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JP4879253B2 - Treatment liquid supply device - Google Patents
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Description

この発明は、例えば半導体ウエハや液晶ディスプレイ用のガラス基板(FPD基板)等の被処理基板にレジスト液や現像液等の処理液を供給する処理液供給装置に関するものである。   The present invention relates to a processing liquid supply apparatus that supplies a processing liquid such as a resist solution or a developing liquid to a target substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate (FPD substrate) for a liquid crystal display.

一般に、半導体デバイスの製造のフォトリソグラフィ技術においては、半導体ウエハやFPD基板等にフォトレジストを塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に回路パターンが形成されている。   In general, in photolithography technology for manufacturing semiconductor devices, a photoresist is applied to a semiconductor wafer, an FPD substrate, etc., and a resist film formed thereby is exposed according to a predetermined circuit pattern, and this exposure pattern is developed. As a result, a circuit pattern is formed on the resist film.

このようなフォトリソグラフィ工程において、レジスト液や現像液等の処理液をウエハ等に供給する装置として、処理液が貯留された処理液貯留容器と処理液供給ノズルとを接続する供給管路に、リキッドエンドセンサ、供給ポンプ、処理液を濾過して気泡を除去するフィルタ及び吐出ポンプを介設し、フィルタと吐出ポンプに混入している気泡を含む処理液を、戻し管路を介して貯留容器側の供給配管に戻すことで、泡の除去を行う構造のものが知られている(例えば、特許文献1参照)。   In such a photolithography process, as a device for supplying a processing solution such as a resist solution or a developing solution to a wafer or the like, a supply pipe line connecting a processing solution storage container storing a processing solution and a processing solution supply nozzle, A liquid end sensor, a supply pump, a filter for removing bubbles by filtering the treatment liquid and a discharge pump are interposed, and the treatment liquid containing bubbles mixed in the filter and the discharge pump is stored in a storage container via a return line. The thing of the structure which removes a bubble by returning to the supply piping of the side is known (for example, refer patent document 1).

また、別のこの種の装置として、処理液貯留容器と処理液供給ノズルとを接続する供給管路に、リキッドエンドセンサ、トラップタンク、ポンプ及びフィルタを介設し、ポンプの循環口とトラップタンクに接続される循環配管を具備し、トラップタンクによって処理液中の気泡を除去する構造のものが知られている(例えば、特許文献2参照)。
特開2001−77015号公報(特許請求の範囲、図12,図13) 特開2001−269608号公報(特許請求の範囲、図17)
As another type of apparatus, a liquid end sensor, a trap tank, a pump, and a filter are provided in a supply pipe line connecting the processing liquid storage container and the processing liquid supply nozzle, and the circulation port of the pump and the trap tank The thing of the structure which comprises the circulation piping connected to this and removes the bubble in a process liquid with a trap tank is known (for example, refer patent document 2).
JP 2001-77015 A (Claims, FIGS. 12 and 13) JP 2001-269608 A (Claims, FIG. 17)

ところで、この種の処理液供給装置においては、処理液の供給が一定の状態すなわち処理液中に溶存するガスを除去(脱気処理)して一定量を供給することができ、かつ処理効率の向上を図ることが重要である。   By the way, in this kind of processing liquid supply apparatus, the supply of the processing liquid can be supplied in a constant state, that is, a gas dissolved in the processing liquid can be removed (deaeration processing), and a constant amount can be supplied. It is important to improve.

しかしながら、特許文献1に記載の技術においては、フィルタから廃液される処理液の無駄を省くことができるが、戻された処理液は再びフィルタによって泡抜きされるため、処理液中に溶存するガスを効率良く除去することができないという懸念がある。   However, in the technique described in Patent Document 1, waste of the processing liquid wasted from the filter can be eliminated. However, since the returned processing liquid is defoamed by the filter again, the gas dissolved in the processing liquid There is a concern that it cannot be removed efficiently.

また、特許文献2に記載の技術においては、循環配管によってポンプから戻された気泡を含む処理液中の気泡をトラップタンクによって除去すると共に、ポンプの二次側に配設されたフィルタによって処理液中の気泡を除去することができるが、フィルタによって気泡を完全に除去することができないという懸念がある。また、特許文献2に記載の構造においては、ポンプの構造が特定される、すなわち上部に気泡を分離するための循環口を設け、下部に吐出口を設けた構造のものに特定され、目的に応じたポンプを使用できないという懸念もある。   In the technique described in Patent Document 2, bubbles in the processing liquid containing bubbles returned from the pump by the circulation pipe are removed by the trap tank, and the processing liquid is filtered by a filter disposed on the secondary side of the pump. Although the bubbles inside can be removed, there is a concern that the bubbles cannot be completely removed by the filter. Further, in the structure described in Patent Document 2, the structure of the pump is specified, that is, a structure having a circulation port for separating bubbles in the upper part and a discharge port in the lower part is specified. There is also concern that the corresponding pumps cannot be used.

また、この種の処理液供給装置における泡抜き処理を行うタイミングは、処理の開始前、所定の処理を行った後又は処理液貯留タンクの交換後等である。しかしながら、所定の処理を行った後の泡抜き処理においては、処理液の種類によってはガスの発生しやすさが異なるため、処理液毎の泡抜き処理すなわち供給ノズルからの処理液の吐出回数や吐出時間毎の設定を行う必要があり、処理液毎によって異なる処理の最適化を図る必要がある。   Moreover, the timing of performing the bubble removal process in this type of processing liquid supply apparatus is before the start of the process, after performing a predetermined process, or after replacing the process liquid storage tank. However, in the bubble removal process after performing a predetermined process, the ease of gas generation varies depending on the type of the treatment liquid, so the bubble removal process for each treatment liquid, that is, the number of times the treatment liquid is discharged from the supply nozzle, It is necessary to make settings for each discharge time, and it is necessary to optimize processing that differs depending on the processing liquid.

この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、フィルタから廃棄される処理液の無駄をなくすことができると共に、廃液中に溶存するガスを効率的に除去でき、かつ処理液の種類に影響を受けることなく処理の最適化が図れると共に、処理効率の向上が図れるようにすることを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, can eliminate the waste of the processing liquid discarded from the filter, can efficiently remove the gas dissolved in the waste liquid, and affects the type of the processing liquid. It is an object of the present invention to optimize the processing without being subjected to the process and to improve the processing efficiency.

上記課題を解決するために、この発明の処理液供給装置は、被処理基板に処理液を供給する供給ノズルと、 上記処理液を貯留する処理液貯留容器と、 上記供給ノズルと処理液貯留容器とを接続する供給管路と、 気体供給管路を介して上記処理液貯留容器内の処理液を加圧して処理液を圧送する加圧気体供給源と、 上記気体供給管路に介設され、上記処理液貯留容器への気体の供給又は停止をするための気体供給用開閉弁と、 上記供給管路に介設され、上記処理液貯留容器から圧送された処理液を一時貯留する一時貯留容器と、 上記供給管路における上記処理液貯留容器と上記一時貯留容器との間に介設され、上記一時貯留容器へ処理液の供給又は停止をするための供給用開閉弁と、 上記一時貯留容器の二次側の供給管路に介設され、上記処理液を濾過して異物を除去すると共に、処理液中に混入している気泡を除去するフィルタと、 上記フィルタの二次側の供給管路に介設されるポンプと、を具備する処理液供給装置において、 上記フィルタの上部に接続され、気泡を外部に排出するためのドレイン管路と、このドレイン管路から分岐され、上記処理液貯留容器と一時貯留容器との間の供給管路に接続する戻り管路とからなる循環管路と、 上記加圧気体供給源と上記一時貯留容器とを接続する第2の気体供給管路と、 上記第2の気体供給管路に介設され、上記一時貯留容器をガス加圧する側に切り換える切換弁と、 上記循環管路を構成する上記ドレイン管路に介設される開閉弁と、この開閉弁の二次側に設けられ、流れる処理液の液圧を低下して処理液中に溶存する気体を気泡化する可変調整絞りと、 上記供給ノズルから処理液を供給するときに、上記気体供給用開閉弁及び供給用開閉弁を閉じ、かつ、上記切換弁を上記一時貯留容器を加圧する側に切り換えると同時に、上記フィルタの上記ドレイン管路の開閉弁を開放して上記処理液を上記循環管路に流すように制御する制御手段と、を具備してなることを特徴とする(請求項1)。この場合、上記開閉弁は、上記可変調整絞りと一体的に構成されていてもよい(請求項2)。 In order to solve the above problems, a processing liquid supply apparatus of the present invention includes a supply nozzle that supplies a processing liquid to a substrate to be processed, a processing liquid storage container that stores the processing liquid, and the supply nozzle and the processing liquid storage container. A pressurized gas supply source that pressurizes the processing liquid in the processing liquid storage container and pressurizes the processing liquid through the gas supply pipe, and the gas supply pipe. A gas supply on / off valve for supplying or stopping gas supply to the processing liquid storage container, and temporary storage for temporarily storing the processing liquid pumped from the processing liquid storage container interposed in the supply pipe A container, a supply opening / closing valve interposed between the processing liquid storage container and the temporary storage container in the supply pipe for supplying or stopping the processing liquid to the temporary storage container, and the temporary storage Interposed in the supply line on the secondary side of the container, A treatment liquid comprising: a filter that removes foreign matters by filtering the treatment liquid, and that removes bubbles mixed in the treatment liquid; and a pump that is interposed in a supply pipe on the secondary side of the filter. In the supply device, connected to the upper part of the filter, a drain line for discharging bubbles to the outside, a branch from the drain line, and a supply line between the treatment liquid storage container and the temporary storage container A circulation line composed of a return line to be connected, a second gas supply line for connecting the pressurized gas supply source and the temporary storage container, and the second gas supply line, A switching valve for switching the temporary storage container to the gas pressurization side, an on-off valve provided in the drain pipe constituting the circulation pipe, and a secondary side of the on-off valve, The gas dissolved in the processing liquid by reducing the liquid pressure A variable regulating orifice to foaming, when supplying the processing liquid from the supply nozzle, closing the gas supply on-off valve and supplying on-off valve, and switching the switching valve on the side to pressurize the temporary storage container At the same time, it comprises control means for controlling the flow of the processing liquid to the circulation line by opening the on-off valve of the drain line of the filter (Claim 1). . In this case, the on-off valve may be configured integrally with the variable adjustment throttle (claim 2).

このように構成することにより、フィルタの泡抜きによって廃液された処理液を循環管路によって再び処理液貯留容器と一時貯留容器との間の供給管路に戻すことができる。また、戻される処理液は、循環管路に介設された可変調整絞りによって液圧が低下し、液中に溶存するガスが顕在化して気泡が発生される。この気泡を含む処理液を循環管路から供給管路を介して再びフィルタを通過させることで、フィルタによって気泡が除去される。 By comprising in this way, the processing liquid drained by the defoaming of the filter can be returned again to the supply line between the processing liquid storage container and the temporary storage container by the circulation line. In addition, the liquid pressure of the processing liquid to be returned is lowered by the variable adjustment throttle provided in the circulation pipe, and the gas dissolved in the liquid is manifested to generate bubbles. By passing the treatment liquid containing bubbles through the filter again from the circulation line through the supply line, the bubbles are removed by the filter.

また、この発明において、上記循環管路に、該循環管路を流れる処理液中の気泡を検出する気泡検出センサを更に具備し、上記制御手段は、上記気泡検出センサからの検出信号に基づいて、加圧気体供給源の加圧量、可変調整絞りの絞り量又は循環管路を流れる処理液の時間の少なくとも一つを制御する方が好ましい(請求項)。 In the present invention, the circulation line further includes a bubble detection sensor for detecting bubbles in the processing liquid flowing through the circulation line, and the control means is based on a detection signal from the bubble detection sensor. It is preferable to control at least one of the pressurization amount of the pressurized gas supply source, the throttle amount of the variable adjustment throttle , or the time of the treatment liquid flowing through the circulation pipe (claim 3 ).

このように構成することにより、気泡検出センサによって循環管路を流れる処理液中の気泡を検出し、その検出信号を制御手段に伝達し、制御手段によって加圧気体供給源の加圧量、可変調整絞りの絞り量又は循環管路を流れる処理液の時間の少なくとも一つを制御することができる。 With this configuration, bubbles in the processing liquid flowing through the circulation pipe are detected by the bubble detection sensor, the detection signal is transmitted to the control means, and the pressurization amount of the pressurized gas supply source is variable by the control means. It is possible to control at least one of the throttle amount of the adjustment throttle or the time of the processing liquid flowing through the circulation pipe.

加えて、この発明において、上記フィルタとポンプとの間の供給管路に介設され、処理液中に溶存する気泡を分離する機能を有するトラップタンクを更に具備し、上記トラップタンクと循環管路とを開閉弁を介設したドレイン管路によって接続する構成とする方がよい(請求項)。この場合、上記トラップタンクに、該トラップタンク内に貯留される処理液中の気泡を検出する気泡検出センサを更に具備し、上記制御手段は、上記気泡検出センサからの検出信号に基づいて、加圧気体供給源の加圧量、可変調整絞りの絞り量又は循環管路を流れる処理液の時間の少なくとも一つを制御する方が好ましい(請求項)。 In addition, in the present invention, a trap tank provided in a supply pipe line between the filter and the pump and having a function of separating bubbles dissolved in the processing liquid is further provided, and the trap tank and the circulation pipe line are provided. Are preferably connected by a drain line having an on-off valve (Claim 4 ). In this case, the trap tank is further provided with a bubble detection sensor for detecting bubbles in the processing liquid stored in the trap tank, and the control means applies the detection based on the detection signal from the bubble detection sensor. It is preferable to control at least one of the pressurization amount of the pressurized gas supply source, the throttle amount of the variable adjustment throttle , or the time of the treatment liquid flowing through the circulation pipe (Claim 5 ).

このように構成することにより、フィルタによって除去されなかった処理液中に溶存するガスにより発生する気泡をトラップタンクによって除去することができると共に、開閉弁によってトラップタンクから排出される処理液の液圧を低下させて処理液中に溶存するガスを顕在化して気泡を発生させることができ、発生した気泡をドレイン管路から外部に排出することができる。その他の処理液を循環管路によって供給管路に戻し、供給管路を介して再びフィルタを通過する際に処理液中の気泡がフィルタによって除去される。この場合、気泡検出センサによってトラップタンク内の処理液中の気泡を検出し、その検出信号を制御手段に伝達し、制御手段によって加圧気体供給源の加圧量、可変調整絞りの絞り量又は循環管路を流れる処理液の時間の少なくとも一つを制御することができる。 With this configuration, bubbles generated by the gas dissolved in the processing liquid that has not been removed by the filter can be removed by the trap tank, and the liquid pressure of the processing liquid discharged from the trap tank by the on-off valve. The gas dissolved in the processing liquid can be made obvious to generate bubbles, and the generated bubbles can be discharged to the outside from the drain line. The other processing liquid is returned to the supply pipe by the circulation pipe, and bubbles in the processing liquid are removed by the filter when passing through the filter again through the supply pipe. In this case, bubbles are detected in the processing liquid in the trap tank by the bubble detection sensor, and the detection signal is transmitted to the control unit. The control unit applies the pressurized amount of the pressurized gas supply source, the throttle amount of the variable adjustment throttle , or At least one of the times of the treatment liquid flowing through the circulation pipe can be controlled.

この発明は、上記のように構成されているので、以下のような顕著な効果が得られる。   Since the present invention is configured as described above, the following remarkable effects can be obtained.

(1)請求項1,2記載の発明によれば、フィルタの泡抜きによって廃液された処理液を循環管路によって再び処理液貯留容器と一時貯留容器との間の供給管路に戻すことができるので、フィルタから廃液される処理液の無駄をなくすことができる。また、戻される処理液は、循環管路に介設された可変調整絞りによって液圧が低下し、液中に溶存するガスが顕在化して気泡が発生されるので、処理液中の気泡は、循環管路から供給管路を介して再びフィルタを通過する際にフィルタによって除去することができる。また、処理液の種類に関係なく処理液中に溶存するガスを効率的に除去することができるので、処理の最適化が図れると共に、処理効率の向上が図れる。 (1) According to the first and second aspects of the present invention, the processing liquid that has been drained by defoaming the filter can be returned to the supply line between the processing liquid storage container and the temporary storage container again by the circulation line. Therefore, it is possible to eliminate the waste of the processing liquid wasted from the filter. In addition, the processing liquid to be returned has its hydraulic pressure lowered by a variable adjustment throttle provided in the circulation pipe, and gas dissolved in the liquid is manifested to generate bubbles. When passing through the filter again from the circulation line through the supply line, it can be removed by the filter. Further, since the gas dissolved in the treatment liquid can be efficiently removed regardless of the kind of the treatment liquid, the treatment can be optimized and the treatment efficiency can be improved.

(2)請求項記載の発明によれば、気泡検出センサによって循環管路を流れる処理液中の気泡を検出し、その検出信号に基づいて加圧気体供給源の加圧量、可変調整絞りの絞り量又は循環管路を流れる処理液の時間の少なくとも一つを制御することができるので、上記(1)に加えて更に処理の最適化が図れると共に、処理効率の向上が図れる。 (2) According to the invention described in claim 3 , the bubble in the processing liquid flowing through the circulation pipe is detected by the bubble detection sensor, and the pressurization amount of the pressurized gas supply source and the variable adjustment throttle based on the detection signal In addition to the above (1), the process can be further optimized and the processing efficiency can be improved.

(3)請求項記載の発明によれば、フィルタによって除去されなかった処理液中に溶存するガスにより発生する気泡をトラップタンクによって除去し、この気泡を含む処理液を循環管路によって供給管路に戻し、供給管路を介して再びフィルタを通過する際に処理液中の気泡をフィルタによって除去することができる。したがって、上記(1),(2)に加えて、更に処理の最適化が図れると共に、処理効率の向上が図れる。この場合、気泡検出センサによってトラップタンク内の処理液中の気泡を検出し、その検出信号に基づいて加圧気体供給源の加圧量、可変調整絞りの絞り量又は循環管路を流れる処理液の時間の少なくとも一つを制御することで、更に処理の最適化が図れると共に、処理効率の向上が図れる。 (3) According to the invention described in claim 4 , bubbles generated by the gas dissolved in the processing liquid that has not been removed by the filter are removed by the trap tank, and the processing liquid containing the bubbles is supplied through the circulation pipe. When returning to the channel and passing through the filter again through the supply pipe, bubbles in the processing liquid can be removed by the filter. Therefore, in addition to the above (1) and (2), the processing can be further optimized and the processing efficiency can be improved. In this case, the bubble detection sensor detects bubbles in the processing liquid in the trap tank, and based on the detection signal, the pressurized amount of the pressurized gas supply source, the throttle amount of the variable adjustment throttle , or the processing liquid flowing through the circulation line By controlling at least one of these times, the processing can be further optimized and the processing efficiency can be improved.

以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る処理液供給装置を半導体ウエハのレジスト液塗布・現像処理システムにおけるレジスト塗布処理装置に適用した場合について説明する。   DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the best embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Here, a case where the processing liquid supply apparatus according to the present invention is applied to a resist coating processing apparatus in a resist coating / development processing system for a semiconductor wafer will be described.

図9は、この発明に係る処理液供給装置を具備する半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理システムを示す概略平面図、図10は、レジスト塗布・現像処理システムの概略正面図、図11は、レジスト塗布・現像処理システムの概略背面図である。   FIG. 9 is a schematic plan view showing a resist coating / development processing system for a semiconductor wafer having a processing liquid supply apparatus according to the present invention, FIG. 10 is a schematic front view of the resist coating / development processing system, and FIG. It is a schematic rear view of a coating / development processing system.

上記レジスト塗布・現像処理システムSは、図9に示すように、例えば25枚のウエハWをカセット単位で外部からレジスト塗布・現像処理システムSに対して搬入出すると共に、カセットCに対してウエハWを搬入出するカセットステーションS1と、このカセットステーションS1に隣接して設けられ、塗布現像工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理ユニットを多段配置してなる処理ステーションS2と、この処理ステーションS2に隣接して設けられている露光装置(図示せず)との間でウエハWの受け渡しをするインターフェース部S3とを一体に接続した構成を有している。   As shown in FIG. 9, the resist coating / development processing system S carries, for example, 25 wafers W from the outside to the resist coating / development processing system S in units of cassettes, and wafers to the cassette C. A cassette station S1 that carries W in and out, and a processing station S2 that is provided adjacent to the cassette station S1 and that is provided with a multistage arrangement of various processing units that perform predetermined processing in a single-wafer type in the coating and developing process; It has a configuration in which an interface unit S3 for transferring the wafer W to and from an exposure apparatus (not shown) provided adjacent to the processing station S2 is integrally connected.

カセットステーションS1は、カセット載置台A上の所定の位置に、複数のカセットCを水平のX方向に一列に載置可能となっている。また、カセットステーションS1には、搬送路B上をX方向に沿って移動可能なウエハ搬送アームDが設けられている。ウエハ搬送アームDは、カセットCに収容されたウエハWのウエハ配列方向(Z方向;鉛直方向)にも移動自在であり、X方向に配列された各カセットC内のウエハWに対して選択的にアクセスできるように構成されている。   In the cassette station S1, a plurality of cassettes C can be placed in a line in a horizontal X direction at a predetermined position on the cassette placement table A. The cassette station S1 is provided with a wafer transfer arm D that can move along the X direction on the transfer path B. The wafer transfer arm D is also movable in the wafer arrangement direction (Z direction; vertical direction) of the wafers W accommodated in the cassette C, and is selective to the wafers W in each cassette C arranged in the X direction. Is configured to be accessible.

また、ウエハ搬送アームDは、Z軸を中心としてθ方向に回転可能に構成されており、後述するように処理ステーションS2側の第3の処理ユニット群G3に属するトランジション装置(TRS)31に対してもアクセスできるように構成されている。   Further, the wafer transfer arm D is configured to be rotatable in the θ direction about the Z axis, and as described later, with respect to the transition device (TRS) 31 belonging to the third processing unit group G3 on the processing station S2 side. Even it is configured to be accessible.

処理ステーションS2は、複数の処理ユニットが多段に配置された、例えば5つの処理ユニット群G1〜G5を備えている。図9に示すように、処理ステーションS2の正面側には、カセットステーションS1側から第1の処理ユニット群G1,第2の処理ユニット群G2が順に配置されている。また、処理ステーションS2の背面側には、カセットステーションS1側から第3の処理ユニット群G3,第4の処理ユニット群G4及び第5の処理ユニット群G5が順に配置されている。第3の処理ユニット群G3と第4の処理ユニット群G4との間には、第1の搬送機構110が設けられている。第1の搬送機構110は、第1の処理ユニット群G1,第3の処理ユニット群G3及び第4の処理ユニット群G4に選択的にアクセスしてウエハWを搬送するように構成されている。第4の処理ユニット群G4と第5の処理ユニット群G5との間には、第2の搬送機構120が設けられている。第2の搬送機構120は、第2の処理ユニット群G2,第4の処理ユニット群G4及び第5の処理ユニット群G5に選択的にアクセスしてウエハWを搬送するように構成されている。   The processing station S2 includes, for example, five processing unit groups G1 to G5 in which a plurality of processing units are arranged in multiple stages. As shown in FIG. 9, on the front side of the processing station S2, a first processing unit group G1 and a second processing unit group G2 are sequentially arranged from the cassette station S1 side. On the back side of the processing station S2, a third processing unit group G3, a fourth processing unit group G4, and a fifth processing unit group G5 are sequentially arranged from the cassette station S1 side. A first transport mechanism 110 is provided between the third processing unit group G3 and the fourth processing unit group G4. The first transport mechanism 110 is configured to selectively access the first processing unit group G1, the third processing unit group G3, and the fourth processing unit group G4 to transport the wafer W. A second transport mechanism 120 is provided between the fourth processing unit group G4 and the fifth processing unit group G5. The second transfer mechanism 120 is configured to selectively access the second processing unit group G2, the fourth processing unit group G4, and the fifth processing unit group G5 to transfer the wafer W.

第1の処理ユニット群G1には、図10に示すように、ウエハWに所定の処理液を供給して処理を行う液処理ユニット、例えばウエハWにレジスト液を塗布する、この発明に係る処理液供給装置を具備するレジスト塗布処理装置を有するレジスト塗布ユニット(COT)10,11,12、露光時の光の反射を防止するための紫外線硬化樹脂液を塗布して反射防止膜を形成するボトムコーティングユニット(BARC)13,14が下から順に5段に重ねられている。第2の処理ユニット群G2には、液処理ユニット、例えばウエハWに現像処理を施す現像処理ユニット(DEV)20〜24が下から順に5段に重ねられている。また、第1の処理ユニット群G1及び第2の処理ユニット群G2の最下段には、各処理ユニット群G1及びG2内の前記液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室(CHM)25,26がそれぞれ設けられている。   As shown in FIG. 10, the first processing unit group G1 is a liquid processing unit that supplies a predetermined processing liquid to the wafer W to perform processing, for example, a resist solution is applied to the wafer W. Resist coating units (COT) 10, 11, and 12 having a resist coating processing apparatus having a liquid supply apparatus, and a bottom for forming an antireflection film by applying an ultraviolet curable resin liquid for preventing reflection of light during exposure. Coating units (BARC) 13 and 14 are stacked in five stages in order from the bottom. In the second processing unit group G2, liquid processing units, for example, development processing units (DEV) 20 to 24 that perform development processing on the wafer W are stacked in five stages in order from the bottom. Further, at the bottom of the first processing unit group G1 and the second processing unit group G2, a chemical chamber (CHM) for supplying various processing liquids to the liquid processing units in the processing unit groups G1 and G2. 25 and 26 are provided, respectively.

一方、第3の処理ユニット群G3には、図11に示すように、下から順に、温調ユニット(TCP)30、ウエハWの受け渡しを行うためのトランジション装置(TRS)31及び精度の高い温度管理下でウエハWを加熱処理する熱処理ユニット(ULHP)32〜38が9段に重ねられている。   On the other hand, as shown in FIG. 11, the third processing unit group G3 includes, in order from the bottom, the temperature control unit (TCP) 30, the transition device (TRS) 31 for delivering the wafer W, and the high-precision temperature. Heat treatment units (ULHP) 32 to 38 that heat-treat the wafer W under management are stacked in nine stages.

第4の処理ユニット群G4では、例えば高精度温調ユニット(CPL)40、レジスト塗布処理後のウエハWを加熱処理するプリベーキングユニット(PAB)41〜44及び現像処理後のウエハWを加熱処理するポストベーキングユニット(POST)45〜49が下から順に10段に重ねられている。   In the fourth processing unit group G4, for example, a high-precision temperature control unit (CPL) 40, pre-baking units (PAB) 41 to 44 for heat-treating the resist-coated wafer W, and the wafer W after development processing are heat-treated. Post baking units (POST) 45 to 49 are stacked in 10 stages in order from the bottom.

第5の処理ユニット群G5では、ウエハWを熱処理する複数の熱処理ユニット、例えば高精度温調ユニット(CPL)50〜53、露光後のウエハWを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニット(PEB)54〜59が下から順に10段に重ねられている。   In the fifth processing unit group G5, a plurality of heat treatment units that heat-treat the wafer W, for example, high-precision temperature control units (CPL) 50 to 53, post-exposure baking units (PEB) 54 to heat-treat the exposed wafer W, 59 are stacked in 10 steps from the bottom.

また、第1の搬送機構110のX方向正方向側には、図9に示すように、複数の処理ユニットが配置されており、例えば図11に示すように、ウエハWを疎水化処理するためのアドヒージョンユニット(AD)80,81、ウエハWを加熱する加熱ユニット(HP)82,83が下から順に4段に重ねられている。また、第2の搬送機構120の背面側には、図9に示すように、例えばウエハWのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光ユニット(WEE)84が配置されている。   Further, as shown in FIG. 9, a plurality of processing units are arranged on the positive side in the X direction of the first transfer mechanism 110. For example, as shown in FIG. 11, the wafer W is subjected to a hydrophobic treatment. Adhesion units (AD) 80 and 81 and heating units (HP) 82 and 83 for heating the wafer W are stacked in four stages in order from the bottom. Further, as shown in FIG. 9, for example, a peripheral exposure unit (WEE) 84 that selectively exposes only the edge portion of the wafer W is disposed on the back side of the second transfer mechanism 120.

また、図10に示すように、カセットステーションS1、処理ステーションS2及びインターフェース部S3の各ブロックの上部には、各ブロック内を空調するための空調ユニット90が備えられている。この空調ユニット90により、カセットステーションS1,処理ステーションS2及びインターフェース部S3内は、所定の温度及び湿度に調整できる。また、図11に示すように、例えば処理ステーションS2の上部には、第3の処理ユニット群G3、第4の処理ユニット群G4及び第5の処理ユニット群G5内の各装置に所定の気体を供給する、例えばFFU(ファンフィルタユニット)などの気体供給手段である気体供給ユニット91がそれぞれ設けられている。気体供給ユニット91は、所定の温度、湿度に調整された気体から不純物を除去した後、当該気体を所定の流量で送風できる。   As shown in FIG. 10, an air conditioning unit 90 for air-conditioning each block is provided above the blocks of the cassette station S1, the processing station S2, and the interface unit S3. The air conditioning unit 90 can adjust the cassette station S1, the processing station S2, and the interface unit S3 to a predetermined temperature and humidity. Further, as shown in FIG. 11, for example, a predetermined gas is supplied to each device in the third processing unit group G3, the fourth processing unit group G4, and the fifth processing unit group G5 in the upper part of the processing station S2. For example, gas supply units 91 that are gas supply means such as FFU (fan filter unit) to be supplied are provided. The gas supply unit 91 can blow the gas at a predetermined flow rate after removing impurities from the gas adjusted to a predetermined temperature and humidity.

インターフェース部S3は、図9に示すように、処理ステーションS2側から順に第1のインターフェース部100と、第2のインターフェース部101とを備えている。第1のインターフェース部100には、ウエハ搬送アーム102が第5の処理ユニット群G5に対応する位置に配設されている。ウエハ搬送アーム102のX方向の両側には、例えばバッファカセット103(図9の背面側),104(図9の正面側)が各々設置されている。ウエハ搬送アーム102は、第5の処理ユニット群G5内の熱処理装置とバッファカセット103,104に対してアクセスできる。第2のインターフェース部101には、X方向に向けて設けられた搬送路105上を移動するウエハ搬送アーム106が設けられている。ウエハ搬送アーム106は、Z方向に移動可能で、かつθ方向に回転可能であり、バッファカセット104と、第2のインターフェース部101に隣接した図示しない露光装置に対してアクセスできるようになっている。したがって、処理ステーションS2内のウエハWは、ウエハ搬送アーム102,バッファカセット104,ウエハ搬送アーム106を介して露光装置に搬送でき、また、露光処理の終了したウエハWは、ウエハ搬送アーム106,バッファカセット104,ウエハ搬送アーム102を介して処理ステーションS2内に搬送できる。   As shown in FIG. 9, the interface unit S3 includes a first interface unit 100 and a second interface unit 101 in order from the processing station S2 side. In the first interface unit 100, a wafer transfer arm 102 is disposed at a position corresponding to the fifth processing unit group G5. On both sides of the wafer transfer arm 102 in the X direction, for example, buffer cassettes 103 (the back side in FIG. 9) and 104 (the front side in FIG. 9) are respectively installed. The wafer transfer arm 102 can access the heat treatment apparatus and the buffer cassettes 103 and 104 in the fifth processing unit group G5. The second interface unit 101 is provided with a wafer transfer arm 106 that moves on a transfer path 105 provided in the X direction. The wafer transfer arm 106 is movable in the Z direction and rotatable in the θ direction, and can access the buffer cassette 104 and an exposure apparatus (not shown) adjacent to the second interface unit 101. . Therefore, the wafer W in the processing station S2 can be transferred to the exposure apparatus via the wafer transfer arm 102, the buffer cassette 104, and the wafer transfer arm 106, and the wafer W after the exposure process is transferred to the wafer transfer arm 106 and the buffer. It can be transferred into the processing station S <b> 2 via the cassette 104 and the wafer transfer arm 102.

なお、レジスト塗布ユニット(COT)10,11,12に適用されるこの発明に係る処理液供給装置を具備するレジスト塗布処理装置15は、内部を密閉することができる処理容器60内に配設されている。この処理容器60の一側面には、図12に示すように、ウエハWの搬送手段である上記第1の搬送機構110の搬送領域に臨む面にウエハWの搬入出口60aが形成され、搬入出口60aには、開閉シャッタ63が開閉用昇降シリンダ64によって開閉可能に設けられている。   The resist coating processing apparatus 15 including the processing liquid supply apparatus according to the present invention applied to the resist coating units (COT) 10, 11, and 12 is disposed in a processing container 60 that can seal the inside. ing. As shown in FIG. 12, a loading / unloading port 60a for the wafer W is formed on one side of the processing container 60 on the surface facing the transfer region of the first transfer mechanism 110 serving as a transfer means for the wafer W. An opening / closing shutter 63 is provided at 60 a so as to be opened and closed by an opening / closing lift cylinder 64.

レジスト塗布処理装置15は、図12に示すように、ウエハWの保持手段としてその上面にウエハWを水平に真空吸着保持するスピンチャック16と、スピンチャック16に軸部16aを介して連結され、ウエハWを水平面内で回転させる例えばサーボモータ等にて形成される回転機構16bと、ウエハWの表面にレジスト液を供給する処理液供給ノズル70aを具備する集合ノズル70を具備している。   As shown in FIG. 12, the resist coating processing apparatus 15 is connected to the spin chuck 16 as a holding means for the wafer W by vacuum suction holding the wafer W horizontally on its upper surface, and the spin chuck 16 via a shaft portion 16a. A rotation mechanism 16b formed by, for example, a servo motor for rotating the wafer W in a horizontal plane, and a collective nozzle 70 including a processing liquid supply nozzle 70a for supplying a resist liquid to the surface of the wafer W are provided.

集合ノズル70は、回動軸66を中心として旋回する移動部材としての回動アーム65の先端に設けられている。集合ノズル70には、後述する第2の処理液供給管路7bに接続されレジスト液を吐出する処理液供給ノズル70aと、溶剤供給管路70cを介して溶剤供給源70dに接続され溶剤を吐出する溶剤供給ノズル70bが設けられおり、これらのノズル70a,70bはウエハWの半径方向内側に相前後して並置され、集合ノズル70の下面にいずれも開口している。すなわち、この処理液供給ノズル70aと溶剤供給ノズル70bは、ウエハWの半径方向内側に処理液供給ノズル70aが位置し、またウエハWの半径方向外側に溶剤供給ノズル70bが位置するように、互いに所定間隔だけ離して並置されている。そして、処理液供給ノズル70aからは第2の処理液供給管路7bにより供給されたレジスト液が、また溶剤供給ノズル70bからは溶剤供給管路70cにより供給された溶剤がそれぞれ独立に吐出されるように構成されている。   The collective nozzle 70 is provided at the distal end of a turning arm 65 as a moving member that turns around a turning shaft 66. The collecting nozzle 70 is connected to a later-described second processing liquid supply pipe 7b and discharges a resist liquid, and is connected to a solvent supply source 70d via a solvent supply pipe 70c and discharges a solvent. Solvent supply nozzles 70b are provided, and these nozzles 70a and 70b are juxtaposed inward in the radial direction of the wafer W, and both are open on the lower surface of the collective nozzle 70. That is, the processing liquid supply nozzle 70a and the solvent supply nozzle 70b are arranged so that the processing liquid supply nozzle 70a is located on the radially inner side of the wafer W and the solvent supply nozzle 70b is located on the radially outer side of the wafer W. They are juxtaposed at a predetermined interval. Then, the resist solution supplied from the processing solution supply nozzle 70a is discharged from the second processing solution supply line 7b, and the solvent supplied from the solvent supply nozzle 70b is discharged from the solvent supply line 70c. It is configured as follows.

また、図12に示すように、回動アーム65は、処理容器60の外側に鉛直に設けられた回動軸66の上部に水平姿勢で固定されおり、回動軸66の回転機構67(ノズル移動機構)によって、水平面内で回動するように構成されている。回動アーム65は、ウエハWの上方において、ウエハWの中心部付近に移動した状態と、処理容器60よりも外側の待機位置(ホームポジション)に移動した状態との間を移動する。回動アーム65を、これらの間で移動させることにより、ウエハW上に塗布膜を形成する処理を行う。   Further, as shown in FIG. 12, the rotation arm 65 is fixed in a horizontal posture on the upper portion of the rotation shaft 66 provided vertically outside the processing container 60, and a rotation mechanism 67 (nozzle of the rotation shaft 66). The moving mechanism) is configured to rotate within a horizontal plane. The rotating arm 65 moves between a state where it is moved near the center of the wafer W and a state where it is moved to a standby position (home position) outside the processing container 60 above the wafer W. A process for forming a coating film on the wafer W is performed by moving the rotating arm 65 between them.

なお、処理容器60内には、ウエハWの外周側を包囲する上下移動可能な外カップ61と、ウエハWの下部側に配置される内カップ62とが設けられている。また、処理容器60の処理空間60bには、上方から流れるダウンフローの清浄空気が下方に流れるように外カップ61と内カップ62との間に通気流路60cが形成されている。   In the processing container 60, an outer cup 61 that can move up and down to surround the outer periphery of the wafer W and an inner cup 62 that is disposed on the lower side of the wafer W are provided. In the processing space 60b of the processing container 60, a ventilation channel 60c is formed between the outer cup 61 and the inner cup 62 so that the downflow clean air flowing from above flows downward.

次に、この発明に係る処理液供給装置について、図1ないし図8を参照して説明する。   Next, a processing liquid supply apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS.

<第1実施形態>
図1は、この発明に係る処理液供給装置の第1実施形態を示す概略断面図である。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a first embodiment of a processing liquid supply apparatus according to the present invention.

上記処理液供給装置は、処理液L(レジスト液)を貯留する処理液貯留容器1(以下に薬液ボトル1という)と、この薬液ボトル1に気体供給管路6a(以下に第1の気体供給管路6aという)を介して接続され、薬液ボトル1内のレジスト液Lを加圧する加圧手段である不活性ガス例えば窒素(N2)ガスの供給源71(以下に、N2ガス供給源71という)と、第1の処理液供給管路7aを介して薬液ボトル1に接続され、薬液ボトル1から導かれた処理液を一時貯留する一時貯留容器であるバッファタンク2と、このバッファタンク2と処理液供給ノズル70a(以下に供給ノズル70aという)を接続する第2の処理液供給管路7bと、第2の処理液供給管路7bにおいて、バッファタンク2側に介設され処理液中に混入している気泡を除去するフィルタ3と、フィルタ3の二次側に介設される小型のトラップタンク4と、トラップタンク4の二次側に介設され処理液を供給ノズル70aに供給するポンプ5とを具備している。   The processing liquid supply apparatus includes a processing liquid storage container 1 (hereinafter referred to as a chemical liquid bottle 1) for storing a processing liquid L (resist liquid), and a gas supply pipe 6a (hereinafter referred to as a first gas supply) to the chemical liquid bottle 1. An inert gas, for example, nitrogen (N2) gas supply source 71 (hereinafter referred to as N2 gas supply source 71), which is a pressurizing means for pressurizing the resist solution L in the chemical solution bottle 1 and connected via a pipe line 6a. ), A buffer tank 2 which is connected to the chemical liquid bottle 1 via the first processing liquid supply pipe 7a and is a temporary storage container for temporarily storing the processing liquid guided from the chemical liquid bottle 1, and the buffer tank 2 A second treatment liquid supply pipe 7b connecting the treatment liquid supply nozzle 70a (hereinafter referred to as supply nozzle 70a) and a second treatment liquid supply pipe 7b are provided on the buffer tank 2 side and are contained in the treatment liquid. I feel mixed , A small trap tank 4 provided on the secondary side of the filter 3, and a pump 5 provided on the secondary side of the trap tank 4 for supplying the processing liquid to the supply nozzle 70a. is doing.

また、一端が第1の気体供給管路6aから分岐され、他端がバッファタンク2の上部に接続する第2の気体供給管路6bが設けられている。この第2の気体供給管路6bには、バッファタンク2内と大気に開放する大気部72又はN2ガス供給源71と切換可能に連通する切換弁Vcが介設されている。この場合、切換弁Vcは、バッファタンク2側の1つのポートと、N2ガス供給源71側と、大気部72側の2つのポートとを切り換える3ポート2位置切換可能な電磁切換弁にて形成されており、この切換弁Vcの切換操作によってバッファタンク2内が大気側又はN2ガス供給源71側に連通可能に形成されている。   In addition, a second gas supply line 6 b that has one end branched from the first gas supply line 6 a and the other end connected to the upper portion of the buffer tank 2 is provided. The second gas supply line 6b is provided with a switching valve Vc that is switchably communicated with the inside of the buffer tank 2 and the atmospheric part 72 that opens to the atmosphere or the N2 gas supply source 71. In this case, the switching valve Vc is formed of a three-port two-position switchable electromagnetic switching valve that switches one port on the buffer tank 2 side, two ports on the N2 gas supply source 71 side, and two on the atmospheric part 72 side. The buffer tank 2 is formed so as to be able to communicate with the atmosphere side or the N2 gas supply source 71 side by the switching operation of the switching valve Vc.

また、フィルタ3の上部にドレイン管路7cが接続されており、このドレイン管路7cから分岐される戻り管路8aが薬液ボトル1とバッファタンク2との間の第1の処理液供給管路7aに接続されて循環管路8を形成している。この循環管路8を構成するフィルタ側のドレイン管路7cと、ドレイン管路7cから分岐された戻り管路8aには、それぞれ電磁式の開閉弁V1,V2が介設されており、開閉弁V1の二次側近傍には絞り手段である可変調整絞り9(以下に可変絞り9という)が介設されている。なお、ドレイン管路7cの排出側には電磁式のドレイン弁Vdが介設されている。   A drain line 7 c is connected to the upper part of the filter 3, and a return line 8 a branched from the drain line 7 c is a first processing liquid supply line between the chemical bottle 1 and the buffer tank 2. The circulation line 8 is formed by being connected to 7a. Electromagnetic on-off valves V1 and V2 are interposed in the filter-side drain pipe 7c constituting the circulation pipe 8 and the return pipe 8a branched from the drain pipe 7c, respectively. In the vicinity of the secondary side of V1, a variable adjustment aperture 9 (hereinafter referred to as a variable aperture 9) as an aperture means is interposed. An electromagnetic drain valve Vd is interposed on the discharge side of the drain line 7c.

上記のように循環管路8中に可変絞り9を介設することによって、フィルタ3から排出されてドレイン管路7cを流れる処理液すなわちレジスト液Lの液圧を低下させることができ、レジスト液中に溶存するガスが顕在化して気泡が発生する。発生した気泡はドレイン管路7cを介して外部に排出される。   By providing the variable throttle 9 in the circulation line 8 as described above, the processing liquid discharged from the filter 3 and flowing in the drain line 7c, that is, the liquid pressure of the resist liquid L can be reduced. Bubbles are generated by the gas dissolved in the material. The generated bubbles are discharged to the outside through the drain pipe line 7c.

なお、上記説明では、絞り手段が可変絞り9にて形成される場合について説明したが、図1に一点鎖線のブロックで示すように、開閉弁V1と可変絞り9とを一体化した電磁式の流量調整可能な開閉弁V3にて形成してもよい。   In the above description, the case where the throttle means is formed by the variable throttle 9 has been described. However, as shown by the one-dot chain line block in FIG. 1, the electromagnetic type in which the on-off valve V1 and the variable throttle 9 are integrated. You may form with the on-off valve V3 which can adjust flow volume.

また、上記トラップタンク4はレジスト液中に溶存する気泡を分離する機能を有しており、このトラップタンク4の上部に接続するトラップタンク用ドレイン管路7dは循環管路8に接続されている。トラップタンク用ドレイン管路7dには電磁式の開閉弁V4が介設されており、この開閉弁V4によってトラップタンク4から排出されるレジスト液の液圧を低下させることができ、レジスト液中に溶存するガスが顕在化して気泡が発生する。発生した気泡はドレイン管路7cを介して外部に排出される。   The trap tank 4 has a function of separating bubbles dissolved in the resist solution, and a trap tank drain line 7 d connected to the upper part of the trap tank 4 is connected to a circulation line 8. . The trap tank drain pipe 7d is provided with an electromagnetic on-off valve V4. The on-off valve V4 can reduce the pressure of the resist solution discharged from the trap tank 4, and the resist solution can be discharged into the resist solution. Dissolved gas becomes obvious and bubbles are generated. The generated bubbles are discharged to the outside through the drain pipe line 7c.

また、第1の処理液供給管路7aとバッファタンク2との接続部には、レジスト液をバッファタンク2内の気体と接触させつつバッファタンク2内に導く導入管75が設けられている。この場合、導入管75は、薬液ボトル1からバッファタンク2内に補充されるレジスト液Lがバッファタンク2内の気体と接触される構造であれば任意の形態でよく、例えば導入管75をバッファタンク2の中程まで延びる半割れの樋状に形成することができる。   In addition, an introduction pipe 75 that guides the resist solution into the buffer tank 2 while being in contact with the gas in the buffer tank 2 is provided at a connection portion between the first processing liquid supply pipe 7 a and the buffer tank 2. In this case, the introduction pipe 75 may have any form as long as the resist solution L replenished from the chemical liquid bottle 1 into the buffer tank 2 is in contact with the gas in the buffer tank 2. It can be formed in a half-cracked bowl shape extending to the middle of the tank 2.

このように構成することにより、薬液ボトル1及び循環管路8から第1の処理液供給管路7aを介してバッファタンク2内に補充されるレジスト液をバッファタンク2内の気体(大気)と接触させることで、レジスト液の大気接触面積の増大によりレジスト液中に溶存するガスを顕在化して気泡を発生させることができる。そして、バッファタンク2内で発生した気泡は、バッファタンク2内で該バッファタンク2内の気液界面にて気液分離される。分離が十分でなかった気泡もレジスト液と共にフィルタ3を通過する際に除去される。   By configuring in this way, the resist solution replenished from the chemical solution bottle 1 and the circulation line 8 to the buffer tank 2 via the first processing liquid supply line 7a is changed to the gas (atmosphere) in the buffer tank 2. By bringing them into contact with each other, the gas dissolved in the resist solution can be made obvious by generating an air contact area of the resist solution to generate bubbles. The bubbles generated in the buffer tank 2 are separated from each other in the buffer tank 2 at the gas-liquid interface in the buffer tank 2. Bubbles that are not sufficiently separated are also removed when passing through the filter 3 together with the resist solution.

また、薬液ボトル1とN2ガス供給源71とを接続する第1の気体供給管路6aには、可変調整可能な圧力調整手段である電空レギュレータRが介設されている。この電空レギュレータRは、後述する制御手段としての中央演算処理装置(CPU)を主体として構成されるコントローラ200からの制御信号出力によって作動する操作部例えば比例ソレノイドと、該ソレノイドの作動によって開閉する弁機構とを具備しており、弁機構の開閉によって圧力を調整するように構成されている。   In addition, an electropneumatic regulator R, which is a pressure adjusting means that can be variably adjusted, is interposed in the first gas supply line 6 a that connects the chemical liquid bottle 1 and the N 2 gas supply source 71. This electro-pneumatic regulator R is operated by a control signal output from a controller 200 mainly composed of a central processing unit (CPU) as a control means to be described later, for example, a proportional solenoid, and opens and closes by the operation of the solenoid. A valve mechanism, and is configured to adjust the pressure by opening and closing the valve mechanism.

上記第1の気体供給管路6aの電空レギュレータRと薬液ボトル1との間には電磁式の開閉弁V5が介設されている。また、第1の処理液供給管路7aの薬液ボトル1とバッファタンク2との間には電磁式の開閉弁V6が介設され、第2の供給管路7bのポンプ5と供給ノズル70aとの間における供給ノズル70a側には電磁式のエアーオペレーションバルブVaとサックバックバルブVsが隣接して介設されている。   An electromagnetic on-off valve V5 is interposed between the electropneumatic regulator R and the chemical liquid bottle 1 in the first gas supply line 6a. An electromagnetic on-off valve V6 is interposed between the chemical bottle 1 and the buffer tank 2 in the first processing liquid supply line 7a, and the pump 5 and the supply nozzle 70a in the second supply line 7b. An electromagnetic air operation valve Va and suck back valve Vs are disposed adjacent to each other on the supply nozzle 70a side.

上記切換弁Vc,開閉弁V1〜V6,ドレイン弁Vd,エアーオペレーションバルブVa,サックバックバルブVs及びポンプ5に内蔵される電磁式の開閉弁V7は、コントローラ200と電気的に接続されており、コントローラ200からの制御信号に基づいて、切換動作や開閉動作が行われるようになっている。なお、バッファタンク2にはバッファタンク2内のレジスト液Lの上限液面と下限液面を検知する上限液面センサ73及び下限液面センサ74が設けられており、これら上限液面センサ73及び下限液面センサ74によって検知された信号がコントローラ200に伝達されるように形成されている。   The switching valve Vc, the on-off valves V1 to V6, the drain valve Vd, the air operation valve Va, the suck back valve Vs and the electromagnetic on-off valve V7 built in the pump 5 are electrically connected to the controller 200. Based on a control signal from the controller 200, a switching operation and an opening / closing operation are performed. The buffer tank 2 is provided with an upper limit liquid level sensor 73 and a lower limit liquid level sensor 74 for detecting the upper limit liquid level and the lower limit liquid level of the resist liquid L in the buffer tank 2, and these upper limit liquid level sensor 73 and The signal detected by the lower limit liquid level sensor 74 is formed to be transmitted to the controller 200.

次に、上記処理液供給装置の動作態様について、図2ないし図6を参照して説明する。なお、図2ないし図6においては、コントローラ200等の制御系は省略してある。   Next, the operation mode of the processing liquid supply apparatus will be described with reference to FIGS. 2 to 6, the control system such as the controller 200 is omitted.

<バッファタンクへのレジスト液補充>
まず、新規薬液ボトル1をセットした後、コントローラ200からの制御信号に基づいて図2に示すように、第1の気体供給管路6aに介設された開閉弁V5と第1の処理液供給管路7aに介設された開閉弁V6が開放し、N2ガス供給源71から薬液ボトル1内に供給されるN2ガスの加圧によってレジスト液Lをバッファタンク2内に供給する。このとき、切換弁Vcは大気部72側に切り換えられており、バッファタンク2内は大気に連通されている。薬液ボトル1から供給されたレジスト液Lが接続部の導入管75を介してバッファタンク2に供給(補充)される際、レジスト液はバッファタンク2内の気体(大気)と接触することで、レジスト液の大気接触面積の増大によりレジスト液中に溶存するガスを顕在化して気泡が発生又は発生しやすくする。
<Resist the buffer tank with resist solution>
First, after setting the new chemical liquid bottle 1, as shown in FIG. 2 based on the control signal from the controller 200, the on-off valve V5 interposed in the first gas supply pipe 6a and the first processing liquid supply The on-off valve V6 provided in the pipe line 7a is opened, and the resist solution L is supplied into the buffer tank 2 by pressurization of the N2 gas supplied from the N2 gas supply source 71 into the chemical solution bottle 1. At this time, the switching valve Vc is switched to the atmosphere part 72 side, and the buffer tank 2 is communicated with the atmosphere. When the resist solution L supplied from the chemical solution bottle 1 is supplied (supplemented) to the buffer tank 2 via the introduction pipe 75 of the connection portion, the resist solution comes into contact with the gas (atmosphere) in the buffer tank 2, By increasing the atmospheric contact area of the resist solution, the gas dissolved in the resist solution becomes obvious, and bubbles are easily generated or generated.

<レジスト液のN2加圧−レジスト液吐出(1)>
バッファタンク2内に所定量のレジスト液Lが供給(補充)されると、上限液面センサ73からの検知信号を受けたコントローラ200からの制御信号に基づいて図3に示すように、開閉弁V5と開閉弁V6が閉じると共に、切換弁VcがN2ガス供給源71側に切り換わる。これにより、N2ガス供給源71からN2ガスがバッファタンク2内に供給される一方、循環管路8の開閉弁V1,V2(V3)が開放してフィルタ3からドレイン管路7cに排出された気泡を含むレジスト液Lを循環管路8を介して薬液ボトル1内に戻す。このとき、ポンプ5が駆動して供給ノズル70aからレジスト液が被処理基板であるウエハ(図示せず)に供給(吐出)されて処理が施される。
<N2 pressurization of resist solution-resist solution discharge (1)>
When a predetermined amount of resist solution L is supplied (supplemented) into the buffer tank 2, as shown in FIG. 3, the on-off valve is turned on based on the control signal from the controller 200 that receives the detection signal from the upper limit liquid level sensor 73. V5 and the on-off valve V6 are closed, and the switching valve Vc is switched to the N2 gas supply source 71 side. As a result, the N2 gas is supplied from the N2 gas supply source 71 into the buffer tank 2, while the on-off valves V1 and V2 (V3) of the circulation line 8 are opened and discharged from the filter 3 to the drain line 7c. The resist solution L containing bubbles is returned into the chemical solution bottle 1 through the circulation pipe 8. At this time, the pump 5 is driven, and the resist solution is supplied (discharged) from a supply nozzle 70a to a wafer (not shown) as a substrate to be processed for processing.

この状態において、循環管路8を流れるレジスト液は可変絞り9(又は流量調整可能な開閉弁V3)によって液圧が低下されてレジスト液中に溶存するガスが顕在化して気泡が発生する。発生した気泡はドレイン管路7cを介して外部に排出され、また外部に排出されずにレジスト液中に残ったガスはレジスト液と共に薬液ボトル1内に戻された後、再びバッファタンク2に供給される際、大気と接触して大気側に排出(泡抜き)される。   In this state, the liquid pressure of the resist solution flowing through the circulation pipe 8 is lowered by the variable throttle 9 (or the on-off valve V3 that can adjust the flow rate), and the gas dissolved in the resist solution becomes obvious and bubbles are generated. The generated bubbles are discharged to the outside through the drain line 7c, and the gas remaining in the resist solution without being discharged to the outside is returned to the chemical solution bottle 1 together with the resist solution, and then supplied to the buffer tank 2 again. When discharged, it is discharged (bubble removed) to the atmosphere side in contact with the atmosphere.

なお、バッファタンク2内に供給されるN2ガスの圧力は、レジスト液が大気と接触して泡抜きするに足りる低加圧である方がよい。   Note that the pressure of the N 2 gas supplied into the buffer tank 2 should be low enough to allow the resist solution to come into contact with the atmosphere to remove bubbles.

<レジスト液のN2加圧−レジスト液吐出(2)>
上記レジスト液のN2加圧−レジスト液吐出(1)に代えて、循環管路8の開閉弁V1(V3)を閉じると共に、開閉弁V2を開放する一方、トラップタンク用ドレイン管路7cに介設された開閉弁V4を開放してトラップタンク4からトラップタンク用ドレイン管路7cに排出された気泡を含むレジスト液Lを循環管路8を介して薬液ボトル1内に戻す。このとき、ポンプ5が駆動して供給ノズル70aからレジスト液がウエハ(図示せず)に供給(吐出)されて処理が施される。
<N2 pressurization of resist solution-resist solution discharge (2)>
In place of the resist solution N2 pressurization-resist solution discharge (1), the on-off valve V1 (V3) of the circulation line 8 is closed and the on-off valve V2 is opened, while being connected to the trap tank drain line 7c. The provided on-off valve V4 is opened to return the resist solution L containing bubbles discharged from the trap tank 4 to the trap tank drain pipe 7c into the chemical bottle 1 through the circulation pipe 8. At this time, the pump 5 is driven, and the resist solution is supplied (discharged) to the wafer (not shown) from the supply nozzle 70a to be processed.

なお、レジスト液のN2加圧−レジスト液吐出(2)の工程において、その他の動作はレジスト液のN2加圧−レジスト液吐出(1)と同様である。例えば、コントローラ200からの制御信号に基づいて図4に示すように、開閉弁V5と開閉弁V6が閉じると共に、切換弁VcがN2ガス供給源71側に切り換わる。   The other operations in the resist solution N2 pressurization-resist solution discharge (2) step are the same as those in the resist solution N2 pressurization-resist solution discharge (1). For example, based on the control signal from the controller 200, as shown in FIG. 4, the on-off valve V5 and the on-off valve V6 are closed, and the switching valve Vc is switched to the N2 gas supply source 71 side.

<ポンプへのレジスト液補充>
供給ノズル70aから所定量のレジスト液をウエハに供給(吐出)した後、図5に示すように、循環管路8に介設される開閉弁V1(V3)とトラップタンク用ドレイン管路7cに介設された開閉弁V4を閉じて、バッファタンク2内のレジスト液をポンプ5側に補充する。
<Repour of resist solution to the pump>
After a predetermined amount of resist solution is supplied (discharged) from the supply nozzle 70a to the wafer, as shown in FIG. 5, the on-off valve V1 (V3) provided in the circulation line 8 and the trap tank drain line 7c are provided. The on-off valve V4 provided is closed and the resist solution in the buffer tank 2 is replenished to the pump 5 side.

なお、この発明に係る処理液供給装置では、ポンプ5に吸引式ポンプを使用することも可能である。この場合には、切換弁Vcを大気側に切り換えた状態で吸引式ポンプを駆動してバッファタンク2内のレジスト液をポンプ側に補充する。この補充形式においてはポンプの吸引自体にも泡抜き効果があり、ポンプ側から泡抜きされたレジスト液をポンプが吸引できる。   In the treatment liquid supply apparatus according to the present invention, a suction pump can be used as the pump 5. In this case, the suction pump is driven with the switching valve Vc switched to the atmosphere side, and the resist solution in the buffer tank 2 is replenished to the pump side. In this replenishment type, the suction of the pump itself has a bubble removal effect, and the pump can suck the resist solution from which bubbles have been removed.

<薬液ボトル、バッファタンクの交換>
バッファタンク2内のレジスト液Lの補充量が所定量以下になったとき、下限液面センサ74からの検知信号がコントローラ200に伝達され、コントローラ200からの制御信号に基づいて図6に示すように、切換弁Vcが大気部72側に切り換わってバッファタンク2内が大気に連通する。この状態でバッファタンク2の交換が可能となる。なお、薬液ボトル1を交換する場合は、図6に示す状態から第1の気体供給管路6aに介設された開閉弁V5及び循環管路8に介設された開閉弁V2を閉じた状態にしてN2ガス供給源71からのN2ガスの供給を遮断した状態で薬液ボトル1を交換することができる。
<Replacing chemical bottles and buffer tanks>
When the replenishment amount of the resist solution L in the buffer tank 2 becomes a predetermined amount or less, a detection signal from the lower limit liquid level sensor 74 is transmitted to the controller 200, and based on the control signal from the controller 200, as shown in FIG. In addition, the switching valve Vc is switched to the atmosphere portion 72 side so that the inside of the buffer tank 2 communicates with the atmosphere. In this state, the buffer tank 2 can be replaced. When the chemical bottle 1 is replaced, the open / close valve V5 provided in the first gas supply line 6a and the open / close valve V2 provided in the circulation line 8 are closed from the state shown in FIG. Thus, the chemical bottle 1 can be replaced in a state where the supply of N2 gas from the N2 gas supply source 71 is shut off.

薬液ボトル1を交換した後は、上述と同様の操作を行うことによってレジスト液中に溶存するガスを気泡化して除去することができる。   After the chemical solution bottle 1 is replaced, the gas dissolved in the resist solution can be bubbled and removed by performing the same operation as described above.

<第2実施形態>
図7は、この発明に係る処理液供給装置の第2実施形態を示す概略断面図である。
Second Embodiment
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a second embodiment of the processing liquid supply apparatus according to the present invention.

第2実施形態の処理液供給装置は、第1実施形態の処理液供給装置に加えて、循環管路8に、該循環管路8中を流れるレジスト液中の気泡を検出する気泡検出センサ76を配設し、この気泡検出センサ76によって検出された検出信号をコントローラ200に伝達し、コントローラ200からの制御信号に基づいて、電空レギュレータRによるN2ガス供給源71の加圧量、可変絞り9(開閉弁V3)の絞り量又は循環管路8を流れるレジスト液の時間の少なくとも一つを制御可能に形成されている。   In addition to the processing liquid supply apparatus of the first embodiment, the processing liquid supply apparatus of the second embodiment detects bubbles in the resist liquid flowing through the circulation pipe 8 in the circulation pipe 8. , And the detection signal detected by the bubble detection sensor 76 is transmitted to the controller 200. Based on the control signal from the controller 200, the pressurization amount of the N2 gas supply source 71 by the electropneumatic regulator R, the variable throttle 9 (open / close valve V3) or at least one of the time of the resist solution flowing through the circulation line 8 can be controlled.

このように構成することにより、フィルタ3から排出されて循環管路8を流れるレジスト液L中の気泡を気泡検出センサ76によって検出して循環管路8を流れるレジスト液中の気泡の状態を監視することができる。そして、レジスト液中の気泡の量に応じてN2ガス供給源71の加圧量、可変絞り9(開閉弁V3)の絞り量又は循環管路8を流れるレジスト液の時間の少なくとも一つを制御することで、循環管路8中を流れるレジスト液中の気泡の除去を効率的に行うことができる。なお、第2実施形態において、その他の構成は第1実施形態と同じであるので、説明は省略する。   With this configuration, bubbles in the resist solution L discharged from the filter 3 and flowing through the circulation line 8 are detected by the bubble detection sensor 76, and the state of bubbles in the resist solution flowing through the circulation line 8 is monitored. can do. Then, according to the amount of bubbles in the resist solution, at least one of the pressurization amount of the N2 gas supply source 71, the throttle amount of the variable throttle 9 (open / close valve V3), or the time of the resist solution flowing through the circulation line 8 is controlled. By doing so, it is possible to efficiently remove the bubbles in the resist solution flowing through the circulation conduit 8. In the second embodiment, the other configuration is the same as that of the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.

<第3実施形態>
図8は、この発明に係る処理液供給装置の第3実施形態を示す概略断面図である。
<Third Embodiment>
FIG. 8 is a schematic sectional view showing a third embodiment of the processing liquid supply apparatus according to the present invention.

第3実施形態の処理液供給装置は、第1,第2実施形態の処理液供給装置に加えて、トラップタンク4に、該トラップタンク4中を流れるレジスト液中の気泡を検出する気泡検出センサ77を配設し、この気泡検出センサ77によって検出された検出信号をコントローラ200に伝達し、コントローラ200からの制御信号に基づいて、トラップタンク用ドレイン管路7dに介設される切換弁V4を開放して、トラップタンク4から気泡を含むレジスト液Lを循環管路8に流す一方、コントローラ200からの制御信号に基づいて、電空レギュレータRによるN2ガス供給源71の加圧量、可変絞り9(開閉弁V3)の絞り量又は循環管路8を流れるレジスト液の時間の少なくとも一つを制御可能に形成されている。   In addition to the processing liquid supply devices of the first and second embodiments, the processing liquid supply device of the third embodiment detects bubbles in the resist liquid flowing in the trap tank 4 in the trap tank 4. 77, and a detection signal detected by the bubble detection sensor 77 is transmitted to the controller 200. Based on a control signal from the controller 200, a switching valve V4 provided in the trap tank drain line 7d is provided. Opening and flowing the resist solution L containing bubbles from the trap tank 4 to the circulation line 8, while the pressurization amount of the N 2 gas supply source 71 by the electropneumatic regulator R and the variable throttle based on the control signal from the controller 200 9 (open / close valve V3) or at least one of the time of the resist solution flowing through the circulation line 8 can be controlled.

このように構成することにより、トラップタンク4中を流れるレジスト液L中の気泡を気泡検出センサ77によって検出して、フィルタ3を通過してポンプ5に供給されるレジスト液中の気泡の状態を監視することができる。そして、トラップタンク4中のレジスト液中に気泡を検出した場合は、トラップタンク4から開閉弁V4を開放して気泡を含むレジスト液Lを循環管路8に流すことで、レジスト液Lの液圧を低下させてレジスト液中に溶存するガスを顕在化して気泡を発生させることができ、発生した気泡をドレイン管路7cから外部に排出することができる。また、トラップタンク4から排出されたレジスト液は循環管路8を流れるが、気泡検出センサ77によって検出された検出信号を受けたコントローラ200からの制御信号に基づいて、気泡の量に応じてN2ガス供給源71の加圧量、可変絞り9(開閉弁V3)の絞り量又は循環管路8を流れるレジスト液の時間の少なくとも一つを制御することで、循環管路8中を流れるレジスト液中の気泡の除去を効率的に行うことができる。   With this configuration, bubbles in the resist solution L flowing in the trap tank 4 are detected by the bubble detection sensor 77, and the state of bubbles in the resist solution supplied to the pump 5 through the filter 3 is determined. Can be monitored. When bubbles are detected in the resist solution in the trap tank 4, the on-off valve V 4 is opened from the trap tank 4 and the resist solution L containing the bubbles is caused to flow into the circulation pipe 8, whereby the solution of the resist solution L The pressure can be lowered to reveal the gas dissolved in the resist solution to generate bubbles, and the generated bubbles can be discharged to the outside from the drain line 7c. In addition, the resist solution discharged from the trap tank 4 flows through the circulation pipe 8, but N2 according to the amount of bubbles based on the control signal from the controller 200 that has received the detection signal detected by the bubble detection sensor 77. By controlling at least one of the pressurization amount of the gas supply source 71, the throttle amount of the variable throttle 9 (open / close valve V3) or the time of the resist solution flowing through the circulation pipe 8, the resist liquid flowing through the circulation pipe 8 is controlled. The bubbles inside can be efficiently removed.

なお、第3実施形態においても、第2実施形態と同様に、循環管路8に、該循環管路8中を流れるレジスト液中の気泡を検出する気泡検出センサ76を配設し、この気泡検出センサ76によって検出された検出信号をコントローラ200に伝達し、コントローラ200からの制御信号に基づいて、電空レギュレータRによるN2ガス供給源71の加圧量、可変絞り9(開閉弁V3)の絞り量又は循環管路8を流れるレジスト液の時間の少なくとも一つを制御可能に形成してもよい。このように構成することにより、レジスト液中の気泡の除去を更に効率的に行うことができる。なお、第3実施形態において、その他の構成は第1実施形態と同じであるので、説明は省略する。   Also in the third embodiment, as in the second embodiment, a bubble detection sensor 76 that detects bubbles in the resist solution flowing in the circulation pipe 8 is disposed in the circulation pipe 8, and this bubble is detected. A detection signal detected by the detection sensor 76 is transmitted to the controller 200, and based on the control signal from the controller 200, the pressurization amount of the N2 gas supply source 71 by the electropneumatic regulator R, the variable throttle 9 (open / close valve V3). At least one of the amount of restriction or the time of the resist solution flowing through the circulation pipe 8 may be formed to be controllable. By comprising in this way, the bubble in a resist liquid can be removed more efficiently. In addition, in 3rd Embodiment, since another structure is the same as 1st Embodiment, description is abbreviate | omitted.

<その他の実施形態>
上記実施形態では処理液貯留容器が薬液ボトル1にて形成され、N2ガス供給源71から供給されるN2ガスを薬液ボトル1内のレジスト液Lの液面に直接加圧してレジスト液Lを圧送する場合について説明したが、バッファタンク2が上述したように大気に連通可能な状態であれば、薬液ボトル1に代えて、処理液貯留容器内に収容される内袋内にレジスト液を貯留し、内袋の外側を加圧してレジスト液を供給ノズル70aに供給するものに適用可能である。なおこの場合においても、内袋を連続加圧すると、内袋のN2ガス透過により溶存ガス濃度が上昇するので、この発明の処理液供給装置を用いることによってレジスト液中に溶存するガスを効率良く除去することができる。
<Other embodiments>
In the above embodiment, the processing liquid storage container is formed by the chemical liquid bottle 1, and the resist liquid L is pumped by directly pressurizing the N2 gas supplied from the N2 gas supply source 71 to the liquid surface of the resist liquid L in the chemical liquid bottle 1. However, if the buffer tank 2 can communicate with the atmosphere as described above, the resist solution is stored in the inner bag accommodated in the processing solution storage container instead of the chemical solution bottle 1. The present invention can be applied to those in which the outer side of the inner bag is pressurized and the resist solution is supplied to the supply nozzle 70a. Even in this case, when the inner bag is continuously pressurized, the dissolved gas concentration increases due to the N2 gas permeation through the inner bag. Therefore, the gas dissolved in the resist solution can be efficiently removed by using the processing solution supply apparatus of the present invention. Can be removed.

なお、上記実施形態では、この発明に係る処理液供給装置をレジスト塗布処理装置に適用した場合について説明したが、レジスト以外の処理液例えば現像液等の供給装置や洗浄処理の供給装置にも適用可能である。   In the above-described embodiment, the case where the processing liquid supply apparatus according to the present invention is applied to the resist coating processing apparatus has been described. Is possible.

この発明に係る処理液供給装置の第1実施形態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows 1st Embodiment of the process liquid supply apparatus which concerns on this invention. 上記処理液供給装置におけるバッファタンクへの処理液の補充動作状態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the replenishment operation state of the process liquid to the buffer tank in the said process liquid supply apparatus. 上記処理液供給装置における通常処理動作及び泡抜き動作状態の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the normal process operation | movement in the said process liquid supply apparatus, and a bubble removal operation state. 上記処理液供給装置における通常処理動作及び泡抜き動作状態の別の例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows another example of the normal process operation | movement in the said process liquid supply apparatus, and a bubble removal operation state. 上記処理液供給装置におけるポンプへの処理液の補充状態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the replenishment state of the process liquid to the pump in the said process liquid supply apparatus. 上記処理液供給装置における処理液貯留容器内の処理液の空状態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the empty state of the process liquid in the process liquid storage container in the said process liquid supply apparatus. この発明に係る処理液供給装置の第2実施形態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows 2nd Embodiment of the process liquid supply apparatus which concerns on this invention. この発明に係る処理液供給装置の第3実施形態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows 3rd Embodiment of the process liquid supply apparatus which concerns on this invention. この発明に係る処理液供給装置を適用したレジスト液塗布・現像処理システムの一例を示す概略平面図である。1 is a schematic plan view showing an example of a resist solution coating / development processing system to which a processing solution supply apparatus according to the present invention is applied. 上記レジスト液塗布・現像処理システムの概略正面図である。It is a schematic front view of the said resist liquid application | coating and development processing system. 上記レジスト液塗布・現像処理システムの概略背面図である。FIG. 2 is a schematic rear view of the resist solution coating / developing system. 上記レジスト液塗布・現像処理システムにおける塗布ユニットを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the coating unit in the said resist liquid application | coating / development processing system.

1 薬液ボトル(処理液貯留容器)
2 バッファタンク(一時貯留容器)
3 フィルタ
4 トラップタンク
5 ポンプ
6a 第1の気体供給管路
6b 第2の気体供給管路
7a 第1の処理液供給管路
7b 第2の処理液供給管路
7c ドレイン管路
7d トラップタンク用ドレイン管路
8 循環管路
8a 戻り管路
9 可変絞り
71 N2ガス供給源(加圧気体供給源)
72 大気部
75 導入管
76 気泡検出センサ
77 気泡検出センサ
200 コントローラ(制御手段)
L レジスト液(処理液)
V1〜V5,V7 開閉弁
Vc 切換弁
1 Chemical bottle (treatment liquid storage container)
2 Buffer tank (temporary storage container)
3 Filter 4 Trap tank 5 Pump 6a 1st gas supply line 6b 2nd gas supply line 7a 1st process liquid supply line 7b 2nd process liquid supply line 7c Drain line 7d Drain for trap tanks Line 8 Circulation line 8a Return line 9 Variable throttle 71 N2 gas supply source (pressurized gas supply source)
72 Atmospheric part 75 Introduction pipe 76 Bubble detection sensor 77 Bubble detection sensor 200 Controller (control means)
L Resist liquid (treatment liquid)
V1 to V5, V7 On-off valve Vc selector valve

Claims (5)

被処理基板に処理液を供給する供給ノズルと、
上記処理液を貯留する処理液貯留容器と、
上記供給ノズルと処理液貯留容器とを接続する供給管路と、
気体供給管路を介して上記処理液貯留容器内の処理液を加圧して処理液を圧送する加圧気体供給源と、
上記気体供給管路に介設され、上記処理液貯留容器への気体の供給又は停止をするための気体供給用開閉弁と、
上記供給管路に介設され、上記処理液貯留容器から圧送された処理液を一時貯留する一時貯留容器と、
上記供給管路における上記処理液貯留容器と上記一時貯留容器との間に介設され、上記一時貯留容器へ処理液の供給又は停止をするための供給用開閉弁と、
上記一時貯留容器の二次側の供給管路に介設され、上記処理液を濾過して異物を除去すると共に、処理液中に混入している気泡を除去するフィルタと、
上記フィルタの二次側の供給管路に介設されるポンプと、を具備する処理液供給装置において、
上記フィルタの上部に接続され、気泡を外部に排出するためのドレイン管路と、このドレイン管路から分岐され、上記処理液貯留容器と一時貯留容器との間の供給管路に接続する戻り管路とからなる循環管路と、
上記加圧気体供給源と上記一時貯留容器とを接続する第2の気体供給管路と、
上記第2の気体供給管路に介設され、上記一時貯留容器をガス加圧する側に切り換える切換弁と、
上記循環管路を構成する上記ドレイン管路に介設される開閉弁と、この開閉弁の二次側に設けられ、流れる処理液の液圧を低下して処理液中に溶存する気体を気泡化する可変調整絞りと、
上記供給ノズルから処理液を供給するときに、上記気体供給用開閉弁及び供給用開閉弁を閉じ、かつ、上記切換弁を上記一時貯留容器を加圧する側に切り換えると同時に、上記フィルタの上記ドレイン管路の開閉弁を開放して上記処理液を上記循環管路に流すように制御する制御手段と、
を具備してなることを特徴とする処理液供給装置。
A supply nozzle for supplying a processing liquid to the substrate to be processed;
A treatment liquid storage container for storing the treatment liquid;
A supply line connecting the supply nozzle and the treatment liquid storage container;
A pressurized gas supply source that pressurizes the processing liquid in the processing liquid storage container via a gas supply line and pumps the processing liquid;
A gas supply opening / closing valve interposed in the gas supply line for supplying or stopping gas supply to the processing liquid storage container;
A temporary storage container that is interposed in the supply pipe line and temporarily stores the processing liquid pumped from the processing liquid storage container;
A supply on-off valve interposed between the processing liquid storage container and the temporary storage container in the supply pipe, for supplying or stopping the processing liquid to the temporary storage container;
A filter that is interposed in the supply line on the secondary side of the temporary storage container, removes foreign matter by filtering the treatment liquid, and removes bubbles mixed in the treatment liquid;
A treatment liquid supply apparatus comprising: a pump interposed in a supply pipe on the secondary side of the filter;
A drain pipe connected to the upper part of the filter for discharging bubbles to the outside, and a return pipe branched from the drain pipe and connected to a supply pipe between the processing liquid storage container and the temporary storage container A circulation line composed of a road,
A second gas supply line connecting the pressurized gas supply source and the temporary storage container;
A switching valve interposed in the second gas supply pipe and switching the temporary storage container to the gas pressurizing side;
An on-off valve interposed in the drain pipe constituting the circulation pipe, and a gas provided in the secondary side of the on-off valve to reduce the pressure of the flowing processing liquid and dissolve the gas dissolved in the processing liquid into bubbles Variable adjustment aperture ,
When supplying the processing liquid from the supply nozzle, the gas supply on-off valve and the supply on-off valve are closed, and the switching valve is switched to the side for pressurizing the temporary storage container, and at the same time, the drain of the filter Control means for controlling the flow of the processing liquid to the circulation line by opening the opening / closing valve of the line;
A treatment liquid supply apparatus comprising:
請求項1記載の処理液供給装置において、
上記開閉弁は、上記可変調整絞りと一体的に構成されている、ことを特徴とする処理液供給装置。
The processing liquid supply apparatus according to claim 1,
The processing liquid supply apparatus , wherein the on-off valve is configured integrally with the variable adjustment throttle .
請求項1又は2記載の処理液供給装置において、
上記循環管路に介設され、該循環管路を流れる処理液中の気泡を検出する気泡検出センサを更に具備し、
上記制御手段は、上記気泡検出センサからの検出信号に基づいて、加圧気体供給源の加圧量、可変調整絞りの絞り量又は循環管路を流れる処理液の時間の少なくとも一つを制御する、ことを特徴とする処理液供給装置。
In the processing liquid supply apparatus according to claim 1 or 2 ,
Further comprising a bubble detection sensor that is interposed in the circulation line and detects bubbles in the processing liquid flowing through the circulation line;
The control means controls at least one of the pressurization amount of the pressurized gas supply source, the throttle amount of the variable adjustment throttle , or the time of the processing liquid flowing through the circulation line based on the detection signal from the bubble detection sensor. A treatment liquid supply apparatus characterized by the above.
請求項1ないしのいずれかに記載の処理液供給装置において、
上記フィルタとポンプとの間の供給管路に介設され、処理液中に溶存する気泡を分離する機能を有するトラップタンクを更に具備し、
上記トラップタンクと循環管路とを開閉弁を介設したドレイン管路によって接続してなる、ことを特徴とする処理液供給装置。
The processing liquid supply apparatus according to any one of claims 1 to 3 ,
A trap tank interposed in the supply line between the filter and the pump and having a function of separating bubbles dissolved in the processing liquid;
A treatment liquid supply apparatus, wherein the trap tank and the circulation line are connected by a drain line having an on-off valve.
請求項記載の処理液供給装置において、
上記トラップタンクに、該トラップタンク内に貯留される処理液中の気泡を検出する気泡検出センサを更に具備し、
上記制御手段は、上記気泡検出センサからの検出信号に基づいて、加圧気体供給源の加圧量、可変調整絞りの絞り量又は循環管路を流れる処理液の時間の少なくとも一つを制御する、ことを特徴とする処理液供給装置。
The processing liquid supply apparatus according to claim 4 , wherein
The trap tank further comprises a bubble detection sensor for detecting bubbles in the processing liquid stored in the trap tank,
The control means controls at least one of the pressurization amount of the pressurized gas supply source, the throttle amount of the variable adjustment throttle , or the time of the processing liquid flowing through the circulation line based on the detection signal from the bubble detection sensor. A treatment liquid supply apparatus characterized by the above.
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