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JP4585206B2 - Substrate bonding method and bonding apparatus - Google Patents
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JP4585206B2 - Substrate bonding method and bonding apparatus - Google Patents

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Description

この発明は液晶表示パネルなどのように2枚の基板を貼り合わせる基板の貼り合わせ方法及び貼り合わせ装置に関する。   The present invention relates to a method for bonding substrates and a bonding apparatus for bonding two substrates such as a liquid crystal display panel.

周知のように液晶表示パネルの製造に際しては、2枚の透明な基板を、シール剤によって貼り合わせるとともに、これら基板間に液状物質である液晶を介在させる、基板の組立てが行なわれる。   As is well known, in manufacturing a liquid crystal display panel, two transparent substrates are bonded together with a sealant, and a substrate is assembled by interposing a liquid crystal, which is a liquid material, between the substrates.

従来、2枚の基板を組立てるには、一方の基板に粘弾性材からなるシール剤を矩形枠状に塗布する工程と、一方若しくは他方の基板に所定量の液晶を滴下する工程と、上記2枚の基板を減圧雰囲気下で上記シール剤によって貼り合わせる工程とによって行なわれている。   Conventionally, in order to assemble two substrates, a step of applying a sealing agent made of a viscoelastic material to one substrate in a rectangular frame shape, a step of dropping a predetermined amount of liquid crystal on one or the other substrate, and the above 2 And a step of laminating a single substrate with the sealing agent under a reduced pressure atmosphere.

貼り合わされる2枚の基板の間隔をμmオーダで確保するため、その間隔にはスペーサが設けられる。スペーサとしては、一方の基板の内面(貼り合される面)に粒径が数μmの球形樹脂を散布するボールスペーサや一方の基板の内面に高さが数μmの突起を設けるフォトスペーサなどが知られている。   In order to secure the interval between the two substrates to be bonded together in the order of μm, a spacer is provided at the interval. Examples of the spacer include a ball spacer that spreads a spherical resin having a particle diameter of several μm on the inner surface (surface to be bonded) of one substrate, and a photo spacer that has a protrusion having a height of several μm on the inner surface of one substrate. Are known.

2枚の基板を貼り合わせる場合、まず、2枚の基板を所定間隔で離間させて撮像し、その撮像結果に基いてこれら基板を粗位置合わせする。ついで、2枚の基板を上記シール剤によって貼り合わせ、その状態でさらに2枚の基板を撮像し、その撮像結果に基いて一方の基板を所定方向に所定量移動させることで、2枚の基板を精密位置合わせするということが行なわれている。その場合の基板の移動量は、撮像結果から求められたずれ量と等しくしている。   When two substrates are bonded together, first, the two substrates are imaged at a predetermined interval, and the substrates are roughly aligned based on the imaging result. Next, the two substrates are bonded together with the above-mentioned sealant, and two more substrates are imaged in that state, and one substrate is moved by a predetermined amount in a predetermined direction based on the imaging result, thereby the two substrates. The precise alignment is performed. In this case, the amount of movement of the substrate is equal to the amount of deviation obtained from the imaging result.

貼り合わされた2枚の基板を精密位置合わせする場合、一方の基板を移動させると、その基板の移動にスペーサが連動することになる。スペーサがボールスペーサの場合、基板の移動によって転動するため、基板間に作用する摩擦抵抗が比較的小さくてすむ。しかしながら、スペーサがフォトスペーサの場合、そのスペーサが基板に対して面接触状態で摺接するため、摩擦抵抗が大きくなる。   In the case of precisely aligning two bonded substrates, when one substrate is moved, the spacer is interlocked with the movement of the substrate. When the spacer is a ball spacer, it rolls by the movement of the substrate, so that the frictional resistance acting between the substrates can be relatively small. However, when the spacer is a photo spacer, the frictional resistance increases because the spacer is in sliding contact with the substrate in a surface contact state.

基板間の摩擦抵抗が大きいと、移動側の基板を所定量移動さる際、移動させる基板に作用する摩擦抵抗がその基板を保持した保持力よりも大きくなることがある。その場合、基板の保持手段を撮像結果に基くずれ量に等しい移動量で移動させても、基板の実際の移動量はずれ量よりも小さくなるから、2枚の基板の位置合わせを高精度に行なうことができない。   If the frictional resistance between the substrates is large, when the substrate on the moving side is moved by a predetermined amount, the frictional resistance acting on the substrate to be moved may be larger than the holding force that holds the substrate. In that case, even if the substrate holding means is moved by a movement amount equal to the displacement amount based on the imaging result, the actual movement amount of the substrate is smaller than the displacement amount, so that the two substrates are aligned with high accuracy. I can't.

そのため、2枚の基板を許容精度内に精密に位置合わせするためには、上述した位置合わせ作業を多数回にわたって行なわなければならなくなるため、生産性の低下を招くということがある。   For this reason, in order to accurately align the two substrates within the allowable accuracy, the alignment operation described above must be performed many times, which may lead to a decrease in productivity.

しかも、撮像結果に基く2枚の基板の位置ずれ量が小さい場合には、その小さな位置ずれ量に応じて基板を移動させても、実際には摩擦抵抗によって基板がずれを補正される方向に移動しないことがあるため、そのような場合には精密位置合わせ困難なことがある。   Moreover, if the amount of positional displacement between the two substrates based on the imaging result is small, even if the substrate is moved according to the small amount of positional displacement, the substrate is actually corrected in the direction in which the displacement is corrected by the frictional resistance. In such a case, it may be difficult to perform precise alignment because it may not move.

この発明は、貼り合わされた2枚の基板の位置合わせを迅速に、しかも精密に行なうことができるようにした基板の貼り合わせ方法及び貼り合わせ装置を提供することにある。   It is an object of the present invention to provide a substrate bonding method and a bonding apparatus capable of quickly and precisely aligning two bonded substrates.

この発明は、シール剤又は液状物質を介して2枚の基板を接触させる工程と、
接触された2枚の基板の位置ずれ量を求める工程と、
上記位置ずれ量に補正係数を乗じた補正移動量で上記2枚の基板の少なくとも一方を移動させてこれら2枚の基板の位置ずれを補正する工程を具備し
接触された2枚の基板の位置ずれの補正を複数回にわたって行なう場合、上記補正係数をK、前回の基板の補正移動量をM、2枚の基板の前回のずれ量をδn、少なくとも一方の基板を補正移動量Mで移動させた後の今回のずれ量をδmとすると、
上記補正係数Kは、K=M/(δn−δm)であることを特徴とする基板の貼り合わせ方法にある。
The present invention includes a step of contacting two substrates through a sealant or a liquid substance,
Determining the amount of positional deviation between the two substrates in contact;
Comprising a step of correcting the positional deviation of these two substrates by moving at least one of the two substrates in the correction movement amount obtained by multiplying the compensation coefficient to the positional deviation amount,
When correcting the positional deviation of the two substrates in contact with each other a plurality of times, the correction coefficient is K, the correction movement amount of the previous substrate is M, the previous deviation amount of the two substrates is δn, and at least one of them is corrected. If the current shift amount after the substrate is moved by the correction movement amount M is δm,
The correction coefficient K is K = M / (δn−δm) .

この発明は、2枚の基板のどちらか一方に液状物質を封止するためのシール剤を塗布し、このシール剤によって上記2枚の基板を貼り合わせる貼り合わせ方法であって、
一方の基板と他方の基板とを上下方向に離間させて保持する工程と、
保持された2枚の基板を撮像しその撮像結果に基いてこれら2枚の基板の位置ずれ量を求める工程と、
上記位置ずれ量に基いて2枚の基板を位置合わせしその後これら基板を上記シール剤又は液状物質を介して接触させる工程と、
接触された2枚の基板を撮像しこれら2枚の基板の位置ずれ量を求める工程と、
接触された2枚の基板の位置ずれ量に補正係数を乗じた補正移動量で上記2枚の基板の少なくとも一方を移動させてこれら基板の位置ずれを補正する工程を具備し、
接触された2枚の基板の位置ずれの補正を複数回にわたって行なう場合、上記補正係数をK、前回の基板の補正移動量をM、2枚の基板の前回のずれ量をδn、少なくとも一方の基板を補正移動量Mで移動させた後の今回のずれ量をδmとすると、
上記補正係数Kは、K=M/(δn−δm)であることを特徴とする基板の貼り合わせ方法にある。
This invention is a bonding method in which a sealing agent for sealing a liquid substance is applied to either one of two substrates, and the two substrates are bonded together with the sealing agent,
A step of holding one substrate and the other substrate apart in the vertical direction;
Imaging two held substrates and determining the amount of positional deviation between the two substrates based on the imaging results;
Aligning the two substrates based on the amount of misalignment and then contacting the substrates via the sealant or liquid material;
Imaging the two substrates in contact and determining the amount of positional deviation between the two substrates;
Correction moving amount obtained by multiplying the compensation coefficient to the displacement amount of the contacted two substrates by moving at least one of said two substrates comprises a step of correcting the positional deviation of the substrate,
When correcting the positional deviation of the two substrates in contact with each other a plurality of times, the correction coefficient is K, the correction movement amount of the previous substrate is M, the previous deviation amount of the two substrates is δn, and at least one of them is corrected. If the current shift amount after the substrate is moved by the correction movement amount M is δm,
The correction coefficient K is K = M / (δn−δm) .

この発明は、2枚の基板のどちらか一方に液状物質を封止するためのシール剤を塗布し、このシール剤によって上記2枚の基板を貼り合わせる貼り合わせ装置であって、
一方の基板と他方の基板とをそれぞれ上下方向に離間させて保持するとともにこれら基板を相対的にX,Y,Z及びθ方向に駆動して上記2枚の基板を貼り合わせる保持装置と、
この保持装置によって保持された2枚の基板を撮像する撮像装置と、
この撮像装置の撮像結果に基いて2枚の基板の位置ずれ量を求めるとともに、この位置ずれ量に補正係数を乗じた補正移動量で上記2枚の基板の少なくとも一方を移動させてこれら基板の位置ずれを補正する制御装置を具備し、
上記制御装置は、上記補正係数をK、前回の基板の補正移動量をM、2枚の基板の前回のずれ量をδn、少なくとも一方の基板を補正移動量Mで移動させた後の今回のずれ量をδmとすると、
上記補正係数Kを、K=M/(δn−δm)の式に基いて算出することを特徴とする基板の貼り合わせ装置にある。
This invention is a bonding apparatus for applying a sealing agent for sealing a liquid substance to either one of two substrates, and bonding the two substrates with the sealing agent,
A holding device for holding one substrate and the other substrate apart from each other in the vertical direction, and driving the substrates relatively in the X, Y, Z, and θ directions to bond the two substrates;
An imaging device for imaging two substrates held by the holding device;
Then the positional displacement amounts of the two substrates on the basis of the imaging result of the imaging device, these substrates by moving at least one of the two substrates in the correction movement amount obtained by multiplying the compensation coefficient to the positional deviation amount Comprising a control device for correcting the positional deviation of
The control apparatus sets the correction coefficient to K, the correction movement amount of the previous substrate to M, the previous shift amount of the two substrates to δn, and the current movement after moving at least one of the substrates by the correction movement amount M. If the amount of deviation is δm,
In the substrate bonding apparatus, the correction coefficient K is calculated based on an equation of K = M / (δn−δm) .

この発明によれば、シール剤又は液状物質を介して接触した2枚の基板のうちの一方を、他方の基板とのずれ量に補正係数を乗じた補正移動量で移動させるようにした。そのため、他方の基板との間の摩擦抵抗によってどちらか一方の基板と保持装置との間にずれが生じても、そのずれ量が補償されるため、2枚の基板の位置合わせを迅速かつ精密に行なうことが可能となる。   According to the present invention, one of the two substrates that are in contact with each other via the sealant or the liquid substance is moved by a correction movement amount obtained by multiplying the deviation amount from the other substrate by the correction coefficient. Therefore, even if a deviation occurs between one of the substrates and the holding device due to the frictional resistance between the other substrate, the amount of the deviation is compensated, so that the alignment of the two substrates can be performed quickly and precisely. Can be performed.

以下、図面を参照しながらこの発明の実施の形態を説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図1乃至図6はこの発明の一実施の形態を示し、図1は液晶表示パネルの組立て装置1の概略的構成を示す説明図である。この組立て装置1は、シール剤の塗布装置2を有する。この塗布装置2には図6に示す液晶表示パネルPを構成する第1、第2の基板3,4のうちの一方である、第1の基板3が供給される。   FIG. 1 to FIG. 6 show an embodiment of the present invention, and FIG. 1 is an explanatory view showing a schematic configuration of a liquid crystal display panel assembling apparatus 1. The assembling apparatus 1 includes a sealing agent application apparatus 2. The coating device 2 is supplied with a first substrate 3 which is one of the first and second substrates 3 and 4 constituting the liquid crystal display panel P shown in FIG.

上記塗布装置2は、第1の基板3が供給載置されるテーブル及びこのテーブルの上方に配置された塗布ノズル(ともに図示せず)を有し、この塗布ノズルが上記第1の基板3に対して相対的にX、Y及びZ方向に駆動されることで、この第1の基板3の内面には粘弾性材からなるシール剤5(図6に示す)が矩形枠状に塗布される。   The coating apparatus 2 includes a table on which the first substrate 3 is supplied and placed, and a coating nozzle (both not shown) arranged above the table, and the coating nozzle is attached to the first substrate 3. By relatively driving in the X, Y, and Z directions, a sealing agent 5 (shown in FIG. 6) made of a viscoelastic material is applied to the inner surface of the first substrate 3 in a rectangular frame shape. .

シール剤5が塗布された第1の基板3は滴下装置7に供給される。この滴下装置7は第1の基板3が載置されるテーブル及びこのテーブルの上方に配置された滴下ノズル(ともに図示せず)を有し、この滴下ノズルが上記第1の基板3に対して相対的にX、Y及びZ方向に駆動される。それによって、この第1の基板3の内面のシール剤5によって囲まれた領域内に液状物質としての液滴状の液晶が所定の配置パターン、たとえば行列状に滴下供給される。   The first substrate 3 coated with the sealing agent 5 is supplied to the dropping device 7. The dropping device 7 has a table on which the first substrate 3 is placed and a dropping nozzle (both not shown) disposed above the table, and the dropping nozzle is disposed on the first substrate 3. Driven relatively in X, Y and Z directions. As a result, liquid droplets in the form of a liquid substance are dropped and supplied in a predetermined arrangement pattern, for example, in a matrix form, in a region surrounded by the sealing agent 5 on the inner surface of the first substrate 3.

液晶が滴下された第1の基板3は貼り合わせ装置11に供給される。この貼り合わせ装置11には上記第1の基板3とともに上記第2の基板4が供給される。そして、上記第1の基板3と第2の基板4とが後述するごとく位置決めされて貼り合わされる。それによって、図6に示すように上記液晶8が一対の基板3,4間に充填された液晶表示パネルPが組立てられる。   The first substrate 3 onto which the liquid crystal has been dropped is supplied to the bonding apparatus 11. The bonding apparatus 11 is supplied with the second substrate 4 together with the first substrate 3. Then, the first substrate 3 and the second substrate 4 are positioned and bonded as will be described later. Thereby, as shown in FIG. 6, the liquid crystal display panel P in which the liquid crystal 8 is filled between the pair of substrates 3 and 4 is assembled.

貼り合わせ装置11は図2に示すようにチャンバ12を有する。このチャンバ12内は減圧ポンプ10によって所定の圧力、たとえば1Pa程度に減圧されるようになっている。チャンバ12の一側にはシャッタ13によって開閉される出し入れ口14が形成され、この出し入れ口14から上記第1の基板3と第2の基板4とが出し入れされるようになっている。   The bonding apparatus 11 has a chamber 12 as shown in FIG. The inside of the chamber 12 is depressurized by a decompression pump 10 to a predetermined pressure, for example, about 1 Pa. A loading / unloading port 14 opened and closed by a shutter 13 is formed on one side of the chamber 12, and the first substrate 3 and the second substrate 4 are loaded / unloaded from the loading / unloading port 14.

上記チャンバ12内には第1の保持テーブル15が設けられている。この第1の保持テーブル15は第1の駆動源16によってX、Y及びθ方向に駆動されるようになっているとともに、保持面15a(上面)にはシール剤5が塗布されるとともに液晶8が滴下された上記第1の基板3が、液晶8が滴下された内面(貼り合される面)を上方に向けて供給される。保持面15aに供給された第1の基板3は、外面(下面)がたとえば真空吸着などによって上記保持面15aに所定の保持力で保持される。   A first holding table 15 is provided in the chamber 12. The first holding table 15 is driven in the X, Y, and θ directions by the first drive source 16, and the sealant 5 is applied to the holding surface 15a (upper surface) and the liquid crystal 8 is applied. The first substrate 3 onto which the liquid crystal 8 has been dropped is supplied with the inner surface (the surface to be bonded) onto which the liquid crystal 8 has been dropped facing upward. As for the 1st board | substrate 3 supplied to the holding surface 15a, the outer surface (lower surface) is hold | maintained by the said holding surface 15a by predetermined | prescribed holding force by vacuum suction etc., for example.

上記第1の保持テーブル15の上方には、第2の駆動源17によって第1の保持テーブル15に対して接離するZ方向に駆動される第2の保持テーブル18が配設されている。この第2の保持テーブル18の下面の保持面18aには、上記第2の基板4が外面(上面)を接触させて静電気力によって保持される。なお、上記第1の保持テーブル15と第2の保持テーブル18によって保持装置を構成している。   Above the first holding table 15, a second holding table 18 that is driven in the Z direction by the second driving source 17 to come in contact with and separate from the first holding table 15 is disposed. The second substrate 4 is held by the electrostatic force with the outer surface (upper surface) in contact with the holding surface 18a on the lower surface of the second holding table 18. The first holding table 15 and the second holding table 18 constitute a holding device.

後述するごとく、上記チャンバ12内を減圧ポンプ10で減圧すると、真空吸着による第1の基板3の保持力が静電気による第2の基板4の保持力よりも小さくなる。なお、上記第2の基板4の内面(下面)には図6に示すようにスペーサSが形成されている。   As will be described later, when the pressure inside the chamber 12 is reduced by the decompression pump 10, the holding force of the first substrate 3 by vacuum suction becomes smaller than the holding force of the second substrate 4 by static electricity. A spacer S is formed on the inner surface (lower surface) of the second substrate 4 as shown in FIG.

第1の保持テーブル15の保持面15aに保持された第1の基板3と第2の保持テーブル18の保持面18aに保持された第2の基板4とは、四隅部がそれぞれ上記チャンバ12の下方に配設された4組の撮像装置21(2組のみ図示)によって撮像される。各撮像装置21は第1の撮像カメラ22と、この第1の撮像カメラ22よりも撮像倍率の高い第2の撮像カメラ23を有する。   The first substrate 3 held on the holding surface 15a of the first holding table 15 and the second substrate 4 held on the holding surface 18a of the second holding table 18 have four corners of the chamber 12 respectively. Images are picked up by four sets of imaging devices 21 (only two sets are shown) arranged below. Each imaging device 21 includes a first imaging camera 22 and a second imaging camera 23 having an imaging magnification higher than that of the first imaging camera 22.

各撮像装置21の第1、第2の撮像カメラ22,23は、X、Y及びZテーブルを有する位置決め装置24によってX、Y、及びZ方向に駆動されるようになっており、各位置決め装置24は上記チャンバ12の下方に配置された載置板25上に設置されている。   The first and second imaging cameras 22 and 23 of each imaging device 21 are driven in the X, Y, and Z directions by a positioning device 24 having X, Y, and Z tables. 24 is installed on a mounting plate 25 disposed below the chamber 12.

上記チャンバ12の底壁の少なくとも各位置決め装置24が対向する部位は透明窓26に形成されている。上記チャンバ12内に配置された第1の保持テーブル15の上記透明窓26に対応する部位は空洞部27に形成されている。この空洞部27は、第1の保持テーブル15の保持面15aに保持された第1の基板3の四隅部及びこの第1の基板3を介して上記第2の保持テーブル18の保持面18aに保持された第2の基板4の四隅部を上記第1、第2の撮像カメラ22,23によって撮像可能とする。   At least a portion of the bottom wall of the chamber 12 facing the positioning devices 24 is formed in a transparent window 26. A portion corresponding to the transparent window 26 of the first holding table 15 disposed in the chamber 12 is formed in the cavity 27. The hollow portion 27 is formed on the four corners of the first substrate 3 held on the holding surface 15 a of the first holding table 15 and on the holding surface 18 a of the second holding table 18 via the first substrate 3. The four corners of the held second substrate 4 can be imaged by the first and second imaging cameras 22 and 23.

上記第1の基板3と第2の基板4との上記シール剤5よりも外方の四隅部には、図示しないがそれぞれ粗位置合わせマークと精密位置合わせマークとが設けられている。各基板3,4の粗位置合わせマークを一致させることで、第1の基板3と第2の基板4とを粗位置合わせすることができ、各基板の精密位置合わせマークを一致させることで、一対の基板3,4を精密に位置合わせすることができる。   Although not shown, coarse alignment marks and fine alignment marks are provided on the four corners of the first substrate 3 and the second substrate 4 outside the sealant 5, respectively. By matching the coarse alignment marks of each substrate 3, 4, the first substrate 3 and the second substrate 4 can be coarsely aligned, and by matching the fine alignment marks of each substrate, The pair of substrates 3 and 4 can be precisely aligned.

なお、第1、第2の基板3,4を撮像するために、第1の保持テーブル15に空洞部27を形成したが、空洞部27を形成せずに、第1の保持テーブル15を全体を透光性の材料で形成してもよい。   In addition, in order to image the 1st, 2nd board | substrates 3 and 4, although the cavity part 27 was formed in the 1st holding table 15, the 1st holding table 15 whole is formed without forming the cavity part 27. May be formed of a light-transmitting material.

図3に示すように、4組の第1の撮像カメラ22と第2の撮像カメラ23(図3では1組のみ図示)の撮像信号は画像処理部31に入力されて座標信号に変換処理される。画像処理部31で変換処理された座標信号は制御装置32に設けられた演算処理部33に入力される。この演算処理部33では4組の第1の撮像カメラ22と第2の撮像カメラ23とが撮像した第1、第2の基板3,4の四隅部の各一対の粗位置合わせマーク或いは精密位置合わせマークの座標から、これ基板3,4のX、Y及びθ方向の相対的な位置ずれ量を算出する。   As shown in FIG. 3, the imaging signals of the four sets of the first imaging camera 22 and the second imaging camera 23 (only one set is shown in FIG. 3) are input to the image processing unit 31 and converted into coordinate signals. The The coordinate signal converted by the image processing unit 31 is input to an arithmetic processing unit 33 provided in the control device 32. In the arithmetic processing unit 33, a pair of coarse alignment marks or precise positions at the four corners of the first and second substrates 3 and 4 captured by the four sets of the first imaging camera 22 and the second imaging camera 23. From the coordinates of the alignment marks, the relative displacement amounts of the substrates 3 and 4 in the X, Y and θ directions are calculated.

上記演算処理部33によって一対の基板3,4の位置ずれ量が算出されると、その位置ずれ量が記憶部34に記憶される一方、駆動部35にも出力される。それによって、駆動部35は、第1の保持テーブル15を駆動する第1の駆動源16に駆動信号を出力し、上記第1の保持テーブル15をX方向、Y方向及びθ方向に駆動して第1の基板3と第2の基板4とを位置合わせする。   When the amount of positional deviation between the pair of substrates 3 and 4 is calculated by the arithmetic processing unit 33, the amount of positional deviation is stored in the storage unit 34 and also output to the driving unit 35. Accordingly, the drive unit 35 outputs a drive signal to the first drive source 16 that drives the first holding table 15, and drives the first holding table 15 in the X direction, the Y direction, and the θ direction. The first substrate 3 and the second substrate 4 are aligned.

第1の基板3と第2の基板4との位置合わせは、第1の撮像カメラ22からの撮像信号に基く粗位置合わせと、第2の撮像カメラ23からの撮像信号に基く精密位置合わせとによって行なわれる。   The alignment between the first substrate 3 and the second substrate 4 is a rough alignment based on the imaging signal from the first imaging camera 22 and a precise alignment based on the imaging signal from the second imaging camera 23. Is done by.

粗位置合わせは、第1の基板3に対して第2の基板4を所定間隔で離間させた状態で行なわれ、精密位置合わせは第1の基板3に第2の基板4がシール剤5によって接触された状態で行なわれる。精密位置合わせを行なう場合、第2の基板4の内面にはスペーサSが突出している。   The coarse alignment is performed in a state where the second substrate 4 is separated from the first substrate 3 at a predetermined interval, and the fine alignment is performed on the first substrate 3 by the second substrate 4 by the sealant 5. Performed in contact. When precise alignment is performed, a spacer S protrudes from the inner surface of the second substrate 4.

そのため、そのスペーサSと第1の基板3との摩擦抵抗が第1、第2の基板3,4の保持力よりも大きくなり、これら基板3,4がずれ動くことがある。この実施の形態では、第1の基板3を第1の保持テーブル15の保持面15aに真空吸着するようにしているので、チャンバ12内を減圧すると、第1の基板3の保持力が低下する。それによって、上記摩擦抵抗で第1の基板3が第1の保持テーブル15の保持面15a上でずれ動くことがある。   Therefore, the frictional resistance between the spacer S and the first substrate 3 becomes larger than the holding force of the first and second substrates 3 and 4, and the substrates 3 and 4 may be displaced. In this embodiment, since the first substrate 3 is vacuum-sucked to the holding surface 15a of the first holding table 15, when the pressure in the chamber 12 is reduced, the holding force of the first substrate 3 decreases. . Thereby, the first substrate 3 may be displaced on the holding surface 15a of the first holding table 15 due to the frictional resistance.

そこで、第2の撮像カメラ23の撮像信号によって第1の基板3と第2の基板4との位置ずれ量を求めたならば、第1の保持テーブル15によって第1の基板3を移動させる補正移動量を、上記位置ずれ量に1よりも大きな補正係数Kを乗じた値に設定して位置合わせを行ない、摩擦抵抗による第1の保持テーブル15に対する第1の基板3のずれにともなう位置合わせ精度の低下を補償するようにしている。   Therefore, if the amount of positional deviation between the first substrate 3 and the second substrate 4 is obtained from the image pickup signal of the second image pickup camera 23, the correction for moving the first substrate 3 by the first holding table 15 is performed. Positioning is performed by setting the amount of movement to a value obtained by multiplying the amount of positional deviation by a correction coefficient K larger than 1, and positioning is performed in accordance with the displacement of the first substrate 3 with respect to the first holding table 15 due to frictional resistance. The loss of accuracy is compensated.

たとえば、第2の撮像カメラ23によって求めた第1の基板3と第2の基板4との位置ずれ量がδn(μm)の場合、その位置ずれ量δnに基いて第1の保持テーブル15の補正移動量をM(μm)として位置合わせした後、再度、第2の撮像カメラ23によって位置ずれ量を測定したところ、位置ずれ量がδm(μm)であった場合、上記補正係数Kは、
K=f(S) …(1)式
として設定される。なお、S=M/(δn−δm)である。
For example, when the amount of positional deviation between the first substrate 3 and the second substrate 4 obtained by the second imaging camera 23 is δn (μm), the first holding table 15 is moved based on the amount of positional deviation δn. After aligning the correction movement amount as M (μm), when the positional deviation amount is measured again by the second imaging camera 23, when the positional deviation amount is δm (μm), the correction coefficient K is
K = f (S) ... It is set as the equation (1). Note that S = M / (δn−δm).

つまり、上記演算処理部33では第2の撮像カメラ23の撮像信号によって求められた第1、第2の基板3,4の位置ずれ量に上記補正係数Kを乗じた値が算出され、その算出結果に基いて駆動部35から上記第1の駆動源16に駆動信号が出力されることになる。   That is, the arithmetic processing unit 33 calculates a value obtained by multiplying the amount of positional deviation of the first and second substrates 3 and 4 obtained from the imaging signal of the second imaging camera 23 by the correction coefficient K. Based on the result, a drive signal is output from the drive unit 35 to the first drive source 16.

精密位置合わせが複数回にわたって行なわれる場合、第2の撮像カメラ23によって撮像されて演算処理部33で算出された一対の基板3,4の位置ずれ量は上記記憶部34に記憶される。   When the precise alignment is performed a plurality of times, the positional deviation amounts of the pair of substrates 3 and 4 imaged by the second imaging camera 23 and calculated by the arithmetic processing unit 33 are stored in the storage unit 34.

そのため、精密位置合わせを行なう毎に、上記記憶部34に記憶された前回の位置ずれ量δnを用いて上記(1)式に基く補正係数Kを算出することができる。
なお、上記制御装置32の駆動部35は、上記第2の駆動源17及び上記位置決め装置24に対しても駆動信号を出力するようになっている。
Therefore, every time precise alignment is performed, the correction coefficient K based on the above equation (1) can be calculated using the previous positional deviation amount δn stored in the storage unit 34.
The drive unit 35 of the control device 32 also outputs a drive signal to the second drive source 17 and the positioning device 24.

つぎに、上記構成の貼り合わせ装置11によって第1の基板3と第2の基板4とを貼り合わせる工程を図4と図5のフローチャートを参照して説明する。   Next, a process of bonding the first substrate 3 and the second substrate 4 by the bonding apparatus 11 having the above configuration will be described with reference to the flowcharts of FIGS. 4 and 5.

まず、S1では第1の基板3が貼り合わせ装置11のチャンバ12内に図示しないロボットによって供給されて第1の保持テーブル15の保持面15aに吸着保持される。S2では、チャンバ12内に第2の基板4が供給され、第2の保持テーブル18の保持面18aに吸着保持される。第2の保持テーブル18が第2の基板4を保持すると、この第2の保持テーブル18が所定の高さまで下降した後、減圧ポンプ10が作動してチャンバ12内を減圧する。なお、シャッタ13は減圧ポンプ10の作動前に閉じられる。   First, in S <b> 1, the first substrate 3 is supplied into the chamber 12 of the bonding apparatus 11 by a robot (not shown) and sucked and held on the holding surface 15 a of the first holding table 15. In S <b> 2, the second substrate 4 is supplied into the chamber 12 and is sucked and held on the holding surface 18 a of the second holding table 18. When the second holding table 18 holds the second substrate 4, the second holding table 18 is lowered to a predetermined height, and then the pressure reducing pump 10 is operated to reduce the pressure in the chamber 12. The shutter 13 is closed before the decompression pump 10 is operated.

チャンバ12内が所定の圧力まで減圧されると、S3では、第1の撮像カメラ22によって第1の基板3と第2の基板4との四隅部に設けられた粗位置合わせマークを撮像する。第1の撮像カメラ22の撮像信号は画像処理部31でデジタル信号に変換された後、演算処理部33に入力される。それによって、第1の基板3と第2の基板4との位置ずれ量が算出される。   When the inside of the chamber 12 is depressurized to a predetermined pressure, the rough alignment marks provided at the four corners of the first substrate 3 and the second substrate 4 are imaged by the first imaging camera 22 in S3. The imaging signal of the first imaging camera 22 is converted into a digital signal by the image processing unit 31 and then input to the arithmetic processing unit 33. Thereby, the amount of positional deviation between the first substrate 3 and the second substrate 4 is calculated.

S4では、上記演算処理部33で算出された位置ずれ量に基き、駆動部35から第1の駆動源16に駆動信号が出力され、第1の保持テーブル15がθ及びX、Y方向に駆動される。それによって、第1の基板3が第2の基板4に対して粗位置決めされる。   In S4, a drive signal is output from the drive unit 35 to the first drive source 16 based on the amount of displacement calculated by the arithmetic processing unit 33, and the first holding table 15 is driven in the θ, X, and Y directions. Is done. Thereby, the first substrate 3 is roughly positioned with respect to the second substrate 4.

S5では、S4での粗位置決めに続いて第2の保持テーブル18が下降方向(近接方向)に駆動され、第1の保持テーブル15に保持された第1の基板3に第2の基板4がシール剤5を介して接触される。S6ではシール剤5を介して接触された第1、第2の基板3,4の四隅部の精密位置合わせマークを高倍率の第2の撮像カメラ23によって撮像する。このとき、第2の撮像カメラ23は位置決め装置24によって精密位置合わせマークを撮像できる位置に位置決めされる。   In S <b> 5, following the rough positioning in S <b> 4, the second holding table 18 is driven in the descending direction (proximity direction), and the second substrate 4 is placed on the first substrate 3 held on the first holding table 15. Contact is made through the sealant 5. In S6, the fine alignment marks at the four corners of the first and second substrates 3 and 4 brought into contact with each other through the sealant 5 are imaged by the second imaging camera 23 with a high magnification. At this time, the second imaging camera 23 is positioned by the positioning device 24 at a position where the fine alignment mark can be imaged.

制御装置32では、第2の撮像カメラ23の撮像信号によって第1の基板3と第2の基板4との位置ずれ量が求められ、S7では第2の撮像カメラ23によって求められた位置ずれ量に応じた補正移動量で第1の基板3を位置ずれがなくなる方向に駆動する。その際、第1の基板3には、第2の基板4に形成されたスペーサSが摺接するため、その摩擦力によって第2の基板4よりも保持力の弱い第1の基板3が第1の保持テーブル15の保持面15a上で第1の保持テーブル15の移動方向と逆方向にずれ動いてしまうことがある。   In the control device 32, the positional deviation amount between the first substrate 3 and the second substrate 4 is obtained from the imaging signal of the second imaging camera 23, and the positional deviation amount obtained by the second imaging camera 23 in S7. The first substrate 3 is driven in a direction in which the positional deviation is eliminated with a correction movement amount according to the above. At that time, since the spacer S formed on the second substrate 4 is in sliding contact with the first substrate 3, the first substrate 3 having a lower holding force than the second substrate 4 due to the frictional force is the first substrate 3. The holding table 15 may be displaced on the holding surface 15 a in the direction opposite to the moving direction of the first holding table 15.

したがって、S8では1回目の精密位置ずれ補正を行なったならば、第2の撮像カメラ23によって再度、第1、第2の基板3,4の精密位置合わせマークを撮像し、これらの基板3,4の位置ずれ量を測定する。   Therefore, in S8, if the first precise positional deviation correction is performed, the second imaging camera 23 again captures the precise alignment marks on the first and second substrates 3 and 4, and these substrates 3 and 3 are imaged. 4 is measured.

S8で第2の撮像カメラ23によって得られた撮像信号から位置ずれ量が測定されると、S9では、その位置ずれ量に基いて補正係数Kが求められ、その補正係数Kによって新たな補正移動量Mが算出される。   When the positional deviation amount is measured from the imaging signal obtained by the second imaging camera 23 in S8, a correction coefficient K is obtained based on the positional deviation amount in S9, and a new correction movement is performed based on the correction coefficient K. A quantity M is calculated.

たとえば、補正前の位置ずれ量(前回のずれ量)δnが5μmで、最初の補正移動量Mを5μmに設定して第1の基板3の位置ずれ量を補正し、その補正後に測定した今回の位置ずれ量δmが4μmであったとすると、補正係数Kは、
K=5/(5−4)=5
となる。したがって、次回(2回目)の補正移動量Mは1回目の補正後に測定した位置ずれ量に補正係数Kを乗じた値となるから、その補正移動量Mは、
M=4×5=20(μm)
となる。
For example, the positional deviation amount before correction (previous deviation amount) δn is 5 μm, the initial correction movement amount M is set to 5 μm, and the positional deviation amount of the first substrate 3 is corrected. If the amount of misalignment δm is 4 μm, the correction coefficient K is
K = 5 / (5-4) = 5
It becomes. Therefore, the next (second) correction movement amount M is a value obtained by multiplying the positional deviation amount measured after the first correction by the correction coefficient K.
M = 4 × 5 = 20 (μm)
It becomes.

S10では2回目の補正移動を行なう。2回目の補正移動は、S9で算出された補正移動量Mに基いて第1の基板3を移動させる。つまり、2回目の精密位置合わせ時には、第1の基板3と第2の基板4との位置ずれ量が4μmであるのに対し、補正移動量を20μmとして位置合わせを行なう。   In S10, the second correction movement is performed. In the second correction movement, the first substrate 3 is moved based on the correction movement amount M calculated in S9. That is, at the time of the second precise alignment, the positional displacement amount between the first substrate 3 and the second substrate 4 is 4 μm, whereas the correction movement amount is 20 μm.

2回目の精密位置合わせ時にも、第2の基板4に形成されたスペーサSとの間の摩擦抵抗によって第1の基板3が第1の保持面15a上でずれ動く。しかしながら、第1の基板3の補正移動量Mは、精密位置合わせ時に第1の基板3が第1の保持面15a上でずれ動くずれ量を補償する値に設定されているから、第1の基板3を第2の基板4に対して高精度に位置決めすることができる。   Also at the time of the second precise alignment, the first substrate 3 is displaced on the first holding surface 15a by the frictional resistance with the spacer S formed on the second substrate 4. However, the correction movement amount M of the first substrate 3 is set to a value that compensates for the displacement amount that the first substrate 3 is displaced on the first holding surface 15a during the precise alignment. The substrate 3 can be positioned with high accuracy with respect to the second substrate 4.

理論上、S9で求められた補正移動量Mで第1の基板3を補正移動すれば、第1、第2の基板3,4を高精度に位置合わせすることができる。しかしながら、種々の条件によって第1の基板3の補正を2回行なうだけでは、第2の基板4に対する位置合わせ精度が十分に得られないことがある。   Theoretically, if the first substrate 3 is corrected and moved by the correction movement amount M obtained in S9, the first and second substrates 3 and 4 can be aligned with high accuracy. However, the alignment accuracy with respect to the second substrate 4 may not be sufficiently obtained only by performing the correction of the first substrate 3 twice under various conditions.

そこで、S11では2回目の位置合わせを行なった後、第2の撮像カメラ23によって第1、第2の基板3,4の精密位置合わせマークを再度撮像し、これらの基板3,4間に位置ずれがあるか否かを測定する。   Therefore, in S11, after the second alignment, the second imaging camera 23 captures the precise alignment marks on the first and second substrates 3 and 4 again, and positions them between these substrates 3 and 4. Measure whether there is a gap.

仮に位置ずれがあった場合には、S12によって制御装置32の記憶部34に記憶された前回の測定時(2回目の測定)の位置ずれ量δnと、今回の測定(3回目)による位置ずれ量δm及び前回の補正移動量Mとから再度補正係数Kを求め、その補正係数Kに3回目に測定された位置ずれ量δmを乗じた補正移動量M1で第1の基板3を移動させて位置合わせを行なう。   If there is a positional deviation, the positional deviation amount δn at the time of the previous measurement (second measurement) stored in the storage unit 34 of the control device 32 in S12 and the positional deviation due to the current measurement (third time). The correction coefficient K is obtained again from the amount δm and the previous correction movement amount M, and the first substrate 3 is moved by the correction movement amount M1 obtained by multiplying the correction coefficient K by the positional deviation amount δm measured for the third time. Perform alignment.

たとえば、3回目の位置ずれ量δmが1μmであったとすると、前回の位置ずれ量δnは4μm、前回の補正移動量Mは20μmであるから、今回の補正係数Kは、
K=20/(4−1)≒6.67
となる。したがって、3回目の補正移動量Mは、
M=1×6.67≒6.67(μm)
となる。
For example, if the third positional deviation amount δm is 1 μm, the previous positional deviation amount δn is 4 μm and the previous corrected movement amount M is 20 μm.
K = 20 / (4-1) ≈6.67
It becomes. Therefore, the third correction movement amount M is
M = 1 × 6.67≈6.67 (μm)
It becomes.

S13では、S12で算出された補正移動量Mに基いて第1の基板3を移動させる。それによって、第1の基板3と第2の基板4とを精密に位置合わせすることが可能となる。   In S13, the first substrate 3 is moved based on the corrected movement amount M calculated in S12. Thereby, the first substrate 3 and the second substrate 4 can be precisely aligned.

しかも、3回目の精密位置合わせでは、調整する位置ずれ量が1μmであり、2回目の位置ずれ量4μmに対して小さい。しかし、このときの第1の保持テーブル15の補正移動量Mは1μmの位置ずれ量に対して約6.67倍であるから、第1の基板3の位置ずれ量が小さくても、この第1の基板3を所定方向に確実に移動させることが可能となる。   Moreover, in the third precise alignment, the amount of positional deviation to be adjusted is 1 μm, which is smaller than the amount of positional deviation of the second time 4 μm. However, since the correction movement amount M of the first holding table 15 at this time is about 6.67 times the displacement amount of 1 μm, even if the displacement amount of the first substrate 3 is small, One substrate 3 can be reliably moved in a predetermined direction.

第1の基板3と第2の基板4との位置合わせをさらに高精度に行ないたい場合には、上述した工程を複数回にわたって繰り返して行なえばよいが、通常、精密位置合わせは2回繰り返して行うことで高精度に位置合わせすることが可能である。しかし、3回行なえばより一層、高精度に高い位置合わせ精度を得ることができる。   When it is desired to align the first substrate 3 and the second substrate 4 with higher accuracy, the above-described process may be repeated a plurality of times. Usually, the precise alignment is repeated twice. By doing so, it is possible to align with high accuracy. However, if it is performed three times, higher alignment accuracy can be obtained with higher accuracy.

すなわち、制御装置32の記憶部34に演算処理部33で算出された位置ずれ量を記憶させるようにしたため、この記憶部34に記憶された前回の位置ずれ量δnを使用して補正係数Kを算出することが可能となる。   That is, since the positional deviation amount calculated by the arithmetic processing unit 33 is stored in the storage unit 34 of the control device 32, the correction coefficient K is calculated using the previous positional deviation amount δn stored in the storage unit 34. It is possible to calculate.

なお、精密位置合わせを2回或いはそれ以上行なっても、最後に精密位置合わせを行なった後、第1の基板3と第2の基板4とに位置ずれがあるか否かを第2の撮像カメラ23によって確認する工程を設けてもよい。   Note that, even if the fine alignment is performed twice or more, whether or not there is a positional shift between the first substrate 3 and the second substrate 4 after the final fine alignment is performed is determined in the second imaging. A step of confirming with the camera 23 may be provided.

第1の基板3と第2の基板4とは粘弾性剤からなるシール剤5を介して接触されている。そのため、第1の基板3を所定量ずらして位置決めしても、上記シール剤5の復元力によって第1の基板3が移動方向と逆方向に戻り、ずれが生じてしまうことがある。   The first substrate 3 and the second substrate 4 are in contact with each other via a sealant 5 made of a viscoelastic agent. For this reason, even if the first substrate 3 is shifted by a predetermined amount and positioned, the first substrate 3 may return in the direction opposite to the moving direction due to the restoring force of the sealant 5, which may cause a shift.

そのため、シール剤5の弾力性による戻りが生じる虞がある場合、精密位置合わせ時における補正移動量を、上記シール剤5の戻りによって生じるずれ量を補償する値に設定する。たとえば、上記(1)式によって補正係数を求める際、今回のずれ量δmを、上記シール剤5の弾力性による戻り量を加えた値にすれば、位置合わせ後に第1の基板3がシール剤5の弾力性によって戻ることで、第1の基板3と第2の基板4とを精密に位置合わせすることができる。   For this reason, when there is a possibility that the return due to the elasticity of the sealing agent 5 may occur, the correction movement amount at the time of precise positioning is set to a value that compensates for the deviation amount caused by the return of the sealing agent 5. For example, when the correction coefficient is obtained by the above equation (1), if the current shift amount δm is set to a value obtained by adding the return amount due to the elasticity of the sealant 5, the first substrate 3 is sealed after the alignment. By returning with the elasticity of 5, the first substrate 3 and the second substrate 4 can be precisely aligned.

精密位置合わせを行なうと、上述したように第1の基板3が第1の保持テーブル15の保持面15a上で、第1の保持テーブル15の移動方向と逆方向にずれることがある。第1の基板3がずれ動くと、第1の基板3に形成された精密位置合わせマークが第2の撮像カメラ23の視野から外れることが考えられる。   When precise alignment is performed, the first substrate 3 may be displaced on the holding surface 15a of the first holding table 15 in the direction opposite to the moving direction of the first holding table 15 as described above. When the first substrate 3 is displaced, it is conceivable that the fine alignment mark formed on the first substrate 3 is out of the field of view of the second imaging camera 23.

したがって、第1の基板3と第2の基板4とを精密位置合わせする場合、第1の保持テーブル15を所定の補正移動量Mで移動させながら、上記第2の撮像カメラ23をX、Y、Z方向に移動可能に支持した位置決め装置24によって第2の撮像カメラ23をその視野中心に保持テーブル18に保持された第2の基板4の精密位置合わせマークを位置させるように移動させる。このようにすることで、補正移動量Mでの保持テーブル15の移動完了後に、第2の撮像カメラ23の視野領域内において、第2の基板4の精密位置合わせマークの周囲には、少なくとも撮像カメラ23の視野範囲の半分の大きさの領域が存在することとなる。しかも、保持テーブル15が補正移動量Mの移動を完了した後は、2枚の基板3,4の精密位置合わせマーク間の相対距離は、補正移動量Mでの保持テーブル15の移動前に比べて短くなっていると考えられるので、そもそも第2の撮像カメラ23の視野範囲内に位置していた2枚の基板3,4の精密位置合わせマークが補正移動量Mによる移動後に視野範囲から外れることを極力防止することができる。   Therefore, when the first substrate 3 and the second substrate 4 are precisely aligned, the second imaging camera 23 is moved in the X and Y directions while moving the first holding table 15 by the predetermined correction movement amount M. The second imaging camera 23 is moved by the positioning device 24 supported so as to be movable in the Z direction so that the fine alignment mark of the second substrate 4 held on the holding table 18 is positioned at the center of the visual field. In this way, after the movement of the holding table 15 with the correction movement amount M is completed, at least imaging is performed around the fine alignment mark on the second substrate 4 within the visual field region of the second imaging camera 23. An area having a size half the visual field range of the camera 23 exists. Moreover, after the holding table 15 has completed the movement of the correction movement amount M, the relative distance between the precision alignment marks on the two substrates 3 and 4 is larger than that before the movement of the holding table 15 with the correction movement amount M. Therefore, the precision alignment marks of the two substrates 3 and 4 that were originally located within the field of view of the second imaging camera 23 deviate from the field of view after moving by the correction movement amount M. This can be prevented as much as possible.

上記一実施の形態では、第1の基板の補正移動量を設定するための補正係数を、前回の基板の補正移動量、2枚の基板の前回の位置ずれ量、前回の補正移動量で第1の基板を移動させた後の今回の2枚の基板の位置ずれ量によって求めるようにしている。   In the above embodiment, the correction coefficient for setting the correction movement amount of the first substrate is the same as the correction movement amount of the previous substrate, the previous positional deviation amount of the two substrates, and the previous correction movement amount. It is determined by the amount of positional deviation between the two substrates this time after moving one substrate.

しかしながら、2枚の基板を同一の条件によって貼り合わせるような場合には、最初に補正係数を設定したならば、以後、同一の補正係数によって補正移動量を決定し、位置合わせを行なうようにしてもよい。つまり、補正係数は、上記一実施の形態のようにその都度算出せず、予め設定された設定値であってもよく、その都度算出するか、設定値を用いるかは、基板の品質やロットに応じて決定すればよい。たとえば、基板の厚みのばらつきが大きい基板の場合、基板の厚みのばらつきの影響でその都度基板間に作用する摩擦力の大きさが変化することが考えられるので、補正係数をその都度算出するものとし、基板の厚みのばらつきが少ない品種の基板の場合、上述とは反対に基板間に作用する摩擦力の大きさはほぼ一定と考えられるので、補正係数を設定値とすればよい。したがって、これらを基板の品種やロットに応じて切換えて用いることも可能である。   However, in the case where two substrates are bonded together under the same conditions, if the correction coefficient is set first, then the correction movement amount is determined by the same correction coefficient, and the alignment is performed. Also good. In other words, the correction coefficient may not be calculated each time as in the above embodiment, but may be a preset setting value. Whether the correction coefficient is calculated each time or the setting value is used depends on the quality of the substrate and the lot. It may be determined according to. For example, in the case of a substrate with a large variation in substrate thickness, the magnitude of the frictional force acting between the substrates may change each time due to the variation in substrate thickness, so the correction coefficient is calculated each time. On the other hand, in the case of a substrate of a type with little variation in substrate thickness, the magnitude of the frictional force acting between the substrates is considered to be almost constant contrary to the above, and the correction coefficient may be set as a set value. Therefore, these can be switched and used according to the type and lot of the substrate.

このように、この第1の実施の形態の発明によれば、シール剤又は液状物質を介して接触した2枚の基板のうちの一方を、他方の基板とのずれ量よりも大きな補正移動量で移動させるようにした。   As described above, according to the first embodiment of the present invention, one of the two substrates that are in contact with each other via the sealant or the liquid substance is moved in a correction amount that is larger than the amount of deviation from the other substrate. It was made to move with.

そのため、他方の基板との間の摩擦抵抗によってどちらか一方の基板と保持手段との間にずれが生じても、そのずれ量が補償されるため、2枚の基板の位置合わせを迅速かつ精密に行なうことが可能となる。   Therefore, even if a deviation occurs between one of the substrates and the holding means due to the frictional resistance between the other substrate, the amount of the deviation is compensated, so that the alignment of the two substrates can be performed quickly and precisely. Can be performed.

上記実施の形態では、求めた補正係数Kを第1、第2の基板3,4間の位置ずれ量にそのまま乗じる例であったが、それに代わって補正係数Kに下限値と上限値、或いはいずれか一方を設定し、求めた補正係数Kが下限値よりも小、または上限値よりも大となったときは、補正係数Kを下限値、または上限値の値としてもよい。   In the above embodiment, the obtained correction coefficient K is an example of multiplying the amount of positional deviation between the first and second substrates 3 and 4 as they are, but instead, the correction coefficient K has a lower limit value and an upper limit value, or When either one is set and the obtained correction coefficient K is smaller than the lower limit value or larger than the upper limit value, the correction coefficient K may be the lower limit value or the upper limit value.

たとえば、補正係数Kの下限値を“3”、上限値を“8”とした場合、求めた補正係数がK=5であるなら、補正係数Kが上限値と下限値との間であるから、K=5をそのまま用いる。求めた補正係数がK=2であるなら、補正係数Kが下限値より小であるから、K=3とする。また、求めた補正係数がK=10であるなら、補正係数Kが上限値より大であるから、K=8とする。   For example, when the lower limit value of the correction coefficient K is “3” and the upper limit value is “8”, if the calculated correction coefficient is K = 5, the correction coefficient K is between the upper limit value and the lower limit value. , K = 5 is used as it is. If the obtained correction coefficient is K = 2, K = 3 because the correction coefficient K is smaller than the lower limit value. If the obtained correction coefficient is K = 10, K = 8 since the correction coefficient K is larger than the upper limit value.

このようにすることで、補正係数Kが小さすぎ、精密位置合わせ時に第1の基板3が第1の保持ステージ15の保持面15a上でずれ動くずれ量を補償しきれなかったり、反対に補正係数Kが大きすぎ、第1の基板3と保持面15aとの間のずれ量以上に第1の基板3を第2の基板4に対して移動させすぎてしまい、第1、第2の基板3,4間の位置ずれ量を増大させてしまったりする虞を防止することができる。   By doing so, the correction coefficient K is too small, and the amount of displacement that the first substrate 3 moves on the holding surface 15a of the first holding stage 15 cannot be compensated at the time of precise alignment, or the correction is made on the contrary. The coefficient K is too large, and the first substrate 3 is moved with respect to the second substrate 4 more than the amount of deviation between the first substrate 3 and the holding surface 15a, and the first and second substrates are moved. It is possible to prevent the possibility of increasing the amount of misalignment between 3 and 4.

第1、第2の基板3,4間の位置ずれの大きさに応じて、予め設定された補正係数、または上記(1)式を用いて算出した補正係数のいずれかを選択することもできる。   Either a preset correction coefficient or a correction coefficient calculated using the above equation (1) can be selected in accordance with the magnitude of the positional deviation between the first and second substrates 3 and 4. .

たとえば、しきい値を設定しておき、上記位置ずれ量がしきい値よりも大であれば、記憶部34に予め設定されている補正係数を用い、上記位置ずれ量がしきい値以下であれば、上記(1)式の計算式を用いて補正係数を算出して用いる。   For example, if a threshold value is set and the amount of positional deviation is larger than the threshold value, a correction coefficient preset in the storage unit 34 is used, and the amount of positional deviation is less than the threshold value. If there is, the correction coefficient is calculated using the above formula (1).

すなわち、第2の基板4に対する第1の基板3の補正移動量が増加するにつれて第1の基板3と第1の保持テーブル15の保持面15aとの間の位置ずれ量の増加の割合が減少する場合があることが実験により確認されている。   That is, as the correction movement amount of the first substrate 3 with respect to the second substrate 4 increases, the rate of increase in the amount of misalignment between the first substrate 3 and the holding surface 15a of the first holding table 15 decreases. It has been confirmed by experiment that there is a case of doing so.

このような場合、たとえば、第2の基板4に対して第1の基板3を補正移動量5μmで移動させたときは、第1の基板3と保持面15aとの間に4μmの位置ずれが生じ、第1の基板3は第2の基板4に対して1μm程度しか移動しない。しかし、第2の基板4に対して第1の基板3を補正移動量が30μmで移動させたときは、第1の基板3と保持面15aとの間の位置ずれ量は5μm程度で、第1の基板3は第2の基板4に対して25μm程度移動するということになる。   In such a case, for example, when the first substrate 3 is moved with a correction movement amount of 5 μm with respect to the second substrate 4, there is a positional deviation of 4 μm between the first substrate 3 and the holding surface 15 a. As a result, the first substrate 3 moves only about 1 μm relative to the second substrate 4. However, when the first substrate 3 is moved with a correction movement amount of 30 μm with respect to the second substrate 4, the positional deviation amount between the first substrate 3 and the holding surface 15 a is about 5 μm, One substrate 3 moves about 25 μm relative to the second substrate 4.

したがって、第1、第2の基板3,4間の位置ずれ量が30μm程度のときに、上記(1)式を用いて求めた補正係数Kが“3”や“4”となった場合、この補正係数Kを用いて算出した補正移動量で第1の基板3を第2の基板4に対して移動させると、第1の基板3を第2の基板4に対して必要以上に補正移動させてしまう結果が起こり得る。   Therefore, when the amount of misalignment between the first and second substrates 3 and 4 is about 30 μm, the correction coefficient K obtained using the above equation (1) is “3” or “4”. When the first substrate 3 is moved with respect to the second substrate 4 with the correction movement amount calculated using the correction coefficient K, the first substrate 3 is moved more than necessary with respect to the second substrate 4. Can cause consequences.

そこで、第1、第2の基板3,4間の位置ずれ量に対してしきい値(たとえば20μm)を設定し、位置ずれ量がしきい値を超えた場合には、記憶部34に予め設定された補正係数K(たとえばK=1.2)を用いて補正移動量を算出する。   Therefore, a threshold value (for example, 20 μm) is set for the positional deviation amount between the first and second substrates 3 and 4, and if the positional deviation amount exceeds the threshold value, the storage unit 34 is preliminarily stored. A correction movement amount is calculated using the set correction coefficient K (for example, K = 1.2).

このようにすることで、上述の場合でも、第1の基板3を第2の基板4に対して必要以上に補正移動させる不具合を防止して位置合わせを迅速に行なうことができる。   By doing in this way, even in the above-described case, it is possible to prevent the problem of moving the first substrate 3 with respect to the second substrate 4 more than necessary and to perform alignment quickly.

なお、第1、第2の基板3,4間の位置ずれ量の算出、位置ずれ量としきい値との比較、比較結果に基く選択、つまり設定された補正係数を用いるか、上記(1)式による補正係数を用いるかの選択は、制御装置32の演算処理部33で行なうことができる。 It should be noted that the amount of misalignment between the first and second substrates 3 and 4 is compared, the amount of misalignment is compared with a threshold value, the selection is made based on the comparison result, that is, the set correction coefficient is used. The selection of whether to use the correction coefficient according to the equation can be performed by the arithmetic processing unit 33 of the control device 32.

補正係数Kも求め方の別の例として以下の方法がある。つまり、過去の複数回分のデータに基いて補正係数Kを求める方法である。データとは補正係数、第1、第2の基板3,4間の位置ずれ、第1の基板3を第2の基板4に位置合わせするための補正移動量などが考えられる。   Another example of how to obtain the correction coefficient K is the following method. That is, this is a method for obtaining the correction coefficient K based on a plurality of past data. The data may include a correction coefficient, a positional deviation between the first and second substrates 3 and 4, a correction movement amount for aligning the first substrate 3 with the second substrate 4, and the like.

たとえば、過去5回分のデータを用いる場合には、第1、第2の基板3,4間の位置合わせ回数が6回までは上述した実施の形態と同じ要領、つまり1回目は補正係数を用いないで位置合わせを行なう。そして、7回目以降の位置合わせに際しては、第1、第2の基板3,4間の位置ずれを測定する毎に、上記実施の形態と同じ要領で新たに補正係数を求めるとともに、この補正係数と今回以前の過去5回分の各補正係数とを用いて補正係数の平均値を算出し、算出された補正係数の平均値を用いて補正移動量を算出すればよい。   For example, when using data for the past five times, the same procedure as in the above-described embodiment is used until the number of alignments between the first and second substrates 3 and 4 is six, that is, the first time uses a correction coefficient. Do the alignment without. In the seventh and subsequent positioning, a new correction coefficient is obtained in the same manner as in the above embodiment every time the positional deviation between the first and second substrates 3 and 4 is measured. Then, the average value of the correction coefficients is calculated using the correction coefficients for the past five times before this time, and the correction movement amount is calculated using the calculated average value of the correction coefficients.

なお、上記第1の実施の形態では、補正係数Kが1よりも大きな数値を用いる例で説明したが、1よりも小さな数値を用いてもよい。   In the first embodiment, the correction coefficient K has been described as an example using a numerical value larger than 1. However, a numerical value smaller than 1 may be used.

すなわち、基板を保持テーブルに弾性部材を介して保持した場合、2枚の基板間の位置合わせを行なうときに基板間のシール剤や液晶等による接触抵抗によって弾性部材が位置合わせ方向である水平方向に弾性変形することがある。そして、変形した弾性性部材には復元力が生じ、この復元力は、両基板の位置合わせ中作用する。   That is, when the substrate is held on the holding table via the elastic member, the horizontal direction in which the elastic member is in the alignment direction due to the contact resistance between the substrate and the sealing agent or liquid crystal when the two substrates are aligned. May be elastically deformed. Then, a restoring force is generated in the deformed elastic member, and this restoring force acts during the alignment of both substrates.

そのため、位置合わせを複数回繰り返し、弾性部材の変形が蓄積され、しかも両基板間の補正移動量が小さくなったときには、1回の位置合わせが完了して基板間の位置ずれを再度検出するまでの間に、弾性部材の復元力によって両基板が相対的に移動し、補正移動量以上に基板が相対移動することも考えられる。そして、このように両基板が補正移動量以上に相対移動した場合には、上記(1)式によって求められた補正係数が、1よりも小さな数値となり得る。   Therefore, when the alignment is repeated a plurality of times, the deformation of the elastic member is accumulated, and the correction movement amount between the two substrates becomes small, until one alignment is completed and the positional deviation between the substrates is detected again. In the meantime, it is also conceivable that both substrates move relative to each other due to the restoring force of the elastic member, and the substrates move relative to the correction movement amount. Then, when both the substrates are moved relative to each other by the correction movement amount as described above, the correction coefficient obtained by the above equation (1) can be a numerical value smaller than 1.

また、上述を考慮して、基板間の位置合わせ回数や基板間の位置ずれ量にしきい値を設定し、位置合わせ回数がしきい値を超えたら、或いは基板間の位置ずれがしきい値以下になったときには、記憶部等に予め設定した1よりも小さな補正係数を用いるようにしてもよい。   In addition, considering the above, a threshold is set for the number of alignments between substrates and the amount of positional deviation between substrates, and when the number of alignments exceeds the threshold, or the positional deviation between substrates is less than the threshold. In such a case, a correction coefficient smaller than 1 preset in the storage unit or the like may be used.

上述した実施の形態では、第1、第2の基板3,4間の1回の位置合わせが完了する毎に、基板3,4間に位置ずれがあるか否かを測定するようにしたが、位置ずれがあるか否かに係わらず、基板3,4間の位置ずれが予め設定した許容値を外れているか否かを測定し、位置ずれが許容値を越えている場合にだけ再度、位置合わせを行なうようにしてもよい。   In the above-described embodiment, every time the alignment between the first and second substrates 3 and 4 is completed, it is measured whether there is a displacement between the substrates 3 and 4. Regardless of whether or not there is a positional deviation, it is measured whether or not the positional deviation between the substrates 3 and 4 deviates from a preset allowable value, and only when the positional deviation exceeds the allowable value, You may make it align.

上述した説明では、第1の基板3を第2の基板4に対して位置合わせしたが、第1、第2の基板3,4の位置決めは相対的なものである。したがって、第2の基板4を第1の基板3に対して位置合わせしてもよい。   In the above description, the first substrate 3 is aligned with the second substrate 4, but the positioning of the first and second substrates 3 and 4 is relative. Therefore, the second substrate 4 may be aligned with the first substrate 3.

上記実施の形態では、2枚の基板の間にスペーサによる位置合わせ方向の摩擦力が作用する状態で行なわれる位置合わせでの位置ずれ補正の例で説明したが、2枚の基板が液晶のみを介して接触する状態での位置合わせや、2枚の基板が液晶とシール剤の両方に接触して重なった状態での位置合わせにも適用することができる。要するに、この発明は、2枚の基板の間に位置合わせ方向の摩擦力が作用する状態で行なわれる位置合わせであれば適用可能である。   In the above-described embodiment, the example of the positional deviation correction in the alignment performed in a state where the frictional force in the alignment direction by the spacer acts between the two substrates has been described. It can also be applied to alignment in a state where the two substrates are in contact with each other, and alignment in a state where the two substrates are in contact with and overlap both the liquid crystal and the sealant. In short, the present invention is applicable as long as the alignment is performed in a state where a frictional force in the alignment direction acts between the two substrates.

また、上記一実施の形態では、第1の基板に液晶を予め滴下しておき、この第1の基板と第2の基板とを減圧されたチャンバ内で貼り合わせるようにしたが、2枚の基板を大気圧下で貼り合わせた後、これら基板間の隙間に液晶を注入して液晶表示パネルを製造する場合でも、この発明を適用することができる。
また、画像処理部を制御装置と別に設けたが、制御装置内に設けるようにしても差し支えない。
In the above embodiment, the liquid crystal is dropped in advance on the first substrate, and the first substrate and the second substrate are bonded together in a decompressed chamber. The present invention can be applied even when a liquid crystal display panel is manufactured by injecting liquid crystal into a gap between the substrates after bonding the substrates under atmospheric pressure.
Further, although the image processing unit is provided separately from the control device, it may be provided in the control device.

また、第1の保持テーブルに第1の基板を真空吸着で保持するようにしたが、第1の保持テーブルの保持面と第1の基板との間の摩擦力のみで保持するようにしてもよい。   In addition, the first substrate is held on the first holding table by vacuum suction, but may be held only by the frictional force between the holding surface of the first holding table and the first substrate. Good.

また、真空減圧下のチャンバ内で2枚の基板を貼り合わせるため、貼り合わせ時には真空吸着された第1の基板の保持力が低くなり、第1の基板が第1の保持テーブル上でずれ動いたが、2枚の基板をともに静電気力で、しかもほぼ同じ保持力で保持するようにすれば、位置合わせ時にどちらかの基板がずれ動くことになるが、いずれの基板がずれ動いたとしても相対的なずれ量は同じになるから、その位置ずれ量に基いて補正移動量を算出すれば、上記実施の形態と同様、高精度に位置合わせする事が可能である。   Further, since the two substrates are bonded together in a chamber under vacuum decompression, the holding force of the first substrate vacuum-adsorbed at the time of bonding is lowered, and the first substrate is displaced on the first holding table. However, if the two substrates are held with electrostatic force and almost the same holding force, one of the substrates will be displaced at the time of alignment. Since the relative shift amounts are the same, if the correction movement amount is calculated based on the positional shift amount, it is possible to perform alignment with high accuracy as in the above embodiment.

なお、どちらか一方の基板の保持力を他方の基板の保持力よりも弱くしておけば、位置合わせ時にずれ動く基板を特定することが可能である。   If the holding force of one of the substrates is made weaker than the holding force of the other substrate, it is possible to specify the substrate that shifts during alignment.

また、第1の基板と第2の基板の2枚の基板を貼り合わせる例で説明したが、これに限られるものでなく、貼り合わされた2枚の基板にさらに一枚以上の他の基板をシール剤を用いて間に液晶を封入した状態で貼り合わせるものにもこの発明を適用することが可能である。   In addition, the example in which the two substrates of the first substrate and the second substrate are bonded together has been described, but the present invention is not limited to this, and one or more other substrates are further added to the bonded two substrates. The present invention can also be applied to an adhesive that is bonded together with a liquid crystal sealed between them using a sealant.

この発明の一実施の形態に係る液晶表示パネルの組立て装置の概略的構成を示す説明図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Explanatory drawing which shows schematic structure of the assembly apparatus of the liquid crystal display panel which concerns on one embodiment of this invention. 2枚の基板を貼り合わせる貼り合わせ装置の断面図。Sectional drawing of the bonding apparatus which bonds two board | substrates. 制御系統のブロック図。The block diagram of a control system. 2枚の基板を貼り合わせるときの工程の一部を示すフローチャート。The flowchart which shows a part of process when bonding two board | substrates together. 図4の続きの工程を示すフローチャート。The flowchart which shows the process of the continuation of FIG. レジストパターンによってスペーサを形成した液晶表示パネルの一部を示す拡大断面図。The expanded sectional view which shows a part of liquid crystal display panel which formed the spacer with the resist pattern.

符号の説明Explanation of symbols

3…第1の基板、4…第2の基板、5…シール剤、8…液晶、11…貼り合わせ装置、15…第1の保持テーブル(保持装置)、18…第2の保持テーブル(保持装置)、21…撮像装置、22…第1の撮像カメラ、23…第2の撮像カメラ、31…画像処理部、32…制御装置、33…演算処理部、34…記憶部、35…駆動部。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 3 ... 1st board | substrate, 4 ... 2nd board | substrate, 5 ... Sealing agent, 8 ... Liquid crystal, 11 ... Bonding apparatus, 15 ... 1st holding table (holding apparatus), 18 ... 2nd holding table (holding) Device), 21 ... imaging device, 22 ... first imaging camera, 23 ... second imaging camera, 31 ... image processing unit, 32 ... control device, 33 ... arithmetic processing unit, 34 ... storage unit, 35 ... drive unit .

Claims (9)

シール剤又は液状物質を介して2枚の基板を接触させる工程と、
接触された2枚の基板の位置ずれ量を求める工程と、
上記位置ずれ量に補正係数を乗じた補正移動量で上記2枚の基板の少なくとも一方を移動させてこれら2枚の基板の位置ずれを補正する工程を具備し
接触された2枚の基板の位置ずれの補正を複数回にわたって行なう場合、上記補正係数をK、前回の基板の補正移動量をM、2枚の基板の前回のずれ量をδn、少なくとも一方の基板を補正移動量Mで移動させた後の今回のずれ量をδmとすると、
上記補正係数Kは、K=M/(δn−δm)であることを特徴とする基板の貼り合わせ方法。
Contacting two substrates through a sealant or a liquid substance;
Determining the amount of positional deviation between the two substrates in contact;
Comprising a step of correcting the positional deviation of these two substrates by moving at least one of the two substrates in the correction movement amount obtained by multiplying the compensation coefficient to the positional deviation amount,
When correcting the positional deviation of the two substrates in contact with each other a plurality of times, the correction coefficient is K, the correction movement amount of the previous substrate is M, the previous deviation amount of the two substrates is δn, and at least one of them is corrected. If the current shift amount after the substrate is moved by the correction movement amount M is δm,
The method for bonding substrates, wherein the correction coefficient K is K = M / (δn−δm) .
2枚の基板のどちらか一方に液状物質を封止するためのシール剤を塗布し、このシール剤によって上記2枚の基板を貼り合わせる貼り合わせ方法であって、
一方の基板と他方の基板とを上下方向に離間させて保持する工程と、
保持された2枚の基板を撮像しその撮像結果に基いてこれら2枚の基板の位置ずれ量を求める工程と、
上記位置ずれ量に基いて2枚の基板を位置合わせしその後これら基板を上記シール剤又は液状物質を介して接触させる工程と、
接触された2枚の基板を撮像しこれら2枚の基板の位置ずれ量を求める工程と、
接触された2枚の基板の位置ずれ量に補正係数を乗じた補正移動量で上記2枚の基板の少なくとも一方を移動させてこれら基板の位置ずれを補正する工程を具備し、
接触された2枚の基板の位置ずれの補正を複数回にわたって行なう場合、上記補正係数をK、前回の基板の補正移動量をM、2枚の基板の前回のずれ量をδn、少なくとも一方の基板を補正移動量Mで移動させた後の今回のずれ量をδmとすると、
上記補正係数Kは、K=M/(δn−δm)であることを特徴とする基板の貼り合わせ方法。
Applying a sealing agent for sealing a liquid substance to either one of two substrates, and bonding the two substrates together with this sealing agent,
A step of holding one substrate and the other substrate apart in the vertical direction;
Imaging two held substrates and determining the amount of positional deviation between the two substrates based on the imaging results;
Aligning the two substrates based on the amount of misalignment, and then contacting the substrates via the sealant or liquid material;
Imaging the two substrates in contact and determining the amount of positional deviation between the two substrates;
Correction moving amount obtained by multiplying the compensation coefficient to the displacement amount of the contacted two substrates by moving at least one of said two substrates comprises a step of correcting the positional deviation of the substrate,
When correcting the positional deviation of the two substrates in contact with each other a plurality of times, the correction coefficient is K, the correction movement amount of the previous substrate is M, the previous deviation amount of the two substrates is δn, and at least one of them is corrected. If the current shift amount after the substrate is moved by the correction movement amount M is δm,
The method for bonding substrates, wherein the correction coefficient K is K = M / (δn−δm) .
2枚の基板の少なくとも一方を移動させてこれら基板の位置ずれを補正した後、上記2枚の基板にずれがあるか否かを確認するための測定工程を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板の貼り合わせ方法。 2. A measuring step for confirming whether or not the two substrates are displaced after at least one of the two substrates is moved to correct the positional displacement of the substrates. Or the bonding method of the board | substrate of Claim 2 . 2枚の基板の少なくとも一方を移動させてこれら基板の位置ずれを補正する際の基板の補正移動量は、この補正移動の後で上記2枚の基板間にずれが生じる場合には、そのずれ量を相殺する移動量とすることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の基板の貼り合わせ方法。   The correction movement amount of the substrate when correcting the positional deviation of these substrates by moving at least one of the two substrates is the deviation if there is a deviation between the two substrates after the correction movement. 3. The method for bonding substrates according to claim 1, wherein the amount is a movement amount that cancels the amount. 上記補正係数Kに上限値と下限値を設定し、上記補正係数Kが下限値よりも小、又は上限値よりも大となったときには、補正係数Kとして上記下限値または上限値を用いることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の基板の貼り合わせ方法。  An upper limit value and a lower limit value are set for the correction coefficient K, and when the correction coefficient K is smaller than the lower limit value or larger than the upper limit value, the lower limit value or the upper limit value is used as the correction coefficient K. The method for bonding substrates according to claim 1 or 2, characterized in that: 少なくとも一方の基板が弾性部材を介して保持される場合に、位置合わせの回数が閾値に達したときには補正係数Kに代えて予め設定された1よりも小さな補正係数を用いることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の基板の貼り合わせ方法。 When at least one of the substrates is held via an elastic member, when the number of alignments reaches a threshold value , a correction coefficient smaller than 1 set in advance is used instead of the correction coefficient K. The method for bonding substrates according to claim 1 or 2. 2枚の基板のどちらか一方に液状物質を封止するためのシール剤を塗布し、このシール剤によって上記2枚の基板を貼り合わせる貼り合わせ装置であって、
一方の基板と他方の基板とをそれぞれ上下方向に離間させて保持するとともにこれら基板を相対的にX,Y,Z及びθ方向に駆動して上記2枚の基板を貼り合わせる保持装置と、
この保持装置によって保持された2枚の基板を撮像する撮像装置と、
この撮像装置の撮像結果に基いて2枚の基板の位置ずれ量を求めるとともに、この位置ずれ量に補正係数を乗じた補正移動量で上記2枚の基板の少なくとも一方を移動させてこれら基板の位置ずれを補正する制御装置を具備し、
上記制御装置は、上記補正係数をK、前回の基板の補正移動量をM、2枚の基板の前回のずれ量をδn、少なくとも一方の基板を補正移動量Mで移動させた後の今回のずれ量をδmとすると、
上記補正係数Kを、K=M/(δn−δm)の式に基いて算出することを特徴とする基板の貼り合わせ装置。
A bonding apparatus that applies a sealing agent for sealing a liquid substance to one of two substrates, and bonds the two substrates with the sealing agent,
A holding device for holding one substrate and the other substrate apart from each other in the vertical direction, and driving the substrates relatively in the X, Y, Z, and θ directions to bond the two substrates;
An imaging device for imaging two substrates held by the holding device;
Then the positional displacement amounts of the two substrates on the basis of the imaging result of the imaging device, these substrates by moving at least one of the two substrates in the correction movement amount obtained by multiplying the compensation coefficient to the positional deviation amount Comprising a control device for correcting the positional deviation of
The control apparatus sets the correction coefficient to K, the correction movement amount of the previous substrate to M, the previous shift amount of the two substrates to δn, and the current movement after moving at least one of the substrates by the correction movement amount M. If the amount of deviation is δm,
A substrate bonding apparatus , wherein the correction coefficient K is calculated based on an equation of K = M / (δn−δm) .
上記補正係数Kに上限値と下限値を設定し、上記補正係数Kが下限値よりも小、又は上限値よりも大となったときには、補正係数Kとして上記下限値または上限値を用いることを特徴とする請求項7記載の基板の貼り合わせ装置。  An upper limit value and a lower limit value are set for the correction coefficient K, and when the correction coefficient K is smaller than the lower limit value or larger than the upper limit value, the lower limit value or the upper limit value is used as the correction coefficient K. 8. A substrate bonding apparatus according to claim 7, wherein: 少なくとも一方の基板が弾性部材を介して保持される場合に、位置合わせの回数が閾値に達したときには、補正係数Kに代えて予め設定された1よりも小さな補正係数を用いることを特徴とする請求項7記載の基板の貼り合わせ装置。  When at least one of the substrates is held via an elastic member, when the number of alignments reaches a threshold value, a correction coefficient smaller than 1 set in advance is used instead of the correction coefficient K. The substrate bonding apparatus according to claim 7.
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