JP4645587B2 - 表示素子および表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、有機発光素子のような自発光型の表示素子および表示装置に係り、特に共振器構造を有する表示素子および表示装置に関する。

近年、液晶ディスプレイに代わる表示装置として、有機発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイが実用化されている。有機ＥＬディスプレイは、自発光型であるので、液晶などに比較して視野角が広く、また、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものと考えられている。

これまで、有機発光素子については、共振器構造を導入することによって、発光色の色純度を向上させたり、発光効率を高めるなど、発光層で発生する光を制御する試みが行われてきた（例えば、特許文献１参照）。
国際公開第０１／３９５５４号パンフレット 特開平９−１９０８８３号公報 特開２００６−３２３２７号公報

しかしながら、このように有機発光素子に共振器構造を設けると、共振された光のスペクトルはピークが高く幅が狭いので、表示画面に対して正面方向の光取り出し効率が向上する一方、画面を斜めから見た場合には発光波長が大きくシフトしたり発光強度が低下するという問題があった。すなわち、従来では、画面を視る角度により輝度の差異や色ずれが生じ、視野角特性の悪化や画像品位の低下などを招いてしまうという問題があった。

ちなみに、従来では、有機発光素子の視野角特性を改善するため、透明基板に凹面構造や光拡散層、光屈折層を形成することにより、光の出射方向を拡散させ、光の指向性を平均化することで視野角の拡大を図ろうとした試みがある（例えば、特許文献２参照。）。しかし、この従来方法では、透明基板に形成した凹面構造や光拡散層、光屈折層により外光も散乱され、外光コントラストが著しく悪化してしまうという問題が生じていた。

なお、特許文献３では、金属反射膜と透明導電膜との積層電極を用い、透明導電膜の厚みを変えることにより一つの素子内で光学的距離の異なる複数の共振器構造を設けることが提案されている。しかしながら、特許文献３の構造では、透明導電膜が必須となることに加えて一つの素子内で透明導電膜の厚みを変更する必要があり、そのための成膜およびパターニング工程が増加し、製造コストが上昇してしまうという問題があった。また、透明導電膜の厚みが変化する段差部は、非発光欠陥などの原因となりやすかった。その対策として段差部を絶縁膜で覆うことも考えられるが、開口率の低下を生じてしまっていた。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、外光コントラストを悪化させることなく視野角特性を向上させることができる表示素子および表示装置を提供することにある。

本発明による表示素子は、基板上に、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極を順に備えると共に、発光層で発生した光を第１端部と第２端部との間で共振させる共振器構造を有するものであって、基板に薄膜トランジスタおよび配線を含む画素駆動回路が設けられており、第１電極の一部は、薄膜トランジスタおよび配線のうち少なくとも一方の上に形成され、第１電極の発光層側の端面は、薄膜トランジスタおよび配線のうち少なくとも一方の形状に対応した段差形状を有する第１端部となっており、第１電極と第２電極との間に、段差形状を埋め込むと共に第２電極側に平坦な表面を有する距離調整層が設けられることにより、第２端部が平坦になると共に、段差形状に応じて第１端部と第２端部との間の光学的距離が異なっているものである。

本発明による表示装置は、上記本発明の表示素子を備えたものである。

本発明による表示素子、または本発明による表示装置では、第１電極の一部が、薄膜トランジスタおよび配線のうち少なくとも一方の上に形成され、共振器構造の第１端部が薄膜トランジスタおよび配線のうち少なくとも一方の形状に対応した段差形状を有しており、この段差形状が距離調整層によって埋め込まれ平坦化されることにより、第１端部と第２端部との間の光学的距離に段差形状に応じた差が生じているので、取り出される光のスペクトルのピーク波長が光学的距離に応じて異なっており、それらを合成したスペクトルの半値幅が広くなり、視野角特性が向上する。

本発明の表示素子、または本発明の表示装置によれば、第１電極の一部を、薄膜トランジスタおよび配線のうち少なくとも一方の上に形成し、共振器構造の第１端部が薄膜トランジスタおよび配線のうち少なくとも一方の形状に対応した段差形状を有するようにし、この段差形状を距離調整層によって埋め込み平坦化することにより、第１端部と第２端部との間の光学的距離に段差形状に応じた差を生じさせるようにしたので、取り出される光のスペクトルのピーク波長を光学的距離に応じて異ならせ、それらを合成したスペクトルの半値幅を広くすることができ、視野角特性を向上させることができる。

また、本発明の表示素子または表示装置によれば、従来のように透明基板に凹面構造や光拡散層、光屈折層など外光を散乱させるおそれのある構造を形成する必要がなくなるので、外光コントラストの悪化を引き起こすことがなく、更に製造コストの点でも有利である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。

（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る有機発光素子を用いた表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハあるいは樹脂などよりなる基板１１の上に、後述する複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が形成されると共に、この表示領域１１０の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が形成されたものである。

表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が形成されている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、後述する第１電極１５の下層に形成され、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有するアクティブ型の駆動回路である。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガー構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。

画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。

図３は、表示領域１１０の平面構成の一例を表したものである。表示領域１１０には、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に形成されている。なお、隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）１０を構成している。

図４は図３に示した有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの平面構成を表し、図５はそれらに共通の断面構成を表すものである。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、基板１１の側から、上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１、平坦化絶縁膜１３、段差形成層１４、陽極としての第１電極１５、電極間絶縁膜１６、距離調整層１７、後述する発光層１８Ｃを含む有機層１８、および陰極としての第２電極１９がこの順に積層された構成を有している。また、発光層１８Ｃは、平面形状において例えば中央部の第１領域２１と左右部の第２領域２２とに分けられている。

このような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、窒化ケイ素（ＳｉＮx ）などの保護膜３０により被覆され、更にこの保護膜３０上に接着層４０を間にしてガラスなどよりなる封止用基板５０が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。

また、この有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、第１電極１５は反射層としての機能を有する一方、第２電極１９が半透過性反射層としての機能を有しており、これら第１電極１５と第２電極１９とにより、発光層１８Ｃにおいて発生した光を共振させる共振器構造が構成されている。

すなわち、この有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、第１電極１５の発光層１８Ｃ側の端面を第１端部Ｐ１、第２電極１９の発光層１８Ｃ側の端面を第２端部Ｐ２とし、有機層１８を共振部として、発光層１８Ｃで発生した光を共振させて第２端部Ｐ２の側から取り出す共振器構造を有している。このように共振器構造を有するようにすれば、発光層１８Ｃで発生した光が多重干渉を起こし、一種の狭帯域フィルタとして作用することにより、取り出される光のスペクトルの半値幅が減少し、色純度を向上させることができる。また、封止用基板５０側から入射した外光についても多重干渉により減衰させることができ、後述するカラーフィルタ５１、または位相差板および偏光板（図示せず）との組合せにより有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける外光の反射率を極めて小さくすることができる。

駆動トランジスタＴｒ１は、平坦化絶縁膜１３に設けられた接続孔１３Ａを介して第１電極１５に電気的に接続されている。

平坦化絶縁膜１３は、画素駆動回路１４０が形成された基板１１の表面を平坦化するためのものであり、微細な接続孔１３Ａが形成されるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化絶縁膜１３の構成材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）などの無機材料が挙げられる。

段差形成層１４は、基板１１上の第２領域２２のみに設けられており、第１電極１５の発光層１８Ｃ側の端面に段差形状を形成するためのものである。段差形成層１４は、例えば、アルミニウム（Ａｌ），モリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。また、段差形成層１４は、酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ ）等の絶縁膜でもよい。

第１電極１５は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。第１電極１５は、例えば積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）が１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。第１電極１５の第２領域２２における一部は、段差形成層１４の上に形成されている。これにより、第１電極１５の発光層１８Ｃ側の端面、すなわち上述した共振器構造の第１端部Ｐ１は、段差形成層１４に対応する段差形状を有している。

電極間絶縁膜１６は、第１電極１５と第２電極１９との絶縁性を確保するとともに第１領域２１および第２領域２２からなる発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、例えば感光性樹脂により構成されている。電極間絶縁膜１６には、発光領域に対応して開口部が設けられている。なお、有機層１８および第２電極１９は、第１領域２１および第２領域２２だけでなく電極間絶縁膜１６の上にも連続して設けられているが、発光が生じるのは電極間絶縁膜１６の開口部だけである。

距離調整層１７は、段差形状に応じて第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離を異ならせるためのものであり、第１電極１５の段差形状を埋め込むと共に第２電極１９側に平坦な表面１７Ａを有している。すなわち、距離調整層１７を設けることにより、第２端部Ｐ２が平坦になると共に、第１領域２１における共振器の第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離Ｌ１（以下、単に「第１領域２１における光学的距離Ｌ１」という。）と、第２領域２２における共振器の第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離Ｌ２（以下、単に「第２領域２２における光学的距離Ｌ２」という。）とが互いに異なっている。これにより、この有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、第１領域２１および第２領域２２の各々における共振器の共振波長（取り出される光のスペクトルのピーク波長）を異ならせ、第１領域２１および第２領域２２の各々から取り出される光のスペクトルを合成したスペクトルの半値幅を広くして、視野角特性を向上させることができるようになっている。

そのためには、第１領域２１における光学的距離Ｌ１と、第２領域２２における光学的距離Ｌ２とは数１を満たすようにすることが好ましい。

（数１）
Ｌ１＝Ｌave ＋ΔＬ
Ｌ２＝Ｌave −ΔＬ
（２Ｌave ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
（式中、Ｌave は第１領域２１における光学的距離Ｌ１と第２領域２２における光学的距離Ｌ２との平均光学的距離、Φは第１端部Ｐ１で生じる反射光の位相シフトΦ₁ と第２端部Ｐ２で生じる反射光の位相シフトΦ₂ との和（Φ＝Φ₁ ＋Φ₂ ）（ｒａｄ）、λは第２端部Ｐ２の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長、ｍはＬave が正となる整数をそれぞれ表す。なお、数１においてＬ１，Ｌ２，Ｌave およびλは単位が共通すればよいが、例えば（ｎｍ）を単位とする。）

数１において、平均光学的距離Ｌave に関する第３式は、共振器の共振波長（取り出される光のスペクトルのピーク波長）と、取り出したい光のスペクトルのピーク波長とを一致させ、光取り出し効率を最大とするためのものである。この平均光学的距離Ｌave は、実際には、数１の第３式のｍが０または１の場合が好ましい。

数１から分かるように、本実施の形態では、次数ｍを同一としても第１領域２１の光学的距離Ｌ１と第２領域２２の光学的距離Ｌ２とを互いに異ならせることができる。よって、例えばｍ＝１とすれば、有機層１８の厚みを厚くして非発光欠陥を低減することができ、生産性の向上と良好な視野角特性とを両立させることができる。これに対して、従来の特許文献３では、光学的距離に差を設けるために次数ｍを例えば０，１と異ならせるようにしていたので、ｍ＝０の領域ではｍ＝１の領域に比べて有機層の厚みが薄くなり、非発光欠陥などが増加しやすくなってしまっていた。また、ｍ＝０とｍ＝１との光学的距離の差（｜Ｌ２−Ｌ１｜）は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）や有機層の厚みに換算すると青色で１２０ｎｍ程度と大きくなるので、次数ｍを同一にする場合に比べて段差を形成するプロセスは困難となってしまっていた。

数１の第１式および第２式におけるΔＬは、平均光学的距離Ｌave の５％以内であることが好ましく、２％以上５％以内であればより好ましい。５％より大きいと光取り出し効率が大幅に低減するおそれがあり、２％より小さいと十分な効果が得られないからである。

図６は、数１がｍ＝１のときに成り立つ条件で、ΔＬを変えた場合に、第１領域２１および第２領域２２の各々の共振器フィルタのスペクトルを合成したスペクトルを表すものである。なお、有機発光素子は、第１電極１５上に、厚み９５ｎｍの正孔注入層、厚み９５ｎｍの正孔輸送層、緑色の光を発生する厚み２５ｎｍの発光層、厚み２０ｎｍの電子輸送層、および厚み８ｎｍの第２電極を順に積層した構成とし、第１領域２１と第２領域２２との面積比は１：１、取り出したい光のスペクトルのピーク波長λは５３０ｎｍとした。

図６に示したように、ΔＬを平均光学的距離Ｌave の±５％とした場合には、±０％すなわち第１領域２１における光学的距離Ｌ１と第２領域２２における光学的距離Ｌ２とを等しくした場合、または±２％とした場合に比べて、合成したスペクトルの半値幅が広くなっている。つまり、共振器効果が緩和されていることが分かる。

図７および図８は、数１がｍ＝１のときに成り立つ条件で、ΔＬを変えた場合に、画面を正面から見たとき（視野角０°）に対する、斜め４５°方向から見たとき（視野角４５°）の相対輝度および色差Δｕ’ｖ’と、有機層１８の厚みばらつきとの関係をそれぞれ表したものである。なお、有機発光素子の構成、第１領域２１と第２領域２２との面積比および取り出したい光のスペクトルのピーク波長λは、図６に示した場合と同一とした。

図７に示したように、ΔＬを平均光学的距離Ｌave の±５％とした場合には、±０％または±２％とした場合に比べて、視野角による輝度変化が小さくなっている。また、図８に示したように、有機層１８の厚みのばらつきが２％以上の範囲内では色差Δｕ’ｖ’の最大値も低減されている。つまり、視野角特性の改善が可能であることが分かる。

なお、図６いし図８ではｍ＝１の場合について説明したが、ｍ＝０を含むその他のｍ値の場合についても同様の効果が得られる。

このような距離調整層１７は、第１電極１５と第２電極１９の間に設けられていればよく、その位置や構成材料は特に限定されないが、例えば、第１電極１５と有機層１８の間に設けられると共に、後述する有機層１８の正孔注入層１８Ａと同一の材料により構成されていることが好ましい。正孔注入層１８Ａを兼ねることができるからである。あるいは、距離調整層１７は、有機層１８の正孔注入層１８Ａと発光層１８Ｃとの間に設けられると共に、正孔輸送層１８Ｂと同一の有機材料により構成され、正孔輸送層１８Ｂを兼ねていてもよい。また、距離調整層１７は、図９に示したように、正孔注入層１８Ａまたは正孔輸送層１８Ｂとは別に設けられていてもよい。

図５に示した有機層１８は、例えば、第１電極１５の側から順に、正孔注入層１８Ａ，正孔輸送層１８Ｂ，発光層１８Ｃおよび電子輸送層１８Ｄを積層した構成を有するが、これらのうち発光層１８Ｃ以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機層１８は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層１８Ａは、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層１８Ｂは、発光層１８Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１８Ｃは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層１８Ｄは、発光層１８Ｃへの電子輸送効率を高めるためのものである。なお、電子輸送層１８Ｄと第２電極１９との間には、ＬｉＦ，Ｌｉ₂ Ｏなどよりなる電子注入層（図示せず）を設けてもよい。

有機発光素子１０Ｒの正孔注入層１８Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層１８Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの発光層１８Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ₃ ）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層１８Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ₃ により構成されている。

有機発光素子１０Ｇの正孔注入層１８Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層１８Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの発光層１８Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ₃ にクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を３体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの電子輸送層１８Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ₃ により構成されている。

有機発光素子１０Ｂの正孔注入層１８Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層１８Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの発光層１８Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、スピロ６Φ（ｓｐｉｒｏ６Φ）により構成されている。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層１８Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ₃ により構成されている。

図５に示した第２電極１９は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。

図５に示した接着層４０は、例えば熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂により構成されている。

図５に示した封止用基板５０は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１９の側に位置しており、接着層４０と共に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止するものであり、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板５０には、例えば、カラーフィルタ５１が設けられており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光を取り出すと共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。

カラーフィルタ５１は、封止用基板５０のどちら側の面に設けられてもよいが、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの側に設けられることが好ましい。カラーフィルタ５１が表面に露出せず、接着層４０により保護することができるからである。また、発光層１８Ｃとカラーフィルタ５１との間の距離が狭くなることにより、発光層１８Ｃから出射した光が隣接する他の色のカラーフィルタ５１に入射して混色を生じることを避けることができるからである。カラーフィルタ５１は、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタ（いずれも図示せず）を有しており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して順に配置されている。

赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。これら赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。

更に、カラーフィルタ５１における透過率の高い波長範囲と、共振器構造から取り出したい光のスペクトルのピーク波長λとは一致している。これにより、封止用基板５０から入射する外光のうち、取り出したい光のスペクトルのピーク波長λに等しい波長を有するもののみがカラーフィルタ５１を透過し、その他の波長の外光が有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに侵入することが防止される。

この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。

図１０ないし図１２は、この表示装置の製造方法を工程順に表すものである。まず、図１０（Ａ）に示したように、上述した材料よりなる基板１１の上に駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０を形成したのち、全面に感光性樹脂を塗布することにより平坦化絶縁膜１３を形成し、露光および現像により平坦化絶縁膜１３を所定の形状にパターニングすると共に接続孔１３Ａを形成し、焼成する。

次いで、図１０（Ｂ）に示したように、例えばスパッタ法により上述した材料よりなる段差形成層１４を形成する。続いて、段差形成層１４の上にリソグラフィ技術を用いてレジストパターン（図示せず）を形成し、このレジストパターンをマスクとしたウェットエッチングにより段差形成層１４を選択的に除去し、第２領域２２のみに段差形成層１４を形成する。

そののち、図１１（Ａ）に示したように、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなる第１電極１５を形成し、ウェットエッチングにより第１電極１５を選択的に除去して各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに分離する。これにより、第１電極１５の上面には、図５に示したような段差形状が形成される。

第１電極１５を形成したのち、同じく図１１（Ａ）に示したように、基板１１の全面にわたり感光性樹脂を塗布し、例えばフォトリソグラフィ法により第１領域２１および第２領域２２からなる発光領域に対応して開口部を設け、焼成することにより、電極間絶縁膜１６を形成する。

電極間絶縁膜１６を形成したのち、図１１（Ｂ）に示したように、第１電極１５の上に、例えば真空蒸着法により、上述した材料よりなる距離調整層１７を形成する。この距離調整層１７をその構成材料のガラス転移点以上の温度に加熱することにより、図１２に示したように、第１電極１５の段差形状を埋め込むと共に上面１７Ａを平坦化する。

距離調整層１７を形成したのち、例えば蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる正孔注入層１８Ａ，正孔輸送層１８Ｂ，発光層１８Ｃ，電子輸送層１８Ｄおよび第２電極１９を順次成膜し、図５に示したような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する。このとき、距離調整層１７により第１電極１５の段差形状が埋め込まれると共に上面１７Ａが平坦な表面となっているので、第２電極１９の発光層１８Ｃ側の端面すなわち第２端部Ｐ２が平坦になる。続いて、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に上述した材料よりなる保護膜３０を形成する。

また、例えば、上述した材料よりなる封止用基板５０の上に、赤色フィルタの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタを形成する。続いて、赤色フィルタと同様にして、青色フィルタおよび緑色フィルタを順次形成する。

そののち、保護膜３０の上に、接着層４０を形成し、この接着層４０を間にして封止用基板５０を貼り合わせる。その際、封止用基板５０のカラーフィルタ５１を形成した面を、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ側にして配置することが好ましい。以上により、図３に示した表示装置が完成する。

このようにして得られた表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第１電極１５と第２電極１９との間で多重反射し、第２電極１９，カラーフィルタ５１および封止用基板５０を透過して取り出される。このとき、本実施の形態では、図５に示したように、共振器構造の第１端部Ｐ１が段差形状を有しており、この段差形状が距離調整層１７によって埋め込まれ平坦化されることにより、第２端部Ｐ２が平坦になると共に、第１領域２１における光学的距離Ｌ１と第２領域２２における光学的距離Ｌ２が互いに異なっているので、取り出される光のスペクトルは第１領域２１と第２領域２２とではそのピーク波長が異なる。従って、各素子において取り出される光はそれらを合成したものとなり、そのスペクトルの半値幅が、従来の素子全体で光学的距離を同じとしたものに比べて広くなる、すなわち視野角特性が向上する。

このように本実施の形態では、共振器構造の第１端部Ｐ１が段差形状を有するようにし、この段差形状を距離調整層１７によって埋め込み平坦化することにより、第２端部Ｐ２を平坦にすると共に、第１領域２１における光学的距離Ｌ１と第２領域２２における光学的距離Ｌ２とを互いに異ならせるようにしたので、第１領域２１および第２領域２２の各々から取り出される光のスペクトルのピーク波長を異ならせ、それらを合成したスペクトルの半値幅を広くすることができ、視野角特性を向上させることができる。また、従来のように透明基板に凹面構造や光拡散層、光屈折層など外光を散乱させるおそれのある構造を形成する必要がなくなるので、外光コントラストの悪化を引き起こすことがなく、更に製造コストの点でも有利である。

更に、光学的距離を調整するための透明導電膜は不要となり、非発光欠陥の発生や開口率の低下などのおそれはない。更に、透明導電膜の厚みを変えるための複雑なパターニング工程も不要であり、製造コストの点でも有利である。よって、簡素な構成および工程により高品質な有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを備えた表示装置を実現することができる。

（第２の実施の形態）
図１３は、本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの断面構成を表すものである。この有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、第１電極１５の発光層１８Ｃ側の界面に段差を形成するため、画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１と第１電極１５との配置関係を調節し、段差形成層１４を設けないようにしたことを除いては、第１の実施の形態で説明した表示装置と同一であるので、以下、同一の構成要素には同一の符号を付して説明する。

駆動トランジスタＴｒ１は、基板１１上の第２領域２２に設けられている。この駆動トランジスタＴｒ１によって生じる段差を十分に大きくすることにより、平坦化絶縁膜１３の表面に駆動トランジスタＴｒ１を反映した段差が残る。これにより、第１電極１５の発光層１８Ｃ側の端面、すなわち共振器構造の第１端部Ｐ１に、駆動トランジスタＴｒ１の形状に対応した段差形状をもたせることができる。このことを除いては、第１電極１５は第１の実施の形態と同様に構成されている。

なお、図１３では、駆動トランジスタＴｒ１として逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）のものを表している。この駆動トランジスタＴｒ１は、例えば、基板１１上にモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）またはクロム（Ｃｒ）などの金属材料よりなるゲート電極１５１が設けられ、このゲート電極１５１を覆うように、窒化シリコンまたは酸化シリコンよりなるゲート絶縁膜１５２およびアモルファスシリコンなどの半導体薄膜よりなるチャネル層１５３が順に形成されている。ゲート電極１５１上方のチャネル層１５３の中央領域には、絶縁性のチャネル保護膜１５４が設けられている。チャネル層１５３のチャネル保護膜１５４から露出した両側の領域には、ｎ型アモルファスシリコンなどのｎ型半導体薄膜よりなるソース電極１５５Ｓおよびドレイン電極１５５Ｄが形成されている。これらソース電極１５５Ｓおよびドレイン電極１５５Ｄは、チャネル保護膜１５４により互いに分離されると共に、チタン（Ｔｉ）層，アルミニウム（Ａｌ）層およびチタン（Ｔｉ）層を順に積層したソース配線１５６Ｓおよびドレイン配線１５６Ｄがそれぞれ形成されており、さらに全体が窒化シリコンなどよりなる保護膜１５７で覆われている。ちなみに、スタガー構造（いわゆるトップゲート型）の駆動トランジスタＴｒ１の構成は、上述した構成要素の積層順が逆になることを除いては同様である。

第１領域２１における光学的距離Ｌ１と、第２領域２２における光学的距離Ｌ２とは第１の実施の形態と同様に数１を満たすことが好ましい。

この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。

まず、基板１１上に画素駆動回路１４０を形成する。その際、第２領域２２に駆動トランジスタＴｒ１を形成する。すなわち、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなるゲート電極１５１を形成し、例えばフォトリソグラフィ法およびドライエッチングまたはウェットエッチングにより所定のパターンに成形する。次いで、基板１１の全面に上述した材料よりなるゲート絶縁膜１５２を形成する。続いて、ゲート絶縁膜１５２の上に、上述した材料よりなるチャネル層１５３，チャネル保護膜１５４，ソース電極１５５Ｓおよびドレイン電極１５５Ｄ，並びにソース配線１５６Ｓおよびドレイン配線１５６Ｄを順に所定の形状に形成する。そののち、全体を上述した材料よりなる保護膜１５７で覆うことにより、駆動トランジスタＴｒ１が形成される。

駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０を形成したのち、第１の実施の形態と同様にして、平坦化絶縁膜１３，第１電極１５，電極間絶縁膜１６，距離調整層１７，有機層１８および第２電極１９を順に形成し、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する。

そののち、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に保護膜３０および接着層４０を形成し、カラーフィルタ５１を設けた封止用基板５０を貼り合わせる。以上により、図１３に示した表示装置が完成する。

この表示装置の作用は、第１の実施の形態と同様である。

このように本実施の形態では、駆動トランジスタＴｒ１によって生じる段差を利用して、共振器構造の第１端部Ｐ１に、駆動トランジスタＴｒ１の形状に対応した段差形状をもたせるようにしたので、第１の実施の形態と同様の効果に加えて、段差形成層１４を形成する必要がなくなり、構成および製造工程をより簡素化することができる。

なお、本実施の形態では、第１電極１５を駆動トランジスタＴｒ１の上に形成することにより第１端部Ｐ１に段差形状をもたせるようにした場合について説明したが、駆動トランジスタＴｒ１に限らず、保持容量Ｃｓまたは書き込みトランジスタＴｒ２と第１電極１５との配置関係により第１端部Ｐ１に段差形状をもたせるようにしてもよい。

また、基板１１上の第２領域２２に信号線１２０Ａ，走査線１３０Ａあるいは電源ライン等の配線を配置し、その上に第１電極１５を形成するようにしてもよい。この場合、段差をより大きくするために、配線の厚みを厚くするようにすれば、配線抵抗を下げ、表示装置の大型化にも有利になる。あるいは、段差をより大きくするために、配線を多層化するようにすれば、開口率を高めることができ、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに流れる電流密度を低減して寿命を向上させることができる。

更に、第２電極１９の抵抗を下げるために補助配線を形成する場合には、第１電極１５をこの補助配線の上に形成することにより第１端部Ｐ１に段差形状をもたせることも可能である。

更に、本実施の形態の駆動トランジスタＴｒ１，配線または補助配線に加えて、平坦化絶縁膜１３上にも第１の実施の形態と同様の段差形成層１４を形成するようにしてもよい。

（第３の実施の形態）
図１４は、本発明の第３の実施の形態に係る表示装置の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの断面構成を表すものである。この有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、段差形成層１４を、駆動トランジスタＴｒ１と同じ材料により構成するようにしたことを除いては、第１の実施の形態で説明した表示装置と同一であるので、以下、同一の構成要素には同一の符号を付して説明する。

段差形成層１４は、基板１１上の第２領域２２に設けられ、駆動トランジスタＴｒ１のソース配線１５６Ｓおよびドレイン配線１５６Ｄと同じ材料により構成されている。すなわち、段差形成層１４は、例えば、チタン（Ｔｉ）層１６６Ａ，アルミニウム（Ａｌ）層１６６Ｂおよびチタン（Ｔｉ）層１６６Ｃと、保護膜１５７とをこの順に積層した構成を有している。

この段差形成層１４の上には、平坦化絶縁膜１３を間にして第１電極１５が形成されている。段差形成層１４によって生じる段差を十分に大きくすることにより、平坦化絶縁膜１３の表面に段差形成層１４を反映した段差が残る。これにより、第１電極１５の発光層１８Ｃ側の端面、すなわち共振器構造の第１端部Ｐ１に、駆動トランジスタＴｒ１の形状に対応した段差形状をもたせることができる。このことを除いては、第１電極１５は第１の実施の形態と同様に構成されている。

第１領域２１における光学的距離Ｌ１と、第２領域２２における光学的距離Ｌ２とは第１の実施の形態と同様に数１を満たすことが好ましい。

この表示装置は、例えば、画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１を形成する際に、基板１１上の第２領域２２に上述した材料および積層構成の段差形成層１４を形成することを除いては、第２の実施の形態と同様にして製造することができる。

この表示装置の作用・効果は、第２の実施の形態と同様である。

なお、本実施の形態では、段差形成層１４を、駆動トランジスタＴｒ１のソース配線１５６Ｓおよびドレイン配線１５６Ｄと同じ材料および積層構成で形成するようにした場合について説明したが、段差形成層１４は、駆動トランジスタＴｒ１の他の層と同じ材料および積層構成を有していてもよい。例えば、図１５に示したように、段差形成層１４は、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極１５１と同じ材料よりなる層１６１，ゲート絶縁膜１２２，チャネル層１５３と同じ材料よりなる層１６３，チャネル保護層１５４と同じ材料よりなる層１６４，ソース電極１５５Ｓおよびドレイン電極１５５Ｄと同じ材料よりなる層１６５，並びにソース配線１５６Ｓおよびドレイン配線１５６Ｄと同じ材料よりなる層１６６により構成されていてもよい。このように駆動トランジスタＴｒ１のより多くの層を利用して段差形成層１４を構成することにより、より高い段差を形成することができる。

また、段差形成層１４は、保持容量Ｃｓあるいは書き込みトランジスタＴｒ２、または、信号線１２０Ａ，走査線１３０Ａあるいは電源ライン等の配線と同じ材料および積層構成としてもよいし、第２電極１９の抵抗を下げるための補助配線と同じ材料および積層構成としてもよい。

更に、本実施の形態の段差形成層１４に加えて、平坦化絶縁膜１３上にも第１の実施の形態と同様の段差形成層１４を形成し、より高い段差を形成するようにしてもよい。

（第４の実施の形態）
次に、本発明の第４の実施の形態に係る表示装置について説明する。この表示装置は、図１６に示したように、第１電極１５が、基板１１上に設けられた凹凸構造６１の上に形成されていることを除いては、第１の実施の形態で説明した表示装置と同一である。

凹凸構造６１は、例えば感光性樹脂により構成され、第１電極１５側の表面に凹凸形状を有している。この凹凸構造６１は、図１６に示したような一つの層により構成されたものでもよいし、図１７に示したような複数の突起部６１Ａと、この突起部６１Ａを覆う連続した被覆層６１Ｂとを有し、被覆層６１Ｂの第１電極１５側の表面が突起部６１Ａに対応した凹凸形状となっているものでもよい。なお、凹凸構造６１は、第１の実施の形態で説明した平坦化絶縁膜１３を兼ねると共に接続孔６１Ｃを有していてもよい。

第１電極１５の発光層１８Ｃ側の端面は、凹凸構造６１に対応した連続的な凹凸形状を有する第１端部Ｐ１となっている。第１電極１５の上には、凹凸形状を埋め込むと共に発光層１８Ｃ側に平坦な表面１７Ａを有する距離調整層１７が設けられており、第２端部Ｐ２が平坦になると共に、第１端部Ｐ１の凹凸形状に応じて第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離Ｌが連続的に変化している。これにより、この有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、取り出される光のスペクトルのピーク波長を光学的距離Ｌに応じて連続的に変化させ、それらを合成したスペクトルの半値幅を広くして、視野角特性を向上させることができるようになっている。

第１端部Ｐ１の凹凸形状は例えば平均傾斜角が２°以下の超低角度の凹凸であることが好ましい。傾斜角の大きな凹凸形状では、外光散乱が大きくなり、コントラストの低下を生じるおそれがあるからである。

距離調整層１７は、例えば、有機層１８の正孔注入層１８Ａまたは正孔輸送層１８Ｂと同一の有機材料により構成されており、正孔注入層１８Ａまたは正孔輸送層１８Ｂを兼ねていてもよい。また、距離調整層１７は、図１８に示したように、正孔注入層１８Ａまたは正孔輸送層１８Ｂとは別に設けられていてもよい。

この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。

図１９および図２０は、この表示装置の製造方法を工程順に表すものである。この製造方法は、図１６に示したような単層の凹凸構造６１の上に第１電極１５を形成する場合を表している。

まず、図１９（Ａ）に示したように、駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０を形成した基板１１の上に、感光性樹脂を塗布することにより感光性樹脂膜７１を形成する。

次いで、図１９（Ｂ）に示したように、例えばハーフトーンレチクル７２または二枚のレチクルを用いたフォトリソグラフィ法により感光性樹脂膜７１を露光・現像し、凹凸構造６１を形成する。その際、超低角度の凹凸を形成する方法としては、例えば、露光に用いるレチクルのパターンを露光機の解像度よりも微細なパターンとするようにしてもよく、あるいはこれに限らず他の方法を用いてもよい。また、凹凸構造６１が平坦化絶縁膜１３を兼ねる場合には、同時に接続孔６１Ｃを形成してもよい。

続いて、図２０（Ａ）に示したように、凹凸構造６１を焼成したのち、この凹凸構造６１の上に、例えばスパッタ法により第１電極１５を形成する。これにより、第１電極１５の発光層１８Ｃ側の端面に、凹凸構造６１に対応した連続的な凹凸形状が形成される。そののち、同じく図２０（Ａ）に示したように、第１の実施の形態と同様にして感光性樹脂を塗布し、例えばフォトリソグラフィ法により成形し、焼成することにより、電極間絶縁膜１６を形成する。

電極間絶縁膜１６を形成したのち、第１電極１５の上に、例えば真空蒸着法により上述した材料よりなる距離調整層１７を形成し、距離調整層１７の構成材料のガラス転移点以上の温度に加熱することにより、図２０（Ｂ）に示したように、距離調整層１７の発光層１８Ｃ側の表面１７Ａを平坦化する。

距離調整層１７を形成したのち、この距離調整層１７の上に、有機層１８および第２電極１９を順次成膜する。その際、距離調整層１７と正孔注入層１８Ａまたは正孔輸送層１８Ｂとを同一材料により構成した場合、正孔注入層１８Ａまたは正孔輸送層１８Ｂを距離調整層１７とは別に再度形成してもよいし、それらを省略して発光層１８Ｃおよび電子輸送層１８Ｄのみを形成してもよい。

そののち、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に保護膜３０および接着層４０を形成し、カラーフィルタ５１を設けた封止用基板５０を貼り合わせる。以上により、図１６に示した表示装置が完成する。

また、この表示装置は、次のようにして製造することもできる。

図２１および図２２は、この表示装置の他の製造方法を工程順に表すものである。この製造方法は、図１７に示したような複数の突起部６１Ａを被覆層６１Ｂで覆った凹凸構造６１の上に第１電極１５を形成する場合を表している。

まず、図２１（Ａ）に示したように、駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０を形成した基板１１の上に、感光性樹脂を塗布することにより感光性樹脂膜を形成し、この感光性樹脂膜を、例えばマスク８１を用いたフォトリソグラフィ法により露光・現像して突起部６１Ａを形成し、焼成する。

次いで、図２１（Ｂ）に示したように、突起部６１Ａを形成した基板１１の上に再び感光性樹脂を塗布することにより突起部６１Ａを被覆層６１Ｂで覆う。

続いて、図２２（Ａ）に示したように、例えばマスク８２を用いたフォトリソグラフィ法により被覆層６１Ｂに接続孔６１Ｃを形成し、焼成する。

続いて、図２２（Ｂ）に示したように、凹凸構造６１の上に、例えばスパッタ法により第１電極１５を形成する。これにより、第１電極１５の発光層１８Ｃ側の端面に、凹凸構造６１に対応した連続的な凹凸形状が形成される。

そののち、上述した製造方法と同様にして感光性樹脂を塗布し、例えばフォトリソグラフィ法により成形し、焼成することにより、電極間絶縁膜１６を形成する。続いて、上述した製造方法と同様にして、第１電極１５の上に距離調整層１７を形成し、距離調整層１７の構成材料のガラス転移点以上の温度に加熱することにより、距離調整層１７の発光層１８Ｃ側の表面１７Ａを平坦化する。

距離調整層１７を形成したのち、上述した製造方法と同様にして、有機層１８および第２電極１９を順次成膜する。そののち、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に保護膜３０および接着層４０を形成し、カラーフィルタ５１を設けた封止用基板５０を貼り合わせる。以上により、図１７に示した表示装置が完成する。

この表示装置では、第１電極１５と第２電極１９との間に所定の電圧が印加されると、第１の実施の形態と同様にして発光が起こり、この光は、第１電極１５と第２電極１９との間で多重反射し、第２電極１９の側から取り出される。このとき、第１端部Ｐ１が連続的な凹凸形状を有しており、この凹凸形状が距離調整層１７によって埋め込まれ平坦化されることにより光学的距離Ｌが連続的に変化しているので、取り出される光のスペクトルのピーク波長も光学的距離Ｌに応じて連続的に変化しており、それらを合成したスペクトルの半値幅が広くなる。よって、視野角特性が向上する。

このように本実施の形態では、第１端部Ｐ１が連続的な凹凸形状を有するようにし、この凹凸形状を距離調整層１７で埋め込み平坦化することにより光学的距離Ｌを連続的に変化させるようにしたので、取り出される光のスペクトルのピーク波長を光学的距離Ｌに応じて連続的に変化させることができ、視野角特性を向上させることができる。

以上、第１〜第４の実施の形態では、光学的距離の異なる領域を各有機発光素子内に設けるようにしたが、隣り合う同一色の有機発光素子間において光学的距離を異ならせるようにしてもよい。以下、その例について説明する。

（第５の実施の形態）
図２３は、本発明の第５の実施の形態に係る表示装置の表示領域１１０の平面構成の一例を表したものである。この表示装置では、隣り合う画素１０１，１０２に含まれ、発光波長が同じ有機発光素子１０Ｒ１，１０Ｒ２において、第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離ＬＲ１，ＬＲ２が互いに異なっている。同様に、有機発光素子１０Ｇ１，１０Ｇ２においても光学的距離ＬＧ１，ＬＧ２が互いに異なり、また、有機発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２においても光学的距離ＬＢ１，ＬＢ２が互いに異なっている。有機発光素子１０Ｒ１，１０Ｒ２，１０Ｇ１，１０Ｇ２，１０Ｂ１，１０Ｂ２それぞれの内部では第１領域２１および第２領域２２に分けられておらず、各素子内における光学的距離は同一である。これにより、この表示装置では、発光波長の同じ有機発光素子１０Ｒ１，１０Ｒ２、１０Ｇ１，１０Ｇ２、１０Ｂ１，１０Ｂ２から取り出される光のスペクトルのピーク波長を異ならせることができ、視野角特性を向上させることができるようになっている。

画素１０１，１０２は、例えば交互に配置されているが、直線状に並んでいてもよく、視認上問題ない範囲であればこの限りではない。なお、図２３では、画素１０１に網掛けを施して表している。

図２４は、隣り合う画素１０１，１０２の断面構成を表したものである。基板１１の画素１０２の領域には段差形成層１４が形成されている。画素１０２の第１電極１５は、この段差形成層１４の上に形成されており、これにより、画素１０１の第１電極１５と画素１０２の第１電極１５との間には、高低差が設けられている。すなわち、画素１０１，１０２の第１電極１５の発光層１８Ｃ側の端面は、段差形成層１４に対応する高低差を有する第１端部Ｐ１となっている。また、第１電極１５上には、画素１０１，１０２の第１電極１５の高低差を埋め込むと共に第２電極１９側に平坦な表面１７Ａを有する距離調整層１７が設けられており、第２端部Ｐ２が平坦になると共に、画素１０１，１０２の第１電極１５の高低差に応じて第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離が異なっている。このことを除いては、有機発光素子１０Ｒ１，１０Ｒ２、１０Ｇ１，１０Ｇ２、１０Ｂ１，１０Ｂ２は第１の実施の形態と同様に構成されている。

距離調整層１７は、第１の実施の形態と同様に、有機層１８の正孔注入層１８Ａまたは正孔輸送層１８Ｂと同一の有機材料により構成されており、正孔注入層１８Ａまたは正孔輸送層１８Ｂを兼ねていてもよい。また、図示しないが、距離調整層１７は、正孔注入層１８Ａまたは正孔輸送層１８Ｂとは別に設けられていてもよい。

有機発光素子１０Ｒ１における光学的距離ＬＲ１と、有機発光素子１０Ｒ２における光学的距離ＬＲ２とは数２を満たすことが好ましい。有機発光素子１０Ｇ１における光学的距離ＬＧ１と、有機発光素子１０Ｇ２における光学的距離ＬＧ２とは数３を満たすことが好ましい。有機発光素子１０Ｂ１における光学的距離ＬＢ１と、有機発光素子１０Ｂ２における光学的距離ＬＢ２とは数４を満たすことが好ましい。

（数２）
ＬＲ１＝ＬＲave ＋ΔＬＲ
ＬＲ２＝ＬＲave −ΔＬＲ
（２ＬＲave ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
（式中、ＬＲave は有機発光素子１０Ｒ１における光学的距離ＬＲ１と有機発光素子１０Ｒ２における光学的距離ＬＲ２との平均光学的距離、Φは第１端部Ｐ１で生じる反射光の位相シフトΦ₁ と第２端部Ｐ２で生じる反射光の位相シフトΦ₂ との和（Φ＝Φ₁ ＋Φ₂ ）（ｒａｄ）、λは第２端部Ｐ２の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長、ｍはＬＲave が正となる整数をそれぞれ表す。なお、数２においてＬＲ１，ＬＲ２，ＬＲave およびλは単位が共通すればよいが、例えば（ｎｍ）を単位とする。）
（数３）
ＬＧ１＝ＬＧave ＋ΔＬＧ
ＬＧ２＝ＬＧave −ΔＬＧ
（２ＬＧave ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
（式中、ＬＧave は有機発光素子１０Ｇ１における光学的距離ＬＧ１と有機発光素子１０Ｇ２における光学的距離ＬＧ２との平均光学的距離、Φは第１端部Ｐ１で生じる反射光の位相シフトΦ₁ と第２端部Ｐ２で生じる反射光の位相シフトΦ₂ との和（Φ＝Φ₁ ＋Φ₂ ）（ｒａｄ）、λは第２端部Ｐ２の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長、ｍはＬＧave が正となる整数をそれぞれ表す。なお、数３においてＬＧ１，ＬＧ２，ＬＧave およびλは単位が共通すればよいが、例えば（ｎｍ）を単位とする。）
（数４）
ＬＢ１＝ＬＢave ＋ΔＬＢ
ＬＢ２＝ＬＢave −ΔＬＢ
（２ＬＢave ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
（式中、ＬＢave は有機発光素子１０Ｂ１における光学的距離ＬＢ１と有機発光素子１０Ｂ２における光学的距離ＬＢ２との平均光学的距離、Φは第１端部Ｐ１で生じる反射光の位相シフトΦ₁ と第２端部Ｐ２で生じる反射光の位相シフトΦ₂ との和（Φ＝Φ₁ ＋Φ₂ ）（ｒａｄ）、λは第２端部Ｐ２の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長、ｍはＬＢave が正となる整数をそれぞれ表す。なお、数４においてＬＢ１，ＬＢ２，ＬＢave およびλは単位が共通すればよいが、例えば（ｎｍ）を単位とする。）

なお、数２ないし数４は数１を発光色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）ごとに表現したものであり、各々の第１式ないし第３式の意味は数１と同様である。

この表示装置は、例えば、画素１０２の形成予定領域に段差形成層１４を形成することを除いては、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。

本実施の形態の表示装置では、第１電極１５と第２電極１９との間に所定の電圧が印加されると、第１の実施の形態と同様にして発光が起こり、この光は、第１電極１５と第２電極１９との間で多重反射し、第２電極１９の側から取り出される。このとき、隣り合う画素１０１，１０２に含まれ、発光波長が同じ有機発光素子１０Ｒ１，１０Ｒ２において、第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離ＬＲ１，ＬＲ２が互いに異なっているので、各有機発光素子１０Ｒ１，１０Ｒ２から取り出される光は、そのスペクトルのピーク波長が異なる。従って、有機発光素子１０Ｒ１，１０Ｒ２が同時に発光した場合には、第１の実施の形態と同様に、合成スペクトルの半値幅が拡がり、視野角特性が向上する。他の有機発光素子１０Ｇ１，１０Ｇ２間、有機発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２間においても同様である。

このように本実施の形態では、隣り合う画素１０１，１０２に含まれ、発光波長が同一である有機発光素子１０Ｒ１，１０Ｒ２、１０Ｇ１，１０Ｇ２、または１０Ｂ１，１０Ｂ２において、第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離ＬＲ１，ＬＲ２、ＬＧ１，ＬＧ２、またはＬＢ１，ＬＢ２を互いに異ならせるようにしたので、発光波長の同じ素子から取り出される光のスペクトルのピーク波長を異ならせることができ、視野角特性を向上させることができる。

なお、上記実施の形態では、第１の実施の形態と同様に段差形成層１４および距離調整層１７を用いて光学的距離ＬＲ１，ＬＧ１，ＬＢ１と光学的距離ＬＲ２，ＬＧ２，ＬＢ２とを互いに異ならせるようにした場合について説明したが、第２または第３の実施の形態と同様に、駆動トランジスタＴｒ１や配線などに起因する段差を利用して光学的距離ＬＲ１，ＬＧ１，ＬＢ１と光学的距離ＬＲ２，ＬＧ２，ＬＢ２とを互いに異ならせるようにしてもよい。

以下、第５の実施の形態に関して、他の構成により光学的距離ＬＲ１，ＬＧ１，ＬＢ１と光学的距離ＬＲ２，ＬＧ２，ＬＢ２とを互いに異ならせた変形例１〜３について説明する。これらの変形例１〜３は、第１電極１５の構成または有機層１８の厚みの差を用いて光学的距離ＬＲ１，ＬＧ１，ＬＢ１と光学的距離ＬＲ２，ＬＧ２，ＬＢ２とを異ならせるようにしたものである。

（変形例１）
図２５は、変形例１に係る画素１０１，１０２の断面構成を表したものである。この表示装置は、第１電極１５を、銀（Ａｇ）を含む合金よりなる反射電極１５Ａと、透明電極１５Ｂとを基板１１の側からこの順に積層したものである。この場合、画素１０１の透明電極１５Ｂは、多結晶ＩＴＯよりなる下層１５ＢＢと、アモルファスＩＴＯまたはＩＺＯよりなる上層１５ＢＴとを順に積層した構成を有し、画素１０２の透明電極１５Ｂは下層１５ＢＢのみを有する。

この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。

図２６および図２７は、この表示装置の製造方法を工程順に表すものである。まず、図２６（Ａ）に示したように、上述した材料よりなる基板１１の上に、第１の実施の形態と同様にして駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０および平坦化絶縁膜１３を形成したのち、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなる反射電極１５Ａと、下層１５ＢＢおよび上層１５ＢＴよりなる透明電極１５Ｂとを順に成膜する。

次いで、上層１５ＢＴの上に、例えばリソグラフィ技術を用いてレジストパターン（図示せず）を形成し、図２６（Ｂ）に示したように、このレジストパターンをマスクとしたウェットエッチングにより、画素１０２の上層１５ＢＴを選択的に除去する。このとき、例えば、下層１５ＢＢを多結晶ＩＴＯ、上層１５ＢＴをアモルファスＩＴＯまたはＩＺＯによりそれぞれ構成し、ウェットエッチング液としてリン酸，硝酸および酢酸の混合液を用いることにより、アモルファスＩＴＯまたはＩＺＯと、多結晶ＩＴＯとのウェットエッチング選択比を利用して、上層１５ＢＴのみを選択的に除去することができる。

更に、図２７に示したように、例えばドライエッチングにより透明電極１５Ｂおよび反射電極１５Ａを選択的に除去して各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに分離し、図２５に示したような第１電極１５を形成する。

そののち、第１電極１５の間の領域に電極間絶縁膜１６（図５参照。）を設け、例えば蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる正孔注入層１８Ａ，正孔輸送層１８Ｂ，発光層１８Ｃ，電子輸送層１８Ｄおよび第２電極１９を順次成膜し、図２５に示したような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する。続いて、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に保護膜３０および接着層４０を形成し、カラーフィルタ５１を設けた封止用基板５０を貼り合わせる。以上により、図２５に示した表示装置が完成する。

（変形例２）
図２８は、第１電極１５の他の構成例を表したものである。本変形例の第１電極１５は、反射電極１５Ａと透明電極１５Ｂとを交互に含む積層構造を有するものである。画素１０１の第１電極１５は、銀（Ａｇ）を含む合金よりなる第１反射電極１５Ａ１，多結晶ＩＴＯよりなる第１透明電極１５Ｂ１，銀（Ａｇ）を含む合金よりなる第２反射電極１５Ａ２および多結晶ＩＴＯよりなる第２透明電極１５Ｂ２を基板１１側からこの順に積層した構成を有している。画素１０２の第１電極１５は、第１反射電極１５Ａ１および第１透明電極１５Ｂ１を基板１１側からこの順に積層した構成を有している。第１透明電極１５Ｂ１および第２透明電極１５Ｂ２の厚みは、光学的距離ＬＲ１，ＬＧ１，ＬＢ１と光学的距離ＬＲ２，ＬＧ２，ＬＢ２に応じて異なっており、第２透明電極１５Ｂ２は第１透明電極１５Ｂ１よりも厚みが厚くなっている。画素１０１における第１端部Ｐ１１の位置は、第２反射電極１５Ａ２の発光層１８Ｃ側の端面であり、画素１０２における第１端部Ｐ１２の位置は、第１反射電極１５Ａ１の発光層１８Ｃ側の端面である。

この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。

図２９および図３０は、この表示装置の製造方法を工程順に表すものである。まず、図２９（Ａ）に示したように、上述した材料よりなる基板１１の上に、第１の実施の形態と同様にして駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０および平坦化絶縁膜１３を形成したのち、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなる第１反射電極１５Ａ１，第１透明電極１５Ｂ１，第２反射電極１５Ａ２および第２透明電極１５Ｂ２を順に成膜する。このとき、例えば、第１透明電極１５Ｂ１は多結晶ＩＴＯ、第２反射電極１５Ａ２は銀（Ａｇ）を含む合金によりそれぞれ構成する。

次いで、第２透明電極１５Ｂ２の上に、例えばリソグラフィ技術を用いてレジストパターン（図示せず）を形成し、図２９（Ｂ）に示したように、例えばドライエッチングにより、画素１０１以外の領域の第２透明電極１５Ｂ２と第２反射電極１５Ａ２の厚み方向の一部とを選択的に除去する。

更に、図３０（Ａ）に示したように、エッチング液として例えばリン酸，硝酸および酢酸の混合液を用いたウェットエッチングにより、第２反射電極１５Ａ２の厚み方向の残部を選択的に除去し、第１透明電極１５Ｂ１を露出させる。このとき、ＩＴＯと銀（Ａｇ）を含む合金とのウェットエッチング選択比により、第２反射電極１５Ａ２のみを除去することができる。

続いて、図３０（Ｂ）に示したように、例えばドライエッチングにより第１透明電極１５Ｂ１および第１反射電極１５Ａ１を除去して各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに分離し、図２８に示したような第１電極１５を形成する。

そののち、第１電極１５の間の領域に電極間絶縁膜１６（図５参照。）を設け、上述した方法と同様にして正孔注入層１８Ａ，正孔輸送層１８Ｂ，発光層１８Ｃ，電子輸送層１８Ｄおよび第２電極１９を順次成膜し、図２８に示したような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する。そののち、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に保護膜３０および接着層４０を形成し、カラーフィルタ５１を設けた封止用基板５０を貼り合わせる。以上により、図２８に示した表示装置が完成する。

（変形例３）
図３１は、変形例３に係る画素１０１，１０２の断面構成を表したものである。この表示装置は、画素１０１の有機層１８の厚みを、画素１０２よりも厚くしたものである。この場合、例えば、正孔注入層１８Ａ，正孔輸送層１８Ｂ，発光層１８Ｃおよび電子輸送層１８Ｄのうちいずれか一層または二層以上の厚みを異ならせるようにすればよい。特に、正孔注入層１８Ａまたは正孔輸送層１８Ｂの厚みを異ならせることが好ましい。正孔注入層１８Ａまたは正孔輸送層１８Ｂは、キャリア移動度が高く、厚みに対する電圧依存性が小さいからである。一般的には発光層１８Ｃまたは電子輸送層１８Ｄの厚みを変えると素子の駆動電圧に与える影響が大きく、厚い部位では電圧が高く、薄い部位では電圧が低くなってしまうので、発光輝度に不均一が生じるおそれがある。

なお、正孔注入層１８Ａの構成材料としては、一般に、フタロシアニン化合物，アミン化合物またはアザアリール化合物などが挙げられるが、本実施の形態のように画素１０１と画素１０２とで厚みを異ならせる場合には、アザアリール化合物であるアザアントラセン誘導体またはアザトリフェニレン誘導体などが好ましい。

この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。

まず、基板１１の上に、第１の実施の形態と同様にして、上述した材料よりなる駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０，平坦化絶縁膜１３、第１電極１５および電極間絶縁膜１６を形成する。

次いで、第１電極１５の上に、正孔注入層１８Ａ，正孔輸送層１８Ｂ，発光層１８Ｃ，電子輸送層１８Ｄおよび第２電極１９を順次成膜する。その際、画素１０１と画素１０２とで有機層１８の厚みを異ならせる。有機層１８を異なる厚みに形成する方法としては、マスクを用いた蒸着法，インクジェット法，レーザ転写または印刷法など、有機層１８の形成に用いられる一般的な方法をいずれも用いることができる。

続いて、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に保護膜３０および接着層４０を形成し、カラーフィルタ５１を設けた封止用基板５０を貼り合わせる。以上により、図３１に示した表示装置が完成する。

（モジュールおよび適用例）
以下、上述した第１ないし第５の実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記各実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。

（モジュール）
上記各実施の形態の表示装置は、例えば、図３２に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止用基板５０および接着層４０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。

（適用例１）
図３３は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例２）
図３４は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例３）
図３５は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例４）
図３６は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例５）
図３７は、上記各実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記第１ないし第３の実施の形態では、発光層１８Ｃが、平面形状において中央部の第１領域２１と左右部の第２領域２２とに分けられている場合について説明したが、第１領域２１および第２領域２２は、図３８に示したように平面形状において右側半分と左側半分に分けられていてもよいし、図３９に示したように上側半分と下側半分とに分けられていてもよい。また、図４０に示したように斜めの境界線で分割されていてもよく、視認上問題ない範囲で選択可能である。

また、段差形成層１４は、基板１１の一部の領域に限らず、基板１１の全面に形成されていてもよい。その場合、段差形成層１４の厚みを変えることにより、第１電極１５の発光層１８Ｃ側の端面に段差を形成することができる。

更に、上記第４の実施の形態では、第１端部Ｐ１が連続的な凹凸形状を有している場合について説明したが、第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２の少なくとも一方が連続的な凹凸形状を有していればよい。

加えて、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、第１領域２１および第２領域２２の二つに限らず、三つ以上の領域に分けられていてもよい。この場合、そのうちの少なくとも二つの領域において光学的距離が異なればよい。

更にまた、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、上記実施の形態においては、基板１１の上に、第１電極１５，有機層１８および第２電極１９を基板１１の側から順で積層し、封止用基板５０の側から光を取り出すようにした場合について説明したが、積層順序を逆にして、基板１１の上に、第２電極１９，有機層１８および第１電極１５を基板１１の側から順に積層し、基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。

加えてまた、例えば、上記実施の形態では、第１電極１５を陽極、第２電極１９を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極１５を陰極、第２電極１９を陽極としてもよい。さらに、第１電極１５を陰極、第２電極１９を陽極とすると共に、基板１１の上に、第２電極１９，有機層１８および第１電極１５を基板１１の側から順に積層し、基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。

更にまた、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、第１電極１５と有機層１８との間に、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ₂ Ｏ₃ ），ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide：インジウム（Ｉｎ）およびスズ（Ｓｎ）の酸化物混合膜）などからなる正孔注入用薄膜層を備えていてもよい。また、例えば第１電極１５または反射電極１５Ａは、誘電体多層膜とすることもできる。

加えてまた、上記実施の形態では、第２電極１９が半透過性反射層により構成されている場合について説明したが、第２電極１９は、半透過性反射層と透明電極とが第１電極１５の側から順に積層された構造としてもよい。この透明電極は、半透過性反射層の電気抵抗を下げるためのものであり、発光層で発生した光に対して十分な透光性を有する導電性材料により構成されている。透明電極を構成する材料としては、例えば、ＩＴＯまたはインジウムと亜鉛（Ｚｎ）と酸素とを含む化合物が好ましい。室温で成膜しても良好な導電性を得ることができるからである。透明電極の厚みは、例えば３０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることができる。また、この場合、半透過性反射層を一方の端部とし、透明電極を挟んで半透過性電極に対向する位置に他方の端部を設け、透明電極を共振部とする共振器構造を形成するようにしてもよい。さらに、そのような共振器構造を設けた上で、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを保護膜３０で覆うようにし、この保護膜３０を、透明電極を構成する材料と同程度の屈折率を有する材料により構成すれば、保護膜３０を共振部の一部とすることができ、好ましい。

更にまた、本発明は、第２電極１９を透明電極により構成すると共に、この透明電極の有機層１８と反対側の端面の反射率が大きくなるように構成し、第１電極１５の発光層１８Ｃ側の端面を第１端部、透明電極の有機層と反対側の端面を第２端部とした共振器構造を構成した場合についても適用することができる。例えば、透明電極を大気層に接触させ、透明電極と大気層との境界面の反射率を大きくして、この境界面を第２端部としてもよい。また、接着層との境界面での反射率を大きくして、この境界面を第２端部としてもよい。さらに、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを保護膜３０で覆い、この保護膜３０との境界面での反射率を大きくして、この境界面を第２端部としてもよい。

加えてまた、上記各実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記各実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。

本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。 図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。 図１に示した表示領域の構成を表す平面図である。 図３に示した有機発光素子の構成を表す平面図である。 図３に示した有機発光素子の構成を表す断面図である。 ΔＬを変えた場合の共振器フィルタのスペクトルを表す図である。 ΔＬを変えた場合の視野角による輝度の変化を表す図である。 ΔＬを変えた場合の視野角による色差Δｕ’ｖ’を表す図である。 図５に示した有機発光素子の他の構成例を表す断面図である。 図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 図１０に続く工程を表す断面図である。 図１１に続く工程を表す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る表示装置に用いられる有機発光素子の構成を表す断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る表示装置に用いられる有機発光素子の構成を表す断面図である。 図１４に示した有機発光素子の他の構成例を表す断面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る表示装置に用いられる有機発光素子の構成を表す断面図である。 図１６に示した有機発光素子の他の構成を表す断面図である。 図１６に示した有機発光素子の更に他の構成を表す断面図である。 図１６に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 図１９に続く工程を表す断面図である。 図１７に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 図２１に続く工程を表す断面図である。 本発明の第５の実施の形態に係る表示装置の構成を表す平面図である。 図２３に示した隣り合う二つの画素の構成を表す断面図である。 変形例１の隣り合う二つの画素の構成を表す断面図である。 図２５に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 図２６に続く工程を表す断面図である。 変形例２の隣り合う二つの画素の構成を表す断面図である。 図２８に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 図２９に続く工程を表す断面図である。 変形例３の隣り合う二つの画素の構成を表す断面図である。 上記各実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 上記各実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例３の外観を表す斜視図である。 適用例４の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。 図２に示した有機発光素子の第１領域および第２領域の平面形状の他の例を表す平面図である。 図２に示した有機発光素子の第１領域および第２領域の平面形状の更に他の例を表す平面図である。 図２に示した有機発光素子の第１領域および第２領域の平面形状の更に他の例を表す平面図である。

符号の説明

１０，１０１，１０２…画素、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…基板、１３…平坦化絶縁膜、１４…段差形成層、１５…第１電極、１５Ａ…反射電極、１５Ａ１…第１反射電極、１５Ａ２…第２反射電極、１５Ｂ…透明電極、１５Ｂ１…第１透明電極、１５Ｂ２…第２透明電極、１５ＢＢ…下層、１５ＢＴ…上層、１６…電極間絶縁膜、１７…距離調整層、１７Ａ…上面、１８…有機層、１８Ａ…正孔注入層、１８Ｂ…正孔輸送層、１８Ｃ…発光層、１８Ｄ…電子輸送層、１９…第２電極、２１…第１領域、２２…第２領域、３０…保護膜、４０…接着層、５０…封止用基板、５１…カラーフィルタ、６１…凹凸構造、６１Ａ…突起部、６１Ｂ…被覆層、６１Ｃ…接続孔、Ｐ１…第１端部、Ｐ２…第２端部

Claims (4)

1. 基板上に、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極を順に備えると共に、前記発光層で発生した光を第１端部と第２端部との間で共振させる共振器構造を有する表示素子であって、
   前記基板に薄膜トランジスタおよび配線を含む画素駆動回路が設けられており、
   前記第１電極の一部は、前記薄膜トランジスタおよび前記配線のうち少なくとも一方の上に形成され、
   前記第１電極の前記発光層側の端面は、前記薄膜トランジスタおよび前記配線のうち少なくとも一方の形状に対応した段差形状を有する前記第１端部となっており、
   前記第１電極と前記第２電極との間に、前記段差形状を埋め込むと共に前記第２電極側に平坦な表面を有する距離調整層が設けられることにより、前記第２端部が平坦になると共に、前記段差形状に応じて前記第１端部と前記第２端部との間の光学的距離が異なっている
   表示素子。
2. 前記距離調整層は前記有機層のうちの一層と同じ材料により構成されている
   請求項１記載の表示素子。
3. 基板上に、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極を順に備えると共に、前記発光層で発生した光を第１端部と第２端部との間で共振させる共振器構造を有する表示素子を備えた表示装置であって、
   前記基板に薄膜トランジスタおよび配線を含む画素駆動回路が設けられており、
   前記第１電極の一部は、前記薄膜トランジスタおよび前記配線のうち少なくとも一方の上に形成され、
   前記第１電極の前記発光層側の端面は、前記薄膜トランジスタおよび前記配線のうち少なくとも一方の形状に対応した段差形状を有する前記第１端部となっており、
   前記第１電極と前記第２電極との間に、前記段差形状を埋め込むと共に前記第２電極側に平坦な表面を有する距離調整層が設けられることにより、前記第２端部が平坦になると共に、前記段差形状に応じて前記第１端部と前記第２端部との間の光学的距離が異なっている
   表示装置。
4. 前記距離調整層は前記有機層のうちの一層と同じ材料により構成されている
   請求項３記載の表示装置。

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