JP4728779B2 - Detection circuit - Google Patents
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Description
本発明は、半導体集積回路チップ(LSIチップ)をパッケージ等の基板上に実装後、その接続状態を確認する方法に関する。 The present invention relates to a method for confirming a connection state after mounting a semiconductor integrated circuit chip (LSI chip) on a substrate such as a package.
従来、LSIチップ(以下、適宜、単に「チップ」とも言う)側の電極パッドとパッケージ側のリード端子とが電気的に接続されているか否かの検出は、LSIチップのコーナー部にダミーパッドをおいて、それらを電気的に接続し、パッケージ封止後、それらパッドが接続されている端子に対するオープン/ショートテストを実施することにより、パッケージ段階にて電極パッドとリード端子との接続状態を判断し、問題が生じているか否かを判断していた。また、チップの設計段階でJTAGテスト回路を挿入し、製品実装後、JTAG回路を利用したDCテストのオープン/ショートにより、電極パッドとリード端子との接続状態を検出していた。 Conventionally, detection of whether or not an electrode pad on an LSI chip (hereinafter also referred to simply as “chip”) and a lead terminal on a package are electrically connected is performed by using a dummy pad at the corner of the LSI chip. In this case, the connection state between the electrode pad and the lead terminal is determined at the package stage by electrically connecting them, sealing the package, and performing an open / short test on the terminals to which the pads are connected. However, it was determined whether or not a problem occurred. Also, a JTAG test circuit is inserted at the chip design stage, and after mounting the product, the connection state between the electrode pad and the lead terminal is detected by open / short of a DC test using the JTAG circuit.
また、入力側に、GND(接地電圧レベル)とショートしていれば“H”(電源電圧レベル)を検出信号として出力するパッドを設け、パッドからの検出信号と外部から入力された制御信号とをOR(論理和)ゲートに入力し、ORゲートの出力を外部に出力する半導体集積回路がある(例えば、特許文献1参照)。この半導体集積回路は、これらのしくみを内蔵したチップを複数個基板に搭載し、夫々の入力と出力を順次接続することで、GNDとの短絡や基板とチップとの接続状態を確認するものである。 Further, on the input side, a pad that outputs “H” (power supply voltage level) as a detection signal if it is short-circuited with GND (ground voltage level) is provided, and a detection signal from the pad and a control signal input from outside are provided. Is input to an OR (logical sum) gate, and the output of the OR gate is output to the outside (for example, see Patent Document 1). In this semiconductor integrated circuit, a plurality of chips incorporating these mechanisms are mounted on a substrate, and respective inputs and outputs are sequentially connected to confirm a short circuit with GND or a connection state between the substrate and the chip. is there.
上述した従来技術は、何れも、LSIチップの実装直後のチップと基板(リード端子)との接続状態を確認するものであり、電子機器等の製品として組み立てが完了した後には、確認ができないという問題があった。 All of the above-described conventional techniques are for confirming the connection state between the chip immediately after mounting the LSI chip and the substrate (lead terminal), and cannot be confirmed after assembly as a product such as an electronic device is completed. There was a problem.
尚、近年、携帯機器等の薄型化が進み、高密度実装のため、例えば、チップ上の電極パッドとパッケージのリード端子とが電気的に接続されることによってチップが支持される半導体装置において、LSIチップを実装する基板であるフィルム(TCPやCOP等)もさらなる薄型化が進んでいる。薄型化によりフィルムがたわみやすくなることから、LSIチップの電極パッドがフィルム上のリード端子からはがれる危険性が増大している。また、例えば、フィルム上に液晶ドライバLSIや液晶コントローラLSI等のLSIをモジュール化して複数個搭載する場合には、実装方法が異なる場合がある。このため、テスタ等で1つのLSIの搭載状態(接続状態)を確認する場合に比べ、LSIを複数個搭載している場合は、LSIの実装後のチェック及び不良LSIの特定が困難である。 In recent years, as portable devices and the like have become thinner, for high-density mounting, for example, in a semiconductor device in which a chip is supported by electrically connecting electrode pads on the chip and lead terminals of the package, Films (TCP, COP, etc.) that are substrates on which LSI chips are mounted are also becoming thinner. Since the film is easily bent due to the reduction in thickness, there is an increased risk that the electrode pad of the LSI chip is peeled off from the lead terminal on the film. In addition, for example, when a plurality of LSIs such as a liquid crystal driver LSI and a liquid crystal controller LSI are mounted on a film and mounted in plural, the mounting method may be different. For this reason, when a plurality of LSIs are mounted, it is difficult to perform a check after mounting the LSI and identify a defective LSI, as compared with a case where a mounting state (connection state) of one LSI is confirmed by a tester or the like.
本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、チップを基板に実装した状態でソフトウェア的に、半導体集積回路チップとそれと接する基板側との接続状態を検出することができる半導体装置を提供する点にある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to detect a connection state between a semiconductor integrated circuit chip and a substrate side in contact with the same in a state where the chip is mounted on a substrate. A semiconductor device is provided.
上記目的を達成するための本発明に係る検出回路は、半導体集積回路チップ上の電極パッドとパッケージのリード端子とが電気的に接続されることによって前記チップが支持される半導体装置において、前記チップがパッケージから剥離するのを検出する検出回路であって、入力レベルを所定の第1レベルに固定可能な入力バッファを少なくとも有する第1バッファと、出力レベルを前記第1レベルと異なる第2レベルにして出力可能な出力バッファを少なくとも有する第2バッファと、前記第1バッファの入力端子と接続する第1電極パッドと、前記第2バッファの出力端子と接続する第2電極パッドと、を備え、前記第1電極パッドと前記第2電極パッドとが、前記リード端子を介してチップ外で接続した状態において、検査トリガ信号入力時に、前記第2バッファが前記第2レベルを出力し、前記第1バッファが前記第2レベルの入力を検出したときに正常であると判定し、前記第1バッファが前記第1レベルの入力を検出したときに異常であると判定するように構成され、前記第1電極パッドと前記第2電極パッドの対が、前記チップの4隅に夫々配置されていることを第1の特徴とする。 In order to achieve the above object, a detection circuit according to the present invention is a semiconductor device in which the chip is supported by electrically connecting an electrode pad on a semiconductor integrated circuit chip and a lead terminal of the package. Is a detection circuit for detecting separation from the package, wherein the input level is a first buffer having at least an input buffer capable of fixing the input level to a predetermined first level, and the output level is a second level different from the first level A second buffer having at least an output buffer capable of being output, a first electrode pad connected to an input terminal of the first buffer, and a second electrode pad connected to an output terminal of the second buffer, In a state where the first electrode pad and the second electrode pad are connected outside the chip via the lead terminal, the inspection trigger signal When the second buffer outputs the second level, the first buffer determines that it is normal when it detects the second level input, and the first buffer receives the first level input. The first feature is that a pair of the first electrode pad and the second electrode pad is arranged at each of the four corners of the chip. .
上記特徴の検出回路は、前記第1電極パッドと前記第2電極パッドとが、前記チップの周辺部に設置されていることを第2の特徴とする。 The detection circuit having the above characteristics is characterized in that the first electrode pad and the second electrode pad are provided in a peripheral portion of the chip.
上記何れかの特徴の検出回路は、前記第1バッファは、入力端子にプルアップ若しくはプルダウン機構を備えた双方向バッファであることを第3の特徴とする。 Detection circuit of any of the above features, the first buffer is a third feature in that the input terminal is a bidirectional buffer with a pull-up or pull-down mechanism.
上記何れかの特徴の検出回路は、前記第2バッファは、入力制御機能付の双方向バッファであることを第4の特徴とする。 Detection circuit of any of the above features, the second buffer, and the fourth being a bidirectional buffer with the input control function.
上記何れかの特徴の検出回路は、チップ内部に検証結果データを格納可能なステータスレジスタを備え、前記ステータスレジスタの検証結果データを外部から読み出し可能に構成されていることを第5の特徴とする。 Any of the above detection circuit feature comprises a possible status register stores the verification result data inside the chip, and the fifth, characterized in that the verification result data of the status register is configured externally readably .
上記目的を達成するための本発明に係る半導体装置は、上記何れかの特徴の検出回路を備え、前記第1電極パッドと前記第2電極パッドとが前記チップ外でパッケージの前記リード端子を介して接続されていることを特徴とする。 In order to achieve the above object, a semiconductor device according to the present invention includes a detection circuit having any one of the above characteristics, and the first electrode pad and the second electrode pad are disposed outside the chip via the lead terminal of the package. And are connected.
尚、本発明において、パッケージは、少なくとも1つのLSIチップを支持して当該チップと電気信号のやり取りをするものを指し、プリント基板等も含まれる。 In the present invention, the package refers to a package that supports at least one LSI chip and exchanges electrical signals with the chip, and includes a printed circuit board and the like.
本発明によれば、入力レベルを所定の第1レベルに固定可能な入力バッファを少なくとも有する第1バッファと、出力レベルを前記第1レベルと異なる第2レベルにして出力可能な出力バッファを少なくとも有する第2バッファとを備える構成であるため、JTAG回路等の特別な回路を用いなくとも、標準的なバッファを用いて電極バッドとリード端子間の導通状態が検出でき、チップとパッケージの接続状態を検出可能となり、余計なコストを必要としない。更に、通常状態において、動作を全く行わないように構成すれば、テスト実施時に、1クロックサイクルしか動作しないため、消費電力に影響しない。また、通常の入力バッファ、出力バッファ、若しくは、I/Oバッファとしてライブラリに登録されているものをそのまま流用できることから、新たに特別なテスト用バッファを作成する必要がなく、簡単な構成で検出回路を実現できる。 According to the present invention, at least a first buffer having an input buffer capable of fixing an input level to a predetermined first level, and at least an output buffer capable of outputting with a second level different from the first level. Since the configuration includes the second buffer, the conductive state between the electrode pad and the lead terminal can be detected using a standard buffer without using a special circuit such as a JTAG circuit, and the connection state between the chip and the package can be determined. It can be detected and does not require extra cost. Furthermore, if the configuration is such that no operation is performed at all in the normal state, only one clock cycle is operated at the time of test execution, so that power consumption is not affected. In addition, since a normal input buffer, output buffer, or I / O buffer registered in the library can be used as it is, there is no need to newly create a special test buffer, and the detection circuit can be configured with a simple configuration. Can be realized.
更に、チップとパッケージとの接続状態の検出には、第1バッファと第2バッファの2つのバッファでチップ上の1箇所に第1電極パッドまたは第2電極バッド対する検出回路を実現し、これらを4つ使用してチップの角の4ヶ所に設置すれば、チップの4隅に対するチップとパッケージとの接続状態の検出が可能となる。通常、チップを接着する場合、中央付近がたわみ、チップの4隅がオープンとなる状況が多くあることから、チップの4隅での電極パッドとリード端子間の導通状態を検出することで、最低限の回路構成でチップとパッケージとの接続不良の検出を行うことが可能となる。 Furthermore, for detecting the connection state between the chip and the package, a detection circuit for the first electrode pad or the second electrode pad is realized at one location on the chip by two buffers, the first buffer and the second buffer. If four are used and installed at four corners of the chip, the connection state between the chip and the package at the four corners of the chip can be detected. Usually, when bonding chips, there are many situations in which the vicinity of the center is bent and the four corners of the chip are open. By detecting the conduction state between the electrode pad and the lead terminal at the four corners of the chip, It becomes possible to detect a connection failure between the chip and the package with a limited circuit configuration.
また、検出回路をロジック回路で実現し、その結果を保持するステータスレジスタを備える構成の場合には、製品完成後、ホスト側からその問題の発生の有無をソフトウェア的に検出可能となる。これによって、電子機器の組み立て完了後にも、実装状態を簡易に確認することが可能となる。更に、ソフトウェアにて定期的にこの検査をすることによって、通常動作においてチップの接続状態を検査し、問題が発生した場合には、システムを停止する等、チップ剥離に伴う導通不良によるシステム上の他の回路に対する影響を回避するための対策をとることができ、製品の破壊を防ぐことが可能になる。 Further, in the case of a configuration in which the detection circuit is realized by a logic circuit and includes a status register for holding the result, the presence or absence of the problem can be detected from the host side by software after the product is completed. Thereby, it is possible to easily check the mounting state even after the assembly of the electronic device is completed. In addition, by periodically checking the software, the connection status of the chip is checked during normal operation. If a problem occurs, the system is shut down, etc. Measures for avoiding the influence on other circuits can be taken, and the product can be prevented from being destroyed.
以下、本発明に係る検出回路(以下、適宜「本発明回路」と略称する)の実施形態を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, embodiments of a detection circuit according to the present invention (hereinafter abbreviated as “the circuit of the present invention” as appropriate) will be described with reference to the drawings.
先ず、本発明回路及び本発明回路を搭載する半導体装置の構成について、図1及び図2を基に説明する。本発明回路1を搭載する半導体装置は、チップ上の電極パッドに形成されたバンプとフィルム(パッケージ側の基板に相当)上に形成されたインナーリード(リード端子)とを熱圧着することにより、チップとフィルムとを接続する構成となっている。ここで、図1は、本発明回路1を備えた半導体装置を示している。本実施形態では、図1に示すように、双方向I/Oバッファからなる第1バッファ2と第2バッファ3の双方向バッファの対を4組使用し、第1バッファ2に接続される第1電極パッド4と第2バッファ3に接続される第2電極パッド5の対が夫々チップの4隅に配置されている場合を想定して説明する。チップを実装する基板上には、第1バッファ2に接続される第1電極パッド4と第2バッファ3に接続される第2電極パッド5とをチップの外で接続するためのリード端子6が、チップの4隅に夫々配置されている。 First, the configuration of the circuit of the present invention and the semiconductor device mounting the circuit of the present invention will be described with reference to FIGS. The semiconductor device on which the circuit 1 of the present invention is mounted is obtained by thermocompression bonding of bumps formed on electrode pads on a chip and inner leads (lead terminals) formed on a film (corresponding to a substrate on the package side), The chip and the film are connected. Here, FIG. 1 shows a semiconductor device including the circuit 1 of the present invention. In the present embodiment, as shown in FIG. 1, four pairs of bidirectional buffers of a first buffer 2 and a second buffer 3 composed of bidirectional I / O buffers are used, and the first buffer 2 connected to the first buffer 2 is used. Description will be made assuming that a pair of the first electrode pad 4 and the second electrode pad 5 connected to the second buffer 3 is disposed at each of the four corners of the chip. On the substrate on which the chip is mounted, there is a lead terminal 6 for connecting the first electrode pad 4 connected to the first buffer 2 and the second electrode pad 5 connected to the second buffer 3 outside the chip. , Arranged at the four corners of the chip, respectively.
図2は、本発明回路1の構成を示しており、第1バッファ2は、入力レベルを所定の第1レベル、ここでは“L”(低電圧レベル、例えば、接地電圧レベル)に固定可能なプルダウン機能付の入力バッファを備えて構成されている。第2バッファ3は、出力レベルを第1レベルと異なる第2レベル、ここでは“H”(高電圧レベル、例えば、電源電圧レベル)にして出力可能に構成されている。尚、第1レベル及び第2レベルは、電源電圧レベルや接地電圧レベルに限定されるものではなく、各バッファの入力電圧と出力電圧の“H”または“L”として判定できる電圧レベルであれば良い。 FIG. 2 shows the configuration of the circuit 1 of the present invention. The first buffer 2 can fix the input level to a predetermined first level, here “L” (low voltage level, eg, ground voltage level). An input buffer with a pull-down function is provided. The second buffer 3 is configured to be capable of outputting at a second level different from the first level, here “H” (high voltage level, for example, power supply voltage level). The first level and the second level are not limited to the power supply voltage level and the ground voltage level, but can be any voltage level that can be determined as “H” or “L” of the input voltage and output voltage of each buffer. good.
続いて、本発明回路1の動作について図3を基に説明する。尚、本実施形態の本発明回路1は、テスタによる接続チェックではなく、ソフトウェアレベルでの確認を行うものである。 Next, the operation of the circuit 1 of the present invention will be described with reference to FIG. The circuit 1 of the present embodiment of the present embodiment is not a connection check by a tester but a confirmation at the software level.
先ず、通常状態での本発明回路1の動作について説明する。通常状態では、プルダウン機能付の第1バッファ2は出力モード、入力制限機能付の第2バッファ3は入力モードに設定されている。 First, the operation of the circuit 1 of the present invention in the normal state will be described. In the normal state, the first buffer 2 with the pull-down function is set to the output mode, and the second buffer 3 with the input restriction function is set to the input mode.
より詳細には、第1バッファ2は、通常状態では、出力制御信号OEN2が“L”(接地電圧レベル)に設定されており、第1バッファ2の出力バッファがアクティブとなっている。このとき、本実施形態では、チップ内部から出力バッファを介して第1電極パッド4へ出力される出力信号O_Data2は“L”が設定されている。更に、入力信号I_Data2は、出力信号O_Data2の出力が入力バッファを介して入力されるため、“L”となる。また、プルダウン制御信号PDEN2は”H”(電源電圧レベル)となっている。従って、通常状態では、第1バッファ2は第1電極パッド4から出力信号“L”を出力し、その出力信号“L”が第2バッファ3に入力されている。 More specifically, in the normal state, the output control signal OEN2 of the first buffer 2 is set to “L” (ground voltage level), and the output buffer of the first buffer 2 is active. At this time, in this embodiment, “L” is set to the output signal O_Data2 output from the chip to the first electrode pad 4 via the output buffer. Further, the input signal I_Data2 becomes “L” because the output of the output signal O_Data2 is input via the input buffer. The pull-down control signal PDEN2 is “H” (power supply voltage level). Accordingly, in the normal state, the first buffer 2 outputs the output signal “L” from the first electrode pad 4, and the output signal “L” is input to the second buffer 3.
第2バッファ3は、通常状態では、出力制御信号OEN1が“H”に設定されており、出力信号O_Data1は“H”に設定されているが、第2バッファ3の出力バッファからは出力されない。入力制御信号PCTLA1は“H”に設定されており、入力バッファはアクティブとなっている。上述したように、第1バッファ2からの出力信号“L”が、第2電極パッド5に入力されているので、第2電極パッド5からチップ内部へ入力バッファを介して入力される入力信号I_Data1は、PCTLA1がアクティブであることを受けて“L”となる。 In the normal state, the output control signal OEN1 is set to “H” and the output signal O_Data1 is set to “H”, but the second buffer 3 is not output from the output buffer of the second buffer 3. The input control signal PCTLA1 is set to “H”, and the input buffer is active. As described above, since the output signal “L” from the first buffer 2 is input to the second electrode pad 5, the input signal I_Data1 input from the second electrode pad 5 into the chip through the input buffer. Becomes “L” in response to the fact that PCTLA1 is active.
尚、本実施形態では、通常状態では第1バッファ2及び第2バッファ3を使用しないことから、第1バッファ2の出力をフローティング状態にし、第2バッファ3の入力を固定するように構成しても構わない。 In the present embodiment, since the first buffer 2 and the second buffer 3 are not used in the normal state, the output of the first buffer 2 is set in a floating state and the input of the second buffer 3 is fixed. It doesn't matter.
次に、検査トリガ信号入力時の動作について説明する。検査トリガ信号入力時には、プルダウン機能付の第1バッファ2は入力モード、入力制限機能付の第2バッファ3は出力モードに設定される。本発明回路1は、チップの接続状態の確認のためのトリガ信号を受信した後、テストモードに移行してチップの接続状態の検出を行う。トリガ信号が入力されると、第2バッファ3は出力モード、第1バッファ2は入力モードに切り替わる。 Next, an operation when the inspection trigger signal is input will be described. When the inspection trigger signal is input, the first buffer 2 with the pull-down function is set to the input mode, and the second buffer 3 with the input restriction function is set to the output mode. The circuit 1 of the present invention receives the trigger signal for confirming the connection state of the chip, and then shifts to the test mode to detect the connection state of the chip. When the trigger signal is input, the second buffer 3 is switched to the output mode, and the first buffer 2 is switched to the input mode.
詳細には、第2バッファ3は、トリガ信号が入力されると、出力制御信号OEN1を“L”に設定して、出力バッファをアクティブにし、出力信号O_Data1を“H”に設定する。これによって、第2バッファ3の第2電極パッド5から第1バッファ2に対して“H”が出力される。尚、本実施形態では、このとき、入力制御信号PCTLA1が”H”に設定されており、入力信号I_Data1には“H”が入力される。 Specifically, when the trigger signal is input, the second buffer 3 sets the output control signal OEN1 to “L”, activates the output buffer, and sets the output signal O_Data1 to “H”. As a result, “H” is output from the second electrode pad 5 of the second buffer 3 to the first buffer 2. In this embodiment, at this time, the input control signal PCTLA1 is set to “H”, and “H” is input to the input signal I_Data1.
第1バッファ2は、トリガ信号が入力されると、出力制御信号OEN2を”H”に設定して出力バッファの出力を遮断する。このとき、本実施形態では、出力信号O_Data2は”L”に設定されている。更に、プルダウン機能制御信号PDEN2を”L”に設定して、プルダウン機能を有効にする。 When the trigger signal is input, the first buffer 2 sets the output control signal OEN2 to “H” and shuts off the output of the output buffer. At this time, in this embodiment, the output signal O_Data2 is set to “L”. Further, the pull-down function control signal PDEN2 is set to “L” to enable the pull-down function.
このとき、上述したように、第2バッファ3からは出力信号”H”が出力され、第2電極パッド5と第1電極パッド4とが剥離していなければ、第1バッファ2に第2バッファ3の出力信号”H”が入力され、第1バッファ2の入力信号I_Dataが”H”となり、これが内部で検出できる。これに対し、第2電極パッド5と第1電極パッド4とが剥離していれば、第1電極パッド4には第2バッファ3からの出力信号が入力されず、第1バッファ2の入力はHi-Z(オープン)となるため、プルダウン機能が働き、入力信号I_Data2は”L”となる。即ち、第1バッファ2の入力信号I_Data2が”H”である場合はチップとフィルムとが剥離していないと判定し、”L”である場合には、チップとフィルムとが剥離していると判定することができる。 At this time, as described above, the output signal “H” is output from the second buffer 3, and if the second electrode pad 5 and the first electrode pad 4 are not peeled off, the second buffer 3 includes the second buffer 3. 3 is input, and the input signal I_Data of the first buffer 2 becomes “H”, which can be detected internally. On the other hand, if the second electrode pad 5 and the first electrode pad 4 are separated, the output signal from the second buffer 3 is not input to the first electrode pad 4, and the input of the first buffer 2 is Since it becomes Hi-Z (open), the pull-down function works and the input signal I_Data2 becomes “L”. That is, when the input signal I_Data2 of the first buffer 2 is “H”, it is determined that the chip and the film are not separated. When the input signal I_Data2 is “L”, the chip and the film are separated. Can be determined.
本実施形態では、更に、第1バッファ2の入力信号I_Data2が夫々ステータスレジスタ7に入力されている。テストモードでは、第1バッファ2の入力信号I_Data2をチップ内部で観測した後、その結果がステータスレジスタ7に反映される。そして、このステータスレジスタ7をI/Oパッド8を介して参照することで、チップとフィルムとが剥離しているか否かを判定することができる。これによって、チップとフィルムとが剥離しているとの結果がステータスレジスタ7に記憶された場合には、チップとフィルムとが剥離したLSIの動作を停止する等の動作を実行することにより、周辺回路へ影響を与えないようにすることが可能になる。 In the present embodiment, the input signal I_Data2 of the first buffer 2 is further input to the status register 7, respectively. In the test mode, the input signal I_Data2 of the first buffer 2 is observed inside the chip, and the result is reflected in the status register 7. By referring to the status register 7 via the I / O pad 8, it can be determined whether or not the chip and the film are peeled off. As a result, when the result that the chip and the film are separated is stored in the status register 7, the operation of the LSI in which the chip and the film are separated is stopped. It becomes possible not to affect the circuit.
〈別実施形態〉
本発明回路1の別実施形態について説明する。
<Another embodiment>
Another embodiment of the circuit 1 of the present invention will be described.
〈1〉上記実施形態では、第1バッファ2がプルダウン機能付の双方向バッファである場合について説明したが、第1バッファ2がプルアップ機能付の双方向バッファであっても良い。この場合には、テストモード時、第2バッファ3の出力信号O_Data1を“L”に設定し、第2バッファ3から第1バッファ2に対して“L”を出力するように構成する。更に、プルアップ制御信号PDEN2を“L”に設定してプルアップ機能を有効にしておく。このように構成することで、第1バッファ2の入力信号I_Data2が”L”である場合はチップとフィルムとが剥離していないと判定し、”H”である場合には、チップとフィルムとが剥離していると判定することができる。 <1> In the above embodiment, the case where the first buffer 2 is a bidirectional buffer with a pull-down function has been described. However, the first buffer 2 may be a bidirectional buffer with a pull-up function. In this case, in the test mode, the output signal O_Data 1 of the second buffer 3 is set to “L”, and “L” is output from the second buffer 3 to the first buffer 2. Further, the pull-up control signal PDEN2 is set to “L” to enable the pull-up function. With this configuration, when the input signal I_Data2 of the first buffer 2 is “L”, it is determined that the chip and the film are not separated, and when the input signal I_Data2 is “H”, the chip and the film Can be determined to be peeled off.
〈2〉上記各実施形態では、本発明回路がチップの4隅に設置されている場合について説明したが、チップの周辺部に設置されているのも好ましい実施態様である。 <2> In each of the above embodiments, the case where the circuit of the present invention is installed at the four corners of the chip has been described. However, it is also a preferred embodiment that the circuit is installed at the periphery of the chip.
〈3〉上記各実施形態では、本発明回路を2つの双方向バッファで構成する場合について説明したが、これに限るものではない。第1バッファ2に対し、入力レベルを所定の第1レベルに固定可能な入力バッファを少なくとも備えるバッファであっても良い。また、第2バッファ3に対し、出力レベルを第1レベルと異なる第2レベルにして出力可能な出力バッファを少なくとも有するバッファであっても良い。 <3> In each of the above embodiments, the case where the circuit of the present invention is configured by two bidirectional buffers has been described. However, the present invention is not limited to this. The first buffer 2 may be a buffer including at least an input buffer that can fix the input level to a predetermined first level. Further, the second buffer 3 may be a buffer having at least an output buffer that can output with a second level different from the first level.
1:本発明回路
2:第1バッファ
3:第2バッファ
4:第1電極バッド
5:第2電極パッド
6:リード端子
7:ステータスレジスタ
8:I/Oバッファ
1: circuit of the present invention 2: first buffer 3: second buffer 4: first electrode pad 5: second electrode pad 6: lead terminal 7: status register 8: I / O buffer
Claims (6)
入力レベルを所定の第1レベルに固定可能な入力バッファを少なくとも有する第1バッファと、出力レベルを前記第1レベルと異なる第2レベルにして出力可能な出力バッファを少なくとも有する第2バッファと、前記第1バッファの入力端子と接続する第1電極パッドと、前記第2バッファの出力端子と接続する第2電極パッドと、を備え、
前記第1電極パッドと前記第2電極パッドとが、前記リード端子を介してチップ外で接続した状態において、検査トリガ信号入力時に、前記第2バッファが前記第2レベルを出力し、前記第1バッファが前記第2レベルの入力を検出したときに正常であると判定し、前記第1バッファが前記第1レベルの入力を検出したときに異常であると判定するように構成され、
前記第1電極パッドと前記第2電極パッドの対が、前記チップの4隅に夫々配置されていることを特徴とする検出回路。 In a semiconductor device in which the chip is supported by electrically connecting an electrode pad on a semiconductor integrated circuit chip and a lead terminal of the package, the detection circuit detects that the chip peels from the package,
A first buffer having at least an input buffer capable of fixing an input level to a predetermined first level; a second buffer having at least an output buffer capable of outputting an output level at a second level different from the first level; A first electrode pad connected to the input terminal of the first buffer; and a second electrode pad connected to the output terminal of the second buffer;
In a state where the first electrode pad and the second electrode pad are connected outside the chip via the lead terminal, the second buffer outputs the second level when an inspection trigger signal is input, and the first buffer Configured to determine that the buffer is normal when detecting the second level input, and to determine that the buffer is abnormal when the first buffer detects the first level input ;
2. A detection circuit according to claim 1, wherein a pair of the first electrode pad and the second electrode pad is disposed at each of four corners of the chip .
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