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JP5045876B2 - Nano-silicon particles having excellent emission brightness and method for producing the same - Google Patents
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Nano-silicon particles having excellent emission brightness and method for producing the same Download PDF

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Description

本発明は、発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子とその製造方法に関する。   The present invention relates to nanosilicon particles having excellent emission luminance sustainability and a method for producing the same.

現在、直径が数〜数十nm(ナノメートル)の、蛍光発光する半導体粒子材料が注目されており、ディスプレイ用蛍光材、照明器具材、化粧品、衣料品、服飾品、医薬品、医療用デバイスなど様々な応用分野に適応されようとしている。   At present, semiconductor particle materials that emit fluorescent light with a diameter of several to several tens of nanometers are attracting attention. Fluorescent materials for display, lighting equipment, cosmetics, clothing, clothing, pharmaceuticals, medical devices, etc. It is going to be adapted to various application fields.

しかし、現段階までに研究又は開発されている蛍光発光半導体ナノ粒子材料の中には、地球環境に対し負荷が大きいものや、人体に有害なものがあるので、環境に直接関係するディスプレイ、照明器具への応用や、化粧品、衣料品、服飾品、医薬品、医療用デバイスなどにおける人体に直接関係する応用においては、環境・人体に対する無毒性や無害性(環境保全性)を確認せずに、従来の蛍光発光半導体ナノ粒子材料をそのまま使用することはできない。   However, some of the fluorescent light-emitting semiconductor nanoparticle materials that have been researched or developed up to this point have a heavy impact on the global environment and are harmful to the human body. In applications that are directly related to the human body, such as appliances, cosmetics, clothing, clothing, pharmaceuticals, medical devices, etc., without confirming the non-toxicity and harmlessness (environmental conservation) to the environment and human body, Conventional fluorescent light-emitting semiconductor nanoparticle materials cannot be used as they are.

それ故、蛍光発光半導体ナノ粒子材料を、より多くの分野で適用するには、自然環境にやさしく、特に、人体への影響のない、無毒性・無害性に重点を置いた蛍光発光半導体ナノ粒子材料の開発が重要である。   Therefore, in order to apply fluorescent light-emitting semiconductor nanoparticle materials in more fields, it is friendly to the natural environment, especially with no emphasis on non-toxicity and harmlessness to human body. Material development is important.

最近、脚光を浴びつつある蛍光発光半導体ナノ粒子材料として、可視領域(青色〜赤色)で蛍光発光するナノシリコン粒子がある(特許文献1、参照)。そして、このナノシリコン粒子は、直径約3.5nm以下であり、しかも、ナノシリコン粒子自体がシリコンで構成されていて、環境に対してだけでなく、人体にも優しい、無毒性・無害性の物質であるので、広範囲な分野への応用材料として有望である。   Recently, as a fluorescent light-emitting semiconductor nanoparticle material that has been in the spotlight, there is nanosilicon particles that emit fluorescent light in the visible region (blue to red) (see Patent Document 1). The nano-silicon particles have a diameter of about 3.5 nm or less, and the nano-silicon particles themselves are made of silicon, which is friendly to the human body as well as to the environment, and is non-toxic and harmless. Since it is a substance, it is promising as an application material in a wide range of fields.

しかし、ナノシリコン粒子からの蛍光発光の輝度や寿命は、ナノシリコン粒子を保存している環境下において様々である。例えば、大気中では、ナノシリコン粒子の表面に、非発光再結合中心である欠陥の少ない良質な酸化ケイ素膜が形成されるので、高輝度でかつ安定的な蛍光発光を実現しているが、エタノール、トルエン、純水、生理食塩水などの各種溶液中では、ナノシリコン粒子の表面に、欠陥の多い酸化ケイ素膜が形成されるため、時間経過とともに輝度が低下し、その結果、寿命も短く不安定になっている。   However, the brightness and lifetime of the fluorescence emission from the nanosilicon particles vary in an environment where the nanosilicon particles are stored. For example, in the atmosphere, a high-quality silicon oxide film with few defects, which are non-radiative recombination centers, is formed on the surface of nanosilicon particles. In various solutions such as ethanol, toluene, pure water, and physiological saline, a silicon oxide film with many defects is formed on the surface of the nanosilicon particles, so that the luminance decreases with time, resulting in a short life. It is unstable.

以上のことから、ナノシリコン粒子の応用用途を拡大するためには、溶液中などの環境下においても、高輝度でかつ安定した蛍光発光を得ることができ、しかも、ナノシリコン粒子の劣化を阻止することができる保護膜を被覆することを検討する必要がある。   From the above, in order to expand the application of nanosilicon particles, high-luminance and stable fluorescence can be obtained even in an environment such as a solution, and deterioration of nanosilicon particles can be prevented. It is necessary to consider covering a protective film that can be done.

さらには、医薬品、医療用デバイスなどの医用工学分野に応用する際には、ナノシリコン粒子の表面に、各種溶液に対して耐薬品性、耐腐食性があり、生体適合性に優れている保護膜を被覆することも重要なことである。   Furthermore, when applied to the field of medical engineering such as pharmaceuticals and medical devices, the surface of the nanosilicon particles has chemical and corrosion resistance to various solutions, and has excellent biocompatibility protection. It is also important to coat the membrane.

従来の技術では、ナノシリコン粒子の保護膜としては、シリコン表面に対して最も安定な酸化ケイ素膜が、一般的に使用されていた。しかし、酸化ケイ素膜の形成方法として、溶液中においても、大気中と同様な良質な酸化ケイ素膜を得ることは不可能であった。また、医用工学分野に応用する際に、薬剤や多糖・蛋白質などの高分子、細胞などとの結合が酸化ケイ素膜では不十分であった。   In the prior art, a silicon oxide film that is most stable with respect to the silicon surface has been generally used as a protective film for nanosilicon particles. However, as a method for forming a silicon oxide film, it has been impossible to obtain a silicon oxide film having the same quality as that in the atmosphere even in a solution. In addition, when applied to the medical engineering field, the silicon oxide film is insufficient for bonding with drugs, polymers such as polysaccharides and proteins, and cells.

特開平11−201972号公報JP-A-11-201972

溶液内において、可視領域で蛍光発光するナノシリコン粒子の劣化防止を図る保護膜の開発は、環境や人体に優しい蛍光発光半導体ナノ粒子材料を用いたディスプレイ、照明器具、化粧品、衣料品、服飾品、医薬品、医療用デバイス、その他の製品の商品化を促進することになる。   In the solution, the development of the protective film to prevent the degradation of nano-silicon particles that fluoresce in the visible region is based on the display, lighting equipment, cosmetics, clothing, and clothing using fluorescent light-emitting semiconductor nano-particle materials that are friendly to the environment and the human body. , Will promote the commercialization of pharmaceuticals, medical devices and other products.

そこで、本発明は、各種分野での応用を可能にするナノシリコン粒子を、各種溶液内において、(i)高輝度でかつ安定的に蛍光発光させること、及び、(ii)ナノシリコン粒子の劣化を防止する保護膜を得ること、を課題(又は目的)とする。   Accordingly, the present invention provides (i) high-luminance and stable fluorescence emission of nanosilicon particles that enable application in various fields in various solutions, and (ii) degradation of nanosilicon particles. An object (or purpose) is to obtain a protective film that prevents the above-described problem.

また、本発明は、表面を劣化防止保護膜で被覆したナノシリコン粒子を製造する製造方法を確立すること、も課題(又は目的)とする。   Another object of the present invention is to establish a production method for producing nanosilicon particles having a surface coated with a protective film for preventing deterioration.

本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、(i)高周波プラズマCVD法を用いて、各種溶液に対して耐薬品性、耐腐食性があり、かつ、生体適合性に優れているダイヤモンド状炭素膜(以下、DLC;Diamond-like Carbon膜)を、ナノシリコン粒子の表面に被覆すると、溶液中において、高輝度でかつ安定的な蛍光発光を得ることができることを見いだした。   As a result of intensive research to solve the above-mentioned problems, the present inventor has (i) chemical resistance, corrosion resistance, and biocompatibility with respect to various solutions using a high-frequency plasma CVD method. We found that high-luminance and stable fluorescence can be obtained in solution by coating the surface of nanosilicon particles with an excellent diamond-like carbon film (hereinafter referred to as DLC; Diamond-like Carbon film). .

また、本発明者は、(ii)溶液内においてナノシリコン粒子の劣化を防止する保護膜を、ナノシリコン粒子の表面に被覆する方法を見いだした。   In addition, the present inventors have found a method of (ii) coating the surface of nanosilicon particles with a protective film that prevents the degradation of nanosilicon particles in the solution.

本発明は、上記知見に基づいてなされたもので、その要旨は、以下のとおりである。   This invention was made | formed based on the said knowledge, The summary is as follows.

(1) 紫外光線又は可視光線を照射することにより蛍光発光する粒子サイズ3.5nm以下のナノシリコン粒子を炭素膜からなる発光強度の劣化防止保護膜で被覆したことを特徴とする発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子。 (1) Sustained emission luminance characterized in that nano-silicon particles having a particle size of 3.5 nm or less that emits fluorescence when irradiated with ultraviolet rays or visible rays are coated with a protective film for preventing deterioration of emission intensity comprising a carbon film. Nanosilicon particles with excellent properties.

) 前記炭素膜がダイヤモンド状炭素膜であることを特徴とする前記()に記載の発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子。 ( 2 ) The nanosilicon particles having excellent emission luminance persistence as described in ( 1 ) above, wherein the carbon film is a diamond-like carbon film.

) 前記ダイヤモンド状炭素膜が、高周波プラズマCVD法で作製したものであることを特徴とする前記()に記載の発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子。 ( 3 ) The nanosilicon particles having excellent emission luminance persistence according to ( 2 ), wherein the diamond-like carbon film is produced by a high-frequency plasma CVD method.

) 前記炭素膜からなる発光強度の劣化防止保護膜が、各種溶液に対して、耐薬品性、耐腐食性があり、生体適合性に優れていることを特徴とする前記(1)〜()のいずれか1項に記載の発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子。 ( 4 ) The protective film for preventing deterioration of light emission intensity made of the carbon film has chemical resistance and corrosion resistance with respect to various solutions, and is excellent in biocompatibility. nano silicon particles with excellent persistence of light emission luminance according to any one of (3).

) 前記溶液が、エタノール、トルエン、純水、又は、生理食塩水であることを特徴とする前記()に記載の発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子。 ( 5 ) The nanosilicon particles having excellent emission luminance persistence according to ( 4 ), wherein the solution is ethanol, toluene, pure water, or physiological saline.

) 前記溶液内において、ナノシリコン粒子が高輝度でかつ安定的に蛍光発光することを特徴とする前記()又は()に記載の発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子。 ( 6 ) The nanosilicon particles having excellent persistence of emission luminance according to ( 4 ) or ( 5 ), wherein the nanosilicon particles emit fluorescent light stably with high luminance in the solution.

炭素膜からなる発光強度の劣化防止保護膜を有する粒子サイズ3.5nm以下のナノシリコン粒子の製造方法において、
(a)基板上に、ナノシリコン粒子を分散した溶液を塗布し、次いで、
(b)上記ナノシリコン粒子の表面に、高周波プラズマCVD法により、発光輝度の劣化防止保護膜を被覆する
ことを特徴とする発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子の製造方法。
( 7 ) In the method for producing nanosilicon particles having a particle size of 3.5 nm or less having a protective film for preventing deterioration of emission intensity comprising a carbon film ,
(A) A solution in which nano-silicon particles are dispersed is applied on a substrate, and then
(B) A method for producing nanosilicon particles having excellent durability of emission luminance, wherein the surface of the nanosilicon particles is coated with a protective film for preventing deterioration of emission luminance by a high-frequency plasma CVD method.

) 前記炭素膜がダイヤモンド状炭素膜であることを特徴とする前記()に記載の発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子の製造方法。 ( 8 ) The method for producing nanosilicon particles having excellent emission luminance persistence according to ( 7 ), wherein the carbon film is a diamond-like carbon film.

) 前記ダイヤモンド状炭素膜が、高周波プラズマCVD法で作製したものであることを特徴とする前記()に記載の発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子の製造方法。 ( 9 ) The method for producing nanosilicon particles having excellent emission luminance persistence as described in ( 8 ) above, wherein the diamond-like carbon film is produced by a high-frequency plasma CVD method.

10)前記炭素膜からなる発光強度の劣化防止保護膜が、各種溶液に対して耐薬品性、耐腐食性があり、生体適合性に優れていることを特徴とする前記()〜()のいずれか1項に記載の発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子の製造方法。 ( 10 ) The above-mentioned ( 7 ) to ( 7 ), wherein the protective film for preventing deterioration of light emission intensity comprising the carbon film has chemical resistance and corrosion resistance to various solutions and is excellent in biocompatibility. 9 ) The method for producing nanosilicon particles having excellent emission luminance persistence according to any one of the above.

11)前記溶液が、エタノール、トルエン、純水、又は、生理食塩水であることを特徴とする前記(10)に記載の発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子の製造方法。 ( 11 ) The method for producing nanosilicon particles having excellent luminescence luminance sustainability according to ( 10 ), wherein the solution is ethanol, toluene, pure water, or physiological saline.

12) 前記溶液内において、ナノシリコン粒子が高輝度でかつ安定的に蛍光発光することを特徴とする前記(10)又は(11)に記載の発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子の製造方法。 ( 12 ) The nanosilicon particles having excellent emission luminance persistence according to ( 10 ) or ( 11 ), wherein the nanosilicon particles emit fluorescent light stably with high luminance in the solution. Production method.

本発明によれば、溶液内において、ナノシリコン粒子の表面に、安定した保護膜を被覆し、従来の手法では得ることが困難であった、高輝度でかつ安定的に蛍光発光するナノシリコン粒子を製造することができる。   According to the present invention, in a solution, the surface of nanosilicon particles is covered with a stable protective film, and the nanosilicon particles that emit fluorescent light stably and stably have been difficult to obtain by conventional techniques. Can be manufactured.

そして、ナノシリコン粒子は、地球環境や人体に対して優しく、無毒性・無害性であり、可視領域で蛍光発光するから、各種溶液に対して耐薬品性、耐腐食性があり、生体適合性に優れている粒子劣化防止保護膜(ダイヤモンド状炭素膜)で被覆された本発明のナノシリコン粒子は、ナノシリコン粒子の利用を、ディスプレイ、照明器具、化粧品、衣料品、服飾品、医薬品、医療用デバイス、その他の分野にまで拡大するものである。   Nanosilicon particles are gentle to the global environment and the human body, are non-toxic and harmless, and emit fluorescent light in the visible range, so they have chemical and corrosion resistance to various solutions, and are biocompatible. The nano-silicon particles of the present invention coated with a particle-deterioration-preventing protective film (diamond-like carbon film) that excels in the use of nano-silicon particles, displays, lighting equipment, cosmetics, clothing, clothing, pharmaceuticals, medical Devices and other fields.

まず、本発明における重要な点を簡単に説明する。それは、粒子サイズ3.5nm以下のナノシリコン粒子表面に炭素膜からなる発光強度の劣化防止保護膜を被覆すると、溶液内において、可視領域にて高輝度でかつ安定的な蛍光発光を得ることができるということである。 First, an important point in the present invention will be briefly described. It is possible to obtain high-intensity and stable fluorescence emission in the visible region in a solution when a nano-silicon particle surface having a particle size of 3.5 nm or less is coated with a protective film for preventing deterioration of emission intensity made of a carbon film. It can be done.

このことを達成するため、本発明の製造方法においては、ナノシリコン粒子の表面に、直接、炭素膜からなる発光強度の劣化防止保護膜を被覆するための塗布処理、及び、該保護膜を均一に被覆する高周波プラズマCVD法を採用する。 In order to achieve this, in the manufacturing method of the present invention, the surface of the nanosilicon particles is directly coated with a protective film for preventing deterioration of emission intensity composed of a carbon film , and the protective film is uniformly applied. A high-frequency plasma CVD method is used for coating.

まず、ナノシリコン粒子を分散した溶液を作製し、マイクロピペットにより、該溶液を基板上に塗布する。その後、高周波プラズマCVD法により、ナノシリコン粒子の表面に劣化防止保護膜、例えば、ダイヤモンド状炭素膜を成膜することで、溶液内において高輝度でかつ安定的な蛍光発光を示すナノシリコン粒子を製造することができる。   First, a solution in which nano silicon particles are dispersed is prepared, and the solution is applied onto a substrate with a micropipette. After that, by applying a high-frequency plasma CVD method to form a deterioration-preventing protective film such as a diamond-like carbon film on the surface of the nanosilicon particles, the nanosilicon particles exhibiting high-luminance and stable fluorescence emission in the solution are obtained. Can be manufactured.

劣化防止保護膜としては、ダイヤモンド状炭素膜が、耐薬品性、耐腐食性、及び、生体適合性の点で最適なものである As the deterioration preventing protective film, a diamond-like carbon film is optimal in terms of chemical resistance, corrosion resistance, and biocompatibility .

上記方法により炭素膜からなる発光強度の劣化防止保護膜を被覆したナノシリコン粒子(本発明粒子)は、溶液内において、可視領域で、高輝度かつ安定した蛍光発光を示すので、ディスプレイ、照明器具、化粧品、衣料品、服飾品、医療用デバイス等の原材料としての開発基盤を築くものである。 Nanosilicon particles (present invention particles) coated with a protective film for preventing deterioration of emission intensity made of a carbon film by the above method exhibit high-luminance and stable fluorescence emission in the visible region in a solution. Lay a development base as a raw material for cosmetics, clothing, clothing, medical devices, etc.

以下に、本発明粒子を製造する製造方法(本発明製造方法)について詳述する。   Below, the manufacturing method (this invention manufacturing method) which manufactures this invention particle | grain is explained in full detail.

図1に、ナノシリコン粒子の表面に炭素膜からなる発光強度の劣化防止保護膜を被覆する過程の概要を示す。基板1を温熱版2上に設置する(図1(A)、参照)。基板1上に、ナノシリコン粒子3を分散した溶液(揮発性の高いエタノール4を使用)からマイクロピペット5により抽出したナノシリコン粒子3を塗布する。この時のナノシリコン粒子3のサイズは、可視領域での蛍光発光を示す3.5nm以下である。 FIG. 1 shows an outline of the process of coating the surface of nanosilicon particles with a protective film for preventing deterioration of emission intensity made of a carbon film . The board | substrate 1 is installed on the thermal plate 2 (refer FIG. 1 (A)). On the substrate 1, nanosilicon particles 3 extracted by a micropipette 5 from a solution (using highly volatile ethanol 4) in which the nanosilicon particles 3 are dispersed are applied. The size of the nanosilicon particles 3 at this time is 3.5 nm or less indicating fluorescence emission in the visible region.

温熱板2の温度は、30〜100℃程度に調整するが、好ましく40〜60℃である。処理時間は、5〜120秒とするが、好ましくは15〜60秒であり、さらに好ましくは25〜35秒である。塗布処理後、温熱板2で基板1を加熱し、基板1上上のナノシリコン粒子に付着しているエタノール4を蒸発させ、ナノシリコン粒子3の表面から、エタノールとともに不純物を完全に除去する。   The temperature of the hot plate 2 is adjusted to about 30 to 100 ° C, but preferably 40 to 60 ° C. The treatment time is 5 to 120 seconds, preferably 15 to 60 seconds, and more preferably 25 to 35 seconds. After the coating process, the substrate 1 is heated with the hot plate 2 to evaporate the ethanol 4 adhering to the nanosilicon particles on the substrate 1 and completely remove impurities from the surface of the nanosilicon particles 3 together with ethanol.

次に、高周波プラズマCVD法6を用いて、ナノシリコン粒子3の表面に、均一に、ダイヤモンド状炭素膜7を堆積させる(図1(B)、参照)。この時、ダイヤモンド状炭素膜を、ナノシリコン粒子3の表面全体を被覆するように堆積させる。   Next, a diamond-like carbon film 7 is uniformly deposited on the surface of the nanosilicon particles 3 using a high-frequency plasma CVD method 6 (see FIG. 1B). At this time, a diamond-like carbon film is deposited so as to cover the entire surface of the nanosilicon particles 3.

ここで、図6に、高周波プラズマCVD装置の一態様を示す。この装置は、概略、側面下部にメタンガス導入口12と排気口13を備える真空チャンバー14、真空チャンバー14の上面に絶縁材料15を介して取り付けられ、冷却管16から導入、排出される冷却水17で冷却される基板ホルダー18、及び、真空チャンバー14の下面に絶縁材料15を介して取り付けられ、冷却管16から導入、排出される冷却水17で冷却される陰極シールド19を備える高周波電極20から構成されている。   Here, FIG. 6 shows one mode of a high-frequency plasma CVD apparatus. This apparatus is roughly attached to a vacuum chamber 14 having a methane gas inlet 12 and an exhaust outlet 13 at the lower side of the side, and an upper surface of the vacuum chamber 14 via an insulating material 15, and cooling water 17 introduced and discharged from a cooling pipe 16. From a high frequency electrode 20 provided with a substrate holder 18 that is cooled by the above and a cathode shield 19 that is attached to the lower surface of the vacuum chamber 14 via an insulating material 15 and cooled by cooling water 17 introduced and discharged from the cooling pipe 16. It is configured.

そして、上記装置において、メタンガスを、真空チャンバー14内に、メタンガス導入口12から導入し、高周波コントローラ21によりメタンガスをイオン化し、イオン化されたメタンイオンを、高周波電極20上に配置された基板1上のナノシリコン粒子3の表面上で化学反応させ、その表面に、ダイヤモンド状炭素膜7を形成する。   In the above apparatus, methane gas is introduced into the vacuum chamber 14 from the methane gas inlet 12, the methane gas is ionized by the high frequency controller 21, and the ionized methane ions are placed on the substrate 1 disposed on the high frequency electrode 20. A chemical reaction is performed on the surface of the nanosilicon particles 3 to form a diamond-like carbon film 7 on the surface.

この時の堆積条件である高周波電力、ガス圧(作製中の圧力であり、本製造プロセスではメタンガスの圧力)、及び、堆積時間は、ナノシリコン粒子3の表面に被覆するダイヤモンド状炭素膜7の膜厚に直接関係する。   The deposition conditions at this time are high-frequency power, gas pressure (pressure during production, methane gas pressure in this manufacturing process), and deposition time of the diamond-like carbon film 7 that covers the surface of the nanosilicon particles 3. Directly related to film thickness.

ダイヤモンド状炭素膜7の膜厚は、光の透過率に影響するので、ナノシリコン粒子3からの蛍光発光の輝度に対して非常に重要な因子となる。それ故、高周波電力は、50〜250Wを採用するが、好ましくは75〜150Wであり、さらに好ましくは80〜120Wである。ガス圧は、1.332〜133.2Paに調整するが、好ましくは6.66〜66.6Paであり、さらに好ましくは66.6〜20.0Paである。また、堆積時間は、30〜300秒に調整するが、好ましくは60〜240秒であり、さらに好ましくは100〜140秒である。 Since the film thickness of the diamond-like carbon film 7 affects the light transmittance, it is a very important factor for the luminance of the fluorescence emitted from the nanosilicon particles 3. Therefore, the high frequency power is 50 to 250 W, preferably 75 to 150 W, and more preferably 80 to 120 W. The gas pressure is adjusted to 1.332 to 133.2 Pa , preferably 6.66 to 66.6 Pa , and more preferably 66.6 to 20.0 Pa . Further, the deposition time is adjusted to 30 to 300 seconds, preferably 60 to 240 seconds, and more preferably 100 to 140 seconds.

これらの条件下で、ナノシリコン粒子3の表面に、膜厚10〜100nmのダイヤモンド状炭素膜7を堆積するが、膜厚は、好ましくは15〜80nmであり、さらに好ましくは15〜25nmである。   Under these conditions, a diamond-like carbon film 7 having a film thickness of 10 to 100 nm is deposited on the surface of the nanosilicon particles 3, and the film thickness is preferably 15 to 80 nm, and more preferably 15 to 25 nm. .

次に、基板1上のナノシリコン粒子3の表面を、ダイヤモンド状炭素膜7で被覆し後、基板1を、溶液9(エタノール4、トルエン、純水、又は、生理食塩水)を収容した容器10に浸漬し、容器10を超音波洗浄器11に載置して、攪拌処理8を施す(図1(C)、参照)。   Next, after the surface of the nanosilicon particles 3 on the substrate 1 is coated with the diamond-like carbon film 7, the substrate 1 is placed in a container containing a solution 9 (ethanol 4, toluene, pure water, or physiological saline). 10, the container 10 is placed on the ultrasonic cleaner 11, and a stirring process 8 is performed (see FIG. 1C).

攪拌処理8の処理時間は、通常、10〜600秒とするが、好ましくは、30〜300秒であり、さらに好ましくは60〜120秒である。攪拌処理8により、基板1上のナノシリコン粒子3は、基板1から分離・離散し、溶液9内に分散する(図1(C)、参照)。そして、攪拌処理8の後、容器10内から基板1を取り出すと、溶液中にダイヤモンド状炭素膜7を被覆したナノシリコン粒子3が分散した溶液9を得ることができる(図1(D)、参照)。   The treatment time of the stirring treatment 8 is usually 10 to 600 seconds, preferably 30 to 300 seconds, and more preferably 60 to 120 seconds. By the stirring process 8, the nano silicon particles 3 on the substrate 1 are separated and separated from the substrate 1 and dispersed in the solution 9 (see FIG. 1C). When the substrate 1 is taken out from the container 10 after the stirring process 8, a solution 9 in which the nanosilicon particles 3 coated with the diamond-like carbon film 7 are dispersed in the solution can be obtained (FIG. 1D). reference).

ダイヤモンド状炭素膜7が被覆されたナノシリコン粒子3は、溶液9内に長期間保存しても、蛍光発光輝度が低下せず、安定的に可視領域における何れかの色で蛍光発光する。   Even if the nanosilicon particles 3 coated with the diamond-like carbon film 7 are stored in the solution 9 for a long period of time, the fluorescence emission luminance does not decrease, and stably emits fluorescence with any color in the visible region.

図2に、X線光電子分光法により、劣化防止保護膜を被覆した試料の表面層を、最表面層からアルゴンイオンエッチングしたときの炭素とシリコンの定量強度の変化を示す。   FIG. 2 shows changes in the quantitative strength of carbon and silicon when the surface layer of the sample coated with the deterioration preventing protective film is subjected to argon ion etching from the outermost surface layer by X-ray photoelectron spectroscopy.

劣化防止保護膜を被覆した試料は、カーボン1s軌道及びシリコン2p軌道のX線光電子分光スペクトルより、結合エネルギーが、それぞれ、284.2eVと99.3eVにピークをもつ信号が得られている。ここで、284.2eVの信号は、ダイヤモンド状炭素膜中のグラファイト構造(π結合)に起因するものであり、また、99.3eVの信号は、ナノシリコン粒子内のシリコン−シリコン結合に起因するものである。   From the X-ray photoelectron spectroscopic spectrum of the carbon 1s orbit and silicon 2p orbit, the sample coated with the deterioration preventing protective film has a signal with binding energy peaks at 284.2 eV and 99.3 eV, respectively. Here, the signal of 284.2 eV is caused by the graphite structure (π bond) in the diamond-like carbon film, and the signal of 99.3 eV is caused by the silicon-silicon bond in the nanosilicon particle. Is.

これら各信号の深さ方向に対する変化についてみると、図2に示すように、炭素の信号は、400秒までのイオンエッチングに対して検出されているが、それ以後は検出されていない。これに対し、シリコンの信号は、400秒以後で検出されている。このことは、劣化防止保護膜としてのダイヤモンド状炭素膜が、ナノシリコン粒子の全表面に堆積していることを示している。   Looking at changes in the depth direction of these signals, as shown in FIG. 2, the carbon signal is detected for ion etching up to 400 seconds, but not thereafter. In contrast, the silicon signal is detected after 400 seconds. This indicates that a diamond-like carbon film as a deterioration preventing protective film is deposited on the entire surface of the nanosilicon particles.

図3に、劣化防止保護膜を被覆した試料と被覆していない試料に係るラマンスペクトルを示す。劣化防止保護膜を被覆した試料においては、1260cm-1と1510cm-1にピークをもつラマン信号が現れている。 FIG. 3 shows Raman spectra of a sample coated with a protective film for preventing deterioration and a sample uncoated. In the sample coated with the deterioration preventing protective film, Raman signals having peaks at 1260 cm −1 and 1510 cm −1 appear.

ここで、1260cm-1のラマン信号は、sp2混成軌道結合炭素不規則構造に起因しているD(Disorder)バンドによるものである。また、1510cm-1のラマン信号は、グラファイトの面内振動E2gモードに起因しているG(Graphitic)バンドによるものである。これらのピークは、ダイヤモンド状炭素膜の特有の信号であり、DバンドとGバンドがそれぞれ混合されたスペクトル形状になる。 Here, the Raman signal at 1260 cm −1 is due to the D (Disorder) band resulting from the sp 2 hybrid orbital-bonded carbon disordered structure. The Raman signal of 1510 cm −1 is due to the G (Graphitic) band resulting from the in-plane vibration E 2g mode of graphite. These peaks are signals peculiar to the diamond-like carbon film, and have a spectrum shape in which the D band and the G band are mixed.

これに対し、劣化防止保護膜を被覆していない試料においては、DバンドとGバンドに起因するラマン信号は検出されていない。このことから、ナノシリコン粒子の表面を被覆している劣化防止保護膜は、一般的に成膜されている膜と同様な構造を持つダイヤモンド状炭素膜であることが示唆される。   On the other hand, in the sample not coated with the deterioration preventing protective film, the Raman signal due to the D band and the G band is not detected. This suggests that the deterioration preventing protective film covering the surface of the nanosilicon particles is a diamond-like carbon film having a structure similar to that of a generally formed film.

図4に、劣化防止保護膜を被覆した試料と被覆していない試料に係る蛍光発光スペクトルを示す。劣化防止保護膜を被覆した試料及び被覆していない試料のいずれも、720nmにピークを持つ赤色発光を示しているが、蛍光発光輝度が相違する。   FIG. 4 shows the fluorescence emission spectra of the sample coated with the deterioration preventing protective film and the sample not coated. Both the sample coated with the deterioration preventing protective film and the uncoated sample show red light emission having a peak at 720 nm, but the fluorescence emission luminance is different.

この蛍光発光輝度の相違は、ナノシリコン粒子の表面に劣化防止保護膜として被覆したダイヤモンド状炭素膜の光の透過率の影響によるものである。ダイヤモンド状炭素膜の膜厚に対する透過率は、720nmの波長において約75%であるため、劣化防止保護膜を被覆していない試料に比べ、その蛍光発光輝度は低下する。   This difference in fluorescence emission luminance is due to the influence of the light transmittance of the diamond-like carbon film coated on the surface of the nanosilicon particles as a protective film for preventing deterioration. Since the transmittance with respect to the film thickness of the diamond-like carbon film is about 75% at a wavelength of 720 nm, the fluorescence emission luminance is lower than that of the sample not coated with the deterioration preventing protective film.

しかし、劣化防止保護膜を被覆した試料の蛍光発光輝度は、紫外光線又は可視光線照射により、非常に強く、しかも、室内照明下において、肉眼で十分に確認することができるものである。   However, the fluorescence emission luminance of the sample coated with the deterioration preventing protective film is very strong by irradiation with ultraviolet rays or visible rays, and can be sufficiently confirmed with the naked eye under room lighting.

図5に、溶液内における劣化防止膜を被覆した試料と被覆していない試料に係る蛍光発光強度の経時変化を示す。劣化防止保護膜を被覆していない試料では、溶液に浸漬した直後から、時間の経過とともに、その蛍光発光強度が減衰する。これに対し、劣化防止保護膜を被覆した試料については、溶液に浸漬後も安定的な蛍光発光を維持し、長期間の保存後においても、その蛍光発光は、肉眼で認識できる輝度を保持している。   FIG. 5 shows changes over time in the fluorescence emission intensity of the sample coated with the deterioration preventing film in the solution and the sample not coated. In the sample not coated with the deterioration preventing protective film, the fluorescence emission intensity is attenuated as time passes immediately after being immersed in the solution. On the other hand, the sample coated with the protective film for preventing deterioration maintains stable fluorescence even after being immersed in the solution, and the fluorescence emission retains luminance that can be recognized with the naked eye even after long-term storage. ing.

このように、本発明製造方法によれば、高周波プラズマCVD法を用い、溶液中にて高輝度でかつ安定的な蛍光発光を示し、環境や人体に対し優しく(無毒性・無害性)、しかも、各種溶液に対して耐薬品性、耐腐食性があり、生体適合性に優れる劣化防止保護膜で被覆されたナノシリコン粒子を製造することができる。   As described above, according to the production method of the present invention, high-frequency plasma CVD is used, high-luminance and stable fluorescence emission is exhibited in the solution, and it is gentle to the environment and the human body (non-toxic and harmless). Further, nanosilicon particles coated with a deterioration-preventing protective film having chemical resistance and corrosion resistance to various solutions and excellent in biocompatibility can be produced.

本発明の“劣化防止保護膜を有するナノシリコン粒子”は、溶液中において、高輝度でかつ安定した蛍光発光を示すという特有の特性を積極的に生かし、ディスプレイ、照明器具、化粧品、衣料品、服飾品、医薬品、医療用デバイス、その他の応用に有用な材料として使用され得るものである。   The “nanosilicon particles having a protective film for preventing deterioration” of the present invention actively utilizes the unique property of exhibiting high-luminance and stable fluorescence emission in a solution, and can be used for displays, lighting equipment, cosmetics, clothing, It can be used as a material useful for apparel, pharmaceuticals, medical devices, and other applications.

前述したように、環境や人体に対して優しく(無害、無毒)、各種溶液に対して耐薬品性、耐腐食性があり、生体適合性に優れる劣化防止保護膜で被覆された本発明のナノシリコン粒子は、溶液内において、高輝度でかつ安定的な蛍光発光を示すので、本発明は、ナノシリコン粒子の利用を、ディスプレイ分野、照明分野、化粧分野、服飾・デザイン分野、医療・薬剤分野、その他の分野にまで拡大するものである。   As described above, the nano of the present invention coated with an anti-deterioration protective film that is gentle to the environment and the human body (harmless and non-toxic), has chemical resistance and corrosion resistance to various solutions, and is excellent in biocompatibility. Since silicon particles exhibit high-intensity and stable fluorescence emission in a solution, the present invention uses nano-silicon particles in the display field, lighting field, cosmetic field, clothing / design field, medical field / pharmaceutical field. It will be expanded to other fields.

このように、本発明は、ディスプレイ分野、照明分野、化粧分野、服飾・デザイン分野、医療・薬剤分野、さらには、その他の分野において、21世紀における革新的な蛍光発光半導体ナノ粒子材料を利用した各種製品化技術の開発に適用される可能性が非常に大きいものである。   Thus, the present invention utilizes the innovative fluorescent light-emitting semiconductor nanoparticle material in the 21st century in the display field, lighting field, cosmetic field, clothing / design field, medical / pharmaceutical field, and other fields. It is very likely to be applied to the development of various commercialization technologies.

劣化防止保護膜をナノシリコン粒子の表面に被覆する過程を示す図である。(A)は、温熱板上の基板にナノシリコン粒子を塗布した態様を示す図であり、(B)は、高周波プラズマCVD法により、ナノシリコン粒子の表面にダイヤモンド状炭素膜を堆積した態様を示す図であり、(C)は、超音波洗浄器による攪拌処理の態様を示す図であり、また、(D)は、劣化防止保護膜で被覆されたナノシリコン粒子の溶液中における分散態様を示す図である。It is a figure which shows the process which coat | covers the deterioration prevention protective film on the surface of a nano silicon particle. (A) is a figure which shows the aspect which apply | coated the nano silicon particle to the board | substrate on a thermal plate, (B) is the aspect which deposited the diamond-like carbon film on the surface of the nano silicon particle by the high frequency plasma CVD method. (C) is a figure which shows the aspect of the stirring process by an ultrasonic cleaner, and (D) is the dispersion | distribution aspect in the solution of the nano silicon particle coat | covered with the deterioration prevention protective film. FIG. 劣化防止保護膜を被覆した試料を最表面層からアルゴンイオンエッチングしたときの炭素とシリコンの定量強度の変化を示す図である。It is a figure which shows the change of the fixed intensity | strength of carbon and silicon when the sample which coat | covered the deterioration prevention protective film is argon-ion etched from the outermost surface layer. 劣化防止保護膜を被覆した試料と被覆していない試料に係るラマンスペクトルを示す図である。It is a figure which shows the Raman spectrum which concerns on the sample which coat | covered the deterioration prevention protective film, and the sample which is not coat | covered. 劣化防止保護膜を被覆した試料と被覆していない試料に係る蛍光発光スペクトルを示す図である。It is a figure which shows the fluorescence emission spectrum which concerns on the sample which coat | covered the deterioration prevention protective film, and the sample which is not coat | covered. 溶液内における劣化防止膜を被覆した試料と被覆していない試料に係る蛍光発光強度の経時変化を示す図である。It is a figure which shows the time-dependent change of the fluorescence emission intensity concerning the sample which coat | covered the deterioration prevention film | membrane in a solution, and the sample which is not coat | covered. 高周波プラズマCVD装置の態様を示す図である。It is a figure which shows the aspect of a high frequency plasma CVD apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板
2 温熱板
3 ナノシリコン粒子
4 エタノール
5 マイクロピペット
6 高周波プラズマCVD法
7 ダイヤモンド状炭素膜
8 攪拌処理
9 溶液
10 容器
11 超音波洗浄器
12 メタンガス導入口
13 排気口
14 真空チャンバー
15 絶縁材料
16 冷却管
17 冷却水
18 基板ホルダー
19 陰極シールド
20 高周波電極
21 高周波コントローラ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board | substrate 2 Hot plate 3 Nano silicon particle 4 Ethanol 5 Micropipette 6 High frequency plasma CVD method 7 Diamond-like carbon film 8 Stirring process 9 Solution 10 Container 11 Ultrasonic cleaner 12 Methane gas inlet 13 Exhaust port 14 Vacuum chamber 15 Insulating material 16 Cooling pipe 17 Cooling water 18 Substrate holder 19 Cathode shield 20 High frequency electrode 21 High frequency controller

Claims (12)

紫外光線又は可視光線を照射することにより蛍光発光する粒子サイズ3.5nm以下のナノシリコン粒子を炭素膜からなる発光強度の劣化防止保護膜で被覆したことを特徴とする発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子。 Excellent persistence of emission brightness characterized by coating nanosilicon particles with a particle size of 3.5 nm or less that emit fluorescence when irradiated with ultraviolet rays or visible rays with a protective film that prevents deterioration of emission intensity consisting of a carbon film. Nano-silicon particles. 前記炭素膜がダイヤモンド状炭素膜であることであることを特徴とする請求項に記載の発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子。 2. The nanosilicon particles having excellent emission luminance persistence according to claim 1 , wherein the carbon film is a diamond-like carbon film. 前記ダイヤモンド状炭素膜が、高周波プラズマCVD法で作製したものであることを特徴とする請求項に記載の発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子。 The nano-silicon particles having excellent emission luminance persistence according to claim 2 , wherein the diamond-like carbon film is produced by a high-frequency plasma CVD method. 前記炭素膜からなる発光強度の劣化防止保護膜が、各種溶液に対して、耐薬品性、耐腐食性があり、生体適合性に優れていることを特徴とする請求項1〜のいずれか1項に記載の発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子。 Degradation preventing protective layer of the light emitting intensity composed of the carbon film, with respect to various solutions, chemical resistance and corrosion resistance, claim 1-3, characterized in that is excellent in biocompatibility 2. Nanosilicon particles excellent in sustainability of light emission luminance according to item 1 . 前記溶液が、エタノール、トルエン、純水、又は、生理食塩水であることを特徴とする請求項に記載の発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子。 The nanosilicon particles having excellent emission luminance persistence according to claim 4 , wherein the solution is ethanol, toluene, pure water, or physiological saline. 前記溶液内において、ナノシリコン粒子が高輝度でかつ安定的に蛍光発光することを特徴とする請求項又はに記載の発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子。 6. The nanosilicon particles having excellent emission luminance persistence according to claim 4 or 5 , wherein the nanosilicon particles emit fluorescent light stably with high luminance in the solution. 炭素膜からなる発光強度の劣化防止保護膜を有する粒子サイズ3.5nm以下のナノシリコン粒子の製造方法において、
(a)基板上に、ナノシリコン粒子を分散した溶液を塗布し、次いで、
(b)上記ナノシリコン粒子の表面に、高周波プラズマCVD法により、発光輝度の劣化防止保護膜を被覆する
ことを特徴とする発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子の製造方法。
In the method for producing nanosilicon particles having a particle size of 3.5 nm or less having a protective film for preventing deterioration of emission intensity made of a carbon film ,
(A) A solution in which nano-silicon particles are dispersed is applied on a substrate, and then
(B) A method for producing nanosilicon particles having excellent durability of emission luminance, wherein the surface of the nanosilicon particles is coated with a protective film for preventing deterioration of emission luminance by a high-frequency plasma CVD method.
前記炭素膜がダイヤモンド状炭素膜であることを特徴とする請求項に記載の発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子の製造方法。 The method for producing nanosilicon particles having excellent emission luminance persistence according to claim 7 , wherein the carbon film is a diamond-like carbon film. 前記ダイヤモンド状炭素膜が、高周波プラズマCVD法で作製したものであることを特徴とする請求項に記載の発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子の製造方法。 9. The method for producing nanosilicon particles having excellent emission luminance sustainability according to claim 8 , wherein the diamond-like carbon film is produced by a high-frequency plasma CVD method. 前記炭素膜からなる発光強度の劣化防止保護膜が、各種溶液に対して耐薬品性、耐腐食性があり、生体適合性に優れていることを特徴とする請求項のいずれか1項に記載の発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子の製造方法。 Degradation preventing protective layer of the light emitting intensity composed of the carbon film, chemical resistance against various solutions, there is corrosion resistant, any one of claims 7 to 9, characterized in that is excellent in biocompatibility 1 The manufacturing method of the nano silicon particle excellent in the persistence of the light-emitting luminance as described in a term . 前記溶液が、エタノール、トルエン、純水、又は、生理食塩水であることを特徴とする請求項10に記載の発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子の製造方法。 The method for producing nanosilicon particles having excellent luminescence luminance sustainability according to claim 10 , wherein the solution is ethanol, toluene, pure water, or physiological saline. 前記溶液内において、ナノシリコン粒子が高輝度でかつ安定的に蛍光発光することを特徴とする請求項10又は11に記載の発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子の製造方法。 The method for producing nanosilicon particles having excellent emission luminance persistence according to claim 10 or 11 , wherein the nanosilicon particles emit fluorescent light stably with high luminance in the solution.
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