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JP4843012B2 - 圧電デバイスとその製造方法 - Google Patents
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JP4843012B2 - 圧電デバイスとその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、圧電振動片をパッケージ内に配置した圧電デバイスと、その圧電デバイスの製造方法とに関する。
従来、移動体通信機器やOA機器等の小型軽量化及び高周波数化に伴って、それらに用いられる圧電振動子も、より一層の小型化及び高周波数化への対応が求められている。また、圧電振動子におけるコストダウンの要請は厳しさを増しており、構造の簡素化や製造工程の簡素化によるコスト低減が急務になっている。
従来、圧電振動子は、金属、ガラス又はセラミックからなるリッドとパッケージ部材との接合面に接合材を塗布して重ね合わせて接合した後に、真空中あるいは不活性ガス中において封止用のスルーホールに封止材を充填し、加熱などによって封止材を溶融することにより封止を行っている。このような圧電振動子は、例えば特許文献1に記載されたものが知られている。
特開2004−214787号公報
特許文献1に開示された圧電振動子は、シリコンから成るベースにキャビティを設けて圧電振動片の接続電極に当接する位置にスルーホールを備え、スルーホールの内面にスルーホール電極及び台座電極を設け、台座電極に導電性接着剤を塗布し圧電振動子を台座電極に接着する。スルーホールの内面に接着剤を注入し接着剤を硬化させた後、真空中あるいは不活性ガス中でリッドをベースに接着している。しかし、リッドをベースに接着する過程で接着剤から生じたガスは、圧電振動片に脱吸着され圧電振動子の長期安定性を損なう懸念があった。
さらに、特許文献1では台座電極の形成に、台座電極形成部分以外の部分をマスクした状態でスパッタリングやメッキなどで行うため、台座電極の位置合わせに要する作業時間が、作業効率向上のネックになっている。
そこで本発明の目的は、圧電振動子の振動周波数にバラツキを生じることなく、コストを低減した圧電振動子を提供することである。
第1の観点の圧電デバイスの製造方法は、第1面に窪み部を有しこの窪み部から窪み部とは反対側の第2面に貫通する貫通孔を有するベースを用意する工程と、第2面に導電性ペーストを塗布して、第2面上の外部電極とこの外部電極と導通する貫通孔の封止電極とこの封止電極と導通する窪み部内の台座電極とを形成する電極形成工程と、外部電極、封止電極及び台座電極を焼成する焼成工程と、台座電極に導電性接着剤で圧電振動片を配置する工程と、ベースにリッドを接合する接合工程と、を備える。
このため、外部電極、封止電極及び台座電極を一度に形成できるため、製造工程が簡略化されて製造コストを低減できる。
第2の観点の圧電デバイスの製造方法は、第1面に窪み部を有し窪み部から窪み部とは反対側の第2面に貫通する貫通孔を有するベースを用意する工程と、第2面に導電性ペーストを塗布して、第2面上の外部電極とこの外部電極と導通する貫通孔の封止電極とこの封止電極と導通する窪み部内の台座電極とを形成する電極形成工程と、台座電極に圧電振動片を配置する工程と、外部電極、封止電極及び台座電極を焼成する焼成工程と、ベースにリッドを接合する接合工程と、を備える。
このため、台座電極に圧電振動片を配置した後に、外部電極、封止電極及び台座電極を一度に形成できる。
第3の観点の圧電デバイスの製造方法の電極形成工程は、貫通孔に前記台座電極の形状の雌型を当接して吸引しながら封止電極及び台座電極を形成する。
吸引することで封止電極及び台座電極が正確に形成され、封止電極が貫通孔を封止する。
第4の観点の圧電デバイスの製造方法の電極形成工程は、第1面を下向きにして雌型を介して第2面に塗られる導電性ペーストを下方に吸引する。
いわゆる孔版印刷方法などを使って導電性ペーストで、外部電極、封止電極及び台座電極が塗布される。
第5の観点の圧電デバイスの製造方法は、ベースがベースウエハに複数配置されており、リッドがリッドベースに複数配置されている。そして、接合工程は、ベースウエハとリッドウエハとを接合し、接合したベースウエハとリッドウエハとをダイシングするダイシング工程を備える。
圧電デバイスをウエハ単位で製造することができるので、製造工程において微小な部品を取り扱う必要がなくなり製造工程が簡略化される。
第6の観点の圧電デバイスは、第1面に窪み部を有し窪み部とは反対側の第2面に貫通する貫通孔を有するベースと、圧電振動片が載置される台座電極と、貫通孔を封止する封止電極と、第2面に形成される外部電極と、ベースに接合されたリッドと、を備え、台座電極、封止電極及び外部電極が一体に形成される。
このような構造の圧電デバイスは量産に向いているため製造コストが少なくてよい。
第7の観点の圧電デバイスのベースがガラス材料からなり、導電性ペーストがガラスペーストを含む。
ベースはガラス材料であり導電性ペーストがガラスペーストであると、貫通孔と封止電極との密着性が良い。
第8の観点の圧電デバイスの導電性ペーストはベースとほぼ同じ熱膨張係数である。
圧電デバイスが温度変化の大きな場所に配置されても、台座電極、封止電極及び外部電極と圧電デバイスのベースとの間で熱膨張が同じであるため、電極が剥がれたり隙間ができたりすることが少ない。
第9の観点の圧電デバイスのベースはホウケイ酸ガラスからなり、リッドが金属膜が形成されたガラス又はシリコンからなり、ベースとリッドとは陽極接合される。
第10の観点の圧電デバイスはベースとリッドとがエポキシ樹脂で接合される。
本発明の圧電振動子は、振動周波数にバラツキを生じることなく、長期安定性を得られる圧電振動子を提供することができ、作業効率もよく製造工程の簡素化によるコスト低減ができる。
<圧電振動子100の構成>
以下、本発明の圧電振動子100について、図面を参照して説明する。図1は、本発明の圧電振動子100の概略図を示している。
図1(a)は、図1(b)のA−A断面で圧電振動子100の断面構成図である。図1(b)は、図1(a)のB−B線における平面断面図である。
図1(a)に示されるように、圧電振動子100は、ガラスから成るリッド10とキャビティ22内に圧電振動片30を搭載したホウケイ酸ガラスから成るガラスベース20とから構成される。リッド10は、平板状でガラスベース20側の周辺部に金属膜15を備える。金属膜15は、アルミニュウムから成りスパッタリング又は真空蒸着などの手法により形成する。ガラスベース20は、圧電振動片30を実装するキャビティ22を備え、圧電振動片30の接続電極34に当接する位置にスルーホールTHを備える。ガラスベース20は、外部電極26、スルーホールTHの封止電極28及び台座電極24を備える。
キャビティ22の形成は、フッ酸溶液をエッチング液として、キャビティ22の形成部分以外をマスクしたガラスウエハを、キャビティ22の所定の形状になるようにハーフエッチングを行う。このハーフエッチングは、フッ酸溶液の濃度や種類、温度等により時間が変化するが所定の温度で、所定時間浸漬することによって行う。スルーホールTHの形成は、ガラスウエハをスルーホールTHの形成位置が解放されているマスクでカバーしてウェットエッチングによって、スルーホールTHの形成を行う。スルーホールTHの形成は、キャビティ22の形成と同時に行うこともできる。
外部電極26及びスルーホールTHの封止電極28並びに台座電極24の形成は、ガラスベース20の第1面を下向きにして第2面に導電性ペースト50を塗布して、スルーホールTHに型を当接して吸引しながら行われる。スルーホールTHは導電性ペースト50で充填密封され、台座電極24はスルーホールTHの封止電極28を通じて外部電極26と導通する。
導電性ペースト50は、Ag(銀)フィラーとエポキシ樹脂とから成るAgペースト又はAg,Au(金),Pd(パラジウム)フィラーなどとガラスとから成る導電性ガラスペーストである。Agペーストの硬化温度は、例えば、150°Cで30分であるが、導電性ガラスペーストは、仮硬化温度が150°Cで、焼結温度は500°C以上である。硬化後のAgペーストの耐熱上限温度は640°Cであり、陽極接合時の温度400°C及び表面実装時のリフロー炉温度260°Cに対処できる。導電性ペースト50はガラスベース20とほぼ熱膨張が同じであることが好ましい。圧電振動子100の温度変化によっても封止電極28とスルーホールTHとの間には隙間が発生しにくい。
台座電極24、外部電極26及び封止電極28は、ガラスベース20を硬化及び焼成により焼結して形成される。そして台座電極24の上面にAgペースト等の導電性接着剤51が塗布され、圧電振動片30の接続電極34が台座電極24に接着される。台座電極24、外部電極26及び封止電極28が仮硬化した後、台座電極24の上面にAgペースト等の導電性接着剤51が塗布され、圧電振動片30の接続電極34を台座電極24に接着してから、台座電極24、外部電極26及び封止電極28並びに導電性接着剤51が焼成により焼結が行われてもよい。
金属膜15を有するリッド10は、ガラスベース20のキャビティ22の開口周縁部に金属膜15が当接するように配置し陽極接合する。陽極接合は、真空中又は不活性ガス中で、200°Cから400°Cに加熱しながら加圧して、リッド10の上面及びガラスベース20の裏面をマイナス電位に、リッド10の金属膜15をプラス電位にして、400Vの直流電圧を10分間印加して陽極接合技術により接合が行われる。陽極接合技術により圧電振動子100が形成される。
リッド10とガラスベース20との接合には、ガラスベース20のキャビティ22の開口周縁部の全周にエポキシ樹脂を塗布し、ガラス又はシリコンから成る平板状のリッド10を装着して接合することができる。キャビティ22の開口周縁部のエポキシ樹脂を常温で1〜2時間乾燥させた後、ガラスベース20にリッド10を配置して、真空中又は不活性ガス中で150°Cで加圧することにより、ガラスベース20のキャビティ22内が真空又は不活性ガス雰囲気に保持され気密封止される。
なお、ガラスベース20のキャビティ22の開口周縁部の全周に低融点ガラスペーストを塗布し、ガラスから成る平板状のリッド10を装着してキャビティ22の内部を気密封止してもよい。この場合、ガラスベース20及びリッド10の熱膨張率と同じ低融点ガラスペーストを用いるので、熱膨張などの際にリッド接合部におけるせん断破壊を防止することができる。
図1(b)に示されるように、ガラスベース20は、ホウケイ酸ガラスから成りキャビティ22内に圧電振動片30を搭載する。圧電振動片30は、ATカット水晶振動片で第1面及び第2面に励振電極35及び接続電極34を備える。圧電振動片30は、キャビティ22に形成された台座電極24に接続電極34を介して接合している。圧電振動片30は、音叉型水晶振動片であってもよい。
<圧電振動子100の製造工程>
図2ないし図3は、本実施形態に係る圧電振動子100の製造のフローチャートである。図2は、ガラスウエハからガラスベース20の台座電極24、外部電極26及び封止電極28を形成するフローチャートである。
図2のステップS10では、ホウケイ酸ガラスウエハ全体に耐蝕膜をスッパタリングもしくは蒸着などの手法により形成する。耐蝕膜は、Cr(クロム)層にAu(金)層を重ねた金属膜を使用する。耐蝕膜の上にフォトレジスト膜をスピンコートなどの手法で均一に塗布する。フォトレジスト膜には、例えば、ノボラック樹脂によるポジフォトレジストを使用する。
不図示の露光装置を用いて、フォトレジスト膜が塗布されたガラスウエハの上面にキャビティ22の外形フォトマスクのパターンを露光する。更に、ガラスウエハの裏面にスルーホールTHのパターンを露光する。ガラスウエハのフォトレジスト膜を現像して、感光したフォトレジスト膜を除去する。さらに、フォトレジスト膜から露出した金層をたとえば、ヨウ素とヨウ化カリウムの水溶液を用いて、金層をエッチングする。次いで、金層が除去されて露出したクロム層を、たとえば硝酸第2セリウムアンモニウムと酢酸との水溶液でエッチングする。水溶液の濃度、温度および水溶液に浸している時間を調整して余分な箇所が侵食されないようにする。これで耐蝕膜を除去することができる。
フッ酸溶液をエッチング液として、フォトレジスト膜および耐蝕膜から露出したガラスウエハを、キャビティ22の外形になるようにハーフエッチングを行う。不要となったフォトレジスト膜と耐蝕膜を除去することによりに、キャビティ22及びスルーホールTHが形成される。スルーホールTHは、裏面側の拡開量が大きい円錐形のスルーホールが形成される。
ステップS12では、ガラスウエハの第1面を下向きにして外部電極26部分以外をマスクしたガラスウエハの第2面に導電性ペースト50を塗布して、スルーホールTHに型を当接して吸引しながら台座電極24を形成する。スルーホールTHは導電性ペースト50で充填密封され、台座電極24とスルーホールTHの封止電極28と外部電極26とが一体に形成される。この台座電極24、外部電極26及び封止電極28の形成工程については、図4から図7を使って後述する。
ステップS14では、キャビティ22の台座電極24、外部電極26及び封止電極28を常温乾燥後、硬化処理又は焼成により焼結処理する。点線で示されるように、硬化処理又は焼成により焼結処理を行わずに台座電極24、外部電極26及び封止電極28を常温乾燥して仮硬化させた後、次工程に進めることも可能である。
ステップS16では、台座電極24の上面にAgペースト等の導電性接着剤51を塗布し、圧電振動片30の接続電極34を台座電極24に接着する。
ステップS18では、圧電振動片30の接続電極34と台座電極24とを接着した導電性接着剤51を焼結する。なお、ステップS14を行わなかった場合には、点線で示されるように、キャビティ22の台座電極24、外部電極26、封止電極28及び導電性接着剤51を同時に焼成により焼結する。
図3は、ガラスベース20とリッド10とを接合して圧電振動子100を製造するフローチャートである。ガラスベース20とリッド10とを接合する方法に3通りの方法があるため、ステップS20A−22A、ステップS20B−22B及びステップS20C−22Cとを別々に説明する。
図3のステップS20Aでは、ガラス又はシリコンから成る平板状のリッド10の片面周辺部にアルミニュウムから成る金属膜15をスパッタリング又は真空蒸着などの手法により形成する。リッド10は、ガラスベース20のキャビティ22の開口周縁部に金属膜15が当接するように配置する。その状態でステップS22Aに進む。
ステップS22Aでは、金属膜15を有するリッド10とガラスベース20とを真空中又は不活性ガス中で、200°Cから400°Cに加熱しながら加圧して、陽極接合する。陽極接合技術により圧電振動子100が形成される。その後ステップS24に進む。
別の接合方法として、ステップS20Bでは、ガラスベース20のキャビティ22の開口周縁部の全周に低融点ガラスペーストを塗布する。キャビティ22の開口周縁部のガラスベース20にガラス又はシリコンから成る平板状のリッド10を配置する。その状態でステップS22Bに進む。
ステップS22Bでは、リッド10が配置されたガラスベース20を真空中又は不活性ガス中で500°C以上に加熱することにより、低融点ガラスペーストが溶融してリッド10とガラスベース20とを接合する。低融点ガラスペーストから発生する微量のガスは、この加熱過程で排気される。ガラスベース20のキャビティ22内は、真空又は不活性ガス雰囲気に保持され気密封止される。その後ステップS24に進む。
別の接合方法として、ステップS20Cでは、ガラスベース20のキャビティ22の開口周縁部の全周にエポキシ樹脂を塗布する。エポキシ樹脂を常温で1〜2時間乾燥させた後、ガラスベース20にガラス又はシリコンから成る平板状のリッド10を配置する。その状態でステップS22Cに進む。
ステップS22Cでは、リッド10が配置されたガラスベース20を真空中又は不活性ガス中で150°Cで加熱、加圧することによりリッド10とガラスベース20とが接合する。エポキシ樹脂から発生する微量のガスは、この加熱過程で排気される。ガラスベース20のキャビティ22内は、真空又は不活性ガス雰囲気に保持され気密封止される。その後ステップS24に進む。
ステップS24では、ウエハ単位で圧電デバイスが複数形成されているので、ダイシングソーによりウエハから各圧電デバイスを切断分離する。圧電デバイスをウエハ単位で製造することができるので、製造工程において微小な部品を取り扱う必要がなくなり製造工程が簡略化される。
<台座電極24、外部電極26及び封止電極28の形成>
図4から図7は、台座電極24、外部電極26及び封止電極28の形成を説明する図である。
図4は、スクリーン印刷技術を用い台座電極24、外部電極26及び封止電極28を形成する印刷マスク5である。図4(a)はレジスト膜6側より見た印刷マスク5の部分平面図であり、説明のため仮想線でガラスベース20及び外部電極26(図1)の印刷パターン部分26aが点線で示されている。図4(b)は、(a)のC−C線における断面図であり、(a)と同様に説明のため仮想線でガラスベース20及び印刷パターン部分26aが点線で示されている。
図4(a)、(b)に示されるように、印刷マスク5の基本構造は、ステンレスなどの金属又は化学繊維からなる線状体を網目状に形成した網部9に外部電極26の印刷パターン部分26aを形成するためのレジスト膜6が形成された構造である。いわゆる一般的なスクリーン印刷に用いられる印刷マスク5であり、他の孔版印刷でもよい。
レジスト膜6は、高分子樹脂膜又は金属膜で形成される。金属膜は、Ni、Cr及びNi・Crなどをメッキ、蒸着又はスパッタリングで形成する。金属膜は印刷マスク5の耐久性を高めることができる。このレジスト膜6が形成された部分は導電性ペーストが通過せず、レジスト膜6が形成されていない部分は導電性ペーストが網部9を通過する。
図5は、台座電極24の形成のためガラスベース20のキャビティ22に挿入する型7(第1型7A、第2型7B)である。図5(a)は第1型7Aの部分正面図であり、図5(b)は(a)のD−D線における断面図である。図5(c)は第1型7Aとは別の型であり、台座電極金型43を備えた第2型7Bである。
図5(a)、(b)に示されるように、第1型7Aはキャビティ挿入部22aを備え、キャビティ挿入部22aに台座電極24を形成のための台座電極雌型24aが形成されている。台座電極雌型24aは、半球体の形状で底部の孔44を通じて吸引管45に接続する。吸引孔45は不図示の真空ポンプなどに接続される。キャビティ挿入部22aは、キャビティ22の大きさより一回り小さく形成されている。第1型7Aはウレタンゴムで形成される。
図5(c)に示されるように、第2型7Bは、キャビティ挿入部22aに台座電極24を形成のための台座電極金型43を備える。台座電極金型43を備えることで離型が容易になる効果が得られる。その他の部分の第2型7Bはウレタンゴムで形成される。台座電極金型43の台座電極雌型24aも、半球体の形状で底部の孔44を通じて吸引管45に接続する。
なお、台座電極雌型24aの形状は台座電極24の形状に合わせて適宜変更できる。図5に描かれたように半円球以外にも、矩形の台座形状であってもよい。
図6は、スクリーン印刷技術を用い台座電極24、外部電極26及び封止電極28を形成する説明図である。説明の都合上仮想線で、外部電極26の境界線の切断部40が示されている。
図6に示されるように、ガラスベース20の底面が上にキャビティ22側が下になるように配置される。そして第1型7Aのキャビティ挿入部22aがガラスベース20のキャビティ22に挿入される。キャビティ挿入部22aの台座電極雌型24aは、ガラスベース20のスルーホールTHに当接し密着する。印刷マスク5のレジスト膜6をガラスベース20側にして印刷マスク5をガラスベース20の底面に配置する。なお印刷マスク5には網部垂れを防ぎ、外部電極26との版離れをよくするため網部9に大きなテンションを掛けている。
印刷マスク5の上面側に導電性ペースト50が載せられる。そして、スキージ8が走行して導電性ペースト50を網部9から押し出していく。網部9の下面のレジスト膜6の膜厚が厚ければ導電性ペースト50の量が増える。スルーホールTHは、スキージ8の走行面側が拡開しているので導電性ペースト50が挿入されやすくなっている。台座電極雌型24a及びスルーホールTHは、吸引管45に接続された不図示の真空ポンプにより真空吸引され、スルーホールTH及び台座電極雌型24a内が導電性ペースト50により充填される。なお、真空ポンプによる吸引は導電性ペースト50の粘度に応じて適宜調整すればよく、必ずしも真空ポンプを使用しなくてもよい。
スキージ8は、通常ウレタンゴムなどの弾性体で形成されてゴム硬度は60〜90度程度(JIS K 6253)である。スキージ8を走行後、真空ポンプの吸引を停止し印刷マスク5を外す。所定時間経過後吸引管45からエアーを吹き込み、台座電極雌型24aと台座電極24との接着力をゆるめ第1型7Aの離型を容易にする。これにより、ガラスベース20に台座電極24、外部電極26及び封止電極28が形成される。なお、外部電極26の境界線の切断部40が出現し、ダイシング工程でウエハから個々の圧電デバイスを切断分離する目印になりダイシングが容易になる。
図5(c)に示された台座電極金型43を備えた第2型7Bを用いた場合には、離型時に台座電極金型43と第2型7Bとが容易に分離する。そのため離型時にエアーを吹き込むことが必ずしも必要ない。
図7は、ガラスベース20から印刷マスク5及び型7を取り除いた状態の断面図である。
図7に示されるように、ガラスベース20は、キャビティ22内に台座電極24が形成され、スルーホールTHに封止電極28が形成され、ガラスベース20の底部に外部電極26が形成される。スルーホールTHは封止電極28により封止される。なお、仮想線で、外部電極26の境界線の切断部40が示されている。外部電極26の境界線は、ダイシング工程でウエハから個々の圧電デバイスを切断分離する目印になる。
以上の工程により一度に台座電極24、外部電極26及び封止電極28が形成されるため、製造工程が簡略化され製造コストを低減することができる。
<ウエハの陽極接合の工程>
図8は、リッド用ウエハLWとキャビティ22内に圧電振動片30を搭載したベース用ウエハBWとを重ね合わせ陽極接合する説明図である。図8(a)はリッド用ウエハLWとベース用ウエハBWとを重ね合わせる前の斜視図であり、図8(b)は(a)のE−E線における側面断面図である。なお、パッケージ接合に陽極接合を行う説明用配線図を示す。説明の都合上仮想線でリッド用ウエハLWには個々のリッド10が示され、ベース用ウエハBWには個々のベース20が示されている。また説明の都合上リッド用ウエハLWには38個のリッド10が描かれているが、実際の製造に於いては、1枚のウエハに数百個から数千個のリッドが形成される。
図8(a)に示されるように、ガラス製のリッド用ウエハLWとベース用ウエハBWとからなる2枚のウエハの直径は、例えば4インチであり軸方向が特定できるように2枚のウエハの周辺部LWe及び周辺部BWeの一部に接続方向を特定するオリエンテーションフラットLWc及びBWcが形成されている。この2枚のウエハのオリエンテーションフラットを正確に位置合わせして重ね合わせる。
図8(b)に示されるように、重ね合わせる際には、リッド用ウエハLWにアルミニュウムから成る金属膜15がスパッタリング又は真空蒸着などの手法により形成されている。ベース用ウエハBWには、キャビティ22及びスルーホールTHがエッチングで形成されている。さらに台座電極24、外部電極26及び封止電極28が形成されている。この台座電極24には圧電振動片30が載置されている。
図8(b)に示されるように、リッド用ウエハLWとベース用ウエハBWとから成る2枚のウエハの接合に陽極接合を行う概略配線図を示す。圧電振動片30を備えたベース20は、ホウ珪酸ガラスなどを材料としており、これらはナトリウムイオンなどの金属イオンを含有するガラスである。リッド10は、裏面に金属膜15を備え、金属膜15はアルミニュウムで形成されている。なお、金属膜15はアルミニュウム以外に、下地のクロム層に金層を重ねた金属膜であってもよい。
重ね合わされた2枚のウエハは、真空中あるいは不活性ガス中で、200℃から400℃に加熱しながら加圧し、リッド用ウエハLWの上面及びベース用ウエハBWの裏面をマイナス電位に、リッド用ウエハLWの裏面の金属膜15をプラス電位にして、直流電源90を用いて400Vの直流電圧を10分間印加する。すると、パッケージ内が真空になった又は不活性ガスで満たされた圧電振動子100が形成される。
ところで、陽極接合は接合界面にある金属が酸化されるという化学反応により成立する。陽極接合させるときには、金属膜を陽極としガラス部材の接合面に対向する面に陰極を配置し、これらの間に電界を印加する。このことにより、ガラスに含まれているナトリウムなどの金属イオンが陰極側に移動し、この結果接合界面においてガラス部材に接触している金属膜が酸化され、両者が接続した状態が得られる。なお、本実施形態では、Alなどの所定の金属と所定の誘電体を接触させて加熱(200℃〜400℃程度)し、500V〜1kV程度の電圧を印加すると、金属とガラスが界面で化学結合する性質を利用した接合方法である。
陽極接合後、ウエハ単位で圧電デバイスが複数形成されているので、外部電極26の境界線の切断部40に沿ってダイシングソーによりウエハから個々の圧電デバイスに切断分離する。圧電デバイスをウエハ単位で製造することができるので、製造工程において微小な部品を取り扱う必要がなくなり製造工程が簡略化され製造コストを低減することができる。
なお、以上の説明ではリッド用ウエハLWがガラス製であったが、リッド用ウエハLWはシリコンなどの金属材料であってもよい。リッド用ウエハLWにシリコンが使用されれば金属膜15を形成する必要がなく、陽極接合を行うことができる。
さらに、ベース用ウエハBWとリッド用ウエハLWとがエポキシ樹脂などの接着剤で接合される場合にも、リッド用ウエハLWがガラス製であっても金属膜15を形成する必要がない。
さらに、ベース用ウエハBWとリッド用ウエハLWとが水晶材料で形成してもよい。ベース用ウエハBWとリッド用ウエハLWとが水晶材料であればシロキサン結合によりそれらを接合することができる。
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において上記各実施例に様々な変更・変形を加えて実施することができる。たとえば、図示されたAT振動片に代えて音叉型圧電振動片を用いることができる。また、ガラスベース20にはホウ珪酸ガラスを用いたが、パイレックス(登録商標)ガラス及びソーダガラスなどのガラス材料を用いることができる。
(a)は、図1(b)のA−A断面で圧電振動子100の断面構成図である。(b)は、(a)のB−B線における平面断面図である。 ガラスウエハからガラスベース20の台座電極24、外部電極26及び封止電極28を形成するフローチャートである。 ガラスベース20とリッド10とを接合して圧電振動子100を製造するフローチャートである。 (a)は、印刷マスク5の部分平面図である。 (b)は、(a)のC−C線における断面図である。 (a)は、型7の部分正面図である。 (b)は、(a)のD−D線における断面図である。 (c)は、(a)のD−D線における断面図で台座電極金型43を備えた型7Bである。 スクリーン印刷技術を用い台座電極24、外部電極26及び封止電極28を形成する説明図である。 ガラスベース20から印刷マスク5及び型7を取り除いた状態の断面図である。 (a)は、リッド用ウエハLWとベース用ウエハBWとを重ね合わせる前の斜視図である。(b)は、(a)のE−E線における側面断面図である。
符号の説明
5 …… 印刷マスク
6 …… レジスト膜
7,7B …… 型、43 …… 台座電極金型
8 …… スキージ
9 …… 網部
10 …… リッド
15 …… 金属膜
20 …… ガラスベース
22 …… キャビティ、22a …… キャビティ挿入部
24 …… 台座電極
26 …… 外部電極、26a …… 印刷パターン
28 …… 封止電極
30 …… 圧電振動片
34 …… 接続電極、35 …… 励振電極
40 …… 切断部
45 …… 吸引管
50 …… 導電性ペースト
51 …… 導電性接着剤
90 …… 直流電源
TH …… スルーホール
LW …… リッド用ウエハ
LWc,BWc …… オリエンテーションフラット
LWe,BWe …… ウエハ周辺部
BW …… ベース用ウエハ

Claims (6)

  1. 第1面に窪み部を有し、前記窪み部から前記窪み部とは反対側の第2面に貫通する貫通孔を有するベースを用意する工程と、
    前記第2面に導電性ペーストを塗布して、前記第2面上の外部電極とこの外部電極と導通する前記貫通孔の封止電極とこの封止電極と導通する前記窪み部内の台座電極とを、前記貫通孔に前記台座電極の形状の雌型を当接して吸引しながら形成する電極形成工程と、
    前記外部電極、前記封止電極及び前記台座電極を焼成する焼成工程と、
    焼成された前記台座電極に導電性接着剤で圧電振動片を配置する工程と、
    前記ベースにリッドを接合する接合工程と、
    を備えることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
  2. 第1面に窪み部を有し、前記窪み部から前記窪み部とは反対側の第2面に貫通する貫通孔を有するベースを用意する工程と、
    前記第2面に導電性ペーストを塗布して、前記第2面上の外部電極とこの外部電極と導通する前記貫通孔の封止電極とこの封止電極と導通する前記窪み部内の台座電極とを、前記貫通孔に前記台座電極の形状の雌型を当接して吸引しながら形成する電極形成工程と、
    前記台座電極に圧電振動片を配置する工程と、
    前記圧電振動片を配置した工程後に、前記外部電極、前記封止電極及び前記台座電極を焼成する焼成工程と、
    前記ベースにリッドを接合する接合工程と、
    を備えることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
  3. 前記電極形成工程は、前記第1面を下向きにして前記雌型を介して前記第2面に塗られる前記導電性ペーストを下方に吸引することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の圧電デバイスの製造方法。
  4. 前記ベースはベースウエハに複数配置されており、前記リッドはリッドウエハに複数配置されており、
    前記接合工程は、前記ベースウエハと前記リッドウエハとを接合し、
    接合した前記ベースウエハと前記リッドウエハとをダイシングするダイシング工程を備えることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。
  5. 圧電振動片を有する圧電デバイスにおいて、
    第1面に窪み部を有し、前記窪み部とは反対側の第2面に貫通する貫通孔を有するホウケイ酸ガラスからなるベースと、
    前記圧電振動片が載置される台座電極と、
    前記台座電極と導通するとともに前記貫通孔を封止する封止電極と、
    前記封止電極と導通するとともに前記第2面に形成される外部電極と、
    金属膜が一面に形成されたガラスからなり前記ベースに陽極接合されたリッドと、を備え、
    前記台座電極、前記封止電極及び前記外部電極が導電性ガラスペーストで一体に形成され、
    前記導電性ガラスペーストの耐熱温度は、前記ベースと前記リッドとが陽極接合される際の温度よりも高く、前記導電性ガラスペーストは前記ベースとほぼ同じ熱膨張係数を有することを特徴とする圧電デバイス。
  6. 圧電振動片を有する圧電デバイスにおいて、
    第1面に窪み部を有し、前記窪み部とは反対側の第2面に貫通する貫通孔を有するガラス材料からなるベースと、
    前記圧電振動片が載置される台座電極と、
    前記台座電極と導通するとともに前記貫通孔を封止する封止電極と、
    前記封止電極と導通するとともに前記第2面に形成される外部電極と、
    低融点ガラスで前記ベースに接合されたリッドと、を備え、
    前記台座電極、前記封止電極及び前記外部電極が導電性ガラスペーストで一体に形成され、
    前記導電性ガラスペーストの耐熱温度は、前記低融点ガラスの溶融温度よりも高く、前記導電性ガラスペーストは前記ベースとほぼ同じ熱膨張係数を有することを特徴とする圧電デバイス。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101946404A (zh) * 2008-02-18 2011-01-12 精工电子有限公司 压电振动器的制造方法、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟
JP5103297B2 (ja) * 2008-06-24 2012-12-19 セイコーインスツル株式会社 圧電振動子の製造方法
CN102257612A (zh) 2008-12-18 2011-11-23 精工电子有限公司 圆片及封装件制品的制造方法
TWI513668B (zh) 2009-02-23 2015-12-21 精工電子有限公司 玻璃密封型封裝的製造方法及玻璃基板
JP5538974B2 (ja) * 2010-03-26 2014-07-02 セイコーインスツル株式会社 電子デバイスパッケージの製造方法及び電子デバイスパッケージ
JP2012039237A (ja) * 2010-08-04 2012-02-23 Kge-Kun Kwoak 表面接着式マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム発振器の製造方法及びその構造
JP2012186532A (ja) 2011-03-03 2012-09-27 Seiko Instruments Inc ウエハ、パッケージの製造方法、及び圧電振動子
JP2012217155A (ja) * 2011-03-30 2012-11-08 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
JP2016154368A (ja) * 2011-03-30 2016-08-25 日本電波工業株式会社 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
US8704428B2 (en) * 2011-04-20 2014-04-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Widening resonator bandwidth using mechanical loading
JP2013027003A (ja) * 2011-07-26 2013-02-04 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電デバイス
KR101761818B1 (ko) * 2011-08-23 2017-08-04 삼성전자주식회사 전기음향 변환기 및 그 제조 방법
JP5845929B2 (ja) * 2012-01-27 2016-01-20 セイコーエプソン株式会社 ベース基板、電子デバイス、ベース基板の製造方法、及び電子デバイスの製造方法
JP6155551B2 (ja) * 2012-04-10 2017-07-05 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器および電子デバイスの製造方法
JP6336829B2 (ja) * 2014-06-19 2018-06-06 京セラ株式会社 配線基板、パッケージおよび電子機器
KR101670891B1 (ko) * 2014-08-08 2016-11-09 (주)파트론 수정 진동자 패키지 및 이의 제조 방법
US10277196B2 (en) * 2015-04-23 2019-04-30 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk acoustic wave resonator and method for manufacturing the same
WO2022172349A1 (ja) * 2021-02-10 2022-08-18 キヤノンアネルバ株式会社 化学結合法及びパッケージ型電子部品
CN115244852B (zh) * 2021-02-22 2026-01-06 京东方科技集团股份有限公司 压电元件、压电振动器及其制作和驱动方法、电子设备

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5030875A (en) * 1990-01-26 1991-07-09 Motorola, Inc. Sacrificial quartz crystal mount
JPH06343017A (ja) * 1993-04-09 1994-12-13 Citizen Watch Co Ltd 圧電振動子およびその製造方法
JPH07193294A (ja) * 1993-11-01 1995-07-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品およびその製造方法
JPH08125491A (ja) * 1994-10-28 1996-05-17 Kyocera Corp 圧電共振部品
JPH08162901A (ja) * 1994-11-30 1996-06-21 Kyocera Corp 圧電共振部品
JPH09107263A (ja) * 1995-10-09 1997-04-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品
JPH09181557A (ja) * 1995-12-25 1997-07-11 Murata Mfg Co Ltd 電子部品
JPH09186552A (ja) * 1995-12-28 1997-07-15 Kyocera Corp ラダー形圧電フィルター
JPH09237801A (ja) * 1996-02-29 1997-09-09 Noritake Co Ltd 電子部品収納用パッケージ
JPH1022773A (ja) * 1996-07-03 1998-01-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 振動子とその製造方法
JPH1032293A (ja) * 1996-07-17 1998-02-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の製造方法
JPH1154531A (ja) * 1997-07-31 1999-02-26 Nec Kansai Ltd セラミックパッケージ型圧電素子およびその製造方法
JP3451018B2 (ja) * 1998-07-31 2003-09-29 京セラ株式会社 水晶発振器
JP3374778B2 (ja) * 1999-02-25 2003-02-10 株式会社村田製作所 チップ型電子部品
JP3879816B2 (ja) * 2000-06-02 2007-02-14 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法、積層型半導体装置、回路基板並びに電子機器
JP2004129223A (ja) * 2002-07-31 2004-04-22 Murata Mfg Co Ltd 圧電部品およびその製造方法
US7034441B2 (en) * 2002-11-13 2006-04-25 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd Surface mount crystal unit and surface mount crystal oscillator
JP2004201285A (ja) * 2002-12-06 2004-07-15 Murata Mfg Co Ltd 圧電部品の製造方法および圧電部品
JP4221756B2 (ja) * 2002-12-27 2009-02-12 セイコーエプソン株式会社 圧電発振器およびその製造方法
JP3843983B2 (ja) * 2003-03-20 2006-11-08 セイコーエプソン株式会社 圧電振動子
JP3783235B2 (ja) * 2003-06-16 2006-06-07 セイコーエプソン株式会社 圧電発振器とその製造方法ならびに圧電発振器を利用した携帯電話装置および圧電発振器を利用した電子機器
JP2005130371A (ja) * 2003-10-27 2005-05-19 Seiko Epson Corp 圧電デバイス用パッケージおよび圧電デバイス
EP1641118B1 (en) * 2004-09-24 2010-04-21 Seiko Epson Corporation Piezoelectric resonator element and piezoelectric device
JP2007081613A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス及びその製造方法
JP4517992B2 (ja) * 2005-09-14 2010-08-04 セイコーエプソン株式会社 導通孔形成方法、並びに圧電デバイスの製造方法、及び圧電デバイス
JP2007181130A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Kyocera Kinseki Corp 圧電デバイス及びその製造方法
JP4940389B2 (ja) * 2007-01-19 2012-05-30 国立大学法人 名古屋工業大学 無鉛圧電磁器複合体及びこれを用いた圧電素子
JP2009182924A (ja) * 2008-02-01 2009-08-13 Epson Toyocom Corp 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法

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