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JP4909575B2 - Cleaning method and cleaning equipment - Google Patents
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Description

本発明は,洗浄方法及び洗浄装置に関し,特に,被加工物の表面に形成された切削溝内に存在する切削屑を好適に除去するための洗浄方法及び洗浄装置に関する。   The present invention relates to a cleaning method and a cleaning apparatus, and more particularly, to a cleaning method and a cleaning apparatus for suitably removing cutting chips present in a cutting groove formed on the surface of a workpiece.

例えば,半導体デバイス製造工程においては,略円板形状の半導体ウェハを,その表面に格子状に配列された切削ライン(ストリート)に沿って切削加工して,IC,LSI等の回路が形成された複数の半導体チップに分割する。このようにして分割された半導体チップは,パッケージングされて携帯電話やコンピュータ装置等の電子機器などに広く利用されている。   For example, in a semiconductor device manufacturing process, a substantially disc-shaped semiconductor wafer is cut along cutting lines (streets) arranged in a lattice pattern on the surface thereof to form a circuit such as an IC or LSI. Divide into multiple semiconductor chips. The semiconductor chip thus divided is packaged and widely used in electronic devices such as mobile phones and computer devices.

このような切削加工は,一般的に,ダイシング装置等の切削装置を用いて成される。この切削装置は,例えば,ダイヤモンド砥粒等からなる切削砥石部を有する切削ブレードと,半導体ウェハ等の被加工物を保持するチャックテーブルとを備えており,高速回転させた切削ブレードを被加工物に切り込ませながら,切削ラインに沿って相対的に切削送りして,被加工物を切削して切削溝を形成する。   Such cutting is generally performed using a cutting device such as a dicing device. This cutting apparatus includes, for example, a cutting blade having a cutting wheel portion made of diamond abrasive grains and a chuck table for holding a workpiece such as a semiconductor wafer, and the cutting blade rotated at high speed is processed. While cutting, the workpiece is relatively cut and fed along the cutting line to cut the workpiece to form a cutting groove.

かかる切削装置では,切削ブレードを高速回転させて被加工物を切削加工する際に,切削ブレードと被加工物との間に生じる摩擦熱が,切削ブレードの磨耗や破損,被加工物の切削溝におけるチッピング発生などの要因となる。かかる理由から,切削ブレードや加工点に対して切削液(切削水等)を供給して,冷却する方法が採用されている。   In such a cutting apparatus, when the workpiece is cut by rotating the cutting blade at a high speed, frictional heat generated between the cutting blade and the workpiece causes wear and damage of the cutting blade, cutting grooves of the workpiece. Cause chipping. For this reason, a method of cooling by supplying a cutting fluid (such as cutting water) to a cutting blade or a processing point is employed.

ところが,加工点に供給された切削液は,切削加工によって生じた切削屑と共に,排液となって被加工物の表面上に流出するので,切削屑が被加工物の表面に付着してしまう。特に,切削加工により形成された切削溝内に切削屑が入り込んでしまった場合には,切削工程の後工程である洗浄工程(例えば,スピンナー洗浄工程)において被加工物の洗浄処理を行っても,切削屑を洗浄・除去することが殆んどできないという問題があった。このように切削屑が切削屑内等に付着していると,後工程であるダイボンディング工程で,分割された被加工物であるチップのピックアップ時に,チップから切削屑が落下し,製造ライン内に異物を混入させてしまい製品不良の原因となってしまう。   However, the cutting fluid supplied to the machining point drains together with the cutting waste generated by the cutting and flows onto the surface of the workpiece, so that the cutting waste adheres to the surface of the workpiece. . In particular, when cutting waste enters a cutting groove formed by cutting, the workpiece may be cleaned in a cleaning process (for example, a spinner cleaning process) that is a subsequent process of the cutting process. There was a problem that it was almost impossible to clean and remove cutting waste. If cutting chips adhere to the inside of the cutting chips or the like in this way, at the time of picking up the chip, which is a divided workpiece, in the die bonding process, which is a subsequent process, the cutting chips fall from the chip, and the inside of the production line. Foreign matter may be mixed into the product, causing product defects.

かかる問題に対処するため,特許文献1には,切削装置が具備する洗浄装置において,洗浄水を噴射するノズルに超音波振動子を設置し,当該ノズルから超音波振動させた洗浄水を被加工物に向けて噴射して,被加工物の表面に付着した切削屑を除去する洗浄方法が記載されている。   In order to cope with such a problem, Patent Document 1 discloses that in a cleaning device provided in a cutting device, an ultrasonic vibrator is installed in a nozzle that ejects cleaning water, and the cleaning water that is ultrasonically vibrated from the nozzle is processed. A cleaning method is described in which the cutting waste adhering to the surface of the workpiece is removed by spraying the workpiece.

しかしながら,特許文献1に記載のように超音波振動させた洗浄水をノズルから噴射させたとしても,洗浄水の超音波振動による洗浄効果が十分ではなく,微細な切削屑に対してはあまり効果がないということが分かった。   However, even if the ultrasonically oscillated cleaning water is sprayed from the nozzle as described in Patent Document 1, the cleaning effect by the ultrasonic vibration of the cleaning water is not sufficient, and it is not very effective for fine cutting waste. I found out that there was no.

そこで,特許文献2には,被加工物の表面に載った洗浄水膜全体を超音波振動させて,切削加工された被加工物の表面を洗浄する方法が提案されている。この洗浄方法によれば,被加工物の表面にある洗浄水が常に超音波振動しているので,超音波振動による洗浄効果を高めることができる。   Therefore, Patent Document 2 proposes a method of cleaning the surface of a machined workpiece by ultrasonically vibrating the entire cleaning water film placed on the surface of the workpiece. According to this cleaning method, since the cleaning water on the surface of the workpiece always vibrates ultrasonically, the cleaning effect by ultrasonic vibration can be enhanced.

特開平11−2143333号公報JP-A-11-2143333 特開2002−280343号公報JP 2002-280343 A

しかしながら,上記特許文献2に記載の洗浄方法でも,洗浄水に付加された振動が切削溝の壁面で減衰してしまい,切削溝の底部にまでは到達しないため,切削溝内に存在する切削屑までは好適に除去できないという問題があった。このように,従来の洗浄方法では,切削加工された被加工物において,最も切削屑が存在する部位である切削溝内の底部を,好適に洗浄することができなかった。   However, even in the cleaning method described in Patent Document 2, the vibration applied to the cleaning water is attenuated by the wall surface of the cutting groove and does not reach the bottom of the cutting groove. There was a problem that it could not be removed properly. As described above, in the conventional cleaning method, the bottom portion in the cutting groove, which is the part where the cutting scraps are most present, cannot be properly cleaned in the cut workpiece.

そこで,本発明は,このような問題に鑑みてなされたもので,その目的は,被加工物に形成された切削溝内に存在する切削屑を好適に洗浄・除去することが可能な,新規かつ改良された洗浄方法及び洗浄装置を提供することにある。   Therefore, the present invention has been made in view of such a problem, and the object thereof is a novel that can suitably clean and remove cutting waste existing in a cutting groove formed in a workpiece. Another object of the present invention is to provide an improved cleaning method and apparatus.

上記課題を解決するために,本発明のある観点によれば,被加工物を表面が上向きとなる状態で保持する保持手段と,前記保持手段に保持された前記被加工物を切削加工する切削ブレードと,前記被加工物の表面に切削液を供給する切削液供給手段とを備えた切削装置において,前記切削ブレードによる切削加工により表面に切削溝が形成された被加工物を,前記切削溝内に存在する切削屑を除去するために洗浄する洗浄方法であって,前記保持手段は,その上面に前記被加工物を収容可能な凹部が陥没形成されており,前記切削液供給手段から供給された前記切削液を洗浄液として前記凹部内に貯留可能であり,前記保持手段の前記凹部の下部側には,前記保持手段に保持された前記被加工物の前記切削溝の深さ方向と同一方向に前記保持手段を超音波振動させる超音波振動子が設けられており,前記切削液供給手段により前記切削液を前記洗浄液として前記被加工物に供給しながら,前記保持手段により,前記凹部内で前記被加工物を前記洗浄液中に水没させた状態で前記表面が上向きとなる状態で保持し,前記超音波振動子により,前記切削溝の底部に詰まっている切削屑を剥離して浮き上がらせる洗浄力を発生させるように,前記洗浄液中に水没させた状態で保持された前記被加工物を前記切削溝の深さ方向と同一方向に超音波振動させて,前記切削溝内の切削屑を洗浄・除去することを特徴とする,洗浄方法が提供される。
In order to solve the above-described problems, according to one aspect of the present invention, a holding unit that holds a workpiece in a state in which the surface is facing upward, and a cutting that cuts the workpiece that is held by the holding unit. In a cutting apparatus comprising a blade and a cutting fluid supply means for supplying a cutting fluid to the surface of the workpiece, the workpiece having a cutting groove formed on the surface by cutting with the cutting blade is used as the cutting groove. A cleaning method for cleaning in order to remove cutting waste existing in the holding means , wherein the holding means is formed with a recessed portion capable of accommodating the workpiece on the upper surface thereof, and is supplied from the cutting fluid supply means. The cutting fluid can be stored as a cleaning fluid in the recess, and the lower side of the recess of the holding means is the same as the depth direction of the cutting groove of the workpiece held by the holding means. Said holding in direction The stage has ultrasonic transducers provided to ultrasonic vibration, the while supplying to the workpiece the cutting fluid as the cleaning liquid by the cutting liquid supply means, by the holding means, the processed in the recess Holding the object in a state where it is submerged in the cleaning liquid with the surface facing upward, the ultrasonic vibrator generates a cleaning force that peels and lifts up the cutting waste clogged at the bottom of the cutting groove. The workpiece held in the cleaning liquid is ultrasonically vibrated in the same direction as the depth direction of the cutting groove to clean and remove the cutting waste in the cutting groove. A cleaning method is provided.

かかる構成により,保持手段に設けられた超音波振動子によって保持手段を超音波振動させることにより,この保持手段に保持された被加工物自体が,下面側から垂直方向に超音波振動される。これにより,被加工物に形成された切削溝の底部から衝撃力やキャビテーションを発生させて,切削溝の底部に存在する切削屑を下方から剥離して浮き上がらせるような洗浄力を発生させることができる。従って,被加工物の切削溝内に存在する切削屑であっても,切削溝から好適に洗浄・除去することができる。   With this configuration, when the holding means is ultrasonically vibrated by the ultrasonic vibrator provided in the holding means, the workpiece itself held by the holding means is ultrasonically vibrated in the vertical direction from the lower surface side. As a result, an impact force or cavitation is generated from the bottom of the cutting groove formed in the workpiece, and a cleaning force is generated so that the cutting waste existing at the bottom of the cutting groove is lifted off from below. it can. Therefore, even cutting chips existing in the cutting groove of the workpiece can be suitably cleaned and removed from the cutting groove.

また,上記課題を解決するために,本発明の別の観点によれば,被加工物を表面が上向きとなる状態で保持する保持手段と,前記保持手段に保持された前記被加工物を切削加工する切削ブレードと,前記被加工物の表面に切削液を供給する切削液供給手段とを備えた切削装置に設けられ,前記切削ブレードによる切削加工により表面に切削溝が形成された被加工物を,前記切削溝内に存在する切削屑を除去するために洗浄する洗浄装置であって,前記保持手段は,その上面に前記被加工物を収容可能な凹部が陥没形成されており,前記切削液供給手段から供給された前記切削液を洗浄液として前記凹部内に貯留可能であり,前記保持手段の前記凹部の下部側には,前記保持手段に保持された前記被加工物の前記切削溝の深さ方向と同一方向に前記保持手段を超音波振動させる超音波振動子が設けられており,前記切削液供給手段により前記切削液を前記洗浄液として前記被加工物に供給しながら,前記保持手段により,前記凹部内で前記被加工物を前記洗浄液中に水没させた状態で保持し,前記超音波振動子により,前記切削溝の底部に詰まっている切削屑を剥離して浮き上がらせる洗浄力を発生させるように,前記洗浄液中に水没させた状態で保持された前記被加工物を前記切削溝の深さ方向と同一方向に超音波振動させて,前記切削溝内の切削屑を洗浄・除去することを特徴とする,洗浄装置が提供される。
In order to solve the above problems, according to another aspect of the present invention , holding means for holding a workpiece in a state in which the surface faces upward, and cutting the workpiece held by the holding means. Workpiece provided with a cutting blade having a cutting blade to be machined and a cutting fluid supply means for supplying a cutting fluid to the surface of the workpiece, and having a cutting groove formed on the surface by cutting with the cutting blade Is a cleaning device for cleaning the cutting swarf existing in the cutting groove, and the holding means is formed with a recessed portion capable of accommodating the workpiece on the upper surface thereof. The cutting fluid supplied from the liquid supply means can be stored in the recess as a cleaning liquid, and the cutting groove of the workpiece held by the holding means is formed on the lower side of the recess of the holding means. In the same direction as the depth direction The serial holding means and the ultrasonic transducer is provided to the ultrasonic vibration, the while supplying to the workpiece the cutting fluid as the cleaning liquid by the cutting liquid supply means, by the holding means, it said in the recess It was held in a state of being immersed in the workpiece in said washing liquid, wherein the ultrasonic vibrator, to generate a cleaning force to float by peeling off cutting debris jammed in the bottom of the cutting groove, the cleaning solution The workpiece held in a submerged state is ultrasonically vibrated in the same direction as the depth direction of the cutting groove to clean and remove cutting waste in the cutting groove . A cleaning device is provided.

かかる構成により,上記洗浄方法を好適に実行する洗浄装置を提供できる。   With this configuration, it is possible to provide a cleaning apparatus that suitably executes the cleaning method.

また,上記保持手段は,被加工物を洗浄液中に水没させた状態で保持するようにしてもよい。これにより,洗浄液中に水没させた状態の被加工物を超音波振動させて,被加工物の切削溝内にある切削屑が,切削溝から脱離して洗浄液中に浮遊しやすくできるので,洗浄効果を高めることができる。   The holding means may hold the workpiece in a state where it is submerged in the cleaning liquid. As a result, the workpiece submerged in the cleaning liquid is ultrasonically vibrated, so that the cutting waste in the cutting groove of the workpiece can be easily detached from the cutting groove and suspended in the cleaning liquid. The effect can be enhanced.

また,切削ブレードによる被加工物の切削加工が行われていないときに,切削溝内の切削屑を洗浄・除去するようにしてもよい

Further, when the workpiece is not cut by the cutting blade, the cutting waste in the cutting groove may be washed and removed .

かかる構成により,切削装置の保持手段と切削液供給手段とを利用して,上記洗浄方法を好適に実行することができる。さらに,超音波振動による被加工物の洗浄処理は,切削ブレードによる被加工物の切削加工が行われていないときに行われる。これにより,切削装置の保持手段上で,被加工物を超音波洗浄することができる。切削加工中に超音波振動させないのは,被加工物の種類(例えば,シリコン等の結晶質材料からなる被加工物)によっては,切削加工中に被加工物を超音波振動させることに起因して,切削される被加工物にチッピング等が発生して製品の品質が劣化してしまうからである。   With this configuration, the cleaning method can be suitably executed by using the holding unit and the cutting fluid supply unit of the cutting apparatus. Further, the workpiece is cleaned by ultrasonic vibration when the workpiece is not cut by the cutting blade. Thereby, the workpiece can be ultrasonically cleaned on the holding means of the cutting apparatus. The reason why the ultrasonic vibration is not applied during the cutting process is that, depending on the type of the work piece (for example, a work piece made of a crystalline material such as silicon), the work piece is ultrasonically vibrated during the cutting process. This is because chipping or the like occurs in the workpiece to be cut and the product quality deteriorates.

また,上記切削ブレードによる被加工物の切削加工が行われていないときとは,切削ブレードを被加工物の切削ライン間で移動させるときであってもよい。これにより,切削ブレードが切削ライン間を移動する間に,超音波振動子を動作させて,被加工物の切削溝を効率的に超音波洗浄できる。   In addition, when the workpiece is not being cut by the cutting blade, the cutting blade may be moved between cutting lines of the workpiece. Thereby, while the cutting blade moves between the cutting lines, the ultrasonic vibrator can be operated to efficiently ultrasonically clean the cutting groove of the workpiece.

また,上記切削ブレードによる被加工物の切削加工が行われていないときとは,切削ブレードにより被加工物の全ての切削ラインが切断された後であってもよい。これにより,切削ブレードが全ての切削ラインを切削した後に,超音波振動子を動作させて,被加工物の切削溝を十分に超音波洗浄できる。   The time when the workpiece is not cut by the cutting blade may be after all the cutting lines of the workpiece are cut by the cutting blade. Thereby, after the cutting blade cuts all the cutting lines, the ultrasonic vibrator can be operated to sufficiently ultrasonically clean the cutting groove of the workpiece.

また,上記保持手段は,被加工物を切削液中に水没させた状態で保持するようにしてもよい。これにより,切削液中に水没させた状態の被加工物を超音波振動させて,被加工物の切削溝内にある切削屑が,切削溝から脱離して洗浄液中に浮遊しやすくできるので,洗浄効果を高めることができる。   The holding means may hold the workpiece in a state where it is submerged in the cutting fluid. As a result, the workpiece submerged in the cutting fluid is ultrasonically vibrated, so that the cutting waste in the cutting groove of the workpiece can be easily detached from the cutting groove and floated in the cleaning liquid. The cleaning effect can be enhanced.

以上説明したように,本発明によれば,保持手段に設けられた超音波振動子によって被加工物自体を垂直方向に超音波振動させることによって,被加工物に形成された切削溝内に存在する切削屑を好適に洗浄・除去することができる。   As described above, according to the present invention, the workpiece itself is ultrasonically vibrated in the vertical direction by the ultrasonic vibrator provided in the holding means, thereby existing in the cutting groove formed in the workpiece. It is possible to suitably clean and remove the cutting waste.

以下に添付図面を参照しながら,本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお,本明細書及び図面において,実質的に同一の機能構成を有する構成要素については,同一の符号を付することにより重複説明を省略する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the present specification and drawings, components having substantially the same functional configuration are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

まず,本発明の第1の実施形態にかかる洗浄方法の概要について説明する。本実施形態にかかる洗浄方法は,切削加工により1又は2以上の切削溝が形成された被加工物を洗浄対象とし,この被加工物の切削溝に詰まった微細な切削屑を切削溝から好適に除去することを目的としている。この目的を達成するため,本実施形態にかかる洗浄方法では,被加工物を保持する保持手段に超音波振動子を設置し,被加工物の洗浄時には,この超音波振動子によって保持手段を垂直方向に超音波振動させることにより,この保持手段に保持されている被加工物自体を垂直方向に振動させて,切削溝内の切削屑を超音波洗浄して除去することを特徴としている。   First, an outline of the cleaning method according to the first embodiment of the present invention will be described. In the cleaning method according to the present embodiment, a workpiece on which one or more cutting grooves are formed by cutting is targeted for cleaning, and fine cutting chips clogged in the cutting grooves of the workpiece are preferably used from the cutting grooves. It aims to be removed. In order to achieve this object, in the cleaning method according to the present embodiment, an ultrasonic vibrator is installed in the holding means for holding the workpiece, and when the workpiece is cleaned, the holding means is vertically moved by the ultrasonic vibrator. The workpiece itself held in the holding means is vibrated in the vertical direction by ultrasonic vibration in the direction, and the cutting waste in the cutting groove is removed by ultrasonic cleaning.

以下では,まず,図5を参照して,従来の洗浄方法の原理とその問題点について説明した上で,図1を参照して,本実施形態にかかる洗浄方法の原理とその作用効果について説明する。なお,以下の説明では,洗浄対象の被加工物として,切削溝が形成された半導体ウェハの例を挙げて説明するが,本発明の被加工物はかかる例に限定されるものではない。   In the following, first, the principle and problems of the conventional cleaning method will be described with reference to FIG. 5, and then the principle of the cleaning method according to the present embodiment and the operation and effect thereof will be described with reference to FIG. To do. In the following description, an example of a semiconductor wafer in which cutting grooves are formed will be described as the workpiece to be cleaned. However, the workpiece of the present invention is not limited to such an example.

図5は,従来の洗浄方法の原理を説明する概念図である。図5に示すように,従来の洗浄方法では,超音波振動子(図示せず。)が設けられた超音波洗浄ノズル1から,超音波振動させた洗浄水2(以下「加振洗浄水2」という。)をウェハWに向けて噴射し,この加振洗浄水2のウェハWに対する衝撃力やキャビテーションによって洗浄力を発生させて,ウェハWの表面に付着した切削屑を除去しようとするものである。このとき,ウェハWは,保持手段(図示せず。)上に,回路パターン5が形成された表面側を上向きにして載置されており,その裏面側にはウェハテープ6が貼り付けられている。また,このウェハWには,前工程である切削工程における切削加工により,表面側から複数の切削溝3が垂直方向に形成されている。   FIG. 5 is a conceptual diagram illustrating the principle of a conventional cleaning method. As shown in FIG. 5, in the conventional cleaning method, cleaning water 2 (hereinafter referred to as “vibration cleaning water 2”) which is ultrasonically vibrated from an ultrasonic cleaning nozzle 1 provided with an ultrasonic vibrator (not shown). ) Is sprayed toward the wafer W, and the cleaning force is generated by the impact force or cavitation of the vibration cleaning water 2 on the wafer W to remove the cutting waste adhering to the surface of the wafer W. It is. At this time, the wafer W is placed on a holding means (not shown) with the front surface side on which the circuit pattern 5 is formed facing upward, and a wafer tape 6 is attached to the rear surface side. Yes. In addition, a plurality of cutting grooves 3 are formed in the vertical direction on the wafer W from the surface side by cutting in a cutting process which is a previous process.

しかしながら,図5の従来の洗浄方法では,ウェハWに形成されている切削溝3は狭く深いため(例えば,溝幅:10〜50μm程度,深さ:400〜800μm程度),加振洗浄水2に付加された超音波振動が切削溝3の壁面に吸収されて減衰し,切削溝3の底部にまで到達しない(符号A参照)。このため,切削溝3の底部に詰まっている切削屑4を,切削溝3から除去することができないという問題があった。切削加工されたウェハWにおいて,切削溝3の底部は最も切削屑が存在する箇所であり,上記従来の洗浄手法では,この最も洗浄すべき箇所である切削溝3の底部の洗浄効果が十分に得られなかった。   However, in the conventional cleaning method of FIG. 5, since the cutting grooves 3 formed on the wafer W are narrow and deep (for example, groove width: about 10 to 50 μm, depth: about 400 to 800 μm), the vibration cleaning water 2 The ultrasonic vibration added to is absorbed and attenuated by the wall surface of the cutting groove 3 and does not reach the bottom of the cutting groove 3 (see reference A). For this reason, there is a problem that the cutting waste 4 clogged at the bottom of the cutting groove 3 cannot be removed from the cutting groove 3. In the cut wafer W, the bottom of the cutting groove 3 is the place where the most cutting debris is present, and the above-described conventional cleaning method has a sufficient cleaning effect on the bottom of the cutting groove 3 which is the place to be cleaned most. It was not obtained.

また,噴射される加振洗浄水2の超音波振動は,指向性が強いため,洗浄力の有効範囲は狭く,超音波洗浄ノズル1の直下から離れるほど洗浄力が低くなるという問題があった(符号B参照)。さらには,ウェハWの材質によっては,上記加振洗浄水2の衝撃力やキャビテーションにより,ウェハW表面に形成された回路パターン5にダメージを与えてしまうことがあるという問題もあった。   In addition, since the ultrasonic vibration of the jetted vibration cleaning water 2 is highly directional, there is a problem that the effective range of the cleaning power is narrow, and the cleaning power decreases as the distance from directly below the ultrasonic cleaning nozzle 1 increases. (See symbol B). Furthermore, depending on the material of the wafer W, there is a problem that the circuit pattern 5 formed on the surface of the wafer W may be damaged by the impact force or cavitation of the vibration cleaning water 2.

次に,図1を参照して,上記のような従来の洗浄方法の問題点を解決するための本実施形態にかかる洗浄方法の原理と作用効果について説明する。図1は,本実施形態にかかる洗浄方法の原理を説明する概念図である。   Next, with reference to FIG. 1, the principle and operation effect of the cleaning method according to the present embodiment for solving the problems of the conventional cleaning method as described above will be described. FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating the principle of the cleaning method according to the present embodiment.

図1に示すように,本実施形態にかかる洗浄方法では,図示しない保持手段(例えば,後述するダイシング装置10のチャックテーブル15(図2参照)や,スピンナー洗浄装30置のスピンナーテーブル31(図2参照)など)上に,切削溝3が形成されたウェハWを,回路パターン5が形成された表面を上向きにした状態で載置して,保持する。この保持手段には,保持手段を垂直方向(鉛直方向)に超音波振動させる超音波振動子が設置されている。そして,ウェハWの洗浄時には,この超音波振動子によって保持手段を垂直方向に超音波振動させることにより,保持手段を介してウェハWをその下面側から垂直方向に超音波振動させる。このようにウェハWに加振される超音波振動の方向は,ウェハWに形成された切削溝3の深さ方向と同一である。また,かかる超音波振動の周波数は例えば1〜10MkHzであり,超音波振動の振幅は例えば5〜50μmであるが,この周波数や振幅は,被加工物の種類や洗浄条件等に応じて異なる。   As shown in FIG. 1, in the cleaning method according to the present embodiment, holding means (not shown) (for example, a chuck table 15 of a dicing device 10 (see FIG. 2) described later) or a spinner table 31 of a spinner cleaning device 30 (see FIG. 1). 2) and the like) is placed and held with the surface on which the circuit pattern 5 is formed facing upward. The holding means is provided with an ultrasonic vibrator that ultrasonically vibrates the holding means in the vertical direction (vertical direction). When cleaning the wafer W, the ultrasonic vibrator vibrates in the vertical direction from the lower surface side of the wafer W through the holding means by vibrating the holding means in the vertical direction by the ultrasonic vibrator. Thus, the direction of the ultrasonic vibration excited on the wafer W is the same as the depth direction of the cutting groove 3 formed on the wafer W. The frequency of the ultrasonic vibration is, for example, 1 to 10 MHz, and the amplitude of the ultrasonic vibration is, for example, 5 to 50 μm. The frequency and amplitude vary depending on the type of workpiece, the cleaning conditions, and the like.

このようにして,ウェハWの下面側から超音波振動を加えることにより,切削溝3の底部から衝撃力やキャビテーションが発生するため,切削溝3の底部に詰まっている切削屑4を下方から剥離して浮き上がらせるような洗浄力が発生する(符号D参照)。一方,ウェハWの下面(裏面)側における切削溝3以外の部分(符号Fで表す領域)は,その上部にウェハWが存在することによる質量効果により,ウェハWに伝わる超音波振動が減衰される。このようにして,ウェハWの下面側からの超音波振動による洗浄作用は,切削屑4が詰まっている切削溝3の底部に集中的に作用することになる。   In this way, by applying ultrasonic vibration from the lower surface side of the wafer W, impact force and cavitation are generated from the bottom of the cutting groove 3, so that the cutting waste 4 clogged at the bottom of the cutting groove 3 is peeled from below. As a result, a detergency that lifts up is generated (see symbol D). On the other hand, on the lower surface (back surface) side of the wafer W, the ultrasonic vibration transmitted to the wafer W is attenuated by the mass effect due to the presence of the wafer W in the upper portion (region indicated by the symbol F). The In this way, the cleaning action by ultrasonic vibration from the lower surface side of the wafer W acts intensively on the bottom of the cutting groove 3 in which the cutting waste 4 is clogged.

この結果,切削溝3の底部に詰まっていた切削屑4は,切削溝3内を上昇して切削溝3から排出され,ウェハWの表面上にある洗浄水の水膜中に浮遊した状態となる(符号E参照)。さらに,この浮遊した切削屑4は,上記超音波振動に伴うウェハW表面(上面)の振動により,ウェハW表面に堆積・付着することなく,洗浄水の水流に乗って外部に排出される。このようにして,本実施形態にかかる洗浄方法では,ウェハWの切削溝3の底部に存在する切削屑4を,好適に切削溝3から取り出して除去することができる。   As a result, the cutting waste 4 clogged at the bottom of the cutting groove 3 rises in the cutting groove 3 and is discharged from the cutting groove 3 and floats in the cleaning water film on the surface of the wafer W. (See symbol E). Further, the floating cutting waste 4 is discharged to the outside in the flow of the cleaning water without being deposited and adhered to the surface of the wafer W due to the vibration of the wafer W surface (upper surface) due to the ultrasonic vibration. Thus, in the cleaning method according to the present embodiment, the cutting waste 4 present at the bottom of the cutting groove 3 of the wafer W can be suitably taken out from the cutting groove 3 and removed.

また,本実施形態にかかる洗浄方法では,ウェハWを保持する保持手段を超音波振動させるため,この保持手段に保持されているウェハW全体を下面側から同時に超音波振動させることができる。このため,上記図5の従来の洗浄方法で加振洗浄水2をウェハWに対して部分的に噴射する場合のような超音波振動の指向性の問題がない。従って,洗浄力の有効範囲が広く,ウェハW全面にある複数の切削溝3内を同時に洗浄できるという利点がある。また,ウェハW自体を下面側から超音波振動させるため,上記従来の洗浄方法のような加振洗浄水2の衝撃力やキャビテーションにより,ウェハW表面に形成された回路パターン5にダメージを与えてしまうことがないという利点もある。   Further, in the cleaning method according to the present embodiment, since the holding unit that holds the wafer W is ultrasonically vibrated, the entire wafer W held by the holding unit can be simultaneously ultrasonically vibrated from the lower surface side. Therefore, there is no problem of directivity of ultrasonic vibration as in the case where the vibration cleaning water 2 is partially jetted onto the wafer W by the conventional cleaning method of FIG. Accordingly, there is an advantage that the effective range of the cleaning power is wide and the inside of the plurality of cutting grooves 3 on the entire surface of the wafer W can be cleaned simultaneously. Further, since the wafer W itself is ultrasonically vibrated from the lower surface side, the circuit pattern 5 formed on the surface of the wafer W is damaged by the impact force or cavitation of the vibration cleaning water 2 as in the above conventional cleaning method. There is also an advantage that it does not occur.

以上,本実施形態にかかる洗浄方法の原理及び作用効果について説明した。以下では,上記のような本実施形態にかかる洗浄方法を実行するため装置構成,およびその洗浄動作について詳述する。   Heretofore, the principle and operational effects of the cleaning method according to the present embodiment have been described. Hereinafter, an apparatus configuration for executing the cleaning method according to the present embodiment as described above and a cleaning operation thereof will be described in detail.

まず,図2を参照して,本実施形態にかかる洗浄方法を実行する切削装置の一例であるダイシング装置10の全体構成について説明する。なお,図2は,本実施形態にかかるダイシング装置10を示す全体斜視図である。   First, an overall configuration of a dicing apparatus 10 that is an example of a cutting apparatus that executes the cleaning method according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 2 is an overall perspective view showing the dicing apparatus 10 according to the present embodiment.

図2に示すように,ダイシング装置10は,例えば,ウェハWを保持する保持手段の一例であるチャックテーブル15と,ウェハWを切削加工する切削手段である切削ユニット20と,切削ユニット移動機構(図示せず。)と,チャックテーブル移動機構(図示せず。)と,スピンナー洗浄装置30と,を主に備える。   As shown in FIG. 2, the dicing apparatus 10 includes, for example, a chuck table 15 that is an example of a holding unit that holds the wafer W, a cutting unit 20 that is a cutting unit that cuts the wafer W, and a cutting unit moving mechanism ( (Not shown), a chuck table moving mechanism (not shown), and a spinner cleaning device 30 are mainly provided.

ウェハWは,例えば,表面に複数の回路パターン5が形成されたシリコンウェハなどである。このウェハWの表面には,複数の回路パターン5を区分する切削ライン(ストリート)が格子状に配列されている。かかるウェハWは,例えば,その裏面側に接着テープであるウェハテープ6が貼り付けられ,このウェハテープ6を介してウェハリング7に支持された状態で,チャックテーブル15上に載置される。   The wafer W is, for example, a silicon wafer having a plurality of circuit patterns 5 formed on the surface. On the surface of the wafer W, cutting lines (streets) for dividing the plurality of circuit patterns 5 are arranged in a lattice pattern. The wafer W is placed on the chuck table 15 in a state where, for example, a wafer tape 6 as an adhesive tape is affixed to the back side of the wafer W and is supported by the wafer ring 7 via the wafer tape 6.

チャックテーブル15は,例えば,その上面に載置されたウェハWを吸着保持するための円盤状のテーブルであり,その上面側に真空チャック(図示せず。)を具備している。チャックテーブル15は,この真空チャック上に載置されたウェハWを真空吸着して安定的に保持する。   The chuck table 15 is, for example, a disk-shaped table for sucking and holding the wafer W placed on the upper surface thereof, and includes a vacuum chuck (not shown) on the upper surface side. The chuck table 15 vacuum-sucks and stably holds the wafer W placed on the vacuum chuck.

切削ユニット20は,スピンドル(図示せず。)の先端部に装着されたリング状の切削ブレード22を備えている。この切削ユニット20は,スピンドルにより高速回転させた切削ブレード22をウェハWに切り込ませることにより,ウェハWを切削ラインに沿って切削加工して,極薄の切削溝3を形成する。   The cutting unit 20 includes a ring-shaped cutting blade 22 attached to the tip of a spindle (not shown). The cutting unit 20 cuts the wafer W along a cutting line by cutting a cutting blade 22 rotated at a high speed by a spindle into the wafer W, thereby forming an extremely thin cutting groove 3.

切削ユニット移動機構は,切削ユニット20をY軸方向に移動させる。このY軸方向は,切削方向(X軸方向)に対して直交する水平方向であり,切削ユニット20内に延設されたスピンドルの軸方向と一致する。切削ユニット20をY軸方向に移動させることにより,切削ブレード22の刃先をウェハWの切削位置(切削ライン)に位置合わせすることができる。さらに,この切削ユニット移動機構は,切削ユニット20をZ軸方向(垂直方向)にも移動させる。これにより,ウェハWに対する切削ブレード22の切り込み深さを調整することができる。   The cutting unit moving mechanism moves the cutting unit 20 in the Y-axis direction. The Y-axis direction is a horizontal direction orthogonal to the cutting direction (X-axis direction), and coincides with the axial direction of the spindle extending in the cutting unit 20. The cutting edge of the cutting blade 22 can be aligned with the cutting position (cutting line) of the wafer W by moving the cutting unit 20 in the Y-axis direction. Further, the cutting unit moving mechanism moves the cutting unit 20 also in the Z-axis direction (vertical direction). Thereby, the cutting depth of the cutting blade 22 with respect to the wafer W can be adjusted.

チャックテーブル移動機構は,切削加工時に,ウェハWを保持したチャックテーブル15を切削方向(X軸方向)に往復移動させて,ウェハWに対し切削ブレード22の刃先を直線的な軌跡で作用させる。また,チャックテーブル移動機構は,チャックテーブル15を水平面内で回転させ,切削方向を変えることができる。   The chuck table moving mechanism reciprocates the chuck table 15 holding the wafer W in the cutting direction (X-axis direction) during the cutting process so that the cutting edge of the cutting blade 22 acts on the wafer W along a linear locus. The chuck table moving mechanism can change the cutting direction by rotating the chuck table 15 in a horizontal plane.

スピンナー洗浄装置30には,上記切削加工後のウェハWを保持手段により保持し,当該ウェハWを水平面内で回転させながら,当該ウェハWの表面に洗浄液(洗浄水等)を噴射することによって,ウェハWに付着している切削屑等を洗浄・除去する。かかるスピンナー洗浄装置30の構成の詳細については後述する。   The spinner cleaning device 30 holds the wafer W after the cutting by holding means, and sprays a cleaning liquid (cleaning water or the like) on the surface of the wafer W while rotating the wafer W in a horizontal plane. The cutting waste adhering to the wafer W is cleaned and removed. Details of the configuration of the spinner cleaning apparatus 30 will be described later.

以上のような全体構成のダイシング装置10は,高速回転する切削ブレード22をウェハWに切り込ませながら,切削ユニット20とチャックテーブル15とを相対移動させることにより,ウェハWの表面に格子状に配置された複数の切削ライン(ストリート)を切削加工して,切削溝3を形成する。これによって,ウェハWをダイシング加工して,複数のチップに分割することができる。さらに,このような切削加工されたウェハWをスピンナー洗浄装置30に搬送してスピンナー洗浄することで,ウェハWに付着している切削屑等を洗浄・除去する。   The dicing apparatus 10 having the overall configuration described above has a grid pattern on the surface of the wafer W by relatively moving the cutting unit 20 and the chuck table 15 while cutting the cutting blade 22 rotating at high speed into the wafer W. A plurality of cutting lines (streets) arranged are cut to form the cutting grooves 3. Thereby, the wafer W can be diced and divided into a plurality of chips. Furthermore, the cut wafer or the like adhering to the wafer W is cleaned and removed by transporting the wafer W thus cut to the spinner cleaning device 30 and performing spinner cleaning.

次に,図3を参照して,上記本実施形態にかかる洗浄方法を,ダイシング装置10のチャックテーブル15を用いて実行するための構成及び動作について詳細に説明する。なお,図3は,本実施形態にかかるダイシング装置10における切削ユニット20及びチャックテーブル15の構成を示す側面図である。   Next, with reference to FIG. 3, the structure and operation | movement for performing the washing | cleaning method concerning the said this embodiment using the chuck table 15 of the dicing apparatus 10 are demonstrated in detail. FIG. 3 is a side view showing configurations of the cutting unit 20 and the chuck table 15 in the dicing apparatus 10 according to the present embodiment.

まず,切削ユニット20の構成について説明する。図3に示すように,切削ユニット20は,例えば,スピンドル24の先端部に装着された切削ブレード22と,切削ブレード22及びウェハWの加工点に切削液を供給する切削液供給ノズル26と,切削ブレード22の外周を覆うように配置されるブレードカバー28とを備える。   First, the configuration of the cutting unit 20 will be described. As shown in FIG. 3, the cutting unit 20 includes, for example, a cutting blade 22 attached to the tip of the spindle 24, a cutting fluid supply nozzle 26 that supplies cutting fluid to the cutting points of the cutting blade 22 and the wafer W, And a blade cover 28 disposed so as to cover the outer periphery of the cutting blade 22.

切削ブレード22は,例えば,ダイヤモンド等の砥粒をボンド材で結合して形成された極薄の回転切削砥石である。この切削ブレード22は,例えば,所謂ワッシャーブレードで構成されてもよいし,或いは,基台部と一体化されたハブブレードで構成されてもよい。この切削ブレード22は,スピンドル24によって例えば30,000rpmで高速回転される。   The cutting blade 22 is an ultra-thin rotating cutting grindstone formed by bonding abrasive grains such as diamond with a bonding material, for example. This cutting blade 22 may be constituted by, for example, a so-called washer blade, or may be constituted by a hub blade integrated with a base portion. The cutting blade 22 is rotated at a high speed by a spindle 24 at, for example, 30,000 rpm.

切削液供給ノズル26は,ウェハWの表面に切削液を供給する切削液供給手段の一例であり,本実施形態では,切削液として例えば切削水を供給するものとする。この切削液供給ノズル26は,例えば,切削ブレード22の下部の両側(正面側と背面側)に,切削ブレード22を挟むようにして対向配置される一対の直線状のノズルで構成される。この一対の切削液供給ノズル26は,例えば,切削ブレード22と対向する側に複数の噴射口(図示せず。)を備えており,この噴射口から,切削ブレード22の側面下部およびウェハWの加工点に向けて切削水を噴射・供給する。このようにして,一対の切削液供給ノズル26により切削ブレード22の両側から切削水を供給することによって,切削加工時に切削ブレード22および加工点を冷却して,加工点におけるチッピング発生と,切削ブレード22の破損とを防止できる。さらに,この切削液供給ノズル26から供給される切削水は,後述するチャックテーブル15によるウェハWの超音波洗浄処理時の洗浄水としても機能するが,その詳細については後述する。   The cutting fluid supply nozzle 26 is an example of a cutting fluid supply unit that supplies the cutting fluid to the surface of the wafer W. In the present embodiment, for example, cutting fluid is supplied as the cutting fluid. The cutting fluid supply nozzle 26 is composed of, for example, a pair of linear nozzles opposed to each other on both sides (front side and back side) of the lower part of the cutting blade 22 with the cutting blade 22 interposed therebetween. The pair of cutting fluid supply nozzles 26 includes, for example, a plurality of injection ports (not shown) on the side facing the cutting blade 22, and from these injection ports, the lower side surface of the cutting blade 22 and the wafer W Inject and supply cutting water toward the processing point. In this way, by supplying cutting water from both sides of the cutting blade 22 by the pair of cutting fluid supply nozzles 26, the cutting blade 22 and the processing point are cooled at the time of cutting, and chipping occurs at the processing point. 22 can be prevented from being damaged. Further, the cutting water supplied from the cutting fluid supply nozzle 26 also functions as cleaning water at the time of ultrasonic cleaning processing of the wafer W by the chuck table 15 described later, details of which will be described later.

また,ブレードカバー28は,切削ブレード22の外周を覆うようにして配設され,切削ブレード22を保護するとともに,切削加工に伴う切削液や切削屑,破損した切削ブレード22の破片などが,切削ユニット20外部に飛散することを防止する。   The blade cover 28 is disposed so as to cover the outer periphery of the cutting blade 22 and protects the cutting blade 22, and cutting fluid and cutting debris accompanying cutting processing, broken pieces of the cutting blade 22, etc. are cut. It is prevented from scattering outside the unit 20.

次に,チャックテーブル15の構成について説明する。図3に示すように,円盤形状のチャックテーブル15は,その上面に,所定深さの凹部151が陥没形成されている。この凹部151は,ウェハWを支持するウェハリング7を十分に収容できる程度の大きさを有する例えば円形の凹部である。また,この凹部151の深さは,裏面にウェハテープ6が貼り付けられたウェハWを凹部151内に載置して,液体(例えば水)を満たしたときに,ウェハW表面(上面)が液面8下に水没する程度の深さである。また,この凹部151の平坦な底面に真空チャック(図示せず。)が配設され,載置されたウェハWを真空吸着して保持できるようになっている。   Next, the configuration of the chuck table 15 will be described. As shown in FIG. 3, the disc-shaped chuck table 15 has a concave portion 151 with a predetermined depth formed on the upper surface thereof. The recess 151 is, for example, a circular recess having a size enough to accommodate the wafer ring 7 that supports the wafer W. The depth of the recess 151 is such that when the wafer W having the wafer tape 6 attached to the back surface is placed in the recess 151 and filled with a liquid (for example, water), the surface (upper surface) of the wafer W is filled. It is deep enough to be submerged under the liquid surface 8. Further, a vacuum chuck (not shown) is disposed on the flat bottom surface of the recess 151 so that the wafer W placed thereon can be held by vacuum suction.

このような凹部151を設けることによって,例えば上記切削ユニット20の切削液供給ノズル26から供給された切削水を,凹部151内に貯留することができる。これによって,チャックテーブル15は,ウェハリング7及びウェハテープ6によって支持されたウェハWを,切削水中に水没させた状態で保持することができる。また,チャックテーブル15には,上記凹部151と連通する水抜き孔152が形成されており,凹部151内に貯留された水を外部に排出できるようになっている。   By providing such a recess 151, for example, the cutting water supplied from the cutting fluid supply nozzle 26 of the cutting unit 20 can be stored in the recess 151. Accordingly, the chuck table 15 can hold the wafer W supported by the wafer ring 7 and the wafer tape 6 in a state where the wafer W is submerged in the cutting water. Further, the chuck table 15 is formed with a drain hole 152 communicating with the recess 151 so that the water stored in the recess 151 can be discharged to the outside.

また,円盤形状のチャックテーブル15の内部には,超音波振動子16が設置されている。この超音波振動子16は,例えば,上記チャックテーブル15の外径より小さく,少なくともウェハWの外径よりも大きい円盤形状を有している。この超音波振動子16は,上記のように,周波数が例えば1〜10MkHz,振幅が例えば5〜50μmである超音波振動を発生して,チャックテーブル15を垂直方向に超音波振動させる。これにより,チャックテーブル15上に水没状態で保持されたウェハW全体を,その下面側から垂直方向に超音波振動させて,ウェハWを超音波洗浄できる。このように,本実施形態では,切削加工用のチャックテーブル15を,ウェハWを超音波洗浄する洗浄装置としても兼用することができる。   An ultrasonic transducer 16 is installed inside the disc-shaped chuck table 15. The ultrasonic transducer 16 has, for example, a disk shape that is smaller than the outer diameter of the chuck table 15 and at least larger than the outer diameter of the wafer W. As described above, the ultrasonic transducer 16 generates ultrasonic vibration having a frequency of, for example, 1 to 10 MHz and an amplitude of, for example, 5 to 50 μm, and ultrasonically vibrates the chuck table 15 in the vertical direction. Accordingly, the wafer W can be ultrasonically cleaned by ultrasonically vibrating the entire wafer W held on the chuck table 15 in a submerged state from the lower surface side in the vertical direction. Thus, in this embodiment, the chuck table 15 for cutting can also be used as a cleaning device for ultrasonically cleaning the wafer W.

次に,上記のような構成の切削ユニット20及びチャックテーブル15を用いた切削加工動作及び洗浄動作について説明する。   Next, a cutting operation and a cleaning operation using the cutting unit 20 and the chuck table 15 configured as described above will be described.

切削加工時には,図3(a)に示すように,切削液供給ノズル26により切削水を切削ブレード22及び加工点に供給しながら,切削ユニット20を降下させて,高速回転する切削ブレード22の刃先をウェハWの表面から切り込ませつつ,チャックテーブル15を切削方向に相対移動させ,ウェハWを切削ラインに沿って切削する。このような切削加工時には,超音波振動子16は超音波振動を発生しておらず,従って,上記図1で説明したようなウェハWの超音波洗浄処理は実行されない。   At the time of cutting, as shown in FIG. 3A, the cutting unit 20 is lowered while supplying cutting water to the cutting blade 22 and the processing point by the cutting fluid supply nozzle 26, and the cutting edge of the cutting blade 22 rotating at high speed is obtained. The chuck table 15 is relatively moved in the cutting direction while cutting the wafer W from the surface of the wafer W, and the wafer W is cut along the cutting line. At the time of such cutting, the ultrasonic transducer 16 does not generate ultrasonic vibration, and therefore the ultrasonic cleaning process of the wafer W as described in FIG. 1 is not executed.

一方,ウェハWの超音波洗浄処理は,図3(b)に示すように,切削ユニット20がウェハWから離隔されて,「切削ブレード22によるウェハWの切削加工が行われていないとき」に実行される。この超音波洗浄処理では,チャックテーブル15の凹部151内に貯留された水(上記切削水)内にウェハWを水没させた状態で,上記チャックテーブル15に設けられた超音波振動子16を動作させて,チャックテーブル15を垂直方向に超音波振動させることにより,ウェハWを下面側から垂直方向に超音波振動させる。これにより,上記図1で説明した原理により,ウェハWの切削溝3内に存在する切削屑を好適に超音波洗浄して除去できる。また,ウェハWを水没状態で超音波洗浄することにより,上記切削屑4が切削溝3から脱離して水中に浮遊しやすくなるので,洗浄効果を高めることができる。   On the other hand, as shown in FIG. 3B, the ultrasonic cleaning process of the wafer W is performed when the cutting unit 20 is separated from the wafer W and “the cutting process of the wafer W by the cutting blade 22 is not performed”. Executed. In this ultrasonic cleaning process, the ultrasonic vibrator 16 provided on the chuck table 15 is operated in a state where the wafer W is submerged in the water (the cutting water) stored in the recess 151 of the chuck table 15. Thus, the chuck table 15 is ultrasonically vibrated in the vertical direction, so that the wafer W is ultrasonically vibrated in the vertical direction from the lower surface side. Thereby, according to the principle described with reference to FIG. 1, the cutting waste existing in the cutting groove 3 of the wafer W can be suitably ultrasonically cleaned and removed. Further, by ultrasonically cleaning the wafer W in a submerged state, the cutting waste 4 is easily detached from the cutting groove 3 and floats in the water, so that the cleaning effect can be enhanced.

この超音波洗浄処理の際には,例えば,上記切削加工時に切削液供給ノズル26から供給されてチャックテーブル15の凹部151内に貯留されていた切削水が,超音波洗浄用の洗浄水として機能する。なお,この超音波洗浄処理時には,上記切削液供給ノズル26,或いは別途の液体供給手段により,洗浄水をウェハW表面に供給しながら,超音波洗浄してもよい。   In this ultrasonic cleaning process, for example, the cutting water supplied from the cutting fluid supply nozzle 26 and stored in the recess 151 of the chuck table 15 at the time of the cutting function functions as cleaning water for ultrasonic cleaning. To do. In this ultrasonic cleaning process, ultrasonic cleaning may be performed while supplying cleaning water to the surface of the wafer W by the cutting liquid supply nozzle 26 or a separate liquid supply means.

また,このような超音波洗浄処理を上記のような「切削ブレード22によるウェハWの切削加工が行われていないとき」に行う理由は,例えば,被加工物がシリコン等の結晶材からなるウェハWなどである場合には,当該被加工物を超音波振動させながら切削すると,切削加工により被加工物に生じるチッピングが大きくなってしまうという問題があるからである。   The reason why such an ultrasonic cleaning process is performed when “the cutting of the wafer W by the cutting blade 22 is not performed” as described above is, for example, that the workpiece is a wafer made of a crystal material such as silicon. This is because, in the case of W or the like, if the workpiece is cut while being ultrasonically vibrated, there is a problem that chipping generated on the workpiece due to the cutting processing is increased.

従って,本実施形態では,切削ブレード22による切削加工時には,上記超音波振動洗浄処理を実行せず,「切削ブレード22によるウェハWの切削加工が行われていないとき」に,上記超音波洗浄処理を実行するようにしている。   Therefore, in the present embodiment, the ultrasonic vibration cleaning process is not executed at the time of cutting with the cutting blade 22, and the ultrasonic cleaning process is performed when “the cutting of the wafer W by the cutting blade 22 is not performed”. To do.

この「切削ブレード22によるウェハWの切削加工が行われていないとき」は,例えば,「切削ブレード22がウェハWの切削ライン間を移動するとき」とすることができる。つまり,同一の切削ブレード22を用いてウェハWの複数の切削ラインを切削する場合には,切削ブレード22を,切削済みの切削ラインの位置から次の切削対象の切削ラインの開始位置まで移動させる必要がある。このように切削ブレード22を切削ライン間で移動させるときには,切削ブレード22がウェハWから離隔して切削加工が行われていないので,上記ウェハWの超音波洗浄処理を好適に実行できる。   This “when the cutting of the wafer W by the cutting blade 22 is not performed” can be, for example, “when the cutting blade 22 moves between the cutting lines of the wafer W”. That is, when cutting a plurality of cutting lines of the wafer W using the same cutting blade 22, the cutting blade 22 is moved from the position of the cut cutting line to the start position of the next cutting target cutting line. There is a need. As described above, when the cutting blade 22 is moved between the cutting lines, since the cutting blade 22 is separated from the wafer W and no cutting process is performed, the ultrasonic cleaning process of the wafer W can be suitably executed.

この場合のダイシング装置10の動作フローとしては,まず,図3(a)に示すように,切削ブレード22によりウェハWの1本又は複数本の切削ラインを切削し(第1工程),次いで,図3(b)に示すように,切削ブレード22を最後に切削された切削ラインから退避させ,次の切削ラインの開始位置まで移動させるまでの期間に,超音波振動子16によりウェハWを下方から超音波振動させて,切削溝3内の切削屑を超音波洗浄し(第2工程),その後,超音波振動を停止させた後に,再び図3(a)に示すように,切削ブレード22により当該次の切削ラインを切削する(第3工程)といった各工程を繰り返すことになる。このような動作フローで超音波洗浄処理を行うことにより,切削ブレード22による複数の切削ラインの切削加工の合間を縫って効率的に,ウェハWの切削溝3内の洗浄を行うことができる。   As an operation flow of the dicing apparatus 10 in this case, first, as shown in FIG. 3A, one or more cutting lines of the wafer W are cut by the cutting blade 22 (first step), and then As shown in FIG. 3B, the wafer W is moved downward by the ultrasonic transducer 16 during the period from the time when the cutting blade 22 is retracted from the last cut cutting line and moved to the start position of the next cutting line. Then, the cutting waste in the cutting groove 3 is ultrasonically cleaned (second step), and thereafter the ultrasonic vibration is stopped, and then again as shown in FIG. Thus, each process of cutting the next cutting line (third process) is repeated. By performing the ultrasonic cleaning process with such an operation flow, it is possible to efficiently clean the inside of the cutting groove 3 of the wafer W by sewing between the cutting processes of the plurality of cutting lines by the cutting blade 22.

また,上記「切削ブレード22によるウェハWの切削加工が行われていないとき」の別の例としては,例えば,「切削ブレード22がウェハWの全ての切削ラインを切削した後」を挙げることができる。つまり,切削ブレード22によりウェハWの全ての切削ラインを切削した後には,当然ながら,切削加工は行われない。このため,全ての切削ラインの終了後には,ウェハWにチッピング等を発生させることなく,上記ウェハWの超音波洗浄処理を好適に実行できる。   Another example of “when the cutting of the wafer W is not performed by the cutting blade 22” is, for example, “after the cutting blade 22 cuts all the cutting lines of the wafer W”. it can. That is, of course, after all the cutting lines of the wafer W are cut by the cutting blade 22, no cutting is performed. For this reason, the ultrasonic cleaning process of the wafer W can be suitably executed without causing chipping or the like on the wafer W after completion of all the cutting lines.

この場合のダイシング装置10の動作フローとしては,まず,図3(a)に示すように,切削ブレード22によりウェハWの全ての切削ラインを切削し(第1工程),次いで,図3(b)に示すように,切削ブレード22を最後に切削された切削ラインから退避させた後に,超音波振動子16によりウェハWを下方から超音波振動させて,切削溝3内の切削屑を超音波洗浄する(第2工程)。このようなタイミングで超音波洗浄を行うことにより,切削ブレード22による切削加工により形成された全ての切削溝3内を,十分に時間をかけて洗浄して,全ての切削溝3内の切削屑4を好適に除去することできる。   The operation flow of the dicing apparatus 10 in this case is as follows. First, as shown in FIG. 3A, all cutting lines of the wafer W are cut by the cutting blade 22 (first step), and then FIG. ), After the cutting blade 22 is retracted from the last cut cutting line, the wafer W is ultrasonically vibrated from below by the ultrasonic vibrator 16 to ultrasonically remove the cutting waste in the cutting groove 3. Wash (second step). By performing ultrasonic cleaning at such timing, all the cutting grooves 3 formed by the cutting process by the cutting blade 22 are cleaned over a sufficient amount of time, and the cutting waste in all the cutting grooves 3 is obtained. 4 can be suitably removed.

さらに,超音波洗浄処理を実行するタイミングの別の例としては,例えば,ウェハWの第1チャンネルを構成する平行な複数の切削ラインを切削した後に,切削加工されたウェハWの第1チャンネルの切削溝3の超音波洗浄を行い,次いで,上記第1チャンネルに直交する第2チャンネルを構成する平行な複数の切削ラインを切削した後に,再び,ウェハWの第1及び第2チャンネルの切削溝3の超音波洗浄を行うようにしてもよい。   Furthermore, as another example of the timing of executing the ultrasonic cleaning process, for example, after cutting a plurality of parallel cutting lines constituting the first channel of the wafer W, the first channel of the wafer W that has been cut is processed. After performing ultrasonic cleaning of the cutting groove 3 and then cutting a plurality of parallel cutting lines constituting the second channel orthogonal to the first channel, the cutting grooves of the first and second channels of the wafer W are again formed. 3 ultrasonic cleaning may be performed.

以上,本実施形態にかかる洗浄方法を,ダイシング装置10における切削領域に設けられるチャックテーブル15及び切削ユニット20を用いて実行するための構成及び動作について説明した。以上のように,本実施形態においてウェハWに加える超音波振動は,あくまでもウェハWの切削溝3に詰まった微細な切削屑を洗浄・除去するために,切削加工とは別タイミングで行われるものであり,従来から行われているような,切削ブレードによる切削加工を円滑に行うために切削加工と同時に実行される超音波振動とは異なる。   The configuration and operation for executing the cleaning method according to the present embodiment using the chuck table 15 and the cutting unit 20 provided in the cutting region in the dicing apparatus 10 have been described above. As described above, the ultrasonic vibration applied to the wafer W in the present embodiment is performed at a timing different from the cutting process in order to clean and remove the fine cutting chips clogged in the cutting groove 3 of the wafer W. This is different from the ultrasonic vibration that is performed simultaneously with the cutting process in order to smoothly perform the cutting process with the cutting blade as conventionally performed.

次に,図4を参照して,本実施形態にかかる洗浄方法を,ダイシング装置10のスピンナー洗浄装置30を用いて実行するための構成及び動作について詳細に説明する。なお,図4は,本実施形態にかかるダイシング装置10におけるスピンナー洗浄装置30の構成を示す側面図である。   Next, with reference to FIG. 4, the structure and operation | movement for performing the washing | cleaning method concerning this embodiment using the spinner washing | cleaning apparatus 30 of the dicing apparatus 10 are demonstrated in detail. FIG. 4 is a side view showing the configuration of the spinner cleaning device 30 in the dicing apparatus 10 according to the present embodiment.

図4に示すように,スピンナー洗浄装置30は,例えば,切削加工後のウェハWを吸着保持するスピンナーテーブル31と,スピンナーテーブル31を支持する回転軸32と,スピンナーテーブル31に保持されたウェハWの表面に洗浄液(例えば洗浄水)を噴射・供給する洗浄液供給ノズル33と,アーム34を介して洗浄液供給ノズル33を回動可能に支持する支持体35と,一端が支持体35に連結され他端が電動モータ(図示せず。)に連結された回動軸36と,ホース37を介して洗浄液供給ノズル33に洗浄液を供給する洗浄液供給源38と,ホースの途中に設けられたバルブ39とを備える。   As shown in FIG. 4, the spinner cleaning apparatus 30 includes, for example, a spinner table 31 that holds the wafer W after cutting, a rotating shaft 32 that supports the spinner table 31, and a wafer W held on the spinner table 31. A cleaning liquid supply nozzle 33 for injecting and supplying a cleaning liquid (for example, cleaning water) to the surface, a support 35 for rotatably supporting the cleaning liquid supply nozzle 33 via an arm 34, and one end connected to the support 35 A rotating shaft 36 whose end is connected to an electric motor (not shown), a cleaning liquid supply source 38 for supplying a cleaning liquid to the cleaning liquid supply nozzle 33 via a hose 37, a valve 39 provided in the middle of the hose, Is provided.

スピンナーテーブル31は,上記切削加工により切削溝3が形成されたウェハWを保持する保持手段の一例である。このスピンナーテーブル31は,例えば,略円盤状のテーブルであって,その上面にポーラスセラミック盤からなる真空チャック(図示せず。)を備えている。このスピンナーテーブル31は,切削加工後のウェハWを,その表面(回路面)を上向きにした状態で真空吸着して保持する。また,このスピンナーテーブル31は,回転軸32を介して電動モータ(図示せず。)に連結されている。これにより,スピンナー洗浄中には,ウェハWを吸着保持したスピンナーテーブル31を,水平面内で回転させることができる。   The spinner table 31 is an example of a holding unit that holds the wafer W in which the cutting groove 3 is formed by the cutting process. The spinner table 31 is, for example, a substantially disk-shaped table, and includes a vacuum chuck (not shown) made of a porous ceramic disk on the upper surface thereof. The spinner table 31 holds the wafer W after cutting by vacuum suction with its surface (circuit surface) facing upward. The spinner table 31 is connected to an electric motor (not shown) via a rotating shaft 32. Thereby, during the spinner cleaning, the spinner table 31 that holds the wafer W by suction can be rotated in a horizontal plane.

また,このスピンナーテーブル31の上面には,上記チャックテーブル15の凹部151と同様,所定深さの凹部311が陥没形成されている。この凹部311は,ウェハWを支持するウェハリング7を十分に収容できる程度の大きさを有する例えば円形の凹部である。また,この凹部311の深さは,ウェハテープ6が貼り付けられたウェハWを凹部311内に載置して,洗浄液(例えば洗浄水)を満たしたときに,ウェハW表面(上面)が液面9下に水没する程度の深さである。また,この凹部311の平坦な底面に上記真空チャックが配設され,載置されたウェハWを真空吸着して保持できるようになっている。   Further, a concave portion 311 having a predetermined depth is formed on the upper surface of the spinner table 31 so as to be recessed like the concave portion 151 of the chuck table 15. The recess 311 is, for example, a circular recess having a size enough to accommodate the wafer ring 7 that supports the wafer W. The depth of the recess 311 is such that when the wafer W to which the wafer tape 6 is attached is placed in the recess 311 and the cleaning liquid (for example, cleaning water) is filled, the surface (upper surface) of the wafer W is liquid. It is deep enough to be submerged under the surface 9. The vacuum chuck is disposed on the flat bottom surface of the recess 311 so that the mounted wafer W can be sucked and held.

このような凹部311を設けることによって,例えば上記洗浄液供給ノズル33から供給された洗浄水を凹部311内に貯留することができ,スピンナーテーブル31は,ウェハリング7及びウェハテープ6によって支持されたウェハWを,洗浄水中に水没させた状態で保持することができる。   By providing such a recess 311, for example, the cleaning water supplied from the cleaning liquid supply nozzle 33 can be stored in the recess 311, and the spinner table 31 is supported by the wafer ring 7 and the wafer tape 6. W can be held in a state of being submerged in the wash water.

また,円盤形状のスピンナーテーブル31の内部には,超音波振動子40が設置されている。この超音波振動子40は,例えば,上記スピンナーテーブル31の外径より小さく,少なくともウェハWの外径よりも大きい円盤形状を有している。この超音波振動子40は,上記のように,周波数が例えば1〜10MkHz,振幅が例えば5〜50μmである超音波振動を発生して,スピンナーテーブル31を垂直方向に超音波振動させる。   An ultrasonic transducer 40 is installed inside the disk-shaped spinner table 31. The ultrasonic transducer 40 has, for example, a disk shape that is smaller than the outer diameter of the spinner table 31 and at least larger than the outer diameter of the wafer W. As described above, the ultrasonic transducer 40 generates ultrasonic vibration having a frequency of, for example, 1 to 10 MHz and an amplitude of, for example, 5 to 50 μm, and ultrasonically vibrates the spinner table 31 in the vertical direction.

また,洗浄液供給ノズル33は,ウェハWの表面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段の一例である。本実施形態では,洗浄液として例えば純水を供給するものとする。この洗浄液供給ノズル33は,柔軟性を有するホース37を介して洗浄液供給源38に接続されており,バルブ39を開放すると,洗浄液供給源38から洗浄液供給ノズル33に洗浄水が所定圧で供給される。これにより,洗浄液供給ノズル33は,洗浄液供給源38から供給された洗浄水をウェハWの表面に向けて噴射する。   The cleaning liquid supply nozzle 33 is an example of a cleaning liquid supply unit that supplies a cleaning liquid to the surface of the wafer W. In the present embodiment, for example, pure water is supplied as the cleaning liquid. The cleaning liquid supply nozzle 33 is connected to a cleaning liquid supply source 38 via a flexible hose 37. When the valve 39 is opened, cleaning water is supplied from the cleaning liquid supply source 38 to the cleaning liquid supply nozzle 33 at a predetermined pressure. The As a result, the cleaning liquid supply nozzle 33 sprays the cleaning water supplied from the cleaning liquid supply source 38 toward the surface of the wafer W.

また,この洗浄液供給ノズル33は,上記アーム34,支持体35,回動軸36及び電動モータ(図示せず。)からなる回動機構により,回動軸36を中心として水平面内で回動可能となっている。これにより,洗浄時には,洗浄液供給ノズル33は,ウェハWの上方で揺動して,ウェハWの表面全体に略均一に洗浄水を供給可能となっている。   The cleaning liquid supply nozzle 33 can be rotated in a horizontal plane around the rotation shaft 36 by a rotation mechanism including the arm 34, the support 35, the rotation shaft 36, and an electric motor (not shown). It has become. Thus, at the time of cleaning, the cleaning liquid supply nozzle 33 swings above the wafer W and can supply cleaning water to the entire surface of the wafer W substantially uniformly.

また,スピンナー洗浄装置30は,上記各部以外にも,洗浄後にウェハWを乾燥させるためのエアーを噴射・供給するエアー供給手段や,洗浄領域を覆う筐体及び開閉可能なシャッターなど(いずれも図示せず。)を具備してもよい。   In addition to the above-described parts, the spinner cleaning apparatus 30 includes an air supply unit that injects and supplies air for drying the wafer W after cleaning, a housing that covers the cleaning region, an openable / closable shutter, and the like (both shown in FIG. (Not shown).

次に,上記のような構成のスピンナー洗浄装置30の洗浄動作(スピンナー洗浄処理動作及び超音波洗浄処理動作)について説明する。   Next, the cleaning operation (spinner cleaning processing operation and ultrasonic cleaning processing operation) of the spinner cleaning device 30 configured as described above will be described.

上記スピンナー洗浄装置30は,スピンナー洗浄処理を行う場合には,スピンナーテーブル31によって切削加工後のウェハWを表面を上向きにした状態で保持し,この保持したウェハWを回転させながら,上記回動機構により揺動される洗浄液供給ノズル33から,当該ウェハWの表面に対して洗浄水を噴射する。これにより,洗浄水の水圧および遠心力の作用により,ウェハWに付着している切削屑等の汚染物を洗浄して除去することができる。   When the spinner cleaning process is performed, the spinner cleaning device 30 holds the wafer W after cutting with the spinner table 31 with the surface facing upward, and rotates the held wafer W while rotating the held wafer W. Cleaning water is sprayed onto the surface of the wafer W from the cleaning liquid supply nozzle 33 that is swung by the mechanism. Thus, contaminants such as cutting dust adhering to the wafer W can be cleaned and removed by the action of the water pressure of the cleaning water and the centrifugal force.

さらに,スピンナー洗浄装置30は,この一般的なスピンナー洗浄処理のみならず,上記スピンナーテーブル31内に設けられた超音波振動子40を動作させることにより,超音波洗浄処理を実行可能である。   Further, the spinner cleaning apparatus 30 can execute the ultrasonic cleaning process by operating the ultrasonic vibrator 40 provided in the spinner table 31 as well as the general spinner cleaning process.

具体的には,スピンナー洗浄装置30は,この超音波洗浄処理を行う場合には,スピンナーテーブル31上に水没状態で保持したウェハWの表面に対して,上記回動機構により揺動される洗浄液供給ノズル33から洗浄水を噴射・供給しながら,上記超音波振動子40よりスピンナーテーブル31を垂直方向に超音波振動させる。これにより,スピンナーテーブル31上に保持されたウェハW全体を,その下面側から垂直方向に超音波振動させて,上記図1で説明したような原理で,ウェハWの切削溝3内に存在する切削屑4を超音波洗浄して,切削溝3から切削屑4を除去できる。   Specifically, the spinner cleaning apparatus 30, when performing this ultrasonic cleaning process, cleans the cleaning liquid that is swung by the rotating mechanism with respect to the surface of the wafer W held in a submerged state on the spinner table 31. While ejecting and supplying cleaning water from the supply nozzle 33, the spinner table 31 is ultrasonically vibrated in the vertical direction from the ultrasonic transducer 40. As a result, the entire wafer W held on the spinner table 31 is ultrasonically vibrated in the vertical direction from the lower surface side, and is present in the cutting groove 3 of the wafer W according to the principle described with reference to FIG. The cutting waste 4 can be removed from the cutting groove 3 by ultrasonic cleaning of the cutting waste 4.

かかる超音波洗浄処理により,上記一般的なスピンナー洗浄処理では,除去しきれなかった切削溝3内の切削屑4を,好適に洗浄・除去することができる。なお,ウェハWを水没状態で超音波洗浄することにより,上記切削屑4が切削溝3から脱離して水中に浮遊しやすくなるので,洗浄効果を高めることができる。   By this ultrasonic cleaning process, the cutting waste 4 in the cutting groove 3 that could not be removed by the general spinner cleaning process can be suitably cleaned and removed. In addition, by ultrasonically cleaning the wafer W in the submerged state, the cutting waste 4 is easily detached from the cutting groove 3 and floats in the water, so that the cleaning effect can be enhanced.

このようなスピンナー洗浄装置30における超音波洗浄処理は,スピンナーテーブル31を回転させながら行ってもよいし,或いは,スピンナーテーブル31を回転停止させた状態で行ってもよい。スピンナーテーブル31を回転停止させた状態で超音波洗浄を行ったとしても,上記洗浄液供給ノズル33から供給された洗浄水中にウェハW表面全体が水没していれば,ウェハWを好適に洗浄可能である。   Such an ultrasonic cleaning process in the spinner cleaning device 30 may be performed while the spinner table 31 is rotated, or may be performed in a state where the spinner table 31 is stopped. Even if the ultrasonic cleaning is performed with the spinner table 31 stopped rotating, the wafer W can be suitably cleaned if the entire surface of the wafer W is submerged in the cleaning water supplied from the cleaning liquid supply nozzle 33. is there.

従って,上記スピンナー洗浄装置30による洗浄手順としては,例えば,(1)スピンナー洗浄処理を実行後に,スピンナーテーブル31の回転を停止し,超音波振動子40を動作開始させて,超音波洗浄処理を実行する手法,(2)超音波洗浄処理を実行後に,超音波振動子40の動作を停止し,スピンナーテーブル31を回転させて,スピンナー洗浄処理を実行する手法,(3)スピンナーテーブル31を回転させながら超音波振動子40を動作させて,スピンナー洗浄処理と超音波洗浄処理とを同時に実行する手法,のいずれも実施可能である。   Accordingly, as a cleaning procedure by the spinner cleaning device 30, for example, (1) after executing the spinner cleaning process, the rotation of the spinner table 31 is stopped, the operation of the ultrasonic transducer 40 is started, and the ultrasonic cleaning process is performed. (2) A method of executing the spinner cleaning process by stopping the operation of the ultrasonic transducer 40 and rotating the spinner table 31 after executing the ultrasonic cleaning process, and (3) rotating the spinner table 31. Any of the methods of operating the ultrasonic transducer 40 while performing the spinner cleaning process and the ultrasonic cleaning process at the same time can be implemented.

以上,本実施形態にかかる洗浄方法と,この洗浄方法を実行するダイシング装置10及びスピンナー洗浄装置30について詳細に説明した。本実施形態にかかる洗浄方法によれば,チャックテーブル15又はスピンナーテーブル31等の保持手段に設けられた超音波振動子16,40によって,ウェハW自体を下面側から垂直方向に超音波振動させる。これにより,ウェハWの切削溝3の底部から衝撃力やキャビテーションを発生させて,切削溝3の底部に詰まっている切削屑4を下方から剥離して浮き上がらせるような洗浄力を発生させることができる。このため,ウェハWの切削溝3の底部に詰まった微細な切削屑4であっても,切削溝3から好適に除去することができる。従って,洗浄工程の後工程であるダイボンディング工程において,分割されたチップのピックアップ時に,チップから切削屑が落下し,製造ライン内に異物を混入させてしまうことがないので,チップの製品不良の発生を防止できる。   The cleaning method according to the present embodiment and the dicing apparatus 10 and the spinner cleaning apparatus 30 that execute the cleaning method have been described above in detail. According to the cleaning method of the present embodiment, the wafer W itself is ultrasonically vibrated in the vertical direction from the lower surface side by the ultrasonic vibrators 16 and 40 provided in the holding means such as the chuck table 15 or the spinner table 31. Thereby, an impact force or cavitation is generated from the bottom of the cutting groove 3 of the wafer W, and a cleaning force is generated so that the cutting waste 4 clogged in the bottom of the cutting groove 3 is peeled off from below and lifted up. it can. For this reason, even fine cutting waste 4 clogged at the bottom of the cutting groove 3 of the wafer W can be suitably removed from the cutting groove 3. Therefore, in the die bonding process, which is a subsequent process of the cleaning process, when the divided chips are picked up, cutting chips do not fall from the chips and foreign substances are not mixed into the production line. Occurrence can be prevented.

以上,添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが,本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された範疇内において,各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。   As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described referring an accompanying drawing, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to this example. It will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made within the scope of the claims, and these are naturally within the technical scope of the present invention. Understood.

例えば,上記実施形態では,被加工物として,半導体ウェハWの例を挙げて説明したが,本発明はかかる例に限定されない。被加工物は,例えば,各種の半導体ウェハ,CSP基板,GPS基板,BGA基板等のパッケージ基板等の半導体基板や,サファイア基板,ガラス材,セラミックス材,金属材,プラスチック等の合成樹脂材,或いは,磁気ヘッド,レーザダイオードヘッド等を形成するための電子材料基板,CCDやC−MOS等の撮像素子が複数形成された基板などであってもよい。また,被加工物の形状は,略円板形状に限定されず,略矩形板形状など任意の形状であってよい。   For example, in the above embodiment, the example of the semiconductor wafer W has been described as the workpiece, but the present invention is not limited to such an example. Workpieces include, for example, various semiconductor wafers, CSP substrates, GPS substrates, semiconductor substrates such as package substrates such as BGA substrates, sapphire substrates, glass materials, ceramic materials, metal materials, synthetic resin materials such as plastics, or An electronic material substrate for forming a magnetic head, a laser diode head, or the like, or a substrate on which a plurality of imaging elements such as a CCD or C-MOS are formed may be used. Further, the shape of the workpiece is not limited to a substantially disk shape, and may be an arbitrary shape such as a substantially rectangular plate shape.

また,上記実施形態では,本発明の洗浄方法を実行する切削装置としてダイシング装置10の例を挙げて説明したが,本発明はかかる例に限定されない。例えば,切削ブレード等の切削手段と被加工物を保持する保持手段とを用いて,被加工物を切削加工する装置であれば,例えば,ダイシング加工以外の切削加工を行う各種の切削装置であってもよい。   Moreover, although the said embodiment gave and demonstrated the example of the dicing apparatus 10 as a cutting device which performs the cleaning method of this invention, this invention is not limited to this example. For example, an apparatus for cutting a workpiece using a cutting means such as a cutting blade and a holding means for holding the workpiece may be, for example, various cutting apparatuses that perform cutting other than dicing. May be.

また,上記実施形態では,切削装置が具備する切削液供給手段として,切削ブレード22の両側方から切削液を噴射供給する一対の切削液供給ノズル26の例を挙げて説明したが,本発明はかかる例に限定されない。例えば,上記切削液供給ノズル26に加えて,或いは,上記切削液供給ノズル26の代わりに,切削ブレード22の外周面と対向配置される外周ノズルを設け,この外周ノズルから切削ブレード22の外周面に向けて切削液を噴射供給してもよい。   In the above-described embodiment, the example of the pair of cutting fluid supply nozzles 26 that supply the cutting fluid from both sides of the cutting blade 22 as the cutting fluid supply means included in the cutting apparatus has been described. It is not limited to such an example. For example, in addition to the cutting fluid supply nozzle 26 or in place of the cutting fluid supply nozzle 26, an outer peripheral nozzle disposed opposite to the outer peripheral surface of the cutting blade 22 is provided, and the outer peripheral surface of the cutting blade 22 is provided from the outer peripheral nozzle. The cutting fluid may be sprayed and supplied toward the head.

また,上記実施形態では,本発明の洗浄方法を実行する洗浄装置としてダイシング装置10に設けられたスピンナー洗浄装置30の例を挙げて説明したが,本発明はかかる例に限定されない。例えば,上記超音波洗浄処理を実行可能な洗浄装置であれば,上記スピンナー洗浄装置30以外の洗浄装置であってもよい。また,本発明の洗浄装置は,上記のようなダイシング装置10等の切削装置に搭載される洗浄装置以外にも,例えば,研削装置,研磨装置などの各種の加工装置に搭載される洗浄装置や,単体で設置される洗浄専用装置などで構成されてもよい。   Moreover, although the said embodiment gave and demonstrated the example of the spinner washing | cleaning apparatus 30 provided in the dicing apparatus 10 as a washing | cleaning apparatus which performs the washing | cleaning method of this invention, this invention is not limited to this example. For example, a cleaning device other than the spinner cleaning device 30 may be used as long as it is a cleaning device capable of performing the ultrasonic cleaning process. Further, the cleaning apparatus of the present invention is not limited to the cleaning apparatus mounted on the cutting apparatus such as the dicing apparatus 10 as described above. For example, the cleaning apparatus mounted on various processing apparatuses such as a grinding apparatus and a polishing apparatus, , It may be configured by a dedicated cleaning device installed alone.

また,切削液や洗浄液は,上記水の例に限定されず,切削液若しくは洗浄液に適した液体であれば,任意の液体であってよい。   Further, the cutting fluid and the cleaning fluid are not limited to the above example of water, and may be any liquid as long as the fluid is suitable for the cutting fluid or the cleaning fluid.

本発明は,被加工物の表面に形成された切削溝内に存在する切削屑を好適に除去するための洗浄方法及び洗浄装置に適用可能である。   The present invention can be applied to a cleaning method and a cleaning apparatus for suitably removing cutting chips present in a cutting groove formed on the surface of a workpiece.

本発明の第1の実施形態にかかる洗浄方法の原理を説明する概念図である。It is a conceptual diagram explaining the principle of the washing | cleaning method concerning the 1st Embodiment of this invention. 同実施形態にかかるダイシング装置を示す全体斜視図である。It is a whole perspective view which shows the dicing apparatus concerning the embodiment. 同実施形態にかかるダイシング装置における切削ユニット及びチャックテーブルの構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of the cutting unit and chuck table in the dicing apparatus concerning the embodiment. 同実施形態にかかるダイシング装置におけるスピンナー洗浄装置の構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of the spinner washing | cleaning apparatus in the dicing apparatus concerning the embodiment. 従来の洗浄方法の原理を説明する概念図である。It is a conceptual diagram explaining the principle of the conventional cleaning method.

符号の説明Explanation of symbols

3 切削溝
4 切削屑
5 回路パターン
6 ウェハテープ
7 ウェハリング
10 ダイシング装置
15 チャックテーブル
16 超音波振動子
20 切削ユニット
22 切削ブレード
24 スピンドル
26 切削液供給ノズル
28 ブレードカバー
30 スピンナー洗浄装置
31 スピンナーテーブル
33 洗浄液供給ノズル
40 超音波振動子
151 凹部
311 凹部
W ウェハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 3 Cutting groove 4 Cutting waste 5 Circuit pattern 6 Wafer tape 7 Wafer ring 10 Dicing apparatus 15 Chuck table 16 Ultrasonic vibrator 20 Cutting unit 22 Cutting blade 24 Spindle 26 Cutting fluid supply nozzle 28 Blade cover 30 Spinner cleaning apparatus 31 Spinner table 33 Cleaning liquid supply nozzle 40 Ultrasonic vibrator 151 Concave part 311 Concave part W Wafer

Claims (5)

被加工物を表面が上向きとなる状態で保持する保持手段と,前記保持手段に保持された前記被加工物を切削加工する切削ブレードと,前記被加工物の表面に切削液を供給する切削液供給手段とを備えた切削装置において,前記切削ブレードによる切削加工により表面に切削溝が形成された被加工物を,前記切削溝内に存在する切削屑を除去するために洗浄する洗浄方法であって:
前記保持手段は,その上面に前記被加工物を収容可能な凹部が陥没形成されており,前記切削液供給手段から供給された前記切削液を洗浄液として前記凹部内に貯留可能であり,
前記保持手段の前記凹部の下部側には,前記保持手段に保持された前記被加工物の前記切削溝の深さ方向と同一方向に前記保持手段を超音波振動させる超音波振動子が設けられており,
前記切削液供給手段により前記切削液を前記洗浄液として前記被加工物に供給しながら,前記保持手段により,前記凹部内で前記被加工物を前記洗浄液中に水没させた状態で前記表面が上向きとなる状態で保持し,前記超音波振動子により,前記切削溝の底部に詰まっている切削屑を剥離して浮き上がらせる洗浄力を発生させるように,前記洗浄液中に水没させた状態で保持された前記被加工物を前記切削溝の深さ方向と同一方向に超音波振動させて,前記切削溝内の切削屑を洗浄・除去することを特徴とする,洗浄方法。
Holding means for holding the workpiece with the surface facing upward, a cutting blade for cutting the workpiece held by the holding means, and a cutting fluid for supplying cutting fluid to the surface of the workpiece In a cutting apparatus having a supply means, a cleaning method is provided for cleaning a workpiece, on which a cutting groove is formed on a surface by cutting with the cutting blade, in order to remove cutting chips present in the cutting groove. :
The holding means has a recessed portion capable of accommodating the workpiece on its upper surface, and can store the cutting fluid supplied from the cutting fluid supply means as a cleaning fluid in the recessed portion,
An ultrasonic transducer for ultrasonically vibrating the holding means in the same direction as the depth direction of the cutting groove of the workpiece held by the holding means is provided on the lower side of the concave portion of the holding means. And
While the cutting fluid is supplied to the workpiece as the cleaning fluid by the cutting fluid supply means , the surface is facing upward in a state where the workpiece is submerged in the cleaning fluid in the recess by the holding means. Held in a state of being immersed in the cleaning liquid so as to generate a cleaning force that peels and lifts up the cutting waste clogged at the bottom of the cutting groove by the ultrasonic vibrator. A cleaning method, wherein the workpiece is ultrasonically vibrated in the same direction as the depth direction of the cutting groove to clean and remove the cutting waste in the cutting groove.
前記切削ブレードによる前記被加工物の切削加工が行われていないときに,前記切削溝内の切削屑を洗浄・除去することを特徴とする,請求項1に記載の洗浄方法。2. The cleaning method according to claim 1, wherein when the workpiece is not cut by the cutting blade, the cutting waste in the cutting groove is cleaned and removed. 前記切削ブレードによる前記被加工物の切削加工が行われていないときとは,前記切削ブレードを前記被加工物の切削ライン間で移動させるときであることを特徴とする,請求項に記載の洗浄方法。 Wherein by the cutting blade and when cutting of the workpiece is not being performed, characterized in that said cutting blade said it is time to move between the cutting line of the workpiece, according to claim 2 Cleaning method. 前記切削ブレードによる前記被加工物の切削加工が行われていないときとは,前記切削ブレードにより前記被加工物の全ての切削ラインが切断された後であることを特徴とする,請求項に記載の洗浄方法。 And when the cutting of the workpiece by the cutting blade is not being performed, characterized in that the is after all the cutting lines of the workpiece is cut by a cutting blade, in claim 2 The cleaning method described. 被加工物を表面が上向きとなる状態で保持する保持手段と,前記保持手段に保持された前記被加工物を切削加工する切削ブレードと,前記被加工物の表面に切削液を供給する切削液供給手段とを備えた切削装置に設けられ,前記切削ブレードによる切削加工により表面に切削溝が形成された被加工物を,前記切削溝内に存在する切削屑を除去するために洗浄する洗浄装置であって:
前記保持手段は,その上面に前記被加工物を収容可能な凹部が陥没形成されており,前記切削液供給手段から供給された前記切削液を洗浄液として前記凹部内に貯留可能であり,
前記保持手段の前記凹部の下部側には,前記保持手段に保持された前記被加工物の前記切削溝の深さ方向と同一方向に前記保持手段を超音波振動させる超音波振動子が設けられており,
前記切削液供給手段により前記切削液を前記洗浄液として前記被加工物に供給しながら,前記保持手段により,前記凹部内で前記被加工物を前記洗浄液中に水没させた状態で前記表面が上向きとなる状態で保持し,前記超音波振動子により,前記切削溝の底部に詰まっている切削屑を剥離して浮き上がらせる洗浄力を発生させるように,前記洗浄液中に水没させた状態で保持された前記被加工物を前記切削溝の深さ方向と同一方向に超音波振動させて,前記切削溝内の切削屑を洗浄・除去することを特徴とする,洗浄装置。
Holding means for holding the workpiece with the surface facing upward, a cutting blade for cutting the workpiece held by the holding means, and a cutting fluid for supplying cutting fluid to the surface of the workpiece A cleaning device provided in a cutting device having a supply means, and for cleaning a workpiece, on which a cutting groove is formed on a surface by cutting with the cutting blade, in order to remove cutting chips existing in the cutting groove Because:
The holding means has a recessed portion capable of accommodating the workpiece on its upper surface, and can store the cutting fluid supplied from the cutting fluid supply means as a cleaning fluid in the recessed portion,
The bottom side of the recess of the retaining means, the ultrasonic transducer is provided to the ultrasonic vibrations of the holding unit in the depth direction in the same direction of the cutting groove of the workpiece held by the holding means And
While the cutting fluid is supplied to the workpiece as the cleaning fluid by the cutting fluid supply means , the surface is facing upward in a state where the workpiece is submerged in the cleaning fluid in the recess by the holding means. Held in a state of being immersed in the cleaning liquid so as to generate a cleaning force that peels and lifts up the cutting waste clogged at the bottom of the cutting groove by the ultrasonic vibrator. A cleaning apparatus, wherein the workpiece is ultrasonically vibrated in the same direction as the depth direction of the cutting groove to clean and remove the cutting waste in the cutting groove.
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