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JP4776429B2 - Processing liquid supply system, processing liquid supply method, processing liquid supply program, and computer-readable recording medium recording the program - Google Patents
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JP4776429B2 - Processing liquid supply system, processing liquid supply method, processing liquid supply program, and computer-readable recording medium recording the program - Google Patents

Processing liquid supply system, processing liquid supply method, processing liquid supply program, and computer-readable recording medium recording the program Download PDF

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Description

本発明は、基板に処理液を用いた処理を行うモジュールに対して前記処理液を供給する処理液供給システム、処理液供給方法、処理液供給プログラム及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。   The present invention provides a processing liquid supply system, a processing liquid supply method, a processing liquid supply program, and a computer-readable recording medium on which the program is recorded, for supplying the processing liquid to a module that performs processing using the processing liquid on a substrate. About.

例えば半導体等の電子デバイス製造工程のうち、フォトリソグラフィ工程においては、ウエハ等の基板へのレジスト液(以下、レジストと呼ぶ)の塗布や現像処理を行なうユニット装置であるレジスト塗布現像装置と、レジストが塗布された基板に露光処理を行なう露光機とが組み合わされて、インライン処理を行なっている。具体的には、例えば基板は主な工程として、洗浄処理→脱水ベーク→アドヒージョン(疎水化)処理→レジスト塗布→プリベーク→露光処理→現像前ベーク→現像→ポストベークという一連の処理を経てレジスト層に所定の回路パターンが形成される。尚、このようなフォトリソグラフィ工程におけるインライン処理については、特許文献1に記載されている。
特開2000−235949号公報
For example, in an electronic device manufacturing process such as a semiconductor, in a photolithography process, a resist coating and developing apparatus, which is a unit apparatus for applying and developing a resist solution (hereinafter referred to as a resist) on a substrate such as a wafer, and a resist An in-line process is performed in combination with an exposure machine that performs an exposure process on the substrate on which the coating is applied. Specifically, for example, the substrate is processed through a series of processes such as cleaning processing → dehydration baking → adhesion (hydrophobization) processing → resist application → prebaking → exposure processing → baking before development → development → post baking. A predetermined circuit pattern is formed. In-line processing in such a photolithography process is described in Patent Document 1.
JP 2000-235949 A

ところで、このようにフォトリソグラフィ工程を行うレジスト塗布現像装置においては、図8に示すように例えばタンク50に収容された処理液としてのレジストRを窒素ガスN2により加圧してタンク外に送り出し、基板処理を行うモジュールに供給している。 By the way, in the resist coating and developing apparatus that performs the photolithography process in this way, as shown in FIG. 8, for example, the resist R as the processing liquid stored in the tank 50 is pressurized with nitrogen gas N 2 and sent out of the tank, It is supplied to modules that perform substrate processing.

このような処理液供給機構(ディスペンス機構と呼ぶ)にあっては、窒素ガスN2による加圧の際、窒素ガスN2とレジストRとが直接接触するためにレジストR内に窒素ガスN2が溶け込み易く、それが基板処理における不具合発生の原因となっていた。
即ち、窒素ガスN2が溶け込んだレジストRが各基板処理モジュールに供給される際、レジストR内に溶存している窒素ガスN2が配管内の負圧によりマイクロバブルとして発泡する場合があった。そして、そのようなレジストRが基板に塗布されると、塗布むら等の欠陥が生じるという問題があった。
Such process liquid supply mechanism In the (called a dispensing mechanism), when pressurized with nitrogen gas N 2, nitrogen gas N 2 and the resist R and the nitrogen gas N 2 in the resist R for direct contact Is easy to melt, which has caused problems in substrate processing.
That is, when the nitrogen gas N 2 is the resist R that dissolved is supplied to each substrate processing module, the nitrogen gas N 2 that is dissolved in the resist R there is a case where foaming as microbubbles by the negative pressure in the pipe . When such a resist R is applied to the substrate, there is a problem that defects such as uneven application occur.

このような問題を解決するため従来は、窒素ガスN2によるタンク50内の加圧の前に予めタンク50内を吸引手段(図示せず)により減圧し、レジストR中に溶存する窒素ガスN2を強制的に発泡させて除去する処理が行われている。
しかしながら、このような手段によっても加圧の段階で窒素ガスN2が新たにレジストR中に多量に入り込むことには変わりがなく、配管経路中において発泡する虞が大きかった。
In order to solve such a problem, conventionally, the pressure in the tank 50 is reduced in advance by a suction means (not shown) before pressurization in the tank 50 with the nitrogen gas N 2 , and the nitrogen gas N dissolved in the resist R is dissolved. The process of forcibly foaming and removing 2 is performed.
However, even with such means, the nitrogen gas N 2 newly enters a large amount into the resist R at the pressurization stage, and there is a great risk of foaming in the piping path.

このため、近年においては、図9に示すように、外側容器51aの中にレジストRを収容した袋容器51bが設けられた構造のタンク51が多く用いられている。図示するように、加圧のための窒素ガスN2は外側容器51aの中であって袋容器51bの外側の空間に供給される。袋容器51b内部とその外側の空間とは非接触状態になされる。 For this reason, in recent years, as shown in FIG. 9, a tank 51 having a structure in which a bag container 51b containing a resist R is provided in an outer container 51a is often used. As shown in the figure, the nitrogen gas N 2 for pressurization is supplied to the space inside the outer container 51a and outside the bag container 51b. The inside of the bag container 51b and the space outside thereof are brought into a non-contact state.

この構成において、外側容器51aに窒素ガスN2が供給され容器内の圧が上昇すると、袋容器51bが圧縮され内部のレジストRが外に押し出される。即ち、この構成では、窒素ガスN2とレジストRとが接触することがないため、レジストR内へ窒素ガスN2が新たに混入することがない。したがって、レジストRに溶存した窒素ガスN2が負圧により発泡するという課題を解決することができる。 In this configuration, when nitrogen gas N 2 is supplied to the outer container 51a and the pressure in the container rises, the bag container 51b is compressed and the internal resist R is pushed out. That is, in this configuration, since the nitrogen gas N 2 and the resist R do not come into contact with each other, the nitrogen gas N 2 is not newly mixed into the resist R. Therefore, it is possible to solve the problem that the nitrogen gas N 2 dissolved in the resist R foams due to negative pressure.

前記のようにレジストRを収容した袋容器を加圧してレジスト供給する場合、窒素ガスN2のレジストRへの新たな混入を防止することができる。
しかしながら、袋容器51bに収容されたレジストRであっても、窒素ガスN2等の気体が微量に溶存しているため、基板処理モジュールまでの配管経路においてフィルタ等の通過時にレジストRが振動し、これにより、その溶存している気体が発泡する場合があった。
When the bag container containing the resist R is pressurized and supplied as described above, new mixing of the nitrogen gas N 2 into the resist R can be prevented.
However, even in the resist R housed in the bag container 51b, a very small amount of gas such as nitrogen gas N 2 is dissolved, so that the resist R vibrates when passing through a filter or the like in the piping path to the substrate processing module. As a result, the dissolved gas may foam.

このため、袋容器51bに収容されたレジストRであっても、中に溶存する気体を除去するのが望ましいが、図9に示すようなタンク構成にあっては、吸引手段によりタンク51内を減圧する方法では気体を除去することが出来ない。
そこで従来、配管経路中で発泡した気体を排出するためのバルブ(弁)を多数設け、定期的にそれらのバルブを開いて、気泡を含むレジスト等の薬液を定量排出する構成が用いられているが、装置が複雑化すると共に薬液を無駄に廃液するため、掛かるコストが高くなるという課題があった。
Therefore, it is desirable to remove the gas dissolved in the resist R stored in the bag container 51b. However, in the tank configuration as shown in FIG. Gas cannot be removed by the depressurization method.
Therefore, conventionally, a configuration has been used in which a large number of valves (valves) for discharging the gas foamed in the piping path are provided, and the valves are periodically opened to quantitatively discharge a chemical solution such as a resist containing bubbles. However, there is a problem that the cost becomes high because the apparatus becomes complicated and the chemical liquid is wasted wastefully.

本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、処理液を用いて基板処理を行うモジュールに対し処理液を供給する処理液供給システムにおいて、処理液に溶存する気体を容易に除去することができ、且つ、掛かるコストを低減することのできる処理液供給システム、処理液供給方法、処理液供給プログラム及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することを目的とする。   The present invention has been made under the circumstances as described above, and in a processing liquid supply system that supplies a processing liquid to a module that performs substrate processing using the processing liquid, gas dissolved in the processing liquid can be easily obtained. An object of the present invention is to provide a processing liquid supply system, a processing liquid supply method, a processing liquid supply program, and a computer-readable recording medium on which the program is recorded, which can be removed and reduced in cost. .

前記課題を解決するために、本発明にかかる処理液供給システムは、処理液を用いて基板処理を行うモジュールに対し前記処理液を供給する処理液供給システムにおいて、処理液が収容された処理液供給源と、前記処理液供給源から供給される処理液を充填し前記モジュールに処理液を送出するための処理液貯留タンクと、前記処理液貯留タンク内の処理液を振動させると共に、前記排出管を振動させる処理液貯留タンク加振手段と、前記処理液貯留タンクに接続され該処理液貯留タンク内の処理液から発泡した気体を排出するための排出管と、前記排出管の途中に設けられ該排出管を開閉制御するバルブと、前記排出管において前記処理液貯留タンクと前記バルブとの間を通過する気体を検出する気体検出手段とを備え、前記処理液貯留タンク加振手段により、前記処理液貯留タンク内の処理液を振動させ、発泡させると共に、前記排出管を振動させ、該排出管内の処理液を処理液貯留タンク内に逆流させることにより、処理液から発泡した気体を前記排出管に移動させ、前記排出管に移動した気体を前記気体検出手段が検出すると、前記バルブを開いて気体を排出管から排出することに特徴を有する。 In order to solve the above problems, a processing liquid supply system according to the present invention is a processing liquid containing a processing liquid in a processing liquid supply system that supplies the processing liquid to a module that performs substrate processing using the processing liquid. A supply source; a treatment liquid storage tank for filling the treatment liquid supplied from the treatment liquid supply source and delivering the treatment liquid to the module; and oscillating the treatment liquid in the treatment liquid storage tank and discharging the treatment liquid. A treatment liquid storage tank vibrating means for vibrating the pipe; a discharge pipe connected to the treatment liquid storage tank for discharging the foamed gas from the treatment liquid in the treatment liquid storage tank; and provided in the middle of the discharge pipe A valve for controlling the opening and closing of the discharge pipe, and a gas detection means for detecting a gas passing between the treatment liquid storage tank and the valve in the discharge pipe. The click vibrating means, said processing liquid to vibrate the treatment liquid in the storage tank, the foaming, the discharge pipe is vibrated, by reflux of the treatment liquid in the outlet tube to a processing liquid storage tank, the processing solution The foamed gas is moved to the discharge pipe, and when the gas detection means detects the gas moved to the discharge pipe, the valve is opened to discharge the gas from the discharge pipe.

このような構成によれば、処理液貯留タンク内に充填した処理液を振動させて処理液に溶存していた気体を強制的に発泡させ、その気体を検出して排出するよう制御がなされる。これにより、処理液貯留タンクから基板処理モジュールまでの配管経路においては、負圧が生じても発泡することのない、気体が略取り除かれた処理液を供給することができる。
したがって、従来のように配管経路中に気体排出のためのバルブを多数設ける必要がないため、装置が複雑化することがない。また、気体を検出した際に、気泡を含む処理液を排出する構成であるため、気泡を含む処理液を定期的に定量排出する従来の構成よりも処理液の無駄な廃液をなくすことができ、掛かるコストを低減することができる。
特に、前記処理液貯留タンク加振手段により、前記処理液を振動させると共に前記排出管を振動させ、該排出管内の処理液を処理液貯留タンク内に逆流させることにより、発泡した気体を効率的に排出管に導くことができ、気体検出手段により容易に気体を検出することができる。
According to such a configuration, the processing liquid filled in the processing liquid storage tank is vibrated to forcibly foam the gas dissolved in the processing liquid, and control is performed to detect and discharge the gas. . Thereby, in the piping path from the processing liquid storage tank to the substrate processing module, it is possible to supply the processing liquid from which gas is substantially removed without foaming even if negative pressure occurs.
Accordingly, it is not necessary to provide a large number of valves for discharging gas in the piping path as in the prior art, so that the apparatus is not complicated. In addition, when the gas is detected, the processing liquid containing bubbles is discharged, so it is possible to eliminate unnecessary waste liquid of the processing liquid compared to the conventional configuration that periodically discharges the processing liquid containing bubbles. , It can reduce the cost.
In particular, the treatment liquid storage tank vibrating means vibrates the treatment liquid and vibrates the discharge pipe so that the treatment liquid in the discharge pipe flows back into the treatment liquid storage tank. The gas can be guided to the discharge pipe, and the gas can be easily detected by the gas detection means.

また、前記課題を解決するために、本発明にかかる処理液供給システムは、処理液を用いて基板処理を行うモジュールに対し前記処理液を供給する処理液供給システムにおいて、 処理液が収容された処理液供給源と、前記処理液供給源から供給される処理液を充填し前記モジュールに処理液を送出するための処理液貯留タンクと、前記処理液貯留タンク内の処理液を振動させる処理液貯留タンク加振手段と、前記処理液貯留タンクに接続され該処理液貯留タンク内の処理液から発泡した気体を排出するための排出管と、前記排出管の途中に設けられ該排出管を開閉制御するバルブと、前記排出管において前記処理液貯留タンクと前記バルブとの間を通過する気体を検出する気体検出手段と、前記排出管を振動させる排出管加振手段と、を備え、前記処理液貯留タンク加振手段により前記処理液を振動させ発泡させると共に、前記排出管加振手段により前記排出管を振動させ、該排出管内の処理液を前記処理液貯留タンク内に逆流させることにより、処理液から発泡した気体を前記排出管に移動させることに特徴を有する。
このように、前記排出管を振動させる排出管加振手段を備え、前記処理液貯留タンク加振手段により前記処理液を振動させると共に前記排出管加振手段により前記排出管を振動させ、該排出管内の処理液を前記処理液貯留タンク内に逆流させることにより、処理液から発泡した気体を前記排出管に移動させるようにしてもよい。
このような構成によっても、発泡した気体を効率的に排出管に導くことができ、気体検出手段により容易に気体を検出することができる。
In order to solve the above problems, a processing liquid supply system according to the present invention includes a processing liquid stored in a processing liquid supply system that supplies the processing liquid to a module that performs substrate processing using the processing liquid. A processing liquid supply source, a processing liquid storage tank for filling the processing liquid supplied from the processing liquid supply source and delivering the processing liquid to the module, and a processing liquid for vibrating the processing liquid in the processing liquid storage tank A storage tank vibration means, a discharge pipe connected to the treatment liquid storage tank for discharging the foamed gas from the treatment liquid in the treatment liquid storage tank, and provided in the middle of the discharge pipe for opening and closing the discharge pipe A valve for controlling, a gas detection means for detecting a gas passing between the processing liquid storage tank and the valve in the discharge pipe, and a discharge pipe vibration means for vibrating the discharge pipe. The processing liquid is vibrated and foamed by the processing liquid storage tank vibration means, and the discharge pipe is vibrated by the discharge pipe vibration means, so that the processing liquid in the discharge pipe flows back into the processing liquid storage tank. Thus, the gas foamed from the treatment liquid is moved to the discharge pipe.
As described above, the apparatus includes the discharge pipe vibration means for vibrating the discharge pipe, vibrates the processing liquid by the treatment liquid storage tank vibration means, vibrates the discharge pipe by the discharge pipe vibration means, and discharges the discharge liquid. The gas foamed from the processing liquid may be moved to the discharge pipe by causing the processing liquid in the pipe to flow back into the processing liquid storage tank.
Also with such a configuration , the foamed gas can be efficiently guided to the discharge pipe, and the gas can be easily detected by the gas detection means.

また、前記処理液貯留タンク内の天井面は傾斜面に形成され、該傾斜面の最上部に前記排出管が接続されていることが好ましい。
このように構成することにより、処理液貯留タンク内で発泡した気体を、より容易に排出管に導くことができる。
Moreover, it is preferable that the ceiling surface in the said processing liquid storage tank is formed in an inclined surface, and the said exhaust pipe is connected to the uppermost part of this inclined surface.
By comprising in this way, the gas foamed within the processing liquid storage tank can be more easily guided to the discharge pipe.

また、前記課題を解決するために、本発明にかかる処理液供給方法は、処理液を用いて基板処理を行うモジュールに対し前記処理液を供給する処理液供給方法において、処理液が収容された処理液供給源から供給される処理液を、処理液貯留タンクに充填するステップと、前記処理液貯留タンク内の処理液を振動させ、処理液に溶存する気体を発泡させるステップと、前記処理液貯留タンクに接続された排出管を振動させて該排出管内の処理液を処理液貯留タンク内に逆流させ、前記処理液の振動により発泡した気体を排出管に移動させるステップと、前記排出管内に移動した気体を検出するステップと、前記排出管内を開閉制御するバルブを開き、前記気体を排出するステップとを実行することに特徴を有する。   In order to solve the above problems, a processing liquid supply method according to the present invention includes a processing liquid stored in the processing liquid supply method for supplying the processing liquid to a module that performs substrate processing using the processing liquid. Filling the processing liquid storage tank with the processing liquid supplied from the processing liquid supply source, vibrating the processing liquid in the processing liquid storage tank, and bubbling the gas dissolved in the processing liquid; and the processing liquid Oscillating a discharge pipe connected to the storage tank to reversely flow the processing liquid in the discharge pipe into the processing liquid storage tank, and moving the gas foamed by the vibration of the processing liquid to the discharge pipe; and It is characterized in that the step of detecting the moved gas and the step of opening the valve for controlling opening and closing of the inside of the discharge pipe and discharging the gas are performed.

このような方法によれば、処理液貯留タンクから基板処理モジュールまでの配管経路においては、負圧が生じても発泡することのない、気体が略取り除かれた処理液を供給することができる。
したがって、従来のように配管経路中に気体排出のためのバルブを多数設ける必要がないため、装置が複雑化することがない。また、気体を検出した際に、気泡を含む処理液を排出するため、気泡を含む処理液を定期的に定量排出する従来の方法よりも処理液の無駄な廃液をなくすことができ、掛かるコストを低減することができる。
According to such a method, in the piping path from the processing liquid storage tank to the substrate processing module, it is possible to supply the processing liquid from which gas is substantially removed without foaming even if negative pressure occurs.
Accordingly, it is not necessary to provide a large number of valves for discharging gas in the piping path as in the prior art, so that the apparatus is not complicated. In addition, when the gas is detected, the processing liquid containing bubbles is discharged, so that wasteful liquid waste of the processing liquid can be eliminated compared with the conventional method of periodically discharging the processing liquid containing bubbles. Can be reduced.

本発明によれば、処理液を用いて基板処理を行うモジュールに対し処理液を供給する処理液供給システムにおいて、処理液に溶存する気体を容易に除去することができ、且つ、掛かるコストを低減することのできる処理液供給システム、処理液供給方法、処理液供給プログラム及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を得ることができる。   According to the present invention, in a processing liquid supply system that supplies a processing liquid to a module that performs substrate processing using the processing liquid, it is possible to easily remove the gas dissolved in the processing liquid and reduce the cost. A processing liquid supply system, a processing liquid supply method, a processing liquid supply program, and a computer-readable recording medium on which the program is recorded can be obtained.

以下、本発明にかかる実施の形態につき、図に基づいて説明する。図1は、本発明の処理液供給システム及び処理液供給方法が適用されるレジスト塗布現像装置の全体構成を示す斜視図、図2はその平面図である。先ず、このレジスト塗布現像装置100の説明をする。レジスト塗布現像装置100において、図中B1は、基板であるウエハWが例えば13枚密閉収納されたキャリアC1を搬入出するためのキャリア載置部であり、キャリアC1を複数個載置可能な載置部90aを備えたキャリアステーション90と、このキャリアステーション90から見て前方の壁面に設けられる開閉部91と、開閉部91を介してキャリアC1からウエハWを取り出すための受け渡し手段A1とが設けられている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of a resist coating and developing apparatus to which a processing liquid supply system and a processing liquid supply method of the present invention are applied, and FIG. 2 is a plan view thereof. First, the resist coating and developing apparatus 100 will be described. In the resist coating and developing apparatus 100, B1 in the drawing is a carrier mounting portion for carrying in and out a carrier C1 in which, for example, 13 wafers W serving as substrates are hermetically stored, and a mounting on which a plurality of carriers C1 can be mounted. A carrier station 90 having a placement portion 90a, an opening / closing portion 91 provided on a wall surface in front of the carrier station 90, and delivery means A1 for taking out the wafer W from the carrier C1 via the opening / closing portion 91 are provided. It has been.

キャリア載置部B1の奥側には筐体92にて周囲を囲まれる処理部B2が接続されており、この処理部B2には手前側から順に加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニットU1,U2,U3と、後述する塗布・現像ユニットを含む各処理ユニット間のウエハWの受け渡しを行う主搬送手段A2,A3とが交互に配列して設けられている。即ち、棚ユニットU1,U2,U3及び主搬送手段A2、A3はキャリア載置部B1側から見て前後一列に配列されると共に、各々の接続部位には図示しないウエハ搬送用の開口部が形成されており、ウエハWは処理部B2内を一端側の棚ユニットU1から他端側の棚ユニットU3まで自由に移動できるようになっている。   A processing unit B2 surrounded by a casing 92 is connected to the back side of the carrier mounting unit B1, and the processing unit B2 is a shelf unit in which heating / cooling system units are arranged in stages from the front side. U1, U2 and U3 and main transfer means A2 and A3 for transferring the wafer W between processing units including a coating / developing unit described later are alternately arranged. That is, the shelf units U1, U2, U3 and the main transfer means A2, A3 are arranged in a line in the front-rear direction when viewed from the carrier mounting part B1, and an opening for wafer transfer (not shown) is formed at each connection portion. Thus, the wafer W can freely move in the processing section B2 from the shelf unit U1 on one end side to the shelf unit U3 on the other end side.

また主搬送手段A2は、棚ユニットU1、U2の間であって、液処理ユニットU4と区画壁93との間の空間に置かれ、主搬送手段A3は、棚ユニットU2、U3の間であって、液処理ユニットU5と区画壁93との間の空間に置かれている。   The main transport means A2 is placed between the shelf units U1 and U2 and in the space between the liquid processing unit U4 and the partition wall 93, and the main transport means A3 is between the shelf units U2 and U3. And placed in the space between the liquid processing unit U5 and the partition wall 93.

また、液処理ユニットU4,U5は、レジスト液や現像液といった薬液(処理液)の供給機構であるケミカルユニットCU用のスペースをなす収納部96の上に、基板処理モジュールである塗布ユニットCOT、現像ユニットDEV及び反射防止膜形成ユニットBARC等を複数段例えば5段に積層した構成とされている。そして、キャリア載置部B1から見て液処理ユニットU4,U5の前後には、各ユニットで用いられる薬液の温度調節装置や温湿度調節用のダクト、各ユニットへ薬液を供給するポンプ等を有するディスペンスユニットDU等を備えた収納部94、95が設けられている。
即ち、ウエハ処理を行う各ユニット(基板処理モジュール)へ薬液(処理液)を供給する際には、ケミカルユニットCUから薬液が各ユニットに対応するディスペンスユニットDUに送出され、各ディスペンスユニットDUのポンプ動作により各ユニットに薬液供給されるよう構成されている。
In addition, the liquid processing units U4 and U5 are each provided with a coating unit COT, which is a substrate processing module, on a storage unit 96 that forms a space for a chemical unit CU that is a supply mechanism of a chemical solution (processing solution) such as a resist solution and a developing solution. The developing unit DEV and the antireflection film forming unit BARC are stacked in a plurality of stages, for example, five stages. Further, before and after the liquid processing units U4 and U5 as viewed from the carrier mounting part B1, there are a temperature adjusting device for the chemical liquid used in each unit, a duct for temperature and humidity adjustment, a pump for supplying the chemical liquid to each unit, and the like. Storage units 94 and 95 including a dispensing unit DU and the like are provided.
That is, when supplying a chemical solution (processing solution) to each unit (substrate processing module) that performs wafer processing, the chemical solution is sent from the chemical unit CU to the dispensing unit DU corresponding to each unit, and the pump of each dispensing unit DU. It is comprised so that a chemical | medical solution may be supplied to each unit by operation | movement.

また上述の棚ユニットU1,U2,U3は、液処理ユニットU4,U5にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば10段に積層した構成とされており、ウエハWを加熱(ベーク)する加熱ユニット、ウエハWを冷却する冷却ユニット等が含まれる。   In addition, the above shelf units U1, U2, U3 are configured such that various units for performing pre-processing and post-processing of the processing performed in the liquid processing units U4, U5 are stacked in a plurality of stages, for example, 10 stages. A heating unit for heating (baking) the wafer W, a cooling unit for cooling the wafer W, and the like are included.

処理部B2における棚ユニットU3の奥側には、例えば第1の搬送室97及び第2の搬送室98からなるインターフェイス部B3を介して露光部B4が接続されている。インターフェイス部B3の内部には図2に示すように処理部B2と露光部B4との間でウエハWの受け渡しを行うための2つの受け渡し手段A4、A5の他、棚ユニットU6及びバッファキャリアC0が設けられている。   An exposure unit B4 is connected to an inner side of the shelf unit U3 in the processing unit B2 through an interface unit B3 including, for example, a first transfer chamber 97 and a second transfer chamber 98. Inside the interface unit B3, as shown in FIG. 2, a shelf unit U6 and a buffer carrier C0 are provided in addition to two transfer means A4 and A5 for transferring the wafer W between the processing unit B2 and the exposure unit B4. Is provided.

この装置におけるウエハWの流れについて一例を示すと、先ず外部からウエハWの収納されたキャリアC1が載置台90に載置され、開閉部91と共にキャリアC1の蓋体が外されて受け渡し手段A1によりウエハWが取り出される。そしてウエハWは棚ユニットU1の一段をなす受け渡しユニット(図示せず)を介して主搬送手段A2へと受け渡され、棚ユニットU1〜U3内の一の棚にて、塗布処理の前処理として例えば反射防止膜形成処理、冷却処理が行われ、しかる後塗布ユニットCOTにてレジスト液が塗布される。   An example of the flow of the wafer W in this apparatus is as follows. First, the carrier C1 in which the wafer W is stored is placed on the mounting table 90, the lid of the carrier C1 is removed together with the opening / closing portion 91, and the delivery means A1. The wafer W is taken out. Then, the wafer W is transferred to the main transfer means A2 via a transfer unit (not shown) that forms one stage of the shelf unit U1, and is pre-processed as a coating process on one shelf in the shelf units U1 to U3. For example, an antireflection film forming process and a cooling process are performed, and then a resist solution is applied by the application unit COT.

次いでウエハWは棚ユニットU1〜U3の一の棚をなす加熱ユニットで加熱(ベーク処理)され、更に冷却された後棚ユニットU3の受け渡しユニットを経由してインターフェイス部B3へと搬入される。このインターフェイス部B3においてウエハWは例えば受け渡し手段A4→棚ユニットU6→受け渡し手段A5という経路で露光部B4へ搬送され、露光が行われる。露光後、ウエハWは逆の経路で主搬送手段A2まで搬送され、現像ユニットDEVにて現像されることでレジストマスクが形成される。しかる後ウエハWは載置台90上の元のキャリアC1へと戻される。   Next, the wafer W is heated (baked) by a heating unit forming one shelf of the shelf units U1 to U3, and further cooled, and then transferred to the interface unit B3 via the delivery unit of the shelf unit U3. In this interface section B3, the wafer W is transferred to the exposure section B4 through a path of transfer means A4 → shelf unit U6 → transfer means A5, for example, and exposure is performed. After the exposure, the wafer W is transferred to the main transfer means A2 through the reverse path, and developed by the developing unit DEV to form a resist mask. Thereafter, the wafer W is returned to the original carrier C1 on the mounting table 90.

続いて、前記レジスト塗布現像装置100において薬液(処理液)を各基板処理モジュールに供給する本発明の処理液供給システムの構成について、基板処理モジュールである塗布ユニットCOTへのレジスト供給を例に説明する。   Subsequently, the configuration of the processing liquid supply system of the present invention that supplies a chemical solution (processing liquid) to each substrate processing module in the resist coating and developing apparatus 100 will be described by taking as an example the resist supply to the coating unit COT that is the substrate processing module. To do.

図3は、本発明の処理液供給システムとして、例えばレジストのディスペンス機構を模式的に示すブロック図であり、塗布ユニットCOTに準備される複数種類(複数系統)のレジストのうち、1系統の配管ラインを示している。
図3に示すこのディスペンス機構1は、前記したようにレジストの供給機構であるケミカルユニットCUと、それからレジストが分配されて供給される複数のディスペンスユニットDUと、それらケミカルユニットCU及びディスペンスユニットDUにおけるバルブ制御等を行う制御部10とで構成されている。
前記ディスペンスユニットDUは、多段に重ねられた塗布ユニットCOT等のユニット台数と同数設けられ、それぞれ1対1に対応するようになされている。
FIG. 3 is a block diagram schematically showing, for example, a resist dispensing mechanism as the processing liquid supply system of the present invention, and one line of piping among a plurality of types (a plurality of lines) of resists prepared in the coating unit COT. Shows the line.
The dispensing mechanism 1 shown in FIG. 3 includes a chemical unit CU which is a resist supply mechanism as described above, a plurality of dispense units DU from which resist is distributed and supplied, and the chemical unit CU and the dispense unit DU. It is comprised with the control part 10 which performs valve control etc.
The dispensing units DU are provided in the same number as the number of coating units COT and the like stacked in multiple stages, and correspond to each other one to one.

ケミカルユニットCUは、レジストRの供給源となるボトル20(処理液供給源)と、レジストRを一時貯留してバッファリングすることによりボトル20内のレジストRが残存しているか否かを検出する検出手段を有する処理液貯留タンクとしてのL/E(リキッドエンド)タンク21と、レジストRのフィルタリングを行うフィルタ22と、複数のバルブV1〜V3等により構成される。   The chemical unit CU detects whether or not the resist R in the bottle 20 remains by temporarily storing and buffering the resist R and the bottle 20 (processing liquid supply source) serving as the resist R supply source. It comprises an L / E (liquid end) tank 21 as a processing liquid storage tank having a detecting means, a filter 22 for filtering the resist R, and a plurality of valves V1 to V3.

ボトル20は、好ましくは図9に示した構造のようにボトル状の外側容器20aの中に袋容器20bが設けられ、袋容器20bの中にレジストRが収納された構造となされている。これにより、ボトル20におけるレジストRへの新たな気体の入り込みを防止することができる。
また、L/Eタンク21には、タンク20と、フィルタ22とに夫々接続するための経路配管の他、気泡を含むレジストRを排出するためのドレイン配管30が接続されている。
The bottle 20 preferably has a structure in which a bag container 20b is provided in a bottle-shaped outer container 20a and a resist R is accommodated in the bag container 20b as in the structure shown in FIG. Thereby, entry of new gas into the resist R in the bottle 20 can be prevented.
The L / E tank 21 is connected to a drain pipe 30 for discharging the resist R containing bubbles, in addition to a path pipe for connecting to the tank 20 and the filter 22.

また、バルブV1はL/Eタンク21からの排出管であるドレイン配管30の途中に設けられ、バルブV2はフィルタ22からのドレイン配管31の途中に設けられている。即ち、これらバルブV1、V2は、L/Eタンク21及びフィルタ22でレジストR内に溶存している気体(窒素ガスN2等)が発泡した場合に、それを排出するためのバルブである。また、バルブV3はフィルタ22の後であって、各ディスペンスユニットDUにレジスト供給するための始端部に設けられている。 The valve V 1 is provided in the middle of the drain pipe 30 that is a discharge pipe from the L / E tank 21, and the valve V 2 is provided in the middle of the drain pipe 31 from the filter 22. That is, these valves V1 and V2 are valves for discharging the gas (nitrogen gas N 2 or the like) dissolved in the resist R in the L / E tank 21 and the filter 22 when foamed. The valve V3 is provided after the filter 22 and at the start end for supplying the resist to each dispensing unit DU.

また、ドレイン配管30においてL/Eタンク21とバルブV1との間には、ドレイン配管中に流れるレジスト中の気泡を、例えば光照射に対する反射光により検出する気泡検出器23(気体検出手段)が設けられている。さらにL/Eタンク21には、内部に収容されたレジストを振動させる加振器24(処理液貯留タンク加振手段)が設けられている。   In addition, a bubble detector 23 (gas detection means) that detects bubbles in the resist flowing in the drain pipe by, for example, reflected light with respect to light irradiation, is provided between the L / E tank 21 and the valve V1 in the drain pipe 30. Is provided. Further, the L / E tank 21 is provided with a vibrator 24 (treatment liquid storage tank vibration means) that vibrates the resist accommodated therein.

ケミカルユニットCUにおいては、制御部10の制御により、図示しない加圧手段がボトル20内に窒素ガスN2を供給するとボトル内の圧が上昇するようになされる。そして、ボトル内が加圧されるとボトル内部からレジストRが圧出(圧送)され、レジストRがL/Eタンク21に供給されるようになされている。
また、L/Eタンク21に順次供給されるレジストRは、フィルタ22においてフィルタリングされ、制御部10の制御によりバルブV3が開弁されることで、各ディスペンスユニットDUにレジストRを供給するように構成されている。
In the chemical unit CU, when the pressurizing means (not shown) supplies nitrogen gas N 2 into the bottle 20 under the control of the control unit 10, the pressure in the bottle increases. When the inside of the bottle is pressurized, the resist R is pressed out (pumped) from the inside of the bottle, and the resist R is supplied to the L / E tank 21.
Further, the resist R sequentially supplied to the L / E tank 21 is filtered by the filter 22, and the valve V3 is opened under the control of the control unit 10, so that the resist R is supplied to each dispensing unit DU. It is configured.

一方、複数のディスペンスユニットDUは、夫々、例えば定圧ポンプ40やバルブV4、V5等を備えており、制御部10の制御によりケミカルユニットCUのバルブV3が開かれた状態で、定圧ポンプ40にレジストRが補充されるようになされている。
また、この例の場合、塗布ユニットCOTにレジストRを供給する際には、バルブV5が開かれた状態で定圧ポンプ40からレジストRがノズルに向けて送出されるよう構成されている。尚、バルブV4は、ポンプ40において発泡した気体を排出するために設けられている。
On the other hand, each of the plurality of dispensing units DU includes, for example, a constant pressure pump 40 and valves V4 and V5. The control unit 10 controls the constant pressure pump 40 in a state where the valve V3 of the chemical unit CU is opened. R is replenished.
In the case of this example, when the resist R is supplied to the coating unit COT, the resist R is sent from the constant pressure pump 40 toward the nozzle while the valve V5 is opened. The valve V4 is provided for discharging the gas foamed in the pump 40.

尚、前記した制御部10は、図示しない記憶部を備え、この記憶部には、ケミカルユニットCU及びディスペンスユニットDUにおける動作が予め決められたソフトウエアからなる処理液供給プログラムが格納されている。
そして、制御部10は当該プログラムを読み出し、後述の気体除去処理が実施されるよう制御を行う。尚、このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカードなどの記録媒体に記録され収納された状態で制御部10の記憶部に格納される。
The control unit 10 includes a storage unit (not shown), and a processing liquid supply program including software whose operations in the chemical unit CU and the dispense unit DU are determined in advance is stored in the storage unit.
And the control part 10 reads the said program, and performs control so that the below-mentioned gas removal process is implemented. Note that this program is stored in the storage unit of the control unit 10 in a state of being recorded and stored in a recording medium such as a hard disk, a compact disk, a magnetic optical disk, or a memory card.

続いて、このように構成されたディスペンス機構1において、制御部10の動作制御により、レジスト供給時にレジストRから気体を除去する工程について図4のフローに基づき、図5の工程図を用いながら説明する。
例えば塗布ユニットCOTにレジストを供給する際には、先ず、タンク20を窒素ガスN2により加圧し、L/Eタンク21にレジストRを圧送して図5(a)に示すようにL/Eタンク21内にレジストRを貯留する(図4のステップS1)。
Next, in the dispensing mechanism 1 configured as described above, a process of removing gas from the resist R during resist supply by operation control of the control unit 10 will be described based on the flow of FIG. 4 and using the process diagram of FIG. To do.
For example, when supplying the resist to the coating unit COT, first, the tank 20 is pressurized with nitrogen gas N 2 , and the resist R is pressure-fed to the L / E tank 21, and as shown in FIG. The resist R is stored in the tank 21 (step S1 in FIG. 4).

L/Eタンク21内にレジストRが充填された状態になると、制御部10は加振器24によりL/Eタンク21の容器全体を振動させ、これにより内部に貯留されたレジストRを振動させる(図4のステップS2)。
L/Eタンク21内のレジストRが振動すると、図5(b)に示すようにレジストRで気体が発泡し、気泡Baとなって上昇し、L/Eタンク21内上部に気体が集結する。
When the L / E tank 21 is filled with the resist R, the control unit 10 vibrates the entire container of the L / E tank 21 by the vibrator 24 and thereby vibrates the resist R stored inside. (Step S2 in FIG. 4).
When the resist R in the L / E tank 21 vibrates, as shown in FIG. 5 (b), the gas bubbles in the resist R and rises as bubbles Ba, and the gas collects in the upper part of the L / E tank 21. .

一方、加振器24によりドレイン配管30も振動するようになされ、その振動によりドレイン配管30内のレジストRがL/Eタンク21内に逆流する(流れ落ちる)と共に、L/Eタンク21内上部に集結していた気体が、流れ落ちたレジストRと入れ替わりにドレイン配管30に導かれる(図4のステップS3)。
尚、図5に示すようにL/Eタンク21内の天井面が傾斜面に形成され、その傾斜面の最上部にドレイン配管30が接続されていることにより、より容易に気体がドレイン配管30に導かれる。また、このステップS3におけるドレイン配管30の振動は、前記のように加振器24によりなされてもよいが、他の加振器(排出管加振手段)を設けて、確実にドレイン配管30を振動させるよう構成してもよい。
On the other hand, the drain pipe 30 is also vibrated by the vibrator 24, and the resist R in the drain pipe 30 flows back (flows down) into the L / E tank 21 due to the vibration, and also on the upper part in the L / E tank 21. The collected gas is led to the drain pipe 30 in place of the resist R that has flowed down (step S3 in FIG. 4).
In addition, as shown in FIG. 5, the ceiling surface in the L / E tank 21 is formed in an inclined surface, and the drain pipe 30 is connected to the uppermost part of the inclined surface, so that the gas can be more easily discharged. Led to. Further, the vibration of the drain pipe 30 in this step S3 may be made by the vibrator 24 as described above, but another vibrator (discharge pipe vibration means) is provided so that the drain pipe 30 can be securely connected. You may comprise so that it may vibrate.

そして、ドレイン配管30に移動した気体がドレイン配管30に設けられた気泡検出器23によって検出されると(図4のステップS4)、制御部10はバルブV1を開き、図5(c)に示すようにドレイン配管30からその気体(気泡を含むレジストR)をすべて排出する(図4のステップS5)。   And if the gas which moved to the drain piping 30 is detected by the bubble detector 23 provided in the drain piping 30 (step S4 of FIG. 4), the control part 10 will open the valve | bulb V1, and will show in FIG.5 (c). Thus, all the gas (resist R containing bubbles) is discharged from the drain pipe 30 (step S5 in FIG. 4).

そして、気泡検出器23によって気体が検出されなくなると(図4のステップS6)、所定時間経過後(図4のステップS7)、制御部10はバルブV1を閉じ、気体の排出を終了する(図4のステップS8)。尚、ステップS7において、所定時間経過させることにより、気泡を完全に排出し気泡のL/Eタンク21内への再溶け込みを防止することができる。ステップS7において経過待ちする所定時間は、気泡検出器23とバルブV1間の配管長やレジストRの加圧状態を考慮し、例えば0.1〜3.0秒の時間に設定される。
また、ステップS8の後、加振器24(及び排出管加振手段)の振動動作は、継続して行ってもよいし、或いは定期的に所定時間行うように制御してもよい。
また、L/Eタンク21において、溶存していた気体が略除去されたレジストRは、その後、フィルタ22によりフィルタリングされ、バルブV3を通過して各ディスペンスユニットDUに供給される。
When no gas is detected by the bubble detector 23 (step S6 in FIG. 4), after a predetermined time has elapsed (step S7 in FIG. 4), the control unit 10 closes the valve V1 and finishes discharging the gas (FIG. 4). 4 step S8). In step S7, by allowing a predetermined time to elapse, it is possible to completely discharge the bubbles and prevent the bubbles from re-melting into the L / E tank 21. The predetermined time to wait for the passage in step S7 is set to, for example, 0.1 to 3.0 seconds in consideration of the piping length between the bubble detector 23 and the valve V1 and the pressure state of the resist R.
In addition, after step S8, the vibration operation of the vibrator 24 (and the discharge pipe vibration means) may be continuously performed, or may be controlled to be performed periodically for a predetermined time.
Further, the resist R from which the dissolved gas is substantially removed in the L / E tank 21 is then filtered by the filter 22, passes through the valve V <b> 3, and is supplied to each dispensing unit DU.

以上のように、本発明にかかる実施の形態によれば、L/Eタンク21内に充填したレジストRを振動させてレジストRに溶存していた気体を強制的に発泡させ、さらにドレイン配管30を振動させて前記気体を排出管に導き、その気体を検出して排出するよう制御がなされる。これにより、L/Eタンク21から塗布ユニットCOTまでの配管経路においては、負圧が生じても発泡することのない、気体が略取り除かれたレジストRを供給することができる。
したがって、従来のように配管経路中に気体排出のためのバルブを多数設ける必要がないため、装置が複雑化することがない。また、気体を検出した際に、気泡を含む薬液を排出する構成であるため、気泡を含む薬液を定期的に定量排出する従来の構成よりも薬液の無駄な廃液をなくすことができ、掛かるコストを低減することができる。
As described above, according to the embodiment of the present invention, the resist R filled in the L / E tank 21 is vibrated to forcibly foam the gas dissolved in the resist R, and further, the drain pipe 30. Is controlled so that the gas is guided to the discharge pipe and the gas is detected and discharged. Thereby, in the piping path from the L / E tank 21 to the coating unit COT, it is possible to supply the resist R from which the gas is substantially removed without foaming even if a negative pressure occurs.
Accordingly, it is not necessary to provide a large number of valves for discharging gas in the piping path as in the prior art, so that the apparatus is not complicated. In addition, when the gas is detected, the chemical liquid containing bubbles is discharged, so that wasteful liquid waste of chemical liquid can be eliminated compared to the conventional structure that periodically discharges the chemical liquid containing bubbles, and the cost is high. Can be reduced.

尚、前記実施の形態において、加振器24は、図3、図5に示したようにL/Eタンク21の側面に設けられた構成としたが、その形態に限定されず、例えば図6に示すように、容器に凹部21aを形成し、その凹部21aに加振器24を設ける構成としてもよい。その場合、凹部21aを形成する容器壁の厚さ寸法は、凹部21aが加振器24の振動により充分に振動し、レジストR(薬液)の全体を振動することのできる寸法に形成されるのが望ましい。   In the above-described embodiment, the vibrator 24 is provided on the side surface of the L / E tank 21 as shown in FIGS. 3 and 5. However, the present invention is not limited to this configuration. For example, FIG. As shown in FIG. 4, a recess 21a may be formed in the container, and a vibrator 24 may be provided in the recess 21a. In that case, the thickness dimension of the container wall forming the recess 21a is formed such that the recess 21a sufficiently vibrates due to the vibration of the vibrator 24 and can vibrate the entire resist R (chemical solution). Is desirable.

或いは、図7に示すように、加振器24をL/Eタンク21内部に設け、その振動によりL/Eタンク21内部のレジストR全体を振動させる構成としてもよい。
また、図6、図7に示す構成の場合、加振器24によりドレイン配管30を充分に振動させることができない可能性があるため、ドレイン配管30を振動させるための他の加振器(排出管加振手段)を設けるのが好ましい。
Alternatively, as shown in FIG. 7, the vibrator 24 may be provided inside the L / E tank 21, and the entire resist R inside the L / E tank 21 may be vibrated by the vibration.
In the case of the configuration shown in FIGS. 6 and 7, the drain pipe 30 may not be sufficiently vibrated by the vibrator 24, so another vibrator (discharge) for vibrating the drain pipe 30 may be used. It is preferable to provide a tube vibration means.

また、前記実施の形態においては、基板に処理液としてレジストを塗布する塗布ユニットCOTにレジストを供給する例を示したが、本発明に係る処理液供給システムは、塗布ユニットCOTにレジストを供給するディスペンス機構だけではなく、他の基板処理モジュールに対して各種処理液を供給するディスペンス機構に対しても適用することができる。
また、タンク20は、前記したように外側容器20aの中にレジストを収容した袋容器20bを設けた構造が好ましいが、本発明においては、その形態に限定されず、例えば図8に示したように窒素ガスN2でレジストを直接加圧して圧送する構造にも適用することができる。
In the embodiment, the example in which the resist is supplied to the coating unit COT for applying the resist as the processing liquid to the substrate has been shown. However, the processing liquid supply system according to the present invention supplies the resist to the coating unit COT. The present invention can be applied not only to the dispensing mechanism but also to a dispensing mechanism that supplies various processing liquids to other substrate processing modules.
Further, the tank 20 preferably has a structure in which the bag container 20b containing the resist is provided in the outer container 20a as described above. However, in the present invention, the structure is not limited to this. For example, as shown in FIG. Further, it can be applied to a structure in which a resist is directly pressurized with nitrogen gas N 2 and fed.

また、前記実施の形態においては、基板として半導体ウエハを例としたが、本発明における基板は、半導体ウエハに限らず、LCD基板、CD基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。   In the above embodiment, a semiconductor wafer is used as an example of the substrate. However, the substrate in the present invention is not limited to a semiconductor wafer, and an LCD substrate, a CD substrate, a glass substrate, a photomask, a printed substrate, and the like are also possible. .

本発明は、半導体ウエハ等の基板を処理するレジスト塗布現像装置等に適用でき、半導体製造業界、電子デバイス製造業界等において好適に用いることができる。   The present invention can be applied to a resist coating and developing apparatus for processing a substrate such as a semiconductor wafer, and can be suitably used in the semiconductor manufacturing industry, the electronic device manufacturing industry, and the like.

図1は、本発明の処理液供給システムが適用されるレジスト塗布現像装置の全体構成を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of a resist coating and developing apparatus to which a processing liquid supply system of the present invention is applied. 図2は、図1のレジスト塗布現像装置の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the resist coating and developing apparatus of FIG. 図3は、本発明の処理液供給システムが適用されるディスペンス機構を模式的に示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram schematically showing a dispensing mechanism to which the processing liquid supply system of the present invention is applied. 図4は、図3のディスペンス機構において、制御部の動作制御による処理液からの気体除去処理工程を示すフローである。FIG. 4 is a flowchart showing a gas removal processing step from the processing liquid by operation control of the control unit in the dispensing mechanism of FIG. 図5は、図4のフローに対応するL/Eタンクの状態を示す工程図である。FIG. 5 is a process diagram showing the state of the L / E tank corresponding to the flow of FIG. 図6は、加振器が設けられたL/Eタンクの他の形態を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing another form of the L / E tank provided with the vibrator. 図7は、加振器が設けられたL/Eタンクの他の形態を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing another embodiment of the L / E tank provided with the vibrator. 図8は、処理液を収容した従来のタンクにおいて、処理液を圧送する構造を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a structure for pumping the processing liquid in a conventional tank containing the processing liquid. 図9は、処理液を収容した従来のタンクにおいて、処理液を圧送する他の構造を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing another structure for pumping the processing liquid in a conventional tank containing the processing liquid.

符号の説明Explanation of symbols

1 ディスペンス機構(処理液供給システム)
10 制御部
20 タンク(処理液供給源)
21 L/Eタンク(処理液貯留タンク)
22 フィルタ
23 気泡検出器(気体検出手段)
24 加振器(処理液貯留タンク加振手段)
30 ドレイン配管(排出管)
40 定圧ポンプ
100 レジスト塗布現像装置
CU ケミカルユニット
DU ディスペンスユニット
R レジスト(処理液)
V1〜V5 バルブ
1 Dispensing mechanism (treatment liquid supply system)
10 Control unit 20 Tank (Processing liquid supply source)
21 L / E tank (treatment liquid storage tank)
22 Filter 23 Bubble detector (gas detection means)
24 Vibrator (treatment liquid storage tank vibration means)
30 Drain pipe (discharge pipe)
40 constant pressure pump 100 resist coating and developing unit CU chemical unit DU dispensing unit R resist (processing solution)
V1-V5 valve

Claims (6)

処理液を用いて基板処理を行うモジュールに対し前記処理液を供給する処理液供給システムにおいて、
処理液が収容された処理液供給源と、前記処理液供給源から供給される処理液を充填し前記モジュールに処理液を送出するための処理液貯留タンクと、前記処理液貯留タンク内の処理液を振動させると共に、前記排出管を振動させる処理液貯留タンク加振手段と、前記処理液貯留タンクに接続され該処理液貯留タンク内の処理液から発泡した気体を排出するための排出管と、前記排出管の途中に設けられ該排出管を開閉制御するバルブと、前記排出管において前記処理液貯留タンクと前記バルブとの間を通過する気体を検出する気体検出手段とを備え、
前記処理液貯留タンク加振手段により、前記処理液貯留タンク内の処理液を振動させ、発泡させると共に、前記排出管を振動させ、該排出管内の処理液を処理液貯留タンク内に逆流させることにより、処理液から発泡した気体を前記排出管に移動させ、
前記排出管に移動した気体を前記気体検出手段が検出すると、前記バルブを開いて気体を排出管から排出することを特徴とする処理液供給システム。
In a processing liquid supply system that supplies the processing liquid to a module that performs substrate processing using the processing liquid,
A processing liquid supply source containing the processing liquid, a processing liquid storage tank for filling the processing liquid supplied from the processing liquid supply source and sending the processing liquid to the module, and a processing in the processing liquid storage tank A treatment liquid storage tank vibration means for vibrating the liquid and the discharge pipe; and a discharge pipe connected to the treatment liquid storage tank for discharging the foamed gas from the treatment liquid in the treatment liquid storage tank; A valve provided in the middle of the discharge pipe for controlling the opening and closing of the discharge pipe, and a gas detection means for detecting gas passing between the treatment liquid storage tank and the valve in the discharge pipe,
The processing liquid storage tank vibration means vibrates and foams the processing liquid in the processing liquid storage tank, and vibrates the discharge pipe to cause the processing liquid in the discharge pipe to flow back into the processing liquid storage tank. By moving the gas foamed from the treatment liquid to the discharge pipe,
When the gas detection means detects the gas that has moved to the discharge pipe, the valve is opened to discharge the gas from the discharge pipe.
処理液を用いて基板処理を行うモジュールに対し前記処理液を供給する処理液供給システムにおいて、
処理液が収容された処理液供給源と、前記処理液供給源から供給される処理液を充填し前記モジュールに処理液を送出するための処理液貯留タンクと、前記処理液貯留タンク内の処理液を振動させる処理液貯留タンク加振手段と、前記処理液貯留タンクに接続され該処理液貯留タンク内の処理液から発泡した気体を排出するための排出管と、前記排出管の途中に設けられ該排出管を開閉制御するバルブと、前記排出管において前記処理液貯留タンクと前記バルブとの間を通過する気体を検出する気体検出手段と、前記排出管を振動させる排出管加振手段と、を備え、
前記処理液貯留タンク加振手段により前記処理液を振動させ発泡させると共に、前記排出管加振手段により前記排出管を振動させ、該排出管内の処理液を前記処理液貯留タンク内に逆流させることにより、処理液から発泡した気体を前記排出管に移動させることを特徴とする処理液供給システム。
In a processing liquid supply system that supplies the processing liquid to a module that performs substrate processing using the processing liquid,
A processing liquid supply source containing the processing liquid, a processing liquid storage tank for filling the processing liquid supplied from the processing liquid supply source and sending the processing liquid to the module, and a processing in the processing liquid storage tank A treatment liquid storage tank vibrating means for vibrating the liquid, a discharge pipe connected to the treatment liquid storage tank for discharging the foamed gas from the treatment liquid in the treatment liquid storage tank, and provided in the middle of the discharge pipe A valve for controlling opening and closing of the discharge pipe, a gas detection means for detecting gas passing between the processing liquid storage tank and the valve in the discharge pipe, and a discharge pipe exciting means for vibrating the discharge pipe; With
The treatment liquid is vibrated and foamed by the treatment liquid storage tank vibration means, and the discharge pipe is vibrated by the discharge pipe vibration means, so that the treatment liquid in the discharge pipe flows back into the treatment liquid storage tank. To move the gas foamed from the processing liquid to the discharge pipe.
前記処理液貯留タンク内の天井面は傾斜面に形成され、該傾斜面の最上部に前記排出管が接続されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載された処理液供給システム。 The processing liquid supply according to claim 1 or 2, wherein a ceiling surface in the processing liquid storage tank is formed as an inclined surface, and the discharge pipe is connected to an uppermost portion of the inclined surface. system. 処理液を用いて基板処理を行うモジュールに対し前記処理液を供給する処理液供給方法において、
処理液が収容された処理液供給源から供給される処理液を、処理液貯留タンクに充填するステップと、
前記処理液貯留タンク内の処理液を振動させ、処理液に溶存する気体を発泡させるステップと、
前記処理液貯留タンクに接続された排出管を振動させて該排出管内の処理液を処理液貯留タンク内に逆流させ、前記処理液の振動により発泡した気体を排出管に移動させるステップと、
前記排出管内に移動した気体を検出するステップと、
前記排出管内を開閉制御するバルブを開き、前記気体を排出するステップとを実行することを特徴とする処理液供給方法。
In a processing liquid supply method for supplying the processing liquid to a module that performs substrate processing using the processing liquid,
Filling the processing liquid storage tank with the processing liquid supplied from the processing liquid supply source containing the processing liquid;
Vibrating the treatment liquid in the treatment liquid storage tank and foaming a gas dissolved in the treatment liquid;
Oscillating a discharge pipe connected to the treatment liquid storage tank to reversely flow the treatment liquid in the discharge pipe into the treatment liquid storage tank, and moving the gas foamed by the vibration of the treatment liquid to the discharge pipe;
Detecting gas moved into the discharge pipe;
And a step of opening a valve for controlling opening and closing of the inside of the discharge pipe and discharging the gas.
前記請求項4に記載された処理液供給方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。 A program for causing a computer to execute the processing liquid supply method according to claim 4 . 前記請求項5に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。 A computer-readable recording medium on which the program according to claim 5 is recorded.
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