JP4853374B2

JP4853374B2 - 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体

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Publication number: JP4853374B2
Application number: JP2007119416A
Authority: JP
Inventors: 伸明松岡; 隆浩橋本; 勝裕土屋; 伸一林; 林田　　安
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2007-04-27
Filing date: 2007-04-27
Publication date: 2012-01-11
Anticipated expiration: 2027-04-27
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Description

本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に対してレジスト液の塗布処理や、露光後の現像処理等を行う塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体に関する。

半導体デバイスやＬＣＤ基板の製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術により、基板に対してレジストパターンの形成が行なわれている。この技術は、例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）などの基板に、レジスト液を塗布して当該ウエハの表面に液膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行なうことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われている。

このような処理は、一般にレジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成装置を用いて行われるが、塗布、現像装置の処理速度をさらに増大させるため、露光処理前のモジュールを収納するエリアと、露光処理後のモジュールを収納するエリアとを上下に配置し、夫々のエリアに搬送手段を設けることにより、搬送手段の負荷を軽減して搬送効率を高め、これにより塗布、現像装置のスループットを向上させる構成が特許文献１に提案されている。

この技術は、例えば図１９に示すように、キャリアブロックＳ１と処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３とをこの順序で横方向に接続して設けると共に、前記処理ブロックＳ２は、現像処理を行なう現像ブロックＢ１，Ｂ２と、レジスト液の塗布処理を行う塗布ブロックＢ４と、レジスト液の塗布の前後に夫々反射防止膜の形成を行なう反射防止膜形成ブロックＢ３，Ｂ５とを互いに積層して構成されている。前記処理ブロックＳ２の各ブロックＢ１〜Ｂ５には、現像処理やレジスト液の塗布処理、反射防止膜形成用の薬液の塗布処理等の液処理を行なうための液処理部と、前記液処理の前後の処理を行う処理ユニットを多段に配列した棚ユニットと、液処理部と棚ユニットの各部との間でウエハＷの搬送を行なう搬送手段Ａ１〜Ａ５とが設けられると共に、各ブロックＢ１〜Ｂ５同士の間でのウエハＷの受け渡しを行なう専用の受け渡しアームＤ１，Ｄ２が設けられている。

そしてキャリアブロックＳ１に設けられたトランスファーアームＣにより処理ブロックＳ２にウエハＷを搬送し、搬送手段Ａ１〜Ａ５と受け渡しアームＤ１，Ｄ２とを用いてウエハＷを所定の処理ユニットに搬送することにより、これらトランスファーアームＣ、搬送手段Ａ１〜Ａ５、受け渡しアームＤ１，Ｄ２の負担を軽減し、装置全体のスループットの向上を図っている。

このような装置では例えば１８０枚／ｈｒ程度のスループットを確保することができるが、市場では２００枚／ｈｒ〜２５０枚／ｈｒ程度のさらなる高スループット化を図る装置が要請されており、本発明者らはこのような高いスループットを確保した装置の開発について検討している。

ところで上述の装置では、前記現像ブロックＢ１，Ｂ２に夫々設けられた前記棚ユニットには、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングモジュールなどと呼ばれている加熱ユニットや、加熱ユニットにおける処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための冷却ユニット、現像処理後のウエハＷを水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングモジュール等と呼ばれている加熱ユニット、この加熱ユニットにおける処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための温調ユニット等の処理ユニットが含まれている。

例えば前記加熱ユニットとしては、例えば加熱プレートと冷却プレートとを備え、この冷却プレートによってメインアームＡ１，Ａ２と加熱プレートとの間においてウエハＷの受け渡しを行なう、加熱と冷却とを一つのユニット内において行なうタイプの装置が用いられている。この際、この加熱ユニットに対しては、現像ブロックＢ１，Ｂ２のメインアームＡ１，Ａ２によりウエハＷを受け渡しと、加熱処理後のウエハＷの受け取りとが行われている。

ところで現像ブロックＢ１，Ｂ２では、レジスト液の塗布ブロックＢ４等に比べて、既述のように現像処理の前後にウエハＷに対して処理を行う処理ユニットの個数が多く、このためこれら処理ユニットや現像処理ユニットに対してウエハＷの受け渡しを行うメインアームＡ１，Ａ２の負担が大きい。この結果、他のブロックＢ３〜Ｂ５に対して現像ブロックＢ１，Ｂ２の処理速度が律速となり、これが装置全体のスループットを低下させる要因となっていると考えられる。このため本発明者らは現像ブロックＢ１，Ｂ２のスループットを向上させることによって、装置全体の高スループット化を図ることを検討している。

特開２００６−２０３０７５号公報

本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、塗布、現像装置において、スループットの向上を図ることができる技術を提供することにある。

このため本発明の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して、このキャリアブロックの後段側に設けられた塗布膜形成用の単位ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、この塗布膜形成用の単位ブロックの後段側に設けられたインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を、前記塗布膜形成用の単位ブロックに積層されると共に、前記インターフェイスブロックからキャリアブロックに向かう基板の搬送路を備えた現像処理用の単位ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
前記現像処理用の単位ブロックには、基板に対して現像処理を行なう現像モジュールと、現像処理の前後に基板に対して熱処理を行う加熱モジュールと、前記熱処理後の基板に対して冷却処理を行う冷却モジュールと、これらモジュールに対して基板の受け渡しを行なうための基板搬送手段と、が設けられ、
前記加熱モジュールは、
水平軸のまわりに回動し、回動軸が互いに平行になるように前後に配置された一対の回動体と、
これら回動体の間に架け渡されて周回軌道に沿って移動し、互いの離間距離が基板の幅よりも大きい一対のタイミングベルトと、
前記一対のタイミングベルトにその両端が夫々接続されると共に各々前記回動軸と平行に伸び、その上に基板を載置して基板の搬送路に沿って搬送するために、搬送路に沿って互に離間して配置した複数の搬送部材であるワイヤと、
前記搬送路の上流端に設けられ、前記基板搬送手段とワイヤとの間で基板の受け渡しを行なうための搬入用受け渡し部と、
前記搬送路の上流端と下流端との間にて基板の搬送路の下方側及び上方側に夫々設けられた、基板を加熱するための第１の熱板及び第２の熱板と、
前記熱板の下流側に設けられ、前記基板搬送手段とワイヤとの間で基板の受け渡しを行うための搬出用受け渡し部を構成し、前記熱板により加熱された基板をその上に載置して冷却するための冷却プレートと、
この冷却プレートを前記ワイヤよりも下方位置と上方位置との間で昇降させるための昇降機構と、を備え、
前記冷却プレートには、ワイヤの配列に対応してワイヤに沿って伸びる溝部が形成され、前記冷却プレートが上昇して前記溝部内にワイヤが潜り込み、これによりワイヤ上の基板が当該冷却プレート上に受け渡されることを特徴とする。

また前記タイミングベルトを前記周回軌道に沿って移動させるために、前記一対の回動体の少なくとも一方を回転駆動させるためのモータを備えるものとして構成することができ、さらに前記搬送路部材のタイミングベルトは、少なくともその外表面に、Ｎ極とＳ極とが交互に配列される電磁石が設けられるものとして構成し、前記タイミングベルトを前記周回軌道に沿って移動させるための、Ｎ極とＳ極とが交互に配列されると共に磁性の切り替えが行われる駆動電磁石を備えるものとして構成することができ、このような構成では電磁石の反発作用により前記タイミングベルトは駆動電磁石により非接触で駆動される。

ここで、基板を下方側から加熱するために搬送路部材の下方側に設けられた第１の熱板と、基板を上方側から加熱するために、前記第１の熱板と対向するように設けられた第２の熱板と、を備えるように構成してもよいし、前記搬送路部材の移動方向から見て左右側の一方に設けられ、第１の熱板と第２の熱板との間にガスを吐出して前記基板の幅をカバーできる幅の気流を形成するためのガス吐出部と、前記搬送路部材の移動方向から見て左右側の他方に設けられ、前記第１の熱板と第２の熱板との間からガスを吸引するための基板の幅をカバーできる幅に形成された吸引排気口と、を備えるように構成してもよい。

前記基板搬送手段は、前記搬入用受け渡し部に基板を受け渡すための搬入用基板搬送手段と、前記搬出用受け渡し部から基板を受け取るための搬出用基板搬送手段と、を備えるものであってもよい。また前記現像処理用の単位ブロックは、前記加熱モジュールと、現像処理を行う前の基板に対して処理を行なう複数個の前処理モジュールと、現像処理を行った後の基板に対して処理を行なう複数個の後処理モジュールと、を備えた棚ユニットを備え、この棚ユニットは、現像処理用の単位ブロックの基板の搬送路を介して現像モジュールと対向するように設けられると共に、前記加熱モジュールは、この加熱モジュールの搬送路部材により形成される搬送路が、現像処理用の単位ブロックの基板の搬送路に沿うように、かつ前記搬入用受け渡し部がインターフェイスブロック側、前記搬出用受け渡し部がキャリアブロック側に夫々位置するように設けられることが好ましい。

また本発明の塗布、現像方法は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して、このキャリアブロックの後段側に設けられた塗布膜形成用の単位ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、この塗布膜形成用の単位ブロックの後段側に設けられたインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を、前記塗布膜形成用の単位ブロックに積層されると共に、前記インターフェイスブロックからキャリアブロックに向かう基板の搬送路を備えた現像処理用の単位ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像方法において、
前記現像処理用の単位ブロックには、基板に対して現像処理を行なう現像モジュールと、現像処理の前後に基板に対して熱処理を行う加熱モジュールと、前記熱処理後の基板に対して冷却処理を行う冷却モジュールと、これらモジュールに対して基板の受け渡しを行なうための基板搬送手段と、が設けられ、
前記加熱モジュールは、水平軸のまわりに回動し、回動軸が互いに平行になるように前後に配置された一対の回動体と、
これら回動体の間に架け渡されて周回軌道に沿って移動し、互いの離間距離が基板の幅よりも大きい一対のタイミングベルトと、
前記一対のタイミングベルトにその両端が夫々接続されると共に各々前記回動軸と平行に伸び、その上に基板を載置して基板の搬送路に沿って搬送するために、搬送路に沿って互に離間して配置した複数の搬送部材であるワイヤと、を備え、
前記搬送路の上流側に設けられた搬入用受け渡し部を介して前記基板搬送手段から基板をワイヤの上に受け渡す工程と、
次いで前記ワイヤにより基板を下流側に移動させ、基板の搬送路の下方側及び上方側に夫々設けられた第１の熱板及び第２の熱板により当該基板に対して熱処理を行う工程と、
次いで前記ワイヤにより基板を前記熱板の下流側に位置する搬出用受け渡し部の上方に移動させる工程と、
続いてワイヤの配列に対応してワイヤに沿って伸びる溝部が形成された、搬出用受け渡し部を構成する冷却プレートをワイヤの下方側から上昇させて前記溝部内にワイヤを潜り込ませ、これによりワイヤ上の基板を当該冷却プレート上に受け渡して基板を冷却する工程と、
しかる後、前記冷却プレートから前記基板搬送手段に基板を受け渡す工程と、
次いで基板が載置されていないワイヤを、前記搬出用受け渡し部から搬入用受け渡し部に戻るように周回軌道に沿って移動させる工程と、を含むことを特徴とする。

ここで前記基板搬送手段は、搬入用基板搬送手段と搬出用基板搬送手段とを備え、前記搬入用受け渡し部においては、前記搬入用基板搬送手段から前記搬送路部材に対して基板の受け渡しを行い、前記搬出用受け渡し部においては、前記搬送路部材から前記搬出用基板搬送手段に対して基板の受け渡しを行うことが好ましい。
さらに本発明の記憶媒体は、キャリアブロックから受け取った基板にレジスト膜を含む塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対して現像処理を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは、前記塗布、現像方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。

本発明によれば、現像処理用の単位ブロックに設けられる加熱モジュールでは、現像処理用の単位ブロックの基板搬送手段から搬入用受け渡し部に順次基板を受け渡し、この基板を順次下流側に移動させ、この基板が移動する間に、当該基板に対して熱処理を行ない、こうして熱処理が終了した基板を順次搬出用受け渡し部を介して前記基板搬送手段に受け渡している。このため前記加熱モジュールでは、基板に対して流れ作業状態で熱処理を行うことができ、これにより複数の基板に対して熱処理を途切れることなく連続して行うことができるため、スループットの向上を図ることができる。また１つの加熱モジュールに対しては前記基板搬送手段によりアクセスされる箇所は、搬入用受け渡し部と搬出用受け渡し部との２箇所であるため、基板搬送手段の負荷が軽減され、スループットの向上を図ることができる。

先ず本発明の塗布、現像装置の実施の形態に係るレジストパターン形成装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、前記装置の一実施の形態の平面図を示し、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この装置は、基板であるウエハＷが例えば１３枚密閉収納されたキャリア２０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３と露光装置Ｓ４とを備えている。

前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリア２０を複数個載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すための受け渡し手段をなすトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、後述する単位ブロックＢ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１１に対してウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリア２０の配列方向に移動自在に構成されている。

キャリアブロックＳ１の奥側には筐体２４にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されており、この処理ブロックＳ２は、複数個例えば３個の単位ブロックＢ１〜Ｂ３を縦に配列して構成され、この例では、下方側から現像処理を行なうための単位ブロックである現像処理層（ＤＥＶ層）Ｂ１、レジスト膜の形成処理を行うための単位ブロックである２個の塗布処理層（ＣＯＴ１層）Ｂ２，（ＣＯＴ２層）Ｂ３として割り当てられており、これらＤＥＶ層Ｂ１、ＣＯＴ１層Ｂ２、ＣＯＴ２層Ｂ３は夫々区画されている。ここで前記ＣＯＴ１層Ｂ２、ＣＯＴ２層Ｂ３は塗布膜形成用の単位ブロック、ＤＥＶ層Ｂ１は現像処理用の単位ブロックに相当する。

これら各単位ブロックＢ１，Ｂ２，Ｂ３は夫々同様に構成され、ウエハＷに対して塗布液を塗布するための液処理モジュールと、前記液処理モジュールにて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種の処理モジュールと、前記液処理モジュールと各種の処理モジュールとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の基板搬送手段であるメインアームＡ１〜Ａ３と、を備えている。

さらに各単位ブロックＢ１，Ｂ２，Ｂ３のキャリアブロックＳ１と隣接する領域には、図１及び図３に示すように、トランスファーアームＣと各メインアームＡ１〜Ａ３がアクセスできる位置に受け渡し用の棚ユニットＵ１が設けられている。この棚ユニットＵ１には、例えば単位ブロック毎に、他の単位ブロックとの間でウエハＷの受け渡しを行なうための第１の受け渡し部が設けられており、進退自在及び昇降自在に構成された受け渡しアームＤにより、棚ユニットＵ１に設けられた各受け渡し部に対してウエハＷの受け渡しが行われるように構成されている。

続いて前記単位ブロックＢ１〜Ｂ３の構成について、先ずＣＯＴ１層Ｂ２を例にして図４及び図５に基づいて説明する。このＣＯＴ１層Ｂ２のほぼ中央には、ＣＯＴ１層Ｂ２の長さ方向（図４，図５中Ｙ方向）にウエハＷの搬送領域Ｒ１が形成されている。この搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見た右側には、液処理モジュールとして、レジスト液の塗布を行うための複数個の塗布モジュールを備えた塗布処理部３１が設けられている。

この塗布処理部３１は、複数個例えば３個の塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３が共通の処理容器３０の内部に、夫々が搬送領域Ｒ１に臨むようにＹ方向に配列された状態で収納されている。各塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３は、例えばスピンチャック上に水平に吸着保持されたウエハＷに対して、共通の薬液ノズルから塗布液であるレジスト液を供給すると共にウエハＷを回転させることによって、ウエハＷの表面全体にレジスト液を塗布するように構成されている。前記処理容器３０は、各塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３に対応する位置にウエハＷの搬送口３３Ａ〜３３Ｃ（図５参照）を備えており、ウエハＷは各々の搬送口３３Ａ〜３３Ｃを介して対応する塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３とメインアームＡ２との間で搬送されるようになっている。

また搬送領域Ｒ１の塗布処理部３１の向い側には、処理モジュールを例えば２段×４列に設けた棚ユニットＵ２が設けられており、この図では塗布モジュール３１にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種処理モジュールが設けられている。上述の各種処理モジュールは、例えばレジスト液塗布後のウエハＷに対して加熱処理を行い、次いで冷却処理を行う加熱冷却モジュールＬＨＰや、ウエハＷを所定の温度に温調する温調モジュールＣＰＬ、周縁露光装置ＷＥＥ等を備えている。

前記加熱冷却モジュールＬＨＰとしては、例えばウエハＷをその上に載置して加熱するための加熱プレート３４と、搬送アームを兼用する冷却プレート３５とを備え、メインアームＡ２と加熱プレート３４との間のウエハＷの受け渡しを冷却プレート３５により行なう、つまり加熱冷却を１つのモジュールにて行うことができる構成の装置が用いられる。なお加熱冷却モジュールＬＨＰの代わりに、加熱モジュールと冷却モジュールとを別個に設けるようにしてもよい。また温調モジュールＣＰＬとしては、例えば水冷方式にて冷却される冷却プレートを備える装置が用いられる。これら加熱冷却モジュールＬＨＰや温調モジュールＣＰＬ等の各モジュールは、図５に示すように、夫々処理容器３６内に収納されており、各処理容器３６の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハ搬出入口３７が形成されている。

またＣＯＴ１層Ｂ２の棚ユニットＵ１には、前記第１の受け渡し部として、受け渡しモジュールＴＲＳ１２が設けられており、この受け渡しモジュールＴＲＳ１２に対しては、ＣＯＴ１層Ｂ２のメインアームＡ２と受け渡しアームＤとがアクセスできるように構成されている。このメインアームＡ２について説明すると、このメインアームＡ２は、当該ＣＯＴ１層Ｂ２内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３と、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１２と、棚ユニットＵ２の各処理モジュールとの間でウエハの受け渡しを行うように構成されており、このために進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Ｙ軸方向に移動自在に構成されている。

前記メインアームＡ２は、図４及び図５に示すように、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本の保持アーム４１，４２を備えており、これら保持アーム４１，４２は基台４３上を互いに独立して進退自在に構成されている。また基台４３は、搬送基体４５上に回転機構４４を介して鉛直軸回りに回転自在に設けられている。図中４６は、搬送領域Ｒ１の長さ方向（図１中Ｙ方向）に伸びるガイドレール、図中４７は昇降用ガイドレールであり、前記搬送基体４５は、この昇降用ガイドレール４７に沿って昇降自在に構成されている。また前記昇降用ガイドレール４７の下端部はガイドレール４６の下方を潜って係止されており、昇降用ガイドレール４７がガイドレール４６に沿って横方向に移動することで、搬送基体４５が搬送領域Ｒ１を横方向に移動できるようになっている。ここで昇降用ガイドレール４７は、棚ユニットＵ２の各処理モジュールに対してウエハＷの受け渡しを行うときに、保持アーム４１，４２と干渉しないように、保持アーム４１，４２が進退する位置からずれた位置において搬送基体４５に設けられている。

また受け渡しアームＤについては、ウエハＷの裏面側を支持するための１本の支持アーム４８を、昇降自在に構成された基台４９に進退自在に取り付けて構成されている。さらに前記受け渡しモジュールＴＲＳ１２は、受け渡しステージ３８上にウエハＷの裏面側を保持する複数個例えば３個の突起３９が、メインアームＡ２と受け渡しアームＤとが進入してきたときに、これらと干渉しない位置に形成されて構成されている。

なお前記ＣＯＴ２層Ｂ３はＣＯＴ１層Ｂ２と同様に構成されており、液処理モジュールとして、ウエハＷに対してレジスト液を供給して、レジスト膜を形成するための複数個例えば３個の塗布モジュールＣＯＴ２１〜ＣＯＴ２３を備えた塗布処理部３１が設けられ、棚ユニットＵ２には前記加熱冷却モジュールＬＨＰや温調モジュールＣＰＬ、周縁露光装置ＷＥＥ等が設けられている。また棚ユニットＵ１には、第１の受け渡し部として、受け渡しアームＤがアクセスできる位置に受け渡しモジュールＴＲＳ１３が設けられ、これら塗布モジュールＣＯＴ２１〜ＣＯＴ２３と、棚ユニットＵ１，Ｕ２に設けられた各種モジュールとの間でメインアームＡ３によりウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。

続いてＤＥＶ層Ｂ１について説明する。ＤＥＶ層Ｂ１は、図１及び図６に示すように、ＣＯＴ１層Ｂ２等と同様に、棚ユニットＵ１と、棚ユニットＵ２と、液処理モジュールとしての例えば４個の現像モジュールＤＥＶ１〜ＤＥＶ４を備えた現像処理部３２が上下に２段に設けられており、これらの配置は既述のＣＯＴ１層Ｂ２と同様である。つまりＤＥＶ層Ｂ１においても、Ｙ方向に伸びる搬送領域Ｒ１を挟んで現像処理部３２と棚ユニットＵ２とが互いに対向するように設けられている。そしてＤＥＶ層Ｂ１の搬送領域Ｒ１には、２個のメインアームＡ１１，Ａ１２が設けられると共に、この搬送領域Ｒ１のインターフェイスブロックＳ３と隣接する領域には、当該処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３との間でウエハＷの受け渡しを行なうための第２の受け渡し部をなす棚ユニットＵ３が設けられている。

前記現像処理部３２は、４個の現像モジュールを備える以外は、上述の塗布処理部３１とほぼ同様に構成され、４個の現像モジュールＤＥＶ１〜ＤＥＶ４が共通の処理容器３０の内部に収納されている。そして各現像モジュールＤＥＶ１〜ＤＥＶ４は、例えばスピンチャック上に水平に吸着保持されたウエハＷに対して、例えば共通の薬液ノズルから現像液を供給すると共に、ウエハＷを回転させることによってウエハＷの表面に現像液を塗布し、次いで所定時間経過後に例えば共通の洗浄ノズルから洗浄液である純水をウエハＷに供給して現像液を洗い流し、この後ウエハＷを高速回転させることにより、ウエハＷ表面を乾燥させるように構成されている。

前記棚ユニットＵ１には、第１の受け渡し部として、受け渡しアームＤがアクセスできる位置にキャリアブロックＳ１との間でウエハＷの受け渡しを行うための受け渡しモジュールＴＲＳ１１が設けられており、この受け渡しモジュールＴＲＳ１１に対しては、受け渡しモジュールＴＲＳ１１に対してはメインアームＡ１１と受け渡しアームＤとがアクセスするように構成されている。また棚ユニットＵ１には、後述するシャトルアームと受け渡しアームＤとによりアクセスされる受け渡しモジュールＴＲＳ１０も設けられている。

また棚ユニットＵ２は、例えば図６に示すように構成され、この棚ユニットＵ２には、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングモジュールなどと呼ばれている加熱モジュールＰＥＢ、この加熱モジュールＰＥＢにおける処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための冷却モジュールＣＯＬ、現像処理後のウエハＷを水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングモジュール等と呼ばれている加熱モジュールＰＯＳＴ、この加熱モジュールＰＯＳＴにおける処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための温調モジュールＣＰＬ等が含まれている。この内冷却モジュールＣＯＬ及び温調モジュールＣＰＬは熱処理後のウエハＷを冷却するための冷却モジュールに相当し、また前記冷却モジュールＣＯＬは現像処理前のウエハＷに対して前処理を行う前処理モジュール、温調モジュールＣＰＬは現像処理後のウエハＷに対して後処理を行う後処理モジュールに夫々相当する。

この例では、前記加熱モジュールＰＥＢと加熱モジュールＰＯＳＴは、その長さ方向が前記搬送領域Ｒ１の長さ方向に沿うように夫々例えば２個ずつ上下に配列され、これらの下方側に、例えば前記４個の冷却モジュールＣＯＬと、４個の温調モジュールＣＰＬとが前記搬送領域のＲ１の長さ方向に並んで配列されている。

また前記棚ユニットＵ３は、第２の受け渡し部として、前記インターフェイスブロックＳ３との間でウエハＷの受け渡しを行うための受け渡しモジュールＴＲＳ２０，ＴＲＳ２１を備えており、この内受け渡しモジュールＴＲＳ２０に対しては後述するシャトルアームＥと後述するインターフェイスアームＦとがアクセスし、受け渡しモジュールＴＲＳ２１に対してはメインアームＡ１２とインターフェイスアームＦとがアクセスするように構成されている。以上において棚ユニットＵ１，Ｕ３に設けられる全ての受け渡しモジュール及び、後述する受け渡しユニットの受け渡しステージは、上述の受け渡しモジュールＴＲＳ１２と同様に構成されている。

メインアームＡ１１，Ａ１２は、Ｙ軸方向に移動せず、また保持アームの形状が異なる以外は、上述のＣＯＴ１層Ｂ２のメインアームＡ２と同様に構成され、つまり進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。具体的には、図６に示すように、基台５３上に互いに独立して進退自在に構成された、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本の保持アーム５１，５２を備え、前記基台５３は、搬送基体５５上に回転機構５４を介して鉛直軸回りに回転自在に設けられている。また前記搬送基体５５は、昇降用ガイドレール５６に沿って昇降自在に構成されている。ここで昇降用ガイドレール５６は、棚ユニットＵ２の各処理モジュールに対してウエハＷの受け渡しを行うときに、保持アーム５１，５２と干渉しないように設けられている。前記保持アーム５１，５２の形状については後述する。

また前記搬送領域Ｒ１内における、メインアームＡ１１とメインアームＡ１２との間には、これら両アームＡ１１，Ａ１２がアクセスできる位置に、受け渡しステージを多段に設けた受け渡しユニット５０が設けられている。この受け渡しユニット５０には、例えばその上部側に、現像処理前のウエハＷを載置するための受け渡しステージが５段程度設けられ、例えばその下部側に、現像処理後のウエハＷを載置するための受け渡しステージが５段程度設けられている。

こうしてメインアームＡ１１は、後述する加熱モジュールＰＥＢ，ＰＯＳＴの搬出用受け渡し部と、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１１と、搬送領域Ｒ１から見て棚ユニットＵ２の左半分に配列された４個の処理モジュールと、受け渡しユニット５０と、搬送領域Ｒ１から見て現像処理部３２内においてキャリアブロックＳ１側に配置された２つの現像モジュールＤＥＶ１，ＤＥＶ２との間でウエハの受け渡しを行うように構成される。またメインアームＡ１２は、後述する加熱モジュールＰＥＢ，ＰＯＳＴの搬入用受け渡し部と、搬送領域Ｒ１から見て棚ユニットＵ２の右半分に配列された４個の処理モジュールと、受け渡しモジュールＴＲＳ２１と、受け渡しユニット５０と、搬送領域Ｒ１から見て現像処理部３２内においてインターフェイスブロックＳ３側に配置された２つの現像モジュールＤＥＶ３，ＤＥＶ４との間でウエハＷの受け渡しを行うように構成されている。ここで棚ユニットＵ２には、メインアームＡ１２によりアクセスされる領域に、前記前処理モジュールである冷却モジュールＣＯＬが配列され、メインアームＡ１１によりアクセスされる領域に、前記後処理モジュールである温調モジュールＣＰＬが配列されている。

またＤＥＶ１層にはシャトルアームＥが設けられている。このシャトルアームＥについて図６を用いて説明すると、このシャトルアームＥはウエハＷの裏面側周縁領域を支持し、基台６２に沿って進退するための１本の保持アーム６１を備えており、前記基台６２は、搬送基体６４上に回転機構６３を介して鉛直軸回りに回転自在に設けられている。前記搬送基体６４は、例えば棚ユニットＵ２の上部側に、棚ユニットＵ２の長さ方向（図中Ｙ方向）に沿って設けられた支持部材６６の搬送領域Ｒ１に臨む面に、搬送領域Ｒ１の長さ方向に伸びるように設けられたガイドレール６５に沿って、前記長さ方向に移動するように構成され、こうして前記棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１０と棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２０との間でウエハＷの搬送を行なうように構成されている。

一方、処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ３の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、前記処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ３の第２の受け渡し部と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うための、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されたインターフェイスアームＦが設けられている。

そして上述のレジストパターン形成装置は、各処理モジュールのレシピの管理や、ウエハＷの搬送フロー（搬送経路）のレシピの管理や、各処理モジュールにおける処理や、メインアームＡ１１，Ａ１２，Ａ２，Ａ３、トランスファーアームＣ、受け渡しアームＤ、シャトルアームＥ、インターフェイスアームＦの駆動制御を行うコンピュータからなる制御部７を備えている。この制御部７は、例えばコンピュータプログラムからなるプログラム格納部を有しており、プログラム格納部には、レジストパターン形成装置全体の作用、つまりウエハＷに対して所定のレジストパターンを形成するための、各処理モジュールにおける処理やウエハＷの搬送等が実施されるようにステップ（命令）群を備えた例えばソフトウェアからなるプログラムが格納される。そしてこれらプログラムが制御部７に読み出されることにより、制御部７によってレジストパターン形成装置全体の作用が制御される。なおこのプログラムは、例えばフレキシブルディスク、ハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカード等の記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。

本発明においては前記加熱モジュールＰＥＢと加熱モジュールＰＯＳＴは同様に構成され、続いてこれら加熱モジュールＰＥＢ，ＰＯＳＴについて、加熱モジュールＰＥＢを例にして図１及び図７〜図１０に基づいて説明する。この加熱モジュールＰＥＢは、図６に示すように、搬送領域Ｒ１に向かう処理容器３００内に設けられ、この処理容器３００の搬送領域Ｒ１に臨む面には、ウエハＷを当該加熱モジュールＰＥＢに搬入するための搬入口３０１と、ウエハＷを当該加熱モジュールＰＥＢから搬出するための搬出口３０２とが設けられている。

そして前記加熱モジュールＰＥＢは、前記処理容器３００の内部に、ＤＥＶ層Ｂ１の長さ方向（図１，図８，図９中Ｙ方向）に沿って伸びる、ウエハＷに対して熱処理を行うための加熱領域８０と、この加熱領域８０の長さ方向の一方側に設けられた搬入用受け渡し部８１と、前記加熱領域８０の長さ方向の他方側に設けられた搬出用受け渡し部８２とを備えている。前記搬入用受け渡し部８１は、図１に示すように、インターフェイスブロックＳ３側のメインアームＡ１２によりアクセスされる領域に設けられ、前記搬出用受け渡し部８２は、キャリアブロックＳ１側のメインアームＡ１１によりアクセスされる領域に設けられている。ここでメインアームＡ１２は搬入用基板搬送手段に相当し、メインアームＡ１１は搬出用基板搬送手段に相当する。

前記加熱領域８０は、例えばその長さ方向の大きさは、複数枚例えば３枚のウエハＷが前記ＤＥＶ層Ｂ１の長さ方向に配列できる程度に設定され、その幅方向（図中Ｘ方向）の大きさは、例えば１枚のウエハＷに対して加熱処理を行なうために適した大きさに設定されている。そしてウエハＷは、搬送路部材９の上に載置されて前記加熱領域８０内を、インターフェイスブロックＳ３側からキャリアブロックＳ１側に向けて前記長さ方向に搬送されるように構成されている。前記搬送路部材９は、水平軸のまわりに回動し、回動軸が互いに平行になるように前後に配置された一対の回動体９１，９２の間に架け渡されて周回軌道に沿って移動するように構成され、こうしてインターフェイスブロックＳ３からキャリアブロックＳ１に向かうウエハＷの搬送路の一部を形成するものである。具体的には、搬送路部材９は、前記回動軸と平行に伸び、その上にウエハＷが載置される複数の棒状の搬送部材と、前記搬送部材の両端に接続され、前記周回軌道に沿って移動する一対のタイミングベルト９３，９３とを備えており、前記タイミングベルト９３，９３は前記回動体９１，９２の間に巻き掛けられている。

前記搬送部材は前記回動体９１，９２の回動軸と平行に伸び、ウエハＷを載置して搬送する多数のワイヤ９４よりなる。例えばこのワイヤ９４の長さは、例えば図８に示すように加熱領域８０の幅方向の長さをカバーする程度に設定されている。このようなワイヤ９４は、例えばアラミド繊維（例えばデュポン社製ケプラー等）等の合成繊維や、炭化ケイ素繊維（例えば日本カーボン社製ニカロン等)、炭素繊維（例えば東レ社製等）等のセラミック繊維等の、２３℃〜２５０℃にてウエハＷを熱処理しても熱により変性しない耐熱性の材質により構成され、例えば直径が０．５ｍｍ程度の太さのものが用いられ、ウエハＷは互いに並行に設けられた２本のワイヤ９４，９４に保持されて搬送される。また前記ワイヤ９４には、例えば図１０に示すように、セラミックスや石英等により構成された基板ガイド９４ａが設けられており、メインアームＡ１２からワイヤ９４にウエハＷが受け渡されるときには、この基板ガイド９４ａがウエハＷの外縁近傍に位置し、ウエハＷの位置ずれを防止した状態で受け渡されるようになっている。さらにワイヤ９４には、例えばセラミックスや石英等により構成されたプロキシミティ部材９４ｂが設けられており、これによりウエハＷは、ワイヤ９４から例えば０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ程度の僅かに浮上した状態で保持されるようになっている。

前記一対の回動体９１，９２は、それらの回動軸が、加熱領域８０の幅方向に互いに平行に伸びるように設けられている。これら回動体９１，９２の長さは加熱領域８０の幅方向の長さをカバーする程度に設定され、一方の回動体９１が前記搬入用受け渡し部８１の上流側に位置し、他方の回動体９２が前記搬出用受け渡し部８２の下流側に位置するように、互いに加熱領域８０を挟んで対向するように夫々設けられている。こうして前記搬入用受け渡し部８１は、搬送路部材９により形成された搬送路の上流端に設けられ、搬出用受け渡し部８２は前記搬送路の下流端に設けられることになる。前記回動体９１は、例えば図７に示すように、モータＭにより回転駆動される駆動プーリよりなり、前記回動体９２は従動プーリよりなる。そして回動体９１，９２の長さ方向の両端には、夫々タイミングベルト９３，９３が巻き掛けられ、このタイミングベルト９３，９３に前記一対のワイヤ９４が所定の間隔で設けられることになる。モータＭは前記制御部７により駆動制御される。

こうして回動体９１，９２を回転駆動することにより、ワイヤ９４が、搬入用受け渡し部８１から加熱領域８０を通って搬出用受け渡し部８２側に移動し、次いで再び搬入用受け渡し部８１に戻るように周回軌道に沿って移動される。なお図７は搬送路部材９を説明するための斜視図であり、図示の便宜上後述する上部側の熱板や、タイミングベルト９３，９３の周回軌道の内部に設けられた部材等を省略して描いている。

前記加熱領域８０には、例えば前記ワイヤ９４の下方側及び上方側に、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や炭化ケイ素（ＳｉＣ）製の熱板８３，８４が夫々設けられている。このうち下方側の熱板８３は第１の熱板に相当するものであって、ワイヤ９４の周回軌道の内側に設けられ、上方側の熱板８４は第２の熱板に相当するものである。これら熱板８３，８４は、例えばその長さ方向の大きさは、前記ＤＥＶ層Ｂ１の長さ方向に配列された複数枚例えば３枚のウエハＷをカバーできる程度に設定され、その幅方向（図中Ｘ方向）の大きさは、例えば１枚のウエハＷに対して加熱処理を行なうために適した大きさに設定されている。こうして上下の熱板８３，８４同士の間にウエハＷの加熱空間８５が形成され、この加熱空間８５の高さ方向の距離Ｌ１（図１１参照）は、例えば５ｍｍ程度に設定される。

またこの熱板８３，８４の幅方向の一端側には例えば図１１に示すように、前記加熱空間８５にガスを供給するためのガス吐出部８６が、前記熱板８３，８４の長さ方向の全体に亘って、これら熱板８３，８４同士の隙間を塞ぐように、熱板８３，８４と接触して設けられている。前記ガス吐出部８６は、図１１に示すように、前記ワイヤ９４の通過領域をなす隙間８６ａを備えており、例えば前記隙間８６ａの上側と下側とから前記加熱空間８５に向かってガスを吐出するように構成されている。例えば前記ガス吐出部８６は、図示しない多数の小孔が吐出口として、加熱領域８０の長さ方向に沿って夫々一定の間隔をおいて設けられており、この吐出口を介してガスが前記加熱空間８５に吐出されるようになっている。ガス吐出部８６はガス供給管８６ｂ、バルブＶ１を介して、クリーンなパージ用ガス例えば窒素ガスなどの不活性ガスが貯留されているガス供給源８６ｃに接続されている。このようなガス吐出部８６にはパージ用ガスの加熱手段を設けてもよく、例えば加熱手段としては、ガス吐出部８６の内部に伝熱板を設けると共に、この伝熱板に一端側が熱板８３（又は８４）に接続されたヒートパイプを接続して、熱板８３（又は８４）の熱をヒートパイプにより伝熱板に供給してパージ用ガスを加熱するものでもよいし、ガス供給管８６ｂの出口付近に設けたヒータによりパージ用ガスを加熱するものであってもよい。

一方この熱板８３，８４の幅方向の他端側には例えば図１１に示すように、排気部８７が接続されている。前記ガス吐出部８６と排気部８７とは、ウエハＷが加熱領域８０内にあるときに、ウエハＷを挟んでウエハＷの移動方向から見て右側と左側に夫々設けられており、これによりウエハＷの直径（幅）をカバーし、さらに加熱空間８５を前記右側から左側へ、即ちウエハＷの一端側から他端側へと流れるいわば一方向流ともいうべき気流を形成できるように設けられている。

この排気部８７は、前記熱板８３，８４の長さ方向の全体に亘って、これら熱板８３，８４同士の隙間を塞ぐように、熱板８３，８４と接触して設けられている。また排気部８７は、図１１に示すように、前記ワイヤの通過領域をなす隙間８７ａを備えており、さらに例えば隙間８７ａの上側と下側から前記加熱空間８５内の雰囲気を排気するための図示しない吸引排気口が加熱領域８０の長さ方向に沿って形成されている。この吸引排気口は例えば前記ガス吐出部８６と対向するように例えばスリット状に形成してもよいし、小孔を加熱領域８０の長さ方向に沿って夫々一定の間隔をおいて設けたものであってもよい。このような排気部８７は排気管８７ｂ、バルブＶ２を介して、排気手段８７ｃ例えばエジェクタに接続されている。

ここで前記ガス吐出部８６の隙間８６ａや、排気部８７の隙間８７ａは夫々例えば３ｍｍ程度に形成され、これら隙間８６ａ，８７ａに前記ワイヤ９４が入り込むようになっていて、前記タイミングベルト９３，９３はガス吐出部８６や、排気部８７の外側に位置するように構成されている。また前記ガス供給管８６ｂ、排気管８７ｂ等は、ワイヤ９４の周回移動を阻害しないように設けられている。前記バルブＶ１、Ｖ２は制御部７により制御されるように構成されている。

前記搬入用受け渡し部８１は、例えばワイヤ９４の周回軌道の内側領域に設けられた第１の冷却プレート９５を備えている。この第１の冷却プレート９５は、ウエハＷと略同じ直径を有する略円形板状に例えばアルミニウムにより形成され、その裏面側に設けられた図示しない冷却機構により、ウエハＷを粗冷却するように構成されている。

前記第１の冷却プレート９５には、前記ワイヤ９４が潜り込むための溝部９５ａが、ワイヤ９４が第１の受け渡し位置にあるときの、２本のワイヤ９４，９４に対応する位置に形成されている。ここで第１の受け渡し位置とは、図８及び図９に示すように、ワイヤ９４が第１の冷却プレート９５の上方側に位置し、メインアームＡ１２からワイヤ９４上にウエハＷを受け渡すときの位置である。なお図７には溝部９５ａは描いておらず、図９には図示の便宜上溝部９５ａを大きく描いている。

また前記ワイヤ９４の周回軌道の内側領域には、前記第１の冷却プレート９５を昇降させるための、昇降ピン機構９６が設けられており、複数の昇降ピン９６ａが昇降自在に構成されていて、こうして第１の冷却プレート９５はワイヤ９４に対して相対的に昇降自在に構成されている。なお冷却プレート９５を昇降させずに、ワイヤ９４を昇降させることにより、冷却プレート９５をワイヤ９４に対して相対的に昇降自在に構成するようにしてもよい。さらに第１の冷却プレート９５の周縁部の例えば４ヵ所には、図７及び図８に示すように当該冷却プレート９５の中心部に向けて切欠部９５ｂが形成されている。この切欠部９５ｂは、後述するように、メインアームＡ１２と第１の冷却プレート９５との間でウエハＷの受け渡しを行なうときに必要なものである。

また前記搬出用受け渡し部８２は搬入用受け渡し部８１と同様に構成され、例えばワイヤ９４の周回軌道の内側領域に、第２の冷却プレート９７が設けられている。この第２の冷却プレート９７は第１の冷却プレート９５と同様に構成され、前記ワイヤ９４が潜り込むための溝部９７ａが、ワイヤ９４が第２の受け渡し位置にあるときの、２本のワイヤ９４，９４に対応する位置に形成されている。ここで第２の受け渡し位置とは、図８及び図９に示すように、ワイヤ９４が第２の冷却プレート９７の上方側に位置し、ワイヤ９４からメインアームＡ１１にウエハＷを受け渡すときの位置である。そして第２の冷却プレート９７には溝部９７ａと切欠部９７ｂとが形成されると共に、昇降ピン９８ａを昇降させる昇降ピン機構９８が設けられている。図９中９９は、昇降ピン機構９６，９８が設けられるベースプレートである。

ここでこの例のメインアームＡ１１，Ａ１２の保持アーム５１，５２の形状について説明する。前記メインアームＡ１１，Ａ１２の保持アーム５１，５２は、例えば図８及び図１２に示すような、水平な馬蹄形状をなしており、保持アーム５１，５２の前方には切欠部５７が形成されている。保持アーム５１，５２の内周の大きさは、前記第１及び第２の冷却プレート９５，９７の直径よりも若干大きく形成されており、この内周における下部には内方へ向かう４つの突片５８が設けられ、これらの突片５８上にウエハＷが保持される。なお図１３（ｂ）の冷却プレート９５，９７では溝部９５ａ，９７ａが省略されている。

保持アーム５１，５２は既述のように昇降自在かつ進退自在、鉛直軸周りに回転自在に構成され、第１の冷却プレート９５にウエハＷを受け渡す際には、先ずワイヤ９４を前記第１の受け渡し位置に位置させ、冷却プレート９５とワイヤ９４との間から保持アーム５１，５２が退却できるように、冷却プレート９５をワイヤ９４の上方側に位置させる。そしてウエハＷを保持した保持アーム５１，５２を前記搬送口３０１を介して処理容器３００内の、搬入用受け渡し部８１の第１の冷却プレート９５の上方側に進入させる。ここで冷却プレート９５の外周の切欠部９５ｂは、夫々保持アーム５１，５２の突片５８と対応する位置に設けられていることから、保持アーム５１，５２が冷却プレート９５に対して上方から覆い被さるように下降することで、保持アーム５１，５２上のウエハＷが冷却プレート９５に受け渡される。ウエハＷを受け渡した保持アーム５１，５２は、ワイヤ９４の上方側まで下降して、前方の切欠部５７が溝部９５ａの外側を通り抜けるように手前側に後退して処理容器３００内から退去するようになっている。

一方搬出用受け渡し部８２では、ワイヤ９４によりウエハＷを前記第２の受け渡し位置へ搬送してから、第２の冷却プレート９７をワイヤ９４の上方側まで上昇させて、当該第２の冷却プレート９７にウエハＷを受け渡し、次いで第２の冷却プレート９７とワイヤ９４の間にメインアームＡ１１を進入させてから上昇させることにより、第２の冷却プレート９７のウエハＷを保持アーム５１，５２に受け渡す。ウエハＷを受け取った保持アーム５１，５２は、そのまま後退して搬出口３０２を介して処理容器３００内から退去する。

次にこの加熱モジュールＰＥＢにて行なわれる加熱処理について、図１３及び図１４を用いて説明する。先ずワイヤ９４を前記第１の受け渡し位置に位置した状態で停止させ、メインアームＡ１２により、搬入口３０１を介して処理容器３００内に、表面に塗布膜であるレジスト膜が塗布され、露光処理が行われたウエハＷ１を搬入し、ウエハＷ１を搬入用受け渡し部８１にて、既述のように第１の冷却プレート９５を介してワイヤ９４上に受け渡す。

つまり先ず図１３（ａ）に示すように、既述の手法にてウエハＷを第１の冷却プレート９５に受け渡した後、図１３（ｂ）に示すように、第１の冷却プレート９５を下降させて、第１の冷却プレート９５上のウエハＷをワイヤ９４に受け渡す。次いで第１の冷却プレート９５をさらに下降させ、図１３（ｃ）に示すように、ウエハＷを保持するワイヤ９４を加熱領域８０側へ移動させる。加熱領域８０の加熱空間８５内は、ウエハＷがワイヤ９４により搬送されるまでに、熱板８３，８４により加熱され、例えば１００℃程度になっている。

加熱空間８５内にウエハＷがワイヤ９４により保持された状態で搬入されると、バルブＶ１が開かれ、ガス供給源８６ｃからガス供給管８６ｂにパージ用ガスが供給される。当該パージ用ガスはガス吐出部８６で略１００℃に加熱されて、図示しない吐出口から加熱空間８５内へ向けて吐出される。この吐出口からパージ用ガスの吐出が開始されるのと略同時に、バルブＶ２が開き、排気手段８７ｃにより排気部８７を介して加熱空間８５内の排気が行なわれる。

こうして図１１中、矢印で示すように、ガス吐出部８６から供給されたパージ用ガスは加熱空間８５の上部側熱板８３と下部側熱板８４との間を、搬出用受け渡し部８１側から見てウエハＷの左側から右側に流れ、ウエハＷの周囲を通過した後に、排気部８７に流入し、処理容器３００の外へ除去される。前記ウエハＷは加熱空間８５内をワイヤ９４により保持された状態で移動していき、熱板８３，８４とは直接接触していないが、熱板８３，８４により伝熱性材料により構成された加熱空間８５を介して上下方向から加熱されると共に、加熱されたパージ用ガスがウエハＷの表面に沿って流れることでウエハＷを予め設定したプロセス温度で加熱できるように構成されている。

ここで、前記加熱空間８５の一方側に設けられたガス吐出部８６からは、ウエハＷの幅をカバーできる幅の気流が形成され、加熱空間８５の他方側に設けられた吸引排気口（図示せず）もウエハＷの幅をカバーできる幅に構成されているので、ウエハＷの周囲には、ウエハＷの幅をカバーできる幅の一方向流が形成される。このように熱板８３，８４の熱と一方向流とにより、ウエハＷに塗布されたレジスト液の加熱、乾燥が行われて、ウエハＷにレジスト膜が形成される。

このようにして加熱領域８０内を移動しながら熱処理されたウエハＷ１は、図１４（ａ）に示すように、搬出用受け渡し部８２にて一旦移動を停止する。つまりウエハＷ１を保持したワイヤ９４を前記第２の受け渡し位置に位置させて停止する。なお図１４中Ｗ２はウエハＷ１の後続のウエハであり、Ｗ３はウエハＷ２の後続のウエハであって、このように所定のタイミングで順次メインアームＡ１２から搬入用受け渡し部８１に対してウエハＷの受け渡しが行われる。

そして図１４（ｂ）に示すように、第２の冷却プレート９７を上昇させ、当該冷却プレート９７とウエハＷ１下面とを接触させるか、冷却プレート９７上面とウエハＷ下面との間に、例えば０．１ｍｍ程度の隙間を形成した状態で、冷却プレート９７によりウエハＷを冷却し、ウエハＷ１の粗熱取りを行なう。そして粗熱取りが終了した後、冷却プレート９７を介して、既述のようにメインアームＡ１１にウエハＷ１を受け渡し、処理容器３００の搬出口３０２を介して搬送領域Ｒ１へ搬送する。ここで所定の加熱時間を確保するために、加熱領域８０のウエハＷ１の移動方向の長さを調整してもよいし、ウエハＷ１の移動速度を制御するようにしてもよい。

このようにこの加熱モジュールＰＥＢでは、メインアームＡ１２から搬入用受け渡し部８１に所定のタイミングで順次ウエハＷが受け渡される。そして搬入用受け渡し部８１に受け渡されたウエハＷは、加熱領域８０を移動しながら既述のように加熱処理が行われ、次いで搬出用受け渡し部８２に搬送される。この搬出用受け渡し部８２においては、加熱処理後のウエハＷが所定のタイミングで順次搬送されることになり、この加熱処理後のウエハＷは所定のタイミングでメインアームＡ１１に受け渡される。

続いてこのようなこのレジストパターン形成装置におけるウエハＷの搬送経路について説明する。ウエハＷの搬送は、制御部７により、搬送フロー（搬送経路）のレシピに基づいて、メインアームＡ１１，Ａ１２，Ａ２，Ａ３、トランスファーアームＣ、受け渡しアームＤ、シャトルアームＥ、インターフェイスアームＦを制御することにより行われる。

先ず外部からキャリアブロックＳ１に搬入されたキャリア２０内のウエハＷは、トランスファーアームＣにより棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１１に受け渡される。そして受け渡しモジュールＴＲＳ１１のウエハＷは受け渡しアームＤにより受け渡しモジュールＴＲＳ１２又は受け渡しモジュールＴＲＳ１３に搬送され、ここからＣＯＴ１層Ｂ２又はＣＯＴ２層Ｂ３のメインアームＡ２，Ａ３に夫々受け取られる。ＣＯＴ１層Ｂ２又はＣＯＴ２層Ｂ３内では、ウエハＷは、夫々メインアームＡ２，Ａ３により、温調モジュールＣＰＬ→塗布モジュールＣＯＴ→加熱モジュールＬＨＰ→周辺露光装置ＷＥＥ→の経路で搬送され、レジスト膜が形成される。

レジスト膜が形成されたウエハＷは、ＣＯＴ１層Ｂ２又はＣＯＴ２層Ｂ３から夫々メインアームＡ２，Ａ３により受け渡しモジュールＴＲＳ１２又は受け渡しモジュールＴＲＳ１３に受け渡され、ここから受け渡しアームＤにより受け渡しモジュールＴＲＳ１０まで搬送される。次いでウエハＷはシャトルアームＥによりＤＥＶ層Ｂ１内を移動して、棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２０まで搬送される。そしてウエハＷは受け渡しモジュールＴＲＳ２０からインターフェイスアームＦに受け取られて露光装置Ｓ４に搬送され、所定の露光処理が行われる。

続いて露光処理後のウエハＷの搬送経路について説明すると、露光処理後のウエハＷはインターフェイスアームＦにより棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２１に搬送され、ここからＤＥＶ層Ｂ１のメインアームＡ１２によりＤＥＶ層Ｂ１内に受け取られる。次いでウエハＷはメインアームＡ１２により加熱モジュールＰＥＢの搬入用受け渡し部８１に搬送され、当該加熱モジュールＰＥＢにて既述のように加熱処理された後、搬出用受け渡し部８２からメインアームＡ１１により受け取られる。そしてメインアームＡ１１→受け渡しユニット５０→メインアームＡ１２→冷却モジュールＣＯＬの経路にて搬送され、次いでメインアームＡ１２により現像モジュールＤＥＶ３，ＤＥＶ４に搬送されるか、メインアームＡ１２→受け渡しユニット５０→メインアームＡ１１→現像モジュールＤＥＶ１，ＤＥＶ２の経路にて搬送され、現像処理が行われる。

ここで現像モジュールＤＥＶ３，ＤＥＶ４にて現像処理されたウエハＷは、メインアームＡ１２により加熱モジュールＰＯＳＴの搬入用受け渡し部８１に受け渡され、当該加熱モジュールＰＯＳＴにて既述のように加熱処理が行われる。一方現像モジュールＤＥＶ１，ＤＥＶ２にて現像処理されたウエハＷは、メインアームＡ１１→受け渡しユニット５０→メインアームＡ１２→加熱モジュールＰＯＳＴの搬入用受け渡し部８１の経路で搬送され、当該加熱モジュールＰＯＳＴにて既述のように加熱処理が行われる。

この後ウエハＷは加熱モジュールＰＯＳＴの搬出用受け渡し部８２からメインアームＡ１１により受け取られ、続いてメインアームＡ１１→温調モジュールＣＰＬ→メインアームＡ１１→棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１１の経路で搬送される。こうして全ての処理が行われたウエハＷは、前記受け渡しモジュールＴＲＳ１１を介してトランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。

このようなレジストパターン形成装置では、ＤＥＶ層Ｂ１に上述の構成の加熱モジュールＰＥＢ，ＰＯＳＴを設けているので、スループットの向上を図ることができる。つまり前記加熱モジュールＰＥＢ，ＰＯＳＴでは、ウエハＷは搬入用受け渡し部８１によりメインアームＡ１２から所定のタイミングで順次搬入され、搬入されたウエハＷは加熱領域８０を移動しながら所定の加熱処理が行われ、次いで搬出用受け渡し部８２まで移動してからメインアームＡ１１に順次受け取られる。

ここで本発明の加熱モジュールＰＥＢ，ＰＯＳＴは加熱領域８０において３枚のウエハＷが移動方向に配列できる程度の大きさに設定されているので、従来の加熱モジュールを横に３個配列する場合とスループットを比較すると、いずれの場合も加熱処理に要する時間はほぼ同じであるので、本発明の加熱モジュールＰＥＢ，ＰＯＳＴにおいて１枚のウエハＷに対して加熱処理が終了するタイミングで、順次ウエハＷを搬入用受け渡し部８１から搬入するようにすれば、本発明の加熱モジュールＰＥＢ，ＰＯＳＴは従来の３個の加熱モジュールを用いて処理を行う場合に比べてスループットが大きくなる。

つまり本発明の加熱モジュールＰＥＢ，ＰＯＳＴは、ウエハＷを移動させながら処理を行っており、前記所定のタイミングで搬入用受け渡し部８１から順次ウエハＷを搬入することによって、複数枚のウエハＷに対して加熱処理を途切れることなく連続して行うことができるからである。これに対して従来の３個の加熱モジュールではメインアームによる処理済みのウエハＷの搬出と、処理前のウエハＷの搬入という工程が必要であり、これらの工程を実施する時間は加熱処理を行うことができないため、その分スループットが低下してしまう。

また従来の構成の加熱モジュールでは、夫々の加熱モジュールに対してメインアームによりウエハＷの受け渡しと受け取りとが行われているので、３個の加熱モジュールが配列されているときには、メインアームのアクセスポイントは３箇所となる。これに対して本発明では加熱モジュールＰＥＢ，ＰＯＳＴは搬入用受け渡し部８１と搬出用受け渡し部８２とを備えており、メインアームによるアクセスポイントは２箇所となる。このようにメインアームによるアクセスポイントが少なくなるので、メインアームの負担が軽減され、この点からもスループットの向上を図ることができる。

さらにまた本発明では２個のメインアームＡ１１，Ａ１２を用意して、加熱モジュールＰＥＢ，ＰＯＳＴへのウエハＷの搬入と、加熱モジュールＰＥＢ，ＰＯＳＴからのウエハＷの搬出とを別個のアームＡ１１，Ａ１２で行っているので、さらにメインアームＡ１１，Ａ１２の負担が軽減される。つまりメインアームＡ１１，Ａ１２は搬送領域Ｒ１の長さ方向（Ｙ方向）へは移動しなくて済むため、この移動分の搬送時間が短縮され、また一方のメインアームＡ１２はウエハＷの搬入のみ、他方のメインアームＡ１１はウエハＷの搬出のみを夫々請け負っているので、従来のように処理済みのウエハＷを搬出してから、処理前のウエハＷの搬入を行なう場合に比べてメインアームＡ１２の作業工程数が減少するからである。

ここで従来の加熱モジュールにおいて、２個のメインアームを用いてウエハＷの受け渡しを行ったとしても、既述のように従来の加熱モジュールではアクセスポイントが多く、また処理済みのウエハＷの搬出後に処理前のウエハＷの搬入を行なわなければならないので、結果としてメインアームの作業工程は本発明のメインアームよりも大きく、従来のメインアームの負担は本発明のメインアームよりも大きい。

さらにまた本発明では、ＤＥＶ層Ｂ１の搬送領域Ｒ１の長さを利用して、搬送領域Ｒ１の長さ方向に加熱モジュールＰＥＢ，ＰＯＳＴのウエハＷの移動方向を合わせているので、加熱モジュールＰＥＢ，ＰＯＳＴが長さ方向に大きくなったとしても単位ブロックＢ１を拡大することなく、ＤＥＶ層Ｂ１内に十分配置することができる。

またメインアームＡ１２をインターフェイスブロックＳ３側、メインアームＡ１１をキャリアブロックＳ１側に夫々配置し、棚ユニットＵ２のインターフェイスブロックＳ３のメインアームＡ１２によりアクセスされる領域に現像処理の前処理を行う前処理モジュールを設け、棚ユニットＵ２のキャリアブロックＳ１のメインアームＡ１１によりアクセスされる領域に現像処理の後処理を行う後処理モジュールを設けると共に、加熱モジュールＰＥＢ，ＰＯＳＴの搬入用受け渡し部８１をインターフェイスブロックＳ３側、搬出用受け渡し部８２をキャリアブロックＳ１側に夫々設けているので、インターフェイスブロックＳ３→加熱モジュールＰＥＢの搬送と、加熱モジュールＰＯＳＴ→温調モジュールＣＰＬの搬送と、温調モジュールＣＰＬ→キャリアブロックＳ１の搬送の際の搬送経路が短くなり、搬送がスムーズに行なわれる。このためさらなるスループットの向上を見込むことができる。

続いて本発明の他の実施の形態について図１５を用いて説明する。この実施の形態が上述の実施の形態と異なる点は、この実施の形態が上述の実施の形態と異なる点は、ワイヤ９４のタイミングベルト７１，７１がリニアモータにより周回軌道に沿って周回移動する点である。この例では、既述の回動体９１の駆動プーリの代わりに第１のプーリ７２、回動体９２の従動プーリの代わりに第２のプーリ（図示せず）が設けられ、これら第１のプーリ７２と第２のプーリとの間にタイミングベルト７１，７１が巻き掛けられている。前記第１のプーリ７２及び第２のプーリの位置や大きさは、上述の搬送路部材９の回動体９１，９２と夫々同じである。

前記タイミングベルト７１，７１は、少なくともその外表面に、Ｎ極とＳ極とが交互に配列される電磁石を備えている。またタイミングベルト７１，７１の周回軌道の一部例えば周回軌道の下部の直線部位には、前記タイミングベルト７１，７１を移動させるための駆動電磁石７３が設けられている。この駆動電磁石７３は、上記タイミングベルト７１，７１の移動時には、当該タイミングベルト７１，７１と僅かな隙間を介して接するように設けられている。前記駆動電磁石７３は、Ｎ極とＳ極とが交互に配列されると共に、磁性の切り替えが行われる電磁石により構成され、制御部７により磁性の切替が制御されるようになっている。また前記タイミングベルト７１，７１の、駆動電磁石７３に対する面には例えば山形の凹部７４が形成される一方、駆動電磁石７３のタイミングベルト７１，７１と対する面には、前記タイミングベルト７１，７１の凹部７４と適合する形状の突部７５が形成されている。

このような構成では、駆動電磁石７３を作動させ、駆動電磁石７３の磁性を切り替えることによって、タイミングベルト７１，７１が駆動電磁石７３から僅かに浮上した状態で、磁石の吸着と反発の作用と、第１及び第２のプーリの回転により、前記第１の周回軌道に沿って周回移動するように構成されている。

続いて前記ＤＥＶ層Ｂ１に設けられる現像モジュールの他の例について図１６〜図１８を用いて説明する。この現像モジュールＤＥＶは、ウエハＷに対して現像処理を行うためのＤＥＶ層Ｂ１の長さ方向（図１６，図１７中Ｙ方向）に沿って伸びる処理領域１００と、この処理領域１００の長さ方向の一方側に設けられた搬入用受け渡し部１１０と、前記処理領域１００の長さ方向の他方側に設けられた搬出用受け渡し部１１１と、を備えている。前記搬入用受け渡し部１１０は、インターフェイスブロックＳ３側のメインアームＡ１２によりアクセスされる領域に設けられ、前記搬出用受け渡し部１１１は、キャリアブロックＳ１側のメインアームＡ１１によりアクセスされる領域に設けられている。

前記処理領域１００は、例えばその長さ方向の大きさは、複数枚例えば３枚のウエハＷが前記ＤＥＶ層Ｂ１の長さ方向に配列できる程度に設定され、その幅方向（図中Ｘ方向）の大きさは、例えば１枚のウエハＷに対して現像処理を行なうために適した大きさに設定されている。この処理領域１００は、インターフェイスブロックＳ３側からキャリアブロックＳ１側に向かって、現像領域１０１と、洗浄領域１０２と乾燥領域１０３とをこの順序で備えている。これら現像領域１０１と洗浄領域１０２と乾燥領域１０３は、その長さ方向の大きさが、夫々例えば１枚のウエハＷが配置される程度に設定されている。

そしてウエハＷは、搬送路部材１３０の上に載置されて前記処理領域１００内を、インターフェイスブロックＳ３側からキャリアブロックＳ１側に向けて前記長さ方向に搬送されるように構成されている。前記搬送路部材１３０は、水平軸のまわりに回動し、回動軸が互いに平行になるように前後に配置された一対の回動体１３１，１３２の間に架け渡されて周回軌道に沿って移動するように構成され、こうしてインターフェイスブロックＳ３からキャリアブロックＳ１に向かうウエハＷの搬送路の一部を形成するものである。具体的には、搬送路部材１３０は、前記回動軸と平行に伸び、その上にウエハＷが載置される複数の棒状の搬送部材１２０と、前記搬送部材１２０の両端に接続され、前記周回軌道に沿って移動する一対のタイミングベルト１３３，１３３とを備えており、前記タイミングベルト１３３，１３３は前記回動体１３１，１３２の間に巻き掛けられている。

前記搬送部材１２０は、例えば断面が円形状あるいは三角形などの多角形状に形成されたセラミック製あるいはポリテトラフルオロエチレン等の樹脂製の棒状体により構成されている。その長さは、例えば図に示すように、処理領域１００の幅方向の長さをカバーする程度に設定され、その断面の大きさは、例えば断面が円形状である場合には、直径が７ｍｍ程度に設定されている。この例では、ウエハＷの裏面側周縁部が前記２本の搬送部材１２０に支持されるようになっている。

前記一対の回動体１３１，１３２は、それらの回動軸が、処理領域１００の幅方向に互いに平行に伸びるように設けられている。これら回動体１３１，１３２の長さは処理領域１００の幅方向の長さをカバーする程度に設定され、一方の回動体１３１が前記搬入用受け渡し部１１０の上流側に位置し、他方の回動体１３２が前記搬出用受け渡し部１１１の下流側に位置するように、互いに処理領域１００を挟んで対向するように夫々設けられている。こうして前記搬入用受け渡し部１１０は、搬送路部材１３０により形成された搬送路の上流端に設けられ、搬出用受け渡し部１１１は前記搬送路の下流端に設けられることになる。

前記回動体１３１は、例えば図１６及び図１８に示すように、モータＭ１により回転駆動される駆動プーリよりなり、前記回動体１３２は従動プーリよりなる。そして回動体１３１，１３２の長さ方向の両端には、夫々タイミングベルト１３３，１３３が巻き掛けられ、このタイミングベルト１３３，１３３に前記一対の搬送部材１２０が所定の間隔で設けられることになる。

こうして回動体１３１，１３２を回転駆動することにより、搬送部材１２０が、搬入用受け渡し部１１０から処理領域１００を通って搬出用受け渡し部１１１側に移動し、次いで再び搬入用受け渡し部１１０に戻るように第１の周回軌道に沿って移動される。なお図１６は搬送路部材１３０を説明するための斜視図であり、図示の便宜上後述するメッシュ帯や、タイミングベルト１３３,１３３の周回軌道の内部に設けられた部材等を省略して描いている。

また前記処理領域１００を搬送部材１２０に載置されて移動するウエハＷの上方側には、メッシュ帯１２５が搬送部材１２０と同期して第２の周回軌道に沿って移動するように設けられている。前記メッシュ帯１２５は例えばナイロンーポリテトラフルオロエチレン繊維により構成されたメッシュ状の布状体であり、厚さが０．１５ｍｍ程度、開口の大きさが１．０ｍｍ×１．０ｍｍ程度であって、その幅方向の大きさはウエハＷを完全に覆う程度に設定されている。またメッシュ帯１２５は、その下面が搬送部材１２０の表面から例えば１．７ｍｍ程度上方側に位置するように、前記処理領域１００全体を覆うように設けられている。

このようなメッシュ帯１２５は、例えば図１８に示すように、水平軸のまわりに回動し、回動軸が互いに平行になるように配置された回動体１４１，１４２，１４３，１４４の間に架け渡されて第２の周回軌道に沿って移動するように構成されている。これら回動体１４１〜１４４は、それらの回動軸が、処理領域１００の幅方向に互いに平行に伸びるように設けられている。また回動体１４１〜１４４の長さはメッシュ帯１２５の幅方向の大きさに設定されている。

前記メッシュ帯１２５は、メインアームＡ１１，Ａ１２と搬入用受け渡し部１１０と搬出用受け渡し部１１１との間でウエハＷの受け渡しが行われる際に、この受け渡し動作に干渉しないように移動するので、前記回動体１４１は、例えばメインアームＡ１２と搬入用受け渡し部１１０との間でウエハＷの受け渡し動作を行う作業領域よりも下流側に設けられ、回動体１４２は、この回動体１４１と処理領域１００の長さ方向に対向するように、例えばメインアームＡ１１と搬出用受け渡し部１１１との間でウエハＷの受け渡し動作を行う作業領域よりも上流側に設けられている。

また前記回動体１４３は、前記回動体１４２の上方側に、当該回動体１４２と対向するように設けられ、前記回動体１４４は、前記回動体１４１の上方側に、当該回動体１４１と対向するように設けられている。ここで前記回動体１４１は、例えば図１８に示すように、モータＭ２により回転駆動される駆動プーリよりなり、前記回動体１４２〜１４４は従動プーリよりなる。そして回動体１４１〜１４４の長さ方向の両端には、夫々タイミングベルト１４５，１４５が巻き掛けられている。なお図１８では図示の便宜上モータＭ１，Ｍ２を回動体１３１，１４１とは別に描いているが、実際にはモータＭ２は、回動体１３１のモータＭ１と同様に、一対の駆動プーリの間に、これら両駆動プーリに接続されるように設けられている。

前記メッシュ帯１２５は、例えばその幅方向の両端側が前記一対のタイミングベルト１４５，１４５に取り付けられている。ここで前記回動体１４１〜１４４を構成する駆動プーリ及び従動プーリは夫々歯付きプーリにより構成される一方、タイミングベルト１４５，１４５には前記歯付きプーリに対応する孔部（図示せず）が設けられていて、送りガイドを兼用するように構成されている。

また前記搬送路部材１３０の回動体１３１のモータＭ１と、メッシュ帯１２５を回動させる回動体１４１のモータＭ２とは、夫々制御部７により駆動制御されるように構成されており、前記搬送路部材１３０のタイミングベルト１３３，１３３と、メッシュ帯１２５のタイミングベルト１４５，１４５とが互いに同期した状態で夫々周回移動するように制御されている。これによりメッシュ帯１２５が、第１の周回軌道に沿って移動する搬送部材１２０の移動と互いに同期して第２の周回軌道に沿って移動するように設けられることになる。ここで「互いに同期する」という意味は、メッシュ帯１２５を、前記搬送部材１２０の移動のタイミングと移動速度と移動方向とが揃うように移動させるということである。このように同期させてウエハＷとメッシュ帯１２５を移動させるので、ウエハＷに現像液を供給した後のウエハＷの移動においても、ウエハＷから現像液が零れ落ちないで保持され易く、ウエハＷ上の現像液の流動を抑制できる。

前記現像領域１０１には、当該領域１０１を搬送部材１２０に載置されたウエハＷが移動するときに、当該ウエハＷの表面に対して前記メッシュ帯１２５を介して現像液を供給するための現像ノズル１５１が設けられている。この現像ノズル１５１は、そのノズル１５１の先端にウエハＷの直径とほぼ同じか又は大きい現像液の吐出領域を備えており、その長さ方向が前記処理領域１００の幅方向に揃うように、かつノズル１５１の先端が搬送部材１２０に載置されたウエハＷの表面から２ｍｍ程度浮上した位置になるように設けられている。

また前記洗浄領域１０２には、当該領域を搬送部材１２０に載置されたウエハＷが移動するときに、当該ウエハＷの表面に対して前記メッシュ帯１２５を介して洗浄液である例えば純水を供給するための第１の洗浄ノズル１５２が設けられると共に、ウエハＷの裏面に対して洗浄液である例えば純水を供給するための第２の洗浄ノズル１５６が設けられている。前記洗浄ノズル１５２,１５６は、そのノズル１５２，１５６の先端にウエハＷの直径よりも大きい洗浄液の吐出領域を備えており、その長さ方向が前記処理領域１００の幅方向に揃うように、かつノズル１５２の先端が搬送部材１２０に載置されたウエハＷの表面から２ｍｍ程度浮上した位置になるように設けられている。

この第１の洗浄ノズル１５２は、例えば図１７に示すように当該洗浄領域１０２の範囲内において、第１の移動機構１５３により、処理領域１００の長さ方向に移動自在に設けられており、例えば複数回洗浄ノズル１５２を往復させてウエハＷ表面の洗浄を行うことができるようになっている。また前記第２の洗浄ノズル１５６は、洗浄領域１０２の範囲内におけるある位置に固定して設けるようにしてもよいし、洗浄領域１０２の範囲内において処理領域１００の長さ方向に移動自在に設けるように構成してもよい。

さらに前記乾燥領域１０３には、当該領域を搬送部材１２０に載置されたウエハＷが移動するときに、当該ウエハＷの表面に対して、当該表面を乾燥させるエアナイフの役目を有する気体例えばドライエア又は窒素ガス等の不活性ガスを供給するための第１のガスノズル１５４が設けられていると共に、ウエハＷの裏面に対して前記気体を供給するための第２のガスノズル１５７が設けられている。前記ガスノズル１５４，１５７は、そのノズル１５４，１５７の先端にウエハＷの直径よりも大きい気体の供給領域を備えており、その長さ方向が前記処理領域１００の幅方向に揃うように、かつノズル１５４の先端が搬送部材に載置されたウエハＷの表面から１ｍｍ程度浮上した位置になるように設けられている。前記第１のガスノズル１５４は、例えば図１７に示すように当該乾燥領域１０３の範囲内において、第２の移動機構１５５により、処理領域１００の長さ方向に移動自在に設けられている。前記第２のガスノズル１５７は、乾燥領域１０３の範囲内におけるある位置に固定して設けるようにしてもよいし、乾燥領域１０３の範囲内において処理領域１００の長さ方向に移動自在に設けるように構成してもよい。

前記現像ノズル１５１、第１及び第２の洗浄ノズル１５２，１５６、第１及び第２のガスノズル１５４，１５７は、例えばメッシュ帯１２５の第２の周回軌道の内側に設けられており、これらにはメッシュ帯１２５の周回移動を阻害しないように、夫々流量調整バルブＶ３〜Ｖ５を備えた供給路１６１〜１６３を介して現像液供給部１６４、洗浄液供給部１６５、乾燥ガス供給部１６６に接続されている。前記流量調整バルブＶ３〜Ｖ５は制御部７により制御されるように構成されている。

さらにまた前記現像領域１０１と洗浄領域１０２の、搬送部材１２０の下方側には、当該領域１０１，１０２に供給された現像液や洗浄液を回収するための液受け部１６７が設けられており、この例では前記液受け部１６７は前記搬送部材１２０の第１の周回軌道の内側であって、第２の洗浄ノズル１５６の下方側に位置するように設けられている。そして液受け部１６７には前記搬送部材１２０の周回移動を阻害しないように排液路１６８が接続されている。

そして前記乾燥領域１０３はウエハＷの乾燥を促進するために、処理容器１７０にて覆われている。この処理容器１７０は、ウエハＷが乾燥領域１０３を通過するときにウエハＷの周囲を覆うように構成されていて、ウエハＷが搬送部材１２０に載置された状態で当該処理容器１７０内を移動できるように、ウエハＷが通過する領域に隙間１７１が形成されている。そして前記処理容器１７０には搬送部材１２０の周回移動を阻害しないように排気路１７２が接続され、この排気路１７２の他端側は排気ポンプ１７３に接続されていて、当該処理容器１７０内が陰圧になるように制御部７からの指令に基づいて圧力調整されるように構成されている。

前記搬入用受け渡し部１１０は、例えば搬送部材１２０の第１の周回軌道の内側領域に設けられた第１の昇降ピン機構１８１を備えている。この第１の昇降ピン機構１８１は、メインアームＡ１２から搬送部材１２０上にウエハＷを受け渡すときに用いられるものであり、昇降ピン１８２は、メインアームＡ１２が搬入用受け渡し部１１０との間でウエハＷの受け渡しを行なう受け渡し位置に移動したときに、その先端が搬送部材１２０を介して、メインアームＡ１２の保持アーム５１，５２の内側領域から保持アーム５１，５２の上方側まで突出すると共に、ウエハＷが搬送部材１２０上に載置された後は、当該ウエハＷを載置する搬送部材１２０の下方側まで下降するように、昇降自在に設けられている。

また前記搬出用受け渡し部１１１は、搬入用受け渡し部１１０と同様に構成され、例えば搬送部材１２０の第１の周回軌道の内側領域に、搬送部材１２０からメインアームＡ１１にウエハＷを受け渡すときに用いられる第２の昇降ピン機構１８３を備えている。この第２の昇降機構１８３は第１の昇降機構１８１と同様に、昇降自在に構成された昇降ピン１８４を備えている。

続いてこの現像モジュールＤＥＶにて行なわれる現像処理について、簡単に説明する。先ず搬送部材１２０を受け渡し位置に位置した状態で停止させ、メインアームＡ１２から搬入用受け渡し部１１０にウエハＷ１を受け渡す。ここで前記搬送部材１２０の受け渡し位置とは、メインアームＡ１２から２本の搬送部材１２０上の所定位置にウエハＷが載置される位置であり、２本の搬送部材１２０同士の間に搬入用受け渡し部１１０の昇降ピン機構が位置する位置である。

そしてウエハＷ１の受け渡しは、例えばウエハＷを保持したメインアームＡ１２を搬入用受け渡し部１１０の上方側に進入させ、次いで昇降ピン機構１８１の昇降ピン１８２を搬送部材１２０の上方側まで上昇させてメインアームＡ１２からウエハＷを昇降ピン１８２により受け取り、次いでメインアームＡ１２を退行させた後、昇降ピン１８２を搬送部材１２０の下方側まで下降させて、ウエハＷ１を搬送部材１２０上に受け渡すことにより行なわれる。

こうして搬送部材１２０上にウエハＷ１を受け渡した後、モータＭ１とモータＭ２とを作動させて、搬送部材１２０及びメッシュ帯１２５をインターフェイスブロックＳ３側からキャリアブロックＳ１側に向けて所定の速度で夫々移動させる。そして処理領域１００では先ず現像領域１０１において、ウエハＷ１を移動させた状態で、現像ノズル１５１から所定の流量で現像液がメッシュ帯１２５を介してウエハＷ１の表面に供給される。この際現像ノズル１５１は移動しないが、ウエハＷ１側が移動していくため、ウエハＷ１の全面に現像液が供給され、現像処理が行われる。

現像液が供給されたウエハＷ１は、続いて洗浄領域１０２へ移動する。この際、ウエハ表面の現像液がウエハＷ１とメッシュ帯１２５との間に挟まれた状態でウエハＷ１が移動していく。ここで所定の現像時間例えば６０秒程度の現像時間を確保するために、現像領域１０１のウエハＷ１の移動方向の長さを調整してもよいし、移動速度を制御したり、現像液供給後に一旦ウエハＷの移動を停止するようにしてもよい。

洗浄領域１０２では、所定の現像時間経過後のウエハＷ１に対して、ウエハＷ１を移動させた状態で第１の洗浄ノズル１５２から所定の流量で洗浄液がメッシュ帯１２５を介してウエハＷ１の表面に供給され、これによりウエハＷ１の表面の現像液が洗い流されると共に、第２の洗浄ノズル１５６からウエハＷ１の裏面に洗浄液が供給され、裏面側に付着した現像液が洗い流される。ここで第１の洗浄ノズル１５２はウエハＷ１の移動方向に沿って洗浄領域１０２内を移動しながら洗浄液の供給を行う。この際、洗浄工程では、ウエハＷ１表面の現像液が全て洗い流されればよいが、確実な洗浄を行うために、洗浄領域１０２のウエハＷ１の移動方向の長さを調整してもよいし、洗浄液の供給流量を調整してもよいし、移動速度を制御するようにしてもよい。

続いてウエハＷ１は乾燥領域１０３へ移動する。乾燥領域１０３では、洗浄処理が行われたウエハＷ１に対して、陰圧に設定された処理容器１７０内において、ウエハＷ１を移動させた状態で、第１のガスノズル１５４から乾燥ガスが所定の流量でメッシュ帯１２５を介してウエハＷ１の表面に吹き付けられ、これによりウエハＷ１の表面が乾燥されると共に、第２の乾燥ノズル１５７からウエハＷ１の裏面に乾燥ガスが供給され、裏面側も乾燥される。ここで第１のガスノズル１５４はウエハＷ１の移動方向に沿って処理容器１７０内を移動しながら乾燥ガスの吹き付けを行う。この際、乾燥工程では、ウエハＷ１表面が乾燥すればよいが、確実に乾燥させるために、乾燥領域１０３のウエハＷ１の移動方向の長さを調整してもよいし、処理容器１７０内の圧力を調整してもよい。また第１のガスノズル１５４や第２のガスノズル１５７の本数を増加してもよいし、乾燥ガスの吹き付け流量を調整してもよいし、移動速度を制御するようにしてもよい。

この後ウエハＷ１は搬出用受け渡し部１１１へ移動し、メインアームＡ１１に受け渡される。この受け渡しでは、先ず搬送部材１２０を受け渡し位置に位置した状態で停止させる。この搬送部材１２０の受け渡し位置とは、２本の搬送部材１２０同士の間に搬出用受け渡し部１１１の昇降ピン機構１８３が位置する位置である。

そしてウエハＷ１の受け渡しは、例えばウエハＷ１を載置した搬送部材１２０の下方側から昇降ピン機構１８３の昇降ピン１８４を上昇させて、搬送部材１２０から昇降ピン１８４にウエハＷを受け渡し、次いでメインアームＡ１１を搬送部材１２０と昇降ピン１８４の間に進入させてから上昇させて、昇降ピン１８４からメインアームＡ１１にウエハＷを受け渡し、この後メインアームＡ１１を退行させて、昇降ピン１８４を搬送部材１２０の下方側まで下降させることにより行なう。

このようにこの現像モジュールＤＥＶでは、メインアームＡ１２から搬入用受け渡し部１１０に所定のタイミングで、順次現像処理前のウエハＷが受け渡される。そして搬入用受け渡し部１１０に受け渡されたウエハＷは、処理領域１００を上流側から下流側に移動しながら現像領域１０１においてウエハＷ表面への現像液の供給、洗浄領域１０２においてウエハＷ表面の現像液の洗浄、乾燥領域１０３においてウエハＷ表面の乾燥が行われ、次いで搬出用受け渡し部１１１に搬送される。この搬出用受け渡し部１１１においては、現像処理後のウエハＷが所定のタイミングで順次搬送されることになり、この現像処理後のウエハＷは所定のタイミングでメインアームＡ１１に受け渡される。一方、ウエハＷをメインアームＡ１１に受け渡した後、搬送部材１２０は再び搬入用受け渡し部１１０に戻される。

このような現像モジュールＤＥＶを用いることにより、ウエハＷに対して流れ作業状態で現像処理を行うことができ、複数のウエハＷに対して現像処理を途切れることなく連続して行うことができるため、スループットの向上を図ることができる。

以上においてＤＥＶ層Ｂ１に用いられるメインアームは、ＣＯＴ１層のメインアームＡ２と同様に、搬送領域の長さ方向に沿って移動する構成の１個のメインアームを１個としてもよい。また本発明では、ＤＥＶ層Ｂ１に設けられる加熱モジュールＰＥＢ，ＰＯＳＴの個数や、冷却モジュールＣＯＬ、温調モジュールＣＰＬの個数は自由に設定することができる。またＣＯＴ１層Ｂ１等においても、本発明の加熱モジュールを設けるようにしてもよい。さらに加熱モジュールＰＯＳＴ，ＰＥＢの構成は、ウエハＷの搬送路を形成する搬送路部材９が周回軌道に沿って移動し、前記搬送路の上流端に搬入用受け渡し部８１を設けると共に、前記搬送路の下流端に搬出用受け渡し部８２を設け、前記搬送路の上流端と下流端との間にウエハＷを加熱するための熱板８３を備える構成であれば、加熱領域８０の大きさ等は上述の例には限られない。またワイヤ９４を周回軌道に沿って移動させるための駆動機構も上述の例に限られないし、熱板は少なくとも上方側熱板８３、下方側熱板８４の一方を有する構成であればよい。

さらにガス吐出部８６や排気部８７を設けることにより、いわば一方向流の気流を形成しながら加熱処理を行うことができ、レジストから昇華した昇華物がパーティクルとしてウエハＷに付着することを低減できるという効果があるが、必ずしもこれらガス吐出部８６や排気部８７は設ける必要はない。

さらにまた搬入用受け渡し部８１や搬出用受け渡し部８２の構成も上述の例に限らず、搬入用受け渡し部８１に第１の冷却プレート９５を設けるようにすると、加熱処理を行う前のウエハＷの温度が揃えられ、複数のウエハＷにおいて均一に加熱処理を行うことができるという利点があるが、必ずしも第１の冷却プレート９５を設ける必要はない。

また本発明は、塗布膜としてレジスト膜のみを形成する場合のみならず、レジスト膜の上層側又は下層側に反射防止膜を形成する場合にも適用できる。ここでレジスト膜の上下に反射防止膜を形成する場合には、この反射防止膜形成用の単位ブロックを設ける必要があるが、この単位ブロックは、上述のレジスト膜を形成するための単位ブロックと同様に構成されている。さらに本発明は、塗布膜として、レジスト膜とレジスト膜の上下に反射防止膜を形成する場合にも適用でき、この場合には現像処理用の単位ブロックと、レジスト膜形成用の単位ブロックと、レジスト膜の下方側の反射防止膜形成用の単位ブロックと、レジスト膜の上方側の反射防止膜形成用の単位ブロックと、を互いに積層して処理ブロックが構成される。さらに本発明では、処理ブロックに塗布膜形成用の単位ブロックと現像処理用の単位ブロックが含まれていれば、夫々の積層順は自由に設定できる。
さらにまた棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３に設けられる処理モジュールとしては、上述の例とは別の他のモジュールを設けるようにしてもよい。また棚ユニットＵ１，Ｕ３に設けられる受け渡し部としては、受け渡しモジュールの数を多くするようにしてもよいし、温調機構を受け渡し部とを兼用するタイプの構成のモジュールを設けるようにしてもよい。さらに棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３には、疎水化処理を行なうモジュールを設けるようにしてもよいし、塗布膜の膜厚の検査やウエハＷの反り量の検査を行なう検査ユニットを設けるようにしてもよい。

さらにまた本発明は半導体ウエハのみならず液晶ディスプレイ用のガラス基板（ＬＣＤ基板）といった基板を処理する塗布、現像装置にも適用できる。

本発明に係る塗布、現像装置の一実施の形態を示す平面図である。前記塗布、現像装置を示す斜視図である。前記塗布、現像装置を示す側部断面図である。前記塗布、現像装置におけるＣＯＴ１層の単位ブロックを示す平面図である。前記ＣＯＴ１層の単位ブロックを示す斜視図である。前記塗布、現像装置におけるＤＥＶ層の単位ブロックを示す斜視図である。前記塗布、現像装置に設けられる加熱モジュールを示す斜視図である。前記加熱モジュールを示す平面図である。前記加熱モジュールを示す断面図である。前記加熱モジュールに設けられるワイヤを示す斜視図である。前記加熱モジュールの熱板とワイヤとを示す前面図である。前記ＤＥＶ層の単位ブロックに用いられるメインアームを示す平面図と斜視図である。前記加熱モジュールの作用を説明するための工程図である。前記加熱モジュールの作用を説明するための工程図である。前記加熱モジュールの他の例を示す断面図と斜視図である。前記塗布、現像装置に設けられる現像モジュールの他の実施の形態を示す斜視図である。前記現像モジュールを示す平面図である。前記現像モジュールを示す断面図である。従来の塗布、現像装置を示す側面図である。

符号の説明

Ｗ半導体ウエハ
２０キャリア
Ｓ１キャリアブロック
Ｓ２処理ブロック
Ｓ３インターフェイスブロック
Ｓ４露光装置
Ａ１１〜Ａ３メインアーム
Ｃトランファーアーム
Ｄ受け渡しアーム
Ｅシャトルアーム
Ｆインターフェイスアーム
７制御部
ＰＯＳＴ，ＰＥＢ加熱モジュール
８０加熱領域
８１搬入用受け渡し部
８２搬出用受け渡し部
９搬送路部材
９１，９２回動体
９４ワイヤ

Claims

キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して、このキャリアブロックの後段側に設けられた塗布膜形成用の単位ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、この塗布膜形成用の単位ブロックの後段側に設けられたインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を、前記塗布膜形成用の単位ブロックに積層されると共に、前記インターフェイスブロックからキャリアブロックに向かう基板の搬送路を備えた現像処理用の単位ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
前記現像処理用の単位ブロックには、基板に対して現像処理を行なう現像モジュールと、現像処理の前後に基板に対して熱処理を行う加熱モジュールと、前記熱処理後の基板に対して冷却処理を行う冷却モジュールと、これらモジュールに対して基板の受け渡しを行なうための基板搬送手段と、が設けられ、
前記加熱モジュールは、
水平軸のまわりに回動し、回動軸が互いに平行になるように前後に配置された一対の回動体と、
これら回動体の間に架け渡されて周回軌道に沿って移動し、互いの離間距離が基板の幅よりも大きい一対のタイミングベルトと、
前記一対のタイミングベルトにその両端が夫々接続されると共に各々前記回動軸と平行に伸び、その上に基板を載置して基板の搬送路に沿って搬送するために、搬送路に沿って互に離間して配置した複数の搬送部材であるワイヤと、
前記搬送路の上流端に設けられ、前記基板搬送手段とワイヤとの間で基板の受け渡しを行なうための搬入用受け渡し部と、
前記搬送路の上流端と下流端との間にて基板の搬送路の下方側及び上方側に夫々設けられた、基板を加熱するための第１の熱板及び第２の熱板と、
前記熱板の下流側に設けられ、前記基板搬送手段とワイヤとの間で基板の受け渡しを行うための搬出用受け渡し部を構成し、前記熱板により加熱された基板をその上に載置して冷却するための冷却プレートと、
この冷却プレートを前記ワイヤよりも下方位置と上方位置との間で昇降させるための昇降機構と、を備え、
前記冷却プレートには、ワイヤの配列に対応してワイヤに沿って伸びる溝部が形成され、前記冷却プレートが上昇して前記溝部内にワイヤが潜り込み、これによりワイヤ上の基板が当該冷却プレート上に受け渡されることを特徴とする塗布、現像装置。
前記タイミングベルトを前記周回軌道に沿って移動させるために、前記一対の回動体の少なくとも一方を回転駆動させるためのモータを備えることを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
前記タイミングベルトは、少なくともその外表面に、Ｎ極とＳ極とが交互に配列される電磁石が設けられ、
前記タイミングベルトを前記周回軌道に沿って移動させるための、Ｎ極とＳ極とが交互に配列されると共に磁性の切り替えが行われる駆動電磁石を備えることを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
前記ワイヤの移動方向から見て左右側の一方に設けられ、第１の熱板と第２の熱板との間にガスを吐出して前記基板の幅をカバーできる幅の気流を形成するためのガス吐出部と、
前記ワイヤの移動方向から見て左右側の他方に設けられ、前記第１の熱板と第２の熱板との間からガスを吸引するための基板の幅をカバーできる幅に形成された吸引排気口と、を備えることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。
前記基板搬送手段は、前記搬入用受け渡し部に基板を受け渡すための搬入用基板搬送手段と、前記搬出用受け渡し部から基板を受け取るための搬出用基板搬送手段と、を備えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
前記現像処理用の単位ブロックは、前記加熱モジュールと、現像処理を行う前の基板に対して処理を行なう複数個の前処理モジュールと、現像処理を行った後の基板に対して処理を行なう複数個の後処理モジュールと、を備えた棚ユニットを備え、
この棚ユニットは、現像処理用の単位ブロックの基板の搬送路を介して現像モジュールと対向するように設けられると共に、前記加熱モジュールは、この加熱モジュールにおける基板の搬送路が、現像処理用の単位ブロックの基板の搬送路に沿うように、かつ前記搬入用受け渡し部がインターフェイスブロック側、前記搬出用受け渡し部がキャリアブロック側に夫々位置するように設けられることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して、このキャリアブロックの後段側に設けられた塗布膜形成用の単位ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、この塗布膜形成用の単位ブロックの後段側に設けられたインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を、前記塗布膜形成用の単位ブロックに積層されると共に、前記インターフェイスブロックからキャリアブロックに向かう基板の搬送路を備えた現像処理用の単位ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像方法において、
前記現像処理用の単位ブロックには、基板に対して現像処理を行なう現像モジュールと、現像処理の前後に基板に対して熱処理を行う加熱モジュールと、前記熱処理後の基板に対して冷却処理を行う冷却モジュールと、これらモジュールに対して基板の受け渡しを行なうための基板搬送手段と、が設けられ、
前記加熱モジュールは、水平軸のまわりに回動し、回動軸が互いに平行になるように前後に配置された一対の回動体と、
これら回動体の間に架け渡されて周回軌道に沿って移動し、互いの離間距離が基板の幅よりも大きい一対のタイミングベルトと、
前記一対のタイミングベルトにその両端が夫々接続されると共に各々前記回動軸と平行に伸び、その上に基板を載置して基板の搬送路に沿って搬送するために、搬送路に沿って互に離間して配置した複数の搬送部材であるワイヤと、を備え、
前記搬送路の上流側に設けられた搬入用受け渡し部を介して前記基板搬送手段から基板をワイヤの上に受け渡す工程と、
次いで前記ワイヤにより基板を下流側に移動させ、基板の搬送路の下方側及び上方側に夫々設けられた第１の熱板及び第２の熱板により当該基板に対して熱処理を行う工程と、
次いで前記ワイヤにより基板を前記熱板の下流側に位置する搬出用受け渡し部の上方に移動させる工程と、
続いてワイヤの配列に対応してワイヤに沿って伸びる溝部が形成された、搬出用受け渡し部を構成する冷却プレートをワイヤの下方側から上昇させて前記溝部内にワイヤを潜り込ませ、これによりワイヤ上の基板を当該冷却プレート上に受け渡して基板を冷却する工程と、
しかる後、前記冷却プレートから前記基板搬送手段に基板を受け渡す工程と、
次いで基板が載置されていないワイヤを、前記搬出用受け渡し部から搬入用受け渡し部に戻るように周回軌道に沿って移動させる工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像方法。
前記基板搬送手段は、搬入用基板搬送手段と搬出用基板搬送手段とを備え、前記搬入用受け渡し部においては、前記搬入用基板搬送手段から前記ワイヤに対して基板の受け渡しを行い、前記搬出用受け渡し部においては、前記ワイヤから前記搬出用基板搬送手段に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とする請求項７記載の塗布、現像方法。
キャリアブロックから受け取った基板にレジスト膜を含む塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対して現像処理を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは、請求項７又は８に記載された塗布、現像方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。