JP4990866B2 - 磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置 - Google Patents

Description

本発明は、ハードディスク装置等に用いられる磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置に関するものである。

近年、磁気ディスク装置、フロッピー（登録商標）ディスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録再生装置の適用範囲は著しく増大され、その重要性が増すと共に、これらの装置に用いられる磁気記録媒体について、その記録密度の著しい向上が図られつつある。
特に、ＭＲヘッド（磁気抵抗効果型ヘッド）およびＰＲＭＬ（Ｐａｒｔｉａｌ Ｒｅｓｐｏｎｓｅ Ｍａｘｉｍｕｍ Ｌｉｋｅｌｉｈｏｏｄ）技術の導入以来、面記録密度の上昇がさらに激しさを増している。近年では、さらにＧＭＲヘッド（巨大磁気抵抗効果型ヘッド）やＴＭＲヘッド（トンネル磁気抵抗型ヘッド）なども導入され、１年に約５０％ものペースで記録密度の増加が続いている。

これらの磁気記録媒体については、今後さらに記録密度を向上させることが要求されている。その要求に対応するために、磁気記録層の高保磁力化と高信号対雑音比（ＳＮ比）、高分解能を達成することが望まれている。
また、近年、面記録密度を高めるために、媒体の絶対膜厚が薄くなってきている。しかし、媒体の絶対膜厚を薄くすると、熱的擾乱によって記録磁化が弱められる現象が顕著になる。このため、媒体の膜厚が薄くなるのに伴って、記録の熱的安定性が大きな技術的課題となってきている。

しかしながら、以下に示すように、熱的安定性は、ＳＮ比を改善することにより低下しやすいものである。すなわち、ＳＮ比に優れた媒体は、磁性層を構成する磁性粒子の結晶粒サイズが微細であることが多い。磁性層を構成する磁性粒子の結晶粒サイズが微細であると、媒体ノイズに有効である反面、磁性の熱的安定性が不安定となりやすい。したがって、ＳＮ比と熱的安定性の両方を向上させることは困難であり、磁気記録媒体の開発の目標となっている。

また、近年、線記録密度の向上と同時にトラック密度の増加によって面記録密度を上昇させようとする努力が続けられている。トラック密度は、最新の磁気記録装置においては１１０ｋＴＰＩにも達している。しかし、トラック密度を上げていくと、隣接するトラック間の磁気記録情報が互いに干渉し合い、その境界領域の磁化遷移領域がノイズ源となりＳＮ比を損なうという問題が生じやすくなる。このことはそのままビットエラーレート（Ｂｉｔ Ｅｒｒｏｒ ｒａｔｅ）の低下につながるため、記録密度の向上に対して障害となっている。

また、トラック密度が高くなるとトラック間距離が近づくため、磁気記録装置には極めて高精度のトラックサーボ技術が用いられている。さらに、隣接トラックからの影響をできるだけ排除するために、記録を幅広く実行し、再生を記録時よりも狭く実行する方法が一般的に用いられている。この方法によれば、トラック間の影響を最小限に抑えることができる。その反面この方法では、再生出力を十分に得ることが困難となるので、十分なＳＮ比を確保することが難しいという問題がある。

また、近年、磁気記録媒体を高記録密度化する技術として、ディスク表面に対して垂直方向に記録層を磁化してデータを記録する垂直磁気記録媒体が用いられている。垂直磁気記録媒体においても、さらに記録密度を向上させるためには、トラック密度を増加する必要がある。垂直磁気記録媒体においても、ディスク表面に対して平行に記録層を磁化してデータを記録する面内磁気記録媒体と同様に、トラック密度を増加させると、記録部分の端部の書きにじみ（フリンジ）が生じる。フリンジを解決する技術としては、隣接する記録トラック同士の干渉を防ぐディスクリートトラック媒体や、任意の形状のパターンを規則的に並べたビットパターンド媒体が提案されている。

例えば、特許文献１には、記録部分を凸部、ガードバンド部を凹部としたディスクリートトラック媒体が記載されている。しかしながら、凹部からなるガードバンド部を設けた場合、ディスク表面に深い凹凸部が存在することになる。ディスク表面に深い凹凸部が存在すると、記録再生ヘッドの浮上特性に影響を与えるという問題が生じるため好ましくない。

凹部からなるガードバンド部を設けた場合におけるディスク表面の凹凸部に起因する問題を解決する技術として、記録トラック部間をガードバンド部材で満たし、ディスク表面を平坦としたディスクリート媒体が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２には、ガードバンド部材として、酸化物、窒化物、炭化物、硼化物、重合化合物が例示されている。さらに、特許文献２には、記録トラック部間をガードバンド部材で満たす方法として、記録トラック部間が完全に埋まるまでガードバンド部材をスパッタした後、ディスク表面を研磨して平坦化し、表面に記録トラック部があらわれたディスクとする方法が記載されている。

また、特許文献３には、凹凸パターンの凹部が非磁性材料で充填された磁気記録媒体が記載されている。特許文献３には、表面が凹凸パターンとされた被加工体の表面上に流動性を有する材料の層を形成する工程を含むことにより、表面が充分に平坦な磁気記録媒体を製造する技術が記載されている。さらに、特許文献３には、非磁性材の流動性を有する材料として、Ｉｎ（インジウム）や紫外線硬化性樹脂が記載されている。

また、特許文献４には、光硬化反応を生じる機能を有する高分子ケイ素化合物を含むナノインプリント用の膜形成組成物が記載されている。さらに、特許文献４には、高分子ケイ素化合物として、シロキサン系高分子化合物を用いることや、重量平均分子量が１０００以上５００００以下のものを用いることが記載されている。

また、特許文献５には、水素化シルセスキオキサンポリマーと溶媒との混合物を被加工材料表面に塗布後、その塗布面に微細パターンの型押しをし、溶剤の除去および加水分解硬化により被加工材料表面に微細ＳｉＯ_２パターンを形成する方法が記載されている。
特開平６−２５９７０９号公報 特開平９−９７４１９号公報 特開２００５−１００４９６号公報 特開２００７−０７２３７４号公報 特開２００３−１００６０９号公報

しかしながら、従来のディスクリートトラック媒体やビットパターン媒体では、磁気的に分離された記録層を有し、隣接する記録層間が非磁性材料で埋め込まれた表面平坦性に優れたものとする場合、製造プロセスが複雑で手間がかかるため、生産性を向上させることが要求されていた。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、ディスクリートトラック媒体またはパターン媒体の記録層として好適である磁気的に分離された複数の記録層を有し、隣接する記録層間が非磁性材料で埋め込まれた表面平坦性に優れた磁気記録媒体を容易に製造できる磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、本発明の磁気記録媒体の製造方法によって得られた磁気記録媒体を備え、高記録密度特性に優れ、安定した磁気ヘッドの浮上特性が得られる磁気記録再生装置を提供することを目的とする。

本願発明者は上記課題を解決すべく、鋭意努力検討した。その結果、ディスクリートトラック媒体またはパターン媒体を製造する際に、記録層となる磁性層上にレジストパターンを形成して磁性層のパターニングを行い、その後、レジストパターンを溶融して溶融レジストとし、磁性層のパターニングにより形成された凹部内に溶融レジストを埋め込み、硬化させて分離層を形成する方法により、分離層によって磁気的に分離された複数の記録層を容易に形成できることを見出し、本願発明を想到した。
さらに、本願発明者は検討を重ね、レーザー照射を用いてレジストパターンを溶融することにより、高速で効率よくレジストパターンを溶融できることを見出した。
また、本願発明者は、レジストパターンとして用いることができるとともに、凹部内に容易に埋め込むことができる分離層の材料について鋭意検討を重ね、分離層の材料として熱可塑性の有機ケイ素化合物を用いることが好ましいことを見出した。

（１）非磁性基板上に磁性層を形成し、前記磁性層上に非磁性材料からなるレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンから露出している前記磁性層を除去することにより、分離層になる凹部と、前記凹部によって平面視で磁気的に分離された複数の記録層とを形成する工程と、前記レジストパターンを溶融して溶融レジストとし、前記溶融レジストを前記凹部内に埋め込んで硬化させることにより分離層を形成する工程とを備えることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（２）レーザー光を照射することにより、前記レジストパターンを溶融することを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（３）前記分離層を形成した後に、レーザー光を用いて表面検査を行う工程を備えることを特徴とする（２）記載の磁気記録媒体の製造方法。
（４）前記レジストパターンが、熱可塑性を有する有機ケイ素化合物からなるものであることを特徴とする（１）〜（３）の何れか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。

（５）前記有機ケイ素化合物が、下記一般式（１）で表されるシルセスキオキサン化合物を含むことを特徴とすることを特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
Ｒ^１Ｒ^２Ｓｉ_２Ｏ_３ ・・・（１）
（上記一般式（１）において、Ｒ^１およびＲ^２は、置換されていてもよい炭素数１〜８のアルキル基、置換されていてもよい炭素数２〜８のアルケニル基、置換されていてもよい炭素数１〜６のアルコキシ基または置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基を表す。また、Ｒ^１およびＲ^２は、同じものであってもよいし、異なるものであってもよい。）

（６）前記シルセスキオキサン化合物が、下記一般式（２）で表される構造の繰り返し単位からなり、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定した標準ポリスチレン換算の重量平均分子量が１０００〜１０００００である化合物であることを特徴とする（５）に記載の磁気記録媒体の製造方法。

（上記一般式（２）において、Ｒ^１およびＲ^２は、置換されていてもよい炭素数１〜８のアルキル基、置換されていてもよい炭素数２〜８のアルケニル基、置換されていてもよい炭素数１〜６のアルコキシ基または置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基を表す。また、Ｒ^１およびＲ^２は、同じものであってもよいし、異なるものであってもよい。）

（７）前記一般式（２）のＲ^１およびＲ^２が、メチル基またはフェニル基であることを特徴とする（６）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（８）前記シルセスキオキサン化合物が、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定した標準ポリスチレン換算の重量平均分子量が１５００〜３００００である化合物であることを特徴とする（５）〜（７）の何れか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（９）前記シルセスキオキサン化合物が、フェニルシルセスキオキサンであることを特徴とする（５）〜（８）の何れか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。

（１０）磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、前記磁気記録媒体が（１）〜（９）の何れか１項に記載の製造方法で製造されたものであることを特徴とする磁気記録再生装置。

本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基板上に磁性層を形成し、前記磁性層上に非磁性材料からなるレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンから露出している前記磁性層を除去することにより、分離層になる凹部と、前記凹部によって平面視で磁気的に分離された複数の記録層とを形成する工程と、前記レジストパターンを溶融して溶融レジストとし、前記溶融レジストを前記凹部内に埋め込んで硬化させることにより分離層を形成する工程とを備えているので、ディスクリートトラック媒体またはパターン媒体の記録層として好適である磁気的に分離された複数の記録層を有し、隣接する記録層間が非磁性材料で埋め込まれた表面平坦性に優れた磁気記録媒体を容易に製造できる生産性に優れた方法となる。

また、本発明の磁気記録再生装置は、本発明の磁気記録媒体の製造方法で製造された表面平坦性に優れ、磁気的に分離された複数の記録層を有する磁気記録媒体を備えたものであるので、高記録密度特性に優れ、安定した磁気ヘッドの浮上特性が得られるものとなる。

以下、本発明を、図面を参照して具体的に説明する。なお、本発明は、以下に説明する実施形態に限定されるものではない。
「磁気記録媒体」
図１は、本発明の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造された磁気記録媒体の一例を示した断面図であり、磁気記録媒体の一部分のみを拡大して示した拡大図である。
図１に示す磁気記録媒体１０は、円盤状であり、表面に対して垂直方向に記録層４を磁化してデータを記録する垂直磁気記録媒体であり、ディスクリートトラック媒体またはパターン媒体として好適に用いられるものである。

図１に示す磁気記録媒体１０は、円盤状の非磁性基板１の表面に設けられた軟磁性裏打ち層２と、軟磁性裏打ち層２上に設けられた配向制御層３と、ディスクリートトラック媒体における同心円状の所定幅の記録トラック部またはパターン媒体におけるビット部を構成する記録層４と、記録層４に設けられた保護層６と、隣接する記録層４同士を平面視で磁気的に分離する凹部４ａ内に埋め込まれるように形成されている分離層５とを備えている。保護層６上および分離層５上には、潤滑層（図示せず）が形成されていることが好ましい。

非磁性基板１としては、Ａｌを主成分とした例えばＡｌ−Ｍｇ合金等のＡｌ合金基板や、結晶化ガラス、アモルファスガラス、シリコン、チタン、セラミックス、カーボン、各種樹脂からなる基板など、非磁性基板であれば任意のものを用いることができる。結晶化ガラスからなる基板としては、リチウム系結晶化基板などを用いることができ、アモルファスガラスからなる基板としては、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスからなるものを挙げることができる。
非磁性基板１の平均表面粗さＲａは１ｎｍ以下、より好ましくは０．５ｎｍ以下とされる。非磁性基板１の平均表面粗さＲａを上記範囲とした場合、記録層４の垂直配向性が良好なものとなる点や、後述するインプリントプロセスにおける圧力分布が小さくなり、加工の均一性が向上する点から好ましい。また、非磁性基板１の表面の微小うねりＷａを０．３ｎｍ以下とすると、インプリント工程での圧力分布が小さくなり、加工の均一性が向上する点から好ましい。

軟磁性裏打ち層２は、軟磁性材料からなるものであればよく特に限定されないが、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉを含む材料からなるものを用いることができる。Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉを含む材料としては、ＦｅＣｏ合金（ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＺｒＢなど）、ＦｅＴａ合金（ＦｅＴａＮ、ＦｅＴａＣなど）、Ｃｏ合金（ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＢなど）を挙げることができる。

軟磁性裏打ち層２は、複数の層からなる積層構造であることが好ましい。例えば、２つの軟磁性膜の間にＲｕ、Ｒｅ、Ｃｕからなる層を設け、所定の厚さにすることにより、上下に設けられた２つの軟磁性膜を反強磁性結合させたものとすることができる。このような積層構造を有する軟磁性裏打ち層２とすることで、垂直磁気記録媒体特有の問題であるＷＡＴＥ（Ｗｉｄｅ Ａｒｅａ Ｔｒａｃｋ Ｅｒａｓｕｒｅ）の現象を改善することが可能となる。

配向制御膜３は、配向制御膜３の上に設けられる記録層４の結晶配向性や結晶サイズを制御するためのものである。配向制御膜３に用いられる材料としては、ｈｃｐ構造またはｆｃｃ構造を有するものであることが好適であり、特にＲｕが好ましい。
また、配向制御膜３の厚さは３０ｎｍ以下であることが好ましい。配向制御膜３の厚さが３０ｎｍを超えると記録再生時における磁気ヘッドと軟磁性裏打ち層２との距離が大きくなるため、ＯＷ特性（オーバーライト特性）や再生信号の分解能が低下するため好ましくない。

記録層４は、基板表面に対し垂直方向に磁化容易軸を有しているものである。記録層４を構成する材料としては、公知のものを使用できるが、グラニュラー構造の磁性合金を用いることが好ましい。特に、記録層４を構成する材料として、少なくともＣｏとＰｔと酸化物とを含んだグラニュラー構造の磁性材料を用いることが好ましく、さらにＳＮＲ特性改善などの目的で、これにＣｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒなどの元素を添加することが好ましい。

記録層４をグラニュラー構造の磁性層とする場合に用いられる酸化物としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｏＯ、Ｔａ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２などを挙げることができる。記録層４中における酸化物の体積率は１５〜４０体積％であることが好ましい。酸化物の体積率が１５体積％未満であると、ＳＮＲ特性が不十分となるため好ましくない。酸化物の体積率が４０体積％を超えると、高記録密度に対応するだけの保磁力を得ることができない場合があるため好ましくない。

また、記録層４のニュークリエーション磁界（−Ｈｎ）は１．５（ｋＯｅ）以上であることが好ましい。−Ｈｎが１．５（ｋＯｅ）未満であると、熱揺らぎが発生するので好ましくない。
記録層４の厚さは６〜１８ｎｍであることが好ましい。記録層４の厚さがこの範囲であると、十分な出力を確保することができ、ＯＷ特性の悪化が生じないため好ましい。

分離層５を構成する材料としては、非磁性材料を用いることができ、具体的には工業的に使用されている熱可塑性を有するフォトレジストや、熱可塑性を有する有機ケイ素化合物などを用いることができる。中でも特に、分離層５を構成する材料として、熱可塑性を有する有機ケイ素化合物を用いることが好ましい。熱可塑性の有機ケイ素化合物は、分子量が大きいにもかかわらず粘性が低く、また、硬化時の収縮も少ないため好ましい。

有機ケイ素化合物としては、下記一般式（１）で表されるシルセスキオキサン化合物を含むものを用いることがより好ましい。
Ｒ^１Ｒ^２Ｓｉ_２Ｏ_３ ・・・（１）
上記一般式（１）において、Ｒ^１およびＲ^２は、置換されていてもよい炭素数１〜８のアルキル基、置換されていてもよい炭素数２〜８のアルケニル基、置換されていてもよい炭素数１〜６のアルコキシ基または置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基を表す。また、Ｒ^１およびＲ^２は、同じものであってもよいし、異なるものであってもよい。

また、上記一般式（１）において、Ｒ^１およびＲ^２は、置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基、置換されていてもよい炭素数２〜４のアルケニル基、置換されていてもよい炭素数１もしくは２のアルコキシ基または置換されていてもよい炭素数６もしくは７のアリール基であることが好ましい。
さらに、上記一般式（１）において、Ｒ^１およびＲ^２は、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜４のアルケニル基または炭素数６もしくは７のアリール基であることが、シルセスキオキサン化合物の流動性及び凹凸パターンの矩形性保持の点からより好ましい。

また、置換基としては、ハロゲン原子およびヒドロキシル基などが挙げられる。
上記Ｒ^１およびＲ^２となる炭素数１〜８のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基およびブチル基を例示でき、炭素数２〜８のアルケニル基としてはビニル基、アリル基およびブテニル基を例示でき、炭素数１〜６のアルコキシ基としては、メトキシ基およびエトキシ基を例示でき、炭素数６〜１０のアリール基としてはフェニル基およびトリル基を例示できる。この中でも特に、上記Ｒ^１およびＲ^２が、フェニル基およびメチル基であることが、スタンパーによる型押し時に薄膜の矩形を保持する能力の点で好ましい。

また、シルセスキオキサン化合物は、上記一般式（２）で表される構造の繰り返し単位からなり、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定した標準ポリスチレン換算の重量平均分子量が１０００〜１０００００である化合物であることが、シルセスキオキサン化合物の流動性及び凹凸パターンの矩形性保持の点から望ましい。
なお、上記一般式（２）において、Ｒ^１およびＲ^２は、上記一般式（１）におけるＲ^１およびＲ^２と同じである。

これらのシルセスキオキサン化合物は、公知の方法で合成することができる。例えば、ケトン又はエーテル溶媒中に、アミンの存在下でメチルトリクロロシランを加え、低温で水を滴下してメチルトリクロロシランを加水分解し、更にその加水分解物を縮合させることにより、ポリメチルシルセスキオキサンを合成することができる（例えば、特公平１−４３７７３号公報参照）。
また、例えば、水と有機溶剤の二層が形成された混合液にアルカリ金属カルボン酸塩と低級アルコールを溶存させ、この系内にメチルトリクロロシランを滴下して、メチルトリクロロシランを加水分解し、更に加水分解物を縮合させることにより、ポリメチルシルセスキオキサンを合成することができる（例えば、特許２９７７２１８号公報参照）。

また、例えば、フェニルトリクロロシランを加水分解してプレポリマー又はフェニルシラントリオールを得て、更にトルエン溶媒中、塩基性触媒の存在下で、縮合反応により生成する水を共沸で系外に除去しながら前記プレポリマー又はフェニルシラントリオールを縮合させることにより、ポリフェニルシルセスキオキサンを合成することができる（例えば、特公平３−６０３３６号公報および特開平８−１４３５７８号公報参照）。
また、例えば、水と有機溶剤の二層が形成された混合液に、アルカリ金属カルボン酸塩と低級脂肪族アルコールを溶存させ、この系内にフェニルトリクロロシランを滴下して加水分解し、更に縮合させることにより、有機溶媒との相溶性が優れ、分子量分布が狭い低分子量のポリフェニルシルセスキオキサンを合成することができる（例えば、特開平５−３９３５７号公報参照）。

更に、メチルトリエトキシシランとフェニルトリメトキシシランを酸性触媒の存在下で加水分解して得られるプレポリマーを、メチルイソブチルケトン溶媒中、塩基性触媒の存在下で縮合させることにより、超高分子量のポリメチルフェニルシルセスキオキサンを合成することができる（例えば、特許３２７２００２号公報参照）。
以上説明したように、本発明において好ましく用いられるシルセスキオキサン化合物は、種々の公知の方法により製造することができ、また市販もされている。

これらのシルセスキオキサン化合物は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定した標準ポリスチレン換算の重量平均分子量が、通常１０００〜１０００００であり、１５００〜３００００であることが好ましい。重量平均分子量が１０００よりも低いとナノインプリント後の薄膜（レジスト）の熱安定性が悪いことがあり、ダレ等の問題を生じることがある。また、重量平均分子量が１０００００よりも高いと、被加工材料表面に塗布するレジスト溶液の流動性が低くなり、インプリント時に過度の圧力が必要となり、原盤(スタンパー)等の寿命が短くなってしまうことがある。

保護層６としては、ダイヤモンド状炭素（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）などの炭素（Ｃ）、水素化炭素（ＨｘＣ）、窒素化炭素（ＣＮ）、アルモファスカーボン、炭化珪素（ＳｉＣ）等の炭素質層やＳｉＯ_２、Ｚｒ_２Ｏ_３、ＴｉＮなど、一般的に磁気記録媒体の保護層として使用されているものを用いることができる。
また、保護層６は、単層であってもよいし、２層以上の層から構成されていてもよい。保護層６の膜厚は、１〜１０ｎｍ、特に１〜５ｎｍとすることが好ましい。保護層６の膜厚は、十分な耐久性を確保できる範囲でできるだけ薄くすることが好ましい。

潤滑層（図示せず）に用いる潤滑剤としては、フッ素系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤及びこれらの混合物等が挙げられる。また、潤滑層は、通常１〜４ｎｍの厚さで形成される。

「磁気記録媒体の製造方法」
次に、本発明の磁気記録媒体の製造方法の一例として、図２を用いて図１に示す磁気記録媒体の製造方法を説明する。図２は、図１に示す磁気記録媒体の製造方法の一例を説明するための工程図である。
図１に示す磁気記録媒体を製造するには、まず、図２（ａ）に示すように、非磁性基板１上に、軟磁性裏打ち層２と、配向制御層３と、記録層４となる磁性層７とを、例えばプラズマＣＶＤ法やスパッタ法などの薄膜形成技術を用いてこの順で形成し、磁性層７の上にプラズマＣＶＤ法などの薄膜形成技術を用いて保護層６を形成する。

次いで、保護層６上にレジストパターン８となるレジスト溶液を塗布する。レジスト溶液を塗布する際には、薄く均一に塗布できるスピンコート法やディップコートなどを用いることが好ましい。なお、レジスト溶液の塗布量や塗布厚は、レジスト溶液の材質や分離層５となる凹部４ａ内の体積およびスタンパーの体積に応じて決定され、記録層４の上面と分離層５の上面とが略水平になるように適宜調整される。
その後、レジスト溶液中に含まれる余分な溶媒等を除去するために、必要に応じて恒温槽やオーブンなどを用いて焼成を行う。ここでの焼成温度や時間などについては、使用するレジスト溶液の性質に合わせて適宜調整することができる。

ここで用いられるレジスト溶液は、熱可塑性を有する非磁性材料を含むものであり、工業的に使用されている熱可塑性を有するフォトレジストや、熱可塑性を有する有機ケイ素化合物を含むものすることができるが、熱可塑性を有する有機ケイ素化合物を含むものであることが好ましい。
熱可塑性を有する有機ケイ素化合物としては、上記一般式（１）で表されるシルセスキオキサン化合物を含むものを用いることがより好ましい。

また、レジスト溶液には、レジスト溶液の塗布性を向上させるために、必要に応じて溶媒が添加されていてもよい。ここで用いられる溶媒としては、例えば、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、トルエンおよびキシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル系溶媒、２−プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のアルコール系溶媒などを挙げることができる。
ここでの溶媒の使用量は、溶媒１００質量％に対してシルセスキオキサン化合物を１〜４０質量％、好ましくは３〜６質量％となるような量とする。

次に、ディスクリートトラック媒体における同心円状の所定幅の記録トラック部の形状またはパターン媒体におけるビット部の形状に応じて形成された凹凸部を有するスタンパーを、レジスト溶液の塗布された保護層６上に密着させて高圧でプレスする（以下、この工程を「インプリントプロセス」と呼ぶ）。このことにより、図２（ａ）に示すように、ディスクリートトラック媒体における同心円状の所定幅の記録トラック部の形状またはパターン媒体におけるビット部の形状に対応する凹部８ｃを有するレジスト層８ａが形成される。

インプリントプロセスで用いるスタンパーは、金属プレートに電子線描画などの方法を用いて微細なパターンを形成したものである。スタンパーを構成する材料としては、インプリントプロセスに耐えうる硬度および耐久性を有するＮｉなどが好ましく使用されるが、前述の目的に合致するものであれば材料は問わない。

次に、レジスト層８ａの凹部８ｃの底面に残存する部分を、イオンビームエッチングやイオンミリングなどのドライエッチング法や反応性イオンエッチング法などを用いて除去し、図２（ｂ）に示すように、凹部８ｃの底面に保護層６の露出されたレジストパターン８ｂを形成する。
続いて、イオンビームエッチングなどのドライエッチング法や反応性イオンエッチング法などを用いて、図２（ｃ）に示すように、レジストパターン８ｂの凹部８ｃから露出している保護層６と、保護層６を除去することによって露出された磁性層７とを連続して除去する。このことにより、図２（ｃ）に示すように、分離層５となる凹部４ａと、凹部４ａによって平面視で磁気的に分離された複数の記録層４とが形成される。

凹部４ａの幅は、記録密度を向上させるためには狭いほど好ましいが、後述する溶融レジストを凹部４ａの奥まで緻密に隙間無く充填するためや、記録層４の分離特性を向上させるためには広いほど好ましい。また、凹部４ａの深さは、凹部４ａに対する溶融レジストの充填性の点から浅いほど好ましいが、記録層４の分離特性を向上させるためには深いほど好ましい。
本実施形態においては、例えば、凹部４ａを、最小幅が１００ｎｍ以下であって最大深さが２０ｎｍ以上である微細で深い形状とした場合であっても、溶融レジストを凹部４ａ内に容易に緻密に隙間無く充填でき、分離特性に優れ、高記録密度に対応しうる磁気記録媒体１０を実現できる。

次に、図２（ｃ）に示すレジストパターン８ｂを溶融して溶融レジストとし、溶融レジストを凹部４ａ内に埋め込んで硬化させることにより、図１に示すように、分離層５を形成する。
ここでレジストパターン８ｂを溶融するには、赤外線ヒーター等を用いてレジストパターン８ｂを外部から加熱する方法や、レーザー光をレジストパターン８ｂに照射することにより加熱する方法などを用いることができるが、レジストパターン８ｂにレーザー光を照射する方法を用いることが好ましい。レーザー光では、磁気記録媒体の表面上に形成されたレジストパターン８ｂを容易に局所的に加熱することができるので、レーザー光の照射範囲を連続的に移動させる方法により、全てのレジストパターン８ｂを効率よく溶融することができる。また、レーザー光を照射することによってレジストパターン８ｂを溶融させる場合、赤外線ヒーター等を用いて外部加熱する場合と比較して、クリーンな環境でレジストパターン８ｂを溶融させることができ、埃等を嫌う磁気記録媒体の製造方法に好適である。
ここで使用できるレーザー装置としては、ルビーレーザー、ＹＡＧレーザー、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー等の固体レーザーの他、炭酸ガスレーザー、ヘリウムネオンレーザー、アルゴンイオンレーザー、エキシマレーザー等のガスレーザーなどが挙げられる。

レジストパターン８ｂを溶融させる温度は、１８０℃〜２２０℃の範囲であることが好ましい。
レジストパターン８ｂは、溶融して溶融レジストにされると、重力および／または毛細管現象によって自己整合的に凹部４ａ内に埋め込まれる。このことにより、溶融レジストは、凹部４ａの奥まで緻密に隙間無く充填される。
また、凹部４ａに埋め込まれた溶融レジストは、室温に戻すことによって硬化する。

本実施形態においては、分離層５を形成した後に、レーザー光を用いて表面検査を行うことが好ましい。ここでの表面検査は、表面にレーザー光を照射することにより得られた反射光の散乱状態から、溶融せずに表面に残存しているレジストパターン８ｂの有無や、溶融レジストが凹部４ａ内に埋め込まれたか否か、表面の傷やパーティクル、凹凸等の欠陥の有無を検出するものである。

このような表面検査において用いられるレーザー光としては、レジストパターン８ｂの溶融に用いるレーザー光よりも弱いものが用いられる。したがって、例えば、レーザー光を用いてレジストパターン８ｂを溶融させ、その後、レーザー光を照射させるためのパワーを低下させて表面検査を行う方法により、レジストパターン８ｂの溶融と表面検査とを容易に連続して行うことができる。この場合、磁気記録媒体の製造工程における磁気記録媒体のハンドリング回数が少なくなり、磁気記録媒体の生産性をより一層を高めることができる。

その後、必要に応じて、イオンミリングなどのドライエッチング法や反応性イオンエッチング法などを用いて、分離層５の表面を平坦化するためのエッチングを行う。
その後、必要に応じて、分離層５および保護層６の表面に、潤滑剤を塗布することによって潤滑層（図示略）を形成する。
以上のようにして図１に示す本実施形態の磁気記録媒体１０が得られる。

本実施形態の磁気記録媒体１０の製造方法は、非磁性基板１上に磁性層７を形成し、磁性層７上に非磁性材料からなるレジストパターン８ｂを形成する工程と、レジストパターン８ｂから露出している磁性層７を除去することにより、分離層５になる凹部４ａと、凹部４ａによって平面視で磁気的に分離された複数の記録層４とを形成する工程と、レジストパターン８ｂを溶融して溶融レジストとし、溶融レジストを凹部４ａ内に埋め込んで硬化させることにより分離層５を形成する工程とを備えているので、磁気的に分離された複数の記録層４を有し、隣接する記録層４間が非磁性材料で埋め込まれた表面平坦性に優れた磁気記録媒体１０を容易に製造できる。

具体的には、例えば、レジストパターンから露出している磁性層を除去することにより、凹部によって磁気的に分離された複数の記録層を形成した後、レジストパターンを除去して表面全面に非磁性材料からなる層を形成し、その後、記録層上の非磁性材料を除去して凹部内にのみ非磁性材料を埋め込む場合と比較して、本実施形態の磁気記録媒体１０の製造方法では、記録層を形成した後、レジストパターンを溶融することにより凹部４ａ内に埋め込むため、製造工程を飛躍的に簡略化できる。

また、本実施形態の磁気記録媒体１０の製造方法において、レーザー光を照射することにより、レジストパターン８ｂを溶融する場合には、全てのレジストパターン８ｂを効率よく溶融することができるし、赤外線ヒーター等を用いて外部加熱する場合と比較して、クリーンな環境でレジストパターン８ｂを溶融することができる。

さらに、レーザー光を照射することによりレジストパターン８ｂを溶融し、分離層５を形成した後に、レーザー光を用いて表面検査を行う場合、レジストパターン８ｂの溶融と表面検査とを連続して行うことができ、磁気記録媒体１０の生産性をより一層を高めることができる。

また、本実施形態の磁気記録媒体１０の製造方法において、レジストパターン８ｂが、熱可塑性を有する有機ケイ素化合物からなるものである場合、以下に示す（１）〜（３）の効果が得られる。
（１）熱可塑性を有する有機ケイ素化合物の溶融レジストは、分子量が大きいにもかかわらず粘性および表面張力が低く、記録層４や保護層６を構成する材料に対する濡（ぬ）れ性が高いものである。このため、溶融レジストが、重力および／または毛細管現象によって自己整合的に凹部４ａ内に埋め込まれることにより、凹部４ａ内に緻密に隙間無く溶融レジストが充填されることになり、記録層４の周囲や凹部４ａ内に空隙を生じさせることがない。したがって、凹部４ａ内の空隙に起因する腐食が発生しにくく、高温高湿の環境において使用する場合においても、耐久性・信頼性に優れた磁気記録媒体１０が得られる。

（２）熱可塑性を有する有機ケイ素化合物の溶融レジストは、硬化時の収縮率が小さいものであるため、微細構造である記録層４に、凹部４ａ内に充填された溶融レジストを硬化させることに起因する歪みが生じにくいものとなる。したがって、高精細で高記録密度特性に優れた記録層４を容易に形成できる。

（３）熱可塑性を有する有機ケイ素化合物の溶融レジストは、凹部４ａ内に容易に緻密に隙間無く充填されるものであるので、記録層４の分離特性を向上させるとともに記録密度を向上させるために、凹部４ａの形状をより一層微細で深い形状とすることができ、分離特性に優れた記録層４を備える高記録密度特性に優れた磁気記録媒体１０を実現できる。

また、本実施形態の磁気記録媒体１０の製造方法において、レジストパターン８ｂが、熱可塑性を有する有機ケイ素化合物からなるものであり、有機ケイ素化合物が、上記一般式（１）で表されるシルセスキオキサン化合物を含むものである場合、以下に示す効果が得られる。
特に、フェニルシルセスキオキサンは、レーザー光による２５０℃以下の加熱で容易に流動化し、凹部に流れ込んだ後、室温で固化するため好ましい。

上記一般式（１）で表されるシルセスキオキサン化合物は、溶融レジストが硬化した後に得られる表面の平滑性が優れたものとなる。このことにより、磁性層４と磁気ヘッドとの間隔を低減することが可能なものとなり、高記録密度に対応可能な磁気記録媒体１０とすることができる。
また、上記一般式（１）で表されるシルセスキオキサン化合物は、ドライエッチングに対して優れたエッチング特性が得られるものであるため、ドライエッチング後に平滑なエッチング面が得られる。これにより記録トラック部やビット部などとなるパターンを、高精細で形成することが可能となり、磁気記録媒体１０の記録密度を高めることが可能となる。

なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、保護層６は、１層のみであってもよいし、２層以上であってもよい。図３は、本発明の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造された磁気記録媒体の他の例を示した断面図であり、磁気記録媒体の一部分のみを拡大して示した拡大図である。
図３に示す磁気記録媒体１１が、図１に示す磁気記録媒体１０と異なるところは、保護層が、記録層４上に設けられた第１保護層７ａと、第１保護層７ａ上および分離層５上に設けられた第２保護層７ｂとの２層からなるところである。

図３に示す磁気記録媒体１１は、図１に示す磁気記録媒体１０の形成方法とほぼ同様にして形成することができる。すなわち、図１に示す磁気記録媒体１０の形成方法と同様にして、分離層５を形成する工程まで行った後、第１保護層７ａ上および分離層５上に第２保護層７ｂを設ける方法によって形成できる。なお、第１保護層７ａは、図１に示す磁気記録媒体１０の形成方法と同様の方法において保護層６と同様にして形成される。
したがって、図３に示す磁気記録媒体１１の製造方法においても、上述した図１に示す磁気記録媒体１０の製造方法と同じ効果が得られる。
また、図３に示す磁気記録媒体１１の製造方法においては、分離層５を形成する工程まで行った後に、第１保護層７ａ上および分離層５上に第２保護層７ｂを設ける工程を行っているので、記録層４上に設けられた第１保護層７ａと、第１保護層７ａ上および分離層５上に設けられた第２保護層７ｂとの２層からなる保護層を有し、より一層、耐久性および信頼性に優れた磁気記録媒体１１を製造できる。

「磁気記録再生装置」
次に、本発明の磁気記録再生装置として、図１に示す磁気記録媒体１０を備えた磁気記録再生装置を例に挙げて説明する。図４は、本発明の磁気記録再生装置の一例を示した概略構成図である。図４に示す磁気記録再生装置Ｂは、図１に示す磁気記録媒体１０と、磁気記録媒体１０を支持および回転させる駆動手段としてのスピンドルモータ２３と、磁気ヘッド２４と、磁気ヘッド２４を先端に搭載したサスペンションを有し、磁気ヘッド２４を磁気記録媒体１０に対して移動自在に支持するヘッドアクチュエータ２５と、ヘッドアクチュエータ２５を回転自在に支持する回転軸２６と、回転軸２６を介してヘッドアクチュエータ２５を回転および位置決めするボイスコイルモータ２７と、信号処理回路２８とを備えている。

磁気ヘッド２４は、磁気記録媒体１０に磁気信号からなる情報を記録再生するものである。磁気ヘッド２４としては、読み込みヘッド用の再生素子として異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）を利用したＡＭＲ素子の他、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用したＧＭＲ素子、トンネル効果を利用したＴＭＲ素子などを有する高記録密度に適した磁気ヘッドを用いることができる。

図４に示す磁気記録再生装置Ｂは、磁気的に分離された複数の記録層４を有し、隣接する記録層４間が非磁性材料で埋め込まれた表面平坦性に優れた磁気記録媒体１０と、磁気ヘッド２４とを備えたものであるので、高記録密度特性に優れ、安定した磁気ヘッド２４の浮上特性が得られるものとなる。
例えば、図４に示す磁気記録再生装置Ｂでは、磁気ヘッド２４の浮上量を従来よりも低い０．００５μｍ〜０．０２０μｍの高さとすることができ、高出力で、高い装置Ｓ／Ｎが得られ、信頼性に優れた磁気記録再生装置Ｂを提供することができる。
さらに、本実施形態の磁気記録再生装置Ｂにおいて、最尤復号法による信号処理回路２８を組み合わせた場合、さらに記録密度を向上できる。具体的には、例えば、トラック密度１００ｋＴＰＩ以上、線記録密度１０００ｋｂｐＩ以上、１平方インチ当たり１００Ｇビット／インチ以上の記録密度で記録・再生する場合にも十分なＳ／Ｎが得られる。

以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明する。
（実施例）
本発明の磁気記録媒体の実施例であるディスクリートトラック媒体を以下に示す製造方法により製造した。
円盤状のＨＤ用ガラス基板（コニカミノルタ（株）製、外径１．８９インチ）からなる非磁性基板を洗浄後、成膜装置の真空チャンバ内に設置し、真空チャンバ内を１．０×１０^−５Ｐａ以下に真空排気し、その後、ＤＣ（直流）スパッタ法を用いて、６５Ｆｅ−２５Ｃｏ−１０Ｂ（原子％）を加熱なしで３５ｎｍ、Ｒｕを０．８ｎｍ、６５Ｆｅ−２５Ｃｏ−１０Ｂ（原子％）を３５ｎｍ成膜することによって軟磁性裏打ち層を形成した。
続いて、ＤＣスパッタ法を用いて、２０ｎｍのＲｕからなる配向制御膜と、１２ｎｍの６５Ｃｏ−１０Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ_２（原子％）からなる記録層となる磁性層と、４ｎｍの炭素からなる保護層とを形成した。

次に、保護層までの各層の形成された媒体を真空チャンバ内から取り出し、保護層上にスピンコート法によりレジスト溶液を塗布し、約１００℃の恒温槽で２０分焼成して余分な溶剤を除去した。なお、レジスト溶液としては、上述の一般式（２）で表される構造の繰り返し単位からなるシルセスキオキサン化合物であって、Ｒ^１およびＲ^２がフェニル基であるポリフェニルシルセスキオキサン（小西化学工業株式会社製ＳＲ−２０、重量平均分子量（ＧＰＣにより測定した標準ポリスチレン換算の重量平均分子量）５４７０）を、溶媒であるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ダイセル化学工業株式会社製）１００質量％に対して５質量％含む溶液を用いた。また、レジスト溶液の塗布量は４ｍｌ、塗布厚は６０ｍｍであった。

次に、スタンパーを用いてインプリントプロセスを施し、保護層上に記録トラック部の形状に対応する凹部を有するレジスト層を形成した。なお、スタンパーとしては、Ｎｉからなり、記録トラック部のピッチ（Ｔｒａｃｋ ｐｉｔｃｈ）が１５０ｎｍの同心円状となる凹溝の形成されているものを用いた。
次に、レジスト層までの各層の形成された非磁性基板を真空チャンバ内に設置し、イオンビームエッチングを用いて、レジスト層の凹部の底面に残存する部分を除去し、凹部の底面に保護層の露出されたレジストパターンを形成した。続いて、イオンビームエッチングを用いて、レジストパターンの凹部から露出している保護層と、保護層を除去することによって露出された磁性層とを連続して除去した。このことにより、分離層になる凹部と、凹部によって平面視で磁気的に分離された複数の記録層とを形成した。

ここで形成された分離層となる凹部の幅は８０ｎｍであった。また、分離層となる凹部の深さは４０ｎｍであった。

次に、レジストパターンにレーザー光を照射することにより、レジストパターンを溶融して溶融レジストとし、溶融レジストを凹部内に埋め込み、室温で放冷することにより硬化させて分離層を形成した。
なお、レーザー装置としては、半導体レーザーを用い、レジストパターンを溶融させる際には、レーザー光の波長を４０８ｎｍ、レーザー光の照射範囲であるスポット径を５μｍ、レーザー光の出力を２０ｍＷとし、非磁性基板を回転数５１０ｒｐｍで回転させながら行った。

また、分離層を形成した後に連続してレーザー光を用いる表面検査を行った。表面検査の際には、レーザー光の波長を４０８ｎｍ、レーザー光の照射範囲であるスポット径を５μｍ、レーザー光の出力を５ｍＷとし、非磁性基板を回転数１００００ｒｐｍで回転させながら行った。
ここでの表面検査において表面にレーザー光を照射して得られた反射光の散乱状態から、溶融せずに表面に残存しているレジストパターンがなく完全に溶融し、溶融レジストが凹部内に埋め込まれたことが確認できた。

その後、保護層上および分離層上に、厚さ４ｎｍのダイヤモンド状炭素からなる保護層をＣＶＤ法にて形成し、潤滑材を２ｎｍ塗布して磁気記録媒体を得た。

（グライドヒット評価）
次に、実施例で製造した磁気記録媒体についてグライド検査を行った。グライド検査は、検査ヘッドと磁気記録媒体の表面との間の機械的なスペーシングを８ｎｍとし、検査ヘッドからの磁気記録媒体表面の突起物との衝突に起因するシグナル（グライドヒット）の数をカウントすることにより行った。

（耐腐食性（コロージョン）評価）
また、実施例で製造した磁気記録媒体について耐腐食性評価を実施した。耐腐食性評価は、磁気記録媒体を温度８０℃、湿度８５％の大気環境下に９６時間保持し、その後、磁気記録媒体の表面に生じた５ミクロンφ以上のコロージョンスポットの数をカウントすることにより行った。

グライドヒット評価および耐腐食性評価の結果、実施例の磁気記録媒体では、グライドヒットおよびコロージョンスポットが観測されず、安定した磁気ヘッドの浮上特性と、高い耐環境性とが得られることを確認できた。これは、実施例の磁気記録媒体が、隣接する記録層間が非磁性材料で緻密に隙間無く充填された表面平坦性に優れたものであることによるものと推定される。

図１は、本発明の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造された磁気記録媒体の一例を示した断面図であり、磁気記録媒体の一部分のみを拡大して示した拡大図である。 図２は、図１に示す磁気記録媒体の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図３は、本発明の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造された磁気記録媒体の他の例を示した断面図であり、磁気記録媒体の一部分のみを拡大して示した拡大図である。 図４は、本発明の磁気記録再生装置の一例を示した概略構成図である。

符号の説明

１…非磁性基板、２…軟磁性裏打ち層、３…配向性御層、４…記録層、４ａ、８ｃ…凹部、５…分離層、６…保護層、７…磁性層、７ａ…第１保護層、７ｂ…第２保護層７ｂ、８ａ…レジスト層、８ｂ…レジストパターン、１０、１１…磁気記録媒体、Ｂ…磁気記録再生装置、２３…スピンドルモータ、２４…磁気ヘッド、２５…ヘッドアクチュエータ、２６…回転軸、２７…ボイスコイルモータ、２８…信号処理回路。

Claims (10)

1. 非磁性基板上に磁性層を形成し、前記磁性層上に非磁性材料からなるレジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンから露出している前記磁性層を除去することにより、分離層になる凹部と、前記凹部によって平面視で磁気的に分離された複数の記録層とを形成する工程と、
   前記レジストパターンを溶融して溶融レジストとし、前記溶融レジストを前記凹部内に埋め込んで硬化させることにより分離層を形成する工程とを備えることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
2. レーザー光を照射することにより、前記レジストパターンを溶融することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
3. 前記分離層を形成した後に、レーザー光を用いて表面検査を行う工程を備えることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造方法。
4. 前記レジストパターンが、熱可塑性を有する有機ケイ素化合物からなるものであることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
5. 前記有機ケイ素化合物が、下記一般式（１）で表されるシルセスキオキサン化合物を含むことを特徴とすることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
   Ｒ^１Ｒ^２Ｓｉ_２Ｏ_３ ・・・（１）
   （上記一般式（１）において、Ｒ^１およびＲ^２は、置換されていてもよい炭素数１〜８のアルキル基、置換されていてもよい炭素数２〜８のアルケニル基、置換されていてもよい炭素数１〜６のアルコキシ基または置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基を表す。また、Ｒ^１およびＲ^２は、同じものであってもよいし、異なるものであってもよい。）
6. 前記シルセスキオキサン化合物が、下記一般式（２）で表される構造の繰り返し単位からなり、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定した標準ポリスチレン換算の重量平均分子量が１０００〜１０００００である化合物であることを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体の製造方法。
   

   

   （上記一般式（２）において、Ｒ^１およびＲ^２は、置換されていてもよい炭素数１〜８のアルキル基、置換されていてもよい炭素数２〜８のアルケニル基、置換されていてもよい炭素数１〜６のアルコキシ基または置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基を表す。また、Ｒ^１およびＲ^２は、同じものであってもよいし、異なるものであってもよい。）
7. 前記一般式（２）のＲ^１およびＲ^２が、メチル基またはフェニル基であることを特徴とする請求項６に記載の磁気記録媒体の製造方法。
8. 前記シルセスキオキサン化合物が、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定した標準ポリスチレン換算の重量平均分子量が１５００〜３００００である化合物であることを特徴とする請求項５〜７の何れか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
9. 前記シルセスキオキサン化合物が、フェニルシルセスキオキサンであることを特徴とする請求項５〜８の何れか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
10. 磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、
    前記磁気記録媒体が請求項１〜９の何れか１項に記載の製造方法で製造されたものであることを特徴とする磁気記録再生装置。

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