JP4579205B2 - 有機電界発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、有機電界発光表示装置及びその製造方法に関し、特に、第１基板及び第２基板をフリットで封止させて、酸素及び水分などの流入を遮断し、光漏れを効率よく防止できるようにした有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。

有機電界発光表示装置は互いに対向する２つの電極間に有機発光層を位置させ、これら２つの電極に電圧を印加することによって、各電極から有機発光層に注入された正孔及び電子が結合して発生した励起分子が基底状態に戻りながら放出されるエネルギーを光に発光させるフラット表示装置の一種である。

このような有機電界発光表示装置は、発光効率や、輝度及び視野角が優れ、且つ、応答速度が速く、軽量化及び薄膜化を図れることから、次世代のディスプレイとして注目されている。

図１は、一般の有機電界発光表示装置の断面図である。

図１を参照すれば、一般の有機電界発光表示装置は、互いに対向されるように位置する第１基板１０及び第２基板２０を含んで構成され、第１及び第２基板１０、２０は封止材３０により互いに接着されて、その内部が封止される。

第１基板１０は少なくとも一つの有機発光ダイオード（図示せず）を含む複数の画素が備えられる画素領域１１と、画素領域１１を除いた非画素領域に備えられる走査駆動部１２、１２’などの駆動回路が形成された基板である。

第２基板２０は第１基板１０の画素領域１１及び走査駆動部１２、１２’が形成された面に対向されるように接着される。このような第２基板２０は、第１基板１０の少なくとも一領域、特に、画素領域１１を封止するように第１基板１０に接着される。

封止材３０は、エポキシ樹脂を含んで構成され、第１基板１０及び第２基板２０の縁に沿って塗布されて紫外線照射などにより溶融された後に硬化されることで、第１基板１０及び第２基板２０を接着させる。このような封止材３０は、第１基板１０及び第２基板２０の間の封止された空間に位置する画素領域１１などに酸素及び水分などが侵入するのを防止するためのものである。

ところが、封止材３０が塗布されても、微細な隙間に酸素及び水分などが侵入するのを完全に遮断することはできない。これを防止するために、従来は吸収材（図示せず）などを第２基板２０にコーティングして焼成させた後に用いた。しかしながら、吸収材が焼成される際に発生するアウトガスにより封止材３０と基板１０、２０との間の接着力が低下して、むしろ画素領域１１が酸素及び水分に露出し易くなるという問題点が発生した。

また、吸収材を備えることなく、ガラス基板にフリット（ｆｒｉｔ）を塗布して第１基板１０の画素領域１１を含む少なくとも一領域を封止する構造が、米国特許出願公開第２００４−０２０７３１４号明細書に開示されている。それによれば、溶融されたフリットを硬化させて、２つの基板の間を完全に封止させるので、吸収材を用いる必要がなく、さらに効果的に画素領域１１を保護することができる。

このようなフリットは、光を吸収して遮断する黒色を帯びるので、光漏れを防止するブラックマトリックス（Ｂｌａｃｋ Ｍａｔｒｉｘ；ＢＭ）としての役割を果たすこともできる。光漏れとは、非画素領域における外光による光の反射によりぼやけて見える現象をいい、光漏れが発生する場合は画質が低下するという問題がある。しかしながら、従来は封止される領域の最外郭の縁、すなわち、素子が形成されない部分にのみフリットが塗布されるので、光漏れを効率よく防止することはできなかった。そのため、従来は画素領域１０５と隣接する非画素領域で依然として光漏れ現象が多く発生するという問題点があった。

したがって、２つの基板の間に酸素及び水分などが流入するのを遮断するために、第１基板１０及び第２基板２０をフリットで封止させながら、光漏れも効率よく防止するようにする方案を模索する必要が発生した。
米国特許出願公開第２００４−０２０７３１４号明細書

したがって、本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、第１基板及び第２基板をフリットで封止させて、酸素及び水分などの流入を遮断し、光漏れを効率よく防止できるようにした有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の第１側面は、前面発光型有機電界発光表示装置において、複数の有機発光ダイオードが含まれた画素領域と、前記画素領域に駆動信号を供給するための走査駆動部が含まれた非画素領域を含む第１基板と、前記画素領域及び前記非画素領域の少なくとも一領域と重なるように前記第１基板の上部に配置された第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板との間に位置し、前記第１及び第２基板を接着させるフリットを含み、前記フリットは前記走査駆動部上の少なくとも一領域を含む前記非画素領域の少なくとも一部と重なるように形成された有機電界発光表示装置を提供する。

好ましく、前記フリットは、ガラス材料と、レーザまたは赤外線を吸収するための吸収材と、熱膨張係数を減少させるためのフィラーとを含む。前記フリットのうち素子が形成されない第１及び第２基板の縁と対応するフリットは、前記走査駆動部と重なるフリットよりも厚く形成され、前記第１及び第２基板の縁と対応する部分のフリットにより前記第１及び第２基板が互いに接着される。前記第２基板は中央部の厚さが縁の厚みよりも小さいエッジ基板に設定される。前記第１及び第２基板の縁部分と対応するフリットの厚みは、前記走査駆動部と重なるフリットの厚みと同一に設定される。

本発明の第２側面は、有機発光ダイオードが備えられた画素領域及び走査駆動部が備えられた非画素領域が含まれた第１基板と、前記画素領域と、前記非画素領域の少なくとも一領域と重なるように前記第１基板上部に配置された第２基板を含んで構成される前面発光型有機電界発光表示装置の製造方法において、前記第１及び第２基板のいずれかの基板に前記走査駆動部上の少なくとも一領域を含む前記非画素領域と対応するようにフリットペーストを塗布し焼成してフリットを形成する段階と、前記第１基板と前記第２基板を貼り合わせる段階と、前記第１基板及び前記第２基板との間に形成されたフリットの少なくとも一領域にレーザまたは赤外線を照射して前記第１及び第２基板を接着させる段階とを含む有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。

好ましく、前記フリットのうち前記走査駆動部と重なるフリットを除いたフリットにレーザまたは赤外線を照射する。前記レーザ及び赤外線の波長は、８００ｎｍ〜１２００ｎｍに設定する。前記レーザまたは赤外線を照射されるフリットは、前記走査駆動部と重なるフリットよりも厚く形成する。前記レーザまたは赤外線を照射する段階において、前記走査駆動部と重なるように形成されたフリットと、前記画素領域を含む素子が形成された領域はマスキングされる。前記レーザまたは前記赤外線を吸収する吸収材を含むフリットペーストを塗布する。前記フリットは前記レーザまたは赤外線を吸収して溶融されることによって、前記第１及び第２基板に接着される。前記フリットペーストの焼成温度は、３００℃〜５００℃に設定される。前記フリットペーストは前記第２基板に塗布される。

前述したように、本発明による有機電界発光表示装置及びその製造方法によれば、フリットで第１及び第２基板を接着させることで、画素領域が含まれた内部空間に酸素及び水分などが流入するのを効率よく遮断できるという効果を奏する。また、黒色を帯びるフリットを画素領域と隣接する走査駆動部の上部にも形成してブラックマトリックスとして作用するようにすることで、非画素領域への光漏れをさらに効率よく防止し、画質を改善させることができる。

以下、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を容易に実施できる好適な実施の形態が添付された図２乃至図６ｄを参照して、詳細に説明すれば、以下の通りである。

図２は、本発明の実施の形態による有機電界発光表示装置を示す平面図である。そして、図３は図２に示した画素の要部断面図である。図２及び図３では、各画素内に少なくとも一つの薄膜トランジスタ及び有機発光ダイオードが備えられた能動型有機電界発光表示装置を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。

図２及び図３を参照すれば、本発明の実施の形態による有機電界発光表示装置は、第１基板１００と、第１基板１００の少なくとも一領域と重なるように第１基板１００の上部に配置された第２基板２００を含んで構成され、第１基板１００及び第２基板２００はこれら間の縁に塗布されたフリット３００により互いに接着される。

第１基板１００には複数の画素１１０が備えられた画素領域１０５と、画素１１０に駆動信号を供給するための走査駆動部１２０、１２０’及びデータ駆動部１３０と、走査駆動部１２０、１２０’及びデータ駆動部１３０に制御信号を供給するためのパッド部１０２が形成される。

画素領域１０５は行方向に配列された走査線（Ｓ１〜Ｓｎ）と、列方向に配列されたデータ線（Ｄ１〜Ｄｍ）と、走査線（Ｓ１〜Ｓｎ）及びデータ線（Ｄ１〜Ｄｍ）が交差する地点に位置する複数の画素１１０が形成された領域を意味する。それぞれの画素１１０は、走査線（Ｓ１〜Ｓｎ）に供給される走査信号及びデータ線（Ｄ１〜Ｄｍ）に供給されるデータ信号に対応して所定輝度の光を生成する。それにより、画素領域１０５では所定の映像が表示される。

ここで、各画素１１０は図３に示すように、自発光素子である有機発光ダイオード１１８と、有機発光ダイオード１１８に接続される少なくとも一つの薄膜トランジスタを含む。ただし、画素１１０の構造は能動型有機電界発光表示装置や手動型有機電界発光表示装置において、その構造が多様に変形実施され得る。

薄膜トランジスタは第１基板１００上に形成されたバッファ層１１１と、バッファ層１１１上に形成されチャンネル領域１１２ａとソース及びドレイン領域１１２ｂを含む半導体層１１２と、半導体層１１２上に形成されたゲート絶縁膜１１３と、ゲート絶縁膜１１３上に形成されたゲート電極１１４と、ゲート電極１１４上に形成された層間絶縁膜１１５と、層間絶縁膜１１５上に形成されソース及びドレイン領域１１２ｂと接続されるソース及びドレイン電極１１６とを含む。

このような薄膜トランジスタ上には、ドレイン電極の少なくとも一領域を露出させるビアホール１１７ａを有する平坦化膜１１７が形成される。

そして、平坦化膜１１７上には、ビアホール１１７ａを介して薄膜トランジスタと接続される有機発光ダイオード１１８が形成される。有機発光ダイオード１１８は第１電極１１８ａ及び第２電極１１８ｃと、これら間に位置する有機発光層１１８ｂを含む。第１電極１１８ａは平坦化膜１１７上に形成され、ビアホール１１７ａを介して薄膜トランジスタのドレイン電極と接続される。このような第１電極１１８ａは前面発光する画素１１０の場合、図示しない反射膜を含んで構成されることができる。第１電極１１８ａ上には第１電極１１８ａの少なくとも一部を露出させる開口部を有する画素定義膜１１９が形成され、画素定義膜１１９の開口部に有機発光層１１８ｂが形成される。そして、有機発光層１１８ｂ上には第２電極１１８ｃが形成される。この時、第２電極１１８ｃ上には図示しない保護膜などがさらに形成されることもできる。このような有機発光ダイオード１１８は、薄膜トランジスタから供給される電流に対応して所定輝度の光を生成する。

画素領域１０５を除いた残りの非画素領域には、走査駆動部１２０、１２０’及びデータ駆動部１３０と、パッド部１０２とが形成される。走査駆動部１２０、１２０’はパッド部１０２から供給される制御信号に対応して走査信号を生成し、これを走査線（Ｓ１〜Ｓｎ）に供給する。ここで、２つの走査駆動部１２０、１２０’が画素領域１０５の両側に形成され、それぞれ奇数番目の走査線（Ｓ１、Ｓ３、…、Ｓｎ-１）及び偶数番目の走査線（Ｓ２、Ｓ４、…、Ｓｎ）に走査信号を供給する。ただし、走査駆動部１２０、１２０’の構成はこれに限定されるものではなく、多様に設定されることができる。データ駆動部１３０はパッド部１０２から供給されるデータ及び制御信号に対応してデータ信号を生成し、これをデータ線（Ｄ１〜Ｄｍ）に供給する。パッド部１０２は外部から供給される制御信号を走査駆動部１２０、１２０’及びデータ駆動部１３０に供給する。

第２基板２００は第１基板１００の画素領域１０５及び走査駆動部１２０、１２０’が形成された面に対向されるように第１基板１００の少なくとも一領域上に配置される。ここで、第１基板１００に形成された画素１１０は有機発光ダイオード１１８の有機発光層１１８ａなどを含むので、酸素及び水分が侵入した際に劣化し得る。そのため、第２基板２００は画素領域１０５に酸素及び水分が侵入するのを防止するために、画素領域１０５を封止するように接着される。そして、図２においては、第２基板２００が走査駆動部１２０、１２０’も含めて封止するように構成したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、第２基板２００は画素領域１０５と、非画素領域の少なくとも一部と重なるように第１基板１００の上部に配置された後、フリット３００により第１基板１００と接着される。ただし、本発明では前面発光有機電界発光表示装置の場合を仮定することにし、この場合、第２基板２００は透明な材質で形成される。

フリット３００は第２基板２００の縁に塗布された後、第１基板１００の非画素領域と重なるように位置し、画素領域１０５を封止する。ここで、フリット３００は本来は添加剤が含まれたパウダー状のガラス原料を意味するが、ガラス技術分野では、通常、フリットが溶融されて形成されたガラスをも意味する場合があるので、本明細書では両者を意味するものとして使うことにする。このようなフリット３００は、第１及び第２基板１００、２００の間を完全に封止して酸素及び水分などが流入するのを効率よく遮断する。また、フリット３００は転移金属を含む材質であって、光が透過できない黒色を帯びるため、光漏れを防止するブラックマトリックス（Ｂｌａｃｋ Ｍａｔｒｉｘ、ＢＭ）としての役割を果たすこともできる。ただし、従来のようにフリット３００を２つの基板が貼り合わされる部分の最外郭の縁にのみ形成する場合、光漏れが効率よく防止されないので、本発明ではフリット３００を画素領域１０５と隣接する部分、例えば走査駆動部１２０、１２０’の上部にまで塗布する。すなわち、素子が形成されない封止領域の最外郭部にフリットを塗布して２つの基板を接着させるための封止材としてのみフリットを用いた従来とは異なり、画素領域１０５と隣接する走査駆動部１２０、１２０’上にもフリット３００を塗布することで、フリット３００が封止材だけでなく、ブラックマトリックスとしても用いられ、光漏れが効率よく遮断されるようにする。ここで、フリット３００を塗布して封止する方法についての詳細な説明は、後述する。

図４は、図２に示した有機電界発光表示装置のＡ-Ａ’線に沿う断面図である。

図４を参照すれば、第１基板１００に形成された画素領域１０５は、第２基板２００及びフリット３００により完全に封止される。ここで、フリット３００は黒色を帯びる材質であって、第１及び第２基板１００、２００の縁だけでなく、画素領域１０５と隣接する走査駆動部１２０、１２０’上にも位置し、非画素領域への光漏れを効率よく遮断する。ここで、素子が形成されない縁部分に形成されたフリット３００は、走査駆動部１２０、１２０’上に位置するフリット３００よりも厚く形成される。ただし、走査駆動部１２０、１２０’の上部を含む非画素領域の少なくとも一領域にフリット３００が形成された本発明は、前面発光型の有機電界発光表示装置に適用することが好ましく、前面発光型有機電界発光表示装置は、画素領域１０５の前面に所定の映像を表示するので、画素領域１０５にはフリット３００が位置しないようにする。

ここで、フリット３００は、ガラス材料と、レーザを吸収するための吸収材と、熱膨張係数を減少させるためのフィラーとを含んで構成され、フリットペースト状態で第２基板２００に塗布された後に硬化されて、第１及び第２基板１００、２００の間でレーザまたは赤外線により溶融された後、再び硬化されながら第１基板１００と第２基板２００を接着させる。この時、レーザまたは赤外線が走査駆動部１２０、１２０’上に位置するフリット３００にも照射される場合、走査駆動部１２０、１２０’の内部回路が損傷し得る。したがって、レーザまたは赤外線は素子が形成されない部分に塗布されたフリット３００にのみ照射されるようにする。すなわち、素子が形成されない縁に位置するフリット３００は、レーザまたは赤外線を吸収して溶融された後、再び硬化されながら第１及び第２基板１００、２００を接着して封止し、走査駆動部１２０、１２０’上に塗布されたフリット３００は走査駆動部１２０、１２０’と接着されないため、接着材としては作用せず、画素領域１０５の外郭、すなわち、非画素領域への光漏れを防止するブラックマトリックスとしての役割を果たす。ここで、第１及び第２基板１００、２００を接着する縁部分のフリット３００は、走査駆動部１２０、１２０’と重なるフリット３００よりも厚く形成される。

一方、図４においては、第２基板２００をフラット型のベア基板に示したが、第２基板２００は図５に示すように、中央部の厚みが縁部分の厚みよりも薄くエッチングされたエッジ基板に設定されることができる。この場合、第１及び第２基板１００、２００を接着する縁部分のフリット３００と、走査駆動部１２０、１２０’と重なる部分のフリット３００とは同じ厚みに形成されることができる。

以下では、図６ａ乃至図６ｄを参照して、図４に示した有機電界発光表示装置の製造工程を詳細に説明する。便宜上、図６ａ乃至図６ｄでは、個別の有機電界発光表示装置を製造する製造工程を示すが、実際は複数の表示装置セルが元板単位に製作されることができる。

図６ａ乃至図６ｄを参照すれば、まず、第２基板２００の縁にフリット３００を塗布する。フリット３００は、後述する第１基板１００の画素領域１０５と重ならないように非画素領域の少なくとも一領域に塗布される。この時、フリット３００は第１基板１００に形成された走査駆動部１２０、１２０’上にも位置することができるように第１基板１００の縁及び走査駆動部１２０、１２０’に対応する形状に塗布される。すなわち、フリット３００の縁部分は走査駆動部１２０、１２０’と重なる部分よりも厚く塗布される。このようなフリット３００は、フリットペースト状態で第２基板２００に塗布された後に焼成されてペーストに含まれた水分や有機バインダが除去されてから硬化される。ここで、フリットペーストはガラス粉末に酸化物粉末及び有機物を添加してゲル状にしたものであって、フリット３００を焼成する温度は、３００℃〜５００℃の範囲にすることが好ましい。そして、フリット３００の厚みは、１０μm〜２０μmが好ましいが、これはフリット３００の厚みが２０μm以上である場合はレーザシーリング時に多くのエネルギーを必要とし、そのためには、レーザのパワーを上げるか、スキャンスピードを下げなければならないが、それにより熱損傷が発生することができ、１０μm以下の厚みではフリット３００の塗布状態の不良が頻繁に起こり得るためである。（図６ａ）

その後、画素領域１０５及び走査駆動部１２０、１２０’などが形成された第１基板１００を備え、画素領域１０５が封止されるように第１基板１００及び第２基板２００を貼り合わせる。この時、フリット３００は互いに対向される第１及び第２基板１００、２００の間の縁と走査駆動部１２０、１２０’上に位置し、画素領域１０５とは重ならないように位置される。（図６ｂ）

次いで、素子が形成されない部分、すなわち、第１及び第２基板１００、２００の縁に位置するフリット３００にレーザまたは赤外線を照射する。すると、レーザまたは赤外線を照射された部分のフリット３００は、レーザまたは赤外線を吸収して溶融される。この時、照射されるレーザまたは赤外線の波長は、８００ｎｍ〜１２００ｎｍ（より好ましくは、８１０ｎｍ）が、ビームサイズは直径１.０ｎｍ〜３.０ｎｍが、出力電力は２５Ｗ〜４５Ｗになることが好ましく、レーザまたは赤外線が照射されない残りの部分はマスキングされることが好ましい。すなわち、画素領域１０５と隣接した部分、特に、走査駆動部１２０、１２０’と重なるように形成されたフリット３００及び画素領域１０５と、走査駆動部１２０、１２０’と画素領域１０５の間に位置する配線（図示せず）にはレーザまたは赤外線が照射されないようにマスキングされるが、これは配線及び素子がレーザまたは赤外線により変形するのを防止するためである。マスクの材料は、銅、アルミニウムの２重膜を用いることができる。（図６c）

その後、レーザまたは赤外線により溶融されたフリット３００は、また硬化されながら第１基板１００と第２基板２００を接着させる。（図６ｄ）

一方、前述した製造工程では、フリット３００を第２基板２００に塗布して第１及び第２基板２００を接着させたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、フリット３００は画素領域１０５などが形成された第１基板１００にまず塗布されることもでき、第１及び第２基板１００、２００のいずれにも塗布されて第１及び第２基板１００、２００を接着させることもできる。また、第２基板２００が図５に示したように、エッジ基板に設定される場合、フリット３００は第１基板１００の縁及び走査駆動部１２０、１２０’上に対応されるように第２基板２００に同じ厚みに塗布されることができる。

前述した有機電界発光表示装置及びその製造方法において、フリット３００で第１及び第２基板１００、２００を接着させることで、画素領域１０５が含まれた内部空間に酸素及び水分などが流入するのを効率よく遮断できる。また、黒色を帯びるフリット３００を画素領域１０５と隣接する走査駆動部１２０、１２０’の上部にも形成してブラックマトリックスとして作用するようにすることで、非画素領域への光漏れをさらに効率よく防止し、画質を改善させることができる。そして、走査駆動部１２０、１２０’などの素子が形成された部分には、レーザまたは赤外線が照射されないようにし、素子が形成されないフリット３００の縁部分にのみレーザまたは赤外線を照射することで、素子の変形も防止できる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

一般の有機電界発光表示装置の断面図である。 本発明の実施の形態による有機電界発光表示装置を示す平面図である。 図２に示した画素の要部断面図である。 図２に示した有機電界発光表示装置のＡ-Ａ’線に沿う断面図である。 図２に示した有機電界発光表示装置のＡ-Ａ’線に沿う断面図である。 図４に示した有機電界発光表示装置の製造工程を示す断面図である。 図４に示した有機電界発光表示装置の製造工程を示す断面図である。 図４に示した有機電界発光表示装置の製造工程を示す断面図である。 図４に示した有機電界発光表示装置の製造工程を示す断面図である。

符号の説明

１０、１００ 第１基板
１１、１０５ 画素領域
１２、１２'、１２０、１２０' 走査駆動部
２０、２００ 第２基板
３０ 封止材
３００ フリット

Claims (10)

1. 前面発光型有機電界発光表示装置において、
   複数の有機発光ダイオードが含まれた画素領域と、前記画素領域に駆動信号を供給するための走査駆動部が含まれた非画素領域を含む第１基板と、
   前記画素領域及び前記非画素領域の少なくとも一領域と重なるように前記第１基板の上部に配置された第２基板と、
   前記第１基板及び前記第２基板との間に位置し、前記第１及び第２基板を接着させるフリットを含み、
   前記第２基板は、中央部の厚みが縁の厚みよりも小さいエッジ基板であり、
   前記走査駆動部は、前記第２基板の中央部と前記第１基板との間に位置し、
   前記フリットは前記走査駆動部上の少なくとも一領域を含む前記非画素領域の少なくとも一部と重なるように形成され、
   前記走査駆動部は、自身の上部に形成されたフリットと接着されないことを特徴とする有機電界発光表示装置。
2. 前記フリットは、ガラス材料と、レーザまたは赤外線を吸収するための吸収材と、熱膨張係数を減少させるためのフィラーとを含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
3. 前記第１及び第２基板の縁部分と対応するフリットの厚みは、前記走査駆動部と重なるフリットの厚みと同一に設定されたことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
4. 有機発光ダイオードが備えられた画素領域及び走査駆動部が備えられた非画素領域が含まれた第１基板と、前記画素領域及び前記非画素領域の少なくとも一領域と重なるように前記第１基板上部に配置された第２基板とを含んで構成される前面発光型有機電界発光表示装置の製造方法において、
   前記第１及び第２基板のいずれかの基板に前記走査駆動部上の少なくとも一領域を含む前記非画素領域と対応するようにフリットペーストを塗布し焼成してフリットを形成する段階と、
   前記第１基板と前記第２基板を貼り合わせる段階と、
   前記第１基板及び前記第２基板との間に形成されたフリットのうち前記走査駆動部と重なる部位を除いた部位にレーザまたは赤外線を照射して前記第１及び第２基板を接着させる段階と、を含み、
   前記第２基板は、中央部の厚みが縁の厚みよりも小さいエッジ基板であり、
   前記走査駆動部は、前記第２基板の中央部と前記第１基板との間に位置することを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
5. 前記レーザ及び赤外線の波長は、８００ｎｍ〜１２００ｎｍに設定することを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
6. 前記レーザまたは赤外線を照射する段階において、前記走査駆動部と重なるように形成されたフリットと、前記画素領域を含む素子が形成された領域はマスキングされることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
7. 前記レーザまたは前記赤外線を吸収する吸収材を含むフリットペーストを塗布することを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
8. 前記フリットは前記レーザまたは赤外線を吸収して溶融されることによって、前記第１及び第２基板に接着されることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
9. 前記フリットペーストの焼成温度は、３００℃〜５００℃に設定されることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
10. 前記フリットペーストは、前記第２基板に塗布されることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。

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