JP7713865B2 - 極端紫外光生成システム、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、極端紫外光生成システム、及び電子デバイスの製造方法に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、１０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長約１３ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するＥＵＶ光生成装置と縮小投影反射光学系(reduced projection reflection optics)とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置の開発が進んでいる。

米国特許出願公開第２０１０／２８８９３７号明細書 米国特許出願公開第２０１０／１４０５１２号明細書 特開２００７－１０９４５１号公報 米国特許出願公開第２０１０／２８４５１１号明細書

概要

本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成システムは、チャンバと、チャンバ内の第１の点を含むプラズマ生成領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、ターゲット物質に照射されるパルスレーザ光を通過させるウインドウと、第１の点で生成された極端紫外光を反射して第２の点に集光するＥＵＶ集光ミラーと、ＥＵＶ集光ミラーによって反射された極端紫外光の光路であって第１及び第２の点の間に設けられた平面ミラーと、平面ミラーの姿勢を変更して第２の点を第１の位置と第２の位置とに切り替えるアクチュエータと、第１の位置を通過した極端紫外光が入射する外部装置に接続可能に構成された接続部と、第２の位置を通過した極端紫外光が入射する第１のＥＵＶ計測部と、外部装置からの信号に基づいてアクチュエータを制御するプロセッサと、を備える。

本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、チャンバと、チャンバ内の第１の点を含むプラズマ生成領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、ターゲット物質に照射されるパルスレーザ光を通過させるウインドウと、第１の点で生成された極端紫外光を反射して第２の点に集光するＥＵＶ集光ミラーと、ＥＵＶ集光ミラーによって反射された極端紫外光の光路であって第１及び第２の点の間に設けられた平面ミラーと、平面ミラーの姿勢を変更して第２の点を第１の位置と第２の位置とに切り替えるアクチュエータと、第１の位置を通過した極端紫外光が入射する外部装置に接続可能に構成された接続部と、第２の位置を通過した極端紫外光が入射する第１のＥＵＶ計測部と、外部装置からの信号に基づいてアクチュエータを制御するプロセッサと、を備える極端紫外光生成システムによって極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置である外部装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含む。

本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、チャンバと、チャンバ内の第１の点を含むプラズマ生成領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、ターゲット物質に照射されるパルスレーザ光を通過させるウインドウと、第１の点で生成された極端紫外光を反射して第２の点に集光するＥＵＶ集光ミラーと、ＥＵＶ集光ミラーによって反射された極端紫外光の光路であって第１及び第２の点の間に設けられた平面ミラーと、平面ミラーの姿勢を変更して第２の点を第１の位置と第２の位置とに切り替えるアクチュエータと、第１の位置を通過した極端紫外光が入射する外部装置に接続可能に構成された接続部と、第２の位置を通過した極端紫外光が入射する第１のＥＵＶ計測部と、外部装置からの信号に基づいてアクチュエータを制御するプロセッサと、を備える極端紫外光生成システムによって生成した極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、検査の結果を用いてマスクを選定し、選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写することを含む。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図３は、ＥＵＶ集光ミラーによるＥＵＶ光の反射率を示すグラフである。 図４は、平面ミラーによるＥＵＶ光の反射率を示すグラフである。 図５は、Ｂｒａｇｇ角の定義を示す。 図６は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図７は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図８は、図６に示される平面ミラー、ホルダ、及びアクチュエータの拡大図である。 図９は、図７に示される平面ミラー、ホルダ、及びアクチュエータの拡大図である。 図１０は、図８に示される平面ミラー、ホルダ、及びアクチュエータを別の方向から示す。 図１１は、第１の実施形態において第１のＥＵＶ計測部を較正するための構成を示す。 図１２は、第１の実施形態におけるプロセッサの動作を示すフローチャートである。 図１３は、第１の実施形態におけるプロセッサの動作を示すフローチャートである。 図１４は、第１の実施形態において第１のＥＵＶ計測部を較正する動作の詳細を示すフローチャートである。 図１５は、較正データに含まれる較正曲線の例を示すグラフである。 図１６は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図１７は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図１８は、図１６に示される平面ミラー、ホルダ、及びアクチュエータの拡大図である。 図１９は、図１７に示される平面ミラー、ホルダ、及びアクチュエータの拡大図である。 図２０は、第２の実施形態において第１のＥＵＶ計測部を較正する動作の詳細を示すフローチャートである。 図２１は、第３の実施形態におけるプロセッサの動作を示すフローチャートである。 図２２は、第３の実施形態におけるプロセッサの動作を示すフローチャートである。 図２３は、ＥＵＶ光生成システムに接続された露光装置の構成を概略的に示す。 図２４は、ＥＵＶ光生成システムに接続された検査装置の構成を概略的に示す。

実施形態

＜内容＞
１．ＥＵＶ光生成システム１１の全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．比較例
２．１ 構成
２．２ 動作
２．３ 比較例の課題
３．第１のＥＵＶ計測部６０ｂによりＥＵＶ光を計測するＥＵＶ光生成システム１１ｂ
３．１ 構成
３．２ 動作
３．２．１ 第１のＥＵＶ計測部６０ｂを較正する動作
３．２．２ 外部装置６にＥＵＶ光を伝送する動作
３．２．３ 外部装置６からＥＵＶ光ＮＧ信号を受信した場合の動作
３．２．３．１ 計測結果が第２の条件を満たす場合
３．２．３．２ 計測結果が第２の条件を満たさない場合
３．２．４ 第１のＥＵＶ計測部６０ｂを較正する動作の詳細
３．３ 作用
４．第１のＥＵＶ計測部６０ｂの配置の自由度を向上したＥＵＶ光生成システム１１ｃ
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用
５．アライメント以外の不調を解消できるＥＵＶ光生成システム１１ｂ
５．１ 構成及び動作
５．２ 作用
６．その他

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．ＥＵＶ光生成システム１１の全体説明
１．１ 構成
図１に、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、レーザシステム３とともに用いられる。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザシステム３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給部２６を含む。チャンバ２は、密閉可能な容器である。ターゲット供給部２６は、ターゲット物質を含むターゲット２７をチャンバ２内部に供給する。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよい。

チャンバ２の壁には、貫通孔が備えられている。その貫通孔は、ウインドウ２１によって塞がれ、ウインドウ２１をレーザシステム３から出力されるパルスレーザ光３２が透過する。チャンバ２の内部には、回転楕円面形状の反射面を備えたＥＵＶ集光ミラー２３が配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を備える。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点２９２に位置するように配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が備えられ、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過する。
第１の焦点から第２の焦点へ向かう方向をＺ方向とする。Ｚ方向に垂直なターゲット２７の進行方向をＹ方向とする。Ｙ方向とＺ方向との両方に垂直な方向をＸ方向とする。

ＥＵＶ光生成装置１は、プロセッサ５、ターゲットセンサ４等を含む。プロセッサ５は、制御プログラムが記憶されたメモリ５０１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ（central processing unit）５０２と、を含む処理装置である。プロセッサ５は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度の内の少なくとも１つを検出する。ターゲットセンサ４は、撮像機能を備えてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と外部装置６の内部とを連通させる接続部２９を含む。外部装置６の例については、図２３及び図２４を参照しながら後述する。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が備えられる。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点に位置するように配置される。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光伝送装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含む。レーザ光伝送装置３４は、レーザ光の伝送状態を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備える。

１．２ 動作
図１を参照して、ＥＵＶ光生成システム１１の動作を説明する。レーザシステム３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、レーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３としてターゲット２７に照射される。

ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力する。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３が照射される。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射される。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって他の波長域の光に比べて高い反射率で反射される。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２ａは、中間集光点２９２で集光され、外部装置６に出力される。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体を制御する。プロセッサ５は、ターゲットセンサ４の検出結果を処理する。ターゲットセンサ４の検出結果に基づいて、プロセッサ５は、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御する。さらに、プロセッサ５は、レーザシステム３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御する。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

２．比較例
２．１ 構成
図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１ａの構成を概略的に示す。本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。図２に示されるように、比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１ａは、チャンバ２の代わりにチャンバ２ａを含み、接続部２９の代わりに接続部２９ａを含む。レーザシステム３はプリパルスレーザ装置ＰＰＬとメインパルスレーザ装置ＭＰＬとを含む。

レーザ光伝送装置３４は、高反射ミラー３４ａ及び３４ｃと、ビームコンバイナ３４ｂと、を含む。高反射ミラー３４ａは、プリパルスレーザ装置ＰＰＬから出力されたプリパルスレーザ光の光路に配置されている。ビームコンバイナ３４ｂは、メインパルスレーザ装置ＭＰＬから出力されたメインパルスレーザ光の光路と高反射ミラー３４ａによって反射されたプリパルスレーザ光の光路とが重なる位置に配置されている。高反射ミラー３４ｃは、ビームコンバイナ３４ｂによって反射されたメインパルスレーザ光とビームコンバイナ３４ｂを透過したプリパルスレーザ光との共通の光路に配置されている。

チャンバ２ａの内部には、レーザ光集光ミラー２２の代わりにレーザ光集光光学系２２ａが設けられ、ＥＵＶ集光ミラー２３の代わりにＥＵＶ集光ミラー２３ａが設けられている。ＥＵＶ集光ミラー２３ａは、チャンバ２ａの内部のプラズマ生成領域２５に位置する第１の焦点で生成されたＥＵＶ光を反射して第２の点２９２ａに集光するように構成されている。ＥＵＶ集光ミラー２３ａの第１の焦点は本開示における第１の点に相当する。

チャンバ２ａの内部には、さらに平面ミラー４３が収容されている。平面ミラー４３は、ＥＵＶ集光ミラー２３ａによって反射されたＥＵＶ光２５２ａの光路であって、ＥＵＶ集光ミラー２３ａの第１の焦点と第２の点２９２ａとの間に位置する。平面ミラー４３は、ホルダ４４に支持されている。

ＥＵＶ集光ミラー２３ａの表面にはモリブデンとシリコンの多層反射膜が形成されているのに対し、平面ミラー４３の表面にはルテニウムの反射膜が形成されている。
図３はＥＵＶ集光ミラー２３ａによるＥＵＶ光の反射率を示すグラフであり、図４は平面ミラー４３によるＥＵＶ光の反射率を示すグラフである。図３及び図４の各々の横軸はＢｒａｇｇ角θを示す。図５はＢｒａｇｇ角θの定義を示す。本開示におけるＢｒａｇｇ角θとは、ミラーの反射面とＥＵＶ光の光路軸との角度である。光路軸とは光路の中心軸を意味する。図３及び図４のいずれにおいても、Ｂｒａｇｇ角θが０°に近いかすり入射においては高い反射率を示すが、Ｂｒａｇｇ角θが大きくなると反射率が急激に低下する。図３においては、Ｂｒａｇｇ角θが９０°に近くなると多層膜における干渉により約７０％の反射率を得ることができる。

そこで、ＥＵＶ集光ミラー２３ａは、プラズマ生成領域２５から放射した光のＢｒａｇｇ角θが７４°以上、９０°以下となるように配置される。平面ミラー４３は、ＥＵＶ集光ミラー２３ａによって反射されたＥＵＶ光２５２ａのＢｒａｇｇ角θが０°より大きく、３０°以下となるように配置される。
但し、本開示はこれに限定されず、平面ミラー４３にモリブデンとシリコンの多層反射膜が形成されてもよい。その場合、平面ミラー４３は、Ｂｒａｇｇ角θが０°より大きく、１８°以下となるように配置される。

図２を再び参照し、チャンバ２ａには、複数のＥＵＶ光検出センサ４１が取り付けられている。ＥＵＶ光検出センサ４１は、複数の方向からプラズマ生成領域２５を観測し、ＥＵＶ光の強度分布を検出するように構成されている。

ターゲット供給部２６及びＥＵＶ集光ミラー２３ａは、図示しない移動ステージによって移動可能に構成されている。レーザ光伝送装置３４に含まれる高反射ミラー３４ｃ等の光学素子は図示しないアクチュエータによって姿勢を制御可能に構成されている。

チャンバ２ａは、接続部２９ａを介して外部装置６に接続可能に構成されている。接続部２９ａ内部には、ゲートバルブＧＢａと、アパーチャが形成された壁２９１ａとが備えられる。壁２９１ａは、そのアパーチャが第２の点２９２ａに位置するように配置される。

２．２ 動作
プリパルスレーザ装置ＰＰＬから出力されたプリパルスレーザ光の光路及びメインパルスレーザ装置ＭＰＬから出力されたメインパルスレーザ光の光路は、ビームコンバイナ３４ｂによってほぼ一致させられる。プリパルスレーザ光は液滴状のターゲット２７に照射され、ターゲット２７を分散させる。メインパルスレーザ光は、プリパルスレーザ光が照射されて分散したターゲット２７に照射され、ターゲット２７をプラズマ化させる。プラズマから放射された光のうちのＥＵＶ光２５２ａがＥＵＶ集光ミラー２３ａによって反射される。
ＥＵＶ光２５２ａは平面ミラー４３によって反射され、接続部２９ａ内の第２の点２９２ａを通って外部装置６に入射する。

プロセッサ５は、ＥＵＶ光検出センサ４１によって検出されたＥＵＶ光の強度分布から、プラズマ生成領域２５で発生するＥＵＶ光の重心位置を計算し、この重心位置に基づいて、ＥＵＶ集光ミラー２３ａの位置、ターゲット供給部２６の位置、及びプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光の生成タイミングを制御する。プロセッサ５は、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光がターゲット２７に照射されるようにレーザ光伝送装置３４に含まれる光学素子の姿勢を制御する。

ＥＵＶ集光ミラー２３ａを移動させることによって第１の焦点の位置が変化する。ターゲット供給部２６を移動させるとターゲット２７の軌道が変化するため、プラズマ生成領域２５で発生するＥＵＶ光のＸ方向及びＺ方向の重心位置が変化する。また、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光の生成タイミングを変化させると、これらのレーザ光によって照射されるターゲット２７の軌道上の位置が変化するため、プラズマ生成領域２５で発生するＥＵＶ光のＹ方向の重心位置が変化する。

外部装置６は、ＥＵＶ光を用いた半導体ウエハの露光又はマスクの検査を行う装置であって、ＥＵＶ光が必要な条件を満たしているか計測しながら露光又は検査を行う。この条件は外部装置６が定める条件であって、本開示における第１の条件に相当する。第１の条件は、例えば、ＥＵＶ光のパルスエネルギー、ＥＵＶ光の光路軸に垂直な断面の光強度分布の重心位置及びスポットサイズを含む。ＥＵＶ光が第１の条件を満たしていない場合に、外部装置６はＥＵＶ光ＮＧ信号をプロセッサ５に送信する。プロセッサ５は、外部装置６からＥＵＶ光ＮＧ信号を受信すると、外部装置６へのＥＵＶ光の伝送を停止する。

２．３ 比較例の課題
外部装置６においてＥＵＶ光が第１の条件を満たしていない場合に、その原因がＥＵＶ光生成システム１１ａにあるのか、外部装置６にあるのかを判断するためにＥＵＶ光生成システム１１ａと外部装置６とを切り離す必要が生じることがある。ＥＵＶ光生成システム１１ａと外部装置６とを一旦切り離すと、外部装置６との再接続及びＥＵＶ光生成システム１１ａの再起動の工程が必要となり、ダウンタイムが大きくなる。

また、ＥＵＶ光生成システム１１ａは、第２の点２９２ａにおけるＥＵＶ光２５２ａのプロファイルの変化を検出することができない。すなわち、外部装置６からＥＵＶ光ＮＧ信号を受信しない限り、第２の点２９２ａにおけるＥＵＶ光２５２ａの異常の有無を判定できない。このため、ＥＵＶ光生成システム１１ａの適切な制御が困難な場合がある。

以下に説明する幾つかの実施形態においては、平面ミラー４３の姿勢を変更することにより、第１のＥＵＶ計測部６０ｂを用いて第２の点２９２ｂにおけるＥＵＶ光２５２ａの計測を可能としている。

３．第１のＥＵＶ計測部６０ｂによりＥＵＶ光を計測するＥＵＶ光生成システム１１ｂ
３．１ 構成
図６及び図７は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１ｂの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成システム１１ｂは、図２に示される構成に加えて、接続部２９ｂと、アクチュエータ４５と、第１のＥＵＶ計測部６０ｂと、表示部５１と、を含む。

アクチュエータ４５は、ホルダ４４に支持された平面ミラー４３の姿勢を変更可能な回転ステージである。アクチュエータ４５は、Ｘ方向に平行な軸周りに平面ミラー４３を回転させる。Ｘ方向はＥＵＶ集光ミラー２３ａの第１の焦点と、第２の点２９２ａ及び２９２ｂと、を含む第１の仮想の平面に垂直である。アクチュエータ４５が平面ミラー４３の姿勢を変更することにより、ＥＵＶ集光ミラー２３ａによってＥＵＶ光２５２ａが集光される第２の点２９２ａは、別の位置の第２の点２９２ｂに移動可能となっている。本開示では、第２の点２９２ａの位置を第１の位置とし、第２の点２９２ｂの位置を第２の位置とする。第２の点２９２ａ及び２９２ｂは、ＸＺ面に平行でプラズマ生成領域２５を通る第２の仮想の平面による鏡像の関係にある。ＥＵＶ集光ミラー２３ａの第１の焦点と、第２の点２９２ａ及び２９２ｂと、を含む第１の仮想の平面はＹＺ面に平行であり、ＥＵＶ集光ミラー２３ａから第２の点２９２ａまでのＥＵＶ光２５２ａの光路及びＥＵＶ集光ミラー２３ａから第２の点２９２ｂまでのＥＵＶ光２５２ａの光路は、第１の仮想の平面上に位置する。

第１のＥＵＶ計測部６０ｂは、第２の点２９２ｂを通過したＥＵＶ光２５２ａの光路に位置する。第１のＥＵＶ計測部６０ｂは、蛍光板６１ｂと、イメージセンサ６２ｂと、を含む。蛍光板６１ｂは、ＥＵＶ光に反応して可視光を発生させるＹＡＧ：Ｃｅ（cerium-doped yttrium aluminum garnet）結晶を含む。

チャンバ２ａは、接続部２９ｂを介して第１のＥＵＶ計測部６０ｂと接続されている。接続部２９ａと接続部２９ｂとは、第２の仮想の平面による鏡像となる位置に配置されている。接続部２９ｂ内部には、ゲートバルブＧＢｂと、アパーチャが形成された壁２９１ｂとが備えられる。壁２９１ｂは、そのアパーチャが第２の点２９２ｂに位置するように配置される。

表示部５１は、第１のＥＵＶ計測部６０ｂの計測結果等を表示する装置であって、画像表示装置でもよいし、表示ランプでもよい。

図８及び図９は、それぞれ図６及び図７に示される平面ミラー４３、ホルダ４４、及びアクチュエータ４５の拡大図である。図１０は、図８に示される平面ミラー４３、ホルダ４４、及びアクチュエータ４５を別の方向から示す。アクチュエータ４５の駆動軸が平面ミラー４３のホルダ４４に接続されている。

図８に示されるようにＥＵＶ光２５２ａを第２の点２９２ａに向けて反射するときの平面ミラー４３とＥＵＶ光２５２ａとのＢｒａｇｇ角を＋θとする。図９に示されるようにＥＵＶ光２５２ａを第２の点２９２ｂに向けて反射するときの平面ミラー４３とＥＵＶ光２５２ａとのＢｒａｇｇ角は、図８の場合と同じ大きさであるが、平面ミラー４３の傾斜方向が異なるので、－θとする。Ｂｒａｇｇ角＋θ及び－θは絶対値が等しく、図４に示される反射率は図８の場合と図９の場合とで同じになる。Ｂｒａｇｇ角＋θ及び－θはそれぞれ本開示における第１及び第２のＢｒａｇｇ角の一例である。

平面ミラー４３を、Ｂｒａｇｇ角が＋θとなる姿勢からＢｒａｇｇ角が－θとなる姿勢まで回転させるためには、図９に示されるように角度φの回転を行う。この場合、平面ミラー４３の反射面がＥＵＶ光２５２ａの光路に位置したまま平面ミラー４３が回転することになる。

図１１は、第１の実施形態において第１のＥＵＶ計測部６０ｂを較正するための構成を示す。接続部２９ａに外部装置６を接続する前に、第１のＥＵＶ計測部６０ｂを較正するために、接続部２９ａに第２のＥＵＶ計測部６０ａを接続することができる。あるいは、接続部２９ａから外部装置６を取り外して、第２のＥＵＶ計測部６０ａを接続してもよい。
第２のＥＵＶ計測部６０ａは、蛍光板６１ａと、イメージセンサ６２ａと、を含む。これらの構成は第１のＥＵＶ計測部６０ｂに含まれるものと同様でよい。

３．２ 動作
図１２及び図１３は、第１の実施形態におけるプロセッサ５の動作を示すフローチャートである。図１２及び図１３に示される処理は、第１のＥＵＶ計測部６０ｂを較正する動作と、外部装置６にＥＵＶ光を伝送する動作と、外部装置６からＥＵＶ光ＮＧ信号を受信した場合の動作と、を含む。

３．２．１ 第１のＥＵＶ計測部６０ｂを較正する動作
まず、接続部２９ａに外部装置６が接続されていない状態で、図１１に示されるように接続部２９ａに第２のＥＵＶ計測部６０ａを接続する。

その後、Ｓ１０において、プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成システム１１ｂのアライメント調整を行う。具体的には以下の制御を行う。
平面ミラー４３とＥＵＶ光２５２ａとのＢｒａｇｇ角を＋θとする（図８参照）。
ＥＵＶ光の生成を開始させ、ゲートバルブＧＢａを開く。
第２のＥＵＶ計測部６０ａで計測されるＥＵＶ光が所定の条件を満たすようにアライメント調整を行う。このアライメント調整は、ＥＵＶ集光ミラー２３ａ、平面ミラー４３、ターゲット供給部２６、プリパルスレーザ装置ＰＰＬ、メインパルスレーザ装置ＭＰＬ、及びレーザ光伝送装置３４のアライメント調整を含む。アライメント調整は、さらに、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光の生成タイミングの調整を含む。ＥＵＶ光が満たすべき所定の条件は、例えば、ＥＵＶ光のパルスエネルギー、第２のＥＵＶ計測部６０ａにおいて計測される光強度分布の重心位置、及びＥＵＶ光の光路軸に垂直な断面のスポットサイズを含む。
その後、ゲートバルブＧＢａを閉め、ＥＵＶ光の生成を終了させる。

Ｓ１５において、プロセッサ５は、第１のＥＵＶ計測部６０ｂの較正を行う。この処理の詳細については図１４及び図１５を参照しながら後述する。なお、Ｓ１０でＥＵＶ光を計測した第２のＥＵＶ計測部６０ａを取り外して接続部２９ｂに接続し、第１のＥＵＶ計測部６０ｂとして使用する場合には、Ｓ１５の処理は行わなくてもよい。

３．２．２ 外部装置６にＥＵＶ光を伝送する動作
Ｓ１５の後、接続部２９ａから第２のＥＵＶ計測部６０ａを取り外し、図６に示されるように接続部２９ａに外部装置６を接続する。
その後、Ｓ３０において、プロセッサ５は、ＥＵＶ光の生成を開始するようＥＵＶ光生成システム１１ｂを制御する。

Ｓ３５において、プロセッサ５は、ゲートバルブＧＢａを開いて外部装置６へのＥＵＶ光の伝送を開始させる。このとき、平面ミラー４３とＥＵＶ光２５２ａとのＢｒａｇｇ角は＋θとなっている。

Ｓ４０において、プロセッサ５は、外部装置６からＥＵＶ光ＮＧ信号を受信したか否かを判定する。ＥＵＶ光ＮＧ信号は、外部装置６においてＥＵＶ光の計測結果が第１の条件を満たしてないと外部装置６が判定した場合に外部装置６から出力される信号である。

ＥＵＶ光ＮＧ信号を受信していない場合（Ｓ４０：ＮＯ）、プロセッサ５は、Ｓ４１に処理を進める。Ｓ４１において、プロセッサ５は、外部装置６へのＥＵＶ光の伝送を継続するか否かを判定する。外部装置６へのＥＵＶ光の伝送を継続する場合（Ｓ４１：ＹＥＳ）、プロセッサ５はＳ４０に処理を戻す。外部装置６へのＥＵＶ光の伝送を継続しない場合（Ｓ４１：ＮＯ）、プロセッサ５はＳ９０に処理を進める。Ｓ９０において、プロセッサ５は、ゲートバルブＧＢａを閉めて、ＥＵＶ光の生成を終了させる。Ｓ９０の後、プロセッサ５は本フローチャートの処理を終了する。

３．２．３ 外部装置６からＥＵＶ光ＮＧ信号を受信した場合の動作
ＥＵＶ光ＮＧ信号を受信した場合（Ｓ４０：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、Ｓ４５に処理を進める。
Ｓ４５において、プロセッサ５は、ゲートバルブＧＢａを閉めることにより、外部装置６へのＥＵＶ光の伝送を中止する。
Ｓ５０において、プロセッサ５は、平面ミラー４３とＥＵＶ光２５２ａとのＢｒａｇｇ角を－θとしてＥＵＶ光２５２ａを第２の点２９２ｂに向けて反射させ、ゲートバルブＧＢｂを開けることにより、第１のＥＵＶ計測部６０ｂへのＥＵＶ光の伝送を開始させる。

図１３を参照し、Ｓ５５において、第１のＥＵＶ計測部６０ｂによるＥＵＶ光の計測結果が第２の条件を満たすか否かを判定する。第２の条件は、第１の条件と同等の条件でもよいし、第１の条件を満たすことに加えてさらに厳しい条件を含むものでもよい。
Ｓ５５の判定結果に応じて、次のＳ５６及びＳ５７に分岐する。

３．２．３．１ 計測結果が第２の条件を満たす場合
第１のＥＵＶ計測部６０ｂによるＥＵＶ光の計測結果が第２の条件を満たす場合（Ｓ５５：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、Ｓ５６に処理を進める。

Ｓ５６において、プロセッサ５は、外部装置６に問題があることを外部装置６に通知し、表示部５１に判定結果を表示させる。計測結果が第２の条件を満たす場合にはＥＵＶ光生成システム１１ｂには問題がないことになるからである。この場合、外部装置６の調整が行われる。

Ｓ８５において、プロセッサ５は、ＥＵＶ光の伝送を外部装置６から要求されるまで待機する。待機時間が短ければＥＵＶ光の生成は終了させなくてもよい。但し、外部装置６への出力はしないようにゲートバルブＧＢａは閉めたままにしておく。平面ミラー４３とＥＵＶ光２５２ａとのＢｒａｇｇ角は＋θとしてもよい。外部装置６からＥＵＶ光の伝送を要求された場合（Ｓ８５：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、図１２のＳ３５に処理を戻す。

３．２．３．２ 計測結果が第２の条件を満たさない場合
第１のＥＵＶ計測部６０ｂによるＥＵＶ光の計測結果が第２の条件を満たさない場合（Ｓ５５：ＮＯ）、プロセッサ５は、Ｓ５７に処理を進める。

Ｓ５７において、プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成システム１１ｂに問題があることを外部装置６に通知し、表示部５１に判定結果を表示させる。

Ｓ５８において、プロセッサ５は、プラズマ生成領域２５のアライメント調整を行う。プラズマ生成領域２５のアライメント調整は、ターゲット供給部２６の位置調整と、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光の生成タイミングの調整と、を含む。プラズマ生成領域２５のアライメント調整とともに、ＥＵＶ集光ミラー２３ａのアライメント調整が行われてもよい。プラズマ生成領域２５のアライメント調整の間、ＥＵＶ光の生成は終了させないが、ゲートバルブＧＢａは閉めたままにしておく。

Ｓ５８の後、プロセッサ５は、平面ミラー４３とＥＵＶ光２５２ａとのＢｒａｇｇ角を＋θとし、図１２のＳ３５に処理を戻す。

３．２．４ 第１のＥＵＶ計測部６０ｂを較正する動作の詳細
図１４は、第１の実施形態において第１のＥＵＶ計測部６０ｂを較正する動作の詳細を示すフローチャートである。図１４に示される処理は、図１２のＳ１５のサブルーチンに相当する。

Ｓ１５０において、プロセッサ５は、ＥＵＶ光の生成を開始するようＥＵＶ光生成システム１１ｂを制御する。
Ｓ１５２において、プロセッサ５は、平面ミラー４３とＥＵＶ光２５２ａとのＢｒａｇｇ角を－θとする。
Ｓ１５３において、プロセッサ５は、ゲートバルブＧＢｂを開け、第１のＥＵＶ計測部６０ｂにＥＵＶ光の計測を行わせる。その後、プロセッサ５は、ゲートバルブＧＢｂを閉める。

Ｓ１５４において、プロセッサ５は、平面ミラー４３とＥＵＶ光２５２ａとのＢｒａｇｇ角を＋θとする。このとき、ゲートバルブＧＢａを開けて第２のＥＵＶ計測部６０ａにＥＵＶ光の計測を行わせてもよいが、図１２のＳ１０において計測した結果が使える場合は第２のＥＵＶ計測部６０ａによる計測を再度行う必要はない。

Ｓ１５５において、プロセッサ５は、第１及び第２のＥＵＶ計測部６０ｂ及び６０ａによる計測結果から較正データを生成する。
図１５は、較正データに含まれる較正曲線の例を示すグラフである。図１５において、横軸は繰り返し周波数を示し、縦軸はＥＵＶ光のパルスエネルギーを示す。横軸は繰り返し周波数である場合に限定されず、チャンバ２ａ内のガス圧でもよいし、プリパルスレーザ光又はメインパルスレーザ光の光強度でもよい。第１及び第２のＥＵＶ計測部６０ｂ及び６０ａは、平面ミラー４３によって同じ反射率で反射されたＥＵＶ光２５２ａを受光している。しかし、第１及び第２のＥＵＶ計測部６０ｂ及び６０ａの計測結果は、第１及び第２のＥＵＶ計測部６０ｂ及び６０ａの特性差に起因して異なる可能性がある。較正曲線がリニアであれば、第１のＥＵＶ計測部６０ｂによる計測値に補正係数を乗算することで、第１及び第２のＥＵＶ計測部６０ｂ及び６０ａの特性差に依存しない値を算出できる。プロセッサ５が生成する較正データにはそのような補正係数も含まれる。

図１４を再び参照し、Ｓ１５６において、プロセッサ５は、較正曲線がリニアであるか否かを判定する。

較正曲線がリニアでない場合（Ｓ１５６：ＮＯ）、プロセッサ５は、Ｓ１５７に処理を進める。
Ｓ１５７において、プロセッサ５は、ＥＵＶ集光ミラー２３ａ又はその他の光学素子の位置調整を行うことにより、ＥＵＶ光２５２ａの光路調整を行う。較正曲線がリニアでない原因として、例えば、ＥＵＶ光２５２ａが壁２９１ｂのアパーチャの中心からずれた位置を通過していることが考えられる。ＥＵＶ光２５２ａの光路調整を行うことにより、較正曲線が改善することがある。
Ｓ１５７の後、プロセッサ５は、Ｓ１５２に処理を戻す。

較正曲線がリニアである場合（Ｓ１５６：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、Ｓ１５８に処理を進める。
Ｓ１５８において、プロセッサ５は、第１のＥＵＶ計測部６０ｂの較正完了を表示部５１に表示させる。
Ｓ１５９において、プロセッサ５は、ＥＵＶ光の生成を終了させる。Ｓ１５９の後、プロセッサ５は本フローチャートの処理を終了し、図１２に示される処理に戻る。

３．３ 作用
（１）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成システム１１ｂは、チャンバ２ａと、ターゲット供給部２６と、ウインドウ２１と、ＥＵＶ集光ミラー２３ａと、平面ミラー４３と、アクチュエータ４５と、接続部２９ａと、第１のＥＵＶ計測部６０ｂと、プロセッサ５と、を備える。ターゲット供給部２６は、ＥＵＶ集光ミラー２３ａの第１の焦点を含むプラズマ生成領域２５にターゲット２７を供給する。ウインドウ２１は、ターゲット２７に照射されるパルスレーザ光を通過させる。ＥＵＶ集光ミラー２３ａは、第１の焦点で生成されたＥＵＶ光を反射して第２の点２９２ａ又は２９２ｂに集光する。平面ミラー４３は、ＥＵＶ集光ミラー２３ａによって反射されたＥＵＶ光２５２ａの光路であって第１の焦点と第２の点２９２ａ又は２９２ｂとの間に設けられている。アクチュエータ４５は、平面ミラー４３の姿勢を変更して第２の点２９２ａ及び２９２ｂを切り替える。接続部２９ａは、第２の点２９２ａを通過したＥＵＶ光２５２ａが入射する外部装置６に接続可能に構成されている。第１のＥＵＶ計測部６０ｂには、第２の点２９２ｂを通過したＥＵＶ光２５２ａが入射する。プロセッサ５は、外部装置６からの信号に基づいてアクチュエータ４５を制御する。
これによれば、アクチュエータ４５によって第２の点２９２ａ及び２９２ｂを切り替え、第２の点２９２ｂを通過したＥＵＶ光２５２ａを第１のＥＵＶ計測部６０ｂによって計測することで、ＥＵＶ光生成システム１１ｂに問題があるか否かを判定できる。従って、外部装置６を使用できないダウンタイムを低減し得る。
外部装置６からの信号は、ＥＵＶ光ＮＧ信号である場合に限定されない。外部装置６における計測結果が第１の条件を満たしている場合であっても、例えば、ＥＵＶ光２５２ａの伝送中止を許可する信号を外部装置６から受信した場合に、ＥＵＶ光生成システム１１ｂは第１のＥＵＶ計測部６０ｂによる計測を行い得る。計測結果が第２の条件を満たさない場合に、図１３のＳ５７及びＳ５８の処理が行われてもよい。

（２）第１の実施形態によれば、アクチュエータ４５は、平面ミラー４３が、ＥＵＶ集光ミラー２３ａの第１の焦点と、第２の点２９２ａ及び２９２ｂと、を含む第１の仮想の平面に垂直なＸ方向の軸周りに回転するように、平面ミラー４３の姿勢を変更する。これによれば、平面ミラー４３の姿勢変更のために複雑な機構を必要とすることなく、平面ミラー４３のアライメントを正確に行い得る。但し、本開示はこれに限定されない。平面ミラー４３の姿勢を変更して第２の点２９２ａ及び２９２ｂを切り替えることができればよく、他の方向の軸周りに平面ミラー４３を回転させてもよい。

（３）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ集光ミラー２３ａから第２の点２９２ａ又は２９２ｂまでのＥＵＶ光２５２ａの光路が、ＥＵＶ集光ミラー２３ａの第１の焦点と、第２の点２９２ａ及び２９２ｂと、を含む第１の仮想の平面上に位置する。これによれば、ＥＵＶ光２５２ａの光路が同一の平面内で切り替わるので、第１の焦点と、第２の点２９２ａ及び２９２ｂと、平面ミラー４３と、のアライメントを容易に行い得る。

（４）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ光２５２ａを第２の点２９２ａに向ける場合の平面ミラー４３の反射面とＥＵＶ光２５２ａの光路軸とのＢｒａｇｇ角＋θの絶対値と、ＥＵＶ光２５２ａを第２の点２９２ｂに向ける場合の反射面と光路軸とのＢｒａｇｇ角－θの絶対値とが等しい。これによれば、ＥＵＶ光２５２ａを第２の点２９２ａに向ける場合と、ＥＵＶ光２５２ａを第２の点２９２ｂに向ける場合とで第２の点２９２ａ及び２９２ｂにおけるビームプロファイルが同じになる。このため、外部装置６に入射するＥＵＶ光２５２ａと同じビームプロファイルを、第１のＥＵＶ計測部６０ｂによって計測することができる。

（５）第１の実施形態によれば、平面ミラー４３は、反射膜を有する反射面を有し、アクチュエータ４５は、反射面がＥＵＶ光２５２ａの光路に位置したまま平面ミラー４３が回転するように、平面ミラー４３の姿勢を変更する。これによれば、ＥＵＶ光２５２ａが平面ミラー４３の裏面側のホルダ４４に入射する可能性を低減し得る。但し、本開示はこれに限定されない。平面ミラー４３の回転の途中でホルダ４４がＥＵＶ光２５２ａの光路に位置することがあってもよい。

（６）第１の実施形態によれば、接続部２９ａは、外部装置６の代わりに第２のＥＵＶ計測部６０ａに接続可能に構成される。プロセッサ５は、ＥＵＶ光２５２ａを第２の点２９２ａに向けて第２のＥＵＶ計測部６０ａにより計測した結果に基づいて、ＥＵＶ集光ミラー２３ａ及び平面ミラー４３のいずれかのアライメント調整を行う。これによれば、外部装置６に入射する光と同じ光路を通ったＥＵＶ光２５２ａを用いて正確にアライメント調整を行い得る。但し、本開示はこれに限定されない。外部装置６におけるテスト露光又は検査の結果に応じてアライメント調整を行うことがあってもよい。

（７）第１の実施形態によれば、接続部２９ａは、外部装置６の代わりに第２のＥＵＶ計測部６０ａに接続可能に構成される。プロセッサ５は、ＥＵＶ光２５２ａを第２の点２９２ａに向けて第２のＥＵＶ計測部６０ａにより計測した結果と、ＥＵＶ光２５２ａを第２の点２９２ｂに向けて第１のＥＵＶ計測部６０ｂにより計測した結果と、に基づいて第１のＥＵＶ計測部６０ｂの較正データを生成する。これによれば、ＥＵＶ計測部の特性差を補正して正確な計測が行えるようになる。

（８）第１の実施形態によれば、外部装置６からの信号は、外部装置６におけるＥＵＶ光２５２ａの計測結果が第１の条件を満たさないことを示すＥＵＶ光ＮＧ信号を含む。プロセッサ５は、外部装置６からＥＵＶ光ＮＧ信号が出力された場合にＥＵＶ光２５２ａを第２の点２９２ｂに向けるようアクチュエータ４５を制御する。これによれば、外部装置６において第１の条件を満たさない原因を、第１のＥＵＶ計測部６０ｂの計測結果を用いて判定することができる。

（９）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、第１のＥＵＶ計測部６０ｂによる計測結果が第２の条件を満たさない場合にプラズマ生成領域２５のアライメント調整を行う。これによれば、ＥＵＶ光生成システム１１ｂを外部装置６に接続したまま問題箇所を特定し得るだけでなく、ＥＵＶ光生成システム１１ｂを外部装置６に接続したまま問題の解消を行い得る。

（１０）第１の実施形態によれば、プラズマ生成領域２５のアライメント調整は、ターゲット供給部２６の位置調整を含む。これによれば、プラズマ生成領域２５で発生するＥＵＶ光のＸ方向及びＺ方向の重心位置を変化させることができる。

（１１）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成システム１１ｂは、パルスレーザ光を出力するレーザシステム３をさらに含む。プラズマ生成領域２５のアライメント調整は、ターゲット供給部２６の位置調整及びパルスレーザ光の生成タイミング調整のいずれかを含む。これによれば、プラズマ生成領域２５で発生するＥＵＶ光のＸ方向及びＺ方向の重心位置を変化させるだけでなく、Ｙ方向の重心位置も変化させることができる。

（１２）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、第１のＥＵＶ計測部６０ｂによる計測結果が第２の条件を満たす場合に、ＥＵＶ光２５２ａの外部装置６への出力を停止した状態で待機する。これによれば、外部装置６の調整に専念できるのでダウンタイムを低減し得る。
その他の点については、第１の実施形態は比較例と同様である。

４．第１のＥＵＶ計測部６０ｂの配置の自由度を向上したＥＵＶ光生成システム１１ｃ
４．１ 構成
図１６及び図１７は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１ｃの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成システム１１ｃは、第２の点２９２ｂの第２の位置、接続部２９ｂの配置、及び第１のＥＵＶ計測部６０ｂの配置が第１の実施形態と異なる。

第２の実施形態において、第２の点２９２ａ及び２９２ｂは、ＸＺ面に平行でプラズマ生成領域２５を通る第２の仮想の平面による鏡像の関係にはない。接続部２９ａ及び２９ｂは、第２の仮想の平面による鏡像となる位置にはない。平面ミラー４３は、ＥＵＶ光２５２ａを第２の点２９２ａ及び２９２ｂに向けて非対称の方向に反射する。

図１８及び図１９は、それぞれ図１６及び図１７に示される平面ミラー４３、ホルダ４４、及びアクチュエータ４５の拡大図である。図１８に示されるようにＥＵＶ光２５２ａを第２の点２９２ａに向けて反射するときの平面ミラー４３とＥＵＶ光２５２ａとのＢｒａｇｇ角をθ１とする。図１９に示されるようにＥＵＶ光２５２ａを第２の点２９２ｂに向けて反射するときの平面ミラー４３とＥＵＶ光２５２ａとのＢｒａｇｇ角は、図１８の場合より大きく、θ２とする。Ｂｒａｇｇ角θ１及びθ２は絶対値が異なり、図４に示される反射率は図１８の場合よりも図１９の場合に低くなる。Ｂｒａｇｇ角θ１及びθ２はそれぞれ本開示における第１及び第２のＢｒａｇｇ角の一例である。

平面ミラー４３を、Ｂｒａｇｇ角がθ１となる姿勢からＢｒａｇｇ角がθ２となる姿勢まで回転させるためには、図１９に示されるように角度φの回転を行う。

４．２ 動作
図１２及び図１３に示される処理は、第２の実施形態においても実行される。但し、第１のＥＵＶ計測部６０ｂの較正については第１の実施形態と一部異なる。

図２０は、第２の実施形態において第１のＥＵＶ計測部６０ｂを較正する動作の詳細を示すフローチャートである。図２０に示される処理は、図１２のＳ１５のサブルーチンに相当する。

第２の実施形態において、平面ミラー４３とＥＵＶ光２５２ａとのＢｒａｇｇ角が－θとされる代わりにθ２とされることで（Ｓ１５２ｃ）、ＥＵＶ光２５２ａは第２の点２９２ｂに向けて反射される。また、平面ミラー４３とＥＵＶ光２５２ａとのＢｒａｇｇ角が＋θとされる代わりにθ１とされることで（Ｓ１５４ｃ）、ＥＵＶ光２５２ａは第２の点２９２ａに向けて反射される。

Ｂｒａｇｇ角θ２がＢｒａｇｇ角θ１より大きいため、ＥＵＶ光２５２ａが第２の点２９２ｂに向けて反射されるときの反射率は小さくなる。第１のＥＵＶ計測部６０ｂによるパルスエネルギーの計測値は、第２のＥＵＶ計測部６０ａを接続部２９ａに接続したときの第２のＥＵＶ計測部６０ａによるパルスエネルギーの計測値よりも小さい値となる。第１のＥＵＶ計測部６０ｂによる計測値に１より大きい補正係数を乗算することで、Ｂｒａｇｇ角の変化による反射率の変化を相殺し得る。

４．３ 作用
（１３）第２の実施形態によれば、ＥＵＶ光２５２ａを第２の点２９２ａに向ける場合の平面ミラー４３の反射面とＥＵＶ光２５２ａの光路軸とのＢｒａｇｇ角θ１の絶対値よりも、ＥＵＶ光２５２ａを第２の点２９２ｂに向ける場合の反射面と光路軸とのＢｒａｇｇ角θ２の絶対値が大きい。これによれば、第１のＥＵＶ計測部６０ｂの配置の自由度が向上し、設置スペースの余裕がある箇所、あるいは取り付け及び取り外しが容易な箇所に第１のＥＵＶ計測部６０ｂを配置することができる。

（１４）第２の実施形態によれば、プロセッサ５は、第１のＥＵＶ計測部６０ｂで得られたＥＵＶ光２５２ａのパルスエネルギーに１より大きい補正係数を乗算することにより、外部装置６に入射するＥＵＶ光２５２ａのパルスエネルギーを算出する。これによれば、Ｂｒａｇｇ角θ１及びθ２の違いによる反射率の違いを相殺してＥＵＶ光２５２ａのパルスエネルギーを算出し得る。
その他の点については、第２の実施形態は第１の実施形態と同様である。

５．アライメント以外の不調を解消できるＥＵＶ光生成システム１１ｂ
５．１ 構成及び動作
以下に第３の実施形態について説明する。第３の実施形態の構成は、第１の実施形態と同様である。
図２１及び図２２は、第３の実施形態におけるプロセッサ５の動作を示すフローチャートである。図２２においてミラーの交換をした場合に（Ｓ８４：ＹＥＳ）、図２１のＳ１０に戻る点以外は、図２１に示される処理は、図１２に示される処理と同様である。

図２２に示される処理は、Ｓ５９～Ｓ８４の処理が加わっている点以外は、図１３に示される処理と同様である。

Ｓ５９において、プロセッサ５は、Ｓ５８のアライメント調整によって第１のＥＵＶ計測部６０ｂによるＥＵＶ光の計測結果が第２の条件を満たすようになったか否かを判定する。第２の条件はＳ５５で判定される第２の条件と同様である。

アライメント調整により第１のＥＵＶ計測部６０ｂによるＥＵＶ光の計測結果が第２の条件を満たすようになった場合（Ｓ５９：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、平面ミラー４３とＥＵＶ光２５２ａとのＢｒａｇｇ角を＋θとし、図２１のＳ３５に処理を戻す。

アライメント調整をしても第１のＥＵＶ計測部６０ｂによるＥＵＶ光の計測結果が第２の条件を満たさない場合（Ｓ５９：ＮＯ）、プロセッサ５は、Ｓ７０に処理を進める。
Ｓ７０において、プロセッサ５は、メンテナンスの必要な箇所を特定する。例えば、ＥＵＶ光の重心位置やスポットサイズが正常化しなかった場合はＥＵＶ集光ミラー２３ａの位置が異常であると判定できる。あるいは、ＥＵＶ光のパルスエネルギーが正常化しなかった場合はＥＵＶ集光ミラー２３ａ又は平面ミラー４３が劣化したと判定できる。この判定結果に基づいてメンテナンスの必要な箇所が特定される。

Ｓ７５において、プロセッサ５はメンテナンスの開始を外部装置６に通知する。
Ｓ８２において、メンテナンスが行われる。ＥＵＶ集光ミラー２３ａ又は平面ミラー４３の交換を伴うメンテナンスは、ＥＵＶ光の生成を停止して行われる。ＥＵＶ集光ミラー２３ａ又は平面ミラー４３の位置調整のように、交換を伴わないメンテナンスは、ＥＵＶ光の生成を停止せずに行うことができる。

メンテナンスの終了後、Ｓ８４において、プロセッサ５は、ミラーの交換をしたか否かを判定する。ここでいうミラーとは、ＥＵＶ集光ミラー２３ａ及び平面ミラー４３のいずれかである。
ミラーの交換をした場合（Ｓ８４：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、図２１のＳ１０に処理を戻す。これにより、ＥＵＶ集光ミラー２３ａ及び平面ミラー４３のアライメント調整が行われる。
ミラーの交換をしなかった場合（Ｓ８４：ＮＯ）、例えば、ＥＵＶ集光ミラー２３ａ又は平面ミラー４３の位置調整、あるいはＥＵＶ光検出センサ４１を交換した場合、プロセッサ５は、Ｓ８５に処理を進める。

Ｓ８５の処理は図１３に示されるものと同様であり、プロセッサ５は、ＥＵＶ光の伝送を外部装置６から要求されるまで待機する。ＥＵＶ光の伝送を外部装置６から要求された場合（Ｓ８５：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、図２１のＳ３５に処理を戻す。

５．２ 作用
（１５）第３の実施形態によれば、プロセッサ５は、第１のＥＵＶ計測部６０ｂによる計測結果が第２の条件を満たさない場合に、ターゲット供給部２６の位置調整を行う。プロセッサ５は、位置調整を行っても第１のＥＵＶ計測部６０ｂによる計測結果が第２の条件を満たさない場合に、ＥＵＶ光生成システム１１ｂのメンテナンスのためにＥＵＶ光２５２ａの生成を停止する。これによれば、ＥＵＶ光生成システム１１ｂにアライメント以外の問題がある場合に、外部装置６を切り離さなくても問題を解消し得るので、ダウンタイムを低減し得る。

（１６）第３の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成システム１１ｂのメンテナンスをする場合、プロセッサ５は、メンテナンスをすることを外部装置６に通知する。これによれば、問題の解消に時間がかかることを外部装置６に通知することができ、外部装置６における資源の消費を低減し得る。

（１７）第３の実施形態によれば、メンテナンスは、ＥＵＶ集光ミラー２３ａ及び平面ミラー４３のいずれかの交換を含む。これによれば、ミラーの交換によって問題が解消する場合に、外部装置６を切り離さなくても問題を解消し得るので、ダウンタイムを低減し得る。

（１８）第３の実施形態によれば、接続部２９ａは、外部装置６の代わりに第２のＥＵＶ計測部６０ａに接続可能に構成される。ＥＵＶ集光ミラー２３ａ及び平面ミラー４３のいずれかを交換した場合に、ＥＵＶ光２５２ａを第２の点２９２ａに向けて第２のＥＵＶ計測部６０ａにより計測した結果に基づいて、ＥＵＶ集光ミラー２３ａ及び平面ミラー４３のいずれかのアライメント調整が行われる。これによれば、ミラーの交換によってアライメント調整が必要となった場合に、外部装置６を切り離さなくても作業を行い得る。

その他の点については、第３の実施形態は第１の実施形態と同様である。あるいは、第３の実施形態において、第２の実施形態と同様に平面ミラー４３がＥＵＶ光２５２ａを非対称の方向に反射してもよい。

６．その他
図２３は、ＥＵＶ光生成システム１１ｂに接続された露光装置６ａの構成を概略的に示す。
図２３において、外部装置６（図１参照）としての露光装置６ａは、マスク照射部６０８とワークピース照射部６０９とを含む。マスク照射部６０８は、ＥＵＶ光生成システム１１ｂから入射したＥＵＶ光によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６０９は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置６ａは、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスを製造できる。

図２４は、ＥＵＶ光生成システム１１ｂに接続された検査装置６ｂの構成を概略的に示す。
図２４において、外部装置６（図１参照）としての検査装置６ｂは、照明光学系６０３と検出光学系６０６とを含む。照明光学系６０３は、ＥＵＶ光生成システム１１ｂから入射したＥＵＶ光を反射して、マスクステージ６０４に配置されたマスク６０５を照射する。ここでいうマスク６０５はパターンが形成される前のマスクブランクスを含む。検出光学系６０６は、照明されたマスク６０５からのＥＵＶ光を反射して検出器６０７の受光面に結像させる。ＥＵＶ光を受光した検出器６０７はマスク６０５の画像を取得する。検出器６０７は例えばＴＤＩ（time delay integration）センサやＣＣＤカメラである。以上のような工程によって取得したマスク６０５の画像により、マスク６０５の欠陥を検査し、検査の結果を用いて、電子デバイスの製造に適するマスクを選定する。そして、選定したマスクに形成されたパターンを、露光装置６ａを用いて感光基板上に露光転写することで電子デバイスを製造できる。

図２３及び図２４において、ＥＵＶ光生成システム１１ｂの代わりに、ＥＵＶ光生成システム１１ｃが用いられてもよい。

上述の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。

本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (20)

1. チャンバと、
   前記チャンバ内の第１の点を含むプラズマ生成領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、
   前記ターゲット物質に照射されるパルスレーザ光を通過させるウインドウと、
   前記第１の点で生成された極端紫外光を反射して第２の点に集光するＥＵＶ集光ミラーと、
   前記ＥＵＶ集光ミラーによって反射された前記極端紫外光の光路であって前記第１及び第２の点の間に設けられた平面ミラーと、
   前記平面ミラーの姿勢を変更して前記第２の点を第１の位置と第２の位置とに切り替えるアクチュエータと、
   前記第１の位置を通過した前記極端紫外光が入射する外部装置に接続可能に構成された接続部と、
   前記第２の位置を通過した前記極端紫外光が入射する第１のＥＵＶ計測部と、
   前記外部装置からの信号に基づいて前記アクチュエータを制御するプロセッサと、
   を備える、極端紫外光生成システム。
2. 請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
   前記アクチュエータは、前記平面ミラーが、前記第１の点と、前記第１の位置と、前記第２の位置と、を含む仮想の平面に垂直な軸周りに回転するように、前記平面ミラーの姿勢を変更する、
   極端紫外光生成システム。
3. 請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
   前記ＥＵＶ集光ミラーから前記第２の点までの前記極端紫外光の光路が、前記第１の点と、前記第１の位置と、前記第２の位置と、を含む仮想の平面上に位置する、
   極端紫外光生成システム。
4. 請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
   前記第２の点を前記第１の位置とした場合の前記平面ミラーの反射面と前記極端紫外光の光路軸との第１のＢｒａｇｇ角の絶対値と、前記第２の点を前記第２の位置とした場合の前記反射面と前記光路軸との第２のＢｒａｇｇ角の絶対値とが等しい、
   極端紫外光生成システム。
5. 請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
   前記平面ミラーは反射膜を有する反射面を有し、前記アクチュエータは、前記反射面が前記極端紫外光の光路に位置したまま前記平面ミラーが回転するように、前記平面ミラーの姿勢を変更する、
   極端紫外光生成システム。
6. 請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
   前記接続部は、前記外部装置の代わりに第２のＥＵＶ計測部に接続可能に構成され、
   前記プロセッサは、前記第２の点を前記第１の位置として前記第２のＥＵＶ計測部により前記極端紫外光を計測した結果に基づいて、前記ＥＵＶ集光ミラー及び前記平面ミラーのいずれかのアライメント調整を行う、
   極端紫外光生成システム。
7. 請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
   前記接続部は、前記外部装置の代わりに第２のＥＵＶ計測部に接続可能に構成され、
   前記プロセッサは、前記第２の点を前記第１の位置として前記第２のＥＵＶ計測部により前記極端紫外光を計測した結果と、前記第２の点を前記第２の位置として前記第１のＥＵＶ計測部により前記極端紫外光を計測した結果と、に基づいて前記第１のＥＵＶ計測部の較正データを生成する、
   極端紫外光生成システム。
8. 請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
   前記信号は、前記外部装置における前記極端紫外光の計測結果が第１の条件を満たさないことを示すＥＵＶ光ＮＧ信号を含み、
   前記プロセッサは、前記外部装置から前記ＥＵＶ光ＮＧ信号が出力された場合に前記第２の点を前記第２の位置とするよう前記アクチュエータを制御する、
   極端紫外光生成システム。
9. 請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
   前記プロセッサは、前記第１のＥＵＶ計測部による計測結果が第２の条件を満たさない場合に前記プラズマ生成領域のアライメント調整を行う、
   極端紫外光生成システム。
10. 請求項９に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記アライメント調整は、前記ターゲット供給部の位置調整を含む、
    極端紫外光生成システム。
11. 請求項９に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記パルスレーザ光を出力するレーザシステムをさらに含み、
    前記アライメント調整は、前記ターゲット供給部の位置調整及び前記パルスレーザ光の生成タイミング調整のいずれかを含む、
    極端紫外光生成システム。
12. 請求項９に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記プロセッサは、前記第１のＥＵＶ計測部による計測結果が前記第２の条件を満たす場合に前記極端紫外光の前記外部装置への出力を停止した状態で待機する、
    極端紫外光生成システム。
13. 請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記第２の点を前記第１の位置とした場合の前記平面ミラーの反射面と前記極端紫外光の光路軸との第１のＢｒａｇｇ角の絶対値よりも、前記第２の点を前記第２の位置とした場合の前記反射面と前記光路軸との第２のＢｒａｇｇ角の絶対値が大きい、
    極端紫外光生成システム。
14. 請求項１３に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記プロセッサは、前記第１のＥＵＶ計測部で得られた前記極端紫外光のパルスエネルギーに補正係数を乗算することにより、前記外部装置に入射する前記極端紫外光のパルスエネルギーを算出する、
    極端紫外光生成システム。
15. 請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記プロセッサは、
    前記第１のＥＵＶ計測部による計測結果が第２の条件を満たさない場合に、前記ターゲット供給部の位置調整を行い、
    前記位置調整を行っても前記第１のＥＵＶ計測部による計測結果が前記第２の条件を満たさない場合に、前記極端紫外光生成システムのメンテナンスのために前記極端紫外光の生成を停止する、
    極端紫外光生成システム。
16. 請求項１５に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記メンテナンスをする場合、前記プロセッサは、前記メンテナンスをすることを前記外部装置に通知する、
    極端紫外光生成システム。
17. 請求項１５に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記メンテナンスは、前記ＥＵＶ集光ミラー及び前記平面ミラーのいずれかの交換を含む、
    極端紫外光生成システム。
18. 請求項１７に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記接続部は、前記外部装置の代わりに第２のＥＵＶ計測部に接続可能に構成され、
    前記ＥＵＶ集光ミラー及び前記平面ミラーのいずれかを交換した場合に、前記第２の点を前記第１の位置として前記第２のＥＵＶ計測部により前記極端紫外光を計測した結果に基づいて、前記ＥＵＶ集光ミラー及び前記平面ミラーのいずれかのアライメント調整を行う、
    極端紫外光生成システム。
19. 電子デバイスの製造方法であって、
    チャンバと、
    前記チャンバ内の第１の点を含むプラズマ生成領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、
    前記ターゲット物質に照射されるパルスレーザ光を通過させるウインドウと、
    前記第１の点で生成された極端紫外光を反射して第２の点に集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    前記ＥＵＶ集光ミラーによって反射された前記極端紫外光の光路であって前記第１及び第２の点の間に設けられた平面ミラーと、
    前記平面ミラーの姿勢を変更して前記第２の点を第１の位置と第２の位置とに切り替えるアクチュエータと、
    前記第１の位置を通過した前記極端紫外光が入射する外部装置に接続可能に構成された接続部と、
    前記第２の位置を通過した前記極端紫外光が入射する第１のＥＵＶ計測部と、
    前記外部装置からの信号に基づいて前記アクチュエータを制御するプロセッサと、
    を備える極端紫外光生成システムによって前記極端紫外光を生成し、
    前記極端紫外光を露光装置である前記外部装置に出力し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
    ことを含む、電子デバイスの製造方法。
20. 電子デバイスの製造方法であって、
    チャンバと、
    前記チャンバ内の第１の点を含むプラズマ生成領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、
    前記ターゲット物質に照射されるパルスレーザ光を通過させるウインドウと、
    前記第１の点で生成された極端紫外光を反射して第２の点に集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    前記ＥＵＶ集光ミラーによって反射された前記極端紫外光の光路であって前記第１及び第２の点の間に設けられた平面ミラーと、
    前記平面ミラーの姿勢を変更して前記第２の点を第１の位置と第２の位置とに切り替えるアクチュエータと、
    前記第１の位置を通過した前記極端紫外光が入射する外部装置に接続可能に構成された接続部と、
    前記第２の位置を通過した前記極端紫外光が入射する第１のＥＵＶ計測部と、
    前記外部装置からの信号に基づいて前記アクチュエータを制御するプロセッサと、
    を備える極端紫外光生成システムによって生成した前記極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、
    前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
    前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
    ことを含む、電子デバイスの製造方法。