JP5845929B2 - ベース基板、電子デバイス、ベース基板の製造方法、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明はベース基板、電子デバイス、ベース基板の製造方法、及び電子デバイスの製造方法に関するものである。

図１０に示すように、特許文献１には、ベース基板１０２とキャップ１０４により形成された内部空間に圧電振動片１０６を配置した圧電デバイス１００（電子デバイス）が開示されている。

この圧電デバイス１００は、ベース基板１０２に貫通孔１０８を形成し、この貫通孔１０８を貫通電極１１０により充填している。貫通電極１１０のベース基板１２の内面（上面）に露出した位置に搭載電極１１２が設けられている。また、圧電振動片１０６を、導電性接着剤１１４を用いて搭載電極１１２に機械的・電気的に接続している。そして、真空環境下で、キャップ１０４をベース基板１０２の上面に接合して圧電振動片１０６を気密封止している。よって、貫通電極１１０は圧電振動片１０６と電気的に接続されている。

上記構成において、貫通電極１１０は、ベース基板１０２の下面から搭載電極１１２が配置された上面に向かって断面の径が小さくなるテーパー形状となっている。これにより、真空封止に起因して貫通電極１１０に対して内部空間に引き込まれる力が作用しても、貫通電極１１０は、貫通孔１０８との楔効果により、貫通電極１１０の貫通孔１０８に対する嵌め込みが促進され、内部空間の気密封止を維持している。

図１１に示すように、特許文献２は、特許文献１と同様の圧電デバイス２００（電子デバイス）である。しかし、貫通孔２０２は、ベース基板１０２の厚み方向の中央部の断面の径が最も小さくなる鼓型の壁面を有している。この圧電デバイス２００は、貫通孔２０２の壁面とベース基板１０２の上面及び下面に互いに電気的に接続する電極２０４が設けられている。また、ベース基板１０２の上面から端子用の合金２０６を貫通孔２０２に設置して合金２０６を加熱溶融させることにより、貫通孔２０２を封止するとともに圧電振動片１０６と電極２０４を電気的に接続する貫通電極を形成している。そして、真空環境下でキャップ１０４をベース基板１０２の上面に接合することにより、圧電振動片１０６を気密封止している。

上記構成においても、内部空間は真空となっているが、貫通孔２０２のベース基板の下面側と合金２０６との間で上述の楔効果を奏し、内部空間の気密封止を維持している。

特開２００８−２５２８０５号公報 特開平６−２８３９５１号公報

一方、上述の圧電デバイスに代表される電子デバイスを小型化するためには、ベース基板の面積を小さくする必要がある。しかし、特許文献１の場合、貫通電極のベース基板の下面に露出する部分がベース基板の上面に露出する部分より大きくなるため、ベース基板の下面に配置する実装電極も必然的に大きな面積を有するものになる。また、特許文献２の場合、ベース基板１０２の下面の貫通孔２０２の周囲を囲む電極の大きさは、ベース基板１０２の上面の貫通孔２０２の周囲を囲む電極の大ききと同程度となる。よって、実装電極の配置パターンの自由度が低下して、顧客のニーズに対応しきれなくなるといった問題があった。

もちろん、貫通電極のベース基板の下面に露出した部分の一部を残してマスクをし、貫通電極の露出部分に新たな電極材料を埋め込んで実装電極を形成するという方法もあるが、低背化に不利な構造となるばかりか製造工程が増えてコストがかかるといった問題があった。

さらに、特許文献１、２の構成の場合、貫通電極と実装電極との界面、及び貫通電極と搭載電極との界面において、接合が不十分な場合、または経年劣化により、その界面を通じて外気がリークして圧電振動片に対する気密が破壊される虞がある。

そこで、本発明は上記問題点に着目し、製造工程を増やすことなく実装電極を小さく形成可能なベース基板、これを用いた電子デバイス、ベース基板の製造方法、及び電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態、または適用例として実現することが可能である。
第１の形態に係るベース基板の製造方法は、基板を貫通する貫通孔であって、前記貫通孔の前記基板の厚み方向の少なくとも一部において、前記基板の一方の面側より他方の面側の幅が小さい壁面を形成することにより、前記他方の面側の開口部の幅を前記一方の面側の開口部の内径より小さくした前記貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔内に設ける貫通電極と、前記一方の面に電子部品を搭載するための搭載電極と、前記他方の面に設ける実装電極と、をメッキにより一体的に形成する工程と、を含むことを特徴とする。
第２の形態に係るベース基板の製造方法は、第１の形態に係るベース基板の製造方法において、前記貫通孔を形成する工程を、レーザー、またはサンドブラストにより行うことを特徴とする。
本形態に係る電子デバイスの製造方法は、第１又は第２の形態に係る製造方法により製造された前記ベース基板上の前記搭載電極に電子部品を配置する工程と、前記電子部品を収容する蓋体を前記ベース基板に接合して、前記電子部品を封止する工程と、を含むことを特徴とする。
［適用例１］電子部品が搭載される搭載電極を有する搭載面、前記搭載面の裏面側となり実装電極を有する実装面、および前記搭載面と前記実装面との間を貫通する貫通孔を有する絶縁基板と、前記搭載電極と前記実装電極とを電気的に接続し、前記貫通孔を埋めている貫通電極と、を備え、前記貫通孔は、前記貫通孔の前記絶縁基板の厚み方向の少なくとも一部において、その内径が前記搭載面側よりも前記実装面側の方が小さいテーパー形状の壁面を有することにより、前記実装面側の開口部の内径が前記搭載面側の開口部の内径よりも小さくなっていることを特徴とするベース基板。

上記構成により、貫通電極は、貫通孔の内壁に倣ってテーパー状に形成される。よって、貫通電極の実装面側は、貫通電極の搭載面側より小さくなるので、貫通電極の実装面に露出した部分に形成する実装電極を小さく形成することができる。したがって、製造工程を増やすことなく実装電極を小さく形成可能なベース基板となる。

［適用例２］前記搭載電極、前記貫通電極及び前記実装電極は、一体的であることを特徴とする適用例１に記載のベース基板。
上記構成により、貫通孔の実装面側が搭載面側よりも早く埋まるので、少ないメッキ量で実装電極の平坦性を確保して、高品質化を図ることができる。また、ベース基板の搭載面側が真空封止されても、実装電極が貫通電極を支持することになるので、貫通電極の気密性を維持することができる。そして、搭載電極、貫通電極、実装電極は、一体的に形成されているので、製造工程を削減してコストを抑制するとともに、各電極同士の間に界面は存在せず、界面を通じた気密破壊を回避することができる。

［適用例３］適用例１または２に記載のベース基板の前記搭載電極に電子部品を配置し、蓋体を前記ベース基板に接合することで前記電子部品を封止してなることを特徴とする電子デバイス。
上記構成により、適用例１と同様の理由により、製造工程を増やすことなく実装電極を小さく形成可能とし、気密性を確保した電子デバイスとなる。

［適用例４］絶縁基板を貫通する貫通孔であって、前記貫通孔の前記絶縁基板の厚み方向の少なくとも一部において、前記絶縁基板の一方の面側より他方の面側の内径が小さいテーパー形状となる壁面を形成することにより、前記他方の面側の開口部の内径を前記一方の面側の開口部の内径より小さくした前記貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔内に設ける貫通電極と、前記一方の面に電子部品を搭載するための搭載電極と、前記他方の面に設ける実装電極と、を一体的に形成する工程と、を含むことを特徴とするベース基板の製造方法。
上記方法により、適用例１、２と同様の理由により、製造工程を増やすことなく実装電極を小さく形成可能なベース基板を製造することができる。

［適用例５］前記一体的に形成する工程を、メッキにより行なうことを特徴とする適用例４に記載のベース基板の製造方法。
上記方法により、搭載電極、貫通電極、実装電極を一回のメッキ工程により形成することができるので、製造工程を削減してコストを抑制するとともに、各電極同士の間に界面は存在せず、界面を通じた気密破壊を回避することができる。

［適用例６］前記貫通孔を形成する工程を、レーザー、またはサンドブラストにより行うことを特徴とする適用例４または５に記載のベース基板の製造方法。
上記方法により、貫通孔を容易に形成することができる。

［適用例７］適用例４乃至６のいずれか１例に記載の製造方法により製造された前記ベース基板上の前記搭載電極に電子部品を配置する工程と、前記電子部品を収容する蓋体を前記ベース基板に接合して、前記電子部品を封止する工程と、を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。

上記方法により、適用例１、２と同様の理由により、製造工程を増やすことなく実装電極を小さく形成可能とし、気密性を確保した電子デバイスを製造することができる。

本実施形態の圧電デバイスの断面図である。 本実施形態のベース基板の平面図である。 本実施形態のベース基板の底面図である。 本実施形態のベース基板の製造工程（その１）を示す図である。 本実施形態のベース基板の製造工程（その２）を示す図である。 本実施形態の圧電デバイスの変形例の断面図である。 本実施形態のベース基板の変形例の平面図である。 本実施形態の貫通孔の変形例の断面図である。 本実施形態の貫通電極等の変形例の断面図である。 特許文献１に記載の圧電デバイスの模式図である。 特許文献２に記載の圧電デバイスの模式図である。

以下、本発明を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。

図１に、本実施形態の圧電デバイスの断面図を示す。また、図２に、本実施形態のベース基板の平面図を示し、図３に、本実施形態のベース基板の底面図を示す。

本実施形態の圧電デバイス１０（電子デバイス）は、ベース基板１２と、ベース基板１２に搭載される圧電振動片３２と、ベース基板１２に接合されるとともに圧電振動片３２（電子部品）を気密封止するキャップ４０と、により構成されている。

圧電振動片３２は、水晶等の圧電材料により形成され、音叉型振動片、双音叉型振動片、ＡＴカット水晶基板による厚みすべり振動片、ＳＡＷ共振片、ジャイロ振動片等を適用することができる。圧電振動片３２は、基端３４が導電性接着剤３８によりベース基板１２に接合されて固定端となり、先端３６が自由端となり、片持ち支持状態でベース基板１２に支持されている。

詳細は図示しないが、圧電振動片３２の振動部には、振動部を固有の共振周波数で振動させる一対の励振電極が設けられている。また、各励振電極からは引出電極が引き出され、各引出電極は圧電振動片３２の基端３４の下面にまで延出している。

ベース基板１２は、セラミック等の絶縁基板により形成され、圧電振動片３２を搭載する搭載面１４と、搭載面１４の裏面であって実装先の基板（不図示）に接合する実装面１６と、を有する。

ベース基板１２には、貫通孔１８（図４（ｂ）参照）が設けられている。貫通孔１８（１８Ａ、１８Ｂ）は、ベース基板１２の厚み方向の断面形状が円形となる内壁を有し、搭載面１４から実装面１６までの間で、内径が単調に小さくなるテーパー形状の壁面を有している。よって、貫通孔１８において、実装面１６側の開口部の内径が搭載面１４側の開口部の内径よりも小さくなっている。

この貫通孔１８は、搭載面１４側から研削用のレーザーの照射、あるいはサンドブラストにより形成される。レーザー照射及びサンドブラストは、ベース基板１２の深さ方向のみならず、基板表面に平行な方向にもベース基板１２の加工を進行させる。よって、レーザー照射及びサンドブラストを搭載面１４側から行なうと、搭載面１４側の方が実装面１６側より前記平行な方向の加工が進行するので、結果的に実装面１６側の内径が搭載面１４側の内径よりも小さくなるテーパー形状の貫通孔１８が形成される。

本実施形態において貫通孔１８は、平面視でベース基板１２の対角線上の２箇所に設けられている。このうち、貫通孔１８Ａは、上述の引出電極（不図示）の真下となる位置に設けられている。また貫通孔１８Ｂは、圧電振動片３２の先端３６側となる位置に設けられている。

貫通孔１８内には貫通電極２０（２０Ａ，２０Ｂ）が埋め込まれている。貫通電極２０は、貫通孔１８の内壁に倣って外形が形成され、搭載面１４側及び実装面１６側に露出している。よって、貫通電極２０の実装面１６に露出した部分の直径は、貫通電極２０の搭載面１４に露出した部分の直径よりも小さくなっている（図２、図３参照）。

ベース基板１２の搭載面１４には、搭載電極２２（２２Ａ，２２Ｂ）が設けられている。搭載電極２２は、圧電振動片３２の下面に引き出された引出電極（不図示）に対向する位置に設けられている。このうち、搭載電極２２Ａは、貫通電極２０Ａの搭載面１４に露出した部分を覆うように設けられている。そして搭載電極２２Ａ上には、導電性接着剤３８が塗布され、この導電性接着剤３８が圧電振動片３２の引出電極（不図示）の一方に接合することで、搭載電極２２Ａと引出電極（不図示）の一方とが電気的に接続される。

一方、貫通電極２０Ｂの搭載面１４に露出した位置には、接続電極２４が設らけれている。そして、搭載電極２２Ｂ（図２）からは、引き回し電極２２Ｂａが延出し接続電極２４に接続している。搭載電極２２Ｂ上には導電性接着剤３８が塗布され、この導電性接着剤３８が引出電極（不図示）の他方と接合することで、搭載電極２２Ｂと引出電極（不図示）の他方とが電気的に接続される。

ベース基板１２の実装面１６の貫通電極２０が露出した位置には実装電極２６（２６Ａ、２６Ｂ）が設けられている。実装電極２６Ａは、貫通電極２０Ａの実装面１６に露出した部分を覆うように設けられ、実装電極２６Ｂは、貫通電極２０Ｂの実装面１６に露出した部分を覆うように設けられている。しかし、貫通電極２０の実装面１６に露出した部分の直径は搭載面１４に露出した部分より小さいので、実装電極２６の寸法を小さく設計することができる。よって、ベース基板１２の面積を小さくしても実装電極２６の配置パターンの自由度を損なうことはない。

実装電極２６のうち、実装電極２６Ａは、貫通電極２０Ａ、搭載電極２２Ａ、及び導電性接着剤３８を介して引出電極（不図示）の一方と電気的に接続する。一方、実装電極２６Ｂ（図３）は、貫通電極２０Ｂ、接続電極２４、引き回し電極２２Ｂａ、搭載電極２２Ｂ、及び導電性接着剤３８を介して引出電極（不図示）の他方と電気的に接続する。したがって、実装電極２６に交流電圧を印加することにより、圧電振動片３２の振動部（不図示）は固有の共振周波数で振動する。

実装電極２６は、実装先の基板（不図示）に設けられた接続電極（不図示）に接合される。本実施形態では、実装電極２６は実装面１６に２つ設ければ十分であるが、実装先に安定的に接合させるため実装電極２６と同一形状のダミー電極２８が実装面１６に設けられ、このダミー電極２８を実装先の基板（不図示）の電極（不図示）に接合している。

貫通孔１８の内壁、搭載電極２２の形成位置、実装電極２６の形成位置等にはシード電極３０が設けられている。シード電極３０は、後述のようにスパッタ等により形成され、メッキ用の電極として用いられる。そして、シード電極３０上に貫通電極２０、搭載電極２２、引き回し電極２２Ｂａ、接続電極２４、及び実装電極２６が成長している。なお、上記各種電極は、Ｃｕ（銅）等の伝導率の高い金属により形成されている。

キャップ４０（蓋体）は、金属により形成され、下面が開口した凹部を有し、この凹部に圧電振動片３２が収容可能となっている。キャップ４０の下面を搭載面１４に接合することにより、圧電振動片３２を収容し、かつ圧電振動片３２を気密封止（真空封止）する。

なお、詳細は図示しないが、ベース基板１２のダミー電極２８に対応する位置に貫通電極を設け、貫通電極の搭載面１４に露出した位置に接続電極を設け、この接続電極をキャップ４０に接続するようにしてもよい。これにより、ダミー電極２８を接地してキャップ４０を接地させ、圧電振動片３２に対する外部からの電気的な干渉を回避することができる。

図４、図５に、本実施形態のベース基板の製造工程を示す。次に本実施形態のベース基板１２の製造工程について説明する。図４（ａ）に示すように、ベース基板１２と同一寸法の基板母材４２を用意し、図４（ｂ）に示すように、基板母材４２の搭載面１４となる側からレーザー照射またはサンドブラストによりテーパー形状の貫通孔１８を形成する。

図４（ｃ）に示すように、スパッタ等の方法を用いて基板母材４２の表面にＣｕ（銅）等の金属のシード電極３０を形成する。このとき、貫通孔１８はテーパー状に形成されているため、スパッタを用いても貫通孔１８の内壁に容易にシード電極３０を形成することができる。なお、図４（ｃ）において、シード電極３０は全て繋がっているものとする。

図４（ｄ）に示すように、シード電極３０上の貫通電極２０、搭載電極２２、引き回し電極２２Ｂａ（図４では不図示）、接続電極２４（図４では不図示）、実装電極２６、ダミー電極２８に対応する位置を除いてレジスト膜４４を形成する。

図４（ｅ）に示すように、シード電極３０及びレジスト膜４４を形成した基板母材４２を、Ｃｕ（銅）等の金属メッキ材料の電解液に投入してシード電極３０に電界を印加する。このときシード電極３０は、電極形成部分以外の部分で露出させておき、その部分に電界印加用のケーブル（不図示）を接続しておく。すると、シード電極３０が露出した部分で、電極材料が成長してゆく。図４（ｅ）においては、貫通電極２０を形成する電極材料は未だ厚みが薄いので、貫通電極２０の搭載面１４側及び実装面１６側が未だ開口しており、実装電極２６及び搭載電極２２等は、未だ中央部に孔を有することになる。

図５（ａ）に示すように、電極材料の成長が進行すると、貫通電極２０の実装面１６側の開口した部分が塞がり、実装電極２６の中央部にあった孔も塞がることになる。しかし、搭載電極２２の中央部で開口した凹部４６が残ることになる。

図５（ｂ）に示すように、電極材料の成長が図５（ａ）の場合よりも進行すると、貫通孔１８が貫通電極２０を形成する電極材料により埋まり始め、凹部４６の直径及び深さが小さくなっていく。

図５（ｃ）に示すように、電極材料の成長が図５（ｂ）の場合よりも進行すると、貫通孔１８が貫通電極２０を形成する電極材料により完全に埋まり、凹部４６も消滅する。
そして、図５（ｄ）に示すように、レジスト膜４４を除去し、図５（ｅ）に示すように、シード電極３０の電極材料が成長した部分以外の部分を、エッチング等を用いて除去することによりベース基板１２が得られる。

ベース基板１２の搭載電極２２Ａ，２２Ｂに導電性接着剤３８を塗布し、導電性接着剤３８と引出電極（不図示）を接合する形で圧電振動片３２をベース基板１２に支持させ、真空環境下でキャップ４０を搭載面１４に接合することにより圧電デバイス１０が得られる。

本実施形態のベース基板１２の製造方法は、一回のメッキ工程で、貫通電極２０、搭載電極２２、引き回し電極２２Ｂａ、接続電極２４、実装電極２６、ダミー電極２８を一体で形成することができる点が大きなメリットである。したがって、製造工程を増やすことなくこれらの電極を形成することができるのでコストを抑制することができる。さらに貫通電極２０、搭載電極２２、接続電極２４、及び実装電極２６は、一体で形成されるので電極間での接触抵抗が低減される。また、貫通孔１８が上述のようにテーパー形状を有するため、貫通孔１８の実装面１６側が搭載面１４側よりも早く埋まるので、少ないメッキ量で実装電極２６の平坦性を確保して、高品質化を図ることができる。

本実施形態では、貫通電極２０が実装面１６から搭載面１４に向かって断面の直径が大きくなる形状を有している。よって、搭載面１４とキャップ４０により形成された内部空間が真空となっている場合は、貫通電極２０が内部空間側に引き寄せられるとも思われる。

しかし、本実施形態では、貫通電極２０と実装電極２６が一体に形成され、実装電極２６が貫通電極２０を支持する形となるので、貫通電極２０が内部空間側に引き寄せられることはなく、内部空間の気密性が低下することはない。そして、搭載電極２２、貫通電極２０、実装電極２６は、一体的に形成されているので、製造工程を削減してコストを抑制するとともに、各電極同士の間に界面は存在せず、界面を通じた気密破壊を回避することができる。

図６に、本実施形態の圧電デバイスの変形例の断面図を示し、図７に、本実施形態のベース基板の変形例の平面図を示す。変形例の圧電デバイス１０Ａ（電子デバイス）の基本構成は、図１の圧電デバイス１０と共通するが、キャップ４０の代わりに側壁部４８とリッド５２（蓋体）を用いている。側壁部４８は、ベース基板１２と同一の材料で形成され、矩形のリング形状を有している。そして、側壁部４８の下面が搭載面１４の周縁となる位置に接合されている。よって側壁部４８の上面は搭載面１４よりも高くなっており、側壁部４８及び搭載面１４により圧電振動片３２を収容する凹部５０が形成される。

リッド５２は、金属により形成され、側壁部４８の上面に接合して圧電振動片３２を気密封止している。なお、側壁部４８の上面に露出するとともに側壁部４８及びベース基板１２を連通し、ダミー電極２８に接続する貫通電極（不図示）を形成し、リッド５２を、ダミー電極２８を介して接地できるようにしてもよい。

変形例の圧電デバイス１０Ａの組立は、搭載面１４に側壁部４８を接合し、圧電振動片３２を搭載電極２２Ａ、２２Ｂに接続したのちにリッド５２を側壁部４８に接合する工程となる。よって、圧電振動片３２を側壁部４８の内側（凹部５０）に配置して、圧電振動片３２の気密封止時に接触等により圧電振動片３２を破損させる虞を回避することができる。

図８に、本実施形態の貫通孔の変形例の断面図を示し、図９に、本実施形態の貫通電極等の変形例の断面図を示す。本実施形態において、貫通孔１８は、ベース基板１２の厚み方向の全域にわたって壁面が傾斜したテーパー形状の壁面を有している。しかし、本発明における貫通孔は、ベース基板１２の厚み方向の少なくとも一部において、その内径が搭載面１４側よりも実装面１６側の方が小さいテーパー形状の壁面を有していればよい。そして、実装面１６側の開口部の内径が搭載面１４側の開口部の内径よりも小さくなっていればよい。

すなわち、変形例の貫通孔５４のように、ベース基板１２の搭載面１４側に円筒形の壁面５４ａを有し、実装面１６側においても円筒形の壁面５４ｃを有し、壁面５４ａ、５４ｃとの間にテーパー形状の壁面５４ｂを有するものしてもよい。

ベース基板１２をセラミックで形成する場合、焼結前のベース基板１２の焼結材料に型を用いて壁面５４ａ、５４ｃを壁面として有する２つの凹部を形成する。焼結材料を焼結させたのち、壁面５４ａからレーザー照射、またはサンドブラストにより壁面５４ａを有する凹部の底面から、壁面５４ｃを有する凹部の底面までを貫通させ、壁面５４ａと壁面５４ｃとの間に壁面５４ｂを形成することにより貫通孔５４を形成することができる。または、焼結前のベース基板１２の焼結材料に型を用いて壁面５４ａ、５４ｂ、５４ｃを形成する型を押し付け、焼結材料を焼結させることにより貫通孔５４を形成することもできる。

図９に示すように、貫通孔５４の壁面と貫通孔５４を包含するベース基板１２の両面の領域にシード電極３０を配置し、シード電極３０を用いたメッキにより貫通電極５６、搭載電極２２、実装電極２６を一体的に形成することができる。なお、シード電極３０をスパッタで形成する場合、スパッタのターゲットに対するベース基板１２の向きをシード電極３０の形成途中で変更させる等の制御を行なうことにより、壁面５４ａ、５４ｃへのシード電極３０の形成が可能となる。また、スパッタのベース基板に対するメッキの成長過程は図４、図５と同様である。そして、一体的に形成された貫通電極５６、搭載電極２２、実装電極２６の作用効果は、上述のように一体的に形成された貫通電極２０、搭載電極２２、実装電極２６の作用効果と同様である。

なお、本実施形態において、貫通電極２０、搭載電極２２、実装電極２６を一体で形成する旨説明したが、電極間の接合強度を維持できる限り、または電極間の接触抵抗が無視できるほど小さい場合は、これらの電極を一体ではなく、別々の工程で形成してもよい。

１０………圧電デバイス、１２………ベース基板、１４………搭載面、１６………実装面、１８，１８Ａ，１８Ｂ………貫通孔、２０………貫通電極、２２，２２Ａ，２２Ｂ………搭載電極、２４………接続電極、２６………実装電極、２８………ダミー電極、３０………シード電極、３２………圧電振動片、３４………基端、３６………先端、３８………導電性接着剤、４０………キャップ、４２………基板母材、４４………レジスト膜、４６………凹部、４８………側壁部、５０………凹部、５２………リッド、５４………貫通孔、５６………貫通電極、１００………圧電デバイス、１０２………ベース基板、１０４………キャップ、１０６………圧電振動片、１０８………貫通孔、１１０………貫通電極、１１２………搭載電極、１１４………導電性接着剤、２００………圧電デバイス、２０２………貫通孔、２０４………電極、２０６………合金。

Claims (3)

1. 絶縁基板を貫通する貫通孔であって、前記貫通孔の前記絶縁基板の厚み方向の少なくとも一部において、前記絶縁基板の一方の面側より他方の面側の内径が小さいテーパー形状となる壁面を形成することにより、前記他方の面側の開口部の内径を前記一方の面側の開口部の内径より小さくした前記貫通孔を形成する工程と、
   前記貫通孔内に設ける貫通電極と、前記一方の面に電子部品を搭載するための搭載電極と、前記他方の面に設ける実装電極と、をメッキにより一体的に形成する工程と、
   を含むことを特徴とするベース基板の製造方法。
2. 前記貫通孔を形成する工程を、レーザー、またはサンドブラストにより行うことを特徴とする請求項１に記載のベース基板の製造方法。
3. 請求項１又は２に記載の製造方法により製造された前記ベース基板上の前記搭載電極に電子部品を配置する工程と、
   前記電子部品を収容する蓋体を前記ベース基板に接合して、前記電子部品を封止する工程と、
   を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。

Images