JP5956975B2 - Liquid processing apparatus and liquid processing method - Google Patents
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Description
この発明は、例えば半導体ウエハやLCD用ガラス基板等の被処理基板表面に処理液を供給して処理する液処理装置及び液処理方法に関する。 The present invention relates to a liquid processing apparatus and a liquid processing method for supplying a processing liquid to a surface of a substrate to be processed such as a semiconductor wafer or a glass substrate for LCD.
一般に、半導体デバイスの製造のフォトリソグラフィ技術においては、半導体ウエハやFPD基板等(以下にウエハ等という)にフォトレジストを塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に回路パターンが形成されている。 In general, in photolithography technology for manufacturing semiconductor devices, a photoresist is applied to a semiconductor wafer, FPD substrate or the like (hereinafter referred to as a wafer), and the resist film formed thereby is exposed according to a predetermined circuit pattern. The circuit pattern is formed on the resist film by developing the exposure pattern.
このようなフォトリソグラフィ工程において、ウエハ等に供給されるレジスト液や現像液等の処理液には、様々な原因によって窒素ガス等の気泡やパーティクル(異物)が混入する虞があり、気泡やパーティクルが混在した処理液がウエハ等に供給されると塗布ムラや欠陥が発生する虞がある。このため、処理液中に混在する気泡やパーティクルを除去するための装置が処理液の管路に介設されている。 In such a photolithography process, bubbles or particles (foreign matter) such as nitrogen gas may be mixed into a processing solution such as a resist solution or a developer supplied to a wafer or the like due to various causes. If a processing liquid in which is mixed is supplied to a wafer or the like, coating unevenness or defects may occur. For this reason, an apparatus for removing bubbles and particles mixed in the processing liquid is interposed in the processing liquid pipe.
従来、この種の装置として、供給ノズルと処理液貯留容器とを接続する供給管路に一時貯留容器とフィルタとポンプを介設し、処理液貯留容器と一時貯留容器との間の供給管路及びフィルタに接続する循環管路と、循環管路に設けられた可変絞りを有する処理液供給装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。この処理液供給装置は、フォトリソグラフィ工程で行われる処理の効率、多様化を図るため、複数の供給ノズルを備えており、目的に応じて供給ノズルを選択して使用している。 Conventionally, as this type of apparatus, a temporary storage container, a filter, and a pump are interposed in a supply pipe line that connects a supply nozzle and a processing liquid storage container, and a supply pipe line between the processing liquid storage container and the temporary storage container A processing liquid supply apparatus having a circulation line connected to the filter and a variable throttle provided in the circulation line is known (see, for example, Patent Document 1). This processing liquid supply apparatus includes a plurality of supply nozzles in order to improve the efficiency and diversification of processes performed in the photolithography process, and selects and uses the supply nozzles according to the purpose.
この処理液供給装置においては、フィルタで泡抜きされた処理液の液圧が可変絞りによって低下することで処理液に溶存する気体が気泡化され、この気泡が循環経路から供給管路を介して再びフィルタを通過することで除去される。そのため、処理液中に溶存する気体を効率的に除去することができる。 In this processing liquid supply apparatus, the gas dissolved in the processing liquid is bubbled by reducing the liquid pressure of the processing liquid bubbled out by the filter by the variable throttle, and the bubbles are passed from the circulation path through the supply pipe. It is removed by passing through the filter again. Therefore, the gas dissolved in the processing liquid can be efficiently removed.
ところで、複数の供給管路を備える処理液供給装置では、使用していない供給ノズルと接続する供給管路に介設されるフィルタで処理液の滞留が生じる。ここで、フィルタ等の容量の大きい場所で処理液を長時間滞留させると、特にフィルタに滞留している気泡やゲルがフィルタと処理液との界面でパーティクルとして成長・増加する傾向が見られる。そのため、処理液中に混在するパーティクルの増加を防止する方法として、処理液の吐出をウエハ等以外の場所に定期的に行うことで、フィルタ等の容量の大きい場所で処理液を長時間滞留させないようにする方法が考えられる(ダミー吐出)。しかしながら、ダミー吐出では吐出した処理液を廃棄することになるため、処理液の消費量が増大するという問題がある。 By the way, in the processing liquid supply apparatus including a plurality of supply pipes, the processing liquid is retained by a filter interposed in the supply pipe connected to the unused supply nozzle. Here, when the treatment liquid is retained for a long time in a place with a large capacity, such as a filter, there is a tendency that bubbles and gel staying in the filter grow and increase as particles at the interface between the filter and the treatment liquid. Therefore, as a method of preventing the increase of particles mixed in the processing liquid, the processing liquid is regularly discharged to a place other than the wafer etc. so that the processing liquid does not stay in a place with a large capacity such as a filter for a long time. A method of doing so is conceivable (dummy discharge). However, since the discharged processing liquid is discarded in the dummy discharge, there is a problem that the consumption amount of the processing liquid increases.
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、処理液を無駄に消費することなく処理液中のパーティクルの増加を効率的に抑制することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to efficiently suppress an increase in particles in a processing liquid without wasting the processing liquid wastefully.
上記課題を解決するために、この発明の液処理装置は、 被処理基板に処理液を供給する処理液供給ノズルに接続される液処理装置であって、 上記処理液を貯留する処理液貯留容器と上記処理液供給ノズルとを接続する供給管路と、 上記供給管路に介設され、上記処理液を濾過すると共に、上記処理液中に混入している異物,気泡を除去するフィルタ装置と、 上記フィルタ装置の二次側の上記供給管路に介設されるポンプと、 上記ポンプの二次側の上記供給管路に介設される供給制御弁と、 上記ポンプのポンプ部分の吐出側と上記フィルタ装置の一次側とを接続する循環管路と、 上記フィルタ装置の一次側であって、上記循環管路との接続部の二次側の上記供給管路に設けられる切換弁と、 上記ポンプのポンプ部分の吐出側に設けられ、上記循環管路への上記処理液の供給を選択的に可能にする開閉弁と、 上記ポンプ、供給制御弁、切換弁及び開閉弁を制御する制御手段と、を具備し、 上記制御手段により、上記供給制御弁を閉じることで上記処理液供給ノズルから上記被処理基板への処理液の供給が停止している際に、上記開閉弁及び上記切換弁を閉じた状態で、上記ポンプの駆動手段の駆動により上記ポンプ部分を負圧にすることで、上記処理液中に存在する微細な気泡を顕在化し、その後、上記開閉弁及び上記切換弁を開き、上記ポンプを駆動して、上記フィルタ装置を介設する上記供給管路と上記循環管路との間で、気泡を顕在化した上記処理液を循環させることを特徴とする(請求項1)。 In order to solve the above problems, a liquid processing apparatus of the present invention is a liquid processing apparatus connected to a processing liquid supply nozzle for supplying a processing liquid to a substrate to be processed, and a processing liquid storage container for storing the processing liquid And a supply pipe line connecting the treatment liquid supply nozzle, a filter device interposed in the supply pipe line for filtering the treatment liquid and removing foreign matters and bubbles mixed in the treatment liquid; A pump interposed in the supply line on the secondary side of the filter device, a supply control valve interposed in the supply line on the secondary side of the pump, and a discharge side of the pump portion of the pump A switching line provided on the supply line on the secondary side of the connection part with the circulation line , which is the primary side of the filter apparatus; provided on the discharge side of the pump portion of the pump, the upper An on-off valve that selectively enables the supply of the processing liquid to the circulation line, and a control means for controlling the pump, the supply control valve, the switching valve, and the on-off valve. When the supply of the processing liquid from the processing liquid supply nozzle to the substrate to be processed is stopped by closing the supply control valve, the on-off valve and the switching valve are closed, and the pump drive means By making the pump part negative pressure by driving, the fine bubbles present in the processing liquid become obvious, and then the on-off valve and the switching valve are opened, the pump is driven, and the filter device is The treatment liquid in which bubbles are made to circulate is circulated between the supply pipe and the circulation pipe to be interposed (Claim 1).
このように構成することにより、処理液供給ノズルから被処理基板に処理液の供給が停止されている状態(アイドル状態)で、フィルタ装置に滞留する処理液と供給管路の処理液中に存在する微細な気泡を顕在化することができる。 By configuring in this way, the processing liquid supplied from the processing liquid supply nozzle to the substrate to be processed is stopped (idle state) and is present in the processing liquid staying in the filter device and the processing liquid in the supply line. It is possible to reveal the fine bubbles.
なお、この発明において、アイドル状態とは、処理液供給ノズルから被処理基板に処理液の供給が停止されている状態の他に、処理液貯留容器のインストール直後から被処理基板への処理液の供給開始までの状態を含むものとする。 In the present invention, the idle state refers to the state in which the supply of the processing liquid from the processing liquid supply nozzle to the substrate to be processed is stopped, as well as the processing liquid to the substrate to be processed immediately after the processing liquid storage container is installed. The state up to the start of supply shall be included.
請求項1に記載の液処理装置において、上記ポンプのポンプ部分の吸入側に設けられた吸入側開閉弁をさらに具備し、上記制御手段により、上記供給制御弁、上記開閉弁、上記切換弁及び上記吸入側開閉弁を閉じた状態で、上記ポンプ部分を負圧にするのがよい(請求項2)。 2. The liquid processing apparatus according to claim 1, further comprising a suction-side on / off valve provided on a suction side of a pump portion of the pump , wherein the control means includes the supply control valve, the on-off valve, the switching valve, and It is preferable that the pump portion is set to a negative pressure with the suction side on-off valve closed.
また、請求項3に記載の発明の液処理方法は、 処理液を貯留する処理液貯留容器と被処理基板に上記処理液を供給する処理液供給ノズルとを接続する供給管路と、 上記供給管路に介設され、上記処理液を濾過すると共に、上記処理液中に混入している異物,気泡を除去するフィルタ装置と、 上記フィルタ装置の二次側の上記供給管路に介設されるポンプと、 上記ポンプの二次側の上記供給管路に介設される供給制御弁と、 上記ポンプのポンプ部分の吐出側と上記フィルタ装置の一次側とを接続する循環管路と、 上記フィルタ装置の一次側であって、上記循環管路との接続部の二次側の上記供給管路に設けられる切換弁と、 上記ポンプのポンプ部分の吐出側に設けられ、上記循環管路への上記処理液の供給を選択的に可能にする開閉弁と、 上記ポンプ、供給制御弁、切換弁及び開閉弁を制御する制御手段と、を具備する液処理装置を用いた液処理方法であって、 上記供給制御弁を開くと共に上記開閉弁を閉じ、上記ポンプを駆動させることで上記被処理基板に上記処理液を供給する処理液供給工程と、 上記供給制御弁を閉じることで上記処理液供給ノズルから上記被処理基板への処理液の供給が停止している際に、上記開閉弁及び上記切換弁を閉じた状態で、上記ポンプの駆動手段の駆動により上記ポンプ部分を負圧にすることで、上記処理液中に存在する微細な気泡を顕在化し、その後、上記開閉弁及び上記切換弁を開き、上記ポンプを駆動して、上記フィルタ装置を介設する上記供給管路と上記循環管路との間で、気泡を顕在化した上記処理液を循環させる循環工程と、を備えることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a liquid processing method comprising: a supply pipe line connecting a processing liquid storage container for storing a processing liquid and a processing liquid supply nozzle for supplying the processing liquid to a substrate to be processed; A filter device interposed in a pipe line for filtering the treatment liquid and removing foreign substances and bubbles mixed in the treatment liquid; and a supply pipe line on the secondary side of the filter device. A pump, a supply control valve interposed in the supply line on the secondary side of the pump, a circulation line connecting the discharge side of the pump part of the pump and the primary side of the filter device, A switching valve provided in the supply line on the primary side of the filter device and on the secondary side of the connection with the circulation line, and provided on the discharge side of the pump part of the pump, to the circulation line An on-off valve that selectively enables the treatment liquid to be supplied, A liquid processing method using a liquid processing apparatus comprising: a pump; a supply control valve; a control means for controlling a switching valve and an on-off valve, wherein the supply control valve is opened and the on-off valve is closed; The process liquid supply step for supplying the process liquid to the substrate to be processed by driving the process liquid, and the supply of the process liquid from the process liquid supply nozzle to the substrate to be processed is stopped by closing the supply control valve. When the on-off valve and the switching valve are closed, the pump portion is made negative by driving the pump drive means, thereby revealing fine bubbles present in the processing liquid, Thereafter, the on-off valve and the switching valve are opened, and the pump is driven to circulate the processing liquid in which bubbles are manifested between the supply pipe and the circulation pipe through which the filter device is interposed. A circulation process It is characterized by.
このような方法を用いることにより、被処理基板への処理液の供給を行わないアイドル状態で、フィルタ装置に滞留する処理液を供給管路の処理液中に存在する微細な気泡を顕在化することができる。 By using such a method, in Ia idle state to perform supply of the processing liquid to the target substrate, the fine air bubbles present a treatment liquid remaining in the filter apparatus in the treatment liquid supply pipe actualized Can be
この発明は、上記のように構成されているので、以下のような顕著な効果が得られる。 Since the present invention is configured as described above, the following remarkable effects can be obtained.
(1)請求項1,2,3に記載の発明によれば、不使用状態で、フィルタ装置に滞留する処理液と供給管路の処理液中に存在する微細な気泡を顕在化し、顕在化した気泡を供給管路の外部に排出することができるので、使用時にダミー吐出を行うことなく、処理液中のパーティクルの増加を抑制することができる。そのため、処理液を無駄に消費することなく処理液中のパーティクルの増加を効率的に防止することができる。
(1) According to the invention described in
以下、この発明の実施形態について、添付図面に基づいて説明する。ここでは、この発明に係る液処理装置(レジスト液処理装置)を塗布・現像処理装置に適用した場合について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. Here, a case where the liquid processing apparatus (resist liquid processing apparatus) according to the present invention is applied to a coating / development processing apparatus will be described.
上記塗布・現像処理装置は、図1及び図2に示すように、被処理基板であるウエハWを複数枚例えば25枚密閉収納するキャリア10を搬出入するためのキャリアステーション1と、このキャリアステーション1から取り出されたウエハWにレジスト塗布,現像処理等を施す処理部2と、ウエハWの表面に光を透過する液層を形成した状態でウエハWの表面を液浸露光する露光部4と、処理部2と露光部4との間に接続されて、ウエハWの受け渡しを行うインターフェース部3とを具備している。
As shown in FIGS. 1 and 2, the coating / developing apparatus includes a carrier station 1 for carrying in / out a
キャリアステーション1には、キャリア10を複数個並べて載置可能な載置部11と、この載置部11から見て前方の壁面に設けられる開閉部12と、開閉部12を介してキャリア10からウエハWを取り出すための受け渡し手段A1とが設けられている。
The carrier station 1 includes a
インターフェース部3は、処理部2と露光部4との間に前後に設けられる第1の搬送室3A及び第2の搬送室3Bにて構成されており、それぞれに第1のウエハ搬送部30A及び第2のウエハ搬送部30Bが設けられている。
The
また、キャリアステーション1の奥側には筐体20にて周囲を囲まれる処理部2が接続されており、この処理部2には手前側から順に加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニットU1,U2,U3及び液処理ユニットU4,U5の各ユニット間のウエハWの受け渡しを行う主搬送手段A2,A3が交互に配列して設けられている。また、主搬送手段A2,A3は、キャリアステーション1から見て前後方向に配置される棚ユニットU1,U2,U3側の一面部と、後述する例えば右側の液処理ユニットU4,U5側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで構成される区画壁21により囲まれる空間内に配置されている。また、キャリアステーション1と処理部2との間、処理部2とインターフェース部3との間には、各ユニットで用いられる処理液の温度調節装置や温湿度調節用のダクト等を備えた温湿度調節ユニット22が配置されている。
Further, a
棚ユニットU1,U2,U3は、液処理ユニットU4,U5にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば10段に積層した構成とされており、その組み合わせはウエハWを加熱(ベーク)する加熱ユニット(図示せず)、ウエハWを冷却する冷却ユニット(図示せず)等が含まれる。また、ウエハWに所定の処理液を供給して処理を行う液処理ユニットU4,U5は、例えば図1に示すように、レジストや現像液などの薬液収納部14の上に反射防止膜を塗布する反射防止膜塗布ユニット(BCT)23,ウエハWにレジスト液を塗布する塗布ユニット(COT)24、ウエハWに現像液を供給して現像処理する現像ユニット(DEV)25等を複数段例えば5段に積層して構成されている。塗布ユニット(COT)24は、この発明に係る液処理装置5及び液処理ユニット100を具備する。
The shelf units U1, U2, and U3 are configured such that various units for performing pre-processing and post-processing of the processing performed in the liquid processing units U4 and U5 are stacked in a plurality of stages, for example, 10 stages. A heating unit (not shown) for heating (baking) the wafer W, a cooling unit (not shown) for cooling the wafer W, and the like are included. Further, in the liquid processing units U4 and U5 that perform processing by supplying a predetermined processing liquid to the wafer W, for example, as shown in FIG. 1, an antireflection film is applied on a chemical
上記のように構成される塗布・現像処理装置におけるウエハの流れの一例について、図1及び図2を参照しながら簡単に説明する。まず、例えば25枚のウエハWを収納したキャリア10が載置部11に載置されると、開閉部12と共にキャリア10の蓋体が外されて受け渡し手段A1によりウエハWが取り出される。そして、ウエハWは棚ユニットU1の一段をなす受け渡しユニット(図示せず)を介して主搬送手段A2へと受け渡され、塗布処理の前処理として例えば反射防止膜形成処理、冷却処理が行われた後、塗布ユニット(COT)24にてレジスト液が塗布される。次いで、主搬送手段A2によりウエハWは棚ユニットU1〜U3の一の棚をなす加熱ユニットで加熱(ベーク処理)され、更に冷却された後棚ユニットU3の受け渡しユニットを経由してインターフェース部3へと搬入される。このインターフェース部3において、第1の搬送室3A及び第2の搬送室3Bの第1のウエハ搬送部30A及び第2のウエハ搬送部30Bによって露光部4に搬送され、ウエハWの表面に対向するように露光手段(図示せず)が配置されて露光が行われる。露光後、ウエハWは逆の経路で主搬送手段A2まで搬送され、現像ユニット(DEV)25にて現像されることでパターンが形成される。しかる後ウエハWは載置部11上に載置された元のキャリア10へと戻される。
An example of the wafer flow in the coating / developing apparatus configured as described above will be briefly described with reference to FIGS. First, for example, when the
次に、この発明に係る液処理装置の第1実施形態について説明する。 Next, a first embodiment of the liquid processing apparatus according to the present invention will be described.
<第1実施形態>
この発明に係る液処理装置5は、図3に示すように、処理液であるレジスト液Lを貯留する処理液貯留容器60(以下にレジスト容器60という。)とウエハWにレジスト液Lを吐出(供給)する後述する処理液供給ノズル7の1つの処理液供給ノズル7aとを接続する供給管路51と、供給管路51に介設され、レジスト液Lを濾過してパーティクルを除去すると共に、レジスト液L中に混入している異物(気泡)を除去するフィルタ装置52aと、フィルタ装置52aの二次側の供給管路51に介設される第1のトラップタンク53と、第1のトラップタンク53の二次側の供給管路51に介設されるポンプPと、ポンプPの二次側の供給管路51に介設される第2のトラップタンク54と、ポンプPの吐出側とフィルタ装置52aの吸入側とを接続する循環管路55と、循環管路55に介設される循環制御弁56と、第2のトラップタンク54の二次側の供給管路51に介設される供給制御弁57を具備する。
<First Embodiment>
As shown in FIG. 3, the
供給管路51は、レジスト容器60とこのレジスト容器60から導かれた処理液を一時貯留するバッファタンク61とを接続する第1の処理液供給管路51aと、バッファタンク61と処理液供給ノズル7とを接続する第2の処理液供給管路51bとから構成される。従って、フィルタ装置52a、第1のトラップタンク53、ポンプP、第2のトラップタンク54、供給制御弁57は、第2の処理液供給管路51bに介設されている。
The
循環管路55は、ポンプPの二次側の第2の処理液供給管路51bとフィルタ装置52aの一次側の第2の処理液供給管路51bとを第2のトラップタンク54を介して接続する。なお、第2のトラップタンク54は、供給管路51と循環管路55とを接続する接続部に設けられている。
The
図3(b)に示すように、ポンプPには第2の処理液供給管路51b内の処理液を吸入、吐出するダイヤフラムポンプが用いられる。ポンプ(ダイヤフラムポンプ)Pは、可撓性部材であるダイヤフラム71にてポンプ部分に相当するポンプ室72と駆動部分に相当する作動室73に仕切られている。また、ダイヤフラムポンプPの吸入口には、第2の供給管路51bからポンプPへの処理液Lの流入を可能にする電磁式の開閉弁V31が設けられ、吐出口には電磁式の開閉弁V32が設けられている。開閉弁V31,V32は、ポンプ室72と連通している。
As shown in FIG. 3B, the pump P is a diaphragm pump that sucks and discharges the processing liquid in the second processing
作動室73にはコントローラ200からの信号に基づいて作動室73内の気体の減圧及び加圧を制御する電空レギュレータを備える駆動手段74が接続されている。開閉弁V31,V32はコントローラ200からの信号に基づいて制御されている。
The working
また、供給制御弁57の二次側の第2の処理液供給管路51bには、ノズルユニット70に設けられた処理液供給ノズル7が接続されている。供給制御弁57としては、例えば、ディスペンスバルブを備えた流量制御弁が用いられる。
Further, the processing
ノズルユニット70には複数本(図面では4本の場合を示す)の処理液供給ノズル7a〜7dが設けられており、そのうちの処理液供給ノズル7aがこの実施形態の液処理装置5と接続する。また、他の処理液供給ノズル7b〜7dには、上述したレジスト容器60やフィルタ装置52aやポンプPと同様のレジスト容器、フィルタ装置、ポンプが接続されている。
The
レジスト容器60の上部には、不活性ガス例えば窒素(N2)ガスの供給源62と接続する第1の気体供給管路8aが設けられている。また、この第1の気体供給管路8aには、可変調整可能な圧力調整手段である電空レギュレータRが介設されている。この電空レギュレータRは、後述する制御手段としての中央演算処理装置(CPU)を主体として構成されるコントローラ200からの制御信号によって作動する操作部例えば比例ソレノイドと、該ソレノイドの作動によって開閉する弁機構とを具備しており、弁機構の開閉によって圧力を調整するように構成されている。
A first
上記第1の気体供給管路8aの電空レギュレータRとレジスト容器60との間には電磁式の切換弁V1が介設されている。また、第1の処理液供給管路51aのレジスト容器60とバッファタンク61との間には電磁式の切換弁V2が介設されている。
An electromagnetic switching valve V1 is interposed between the electropneumatic regulator R and the resist
また、第1の気体供給管路8aには、一端が第1の気体供給管路8aから分岐され、他端がバッファタンク61の上部に接続する第2の気体供給管路8bが接続されている。この第2の気体供給管路8bには、バッファタンク61内と大気に開放する大気部63又はN2ガス供給源62と切換可能に連通する切換弁V3が介設されている。切換弁V3は、バッファタンク61側の1つのポートと、N2ガス供給源62側と、大気部63側の2つのポートとを切り換える3ポート2位置切換可能な電磁切換弁にて形成されており、この切換弁63の切換操作によってバッファタンク61内が大気側又はN2ガス供給源62側に連通可能に形成されている。
The first
一方、フィルタ装置52aの上部には、フィルタ装置52a内の雰囲気を排気するためのドレイン管51cが設けられ、ドレイン管51cには電磁式の切換弁V4aが介設されている。また、第1のトラップタンク53及び第2のトラップタンク54の上部にも、第1のトラップタンク53、第2のトラップタンク54内の雰囲気を排気するためのドレイン管51d,51hが設けられ、ドレイン管51d,51hには電磁式の切換弁V5a,V5bが介設されている。
On the other hand, a
切換弁V4a,V5a,V5b、循環制御弁56、供給制御弁57はコントローラ200と電気的に接続されており、このコントローラ200からの制御信号に基づいて、切換動作や開閉動作が行われるようになっている。なお、バッファタンク61にはバッファタンク61内のレジスト液Lの上限液面と下限液面を検知する上限液面センサ61a及び下限液面センサ61bが設けられており、これら上限液面センサ61a及び下限液面センサ61bによって検知された信号がコントローラ200に伝達されるように形成されている。また、電空レギュレータR、切換弁V1,V2、切換弁V3はコントローラ200に電気的に接続されており、このコントローラ200からの制御信号に基づいて作動する。なお、電空レギュレータR、上限液面センサ61a、下限液面センサ61b、切換弁V1〜V7、開閉弁V31〜V33、循環制御弁56、供給制御弁57とコントローラ200との接続は、図4〜図17において図示されていない。
The switching valves V4a, V5a, V5b, the
次に、図4に基づいて、上記液処理装置のフィルタ装置52aの構成について説明する。フィルタ装置52aは、円筒状に形成されたフィルタ52fと、フィルタ52fを囲むように保持する保持部52iと、外壁部52oとから主に構成されている。また、フィルタ52fの内周側には、循環するレジスト液Lが満たされる空間部52sが設けられている。フィルタ装置52aの外壁部52oと保持部52iとの間には、レジスト液通路52pが設けられている。また、レジスト液通路52pの二次側はフィルタ52fを介して空間部52sと連通している。また、空間部52sの一次側及び二次側は第2の処理液供給管路51bと連通し、レジスト液通路52pの二次側はドレイン管52cと連通している。
Next, based on FIG. 4, the structure of the
次に、上記液処理装置の動作態様について、図3(a)ないし図6を参照して説明する。なお、図5、図6においては、コントローラ200等の制御系は省略してある。
Next, the operation mode of the liquid processing apparatus will be described with reference to FIGS. 5 and 6, the control system such as the
・バッファタンクへのレジスト液供給
まず、レジスト容器60をセット(インストール)した後、コントローラ200からの制御信号に基づいて、第1の気体供給管路8aに介設された切換弁V1と第1の処理液供給管路51aに介設された切換弁V2が開放し、N2ガス供給源62からレジスト容器60内に供給されるN2ガスの加圧によってレジスト液Lをバッファタンク61内に供給する。このとき、切換弁V3は大気部63側に切り換えられており、バッファタンク61内は大気に連通されている。
-Supply of resist solution to buffer tank First, after the resist
・レジスト液のN2加圧―レジスト液吐出
図5に示すように、バッファタンク61内に所定量のレジスト液Lが供給(補充)されると、上限液面センサ61aからの検知信号を受けた図示しないコントローラからの制御信号に基づいて、切換弁V1と切換弁V2が閉じると共に、切換弁V3がN2ガス供給源62側に切り換わる。これにより、N2ガス供給源62からN2ガスがバッファタンク61内に供給される一方、第2の処理液供給管路51bの供給制御弁57が開放し、ポンプPが駆動することで、レジスト液Lが処理液供給ノズル7aからウエハWに吐出(供給)されて処理が施される(処理液供給工程)。このとき、切換弁V4a,V5a,V5bは図示しないコントローラからの信号によって開かれており、フィルタ装置52a、トラップタンク53,54中に溶存する気泡はドレイン管51c,51d,51hを介して外部に排出される。
-N2 pressurization of resist solution-discharge of resist solution As shown in FIG. 5, when a predetermined amount of resist solution L is supplied (supplemented) into the
・レジスト液の循環
次に、供給管路51と循環管路55とを介して行われるレジスト液Lの循環について説明する。図6に示すように、処理液供給ノズル7dからウエハWにレジスト液を供給する際には、図示しないコントローラからの信号によって供給制御弁57が閉じられることで、処理液供給ノズル7aからウエハWへのレジスト液Lの供給が停止される(アイドル状態)。このアイドル状態で、図示しないコントローラからの信号によって循環制御弁56が開かれる。
-Circulation of resist solution Next, the circulation of the resist solution L performed through the
第2の処理液供給管路51bに介設される供給制御弁57が閉じられ、循環管路55に介設される循環制御弁56が開かれた状態でポンプPを駆動させると、フィルタ装置52aに滞留しているレジスト液Lが第1のトラップタンク53、第2のトラップタンク54を介して循環管路55に流れ込み、循環管路55に流れ込んだレジスト液Lは、フィルタ装置52aの一次側の第2の液処理供給管路51bに流れ込む。従って、処理液供給ノズル7dからウエハWに処理液を供給する際に、供給制御弁57を閉じると共に循環制御弁56を開き、ポンプPを駆動することで、第2の処理液供給管路51bと循環管路55との間でレジスト液Lが循環される(循環工程)。そして、循環工程が完了した後に処理液供給工程が行われる。
When the pump P is driven in a state in which the
このように構成することにより、処理液供給ノズル7dからウエハWにレジストが供給され、処理液供給ノズル7aからウエハWへのレジスト液Lの供給が停止している状態(アイドル状態)で、フィルタ装置52aに滞留するレジスト液Lを第2の処理液供給管路51bと循環管路55とを介して循環させることができる。従って、処理液供給ノズル7aからウエハWにレジスト液Lの供給が停止されているアイドル状態であっても、処理液の供給の際にダミー吐出を行うことなく、レジスト液L中のパーティクルの増加を抑制することができる。そのため、レジスト液Lを無駄に消費することなくレジスト液Lのパーティクルの増加を効率的に抑制することができる。
With this configuration, the resist is supplied from the processing
なお、レジスト容器60をインストールした後処理液供給工程を開始するまでのアイドル状態の時間が長い場合においても、処理液供給工程を開始する前に循環工程を行うことが好ましい。このように処理液供給工程を開始する前に循環工程を行うことで、処理液供給工程を開始する前のレジスト液L中のパーティクルの増加を抑制することができるため、レジスト液Lを無駄に消費することなくレジスト液Lのパーティクルの増加を効率的に抑制することができる。
Even in the case where the idle time until the process liquid supply process is started after the resist
ここで、第2の処理液供給管路51bと循環管路55との間でのレジスト液Lの循環は15分程度の間隔で行うことが好ましい。このレジスト液Lの循環を所定の間隔で行うことで、フィルタ装置52aへのレジスト液Lの滞留を常に抑制することができるため、アイドル状態が終了して処理液供給ノズル7aからウエハWにレジスト液Lを吐出(供給)する際に、液処理装置5によるレジスト液Lの循環を行うことなく、レジスト液LをウエハWに供給することができる。そのため、ウエハWにレジスト液Lを供給する工程に要する時間を短縮することができる。
Here, it is preferable that the resist solution L be circulated between the second processing
<第2実施形態>
図7に基づいて、この発明に係る液処理装置の第2実施形態を説明する。なお、第2実施形態において、第1実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
Second Embodiment
A second embodiment of the liquid processing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. Note that, in the second embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
第2実施形態の循環管路55は、ポンプPの二次側の第2の処理液供給管路51bとバッファタンク61とを第2のトラップタンク54を介して接続する。従って、供給制御弁57と切換弁V1を閉じ循環制御弁56を開いた状態でポンプPを駆動させることで、ポンプPに吸入されている処理液Lが循環管路55を介してバッファタンク61に貯留される。なお、循環管路55は、ポンプの吐出口とバッファタンク61とを接続するものであってもよい。
The
このように構成することにより、第1実施形態と同様に、アイドル状態であっても、処理液の供給の際にダミー吐出を行うことなく、レジスト液L中のパーティクルの増加を抑制することができる。従って、レジスト液Lを無駄に消費することなくレジスト液Lのパーティクルの増加を効率的に抑制することができる。また、第1実施形態と同様に、アイドル状態が終了して処理液供給ノズル7aからウエハWにレジスト液Lを吐出(供給)する際に、液処理装置5によるレジスト液Lの循環を行うことなく、レジスト液LをウエハWに供給することができる。そのため、ウエハWにレジスト液Lを供給する工程に要する時間を短縮することができる。
With this configuration, as in the first embodiment, even in the idle state, the increase in particles in the resist solution L can be suppressed without performing dummy ejection when supplying the processing solution. it can. Accordingly, it is possible to efficiently suppress an increase in particles of the resist solution L without wasting the resist solution L wastefully. Similarly to the first embodiment, when the resist solution L is discharged (supplied) from the processing
<第3実施形態>
図8に基づいて、この発明に係る液処理装置の第3実施形態を説明する。なお、第3実施形態において、第1実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
<Third Embodiment>
Based on FIG. 8, 3rd Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention is described. In the third embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
第3実施形態で用いられるダイヤフラムポンプPには一次側の第2の処理液供給管路51b内の処理液を吸入するための吸入口が1カ所、二次側の第2の処理液供給管路51bと循環管路55内に処理液を吐出する吐出口が2カ所形成されている。この吸入口には、コントローラ200からの信号に基づいて作動することで一次側の第2の処理液供給管路51bからダイヤフラムポンプPへの処理液Lの流入を可能にする電磁式の開閉弁V33(吸入側の開閉弁V33)が設けられている。また、この吐出口には、コントローラ200からの信号に基づいて作動することでダイヤフラムポンプPから処理液供給ノズル7aへのレジスト液Lの吐出を可能にする電磁式の開閉弁V34(第1の開閉弁V34)とダイヤフラムポンプPの循環管路55へのレジスト液Lの供給とポンプP内の気体の排出を選択的に可能にする電磁式の開閉弁V35(第2の開閉弁V35)が設けられている。開閉弁V33〜V35は、ポンプ室72と連通している。
The diaphragm pump P used in the third embodiment has one suction port for sucking the processing liquid in the second processing
作動室73にはコントローラ200からの信号に基づいて作動室73内の気体の減圧及び加圧を制御する電空レギュレータを備える駆動手段74が接続されている。開閉弁V33〜V35はコントローラ200からの信号に基づいて制御されている。
The working
第1実施形態及び第2実施形態には、循環管路55に循環制御弁56が設けられているが、第3実施形態では循環管路55に循環制御弁56は設けられていない。また、第1実施形態及び第2実施形態では、第2のトラップタンク54がポンプPの二次側の第2の処理液供給管路51bに介設されているが、第3実施形態では、第2のトラップタンクは介設されていない。また、第3実施形態では、循環管路55は第2の開閉弁V35を介して連通するポンプPの吐出口とフィルタ装置52aの一次側の第2の処理液供給管路51bを接続する。
In the first embodiment and the second embodiment, the
次に、第3実施形態におけるレジスト液Lの循環について説明する。アイドル状態では、コントローラ200からの信号によって開閉弁V34及び供給制御弁57が閉じられ、吸入側の開閉弁V33及び第2の開閉弁V35が開いている。この状態でダイヤフラムポンプPを駆動させると、フィルタ装置52aに滞留しているレジスト液Lが第1のトラップタンク53を介して循環管路55に流れ込み、循環管路55に流れ込んだレジスト液Lは、フィルタ装置52aの一次側の第2の液処理供給管路51bに流れ込む。
Next, the circulation of the resist solution L in the third embodiment will be described. In the idle state, the on-off valve V34 and the
このように構成することにより、第1実施形態と同様に、アイドル状態であっても、処理液の供給の際にダミー吐出を行うことなく、レジスト液L中のパーティクルの増加を抑制することができる。従って、レジスト液Lを無駄に消費することなくレジスト液Lのパーティクルの増加を効率的に抑制することができる。また、第1実施形態と同様に、アイドル状態が終了して処理液供給ノズル7aからウエハWにレジスト液Lを吐出(供給)する際に、液処理装置5によるレジスト液Lの循環を行うことなく、レジスト液LをウエハWに供給することができる。そのため、ウエハWにレジスト液Lを供給する工程に要する時間を短縮することができる。
With this configuration, as in the first embodiment, even in the idle state, the increase in particles in the resist solution L can be suppressed without performing dummy ejection when supplying the processing solution. it can. Accordingly, it is possible to efficiently suppress an increase in particles of the resist solution L without wasting the resist solution L wastefully. Similarly to the first embodiment, when the resist solution L is discharged (supplied) from the processing
<第4実施形態>
図9に基づいて、この発明に係る液処理装置の第4実施形態を説明する。なお、第4実施形態において、第3実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
<Fourth embodiment>
A fourth embodiment of the liquid processing apparatus according to the present invention will be described based on FIG. In the fourth embodiment, the same components as those in the third embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
第4実施形態における循環管路55は、第1のトラップタンク53とポンプPを接続する第1循環管路55aと、第1のトラップタンク53とフィルタ装置52aの一次側の第2の処理液供給管路51bとを接続する第2循環管路55bとからなる。また、第2循環管路55bには、コントローラ200からの信号に基づいて作動することでダイヤフラムポンプPからフィルタ装置52aへの流通を可能にする循環制御弁56が設けられている。
The
次に、第4実施形態におけるレジスト液Lの循環について説明する。アイドル状態では、コントローラ200からの信号によって開閉弁V34及び供給制御弁57が閉じられ、吸入側の開閉弁V33及び第2の開閉弁V35が開いている。この状態でダイヤフラムポンプPを駆動させると、フィルタ装置52aに滞留しているレジスト液Lが第1のトラップタンク53、ポンプPを介して第1循環管路55aに流れ込み、第1循環管路55aに流れ込んだレジスト液Lは第1のトラップタンク53、第2循環管路55bを介して、フィルタ装置52aの一次側の第2の液処理供給管路51bに流れ込む。
Next, the circulation of the resist solution L in the fourth embodiment will be described. In the idle state, the on-off valve V34 and the
このように構成することにより、第3実施形態と同様に、アイドル状態であっても、処理液の供給の際にダミー吐出を行うことなく、レジスト液L中のパーティクルの増加を抑制することができる。従って、レジスト液Lを無駄に消費することなくレジスト液Lのパーティクルの増加を効率的に抑制することができる。また、第3実施形態と同様に、アイドル状態が終了して処理液供給ノズル7aからウエハWにレジスト液Lを吐出(供給)する際に、液処理装置5によるレジスト液Lの循環を行うことなく、レジスト液LをウエハWに供給することができる。そのため、ウエハWにレジスト液Lを供給する工程に要する時間を短縮することができる。
By configuring in this way, similarly to the third embodiment, it is possible to suppress an increase in particles in the resist solution L without performing dummy discharge when supplying the processing solution even in the idle state. it can. Accordingly, it is possible to efficiently suppress an increase in particles of the resist solution L without wasting the resist solution L wastefully. Similarly to the third embodiment, when the resist solution L is discharged (supplied) from the processing
<第5実施形態>
図10,図11(a),図11(b)に基づいて、この発明に係る液処理装置の第5実施形態を説明する。なお、第5実施形態において、第1実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
<Fifth Embodiment>
A fifth embodiment of the liquid processing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. 10, 11 (a), and 11 (b). In the fifth embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
第5実施形態の液処理装置5は、循環管路55と第2の処理液供給管路51bの接続点の二次側であり、かつフィルタ装置52aの一次側の第2の処理液供給管路51bに脱気機構80が介設されている。
The
脱気機構80は、図11(a),(b)に示すように、容器81及び半透膜チューブ82を有しており、レジスト液L中に存在する気体を除去するように構成されている。また、容器81は、循環管路55に接続する流入用ポート83及び流出用ポート84を有している。また、容器81は、レジスト液L中に存在する気体を外部に排出するための排出管86が接続する排気用ポート85を有している。なお、排出官86は図示しない排気ポンプに接続されている。
As shown in FIGS. 11A and 11B, the
一方、半透膜チューブ82は容器81内に配置され、かつ両ポート83,84に接続されている。そして、全体が例えば四弗化エチレン系あるいはポリオレフィン系の中空糸膜によって形成されている。そのため、ポンプPの駆動時に半透膜チューブ82内にレジスト液Lを流入させ、容器81内の半透膜チューブ82周辺の空気を図示しない排気ポンプを駆動させて排気することで半透膜チューブ82周辺の空気が減圧され、レジスト液L中の気体を顕在化させることができる。顕在化された気体は、上記排気ポンプの駆動により排出管86を介して外部に排出される。
On the other hand, the
このように構成することにより、脱気機構80によってレジスト液L中に溶存する気体を外部に排出することができるため、供給管路51又は循環管路55で循環するレジスト液L中の気体を脱気することができる(脱気工程)。また、脱気されたレジスト液Lをフィルタ装置52aに供給することができる。そのため、ウエハWに供給されるレジスト液Lへの気体の混入を抑制することができる。
By comprising in this way, since the gas dissolved in the resist liquid L can be discharged | emitted by the
また、このように構成することにより、第1実施形態と同様に、アイドル状態であっても、処理液の供給の際にダミー吐出を行うことなく、レジスト液L中のパーティクルの増加を抑制することができる。従って、レジスト液Lを無駄に消費することなくレジスト液Lのパーティクルの増加を効率的に抑制することができる。また、第1実施形態と同様に、アイドル状態が終了して処理液供給ノズル7aからウエハWにレジスト液Lを吐出(供給)する際に、液処理装置5によるレジスト液Lの循環を行うことなく、レジスト液LをウエハWに供給することができる。そのため、ウエハWにレジスト液Lを供給する工程に要する時間を短縮することができる。
Further, with this configuration, as in the first embodiment, even in the idle state, an increase in particles in the resist solution L is suppressed without performing dummy discharge when supplying the processing solution. be able to. Accordingly, it is possible to efficiently suppress an increase in particles of the resist solution L without wasting the resist solution L wastefully. Similarly to the first embodiment, when the resist solution L is discharged (supplied) from the processing
<第6実施形態>
図12,図13に基づいて、この発明に係る液処理装置の第6実施形態を説明する。なお、第6実施形態において、第1実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
<Sixth Embodiment>
Based on FIG. 12, FIG. 13, 6th Embodiment of the liquid processing apparatus concerning this invention is described. In the sixth embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
第6実施形態の液処理装置5は、フィルタ装置52a内の処理液を超音波振動させる振動体58を具備する。この場合、振動体58は、図13に示すように、例えばフィルタ装置52aの底面に接着される振動板58aと、振動板58aを駆動し、超音波電源58cを具備する超音波発生器58bと、から主に構成されている。超音波発生器58bは、コントローラ200と電気的に接続されており、コントローラ200からの制御信号に基づいて、駆動制御が行われるようになっている。また、振動体58としては、例えば、超音波振動子が用いられる。
The
フィルタ装置52aの内側には、異物を除去するためのフィルタ52fが設けられている。このフィルタ52fに、コントローラ200からの制御信号に基づく振動板58aの振動が与えられることにより、フィルタ52fでのレジスト液Lの滞留を防止することができ、フィルタ52fに滞留するレジスト液Lのパーティクルの増加を効率的に防止することができる。
A
また、このように構成することにより、第1実施形態と同様に、アイドル状態であっても、処理液の供給の際にダミー吐出を行うことなく、レジスト液L中のパーティクルの増加を抑制することができる。従って、レジスト液Lを無駄に消費することなくレジスト液Lのパーティクルの増加を効率的に抑制することができる。また、第1実施形態と同様に、アイドル状態が終了して処理液供給ノズル7aからウエハWにレジスト液Lを吐出(供給)する際に、液処理装置5によるレジスト液Lの循環を行うことなく、レジスト液LをウエハWに供給することができる。そのため、ウエハWにレジスト液Lを供給する工程に要する時間を短縮することができる。
Further, with this configuration, as in the first embodiment, even in the idle state, an increase in particles in the resist solution L is suppressed without performing dummy discharge when supplying the processing solution. be able to. Accordingly, it is possible to efficiently suppress an increase in particles of the resist solution L without wasting the resist solution L wastefully. Similarly to the first embodiment, when the resist solution L is discharged (supplied) from the processing
<第7実施形態>
図14,図15に基づいて、この発明に係る液処理装置の第7実施形態を説明する。なお、第7実施形態において、第1実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
<Seventh embodiment>
Based on FIG. 14, FIG. 15, 7th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention is described. In the seventh embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
第7実施形態の液処理装置5は、第1実施形態の液処理装置に加えて、フィルタ装置52a内のレジスト液Lの温度を検出する温度センサ59aと、フィルタ装置52a内のレジスト液Lの温度を制御する温調器59bが配設される。温度センサ59aは、フィルタ装置52aの二次側の第2の処理液供給管路51bに設けられている。また、温調器59bはフィルタ装置52aを覆うように取り付けられている。温度センサ59a、温調器59b、温調電源59cはコントローラ200に接続されている。温度センサ59aとしては、例えば、サーミスタが用いられる。また、温調器59bとしては、例えば、熱電対が用いられる。
In addition to the liquid processing apparatus of the first embodiment, the
温調器59bの温度制御としては、温度センサ59aによって検出されたフィルタ装置52a内のレジスト液Lの温度が所定の温度例えば22℃以下であるときに、コントローラ200から温調器59bに制御信号が伝達されることで、フィルタ装置52a内のレジスト液Lの温度を40℃に上昇させる制御を行っている。
As temperature control of the
このように構成することにより、フィルタ装置52aに滞留しているレジスト液Lの温度を検出し、温調器59b及びコントローラ200によってレジスト液Lの温度を制御することができるため、温度に起因するレジスト液Lの粘性を所定値以下に保ち、レジスト液Lがフィルタ装置52aに滞留するのを抑制することができる。そのため、フィルタ装置52aに滞留するレジスト液L中のパーティクルの増加を効率的に防止することができる。
With this configuration, the temperature of the resist solution L staying in the
また、このように構成することにより、第1実施形態と同様に、アイドル状態であっても、処理液の供給の際にダミー吐出を行うことなく、レジスト液L中のパーティクルの増加を抑制することができる。従って、レジスト液Lを無駄に消費することなくレジスト液Lのパーティクルの増加を効率的に抑制することができる。また、第1実施形態と同様に、アイドル状態が終了して処理液供給ノズル7aからウエハWにレジスト液Lを吐出(供給)する際に、液処理装置5によるレジスト液Lの循環を行うことなく、レジスト液LをウエハWに供給することができる。そのため、ウエハWにレジスト液Lを供給する工程に要する時間を短縮することができる。
Further, with this configuration, as in the first embodiment, even in the idle state, an increase in particles in the resist solution L is suppressed without performing dummy discharge when supplying the processing solution. be able to. Accordingly, it is possible to efficiently suppress an increase in particles of the resist solution L without wasting the resist solution L wastefully. Similarly to the first embodiment, when the resist solution L is discharged (supplied) from the processing
<第8実施形態>
図16に基づいて、この発明に係る液処理装置の第8実施形態を説明する。なお、第8実施形態において、第1実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
<Eighth Embodiment>
Based on FIG. 16, 8th Embodiment of the liquid processing apparatus concerning this invention is described. In the eighth embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
第8実施形態の液処理装置5は、第1実施形態の液処理装置5に設けられているフィルタ装置を直列に複数個例えば2個接続させている。各フィルタ装置52a,52bの上部には、フィルタ装置52a,52b内の雰囲気を排気するためのドレイン管51c,51eが設けられ、ドレイン管51c,51eには電磁式の切換弁V4a,V4bが介設されている。第8の実施形態では、フィルタ装置52a,52bを2個直列に接続しているが、3個以上直列に接続してもよい。なお、第8実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同一であるので、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
In the
このように構成することにより、第2の処理液供給管路51bにフィルタ装置52を一つ設けた場合よりもより多くの異物(パーティクル及び気泡)を除去することが可能となる。
With this configuration, it is possible to remove more foreign matters (particles and bubbles) than when one filter device 52 is provided in the second processing
また、このように構成することにより、第1実施形態と同様に、アイドル状態であっても、処理液の供給の際にダミー吐出を行うことなく、レジスト液L中のパーティクルの増加を抑制することができる。従って、レジスト液Lを無駄に消費することなくレジスト液Lのパーティクルの増加を効率的に抑制することができる。また、第1実施形態と同様に、アイドル状態が終了して処理液供給ノズル7aからウエハWにレジスト液Lを吐出(供給)する際に、液処理装置5によるレジスト液Lの循環を行うことなく、レジスト液LをウエハWに供給することができる。そのため、ウエハWにレジスト液Lを供給する工程に要する時間を短縮することができる。
Further, with this configuration, as in the first embodiment, even in the idle state, an increase in particles in the resist solution L is suppressed without performing dummy discharge when supplying the processing solution. be able to. Accordingly, it is possible to efficiently suppress an increase in particles of the resist solution L without wasting the resist solution L wastefully. Similarly to the first embodiment, when the resist solution L is discharged (supplied) from the processing
<第9実施形態>
図17に基づいて、この発明に係る液処理装置の第9実施形態を説明する。なお、第9実施形態において、第1実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
<Ninth Embodiment>
Based on FIG. 17, 9th Embodiment of the liquid processing apparatus concerning this invention is described. In the ninth embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
第9実施形態の液処理装置5は、第1実施形態の液処理装置5に加えて、供給制御弁57の二次側の第2の処理液供給管路51bにフィルタ装置52cが介設されている。換言すれば、このフィルタ装置52cは、処理液供給ノズル7aの近傍の第2の処理液供給管路51bに介設されている。また、フィルタ装置52cの上部にはフィルタ装置52cによって分離された気泡をバッファタンク61に戻す戻り管路51fが形成されており、この戻り管路51fはバッファタンク61の上部に接続されている。また、戻り管路51fには、電磁式の開閉弁V7が介設されており、この開閉弁V7はコントローラ200からの制御信号によって開閉される。なお、第9実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同一であるので、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
In the
このように構成することにより、ウエハWにレジスト液Lを供給(吐出)する際に、レジスト液Lがフィルタ装置52cを通過するため、フィルタ装置52aやトラップタンク53,54で除去しきれなかったレジスト液L中の異物(パーティクル及び気泡)を除去することが可能となる。
With this configuration, when the resist solution L is supplied (discharged) to the wafer W, the resist solution L passes through the filter device 52c, and thus cannot be completely removed by the
また、このように構成することにより、第1実施形態と同様に、アイドル状態であっても、処理液の供給の際にダミー吐出を行うことなく、レジスト液L中のパーティクルの増加を抑制することができる。従って、レジスト液Lを無駄に消費することなくレジスト液Lのパーティクルの増加を効率的に抑制することができる。また、第1実施形態と同様に、アイドル状態が終了して処理液供給ノズル7aからウエハWにレジスト液Lを吐出(供給)する際に、液処理装置5によるレジスト液Lの循環を行うことなく、レジスト液LをウエハWに供給することができる。そのため、ウエハWにレジスト液Lを供給する工程に要する時間を短縮することができる。
Further, with this configuration, as in the first embodiment, even in the idle state, an increase in particles in the resist solution L is suppressed without performing dummy discharge when supplying the processing solution. be able to. Accordingly, it is possible to efficiently suppress an increase in particles of the resist solution L without wasting the resist solution L wastefully. Similarly to the first embodiment, when the resist solution L is discharged (supplied) from the processing
<第10実施形態>
図18〜図21に基づいて、この発明に係る液処理装置の第10実施形態を説明する。
<Tenth Embodiment>
Based on FIGS. 18-21, 10th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention is described.
図18に示される液処理装置5には、第3の開閉弁に相当する電磁式の切換弁V6がフィルタ装置52aの一次側であって第2循環管路55bとの接続部の二次側の第2の処理液供給管路51bに介設されている。また、第10実施形態では、トラップタンク53中に貯留されるレジスト液Lの液面レベルを検知する図示しないレベルセンサが設けられている。
In the
図19に示すように、上記ダイヤフラムポンプPは、可撓性部材であるダイヤフラム71にてポンプ部分に相当するポンプ室72と駆動部分に相当する作動室73に仕切られており、ポンプ室72には、フィルタ装置52a側に接続する一次側連通路72aと、第1の開閉弁V34を介して処理液供給ノズル7a側に接続する二次側連通路72bと、第2の開閉弁V35を介して第1循環管路55aに接続する循環兼排気側連通路72cが設けられている。
As shown in FIG. 19, the diaphragm pump P is divided into a
また、作動室73には、駆動手段が接続されている。すなわち、作動室73に連通する給排路73aが設けられており、この給排路73aに給排切換弁V36を介してエアー加圧源74(以下に加圧源74という)と減圧源75に選択的に連通する管路76が接続されている。この場合、管路76は、作動室73に接続する主管路76aと、この主管路76aから分岐され、減圧源75に接続する排気管路76bと、加圧源74に接続する加圧管路76cとで形成されている。主管路76aには流量センサであるフローメータ77が介設され、排気管路76bに介設される排気圧を調整する圧力調整機構と、加圧管路76cに介設される加圧すなわちエアー圧を調整する圧力調整機構とが連成圧力調整機構78にて形成されている。この場合、連成圧力調整機構78は、排気管路76bと加圧管路76cとを選択的に接続する共通の連通ブロック78aと排気管路76b又は加圧管路76cの連通を遮断する2つの停止ブロック78b,78cと、連通ブロック78a、停止ブロック78b,78cを切換操作する電磁切換部78dを備える電空レギュレータにて形成されている。また、連成圧力調整機構78(以下に電空レギュレータ78という)には圧力センサ79が設けられており、圧力センサ79によって管路76が接続する作動室73内の圧力が検出される。
Further, driving means is connected to the working
上記のように構成されるダイヤフラムポンプPの作動室73側に接続される作動エアーの給排部において、駆動手段を構成する上記フローメータ77、圧力センサ79及び電空レギュレータ78は、それぞれ制御部200と電気的に接続されている。そして、フローメータ77によって検出された管路76内の排気流量と、圧力センサ79によって検出された管路76内の圧力がコントローラ200に伝達(入力)され、コントローラ200からの制御信号が電空レギュレータ78に伝達(出力)されるように形成されている。
In the working air supply / discharge portion connected to the working
次に、図20,21に基づいて、ダイヤフラムポンプ内のレジスト液L中の気体を顕在化させ、顕在化した気体を外部に吐出する工程について説明する。なお、切換弁V4a,V5a、吸入側の開閉弁V33、第1及び第2の開閉弁V34,V35、給排切換弁V36、循環制御弁56は図19に示されるこのコントローラ200に接続され、このコントローラ200からの制御信号に基づいて開閉動作を行う。
Next, a process of making the gas in the resist solution L in the diaphragm pump manifest and discharging the manifested gas to the outside will be described with reference to FIGS. Incidentally, the switching valve V4a, V5a, the suction side of the opening and closing valve V33, the first and second on-off valve V34, V35, the supply and discharge switching valve V36, the
図20(a)に示すように、トラップタンク53には、図示しないレベルセンサによってレジスト液Lの貯留量の上限を設定するセンサーラインI1が設けられており、レジスト液LがセンサーラインI1を超えたときに切換弁V6を閉じることで、ポンプ室72及びトラップタンク53へのレジスト液Lの補充が終了する。このとき、トラップタンク53の上部には気層が形成されており、ポンプ室72内にはレジスト液Lが満たされている。
Figure 20 (a), a
次いで、吸入側の開閉弁V33、第1の開閉弁V34,第2の開閉弁V35、切換弁V4a,V5a、循環制御弁56が閉じた状態で作動室73内のエアーを排気することで、ポンプ室72が負圧になる。ポンプ室72を負圧にすることで、ポンプ室72に流入しているレジスト液Lに存在する微細な気泡が顕在化する(気泡顕在化工程)。
Next, the air in the working
ここで、上記気泡顕在化工程は吸入側の開閉弁V33を開き、第1の開閉弁V34,第2の開閉弁V35、切換弁V4a,V5a、循環制御弁56が閉じた状態で作動室73内のエアーを排気してもよい。吸入側の開閉弁V33を開いた状態で作動室73内のエアーを排気することで、ポンプ室72及びトラップタンク53内に補充されているレジスト液Lの気泡を顕在化させる際に必要なダイヤフラムポンプPの排気量を少なくすることができる。
Here, in the bubble revealing step, the
ここで、吸入側の開閉弁V33を開いた状態で作動室73内のエアーを排気することで、ダイヤフラムポンプPの排気量を少なくすることができる理由について説明する。作動室73内のエアーの排気に伴ってポンプ室72の体積を増加させると、ポンプ室72及びトラップタンク53内のレジスト液Lの体積はほとんど変化しないが、トラップタンク53内の気層の体積は増加する。そのため、この気層の圧力は体積の増加に伴って減少する。また、この気層と接しているレジスト液Lの圧力は気層の圧力と釣り合うため、レジスト液Lの圧力も減少する。レジスト液L内に溶け込むことができる微細な気泡がレジスト液Lの圧力が減少するにつれて減少するため、レジスト液Lの圧力が減少することで、溶け込むことのできない気泡が顕在化する。
Here, the reason why the exhaust amount of the diaphragm pump P can be reduced by exhausting the air in the working
従って、吸入側の開閉弁V33を開いた状態で作動室73内のエアーを排気することで、排気量の少ないダイヤフラムポンプであってもレジスト液Lに存在する微細な気泡を顕在化させることができる。
Accordingly, by exhausting the air in the working
次いで、図21(b)に示すように、吸入側の開閉弁V33を閉じた状態で第2の開閉弁35と循環制御弁56が開き、給排切換弁V36が加圧源74側に切り換えられた状態で、電空レギュレータ78を加圧側に連通して、作動室73内にエアーを供給する。作動室73内にエアーを供給することでポンプ室72に流入しているレジスト液L中で顕在化した気泡がトラップタンク53に貯留されるレジスト液Lに移動する(気泡移動工程)。ここで、切換弁V5aは閉じているため、トラップタンク53に移動した気泡がトラップタンク53上部の気層となって、トラップタンク53内のレジスト液Lが加圧される。そのため、トラップタンク53に貯留されているレジスト液Lの一部が第2循環管路55bに流通し、トラップタンク53に貯留されているレジスト液Lの貯留量は減少する。
Next, as shown in FIG. 21B, the second on-off valve 35 and the
気泡顕在化工程及び気泡移動工程を複数回行うことで、トラップタンク53に貯留されているレジスト液Lの貯留量が図示しないレベルセンサによって検知されるセンサーラインI2以下になると、図21に示すように循環制御弁56が閉じた状態で切換弁V5a6が開き、トラップタンク53内の気泡がドレイン管51dを介して外部に排出される(脱気工程)。このとき、第3の開閉弁V6が開き、バッファタンク61に貯留されているレジスト液Lの一部が第2の処理液供給管路51bを介してトラップタンク53に流入する。第3の開閉弁V6はトラップタンク53に流入されるレジスト液Lの液面がセンサーラインI1に達した時に閉じられ、トラップタンク53へのレジスト液Lの流入が終了する。
When the bubble revealing step and the bubble moving step are performed a plurality of times, the amount of the resist solution L stored in the
このように構成することにより、ダイヤフラムポンプP内に補充されたレジスト液L中に溶在する気体を顕在化させた上で脱気することができる。そのため、レジスト液Lに供給されるレジスト液Lへの気体の混入を抑制することができる。 By comprising in this way, it can deaerate, after making the gas which melt | dissolves in the resist liquid L replenished in the diaphragm pump P reveal. Therefore, mixing of gas into the resist solution L supplied to the resist solution L can be suppressed.
また、このように気泡顕在化工程及び脱気工程が繰り返されるため、ポンプ室72及びトラップタンク53に貯留されるレジスト液L中に存在する気泡の除去を効率よく行うことが可能になる。
In addition, since the bubble revealing step and the degassing step are repeated in this way, it is possible to efficiently remove bubbles present in the resist solution L stored in the
<第11実施形態>
図22に基づいて、この発明に係る液処理装置に接続される液処理ユニットを説明する。液処理装置5に接続される液処理ユニット100は、図22に示すように、不活性ガス例えば窒素(N2)ガスの供給源101と、レジスト液Lを貯留するレジスト容器102と、レジスト容器102から導かれた処理液を一時貯留するバッファタンク103と、バッファタンク103に貯留されているレジスト液Lを吐出する2個のポンプP1,P2と、ポンプP1,P2の二次側に設けられている4個のフィルタ装置104a〜104d(以下、フィルタ装置104で代表する)と、を具備する。この実施形態ではポンプP1,P2にダイヤフラムポンプが用いられている。
<Eleventh embodiment>
Based on FIG. 22, the liquid processing unit connected to the liquid processing apparatus according to the present invention will be described. As shown in FIG. 22, the
また、フィルタ装置104の二次側には、電磁式の開閉弁V8を介してレジスト容器60が設けられている。このレジスト容器60の二次側には、第1の実施形態から第5の実施形態で上述した第1の供給液供給管路51a、液処理装置5、処理液供給ノズル7等が設けられている。
Further, a resist
レジスト容器102の一次側には、N2ガス供給源101と接続する第3の気体供給管路110aが設けられている。この第3の気体供給管路110aのN2ガス供給源101とレジスト容器102との間には、電磁式の開閉弁V9が介設されている。また、第3の気体供給管路110aのN2ガス供給源101とレジスト容器102との間には、リリーフ弁V10が介設されると共に、圧力計105が設けられている。また、第3の気体供給管路110aのリリーフ弁V10と電磁弁V9との間には、気体ドレイン管路110bが接続され、この気体ドレイン管路110bにリリーフ弁V11が介設されている。
On the primary side of the resist
また、一端が第3の気体供給管路110aから分岐され、他端がバッファタンク103の上部に接続する第4の気体供給管路110cが設けられている。この第4の気体供給管路110cには、バッファタンク103内と大気に開放する大気部106又はN2ガス供給源101と切換可能に連通する切換弁V12が介設されている。また、第4の気体供給管路110cには、電磁式の切換弁V13及び逆止弁V14が介設されている。
Further, a fourth
レジスト容器102の二次側には、バッファタンク103と接続する第3の処理液供給管路111aが設けられている。この第3の処理液供給管路111aには、電磁式の切換弁V15が介設されている。
On the secondary side of the resist
バッファタンク103の二次側には、第4の処理液供給管路111bが設けられている。第4の処理液供給管路111bには、電磁式の開閉弁V8,V16、ポンプP1,P2、フィルタ装置104、レジスト容器60が介設されている。ポンプP1,P2は、フィルタ装置104の一次側の第4の処理液供給管路111bに並列に介設されており、ポンプの一次側及び二次側にそれぞれ逆止弁V17〜V20が設けられている。なお、切換弁V16とポンプP1,P2を接続する第4の処理液供給管路111bの切換弁V16の二次側には、切換弁V27を開設するドレイン管路111dが接続されている。
On the secondary side of the
また、フィルタ装置104a〜104dは、ポンプP1,P2の二次側の第4の処理液供給管路111bに直列に4個介設されている。各フィルタ装置104a〜104dの上部には、ドレイン管路112a〜112dが設けられており、これらのドレイン管路112a〜112dには各フィルタ装置104a〜104dに対応する電磁式の切換弁V21〜V24が介設されている。
Further, four
フィルタ装置104の二次側の第4の処理液供給管路111bからは、戻り管路111cが分岐している。この戻り管路111cは、バッファタンク103の上部に接続されている。また、戻り管路111cにはドレイン管路112が接続されている。また、戻り管路111cには、電磁式の切換弁V25,V26が介設されている。
A
ドレイン管路112には、電磁式の切換弁V28が介設されている。この切換弁V28の一次側のドレイン管路112には、フィルタ装置104を介して供給されるレジスト液Lを大気部107を介したドレイン又は戻り管路112に切換可能に連通する電磁式の切換弁V29が介設されている。
In the
上記切換弁V12,V29,切換弁V13,V15,V16,V21〜V28は、図示しないコントローラと電気的に接続されており、このコントローラからの制御信号に基づいて、切換動作や開閉動作が行われるようになっている。なお、バッファタンク103にはバッファタンク103と同様に上限液面センサ103a及び下限液面センサ103bが設けられており、これら上限液面センサ103a及び下限液面センサ103bによって検知された信号が図示しないコントローラに伝達されるように形成されている。
The switching valves V12, V29, switching valves V13, V15, V16, V21 to V28 are electrically connected to a controller (not shown), and a switching operation and an opening / closing operation are performed based on a control signal from the controller. It is like that. The
次に、液処理ユニットの動作態様について、説明する。 Next, the operation mode of the liquid processing unit will be described.
・バッファタンクへのレジスト液供給
まず、レジスト容器102をセットした後、図示しないコントローラからの制御信号に基づいて、第3の気体供給管路110aに介設された開閉弁V9と第3の処理液供給管路111aに介設された切換弁V15が開放し、N2ガス供給源101からレジスト容器102内に供給されるN2ガスの加圧によってレジスト液Lをバッファタンク103内に供給する。このとき、切換弁V12は大気部106側に切り換えられており、バッファタンク103内は大気に連通されている。レジスト容器102から供給されたレジスト液Lが第3の処理液供給管路111aを介してバッファタンク103に供給(補充)される際、レジスト液Lはバッファタンク103内の気体(大気)と接触することで、レジスト液Lの大気接触面積の増大によりレジスト液L中に溶存するガスを顕在化して気泡が発生又は発生しやすくする。
-Supply of resist solution to buffer tank First, after setting the resist
・レジスト液の循環
次に、第4の処理液供給管路111bと戻り管路111cとを介して行われるレジスト液Lの循環について説明する。バッファタンク103内に所定量のレジスト液Lが供給(補充)されると、上限液面センサ103aからの検知信号を受けた図示しないコントローラからの制御信号に基づいて、切換弁V15が閉じると共に切換弁V16が開く。
-Circulation of resist liquid Next, the circulation of the resist liquid L performed through the fourth processing
レジスト液Lを循環する際には、ポンプP1,P2が交互に駆動することによって、バッファタンク103に貯留されているレジスト液Lがフィルタ装置104を介して戻り管路111cに流れ込む。また、戻り管路111cに流れ込んだレジスト液Lは、バッファタンク103に流れ込む。従って、第4の処理液供給管路111bと戻り管路111cとの間でレジスト液Lが循環され、フィルタ装置104を通過することによりパーティクルや気泡を除去したレジスト液Lがバッファタンク103に貯留される。
When the resist solution L is circulated, the resist solutions L stored in the
・レジスト液のN2加圧―レジスト容器供給
バッファタンク103からレジスト容器60へのレジスト液Lへの供給について説明する。バッファタンク103からレジスト容器60にレジスト液Lを供給する場合には、図示しないコントローラからの制御信号に基づいて、開閉弁V9,V15が閉じると共に切換弁V13が開き、切換弁V12がN2ガス供給源101側に切り換わる。これにより、N2ガス供給源101からN2ガスがバッファタンク103内に供給される一方、第4の処理液供給管路111bの開閉弁V8,V16が開かれ、ポンプP1,P2が駆動することで、レジスト液Lがフィルタ装置104、レジスト容器60に供給される。このとき、フィルタ装置104中に溶存する気泡はドレイン管路112a〜112dを介して大気部107に排出される。また、レジスト容器60に供給されたレジスト液Lは、第1の実施形態で上述したように、レジスト液Lが処理液供給ノズル7aからウエハWに吐出(供給)され、又はレジスト液Lが供給管路51と循環管路55との間を循環する。
N2 Pressurization of Resist Solution—Resist Container Supply Supplying the resist solution L from the
このように、第4の処理液供給管路111cに4個のフィルタ装置104a〜104dを介設する構成を有しているため、バッファタンク103に貯留されているレジスト液Lを濾過する時間は、1個のフィルタ装置のみを用いた場合の4分の1となる。そのため、レジスト液Lの循環によるレジスト液L内のパーティクルや気泡の除去に要する時間を短縮することができる。
As described above, since the four
<その他の実施形態>
なお、上記実施形態では、この発明に係る処理液供給装置をレジスト塗布処理装置に適用した場合について説明したが、レジスト以外の処理液例えば現像液等の供給装置や洗浄処理の供給装置にも適用可能である。
<Other embodiments>
In the above-described embodiment, the case where the processing liquid supply apparatus according to the present invention is applied to the resist coating processing apparatus has been described. Is possible.
また、第1実施形態に第2実施形態から第10実施形態の少なくとも一つを組み込んだ形態とすることも可能である。これにより、レジスト液Lを無駄に消費することなくレジスト液L中のパーティクルの増加を重畳的に防止することができる。 Further, it is possible to adopt a form in which at least one of the second to tenth embodiments is incorporated in the first embodiment. Thereby, it is possible to prevent the increase of particles in the resist solution L in a superimposed manner without wasting the resist solution L wastefully.
5 液処理装置
7、7a〜7d 処理液供給ノズル
51 供給管路
51a 第1の処理液供給管路
51b 第2の処理液供給管路
52a フィルタ装置
53 第1のトラップタンク
54 第2のトラップタンク
55 循環管路
56 循環制御弁
57 供給制御弁
58 振動体
59a 温度センサ
59b 温調器(温度制御手段)
60 レジスト容器(処理液貯留容器)
61 バッファタンク(処理液一時貯留容器)
71 ダイヤフラム
72 ポンプ室72(ポンプ部分)
73 作動室73(駆動部分)
80 脱気機構
81 容器
82 半透膜チューブ
83 流入用ポート
84 流出用ポート
85 排気用ポート
86 排出管
200 コントローラ(制御手段)
L レジスト液(処理液)
P ポンプ
V6 第3の開閉弁
V31,V32,V36 開閉弁
V33 吸入側の開閉弁
V34 第1の開閉弁
V35 第2の開閉弁
V4a,V5a 切換弁
W ウエハ(被処理基板)
5
60 resist container (treatment liquid storage container)
61 Buffer tank (Temperature storage container)
71
73 Working chamber 73 (drive part)
80
L Resist liquid (treatment liquid)
P Pump V6 Third on-off valve V31, V32, V36 On-off valve V33 Suction-side on-off valve V34 First on-off valve V35 Second on-off valve V4a, V5a Switching valve W Wafer (substrate to be processed)
Claims (3)
上記処理液を貯留する処理液貯留容器と上記処理液供給ノズルとを接続する供給管路と、
上記供給管路に介設され、上記処理液を濾過すると共に、上記処理液中に混入している異物,気泡を除去するフィルタ装置と、
上記フィルタ装置の二次側の上記供給管路に介設されるポンプと、
上記ポンプの二次側の上記供給管路に介設される供給制御弁と、
上記ポンプのポンプ部分の吐出側と上記フィルタ装置の一次側とを接続する循環管路と、
上記フィルタ装置の一次側であって、上記循環管路との接続部の二次側の上記供給管路に設けられる切換弁と、
上記ポンプのポンプ部分の吐出側に設けられ、上記循環管路への上記処理液の供給を選択的に可能にする開閉弁と、
上記ポンプ、供給制御弁、切換弁及び開閉弁を制御する制御手段と、を具備し、
上記制御手段により、上記供給制御弁を閉じることで上記処理液供給ノズルから上記被処理基板への処理液の供給が停止している際に、上記開閉弁及び上記切換弁を閉じた状態で、上記ポンプの駆動手段の駆動により上記ポンプ部分を負圧にすることで、上記処理液中に存在する微細な気泡を顕在化し、その後、上記開閉弁及び上記切換弁を開き、上記ポンプを駆動して、上記フィルタ装置を介設する上記供給管路と上記循環管路との間で、気泡を顕在化した上記処理液を循環させることを特徴とする液処理装置。 A liquid processing apparatus connected to a processing liquid supply nozzle for supplying a processing liquid to a substrate to be processed,
A supply line for connecting the processing liquid storage container for storing the processing liquid and the processing liquid supply nozzle;
A filter device interposed in the supply pipe line for filtering the treatment liquid and removing foreign matter and bubbles mixed in the treatment liquid;
A pump interposed in the supply line on the secondary side of the filter device;
A supply control valve interposed in the supply line on the secondary side of the pump;
A circulation line connecting the discharge side of the pump portion of the pump and the primary side of the filter device;
A switching valve provided on the supply line on the primary side of the filter device and on the secondary side of the connection with the circulation line ;
An on-off valve that is provided on the discharge side of the pump portion of the pump and selectively enables the supply of the processing liquid to the circulation line;
Control means for controlling the pump, supply control valve, switching valve and on-off valve;
When the supply of the processing liquid from the processing liquid supply nozzle to the substrate to be processed is stopped by closing the supply control valve by the control means, the open / close valve and the switching valve are closed, By making the pump part negative pressure by driving the pump driving means, the fine bubbles present in the processing liquid become obvious, and then the on-off valve and the switching valve are opened to drive the pump. Then, the liquid processing apparatus circulates the processing liquid in which bubbles are made visible between the supply pipe line and the circulation pipe line provided with the filter device.
上記ポンプのポンプ部分の吸入側に設けられた吸入側開閉弁をさらに具備し、上記制御手段により、上記供給制御弁、上記開閉弁、上記切換弁及び上記吸入側開閉弁を閉じた状態で、上記ポンプ部分を負圧にすることを特徴とする液処理装置。 In the liquid processing apparatus of Claim 1,
A suction side on / off valve provided on the suction side of the pump portion of the pump , and the control means closes the supply control valve, the on / off valve, the switching valve and the suction side on / off valve; A liquid processing apparatus, wherein the pump part is set to a negative pressure.
上記供給管路に介設され、上記処理液を濾過すると共に、上記処理液中に混入している異物,気泡を除去するフィルタ装置と、
上記フィルタ装置の二次側の上記供給管路に介設されるポンプと、
上記ポンプの二次側の上記供給管路に介設される供給制御弁と、
上記ポンプのポンプ部分の吐出側と上記フィルタ装置の一次側とを接続する循環管路と、
上記フィルタ装置の一次側であって、上記循環管路との接続部の二次側の上記供給管路に設けられる切換弁と、
上記ポンプのポンプ部分の吐出側に設けられ、上記循環管路への上記処理液の供給を選択的に可能にする開閉弁と、
上記ポンプ、供給制御弁、切換弁及び開閉弁を制御する制御手段と、を具備する液処理装置を用いた液処理方法であって、
上記供給制御弁を開くと共に上記開閉弁を閉じ、上記ポンプを駆動させることで上記被処理基板に上記処理液を供給する処理液供給工程と、
上記供給制御弁を閉じることで上記処理液供給ノズルから上記被処理基板への処理液の供給が停止している際に、上記開閉弁及び上記切換弁を閉じた状態で、上記ポンプの駆動手段の駆動により上記ポンプ部分を負圧にすることで、上記処理液中に存在する微細な気泡を顕在化し、その後、上記開閉弁及び上記切換弁を開き、上記ポンプを駆動して、上記フィルタ装置を介設する上記供給管路と上記循環管路との間で、気泡を顕在化した上記処理液を循環させる循環工程と、を備えることを特徴とする液処理方法。 A supply line for connecting the processing liquid storage container for storing the processing liquid and the processing liquid supply nozzle;
A filter device interposed in the supply pipe line for filtering the treatment liquid and removing foreign matter and bubbles mixed in the treatment liquid;
A pump interposed in the supply line on the secondary side of the filter device;
A supply control valve interposed in the supply line on the secondary side of the pump;
A circulation line connecting the discharge side of the pump portion of the pump and the primary side of the filter device;
A switching valve provided on the supply line on the primary side of the filter device and on the secondary side of the connection with the circulation line ;
An on-off valve that is provided on the discharge side of the pump portion of the pump and selectively enables the supply of the processing liquid to the circulation line;
A liquid treatment method using a liquid treatment apparatus comprising the pump, a supply control valve, a switching valve and a control means for controlling the on-off valve,
A treatment liquid supply step of opening the supply control valve and closing the on-off valve and driving the pump to supply the treatment liquid to the substrate to be treated;
When the supply of the processing liquid from the processing liquid supply nozzle to the substrate to be processed is stopped by closing the supply control valve, the on-off valve and the switching valve are closed, and the pump driving means By making the pump part negative pressure by driving, the fine bubbles present in the processing liquid become obvious, and then the on-off valve and the switching valve are opened, the pump is driven, and the filter device And a circulation step of circulating the treatment liquid in which bubbles are manifested between the supply line and the circulation line interposed between the supply line and the circulation line.
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