JP4774075B2 - 半導体装置に配設される中継部材及び半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置に配設される中継部材及び半導体装置に関し、より具体的には、複数の半導体チップ同士、又は半導体チップと配線基板又はリードフレームとを接続するために半導体装置に配設される中継部材及び当該中継部材を具備する半導体装置に関する。

ボンディングワイヤにより、少なくとも１つの半導体チップ（半導体素子）と配線基板又はリードフレームとを接続してなる構造を有する半導体装置においては、半導体チップにおける電極パッドと配線基板のボンディングパッド又はリードフレームのボンディングリードの配置構成により、ボンディングワイヤ同士の交差・重畳を生じてしまう、或いはボンディングワイヤ長が長くなりすぎてしまう等、ワイヤボンディングを行うことが困難な場合がある。

かかる問題を解消すべく、図１に示すように、ボンディングワイヤによる配線を中継する中継部材を半導体装置に内蔵した態様が提案されている。

図１は、中継部材を備えた従来の半導体装置の構造を示す図であり、図１−（Ａ）は図１−（Ｂ）（平面図）のＸ−Ｘ’断面を示す。

図１を参照するに、半導体装置１０は、下面に複数のバンプ２が形成された配線基板４の上に第１の半導体チップ６が載置・搭載されている。当該第１の半導体チップ６の上には、第２の半導体チップ８と中継部材２０が並んで載置されている。

配線基板４のボンディングパッド１ａと第１の半導体チップ６の電極パッド７はボンディングワイヤ３で接続されている。配線基板４のボンディングパッド１ｂと第２の半導体チップ８の第１の電極パッド１１はボンディングワイヤ５で接続されている。第２の半導体チップ８の第２の電極パッド１３は、ボンディングワイヤ２３により中継部材２０の第１のボンディングパッド２２と接続されている。中継部材２０の第２のボンディングパッド２４は、ボンディングワイヤ２５により配線基板４のボンディングパッド１ｂと接続されている。

中継部材２０の第１のボンディングパッド２２と第２のボンディングパッド２４は対向して中継部材２０内に設けられ、配線２６が両者を一直線状に結んでいる。

また、配線基板４上において、第１の半導体チップ６、第２の半導体チップ８、中継部材２０、並びに、ボンディングワイヤ３、５、２３、２５は、封止樹脂９によって封止され、半導体装置１０はパッケージ化されている。

このように、第２の半導体チップ８の第２の電極パッド１３と配線基板４のボンディングパッド１ｂとの間に中継部材２０を配設し、第２の半導体チップ８と中継部材２０をワイヤボンディングし、中継部材２０と配線基板４をワイヤボンディングをすることにより、第２の半導体チップ８と配線基板４との電気的接続を行っている。

ここで、第２の半導体チップ８の第２の電極パッド１３と配線基板４のボンディングパッド１ｂとは大きく離間しているため、中継部材２０が存在しなければワイヤ長が長いボンディングワイヤが必要となるが、この中継部材２０によりワイヤ長の短縮を図っている。

また、図２及び図３に示すように、ボンディングパッドの配列構成を図１に示す例とは異ならしめた中継部材も提案されている。

図２は、ボンディングパッドの配列構成が図１に示す例とは異なる、従来の中継部材の形態を示す平面図である。

図２に示す中継部材３０にあっては、第１のボンディングパッド群３１Ａ乃至３１Ｆの配列方向と第２のボンディングパッド群３２Ａ乃至３２Ｆの配列方向とが垂直になるように両パッドが配設され、両パッド群にあって対応するパッド間はＬ字状に延在する配線３３Ａ乃至３３Ｆによって接続されている。従って、一のボンディングパッドからのボンディングワイヤの引き出し方向を、当該ボンディングパッドと配線で接続された他のボンディングパッドからのボンディングワイヤの引き出し方向と略９０度異ならせたい場合に有効である。

図３は、ボンディングパッドの配列構成が前記図１又は図２に示す例とは異なる、他の中継部材の形態を示す平面図である。

図３に示した中継部材４０にあっては、第１のボンディングパッド４１Ａ乃至４１Ｄと第２のボンディングパッド４２Ａ乃至４２Ｄとを接続する夫々の配線４３Ａ乃至４３Ｄを途中で複数回折曲させて配設しており、ボンディングパッドの位置の並び替えを実現している。

即ち、中継部材４０の一辺（図３にあっては上部の辺）の近傍に、当該辺に沿って並び配設された第１のボンディングパッド４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ及び４１Ｄのそれぞれに対し、中継部材４０の他辺（図３にあって下方の辺）の近傍に当該辺に沿って並び配設された第２のボンディングパッド４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ及び４２Ｄが並び配設され、例えば、ボンディングパッド４１Ａとボンディングパッド４２Ｂが、またボンディングパッド４１Ｂとボンディングパッド４２Ｄが、ボンディングパッド４１Ｃとボンディングパッド４２Ａが、更にボンディングパッド４１Ｄとボンディングパッド４２Ｃが、複数回折曲して配設された配線４３により電気的に接続可能とされている。
更に、上述の例のほか、中継部材を半導体チップと略同一面上に並べて搭載し、両者をワイヤボンディングしている構造（特許文献１及び２参照）、半導体チップよりも小さい中継部材を当該半導体チップの上に搭載している構造（特許文献３及び４参照）、中継部材を半導体チップの下に配設している構造（特許文献５参照）、積層された複数の半導体チップのうち、上にある半導体チップと中継部材とが並べられて配置されている構造（特許文献６参照）、或いは積層された複数の半導体チップの間に中継部材を配設している構造（特許文献７及び８参照）を備えた半導体装置が知られている。
特開平２−１０９３４４号公報 特開平２−２１６８３９号公報 特開平５−１３４９０号公報 特開２００４−１５３２９５号公報 特表２００２−５１５１７５号公報 特開２００１−１１８８７７号公報 特開平１１−２６５９７５号公報 特開２００１−７２７８号公報

しかしながら、半導体チップ並びに配線基板の大きさ、半導体チップに形成される電極パッド或いは配線基板に形成されるボンディングパッドの数並びにその配置形態は様々である。従って、一つの半導体装置に適した中継部材であっても、必ずしも他の半導体装置に適するとは限らない。即ち、従来の中継部材では、半導体装置ごとに、半導体チップの電極パッドと配線基板又はリードフレームのボンディングパッド部の配置とに対応して、中継部材のボンディングパッドが位置づけられていた。従って、半導体チップ或いは配線基板のパッドの位置関係によっては、図１乃至図３に示した中継部材２０、３０或いは４０では対応できず、当該位置関係に応じてその都度中継部材を設計し製造しなければならず、汎用性に乏しかった。

また、半導体装置に搭載される半導体チップの仕様の変更に伴い、半導体チップの電極パッドの配置、或いは半導体チップと配線基板又はリードフレームとのワイヤボンディング部との接続構成を変更しなければならない場合がある。更に、製造歩留りを向上させる目的で既存の半導体装置において中継部材のボンディングパッドの位置を変更せざるを得ない場合等もある。これらの場合にも、前記従来の中継部材では対応できず、別の構造を有する中継部材を新たに配設する必要があった。

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであって、半導体装置に配設される中継部材に於いて、当該中継部材に配設される複数個のボンディングパッドの選択、及び／或いは当該ボンディングパッド間を接続する配線或いはボンディングワイヤの接続形態を任意に設定可能として、異なる機能・構成を有する半導体装置に対しても適用することが可能な構成を提供すると共に、当該中継部材を備えた半導体装置を提供することを目的とする。

本発明の別の観点によれば、半導体装置に配設される中継部材であって、
当該中継部材は、当該中継部材が配設される前記半導体装置に配設される半導体素子と同一の材料から成り、当該中継部材は、第１の端子と第２の端子とを備え、前記第１の端子と前記第２の端子の少なくとも一方を複数有し、前記第１の端子に接続される第１端子用配線の端部及び前記第２の端子に接続される第２端子用配線の端部のうち少なくとも１つにより連結部が形成され、少なくとも前記連結部に接続部材が形成されることにより、前記第１の端子と前記第２の端子が接続され、
前記第１端子用配線及び前記第２端子用配線は、前記中継部材の一主面上の同一層に形成され、前記接続部材が、スタッドバンプ又はボンディングワイヤの少なくとも一方を含むことを特徴とする中継部材が提供される。

本発明の更に別の観点によれば、少なくとも１つの半導体素子と、配線基板又はリードフレームと、を備えた半導体装置であって、前記半導体素子と前記配線基板又は前記リードフレームとは中継部材を介して接続され、当該中継部材は、当該中継部材が配設される前記半導体装置に配設される半導体素子と同一の材料からなり、前記中継部材は、第１の端子と、第２の端子とを備え、前記第１の端子と前記第２の端子の少なくとも一方を複数有し、前記第１の端子に接続される第１端子用配線の端部及び前記第２の端子に接続される第２端子用配線の端部のうち少なくとも１つにより連結部が形成され、少なくとも前記連結部に接続部材が形成されることにより、前記第１の端子と前記第２の端子が接続され、前記第１端子用配線及び前記第２端子用配線は、前記中継部材の一主面上の同一層に形成され、前記接続部材が、スタッドバンプ又はボンディングワイヤの少なくとも一方を含むことを特徴とする半導体装置が提供される。

上述の中継部材又は半導体装置によれば、かかる中継部材を異なる半導体装置で適用させることができ、中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置の製造費用を低減することができる。また、中継部材の汎用性を高めることができ、配線基板又はリードフレームに搭載される半導体素子の組み合せの自由度を向上させることができる。更に、中継部材へのワイヤボンディングを行う場所を任意に設定できるため、製造歩留りを向上させることができる。

本発明によれば、半導体装置に配設される中継部材に於いて、当該中継部材に配設される複数個のボンディングパッドの選択、及び／或いは当該ボンディングパッド間を接続する配線或いはボンディングワイヤの接続形態を任意に設定可能として、異なる機能・構成を有する半導体装置に対しても適用することが可能な構成を提供すると共に、当該中継部材を備えた半導体装置を提供することができる。

以下、本発明の実施の形態について説明する。

説明の便宜上、まず本発明に係る中継部材の実施形態について説明し、次いで、当該中継部材を搭載した本発明に係る半導体装置の実施形態について説明する。

[中継部材]
本発明に於ける中継部材は、半導体装置内に配設され、一つの半導体チップ（半導体素子）と、他の半導体チップ、配線基板、又はリードフレームとの間を相互に接続するボンディングワイヤ等による配線を中継する部材である。

なお、以下の説明において、「第１のボンディングパッド」が特許請求の範囲の記載における「第１の端子」に、「第２のボンディングパッド」が特許請求の範囲の記載における「第２の端子」に、「第１のボンディングパッドに接続される配線」が特許請求の範囲の記載における「第１端子用配線」に、「第２のボンディングパッドに接続される配線」が特許請求の範囲の記載における「第２端子用配線」に該当する。

図４は、本発明の実施形態に係る中継部材５０の概略構成（その１）を示した平面図である。

図４を参照するに、主面が略矩形形状の中継部材５０の一辺（図４にあっては上部の辺）に沿って、第１のボンディングパッド５１Ａ乃至５１Ｅが設けられている。第１のボンディングパッド５１Ａ乃至５１Ｅには、図示を省略する一の半導体チップの電極パッドとの電気的接続を行うボンディングワイヤ５３が夫々接続されている。また、中継部材５０の他辺（図４にあっては、前記上部の辺に対向する下方の辺）に沿って、第２のボンディングパッド５２Ａ乃至５２Ｅ、５２Ａ’、５２Ｂ’、及び５２Ｅ’が配設されている。このうち、第２のボンディングパッド５２Ａ乃至５２Ｅには、図示を省略する他の半導体チップ、配線基板又はリードフレームとの電気的接続を行うボンディングワイヤ５４が夫々接続されている。

ここで、第２のボンディングパッド５２Ａ’は、第２のボンディングパッド５２Ａと５２Ｂとの間に配設されているが、ボンディングワイヤ５４が接続されておらず、この図４に示す例では予備ボンディングパッドとされる。また第２のボンディングパッド５２Ｂ’は、第２のボンディングパッド５２Ｄと５２Ｅとの間に配設されているが、ボンディングワイヤ５４が接続されておらず、この図４に示す例では予備ボンディングパッドとされる。更に、第２のボンディングパッド５２Ｅ’は、第２のボンディングパッド５２Ｅの右側に配設されているが、ボンディングワイヤ５４等が接続されておらず、この図４に示す例では予備ボンディングパッドとされる。

かかる構成に於いて、まず第１のボンディングパッド５１Ａと、第２のボンディングパッド５２Ａ及び５２Ａ’との関係に着目する。

第１のボンディングパッド５１Ａと、第２のボンディングパッド５２Ａ及び予備ボンディングパッド５２Ａ’とは、第１の配線５５によって接続されている。より具体的には、第１の配線５５は途中で分岐し、配線部５５Ａ及び５５Ａ’を形成している。配線部５５Ａは第２のボンディングパッド５２Ａに接続され、配線部５５Ａ’は第２のボンディングパッド５２Ａ’に接続されている。

即ち、第１のボンディングパッド５１Ａと、当該第１のボンディングパッド５１Ａと途中で分岐した第１の配線５５により接続される二つの第２のボンディングパッド５２Ａ、５２Ａ’が設けられ、当該第２のボンディングパッド５２Ａ或いは５２Ａ’のいずれかに対するボンディングワイヤ５４の接続が選択可能とされている。

従って、半導体チップ、配線基板、又はリードフレームのパッドの配置構成に応じて、同電位となる第２のボンディングパッド５２Ａ或いは５２Ａ’のいずれかを選択してボンディングワイヤ５４を接続することができる。

図４に示す構成にあっては、第２のボンディングパッド５２Ａが選択され、第２のボンディングパッド５２Ａにボンディングワイヤ５４が接続されている。他方の第２のボンディングパッド５２Ａ’は選択されず、予備ボンディングパッドとされる。

次に、第１のボンディングパッド５１Ｂと、第２のボンディングパッド５２Ｂ及び５２Ｂ’との関係に着目する。

第１のボンディングパッド５１Ｂには第２の配線５６が、第２のボンディングパッド５２Ｂには第３の配線５７が、また離間した位置に配置された第２のボンディングパッド５２Ｂ’には第４の配線５８が接続されている。各配線５６乃至５８の端部にはボンディングワイヤ用連結部６０が形成されている。ボンディングワイヤ用連結部６０の具体的構成については後述する。

かかる構成に於いて、第１のボンディングパッド５１Ｂに接続された第２の配線５６の端部に形成されたボンディングワイヤ用連結部６０ａと、第２のボンディングパッド５２Ｂに接続された第３の配線５７の端部に形成されたボンディングワイヤ用連結部６０ｂ、又は第２のボンディングパッド５２Ｂ’に接続された第４の配線５８の端部に形成されたボンディングワイヤ用連結部６０ｄとの間は、択一的に、接続部材としてボンディングワイヤを用いて接続することができる。

即ち、半導体チップ、配線基板、又はリードフレームのパッドの配置構成に応じて、同電位となる複数の第２のボンディングパッド５２Ｂ又は５２Ｂ’のいずれか一方を選択し、第１のボンディングパッド５１Ｂに接続することができる。

図４に示す構成にあっては、第２のボンディングパッド５２Ｂに接続された第３の配線５７の端部に形成されたボンディングワイヤ用連結部６０ｂが選択されている。

即ち、第１のボンディングパッド５１Ｂに接続された第２の配線５６の端部に形成されたボンディングワイヤ用連結部６０ａと、第２のボンディングパッド５２Ｂに接続された第３の配線５７の端部に形成されたボンディングワイヤ用連結部６０ｂとの間が、接続部材たるボンディングワイヤ６１によって電気的に接続可能とされている。当該第２のボンディングパッド５２Ｂにはボンディングワイヤ５４が接続されている。

このように、中継部材５０の表面に配設された配線の上方において、接続部材たるボンディングワイヤ６１を用いて、離間した二つのボンディングワイヤ用連結部６０間を接続することが可能となる。

一方、第２のボンディングパッド５２Ｂ’は、対応するボンディングワイヤ用連結部６０ｄにボンディングワイヤ６１が接続されず、予備ボンディングパッドとされる。従って
当該ボンディングパッド５２Ｂ’へは、ボンディングワイヤ５４は接続されない。

このように、ボンディングワイヤ用連結部６０の配設により、中継部材５０に於ける結線の自由度が向上する。

次に、第１のボンディングパッド５１Ｃ及び５１Ｄと、第２のボンディングパッド５２Ｃ及び５２Ｄとの関係に着目する。

第１のボンディングパッド５１Ｃには第５の配線７０が、第１のボンディングパッド５１Ｄには第６の配線８０が、第２のボンディングパッド５２Ｃには第７の配線９０及び第８の配線９５が、更に第２のボンディングパッド５２Ｄには第９の配線１００が接続されている。ここで、第５の配線７０、第６の配線８０、第９の配線１００は、上述の第１の配線５０と同様に途中で分岐し、それぞれ、配線部７０Ａ及び７０Ａ’、配線部８０Ａ及び８０Ａ’、配線部１００Ａ及び１００Ａ’を構成している。

そして、第５の配線７０の配線部７０Ａの端部と、当該端部と所定長さ離間して設けられている第７の配線９０の端部がバンプ用連結部１１０を形成している。第５の配線７０の配線部７０Ａ’の端部と、当該端部と所定長さ離間して設けられている第９の配線１００の配線部１００Ａの端部がバンプ用連結部１１５を形成している。

また、第５の配線８０の配線部８０Ａの端部と、当該端部と所定長さ離間して設けられている第９の配線１００の配線部１００Ａ’の端部がバンプ用連結部１２０を形成している。更に、第５の配線８０の配線部８０Ａ’の端部と、当該端部と所定長さ離間して設けられている第８の配線９５の端部が、バンプ用連結部１２５を形成している。

バンプ用連結部１１０、１１５、１２０及び１２５の具体的構成については後述するが、バンプ用連結部１１０、１１５、１２０及び１２５に対しては接続部材として所謂スタッドバンプを適用することが可能であり、前記第５乃至第９の配線７０、８０、９０、９５及び１００のうち、必要な配線を択一的に選択し接続することが可能である。

図４に示す構成にあっては、バンプ用連結部１１０、１１５、１２０及び１２５のうち、バンプ用連結部１１０及び１２０が選択されている。バンプ用連結部１１０を形成する第５の配線７０の配線部７０Ａの端部と第７の配線９０の端部とを橋絡接続するようにスタッドバンプ１３０ａが、また、バンプ用連結部１２０を形成する第５の配線８０の配線部８０Ａの端部と第９の配線１００の配線部１００Ａ’の端部とを橋絡接続するように、スタッドバンプ１３０ｂが形成されている。

従って、第５の配線７０の配線部７０Ａと第７の配線９０が接続され、また、第６の配線８０の配線部８０Ａと第９の配線１００の配線部１００Ａ’が接続されている。

この結果、第１のボンディングパッド５１Ｃと第２のボンディングパッド５２Ｃが電気的に接続可能とされ、第１のボンディングパッド５１Ｄと第２のボンディングパッド５２Ｄが電気的に接続可能とされる。

一方、バンプ用連結部１１５及び１２５にはスタッドバンプが形成されていないため、第５の配線７０の配線部７０Ａ’と第９の配線１００の配線部１００Ａ’とは電気的に接続されず、また、第６の配線８０の配線部８０Ａ’と第８の配線９５とは電気的に接続されない。この結果、第１のボンディングパッド５１Ｃと第２のボンディングパッド５２Ｄとの間、ならびに第１のボンディングパッド５１Ｄと第２のボンディングパッド５２Ｃとの間は電気的に接続されない。

本実施例にあっては、接続部材としてスタッドバンプが適用されている。スタッドバンプであれば、半導体装置の製造工程で用いる設備（例えば、ワイヤボンダ又はバンプボンダ）及び材料（例えば、金からなる金属ワイヤ）を用いることができ、特別な設備及び部材を別途必要としないため、生産性が高い。これにより簡易かつ低コストに接続部材を形成できる。

なお、本発明においては、かかる接続部材は当該スタッドバンプに限定されない。接続部材として、例えば、銀、銅又はカーボン等の微粒子を含んだペースト状の導電性樹脂を用いてもよい。ペースト状の導電性樹脂を用いることにより、連結部に形成される接続部材の大きさ及び／或いは高さの調整を容易に行うことができ、接続部材の高さを低くすることができる。従って、当該中継部材を搭載した半導体装置の薄型化を実現することができる。

このように、本発明による中継部材にあっては、半導体チップ、配線基板、又はリードフレームの大きさ及び／或いはパッドの配置構成に応じて、任意に、ボンディングパッド５１Ｃ又は５１Ｄ、及び５２Ｃ又は５２Ｄを選択でき、それに応じて連結部１１０、１１５、１２０及び１２５の何れに対して、スタッドバンプなどの接続部材を配設するのかを決定すればよく、中継部材における複数の離間した連結部の結線の自由度を向上させることができる。

次に、第１のボンディングパッド５１Ｅと、第２のボンディングパッド５２Ｅ及び５２Ｅ’との関係に着目する。

第１のボンディングパッド５１Ｅには第１０の配線１５０が接続されている。第１０の配線１５０の端部には、第２の配線５６と同様に、ボンディングワイヤ用連結部６０ｃが形成されている。

当該ボンディングワイヤ用連結部６０ｃと第２のボンディングパッド５２Ｅ又は５２Ｅ’との間は、択一的に、接続部材としてボンディングワイヤを用いて接続することが可能である。即ち、半導体チップ、配線基板、又はリードフレームのパッドの配置構成に応じて、第２のボンディングパッド５２Ｅと５２Ｅ’のいずれかを任意に選択することができる。

図４に示す構成にあっては、ボンディングワイヤ用連結部６０ｃと第２のボンディングパッド５２Ｅとの間が、ボンディングワイヤ１５５により接続されている。より具体的には、第２のボンディングパッド５２Ｅにおいて、ボンディングワイヤ５４が接続された箇所と並んで、ボンディングワイヤ１５５が接続されている。一方、第２のボンディングパッド５２Ｅ’には、ボンディングワイヤ１５５が接続されず、当該ボンディングパッド５２Ｅ’は予備ボンディングパッドとされる。

次に、中継部材５０において、スタッドバンプ１３０の形成箇所及びボンディングワイヤ６１及び１５５の接続箇所を変えることにより、ボンディングワイヤ５４を接続する第２のボンディングパッドを第２のボンディングパッド５２Ａ’、５２Ｂ’、及び５２Ｅ’とし、また、第１のボンディングパッド５１Ｃと電気的に接続されるパッドを第２のボンディングパッド５２Ｄとし、更に第１のボンディングパッド５１Ｄと電気的に接続されるパッドを第２のボンディングパッド５２Ｃとした例について、図５を参照して説明する。

ここで、図５は本発明の第１の実施形態に係る中継部材５０の概略構成を示した平面図（その２）である。

まず、第１のボンディング５１Ａと、第２のボンディングパッド５２Ａ及び５２Ａ’との関係に着目する。

前記図４に示した例では、第２のボンディングパッド５２Ａが選択され、第２のボンディングパッド５２Ａにボンディングワイヤ５４が接続されていた。

しかし、半導体チップ、配線基板、又はリードフレームのパッドの配置構成に応じて、第１のボンディングパッド５１Ａに電気的に接続される第２のボンディングパッドとして、第２のボンディングパッド５２Ａではなく、図４に示す例では予備ボンディングパッドとされた第２のボンディングパッド５２Ａ’を選択し、当該第２のボンディングパッド５２Ａ’に対してボンディングワイヤ５４を接続することが望ましい場合がある。

このように、第１のボンディングパッド５１Ａと第２のボンディングパッド５２Ａ又は５２Ａ’とを電気的に接続する第１の配線５５が途中で分岐されていることから、同電位である前記第２のボンディングパッド５２Ａと５２Ａ’のいずれかを選択することができる。図５に示す例では、第２のボンディングパッド５２Ａ’が選択され、第２のボンディングパッド５２Ａ’にボンディングワイヤ５４が接続されている。一方、第２のボンディングパッド５２Ａは、予備ボンディングパッドとされる。

次に、第１のボンディングパッド５１Ｂと、第２のボンディングパッド５２Ｂ及び５２Ｂ’との関係に着目する。

前記図４に示した例では、第１のボンディングパッド５１Ｂに接続された第２の配線５６の端部に形成されたボンディングワイヤ用連結部６０ａと、第２のボンディングパッド５２Ｂに接続された第３の配線５７の端部に形成されたボンディングワイヤ用連結部６０ｂが、ボンディングワイヤ６１によって電気的に接続可能とされている。

しかし、半導体チップ、配線基板、又はリードフレームのパッドの配置構成に応じて、第１のボンディングパッド５１Ｂに電気的に接続される第２のボンディングパッドとして、第２のボンディングパッド５２Ｂではなく、図４に示す例では予備ボンディングパッドとされた第２のボンディングパッド５２Ｂ’を選択し、当該第２のボンディングパッド５２Ｂ’に対してボンディングワイヤ５４を接続することが望ましい場合がある。

図５に示す構成にあっては、第１のボンディングパッド５１Ｂに電気的に接続される第２のボンディングパッドとして第２のボンディングパッド５２Ｂ’を選択し、ボンディングワイヤ６１を、第１のボンディングパッド５１Ｂに接続された第２の配線５６の端部に形成されたボンディングワイヤ用連結部６０ａと、第２のボンディングパッド５２Ｂ’に接続された第４の配線５８の端部に形成されたボンディングワイヤ用連結部６０ｄとの間に接続している。一方、第２のボンディングパッド５２Ｂは、予備ボンディングパッドとされる。

次に、第１のボンディングパッド５１Ｃ及び５１Ｄと、第２のボンディングパッド５２Ｃ及び５２Ｄとの関係に着目する。

前記図４に示した例では、バンプ用連結部１１０、１１５、１２０及び１２５のうち、バンプ用連結部１１０及び１２０が選択されてスタッドバンプ１３０が形成され、第５の配線７０の配線部７０Ａと第７の配線９０が接続され、また、第６の配線８０の配線部８０Ａと第９の配線１００の配線部１００Ａ’が接続されている。その結果、第１のボンディングパッド５１Ｃと第２のボンディングパッド５２Ｃが電気的に接続され、第１のボンディングパッド５１Ｄと第２のボンディングパッド５２Ｄが電気的に接続可能とされている。

しかし、半導体チップ、配線基板、又はリードフレームのパッドの配置構成に応じて、第１のボンディングパッド５１Ｄと第２のボンディングパッド５２Ｃとを電気的に接続し、第１のボンディングパッド５１Ｃと第２のボンディングパッド５２Ｄとを電気的に接続することが望ましい場合がある。

図５に示す構成にあっては、バンプ用連結部１１５及び１２５にスタッドバンプ１３０ｃ、１３０ｄを配設し、第５の配線７０の配線部７０Ａ’と第９の配線１００の配線部１００Ａとが電気的に接続可能とされ、また第６の配線８０の配線部８０Ａ’と第８の配線９５とが電気的に接続可能とされている。この結果、第１のボンディングパッド５１Ｃと第２のボンディングパッド５２Ｄが、また、第１のボンディングパッド５１Ｄと第２のボンディングパッド５２Ｃが、それぞれ電気的に接続可能とされている。

一方、バンプ用連結部１１０及び１２０にはスタッドバンプは配設されない。従って第５の配線７０の配線部７０Ａと第７の配線９０は接続されず、また第６の配線８０の配線部８０Ａと第９の配線１００の配線部１００Ａ’は接続されない。この結果、第１のボンディングパッド５１Ｃと第２のボンディングパッド５２Ｃとの間、ならびに第１のボンディングパッド５１Ｄと第２のボンディングパッド５２Ｄとの間は電気的に接続されない。

次に、第１のボンディングパッド５１Ｅと、第２のボンディングパッド５２Ｅ及び５２Ｅ’との関係に着目する。

前記図４に示した構成にあっては、第１０の配線１５０の端部に形成されたボンディングワイヤ用連結部６０と第２のボンディングパッド５２Ｅとの間が、ボンディングワイヤ１５５により電気的に接続可能とされている。

しかし、半導体チップ、配線基板、又はリードフレームのパッドの配置構成に応じて、第１のボンディングパッド５１Ｅに電気的に接続される第２のボンディングパッドとして、第２のボンディングパッド５２Ｅではなく、図４に示す例では予備ボンディングパッドとされた第２のボンディングパッド５２Ｅ’を選択しボンディングワイヤ５４を接続することが望ましい場合がある。

図５に示す例では、第２のボンディングパッド５２Ｅ’が選択され、第２のボンディングパッド５２Ｅ’に於いて、ボンディングワイヤ１５５上にボンディングワイヤ５４が重ねられて接続されている。一方、第２のボンディングパッド５２Ｅにはボンディングワイヤが接続されず、当該第２のボンディングパッド５２Ｅは予備パッドとされる。なお、ボンディングワイヤ５４及び１５５の第２のボンディングパッド５２Ｅ’への接続構造については後述する。

ところで、本発明に於ける前記中継部材５０並びに後述する他の構造を有する中継部材は、当該中継部材が搭載される半導体装置に於ける半導体チップと同様の材料、例えばシリコン（Ｓｉ）を用いて形成することができる。この場合には、半導体チップの製造プロセスと同様のプロセスを経てシリコン基板上に配線、ボンディングパッド等を形成する。

即ち、シリコン基板の一方の主面にシリコン酸化膜等の絶縁層を形成し、当該絶縁層上にアルミニウム（Ａｌ）等の金属層を形成し、これをフォトリソグラフィ技術をもって所望のパターンとすることにより、配線、ボンディングパッド等を含む中継部材の要素を複数形成する。表面保護膜等は必要に応じて形成される。その後、シリコン基板を切断・分割し、個々の中継部材を得る。

従って、中継部材を生産性高く製造することができ、また、微細な配線の形成を容易に行うことができる。このため、中継部材において複雑な接続構造を有する配線を高い歩留りで形成できる。また、中継部材の材料が、半導体チップと同一材料であれば中継部材の熱膨張係数と半導体チップの熱膨張係数は同一であり、中継部材が半導体チップに接するように構成される半導体装置の場合、熱膨張係数の相違等に基づくひずみ発生及び／又は応力集中を回避することができ、半導体装置の信頼性を向上させることができる。

次に、連結部の構造について説明する。

まず、ボンディングワイヤ用連結部６０の構造について図６を参照して説明する。図６は、ボンディングワイヤ用連結部６０の構造を示す図であり、図６−（Ａ）は平面図であり、図６−（Ｂ）は図６−（Ａ）のＸ−Ｘ’断面を示す。

図６を参照するに、中継部材５０の絶縁層１６０上には配線（例えば、図４に示す第２の配線５６）が形成されている。なお、中継部材５０が半導体チップと同一の材料からなる場合には、絶縁層１６０はシリコン等の半導体基板上に形成されたシリコン酸化膜等からなる絶縁層であってもよく、また、中継部材５０がガラスエポキシからなるプリント基板、ポリイミドフィルムであれば、中継部材５０の基材自体が絶縁材料であるため、基材部が絶縁層に相当する。なお、図６−（Ａ）では、当該配線は点線で示されている。

配線は、例えば、アルミニウム、銅、金、銀、ニッケル等の金属又はこれらの何れかの合金から形成されてよい。特に、中継部材がガラスエポキシからなるプリント基板、ポリイミドフィルムであれば、配線は銅から形成されることが望ましい。

配線の端部は、図６−（Ａ）に示すように、他の配線部分より幅（図６−（Ａ）における縦方向の長さ）が大きく形成されている。

図７は、ボンディングワイヤ用連結部の他の例における、配線の端部の形状を示す平面図であり、図８は、ボンディングワイヤ用連結部の更に他の例における、配線の端部の形状を示す平面図である。

配線の端部の形状は、前記図６−（Ａ）に示す形状に限られない。

例えば、図７に示すように、他の配線部分の幅と同じ幅を有するように端部が形成されていてもよい。また、図８に示すように、他の配線部分の幅よりも大きい径の円形部が形成されていてもよい。

前記図６を参照するに、配線（例えば、第２の配線５６）の上には、絶縁膜１６２が形成されている。絶縁膜１６２としては、例えばポリイミド、エポキシ等の樹脂膜であってもよく、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜等であってもよい。またこれらを多層に形成してもよい。例えば、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の二層構成にしてもよい。

絶縁膜１６２を配線の上に形成することにより、複数の隣接する配線間を確実に絶縁することができる。また、中継部材の製造工程において金属異物等の混入による配線間のショートの発生を防止できる。更に、金属からなる配線に於ける、水分及び／或いはＮａ^＋、Ｋ^＋、Ｃｌ⁻等の不純物イオンに因る腐食を防止することができる。また、機械的応力から配線を保護することができる。

また、配線（例えば、第２の配線５６）の端部を覆う絶縁膜１６２は一部が開口されており、その開口部には主面が略矩形形状の金属めっき部１６４が形成されている。金属めっき部１６４として、例えば、金めっき、ニッケルと金との二層めっき、或いは銅めっき等が適用される。この金属めっき部１６４にボンディングワイヤ（例えば、ボンディングワイヤ６１等）が接続される。但し、絶縁膜１６２及び金属めっき部１６４は必ずしも設けられていなくてもよい。

次に、バンプ用連結部１１０の構造について図９を参照して説明する。図９は、バンプ用連結部１１０の構造を示す図であり、図９−（Ａ）は平面図であり、図９−（Ｂ）は図９−（Ａ）のＸ−Ｘ’断面を示す。

図９を参照するに、中継部材５０の絶縁層１６０の上に２つの配線、例えば前記図４に示した構成に於ける第５の配線７０の配線部７０Ａと第７の配線９０とが、所定の長さ離間し対向して配設されている。図９−（Ａ）では、当該配線は点線で示されている。

同図から明らかなように、配線の端部は、他の配線部分よりその幅（図９−（Ａ）における縦方向の長さ）が大きく形成されている。

配線の材料については、既に述べているので省略する。

図１０乃至図１５は、配線の端部に於けるバンプ用連結部の他の形状を示す平面図である。ここに示される様に、互いに対向する配線の端部の形状は、図９−（Ａ）に示す形状に限られない。

例えば、図１０に示すように、他の配線部分の幅と同じ幅を有するように端部が形成されていてもよい。また、図１１に示すように、対向する二つの配線の端部の形状がそれぞれＬ字状とされ、即ち１８０度回転すると他の配線の端部の形状と同一形状になるように段差を有してもよい。

図１０に示す如く、対向して設けられた配線の端部が互いに離間している部分の中央がスタッドパンプなどの接続部材の配設位置として設定され、当該接続部材が配設されるが、当該接続部材の配設位置が上下・左右に位置ずれし、所望の接続がなされない場合がある。

これに対し、対向する二つの配線の端部を図１１に示す形状とすることにより、配線の端部における接続部材間の対向する長さをより長く確保することができる。これにより、接続部材の配設位置が目標位置からずれても、配線間の接続を高い確率をもって実現することができる。

また、接続されるべき配線の延在方向が互いに略垂直となる場合には、図１２に示すように、互いに離間している部分を軸に線対称となるように、配線の端部７５−１及び７５−２を形成してもよい。また、３つの配線の端部においてバンプ用連結部が形成される場合には、図１３、図１４に示すように、一の配線の端部７６−１の先端部が二つの辺によって鋭角を形成し、当該辺と平行な辺を有する他の２つの配線の端部７６−２及び７６−３が所定長さ離間しつつも近接するようにして、配線の端部７６−１乃至７６−３が形成されてもよい。

また、図１５に示すように、配列方向が９０度ずつ異なる４つの配線が設けられている場合には、当該配線の端部の先端を略中心に所定長さ離間しつつも近接するように、配線端部７７−１乃至７７−４が形成されてもよい。

これら、図１２乃至図１５に示される構成にあっては、連結部の幅が配線部の幅よりも拡大され、対向する長さが可能な範囲でより長くされることが好ましい。

前記図９を再度参照するに、第５の配線７０の配線部７０Ａと第７の配線９０の上には、絶縁膜１６２が形成されている。当該絶縁膜１６２の材料については説明を省略する。

絶縁膜１６２のうち、配線の端部を覆う絶縁膜には開口が形成され、その開口部には、主面が略矩形形状の金属めっき部１６４が設けられている。金属めっき部１６４の材料についても説明を省略する。

かかる構造を備えたバンプ用連結部１１０への、スタッドバンプ１３０の配設構造を図１６に示す。図１６は、バンプ用連結部１１０に対するスタッドバンプ１３０の配設構造を示す断面図である。

図１６−（Ａ）を参照するに、対向して配置された二つの配線７０Ａ及び９０を覆う絶縁膜１６２の表面よりも高く、当該配線の端部に形成された金属めっき部１６４ａと１６４ｂとの間を橋絡するように、スタッドバンプ１３０が配設される。

二つの金属めっき部１６４は、絶縁膜１６２の表面よりも高く形成されているため、スタッドバンプ１３０を確実に接続することができ、中継部材の製造歩留りは損なわれない。

なお、絶縁膜１６２及び金属めっき部１６４は必ずしも形成される必要はなく、かかる場合には、スタッドバンプ１３０からなる接続部材は、対向する配線７０Ａ、９０の端部を橋絡するように形成される。かかる状態を図１６−（Ｂ）に示す。

スタッドバンプの配設構造は、図１７に示す構造であってもよい。図１７は、バンプ用連結部１１０への、スタッドバンプ１３０の他の配設構造を示した断面図である。

図１７を参照するに、配線部７０Ａの端部及び第７の配線９０の端部であって、絶縁膜１６２が設けられていない部分にスタッドバンプ１３０−１ａ、１３０−１ｂが夫々設けられ、当該２つのスタッドバンプ１３０−１ａ、１３０−１ｂを橋絡接続するように、スタッドバンプ１３０−２が配設されている。

前記図１６−（Ｂ）に示す構造では、スタッドバンプト１３０は、配線７０Ａと配線９０との間に於いて絶縁膜１６２を覆う状態で配設される。この為、当該スタッドバンプ１０３０と二つの配線との接触面積が減少し、当該スタッドバンプ１３０の接着強度が低くなる場合が考えられる。

これに対し、図１７に示す構造にあっては、配線７０Ａとスタッドバンプ１３０−１ａ、配線９０とスタッドバンプ１３０−１ｂとは、それぞれ十分に大きな面積をもって接続されることから、当該配線７０Ａとスタッドバンプ１３０−１ａ並びに配線９０とスタッドバンプ１３０−１ｂとの間の接続強度は高く、より確実な電気接続を確保することができる。

次に、ボンディングワイヤ５４及び１５５の第２のボンディングパッド５２Ｅ’（図５参照）への接続構造について図１８を参照して説明する。ここで、図１８は、ボンディングワイヤ５４及び１５５の第２のボンディングパッド５２Ｅ’への接続構造を示す。

前記図４に示した第２のボンディングパッド５２Ｅにあっては、ボンディングワイヤ５４が接続された箇所と並びボンディングワイヤ１５５が接続されている。一方、図５に示した第２のボンディングパッド５２Ｅ’では、ボンディングワイヤ１５５上にボンディングワイヤ５４が重ねられて接続されている。

図１８に示す接続構造にあっては、中継部材５０に設けられた第２のボンディングパッド５２Ｅ’の上に、先ずスタッドバンプ１５７が配設されている。当該スタッドバンプ１５７の上に、図５に示す第１のボンディングパッド５１Ｅに接続される第１０の配線１５０の端部に形成されたボンディングワイヤ用連結部６０ｃに接続されるボンディングワイヤ１５５の他端部が接続されている。更に、当該ボンディングワイヤ１５５の上に、配線基板又はリードフレームと中継部材５０との電気的接続を行うボンディングワイヤ５４が重ねられて接続されている。

このように、ボンディングワイヤ５４及び１５５は、重ねられて接続されている。従って、第２のボンディングパッド５２Ｅ’の面積を小さくすることができ、中継部材５０の小型化を図ることができる。また、第２のボンディングパッド５２Ｅ’上には、スタッドバンプ１５７が設けられているため、ボンディングワイヤ１５５を、当該スタッドバンプ１５７の高さ分高くして配線することができる。従って、ボンディングワイヤ１５５が垂れるなどして他の配線等に接触してしまうことを防止することができる。更に、ボンディングワイヤ１５５は、ボンディングワイヤ５４とスタッドバンプ１５７に挟持されているので、ボンディングワイヤ５４とボンディングワイヤ１５５との間の密着性を高めることができる。

このように、前記図４及び図５等に示した本発明の実施形態に係る中継部材５０においては、第１のボンディングパッド５１に接続される配線の端部と第２のボンディングパッド５２に接続される配線の端部が、又第１のボンディングパッド５１と第２のボンディングパッド５２に接続される配線の端部が、更に第１のボンディングパッド５１に接続される配線の端部と第２のボンディングパッド５２が、当該配線の連結部に形成されるスタッドバンプ又はボンディングワイヤ等の接続部材によって接続される。

この時、中継部材５０が搭載される半導体チップ又は配線基板等と当該中継部材５０との組み合わせに応じて、どの連結部に対してスタッドバンプ又はボンディングワイヤを接続するかについて、その設定を容易に行うことができる。

このため、中継部材５０を異なる半導体装置に対して適用させることができ、中継部材５０及び当該中継部材５０を備えた半導体装置の製造費用を低減することができる。

また、中継部材５０の汎用性を高めることができるため、配線基板又はリードフレームに搭載される半導体チップの組み合せの自由度を高めることができる。更に、中継部材５０のボンディングパッドの何れにワイヤボンディングするのかを任意に設定できるため、製造歩留りを向上させることができる。

また、中継部材５０において、第１のボンディングパッド５１と第２のボンディングパッド５２との結線を上述の接続部材１３０又はボンディングワイヤ１５５等を用いて再設定する場合に、ある設定では予備ボンディングパッドとされていたパッドを、別の設定（再設定）では、新たな第１のボンディングパッド又は第２のボンディングパッドとして用いることが可能になる。このように、中継部材５０は高い汎用性を有し、配線基板又はリードフレームに搭載できる半導体チップとの組み合せの自由度を向上させることができる。

次に、図１９及び図２０を参照して本発明の実施形態に係る中継部材５０等の第１の変形例について説明する。図１９は本発明の実施形態に係る中継部材５０等の第１の変形例に係る中継部材５００等の概略構成（その１）を示した平面図であり、図２０は本発明の実施形態に係る中継部材５０等の第１の変形例に係る中継部材５００等の概略構成（その２）を示した平面図である。

図１９及び図２０を参照するに、主面が矩形形状の中継部材５００の一辺（図面上では上辺）に沿って、７個の第１のボンディングパッド５１−１乃至５１−７が設けられ、その夫々には、図示を省略する一の半導体チップと中継部材５００との電気的接続を行うボンディングワイヤ５３が接続されている。

また、中継部材５００の他方の辺（図面上では、前記上部の辺に対向する下辺）に沿って、１３個の第２のボンディングパッド５２−１乃至５２−１３が設けられている。このうち、７個の第２のボンディングパッド５２−１乃至５２−７には、図示を省略する他の半導体チップ、配線基板又はリードフレームと中継部材５００との電気的接続を行うボンディングワイヤ５４が接続されている。一方、６個の第２のボンディングパッド５２−８乃至５２−１３には、ボンディングワイヤ５４が接続されず、予備ボンディングパッドとされている。

前記図４及び図５に示す中継部材５０と同様に、本例における中継部材５００においても、第１のボンディングパッド５１と第２のボンディングパッド５２との間には、選択的にバンプ用連結部が配設された配線が配設されている。

かかるバンプ用連結部に対するスタッドバンプの選択的な配設により、ボンディングパッド５１とボンディングパッド５２との間の接続状態を変換することができる。

図１９に示される構成にあっては、例えばボンディングパッド５１−１とボンディングパッド５２−１との間が、当該二つのボンディングパッドのそれぞれから伸びる配線と当該配線に対応して配設された配線５１０とが、２箇所の連結部５２０、５３０に配設されたスタッドバンプ１３０ａ、１３０ｂにより電気的に接続可能とされている。

一方、図２０に示す構成にあっては、前記ボンディングパッド５１−１とボンディングパッド５２−１とにおいて、当該ボンディングパッドのそれぞれから伸びる配線と当該配線に対応して配線された配線５１０との間における２箇所の連結部５２０、５３０にはスタッドバンプが配設されず、電気的な接続はされていない。これに代えて、ボンディングパッド５１−１から延在された他の配線５４０とボンディングパッド５２−８から伸びる配線との間における連結部５５０にスタッドバンプ１３０ｃが配設されて、ボンディングパッド５１−１とボンディングパッド５２−８との間が電気的に接続可能とされている。

他の複数個のボンディングパッド５１並びにボンディングパッド５２間についても、対向する配線端間に対するスタッドバンプの配線箇所を選択することにより、対応する即ち電気的接続を必要とするボンディングパッドを選択・変更することができる。

この結果、一つには、隣り合う第２のボンディングパッド５２の間の距離、即ちパッド間ピッチを選択的に変更することができ、例えば図２０におけるボンディングパッド５２−８とボンディングパッド５２−１０との間のピッチＰ２は、図１９におけるボンディングパッド５２−１とボンディングパッド５２−２との間のピッチＰ１の２倍となる。従って、隣り合うボンディングワイヤ５４間の間隔を大きくすることができ、ボンディングワイヤ相互の接触を防止することができる。

また、図１９、図２０に示す中継部材５００にあっては、ボンディングパッド５１と他方のボンディングパッド５２との間を結ぶ配線として、３方向或いは４方向に伸びる配線が適用されている。

例えば、ボンディングパッド５１−６、５１−７と他方のボンディングパッド５２−７、５２−１１との間の領域には、４方向に伸びる配線５６０が配設されている。当該配線５６０のそれぞれの端部は、前記４個のボンディングパッドから延在する配線の端部に対向して、４個の連結部５７０ａ、５７０ｂ、５７０ｃ、５７０ｄを構成している。かかる４個の連結部に対して選択的にスタッドバンプ１３０を配設することにより、図１９に示されるようにボンディングパッド５１−７とボンディングパッド５２−７とが電気的に接続可能とされるか、図２０に示されるようにボンディングパッド５１−６とボンディングパッド５２−１１とが電気的に接続可能とされることを選択することができる。また、図示されないが、ボンディングパッド５１−６とボンディングパッド５２−７とを電気的に接続可能とすること、或いはボンディングパッド５１−７とボンディングパッド５２−１１とを電気的に接続可能とすることも選択することができる。

説明は省略するが、同様に３方向に伸びる配線（例えばＴ字状配線５８０）を適用することによっても、対応するボンディングパッドを選択・変更することができる。即ち、これら３方向或いは４方向に伸びる配線５６０により、第１及び第２のボンディングパッド５１及び５２を接続する配線形態の自由度を高めることができる。

次に、図２１を参照して本発明の実施形態に係る中継部材５０等の第２の変形例について説明する。図２１は本発明の実施形態に係る中継部材５０等の第２の変形例に係る中継部材６００等の概略構成を示す平面図である。

図２１を参照するに、主面が略矩形形状の中継部材６００の上辺に沿って、３個の第１のボンディングパッド５１−１乃至５１−３が設けられ、その夫々には、一の半導体チップと中継部材６００との電気的接続を行うボンディングワイヤ（図示せず）が接続される。また、中継部材６００の下辺に沿って、３個の第２のボンディングパッド５２−１乃至５２−３が設けられている。その夫々には、他の半導体チップ、配線基板又はリードフレームと中継部材６００との電気的接続を行うボンディングワイヤ（図示せず）が接続される。

前記図４及び図５に示す中継部材５０と同様に、当該中継部材６００においても、第１のボンディングパッド５１と第２のボンディングパッド５２との間に配線が設けられ、各配線にはボンディングワイヤ用連結部６１０及び／又はバンプ用連結部６２０が設けられている。選択されたボンディングワイヤ用連結部６１０にボンディングワイヤ６１５が接続され、また選択されたバンプ用連結部６２０にスタッドバンプ１３０が形成されて、第１のボンディングパッド５１と第２のボンディングパッド５２とが電気的に接続可能とされている。

図２１に示す例では、３個の第１のボンディングパッド５１−１乃至５１−３と、３個の第２のボンディングパッド５２−１乃至５２−３が設けられており、パッドの電気的接続の組み合わせは最大で６通り考えられる。

図２１に示すように、第１のボンディングパッド５１と第２のボンディングパッド５２との間の配線、並びに当該配線に於けるボンディングワイヤ用連結部６１０、及びバンプ用連結部６２０を構成し、かかる連結部に対するスタッドバンプ１３０及び／或いはボンディングワイヤ６１５の配置、即ちボンディングワイヤ用連結部６１０及びバンプ用連結部６２０に対するスタッドバンプ１３０及び／或いはボンディングワイヤ６１５の配設箇所を選択する。

これにより、第１のボンディングパッド５１と第２のボンディングパッド５２との間の結線の形態・構成を変更することができ、もって６通り全ての形態の接続・結線を実現することができる。

即ち、図２１−（ａ）に示す例では接続部材としてスタッドバンプ１３０を適用することにより、第１のボンディングパッド５１−１は第２のボンディングパッド５２−１と、また第１のボンディングパッド５１−２は第２のボンディングパッド５２−２と、更に第１のボンディングパッド５１−３は第２のボンディングパッド５２−３と、電気的に接続可能とされている。

また、図２１−（ｂ）に示す例では接続部材としてスタッドバンプ１３０及びボンディングワイヤ６１５を適用することにより、第１のボンディングパッド５１−１は第２のボンディングパッド５２−１と、また第１のボンディングパッド５１−２は第２のボンディングパッド５２−３と、更に第１のボンディングパッド５１−３は第２のボンディングパッド５２−２と、電気的に接続可能とされている。

図２１−（ｃ）に示す例では接続部材としてスタッドバンプ１３０を適用することにより、第１のボンディングパッド５１−１は第２のボンディングパッド５２−２と、また第１のボンディングパッド５１−２は第２のボンディングパッド５２−１と、更に第１のボンディングパッド５１−３は第２のボンディングパッド５２−３と、電気的に接続可能とされている。

一方、図２１−（ｄ）に示す例にあっても接続部材としてスタッドバンプ１３０を適用することにより、第１のボンディングパッド５１−１は第２のボンディングパッド５２−３と、また第１のボンディングパッド５１−２は第２のボンディングパッド５２−１と、更に第１のボンディングパッド５１−３は第２のボンディングパッド５２−２と、電気的に接続可能とされている。

更に、図２１−（ｅ）に示す例では接続部材としてスタッドバンプ１３０及びボンディングワイヤ６１５を適用することにより、第１のボンディングパッド５１−１は第２のボンディングパッド５２−２と、また第１のボンディングパッド５１−２は第２のボンディングパッド５２−３と、更に第１のボンディングパッド５１−３は第２のボンディングパッド５２−１と、電気的に接続可能とされている。

そして、図２１−（ｆ）に示す例では接続部材としてスタッドバンプ１３０を適用することにより、第１のボンディングパッド５１−１は第２のボンディングパッド５２−３と、また第１のボンディングパッド５１−２は第２のボンディングパッド５２−２と、更に第１のボンディングパッド５１−３は第２のボンディングパッド５２−１と、電気的に接続可能とされている。

次に、図２２乃至図２４を参照して本発明の実施形態に係る中継部材５０等の第３の変形例について説明する。図２２乃至図２４は本発明の実施形態に係る中継部材５０等の第３の変形例に係る中継部材７００等の概略構成を示した平面図である。

図２２乃至図２４を参照するに、主面が矩形形状の中継部材７００の上辺に沿って、３個の第１のボンディングパッド５１−１乃至５１−３が設けられ、その夫々には、一の半導体チップと中継部材７００との電気的接続を行うボンディングワイヤ（図示せず）が接続される。

また、中継部材７００の下辺に沿って、３個の第２のボンディングパッド５２−１乃至５２−３が設けられている。その夫々には、他の半導体チップ、配線基板又はリードフレームと中継部材７００との電気的接続を行うボンディングワイヤ（図示せず）が接続される。

本例における中継部材７００においては、第１のボンディングパッド５１と第２のボンディングパッド５２との間には配線が格子状に設けられ、各配線に、ボンディングワイヤ用連結部６１０及び／又はバンプ用連結部６２０が設けられる。所定のボンディングワイヤ用連結部６１０にボンディングワイヤ６１５が設けられ、所定のバンプ用連結部６２０にスタッドバンプ１３０が設けられて、第１のボンディングパッド５１と第２のボンディングパッド５２とが電気的に接続可能とされている。

なお、図２２乃至図２４において、「ＮＣ」と表示されるパッドは、他の半導体チップ、配線基板又はリードフレームと中継部材７００との電気的接続を行うボンディングワイヤが接続されない予備ボンディングパッドを意味している。

図２２乃至図２４に示す例では、３個の第１のボンディングパッド５１−１乃至５１−３と、３個の第２のボンディングパッド５２−１乃至５２−３が設けられており、パッドの電気的接続の組み合わせは最大で６通り考えられる。

図２２に示すように、本例にあっても、第１のボンディングパッド５１と第２のボンディングパッド５２との間の配線、並びに当該配線に於けるボンディングワイヤ用連結部６１０、及びバンプ用連結部６２０を構成し、かかる連結部に対するスタッドバンプ１３０及び／或いはボンディングワイヤ６１５の配置、即ちボンディングワイヤ用連結部６１０及びバンプ用連結部６２０に対するスタッドバンプ１３０及び／或いはボンディングワイヤ６１５の配設箇所を選択する。

これにより、第１のボンディングパッド５１と第２のボンディングパッド５２との間の結線の形態・構成を変更することができ、もって６通り全ての形態の接続・結線を実現することができる。

即ち、図２２−（ａ）に示す例では、第１のボンディングパッド５１−１は第２のボンディングパッド５２−１と、第１のボンディングパッド５１−２は第２のボンディングパッド５２−２と、第１のボンディングパッド５１−３は第２のボンディングパッド５２−３と電気的に接続可能とされている。図２２−（ｂ）に示す例では、第１のボンディングパッド５１−１は第２のボンディングパッド５２−１と、第１のボンディングパッド５１−２は第２のボンディングパッド５２−３と、第１のボンディングパッド５１−３は第２のボンディングパッド５２−２と、電気的に接続可能とされている。

また、図２３−（ｃ）に示す例では、第１のボンディングパッド５１−１は第２のボンディングパッド５２−２と、第１のボンディングパッド５１−２は第２のボンディングパッド５２−１と、第１のボンディングパッド５１−３は第２のボンディングパッド５２−３と、電気的に接続可能とされている。図２３−（ｄ）に示す例では、第１のボンディングパッド５１−１は第２のボンディングパッド５２−３と、第１のボンディングパッド５１−２は第２のボンディングパッド５２−１と、第１のボンディングパッド５１−３は第２のボンディングパッド５２−２と、電気的に接続可能とされている。

更に、図２４−（ｅ）に示す例では、第１のボンディングパッド５１−１は第２のボンディングパッド５２−２と、第１のボンディングパッド５１−２は第２のボンディングパッド５２−３と、第１のボンディングパッド５１−３は第２のボンディングパッド５２−１と、電気的に接続可能とされている。そして図２４−（ｆ）に示す例では、第１のボンディングパッド５１−１は第２のボンディングパッド５２−３と、第１のボンディングパッド５１−２は第２のボンディングパッド５２−２と、第１のボンディングパッド５１−３は第２のボンディングパッド５２−１と、電気的に接続可能とされている。

次に、図２５乃至図２７を参照して本発明の実施形態に係る中継部材５０等の第４の変形例について説明する。図２５乃至図２７は本発明の実施形態に係る中継部材５０等の第４の変形例に係る中継部材７１０等の概略構成を示した平面図である。

図２５乃至図２７を参照するに、主面が略矩形形状の中継部材７１０の上辺に沿って、３個の第１のボンディングパッド５１−１乃至５１−３が設けられ、その夫々には、一の半導体チップと中継部材７００との電気的接続を行うボンディングワイヤ（図示せず）が接続される。また、中継部材７１０の左辺に沿って、３個の第２のボンディングパッド５２−４乃至５２−６が設けられている。その夫々には、他の半導体チップ、配線基板又はリードフレームと当該中継部材７１０との電気的接続を行うボンディングワイヤ（図示せず）が接続される。

従って、第１のボンディングパッド５１−１乃至５１−３の配列方向と、第２のボンディングパッド５２−４乃至５２−６の配列方向とは、略垂直方向となる。

前記図２２乃至図２４に示す中継部材７００と同様に、かかる中継部材７１０においても、第１のボンディングパッド５１と第２のボンディングパッド５２との間に配線が格子状に設けられ、各配線にボンディングワイヤ用連結部６１０及び／又はバンプ用連結部６２０が配設される。所定のボンディングワイヤ用連結部６１０にボンディングワイヤ６１５が接続され、所定のバンプ用連結部６２０にスタッドバンプ１３０が配設されて、第１のボンディングパッド５１と第２のボンディングパッド５２とが電気的に接続可能とされる。

なお、図２５乃至図２７において「ＮＣ」と記載あるパッドは、前述の如く他の半導体チップ、配線基板又はリードフレームと中継部材７１０との電気的接続を行うボンディングワイヤが接続されない予備ボンディングパッドを意味している。

図２５乃至図２７に示す例では、３個の第１のボンディングパッド５１−１乃至５１−３と、３個の第２のボンディングパッド５２−４乃至５２−６が設けられており、パッドの電気的接続の組み合わせは最大で６通り考えられる。

図２５乃至図２７に示すように、本例にあっても、第１のボンディングパッド５１と第２のボンディングパッド５２との間の配線、並びに当該配線に於けるボンディングワイヤ用連結部６１０、及びバンプ用連結部６２０を構成し、かかる連結部に対するスタッドバンプ１３０及び／或いはボンディングワイヤ６１５の配置、即ちボンディングワイヤ用連結部６１０及びバンプ用連結部６２０に対するスタッドバンプ１３０及び／或いはボンディングワイヤ６１５の配設箇所を選択する。

これにより、第１のボンディングパッド５１と第２のボンディングパッド５２との間の結線の形態・構成を変更することができ、もって６通り全ての形態の接続・結線を実現することができる。

即ち、図２５−（ａ）に示す例では、第１のボンディングパッド５１−１は第２のボンディングパッド５２−４と、第１のボンディングパッド５１−２は第２のボンディングパッド５２−５と、第１のボンディングパッド５１−３は第２のボンディングパッド５２−６と、電気的に接続可能とされている。図２５−（ｂ）に示す例では、第１のボンディングパッド５１−１は第２のボンディングパッド５２−４と、第１のボンディングパッド５１−２は第２のボンディングパッド５２−６と、第１のボンディングパッド５１−３は第２のボンディングパッド５２−５と、電気的に接続可能とされている。

また、図２６−（ｃ）に示す例では、第１のボンディングパッド５１−１は第２のボンディングパッド５２−５と、第１のボンディングパッド５１−２は第２のボンディングパッド５２−４と、第１のボンディングパッド５１−３は第２のボンディングパッド５２−６と、電気的に接続可能とされている。図２６−（ｄ）に示す例では、第１のボンディングパッド５１−１は第２のボンディングパッド５２−６と、第１のボンディングパッド５１−２は第２のボンディングパッド５２−４と、第１のボンディングパッド５１−３は第２のボンディングパッド５２−５と、電気的に接続可能とされている。

更に、図２７−（ｅ）に示す例では、第１のボンディングパッド５１−１は第２のボンディングパッド５２−５と、第１のボンディングパッド５１−２は第２のボンディングパッド５２−６と、第１のボンディングパッド５１−３は第２のボンディングパッド５２−４と、電気的に接続可能とされている。そして図２７−（ｆ）に示す例では、第１のボンディングパッド５１−１は第２のボンディングパッド５２−６と、第１のボンディングパッド５１−２は第２のボンディングパッド５２−５と、第１のボンディングパッド５１−３は第２のボンディングパッド５２−４と、電気的に接続可能とされている。

次に、図２８及び図２９を参照して本発明の実施形態に係る中継部材５０等の第５の変形例について説明する。図２８及び図２９は本発明の実施形態に係る中継部材５０等の第５の変形例に係る中継部材７２０等の概略構成を示した平面図である。

図２８及び図２９を参照するに、主面が矩形形状の中継部材７２０の長辺に沿って、３個の第１のボンディングパッド５１−４乃至５１−６が設けられ、その夫々には、一つの半導体チップ又は他の半導体チップ、配線基板、或いはリードフレームと中継部材７２０との電気的接続を行うボンディングワイヤ（図示せず）が接続される。

また、中継部材７２０の長辺に沿って、第１のボンディングパッド５１−４と第１のボンディングパッド５１−５との間には第２のボンディングパッド５２−７が、第１のボンディングパッド５１−５と第１のボンディングパッド５１−６との間には第２のボンディングパッド５２−８が、第１のボンディングパッド５１−６の右側には第２のボンディングパッド５２−９が設けられている。第２のボンディングパッド５２−７乃至５２−９の夫々には、図示を省略する他の半導体チップ、配線基板又はリードフレームと中継部材７２０との電気的接続を行うボンディングワイヤが接続される。このように、図２８及び図２９に示す例では、第１のボンディングパッド５１−４乃至５１−６と第２のボンディングパッド５２−７乃至５２−９とが一直線状に配列されている。

前記図４及び図５に示す中継部材５０と同様に、本例における中継部材７２０においても、第１のボンディングパッド５１と第２のボンディングパッド５２との間に配線が設けられ、各配線に、ボンディングワイヤ用連結部６１０及び／又はバンプ用連結部６２０が設けられている。所定のボンディングワイヤ用連結部６１０にボンディングワイヤ６１５が接続され、所定のバンプ用連結部６２０にスタッドバンプ１３０が設けられて、第１のボンディングパッド５１と第２のボンディングパッド５２とが電気的に接続されている。

図２８及び図２９に示す例では、３個の第１のボンディングパッド５１−４乃至５１−６と、３個の第２のボンディングパッド５２−７乃至５２−９が設けられており、パッドの電気的接続の組み合わせは最大で６通り考えられる。

図２８及び図２９に示すように、本例にあっても、第１のボンディングパッド５１と第２のボンディングパッド５２との間の配線、並びに当該配線に於けるボンディングワイヤ用連結部６１０、及びバンプ用連結部６２０を構成し、かかる連結部に対するスタッドバンプ１３０及び／或いはボンディングワイヤ６１５の配置、即ちボンディングワイヤ用連結部６１０及びバンプ用連結部６２０に対するスタッドバンプ１３０及び／或いはボンディングワイヤ６１５の配設箇所を選択する。

これにより、第１のボンディングパッド５１と第２のボンディングパッド５２との間の結線の形態・構成を変更することができ、もって６通り全ての形態の接続・結線を実現することができる。

即ち、図２８−（ａ）に示す例では、第１のボンディングパッド５１−４は第２のボンディングパッド５２−７と、第１のボンディングパッド５１−５は第２のボンディングパッド５２−８と、第１のボンディングパッド５１−６は第２のボンディングパッド５２−９と、電気的に接続可能とされている。また図２８−（ｂ）に示す例では、第１のボンディングパッド５１−４は第２のボンディングパッド５２−７と、第１のボンディングパッド５１−５は第２のボンディングパッド５２−９と、第１のボンディングパッド５１−６は第２のボンディングパッド５２−８と、電気的に接続可能とされている。更に図２８−（ｃ）に示す例では、第１のボンディングパッド５１−４は第２のボンディングパッド５２−８と、第１のボンディングパッド５１−５は第２のボンディングパッド５２−７と、第１のボンディングパッド５１−６は第２のボンディングパッド５２−９と、電気的に接続可能とされている。

また、図２９−（ｄ）に示す例では、第１のボンディングパッド５１−４は第２のボンディングパッド５２−９と、第１のボンディングパッド５１−５は第２のボンディングパッド５２−７と、第１のボンディングパッド５１−６は第２のボンディングパッド５２−８と、電気的に接続可能とされている。更に、図２９−（ｅ）に示す例では、第１のボンディングパッド５１−４は第２のボンディングパッド５２−８と、第１のボンディングパッド５１−５は第２のボンディングパッド５２−９と、第１のボンディングパッド５１−６は第２のボンディングパッド５２−７と、電気的に接続可能とされている。そして図２９−（ｆ）に示す例では、第１のボンディングパッド５１−４は第２のボンディングパッド５２−９と、第１のボンディングパッド５１−５は第２のボンディングパッド５２−８と、第１のボンディングパッド５１−６は第２のボンディングパッド５２−７と、電気的に接続可能とされている。

[半導体装置]
次に、半導体装置における、上述の構造を備えた中継部材の搭載構成について説明する。図３０は、本発明の実施形態に係る中継部材を備えた半導体装置の第１の例を示す図であり、当該半導体装置の断面図である。

図３０を参照するに、半導体装置９００は、所謂ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）パッケージ型の半導体装置である。

下面に複数の球状電極（バンプ）２が形成された配線基板４上に、第１の半導体チップ６が載置され、接着剤１０Ａにより配線基板４に接着固定されている。当該第１の半導体チップ６の上には、第２の半導体チップ８と中継部材７５０が並んで載置され、それぞれ接着剤１０Ｂ、接着剤１０Ｃにより半導体チップ６に接着固定されている。

配線基板４と第１の半導体チップ６、配線基板４と第２の半導体チップ８、配線基板４と中継部材７５０、第１の半導体チップ６と第２の半導体チップ８、中継部材７５０と第１の半導体チップ６、並びに中継部材７５０と第２の半導体チップ８のそれぞれにおける電極は、それぞれボンディングワイヤ５５１によって相互に接続されている。

これら第１の半導体チップ６、第２の半導体チップ８、中継部材７５０及びボンディングワイヤ５５１は、封止樹脂９により封止され、半導体装置９００が形成されている。

なお、配線基板４としては、ガラスエポキシ、ガラスＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板或いはセラミック、ガラス、シリコン等からなる無機基板を用いることができ、接着剤１０としては、エポキシ、ポリイミド等のフィルム状又はペースト状の樹脂接着剤を用いることができるが、これに限定するものではない。

本例では、中継部材７５０の配設によってボンディングワイヤ５５１のワイヤ長の短縮を図ることができ、半導体装置９００の製造歩留まりが向上するとともに、ボンディングワイヤ５５１のワイヤループの高さを低く抑えることができる。従って、半導体装置９００の高さを低くすることができ、半導体装置の薄型化を実現することができる。

図３１は、本発明の実施形態に係る中継部材を備えた半導体装置の第２の例を示す図であり、当該半導体装置の断面図である。

図３１を参照するに、半導体装置９１０において、鉄或いは銅等からなるリードフレームのダイパッド（ダイステージ）５５６上に、半導体チップ８と中継部材７５０が並んで配置され、夫々、接着剤１０Ａ、接着剤１０Ｃにより接着固定されている。中継部材７５０と半導体チップ８の電極、中継部材７５０の電極とリードフレームのインナーリード部５５７、半導体チップ８の電極とインナーリード部５５７は、それぞれボンディングワイヤ５５１によって接続されている。

当該半導体チップ８、中継部材７５０、ボンディングワイヤ５５１及びインナーリード部５５７は、封止樹脂９によって封止され、半導体装置９１０が形成されている。

なお、接着剤１０の材料については、図３０を参照して説明したものと同じものを用いることができる。

本例では、中継部材７５０の配設によりボンディングワイヤ５５１のワイヤ長の短縮を図ることができ、半導体装置９１０の製造歩留まりが向上するとともに、ボンディングワイヤ５５１のワイヤループの高さを低く抑えることができる。従って、半導体装置９１０の高さを低くすることができ、半導体装置の薄型化を実現することができる。

図３２は、本発明の実施形態に係る中継部材を備えた半導体装置の第３の例を示す図であり、当該半導体装置の断面図である。

図３２を参照するに、半導体装置９２０において、配線基板４上に中継部材７５０が接着剤１０Ｃにより接着固定され、当該中継部材７５０の上に第１の半導体チップ６がフリップチップ接続され、接着剤１０Ｄによって接着固定されている。

配線基板４の電極と中継部材７５０の電極はボンディングワイヤ５５１によって接続されている。

かかる中継部材７５０、半導体チップ６、及びボンディングワイヤ５５１は、封止樹脂９によって封止され、半導体装置９２０が形成されている。

なお、配線基板４、接着剤１０の材料については、図３０を参照して説明したものと同じものを用いることができる。

本例にあっては、半導体チップ６は中継部材７５０に対しフリップチップ接続されているので、中継部材７５０と半導体チップ６との間をワイヤボンディングする場合に比し、半導体装置９２０の高さを低くすることができ、半導体装置のより薄型化を実現することができる。

図３３は、本発明の実施形態に係る中継部材を備えた半導体装置の第４の例を示す図であり、当該半導体装置の断面図である。

図３３を参照するに、半導体装置９３０において、配線基板４の略中央には開口が設けられ、当該開口を覆って当該開口よりも大きな面積を有する中継部材７５０が配設されている。そして、当該開口内に半導体チップ６が収容され、その電極は中継部材７５０の対応する電極に接続・固着されている。一方、中継部材７５０の他の電極は配線基板４の対応する電極に接続されている。

また、半導体チップ６と中継部材７５０、及び中継部材７５０と配線基板４は、接着剤１０Ｅによって接着固定されている。

なお、配線基板４、接着剤１０の材料については、図３０を参照して説明したものと同じものを用いることができる。

図３３に示す半導体装置９３０では、ボンディングワイヤを使用しておらず、図３２に示す半導体装置５６０に比し、より良好な電気特性を得ることができると共に、図３２に示す半導体装置５６０に比し、半導体装置９３０の高さを一層低くすることができ、半導体装置の薄型化を実現することができる。

図３４は、本発明の実施形態に係る中継部材を備えた半導体装置の第５の例を示す図であり、当該半導体装置の断面図である。

図３４を参照するに、半導体装置９４０において、配線基板４上に接着剤１０Ａによって接着固定された半導体チップ６の上に、中継部材７５０が接着剤１０Ｃによって接着固定されている。配線基板４と半導体チップ６、配線基板４と中継部材７５０、中継部材７５０と半導体チップ６の電極は、それぞれボンディングワイヤ５５１によって接続されている。半導体チップ６、中継部材７５０及びボンディングワイヤ５５１は、封止樹脂９によって封止され、半導体装置９４０が形成されている。

なお、配線基板４、接着剤１０の材料については、図３０を参照して説明したものと同じものを用いることができる。

本例によれば、中継部材７５０の外形寸法が、半導体チップ６の外形寸法よりも小とされ、当該半導体チップ６上に配設されているため、半導体装置９４０全体を大きくすることなく、第１の半導体チップ６と電気的に接続することができる。

図３５は、本発明の実施形態に係る中継部材を備えた半導体装置の第６の例を示す図であり、当該半導体装置の断面図である。

図３５を参照するに、半導体装置９５０において、配線基板４上に接着剤１０Ａによって接着固定された半導体チップ６の上に、２つの中継部材７５０が接着剤１０Ｃによって接着固定されている。半導体チップ６の電極パッド７は、当該半導体チップ６の略中央に設けられている。離間して配置された２つの中継部材７５０の電極は、それぞれボンディングワイヤ５５１により、配線基板４及び半導体チップ６の電極パッド７に接続されている。

半導体チップ６、２つの中継部材７５０、及びボンディングワイヤ５５１は、封止樹脂９によって封止され、半導体装置９５０が形成されている。

なお、配線基板４、接着剤１０の材料については、図３０を参照して説明したものと同じものを用いることができる。

本例にあっては、２つの中継部材７５０が、半導体チップ６の外形内に入るように半導体チップ６上に載置されているため、半導体装置９５０全体を大きくすることなく、半導体チップ６と電気的に接続することができる。

図３６は、本発明の実施形態に係る中継部材を備えた半導体装置の第７の例を示す図であり、当該半導体装置の断面図である。

図３６を参照するに、半導体装置９６０において、配線基板４上に接着剤１０Ａによって接着固定された半導体チップ６の上に、中継部材７５０が接着剤１０Ｃによって接着固定され、当該中継部材７５０の上には２つの半導体チップ８ａ、８ｂが離間して夫々接着剤１０Ｂによって接着固定されている。即ち、半導体チップ６上に、中継部材７５０を介して半導体チップ８ａ、８ｂが載置されている。配線基板４と半導体チップ６、配線基板４と中継部材７５０、並びに中継部材７５０との半導体チップ８ａ、８ｂにおける電極は、それぞれボンディングワイヤ５５１によって接続されている。

半導体チップ６、半導体チップ８ａ、８ｂ、中継部材７５０、及びボンディングワイヤ５５１は、封止樹脂９によって封止され、半導体装置９６０が形成されている。

なお、配線基板４、接着剤１０の材料については、図３０を参照して説明したものと同じものを用いることができる。

本例にあっては、積層される半導体チップ６と半導体チップ８ａ、８ｂとの間に、汎用性の高い本発明の中継部材７５０が配設される為、積層する半導体チップの組み合わせの自由度を向上させることができる。

図３７及び図３８は、本発明の中継部材６６０を備えた半導体装置の第８の例を示す図である。より具体的には、図３７は当該半導体装置９７０の平面図であり、図３８−（Ａ）は図３７における線Ｘ−Ｘ’に沿った断面図であり、図３８−（Ｂ）は図３２における線Ｙ−Ｙ’に沿った断面図である。なお、図３７では、説明の便宜上、図３８に示される封止樹脂９は設けられていない状態の半導体装置９７０を示している。

図３７及び図３８を参照するに、半導体装置９７０においては、配線基板４の上に第１の半導体チップ６５１が接着剤１０Ａによって接着固定され、当該第１の半導体チップ６５１の上に本発明に係る中継部材６６０が接着剤１０Ｃによって接着固定され、更に当該中継部材６６０の上に第２の半導体チップ６５２が接着剤１０Ｂによって接着固定されている。従って、中継部材６６０は、第１の半導体チップ６５１と第２の半導体チップ６５２とに挟持された状態となる。

なお、配線基板４、接着剤１０の材料については、図３０を参照して説明したものと同じものを用いることができる。

また、第１の半導体チップ６５１、第２の半導体チップ６５２、中継部材６６０、及びボンディングワイヤ５５１は、封止樹脂９によって封止され、半導体装置９７０が形成されている。

かかる構成において、中継部材６６０のＸ−Ｘ’方向（図３７）の長さは、第１の半導体チップ６５１及び第２の半導体チップ６５２のＸ−Ｘ’方向の長さよりも短い（図３８−（Ａ）参照）。一方、中継部材６６０のＹ−Ｙ’方向（図３７）の長さは、第１の半導体チップ６５１及び第２の半導体チップ６５２のＹ−Ｙ’方向の長さよりも長い（図３８−（Ｂ）参照）。

従って、図３８−（Ｂ）に示すように、中継部材６６０のＹ−Ｙ’方向の端部近傍に設けられたボンディングパッド６６１は、ボンディングワイヤ５５１によって、配線基板４及び第２の半導体チップ６５２に接続される。

一方、図３８−（Ａ）に示すように、中継部材６６０は、第１の半導体チップ６５１と第２の半導体チップ６５２との間にスペース（隙間）Ｓを生じさせている。

より具体的には、第１の半導体チップ６５１と第２の半導体チップ６５２との間に配設されている中継部材６６０は、図３８−（Ａ）に示す第１の半導体チップ６５１のＸ−Ｘ’ 方向の端部近傍に設けられた電極パッド６５３に重ならないように位置づけられ、第２の半導体チップ６５２が所定長さ離間した状態で当該電極パッド６５３に重なるように位置づけられている。かかる状況の下、図３８−（Ａ）に示すように、第２の半導体チップ６５２と配線基板４がボンディングワイヤ５５１によって、また、第１の半導体チップ６５１の電極パッド６５３と配線基板４上の電極がボンディングワイヤ６５４によって接続されている。

このように、中継部材６６０は、第１の半導体チップ６５１と第２の半導体チップ６５２との間にスペースＳを形成しているため、ボンディングワイヤ６５４が、その上部に位置する第２の半導体チップ６５２に接触することなく、第１の半導体チップ６５１と配線基板４とを接続することができる。

以上、本発明の実施形態に係る半導体装置の構成を説明したが、その製造工程において、中継部材を半導体チップ或いは配線基板に搭載した後に、中継部材に設けられた連結部に接続部材を配設してもよく、また、予め中継部材に接続部材を配設した後に、当該中継部材を半導体チップ或いは配線基板に搭載してもよい。但し、特別な設備を要せず、既存の設備を用いて容易に製造できること等に鑑みれば、中継部材を半導体チップ或いは配線基板に搭載した後に、接続部材を中継部材に配設することが望ましく、歩留まりの向上を図ることができる。

以上、本発明の実施の形態について詳述したが、本発明は特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。

以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
（付記１）
半導体装置に配設される中継部材であって、
当該中継部材は、第１の端子と、配線によって前記第１の端子と接続している複数の第２の端子とを備え、
前記第１の端子に接続している前記配線は、途中で分岐して、前記第２の端子の夫々に接続していることを特徴とする中継部材。
（付記２）
半導体装置に配設される中継部材であって、
当該中継部材は、第１の端子と第２の端子とを備え、
前記第１の端子に接続される第１端子用配線の端部及び前記第２の端子に接続される第２端子用配線の端部のうち少なくとも１つにより連結部が形成され、
少なくとも前記連結部に接続部材が形成されることにより、前記第１の端子と前記第２の端子が接続されることを特徴とする中継部材。
（付記３）
前記接続部材は、前記連結部と、前記第１の端子又は前記第２の端子とを接続することを特徴とする付記２記載の中継部材。
（付記４）
前記第１端子用配線の前記端部と前記第２端子用配線の前記端部との間に接続配線が形成され、
前記接続配線の一の端部と前記第１端子用配線の前記端部との間及び前記接続配線の他の端部と前記第２端子用配線の前記端部との間に前記接続部材が形成されることにより、前記第１の端子と前記第２の端子が接続されることを特徴とする付記２又は３記載の中継部材。
（付記５）
前記第１端子用配線の前記端部と前記第２端子用配線の前記端部により前記連結部が形成され、
前記接続部材は、スタッドバンプを含むことを特徴とする付記２又は４記載の中継部材。
（付記６）
前記スタッドバンプは、第１乃至第３のスタッドバンプから成り、
前記第１のスタッドバンプは前記第１端子用配線の前記端部に形成され、
前記第２のスタッドバンプは前記第２端子用配線の前記端部に形成され、
前記第３のスタッドバンプは前記第１のスタッドバンプ及び前記第２のスタッドバンプ上に重ねてボンディング形成されることを特徴とする付記５記載の中継部材。
（付記７）
前記第１端子用配線の前記端部と前記第２端子用配線の前記端部により前記連結部が形成され、
前記接続部材は、導電性樹脂を含むことを特徴とする付記２又は４記載の中継部材。
（付記８）
前記接続部材は、ボンディングワイヤを含むことを特徴とする付記２乃至４いずれか一項記載の中継部材。
（付記９）
前記第１の端子又は前記第２の端子にスタッドバンプを形成し、
前記スタッドバンプの上に前記ボンディングワイヤの端部を形成し、
前記ボンディングワイヤの前記端部の上に、前記第１の端子又は前記第２の端子と前記半導体装置の他の構成要素とを接続するボンディングワイヤが形成されることを特徴とする付記８記載の中継部材。
（付記１０）
当該中継部材の材料は、当該中継部材が形成される前記半導体装置に形成される半導体素子と同一の材料から成ることを特徴とする付記１乃至９いずれか一項記載の中継部材。
（付記１１）
前記第１端子用配線又は前記第２端子用配線の上に絶縁膜が形成され、
前記第１端子用配線又は前記第２端子用配線の端部の上に形成されている絶縁膜の一部が開口して開口部を形成し、
当該開口部に、前記絶縁膜よりも高くなるように金属めっき層が形成されていることを特徴とする付記２乃至１０いずれか一項記載の中継部材。
（付記１２）
少なくとも１つの半導体素子と、配線基板又はリードフレームと、を備えた半導体装置であって、
前記半導体素子と前記配線基板又は前記リードフレームとは中継部材を介して接続され、
前記中継部材は、第１の端子と、第２の端子とを備え、
前記第１の端子に接続される第１端子用配線の端部及び前記第２の端子に接続される第２端子用配線の端部のうち少なくとも１つにより連結部が形成され、
少なくとも前記連結部に接続部材が形成されることにより、前記第１の端子と前記第２の端子が接続されることを特徴とする半導体装置。
（付記１３）
前記接続部材は、前記連結部と、前記第１の端子又は前記第２の端子とを接続することを特徴とする付記１２記載の中継部材。
（付記１４）
前記第１端子用配線の前記端部と前記第２端子用配線の前記端部との間に接続配線が形成され、
前記接続配線の一の端部と前記第１端子用配線の前記端部及び前記接続配線の他の端部と前記第２端子用配線の前記端部との間に前記接続部材が形成されることにより、前記第１の端子と前記第２の端子が接続されることを特徴とする付記１２又は１３記載の半導体装置。
（付記１５）
前記第１端子用配線の前記端部と前記第２端子用配線の前記端部により前記連結部が形成され、
前記接続部材は、スタッドバンプを含むことを特徴とする付記１２又は１４記載の半導体装置。
（付記１６）
前記スタッドバンプは、第１乃至第３のスタッドバンプから成り、
前記第１のスタッドバンプは前記第１端子用配線の前記端部に形成され、
前記第２のスタッドバンプは前記第２端子用配線の前記端部に形成され、
前記第３のスタッドバンプは前記第１のスタッドバンプ及び前記第２のスタッドバンプ上に重ねてボンディング形成されることを特徴とする付記１５記載の中継部材。
（付記１７）
前記第１端子用配線の前記端部と前記第２端子用配線の前記端部により前記連結部が形成され、
前記接続部材は、導電性樹脂を含むことを特徴とする付記１２又は１４記載の半導体装置。
（付記１８）
前記接続部材は、ボンディングワイヤを含むことを特徴とする付記１２乃至１４いずれか一項記載の半導体装置。
（付記１９）
前記第１の端子又は前記第２の端子にスタッドバンプを形成し、
前記スタッドバンプの上に前記ボンディングワイヤの端部を形成し、
前記ボンディングワイヤの上に、前記第１の端子又は前記第２の端子と前記配線基板又は前記リードフレームとを接続するボンディングワイヤが形成されることを特徴とする付記１８記載の中継部材。
（付記２０）
前記第１の端子及び前記第２の端子は複数形成されており、
前記第１の端子の配列方向と前記第２の端子の配列方向は略平行であり、
前記第１の端子の配列順序と、前記第１の端子に対応する前記第２の端子の配列順序が異なることを特徴とする付記１２乃至１９いずれか一項記載の半導体装置。

中継部材を備えた従来の半導体装置の図である。 ボンディングパッドの配列構成が図１に示す例とは異なる従来の中継部材の平面図である。 ボンディングパッドの配列構成が図１に示す例とは異なる従来の他の中継部材の平面図である。 本発明の実施形態に係る中継部材の概略構成を示した平面図（その１）である。 本発明の実施形態に係る中継部材の概略構成を示した平面図（その２）である。 ボンディングワイヤ用連結部の構造を示す図である。 ボンディングワイヤ用連結部の他の例における、配線の端部の形状を示す平面図である。 ボンディングワイヤ用連結部の更に他の例における、配線の端部の形状を示す平面図である。 バンプ用連結部の構造を示す図である。 バンプ用連結部の他の例における、配線の端部の形状を示す平面図である。 バンプ用連結部の更に他の例における、配線の端部の形状を示す平面図である。 バンプ用連結部の更に他の例における、配線の端部の形状を示す平面図である。 バンプ用連結部の更に他の例における、配線の端部の形状を示す平面図である。 バンプ用連結部の更に他の例における、配線の端部の形状を示す平面図である。 バンプ用連結部の更に他の例における、配線の端部の形状を示す平面図である。 バンプ用連結部へのスタッドバンプの配設構造を示した断面図である。 バンプ用連結部へのスタッドバンプの他の配設構造を示した断面図である。 ボンディングワイヤの第２のボンディングパッドへの接続構造を示した図である。 本発明の実施形態に係る中継部材等の第１の変形例の概略構成を示した平面図（その１）である。 本発明の実施形態に係る中継部材等の第１の変形例の概略構成を示した平面図（その２）である。 本発明の実施形態に係る中継部材等の第２の変形例の概略構成を示した平面図である。 本発明の実施形態に係る中継部材等の第３の変形例の概略構成を示した平面図（その１）である。 本発明の実施形態に係る中継部材等の第３の変形例の概略構成を示した平面図（その２）である。 本発明の実施形態に係る中継部材等の第３の変形例の概略構成を示した平面図（その３）である。 本発明の実施形態に係る中継部材等の第４の変形例の概略構成を示した平面図（その１）である。 本発明の実施形態に係る中継部材等の第４の変形例の概略構成を示した平面図（その２）である。 本発明の実施形態に係る中継部材等の第４の変形例の概略構成を示した平面図（その３）である。 本発明の実施形態に係る中継部材等の第５の変形例の概略構成を示した平面図（その１）である。 本発明の実施形態に係る中継部材等の第５の変形例の概略構成を示した平面図（その２）である。 本発明の実施形態に係る中継部材を備えた半導体装置の第１の例を示す図である。 本発明の実施形態に係る中継部材を備えた半導体装置の第２の例を示す図である。 本発明の実施形態に係る中継部材を備えた半導体装置の第３の例を示す図である。 本発明の実施形態に係る中継部材を備えた半導体装置の第４の例を示す図である。 本発明の実施形態に係る中継部材を備えた半導体装置の第５の例を示す図である。 本発明の実施形態に係る中継部材を備えた半導体装置の第６の例を示す図である。 本発明の実施形態に係る中継部材を備えた半導体装置の第７の例を示す図である。 本発明の実施形態に係る中継部材を備えた半導体装置の第８の例を示す平面図である。 本発明の実施形態に係る中継部材を備えた半導体装置の第８の例を示す断面図である。

符号の説明

４ 配線基板
６、８ 半導体チップ
１０ 接着剤
５０、５００、６００、７００、７５０、７１０、７２０ 中継部材
５１ 第１のボンディングパッド
５２ 第２のボンディングパッド
５５、５６、５７、５８、７０、８０、９０、１００、１５０、５２５、５３５ 配線
６０、１１０、１１５、１２０、１２５、５１０、５３０、５４０ 連結部
６１、１１５、１５５、６１５ ボンディングワイヤ
１３０ スタッドバンプ
９００、９１０、９２０、９３０、９４０、９５０、９６０、９７０ 半導体装置
５５７ インナーリード部

Claims (7)

1. 半導体装置に配設される中継部材であって、
   当該中継部材は、当該中継部材が配設される前記半導体装置に配設される半導体素子と同一の材料からなり、
   当該中継部材は、第１の端子と第２の端子とを備え、前記第１の端子と前記第２の端子の少なくとも一方を複数有し、
   前記第１の端子に接続される第１端子用配線の端部及び前記第２の端子に接続される第２端子用配線の端部のうち少なくとも１つにより連結部が形成され、
   少なくとも前記連結部に接続部材が形成されることにより、前記第１の端子と前記第２の端子が接続され、
   前記第１端子用配線及び前記第２端子用配線は、前記中継部材の一主面上の同一層に形成され、
   前記接続部材が、スタッドバンプ又はボンディングワイヤの少なくとも一方を含むことを特徴とする中継部材。
2. 前記接続部材は、前記連結部と、前記第１の端子又は前記第２の端子とを接続することを特徴とする請求項１記載の中継部材。
3. 前記第１端子用配線の前記端部と前記第２端子用配線の前記端部との間に接続配線が形成され、
   前記接続配線の一の端部と前記第１端子用配線の前記端部との間及び前記接続配線の他の端部と前記第２端子用配線の前記端部との間に前記接続部材が形成されることにより、前記第１の端子と前記第２の端子が接続されることを特徴とする請求項１又は２記載の中継部材。
4. 前記第１端子用配線の前記端部と前記第２端子用配線の前記端部により前記連結部が形成されることを特徴とする請求項１乃至３いずれか一項記載の中継部材。
5. 前記接続部材は、ボンディングワイヤを含み、
   前記第１の端子又は前記第２の端子にスタッドバンプを形成し、
   前記スタッドバンプの上に前記ボンディングワイヤの端部を形成し、
   前記ボンディングワイヤの前記端部の上に、前記第１の端子又は前記第２の端子と前記半導体装置の他の構成要素とを接続するボンディングワイヤが形成されることを特徴とする請求項１乃至３いずれか一項記載の中継部材。
6. 複数の半導体素子と、
   前記半導体素子と配線基板とを接続する中継部材と、を備え、
   前記複数の半導体素子は前記配線基板の上に重ねて配設され、
   前記中継部材は、前記複数の半導体素子の間に配設され、
   前記中継部材と前記半導体素子及び前記配線基板とが、ボンディングワイヤにより接続され、
   前記中継部材は、請求項１乃至５いずれか一項記載の中継部材であることを特徴とする半導体装置。
7. 少なくとも１つの半導体素子と、配線基板又はリードフレームと、を備えた半導体装置であって、
   前記半導体素子と前記配線基板又は前記リードフレームとは中継部材を介して接続され、
   当該中継部材は、当該中継部材が配設される前記半導体装置に配設される半導体素子と同一の材料からなり、
   前記中継部材は、第１の端子と、第２の端子とを備え、前記第１の端子と前記第２の端子の少なくとも一方を複数有し、
   前記第１の端子に接続される第１端子用配線の端部及び前記第２の端子に接続される第２端子用配線の端部のうち少なくとも１つにより連結部が形成され、
   少なくとも前記連結部に接続部材が形成されることにより、前記第１の端子と前記第２の端子が接続され、
   前記第１端子用配線及び前記第２端子用配線は、前記中継部材の一主面上の同一層に形成され、
   前記接続部材が、スタッドバンプ又はボンディングワイヤの少なくとも一方を含むことを特徴とする半導体装置。

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