JP4875879B2

JP4875879B2 - 極端紫外光源装置の初期アライメント方法

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Publication number: JP4875879B2
Application number: JP2005297188A
Authority: JP
Inventors: 保阿部; 秀往星野; 浩染谷; ゲオルグ・スマン; 崇菅沼; 明住谷; 理若林
Original assignee: Komatsu Ltd; Gigaphoton Inc
Current assignee: Komatsu Ltd; Gigaphoton Inc
Priority date: 2005-10-12
Filing date: 2005-10-12
Publication date: 2012-02-15
Anticipated expiration: 2025-10-12
Also published as: JP2007109451A

Description

本発明は、露光装置の光源として用いられる極端紫外（ＥＵＶ：extreme ultra violet）光源装置における初期アライメント方法に関する。

半導体プロセスの微細化に伴って光リソグラフィも微細化が急速に進展しており、次世代においては、１００〜７０ｎｍの微細加工、更には５０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。例えば、５０ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光源と縮小投影反射光学系（catadioptric system）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光源としては、レーザビームをターゲットに照射することによって生成するプラズマを用いたＬＰＰ（laser produced plasma：レーザ励起プラズマ）光源と、放電によって生成するプラズマを用いたＤＰＰ（discharge produced plasma）光源と、軌道放射光を用いたＳＲ（synchrotron radiation）光源との３種類がある。これらの内でも、ＬＰＰ光源は、プラズマ密度をかなり大きくできるので黒体輻射に近い極めて高い輝度が得られ、ターゲット物質を選択することにより必要な波長帯のみの発光が可能であり、ほぼ等方的な角度分布を持つ点光源であるので光源の周囲に電極等の構造物がなく、２πsteradianという極めて大きな捕集立体角の確保が可能であること等の利点から、数十ワット以上のパワーが要求されるＥＵＶリソグラフィ用の光源として有力であると考えられている。

関連する技術として、特許文献１には、１本の光軸上に位置する第１並びに第２の焦点を有し、第２の共焦点で、若しくは、実焦点で第１の焦点近くに配置された光源からの光を集束するコレクタミラーであって、上記光軸の方向に変位可能であり、且つ、温度が変化するときに上記第２の焦点が変化しないように、構成並びに／若しくは装着されているコレクタミラーを具備する光源からの放射線のための集束装置が開示されている。

また、特許文献２には、プラズマの放射発散を安定化させるための装置、特に極紫外線を発生させるための装置であって、光束化したエネルギービームがターゲットに対し指向され、ターゲットがターゲットビームとして構成され、且つエネルギービームの放射方向に対しほぼ直交する放射方向を有している装置が開示されている。この装置には、相互作用部位として設けられた交点にしてターゲットビームの放射方向とエネルギービームの放射方向との交点に対する両放射方向の少なくとも一方のずれを時間的に連続して検出するための測定手段であって、相互作用部位に対する両放射方向の指向性を制御するための制御量として適した出力信号を有している上記測定手段と、ターゲットビームの放射方向とエネルギービームの放射方向との少なくとも一方を測定手段の出力信号に依存して調整して追従制御するための制御回路としてのアクチュエータとが設けられている。

さらに、特許文献３には、レーザプラズマ光源を用いた極端紫外光リソグラフィ技術において、ウェハ上の露光量を高精度に制御するために、レーザ光を標的に照射して極端紫外光領域の光を発生する光源と、照明光学系と投影光学系とを有し、該極端紫外光を該照明光学系を介してマスクに照射し、該マスクのパターンを該投影光学系を介して試料に転写する露光装置において、該極端紫外光の強度を検出する手段と、該検出結果に基づき、該標的から発生する該極端紫外光の強度を変化させて、該試料における露光量を制御する手段とを有する露光装置が開示されている。
特開２００２−１８９１６９号公報（第２頁、図１）特開２００４−３０３７２５号公報（第２頁、図１）特開２０００−９１１９５号公報（第１、２頁）

ところで、時間的に安定したＥＵＶ露光を実現するためには、光源から露光機に同一条件で露光光を入射しなければならない。そのためには、以下の３つの条件が同時に満たされる必要がある。
第１の条件として、発光点位置は、露光機光学系に対して空間的に一定位置（理想発光点）になければならない。第２の条件として、コレクタミラーによってＥＵＶ光が集光さ集光点位置は、露光機光学系に対して空間的に一定位置（理想集光点）になければならない。第３の条件として、集光点におけるＥＵＶ放射分布及び放射エネルギーは、ほぼ一定でなければならない。

これらの点について、特許文献１においては、コレクタミラーの温度変化に対応してコレクタミラーをＥＵＶ光軸方向に変移させることにより、集光点位置を変動させないようにしている。しかしながら、光軸方向を制御しているだけなので、熱によるコレクタミラーの多様な位置変動に対応することができない。また、ターゲットの位置変動及び形状変動に伴う集光点の位置変動にも対応することができない。

また、特許文献２においては、ターゲットの位置を検出することにより、レーザの照射点の位置を制御しているので、発光点の位置を制御することはできる。しかしながら、コレクタミラーの位置変動に伴う集光点変動については言及されていない。
さらに、特許文献３においては、ＥＵＶエネルギーを検出し、レーザエネルギーを増減させることによりＥＵＶエネルギーを制御しているが（第２頁）、発光点及び集光点の位置変動については言及されていない。

このように、特許文献１〜３の各々においては、ＥＵＶ光による安定した露光を実現することはできない。また、それらを単純に組み合わせただけでは、先に述べた３つの条件を満たすことができない。例えば、特許文献１〜３に開示されている技術を組み合わせることにより、発光点の位置及び集光点の位置を空間的にほぼ理想的な一定に維持するための制御を行う場合には、理想的発光点の位置及び理想的集光点の位置を制御系が認識していなければならない。しかしながら、理想的発光点の位置及び理想的集光点の位置は、ＥＵＶ光源の設計だけでなく、露光装置の光路設計も関係してくるので、ＥＵＶ光源側のみにおいてアライメントを行っても、効率の良い露光を行うことはできない。さらに、決定された理想的な位置を逸脱しないように制御系を組む場合には、制御系はその位置を必ず認識していなければならないが、上記の特許文献１〜３には、そのような認識方法は関して記載されていない。

また、上記の特許文献１〜３においては、コレクタミラーの多様な位置変動に対応することができない。ここで、コレクタミラーの位置変動の要因は、主に、ＥＵＶプラズマの輻射熱に起因する各部分の変形である。ＥＵＶプラズマの輻射熱は、コレクタミラーだけでなく、ＥＵＶチャンバ及びコレクタミラーの保持機構も、直接又は間接的に加熱してしまう。その結果、コレクタミラーの位置及び傾きは、極めて多様に変動する。具体的には、コレクタミラーの保持方法によって異なるが、例えば、コレクタミラーのアオリ角と光軸の法線面内における位置とが同時に変動してしまう場合がある。このような場合には、特許文献に開示されているように、コレクタミラーの光軸方向の移動制御や、コレクタミラー自体の形状を変形させることによっても、コレクタミラーの位置変動に対応できない。

さらに、ＥＵＶ光源装置を長期間に渡って使用する場合には、コレクタミラーの劣化に対応しなければならない。ＥＵＶプラズマからは、高エネルギーのイオンや中性粒子、微粒子が放出されるので、これらによる損傷のために、コレクタミラーは徐々に劣化し、その反射率が低下してしまうからである。

しかも、この劣化は、プラズマの生成状態に応じて、反射面の各部分において、不均一な反射率の低下を引き起こす。つまり、ＥＵＶエネルギーを一定に保つための制御を行う場合に、ＥＵＶエネルギーの検出装置は必須であるが、ＥＵＶ光の一部のみをモニタするだけでは、露光装置に投入される全てのＥＵＶエネルギーを反映していない場合が生じる。このような傾向は、コレクタミラーの劣化が進み、反射率の分布におけるバラツキが大きくなるほど強くなる。上記の特許文献においては、それらの点が考慮されていないので、実用に供するには困難が伴うことが考えられる。

このように、ＥＵＶ光源装置においては、ＥＵＶ光の生成を行う前段階で、高い精度でアライメントされている必要があると共に、ＥＵＶ光源装置の使用中に生じる様々な変動に対して安定した動作を維持するために、各部を制御するための基準となる情報、例えば、理想的なプラズマ発光点や集光点の位置情報を保持していなくてはならない。

上記の問題点に鑑み、本発明は、露光のために用いられるＥＵＶ光を発生するＬＰＰ型極端紫外光源装置において効率良くＥＵＶ光を発生させると共に、発生したＥＵＶ光を露光装置において効率良く利用することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の１つの観点に係る極端紫外光源装置の初期アライメント方法は、真空チャンバの内部に供給されたターゲット物質に、該ターゲット物質を励起させるためのレーザ光を照射することによりプラズマを生成し、該プラズマから発生する極端紫外（ＥＵＶ）光をＥＵＶ集光ミラーによって所定の位置に集光するレーザ励起プラズマ方式による極端紫外光源装置のアライメント方法であって、プラズマを生成すべき位置である理想発光点に第１の位置基準素子を配置し、該プラズマから発生した光を集光すべき位置である理想集光点に第２の位置基準素子を配置するステップ（ａ）と、第１の光軸調整光が第１の位置基準素子及び第２の位置基準素子を通過するように、該第１の光軸調整光の光路を調整すると共に、第２の光軸調整光が第１の位置基準素子を通過して第２の位置基準素子を通過しないように、該第２の光軸調整光の光路を調整し、理想集光点近傍のセンサを用いて該第１の光軸調整光の画像情報を取得するステップ（ｂ）と、ターゲット励起用レーザ光源からレーザ光を射出し、該レーザ光がレーザ光集光素子を介して第１の位置基準素子を照射するように、レーザ光集光素子の位置及び姿勢を調整するステップ（ｃ）と、第１の位置基準素子を退避させると共に第１及び第２の光軸調整光を射出した状態で、ターゲット射出装置を用いて真空チャンバの内部にターゲット物質を供給し、該ターゲット物質が第１の光軸調整光と第２の光軸調整光との交点を通るように、ターゲット射出装置の位置及び姿勢を調整するステップ（ｄ）と、第１及び第２の光軸調整光の射出を停止すると共に第１及び第２の位置基準素子を退避させた状態で、レーザ光をターゲット励起用レーザ光源から射出してターゲット物質に照射するステップ（ｅ）と、該レーザ光を該ターゲット物質に照射することにより生成されたプラズマから発生する極端紫外光の画像情報をセンサを用いて取得し、第１の光軸調整光の画像情報と該極端紫外光の画像情報とに基づいて、該極端紫外光がＥＵＶ集光ミラーによって理想集光点に集光されるように、ＥＵＶ集光ミラーの位置及び姿勢を調整するステップ（ｆ）とを具備する。

本発明によれば、理想発光点にプラズマを生成させると共に、プラズマから発生した光が理想集光点に集光するようにＥＵＶ光源装置の各部分をアライメントするので、ＥＵＶ光を効率良く発生させると共に、効率良く露光装置に供給することが可能となる。

以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。
本発明に係る初期アライメント方法を説明する前に、この初期アライメント方法が用いられる極端紫外（ＥＵＶ）光源装置全体の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、ＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。このＥＵＶ光源装置は、ＬＰＰ（レーザ励起プラズマ）方式を採用しており、露光装置用の光源として用いられる。

ここで、本願においては、プラズマが実際に生成される空間的座標のことを発光点といい、ＥＵＶ光源装置のアライメント設計によって定まる発光点の位置のことを理想発光点という。また、プラズマから発生した光が実際に集光される空間的座標のことを集光点といい、ＥＵＶ光源装置のアライメント設計によって定まる集光点の位置のことを理想集光点という。

図１に示すＥＵＶ光源装置は、装置全体を制御するＥＵＶ光源制御装置１０と、ＥＵＶ光の生成が行われるＥＵＶチャンバ（真空チャンバ）１１を含んでいる。ＥＵＶチャンバ１１には、ターゲット（標的）１を励起してプラズマ２を発生させるためのレーザ光（励起用レーザ光）３を導入する窓１２と、コレクタミラー１３と、ＥＵＶフィルタ１４とが備えられている。

図１に示すように、励起用レーザ光３がターゲット１を照射することにより、プラズマ２が生成され、１３．５ｎｍの波長成分を有するＥＵＶ光と共に、種々の波長成分を含む光が放射される。コレクタミラー１３は、プラズマ２から発生した光を反射して所定の方向に集光する。また、ＥＵＶフィルタ１４は、コレクタミラー１３によって集光された光の内の所定の波長成分を選択的に透過させるためのフィルタであり、ＥＵＶ光源装置から露光装置に不要な波長成分を進入させないために配置されている。例えば、露光装置において１３．５ｎｍのＥＵＶ光が用いられる場合には、ＥＵＶフィルタ１４として、ジルコニウム（Ｚｒ）フィルタが用いられる。ＥＵＶフィルタ１４を透過したＥＵＶ光は、光伝送系を介して露光装置に導入される。なお、後述するように、ＥＵＶフィルタ１４には、初期アライメント時に背後に配置されるＩＦ位置センサ６２を使用できるようにするために、駆動機構が設けられている。

また、図１に示すＥＵＶ光源装置は、ターゲット制御装置２０と、ターゲット供給装置２１と、ターゲット温度・圧力（流量）調整装置２２と、ターゲット射出装置２３と、ターゲット位置調整装置３０と、ターゲット位置モニタ装置３１と、レーザ制御装置４０と、レーザ励起強度調整装置４１と、レーザ光源４２と、レーザエネルギーモニタ装置４３と、光学系４４と、集光素子（例えば、集光レンズ）４５と、ＥＵＶエネルギーモニタ装置５０と、レーザ焦点調整装置４６と、プラズマモニタ装置５１と、コレクタミラー駆動装置６０と、コレクタミラー変位モニタ装置６１と、ＩＦ（intermediate focus：中間集光点）位置センサ６２とを含んでいる。また、図１に示すＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶダイオード６３を含んでも良い。

ターゲット供給装置２１は、キセノン（Ｘｅ）ガス等のターゲット物質を、ターゲット射出装置２３に供給する。また、ターゲット温度・圧力調整装置２２は、ターゲット物質の温度、及び、圧力又は流量を調整する。さらに、ターゲット射出装置２３は、所定の径を有する噴射ノズルを備えており、ターゲット供給装置２１から供給されたターゲットをＥＵＶチャンバ１１内に噴射する。ターゲット制御装置２０は、ＥＵＶ光源制御装置１０の制御の下で、これらの各装置の動作を制御する。例えば、ターゲットとして液体キセノン（Ｘｅ）が用いられる場合に、ターゲット制御装置２０は、キセノンガスを液化するために、ターゲット温度・圧力調整装置２２における冷却温度の制御及び圧縮圧力の制御を行うと共に、液体キセノンが所定の圧力で噴射されるように、供給圧力又は流量を制御する。それにより、例えば、直径が数十μｍである液体キセノン（Ｘｅ）のターゲット１が、ジェット（噴流）の状態でＥＵＶチャンバ１１内に供給される。

図２は、ターゲット位置調整装置３０及びその周辺部を示している。
ターゲット位置調整装置３０は、例えば、ベローズ付きの真空対応自動ＸＹステージを備えており、ＥＵＶ光源制御装置１０の制御の下で、ターゲット射出装置２３を、ターゲット流とほぼ直交する平面内において、所定の範囲内で移動させる。

ターゲット位置モニタ装置３１は、例えば、ＣＣＤ（charge coupled device）等の撮像素子を含むカメラであり、ターゲット１を撮像することにより、その画像を表す信号をＥＵＶ光源制御装置１０に出力する。ターゲット位置モニタ装置３１は、互いに異なる２つ以上の方向からターゲット１を見込むように配置されている。

ターゲット位置モニタ装置３１の位置は、ターゲット１が理想発光点を通過するように位置調節されている場合に、ターゲット１が視野中心付近を通過するようにアライメントされていることが望ましい。また、ターゲット位置モニタ装置３１は、ターゲット位置調整装置３０がストロークエンドまで動作した場合においても、ターゲット１を視野範囲に納めているように配置されることが望ましい。さらに、その視野内においては、ターゲット位置調整装置３０の移動方向が水平に臨めることが望ましい。そのためには、例えば、ターゲット位置調整装置３０のＸＹステージのＸ方向、及び、それと直交するＹ方向からターゲット１を見込むようにターゲット位置モニタ装置３１を設置すれば良い。加えて、図２に示すように、ターゲット位置モニタ装置３１は、その視野中心が発光点（プラズマが生成される位置）から外れるように、理想発光点の直上を見込むように配置されている。その理由は、プラズマ生成時に、プラズマからの強烈な発光の影響によってＣＣＤ等の出力が飽和するのを防ぐためである。

レーザ励起強度調整装置４１は、レーザ光源４２から発振させるレーザ光の励起強度を調整する。レーザ光源４２は、ターゲットに照射される励起用レーザ光３を発生する。レーザ制御装置４０は、ＥＵＶ光源制御装置１０の制御の下で、これらの装置４１及び４２の動作を制御する。例えば、レーザ制御装置４０は、レーザ発振に備えて、励起用電源のウォームアップ、チラーの駆動、共振器及び光学素子の温度調整等を行う。また、ＥＵＶ光源制御装置１０からレーザ射出条件の信号が送られた場合に、その発振条件をレーザ励起強度調整装置４１及びレーザ光源４２にセットする。さらに、レーザ制御装置４０は、ＥＵＶ光源制御装置１０からレーザ発振信号を受け取った場合には、レーザ光源４２にレーザ発振を開始させる。

レーザエネルギーモニタ装置４３は、レーザ光源４２から射出したレーザ光のエネルギーをモニタしており、レーザ光のエネルギー値を表す信号をレーザ制御装置４０に出力する。この信号は、レーザ制御装置４０により、レーザエネルギーが所定の値を維持するようにレーザ励起強度調整装置４１を制御するために用いられる。

光学系４４は、反射ミラーや、適切な光整形光学系を含んでおり、レーザ光源４２から射出した励起用レーザ光３を集光素子（例えば、集光レンズ）４５に導く。集光レンズ４５は、励起用レーザ光３を集光し、ＥＵＶチャンバ１１に設けられた窓１２を介して、理想発光点を照射させる。なお、コレクタミラー１３には、励起用レーザ光３を通過させるための空孔が形成されている。

レーザ焦点調整装置４６は、ＥＵＶ光源制御装置１０の制御の下で、集光レンズ４５を、励起用レーザ光３の照射軸方向、及び、それと直交する面内の２つの軸について調節する。レーザ焦点調整装置４６としては、例えば、モータによって駆動するＸＹＺステージ等を用いることができる。

ＥＵＶエネルギーモニタ装置５０は、ＥＵＶ光のエネルギーを検出する受光素子を備えている。ＥＵＶエネルギーモニタ装置５０は、理想発光点付近を見込むように設置されており、発光点から放射されるＥＵＶ光を検出して、そのエネルギー強度を表す信号をＥＵＶ光源制御装置１０に出力する。

プラズマモニタ装置５１は、例えば、ＣＣＤ等の撮像素子を含むカメラであり、理想発光点を視野に納めることができるように、理想発光点付近に配置されている。また、プラズマモニタ装置５１は、プラズマを３次元的に観測するために、理想発光点を異なる２以上の方向から臨むように、望ましくは、視野中心に理想発光点が配置されるように、アライメントされている。例えば、演算を簡単にするためには、２つのプラズマモニタ装置５１の観測軸を直交させることが望ましい。ただし、プラズマモニタ装置５１は、コレクタミラー１３によって集光される光（捕集光）の光路の影にならないように配置する必要がある。

また、プラズマは高輝度であるため、撮像素子としてＣＣＤを用いる場合には、受光面の前面に、適切な光学式バンドパスフィルタを設けることが望ましい。その場合には、例えば、図３に示すようにプラズマモニタ装置５１を構成することができる。即ち、撮像素子であるＣＣＤ５１ａの前面に、駆動機構５１ｂが設けられた光学バンドパスフィルタ５１ｃを配置する。駆動機構５１ｂは、光学バンドパスフィルタ５１ｃの位置を変化させるために設けられており、その動作は、ＥＵＶチャンバ１１の外部から制御することができる。

後述するように、初期アライメント時においては参照光としてレーザ光が用いられるが、参照光を観測する場合には、図３の（ａ）に示すように、光学バンドパスフィルタ５１ｃは、撮像素子５１ａに入射する光の光路から退避される。一方、プラズマを観測する場合には、図３の（ｂ）に示すように、光学バンドパスフィルタ５１ｃは、撮像素子５１ａの前面に挿入される。

このようなフィルタを設ける理由は次の通りである。即ち、市販の多くの撮像素子においては、微弱な光を検出できるようにするために、輝度のダイナミックレンジが調整されている。そのため、参照用のレーザ光やその散乱光を観測する場合には、撮像素子をそのまま用いることができる。しかし、レーザ光の微弱な散乱光と、高輝度のプラズマとにおいて、輝度の差は極めて大きい。従って、後者を観察する場合には、適切な光学バンドパスフィルタを施す必要がある。そこで、図３に示すように、撮像素子５１ａの前面に可動式のフィルタ５１ｃを設けることにより、１つの撮像素子によって、参照用レーザ光の散乱光とプラズマとの両方を観測することが可能になる。

プラズマモニタ装置５１の変形例として、光学バンドパスフィルタ５１ｃの代わりに、ジルコニウム（Ｚｒ）等のＥＵＶ光フィルタを用いることにより、プラズマのＥＵＶ発光領域を観測するようにしても良い。或いは、ＣＣＤカメラに絞りや露出時間の調整機構を設けることにより、参照用レーザ光の散乱光及びプラズマの入射光量を調整しても良い。
プラズマモニタ装置５１によって撮像された画像を表す信号は、図１に示すＥＵＶ光源制御装置１０に出力される。

再び、図１を参照すると、コレクタミラー駆動装置６０は、プラズマ２から発生した光がコレクタミラー１３によって効率良く集光され、露光装置への光伝送系に導かれるように、コレクタミラー１３の位置及び姿勢を調節する。図４は、コレクタミラー１３及びその周辺部を示している。図４に示すように、コレクタミラー駆動装置６０は、コレクタミラー駆動制御部６０１と、ＸＹＺステージ６０２と、Θステージ６０３と、βステージ６０４とを含んでいる。これらのステージ６０２〜６０４は機械的に結合されていると共に、ＥＵＶチャンバ１１の外部にマウントされており、真空チャンバとはベローズ等を介して連結されている。このようにステージを設置する理由は、ＥＵＶチャンバ１１からの機械的振動及び熱伝導からアイソレーション（隔離）するためである。なお、コレクタミラー１３は、通常、十分な冷却が施されることにより、それ自体の熱変形は除去されている。

コレクタミラー変位モニタ装置６１は、コレクタミラー１３の位置及び姿勢の変動を、非接触でモニタしており、コレクタミラー１３の変位を表す検出信号をＥＵＶ光源制御装置１０に出力する。図４に示すように、コレクタミラー変位モニタ装置６１は、レーザ変位計６１１と、ＣＣＤ等の撮像素子６１２と、半導体レーザ等の傾き検知用光源６１３とを含んでいる。レーザ変位計６１１は、コレクタミラー１３のＸＹＺ軸の位置変動を検出する。また、撮像素子６１２は、傾き検知用光源６１３から射出し、コレクタミラー１３の背面に設けられている傾き検知用基準反射面６１４から反射された光を検出することにより、コレクタミラー１３のΘ角及びβ角の変位を検出する。

ＩＦ位置センサ６２は、例えば、ＣＣＤ等の撮像素子を含むカメラであり、集光点付近における像を撮像するために、理想集光点付近に設けられている。ここで、通常、ＥＵＶ光の理想集光点はＥＵＶフィルタ１４上に形成されるように設計されているので、ＩＦ位置センサ６２はＥＵＶフィルタ１４の背後（露光装置側）に配置される。ＩＦ位置センサ６２によって取得された画像情報は、ＥＵＶ光源制御装置１０に出力される。また、ＩＦ位置センサ６２には、ＥＵＶチャンバ１１の外部から制御可能な駆動機構が設けられている。図４に示すように、ＩＦ位置センサ６２は、初期アライメント時やＥＵＶエネルギー較正時等に集光点の観測を行っている間には、理想集光点を観測できる位置（ＥＵＶ光の光路）に挿入され、露光装置において露光を行っている間には、ＥＵＶ光の光路外に退避させられる。

図５は、ＩＦ位置センサ６２と、その前方に配置されているＥＵＶフィルタ１４との位置関係を示している。図５に示すように、ＥＵＶフィルタ１４には、ＥＵＶチャンバ１１の外部から制御可能な駆動機構が設けられている。図５の（ａ）に示すように、初期アライメント時に、ＩＦ位置センサ６２に参照用のレーザ光を入射させる場合には、ＥＵＶフィルタ１４は光路外に退避させられる。一方、図５の（ｂ）に示すように、ＩＦ位置センサ６２によってＥＵＶ光の集光点を観測する場合には、ＥＵＶフィルタ１４が光路に挿入される。
ＥＵＶダイオード６３は、後述するように、ＥＵＶエネルギーモニタ装置５０の較正を行う場合に、理想集光点付近に移動されて使用される。

次に、本発明の第１の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の初期アライメント方法について、図１及び図６〜図８を参照しながら説明する。この初期アライメントにおいては、ターゲットと励起用レーザとが理想発光点において交差すると共に、プラズマから発生した光が理想集光点に集光するように、各部が調節される。

図６は、図１に示すＥＵＶ光源装置の内で、初期アライメントにおいて用いられる部分を抽出して示している。また、図６に示すように、初期アライメント時には、図１に示すＥＵＶ光源装置に加えて、参照用レーザ光源７０及び７２、並びに、光学系７１及び７３が配置される。

参照用レーザ光源７０及び７２は、初期アライメント時に用いられる参照用レーザ光（光軸調整光）を発生する。参照用レーザ光源７０及び７２としては、ＥＵＶ光源装置の各部品が照射されてもダメージを引き起こさない範囲の波長及び強度を有し、且つ、視認性の良い光源が用いられる。具体的には、Ｈｅ−Ｎｅレーザや、可視領域の半導体レーザ等が適切である。

反射ミラー等を含む光学系７１は、参照用レーザ光源７０から発生した第１の参照用レーザ光４が、理想発光点及び理想集光点、望ましくは、露光装置の露光光路を貫通するように、光路を形成する。一方、反射ミラー等を含む光学系７３は、参照用レーザ光源７２から発生した第２の参照用レーザ光５が理想発光点を通過するように光路を形成する。これらの参照用レーザ光４と参照用レーザ光５との交点が、理想発光点となる。

図７は、初期アライメント時におけるＥＵＶチャンバ１１及びその周辺の様子をチャンバの上部から見た様子を示している。図７に示すように、プラズマモニタ装置５１は、参照用レーザ光４及び５の光路を塞がないように配置されている。また、プラズマモニタ装置５１は、互いに９０度を為す角度から観測対象（プラズマ）を見込むように配置されることが望ましい。

図８は、本発明の第１の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の初期アライメント方法を示すフローチャートである。
図８のステップＳ１１において、第１の参照用レーザ光４及び第２の参照用レーザ光５の光路を調整する。そのために、まず、理想発光点及び理想集光点にピン等の位置基準素子を配置する。これらの位置基準素子は、機械的精度が保証された平面に設置することが好ましい。そして、参照用レーザ光源７０から参照用レーザ光４を射出し、参照用レーザ光４が理想発光点及び理想集光点にそれぞれ配置された位置基準素子を通るように、参照用レーザ光源７０又は光学系７１の位置及び姿勢を調整する。次に、参照用レーザ光源７２から参照用レーザ光５を射出し、参照用レーザ光５が理想発光点に配置された位置基準素子を通り、理想集光点に配置された位置基準素子を通らないように、参照用レーザ光源７２又は光学系７３の位置及び姿勢を調整する。その際には、参照用レーザ光５の光路が参照用レーザ光４の光路を直角に横切るようにすると、後の調整において直感的に解り易くなるので好ましい。

ステップＳ１１において光路調整された参照用レーザ光４は、集光点付近に移動させられたＩＦ位置センサ６２によって検出される。それによって取得された参照用レーザ光４の画像情報（照射パターン）がＥＵＶ光源制御装置１０に出力され、そこで記憶される。なお、図５の（ａ）に示すように、この時に、ＥＵＶフィルタ１４は、参照用レーザ光４の光路外に退避している。

次に、ステップＳ１２において、励起用レーザ光３の光路を調整する。そのために、図１に示すレーザ光源４２を駆動することによりレーザ発振を行い、励起用レーザ光３が理想発光点に配置された位置基準素子を通るように、集光レンズ４５の位置及び姿勢を調整する。なお、このステップにおいては、励起用レーザ光３の強度を、露光時におけるような高出力にする必要はない。以上の参照用レーザ光４及び５、並びに、励起用レーザ光３の光路を調整した後に、理想発光点及び理想集光点に配置された位置基準素子を光路から退避させておく。

次に、ステップＳ１３において、ターゲット射出装置２３からターゲット１を射出し、ターゲット射出装置２３の位置及び姿勢を調整することにより、ターゲット１が理想発光点を通るように位置合わせを行う。ターゲット１が参照用レーザ光４又は５の光路を横切ることにより、散乱光が発生する。そこで、この散乱光をプラズマモニタ装置５１によって観察しながら、ターゲット位置調整装置３０によりターゲット射出装置２３を移動させ、散乱光の強度が最も強くなる位置を探索する。例えば、ターゲット射出装置２３を±Ｘ方向に移動させることにより、ターゲット１を参照用レーザ光５の光路上に配置し、次に、ターゲット射出装置２３を±Ｙ方向に移動させることにより、ターゲット１を参照用レーザ光４と参照用レーザ光５との交点に配置する。それにより、ターゲット１が理想発光点にアライメントされる。ＥＵＶ光源制御装置１０は、そのときの散乱光の画像（散乱光位置情報）を、理想発光点の位置情報として記憶する。

なお、このようなターゲット射出装置２３の位置調整は、プラズマモニタ装置５１によって取得された散乱光の画像を参照しながら手動で行っても良いし、ＥＵＶ光源制御装置１０により自動的に行っても良い。また、ターゲット１の位置合わせが終了した後に、参照用レーザ光４及び５の射出を停止しておく。

次に、ステップＳ１４において、図１に示すレーザ光源４２を駆動することにより励起用レーザ光３を射出し、集光レンズ４５を介してターゲット１を照射する。それにより、ターゲット１が励起して、プラズマ２が生成される。この場合における励起用レーザ光３の強度は、露光時におけるような高出力である必要はなく、コレクタミラー１３の変形等を抑制するために、なるべく低出力（低エネルギー、且つ、低繰り返し周波数）で行うことが望ましい。

プラズマ２から発生した光は、コレクタミラー１３によって集光され、集光点に導かれる。この集光点における像（集光イメージ）が、ＩＦ位置センサ６２により観測される。それによって取得された集光イメージはＥＵＶ光源制御装置１０に出力され、そこで記憶される。

次に、ステップＳ１５において、ＩＦ位置センサ６２によって取得された集光イメージに基づいて、プラズマ２から発生した光が理想集光点に集光するように、コレクタミラー１３の位置及び姿勢を調整する。これにより、コレクタミラー１３によって集光された光の光軸が理想発光点及び理想集光点を通過するように、コレクタミラー１３の位置及び姿勢が調整される。さらに、コレクタミラー１３によって集光された光が理想集光点に最小スポット径で集光されるように、コレクタミラー１３の位置及び姿勢を調整するようにしてもよい。
以下に、ステップＳ１５における具体的な処理について説明する。
ＥＵＶ光源制御装置１０は、ステップＳ１４において取得された集光イメージの中心又は面積重心を算出し、ステップＳ１１において取得された第１の参照用レーザ光４の画像中心との差分を算出して記憶する。また、ＥＵＶ光源制御装置１０は、集光イメージの面積値及び真円度を算出して記憶する。そして、ＥＵＶ光源制御装置１０は、それらの算出された値に基づいてコレクタミラー駆動装置６０（図１及び図４参照）を制御することにより、コレクタミラー１３の位置及び姿勢を調節する。即ち、集光イメージの真円度が最大となるようにΘステージ６０３及びβステージ６０４を走査することにより、コレクタミラー１３の角度を調節する。また、集光イメージの中心が参照レーザ光４の画像中心に一致するように、Ｘステージ及びＹステージを走査する。さらに、集光イメージの面積値が規定値となるように、Ｚステージを走査する。

次に、ステップＳ１６において、コレクタミラー変位モニタ装置６１（図４参照）は、３つのレーザ変位計６１１により集光ミラー１３の位置を計測し、その計測値をＥＵＶ光源装置１０に出力する。ＥＵＶ光源制御装置１０は、それらの変位の値を「較正されたコレクタミラー位置」として記憶する。

以上説明した初期アライメントを行うことにより、ＥＵＶ光源装置において、理想発光点付近にプラズマを形成することができると共に、コレクタミラー１３により、プラズマから発生した光を理想集光点に集光することが可能となる。また、「較正されたコレクタミラー位置」を記憶しておくことにより、ＥＵＶ光源装置の動作中（露光中）に各部を調整することも可能となる。

以上説明した本実施形態に係るＥＵＶ光源装置の初期アライメント方法においては、ステップＳ１１における参照用レーザ光の光路調整と、ステップＳ１２における励起用レーザ光の光路調整との順序を入れ替えても構わない。即ち、理想発光点及び理想集光点に位置基準素子を配置した後で、最初に励起用レーザ光の光路調整を行い、その後で、参照用レーザ光の光路調整を行っても良い。

次に、本発明の第２の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の初期アライメント方法について、図６及び図８を参照しながら説明する。本実施形態においては、アライメントの基準として、理想発光点の位置及び理想集光点の位置に加えて、露光装置にＥＵＶ光を導く光伝送系の光路（以下において、露光光路という）を用いることを特徴としている。

まず、図８のステップＳ１１において、第１の参照用レーザ光４及び第２の参照用レーザ光５の光路を調整する。そのために、理想発光点及び理想集光点にピン等の位置基準素子を配置すると共に、露光光路にもピン等の第３の位置基準素子を配置する。図６に示すように、第３の位置基準素子の位置は、理想発光点と理想集光点とを結ぶ直線上であって、理想集光点から見て理想発光点の反対側となる。そして、参照用レーザ光４が、露光光路に配置された位置基準素子を通ると共に、理想発光点又は理想集光点に配置された位置基準素子を通るように、参照用レーザ光源７０又は光学系７１の位置及び姿勢を調整する。次に、参照用レーザ光５が、理想発光点に配置された位置基準素子を通り、理想集光点に配置された位置基準素子を通らないように、参照用レーザ光源７２又は光学系７３の位置及び姿勢を調整する。
ステップＳ１２以降の処理については、第１の実施形態におけるものと同様である。
本実施形態によれば、アライメントの基準として露光光路を用いるので、ＥＵＶ光源装置において生成したＥＵＶ光を、露光装置側に確実に且つ効率良く導くことが可能となる。
なお、本実施形態においても、参照用レーザ光４及び５の光路調整と励起用レーザ光３の光路調整との順序を入れ替えても良い。

次に、本発明の第３の実施形態に係るＥＵＶ光源装置のアライメント方法について、図１、図６及び図９を参照しながら説明する。図９は、本実施形態に係るＥＵＶ光源装置の初期アライメント方法を示すフローチャートである。
図９のステップＳ２１において、第１の参照用レーザ光４及び第２の参照用レーザ光５の光路を調整する。この光路調整方法は、第１又は第２の実施形態において説明したのと同様である（図８のステップＳ１）。また、光路調整された参照用レーザ光４の画像情報（照射パターン）がＩＦ位置センサ６２によって取得され、ＥＵＶ光源制御装置１０において記憶される。なお、この光路調整が終わった後に、理想発光点及び理想集光点に配置された位置基準素子を光路から退避させておく。

次に、ステップＳ２２において、ターゲット射出装置２３からターゲット１を射出し、ターゲット射出装置２３の位置及び姿勢を調整することにより、ターゲット１が理想発光点を通るように位置合わせを行う。この位置合わせの方法は、第１の実施形態におけるもの（図８のステップＳ１３）におけるものと同様である。

次に、ステップＳ２３において、励起用レーザ光３の光路を調整する。そのために、レーザ光源４２から励起用レーザ光３を射出し、集光レンズ４５を介して励起用レーザ光３をターゲット１に照射する。それによりターゲット１が励起して、プラズマ２が生成される。この場合における励起用レーザ光３の強度は、露光時におけるような高出力である必要はなく、コレクタミラー１３の変形等を抑制するために、なるべく低出力（低エネルギー、且つ、低繰り返し周波数）で行うことが望ましい。

そのようにして生成されたプラズマ２は、プラズマモニタ装置５１によって撮像される。そこで、プラズマモニタ装置５１によって取得されたプラズマ像の位置を観察しながら、励起用レーザ光３が理想発光点を照射するように、集光レンズ４５の位置及び姿勢を調整する。この調整は、手動で行っても良いし、ＥＵＶ光源制御装置１０によって自動調節しても良い。自動調節する場合には、例えば、ステップＳ２１において取得された参照用レーザ光４の照射パターンのスポット中心と、プラズマ像の中心とが一致するようにする。なお、集光点の位置精度に対する要求値が低い場合には、目視によりプラズマの位置を観察しながら集光レンズ４５を調節しても良い。

また、プラズマ２から発生した光（ＥＵＶ光）は、コレクタミラー１３によって集光され、集光点に導かれる。この集光点における像（集光イメージ）が、ＩＦ位置センサ６２により観測される。それによって取得された集光イメージはＥＵＶ光源制御装置１０に出力され、そこで記憶される。

次に、ステップＳ２４において、ＩＦ位置センサ６２によって取得された集光イメージに基づいて、プラズマ２から発生した光が理想集光点に集光するように、コレクタミラー１３の位置及び姿勢を調整する。このステップＳ２４における処理は、第１の実施形態におけるもの（図８のステップＳ１５）と同様である。
さらに、ステップＳ２５において、位置及び姿勢を調整されたコレクタミラー１３の変位の値を「較正されたコレクタミラー位置」として記憶する。
本実施形態においては、明度の高いプラズマを観察しながら励起用レーザ光３の光路（即ち、集光レンズ４５）を調整するので、作業がより簡単になる。

次に、本発明の第４の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の初期アライメント方法について、図１０及び図１１を参照しながら説明する。この初期アライメント方法においては、ターゲット流を形成することなく理想発光点の位置、理想集光点の位置、並びに、コレクタミラーの位置及び姿勢をＥＵＶ光源制御装置１０に認識させることができる。また、本実施形態においては、１つの参照用レーザ光のみが使用される。

図１０は、本実施形態に係る初期アライメント方法を示すフローチャートである。また、図１１は、本実施形態に係る初期アライメント方法を説明するための模式図である。
まず、ステップＳ３１において、理想発光点、理想集光点、及び、露光光路を通過するように、参照用レーザ光４の光路を調整する。この光路調整は、第２の実施形態（図９のステップＳ２１）におけるのと同様である。また、光路調整された参照用レーザ光４の画像情報（照射イメージ）がＩＦ位置センサ６２により取得され、ＥＵＶ光源装置１０において記憶される。

次に、ステップＳ３２において、ＥＵＶ光源制御装置１０は、参照用レーザ光４の照射パターンのスポット中心を算出し、その点を理想集光点として記憶する。ここで、参照用レーザ光４の光路は、理想発光点、理想集光点、及び、露光光路を貫通しているので、参照用レーザ光４の照射パターンにおけるスポット中心が、理想集光点となる。

次に、ステップＳ３３において、理想発光点に反射ピン（又は、レーザ光を散乱させる散乱体）７４を立てる。この反射ピン７４の径は、プラズマ２（図１参照）と同程度か、それ以下であることが望ましい。反射ピン７４を立てることにより、参照用レーザ光４が散乱されて周囲に放射されると共に、コレクタミラー１３により、散乱光が理想集光点付近に集光される。この理想発光点における散乱光はプラズマモニタ装置５１によって検出され、集光点における集光光はＩＦ位置センサ６２によって検出される。

ステップＳ３４において、プラズマモニタ装置５１によって取得された参照用レーザ光４の散乱光の画像情報が、理想発光点の位置情報としてＥＵＶ光源制御装置１０に記憶される。
ステップＳ３５において、ＩＦ位置センサ６２によって取得されたコレクタミラー１３による集光光の画像に基づいて、コレクタミラー１３の位置及び姿勢を調整する。そのために、ＥＵＶ光源制御装置１０は、ＩＦ位置センサ６２から出力された集光光の画像の中心が、ステップＳ３２において取得された理想集光点の位置（参照用レーザ光４のスポット中心）と重なるように、コレクタミラー駆動装置６０を動作させる。その際には、ＥＵＶ光と参照用レーザ光４とにおいては波長が異なるため、ＥＵＶ光源制御装置１０は、波長に起因する収差を予め取得し、その収差を含めてコレクタミラー１３の焦点位置を調整する。

以上説明したように、本実施形態によれば、ターゲット流を形成したり、プラズマを生成することなく、理想発光点の位置、理想集光点の位置をＥＵＶ光源制御装置１０に認識させると共に、コレクタミラー１３の位置及び姿勢を容易に調整することができる。

次に、図１に示すＥＵＶ光源装置において、発光点の位置、集光点の位置、及び、ＥＵＶエネルギーを安定化させるための制御動作について、図１及び図１２を参照しながら説明する。図１２は、図１に示すＥＵＶ光源装置における制御系統を示すブロック図である。これらの動作は、露光用のＥＵＶ光を生成している間に行われる。

（１）ターゲットの位置合わせ
ターゲット射出装置２３により液体キセノンを噴射することにより、ＥＵＶチャンバ１１内に、直径数十μｍの液体または固体の円筒形状のターゲット流（ターゲット１）が形成される。ターゲットの位置合わせを行う場合には、このターゲット１の位置がターゲット位置モニタ装置３１によって撮像される。

ターゲット位置モニタ装置３１は、一定時間ごとに、ほぼ同時に２つの方向からターゲット１を撮像し、ターゲット１の画像情報をＥＵＶ光源制御装置１０に出力する。ここで、ターゲット１は、理想発光点を通過するように初期アライメントされており、ＥＵＶ光源制御装置１０は、理想発光点を通過する場合おけるターゲットの中心位置情報を取得している。

そこで、ＥＵＶ光源制御装置１０は、ターゲット位置モニタ装置３１によって得られた実際のターゲットの観測画像に基づいて、現在のターゲット１の位置を算出する。そして、理想発光点を通過する場合におけるターゲットの中心位置情報と比較することにより、それらの差分を算出する。ＥＵＶ光源制御装置１０は、この差分値をターゲット位置調整装置３０における軸移動量に変換して出力することにより、ターゲット位置調整装置３０にターゲット射出装置２３の位置を所定の量だけシフトさせる。それにより、ターゲット１が理想発光点を通過するように調整される。このような調整動作は、ターゲットを噴射している間中、常に実施していても良いし、一定時間間隔で実施しても良い。望ましくは、可能な限り短い周期で調整を繰り返す。それにより、ターゲット１が理想発光点を通過している状態を維持することができる。

このようなターゲットの位置合わせ動作においては、初期アライメント時に得られた理想発光点におけるターゲットの中心位置情報の替わりに、チャンバ内の理想発光点にターゲット径に相当する太さの細線等を取り付け、これをターゲット位置モニタ装置３１によって撮像することによって得られたデータを用いても良い。或いは、装置構成から機械的アライメントによって定まる座標値を、理想発光点におけるターゲットの位置情報として数値入力しても良い。

（２）ＥＵＶエネルギー制御
ＥＵＶエネルギー制御動作においては、安定したＥＵＶエネルギーを生成するために、励起用レーザ光が所定の条件の下で発振するように制御する。
ＥＵＶ光源制御装置１０がレーザ制御装置４０に向けてレーザ発振条件を表す信号を送信すると、レーザ制御装置４０は、その発振条件に基づいて、レーザ励起強度調整装置４１に対して所定の設定を行う。次に、レーザ制御装置４０は、ＥＵＶ光源制御装置１０からレーザ発振信号を受信することにより、レーザ光源４２にレーザ発振を開始させる。

レーザエネルギーモニタ装置４３は、レーザ光源４２から射出したレーザ光のエネルギーをモニタしており、モニタ値を表す信号をレーザ制御装置４０に出力する。レーザ制御装置４０は、このモニタ値を、目標とされるレーザエネルギー値と比較し、両者が異なっている場合には、レーザの励起強度を補正するように、レーザ励起強度調整装置４１に指令信号を出力する。この指令信号は、例えば、レーザ光源が放電励起方式のガスレーザである場合には、励起電圧の指令値を表す。このように、ＥＵＶ光源制御装置１０から出力された指令信号に基づいて、レーザ光源４２からの出力エネルギーを適切な値に逐次調整することができる。

また、ＥＵＶ光源制御装置１０は、露光装置からＥＵＶエネルギー指令値、繰り返し指令値、及び、バーストモード等のＥＵＶ発生間隔条件を受け取り、これをレーザ動作条件に変換して、レーザ制御装置４０に出力する。そして、ＥＵＶ光源制御装置１０は、ＥＵＶ光を生成している間中に、ＥＵＶエネルギー指令値と、ＥＵＶエネルギーのモニタ値から算出される集光点におけるＥＵＶエネルギーとを参照して、両者の差分が小さくなるように、レーザエネルギーの出力値を調整させる。このように、露光装置から出力された指令値に基づいてレーザエネルギーを調整することにより、適切な出力値を有するＥＵＶエネルギーを、適切な発生間隔で出力することが可能となる。

（３）レーザ照射点の制御（発光点の制御）
安定したＥＵＶエネルギーを得るためには、発光点の位置を安定化させる必要がある。そのために、集光レンズ４５によって励起用レーザ光３の照射点（焦点位置）を調整することにより、理想発光点にプラズマが生成される状態が維持されるようにする。集光レンズ４５の調整は、発光点におけるプラズマの画像を観測しながら、或いは、検出中のＥＵＶエネルギーの値を参照しながら、レーザ焦点調整装置４６によって行われる。

ＥＵＶエネルギーの観測には、ＥＵＶエネルギーモニタ装置５０が用いられるが、それによって検出されるＥＵＶエネルギーの値は、ＥＵＶ光源装置を稼動させた初期の段階、即ち、コレクタミラー１３の汚染や損傷のない状態における集光点のＥＵＶエネルギー値との対応が取れていることが望ましい。この集光点のＥＵＶエネルギー値が初期較正値となる。そして、この初期較正値は、後で詳しく説明するように、ＥＵＶエネルギーモニタ装置の較正によって随時修正される。

図１に示すように、ターゲット流（ターゲット１）は、先に説明した初期アライメントによって理想発光点を通るように予め調節されている。このターゲット１に励起用レーザ光３を照射することにより、理想発光点付近においてプラズマが生成される。その時に、励起用レーザ光３がターゲット１からずれているためにプラズマが生成されない場合には、レーザ焦点調整装置４６によって集光レンズ３１をレーザ照射軸に垂直な面内において移動させることにより、プラズマを発光させる。このプラズマはプラズマモニタ装置５１により撮像され、プラズマの画像情報がＥＵＶ光源制御装置１０に出力される。

ＥＵＶ光源制御装置１０は、プラズマモニタ装置５１から出力されたプラズマ観測画像に基づいて現在の発光点を算出し、それを理想発光点の位置情報と比較することにより、両者の差分を算出する。そして、この差分の値を、レーザ焦点調整装置４６の軸移動量に変換し、レーザ焦点調整装置４６に出力する。レーザ焦点調整装置４６は、この軸移動量の分だけ集光レンズ４５をシフトさせる。それにより、集光レンズ４５のレーザ照射軸の直交面における位置が調整され、発光点が理想発光点に位置するようになる。

或いは、プラズマ観測画像から求められるプラズマ表面積情報に基づいて、集光レンズの焦点を調整しても良い。即ち、ＥＵＶ光源制御装置１０は、プラズマモニタ装置５１からプラズマ観察画像を取得し、プラズマ表面積を算出する。そして、算出されたプラズマ表面積を、予め取得された理想発光点におけるプラズマ表面積と比較し、その差分に基づいて、プラズマ表面積の差分が最小となるように、レーザ焦点調整装置４６を制御して集光レンズ４５をレーザ照射軸方向に移動させる。この場合に、ＥＵＶ光源制御装置１０は、理想発光点に生成されたプラズマの観察画像から得られたプラズマ表面積情報を、予め実験により取得しておくことが望ましいが、理論的に導かれるプラズマ表面積の値を予め取得しておいても良い。

さらに、ＥＵＶエネルギーモニタ装置５０によって取得されたＥＵＶエネルギー値に基づいて、集光レンズの焦点を調整しても良い。即ち、ＥＵＶ光源制御装置１０は、検出されたＥＵＶエネルギー値がそのときのレーザエネルギーに対応するＥＵＶエネルギーの規定値よりも低い場合に、集光点におけるＥＵＶエネルギーが最大となるように、レーザ焦点調整装置４６を制御して集光レンズ４５をレーザ照射軸方向に移動させる。

以上説明したレーザ照射点の制御方法において、プラズマ観察画像の表面積を用いる方法と、ＥＵＶエネルギーを参照する方法とは、いずれか１つを選択して用いれば良いが、両方を併用しても構わない。
このような調整は、励起用レーザ光３を照射している間に、常に実施していても良いし、一定時間間隔で実施しても良い。望ましくは、可能な限り短い周期で調整を繰り返すのが良い。それにより、プラズマを常に理想発光点に生成できるようになる。

ここで、一般的なＥＵＶ光源装置においては、集光レンズ４５の位置を決定するために、ターゲット流（ターゲット１）を形成しなくてはならない。しかしながら、図１に示すＥＵＶ光源装置においては、ターゲット流を形成することなく、集光レンズ４５の位置を決定することも可能である。以下に、その方法を２つ説明する。

第１の方法として、まず、ＥＵＶチャンバ１１内に、窒素（Ｎ_２）又は空気を充填する。そのような状態で励起用レーザ光３を照射することにより、気中プラズマが生成される。この気中プラズマは励起用レーザ光３の焦点付近に形成されるので、気中プラズマが理想発光点に配置されるように、レーザ焦点調整装置４６を制御して集光レンズ４５の位置及び姿勢を調整する。ここで、気中プラズマの大きさは、集光レンズ４５の焦点距離、励起用レーザ光３の波長、レーザエネルギー、又は、レーザパルス幅等によって変化するので、ＥＵＶプラズマと同等のサイズになるように、予め実験を行うことにより決定しておく。なお、プラズマサイズの調整は、集光レンズ４５及び励起用レーザ光３のパラメータが決定されていれば、ＥＵＶチャンバ１１内の圧力を調整することによって変化させることが可能である。

また、第２の方法として、理想発光点に微細な線等を配置し、その線に励起用レーザ光３を照射することによってプラズマを生成する。このプラズマを参照しながらレーザ焦点調整装置４６を制御することにより、集光レンズ４５の位置を調整する。理想発光点に配置される線の材料は金属でも非金属でも構わないが、汚染物（コンタミ）とならないように材料を選択する必要がある。また、プラズマを形成することにより線が磨耗する場合には、集光レンズ４５を調整している間中、線を連続して供給できる機構を設けても良い。それにより、調整作業時間を短縮することが可能となる。

（４）ＥＵＶエネルギーモニタ装置の較正
図１に示すＥＵＶ光源装置を長期間使用することにより、コレクタミラー１３やＥＵＶフィルタ１４の損傷や劣化が生じる。例えば、プラズマから発生した中性粒子やイオンによりコレクタミラー１３やＥＵＶフィルタ１４が削られて、ＥＵＶ光の集光点の位置がずれたり、ＥＵＶフィルタ１４の透過率が部分的に高くなってしまう。反対に、プラズマ生成に寄与しなかったターゲット物質（デブリス）がコレクタミラー１３やＥＵＶフィルタ１４に付着することにより、ミラーの反射率やフィルタの透過率が低下してしまう。その結果、ＥＵＶエネルギーモニタ装置５０によって観測されたＥＵＶエネルギーと、実際に露光装置に出力されたＥＵＶエネルギーとの間に乖離が生じる場合がある。このような現象を防止するためには、定期的にＥＵＶエネルギーモニタ装置５０の較正を行う必要がある。

まず、ＥＵＶエネルギーモニタ装置５０の較正を行う前に、ＥＵＶ光の生成を行い、ＥＵＶエネルギーモニタ装置５０のモニタ値（発光点における光エネルギーＥ１）と、コレクタミラー１３によって集光されたＥＵＶ光のエネルギーを、理想集光点に配置されＥＵＶダイオード６３によって測定した値（集光点における光エネルギーＥ２）との関係を予め取得しておく。Ｅ１とＥ２との関係は、例えば、Ｅ２＝ｆ（Ｅ１）といった関数によって表され、ＥＵＶ光源制御装置１０に記憶される。

ＥＵＶエネルギーモニタ装置５０の較正を行う場合には、露光装置において露光を行っていない時に、ＥＵＶダイオード６３を理想集光点の後方に移動させ、コレクタミラー１３によって集光されたＥＵＶ光のエネルギーＥ２を測定する。この測定値Ｅ２は、ＥＵＶ光源制御装置１０に出力される。
また、それと同時に、ＥＵＶエネルギーモニタ装置５０によってＥＵＶエネルギーのモニタ値Ｅ１を取得する。ＥＵＶ光源制御装置１０は、このモニタ値Ｅ１と、先に取得されたＥＵＶエネルギーの測定値Ｅ２とを比較することにより、ＥＵＶエネルギーモニタ装置５０からの出力を較正する。具体的には、今回取得されたＥ１及びＥ２の値を、ＥＵＶ光源制御装置１０に予め記憶されている関数に代入し、関数が成立するように、その関数を随時補正する。このような動作は、一定期間ごとに行われる。

このような較正を行うことにより、コレクタミラー１３の反射率やＥＵＶフィルタ１４の透過率に変化があった場合に、ＥＵＶ光源制御装置１０はその変化を容易に検知することができる。そして、例えば、反射率が低下していた場合には、レーザ制御装置４０に対して指令信号を出力して、レーザ出力を増加させることにより、ＥＵＶ光の出力エネルギーを一定に保つことができる。

また、ＥＵＶ光源制御装置１０は、この較正動作により、反射率が所定の値以下になっていると判断される場合には、コレクタミラーの交換時期であることをユーザに知らせるようにしても良い。
この較正動作においては、露光に用いられるＥＵＶ光の一部を測定するのではなく、露光装置に供給される全てのＥＵＶ光を測定するので、コレクタミラー１３に偏磨耗が生じていた場合においても、ＥＵＶエネルギーを正確に検出することができる。

コレクタミラー１３の偏磨耗状態等を検出する方法としては、次に説明する方法も挙げられる。露光装置において露光を行っていない時に、ＩＦ位置センサ６２を、理想的集光点付近に配置する。そして、ＩＦ位置センサ６２によってＥＵＶ光を撮像し、その画像情報をＥＵＶ光源制御装置１０に出力する。ＥＵＶ光源制御装置１０は、ＥＵＶ光の画像の強度分布に基づいて、コレクタミラーの偏磨耗状態を検出する。

その際に、ＥＵＶ光の画像に著しい輝点が観察された場合には、ＥＵＶフィルタ１４が損傷している可能性がある。そのような場合に、ＥＵＶ光源制御装置１０は、ＥＵＶフィルタ１４の交換が必要である旨をユーザに知らせるようにしても良い。
このような検査も定期的に行うことが望ましい。

さらに、ＥＵＶ光源制御装置１０は、ＩＦ位置センサ６２によって得られた画像の総輝度を積分し、この積分値とＥＵＶダイオード６３によって得られた測定値との対応関係を予め取得しておいても良い。それにより、ＥＵＶダイオード６３の替わりにＩＦ位置センサ６２を用いることによって、ＥＵＶエネルギーの較正を行うことが可能となる。また、ＥＵＶ光源装置の製造時にこの対応関係を取得しておくことにより、出荷後のＥＵＶ光源装置の動作環境において、ＥＵＶダイオード６３を省略することができる。

（５）コレクタミラーの制御（集光点の制御）
先に説明した初期アライメントにより、理想集光点の位置情報及び「較正されたコレクタミラー位置」の情報は、ＥＵＶ光源制御装置１０に記憶されている。そこで、図４に示すように、ＥＵＶ光源制御装置１０は、露光時に、コレクタミラー１３の変位を表す情報をコレクタミラー変位モニタ装置６１から取得し、その情報を「較正されたコレクタミラー位置」の情報と比較することにより、両者の差分を算出する。そして、ＥＵＶ光源制御装置１０は、この差分の値に基づいて、コレクタミラー１３が較正されたコレクタミラー位置を維持するように、コレクタミラー駆動装置６０（コレクタミラー制御部６０１、ＸＹＺステージ６０２、Θステージ６０３、及び、βステージ６０４）を動作させる。

このような制御動作を露光中に繰り返して行うことにより、コレクタミラー１３の位置及び姿勢が適正な状態に維持される。それにより、プラズマ２から発生した光の集光点が、理想集光点の極近傍である一定位置に維持される。なお、ＩＦ位置センサ６２を用いて行われるコレクタミラーの較正（図８参照）は、ＥＵＶ光源装置の立ち上げ時にのみ行っても良いし、露光をしていない間に、間欠的に行っても良い。

本発明の第１〜第４の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の初期アライメント方法は、図１に示すＥＵＶ光源装置とは構成が異なるＥＵＶ光源装置に適用することも可能である。以下に、そのようなＥＵＶ光源装置の構成例について説明する。
図１３は、図１及び図１２に示すＥＵＶ光源装置の制御系統の変形例を示している。図１２においては、各部がＥＵＶ光源制御装置１０によって集中制御されていたのに対して、図１３においては、故障診断のための制御（ターゲット位置、焦点位置、及び、コレクタミラーの位置のモニタリング）を除いて、分散処理が行われている。

図１３に示すように、ターゲットの位置制御、レーザ焦点の位置制御、及び、コレクタミラーの変位制御は、ターゲット位置調整装置３０、レーザ焦点調整装置４６、及び、コレクタミラー駆動装置６０によってそれぞれ独立に行われている。このように処理を分散させることにより、例えば、画像処理の負荷が高い場合においても、ＥＵＶ光源制御装置１０における数値処理の負荷を大幅に低減できる。従って、安価な民生品を組み合わせることにより制御装置を構成することが可能となる。

図１４は、ターゲット流の替わりに、ドロップレット（液滴）・ターゲットを形成するＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。
図１４に示すＥＵＶ光源装置は、図１に示すターゲット制御装置２０の替わりにターゲット制御装置８０を有しており、それに加えて、ターゲット射出タイミング調整装置８１を備えている。また、このＥＵＶ光源装置は、図１に示すターゲット位置モニタ装置３１の替わりに、ターゲット位置・速度モニタ装置８２を有している。さらに、このＥＵＶ光源装置は、図１に示すレーザ制御装置４０、レーザ励起強度調整装置４１、レーザエネルギーモニタ装置４３、及び、プラズマモニタ装置５１の替わりに、レーザ制御装置８３、レーザ励起強度・タイミング調整装置８４、レーザエネルギー・タイミングモニタ装置８５、及び、プラズマ位置・タイミングモニタ装置８６を有している。

ここで、ドロップレットを形成する場合には、ドロップ・オン・デマンド法又はコンティニュアス・ジェット法を用いるのが一般的である。いずれの方法においても、ドロップレットの射出タイミングは、マイクロヒータの加熱タイミング（ドロップ・オン・デマンド法の場合）、又は、ピエゾ素子の駆動タイミング（コンティニュアス・ジェット法の場合）を与える制御信号を外部から供給することにより、制御することが可能である。本願においては、１つの例として、コンティニュアス・ジェット法によってキセノン（Ｘｅ）ドロップレットを形成する場合について説明する。

コンティニュアス・ジェット法においては、ピエゾ素子によって与えられる擾乱周期λとドロップレット径Ｄとの間に、λ/Ｄ〜８というドロップレット安定生成条件が存在することが知られている。数十μｍのドロップレットを実現しようとする場合には、擾乱周期λは、メガヘルツオーダになる可能性が高い。一方、現在提唱されているＬＰＰ方式ＥＵＶ光源装置において用いられるレーザの繰り返し周波数は、高くても１００ｋＨｚ程度であり、ドロップレットの生成に必要な周期に比べて一桁程度少ない。そのため、コンティニュアス・ジェット法によれば、数個のドロップレットの内の１個に励起用レーザ光が照射されることになる。

図１４に示すように、ＥＵＶ光源制御装置１０は、ＥＵＶ発光命令を受けることにより、ターゲット制御装置８０を駆動させる。このＥＵＶ発光命令には、ＥＵＶエネルギー及びＥＵＶ発光タイミングが含まれる。そして、ＥＵＶ光源制御装置１０は、ＥＵＶ発光タイミングと同じ繰り返しの基準タイミング信号を生成し、ターゲット射出タイミング調整装置８１に供給する。

ターゲット制御装置８０は、ターゲット供給装置２１によって供給されるキセノンガスを液化するために、ターゲット温度・圧力調整装置２２における冷却温度の制御及び圧縮圧力の制御を行うと共に、液体キセノンが所定の圧力（流量）で噴射されるように、ターゲット噴射装置における供給圧力又は流量を制御する。

ターゲット射出タイミング調整装置８１は、例えば、ピエゾ素子を備えており、ＥＵＶ光源制御装置１０から供給された基準タイミング信号に基づいて、所定の振動の周波数でピエゾ素子を駆動することにより、ターゲット射出装置２３を振動させる。具体的には、ピエゾ素子の振動の周波数は、基準タイミング信号の整数倍となる。それにより、ターゲット射出装置２３から射出されるターゲットがドロップレット化される。

ターゲット位置・速度モニタ装置８２は、射出されたドロップレット・ターゲット７を撮像することにより、その画像を表す信号をＥＵＶ光源制御装置１０に出力する。図１５は、ターゲット位置・速度モニタ装置８２の構成例を示す模式図である。図１５の（ａ）に示すように、ターゲット位置・速度モニタ装置８２は、例えば、複数の高速ＣＣＤカメラ８０１及び８０２を含んでいる。高速ＣＣＤカメラ８０１及び８０２は、発光点よりも上部に、異なる２以上の方向からターゲットを観測できるように配置されている。

高速ＣＣＤカメラ８０１及び８０２は、その視野中心付近をドロップレット・ターゲット７が通過した場合に、ドロップレット・ターゲット７が理想発光点を通過するようアライメントされていることが望ましい。また、これらの高速ＣＣＤカメラ８０１及び８０２の視野範囲は、ターゲット位置調整装置３０がストロークエンドまで動作した場合においても、ドロップレット・ターゲット７を視野に納めている事が望ましい。さらに、その視野内においては、ターゲット位置調整装置３０の移動方向が水平に望めることが望ましい。そのためには、例えば、ターゲット位置調整装置３０のＸＹステージのＸ方向、及び、それと直行するＹ方向からドロップレット・ターゲット７を見込むように、ターゲット位置・速度モニタ装置８２を設置すれば良い。

レーザエネルギー・タイミングモニタ装置８５は、レーザ光源４２から射出したレーザ光のエネルギー及び照射タイミングをモニタしており、レーザ光のエネルギー値を表す信号を所定のタイミングでレーザ制御装置８３に出力する。この信号は、レーザ制御装置８３により、レーザエネルギー及び照射タイミングが所定の値を維持するようにレーザ励起強度・タイミング調整装置８４を制御するために用いられる。

プラズマ位置・タイミングモニタ装置８６は、ドロップレット・ターゲット７に励起用レーザ光３を照射することによって生成されたプラズマ２を、互いに異なる２つの方向（例えば、Ｘ方向及びＹ方向）から観測する。プラズマ位置・タイミングモニタ装置８６によって取得されたプラズマ２の画像情報は、ＥＵＶ光源制御装置１０に出力される。

次に、図１４に示すＥＵＶ光源装置におけるターゲットの位置合わせ動作について説明する。
まず、位置合わせに先立って、ＥＵＶ光源制御装置１０は、ターゲットが理想発光点にアライメントされている状態におけるドロップレット・ターゲットの速度（間隔）及び位置（Ｘ方向及びＹ方向の座標）に関する情報（理想発光点を通過するターゲットの位置情報）を予め取得しておく。例えば、初期アライメント後に、ドロップレット・ターゲットを射出し、図１５の（ａ）に示すように、ターゲット位置・速度モニタ装置８２により、望ましくはターゲット射出タイミングに同期したタイミングで、ほぼ同時に２方向からターゲット像を撮像する。そして、それらの画像（図１５の（ｂ）参照）をＥＵＶ光源制御装置１０において画像処理することにより、理想発光点を通過するターゲットの位置情報が取得される。或いは、簡易的に観測する場合には、ＥＵＶチャンバ１１内の理想発光点に、ドロップレット・ターゲットの径に相当する大きさの小球等を設置し、これをターゲット位置・速度モニタ装置８２によって撮像した画像に基づいて、理想発光点を通過するターゲットの位置情報を算出しても良い。

ターゲットの位置合わせを行う場合には、ターゲット位置・速度モニタ装置８２により、望ましくはターゲット射出タイミングに同期したタイミングで、ほぼ同時に２方向から現在のドロップレット・ターゲット７を撮像し、その観測画像をＥＵＶ光源制御装置１０に出力する。ＥＵＶ光源制御装置１０は、現在のドロップレット・ターゲット７の観測画像に基づいて、現在のドロップレット・ターゲット７の位置を算出する。そして、その位置情報と、発光点を通過するターゲットの位置情報と比較することにより、それらの差分を算出する。ＥＵＶ光源制御装置１０は、この差分の値を、ターゲット位置調整装置３０における軸移動量に変換して出力することにより、ターゲット位置調整装置３０を制御してターゲット位置射出装置２３の位置を所定の量だけシフトさせる。それにより、ドロップレット・ターゲット７が理想発光点を通過するように調整される。このような調整動作は、ドロップレット・ターゲット７を噴射している間に、常に実施していても良いし、一定時間間隔で実施しても良い。望ましくは、可能な限り短い周期で繰り返す。それにより、ドロップレット・ターゲット７が理想発光点を通過している状態を維持することができる。

次に、図１４に示すＥＵＶ光源装置におけるレーザ照射タイミングの制御動作について説明する。
ＥＵＶ光源制御装置１０は、ターゲット観測画像（図１５の（ｂ）参照）に基づいて取得されたターゲット速度を用いて、レーザ照射タイミングを算出する。このタイミングは、基準タイミング信号に、計算によって導かれた遅延時間が付加されたものである。遅延時間は、図１５の（ｂ）に示す画像の取得時刻から、その画像に表されたターゲット・ドロップレット７が理想発光点中心に到達した時刻までの時間となる。これは、画像取得点と理想発光点との距離、及び、ターゲット速度に基づいて決定される。

このようにして算出されたレーザ照射タイミングは、レーザ制御装置８３に出力される。レーザ制御装置８３は、そのレーザ照射タイミングに従ってレーザ励起強度・タイミング調整装置８４を制御することにより、所定のタイミングでレーザ光源４２からレーザ光を射出させる。それにより、ターゲット射出間隔の数分の１の繰り返し周波数で同期し、且つ、理想発光点にドロップレット・ターゲットが存在する時刻に、レーザ照射を行うことができる。

次に、図１４に示すＥＵＶ光源装置におけるレーザ照射点（プラズマ発光点）の制御動作について説明する。
ＥＵＶ光源制御装置１０は、プラズマ位置・タイミングモニタ装置８６から出力されたプラズマ観測画像に基づいて、レーザ照射点（プラズマ発光点）の制御を行う。制御方法の詳細については、図１に示すＥＵＶ光源装置におけるのと同様である。ここで、プラズマの発光点を理想発光点に一致させる過程においては、ドロップレット・ターゲット７が理想発光点の中心に到達した時刻にレーザ照射が行われるように遅延時間を調節することが望ましい。それにより、プラズマ像の中心が理想発光点に位置するように、タイミングを調整される。その場合には、ＥＵＶエネルギー値を参照して制御を行っても良い。

以上説明した図１及び図１４に示すＥＵＶ光源装置においては、光源装置を構成する部品（装置）について、様々な応用を加えることが可能である。以下に、その応用例を説明する。
（１）ターゲット位置モニタ装置
図１に示すターゲット位置モニタ装置３１の観測対象である液化キセノン・ターゲット流や、図１４に示すターゲット位置・速度モニタ装置８２の観測対象である液化キセノンドロップレット・ターゲットは、例えば、数十μｍ程度の直径を有している。このような微小で発光しない物体を観測する際に、視野が暗く、物体と背景とのコントラストが十分に取れない場合が生じる。そのような場合には、図１６に示すように、高輝度の照明３０１を用いることにより、観測対象部分の付近を照射することが有効である。また、ターゲット位置モニタ装置３１の視野がプラズマ２に近接している場合には、プラズマ２を照明の替わりにしても良い。

或いは、図１７に示すように、ターゲット位置モニタ３１の撮像素子（ＣＣＤ等）の前面に集光光学系３０２を配置することにより、撮像素子に入射する光量を増加させるようにしても良い。この場合には、照明の熱によりターゲット１の流れが乱れるおそれがなくなる。
さらに、図１８に示すように、可視レーザ等の指向性の強い光源３０３をＥＵＶチャンバ１１の外部に配置することにより、バックライト照明としても良い。この場合には、ＥＵＶチャンバ１１内に配置される部品が低減できるので、真空度向上や不純物低減等の観点から望ましい。なお、図１６〜１８においては、ターゲットとして、ターゲット流が示されているが、ドロップレット・ターゲットを用いる場合においても、同様の効果を得ることができる。

（２）ターゲット位置モニタ装置及びプラズマモニタ装置
図１においては、ターゲット位置モニタ装置３１としてＣＣＤ等の撮像素子が用いられ、プラズマモニタ装置５１として光学フィルタが前面に配置されたＣＣＤ等の撮像素子（図３参照）が用いられている。また、ターゲットやプラズマの２次元的な位置を決定するために、それらの装置３１及び５１は２以上の位置に配置されている。図１９は、そのようなターゲット位置モニタ装置３１とプラズマモニタ装置５１とを兼用する応用例を示している。

図１９に示すように、ＣＣＤ等の撮像素子３１０は、ターゲット及びプラズマ観測用のモニタであり、ターゲット１及びプラズマ２の両方を視野に納めるように配置されている。また、撮像素子３１０の前面には、駆動機構が設けられた光学バンドパスフィルタ３１１が配置されている。ターゲット１及びプラズマ２の両方を観測する場合には、図１９の（ａ）に示すように、光学バンドパスフィルタ３１１を、撮像素子３１０の受光面におけるプラズマからの光を受光する領域（図においては、下半分）のみに配置することにより、ターゲット１からの光とプラズマ２からの光がほぼ同量となるようにする。それによって得られたターゲット１を表す画像及びプラズマ２を表す画像は、ＥＵＶ光源制御装置１０において、ターゲットの位置制御及びプラズマの位置制御のためにそれぞれ利用される。一方、初期アライメント時に参照用レーザ光を観測する場合には、図１９の（ｂ）に示すように、光学バンドパスフィルタ３１１を光路から退避させることにより、２つの参照用レーザが交差する理想発光点が撮像素子３１０の視野に納まるようにする。

このように、２種類のモニタ装置を兼用とすることにより、装置構成を簡単にできると共に、撮像素子の数が少なくなるので、ＥＵＶ光源制御装置１０における画像処理に対する負荷を低減できる。なお、光学バンドバスフィルタ３１１を使用しても、なお、ターゲット１からの光とプラズマ２からの光との光量調整が困難な場合には、図１６又は図１８に示すように、ターゲット１を照明する構成や、図１７に示すように、ターゲット１からの光を集光する構成を適用しても良い。

（３）ＩＦ位置センサ
図１及び図１４に示すＩＦ位置センサ６２としては、一般には、市販のＥＵＶピンホールカメラ等に使用されるミラーを備えたＣＣＤが用いられるが、次のような構成を用いても良い。
図２０に示すＩＦ位置センサは、ＣＣＤ等の撮像素子６２０と、その前面に備えられた透過型Ｘ線蛍光板６２１と、バンドパスフィルタ６２２とを含んでいる。バンドパスフィルタ６２２としては、ジルコニウム（Ｚｒ）フィルタ等のＥＵＶ透過フィルタが用いられる。このＩＦ位置センサにおいては、バンドパスフィルタ６２２を透過したＥＵＶ光を、透過型Ｘ線蛍光板６２１により可視光に変換し、その可視光を撮像素子６２０によって検出する。このような構成によれば、撮像素子６２０として、市販の大型ＣＣＤを使用できるようになるので、大面積で高い分解能が得られるという利点がある。即ち、ＩＦ位置制御の精度を大幅に向上させることができる。また、ＥＵＶ光を可視光に変換するので、ＣＭＯＳのように、ＣＣＤ以外の撮像素子を使用できるようになるので、装置の低価格化を図ることが可能となる。

図２１に示すＩＦ位置センサにおいては、図２０に示す透過型Ｘ線蛍光板６２１の替わりに反射型Ｘ線蛍光板６２３が配置されている。即ち、撮像素子６２０は、反射型Ｘ線蛍光板６２３から反射された可視光を検出する。Ｘ線蛍光板を用いることの利点は、図２０に示すＩＦ位置センサにおけるのと同様である。

（４）ＥＵＶエネルギーモニタ装置の較正方法
先に説明したＥＵＶエネルギーモニタ装置５０の較正方法とは別の方法として、ＥＵＶダイオード６３を露光光路に挿入することなくＥＵＶエネルギーモニタ装置５０の較正を行うことも可能である。
図２２の（ａ）に示すように、露光装置において露光を行っている間に、コレクタミラー１３は、理想集光点に焦点を形成するように調節された位置及び姿勢を維持している。また、そのとき、ＩＦ位置センサ６２又はＥＵＶダイオード６３は、ＥＵＶ光の光路から退避している。それに対して、図２２の（ｂ）に示すように、ＥＵＶエネルギーモニタ装置５０等の較正を行う場合には、コレクタミラー１３を僅かに傾ける。そして、そのときのコレクタミラー１３の集光点付近に、ＩＦ位置センサ６２又はＥＵＶダイオード６３を配置し、その状態で、ＥＵＶエネルギーモニタ装置５０の出力、及び、ＩＦ位置センサ６２の出力又はＥＵＶダイオード６３の出力を較正する。
このような較正方法によれば、ＩＦ位置センサ６２やＥＵＶダイオード６３を移動させる必要がなくなる。従って、機械的に空間が制限され易い露光装置との接続部分の装置構成を簡単にすることができる。

或いは、図２３に示すように、ＩＦ位置センサ６２又はＥＵＶダイオード６３をＥＵＶチャンバ１１の内部に配置すると共に、駆動機構が設けられた較正用ミラー６４を追加しても良い。図２３の（ａ）に示すように、露光装置において露光を行っている間には、較正用ミラー６４は、コレクタミラー１３による集光光の光路から退避している。それに対して、図２３の（ｂ）に示すように、ＥＵＶエネルギーモニタ装置５０等の較正を行う場合には、較正用ミラー６４がコレクタミラー１３による集光光の光路に挿入される。それにより、集光光が反射されて、ＩＦ位置センサ６２又はＥＵＶダイオード６３に入射するので、その状態で、ＥＵＶエネルギーモニタ装置５０からの出力や、ＩＦ位置センサ６２又はＥＵＶダイオード６３の較正を行うことができる。

図２３に示す構成によれば、ＥＵＶチャンバ１１と露光装置との接続部分の装置構成を極めて簡単にすることができるので、装置の設計が容易となる。なお、この構成を用いる場合には、ＩＦ位置センサ６２又はＥＵＶダイオード６３は、ＥＵＶフィルタ１４を通過していない光を受光することになるので、ＥＵＶ光エネルギーの観測を行うために、独自にＥＵＶフィルタを設ける必要がある。また、この構成を用いる場合には、ＥＵＶフィルタの劣化度合いを判定することはできない。

（５）コレクタミラーの位置及び姿勢の検出方法
通常、露光装置において露光を行っている場合には、ＩＦ位置センサ６２は光路から退避しているので、集光点の変動を観測することができない。そのため、露光中には、コレクタミラー１３の位置及び姿勢を調節することができなくなる。しかしながら、以下に説明する構成を用いることにより、露光中においてもコレクタミラーの変位検出が可能となる。

図２４の（ａ）に示すように、コレクタミラー１３の周辺には、１組の較正用ミラー６５、コレクタミラー変位モニタ装置６１（図４参照）の撮像素子６１２、傾き検知用光源６１３、傾き検知用基準反射面６１４、及び、ＩＦ位置センサ６２が配置されている。また、図２４の（ｂ）は、コレクタミラー１３を集光点方向から見た様子を示している。図２４の（ｂ）に示すように、較正用ミラー６５は、コレクタミラー１３の周りを囲むように配置されている。

較正用ミラー６５は、露光のためには利用されないＥＵＶ光を、露光に用いられるＥＵＶ光の集光点Ｐから僅かにずれた位置Ｑに集光するように、位置及び姿勢を調節されている。また、ＩＦ位置センサ６２は、較正用ミラー６５の集光点Ｑに配置されている。このＩＦ位置センサ６２により集光点Ｑを観測することにより、集光点Ｐの変動が間接的に検出される。それにより、コレクタミラー１３の変位を検知することができる。

また、撮像素子６１２は、傾き検知用光源６１３から射出し、傾き検知用基準反射面６１４から反射された光を検出する。それにより、コレクタミラー１３の傾き（角度）が検知される。なお、図２４の（ａ）において、図４に示すレーザ変位計６１１が示されていないのは、この較正方法においては、レーザ変位計６１１の替わりに、ＩＦ位置センサ６２によって取得された画像情報に基づいて、コレクタミラー１３の位置を検出できるからである。一方、ＩＦ位置センサ６２によって取得された画像情報からコレクタミラー１３の傾きを検知することは困難であるので、図２４に示す構成においても、撮像素子６１２等が用いられている。しかしながら、ＩＦ位置センサ６２の解像度が、コレクタミラー１３の傾きを検知できる程度に高い場合には、撮像素子６１２等を省略しても良い。

図２４に示す構成によれば、露光中においても、コレクタミラー１３の位置及び姿勢を検知することができるので、コレクタミラー１３の位置及び姿勢を調整することが可能となる。また、コレクタミラー変位モニタ装置６１のレーザ変位計６１１（図４参照）を省略できるので、装置構成を簡単にすることができる。

さらに、図２４に示す構成において、ＩＦ位置センサ６２を理想集光点に移動させて、実際の集光点と、露光時におけるＩＦ位置センサ６２による出力画像との間で較正を取っておくことにより、コレクタミラー１３の変位の検出精度を高くすることができる。
なお、図２４に示す構成によれば、較正用ミラー６５によって反射された集光光の画像情報に基づいて、コレクタミラー１３のダメージを間接的に見積ることもできる。例えば、較正用ミラー６５の集光光の光量が低下した場合には、コレクタミラー１３の反射率が低下したと推測される。

或いは、露光中にもコレクタミラーの位置及び姿勢の検出を可能とする別の構成として、図２５に示す構成も挙げられる。図２５の（ａ）に示すように、この構成においては、複数の較正用ミラー６６及び複数のＩＦ位置センサ６２が用いられる。図２５の（ｂ）は、コレクタミラー１３を集光点方向から見た様子を示している。図２５の（ｂ）に示すように、複数の較正用ミラー６６は、コレクタミラー１３の周りを囲むように配置されている。

各較正用ミラー６６は、露光のためには利用されないＥＵＶ光を、露光のために利用されるＥＵＶ光の集光点Ｐから僅かにずれた位置Ｑ_１、Ｑ_２、…に集光するように、位置及び姿勢を調節されている。また、ＩＦ位置センサ６２は、対応する較正用ミラー６６の集光点Ｑ_１、Ｑ_２、…に配置されている。このように、複数のＩＦ位置センサ６２を用いることにより、間接的に検出される集光点Ｐの変動の検出精度を向上させることができる。

また、較正用ミラー６６として短焦点ミラーを用い、ＩＦ位置センサをその焦点付近に配置することにより、ミラーの傾きの変動を容易に検出できるようになる。この場合には、傾き検知用の非接触センサ（図２４に示す撮像素子６１２等）を配置する必要はない。
さらに、この場合においても、ＩＦ位置センサ６２を理想集光点に移動させて、実際の集光点と、露光時におけるＩＦ位置センサによる出力画像との間で較正を取っておくことにより、コレクタミラー１３の変位の検出精度を高くすることができる。また、較正用ミラー６６の集光光の画像情報に基づいて、コレクタミラー１３のダメージを見積ることも可能である。

以上においては、ターゲット流又はドロップレット・ターゲットを形成する場合について説明したが、本発明は、ガス状のターゲットを用いる場合にも適用することが可能である。ガス状のターゲットには、ガスパフターゲットや、テープ状又は線状等のターゲットがある。ここで、ガスパフターゲットとは、パルスバルブ等を用いて間欠的に噴出させるガス状のターゲットのことである。ガス状のターゲットを用いる場合には、ＥＵＶ変換効率向上を狙ってガス流中に金属粉等を混入させることもある。

本発明は、露光装置の光源として用いられる極端紫外（ＥＵＶ：extreme ultra violet）光源装置における初期アライメント方法において利用することが可能である。

本発明の第１〜第４の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の初期アライメント方法が適用されるＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。図１に示すターゲット位置調整装置及びその周辺部を示す模式図である。プラズマモニタ装置の構成を示す模式図である。図１に示すコレクタミラー及びその周辺部を示す模式図である。図１に示すＩＦ位置センサとＥＵＶフィルタとの位置関係を示す図である。本発明の第１及び第２の実施形態に係る初期アライメント方法を説明するための図である。初期アライメント時におけるＥＵＶチャンバ及びその周辺の様子を示す模式図である。本発明の第１の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の初期アライメント方法を示すフローチャートである。本発明の第３の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の初期アライメント方法を示すフローチャートである。本発明の第４の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の初期アライメント方法を示すフローチャートである。本発明の第４の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の初期アライメント方法を説明するための図である。図１に示すＥＵＶ光源装置における制御系統を示すブロック図である。図１に示すＥＵＶ光源装置における制御系統の変形例を示すブロック図である。ドロップレット・ターゲットを射出するＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。図１４に示すターゲット位置・速度モニタ装置の構成例を示す模式図である。図１及び図１４に示すターゲット位置モニタ装置の構成例を示す模式図である。図１及び図１４に示すターゲット位置モニタ装置の構成例を示す模式図である。図１及び図１４に示すターゲット位置モニタ装置の構成例を示す模式図である。図１に示すターゲット位置モニタ装置とプラズマモニタ装置とを兼用する構成例を示す模式図である。図１及び図１４に示すＩＦ位置センサの構成例を示す模式図である。図１及び図１４に示すＩＦ位置センサの構成例を示す模式図である。ＥＵＶエネルギーモニタ装置を較正する別の方法を説明するための図である。ＥＵＶエネルギーモニタ装置を較正するさらに別の方法を説明するための図である。コレクタミラーの位置及び姿勢を検出するための装置構成例を示す模式図である。コレクタミラーの位置及び姿勢を検出するための別の装置構成例を示す模式図である。

符号の説明

１…ターゲット、２…プラズマ、３…励起用レーザ光、４、５…参照用レーザ光、７…ドロップレット・ターゲット、１０…ＥＵＶ光源制御装置、１１…ＥＵＶチャンバ、１２…窓、１３…コレクタミラー、１４…ＥＵＶフィルタ、２０…ターゲット制御装置、２１…ターゲット供給装置、２２…ターゲット温度・圧力（流量）調整装置、２３…ターゲット射出装置、３０…ターゲット位置調整装置、３１…ターゲット位置モニタ装置３１、４０…レーザ制御装置、４１…レーザ励起強度調整装置、４２…レーザ光源、４３…レーザエネルギーモニタ装置、４４…光学系、４５…集光素子（集光レンズ）、４６…レーザ焦点調整装置、５０…ＥＵＶエネルギーモニタ装置、５１…プラズマモニタ装置、６０…コレクタミラー駆動装置、６１…コレクタミラー変位モニタ装置、６２…ＩＦ位置センサ、６３…ＥＵＶダイオード、７０、７２…参照用レーザ光源、７１、７３…光学系、８０…ターゲット制御装置、８１…ターゲット射出タイミング調整装置、８２…ターゲット位置・速度モニタ装置、８３…レーザ制御装置、８４…レーザ励起強度・タイミング調整装置、８５…レーザエネルギー・タイミングモニタ装置、８６…プラズマ位置・タイミングモニタ装置、３０１…照明、３０２…集光光学系、３０３…光源、３１０…撮像素子、３１１…光学バンドパスフィルタ、６０１…コレクタミラー制御部、６０２…ＸＹＺステージ、６０３…Θステージ、６０４…βステージ、６１１…レーザ変位計、６１２…撮像素子、６１３…傾き検知用光源、６１４…傾き検知用基準反射面、６２０…撮像素子、６２１…透過型Ｘ線蛍光板、６２２…バンドパスフィルタ、６２３…反射型Ｘ線蛍光板、８０１、８０２…高速ＣＣＤカメラ

Claims

真空チャンバの内部に供給されたターゲット物質に、該ターゲット物質を励起させるためのレーザ光を照射することによりプラズマを生成し、該プラズマから発生する極端紫外（ＥＵＶ）光をＥＵＶ集光ミラーによって所定の位置に集光するレーザ励起プラズマ方式による極端紫外光源装置のアライメント方法であって、
前記プラズマを生成すべき位置である理想発光点に第１の位置基準素子を配置し、該プラズマから発生した光を集光すべき位置である理想集光点に第２の位置基準素子を配置するステップ（ａ）と、
第１の光軸調整光が前記第１の位置基準素子及び前記第２の位置基準素子を通過するように、該第１の光軸調整光の光路を調整すると共に、第２の光軸調整光が前記第１の位置基準素子を通過して前記第２の位置基準素子を通過しないように、該第２の光軸調整光の光路を調整し、前記理想集光点近傍のセンサを用いて該第１の光軸調整光の画像情報を取得するステップ（ｂ）と、
ターゲット励起用レーザ光源から前記レーザ光を射出し、該レーザ光がレーザ光集光素子を介して前記第１の位置基準素子を照射するように、前記レーザ光集光素子の位置及び姿勢を調整するステップ（ｃ）と、
前記第１の位置基準素子を退避させると共に前記第１及び第２の光軸調整光を射出した状態で、ターゲット射出装置を用いて前記真空チャンバの内部に前記ターゲット物質を供給し、該ターゲット物質が前記第１の光軸調整光と前記第２の光軸調整光との交点を通るように、前記ターゲット射出装置の位置及び姿勢を調整するステップ（ｄ）と、
前記第１及び第２の光軸調整光の射出を停止すると共に前記第１及び第２の位置基準素子を退避させた状態で、前記レーザ光を前記ターゲット励起用レーザ光源から射出して前記ターゲット物質に照射するステップ（ｅ）と、
該レーザ光を該ターゲット物質に照射することにより生成された前記プラズマから発生する前記極端紫外光の画像情報を前記センサを用いて取得し、前記第１の光軸調整光の画像情報と該極端紫外光の画像情報とに基づいて、該極端紫外光が前記ＥＵＶ集光ミラーによって前記理想集光点に集光されるように、前記ＥＵＶ集光ミラーの位置及び姿勢を調整するステップ（ｆ）と、
を具備する極端紫外光源装置のアライメント方法。
真空チャンバの内部に供給されたターゲット物質に、該ターゲット物質を励起させるためのレーザ光を照射することによりプラズマを生成し、該プラズマから発生する極端紫外（ＥＵＶ）光をＥＵＶ集光ミラーによって所定の位置に集光するレーザ励起プラズマ方式による極端紫外光源装置のアライメント方法であって、
前記プラズマを生成すべき位置である理想発光点に第１の位置基準素子を配置し、該プラズマから発生した光を集光すべき位置である理想集光点に第２の位置基準素子を配置するステップ（ａ）と、
ターゲット励起用レーザ光源から前記レーザ光を射出し、該レーザ光がレーザ光集光素子を介して前記第１の位置基準素子を照射するように、前記レーザ光集光素子の位置及び姿勢を調整するステップ（ｂ）と、
第１の光軸調整光が前記第１の位置基準素子及び前記第２の位置基準素子を通過するように、該第１の光軸調整光の光路を調整すると共に、第２の光軸調整光が前記第１の位置基準素子を通過して前記第２の位置基準素子を通過しないように、該第２の光軸調整光の光路を調整し、前記理想集光点近傍のセンサを用いて該第１の光軸調整光の画像情報を取得するステップ（ｃ）と、
前記第１の位置基準素子を退避させると共に前記第１及び第２の光軸調整光を射出した状態で、ターゲット射出装置を用いて前記真空チャンバの内部に前記ターゲット物質を供給し、該ターゲット物質が前記第１の光軸調整光と前記第２の光軸調整光との交点を通るように、前記ターゲット射出装置の位置及び姿勢を調整するステップ（ｄ）と、
前記第１及び第２の光軸調整光の射出を停止すると共に前記第１及び第２の位置基準素子を退避させた状態で、前記レーザ光を前記ターゲット励起用レーザ光源から射出して前記ターゲット物質に照射するステップ（ｅ）と、
該レーザ光を該ターゲット物質に照射することにより生成された前記プラズマから発生する前記極端紫外光の画像情報を前記センサを用いて取得し、前記第１の光軸調整光の画像情報と該極端紫外光の画像情報とに基づいて、該極端紫外光が前記ＥＵＶ集光ミラーによって前記理想集光点に集光されるように、前記ＥＵＶ集光ミラーの位置及び姿勢を調整するステップ（ｆ）と、
を具備する極端紫外光源装置のアライメント方法。
真空チャンバの内部に供給されたターゲット物質に、該ターゲット物質を励起させるためのレーザ光を照射することによりプラズマを生成し、該プラズマから発生する極端紫外（ＥＵＶ）光をＥＵＶ集光ミラーによって所定の位置に集光するレーザ励起プラズマ方式による極端紫外光源装置のアライメント方法であって、
前記プラズマを生成すべき位置である理想発光点に第１の位置基準素子を配置し、該プラズマから発生した光を集光すべき位置である理想集光点に第２の位置基準素子を配置し、前記理想発光点と前記理想集光点とを結ぶ直線上であって、前記理想集光点から見て前記理想発光点の反対側に第３の位置基準素子を配置するステップ（ａ）と、
第１の光軸調整光が前記第３の位置基準素子と前記第１若しくは第２の位置基準素子とを通過するように、該第１の光軸調整光の光路を調整すると共に、第２の光軸調整光が前記第１の位置基準素子を通過して前記第２の位置基準素子を通過しないように、該第２の光軸調整光の光路を調整し、前記理想集光点近傍のセンサを用いて該第１の光軸調整光の画像情報を取得するステップ（ｂ）と、
ターゲット励起用レーザ光源から前記レーザ光を射出し、該レーザ光がレーザ光集光素子を介して前記第１の位置基準素子を照射するように、前記レーザ光集光素子の位置及び姿勢を調整するステップ（ｃ）と、
前記第１の位置基準素子を退避させると共に前記第１及び第２の光軸調整光を射出した状態で、ターゲット射出装置を用いて前記真空チャンバの内部に前記ターゲット物質を供給し、該ターゲット物質が前記第１の光軸調整光と前記第２の光軸調整光との交点を通るように、前記ターゲット射出装置の位置及び姿勢を調整するステップ（ｄ）と、
前記第１及び第２の光軸調整光の射出を停止すると共に前記第１及び第２の位置基準素子を退避させた状態で、前記レーザ光を前記ターゲット励起用レーザ光源から射出して前記ターゲット物質に照射するステップ（ｅ）と、
該レーザ光を該ターゲット物質に照射することにより生成された前記プラズマから発生する前記極端紫外光の画像情報を前記センサを用いて取得し、前記第１の光軸調整光の画像情報のデータと該極端紫外光の画像情報のデータとに基づいて、該極端紫外光が前記ＥＵＶ集光ミラーによって前記理想集光点に集光されるように、前記ＥＵＶ集光ミラーの位置及び姿勢を調整するステップ（ｆ）と、
を具備する極端紫外光源装置のアライメント方法。
真空チャンバの内部に供給されたターゲット物質に、該ターゲット物質を励起させるためのレーザ光を照射することによりプラズマを生成し、該プラズマから発生する極端紫外（ＥＵＶ）光をＥＵＶ集光ミラーによって所定の位置に集光するレーザ励起プラズマ方式による極端紫外光源装置のアライメント方法であって、
前記プラズマを生成すべき位置である理想発光点に第１の位置基準素子を配置し、該プラズマから発生した光を集光すべき位置である理想集光点に第２の位置基準素子を配置し、前記理想発光点と前記理想集光点とを結ぶ直線上であって、前記理想集光点から見て前記理想発光点の反対側に第３の位置基準素子を配置するステップ（ａ）と、
ターゲット励起用レーザ光源から前記レーザ光を射出し、該レーザ光がレーザ光集光素子を介して前記第１の位置基準素子を照射するように、前記レーザ光集光素子の位置及び姿勢を調整するステップ（ｂ）と、
第１の光軸調整光が前記第３の位置基準素子と前記第１若しくは第２の位置基準素子とを通過するように、該第１の光軸調整光の光路を調整すると共に、第２の光軸調整光が前記第１の位置基準素子を通過して前記第２の位置基準素子を通過しないように、該第２の光軸調整光の光路を調整し、前記理想集光点近傍のセンサを用いて該第１の光軸調整光の画像情報を取得するステップ（ｃ）と、
前記第１の位置基準素子を退避させると共に前記第１及び第２の光軸調整光を射出した状態で、ターゲット射出装置を用いて前記真空チャンバの内部に前記ターゲット物質を供給し、該ターゲット物質が前記第１の光軸調整光と前記第２の光軸調整光との交点を通るように、前記ターゲット射出装置の位置及び姿勢を調整するステップ（ｄ）と、
前記第１及び第２の光軸調整光の射出を停止すると共に前記第１及び第２の位置基準素子を退避させた状態で、前記レーザ光を前記ターゲット励起用レーザ光源から射出して前記ターゲット物質に照射するステップ（ｅ）と、
該レーザ光を該ターゲット物質に照射することにより生成された前記プラズマから発生する前記極端紫外光の画像情報を前記センサを用いて取得し、前記第１の光軸調整光の画像情報と該極端紫外光の画像情報とに基づいて、該極端紫外光が前記ＥＵＶ集光ミラーによって前記理想集光点に集光されるように、前記ＥＵＶ集光ミラーの位置及び姿勢を調整するステップ（ｆ）と、
を具備する極端紫外光源装置のアライメント方法。
ステップ（ｃ）の後で、前記ターゲット励起用レーザ光源からの前記レーザ光の射出を停止するステップをさらに具備する請求項１〜４のいずれか１項記載の極端紫外光源装置のアライメント方法。
真空チャンバの内部に供給されたターゲット物質に、該ターゲット物質を励起させるためのレーザ光を照射することによりプラズマを生成し、該プラズマから発生する極端紫外（ＥＵＶ）光をＥＵＶ集光ミラーによって所定の位置に集光するレーザ励起プラズマ方式による極端紫外光源装置のアライメント方法であって、
前記プラズマを生成すべき位置である理想発光点に第１の位置基準素子を配置し、該プラズマから発生した光を集光すべき位置である理想集光点に第２の位置基準素子を配置するステップ（ａ）と、
第１の光軸調整光が前記第１の位置基準素子及び前記第２の位置基準素子を通過するように、該第１の光軸調整光の光路を調整すると共に、第２の光軸調整光が前記第１の位置基準素子を通過して前記第２の位置基準素子を通過しないように、該第２の光軸調整光の光路を調整し、前記理想集光点近傍のセンサを用いて該第１の光軸調整光の画像情報を取得するステップ（ｂ）と、
前記第１の位置基準素子を退避させると共に前記第１及び第２の光軸調整光を射出した状態で、ターゲット射出装置を用いて前記真空チャンバの内部に前記ターゲット物質を供給し、該ターゲット物質が前記第１の光軸調整光と前記第２の光軸調整光との交点を通るように、前記ターゲット射出装置の位置及び姿勢を調整するステップ（ｃ）と、
前記第１及び第２の光軸調整光の射出を停止すると共に前記第１及び第２の位置基準素子を退避させた状態で、前記レーザ光を前記ターゲット励起用レーザ光源から射出して前記ターゲット物質に照射するステップ（ｄ）と、
該レーザ光を該ターゲット物質に照射することにより生成された前記プラズマの画像情報を前記理想発光点近傍のセンサを用いて取得し、該プラズマの画像情報に基づいて、該レーザ光がレーザ光集光素子を介して前記理想発光点を照射するように、前記レーザ光集光素子の位置及び姿勢を調整するステップ（ｅ）と、
該レーザ光を該ターゲット物質に照射することにより生成された前記プラズマから発生する前記極端紫外光の画像情報を前記理想集光点近傍のセンサを用いて取得し、前記第１の光軸調整光の画像情報と該極端紫外光の画像情報とに基づいて、該極端紫外光が前記ＥＵＶ集光ミラーによって前記理想集光点に集光されるように、前記ＥＵＶ集光ミラーの位置及び姿勢を調整するステップ（ｆ）と、
を具備する極端紫外光源装置のアライメント方法。
ステップ（ｆ）が、前記ＥＵＶ集光ミラーによって集光された光の光軸が前記理想発光点及び前記理想集光点を通過するように、前記ＥＵＶ集光ミラーの位置及び姿勢を調整することを含む、請求項１〜６のいずれか１項記載の極端紫外光源装置のアライメント方法。
ステップ（ｆ）が、前記ＥＵＶ集光ミラーによって集光された光が前記理想集光点に最小スポット径で集光されるように、前記ＥＵＶ集光ミラーの位置及び姿勢を調整することを含む、請求項１〜７のいずれか１項記載の極端紫外光源装置のアライメント方法。
真空チャンバの内部に供給されたターゲット物質に、該ターゲット物質を励起させるためのレーザ光を照射することによりプラズマを生成し、該プラズマから発生する極端紫外（ＥＵＶ）光をＥＵＶ集光ミラーによって所定の位置に集光するレーザ励起プラズマ方式による極端紫外光源装置のアライメント方法であって、
前記プラズマを生成すべき位置である理想発光点に第１の位置基準素子を配置し、該プラズマから発生した光を集光すべき位置である理想集光点に第２の位置基準素子を配置し、前記理想発光点と前記理想集光点とを結ぶ直線上であって、前記理想集光点から見て前記理想発光点の反対側に第３の位置基準素子を配置するステップ（ａ）と、
光軸調整光が前記第３の位置基準素子と前記第１若しくは第２の位置基準素子とを通過するように、該光軸調整光の光路を調整するステップ（ｂ）と、
前記第１の位置基準素子を退避させた状態で、前記理想発光点に散乱体を配置し、前記散乱体によって散乱された前記光軸調整光が前記ＥＵＶ集光ミラーによって前記理想集光点に集光されるように、前記ＥＵＶ集光ミラーの位置及び姿勢を調整するステップ（ｃ）と、
を具備する極端紫外光源装置のアライメント方法。
前記光軸調整光の光源が、可視光源である、請求項１〜９のいずれか１項記載の極端紫外光源装置のアライメント方法。