Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP4813480B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP4813480B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4813480B2
JP4813480B2 JP2007521307A JP2007521307A JP4813480B2 JP 4813480 B2 JP4813480 B2 JP 4813480B2 JP 2007521307 A JP2007521307 A JP 2007521307A JP 2007521307 A JP2007521307 A JP 2007521307A JP 4813480 B2 JP4813480 B2 JP 4813480B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
substrate
processing chamber
adsorbed
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007521307A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2006134930A1 (ja
Inventor
貞義 堀井
秀治 板谷
和宏 原田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Denki Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Kokusai Denki Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc, Kokusai Denki Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority to JP2007521307A priority Critical patent/JP4813480B2/ja
Publication of JPWO2006134930A1 publication Critical patent/JPWO2006134930A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4813480B2 publication Critical patent/JP4813480B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Active legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45534—Use of auxiliary reactants other than used for contributing to the composition of the main film, e.g. catalysts, activators or scavengers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • C23C16/45542—Plasma being used non-continuously during the ALD reactions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/01—Manufacture or treatment
    • H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
    • H10B12/033—Making the capacitor or connections thereto the capacitor extending over the transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/31—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor
    • H10B12/318—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor the storage electrode having multiple segments
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/68—Capacitors having no potential barriers
    • H10D1/692—Electrodes
    • H10D1/694—Electrodes comprising noble metals or noble metal oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/40—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
    • H10P14/42—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials using a gas or vapour
    • H10P14/43—Chemical deposition, e.g. chemical vapour deposition [CVD]
    • H10P14/432—Chemical deposition, e.g. chemical vapour deposition [CVD] using selective deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

この発明は、基板上に薄膜、例えば導電性金属膜等の薄膜を形成するための半導体装置の製造方法、及び基板処理装置に関するものである。
導電性金属膜等の薄膜を備えた半導体装置として、例えばＤＲＡＭのキャパシタがある。
ＤＲＡＭのキャパシタは、微細化に伴う蓄積電荷容量を確保するため、下部電極膜または上部電極膜の金属化の研究が活発化している。例えば、下部電極膜または上部電極膜の材料としては、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｉｒの貴金属あるいはその酸化物が候補となっている。また、バリアメタル膜の材料としては、ＴｉＮ、ＴａＮ等が用いられる。
また、キャパシタの電極形状は、高アスペクト比のシリンダ型が主流となっている。そのため、下部電極膜、上部電極膜、バリアメタル膜を含めた全ての膜が、段差被覆性に優れている必要がある。
このような事情から、成膜の方法として、従来のスパッタリング法ではなく、段差被覆性に優れたＣＶＤ法が用いられるようになってきている。特に、有機金属液体原料と、酸素含有ガス、水素含有ガスまたは窒素含有ガスとの反応が利用されている。
上述のＣＶＤ法において段差被覆性を向上させるためには、低温化は避けることはできない。しかしながら、低温化により有機液体原料中の炭素や酸素が不純物として薄膜中に多く残り、薄膜の電気特性を劣化させてしまう問題があった。また、成膜後の熱処理により、不純物がガス脱離して膜はがれが生じるという問題があった。さらには、幾つかの有機液体原料についてはインキュベーションタイムが増大し、生産性が劣るといった問題があった。
そのため、いわゆるＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が利用されている。ＡＬＤ法では、有機液体原料を気化した原料ガスのみを基板に供給して吸着させた後、プラズマにより励起した水素又はアンモニアガス等の反応ガスを基板に供給して薄膜を生成する工程を１サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返すことにより所望厚さの薄膜を形成する。しかしながら、ＡＬＤ法では高い成膜レートを得られにくく、生産性が低下しやすいという問題があった。
本発明の目的は、成膜レートが早く、生産性の高い半導体装置の製造方法、及び基板処理装置を提供することにある。
本発明の一態様によれば、処理室内に基板を搬入する工程と、前記処理室内に液体原料を気化した原料ガスの前記基板上への吸着を助けるための吸着補助ガスを供給して前記基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に前記原料ガスを供給して前記基板上の前記吸着補助ガスと反応させて前記基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に反応ガスを供給して前記基板上に吸着した前記原料ガスと反応させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返し、前記基板上に所望膜厚の薄膜を形成する工程と、前記薄膜形成後の前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、処理室内に基板を搬入する工程と、前記処理室内に液体原料を気化した原料ガスの配位子を分解する配位子分解ガスを供給して前記基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に前記原料ガスを供給して前記基板上の前記配位子分解ガスと反応させて基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に反応ガスを供給して前記基板上に吸着した前記原料ガスと反応させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返し、前記基板上に所望膜厚の薄膜を形成する工程と、薄膜形成後の前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、処理室内に基板を搬入する工程と、前記処理室内に酸素原子を含むガスを供給して前記基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に液体原料を気化した原料ガスを供給して前記基板上の前記酸素原子を含むガスと反応させて基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に酸素原子を含まない反応ガスを供給して前記基板上に吸着した前記原料ガスと反応させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返し、前記基板上に所望膜厚の薄膜を形成する工程と、薄膜形成後の前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、処理室内に基板を搬入する工程と、前記処理室内に液体原料を気化した原料ガスを供給して前記基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に反応ガスを供給して前記基板上に吸着した前記原料ガスと反応させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返し、前記基板上に所定膜厚の薄膜を形成する初期成膜工程と、前記処理室内に前記原料ガスの前記基板上への吸着を助けるための吸着補助ガスを供給して前記基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に前記原料ガスを供給して前記基板上の前記吸着補助ガスと反応させて前記基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に前記反応ガスを供給して前記基板上に吸着した前記原料ガスと反応させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返し、初期成膜工程により形成した前記所定膜厚の薄膜上に所望膜厚の薄膜を形成する本成膜工程と、前記所望膜厚の薄膜形成後の前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内に液体原料を気化した原料ガスを供給するための原料ガス供給ラインと、前記処理室内に前記原料ガスと反応する反応ガスを供給するための反応ガス供給ラインと、前記処理室内に前記原料ガスの前記基板上への吸着を助けるための吸着補助ガスを供給するための吸着補助ガス供給ラインと、前記処理室内に前記吸着補助ガスを供給して前記基板上に吸着させた後、前記原料ガスを前記処理室内に供給して前記基板上の前記吸着補助ガスと反応させて前記基板上に吸着させ、その後前記反応ガスを前記処理室内に供給して前記基板上に吸着した前記原料ガスと反応させ、これを1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返し、前記基板上に所望膜厚の薄膜を形成するように制御するコントローラと、を有する基板処理装置が提供される。
本発明によれば、成膜レートが早く、生産性の高い半導体装置の製造方法、及び基板処理装置を提供することができる。
（Ａ）本発明の一実施形態による成膜メカニズム
上述の通り、従来のＡＬＤ法では、原料ガスを基板に供給して吸着させた後、反応ガスを基板に供給して薄膜を生成する工程を１サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返すことにより所望厚さの薄膜を形成している。しかしながら、従来のＡＬＤ法では、特に、反応ガスとしてプラズマにより励起した水素ガスやアンモニアガスを用いる場合、各サイクルにおいて反応ガスが基板の表面を清浄化してしまうため、それにより次のサイクルにおける原料ガスの基板表面（生成された薄膜の表面）への吸着が起こりにくくなり、成膜レートが低下してしまう、という問題があることを発明者は見出した。そこで発明者は、かかる知見に基づいて、本発明を完成させるに至った。
以下、本発明の実施例を説明する前に、明確化のため、本発明の一実施の形態における半導体装置の製造方法の一工程としての基板処理工程と、その成膜メカニズムについて、図５を用いて説明する。参照する図面において、図５は、本発明の一実施形態を実施する際の成膜メカニズムを例示する図であり、（ａ）は原料ガスの吸着を補助する吸着補助ガスを基板表面に供給して吸着させる様子を示し、（ｂ）は原料ガスを基板表面に供給して吸着補助ガスと反応させて基板上に吸着させる様子を示し、（ｃ）は反応ガスを基板表面に供給して原料ガスと反応させる様子を示し、（ｄ）は１サイクルが終了した後の基板表面の様子を示す。
（１）基板を搬入する工程
まず、処理室に基板を搬入する。ここで処理室とは、その内部に基板を格納し、基板を格納した状態のままで処理室内に後述する各種ガスを充填し、あるいは排気することが可能な密閉容器等をいう。なお、処理室に格納される基板の表面は、例えば、処理室内部に設置されたヒータ等を用いて所定温度に昇温する事が出来るようになっている。なお、本発明の一実施形態においては、処理対象の基板として、例えば、表面にＳｉＯ２膜が形成されているシリコン基板１を用いることとする。
（２）原料ガスの基板上への吸着を助けるための吸着補助ガスを供給する工程
続いて、原料ガスの基板上への吸着を助けるための吸着補助ガスを、基板を格納した処理室内に供給する。なお、吸着補助ガスの供給前に、処理室内を排気して処理室内の雰囲気を窒素ガスなどの不活性ガスに置換しておく。また、処理室内の圧力を所定圧力の調整し、基板の温度を所定温度に昇温しておく。
ここで、原料ガスとは、液体原料を気化させることにより得られるガスをいう。液体原料は、用途に応じて様々な種類から適宜選択可能である。例えば、ＤＲＡＭのキャパシタを製造する際には、下部電極膜または上部電極膜用として、Ｒｕ、ＲｕＯ２、Ｐｔ、Ｉｒ、ＩｒＯ２等を含む液体原料を用いることが出来る。また、バリアメタル膜用としては、ＴｉＮ、ＴａＮ等を含む液体原料を用いることが出来る。
具体的には、下部電極膜または上部電極膜用の液体原料として、Ｒｕ（Ｃ２Ｈ５Ｃ５Ｈ４）２（ビスエチルシクロペンタジエニルルテニウム）、Ｒｕ（Ｃ５Ｈ５）（Ｃ４Ｈ９Ｃ５Ｈ４）（ブチルルテノセン）、Ｒｕ［ＣＨ３ＣＯＣＨＣＯ（ＣＨ２）３ＣＨ３］３（トリス２，４オクタンジオナトルテニウム）、Ｒｕ（Ｃ２Ｈ５Ｃ５Ｈ４）（（ＣＨ３）Ｃ５Ｈ５）（２，４ジメチルペンタジエニルエチルシクロペンタジエニルルテニウム）、Ｒｕ（Ｃ７Ｈ８）（Ｃ７Ｈ１１Ｏ２）等の有機液体金属を用いることが出来る。
また、バリアメタル膜用の液体原料として、Ｔｉ［（ＯＣＨ（ＣＨ３）２）］４、Ｔｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）４、Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４、Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ３ＣＨ２）２］４、Ｔａ（Ｃ２Ｈ５Ｏ）５等の有機液体金属を用いることが出来る。
なお、本発明の一実施形態においては、原料ガスとして、Ｒｕ（Ｃ２Ｈ５Ｃ５Ｈ４）（（ＣＨ３）Ｃ５Ｈ５）を気化させたガス（以下、ＤＥＲガスと略す。）を用いることとする。ＤＥＲガスのガス分子は、ルテニウム原子Ｒｕと、ルテニウム原子Ｒｕにそれぞれ結合している配位子ｈ１（Ｃ２Ｈ５Ｃ５Ｈ４）及び配位子ｈ２（（ＣＨ３）Ｃ５Ｈ５）と、から構成されている。
一方、吸着補助ガスとしては、原料ガスの配位子を分解する配位子分解ガスを用いることが出来る。原料ガスの配位子を分解するガスとしては、例えば、酸素ガス（Ｏ２）、水蒸気（Ｈ２Ｏ）、または水酸基ラジカル（ＯＨ＊）等の、酸素原子（Ｏ）を含むガスを用いることができる。なお、本発明の一実施形態においては、吸着補助ガスとして、酸素ガスを用いることとする。
上述の通り、処理室内に酸素ガスを供給すると、図５（ａ）に示すとおり、酸素原子（Ｏ）あるいは酸素分子（Ｏ２）が、シリコン基板１上のＳｉＯ２膜のダングリングボンドと結合しているか、ＳｉＯ２膜表面に物理吸着している状態となる。
（３）原料ガスを供給する工程
続いて、処理室内に、原料ガスとしてのＤＥＲガスを供給する。なお、ＤＥＲガスの供給前には、処理室内を排気して残留ガスを除去するか、処理室内の残留ガスを窒素ガスなどの不活性ガスに置換しておく。
処理室内にＤＥＲガスを供給すると、ＤＥＲガス分子は、シリコン基板１の表面に形成されたＳｉＯ２膜（以下、表面に形成された膜をも含めて単にシリコン基板１ともいう）に吸着している酸素原子または酸素分子と容易に反応して分解し、図５（ｂ）に示す状態となる。
すなわち、シリコン基板１に吸着している酸素原子または酸素分子は、ＤＥＲガス分子のルテニウム原子Ｒｕから配位子ｈ１およびｈ２のうちの少なくともいずれか一方を外す。そして、一方の配位子が外れたＤＥＲガス分子や両方の配位子が外れて残ったルテニウム原子Ｒｕはシリコン基板１上のＳｉＯ２膜と化学吸着する。
なお、ルテニウム原子Ｒｕから外れた配位子ｈ１およびｈ２は、さらに酸素と反応して分解し、例えばＨ２ＯやＣＯ２などの揮発性物質を生成する。そして、ルテニウム原子Ｒｕから外れた配位子ｈ１またはｈ２が分解する際に生成する炭素（Ｃ）は、シリコン基板１上に副生成物として吸着する。
なお、上述した液体原料を気化した原料ガスにおいて、ＤＥＲガスは、Ｒｕ（Ｃ２Ｈ５Ｃ５Ｈ４）２（ビスエチルシクロペンタジエニルルテニウム）ガス（以下、Ｒｕ（ＥｔＣｐ）２ガスと略す。）よりも、不安定であって分解しやすい。すなわち、ルテニウム原子Ｒｕから配位子が外れやすく、一方の配位子の外れた原料ガスやルテニウム原子Ｒｕが基板に吸着しやすい。言い換えれば、ＤＥＲガスは、Ｒｕ（ＥｔＣｐ）２ガスよりも反応性が高く、特にＡＬＤ法による成膜において原料ガスとして用いた場合に早い成膜レートを得られやすい。
（４）反応ガスを供給する工程
続いて、反応ガスを処理室内に供給する。なお、反応ガスの供給前に、処理室内を排気して残留ガスを除去するか、処理室内の残留ガスを窒素ガスなどの不活性ガスに置換しておく。
ここで、反応ガスとは、シリコン基板１上に吸着したＤＥＲガスと反応して薄膜を生成するとともに、シリコン基板１上の表面を清浄化するガスをいう。清浄化とは、シリコン基板１に吸着した酸素を取り除くか、シリコン基板１に吸着した酸素を酸素以外のものと置き換えるか、シリコン基板１に吸着した炭素を取り除くか、もしくはシリコン基板１に吸着した原料ガス自体を取り除くことをいう。ここで、シリコン基板１に吸着した原料ガス自体を取り除くこととは、シリコン基板１上に分解せずに吸着しているＤＥＲガス分子をシリコン基板１上から取り除くことを意味する。
反応ガスとしては、酸素原子（Ｏ）を含まず水素原子（Ｈ）を含むガス（以下、水素含有ガスと略す。）、窒素原子（Ｎ）を含むガス（以下、窒素含有ガスと略す。）をプラズマにより活性化したガスを用いることができる。水素含有ガスおよび窒素含有ガスの種類は、原料ガスの種類等に応じて適宜選択可能であり、例えば、水素ガス（Ｈ２）またはアンモニアガス（ＮＨ３）を用いることができる。特に、上述の清浄化作用には、水素ラジカル（Ｈ＊）、水素（Ｈ２）、原子状水素（Ｈ）等の水素含有物質が大きく寄与しているものと考えられる。
また、プラズマにより活性化した水素含有ガスにアルゴンを添加することにより、水素ラジカルのライフタイムを延長させることが有効な場合がある。また、プラズマ励起だけで原料ガスが分解する場合には、反応ガスとしてアルゴンガスを用いることができる。
本発明の一実施形態においては、反応ガスとしてプラズマ励起されたアンモニアガスとアルゴンの混合ガスを用いている。
反応ガスを供給すると、図５（ｃ）に示すとおり、シリコン基板１の表面は反応ガスにより清浄化される。すなわち、副生成物としてシリコン基板１に吸着していた炭素（Ｃ）は、反応ガスに含まれる活性な水素と反応し、例えばメタン（ＣＨ４）などの揮発性物質に変換されて脱離する。またシリコン基板に吸着していた一方の配位子が外れたＤＥＲガス分子のうちの一部については、残りの配位子が外れ、ルテニウム原子Ｒｕとなる。そして、残りの配位子が外れなかったＤＥＲガス分子とルテニウム原子Ｒｕのみがシリコン基板１上のＳｉＯ２膜に吸着している状態となる。この清浄化作用により、形成するルテニウム薄膜の中に不純物が残留することを防止し、ルテニウム薄膜の電気特性を向上させ、またルテニウム薄膜のシリコン基板１への密着性を向上させることが出来る。
なお、反応ガスの供給後は、処理室内を排気するか、処理室内を窒素ガス等の不活性ガスに置換する。上述の（２）から（４）までの工程で生成されたルテニウム薄膜の様子を図５（ｄ）に示す。なお、この状態では、シリコン基板１上にルテニウム原子Ｒｕだけでなく、片方の配位子が外れなかったＤＥＲガス分子も僅かに吸着しているが、この外れずに残った配位子は、次のサイクルにおける（２）の工程で供給される酸素ガスと反応することで外れることとなる。このように、処理室内に、酸素ガス、ＤＥＲガス、反応ガスをそれぞれ順番に供給することにより、処理室内でのガスの反応が抑制され、シリコン基板１上に段差被覆性よく成膜することが出来る。
（５）繰り返し工程
そして、上述の（２）から（４）までの工程を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返し、シリコン基板１上に所望膜厚のルテニウム薄膜を形成する。なお、上記においては、１サイクルによるルテニウム薄膜の成膜行為を「生成」と表現し、このサイクルを複数回繰り返すことによる所望膜厚のルテニウム薄膜の成膜行為を「形成」と表現している。
（６）基板を搬出する工程
所望膜厚のルテニウム薄膜を形成後に、シリコン基板１を処理室内から搬出して、基板処理工程を完了する。
（Ｂ）従来のＡＬＤ法による成膜メカニズム
続いて、本発明の一実施の形態と比較するため、従来のＡＬＤ法による基板処理工程とその成膜メカニズムについて、図６を用いて説明する。
参照する図面において、図６は従来のＡＬＤ法を実施する際の成膜メカニズムを例示する図であり、（ａ）は基板表面に原料ガスを供給して吸着させる様子を示し、（ｂ）は基板表面に反応ガスを供給して原料ガスと反応させて成膜する様子を示し、（ｃ）は１サイクルで基板表面に生成される薄膜の様子を示す。
なお、本発明の一実施形態と、従来のＡＬＤ法とは、処理室内に原料ガスの基板上への吸着を助けるためのガスを供給しない点で異なる。
（１）原料ガスを供給する工程
まず、処理室内にシリコン基板１を格納して、原料ガスとしてのＤＥＲガスを供給する。なお、ＤＥＲガスの供給前には、処理室内を排気するか、処理室内の雰囲気を窒素ガスなどの不活性ガスに置換しておく。
処理室内にＤＥＲガスを供給することで、図６（ａ）に示すとおり、ＤＥＲガス分子は分解せずにシリコン基板１上のＳｉＯ２膜に物理吸着する。
（２）反応ガスを供給する工程
続いて、処理室内を排気して反応ガスを供給する。なお、反応ガスの供給前には、処理室内の残留ガスを排気するか、処理室内の残留ガスを窒素ガスなどの不活性ガスに置換しておく。
処理室内に反応ガスを供給すると、シリコン基板１の表面は反応ガスにより清浄化されて図６（ｂ）に示す状態となる。すなわち、プラズマで励起されたアンモニアガスが含有する活性な水素または窒素の清浄化作用により、ＳｉＯ２膜上に物理吸着していたＤＥＲガス分子のほとんどが取り除かれてしまう。また、シリコン基板１に酸素が吸着していた場合は、その酸素は取り除かれるか、酸素以外のものと置き換えられる。そして、微量のＤＥＲガス分子のみが分解され、極僅かなルテニウム原子Ｒｕがシリコン基板１上のＳｉＯ２膜と化学吸着する。その際、配位子ｈ１およびｈ２は水素と結合して揮発性物質を生成する。
続いて、処理室内を排気すると、図６（ｃ）に示すとおり、シリコン基板１の表面は清浄化されており、微量のルテニウム原子Ｒｕのみがシリコン基板１に化学吸着している状態となる。
（３）繰り返し工程
その後は、上述の（１）から（３）までの工程を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返し、シリコン基板１上に所望膜厚のルテニウム薄膜を形成する。
（４）基板を搬出する工程
所望膜厚のルテニウム薄膜を形成後に、シリコン基板１を処理室内から搬出して、基板処理工程を完了する。
（Ｃ）本発明の一実施形態による効果
以上に示したとおり、本発明の一実施形態によれば、各サイクルにおいてＤＥＲガスを供給する前に、シリコン基板１の表面に酸素ガスを予め吸着させている。そのため、シリコン基板１にＤＥＲガスを供給するとＤＥＲガス分子から配位子ｈ１及びｈ２が分解し易く、片方の配位子の外れたＤＥＲガス分子やルテニウム原子Ｒｕのシリコン基板１への化学吸着が起こり易い。また、成膜の初期段階においては、シリコン基板１の表面にＤＥＲガスが吸着した状態で表面反応が発生するため、インキュベーションタイムの発生を抑制できる。
これに対し、従来のＡＬＤ法においては、ＤＥＲガスを供給する際、シリコン基板１の表面に酸素ガスが存在しない。そのため、ＤＥＲガス分子が分解しにくく、ＤＥＲガス分子やルテニウム原子Ｒｕのシリコン基板１への化学吸着が起こりにくい。また、反応ガスを供給すると、シリコン基板１へ物理吸着していたＤＥＲガス分子は、ほとんどが取り除かれてしまう。また、反応ガスによる基板表面の清浄化作用により、反応ガス供給後にＤＥＲガスを供給してもＤＥＲガス分子の配位子が外れなくなり、ＤＥＲガス分子やルテニウム原子Ｒｕのシリコン基板１への化学吸着がより一層起こりにくくなる。
図７は、従来のＡＬＤ法と本発明の一実施形態との成膜レートの違いを、同一時間で形成したルテニウム膜の膜厚の違いで示す図である。図７によれば、（ｂ）に示す本発明の一実施形態の方が、（ａ）に示す従来のＡＬＤ法に比べて成長レートが早く、同一時間でシリコン基板１上にルテニウム膜Ｒｕをより厚く形成できることが分かる。
以上により、本発明の一実施形態によれば、従来のＡＬＤ法と比較して、成膜レートを上げ、生産性の向上を図ることが出来る。かかる効果は、反応ガスが酸素を含まず、基板の表面の清浄化作用を有する場合に、特に有効である。
以下に、本発明の実施例について、図１から図４、及び図８を参照しながら説明する。参照する図面において、図１から図３は、後述する実施例１から３にかかる半導体装置の製造方法の一工程としての基板処理工程をそれぞれ示している。また、図４は、実施例１から３において共通に用いられる本発明の一実施例にかかる基板処理装置の構成例を示している。また、図８は、実施例１から３において形成される下部電極膜、上部電極膜を備えたＤＲＡＭのキャパシタ部分の断面図である。
＜実施例１＞
実施例１では、本発明にかかる半導体装置の製造方法を適用し、ＤＲＡＭのキャパシタの下部電極膜、及び上部電極膜を形成する方法について説明する。
（１）ＤＲＡＭのキャパシタの構造
まず、ＤＲＡＭのキャパシタ構造とその製造方法について、図８を用いて説明する。
最初に、シリコン基板１上に、ＳｉＯ２などの絶縁体からなる層間絶縁膜１００を形成する。そして、層間絶縁膜１００を貫通するように、コンタクトホール１０７を開口する。
続いて、開口したコンタクトホール１０７の内部に、シリコン基板１と接続するためのコンタクトプラグ１０１を形成する。コンタクトプラグ１０１はポリシリコンを材料としてもよいし、タングステンを材料としてもよい。
続いて、コンタクトプラグ１０１の上部空間を埋めるようにバリアメタル膜１０２を形成する。バリアメタル膜１０２の材料としては、ＴｉＮやＴａＮが例示される。なお、バリアメタル膜１０２は、電極を構成する材料や酸化剤が、コンタクトプラグ１０１に拡散することを防止する。
続いて、層間絶縁膜１００上とバリアメタル膜１０２上の全面に、層間絶縁膜１０３を形成する。その後、層間絶縁膜１０３を貫通するようにコンタクトホール１０８を開口する。
続いて、本発明にかかる半導体装置の製造方法を適用して、コンタクトホール１０８内と層間絶縁膜１０３上の全面に、下部電極膜１０４を形成する。下部電極膜１０４の形成方法については、（３）において後述する。
続いて、コンタクトホール１０８内の下部電極膜１０４を残留させつつ、層間絶縁膜１０３上の下部電極膜１０４を除去する。その後、残留させたコンタクトホール１０８内の下部電極膜１０４の内部をエッチングし、下部電極膜１０４の形状をシリンダ状とする。
続いて、下部電極膜１０４上と層間絶縁膜１０３上の全面に、所定の製造方法で容量絶縁膜１０５を形成する。
最後に、本発明にかかる半導体装置の製造方法を適用して、容量絶縁膜１０５上の全面に上部電極膜１０６を形成して、図８に示すキャパシタの製造を完了する。上部電極膜１０６の形成方法についても（３）において後述する。
（２）基板処理装置の構成
続いて、実施例１で用いられる本発明の一実施例にかかる基板処理装置の構成について、図４を用いて説明する。なお、図４に例示する基板処理装置は、実施例１に示すようなＡＬＤ法による成膜方法の実施に限らず、ＣＶＤ法による成膜方法の実施にも適用可能である。
基板処理装置は、シリコン基板１を内部に搬入して薄膜を形成するための処理室５を備えている。処理室５は処理容器５ａの内部に形成される。処理室５の側面部には、基板搬入搬出口２ａの開閉を行うゲート弁２が設けられている。そして、搬送ロボット（図示せず）が、ゲート弁２を開くことで開放された基板搬入搬出口２ａを介して処理室５の内外にシリコン基板１を搬送できるようになっている。
処理室５の内部には、シリコン基板１を下方から支持するためのサセプタ４１が設けられている。そして、サセプタ４１は、ヒータユニット４０により下方から支持されている。
ヒータユニット４０は、シリコン基板１を加熱するためのヒータ４を内蔵している。そして、ヒータ４は、温度制御手段１７によって制御され、サセプタ４１上のシリコン基板１を所定の温度に加熱することが出来るようになっている。
ヒータユニット４０は、昇降機構３９によって処理室５内を昇降自在に設けられ、必要に応じて回転自在にも設けられている。ヒータユニット４０は、シリコン基板１の搬送時には実線で示す位置まで下降し、サセプタ４１の表面より突出した突き上げピン３が、シリコン基板１を支持する。また、シリコン基板１上への成膜時には、ヒータユニット４０は点線で示す位置まで上昇し、突き上げピン３がサセプタ４１の表面より没入するため、サセプタ４１がシリコン基板１を支える。
処理室５の底面部には、処理室５を排気するための排気管９が連結されている。
処理室５の上面部には、処理室５にガスを供給するためのシャワーヘッド２７が設けられている。シャワーヘッド２７は、シャワーヘッド２７に供給されるガスを拡散させるための拡散板７と、拡散板７によって拡散されたガスを分散するためのバッファ空間２８と、分散されたガスを処理室５内へシャワー状に噴射するためのシャワー板８と、から構成されている。
シャワーヘッド２７の上部には、原料ガスを処理室５内に供給するための原料ガス供給ライン１５が接続されている。
さらには、シャワーヘッド２７の上部には、原料ガスと反応する反応ガスを処理室５内に供給するための反応ガス供給ライン２９と、原料ガスのシリコン基板１上への吸着を助ける吸着補助ガスを処理室５内に供給するための吸着補助ガス供給ライン３０とが、それぞれ開閉バルブ１４、１３を介して接続されている。
上述の原料ガス供給ライン１５は、原料ガスとしてのＤＥＲガスを、処理室５内に供給する。
原料ガス供給ライン１５には、ＤＥＲガスを供給するためのＤＥＲガス管３１と、不活性ガスとしての窒素ガスを供給するための窒素ガス管３２と、反応ガスとしてのアンモニアガスを供給するためのアンモニアガス管３３とが、それぞれ開閉バルブ６、１０、１６を介して接続されている。
ＤＥＲガス管３１には、液体原料としてのルテニウム原子を含む有機液体金属原料であるＤＥＲを気化させてＤＥＲガスを生成させる気化器５０が接続されている。また、窒素ガス管３２は、原料ガスの供給停止時に原料ガス供給ライン１５内に窒素ガスを供給して、原料ガス供給ライン１５内に反応ガスや吸着補助ガスが逆流（侵入）することを防止する。また、窒素ガス管３２は、処理室５内へ窒素ガスを供給して、処理室５内の残留ガスを窒素ガスに置換する。また、アンモニアガス管３３は、原料ガス供給ライン１５を介して、アンモニアガスをプラズマで励起することなく処理室５内へ供給することもできるようになっている。
上述の反応ガス供給ライン２９は、プラズマ励起されたアンモニアガスを含む反応ガスを、処理室５内に供給する。
反応ガス供給ライン２９には、リモートプラズマ励起手段としてのプラズマ発生器１１が連結されている。そして、プラズマ発生器１１には、前述のアンモニアガス管３３から分岐した分岐管３４と、プラズマ着火用ガスとしてのアルゴンガスを供給するためのアルゴンガス管３５と、が接続されている。プラズマ発生器１１は、アルゴン管３５から供給されるアルゴンガスによりプラズマを発生させ、プラズマが発生したプラズマ発生器１１内に分岐管３４から供給されるアンモニアガスを添加することにより、アンモニアガスをプラズマ励起して反応ガスを生成する。
なお、反応ガス供給ライン２９の開閉バルブ１４の上流、すなわち開閉バルブ１４とプラズマ発生器１１との間には、バイパス管３６が開閉バルブ１２を介して接続されている。
バイパス管３６は、開閉バルブ１２を開けることにより、プラズマ発生器１１で生成される反応ガスを、処理室５をバイパスして排気管９へと逃がす。
上述の吸着補助ガス供給ライン３０は、原料ガスのシリコン基板１上への吸着を助ける吸着補助ガスとしての酸素ガスを、処理室５内に供給する。
吸着補助ガス供給ライン３０には、酸素ガスを供給するための酸素ガス管３７が、開閉バルブ２３を介して接続されている。さらに、吸着補助ガス供給ライン３０には、窒素ガスを供給するための窒素ガス管３８が、開閉バルブ２４を介して接続されている。
窒素ガス管３８は吸着補助ガスの供給停止時に窒素ガスを供給して、吸着補助ガス供給ライン３０内へ原料ガスや反応ガスが逆流（侵入）することを防止する。また、窒素ガス管３８は、反応ガスの供給停止時に吸着補助ガス供給ライン３０を介して反応ガス供給ライン２９内に窒素ガスを供給して、反応ガス供給ライン２９内に原料ガスが侵入することを防止する。また、窒素ガス管３８は、処理室５内へ窒素ガスを供給して処理室５内をガス置換する。
上述の開閉バルブ６、１０、１６、１２〜１４、２３、及び２４は、コントローラ６０ によって、それぞれ開閉制御される。
また、上述の配管３２、３３、３５、３７、及び３８には、ガス流量を制御するための流量制御器２１、２０、１９、２５、及び２６がそれぞれ設けられる。また、上述の配管３１には、ＤＥＲの液体流量を制御するための液体流量制御器２２が設けられる。各流量制御器は、コントローラ６０によってそれぞれ制御される。
また、上述の排気管９には、処理室５の内部圧力を調整するための排気配管コンダクタンス制御部１８が設けられる。排気配管コンダクタンス制御部１８は、コントローラ６０によって制御される。なお、コントローラ６０はこの他、基板処理装置を構成する各部の動作を制御する。
（３）ルテニウム膜の形成方法
続いて、上述の基板処理装置を使用した下部電極膜、上部電極膜の形成方法について、図１を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ６０によって制御される。シリコン基板１を処理室５内へ搬入する前に、予め処理室５内に窒素ガスを充満させて処理室５内の雰囲気を窒素等の不活性ガスに置換しておく。
まず、上述の処理室５内に、表面にＳｉＯ２膜が形成されているシリコン基板１を搬入し、ヒータユニット４０を上昇させることでサセプタ４１上にシリコン基板１を載せ、シリコン基板１を成膜位置まで上昇させる。そして、開閉バルブ６、１０、１６、１４、２３を閉め、開閉バルブ２４、１３を開けることにより、処理室５内に窒素ガスを供給しつつ排気管９より排気することで処理室５内を窒素ガスで充満させる。そして、シリコン基板１をヒータ４により所定温度まで加熱して、処理室５内の圧力を所望の値に安定させる（開始）。具体的には、例えばシリコン基板１の表面温度は２００〜３５０℃、処理室内圧力は０．１〜数１０Ｔｏｒｒ（１３．３〜数千Ｐａ）とする。
続いて、開閉バルブ２４を閉め、開閉バルブ２３を開けることにより、原料ガスのシリコン基板１上への吸着を助けるガスとしての酸素ガスを、拡散板７、シャワー板８を通して処理室５内に供給しつつ排気管９より排気して、シリコン基板１上に吸着させる（工程１）。具体的には、例えば酸素ガスの流量は１〜１０００ｓｃｃｍ、とし、１サイクルあたりの供給時間は１〜６０秒とする。
続いて、開閉バルブ２３を閉め、開閉バルブ２４を開けることで処理室５内に窒素ガスを供給しつつ、さらに排気管９を用いて処理室５内の残留ガスを排気することにより、処理室５内を窒素ガスに置換する（工程２）。
続いて、開閉バルブ１３を閉め、開閉バルブ６を開けることにより、拡散板７、シャワー板８を通して処理室５内に原料ガスとしてのＤＥＲガスを供給しつつ排気管９より排気する（工程３）。具体的には、例えばＤＥＲの流量は０．０１〜０．２ｇ／分とし、１サイクルあたりの供給時間は１〜６０秒とする。その結果、ＤＥＲガス分子はシリコン基板１に吸着している酸素ガスと反応して分解し、一方の配位子が取れたＤＥＲガス分子やルテニウム原子Ｒｕがシリコン基板１上のＳｉＯ２膜に化学吸着する。
続いて、開閉バルブ６を閉め、開閉バルブ１０を開けることで処理室５内に窒素ガスを供給しつつ、さらに排気管９を用いて処理室５内の残留ガスを排気することにより、処理室５内を窒素ガスに置換する（工程４）。
またこの間、アルゴンガス及びアンモニアガスをプラズマ発生器１１に供給して励起することで反応ガスを生成させつつ、開閉バルブ１２を開けて処理室５をバイパスして排気させる。なおこの間、開閉バルブ１３を開けることにより、吸着補助ガス供給ライン３０を介して反応ガス供給ライン２９内に窒素ガスを供給してＤＥＲガスがプラズマ発生器１１に逆流（侵入）することを防ぐ。
続いて、開閉バルブ１０、１２、１３を閉め、開閉バルブ１４を開けることにより、反応ガスを処理室５内に供給しつつ排気管９より排気する（工程５）。具体的には、例えば反応ガスの流量は１００〜２０００ｓｃｃｍとし、１サイクルあたりの供給時間は１〜６０秒とする。その結果、シリコン基板１の表面は、反応ガスにより清浄化される。また、シリコン基板１に吸着している一方の配位子が外れたＤＥＲガス分子のうちの一部については、残りの配位子が外れる。
続いて、開閉バルブ１４を閉め、開閉バルブ１３を開けることで処理室５内に窒素ガスを供給しつつ、排気管９を用いて処理室５内の残留ガスを排気することにより、処理室５内を窒素ガスに置換する（工程６）。
そして、工程１から工程６までを１サイクルとして、シリコン基板１上に所望膜厚のルテニウム薄膜が形成されるまでこのサイクルを複数回繰り返す。その後、ルテニウム薄膜形成後のシリコン基板１を処理室５内から搬出して、基板処理工程を完了する（終了）。
例えば、１サイクルあたりに生成されるルテニウム膜厚は０．０１〜０．１ｎｍとなり、サイクル数を５０〜１０００とすると、トータル膜厚は５〜１５ｎｍとなる。
＜実施例２＞
実施例２においても、本発明にかかる半導体装置の製造方法を適用し、ＤＲＡＭのキャパシタの下部電極膜、及び上部電極膜を形成する方法について説明する。
実施例２においては、成膜の初期段階のみ実施例1と同じ方法で成膜するが、途中からＤＥＲガスと酸素ガスとを同時に供給する熱ＣＶＤ法を用いて成膜する点が、実施例１と異なる。他の条件は実施例１とほとんど変わらない。
（１）ＤＲＡＭのキャパシタの構造、及び基板処理装置の構成
実施例１と同一である。
（２）ルテニウム膜の形成方法
実施例２における下部電極膜、上部電極膜の形成方法について、図２を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ６０によって制御される。シリコン基板１を処理室５内へ搬入する前に、予め処理室５内に窒素ガスを充満させて処理室５内の雰囲気を窒素等の不活性ガスに置換しておく。
まず、上述の処理室５内に、表面にＳｉＯ２膜が形成されているシリコン基板１を搬入し、ヒータユニット４０を上昇させることでサセプタ４１上にシリコン基板１を載せ、シリコン基板１を成膜位置まで上昇させる。そして、開閉バルブ６、１０、１６、１４、２３を閉め、開閉バルブ２４、１３を開けることにより処理室５内に窒素ガスを供給しつつ排気管９より排気することで、処理室５内を窒素ガスで充満させる。そして、シリコン基板１をヒータ４により所定温度まで加熱して、処理室５内の圧力を所望の値に安定させる（開始）。具体的には、例えばシリコン基板１の表面温度は２００〜３５０℃、処理室内圧力は０．１〜数１０Ｔｏｒｒ（１３．３〜数千Ｐａ）とする。
その後、実施例１における工程１から工程６までを１サイクルとし、このサイクルを所定回繰り返して、シリコン基板１上に所望膜厚のルテニウム膜を形成する。このときのサイクル数は実施例１の場合より少なく、例えば２０〜１００回とする。他の具体的条件は、実施例１と同一とする。その結果、例えば１サイクルあたりのルテニウム膜の膜厚は実施例１と同様に０．０１〜０．１ｎｍとなり、サイクルを所定回数繰り返した後の膜厚は１〜５ｎｍとなる。
その後、開閉バルブ２４を閉じ、開閉バルブ６、２３を開けて、ＤＥＲガスと酸素ガスとを処理室５内に同時に供給しつつ排気管９より排気する。そして熱ＣＶＤ法により、前述の工程で成膜したルテニウム薄膜上に、所望膜厚の薄膜を更に形成する（熱ＣＶＤ工程）。なお、熱ＣＶＤ工程は、上述の工程と、同一反応室内、同一温度にて行うことが、生産性やコストの観点から望ましい。実施例２においても、上述の工程と同一の処理室５内で熱ＣＶＤを行うこととし、かつ基板温度や処理室内圧力も同一条件とする。また、熱ＣＶＤ工程におけるＤＥＲ流量は例えば０．０１〜０．２ｇ／分とし、酸素ガスの流量は例えば１〜１０００ｓｃｃｍとする。
その後、開閉バルブ６、２３を閉め、開閉バルブ２４を開けることで処理室５内に窒素ガスを供給しつつ、排気管９を用いて処理室５内の残留ガスを排気することにより、処理室５内を窒素ガスに置換する。その後、ルテニウム薄膜形成後のシリコン基板１を処理室５内から搬出して、基板処理工程を完了する（終了）。
工程１から工程６までのサイクルを繰り返す工程を含め、熱ＣＶＤ工程を行った後のルテニウム膜のトータル膜厚は例えば５〜１５ｎｍとなる。
＜実施例３＞
実施例３においても、本発明にかかる半導体装置の製造方法を適用して、ＤＲＡＭのキャパシタの下部電極膜、及び上部電極膜を形成する方法について説明する。
実施例３においては、初期段階では酸素ガスを用いずにＤＥＲガスと反応ガスを交互に供給するＡＬＤ法により成膜し、途中から実施例１と同一の方法で成膜する点が、実施例１と異なる。他の条件は実施例１とほとんど変わらない。
（１）ＤＲＡＭのキャパシタの構造、及び基板処理装置の構成
実施例１と同一である。
（２）ルテニウム膜の形成方法
実施例３における下部電極膜、上部電極膜の形成方法について、図３を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ６０によって制御される。シリコン基板１を処理室５内へ搬入する前に、予め処理室５内に窒素ガスを充満させて処理室５内の雰囲気を窒素等の不活性ガスに置換しておく。
まず、上述の処理室５内に、表面にＳｉＯ２膜が形成されているシリコン基板１を搬入し、ヒータユニット４０を上昇させることでサセプタ４１上にシリコン基板１を載せ、シリコン基板１を成膜位置まで上昇させる。そして、開閉バルブ６、１０、１６、１４、２３を閉め、開閉バルブ２４、１３を開けることにより、処理室５内に窒素ガスを供給しつつ排気管９より排気することで処理室５内を窒素ガスで充満させる。そして、シリコン基板１をヒータ４により所定温度まで加熱して、処理室５内の圧力を所望の値に安定させる（開始）。具体的には、例えばシリコン基板１の表面温度は２００〜３５０℃、処理室内圧力は０．１〜数１０Ｔｏｒｒ（１３．３〜数千Ｐａ）とする。
続いて、開閉バルブ２４を閉め、開閉バルブ６を開けることにより、拡散板７、シャワー板８を通して処理室５内に原料ガスとしてのＤＥＲガスを供給しつつ排気管９より排気する（工程１）。具体的には、例えばＤＥＲの流量は０．０１〜０．２ｇ／分とし、１サイクルあたりの供給時間は１〜６０秒とする。その結果、ＤＥＲガス分子はシリコン基板１上に物理吸着する。
続いて、開閉バルブ６を閉め、開閉バルブ１０を開けることで処理室５内に窒素ガスを供給しつつ、さらに排気管９を用いて処理室５内の残留ガスを排気することにより、処理室５内を窒素ガスに置換する（工程２）。
また、この間、アルゴンガス及びアンモニアガスをプラズマ発生器１１に供給して励起することで反応ガスを生成させつつ、開閉バルブ１２を開けて処理室５をバイパスして排気させる。なおこの間、開閉バルブ１３を開けることにより、吸着補助ガス供給ライン３０を介して反応ガス供給ライン２９内に窒素ガスを供給してＤＥＲガスがプラズマ発生器１１に逆流（侵入）することを防ぐ。
続いて、開閉バルブ１０、１２、１３を閉め、開閉バルブ１４を開けることにより、反応ガスを処理室５内に供給しつつ排気管９より排気する（工程３）。具体的には、例えば反応ガスの流量は１０〜５０００ｓｃｃｍとし、１サイクルあたりの供給時間は１〜６０秒とする。その結果、シリコン基板１上に物理吸着していたＤＥＲガス分子の一部が分解し、ルテニウム原子Ｒｕがシリコン基板１上のＳｉＯ２膜と化学吸着する。
続いて、開閉バルブ１４を閉め、開閉バルブ１３を開けることで処理室５内に窒素ガスを供給しつつ、排気管９を用いて処理室５内の残留ガスを排気することにより、処理室５内を窒素ガスに置換する（工程４）。
そして、工程１から工程４までを１サイクルとして、シリコン基板１上に所望膜厚のルテニウム薄膜が形成されるまでこのサイクルを複数回繰り返す。かかる工程を初期成膜工程と呼ぶ。初期成膜工程におけるサイクル数は、ルテニウム膜の膜厚が例えば１〜１０ｎｍに達するまで実施する。
続いて、初期成膜工程により形成したルテニウム薄膜上に、実施例１と同一の方法により所望厚さのルテニウム薄膜を形成する（工程５〜１０）。かかる工程を本成膜工程と呼ぶ。本成膜工程においては、例えば酸素ガスの流量を１０〜５０００ｓｃｃｍとし、１サイクルあたりの供給時間は１〜６０秒とする。その他の条件は初期成膜条件と同じとする。
本成膜工程におけるサイクル数は、例えば本成膜工程によるルテニウム膜の膜厚が５〜１５ｎｍに達し、初期成膜工程と本成膜工程によるトータル膜厚が６〜２５ｎｍに達するまで実施する。
その後、開閉バルブ６、１４、２３を閉め、開閉バルブ２４を開けることで処理室５内に窒素ガスを供給しつつ、排気管９を用いて処理室５内の残留ガスを排気することにより、処理室５内を窒素ガスに置換する。その後、ルテニウム薄膜形成後のシリコン基板１を処理室５内から搬出して、基板処理工程を完了する（終了）。
なお、下部電極膜１０４の形成に際しては、上述の実施例１から３に示したいずれの方法を用いることも可能である。ただし、実施例１および２に示した方法を用いた場合には、ルテニウム薄膜の成膜中に下地となるバリアメタル膜１０２が酸化することも考えられ、コンタクト抵抗が増加することも考えられる。例えば、バリアメタル膜１０２がＴｉＮ膜である場合、ルテニウム膜の成膜時に用いる酸素によりＴｉＮ膜が酸化されてＴｉＯ２などの絶縁膜が形成され、コンタクト抵抗が高くなることも考えられる。これに対して、実施例３の方法を用いれば、成膜初期段階において酸素を用いていないのでバリアメタル膜１０２と酸素が反応することはなく、バリアメタル膜１０２の酸化を防ぐことが出来、コンタクト抵抗の増加を防ぐことが出来るため、より望ましい。
＜本発明の好ましい態様＞
第１の態様は、処理室内に基板を搬入する工程と、前記処理室内に液体原料を気化した原料ガスの前記基板上への吸着を助けるための吸着補助ガスを供給して前記基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に前記原料ガスを供給して前記基板上の前記吸着補助ガスと反応させて前記基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に反応ガスを供給して前記基板上に吸着した前記原料ガスと反応させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返し、前記基板上に所望膜厚の薄膜を形成する工程と、前記薄膜形成後の前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。
第１の態様によれば、処理室内に原料ガスを供給する前に、処理室内に原料ガスの基板上への吸着を助けるための吸着補助ガスを供給して基板上に吸着させておくことにより、原料ガスの基板表面への吸着を促すことが出来る。また、成膜の初期段階においては、基板の表面に原料ガスが吸着した状態で表面反応が発生するため、インキュベーションタイムの発生を抑制出来る。従って、成膜レートを上げ、生産性を向上させることが出来る。
また、第１の態様によれば、処理室内に、吸着補助ガス、原料ガス、反応ガスをそれぞれ順番に供給することにより、処理室内でのガスの反応が抑制され、基板上に段差被覆性よく成膜することが出来る。
なお、第１の態様において、反応ガスに清浄化作用がある場合、形成する薄膜の中に不純物が残留することを防止し、薄膜の電気特性を向上させ、また薄膜の基板への密着性を向上させることが出来る。また、基板表面が清浄化された場合、原料ガスが基板表面へ吸着しにくくなるが、原料ガスを処理室内に供給する前に吸着補助ガスを供給して基板上に吸着させるので、原料ガス供給前に、基板表面の状態を原料ガスが吸着し易い状態に変えることが出来る。
第２の態様は、第１の態様において、前記吸着補助ガスは、前記原料ガスの配位子を分解するガスである半導体装置の製造方法である。
第２の態様によれば、吸着補助ガスとして、原料ガスの配位子を分解するガスを用いることで、基板上での原料ガスの分解を促し、それにより原料ガスの基板表面への吸着を促進し、成膜レートを向上させることが出来る。
第３の態様は、第１の態様において、前記吸着補助ガスは、酸素原子を含むガスである半導体装置の製造方法である。
第３の態様によれば、吸着補助ガスとして、酸素原子を含むガスを用いることで、基板上での原料ガスの分解を促し、それにより原料ガスの基板表面への吸着を促進し、成膜レートを向上させることが出来る。
第４の態様は、第１の態様において、前記吸着補助ガスは、酸素ガス、水蒸気、または水酸基ラジカルである半導体装置の製造方法である。
第４の態様によれば、吸着補助ガスとして、酸素ガス、水蒸気、または水酸基ラジカルを用いることで、基板上での原料ガスの分解を促し、それにより原料ガスの基板表面への吸着を促進し、成膜レートを向上させることが出来る。
第５の態様は、第１の態様において、前記反応ガスは、前記基板上に吸着した前記原料ガスと反応して薄膜を生成するとともに、前記基板の表面を清浄化するガスである半導体装置の製造方法である。
第５の態様によれば、反応ガスとして、基板の表面を清浄化するガスを用いることで、形成する薄膜の中に不純物が残留することを防止し、薄膜の電気的特性を向上させ、また薄膜の基板への密着性を向上させることが出来る。また、基板表面が清浄化されることで、原料ガスが基板表面へ吸着しにくくなるが、原料ガスを処理室内に供給する前に吸着補助ガスを供給して基板上に吸着させるので、原料ガス供給前に、基板表面の状態を原料ガスが吸着し易い状態に変えることが出来る。
第６の態様は、第１の態様において、前記反応ガスは、前記基板上に吸着した前記原料ガスと反応して薄膜を生成するとともに、前記基板上に吸着した酸素を取り除くか、前記基板上に吸着した酸素を酸素以外のものと置き換えるか、前記基板上に吸着した炭素を取り除くか、もしくは前記基板上に吸着した前記原料ガス自体を取り除くガスである半導体装置の製造方法である。
第６の態様によれば、反応ガスとして、基板上に吸着した酸素を取り除くか、基板上に吸着した酸素を酸素以外のものと置き換えるか、基板上に吸着した炭素を取り除くか、もしくは前記基板上に吸着した前記原料ガス自体を取り除くガスを用いることで、形成する薄膜の中に不純物が残留することを防止し、薄膜の電気的特性を向上させ、また薄膜の基板への密着性を向上させることが出来る。また、このような反応ガスを用いることで基板表面が清浄化され、原料ガスが基板表面へ吸着しにくくなるが、原料ガスを処理室内に供給する前に吸着補助ガスを供給して基板上に吸着させるので、原料ガス供給前に、基板表面の状態を原料ガスが吸着し易い状態に変えることが出来る。
第７の態様は、第１の態様において、前記反応ガスは、酸素原子を含まないガスである半導体装置の製造方法である。
第７の態様によれば、反応ガスとして、酸素原子を含まないガスを用いることにより、形成する薄膜の中に不純物が残留することを防止し、薄膜の電気的特性を向上させ、また薄膜の基板への密着性を向上させることが出来る。また、反応ガスとして酸素原子を含まないガスを用いることで、原料ガスが基板表面へ吸着しにくくなるが、原料ガスを処理室内に供給する前に吸着補助ガスを供給して基板上に吸着させるので、原料ガス供給前に、基板表面の状態を原料ガスが吸着し易い状態に変えることが出来る。
第８の態様は、第１の態様において、前記反応ガスは、水素原子を含むガス、窒素原子を含むガス、またはアルゴンガスをプラズマにより活性化したガスである半導体装置の製造方法である。
第８の態様によれば、反応ガスとして、水素原子を含むガス、窒素原子を含むガス、またはアルゴンガスをプラズマにより活性化したガスを用いることにより、形成する薄膜の中に不純物が残留することを防止し、薄膜の電気的特性を向上させ、また薄膜の基板への密着性を向上させることが出来る。また、このような反応ガスを用いることで基板表面が清浄化され、原料ガスが基板表面へ吸着しにくくなるが、原料ガスを処理室内に供給する前に吸着補助ガスを供給して基板上に吸着させるので、原料ガス供給前に、基板表面の状態を原料ガスが吸着し易い状態に変えることが出来る。
第９の態様は、第１の態様において、前記反応ガスは、水素ガスまたはアンモニアガスをプラズマにより活性化したガスである半導体装置の製造方法である。
第９の態様によれば、反応ガスとして、水素ガスまたはアンモニアガスをプラズマにより活性化したガスを用いることにより、形成する薄膜の中に不純物が残留することを防止し、薄膜の電気的特性を向上させ、また薄膜の基板への密着性を向上させることが出来る。また、このような反応ガスを用いることで基板表面が清浄化され、原料ガスが基板表面へ吸着しにくくなるが、原料ガスを処理室内に供給する前に吸着補助ガスを供給して基板上に吸着させるので、原料ガス供給前に、基板表面の状態を原料ガスが吸着し易い状態に変えることが出来る。
第１０の態様は、第１の態様において、前記薄膜を形成する工程では、前記サイクルを複数回繰り返した後、前記処理室内に前記原料ガスと酸素原子を含むガスとを同時に供給して、熱ＣＶＤ法により前記基板上に所望膜厚の薄膜を形成する半導体装置の製造方法である。
第１０の態様によれば、熱ＣＶＤ法を用いて薄膜を形成する前に、第１の発明にかかる半導体装置の製造方法を用いて下地となる膜の形成することにより、インキュベーションタイムの発生を抑制することが出来る。また、途中から熱ＣＶＤ法を用いて薄膜を形成することにより、さらに成膜レートを上げ、生産性を向上させることが出来る。
第１１の態様は、第１の態様において、前記液体原料はルテニウム原子を含む液体原料であり、前記形成する薄膜はルテニウム原子を含む膜である半導体装置の製造方法である。
第１１の態様のように、液体原料をルテニウム原子を含む液体原料とし、形成する薄膜をルテニウム原子を含む薄膜とする場合に、特に、原料ガスが基板表面へ吸着しにくくなるという問題が生じるが、原料ガスを処理室内に供給する前に吸着補助ガスを供給して、基板上に吸着させるので、原料ガス供給前に、基板表面の状態を原料ガスが吸着し易い状態に変えることが出来る。
第１２の態様は、処理室内に基板を搬入する工程と、前記処理室内に液体原料を気化した原料ガスの配位子を分解する配位子分解ガスを供給して前記基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に前記原料ガスを供給して前記基板上の前記配位子分解ガスと反応させて基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に反応ガスを供給して前記基板上に吸着した前記原料ガスと反応させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返し、前記基板上に所望膜厚の薄膜を形成する工程と、薄膜形成後の前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。
第１２の態様によれば、原料ガスを処理室内に供給する前に、原料ガスの配位子を分解するガスを供給して基板上に吸着させておくので、原料ガス供給時における基板上での原料ガスの分解を促し、それにより原料ガスの基板表面への吸着を促進し、成膜レートを上げることが出来る。
第１３の態様は、処理室内に基板を搬入する工程と、前記処理室内に酸素原子を含むガスを供給して前記基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に液体原料を気化した原料ガスを供給して前記基板上の前記酸素原子を含むガスと反応させて基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に酸素原子を含まない反応ガスを供給して前記基板上に吸着した前記原料ガスと反応させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返し、前記基板上に所望膜厚の薄膜を形成する工程と、薄膜形成後の前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。
第１３の態様によれば、原料ガスを処理室内に供給する前に、酸素原子を含むガスを供給して基板上に吸着させておくので、原料ガス供給時における基板上での原料ガスの分解を促し、それにより原料ガスの基板表面への吸着を促進し、成膜レートを上げることが出来る。
第１４の態様は、処理室内に基板を搬入する工程と、前記処理室内に液体原料を気化した原料ガスを供給して前記基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に反応ガスを供給して前記基板上に吸着した前記原料ガスと反応させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返し、前記基板上に所定膜厚の薄膜を形成する初期成膜工程と、前記処理室内に前記原料ガスの前記基板上への吸着を助けるための吸着補助ガスを供給して前記基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に前記原料ガスを供給して前記基板上の前記吸着補助ガスと反応させて前記基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に前記反応ガスを供給して前記基板上に吸着した前記原料ガスと反応させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返し、初期成膜工程により形成した前記所定膜厚の薄膜上に所望膜厚の薄膜を形成する本成膜工程と、前記所望膜厚の薄膜形成後の前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。
初期成膜工程においては、処理室内に原料ガスの基板上への吸着を助けるための吸着補助ガスを供給しないため、吸着補助ガスと、薄膜を形成する下地との反応を防止することが出来る。また、本成膜工程においては、処理室内に原料ガスを供給する前に、処理室内に吸着補助ガスを供給して基板表面に吸着させておくことにより、原料ガスの基板表面への吸着を促し、成膜レートを上げ、生産性を向上させることが出来る。
第１５の態様は、基板を処理する処理室と、前記処理室内に液体原料を気化した原料ガスを供給するための原料ガス供給ラインと、前記処理室内に前記原料ガスと反応する反応ガスを供給するための反応ガス供給ラインと、前記処理室内に前記原料ガスの前記基板上への吸着を助けるための吸着補助ガスを供給するための吸着補助ガス供給ラインと、前記処理室内に前記吸着補助ガスを供給して前記基板上に吸着させた後、前記原料ガスを前記処理室内に供給して前記基板上の前記吸着補助ガスと反応させて前記基板上に吸着させ、その後前記反応ガスを前記処理室内に供給して前記基板上に吸着した前記原料ガスと反応させ、これを1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返し、前記基板上に所望膜厚の薄膜を形成するように制御するコントローラと、を有する基板処理装置である。
コントローラが、吸着補助ガス、原料ガス、及び反応ガスを、処理室内に順次供給するように制御することにより、第１の態様の半導体装置の製造方法を自動化することが出来るので、作業は一層容易になる。
なお、コントローラが、吸着補助ガス、原料ガス、及び反応ガスを、処理室内に順次供給するように制御した後に、原料ガスと酸素原子を含むガスとを同時に供給するようにすれば、第１０の態様の半導体装置の製造方法を自動化することが出来るので、この場合においても作業は一層容易になる。
また、コントローラが、原料ガスと反応ガスとを処理室内に順次供給するように制御した後に、吸着補助ガス、原料ガス、及び反応ガスを処理室内に順次供給するようすれば、第１４の態様の半導体装置の製造方法を自動化することが出来るので、この場合においても作業は一層容易になる。
実施例１にかかる半導体装置の製造方法の一工程としての基板処理工程を示す図である。 実施例２にかかる半導体装置の製造工程の一工程としての基板処理工程を示す図である。 実施例３にかかる半導体装置の製造工程の一工程としての基板処理工程を示す図である。 実施例１から３において共通に用いた本発明の一実施例にかかる基板処理装置の構成例を示す概略図である。 本発明の一実施形態を実施する際の成膜メカニズムを例示する図であり、（ａ）は原料ガスの吸着を補助する吸着補助ガスを基板表面に供給して吸着させる様子を示し、（ｂ）は原料ガスを基板表面に供給して吸着補助ガスと反応させて基板上に吸着させる様子を示し、（ｃ）は反応ガスを基板表面に供給して原料ガスと反応させる様子を示し、（ｄ）は１サイクルが終了した後の基板表面の様子を示す。 従来のＡＬＤ法を実施する際の成膜メカニズムを例示する図であり、（ａ）は基板表面に原料ガスを供給して吸着させる様子を示し、（ｂ）は基板表面に反応ガスを供給して原料ガスと反応させて成膜する様子を示し、（ｃ）は１サイクルで基板表面に生成される薄膜の様子を示す。 従来のＡＬＤ法と本発明の一実施形態との成膜レートの違いを示す図であり、（ａ）は従来のＡＬＤ法による成膜の様子を示す図であり、（ｂ）は本発明の一実施形態による成膜の様子を示す図である。 実施例１から３において形成した下部電極膜、上部電極膜を備えたＤＲＡＭのキャパシタ部分の断面図である。
符号の説明
１ シリコン基板
５ 処理室
１５ 原料ガス供給ライン
２９ 反応ガス供給ライン
３０ 吸着補助ガス供給ライン
６０ コントローラ
Ｒｕ ルテニウム原子
ｈ１ 配位子
ｈ２ 配位子

Claims (14)

  1. 処理室内に基板を搬入する工程と、
    前記処理室内に液体原料を気化した原料ガスの前記基板上への吸着を助けるための吸着補助ガスを供給して前記基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に前記原料ガスを供給して前記基板上の前記吸着補助ガスと反応させて前記基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に反応ガスを供給して前記基板上に吸着した前記原料ガスと反応させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返し、前記基板上に所望膜厚の薄膜を形成する工程と、
    前記薄膜形成後の前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
  2. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、前記吸着補助ガスは、前記原料ガスの配位子を分解するガスである半導体装置の製造方法。
  3. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、前記吸着補助ガスは、酸素原子を含むガスである半導体装置の製造方法。
  4. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、前記吸着補助ガスは、酸素ガス、水蒸気、または水酸基ラジカルである半導体装置の製造方法。
  5. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、前記反応ガスは、前記基板上に吸着した前記原料ガスと反応して薄膜を生成するとともに、前記基板の表面を清浄化するガスである半導体装置の製造方法。
  6. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、前記反応ガスは、前記基板上に吸着した前記原料ガスと反応して薄膜を生成するとともに、前記基板上に吸着した酸素を取り除くか、前記基板上に吸着した酸素を酸素以外のものと置き換えるか、前記基板上に吸着した炭素を取り除くか、もしくは前記基板上に吸着した前記原料ガス自体を取り除くガスである半導体装置の製造方法。
  7. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、前記反応ガスは、酸素原子を含まな
    いガスである半導体装置の製造方法。
  8. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、前記反応ガスは、水素原子を含むガスまたは窒素原子を含むガスをプラズマにより活性化したガスである半導体装置の製造方法。
  9. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、前記反応ガスは、水素ガスまたはアンモニアガスをプラズマにより活性化したガスである半導体装置の製造方法。
  10. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、前記薄膜を形成する工程では、前記サイクルを複数回繰り返した後、前記処理室内に前記原料ガスと酸素原子を含むガスとを同時に供給して、熱ＣＶＤ法により前記基板上に所望膜厚の薄膜を形成する半導体装置の製造方法。
  11. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、前記液体原料はルテニウム原子を含む液体原料であり、前記形成する薄膜はルテニウム原子を含む膜である半導体装置の製造方法。
  12. 処理室内に基板を搬入する工程と、
    前記処理室内に液体原料を気化した原料ガスを供給して前記基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に反応ガスを供給して前記基板上に吸着した前記原料ガスと反応させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返し、前記基板上に所定膜厚の薄膜を形成する初期成膜工程と、
    前記処理室内に前記原料ガスの前記基板上への吸着を助けるための吸着補助ガスを供給して前記基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に前記原料ガスを供給して前記基板上の前記吸着補助ガスと反応させて前記基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に前記反応ガスを供給して前記基板上に吸着した前記原料ガスと反応させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返し、初期成膜工程により形成した前記所定膜厚の薄膜上に所望膜厚の薄膜を形成する本成膜工程と、
    前記所望膜厚の薄膜形成後の前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
  13. 処理室内に基板を搬入する工程と、
    前記処理室内に液体原料を気化した原料ガスの前記基板上への吸着を助けるための吸着補助ガスを供給して前記基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に前記原料ガスを供給して前記基板上の前記供給補助ガスと反応させて前記基板上に吸着させる工程と、前記処理室内に反応ガスを供給して前記基板上に吸着した前記原料ガスと反応させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返し、前記基板上に所望膜厚の薄膜を形成する工程と、
    前記薄膜形成後の前記基板を前記処理室内から搬出する工程と
    を有する基板処理方法。
  14. 基板を処理する処理室と、
    前記処理室内に液体原料を気化した原料ガスを供給するための原料ガス供給ラインと、
    前記処理室内に前記原料ガスと反応する反応ガスを供給するための反応ガス供給ラインと、
    前記処理室内に前記原料ガスの前記基板上への吸着を助けるための吸着補助ガスを供給するための吸着補助ガス供給ラインと、
    前記処理室内に前記吸着補助ガスを供給して前記基板上に吸着させた後、前記原料ガスを前記処理室内に供給して前記基板上の前記吸着補助ガスと反応させて前記基板上に吸着
    させ、その後前記反応ガスを前記処理室内に供給して前記基板上に吸着した前記原料ガスと反応させ、これを1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返し、前記基板上に所望膜厚の薄膜を形成するように制御するコントローラと、
    を有する基板処理装置。
JP2007521307A 2005-06-13 2006-06-13 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 Active JP4813480B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007521307A JP4813480B2 (ja) 2005-06-13 2006-06-13 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005172405 2005-06-13
JP2005172405 2005-06-13
JP2007521307A JP4813480B2 (ja) 2005-06-13 2006-06-13 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
PCT/JP2006/311853 WO2006134930A1 (ja) 2005-06-13 2006-06-13 半導体装置の製造方法、及び基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2006134930A1 JPWO2006134930A1 (ja) 2009-01-08
JP4813480B2 true JP4813480B2 (ja) 2011-11-09

Family

ID=37532288

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007521307A Active JP4813480B2 (ja) 2005-06-13 2006-06-13 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8435905B2 (ja)
JP (1) JP4813480B2 (ja)
KR (1) KR100960273B1 (ja)
WO (1) WO2006134930A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11081355B2 (en) 2019-08-07 2021-08-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method of manufacturing same

Families Citing this family (418)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7666773B2 (en) 2005-03-15 2010-02-23 Asm International N.V. Selective deposition of noble metal thin films
US8025922B2 (en) 2005-03-15 2011-09-27 Asm International N.V. Enhanced deposition of noble metals
US8986456B2 (en) 2006-10-10 2015-03-24 Asm America, Inc. Precursor delivery system
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
JP5829060B2 (ja) * 2011-07-01 2015-12-09 株式会社アルバック 酸化膜エッチング装置、及び酸化膜エッチング方法
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9096931B2 (en) 2011-10-27 2015-08-04 Asm America, Inc Deposition valve assembly and method of heating the same
US9341296B2 (en) 2011-10-27 2016-05-17 Asm America, Inc. Heater jacket for a fluid line
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9167625B2 (en) 2011-11-23 2015-10-20 Asm Ip Holding B.V. Radiation shielding for a substrate holder
US9005539B2 (en) 2011-11-23 2015-04-14 Asm Ip Holding B.V. Chamber sealing member
US9202727B2 (en) 2012-03-02 2015-12-01 ASM IP Holding Susceptor heater shim
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9029253B2 (en) 2012-05-02 2015-05-12 Asm Ip Holding B.V. Phase-stabilized thin films, structures and devices including the thin films, and methods of forming same
US8728832B2 (en) 2012-05-07 2014-05-20 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor device dielectric interface layer
US8933375B2 (en) 2012-06-27 2015-01-13 Asm Ip Holding B.V. Susceptor heater and method of heating a substrate
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9117866B2 (en) 2012-07-31 2015-08-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions
US9169975B2 (en) 2012-08-28 2015-10-27 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for mass flow controller verification
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US8894870B2 (en) 2013-02-01 2014-11-25 Asm Ip Holding B.V. Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) * 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) * 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9396934B2 (en) 2013-08-14 2016-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
JP5872028B2 (ja) 2013-09-30 2016-03-01 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US9605343B2 (en) 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
JP5764228B1 (ja) * 2014-03-18 2015-08-12 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
TWI689989B (zh) * 2016-07-25 2020-04-01 日商東京威力科創股份有限公司 單層膜介導的精密材料蝕刻
JP6431962B2 (ja) * 2016-07-25 2018-11-28 東京エレクトロン株式会社 単層膜が媒介する高精度の膜堆積
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI871083B (zh) 2018-06-27 2025-01-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102762833B1 (ko) 2019-03-08 2025-02-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR102897355B1 (ko) 2019-04-19 2025-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR102929471B1 (ko) 2019-05-07 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102929472B1 (ko) 2019-05-10 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR102918757B1 (ko) 2019-06-10 2026-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646B (zh) 2019-07-10 2026-02-10 Asmip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
TWI826704B (zh) 2019-07-17 2023-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 自由基輔助引燃電漿系統和方法
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP7810514B2 (ja) 2019-08-21 2026-02-03 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR102928101B1 (ko) 2019-08-23 2026-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR102948143B1 (ko) 2019-10-08 2026-04-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11996292B2 (en) 2019-10-25 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR102943768B1 (ko) 2019-12-19 2026-03-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR102916725B1 (ko) 2020-02-13 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR102943116B1 (ko) 2020-03-04 2026-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR102901748B1 (ko) 2020-04-21 2025-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR102934380B1 (ko) 2020-04-24 2026-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 보라이드 및 바나듐 포스파이드 층을 포함한 구조체를 형성하는 방법
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
TW202539998A (zh) 2020-04-24 2025-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 包含釩化合物之組成物與容器及用於穩定釩化合物之方法及系統
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR102936676B1 (ko) 2020-05-15 2026-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 전구체를 사용하여 실리콘 게르마늄 균일도를 제어하기 위한 방법
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TWI873343B (zh) 2020-05-22 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI908816B (zh) 2020-06-24 2025-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
KR102953798B1 (ko) 2020-06-24 2026-04-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 몰리브덴을 포함하는 막의 기상 증착
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 薄膜沉積製程
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
KR102915124B1 (ko) 2020-08-14 2026-01-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TWI911263B (zh) 2020-08-25 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TW202534193A (zh) 2020-08-26 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TWI911265B (zh) 2020-08-27 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、及裝置結構
TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229612A (zh) 2020-10-06 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 在部件的側壁上形成氮化矽的方法及系統
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
KR102855834B1 (ko) 2020-10-14 2025-09-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
KR20220077875A (ko) 2020-12-02 2022-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
US12159788B2 (en) 2020-12-14 2024-12-03 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures for threshold voltage control
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
KR20220090435A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전구체 캡슐, 용기 및 방법
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
KR20220090438A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이금속 증착 방법
JP7273086B2 (ja) * 2021-03-24 2023-05-12 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理装置
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
JP7693485B2 (ja) * 2021-09-21 2025-06-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
EP4425534A4 (en) 2021-10-29 2026-04-08 Kokusai Electric Corp METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICES, METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATES, AND RECORDING MEDIUM
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000160342A (ja) * 1998-10-16 2000-06-13 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜製造方法
WO2004008513A1 (ja) * 2002-07-15 2004-01-22 Hitachi Kokusai Electric Inc. 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP2004156141A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Air Products & Chemicals Inc 半導体基板の表面に金属層を堆積する方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10228103A1 (de) 2002-06-24 2004-01-15 Bayer Cropscience Ag Fungizide Wirkstoffkombinationen
US20060177601A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-10 Hyung-Sang Park Method of forming a ruthenium thin film using a plasma enhanced atomic layer deposition apparatus and the method thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000160342A (ja) * 1998-10-16 2000-06-13 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜製造方法
WO2004008513A1 (ja) * 2002-07-15 2004-01-22 Hitachi Kokusai Electric Inc. 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP2004156141A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Air Products & Chemicals Inc 半導体基板の表面に金属層を堆積する方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11081355B2 (en) 2019-08-07 2021-08-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method of manufacturing same
US11705334B2 (en) 2019-08-07 2023-07-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method of manufacturing same

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2006134930A1 (ja) 2009-01-08
WO2006134930A1 (ja) 2006-12-21
US20090035947A1 (en) 2009-02-05
KR20080012379A (ko) 2008-02-11
US8435905B2 (en) 2013-05-07
KR100960273B1 (ko) 2010-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4813480B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
JP4803578B2 (ja) 成膜方法
JP5097554B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
JP5864503B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び記録媒体
JP5882075B2 (ja) キャパシタの製造方法、キャパシタ、およびそれに用いられる誘電体膜の形成方法
JP2004006699A (ja) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP4559223B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
US9331139B2 (en) Ruthenium film formation method and storage medium
JP2008205325A (ja) 半導体装置の製造方法、及び基板処理装置
US7229917B2 (en) Film formation method and apparatus for semiconductor process
KR20130049743A (ko) 산화 루테늄 막의 성막 방법 및 기억매체
JP2008075166A (ja) 半導体装置の製造方法、及び基板処理装置
US7435678B2 (en) Method of depositing noble metal electrode using oxidation-reduction reaction
JP2009299101A (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP2008075167A (ja) 半導体装置の製造方法、及び基板処理装置
JP6030746B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラムおよび記録媒体
KR102901653B1 (ko) 성막 방법
KR20050067454A (ko) 인시츄 오존처리와 원자층증착법을 이용한 유전막 제조방법
JP2007059735A (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110202

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110330

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110810

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110824

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4813480

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140902

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350