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JP4920643B2 - Liquid processing apparatus and liquid processing method - Google Patents
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JP4920643B2 - Liquid processing apparatus and liquid processing method - Google Patents

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Description

本発明は、被処理体の表面と裏面に処理液を供給することによって、該被処理体を処理する液処理装置および液処理方法に関する。   The present invention relates to a liquid processing apparatus and a liquid processing method for processing a target object by supplying a processing liquid to the front and back surfaces of the target object.

従来、半導体ウエハなどの基板(被処理体)を処理する基板処理装置(液処理装置)としては、基板を保持する基板保持手段と、この基板保持手段に保持された基板の上面(表面)に処理液を供給するためのノズルと、基板保持手段に保持された基板の下面(裏面)の中心部に処理液を供給する下面供給管と、を備えたものが知られている(特許文献1参照)。
特開2004−303967号公報
2. Description of the Related Art Conventionally, as a substrate processing apparatus (liquid processing apparatus) for processing a substrate (object to be processed) such as a semiconductor wafer, a substrate holding means for holding the substrate and an upper surface (front surface) of the substrate held by the substrate holding means. A nozzle having a nozzle for supplying a processing liquid and a lower surface supply pipe for supplying a processing liquid to the center of the lower surface (back surface) of the substrate held by the substrate holding means is known (Patent Document 1). reference).
JP 2004-303967 A

しかしながら、従来の液処理装置においては、被処理体の裏面に供給された処理液が、被処理体の周縁部で、処理液の表面張力によって被処理体の表面側に回り込むことがある。このように処理液が被処理体の表面側に回り込むと、この処理液が被処理体の周縁部の表面に予定外の処理を施してしまい、周縁部の表面を精度良く処理できない。   However, in the conventional liquid processing apparatus, the processing liquid supplied to the back surface of the object to be processed may wrap around the surface of the object to be processed due to the surface tension of the processing liquid at the peripheral edge of the object to be processed. When the processing liquid wraps around the surface of the object to be processed in this way, the processing liquid performs unscheduled processing on the surface of the peripheral edge of the object to be processed, and the surface of the peripheral edge cannot be processed with high accuracy.

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、被処理体の裏面に供給された処理液が、被処理体の周縁部で、処理液の表面張力によって被処理体の表面側に回り込むことを防止し、被処理体の周縁部の表面を精度良く処理することができる液処理装置および液処理方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of such points, and the processing liquid supplied to the back surface of the object to be processed is the peripheral portion of the object to be processed, and the surface of the object to be processed by the surface tension of the processing liquid. It is an object of the present invention to provide a liquid processing apparatus and a liquid processing method that can prevent the wrapping around the surface and accurately process the surface of the peripheral portion of the object to be processed.

本発明による液処理装置は、
被処理体を支持する支持部と、
前記支持部を回転させる回転駆動部と、
前記支持部によって支持された前記被処理体の表面の周縁部に向かって処理液を供給する表面処理液供給機構と、
前記支持部によって支持された前記被処理体の裏面に処理液を供給する裏面処理液供給機構と、
前記被処理体の周縁外方に間隙を介して配置された第一ガイド部材と、を備え、
前記被処理体の裏面を経て周縁部に達した処理液の流速が、前記被処理体の表面を経て周縁部に達した処理液の流速よりも速くなるように構成されている。
The liquid processing apparatus according to the present invention comprises:
A support part for supporting the object to be processed;
A rotation drive unit for rotating the support unit;
A surface treatment liquid supply mechanism for supplying a treatment liquid toward the peripheral edge of the surface of the object to be processed supported by the support part;
A back surface treatment liquid supply mechanism for supplying a treatment liquid to the back surface of the object to be processed supported by the support unit;
A first guide member disposed outside the periphery of the object to be processed via a gap,
The flow rate of the processing liquid that has reached the peripheral portion via the back surface of the object to be processed is configured to be faster than the flow rate of the processing liquid that has reached the peripheral portion via the surface of the object to be processed.

本発明による液処理装置において、
前記支持部は、該支持部と前記被処理体の裏面との間の間隙を、該被処理体の中心部から周縁部へ向かう方向で小さくする加速傾斜部を有することが好ましい。
In the liquid processing apparatus according to the present invention,
It is preferable that the support part has an acceleration inclined part that reduces a gap between the support part and the back surface of the object to be processed in a direction from a center part to a peripheral part of the object to be processed.

本発明による液処理装置において、
前記第一ガイド部材の周縁外方に配置された第二ガイド部材をさらに備えたことが好ましい。
In the liquid processing apparatus according to the present invention,
It is preferable to further include a second guide member disposed outside the periphery of the first guide member.

本発明による液処理装置において、
前記第一ガイド部材の上面に、複数の位置ずれ防止ガイドが設けられていることが好ましい。
In the liquid processing apparatus according to the present invention,
It is preferable that a plurality of misalignment prevention guides are provided on the upper surface of the first guide member.

本発明による液処理方法は、
支持部によって、被処理体を支持する支持工程と、
回転駆動部によって、前記支持部を回転させる回転駆動工程と、
表面処理液供給機構によって、前記支持部によって支持された前記被処理体の表面の周縁部に向かって処理液を供給する表面処理液供給工程と、
裏面処理液供給機構によって、前記支持部によって支持された前記被処理体の裏面に処理液を供給する裏面処理液供給工程と、
前記被処理体の周縁外方に間隙を介して配置された第一ガイド部材によって、前記被処理体の裏面を経て周縁部に達した処理液、および、記被処理体の表面を経て周縁部に達した処理液を案内する案内工程と、を備え、
前記被処理体の裏面を経て周縁部に達した処理液の流速が、前記被処理体の表面を経て周縁部に達した処理液の流速よりも速くなっている。
The liquid processing method according to the present invention comprises:
A supporting step of supporting the object to be processed by the support unit;
A rotation drive step of rotating the support portion by a rotation drive portion;
A surface treatment liquid supply step of supplying a treatment liquid toward a peripheral portion of the surface of the object to be processed supported by the support portion by a surface treatment liquid supply mechanism;
A back surface treatment liquid supply step of supplying a treatment liquid to the back surface of the object supported by the support portion by a back surface treatment liquid supply mechanism;
The first guide member disposed outside the periphery of the object to be processed with a gap therebetween, the processing liquid reaching the periphery via the back surface of the object to be processed, and the periphery via the surface of the object to be processed And a guide step for guiding the processing liquid that has reached
The flow rate of the processing liquid that has reached the peripheral portion through the back surface of the object to be processed is faster than the flow rate of the processing liquid that has reached the peripheral portion through the surface of the object to be processed.

本発明によれば、被処理体の周縁外方に間隙を介して第一ガイド部材が配置され、かつ、被処理体の裏面を経て周縁部に達した処理液の流速が、被処理体の表面を経て周縁部に達した処理液の流速よりも速くなっているので、被処理体と第一ガイド部材との間の間隙で、被処理体の裏面側に処理液を引き込む吸引効果を発生させることができる。このため、被処理体の裏面に供給された処理液が、被処理体の周縁部で、処理液の表面張力によって被処理体の表面側に回り込むことを防止することができ、被処理体の周縁部の表面を精度良く処理することができる。   According to the present invention, the first guide member is disposed outside the periphery of the object to be processed via the gap, and the flow rate of the processing liquid that has reached the periphery via the back surface of the object to be processed is Since the flow rate of the processing liquid that has reached the peripheral part through the surface is faster, a suction effect that draws the processing liquid to the back side of the target object is generated in the gap between the target object and the first guide member. Can be made. For this reason, it is possible to prevent the processing liquid supplied to the back surface of the object to be processed from wrapping around the surface of the object to be processed due to the surface tension of the processing liquid at the peripheral portion of the object to be processed. The surface of the peripheral edge can be processed with high accuracy.

発明を実施するための形態BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

実施の形態
以下、本発明に係る液処理装置および液処理方法と、このような液処理方法を格納した記憶媒体の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図1乃至図3(a)(b)は本発明の実施の形態を示す図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a liquid processing apparatus and a liquid processing method according to the present invention and a storage medium storing such a liquid processing method will be described below with reference to the drawings. Here, FIG. 1 thru | or FIG. 3 (a) (b) is a figure which shows embodiment of this invention.

図1に示すように、液処理装置は、下方カップ1と、下方カップ1に対向して配置され、下方カップ1に当接可能な上方カップ2と、下方カップ1の内方に配置され、被処理体である半導体ウエハW(以下、単にウエハWとも言う)を支持する支持ピン11を有する支持台(支持部)10と、支持台10から下方に延びる回転軸5と、この回転軸5を回転させることによって、支持台10で支持されたウエハWを回転させる回転駆動部60と、を備えている。なお、図1において、ウエハWの表面は上方側に位置し、ウエハWの裏面は下方側に位置している。   As shown in FIG. 1, the liquid processing apparatus is disposed on the lower cup 1, on the lower cup 1, on the lower cup 1, on the upper cup 2 that can be in contact with the lower cup 1, A support base (support part) 10 having support pins 11 that support a semiconductor wafer W (hereinafter also simply referred to as wafer W) that is an object to be processed, a rotary shaft 5 extending downward from the support base 10, and the rotary shaft 5 , And a rotation drive unit 60 that rotates the wafer W supported by the support base 10. In FIG. 1, the front surface of the wafer W is located on the upper side, and the rear surface of the wafer W is located on the lower side.

ところで、支持ピン11は三箇所設けられており、図1では、そのうちの一つだけが示されている。また、図2に示すように、支持ピン11の先端は、R形状からなっている。   Incidentally, three support pins 11 are provided, and only one of them is shown in FIG. Further, as shown in FIG. 2, the tip of the support pin 11 has an R shape.

図1に示すように、回転駆動部60は、回転軸5の周縁外方に配置されたプーリ62と、このプーリ62に巻きかけられた駆動ベルト63と、この駆動ベルト63に駆動力を付与することによって、プーリ62を介して回転軸5を回転させるモータ61とを有している。また、回転軸5の周縁外方にはベアリング66が配置されている。   As shown in FIG. 1, the rotary drive unit 60 includes a pulley 62 disposed outside the periphery of the rotary shaft 5, a drive belt 63 wound around the pulley 62, and a driving force applied to the drive belt 63. Thus, the motor 61 that rotates the rotary shaft 5 via the pulley 62 is provided. Further, a bearing 66 is disposed on the outer periphery of the rotating shaft 5.

また、図1に示すように、上方カップ2には、Oリングなどからなるシール部材5が設けられている。また、上方カップ2は上下方向に移動可能となっており、上方カップ2と下方カップ1とは、当接することもできるし、離隔することもできるようになっている(図3(a)(b)参照)。なお、上方カップ2と下方カップ1とが当接するときには、シール部材5によって、上方カップ2と下方カップ1との間が密封されることとなる。   As shown in FIG. 1, the upper cup 2 is provided with a seal member 5 made of an O-ring or the like. Further, the upper cup 2 is movable in the vertical direction, and the upper cup 2 and the lower cup 1 can be brought into contact with each other or can be separated from each other (FIG. 3A). b)). When the upper cup 2 and the lower cup 1 come into contact with each other, the seal member 5 seals between the upper cup 2 and the lower cup 1.

また、図1に示すように、上方カップ2の周縁部近傍には、支持台10の支持ピン11によって支持されたウエハWの表面の周縁部に処理液を供給する表面処理液供給機構35が設けられている。また、この表面処理液供給機構35には、表面処理液供給機構35を水平方向に移動させる水平方向駆動部36が連結されている。   As shown in FIG. 1, a surface processing liquid supply mechanism 35 that supplies a processing liquid to the peripheral edge of the surface of the wafer W supported by the support pins 11 of the support base 10 is provided in the vicinity of the peripheral edge of the upper cup 2. Is provided. The surface treatment liquid supply mechanism 35 is connected to a horizontal driving unit 36 that moves the surface treatment liquid supply mechanism 35 in the horizontal direction.

ところで、本願で洗浄液とは、薬液やリンス液のことを意味している。そして、薬液としては、例えば、希フッ酸などを用いることができる。他方、リンス液としては、例えば、純水(DIW)などを用いることができる。   By the way, in the present application, the cleaning liquid means a chemical liquid or a rinsing liquid. And as a chemical | medical solution, dilute hydrofluoric acid etc. can be used, for example. On the other hand, pure water (DIW) etc. can be used as a rinse liquid, for example.

また、図1に示すように、支持台10は中空構造となっており、支持台10の中空内には、リフトピン41を有するリフトピンプレート40が配置されている。なお、このリフトピンプレート40には、リフトピンプレート40を上下方向に駆動する昇降部材(図示せず)が連結されている。また、このリフトピンプレート40も中空構造となっており、リフトピンプレート40の中空内には、支持台10の支持ピン11によって支持されたウエハWの裏面に、裏面処理液供給部32からの処理液を供給する裏面処理液供給管31が延在している。なお、本実施の形態では、裏面処理液供給部32と裏面処理液供給管31とから、裏面処理液供給機構30が構成されている。   As shown in FIG. 1, the support base 10 has a hollow structure, and a lift pin plate 40 having lift pins 41 is disposed in the hollow of the support base 10. The lift pin plate 40 is connected to an elevating member (not shown) that drives the lift pin plate 40 in the vertical direction. The lift pin plate 40 also has a hollow structure. In the hollow of the lift pin plate 40, the processing liquid from the back surface processing liquid supply unit 32 is provided on the back surface of the wafer W supported by the support pins 11 of the support 10. The back surface treatment liquid supply pipe 31 for supplying the liquid is extended. In the present embodiment, the back surface treatment liquid supply mechanism 30 includes the back surface treatment liquid supply unit 32 and the back surface treatment liquid supply pipe 31.

また、図2に示すように、ウエハWの周縁外方であって、支持ピン11によって支持されたウエハWと同程度の高さの位置には、ウエハWの裏面を経て周縁部に達した処理液、および、ウエハWの表面を経て周縁部に達した処理液を案内する第一ガイド部材21が、間隙Gを介して配置されている。 Further, as shown in FIG. 2, the outer edge of the wafer W is located outside the periphery of the wafer W and at the same height as the wafer W supported by the support pins 11, and reaches the periphery through the back surface of the wafer W. treatment liquid, and the first guide member 21 for guiding the process liquid reaching the peripheral portion through the surface of the wafer W are arranged with a gap G 0.

また、支持台10は、図2に示すように、支持台10とウエハWの裏面との間の間隙を、ウエハWの中心部から周縁部へ向かう方向で小さくする(G>Gとなる)加速傾斜部15を有している。 Further, as shown in FIG. 2, the support table 10 reduces the gap between the support table 10 and the back surface of the wafer W in the direction from the center of the wafer W toward the peripheral edge (G 1 > G 2 The acceleration inclination part 15 is provided.

なお、本実施の形態では、ウエハWの裏面を経て周縁部に達した処理液の流速は、ウエハWの表面を経て周縁部に達した処理液の流速よりも速くなるように(V1>V2となるように)構成されている(図2参照)。この点、例えば、裏面処理液供給機構30によって供給される処理液の量を、表面処理液供給機構35によって供給される処理液の量よりも多くすることによって、ウエハWの裏面を経て周縁部に達した処理液の流速を、ウエハWの表面を経て周縁部に達した処理液の流速よりも速くすることができる。ところで、本実施の形態では、加速傾斜部15が設けられているので、裏面処理液供給機構30によって供給される処理液の量が表面処理液供給機構35によって供給される処理液の量と同程度の場合であっても、ウエハWの裏面を経て周縁部に達した処理液の流速を、ウエハWの表面を経て周縁部に達した処理液の流速よりも速くすることができる。   In the present embodiment, the flow rate of the processing solution that has reached the peripheral portion through the back surface of the wafer W is higher than the flow rate of the processing solution that has reached the peripheral portion through the surface of the wafer W (V1> V2). (See FIG. 2). In this regard, for example, by making the amount of the processing liquid supplied by the back surface processing liquid supply mechanism 30 larger than the amount of the processing liquid supplied by the surface processing liquid supply mechanism 35, the peripheral portion passes through the back surface of the wafer W. Can be made faster than the flow rate of the processing liquid that has reached the peripheral portion through the surface of the wafer W. By the way, in the present embodiment, since the acceleration inclined portion 15 is provided, the amount of the processing liquid supplied by the back surface processing liquid supply mechanism 30 is the same as the amount of the processing liquid supplied by the surface processing liquid supply mechanism 35. Even in such a case, the flow rate of the processing liquid that reaches the peripheral portion via the back surface of the wafer W can be made faster than the flow rate of the processing liquid that reaches the peripheral portion via the surface of the wafer W.

また、図1および図2に示すように、第一ガイド部材21の周縁外方には、所定の間隔を介して、第二ガイド部材22が配置されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the second guide member 22 is disposed outside the periphery of the first guide member 21 with a predetermined interval.

なお、ウエハWを回転させるときに、当該ウエハWが遠心力によって周縁外方へ位置がずれてしまうことを防止するために、第一ガイド部材21の上面の内端部には、複数のウエハWの位置ずれ防止ガイド26が設けられている。ところで、図1には、一つの位置ずれ防止ガイド26のみが示されている。   In addition, when rotating the wafer W, in order to prevent the position of the wafer W from being shifted outward by the centrifugal force, a plurality of wafers are provided on the inner end portion of the upper surface of the first guide member 21. A W misalignment prevention guide 26 is provided. Incidentally, only one misalignment prevention guide 26 is shown in FIG.

また、図1に示すように、上方カップ2のうち表面処理液供給機構35より内方側には、ウエハWの表面の周縁部に供給された処理液がウエハWの中心部に向かって流れ込むことを防止するために、窒素ガスを供給する上方窒素ガス供給部2aが設けられている。また、下方カップ1のうち支持台10の下方には、支持台10と下方カップ1との間の間隙から処理液が流れ込むことを防止するために、窒素ガスを供給する下方窒素ガス供給部1aが設けられている。   Further, as shown in FIG. 1, the processing liquid supplied to the peripheral edge portion of the surface of the wafer W flows toward the center of the wafer W on the inner side of the surface processing liquid supply mechanism 35 in the upper cup 2. In order to prevent this, an upper nitrogen gas supply unit 2a for supplying nitrogen gas is provided. In addition, a lower nitrogen gas supply unit 1a that supplies nitrogen gas is provided below the support table 10 in the lower cup 1 in order to prevent the processing liquid from flowing into the gap between the support table 10 and the lower cup 1. Is provided.

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について述べる。   Next, the operation of the present embodiment having such a configuration will be described.

まず、昇降部材(図示せず)によって、リフトピンプレート40が上方位置(ウエハ搬送ロボット(図示せず)がウエハWを受け渡す位置)に位置づけられる(上方位置づけ工程)(図3(a)参照)。このとき、上方カップ2は上方位置に位置づけられている(図3(a)参照)。   First, the lift pin plate 40 is positioned at the upper position (position where the wafer transfer robot (not illustrated) delivers the wafer W) by the elevating member (not illustrated) (upper positioning process) (see FIG. 3A). . At this time, the upper cup 2 is positioned at the upper position (see FIG. 3A).

次に、リフトピンプレート40のリフトピン41によって、ウエハ搬送ロボットからウエハWが受け取られ、当該リフトピン41によってウエハWが支持される(第一支持工程)(図3(a)参照)。   Next, the wafer W is received from the wafer transfer robot by the lift pins 41 of the lift pin plate 40, and the wafer W is supported by the lift pins 41 (first support step) (see FIG. 3A).

次に、昇降部材によって、リフトピンプレート40が下方位置に位置づけられる(下方位置づけ工程)(図3(a)参照)。   Next, the lift pin plate 40 is positioned at the lower position by the elevating member (lower positioning step) (see FIG. 3A).

このようにリフトピンプレート40が下方位置に位置づけられる際に、支持台10の支持ピン11によって、ウエハWの裏面が支持される(第二支持工程)(図3(b)参照)。   Thus, when the lift pin plate 40 is positioned at the lower position, the back surface of the wafer W is supported by the support pins 11 of the support 10 (second support step) (see FIG. 3B).

次に、上方カップ2が下方に移動して下方位置に位置づけられて、上方カップ2と下方カップ1とが当接される(図3(b)参照)(当接工程)。このとき、上方カップ2に設けられたシール部材5によって、上方カップ2と下方カップ1との間が密封される。   Next, the upper cup 2 moves downward and is positioned at the lower position, and the upper cup 2 and the lower cup 1 are brought into contact with each other (see FIG. 3B) (contact process). At this time, the space between the upper cup 2 and the lower cup 1 is sealed by the seal member 5 provided in the upper cup 2.

次に、回転駆動部60により回転軸5が回転駆動されることによって支持台10が回転され、支持部1の支持ピン11で支持されたウエハWが回転される(図3(b)参照)(回転駆動工程)。このとき、モータ61から駆動ベルト63を介してプーリ62に駆動力が付与されることによって、回転軸5が回転駆動される。   Next, when the rotary shaft 5 is rotationally driven by the rotational drive unit 60, the support base 10 is rotated, and the wafer W supported by the support pins 11 of the support unit 1 is rotated (see FIG. 3B). (Rotation drive process). At this time, a driving force is applied from the motor 61 to the pulley 62 via the driving belt 63, whereby the rotating shaft 5 is driven to rotate.

ウエハWが支持台10の支持ピン11上に載置されると、水平方向駆動部36によって、裏面側薬液供給ノズル56aが移動されて位置決めされる(図3(b)参照)。その後、表面処理液供給機構35によって、支持台10の支持ピン11によって支持されたウエハWの表面の周縁部に処理液が供給される(表面処理液供給工程)(図3(b)参照)。   When the wafer W is placed on the support pins 11 of the support 10, the back side chemical liquid supply nozzle 56 a is moved and positioned by the horizontal direction drive unit 36 (see FIG. 3B). Thereafter, the surface treatment liquid supply mechanism 35 supplies the treatment liquid to the peripheral edge portion of the surface of the wafer W supported by the support pins 11 of the support base 10 (surface treatment liquid supply step) (see FIG. 3B). .

このとき、裏面処理液供給機構30によって、支持台10の支持ピン11によって支持されたウエハWの裏面の中心部に処理液が供給される(裏面処理液供給工程)(図3(b)参照)。なお、本実施の形態では、裏面処理液供給機構30によって供給される処理液の量は、表面処理液供給機構35によって供給される処理液の量よりも多くなっている。   At this time, the processing liquid is supplied to the center of the back surface of the wafer W supported by the support pins 11 of the support 10 by the back surface processing liquid supply mechanism 30 (back surface processing liquid supply process) (see FIG. 3B). ). In the present embodiment, the amount of the processing liquid supplied by the back surface processing liquid supply mechanism 30 is larger than the amount of the processing liquid supplied by the front surface processing liquid supply mechanism 35.

このようにウエハWの裏面の中心部に供給された処理液は、リフトピンプレート40および支持台10を順次経て、ウエハWの周縁部に達する(図3(b)参照)。このとき、処理液は、支持台10の加速傾斜部15を経るので、その流速が加速されることとなる。その後、処理液は、第一ガイド部材21に達して、この第一ガイド部材21によって案内される(案内工程)(図2参照)。   Thus, the processing liquid supplied to the central portion of the back surface of the wafer W reaches the peripheral edge of the wafer W through the lift pin plate 40 and the support 10 in order (see FIG. 3B). At this time, since the treatment liquid passes through the acceleration inclined portion 15 of the support base 10, the flow velocity is accelerated. Thereafter, the processing liquid reaches the first guide member 21 and is guided by the first guide member 21 (guide process) (see FIG. 2).

他方、ウエハWの表面の周縁部に供給された処理液は、ウエハWの周縁部と第一ガイド部材21との間の間隙Gを経て、第一ガイド部材21によって案内される(案内工程)(図2参照)。 On the other hand, the processing liquid supplied to the peripheral portion of the surface of the wafer W is guided by the first guide member 21 through the gap G 0 between the peripheral portion of the wafer W and the first guide member 21 (guide process). (See FIG. 2).

このとき、本実施の形態によれば、ウエハWの周縁外方に間隙Gを介して第一ガイド部材21が配置され、かつ、ウエハWの裏面を経て周縁部に達した処理液の流速が、ウエハWの表面を経て周縁部に達した処理液の流速よりも速くなっている(V1>V2となっている)(図2参照)。このため、ウエハWと第一ガイド部材21との間の間隙Gで、ウエハWの裏面側に処理液を引き込む吸引効果を発生させることができる。この結果、ウエハWの裏面に供給された処理液が、ウエハWの周縁部で、処理液の表面張力によってウエハWの表面側に回り込むことを確実に防止することができ、ウエハWの周縁部の表面を精度良く処理することができる。 At this time, according to the present embodiment, the first guide member 21 is disposed outside the periphery of the wafer W via the gap G 0 , and the flow velocity of the processing liquid that has reached the periphery via the back surface of the wafer W However, it is faster than the flow rate of the processing liquid that has reached the peripheral edge through the surface of the wafer W (V1> V2) (see FIG. 2). For this reason, the suction effect of drawing the processing liquid to the back side of the wafer W can be generated in the gap G 0 between the wafer W and the first guide member 21. As a result, it is possible to reliably prevent the processing liquid supplied to the back surface of the wafer W from entering the front surface side of the wafer W due to the surface tension of the processing liquid at the peripheral edge of the wafer W. Can be processed with high accuracy.

すなわち、従来の液処理装置においては、ウエハの裏面に供給された処理液が、ウエハの周縁部で、処理液の表面張力によって被処理体の表面側に回り込むことがあるので、処理液がウエハの周縁部の表面に予定外の処理を施してしまい、周縁部の表面を精度良く処理できないことがある。   That is, in the conventional liquid processing apparatus, the processing liquid supplied to the back surface of the wafer may wrap around the surface of the object to be processed due to the surface tension of the processing liquid at the peripheral edge of the wafer. The surface of the peripheral portion may be subjected to unscheduled processing, and the surface of the peripheral portion may not be accurately processed.

これに対して、本実施の形態によれば、ウエハWと第一ガイド部材21との間の間隙Gで、ウエハWの裏面側に処理液を引き込む吸引効果を発生させることができる。このため、ウエハWの裏面に供給された処理液が、ウエハWの周縁部で、処理液の表面張力によってウエハWの表面側に回り込むことを確実に防止することができる。この結果、ウエハWの周縁部の表面を精度良く処理することができる。 On the other hand, according to the present embodiment, it is possible to generate a suction effect that draws the processing liquid to the back surface side of the wafer W in the gap G 0 between the wafer W and the first guide member 21. For this reason, it is possible to reliably prevent the processing liquid supplied to the back surface of the wafer W from flowing around to the front surface side of the wafer W due to the surface tension of the processing liquid at the peripheral portion of the wafer W. As a result, the peripheral surface of the wafer W can be processed with high accuracy.

さらに、本実施の形態では、裏面処理液供給機構30によって供給される処理液の量が、表面処理液供給機構35によって供給される処理液の量よりも多くなっているだけではなく、処理液が支持台10の加速傾斜部15で加速されるので、ウエハWの裏面を経て周縁部に達した処理液の流速をさらに速くすることができる(図2参照)。このため、ウエハWの裏面側に処理液を引き込む吸引効果を、さらに強くすることができる。この結果、ウエハWの周縁部の表面を、さらに精度良く処理することができる。   Further, in the present embodiment, the amount of the processing liquid supplied by the back surface processing liquid supply mechanism 30 is not only larger than the amount of the processing liquid supplied by the surface processing liquid supply mechanism 35, but the processing liquid Is accelerated by the accelerating inclined portion 15 of the support 10, the flow rate of the processing solution that has reached the peripheral portion through the back surface of the wafer W can be further increased (see FIG. 2). For this reason, the suction effect of drawing the processing liquid to the back side of the wafer W can be further enhanced. As a result, the surface of the peripheral portion of the wafer W can be processed with higher accuracy.

なお、ウエハWの表面の周縁部に供給された処理液のうち、ウエハWと第一ガイド部材21との間の間隙G内に吸引されなかった処理液は、第二ガイド部材22によって案内される(図2参照)。 Of the processing liquid supplied to the peripheral edge of the surface of the wafer W, the processing liquid that has not been sucked into the gap G 0 between the wafer W and the first guide member 21 is guided by the second guide member 22. (See FIG. 2).

また、図2に示すように、支持ピン11の先端はR形状からなっているので、処理液のリンス液によってすすぎやすくなっており、次回以降に処理するウエハWに悪影響を及ぼすことを防止することができる。   Also, as shown in FIG. 2, since the tip of the support pin 11 has an R shape, it is easy to rinse with the rinsing liquid of the processing liquid, thereby preventing adverse effects on the wafer W to be processed next time. be able to.

このようにして供給された処理液は、排出管(図示せず)によって、液処理装置の外方に排出される。   The processing liquid supplied in this way is discharged out of the liquid processing apparatus by a discharge pipe (not shown).

上述のようにウエハWの表面の周縁部と、ウエハWの裏面の処理液による処理が終了すると、処理液の供給が停止される。その後、回転駆動部60によってウエハWが高速に回転され、ウエハWの周縁部が乾燥される(乾燥工程)(図3(b)参照)。   As described above, when the processing with the processing liquid on the periphery of the front surface of the wafer W and the back surface of the wafer W is completed, the supply of the processing liquid is stopped. Thereafter, the wafer W is rotated at a high speed by the rotation driving unit 60, and the peripheral portion of the wafer W is dried (drying step) (see FIG. 3B).

次に、上方カップ2が上方に移動して上方位置に位置づけられる(図3(a)参照)(離隔工程)。   Next, the upper cup 2 moves upward and is positioned at the upper position (see FIG. 3A) (separation step).

次に、昇降部材によって、リフトピンプレート40が上方位置に位置づけられる(上方位置づけ工程)(図3(a)参照)。このようにリフトピンプレート40が上方位置に位置づけられる際に、支持台10の支持ピン11に載置されたウエハWが、リフトピンプレート40のリフトピン41によって支持されて上昇される(図3(a)参照)。   Next, the lift pin plate 40 is positioned at the upper position by the elevating member (upper positioning step) (see FIG. 3A). Thus, when the lift pin plate 40 is positioned at the upper position, the wafer W placed on the support pins 11 of the support base 10 is supported and lifted by the lift pins 41 of the lift pin plate 40 (FIG. 3A). reference).

次に、リフトピンプレート40のリフトピン41上のウエハWが、ウエハ搬送ロボット(図示せず)によって受け取られ、当該リフトピン41からウエハWが取り除かれる(除去工程)(図1および図3参照)。   Next, the wafer W on the lift pins 41 of the lift pin plate 40 is received by a wafer transfer robot (not shown), and the wafer W is removed from the lift pins 41 (removal process) (see FIGS. 1 and 3).

ところで、本実施の形態においては、上述した液処理方法の各工程に関する情報が記憶媒体52に記憶されている(図1参照)。そして、液処理装置は、記憶媒体52を受け付けるコンピュータ55と、当該コンピュータ55からの信号を受けて液処理装置を制御する制御部50とを備えている。このため、この記憶媒体52をコンピュータ55に挿入することで、制御部50によって、上述した一連の液処理方法を当該液処理装置10に実行させることができる(図1参照)。   By the way, in this Embodiment, the information regarding each process of the liquid processing method mentioned above is memorize | stored in the storage medium 52 (refer FIG. 1). The liquid processing apparatus includes a computer 55 that receives the storage medium 52 and a control unit 50 that receives the signal from the computer 55 and controls the liquid processing apparatus. For this reason, by inserting the storage medium 52 into the computer 55, the liquid processing apparatus 10 can execute the series of liquid processing methods described above by the control unit 50 (see FIG. 1).

本発明の実施の形態による液処理装置の構成を示す側方断面図。The side sectional view showing the composition of the liquid processing device by the embodiment of the invention. 本発明の実施の形態による液処理装置の加速傾斜部近辺を拡大した側方断面図。The sectional side view which expanded the acceleration inclination part vicinity of the liquid processing apparatus by embodiment of this invention. 本発明の実施の形態による液処理装置の駆動態様を示す側方断面図。The side sectional view showing the drive mode of the liquid processing apparatus by the embodiment of the invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 下方カップ
2 上方カップ
5 シール部材
10 支持台(支持部)
11 支持ピン
15 加速傾斜部
21 第一ガイド部材
22 第二ガイド部材
26 位置ずれ防止ガイド
30 裏面処理液供給機構
35 表面処理液供給機構
50 制御部
52 記憶媒体
55 コンピュータ
60 回転駆動部
W ウエハ(被処理体)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lower cup 2 Upper cup 5 Seal member 10 Support stand (support part)
11 Support pin 15 Acceleration inclined portion 21 First guide member 22 Second guide member 26 Position shift prevention guide 30 Back surface treatment liquid supply mechanism 35 Surface treatment liquid supply mechanism 50 Control unit 52 Storage medium 55 Computer 60 Rotation drive unit W Wafer (covered) Processing body)

Claims (5)

被処理体を支持する支持部と、
前記支持部を回転させる回転駆動部と、
前記支持部によって支持された前記被処理体の表面の周縁部に向かって処理液を供給する表面処理液供給機構と、
前記支持部によって支持された前記被処理体の裏面に処理液を供給する裏面処理液供給機構と、
前記被処理体の周縁外方に間隙を介して配置された第一ガイド部材と、を備え、
前記被処理体の裏面を経て周縁部に達した処理液の流速は、前記被処理体の表面を経て周縁部に達した処理液の流速よりも速くなっていることを特徴とする液処理装置。
A support part for supporting the object to be processed;
A rotation drive unit for rotating the support unit;
A surface treatment liquid supply mechanism for supplying a treatment liquid toward the peripheral edge of the surface of the object to be processed supported by the support part;
A back surface treatment liquid supply mechanism for supplying a treatment liquid to the back surface of the object to be processed supported by the support unit;
A first guide member disposed outside the periphery of the object to be processed via a gap,
A liquid processing apparatus characterized in that the flow rate of the processing liquid reaching the peripheral portion via the back surface of the target object is faster than the flow rate of the processing liquid reaching the peripheral portion via the surface of the target object. .
前記支持部は、該支持部と前記被処理体の裏面との間の間隙を、該被処理体の中心部から周縁部へ向かう方向で小さくする加速傾斜部を有することを特徴とする請求項1に記載の液処理装置。   The said support part has an acceleration inclination part which makes the clearance gap between this support part and the back surface of the said to-be-processed object small in the direction which goes to the peripheral part from the center part of this to-be-processed object. The liquid processing apparatus according to 1. 前記第一ガイド部材の周縁外方に配置された第二ガイド部材をさらに備えたことを特徴とする請求項1または2のいずれか1項に記載の液処理装置。   The liquid processing apparatus according to claim 1, further comprising a second guide member disposed outside the periphery of the first guide member. 前記第一ガイド部材の上面に、複数の位置ずれ防止ガイドが設けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の液処理装置。   The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein a plurality of misalignment prevention guides are provided on an upper surface of the first guide member. 支持部によって、被処理体を支持する支持工程と、
回転駆動部によって、前記支持部を回転させる回転駆動工程と、
表面処理液供給機構によって、前記支持部によって支持された前記被処理体の表面の周縁部に向かって処理液を供給する表面処理液供給工程と、
裏面処理液供給機構によって、前記支持部によって支持された前記被処理体の裏面に処理液を供給する裏面処理液供給工程と、
前記被処理体の周縁外方に間隙を介して配置された第一ガイド部材によって、前記被処理体の裏面を経て周縁部に達した処理液、および、記被処理体の表面を経て周縁部に達した処理液を案内する案内工程と、を備え、
前記被処理体の裏面を経て周縁部に達した処理液の流速は、前記被処理体の表面を経て周縁部に達した処理液の流速よりも速くなっていることを特徴とする液処理方法。
A supporting step of supporting the object to be processed by the support unit;
A rotation drive step of rotating the support portion by a rotation drive portion;
A surface treatment liquid supply step of supplying a treatment liquid toward a peripheral portion of the surface of the object to be processed supported by the support portion by a surface treatment liquid supply mechanism;
A back surface treatment liquid supply step of supplying a treatment liquid to the back surface of the object supported by the support portion by a back surface treatment liquid supply mechanism;
The first guide member disposed outside the periphery of the object to be processed with a gap therebetween, the processing liquid reaching the periphery via the back surface of the object to be processed, and the periphery via the surface of the object to be processed And a guide step for guiding the processing liquid that has reached
A liquid processing method characterized in that the flow rate of the processing liquid reaching the peripheral portion through the back surface of the target object is faster than the flow rate of the processing liquid reaching the peripheral portion through the surface of the target object. .
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