JP4922977B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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実施例1
(1−1)陰極基板の作製
陰極支持フィルム(陰極基材)として厚み100μmのポリエチレンナフタレート(PEN)フィルムの両面に、予めバリア層としてSiO2、SiNを製膜し、更に片面にサブ電極層としてAgを200nmの厚みに真空製膜した。次にサブ電極層の上にパターン形成層を以下のように作製した。
陽極基材として厚み220μmのポリエチレンナフタレート(PEN)フィルムを用い、このフィルムの両面に、予めバリア層としてSiO2、SiNを製膜し、更に片面に陽極としてインジウム錫酸化物(ITO)を150nmの厚みに製膜して陽極基板とした。
上記陽極基板を純水、有機アルカリ洗浄液(フルウチ化学社製:セミコクリーン)、純水、アセトン溶液の順に各5分間、超音波洗浄を行った。その後、UVオゾン洗浄器で30分間処理した。
上記の洗浄した陽極基板の陽極の表面に、正孔輸送層形成用の塗布液〔PEDOT:PSS水溶液(スタルク社製)をIPAで希釈したもの〕をスピンコートにより回転数2000rpm×60秒の条件で塗布し、120℃のオーブンで30分間乾燥し、厚み100nmの正孔輸送層を形成した。
上記陽極基板の正孔輸送層の表面に、発光層材料としてポリフルオレン系発光材料(ガラス転移温度:116℃、DSC法)を厚み80nmになるようにスピンコート法で塗布し、乾燥させ、発光層をベタ一面に形成した。
上記上記(1−1)の陰極基板と(1−5)の正孔輸送層と発光層が設けられた陽極基板とを、発光層と本電極層とが接するように重ね合わせ、温度が140℃に設定された2本の加熱ロールの間を通過させ、ロール圧力2MPaで陽極基板と陰極基板とを加圧して、両者を接合すると共に、加圧の圧力により本電極層のパターン形成層と接する部分が亀裂部として形成された実施例1の有機EL素子を得た。
陰極支持フィルム(陰極基材)のサブ電極層上に、パターン形成層を以下の転写法により形成し、パターン形成層の上に本電極層を作製して陰極基材を得た以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を得た。
2 陽極基材
3 陽極
4 正孔輸送層
5 発光層
6 パターン形成層
7 陰極
71 サブ電極層
72 本電極層
8 陰極基材
11 陽極基板(第1の基板)
12 陰極基板(第2の基板)
13 有機物層
14 亀裂部
Claims (5)
- 陽極と陰極との間に少なくとも発光層を含む有機物層が挟持され、前記有機物層と一方の電極が第1の基材に形成された第1の基板と、他方の電極が第2の基材に形成された第2の基板とを貼り合わせることで得られる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、少なくとも陰極又は陽極がサブ電極層と本電極層とからなり、前記サブ電極層と本電極層との間に素子の非発光パターンからなるパターン形成層が設けられ、前記サブ電極層が前記基材側に形成され、前記パターン形成層の本電極層の部分に亀裂部が形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記パターン形成層が、前記第2の基板側に形成されていることを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記パターン形成層が、樹脂層であることを特徴とする請求項1又は2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 第1の基板の電極が陽極であり、第2の基板の電極が陰極であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 有機物層が、発光層と正孔輸送層とから構成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1に記載の有機エレクトロルミネッセンッス素子。
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