JP4581466B2

JP4581466B2 - 成膜方法及び成膜装置

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Publication number: JP4581466B2
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Inventors: 寛史山崎; 健海野
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Description

本発明は、誘電積層体、成膜方法及び成膜装置に関するものである。

従来より、コンデンサに代表されるような誘電体層を含む積層体（誘電積層体）は、セラミックグリーンシートの重ね合わせによって作製されている。つまり、誘電積層体の作製方法としては、電極ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを複数枚重ねて焼成し、誘電体層及び電極層が交互に積層する作製方法が広く知られている。このような誘電積層体は、例えば下記特許文献１及び特許文献２などにおいて開示されている。

特開平８−３０６５８０号公報特開平５−２７５２７２号公報

しかしながら、このような従来の誘電積層体においては薄型化が困難であった。すなわち、誘電体層及び電極層は、いずれも約１μｍ程度の厚さのものが実用化されており、この厚さより薄くすることが困難であった。

本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、薄型化が図られた誘電積層体、成膜方法及び成膜装置を提供することを目的とする。

本発明に係る成膜方法は、基板上方に、スリットが形成されたパターン板が基板に対面するように配置されており、パターン板が基板に対する第１の基準位置に位置する状態で、スリットを介して基板上に第１の電極膜をスパッタ成膜する第１の電極膜成膜ステップと、パターン板が第１の基準位置からスリットの幅方向に距離ｄ１だけずれた第２の基準位置に位置する状態で、スリットを介して基板上に誘電体膜をスパッタ成膜する誘電体膜成膜ステップと、パターン板が第２の基準位置からスリットの幅方向に距離ｄ２だけずれた第３の基準位置に位置する状態で、スリットを介して基板上に第２の電極膜を成膜する第２の電極膜成膜ステップとを含み、距離ｄ１及び距離ｄ２の総和がスリットの幅より小さいことを特徴とする。

この成膜方法においては、パターン板に形成されたスリットと略同一形状の第１の電極膜、誘電体膜及び第２の電極膜が、基板上にスパッタ成膜される。それにより、基板上には、２つの電極膜（すなわち、第１の電極膜及び第２の電極膜）で誘電体膜を挟んだ誘電積層体が形成される。つまり、グリーンシートを用いた製法では困難であった誘電積層体の薄型化は、スパッタリングによって電極膜及び誘電体膜を成膜することで実現される。ここで、パターン板の基板に対する基準位置は、第１の電極膜、誘電体膜及び第２の電極膜を成膜する際のそれぞれで異なるため、第１の電極膜、誘電体膜及び第２の電極膜の順で成膜する場合、これらの膜はスリットの幅方向にずれた状態で順次積層される。従って、第１の電極膜、誘電体膜及び第２の電極膜で構成される誘電積層体は、第１の電極膜の表面の一部が十分に露出するため、第１の電極膜と外部電極との接続を容易におこなうことができる。

また、第２の電極膜成膜ステップ後に、誘電体膜成膜ステップ及び第１の電極膜成膜ステップを順に行う第１積層工程と、第１の電極膜成膜ステップ後に、誘電体膜成膜ステップ及び第２の電極膜成膜ステップを順に行う第２積層工程と、を交互に繰り返すことが好ましい。この場合、第１の電極膜の一部は、第１の電極膜上に成膜される誘電体膜から露出する。そのため、この第１の電極膜と同じ位置に、別の第１の電極膜が成膜された場合には、第１の電極膜の露出部分において、上下に重なり合う２つの第１の電極膜が電気的に接続される。第２の電極膜も、第１の電極膜と同様に、誘電体層から露出する部分において、上下に重なり合う２つの第２の電極膜が電気的に接続される。すなわち、全ての第１の電極部同士が電気的に接続されると共に、全ての第２の電極部同士が電気的に接続され、誘電積層体の多層化及び静電容量の増大が図られる。

本発明に係る成膜装置は、基板ホルダと、基板ホルダに載置される基板の上方に、基板に対面するよう配置され、スリットが形成されたパターン板と、パターン板を、その面方向に変位する変位手段と、変位手段の制御をおこなう制御部と、基板ホルダに対峙し、パターン板のスリットを介して基板上に堆積するスパッタリング物質を放出するターゲットとを備え、変位手段は、制御部の指示に基づいて、第１の電極膜を成膜する際には、パターン板が基板に対する第１の基準位置に配置し、誘電体膜を成膜する際には、パターン板が第１の基準位置からスリットの幅方向に距離ｄ１だけずれた第２の基準位置に配置し、第２の電極膜を成膜する際には、パターン板が第２の基準位置からスリットの幅方向に距離ｄ２だけずれた第３の基準位置に配置し、距離ｄ１及び距離ｄ２の総和がスリットの幅より小さい、ことを特徴とする。

この成膜装置においては、基板ホルダの基板上方に配置されたパターン板は変位手段によって変位され、変位手段は制御部によって制御されている。そして、制御部は、変位手段を制御することで、第１の電極膜を成膜する際、誘電体膜を成膜する際及び第２の電極膜を成膜する際に、パターン板を、それぞれ第１の基準位置、第２の基準位置及び第３の基準位置に配置する。それにより、パターン板に形成されたスリットと略同一形状の第１の電極膜、誘電体膜及び第２の電極膜が、基板上にスパッタ成膜される。それにより、基板上には、２つの電極膜（すなわち、第１の電極膜及び第２の電極膜）で誘電体膜を挟んだ誘電積層体が形成される。つまり、グリーンシートを用いた製法では困難であった誘電積層体の薄型化は、スパッタリングによって電極膜及び誘電体膜を成膜することで実現される。

なお、パターン板の基板に対する基準位置は、第１の電極膜、誘電体膜及び第２の電極膜を成膜する際のそれぞれで異なるため、第１の電極膜、誘電体膜及び第２の電極膜の順で成膜する場合、これらの膜はスリットの幅方向にずれた状態で順次積層される。従って、第１の電極膜、誘電体膜及び第２の電極膜で構成される誘電積層体は、第１の電極膜の表面の一部が十分に露出するため、第１の電極膜と外部電極との接続を容易におこなうことができる。また、この成膜装置を用いて、多層の誘電積層体を作製する場合には、誘電体層から露出する部分において、上下に重なり合う第１の電極膜が電気的に接続されると共に、誘電体層から露出する部分において、上下に重なり合う第２の電極膜が電気的に接続される。すなわち、作製された多層の誘電積層体においては、全ての第１の電極部同士が電気的に接続されると共に、全ての第２の電極部同士が電気的に接続され、静電容量の増大が図られる。

本発明に係る誘電積層体は、基板上に、平面形状が同じである第１の電極膜、第１の誘電体膜及び第２の電極膜が順次積層されている誘電積層体であって、第１の電極膜が第１の基準位置に位置し、第１の誘電体膜が第１の基準位置から第１の電極膜の幅方向に距離ｄ１だけずれた第２の基準位置に位置し、第２の電極膜が第２の基準位置から第１の電極膜の幅方向に距離ｄ２だけずれた第３の基準位置に位置し、距離ｄ１及び距離ｄ２の総和が第１の電極膜の幅より小さいことを特徴とする。

この誘電積層体は、基板上に形成された第１の電極膜、第１の誘電体膜及び第２の電極膜で構成された誘電積層体である。つまり、グリーンシートを用いた製法では困難であった誘電積層体の薄型化は、例えば、スパッタリング等の成膜技術を利用することによって実現される。ここで、第１の電極膜、第１の誘電体膜及び第２の電極膜は、第１の電極膜の幅方向にずれた状態で順次積層されているため、この誘電積層体は、第１の電極膜の表面の一部が十分に露出しており、第１の電極膜と外部電極との接続を容易におこなうことができる。

また、第１の電極膜、第１の誘電体膜、及び第２の電極膜と、第２の電極膜上に形成されていると共に第２の基準位置に位置する第２の誘電体膜とを含む積層体を複数有し、複数の積層体において、それぞれの第１の電極膜は基板への投影が一致し、それぞれの第２の電極膜は基板への投影が一致し、それぞれの第１の誘電体膜は基板への投影が一致し、それぞれの第２の誘電体膜は基板への投影が一致することが好ましい。

また、上下に重なり合う第１の電極膜が直接接続されており、且つ、上下に重なりあう第２の電極膜が直接接続されていることが好ましい。この場合、全ての第１の電極部同士が電気的に接続されていると共に、全ての第２の電極部同士が電気的に接続されているため、静電容量の増大が図られている。

本発明によれば、薄型化が図られた誘電積層体、成膜方法及び成膜装置が提供される。

以下、添付図面を参照して本発明に係る誘電積層体、成膜方法及び成膜装置を実施するにあたり最良と思われる形態について詳細に説明する。なお、同一又は同等の要素については同一の符号を付し、説明が重複する場合にはその説明を省略する。

図１は、本発明の実施形態に係るコンデンサ製造装置（成膜装置）を示した一部切欠斜視図である。このコンデンサ製造装置１０は、スパッタリング法を用いて基板１２上に薄膜を形成する装置である。

装置１０は、チャンバ１４と、チャンバ１４内における下端部近傍に設けられた基板ホルダ１６と、チャンバ１４内における上端部近傍に設けられたターゲット支持板１８と、基板ホルダ１６とターゲット支持板１８との間に設けられた２枚のシャッタ板２０，２１とを備えている。

ターゲット支持板１８には、陰極を兼ねた２つのターゲットホルダ２１Ａ，２１Ｂが固定されており、これらのターゲットホルダ２１Ａ，２１Ｂにはそれぞれ金属ターゲット２２Ａ及び誘電体ターゲット２２Ｂが取り付けられている。金属ターゲットの材料としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ等が選択され、誘電体ターゲットとしては、ＢａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、ＰＺＴ、ＣａＴｉＯ_３、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＮ等が選択される。

円板状のシャッタ板２０，２１はそれぞれ、ターゲット支持板１８と対面している。そして、各シャッタ板２０，２１の、ターゲット支持板１８の金属ターゲット２２Ａ及び誘電体ターゲット２２Ｂに対応する位置には、これらのターゲット２２Ａ，２２Ｂと同サイズの開口部２４Ａ，２４Ｂ，２５Ａ，２５Ｂが形成されている。すなわち、ターゲット２２Ａ，２２Ｂから飛散するスパッタリング物質のうち、シャッタ板２１の開口部２５Ａ，２５Ｂ及びシャッタ板２０の開口部２４Ａ，２４Ｂを通過した物質のみが基板ホルダ１６上に堆積される。つまり、このシャッタ板２０，２１によって、スパッタリング物質の拡散が有意に抑制されると共に、スパッタリング物質が堆積する領域が基板ホルダ１６の所定領域に限定される。

また、このシャッタ板２０，２１は、チャンバ１４外に設けられたモータ２６の駆動軸２６ａに連結されており、このモータ２６によって回転される。すなわち、図示しないモータ制御部によってモータ２６の回転制御をおこなって、適宜モータ２６を回転することにより、所望のタイミングで基板１２へのスパッタ成膜の中断／再開をおこなうことができる。なお、上記態様では、一つのモータ２６でシャッタ板２０及びシャッタ板２１の両方を制御する態様を示したが、シャッタ板２０及びシャッタ板２１を別々の駆動軸に接続して、シャッタ板２０とシャッタ板２１とを個別に回転制御するようにしてもよい。また、装置１０が備えるシャッタ板は、１枚であってもよいが、２枚である方がより効果的にスパッタリング物質の拡散が抑制される。さらに、ターゲット２２Ａ，２２Ｂに近い方のシャッタ板２１は、よりターゲット２２Ａ，２２Ｂに近い方が好ましい。

陽極として機能する基板ホルダ１６は円板状であり、その上面１６ａには４枚の基板１２が載置されている。これらの基板１２は、基板ホルダ１６の中心を基準に９０度ずつずれた位置に配置されている。各基板１２はターゲット支持板１８に対面しており、ターゲット支持板１８に取り付けられたターゲット２２Ａ，２２Ｂをスパッタリングすることによって、基板１２上に後述する電極膜及び誘電体膜が成膜される。ただし、上述したようにスパッタリング物質の堆積領域は、基板ホルダ１６の上面１６ａ領域のうち、シャッタ板２０の開口部２４Ａ，２４Ｂに対応する領域に限定されている。

ここで、基板ホルダ１６は、チャンバ１４外に設けられたモータ２８の駆動軸２８ａに連結されており、このモータ２８によって回転される。また、モータ２８は、制御部２９によってその回転が制御されている。この制御部２９によって適宜モータ２６を回転することにより、スパッタリング物質の堆積領域に位置していない基板１２にも、電極膜及び誘電体膜を成膜することができる。

チャンバ１４には、配管３０を介して真空ポンプ３２が取り付けられており、配管３０のバルブ３０ａを開閉することで、適宜、チャンバ１４内を真空状態にすることができる。また、チャンバ１４には、放電用ガスの吸気及び排気の際に用いられる配管３４が取り付けられている。

次に、図２を参照しつつ、基板ホルダ１６上において各基板１２を覆うパターニングユニットについて説明する。なお、図１に示した装置１０においては、図示の簡単化のため、パターニングユニットは省略している。

図２に示すように、パターニングユニット３６は、基板１２に近接する位置で基板ホルダ１６に対面する四角形状のパターン板３８と、このパターン板３８の基板１２に対する相対位置を変える変位部（変位手段）３９とで構成されている。そして、変位部３９は、基板ホルダ１６に取り付けられ、パターン板３８に対して直交する方向に延在する回転軸４０と、パターン板３８と回転軸４０とを連結する連結軸４２と、基板ホルダ１６のパターン板３８を挟む位置に固定された一対のガイド部材４４Ａ，４４Ｂとで構成されている。なお、回転軸４０の回転は、基板ホルダ１６の回転を制御する制御部と同じ制御部２９によって制御されている。なお、回転軸４０を駆動するモータには、サーボモータやステッピングモータを利用することができる。

連結軸４２は、パターン板３８の端部に回転自在に取り付けられており、また回転軸４０の偏心位置に回転自在に取り付けられている。従って、回転軸４０が回転すると、パターン板３８が揺動する。この一対のガイド部材４４Ａ，４４Ｂによってパターン板３８は一方向に案内される。すなわち、回転軸４０を回転することにより、パターン板３８は、ガイド部材４４Ａ，４４Ｂが対峙する方向に対して直交する方向（図の矢印Ｘ方向）に進退する。

パターン板３８には、ガイド部材４４Ａ，４４Ｂが対峙する方向に延在する４本のスリット４６が形成されており、これらのスリット４６は等間隔に並んでいる。そのため、パターン板３８の下に配置された基板１２には、この４本のスリット４６と略同じ形状でスパッタリング物質が堆積される。ここで、パターン板３８は、上述したように、連結軸４２、回転軸４０及びガイド部材４４Ａ，４４Ｂの協働により、スリット４６と直交する方向（すなわち、スリット４６の幅方向）であるＸ方向に移動可能であるため、スパッタリング物質が堆積する基板領域もその方向（Ｘ方向）にずらすことができる。すなわち、図２（ａ）〜図２（ｄ）に示すように、回転軸４０が回転すると、パターン板３８が変位し、基板に対するパターン板の相対位置が変わる。そこで、この相対位置を特定するために、パターン板３８が回転軸４０に最も近接する相対位置（図２（ａ）参照）を位置Ａ（第１の基準位置）、パターン板３８が回転軸４０から最も離れる相対位置（図２（ｃ）参照）を位置Ｃ（第３の基準位置）、位置Ａと位置Ｃとの中間の相対位置（図２（ｂ）及び図２（ｄ）参照）を位置Ｂとする。すなわち、位置Ａと位置Ｂとの距離と、位置Ｂと位置Ｃとの距離は等しく、説明の便宜上、その距離をｄとする。

次に、装置１０を用いてコンデンサを作製する際における制御部２９の制御について、図２〜図４を参照しつつ説明する。

上述したように、制御部２９は、基板ホルダ１６の回転を制御することによって、基板１２の位置を制御することができる。また、制御部２９は、パターニングユニット３６の回転軸４０の回転を制御することによって、パターン板３８の基板１２に対する相対変位を制御することができる。そして、制御部２９は、基板１２の位置とパターン板３８の相対位置との位置関係が、以下に示す４つの状態となるように制御して、コンデンサを作製する。

すなわち、第１の状態では、基板１２が基板ホルダ１６上の金属ターゲット２２Ａの堆積領域４８Ａに位置し（図３（ａ）参照）、この基板１２に対応するパターン板３８が位置Ａに配置されるように（図２（ａ）参照）、制御部２９によって位置制御される。このとき、基板１２上には、金属ターゲット２２Ａのスパッタリングによって、パターン板３８のスリット４６に対応する領域に厚さ１０ｎｍ程度の電極膜（第１の電極膜）５０Ａが成膜される。

第２の状態では、基板１２が基板ホルダ１６上の誘電体ターゲット２２Ｂの堆積領域４８Ｂに位置し（図３（ｂ）参照）、この基板１２に対応するパターン板３８が位置Ｂに配置されるように（図２（ｂ）参照）、制御部２９によって位置制御される。このとき、基板１２上には、誘電体ターゲット２２Ｂのスパッタリングによって、パターン板３８のスリット４６に対応する領域に厚さ１０ｎｍ程度の誘電体膜５０Ｂが成膜される。なお、第１の状態と第２の状態とでは、基板１２に対するスリット４６の位置が変わるため、誘電体膜５０Bは、電極膜５０Ａからスリット４６の幅方向（Ｘ方向）に距離ｄ（すなわち、位置Ａと位置Ｂとの距離）だけずれて成膜される。

第３の状態では、基板１２が基板ホルダ１６上の金属ターゲット２２Ａの堆積領域４８Ａに位置し（図３（ｃ）参照）、この基板１２に対応するパターン板３８が位置Ｃに配置されるように（図２（ｃ）参照）、制御部２９によって位置制御される。このとき、基板１２上には、金属ターゲット２２Ａのスパッタリングによって、パターン板３８のスリット４６に対応する領域に厚さ１０ｎｍ程度の電極膜（第２の電極膜）５０Ｃが成膜される。なお、第２の状態と第３の状態とでは、基板１２に対するスリット４６の位置が変わるため、電極膜５０Ｃは、誘電体膜５０Ｂからスリット４６の幅方向（Ｘ方向）に距離ｄ（すなわち、位置Ｂと位置Ｃとの距離）だけずれて成膜される。

第４の状態は、第２の状態と同じ状態であり、基板１２が基板ホルダ１６上の誘電体ターゲット２２Ｂの堆積領域４８Ｂに位置し（図３（ｄ）参照）、この基板１２に対応するパターン板３８が位置Ｂに配置されるように（図２（ｄ）参照）、制御部２９によって位置制御される。このとき、基板１２上には、誘電体ターゲット２２Ｂのスパッタリングによって、パターン板３８のスリット４６に対応する領域に厚さ１０ｎｍ程度の誘電体膜５０Ｄ（５０Ｂ）が成膜される。なお、第３の状態と第４の状態とでは、基板１２に対するスリット４６の位置が変わるため、誘電体膜５０Ｄは、誘電体膜５０Ｃからスリット４６の幅方向（Ｘ方向）に距離ｄだけずれて成膜される。

そして、制御部２９は、基板１２の位置とパターン板３８の相対位置との位置関係が、第１の状態、第２の状態、第３の状態、第４の状態の順に遷移するように制御し、第４の状態の後は再び第１の状態に戻す。制御部２９が、第１の状態、第２の状態、第３の状態、第４の状態の順の遷移を２巡させて、基板１２上への成膜を完了し、所定形状にダイシングすることにより、図５に示したコンデンサ（誘電積層体）５２が得られる。

このコンデンサ５２は、図５（ａ）に示すように、基板１２上に、電極膜５０Ａ、誘電体膜５０Ｂ、電極膜５０Ｃ、誘電体膜５０Ｂ、電極膜５０Ａ、誘電体膜５０Ｂ及び電極膜５０Ｃが順次積層された構成となっている。そして、電極膜５０Ａ、誘電体膜５０Ｂ及び電極膜５０Ｃの各々は、上述したパターン板３８のスリット４６の幅方向にずれた状態で下の膜の上に積層されており、その形状は、パターン板３８のスリット４６と同じ形状である。すなわち、電極膜５０Ａ、誘電体膜５０Ｂ、電極膜５０Ｃはそれぞれ、基板１２への投影が一致した状態で同種の膜と重なっている（図５（ｂ）参照）。

また、２層の電極膜５０Ａは、上下方向で直接接しており、電気的に接続されている。さらに、２層の電極膜５０Ｃも、上下方向で直接接しており、電気的に接続されている。すなわち、複数の電極膜５０Ａが電気的に導通され、複数の電極膜５０Ｃが電気的に導通されることで、コンデンサ５２は、並列接続された複数のコンデンサ構造を有することとなるため、静電容量の増大が実現されている。そして、コンデンサ５２は、電極膜５０Ａ，５０Ｃの表面の一部が誘電体膜５０Ｂから十分に露出しているため、電極膜５０Ａ，５０Ｃと外部電極との接続が容易におこなわれる。

以上で詳細に説明したように、コンデンサ製造装置１０においては、制御部２９が、変位部３９を制御することで、電極膜５０Ａを成膜する際、誘電体膜５０Ｂを成膜する際及び電極膜５０Ｃを成膜する際に、パターン板３８を、それぞれ位置Ａ、位置Ｂ及び位置Ｃに配置する。それにより、基板１２上には、電極膜５０Ａ，５０Ｃで誘電体膜５０Ｂを挟んだコンデンサ５２が形成される。そして、これらの電極膜５０Ａ，５０Ｃ及び誘電体膜５０Ｂの厚さは、１０ｎｍ程度の厚さで形成することができる。そのため、コンデンサ５２は、厚さ約１μｍの電極層及び誘電体層からなるグリーンシートを用いたコンデンサに比べて、薄くなっている。つまり、グリーンシートを用いた製法では困難であったコンデンサの薄型化は、スパッタリングによって電極膜５０Ａ，５０Ｃ及び誘電体膜５０Ｂを成膜することで実現される。

なお、このコンデンサ５２は、適宜所定のコイルと接続することにより、ハイパスフィルタやローパスフィルタ等で代表される電気回路として利用することができる。図６に、このようなフィルタの一例を示す。図６に示すように、フィルタ６０は、図５に示したコンデンサ５２と、コンデンサの基板１２上に形成されたコイル６２とを備えている。このコイル６２の一端部６２ａは、コンデンサ５２の電極膜５０Ａと接続されており、他端部６２ｂは、外部電極端子６４Ａに接続されている。また、コンデンサ５２の電極膜５０Ｃは、もう一方の外部電極端子６４Ｂに接続されている。

このフィルタ６０を作製する際は、まず、コンデンサ５２全体が覆われる厚さの絶縁膜６６を基板１２上に形成すると共に、コンデンサ５２の電極膜５０Ａ及び電極膜５０Ｃに対応する位置と外部電極端子６４Ａに対応する位置において絶縁膜６６を貫通するビア６８Ａ，６８Ｂ，６８Ｃを形成する（図７参照）。

次に、絶縁膜６６の全面にメッキ用電極膜をスパッタ成膜すると共に、所定のマスクパターンを用いてフォトリソ成形をおこなって得られた所定形状の電極膜を用いて、一端部６２ａがビア６８Ｃに接続されたコイル６２及び電極６５Ａ，６５Ｂを、絶縁膜６６上にメッキ形成する（図８参照）。そして、コイル６２全体が覆われる厚さの絶縁膜７０を絶縁膜６６上に形成し、その上に、電極６５Ａ，６５Ｂに接続された一対の外部電極端子６４Ａ，６４Ｂと、コイル６２の端部６２ｂと接続された電極端子６４Ｃと、その電極端子６４Ｃと外部電極端子６４Ａとを繋ぐ連結電極７２とをメッキ形成して、フィルタ６０の作製が完了する。

本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、コンデンサの積層数は、適宜増減してもよい。また、パターン板のスリット形状は、例えば、図９に示したようなものであってもよい。さらに、変位部によってパターン板を片側でのみ支持する態様を示したが、より確実に支持するために、適宜、同様の変位部をもう一つ用意してパターン板を両側から支持してもよい。また、上述した実施形態では、誘電積層体の一例としてコンデンサを示したが、誘電体層を含む積層体であればその他のデバイスでもよく、このようなデバイスは、上述した成膜方法及び成膜装置と同一又は同等の成膜方法及び成膜装置によって作製可能である。

本発明の実施形態に係るコンデンサ製造装置を示した図である。パターニングユニット及びその動きを示した平面図である。基板ホルダの回転の状態を示した図である。基板上へのスパッタ成膜の状態を示した図である。実施形態に係るコンデンサを示した（ａ）断面図と（ｂ）平面図である。（ａ）は図５に示したコンデンサを利用したフィルタを示した平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。（ａ）は図６に示したフィルタの作製手順を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。（ａ）は図６に示したフィルタの作製手順を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。パターン板の他の形態を示した図である。

符号の説明

１０…コンデンサ製造装置、１２…基板、１６…基板ホルダ、２２Ａ，２２Ｂ…ターゲット、２９…制御部、３６…パターン板、３９…変位部、４６…スリット、５０Ａ…電極膜、５０Ｂ…誘電体膜、５０Ｃ…電極膜、５２…コンデンサ。

Claims

基板上方に、スリットが形成されたパターン板が前記基板に対面するように配置されており、
前記パターン板が前記基板に対する第１の基準位置に位置する状態で、前記スリットを介して前記基板上に第１の電極膜をスパッタ成膜する第１の電極膜成膜ステップと、
前記第１の電極膜成膜ステップ後に、前記パターン板が前記第１の基準位置から前記スリットの幅方向に距離ｄ１だけずれた第２の基準位置に位置する状態で、前記スリットを介して前記基板上に誘電体膜をスパッタ成膜する誘電体膜成膜ステップと、
前記誘電体膜成膜ステップ後に、前記パターン板が前記第２の基準位置から前記スリットの前記幅方向に距離ｄ２だけずれた第３の基準位置に位置する状態で、前記スリットを介して前記基板上に第２の電極膜を成膜する第２の電極膜成膜ステップと
を含み、
前記距離ｄ１及び前記距離ｄ２の総和が前記スリットの幅より小さい、成膜方法。
前記第２の電極膜成膜ステップ後に、前記誘電体膜成膜ステップ及び前記第１の電極膜成膜ステップを順に行う第１積層工程と、
前記第１の電極膜成膜ステップ後に、前記誘電体膜成膜ステップ及び前記第２の電極膜成膜ステップを順に行う第２積層工程と、を交互に繰り返す、請求項１に記載の成膜方法。
基板ホルダと、
前記基板ホルダに載置される基板の上方に、前記基板に対面するよう配置され、スリットが形成されたパターン板と、
前記パターン板を、その面方向に変位する変位手段と、
前記変位手段の制御をおこなう制御部と、
前記基板ホルダに対峙し、前記パターン板の前記スリットを介して前記基板上に堆積するスパッタリング物質を放出するターゲットとを備え、
前記変位手段は、前記制御部の指示に基づいて、第１の電極膜を成膜する際には、前記パターン板が前記基板に対する第１の基準位置に配置し、誘電体膜を成膜する際には、前記パターン板が前記第１の基準位置から前記スリットの幅方向に距離ｄ１だけずれた第２の基準位置に配置し、第２の電極膜を成膜する際には、前記パターン板が前記第２の基準位置から前記スリットの前記幅方向に距離ｄ２だけずれた第３の基準位置に配置し、
前記距離ｄ１及び前記距離ｄ２の総和が前記スリットの幅より小さい、成膜装置。