extending from the back surface of the sheet-shaped substrate to the first end surface electrode so as to be electrically connected to the first end surface electrode using thin film technology on the back surface side of the G-shaped substrate. Since the step of forming the end face electrode is provided, the electrical connection between the top face electrode and the end face electrode can be ensured by the formation of the first end face electrode and the formation of the second end face electrode. This has the effect of improving the reliability of electrical connection between the electrode and the end face electrode.

以上のように本発明の抵抗器は、前記端面電極が、前記上面電極から前記基板の端面に形成された略L字型の金属薄膜と前記基板の裏面の端部から前記基板の端面側に形成された略L字型の金属薄膜とを有しているため、薄膜技術による端面電極の形成は、基板の一方の主面側からと、基板の他方の主面側からの二方向から行われることになり、これにより、薄膜技術による端面電極の形成が容易に行えるとともに、品質的にも確実なものが得られるという優れた効果を奏するものである。 As described above, in the resistor according to the present invention, the end face electrode is a substantially L-shaped metal thin film formed on the end face of the substrate from the upper surface electrode, and the end face side of the substrate from the end of the back face of the substrate. The end face electrode is formed from two main directions from one main surface side of the substrate and from the other main surface side of the substrate. As a result, the end face electrode can be easily formed by thin film technology, and an excellent effect is obtained in that a reliable product can be obtained in terms of quality.

(実施の形態1)
以下、本発明の実施の形態1における抵抗器およびその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
(Embodiment 1)
Hereinafter, the resistor and the manufacturing method thereof according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は本発明の実施の形態1における抵抗器の断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view of a resistor according to Embodiment 1 of the present invention.

図1において、11は焼成済みの96%純度のアルミナからなるシート状の基板をスリット状の第1の分割部とこの第1の分割部と直交関係にある第2の分割部で分割することにより個片化された基板である。12は基板11の一主面(上面)に形成された一対の第1の上面電極層で、この第1の上面電極層12はAu系の導電性ペーストからなり、少なくとも抵抗値修正(レーザートリミング)時の検針接触領域を大きくするためのものである。13は前記一対の第1の上面電極層12に少なくとも一部が重なるように設けられた銀を主成分とする一対の第2の上面電極層で、この第2の上面電極層13は基板11の端縁よりも内側に設けている。14は前記一対の第2の上面電極層13に一部が重なるように、すなわち電気的に接続されるように基板11の上面に形成された酸化ルテニウム系の抵抗体である。15は抵抗体14の上面に形成されたガラスを主成分とする第1の保護層である。16は前記一対の第2の上面電極層13間の抵抗体14の抵抗値を修正するために設けられたトリミング溝である。17は前記一対の第1の上面電極層12の一部および第2の上面電極層13の一部に重なるように設けられた銀系の導電性樹脂からなる一対の密着層で、この一対の密着層17と前記一対の第1の上面電極層12および第2の上面電極層13とで一対の上面電極18を構成している。また前記第1の上面電極層12と密着層17は、基板11の端縁において面一となるように構成している。そしてまた前記密着層17は、厚み方向における最大の高さを第1の上面電極層12の厚み方向における最大の高さよりも高くなるように構成している。19は前記ガラスを主成分とする第1の保護層15を覆うとともに第2の上面電極層13の一部に重なるように形成された樹脂を主成分とする第2の保護層である。20は基板11の端縁に設けられ、かつ前記一対の上面電極18に電気的に接続される一対の端面電極で、この一対の端面電極20は第1の端面電極21と第2の端面電極22とにより略コの字型に構成されているものである。そして前記第1の端面電極21は、基板11の裏面側から形成されるもので、基板11の端縁側に位置して、基板11の裏面の端部を覆うとともに、基板11の端面、第1の上面電極層12の端面および密着層17の端面に重なるように略L字型に形成された第1の薄膜23と、この第1の薄膜23に重なるように形成され、かつ第1の薄膜23と電気的に接続される略L字型の第2の薄膜24により構成されている。また前記第2の端面電極22は、基板11の上面側から形成されるもので、略L字型の第1の薄膜25と、この第1の薄膜25に重なるように形成され、かつ第1の薄膜25と電気的に接続される略L字型の第2の薄膜26により構成されている。そして前記第1の薄膜25は、密着層17の上面を覆うとともに、第1の端面電極21における第2の薄膜24の一部に重なるように略L字型に形成されている。27は前記第1の端面電極21における第2の薄膜24の一部および第2の端面電極22における第2の薄膜26を覆うとともに、露出している密着層17の端面および第2の上面電極層13の上面を覆うように形成されたニッケルめっきからなる第1のめっき膜、28は前記第1のめっき膜27を覆うように形成されたスズめっきからなる第2のめっき膜である。   In FIG. 1, reference numeral 11 denotes a sheet-like substrate made of baked 96% purity alumina, which is divided into a slit-shaped first divided portion and a second divided portion orthogonal to the first divided portion. It is the board | substrate separated into pieces by. Reference numeral 12 denotes a pair of first upper surface electrode layers formed on one main surface (upper surface) of the substrate 11. The first upper surface electrode layer 12 is made of an Au-based conductive paste, and at least resistance value correction (laser trimming). ) To increase the meter reading contact area at the time. Reference numeral 13 denotes a pair of second upper surface electrode layers mainly composed of silver provided so as to at least partially overlap the pair of first upper surface electrode layers 12, and the second upper surface electrode layer 13 is a substrate 11. It is provided on the inner side of the edge. Reference numeral 14 denotes a ruthenium oxide resistor formed on the upper surface of the substrate 11 so as to partially overlap the pair of second upper surface electrode layers 13, that is, to be electrically connected. Reference numeral 15 denotes a first protective layer mainly composed of glass formed on the upper surface of the resistor 14. Reference numeral 16 denotes a trimming groove provided for correcting the resistance value of the resistor 14 between the pair of second upper surface electrode layers 13. Reference numeral 17 denotes a pair of adhesive layers made of a silver-based conductive resin provided so as to overlap a part of the pair of first upper surface electrode layers 12 and a part of the second upper surface electrode layer 13. The adhesion layer 17 and the pair of first upper surface electrode layers 12 and the second upper surface electrode layer 13 constitute a pair of upper surface electrodes 18. The first upper surface electrode layer 12 and the adhesion layer 17 are configured to be flush with each other at the edge of the substrate 11. The adhesion layer 17 is configured such that the maximum height in the thickness direction is higher than the maximum height in the thickness direction of the first upper surface electrode layer 12. Reference numeral 19 denotes a second protective layer mainly composed of a resin, which covers the first protective layer 15 mainly composed of glass and is formed so as to overlap a part of the second upper surface electrode layer 13. Reference numeral 20 denotes a pair of end face electrodes which are provided on the edge of the substrate 11 and are electrically connected to the pair of upper face electrodes 18. The pair of end face electrodes 20 are a first end face electrode 21 and a second end face electrode. 22 is formed in a substantially U-shape. The first end surface electrode 21 is formed from the back surface side of the substrate 11, is located on the edge side of the substrate 11, covers the end portion of the back surface of the substrate 11, and also includes the end surface of the substrate 11, the first end surface of the substrate 11. A first thin film 23 formed in a substantially L shape so as to overlap the end face of the upper electrode layer 12 and the end face of the adhesion layer 17, and a first thin film formed so as to overlap the first thin film 23. The second thin film 24 is substantially L-shaped and electrically connected to the second thin film 24. The second end face electrode 22 is formed from the upper surface side of the substrate 11, is formed so as to overlap the substantially thin L-shaped first thin film 25, and the first thin film 25, and the first end electrode 22. The thin film 25 is electrically connected to the substantially thin L-shaped second thin film 26. The first thin film 25 is formed in a substantially L shape so as to cover the upper surface of the adhesion layer 17 and to overlap a part of the second thin film 24 in the first end face electrode 21. 27 denotes a part of the second thin film 24 in the first end face electrode 21 and the second thin film 26 in the second end face electrode 22, and the exposed end face of the adhesion layer 17 and the second upper face electrode. A first plating film made of nickel plating formed so as to cover the upper surface of the layer 13, and a second plating film made of tin plating formed so as to cover the first plating film 27.

上記構成においては、一対の上面電極18を、第1の上面電極層12と、この第1の上面電極層12に少なくとも一部が重なるように設けられた第2の上面電極層13と、前記第1の上面電極層12および第2の上面電極層13に重なる密着層17の複層構造により構成しているため、基板11の端縁に設けられ、かつ一対の上面電極18に電気的に接続される一対の端面電極20における第1の端面電極21を薄膜で形成する場合、一対の上面電極18を、第1の上面電極層12と、第2の上面電極層13と、密着層17の複層構造により構成していることにより、一対の端面電極20と一対の上面電極18との接続面積を大きくすることができ、これにより、上面電極18と端面電極20との電気的接続信頼性を高めることができるものである。   In the above-described configuration, the pair of upper surface electrodes 18 includes the first upper surface electrode layer 12, the second upper surface electrode layer 13 provided so as to at least partially overlap the first upper surface electrode layer 12, Since it has a multi-layer structure of the adhesion layer 17 that overlaps the first upper surface electrode layer 12 and the second upper surface electrode layer 13, it is provided at the edge of the substrate 11 and electrically connected to the pair of upper surface electrodes 18. In the case where the first end face electrode 21 in the pair of end face electrodes 20 to be connected is formed as a thin film, the pair of upper face electrodes 18, the first upper face electrode layer 12, the second upper face electrode layer 13, and the adhesion layer 17. With this multi-layer structure, the connection area between the pair of end surface electrodes 20 and the pair of upper surface electrodes 18 can be increased, and as a result, the electrical connection reliability between the upper surface electrode 18 and the end surface electrodes 20 can be increased. Things that can enhance sex A.

また上面電極18を構成する第1の上面電極層12、第2の上面電極層13および密着層17のうち、第1の上面電極層12と密着層17を、基板11の端縁において面一となるように構成しているため、基板11の端縁に設けられ、かつ一対の上面電極18に電気的に接続される一対の端面電極20における第1の端面電極21を薄膜で形成する場合、基板11の端縁と第1の上面電極層12および密着層17の基板端縁側に薄膜からなる第1の端面電極21を連続して安定した状態に形成することができるものである。   Of the first upper surface electrode layer 12, the second upper surface electrode layer 13 and the adhesion layer 17 constituting the upper surface electrode 18, the first upper surface electrode layer 12 and the adhesion layer 17 are flush with each other at the edge of the substrate 11. In the case where the first end face electrode 21 in the pair of end face electrodes 20 provided on the edge of the substrate 11 and electrically connected to the pair of upper face electrodes 18 is formed of a thin film. The first end surface electrode 21 made of a thin film can be continuously formed in a stable state on the edge of the substrate 11 and on the substrate upper edge side of the first upper surface electrode layer 12 and the adhesion layer 17.

そしてまた上面電極18を構成する第1の上面電極層12、第2の上面電極層13および密着層17のうち、第2の上面電極層13のみが抵抗体14と電気的に接続される構成としているため、密着層17を形成しても抵抗値が変化することはなく、これにより、オーミックコンタクトを良好に保つことができるため、抵抗値修正後の抵抗値変化がない信頼性の高い抵抗器が得られるものである。   In the first upper electrode layer 12, the second upper electrode layer 13, and the adhesion layer 17 constituting the upper electrode 18, only the second upper electrode layer 13 is electrically connected to the resistor 14. Therefore, even if the adhesion layer 17 is formed, the resistance value does not change, so that the ohmic contact can be kept good, so that the resistance value does not change after the resistance value is corrected and has high reliability. A vessel is obtained.

さらに上面電極18を構成する第1の上面電極層12、第2の上面電極層13および密着層17のうち、密着層17の厚み方向における最大の高さを第1の上面電極層12の厚み方向における最大の高さよりも高くなるように構成しているため、基板11の端縁に設けられ、かつ一対の上面電極18に電気的に接続される一対の端面電極20における第1の端面電極21を薄膜で形成する場合、密着層17の存在により、上面電極18と薄膜からなる端面電極20における第1の端面電極21の接触面積を大きくすることができ、これにより、上面電極18と端面電極20における第1の端面電極21の電気的接続信頼性を高めることができるものである。   Further, among the first upper surface electrode layer 12, the second upper surface electrode layer 13, and the adhesion layer 17 constituting the upper surface electrode 18, the maximum height in the thickness direction of the adhesion layer 17 is set to the thickness of the first upper surface electrode layer 12. The first end face electrode in the pair of end face electrodes 20 provided on the edge of the substrate 11 and electrically connected to the pair of upper face electrodes 18 is configured to be higher than the maximum height in the direction. In the case of forming the thin film 21 with a thin film, the presence of the adhesion layer 17 can increase the contact area between the top electrode 18 and the first end face electrode 21 in the end face electrode 20 made of a thin film. The electrical connection reliability of the first end face electrode 21 in the electrode 20 can be increased.

以上のように構成された本発明の実施の形態1における抵抗器について、次にその製造方法を図面を参照しながら説明する。   Next, a manufacturing method of the resistor according to the first embodiment of the present invention configured as described above will be described with reference to the drawings.

図2は本発明の実施の形態1における抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の全周囲の端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図、図3(a)(b)、図5(a)(b)、図7(a)(b)、図9(a)(b)、図11(a)(b)、図13、図15(a)(b)、図17(a)(b)および図19(a)(b)は本発明の実施の形態1における抵抗器の製造工程を示す断面図、図4(a)(b)、図6(a)(b)、図8(a)(b)、図10(a)(b)、図12(a)(b)、図14、図16(a)(b)、図18(a)(b)および図20(a)(b)は本発明の実施の形態1における抵抗器の製造工程を示す上面図である。   FIG. 2 is a top view showing a state in which an unnecessary region is formed at the end of the entire periphery of the sheet-like substrate used when manufacturing the resistor according to the first embodiment of the present invention, and FIGS. ), FIG. 5 (a) (b), FIG. 7 (a) (b), FIG. 9 (a) (b), FIG. 11 (a) (b), FIG. 13, FIG. FIGS. 17A, 17B and 19A, 19B are cross-sectional views showing the manufacturing process of the resistor according to the first embodiment of the present invention. FIGS. 4A, 4B, 6A. (B), FIG. 8 (a) (b), FIG. 10 (a) (b), FIG. 12 (a) (b), FIG. 14, FIG. 16 (a) (b), FIG. ) And FIGS. 20A and 20B are top views showing the manufacturing process of the resistor according to the first embodiment of the present invention.

まず、図2、図3(a)、図4(a)に示すように、焼成済みの96%純度のアルミナからなる厚み0.2mmの絶縁性を有するシート状の基板31を準備する。この場合、シート状の基板31は、図2に示すように、全周囲の端部に最終的には製品とならない不要領域部31aを有しているものである。そしてこの不要領域部31aは略ロ字状に構成されているものである。   First, as shown in FIG. 2, FIG. 3 (a), and FIG. 4 (a), a sheet-like substrate 31 having a thickness of 0.2 mm made of baked 96% purity alumina is prepared. In this case, as shown in FIG. 2, the sheet-like substrate 31 has an unnecessary region portion 31 a that does not eventually become a product at the end of the entire periphery. And this unnecessary area | region part 31a is comprised by the substantially square shape.

次に、図2、図3(b)、図4(b)に示すように、シート状の基板31の上面にスクリーン印刷工法によりAu系の導電性ペーストからなる複数対の第1の上面電極層32を形成し、ピーク温度850℃の焼成プロファイルで焼成することにより、第1の上面電極層32を安定な膜とした。   Next, as shown in FIG. 2, FIG. 3 (b), and FIG. 4 (b), a plurality of pairs of first upper surface electrodes made of an Au-based conductive paste on the upper surface of the sheet-like substrate 31 by a screen printing method. The layer 32 was formed and fired with a firing profile having a peak temperature of 850 ° C., whereby the first upper surface electrode layer 32 was made a stable film.

次に、図2、図5(a)、図6(a)に示すように、前記第1の上面電極層32に少なくとも一部が重なるように、シート状の基板31の上面にスクリーン印刷工法により銀を主成分とする複数対の第2の上面電極層33を形成し、ピーク温度850℃の焼成プロファイルで焼成することにより、第2の上面電極層33を安定な膜とした。   Next, as shown in FIGS. 2, 5A and 6A, a screen printing method is applied to the upper surface of the sheet-like substrate 31 so as to at least partially overlap the first upper surface electrode layer 32. Thus, a plurality of pairs of second upper surface electrode layers 33 mainly composed of silver were formed, and fired with a firing profile having a peak temperature of 850 ° C., whereby the second upper surface electrode layer 33 was made a stable film.

次に、図2、図5(b)、図6(b)に示すように、複数対の第2の上面電極層33を跨ぐように、スクリーン印刷工法により酸化ルテニウム系の複数の抵抗体34を形成し、ピーク温度850℃の焼成プロファイルで焼成することにより、抵抗体34を安定な膜とした。   Next, as shown in FIG. 2, FIG. 5B, and FIG. 6B, a plurality of ruthenium oxide-based resistors 34 are formed by screen printing so as to straddle a plurality of pairs of second upper surface electrode layers 33. The resistor 34 was made into a stable film by firing with a firing profile having a peak temperature of 850 ° C.

次に、図7(a)、図8(a)に示すように、複数の抵抗体34の一部を覆うように、スクリーン印刷工法によりガラスを主成分とする複数の第1の保護層35を形成し、ピーク温度600℃の焼成プロファイルで焼成することにより、ガラスを主成分とする第1の保護層35を安定な膜とした。   Next, as shown in FIGS. 7A and 8A, a plurality of first protective layers 35 mainly composed of glass are formed by screen printing so as to cover a part of the plurality of resistors 34. The first protective layer 35 containing glass as a main component was made into a stable film by firing with a firing profile having a peak temperature of 600 ° C.

次に、図7(b)、図8(b)に示すように、複数対の第2の上面電極層33間の抵抗体34の抵抗値を一定の値に修正するために、レーザートリミング工法によりトリミングを行い、複数のトリミング溝36を形成した。   Next, as shown in FIGS. 7B and 8B, in order to correct the resistance value of the resistor 34 between the plurality of pairs of second upper surface electrode layers 33 to a constant value, a laser trimming method is performed. Trimming was performed to form a plurality of trimming grooves 36.

次に、図9(a)、図10(a)に示すように、複数対の第1の上面電極層32の一部および第2の上面電極層33の一部に重なるように、スクリーン印刷工法により銀系の導電性樹脂からなる複数対の密着層37を形成し、ピーク温度200℃の硬化プロファイルで硬化することにより、密着層37を安定な膜とした。   Next, as shown in FIG. 9A and FIG. 10A, screen printing is performed so as to overlap a part of the plurality of pairs of first upper surface electrode layers 32 and a part of the second upper surface electrode layer 33. A plurality of pairs of adhesion layers 37 made of a silver-based conductive resin were formed by a construction method, and cured with a curing profile having a peak temperature of 200 ° C., thereby making the adhesion layer 37 a stable film.

次に、図9(b)、図10(b)に示すように、図面上の縦方向に並ぶガラスを主成分とする複数の第1の保護層35の全部を覆うとともに、抵抗体34の一部および第2の上面電極層33の一部を覆うように、スクリーン印刷工法により樹脂を主成分とする複数の第2の保護層38を形成し、ピーク温度200℃の硬化プロファイルで硬化することにより、第2の保護層38を安定な膜とした。   Next, as shown in FIGS. 9B and 10B, all of the plurality of first protective layers 35 mainly composed of glass arranged in the vertical direction on the drawing are covered, and the resistor 34 is formed. A plurality of second protective layers 38 mainly composed of a resin are formed by a screen printing method so as to cover a part and a part of the second upper surface electrode layer 33, and cured with a curing profile having a peak temperature of 200 ° C. Thus, the second protective layer 38 was made a stable film.

次に、図2、図11(a)、図12(a)に示すように、第2の保護層38を形成したシート状の基板31の全周囲の端部に形成された不要領域部31aを除いて、複数対の第1の上面電極層32および密着層37を分離して複数の短冊状基板31bに分割するためのスリット状の第1の分割部39をダイシング工法により複数形成する。この場合、複数のスリット状の第1の分割部39は700μmピッチで形成されており、かつこのスリット状の第1の分割部39の幅は120μm幅となっている。また前記複数のスリット状の第1の分割部39は、シート状の基板31を上下方向に貫通する貫通孔で形成されているものである。そしてまた前記シート状の基板31は、不要領域部31aを除いてダイシング工法により複数のスリット状の第1の分割部39を形成しているため、スリット状の第1の分割部39を形成した後も複数の短冊状基板31bは不要領域部31aにつながっているため、シート状態を呈しているものである。   Next, as shown in FIGS. 2, 11A, and 12A, an unnecessary region portion 31a formed at the end of the entire periphery of the sheet-like substrate 31 on which the second protective layer 38 is formed. A plurality of slit-shaped first dividing portions 39 for separating the plurality of pairs of first upper surface electrode layers 32 and the adhesion layers 37 into a plurality of strip-shaped substrates 31b are formed by a dicing method. In this case, the plurality of slit-shaped first divided portions 39 are formed at a pitch of 700 μm, and the width of the slit-shaped first divided portions 39 is 120 μm. The plurality of slit-shaped first divided portions 39 are formed by through holes that penetrate the sheet-like substrate 31 in the vertical direction. And since the sheet-like substrate 31 is formed with a plurality of slit-shaped first divided portions 39 by the dicing method except for the unnecessary region portion 31a, the slit-shaped first divided portions 39 are formed. Since the plurality of strip-shaped substrates 31b are connected to the unnecessary region portion 31a, the sheet state is exhibited.

次に、図11(b)、図12(b)に示すように、マスク(図示せず)を用いたスパッタ工法により、シート状の基板31の裏面側から、基板31の裏面の一部と複数のスリット状の第1の分割部39の内面における基板31の端面、第1の上面電極層32の端面および密着層37の端面に、第1の端面電極40の一部を構成する基板31への付着性が良いCr薄膜からなる複数対の第1の薄膜41を略L字型に形成する。   Next, as shown in FIGS. 11B and 12B, a part of the back surface of the substrate 31 is formed from the back surface side of the sheet-like substrate 31 by a sputtering method using a mask (not shown). The substrate 31 constituting a part of the first end face electrode 40 on the end face of the substrate 31, the end face of the first upper surface electrode layer 32, and the end face of the adhesion layer 37 on the inner surfaces of the plurality of slit-shaped first division portions 39. A plurality of pairs of first thin films 41 made of a Cr thin film having good adhesion to the film are formed in a substantially L shape.

次に、図13、図14に示すように、マスク(図示せず)を用いたスパッタ工法により、シート状の基板31の裏面側から、複数対の第1の薄膜41に重なるように、第1の端面電極40の一部を構成するCu−Ni合金薄膜からなる複数対の第2の薄膜42を略L字型に形成する。この第2の薄膜42と前記第1の薄膜41により第1の端面電極40を構成している。   Next, as shown in FIGS. 13 and 14, the first thin film 41 is overlapped with the plurality of pairs of first thin films 41 from the back side of the sheet-like substrate 31 by a sputtering method using a mask (not shown). A plurality of pairs of second thin films 42 made of a Cu—Ni alloy thin film constituting a part of one end face electrode 40 are formed in a substantially L shape. The second end face electrode 40 is constituted by the second thin film 42 and the first thin film 41.

次に、図15(a)、図16(a)に示すように、マスク(図示せず)を用いたスパッタ工法により、シート状の基板31の上面側から、密着層37の上面を覆うとともに、前記第1の端面電極40における第2の薄膜42の一部に重なるように、第2の端面電極43の一部を構成するCr薄膜からなる複数対の第1の薄膜44を略L字型に形成する。   Next, as shown in FIGS. 15A and 16A, the upper surface of the adhesive layer 37 is covered from the upper surface side of the sheet-like substrate 31 by a sputtering method using a mask (not shown). A plurality of pairs of first thin films 44 made of a Cr thin film constituting a part of the second end face electrode 43 are substantially L-shaped so as to overlap a part of the second thin film 42 in the first end face electrode 40. Form into a mold.

次に、図15(b)、図16(b)に示すように、マスク(図示せず)を用いたスパッタ工法により、シート状の基板31の上面側から、複数対の第1の薄膜44に重なるように、第2の端面電極43の一部を構成するCu−Ni合金薄膜からなる複数対の第2の薄膜45を略L字型に形成する。この第2の薄膜45と前記第1の薄膜44により第2の端面電極43を構成している。   Next, as shown in FIGS. 15B and 16B, a plurality of pairs of first thin films 44 are formed from the upper surface side of the sheet-like substrate 31 by a sputtering method using a mask (not shown). A plurality of pairs of second thin films 45 made of a Cu—Ni alloy thin film constituting a part of the second end face electrode 43 are formed in a substantially L shape so as to overlap with each other. The second end face electrode 43 is constituted by the second thin film 45 and the first thin film 44.

このように略L字型の第1の端面電極40を基板31の裏面側から形成するとともに、略L字型の第2の端面電極43を基板31の上面側から形成することにより、略コの字型の端面電極46が構成されるものである。   Thus, the substantially L-shaped first end face electrode 40 is formed from the back surface side of the substrate 31 and the substantially L-shaped second end face electrode 43 is formed from the upper surface side of the substrate 31, so A letter-shaped end face electrode 46 is formed.

次に、図2、図17(a)(b)、図18(a)(b)に示すように、シート状の基板31の全周囲の端部に形成された不要領域部31aを除いて、シート状の基板31における複数の短冊状基板31bに、複数の抵抗体34が個々に分離されて個片状基板31cに分割されるようにスリット状の第1の分割部39と直交する方向に複数の第2の分割部47を形成する。この場合、複数の第2の分割部47は400μmピッチで形成されるため、第2の分割部47の幅は100μm幅となっている。またこの複数の第2の分割部47はレーザースクライブにより形成しているもので、まず、図2、図17(a)、図18(a)に示すようにレーザーにより分割溝を形成し、その後、図17(b)、図18(b)に示すように一般的な分割設備により分割溝の部分を分割して個片状基板31cに分割するようにしている。すなわち、この分割方法は、第2の分割部47を形成する毎に個片化されるのではなく、2段階で個片化されるという作用を有するものである。そしてまたこの複数の第2の分割部47は不要領域部31aを除いて複数の短冊状基板31bにレーザースクライブにより形成するようにしているため、この複数の第2の分割部47を形成する毎に個片状基板31cに分割され、そしてこの個片状基板31cは不要領域部31aから分離されるものである。   Next, as shown in FIGS. 2, 17A, 18B, 18A, and 18B, the unnecessary region portion 31a formed at the end of the entire periphery of the sheet-like substrate 31 is excluded. A direction orthogonal to the slit-shaped first dividing portion 39 so that the plurality of resistors 34 are individually separated into the plurality of strip-shaped substrates 31b in the sheet-shaped substrate 31 and divided into the piece-shaped substrates 31c. A plurality of second divided portions 47 are formed in the first. In this case, since the plurality of second divided portions 47 are formed at a pitch of 400 μm, the width of the second divided portion 47 is 100 μm. The plurality of second divided portions 47 are formed by laser scribing. First, as shown in FIG. 2, FIG. 17 (a) and FIG. 18 (a), divided grooves are formed by laser, and thereafter As shown in FIGS. 17B and 18B, the division groove portion is divided by a general division facility so as to be divided into individual substrates 31c. In other words, this dividing method has the effect that it is not divided into pieces every time the second divided portion 47 is formed, but is divided into two stages. Further, since the plurality of second divided portions 47 are formed by laser scribing on the plurality of strip-shaped substrates 31b except for the unnecessary region portion 31a, each time the plurality of second divided portions 47 are formed. The substrate is divided into individual substrates 31c, and the individual substrates 31c are separated from the unnecessary region portion 31a.

次に、図19(a)、図20(a)に示すように、電気めっき工法を用いて、第1の端面電極40における第2の薄膜42の一部および第2の端面電極43における第2の薄膜45を覆うとともに、露出している密着層37の端面および第2の上面電極層33の上面を覆うように、厚みが約2〜6μmで、かつはんだの拡散防止または耐熱性に優れるニッケルめっきからなる第1のめっき膜48を形成する。   Next, as shown in FIGS. 19A and 20A, a part of the second thin film 42 in the first end face electrode 40 and the second end face electrode 43 in the second end face electrode 43 are formed by using an electroplating method. 2 and a thickness of about 2 to 6 μm so as to cover the exposed end surface of the adhesion layer 37 and the upper surface of the second upper surface electrode layer 33, and is excellent in prevention of solder diffusion or heat resistance. A first plating film 48 made of nickel plating is formed.

最後に、図19(b)、図20(b)に示すように、電気めっき工法を用いて、ニッケルめっきからなる第1のめっき膜48を覆うように、厚みが約3〜8μmで、かつはんだ付着性のよいスズめっきからなる第2のめっき膜49を形成する。   Finally, as shown in FIGS. 19B and 20B, the thickness is about 3 to 8 μm so as to cover the first plating film 48 made of nickel plating by using an electroplating method, and A second plating film 49 made of tin plating with good solder adhesion is formed.

以上の製造工程により、本発明の実施の形態1における抵抗器は製造されるものである。   The resistor in the first embodiment of the present invention is manufactured by the above manufacturing process.

なお、上記製造工程においては、第2のめっき膜49をスズめっきで構成しているが、これに限定されるものではなく、スズ合金系の材料、例えば、はんだ等からなるめっきでもよく、これらの材料で構成した場合は、リフローはんだ付け時に安定したはんだ付けができるものである。   In the above manufacturing process, the second plating film 49 is composed of tin plating. However, the present invention is not limited to this, and may be a plating made of a tin alloy material, for example, solder, etc. In the case of using the material, stable soldering can be performed during reflow soldering.

また上記製造工程においては、抵抗体34等を覆う保護層を、抵抗体34を覆うガラスを主成分とする第1の保護層35と、この第1の保護層35を覆うとともにトリミング溝36を覆う樹脂を主成分とする第2の保護層38の2層で構成しているため、前記第1の保護層35でレーザートリミング時のクラックの発生を防止して電流雑音を小さくできるとともに、前記樹脂を主成分とする第2の保護層38で抵抗体34全体が覆われるため、耐湿性に優れた抵抗特性を確保できるものである。   In the above manufacturing process, a protective layer covering the resistor 34 and the like is formed. The first protective layer 35 mainly composed of glass covering the resistor 34, the first protective layer 35 and the trimming groove 36 are formed. Since it is composed of two layers of the second protective layer 38 mainly composed of the resin to be covered, the first protective layer 35 can prevent generation of cracks during laser trimming and reduce current noise. Since the entire resistor 34 is covered with the second protective layer 38 containing a resin as a main component, it is possible to ensure resistance characteristics with excellent moisture resistance.

そしてまた上記製造工程により製造した抵抗器は、ダイシング工法により形成されたスリット状の第1の分割部39およびレーザースクライブにより形成された第2の分割部47の間隔が正確(±0.005mm以内)であるとともに、端面電極46を構成する第1の端面電極40、第2の端面電極43の厚みおよび第1のめっき膜48、第2のめっき膜49の厚みも正確であるため、製品である抵抗器の全長および全幅は、正確に長さ0.6mm×幅0.3mmとなるものである。また第1の上面電極層32および抵抗体34のパターン精度も個片状基板の寸法ランク分類が不要であるとともに同一の個片状基板の寸法ランク内での寸法バラツキを考慮する必要がないため、抵抗体34の有効面積も従来品に比べて大きくとることができるものである。すなわち、従来品における抵抗体は長さ約0.20mm×幅0.19mmであったのに対し、本発明の実施の形態1における抵抗器の抵抗体34は長さ約0.25mm×幅0.24mmとなって面積では約1.6倍以上となるものである。   In the resistor manufactured by the above manufacturing process, the distance between the slit-shaped first divided portion 39 formed by the dicing method and the second divided portion 47 formed by the laser scribe is accurate (within ± 0.005 mm). And the thicknesses of the first end face electrode 40 and the second end face electrode 43 constituting the end face electrode 46 and the thicknesses of the first plating film 48 and the second plating film 49 are also accurate. The total length and width of a resistor is exactly 0.6 mm long × 0.3 mm wide. In addition, the pattern accuracy of the first upper surface electrode layer 32 and the resistor 34 is not required to be classified into the dimension ranks of the individual substrate, and it is not necessary to consider the variation in dimensions within the dimension rank of the same individual substrate. The effective area of the resistor 34 can be made larger than that of the conventional product. That is, the resistor in the conventional product has a length of about 0.20 mm × width of 0.19 mm, whereas the resistor 34 of the resistor in the first embodiment of the present invention has a length of about 0.25 mm × width 0. .24 mm and the area is about 1.6 times or more.

さらに上記製造工程においては、複数のスリット状の第1の分割部39をダイシング工法を用いて形成するとともに、個片状基板の寸法分類が不要なシート状の基板31を用いているため、従来のような個片状基板の寸法分類は不要となり、これにより工程の煩雑さをなくすることができるとともに、ダイシングも半導体等で一般的なダイシング設備を用いて容易に行うことができるものである。   Furthermore, in the above manufacturing process, since the plurality of slit-shaped first divided portions 39 are formed by using a dicing method, and the sheet-like substrate 31 that does not require dimensional classification of the individual substrate is used, Thus, the size classification of the individual substrate is not necessary, thereby eliminating the complexity of the process, and dicing can be easily performed using a general dicing equipment such as a semiconductor. .

さらにまた上記製造工程においては、シート状の基板31は全周囲の端部に最終的には製品とならない不要領域部31aを形成し、かつ複数のスリット状の第1の分割部39は複数の短冊状基板31bが前記不要領域部31aにつながった状態となるようにシート状の基板31に形成しているため、複数のスリット状の第1の分割部39を形成した後も複数の短冊状基板31bは不要領域部31aにつながっており、そのため、シート状の基板31が複数の短冊状基板31bに細かく分離されるということはなく、したがって、複数のスリット状の第1の分割部39を形成した後も、不要領域部31aを有するシート状の基板31の状態で後工程を行うことができるため、工法設計が簡略化できるものである。   Furthermore, in the above manufacturing process, the sheet-like substrate 31 forms an unnecessary region 31a that does not eventually become a product at the end of the entire periphery, and the plurality of slit-shaped first divided portions 39 include a plurality of slits. Since the strip-shaped substrate 31b is formed on the sheet-shaped substrate 31 so as to be connected to the unnecessary region portion 31a, a plurality of strip-shaped substrates are formed even after the plurality of slit-shaped first divided portions 39 are formed. The substrate 31b is connected to the unnecessary region portion 31a. Therefore, the sheet-like substrate 31 is not finely divided into a plurality of strip-like substrates 31b. Therefore, the plurality of slit-shaped first division portions 39 are not provided. Even after the formation, the post-process can be performed in the state of the sheet-like substrate 31 having the unnecessary region portion 31a, so that the design of the construction method can be simplified.

また上記製造工程においては、上面電極を構成する第1の上面電極層32、第2の上面電極層33および密着層37のうち、第1の上面電極層32をAu系の導電性ペーストで構成しているため、多数個取りのシート状の基板31を短冊状あるいは個片に分割する際、第1の上面電極層32が分割加工しやすく、これにより、第1の上面電極層32の剥離やバリ等の発生を防止することができるものである。   In the manufacturing process, of the first upper surface electrode layer 32, the second upper surface electrode layer 33 and the adhesion layer 37 constituting the upper surface electrode, the first upper surface electrode layer 32 is composed of an Au-based conductive paste. Therefore, when the multi-sheet sheet-like substrate 31 is divided into strips or pieces, the first upper surface electrode layer 32 can be easily divided, and thus the first upper surface electrode layer 32 is peeled off. And the occurrence of burrs and the like can be prevented.

そしてまた上記製造工程においては、スリット状の第1の分割部39が複数形成された状態のシート状の基板31の裏面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板31の裏面から複数のスリット状の第1の分割部39の内面における基板31の端面、第1の上面電極層32の端面および密着層37の端面にかけて略L字型の第1の端面電極40を形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部39が複数形成された状態のシート状の基板31の上面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面電極40に電気的に接続されるように略L字型の第2の端面電極43を形成する工程を備えているため、上面電極と端面電極との電気的接続は第1の端面電極40の形成と第2の端面電極43の形成により確実なものが得られ、これにより、上面電極と端面電極との電気的接続信頼性を高めることができるものである。   In the above manufacturing process, a plurality of slits are formed from the back surface of the sheet-like substrate 31 on the back surface side of the sheet-like substrate 31 in a state where a plurality of slit-shaped first division portions 39 are formed using a thin film technique. Forming a substantially L-shaped first end face electrode 40 over the end face of the substrate 31 on the inner face of the first split portion 39 having a shape, the end face of the first upper surface electrode layer 32 and the end face of the adhesion layer 37; A substantially L-shape is formed on the upper surface side of the sheet-like substrate 31 in a state where a plurality of slit-shaped first division portions 39 are formed so as to be electrically connected to the first end face electrode 40 using thin film technology. Since the step of forming the second end face electrode 43 of the mold is provided, the electrical connection between the upper face electrode and the end face electrode is ensured by the formation of the first end face electrode 40 and the formation of the second end face electrode 43. This gives the top electrode and end It is capable of enhancing the reliability of the electrical connection between the electrodes.

さらに上記製造工程においては、第1の端面電極40を構成する第1の薄膜41と第2の薄膜42をマスク(図示せず)を用いたスパッタ工法により形成しているが、これに限定されるものではなく、上記マスク(図示せず)を用いずに、シート状の基板の裏面全体にスパッタ工法により薄膜を形成しておき、その後、裏面全体に形成された薄膜の不要部分、すなわち裏面の略中央部分をレーザー照射により剥離除去して第1の端面電極40における裏面部分を形成するようにしてもよいものである。   Further, in the above manufacturing process, the first thin film 41 and the second thin film 42 constituting the first end face electrode 40 are formed by the sputtering method using a mask (not shown), but the present invention is not limited to this. Instead of using the mask (not shown), a thin film is formed on the entire back surface of the sheet-like substrate by sputtering, and then an unnecessary portion of the thin film formed on the entire back surface, that is, the back surface. The back surface portion of the first end face electrode 40 may be formed by peeling and removing the substantially central portion of the first end surface electrode 40 by laser irradiation.

次に、上記製造工程における第1の端面電極40の一部を構成する第2の薄膜42および第2の端面電極43の一部を構成する第2の薄膜45について詳述する。   Next, the second thin film 42 constituting a part of the first end face electrode 40 and the second thin film 45 constituting a part of the second end face electrode 43 will be described in detail.

第2の薄膜42,45の材料はCu系の合金薄膜のうち、特にCu−Ni合金薄膜が好ましい。   The material of the second thin films 42 and 45 is preferably a Cu-Ni alloy thin film among Cu-based alloy thin films.

Cu−Ni合金薄膜は、添加材料のNiが合金薄膜主元素のCuおよび第1の薄膜41,44に対してCuの全組成比率(範囲)においてNiが均一に溶け合うという「全率固溶体」を構成する。そのため、Cu−Ni合金薄膜からなる第2の薄膜42,45と第1の薄膜41,44との界面にはNiが拡散することになって強固な密着部を形成することになり、これにより、密着性の向上が図れる。また、第2の薄膜45の最表面に存在するNiは、第1のめっき膜48に用いられるニッケルめっきを形成するためのめっき浴で第2の薄膜45の表面に対して防食性を高める効果があるため、第1のめっき膜48と第2の薄膜45の界面における密着性についても向上が図れる。   The Cu—Ni alloy thin film is an “all-solid solution” in which Ni is uniformly dissolved in the total composition ratio (range) of the additive material Ni with respect to the alloy thin film main element Cu and the first thin films 41 and 44. Constitute. Therefore, Ni diffuses at the interface between the second thin films 42 and 45 made of the Cu—Ni alloy thin film and the first thin films 41 and 44, thereby forming a strong adhesion portion. The adhesion can be improved. Further, Ni present on the outermost surface of the second thin film 45 is an effect of enhancing the corrosion resistance with respect to the surface of the second thin film 45 in the plating bath for forming the nickel plating used for the first plating film 48. Therefore, the adhesion at the interface between the first plating film 48 and the second thin film 45 can also be improved.

ここで、本発明の実施の形態1における「全率固溶体」とは、図21に示す第2の薄膜を構成するCu−Ni合金薄膜の平衡状態図の通りである。図21において、横軸にNi金属の添加量を、縦軸に温度をとると、実線で示す液相線より高い温度では液相状態であり、点線で示す固相線より低い温度では固相状態であり、これらの実線および点線で囲まれた領域は固相と液相とが混じり合った状態、つまり「全率固溶体」である。すなわち、本発明の実施の形態1におけるCu−Ni合金薄膜からなる第2の薄膜42,45は、母体金属である面心立方格子のCu金属中に、同じ面心立方格子の結晶構造を有するNi金属原子が溶け込んで一つの相である面心立方格子構造の置換型固溶体を全組成範囲に亘って形成するものである。   Here, the “full solid solution” in the first embodiment of the present invention is as shown in the equilibrium diagram of the Cu—Ni alloy thin film constituting the second thin film shown in FIG. In FIG. 21, when the amount of Ni metal added is plotted on the horizontal axis and the temperature is plotted on the vertical axis, it is in a liquid phase at a temperature higher than the solid phase indicated by the solid line and is solid at a temperature lower than the solid phase indicated by the dotted line. The region surrounded by the solid line and the dotted line is a state in which the solid phase and the liquid phase are mixed, that is, the “total solid solution”. That is, the second thin films 42 and 45 made of the Cu—Ni alloy thin film in Embodiment 1 of the present invention have the same face-centered cubic lattice crystal structure in the Cu metal of the face-centered cubic lattice that is the base metal. A substitutional solid solution having a face-centered cubic lattice structure, which is one phase, in which Ni metal atoms are dissolved is formed over the entire composition range.

また、図22はCr薄膜からなる第1の薄膜41,44とCu−Ni合金薄膜からなる第2の薄膜42,45のSIMSによる組成分析結果を示したものである。この時の第2の薄膜42,45のNi添加量は6.2wt%である。図22は横軸にCu−Ni合金薄膜の表面からの膜厚をスパッタリング時間で示し、かつ縦軸は各層でのCu,Ni,Cr等の原子数を示したものである。この図22から明らかなように、Cu−Ni合金薄膜層とCr薄膜層との界面にはCu,NiおよびCrが各々存在する拡散層があるものの、Cu−Ni合金薄膜層の表面からCr薄膜層との界面までの間においては、Cu金属中にNi金属が均一に存在しているものである。これは、Cu−Ni合金薄膜からなる第2の薄膜42,45が、Cu金属中にNi金属が完全に溶け込んで一つの相を形成する「全率固溶体」であることを示しているものである。またこの図22では、Ni添加量を6.2wt%としたが、Ni添加量は全組成範囲において図22に示したものと同一の結果が得られるものである。   FIG. 22 shows the result of SIMS composition analysis of the first thin films 41 and 44 made of a Cr thin film and the second thin films 42 and 45 made of a Cu—Ni alloy thin film. The amount of Ni added to the second thin films 42 and 45 at this time is 6.2 wt%. In FIG. 22, the horizontal axis indicates the film thickness from the surface of the Cu—Ni alloy thin film in terms of sputtering time, and the vertical axis indicates the number of atoms of Cu, Ni, Cr, etc. in each layer. As is apparent from FIG. 22, although there is a diffusion layer in which Cu, Ni and Cr are present at the interface between the Cu—Ni alloy thin film layer and the Cr thin film layer, the Cr thin film is formed from the surface of the Cu—Ni alloy thin film layer. The Ni metal is uniformly present in the Cu metal up to the interface with the layer. This indicates that the second thin films 42 and 45 made of a Cu—Ni alloy thin film are “full solid solutions” in which Ni metal is completely dissolved in Cu metal to form one phase. is there. In FIG. 22, the Ni addition amount is set to 6.2 wt%. However, the Ni addition amount provides the same result as that shown in FIG. 22 in the entire composition range.

次に、上記のように構成された本発明の実施の形態1における抵抗器において、Cu−Ni合金薄膜を第2の薄膜42,45として用いた特性について説明する。   Next, the characteristics using the Cu—Ni alloy thin film as the second thin films 42 and 45 in the resistor according to the first embodiment of the present invention configured as described above will be described.

特性を説明する試験方法としては、「めっきの密着性試験方法/JIS H8504C」に規定された方法により実施し、試験用テープには図23(a)(b)に示すように、「セロハン粘着テープ/JIS Z 1522」に規定された幅18mmの粘着テープ50を使用した。この時、粘着テープ50の引き剥がし方向は、「JIS H 8504」に記載の図23(a)(b)に示すように、アルミナ基板51に対して垂直方向または傾斜する方向とした。   As a test method for explaining the characteristics, the test was carried out by the method prescribed in “Plating adhesion test method / JIS H8504C”. As shown in FIGS. An adhesive tape 50 having a width of 18 mm defined in “Tape / JIS Z 1522” was used. At this time, the peeling direction of the adhesive tape 50 was set to a direction perpendicular to or inclined from the alumina substrate 51, as shown in FIGS. 23 (a) and 23 (b) described in “JIS H 8504”.

すなわち、この試験方法は、試験片としてアルミナ基板51を用い、このアルミナ基板51の側面部分に第1の薄膜41,44としてCu薄膜をスパッタ工法で形成し、次に、この第1の薄膜41,44の上に第2の薄膜42,45としてCu−Ni合金薄膜を第1の薄膜41,44と同様、スパッタ工法で構成する。その後、レーザーを用いてパターン幅0.3mmのパターンを形成する。   That is, in this test method, an alumina substrate 51 is used as a test piece, a Cu thin film is formed as a first thin film 41, 44 on the side surface portion of the alumina substrate 51 by a sputtering method, and then the first thin film 41 is formed. , 44, a Cu—Ni alloy thin film is formed as a second thin film 42, 45 by a sputtering method in the same manner as the first thin films 41, 44. Thereafter, a pattern having a pattern width of 0.3 mm is formed using a laser.

その後、温度65℃で湿度95%の条件における加速試験を行い、次に、第2の薄膜42,45の表面に粘着テープ50を密着させた後、この粘着テープ50を一気に引き剥がし、全パターン数に対して第2の薄膜42,45が剥離したパターン数の比率を求め、密着性の評価を行った。   Thereafter, an acceleration test is performed at a temperature of 65 ° C. and a humidity of 95%. Next, the adhesive tape 50 is brought into close contact with the surfaces of the second thin films 42 and 45, and then the adhesive tape 50 is peeled off at a stroke. The ratio of the number of patterns from which the second thin films 42 and 45 were peeled to the number was obtained, and the adhesion was evaluated.

また第1のめっき膜48と第2の薄膜45の界面の密着性の評価用試験片については、第2の薄膜45を形成した後、第1のめっき膜48としてニッケルめっきを、さらに第2のめっき膜49としてはんだめっきを電解めっきで形成したものを用いた。   For the test piece for evaluating the adhesion at the interface between the first plating film 48 and the second thin film 45, after the second thin film 45 is formed, nickel plating is performed as the first plating film 48, and second As the plating film 49, a film formed by electrolytic plating of solder plating was used.

評価は、Cu−Ni合金薄膜中のNi添加量が「1.6wt%」「6.2wt%」「12.6wt%」であるものと、Ni添加量が「0wt%」であるものについて行った。   Evaluation was performed for the case where the amount of Ni added in the Cu—Ni alloy thin film was “1.6 wt%”, “6.2 wt%”, and “12.6 wt%” and the case where the Ni addition amount was “0 wt%”. It was.

(表1)は、加速試験500時間後の第2の薄膜42,45と第1の薄膜41,44の界面における剥離率の評価結果を示したものである。   (Table 1) shows the evaluation results of the peeling rate at the interface between the second thin films 42 and 45 and the first thin films 41 and 44 after 500 hours of the acceleration test.

Figure 0004530024
Figure 0004530024

(表1)から明らかなように、Cu薄膜中にNiを添加することにより、第2の薄膜42,45と第1の薄膜41,44の界面における密着性が大幅に向上するものである。   As is clear from Table 1, by adding Ni to the Cu thin film, the adhesion at the interface between the second thin films 42 and 45 and the first thin films 41 and 44 is greatly improved.

(表2)は、加速試験500時間後の第1のめっき膜48と第2の薄膜45の界面における剥離率の評価結果を示したものである。   Table 2 shows the evaluation results of the peeling rate at the interface between the first plating film 48 and the second thin film 45 after 500 hours of the acceleration test.

Figure 0004530024
Figure 0004530024

(表2)から明らかなように、Cu薄膜中にNiを添加することにより、第1のめっき膜48と第2の薄膜45の界面における密着性が大幅に向上するものである。   As is clear from Table 2, the adhesion at the interface between the first plating film 48 and the second thin film 45 is greatly improved by adding Ni to the Cu thin film.

なお、上記本発明の実施の形態1においては、第1の薄膜41,44と第2の薄膜42,45をスパッタ工法を用いて形成したものについて説明したが、このスパッタ工法に限定されるものではなく、その他の工法である真空蒸着法、イオンプレーティング法、P−CVD等の薄膜技術により第1の薄膜41,44と第2の薄膜42,45を形成した場合においても、本発明の実施の形態1と同様の効果が得られるものである。   In the first embodiment of the present invention described above, the first thin film 41, 44 and the second thin film 42, 45 are formed by using the sputtering method. However, the present invention is limited to this sputtering method. In addition, even when the first thin films 41 and 44 and the second thin films 42 and 45 are formed by thin film techniques such as vacuum deposition, ion plating, and P-CVD, which are other construction methods, The same effect as in the first embodiment can be obtained.

また上記本発明の実施の形態1においては、第1の薄膜41,44をCr薄膜で形成したものについて説明したが、このCr薄膜に限定されるものではなく、基板への付着性が良いその他のCr−Si合金薄膜、Ni−Cr合金薄膜、Ti薄膜、Ti系合金薄膜等の材料で第1の薄膜41,44を形成した場合においても、本発明の実施の形態1と同様の効果が得られるものである。   In the first embodiment of the present invention, the first thin film 41, 44 is formed of a Cr thin film. However, the first thin film 41, 44 is not limited to the Cr thin film, and has good adhesion to the substrate. Even when the first thin films 41 and 44 are formed of a material such as a Cr—Si alloy thin film, a Ni—Cr alloy thin film, a Ti thin film, or a Ti alloy thin film, the same effects as those of the first embodiment of the present invention can be obtained. It is obtained.

そしてまた上記本発明の実施の形態1においては、最終的には製品とならない不要領域部31aをシート状の基板31の全周囲の端部に形成して略ロ字状に構成したものについて説明したが、この不要領域部31aはシート状の基板31の全周囲の端部に必ずしも形成する必要はなく、例えば、図24に示すようにシート状の基板31の一端部に不要領域部31dを形成した場合、図25に示すようにシート状の基板31の両端部に不要領域部31eを形成した場合、図26に示すようにシート状の基板31の3つの端部に不要領域部31fを形成した場合においても、上記本発明の実施の形態1と同様の効果が得られるものである。   In the first embodiment of the present invention, an unnecessary region portion 31a that will not eventually become a product is formed at the end of the entire periphery of the sheet-like substrate 31 and is configured in a substantially square shape. However, the unnecessary region portion 31a is not necessarily formed at the end portion of the entire periphery of the sheet-like substrate 31. For example, the unnecessary region portion 31d is provided at one end portion of the sheet-like substrate 31 as shown in FIG. When formed, when unnecessary regions 31e are formed at both ends of the sheet-like substrate 31 as shown in FIG. 25, unnecessary regions 31f are formed at the three ends of the sheet-like substrate 31 as shown in FIG. Even when formed, the same effects as those of the first embodiment of the present invention can be obtained.

また上記本発明の実施の形態1においては、複数の第2の分割部47をレーザースクライブにより形成したものについて説明したが、この第2の分割部47は、スリット状の第1の分割部39と同様にダイシング工法を用いて形成するようにしてもよいものである。この場合、ダイシングは半導体等で一般的なダイシング設備を用いて容易に行うことができるものである。   In the first embodiment of the present invention, the plurality of second divided portions 47 are formed by laser scribing. However, the second divided portion 47 is a slit-shaped first divided portion 39. It may be formed using a dicing method in the same manner as described above. In this case, dicing can be easily performed using a general dicing equipment such as a semiconductor.

(実施の形態2)
以下、本発明の実施の形態2における抵抗器について、図面を参照しながら説明する。
(Embodiment 2)
Hereinafter, the resistor in Embodiment 2 of this invention is demonstrated, referring drawings.

図27は本発明の実施の形態2における抵抗器の断面図である。   FIG. 27 is a cross-sectional view of the resistor according to the second embodiment of the present invention.

図27において、61は焼成済みの96%純度のアルミナからなるシート状の基板をスリット状の第1の分割部とこの第1の分割部と直交関係にある第2の分割部で分割することにより個片化された基板である。62は基板61の一主面(上面)に形成された銀を主成分とする一対の第1の上面電極層である。63は一対の第1の上面電極層62に一部が重なるように、すなわち電気的に接続されるように基板61の上面に形成された酸化ルテニウム系の抵抗体である。64は抵抗体63の上面に形成されたガラスを主成分とする第1の保護層である。65は一対の第1の上面電極層62間の抵抗体63の抵抗値を修正するために設けられたトリミング溝である。66はガラスを主成分とする第1の保護層64を覆うとともに、一対の第1の上面電極層62の一部に重なるように形成された樹脂を主成分とする第2の保護層である。67は一対の第1の上面電極層62の一部に重なるように設けられた銀系の導電性樹脂からなる一対の密着層で、この一対の密着層67と前記一対の第1の上面電極層62とで一対の上面電極68を構成している。また前記第1の上面電極層62と密着層67は、基板61の端縁において面一となるように構成している。そしてまた前記密着層67は、厚み方向における最大の高さを第1の上面電極層62の厚み方向における最大の高さよりも高くなるように構成している。   In FIG. 27, reference numeral 61 denotes a sheet-like substrate made of baked 96% purity alumina, which is divided into a slit-shaped first divided portion and a second divided portion orthogonal to the first divided portion. It is the board | substrate separated into pieces by. Reference numeral 62 denotes a pair of first upper surface electrode layers mainly composed of silver and formed on one main surface (upper surface) of the substrate 61. A ruthenium oxide resistor 63 is formed on the upper surface of the substrate 61 so as to partially overlap the pair of first upper surface electrode layers 62, that is, to be electrically connected. Reference numeral 64 denotes a first protective layer mainly composed of glass formed on the upper surface of the resistor 63. Reference numeral 65 denotes a trimming groove provided for correcting the resistance value of the resistor 63 between the pair of first upper surface electrode layers 62. Reference numeral 66 denotes a second protective layer mainly composed of a resin which covers the first protective layer 64 mainly composed of glass and is formed so as to overlap a part of the pair of first upper surface electrode layers 62. . Reference numeral 67 denotes a pair of adhesion layers made of a silver-based conductive resin provided so as to overlap a part of the pair of first upper surface electrode layers 62. The pair of adhesion layers 67 and the pair of first upper surface electrodes. The layer 62 constitutes a pair of upper surface electrodes 68. The first upper surface electrode layer 62 and the adhesion layer 67 are configured to be flush with each other at the edge of the substrate 61. The adhesion layer 67 is configured such that the maximum height in the thickness direction is higher than the maximum height in the thickness direction of the first upper surface electrode layer 62.

69は基板61の端縁に設けられ、かつ前記一対の上面電極68に電気的に接続される一対の端面電極で、この一対の端面電極69は第1の端面電極70と第2の端面電極71とにより略コの字型に構成されているものである。そして前記第1の端面電極70は、基板61の裏面側から形成されるもので、基板61の端縁側に位置して、基板61の裏面の端部を覆うとともに、基板61の端面、第1の上面電極層62の端面および密着層67の端面に重なるように略L字型に形成された第1の薄膜72と、この第1の薄膜72に重なるように形成され、かつ第1の薄膜72と電気的に接続される略L字型の第2の薄膜73により構成されている。また前記第2の端面電極71は、基板61の上面側から形成されるもので、略L字型の第1の薄膜74と、この第1の薄膜74に重なるように形成され、かつ第1の薄膜74と電気的に接続される略L字型の第2の薄膜75により構成されている。そして前記第1の薄膜74は、密着層67の上面を覆うとともに、第1の端面電極70における第2の薄膜73の一部に重なるように略L字型に形成されている。76は前記第1の端面電極70における第2の薄膜73の一部および第2の端面電極71における第2の薄膜75を覆うとともに、露出している密着層67の端面および第1の上面電極層62の上面を覆うように形成されたニッケルめっきからなる第1のめっき膜、77は前記第1のめっき膜76を覆うように形成されたスズめっきからなる第2のめっき膜である。   Reference numeral 69 denotes a pair of end face electrodes provided on the edge of the substrate 61 and electrically connected to the pair of upper face electrodes 68. The pair of end face electrodes 69 are a first end face electrode 70 and a second end face electrode. 71 is formed into a substantially U-shape. The first end surface electrode 70 is formed from the back surface side of the substrate 61, is located on the edge side of the substrate 61, covers the end portion of the back surface of the substrate 61, the end surface of the substrate 61, A first thin film 72 formed in a substantially L-shape so as to overlap the end face of the upper electrode layer 62 and the end face of the adhesion layer 67, and the first thin film formed so as to overlap the first thin film 72. The second thin film 73 is substantially L-shaped and is electrically connected to the second thin film 73. The second end face electrode 71 is formed from the upper surface side of the substrate 61, is formed so as to overlap the substantially thin L-shaped first thin film 74, the first thin film 74, and the first It is comprised by the substantially L-shaped 2nd thin film 75 electrically connected with the thin film 74 of this. The first thin film 74 is formed in a substantially L shape so as to cover the upper surface of the adhesion layer 67 and to overlap a part of the second thin film 73 in the first end face electrode 70. 76 covers a part of the second thin film 73 in the first end face electrode 70 and the second thin film 75 in the second end face electrode 71, and the exposed end face of the adhesion layer 67 and the first upper face electrode. A first plating film 77 made of nickel plating formed so as to cover the upper surface of the layer 62, and a second plating film 77 made of tin plating formed so as to cover the first plating film 76.

上記構成においては、一対の上面電極68を、第1の上面電極層62と、この第1の上面電極層62に重なる密着層67とにより構成しているため、第1の端面電極70と第2の端面電極71とにより構成される一対の端面電極69と一対の上面電極68との接続面積を大きくすることができ、これにより、上面電極68と端面電極69との電気的接続信頼性を高めることができるものである。   In the above configuration, the pair of upper surface electrodes 68 are configured by the first upper surface electrode layer 62 and the adhesion layer 67 that overlaps the first upper surface electrode layer 62, so the first end surface electrode 70 and the first surface electrode 70 It is possible to increase the connection area between the pair of end surface electrodes 69 constituted by the two end surface electrodes 71 and the pair of upper surface electrodes 68, thereby improving the electrical connection reliability between the upper surface electrode 68 and the end surface electrode 69. It can be raised.

また上面電極68を構成する第1の上面電極層62と密着層67は基板61の端縁において面一となるように構成しているため、基板61の端縁に設けられ、かつ上面電極68に電気的に接続される端面電極69における第1の端面電極70を薄膜で形成する場合、基板61の端縁と第1の上面電極層62および密着層67の基板端縁側に薄膜からなる第1の端面電極70を連続して安定した状態に形成することができるものである。   Further, since the first upper surface electrode layer 62 and the adhesion layer 67 constituting the upper surface electrode 68 are configured to be flush with each other at the edge of the substrate 61, the first upper surface electrode layer 62 and the adhesion layer 67 are provided at the edge of the substrate 61. In the case where the first end face electrode 70 in the end face electrode 69 electrically connected to the thin film is formed of a thin film, the first edge electrode 70 made of a thin film is formed on the edge of the substrate 61 and the first edge electrode layer 62 and the substrate edge side of the adhesion layer 67. One end face electrode 70 can be continuously formed in a stable state.

そしてまた上面電極68を構成する第1の上面電極層62と密着層67のうち、第1の上面電極層62のみが抵抗体63と電気的に接続される構成としているため、密着層67を形成しても抵抗値が変化することはなく、これにより、オーミックコンタクトを良好に保つことができるため、抵抗値修正後の抵抗値変化がない信頼性の高い抵抗器が得られるものである。   In the first upper surface electrode layer 62 and the adhesion layer 67 constituting the upper surface electrode 68, only the first upper surface electrode layer 62 is electrically connected to the resistor 63. Even if formed, the resistance value does not change, and as a result, the ohmic contact can be maintained satisfactorily. Therefore, a highly reliable resistor with no change in resistance value after the resistance value is corrected can be obtained.

さらに上面電極68を構成する第1の上面電極層62と密着層67のうち、密着層67の厚み方向における最大の高さを第1の上面電極層62の厚み方向における最大の高さよりも高くなるように構成しているため、基板61の端縁に設けられ、かつ上面電極68と電気的に接続される端面電極69における第1の端面電極70を薄膜で形成する場合、密着層67の存在により、上面電極68と薄膜からなる端面電極69における第1の端面電極70の接続面積を大きくすることができ、これにより、上面電極68と端面電極69における第1の端面電極70の電気的接続信頼性を高めることができるものである。   Further, of the first upper surface electrode layer 62 and the adhesion layer 67 constituting the upper surface electrode 68, the maximum height in the thickness direction of the adhesion layer 67 is higher than the maximum height in the thickness direction of the first upper surface electrode layer 62. Therefore, when the first end face electrode 70 in the end face electrode 69 provided on the edge of the substrate 61 and electrically connected to the upper face electrode 68 is formed as a thin film, Due to the presence, the connection area of the first end face electrode 70 between the upper face electrode 68 and the end face electrode 69 can be increased. Connection reliability can be improved.

さらにまた上面電極68を構成する第1の上面電極層62は銀系の材料で構成するとともに、密着層67は銀系の導電性樹脂で構成しているもので、この構成によれば、第1の上面電極層62の形成温度が850℃近辺で、かつ密着層67の形成温度が200℃近辺となるため、抵抗値修正を行った後の抵抗値変化が発生することもなくなるものである。   Furthermore, the first upper surface electrode layer 62 constituting the upper surface electrode 68 is made of a silver-based material, and the adhesion layer 67 is made of a silver-based conductive resin. 1, the formation temperature of the upper surface electrode layer 62 is in the vicinity of 850 ° C., and the formation temperature of the adhesion layer 67 is in the vicinity of 200 ° C., so that the change in the resistance value after the resistance value is corrected does not occur. .

なお、上記本発明の実施の形態2における抵抗器と、本発明の実施の形態1における抵抗器との相違点は、本発明の実施の形態1における抵抗器が上面電極18を第1の上面電極層12と、第2の上面電極層13および密着層17の三者で構成しているのに対し、本発明の実施の形態2における抵抗器は、上面電極68を第1の上面電極層62と密着層67の二者で構成している点で相違するだけで、その他の構成および製造方法は同じであり、したがって、本発明の実施の形態2における抵抗器は本発明の実施の形態1における抵抗器と実質的に同様の作用効果を有するものである。   The difference between the resistor according to the second embodiment of the present invention and the resistor according to the first embodiment of the present invention is that the resistor according to the first embodiment of the present invention uses the upper surface electrode 18 as the first upper surface. In contrast to the electrode layer 12, the second upper surface electrode layer 13, and the adhesion layer 17, the resistor according to the second embodiment of the present invention uses the upper surface electrode 68 as the first upper surface electrode layer. 62 and the adhesion layer 67 are the same except for the difference in configuration and manufacturing method. Therefore, the resistor according to the second embodiment of the present invention is the same as the embodiment of the present invention. 1 has substantially the same function and effect as the resistor 1.

(実施の形態3)
以下、本発明の実施の形態3における抵抗器について、図面を参照しながら説明する。
(Embodiment 3)
Hereinafter, the resistor in Embodiment 3 of this invention is demonstrated, referring drawings.

図28は本発明の実施の形態3における抵抗器の断面図である。   FIG. 28 is a cross-sectional view of a resistor according to Embodiment 3 of the present invention.

図28において、81は焼成済みの96%純度のアルミナからなるシート状の基板をスリット状の第1の分割部とこの第1の分割部と直交関係にある第2の分割部で分割することにより個片化された基板である。82は基板81の一主面(上面)に形成された一対の第1の上面電極層で、この第1の上面電極層82はAu系の導電性ペーストからなり、少なくとも抵抗値修正(レーザートリミング)時の検針接触領域を大きくするためのものである。83は前記一対の第1の上面電極層82に少なくとも一部が重なるように設けられた銀を主成分とする一対の第2の上面電極層で、この第2の上面電極層83は基板81の端縁よりも内側に設けている。84は前記一対の第2の上面電極層83に一部が重なるように、すなわち電気的に接続されるように基板81の上面に形成された酸化ルテニウム系の抵抗体である。85は抵抗体84の上面に形成されたガラスを主成分とする第1の保護層である。86は前記一対の第2の上面電極層83間の抵抗体84の抵抗値を修正するために設けられたトリミング溝である。87は前記一対の第1の上面電極層82の一部および第2の上面電極層83の一部に重なるように設けられた銀系の導電性樹脂からなる一対の密着層で、この一対の密着層87と前記一対の第1の上面電極層82および第2の上面電極層83とで一対の上面電極88を構成している。また前記第1の上面電極層82と密着層87は、基板81の端縁において面一となるように構成している。そしてまた前記密着層87は、厚み方向における最大の高さを第1の上面電極層82の厚み方向における最大の高さよりも高くなるように構成している。89は前記ガラスを主成分とする第1の保護層85を覆うとともに第2の上面電極層83の一部に重なるように形成された樹脂を主成分とする第2の保護層である。90は基板81の端縁に設けられ、かつ前記一対の上面電極88に電気的に接続される一対の端面電極で、この一対の端面電極90は第1の端面電極91と第2の端面電極92とにより略コの字型に構成されているものである。そして前記第1の端面電極91は、薄膜技術を用いて基板81の上面側から形成されるもので、基板81の端縁側に位置して、密着層87の上面を覆うとともに、密着層87の端面、第1の上面電極層82の端面および基板81の端面に重なるように略L字型に形成された第1の薄膜93と、この第1の薄膜93に重なるように形成され、かつ第1の薄膜93と電気的に接続される略L字型の第2の薄膜94により構成されている。また前記第2の端面電極92は、薄膜技術を用いて第1の端面電極91を形成した後、基板81の裏面側から形成されるもので、略L字型の第1の薄膜95と、この第1の薄膜95に重なるように形成され、かつ第1の薄膜95と電気的に接続される略L字型の第2の薄膜96により構成されている。そして前記第1の薄膜95は、基板81の裏面の端部を覆うとともに、第1の端面電極91における第2の薄膜94の一部に重なるように略L字型に形成されている。97は前記第2の端面電極92における第2の薄膜96および第1の端面電極91における第2の薄膜94の一部を覆うとともに、露出している密着層87の端面および第2の上面電極層83の上面を覆うように形成されたニッケルめっきからなる第1のめっき膜、98は前記第1のめっき膜97を覆うように形成されたスズめっきからなる第2のめっき膜である。   In FIG. 28, reference numeral 81 denotes a sheet-like substrate made of baked 96% purity alumina, which is divided into a slit-shaped first divided portion and a second divided portion orthogonal to the first divided portion. It is the board | substrate separated into pieces by. Reference numeral 82 denotes a pair of first upper surface electrode layers formed on one main surface (upper surface) of the substrate 81. The first upper surface electrode layer 82 is made of an Au-based conductive paste, and at least resistance value correction (laser trimming). ) To increase the meter reading contact area at the time. Reference numeral 83 denotes a pair of second upper surface electrode layers mainly composed of silver provided so as to at least partially overlap the pair of first upper surface electrode layers 82, and the second upper surface electrode layer 83 is a substrate 81. It is provided on the inner side of the edge. Reference numeral 84 denotes a ruthenium oxide resistor formed on the upper surface of the substrate 81 so as to partially overlap the pair of second upper surface electrode layers 83, that is, to be electrically connected. Reference numeral 85 denotes a first protective layer mainly composed of glass formed on the upper surface of the resistor 84. Reference numeral 86 denotes a trimming groove provided for correcting the resistance value of the resistor 84 between the pair of second upper surface electrode layers 83. Reference numeral 87 denotes a pair of adhesion layers made of a silver-based conductive resin provided so as to overlap a part of the pair of first upper surface electrode layers 82 and a part of the second upper surface electrode layer 83. The adhesion layer 87 and the pair of first upper surface electrode layers 82 and the second upper surface electrode layer 83 constitute a pair of upper surface electrodes 88. The first upper surface electrode layer 82 and the adhesion layer 87 are configured to be flush with each other at the edge of the substrate 81. The adhesion layer 87 is configured such that the maximum height in the thickness direction is higher than the maximum height in the thickness direction of the first upper surface electrode layer 82. Reference numeral 89 denotes a second protective layer mainly composed of a resin that covers the first protective layer 85 mainly composed of the glass and is overlapped with a part of the second upper surface electrode layer 83. Reference numeral 90 denotes a pair of end face electrodes provided on the edge of the substrate 81 and electrically connected to the pair of upper face electrodes 88. The pair of end face electrodes 90 are a first end face electrode 91 and a second end face electrode. 92 is configured in a substantially U-shape. The first end face electrode 91 is formed from the upper surface side of the substrate 81 using thin film technology, and is positioned on the edge side of the substrate 81 to cover the upper surface of the adhesion layer 87 and A first thin film 93 formed in a substantially L shape so as to overlap the end face, the end face of the first upper surface electrode layer 82 and the end face of the substrate 81; and a first thin film 93 formed so as to overlap the first thin film 93; The second thin film 94 is substantially L-shaped and is electrically connected to the first thin film 93. The second end face electrode 92 is formed from the back side of the substrate 81 after forming the first end face electrode 91 using thin film technology. The first thin film 95 is formed so as to overlap with the first thin film 95 and is constituted by a substantially L-shaped second thin film 96 electrically connected to the first thin film 95. The first thin film 95 is formed in a substantially L shape so as to cover the end of the back surface of the substrate 81 and to overlap a part of the second thin film 94 in the first end face electrode 91. 97 covers the second thin film 96 in the second end face electrode 92 and a part of the second thin film 94 in the first end face electrode 91, and the exposed end face of the adhesion layer 87 and the second upper face electrode. A first plating film made of nickel plating formed so as to cover the upper surface of the layer 83, and a second plating film made of tin plating formed so as to cover the first plating film 97.

なお、上記本発明の実施の形態3における抵抗器と、本発明の実施の形態1における抵抗器との相違点は、本発明の実施の形態1における抵抗器が第1の端面電極40と第2の端面電極43を形成する場合、まず、スリット状の第1の分割部39が複数形成された状態のシート状の基板31の裏面側に、薄膜技術を用いて略L字型の第1の端面電極40を形成し、その後、スリット状の第1の分割部39が複数形成された状態のシート状の基板31の上面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面電極40に電気的に接続されるように略L字型の第2の端面電極43を形成しているのに対し、本発明の実施の形態3における抵抗器は、第1の端面電極91と第2の端面電極92を形成する場合、まず、基板81の上面側に、薄膜技術を用いて略L字型の第1の端面電極91を形成し、その後、基板81の裏面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面電極91に電気的に接続されるように略L字型の第2の端面電極92を形成するようにした点で相違するだけで、その他の構成および製造方法は同じであり、したがって、本発明の実施の形態3における抵抗器は本発明の実施の形態1における抵抗器と実質的に同様の作用効果を有するものである。   The difference between the resistor according to the third embodiment of the present invention and the resistor according to the first embodiment of the present invention is that the resistor according to the first embodiment of the present invention is different from the first end face electrode 40 and the first resistor. In the case of forming the two end face electrodes 43, first, a substantially L-shaped first electrode is formed on the back surface side of the sheet-like substrate 31 in a state where a plurality of slit-like first division portions 39 are formed using a thin film technique. The end face electrode 40 is formed, and then the first end face electrode 40 is electrically connected to the first end face electrode 40 using a thin film technique on the upper surface side of the sheet-like substrate 31 on which a plurality of slit-like first division portions 39 are formed. The second end face electrode 43 having a substantially L shape is formed so as to be connected to each other, whereas the resistor according to the third embodiment of the present invention has the first end face electrode 91 and the second end face. When forming the electrode 92, first, the upper surface side of the substrate 81 is approximately formed by using thin film technology. The first end electrode 91 having a letter shape is formed, and then a second L having a substantially L shape is formed on the back side of the substrate 81 so as to be electrically connected to the first end face electrode 91 using a thin film technique. The other configuration and manufacturing method are the same except that the end face electrode 92 is formed. Therefore, the resistor according to the third embodiment of the present invention is the same as the resistor according to the first embodiment of the present invention. It has substantially the same function and effect as the vessel.

(実施の形態4)
以下、本発明の実施の形態4における抵抗器について、図面を参照しながら説明する。
(Embodiment 4)
Hereinafter, the resistor in Embodiment 4 of this invention is demonstrated, referring drawings.

図29において、101は焼成済みの96%純度のアルミナからなるシート状の基板をスリット状の第1の分割部とこの第1の分割部と直交関係にある第2の分割部で分割することにより個片化された基板である。102は基板101の一主面(上面)に形成された銀を主成分とする一対の第1の上面電極層である。103は一対の第1の上面電極層102に一部が重なるように、すなわち電気的に接続されるように基板101の上面に形成された酸化ルテニウム系の抵抗体である。104は抵抗体103の上面に形成されたガラスを主成分とする第1の保護層である。105は一対の第1の上面電極層102間の抵抗体103の抵抗値を修正するために設けられたトリミング溝である。106はガラスを主成分とする第1の保護層104を覆うとともに、一対の第1の上面電極層102の一部に重なるように形成された樹脂を主成分とする第2の保護層である。107は一対の第1の上面電極層102の一部に重なるように設けられた銀系の導電性樹脂からなる一対の密着層で、この一対の密着層107と前記一対の第1の上面電極層102とで一対の上面電極108を構成している。また前記第1の上面電極層102と密着層107は、基板101の端縁において面一となるように構成している。そしてまた前記密着層107は、厚み方向における最大の高さを第1の上面電極層102の厚み方向における最大の高さよりも高くなるように構成している。   In FIG. 29, 101 is a sheet-like substrate made of baked 96% purity alumina and divided into a slit-shaped first divided portion and a second divided portion orthogonal to the first divided portion. It is the board | substrate separated into pieces by. Reference numeral 102 denotes a pair of first upper surface electrode layers mainly composed of silver and formed on one main surface (upper surface) of the substrate 101. Reference numeral 103 denotes a ruthenium oxide resistor formed on the upper surface of the substrate 101 so as to partially overlap the pair of first upper electrode layers 102, that is, to be electrically connected. Reference numeral 104 denotes a first protective layer mainly composed of glass formed on the upper surface of the resistor 103. A trimming groove 105 is provided to correct the resistance value of the resistor 103 between the pair of first upper surface electrode layers 102. Reference numeral 106 denotes a second protective layer mainly composed of a resin, which covers the first protective layer 104 mainly composed of glass and is formed so as to overlap a part of the pair of first upper surface electrode layers 102. . Reference numeral 107 denotes a pair of adhesion layers made of a silver-based conductive resin provided so as to overlap a part of the pair of first upper surface electrode layers 102. The pair of adhesion layers 107 and the pair of first upper surface electrodes. The layer 102 forms a pair of upper surface electrodes 108. The first upper electrode layer 102 and the adhesion layer 107 are configured to be flush with each other at the edge of the substrate 101. The adhesion layer 107 is configured such that the maximum height in the thickness direction is higher than the maximum height in the thickness direction of the first upper surface electrode layer 102.

109は基板101の端縁に設けられ、かつ一対の上面電極108に電気的に接続される一対の端面電極で、この一対の端面電極109は第1の端面電極110と第2の端面電極111とにより略コの字型に構成されているものである。そして前記第1の端面電極110は、薄膜技術を用いて基板101の上面側から形成されるもので、基板101の端縁側に位置して、密着層107の上面を覆うとともに、密着層107の端面、第1の上面電極層102の端面および基板101の端面に重なるように略L字型に形成された第1の薄膜112と、この第1の薄膜112に重なるように形成され、かつ第1の薄膜112と電気的に接続される略L字型の第2の薄膜113により構成されている。また前記第2の端面電極111は、薄膜技術を用いて第1の端面電極110を形成した後、基板101の裏面側から形成されるもので、略L字型の第1の薄膜114と、この第1の薄膜114に重なるように形成され、かつ第1の薄膜114と電気的に接続される略L字型の第2の薄膜115により構成されている。そして前記第1の薄膜114は、基板101の裏面の端部を覆うとともに、第1の端面電極110における第2の薄膜113の一部に重なるように略L字型に形成されている。116は前記第2の端面電極111における第2の薄膜115および第1の端面電極110における第2の薄膜113の一部を覆うとともに、露出している密着層107の端面および第1の上面電極層102の上面を覆うように形成されたニッケルめっきからなる第1のめっき膜、117は前記第1のめっき膜116を覆うように形成されたスズめっきからなる第2のめっき膜である。   Reference numeral 109 denotes a pair of end face electrodes provided on the edge of the substrate 101 and electrically connected to the pair of upper face electrodes 108. The pair of end face electrodes 109 are a first end face electrode 110 and a second end face electrode 111. And is formed into a substantially U-shape. The first end face electrode 110 is formed from the upper surface side of the substrate 101 using thin film technology, and is positioned on the edge side of the substrate 101 to cover the upper surface of the adhesion layer 107 and A first thin film 112 formed in a substantially L shape so as to overlap the end face, the end face of the first upper surface electrode layer 102 and the end face of the substrate 101; and the first thin film 112 so as to overlap the first thin film 112; The second thin film 113 is substantially L-shaped and is electrically connected to the first thin film 112. The second end face electrode 111 is formed from the back side of the substrate 101 after forming the first end face electrode 110 using thin film technology. The first thin film 114 is formed so as to overlap with the first thin film 114 and is constituted by a substantially L-shaped second thin film 115 electrically connected to the first thin film 114. The first thin film 114 is formed in a substantially L shape so as to cover the end of the back surface of the substrate 101 and to overlap a part of the second thin film 113 in the first end face electrode 110. Reference numeral 116 covers a part of the second thin film 115 in the second end face electrode 111 and the second thin film 113 in the first end face electrode 110, and the exposed end face of the adhesion layer 107 and the first upper face electrode. A first plating film made of nickel plating formed so as to cover the upper surface of the layer 102, and a second plating film 117 made of tin plating formed so as to cover the first plating film 116.

なお、上記本発明の実施の形態4における抵抗器と、本発明の実施の形態3における抵抗器との相違点は、本発明の実施の形態3における抵抗器が上面電極88を第1の上面電極層82と、第2の上面電極層83および密着層87の三者で構成しているのに対し、本発明の実施の形態4における抵抗器は、上面電極108を第1の上面電極層102と密着層107の二者で構成している点で相違するだけで、その他の構成および製造方法は同じであり、したがって、本発明の実施の形態4における抵抗器は本発明の実施の形態3における抵抗器と実質的に同様の作用効果を有するものである。   The difference between the resistor according to the fourth embodiment of the present invention and the resistor according to the third embodiment of the present invention is that the resistor according to the third embodiment of the present invention uses the upper surface electrode 88 as the first upper surface. Whereas the resistor in the fourth embodiment of the present invention comprises the electrode layer 82, the second upper surface electrode layer 83 and the adhesion layer 87, the upper surface electrode 108 is replaced with the first upper surface electrode layer. 102 and the adhesion layer 107 are the same except for the difference in the configuration and the manufacturing method. Therefore, the resistor according to the fourth embodiment of the present invention is the same as the embodiment of the present invention. 3 has substantially the same function and effect as the resistor 3.

そして上記本発明の実施の形態3、4においては、製造工程図は図示していないが、本発明の実施の形態1で示した抵抗器の製造工程におけるスリット状の第1の分割部39が複数形成された状態のシート状の基板31の上面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板31の上面に設けた上面電極88,108の上面から複数のスリット状の第1の分割部39の内面における基板31の端面にかけて略L字型の第1の端面電極91,110を形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部39が複数形成された状態のシート状の基板31の裏面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面電極91,110に電気的に接続されるようにシート状の基板31の裏面から第1の端面電極91,110の一部にかけて略L字型の第2の端面電極92,111を形成する工程を備えているため、上面電極88,108と端面電極90,109との電気的接続は第1の端面電極91,110の形成と第2の端面電極92,111の形成により確実なものが得られ、これにより、上面電極88,108と端面電極90,109との電気的接続信頼性を高めることができるという効果を有するものである。   In the third and fourth embodiments of the present invention, the manufacturing process diagram is not shown, but the slit-shaped first dividing portion 39 in the resistor manufacturing process shown in the first embodiment of the present invention is provided. A plurality of slit-shaped first dividing portions 39 are formed on the upper surface side of the plurality of sheet-like substrates 31 from the upper surfaces of the upper surface electrodes 88 and 108 provided on the upper surface of the sheet-like substrate 31 using thin film technology. A step of forming substantially L-shaped first end face electrodes 91 and 110 over the end face of the substrate 31 on the inner surface of the sheet, and a sheet-like substrate 31 in a state where a plurality of the slit-like first divided portions 39 are formed. On the back surface side, approximately L-shaped from the back surface of the sheet-like substrate 31 to a part of the first end surface electrodes 91 and 110 so as to be electrically connected to the first end surface electrodes 91 and 110 using thin film technology. Mold second end face electrodes 92,1 1 is formed, the electrical connection between the upper surface electrodes 88 and 108 and the end surface electrodes 90 and 109 is achieved by forming the first end surface electrodes 91 and 110 and forming the second end surface electrodes 92 and 111. A certain thing is obtained, and it has the effect that the electrical connection reliability of the upper surface electrodes 88 and 108 and the end surface electrodes 90 and 109 can be improved.

本発明に係る抵抗器およびその製造方法は、薄膜技術による端面電極の形成が容易に行えるとともに、品質的にも確実なものが得られるものであり、特に微小の抵抗器において有用となるものである。   The resistor and the manufacturing method thereof according to the present invention can easily form an end face electrode by a thin film technique and can provide a reliable quality, and are particularly useful in a minute resistor. is there.

本発明の実施の形態1における抵抗器の断面図Sectional drawing of the resistor in Embodiment 1 of this invention 同抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の全周囲の端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図The top view which shows the state which formed the unnecessary area | region part in the edge part of the perimeter of the sheet-like board | substrate used when manufacturing the resistor (a)(b)同抵抗器の製造工程を示す断面図(A) (b) Sectional drawing which shows the manufacturing process of the resistor (a)(b)同抵抗器の製造工程を示す平面図(A) (b) The top view which shows the manufacturing process of the resistor (a)(b)同抵抗器の製造工程を示す断面図(A) (b) Sectional drawing which shows the manufacturing process of the resistor (a)(b)同抵抗器の製造工程を示す平面図(A) (b) The top view which shows the manufacturing process of the resistor (a)(b)同抵抗器の製造工程を示す断面図(A) (b) Sectional drawing which shows the manufacturing process of the resistor (a)(b)同抵抗器の製造工程を示す平面図(A) (b) The top view which shows the manufacturing process of the resistor (a)(b)同抵抗器の製造工程を示す断面図(A) (b) Sectional drawing which shows the manufacturing process of the resistor (a)(b)同抵抗器の製造工程を示す平面図(A) (b) The top view which shows the manufacturing process of the resistor (a)(b)同抵抗器の製造工程を示す断面図(A) (b) Sectional drawing which shows the manufacturing process of the resistor (a)(b)同抵抗器の製造工程を示す平面図(A) (b) The top view which shows the manufacturing process of the resistor 同抵抗器の製造工程を示す断面図Sectional drawing which shows the manufacturing process of the resistor 同抵抗器の製造工程を示す平面図Plan view showing the manufacturing process of the resistor (a)(b)同抵抗器の製造工程を示す断面図(A) (b) Sectional drawing which shows the manufacturing process of the resistor (a)(b)同抵抗器の製造工程を示す平面図(A) (b) The top view which shows the manufacturing process of the resistor (a)(b)同抵抗器の製造工程を示す断面図(A) (b) Sectional drawing which shows the manufacturing process of the resistor (a)(b)同抵抗器の製造工程を示す平面図(A) (b) The top view which shows the manufacturing process of the resistor (a)(b)同抵抗器の製造工程を示す断面図(A) (b) Sectional drawing which shows the manufacturing process of the resistor (a)(b)同抵抗器の製造工程を示す平面図(A) (b) The top view which shows the manufacturing process of the resistor 同抵抗器の第2の薄膜を構成するCu−Ni合金薄膜の平衡状態図Equilibrium diagram of Cu-Ni alloy thin film constituting the second thin film of the resistor 同抵抗器の第1の薄膜と第2の薄膜のSIMSによる組成分析結果の説明図Explanatory drawing of the composition analysis result by SIMS of the 1st thin film and 2nd thin film of the resistor (a)(b)特性を説明する試験方法を示す図(A) (b) The figure which shows the test method explaining a characteristic 同抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の一端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図The top view which shows the state which formed the unnecessary area | region part in the one end part of the sheet-like board | substrate used when manufacturing the resistor 同抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の両端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図The top view which shows the state which formed the unnecessary area | region part in the both ends of the sheet-like board | substrate used when manufacturing the resistor 同抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の3つの端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図The top view which shows the state which formed the unnecessary area | region part in three edge parts of the sheet-like board | substrate used when manufacturing the resistor 本発明の実施の形態2における抵抗器の断面図Sectional drawing of the resistor in Embodiment 2 of this invention 本発明の実施の形態3における抵抗器の断面図Sectional drawing of the resistor in Embodiment 3 of this invention 本発明の実施の形態4における抵抗器の断面図Sectional drawing of the resistor in Embodiment 4 of this invention 従来の抵抗器の断面図Cross section of conventional resistor

符号の説明Explanation of symbols

11,61,81,101 基板
12,62,82,102 第1の上面電極層
13,83 第2の上面電極層
14,63,84,103 抵抗体
15,64,85,104 第1の保護層
16,65,86,105 トリミング溝
17,67,87,107 密着層
18,68,88,108 上面電極
19,66,89,106 第2の保護層
20,69,90,109 端面電極
21,70,91,110 第1の端面電極
22,71,92,111 第2の端面電極
23,72,93,112 第1の端面電極における第1の薄膜
24,73,94,113 第1の端面電極における第2の薄膜
25,74,95,114 第2の端面電極における第1の薄膜
26,75,96,115 第2の端面電極における第2の薄膜
31 シート状の基板
31a,31d〜31f 不要領域部
31b 短冊状基板
31c 個片状基板
32 第1の上面電極層
33 第2の上面電極層
34 抵抗体
35 第1の保護層
36 トリミング溝
37 密着層
38 第2の保護層
39 第1の分割部
40 第1の端面電極
41 第1の端面電極における第1の薄膜
42 第1の端面電極における第2の薄膜
43 第2の端面電極
44 第2の端面電極における第1の薄膜
45 第2の端面電極における第2の薄膜
46 端面電極
47 第2の分割部
11, 61, 81, 101 Substrate 12, 62, 82, 102 First upper surface electrode layer 13, 83 Second upper surface electrode layer 14, 63, 84, 103 Resistor 15, 64, 85, 104 First protection Layer 16, 65, 86, 105 Trimming groove 17, 67, 87, 107 Adhesion layer 18, 68, 88, 108 Upper surface electrode 19, 66, 89, 106 Second protective layer 20, 69, 90, 109 End surface electrode 21 , 70, 91, 110 First end face electrode 22, 71, 92, 111 Second end face electrode 23, 72, 93, 112 First thin film 24, 73, 94, 113 of the first end face electrode Second thin film at end face electrode 25, 74, 95, 114 First thin film at second end face electrode 26, 75, 96, 115 Second thin film at second end face electrode 31 Sheet-like substrate 31a, 31d to 31f Unnecessary region portion 31b Strip substrate 31c Single substrate 32 First upper surface electrode layer 33 Second upper surface electrode layer 34 Resistor 35 First protective layer 36 Trimming groove 37 Adhesion layer 38 Second Protective layer 39 First divided portion 40 First end face electrode 41 First thin film in first end face electrode 42 Second thin film in first end face electrode 43 Second end face electrode 44 Second end face electrode in second end face electrode 1 thin film 45 second thin film in second end face electrode 46 end face electrode 47 second divided portion

Claims (5)

基板と、この基板の上面側に形成され、かつ互いに電気的に接続される上面電極および抵抗体と、前記基板の裏面の端部、前記基板の端面および前記上面電極の上面に設けられて前記上面電極と電気的に接続される略コの字型の端面電極とを備え、
前記端面電極は、前記上面電極の上面、前記上面電極の端面および前記基板の端面に形成された略L字型の金属薄膜よりなる第1の端面電極と、前記基板の裏面の端部および前記第1の端面電極における前記基板の端面に形成された部分に形成された略L字型の金属薄膜よりなる第2の端面電極とを有したものである抵抗器。
A substrate, an upper surface electrode and a resistor formed on the upper surface side of the substrate and electrically connected to each other; an end portion of the back surface of the substrate; an end surface of the substrate; and an upper surface of the upper surface electrode. A substantially U-shaped end face electrode electrically connected to the upper face electrode;
The end face electrode includes a first end face electrode made of a substantially L-shaped metal thin film formed on an upper face of the upper face electrode, an end face of the upper face electrode, and an end face of the substrate; A resistor having a second end face electrode made of a substantially L-shaped metal thin film formed on a portion of the first end face electrode formed on the end face of the substrate .
基板と、この基板の上面側に形成され、かつ互いに電気的に接続される上面電極および抵抗体と、前記基板の裏面の端部、前記基板の端面および前記上面電極の上面に設けられて前記上面電極と電気的に接続される略コの字型の端面電極とを備え、
前記端面電極は、前記基板の裏面の端部、前記基板の端面および前記上面電極の端面に形成された略L字型の金属薄膜よりなる第1の端面電極と、前記第1の端面電極における前記基板の端面に形成された部分および前記上面電極の上面に形成された略L字型の金属薄膜よりなる第2の端面電極とを有したものである抵抗器。
A substrate, an upper surface electrode and a resistor formed on the upper surface side of the substrate and electrically connected to each other; an end portion of the back surface of the substrate; an end surface of the substrate; and an upper surface of the upper surface electrode. A substantially U-shaped end face electrode electrically connected to the upper face electrode;
The end surface electrode includes a first end surface electrode made of a substantially L-shaped metal thin film formed on an end portion of the back surface of the substrate, an end surface of the substrate, and an end surface of the upper surface electrode, and the first end surface electrode. A resistor having a portion formed on an end surface of the substrate and a second end surface electrode made of a substantially L-shaped metal thin film formed on the upper surface of the upper surface electrode .
第1の端面電極をCr薄膜、Ti薄膜、Cr系合金薄膜、Ti系合金薄膜のいずれかからなる第1の薄膜とこの第1の薄膜と電気的に接続されるCu系の合金薄膜からなる第2の薄膜により構成し、かつ第2の端面電極をCr薄膜、Ti薄膜、Cr系合金薄膜、Ti系合金薄膜のいずれかからなる第1の薄膜とこの第1の薄膜と電気的に接続されるCu系の合金薄膜からなる第2の薄膜により構成した請求項1または2記載の抵抗器。 The first end face electrode is composed of a first thin film made of any one of a Cr thin film, a Ti thin film, a Cr-based alloy thin film, and a Ti-based alloy thin film, and a Cu-based alloy thin film electrically connected to the first thin film. The second thin film is composed of a first thin film made of any one of a Cr thin film, a Ti thin film, a Cr alloy thin film, and a Ti alloy thin film, and is electrically connected to the first thin film. The resistor according to claim 1 or 2, comprising a second thin film made of a Cu-based alloy thin film. シート状の基板の上面に互いに電気的に接続される複数対の上面電極および複数の抵抗体を設ける工程と、前記複数の抵抗体における前記複数対の上面電極間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、前記シート状の基板に、前記複数対の上面電極を分離して複数の短冊状基板に分割するためのスリット状の第1の分割部を複数形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板の裏面から複数のスリット状の第1の分割部の内面における基板の端面および前記上面電極の端面にかけて略L字型の第1の端面電極を形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の上面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面電極に電気的に接続されるように前記上面電極の上面から第1の端面電極にかけて略L字型の第2の端面電極を形成する工程と、前記シート状の基板における複数の短冊状基板に、前記複数の抵抗体が個々に分離されて個片状基板に分割されるように前記スリット状の第1の分割部と直交する方向に複数の第2の分割部を形成する工程とを備えた抵抗器の製造方法。 A step of providing a plurality of pairs of upper surface electrodes and a plurality of resistors electrically connected to each other on the upper surface of the sheet-like substrate, and correcting a resistance value between the plurality of pairs of upper surface electrodes in the plurality of resistors Trimming, forming a plurality of slit-shaped first divided portions for separating the plurality of pairs of upper surface electrodes into a plurality of strip-shaped substrates on the sheet-like substrate, and the slits Of the substrate on the inner surface of the plurality of slit-shaped first divided portions from the back surface of the sheet-shaped substrate using the thin film technology on the back surface side of the sheet-shaped substrate in a state where a plurality of first-shaped divided portions are formed. Forming a substantially L-shaped first end face electrode over the end face and the end face of the upper face electrode, and forming a thin film on the upper face side of the sheet-like substrate in a state where a plurality of slit-like first divided portions are formed. Said first using technology Forming a substantially L-shaped second end surface electrode from the upper surface of the upper surface electrode to the first end surface electrode so as to be electrically connected to the surface electrode, and a plurality of strip-shaped substrates in the sheet-like substrate And forming a plurality of second divided portions in a direction orthogonal to the slit-shaped first divided portions so that the plurality of resistors are individually separated and divided into piece-like substrates. A method of manufacturing a provided resistor. シート状の基板の上面に互いに電気的に接続される複数対の上面電極および複数の抵抗体を設ける工程と、前記複数の抵抗体における前記複数対の上面電極間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、前記シート状の基板に、前記複数対の上面電極を分離して複数の短冊状基板に分割するためのスリット状の第1の分割部を複数形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の上面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板の上面に設けた上面電極の上面から複数のスリット状の第1の分割部の内面における基板の端面にかけて略L字型の第1の端面電極を形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面電極に電気的に接続されるようにシート状の基板の裏面から第1の端面電極にかけて略L字型の第2の端面電極を形成する工程と、前記シート状の基板における複数の短冊状基板に、前記複数の抵抗体が個々に分離されて個片状基板に分割されるように前記スリット状の第1の分割部と直交する方向に複数の第2の分割部を形成する工程とを備えた抵抗器の製造方法。 A step of providing a plurality of pairs of upper surface electrodes and a plurality of resistors electrically connected to each other on the upper surface of the sheet-like substrate, and correcting a resistance value between the plurality of pairs of upper surface electrodes in the plurality of resistors Trimming, forming a plurality of slit-shaped first divided portions for separating the plurality of pairs of upper surface electrodes into a plurality of strip-shaped substrates on the sheet-like substrate, and the slits On the upper surface side of the sheet-like substrate in a state where a plurality of first divided portions are formed, a plurality of slit-shaped firsts are formed from the upper surface of the upper surface electrode provided on the upper surface of the sheet-like substrate using thin film technology. A step of forming a substantially L-shaped first end face electrode over the end face of the substrate on the inner surface of the divided portion, and a back surface side of the sheet-like substrate in a state where a plurality of the slit-shaped first divided portions are formed, The first end using thin film technology Forming a substantially L-shaped second end surface electrode from the back surface of the sheet-like substrate to the first end surface electrode so as to be electrically connected to the electrode, and a plurality of strip-like substrates in the sheet-like substrate And forming a plurality of second divided portions in a direction orthogonal to the slit-shaped first divided portions so that the plurality of resistors are individually separated and divided into piece-like substrates. A method of manufacturing a provided resistor.
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