JP4740375B2 - Semiconductor manufacturing apparatus, semiconductor manufacturing method, and substrate transfer method - Google Patents
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Description
この発明は、マスクブランクやウェーハ等の基板に各種の処理(例えば拡散や薄膜形成処理)を施す半導体製造装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus that performs various types of processing (for example, diffusion or thin film formation processing) on a substrate such as a mask blank or a wafer.
半導体製造装置は、多数の基板を積載したボートを反応炉内に収容し、その反応炉内において基板に所望の処理を施すが、この際、製品(基板)の品質を所定範囲内に維持するため、基板に均一の処理を施す必要がある。 A semiconductor manufacturing apparatus accommodates a boat loaded with a large number of substrates in a reaction furnace and performs desired processing on the substrates in the reaction furnace. At this time, the quality of a product (substrate) is maintained within a predetermined range. Therefore, it is necessary to perform uniform processing on the substrate.
しかし、反応炉内における基板処理条件は、必ずしも一定ではない。 However, the substrate processing conditions in the reaction furnace are not necessarily constant.
本発明の半導体製造装置は、処理用基板の上下に上側サイドダミー基板と下側サイドダミー基板が配置された状態でボートを反応炉内に収容し、その反応炉内において、処理用基板を所定の処理条件で処理する半導体製造装置において、サイドダミー基板を前記処理用基板の積載状態に関わりなく前記ボート上の所定位置に積載する第1の移載方式と、サイドダミー基板を前記処理用基板の積載状態に応じて前記ボートの所定位置から移動させる第2の移載方式とを切り換える設定画面を有する。 In the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, a boat is accommodated in a reaction furnace in a state where an upper side dummy substrate and a lower side dummy substrate are arranged above and below the processing substrate, and the processing substrate is set in the reaction furnace. In the semiconductor manufacturing apparatus for processing under the above processing conditions, a first transfer system for loading the side dummy substrate at a predetermined position on the boat regardless of the loading state of the processing substrate, and the side dummy substrate as the processing substrate. A setting screen for switching between the second transfer method of moving from the predetermined position of the boat according to the loading state of the boat.
本発明の半導体製造装置は、処理用基板の上下に上側サイドダミー基板と下側サイドダミー基板が配置された状態でボートを反応炉内に収容し、その反応炉内において、処理用基板を所定の処理条件で処理する半導体製造装置において、サイドダミー基板を前記処理用基板の積載状態に関わりなく前記ボート上の所定位置に積載する第1の移載方式と、サイドダミー基板を前記処理用基板の積載状態に応じて前記ボートの所定位置から移動させる第2の移載方式とを切り換える設定画面を有し、前記設定画面は、補充用ダミー基板を使用するかしないかを設定する設定部分を有する。 In the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, a boat is accommodated in a reaction furnace in a state where an upper side dummy substrate and a lower side dummy substrate are arranged above and below the processing substrate, and the processing substrate is set in the reaction furnace. In the semiconductor manufacturing apparatus for processing under the above processing conditions, a first transfer system for loading the side dummy substrate at a predetermined position on the boat regardless of the loading state of the processing substrate, and the side dummy substrate as the processing substrate. A setting screen for switching between a second transfer method for moving from a predetermined position of the boat according to the loading state of the boat, and the setting screen includes a setting portion for setting whether or not to use a supplemental dummy substrate Have.
本発明の半導体製造装置は、処理用基板の上下に上側サイドダミー基板と下側サイドダミー基板が配置された状態でボートを反応炉内に収容し、その反応炉内において、処理用基板を所定の処理条件で処理する半導体製造装置において、サイドダミー基板を前記処理用基板の積載状態に関わりなく前記ボート上の所定位置に積載する第1の移載方式と、サイドダミー基板を前記処理用基板の積載状態に応じて前記ボートの所定位置から移動させる第2の移載方式とを切り換える設定画面と、前記設定画面上で移載方式が選択されると、前記選択された移載方式において、前記サイドダミー基板、前記処理用基板、補充用ダミー基板、モニタ基板等の各基板の枚数をチェックし、前記チェックの結果、各基板が前記ボート上で重なることがないと判断されると、前記各基板の移載作業を開始させ、前記チェックの結果、各基板のうちいずれかが前記ボート上で重なると判断されると、前記設定画面にエラー表示させるとともに前記各基板の移載作業を中止させる制御手段と、を有する。 In the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, a boat is accommodated in a reaction furnace in a state where an upper side dummy substrate and a lower side dummy substrate are arranged above and below the processing substrate, and the processing substrate is set in the reaction furnace. In the semiconductor manufacturing apparatus for processing under the above processing conditions, a first transfer system for loading the side dummy substrate at a predetermined position on the boat regardless of the loading state of the processing substrate, and the side dummy substrate as the processing substrate. In the setting screen for switching between the second transfer method for moving from the predetermined position of the boat according to the loading state of the boat, and when the transfer method is selected on the setting screen, in the selected transfer method, The number of substrates such as the side dummy substrate, the processing substrate, the supplementary dummy substrate, and the monitor substrate is checked, and as a result of the check, the substrates do not overlap on the boat. If it is determined, the transfer operation of each substrate is started, and if it is determined that any of the substrates overlaps on the boat as a result of the check, an error is displayed on the setting screen and each substrate is Control means for stopping the transfer operation.
反応炉内における処理用基板の処理条件を良くすることができる。
基板処理の効率化を図ることができる。
The processing conditions of the processing substrate in the reaction furnace can be improved.
The efficiency of substrate processing can be improved.
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき詳述する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
例えば、図7に示すような、縦長のボート10に多数の基板(S,M,P,F)を積載した状態では、図外の反応炉内においてボート10の上端側と下端側の基板処理条件のばらつきが大きくなる。従って、基板処理条件のばらつきが大きくなるような部分(ボート10の上端側及び下端側の部分)には、処理用基板Pではなく、ダミー基板(サイドダミー基板S)を配置し、基板処理条件が均一となるような部分(ボート10の中央側部分)には、処理用基板Pを配置するようになっている。
For example, in a state where a large number of substrates (S, M, P, F) are loaded on a vertically
尚、図8に示す半導体製造装置1において、基板30(サイドダミー基板Sや処理用基板P)が多数収容されたカセット31は、カセットローダ15によってカセットストッカ32の所定位置まで搬送される。次いで、カセット31内の基板30は、移載機14によって取り出され、その移載機14によってボート10に順次積載されるようになっている。
In the
図7は、このような半導体製造装置1における基板の移載パターンを示すものである。図7(a)は、ボート10の上端側と下端側にそれぞれサイドダミー基板Sを配置し、これら両サイドダミー基板S,S間に処理用基板Pを不足無く積載した例を示している。尚、サイドダミー基板Sと処理用基板P及び処理用基板P,Pの間には、適当な間隔でもってモニタ基板Mを積載するパターンを示すものである。又、図7(b)は、処理用基板Pが不足した部分に補充用ダミー基板Fを積載するパターンを示すものである。又、図7(c)は、処理用基板Pが不足した部分に補充用ダミー基板Fを積載することなく、下側サイドダミー基板Sを所定位置(ボート10の下端側)から移動させるパターンを示すものである。
FIG. 7 shows a substrate transfer pattern in such a
これらの図7(a)〜(c)は、いずれも図7(d)に示すように、先ず、ボート10の上端側と下端側の所定位置にサイドダミー基板Sを積載し、次いで、これら両サイドダミー基板S,S間に処理用基板Pとモニタ基板Mを積載するようになっている。そして、図7(c)に示すような場合には、処理用基板Pやモニタ基板M(場合によっては補充用ダミー基板F)の総枚数に応じて、下側サイドダミー基板Sを処理用基板P等の積載前に移動させるようになっている。尚、ここで、サイドダミー基板S,処理用基板P,補充用ダミー基板Fは、複数枚を1単位として、それぞれS,P,Fと表示している。又、モニタ基板Mは、1枚づつ各所定位置に配置されるようになっている。
7 (a) to 7 (c), as shown in FIG. 7 (d), first, the side dummy substrates S are loaded at predetermined positions on the upper end side and the lower end side of the
上記のような半導体製造装置1において、下側サイドダミー基板Sをボート10の所定位置に一旦積載した後、再度処理用基板P等の枚数に応じて移動させるのは、反応炉内における処理用基板Pの処理条件を良くするためであるが、場合によっては、下側サイドダミー基板Sの移動が基板処理条件に影響を与えず、処理用基板Pの処理品質に影響を与えないことがある。このような場合、下側サイドダミー基板Sを移動させることは、移載機14に無駄な動作をさせることになり、基板処理時間に無駄を生じることとなる。そのため、移載機14を効率的に作動させ、基板処理効率を向上させることができる半導体製造装置1の提供が望まれていた。
In the
そこで、以下の実施の形態は、このような要望に応えることができる半導体製造装置を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the following embodiment is to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of meeting such a demand.
尚、半導体製造装置の要部構成は、図8に示すものであり、その基本的構成を上記の例と共通にしているが、以下のような、上記の例とは異なる構成を備えている。 The main configuration of the semiconductor manufacturing apparatus is as shown in FIG. 8, and the basic configuration is the same as that in the above example, but the following configuration is different from the above example. .
図1は、半導体製造装置1のブロック図である。この図1に示すように、半導体製造装置1は、上位コンピュータ2や操作部3から出力された信号が主制御部4及びコントローラ5のデータ送受信部6を介してCPU(制御手段)7に入力されるようになっている。
FIG. 1 is a block diagram of the
ここで、操作部3は、基板(図示せず)の移載方式を選択するための移載方式選択手段8を備えている。この移載方式選択手段8は、サイドダミー基板Sを処理用基板Pの積載状態に関わりなくボート10上の所定位置に積載する第1の移載方式(図5乃至図6参照)と、サイドダミー基板Sを処理用基板Pの積載状態に応じてボート10の所定位置から移動させる第2の移載方式(図7(c)参照)と、を切り換える機能を有しており、設定画面11及びキーボード(図示せず)等からなっている(図2参照)。
Here, the operation unit 3 includes a transfer method selection means 8 for selecting a transfer method of a substrate (not shown). This transfer method selection means 8 includes a first transfer method (see FIGS. 5 to 6) for loading the side dummy substrate S at a predetermined position on the
CPU7は、ROM12やRAM13から読み出したデータと前記操作部3等からの入力信号に基づき、動作制御部19を介して移載機14,カセットローダ15及びボートローダ16に作動制御信号を出力するようになっている。又、CPU7は、データ入出力部17を介してソレノイド18やセンサ20に接続されており、センサ20からの検知信号を取り込み、ソレノイド18に制御信号を出力するようになっている。更に、CPU7は、カセットローダパネル21にも接続され、カセットローダパネル21からの出力信号が入力されるようになっている。
The
図2は、移載方式選択手段によって第1の移載方式を選択した後、サイドダミー基板Sの移載位置を設定する作業と、補充用ダミー基板Fをボート10に移載して処理用基板Pの不足分を補うか否かを選択する作業と、を行う場合の設定画面11の例(図2(a)参照)及びデータの設定方式(図2(b)参照)を示すものである。
FIG. 2 shows an operation for setting the transfer position of the side dummy substrate S after selecting the first transfer method by the transfer method selection means, and transferring the supplementary dummy substrate F to the
尚、図2(a)は、ウェーハアレンジメントパラメータ編集画面(設定画面)11を示すものである。そして、この設定画面11の処理用基板P及び補充用ダミー基板Fの総枚数決定方式部分において、図2(b)のデータの設定を行う(図2(a)の設定部分参照)。ここで、図2(b)の“1”(丸1)は、ボート10下側のサイドダミー基板Sの固定位置(移載位置)を設定する場合であって、補充用ダミー基板Fをボート10に移載しない場合の入力データを示すものである(図5参照)。又、図2(b)の“2”(丸2)は、ボート10下側のサイドダミー基板Sの固定位置(移載位置)を設定する場合であって、補充用ダミー基板Fをボート10に移載する場合の入力データを示すものである(図6参照)。そして、これら図2(b)の“1”(丸1),“2”(丸2)のデータは、操作部3から入力するようになっており、主制御部4及びデータ送受信部6を介してCPU7に入力される。
2A shows a wafer arrangement parameter editing screen (setting screen) 11. Then, the data shown in FIG. 2B is set in the method for determining the total number of processing substrates P and supplementary dummy substrates F on the setting screen 11 (see the setting portion in FIG. 2A). Here, “1” (circle 1) in FIG. 2B is a case where the fixing position (transfer position) of the side dummy substrate S on the lower side of the
図3は、図2におけるサイドダミー基板Sの移載方式の設定が有効か否かを判断するためのフローチャートを示すものである。 FIG. 3 shows a flowchart for determining whether or not the setting of the transfer method of the side dummy substrate S in FIG. 2 is valid.
この図3に示すように、操作部3の設定画面(例えば、ウェーハアレンジメントパラメータ編集画面)11において上述の基板移載方式が設定されて、その設定データが操作部3からコントローラ5側に入力されると(S1)、CPU7は第1の移載方式が選択されたか否か判断する(S2)。尚、第2の移載方式が選択された場合には、第2の移載方式に合致した設定値チェックが行われる。
As shown in FIG. 3, the above-mentioned substrate transfer method is set on the setting screen (for example, wafer arrangement parameter editing screen) 11 of the operation unit 3, and the setting data is input from the operation unit 3 to the
次に、CPU7は、第1の移載方式が選択されたと判断すると、ボート10にサイドダミー基板Sとモニタ基板Mを重なることなく移載することができるかどうか、サイドダミー基板Sの枚数及びモニタ基板Mの枚数チェックを行い(S3)、その枚数チェックの結果、サイドダミー基板Sとモニタ基板Mが重ならない適正な設定値であると判断すれば(S4)、その設定値をRAM13に記憶させ、移載方式の設定作業を完了させる。尚、設定値はRAM13に記憶させる他、メモリーカード22にも記憶させることができる。
Next, when determining that the first transfer method has been selected, the
又、CPU7は、枚数チェックの結果、サイドダミー基板Sとモニタ基板Mが重なる不適正な設定値であると判断すると(S4)、操作部3の設定画面11に設定値のエラー表示をする(S5)。
If the
図4は、サイドダミー基板S,モニタ基板M,処理用基板Pや補充用ダミー基板Fの移載が可能か否かの判断をするためのフローチャートを示すものである。 FIG. 4 is a flowchart for determining whether or not the side dummy substrate S, the monitor substrate M, the processing substrate P, and the supplemental dummy substrate F can be transferred.
図3の設定値チェックが終了すると、CPU7は、再度第1の移載方式が設定されているか否かをチェックし(S11)、第1の移載方式が設定されていると判断すると、サイドダミー基板S,モニタ基板M,処理用基板P及び補充用ダミー基板Fがボート10上で重なるのを防止するため、各基板の総枚数をチェックする(S12)。そして、CPU7は、そのチェックの結果、各基板の枚数が適正な枚数であり、各基板がボート10上で重なることがないと判断すると(S13)、移載機14に作動制御信号を出力し、移載機14による移載作業を開始させる(S14)。尚、CPU7は、各基板の総枚数のチェックの結果、各基板の枚数が不適正な枚数であり、各基板のうちのいずれかがボート10上で重なると判断すると(S13)、操作部3の設定画面11にエラー表示をし(S15)、移載機14による各基板の移載作業を中止する。
When the set value check in FIG. 3 is completed, the
図5は、各基板の移載パターンを示すものであり、補充用ダミー基板Fを補充しない移載パターンを示すものである。 FIG. 5 shows a transfer pattern of each substrate, and shows a transfer pattern in which the supplementary dummy substrate F is not replenished.
この図5において、“1”(丸1)の移載パターンは、ボート10上端側と下端側のサイドダミー基板S,S間にモニタ基板Mと処理用基板Pが不足なく積載された標準移載パターンを示している。“2”(丸2),“3”(丸3)の移載パターンは、処理用基板Pが不足している移載パターンを示すものである。“4”(丸4)の移載パターンは、サイドダミー基板S,S間にモニタ基板Mのみが積載された移載パターンを示すものである。
In FIG. 5, the transfer pattern of “1” (circle 1) is a standard transfer pattern in which the monitor substrate M and the processing substrate P are loaded between the side dummy substrates S on the upper and lower sides of the
図6は、各基板の移載パターンを示すものであり、補充用ダミー基板Fを補充する移載パターンを示すものである。 FIG. 6 shows a transfer pattern of each substrate, and shows a transfer pattern for supplementing the supplementary dummy substrate F.
この図6において、“1”(丸1)の移載パターンは、サイドダミー基板S,S間にモニタ基板Mと処理用基板Pが不足なく積載された標準移載パターンを示している。“2”(丸2),“3”(丸3),“4”(丸4)の各移載パターンは、処理用基板Pの不足部分に補充用ダミー基板Fを移載する移載パターンを示すものであるが、処理用基板Pの不足部分がそれぞれ異なっているため、補充用ダミー基板Fの移載位置もそれぞれ異なっている。即ち、“2”(丸2)の移載パターンは、処理用基板Pの約半数分が補充用ダミー基板Fで補充される態様であり、補充用ダミー基板Fをカセット単位で補充するパターンを示している。又、“3”(丸3)の移載パターンは、処理用基板Pが下側の3カセット分不足しているため、その3カセット分を補充用ダミー基板Fで補充する移載パターンを示している。又、“4”(丸4)の移載パターンは、処理用基板Pが各カセット毎に不足し、隙間を生じているため、その隙間に補充用ダミー基板Fを補充積載する移載パターンを示している。“5”(丸5)の移載パターンは、サイドダミー基板S,S間にモニタ基板Mが7枚積載された移載パターンを示すものである。“6”(丸6),“7”(丸7),“8”(丸8)の各移載パターンは、サイドダミー基板S,S間にモニタ基板Mが積載されない点において、前記“1”(丸1)〜“5”(丸5)の各移載パターンと異なる。この“6”(丸6)〜“8”(丸8)の各移載パターンは、いずれも処理用基板Pの不足部分に補充用ダミー基板Fを補充積載する移載パターンを示している。 In FIG. 6, a transfer pattern “1” (circle 1) indicates a standard transfer pattern in which the monitor substrate M and the processing substrate P are stacked between the side dummy substrates S without any shortage. Each of the transfer patterns “2” (circle 2), “3” (circle 3), and “4” (circle 4) is a transfer pattern in which the supplementary dummy substrate F is transferred to an insufficient portion of the processing substrate P. However, since the shortage portions of the processing substrate P are different, the transfer positions of the supplementary dummy substrates F are also different. That is, the transfer pattern of “2” (circle 2) is a mode in which about half of the processing substrate P is replenished with the supplementary dummy substrate F, and the pattern of replenishing the supplemental dummy substrate F in units of cassettes. Show. Further, the transfer pattern “3” (circle 3) indicates a transfer pattern in which the processing substrate P is insufficient for the lower three cassettes, and the three cassettes are replenished by the supplementary dummy substrate F. ing. In addition, since the transfer pattern “4” (circle 4) has a shortage of processing substrates P for each cassette and a gap is formed, a transfer pattern in which a supplementary dummy substrate F is replenished and stacked in the gap is formed. Show. The transfer pattern “5” (circle 5) indicates a transfer pattern in which seven monitor substrates M are stacked between the side dummy substrates S and S. The transfer patterns “6” (circle 6), “7” (circle 7), and “8” (circle 8) are different from each other in that the monitor substrate M is not stacked between the side dummy substrates S and S. It is different from each transfer pattern of “(circle 1) to“ 5 ”(circle 5). Each of the transfer patterns “6” (circle 6) to “8” (circle 8) indicates a transfer pattern in which the supplementary dummy substrate F is supplementally stacked on the shortage portion of the processing substrate P.
以上のような図5及び図6の移載パターンにおいて、サイドダミー基板Sは、いずれも処理用基板Pの枚数に関わりなく、ボート10の所定の移載位置から移動させることがない。即ち、サイドダミー基板Sは、ボート10の所定位置に固定されたようになっている。
In the transfer patterns of FIGS. 5 and 6 as described above, the side dummy substrate S is not moved from the predetermined transfer position of the
以上のように、本実施の形態は、サイドダミー基板Sのボート10上の積載位置が処理用基板Pの処理条件に影響を与えないような場合、移載方式選択手段8により第1の移載方式を選択すれば、処理用基板Pが不足していても、サイドダミー基板Sを処理用基板Pの移載位置に合わせて移動させる必要がなくなり、各基板のボート10への移載作業時間を短縮することができる。
As described above, in the present embodiment, when the loading position of the side dummy substrate S on the
又、本実施の形態のように、処理用基板Pが不足していても、サイドダミー基板Sを所定の移載位置から移動させることがなく、モニタ基板Mの積載位置も固定されるため、膜厚評価やパーティクル測定等の処理データ収集を標準移載パターンと同一の条件下で行うことが可能となる。 Further, as in the present embodiment, even if the processing substrate P is insufficient, the side dummy substrate S is not moved from the predetermined transfer position, and the loading position of the monitor substrate M is also fixed. Processing data collection such as film thickness evaluation and particle measurement can be performed under the same conditions as the standard transfer pattern.
処理用基板を所望の処理条件で処理するため、ボートの両端側にそれぞれサイドダミー基板を移載機で積載した後、両サイドダミー基板間に前記処理用基板を移載機で積載する半導体製造装置において、
前記サイドダミー基板を前記処理用基板の積載状態に関わりなくボート上の所定位置に積載する第1の移載方式と、前記サイドダミー基板を前記処理用基板の積載状態に応じてボートの所定位置から移動させる第2の移載方式と、を切り換える移載方式選択手段と、
該移載方式選択手段からの移載方式選択信号に基づいて、前記移載機に作動制御信号を出力する制御手段と、
を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
In order to process processing substrates under desired processing conditions, semiconductor manufacturing is performed by loading side dummy substrates on both ends of a boat with a transfer machine and then loading the processing substrates between the side dummy substrates with a transfer machine. In the device
A first transfer method for loading the side dummy substrate at a predetermined position on the boat irrespective of the loading state of the processing substrate; and a predetermined position of the boat according to the loading state of the processing substrate. A transfer method selection means for switching between the second transfer method to be moved from
Control means for outputting an operation control signal to the transfer machine based on a transfer system selection signal from the transfer system selection means;
A semiconductor manufacturing apparatus comprising:
本実施の形態の半導体製造装置は、処理用基板を所望の処理条件で処理するため、ボートの両端側にそれぞれサイドダミー基板を移載機で積載した後、両サイドダミー基板間に前記処理用基板を移載機で積載する半導体製造装置であって、前記サイドダミー基板を前記処理用基板の積載状態に関わりなくボート上の所定位置に積載する第1の移載方式と、前記サイドダミー基板を前記処理用基板の積載状態に応じてボートの所定位置から移動させる第2の移載方式と、を切り換える移載方式選択手段と、該移載方式選択手段からの移載方式選択信号に基づいて、前記移載機に作動制御信号を出力する制御手段と、を備えたことを特徴としている。 In the semiconductor manufacturing apparatus of this embodiment, in order to process a processing substrate under desired processing conditions, after loading side dummy substrates on both ends of the boat with a transfer machine, the processing substrate is disposed between both side dummy substrates. A semiconductor manufacturing apparatus for loading a substrate with a transfer machine, wherein the side dummy substrate is loaded at a predetermined position on a boat regardless of the loading state of the processing substrate, and the side dummy substrate. Based on a transfer method selection signal from the transfer method selection means, and a transfer method selection means for switching the second transfer method to move from a predetermined position of the boat according to the loading state of the processing substrate. And a control means for outputting an operation control signal to the transfer machine.
本実施の形態は、このような構成を備える結果、移載方式選択手段により第1の移載方式を選択した場合には、一旦ボートに積載したサイドダミー基板を処理用基板の移載後に移動させる必要がなくなり、基板の移載作業が効率的に行われ、ひいては基板処理作業が効率的に行われることになる。 In the present embodiment, as a result of such a configuration, when the first transfer method is selected by the transfer method selection means, the side dummy substrate once loaded on the boat is moved after the transfer of the processing substrate. Therefore, the substrate transfer operation is efficiently performed, and the substrate processing operation is efficiently performed.
以上の説明から明らかなように、本実施の形態は、サイドダミー基板を処理用基板の積載状態に関わりなくボート上の所定位置に積載する第1の移載方式と、サイドダミー基板を処理用基板の積載状態に応じてボートの所定位置から移動させる第2の移載方式と、を切り換える移載方式選択手段を備えているため、この移載方式選択手段により第1の移載方式を選択した場合、サイドダミー基板をボート上で移動させる必要がなくなり、基板をボートに移載する作業時間を短縮することができ、基板処理の効率化を図ることができる。 As is apparent from the above description, the present embodiment provides the first transfer method for loading the side dummy substrate at a predetermined position on the boat regardless of the loading state of the processing substrate, and the side dummy substrate for processing. Since the transfer method selection means for switching between the second transfer method for moving from a predetermined position of the boat according to the substrate loading state is provided, the first transfer method is selected by this transfer method selection means. In this case, it is not necessary to move the side dummy substrate on the boat, the work time for transferring the substrate to the boat can be shortened, and the efficiency of substrate processing can be improved.
1 半導体製造装置
7 CPU(制御手段)
8 移載方式選択手段
10 ボート
14 移載機
P 処理用基板
S サイドダミー基板
1
8 Transfer system selection means 10
Claims (3)
前記サイドダミー基板の移載位置を設定する作業と、前記補充用ダミー基板を前記ボートに移載する作業と、を行う設定画面を有し、
前記設定画面上で、前記補充用ダミー基板を前記ボートに移載する移載パターンが選択されると、前記サイドダミー基板が所定位置に固定され、前記モニタ基板の積載位置も固定され、前記上側サイドダミー基板と前記下側サイドダミー基板の間であって、前記モニタ基板の積載位置以外の不足部分に前記補充用ダミー基板が補充積載されることを特徴とする半導体製造装置。 In a semiconductor manufacturing apparatus for accommodating and processing a boat in a reaction furnace in a state where at least a monitor substrate and a supplementary dummy substrate are disposed between an upper side dummy substrate and a lower side dummy substrate,
A setting screen for performing an operation of setting the transfer position of the side dummy substrate and an operation of transferring the dummy substrate for replenishment to the boat;
On the setting screen, the transfer pattern for transferring the supplemental dummy substrate to the boat is selected, the side dummy substrate is fixed in position, is also fixed loading position of the monitor substrate, the upper A semiconductor manufacturing apparatus , wherein the supplementary dummy substrate is replenished and stacked in a deficient portion other than the mounting position of the monitor substrate between the side dummy substrate and the lower side dummy substrate .
前記サイドダミー基板の移載位置を設定する作業と前記補充用ダミー基板を前記ボートに移載する作業とを行う設定画面上で、前記補充用ダミー基板を前記ボートに移載する移載パターンが選択されると、前記サイドダミー基板が所定位置に固定され、前記モニタ基板の積載位置も固定され、前記上側サイドダミー基板と前記下側サイドダミー基板の間であって、前記モニタ基板の積載位置以外の不足部分に前記補充用ダミー基板が補充積載されることを特徴とする半導体製造方法。 A semiconductor manufacturing method for accommodating and processing a boat in a reaction furnace in a state where at least a monitor substrate and a supplementary dummy substrate are arranged between an upper side dummy substrate and a lower side dummy substrate,
There is a transfer pattern for transferring the supplementary dummy substrate to the boat on a setting screen for performing the operation of setting the transfer position of the side dummy substrate and the operation of transferring the supplemental dummy substrate to the boat. Once selected, the side dummy substrate is fixed in position, the loading position of the monitor substrate is also fixed, it is between the lower side dummy substrate and the upper side dummy substrate, loading position of the monitor substrate A method of manufacturing a semiconductor , wherein the supplementary dummy substrate is supplementally stacked in a deficient portion other than the above.
前記サイドダミー基板の移載位置を設定する作業と前記補充用ダミー基板を前記ボートに移載する作業とを行う設定画面上で、前記補充用ダミー基板を前記ボートに移載する移載パターンが選択されると、前記サイドダミー基板が所定位置に固定され、前記モニタ基板の積載位置も固定され、前記上側サイドダミー基板と前記下側サイドダミー基板の間であって、前記モニタ基板の積載位置以外の不足部分に前記補充用ダミー基板が補充積載されることを特徴とする基板移載方法。 A substrate transfer method for transferring a substrate so that at least a monitor substrate and a supplementary dummy substrate are arranged between an upper side dummy substrate and a lower side dummy substrate,
There is a transfer pattern for transferring the supplementary dummy substrate to the boat on a setting screen for performing the operation of setting the transfer position of the side dummy substrate and the operation of transferring the supplemental dummy substrate to the boat. When selected, the side dummy substrate is fixed at a predetermined position, the monitor substrate loading position is also fixed, and the monitor substrate loading position is between the upper side dummy substrate and the lower side dummy substrate. A substrate transfer method , wherein the supplementary dummy substrate is supplementally stacked on a deficient portion other than the above.
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