JP5047863B2 - Shield processing structure of shielded wire - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、シールド電線とアース線との接続に係る、シールド電線のシールド処理構造に関する。 The present invention relates to a shield processing structure for a shielded wire related to the connection between a shielded wire and a ground wire.
図7において、引用符号1はシールド電線、引用符号2はアース線を示している。シールド電線1は、芯線3の外側に絶縁内皮(絶縁体)4、この外側にシールド導体としての編組5、さらに外側に樹脂被覆である絶縁外皮(絶縁シース)6を有している。一方、アース線2は、芯線7及び絶縁外皮8を有している。
In FIG. 7,
コネクタ9に接続されたシールド電線1の編組5と、同じくコネクタ9に接続されたアース線2の芯線7とを、コネクタ9の手前で接続する場合には、先ず、接続部Sにてシールド電線1の上にアース線2を交差させるように重ねる作業を行う。次に、重ねた部分を上下の樹脂チップ10、10(同一形状)で挟み込み、超音波溶着ホーン11とアンビル12とで上下の樹脂チップ10、10をこの外側から加圧した状態で超音波加振をし、これによってシールド電線1の絶縁外皮6とアース線2の絶縁外皮8とを溶融除去するとともに、シールド電線1の編組5とアース線2の芯線7とを導通させる作業を行う。尚、この時、上下の樹脂チップ10、10が相互に溶着されて接続部S周辺の密封が図られる。
When the
以上により、図8に示す如く、シールド電線1の編組5とアース線2の芯線7とが密封された内部で重なり合って接触し、シールド電線1とアース線2との接続部Sが形成される(例えば下記特許文献1参照)。
上記従来技術にあっては、超音波溶着ホーン11の摩耗などの要因によって、超音波加振の最中に上下の樹脂チップ10、10が図8の仮想線で示す如くずれてしまうと、シールド電線1の編組5とアース線2の芯線7との導通不良が生じるという可能性を有している。従って、導通検査を行っているが、この導通検査によって工数増となってしまうことから、導通検査を廃止したいと本願発明者は考えている。
In the above prior art, if the upper and
ところで、導通不良の再現実験を行ったところ、必ず樹脂チップ10のずれた方向とは逆の位置で不具合が発生するということが分かった。そして、不具合発生の原因を究明してみたところ、アース線2は樹脂チップ10の内部で溝13に沿ってRを描くため、樹脂チップ10のずれに伴ってシールド電線1側に変形が生じ(図8中の破線部分に変形が生じる)、これにより破線部分においては、斜め方向にシールド電線1の編組5と芯線3との距離が狭まり、間隔が十分に確保されず、最悪の場合、編組5と芯線3とのショートが発生してしまうということが分かった。
By the way, when an experiment for reproducing the conduction failure was performed, it was found that a defect always occurred at a position opposite to the direction in which the
本発明は、上記した事情に鑑みてなされたもので、導通不良を防止して導通検査工程の廃止を図ることが可能なシールド電線のシールド処理構造を提供することを課題とする。 This invention is made | formed in view of an above-described situation, and makes it a subject to provide the shield processing structure of the shielded electric wire which can aim at the abolition of a conduction inspection process by preventing a conduction defect.
上記課題を解決するためになされた請求項1記載の本発明のシールド電線のシールド処理構造は、芯線と絶縁内皮と編組と絶縁外皮とを有するシールド電線に対し交差するように芯線及び絶縁外皮を有するアース線を重ね、これら重ねた部分を上下の樹脂チップで挟み込んだ後、該上下の樹脂チップを外側から加圧した状態で超音波加振をし、これにより前記シールド電線の絶縁外皮及び前記アース線の絶縁外皮を溶融除去するとともに、前記シールド電線の編組と前記アース線の芯線とを導通させる、シールド電線のシールド処理構造において、前記上下の樹脂チップの接合面の位置に合わせ、且つ、前記シールド電線の左右両側となる位置に、前記アース線を保持する一対のアース線保持用土手を形成するとともに、上側となる前記樹脂チップの一対のアース線保持用土手及び下側となる前記樹脂チップの一対のアース線保持用土手を、前記上下の樹脂チップ内における前記アース線が左右方向略ストレートな状態となるように、上下非対称形状とすることを特徴としている。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a shield processing structure for a shielded electric wire according to the present invention, wherein the core wire and the insulating sheath are crossed with respect to the shielded electric wire having a core wire, an insulating inner skin, a braid, and an insulating outer shell. After overlapping the ground wires, and sandwiching the overlapped portions between the upper and lower resin chips, the upper and lower resin chips are subjected to ultrasonic vibration in a state of being pressurized from the outside. In the shield processing structure of the shielded wire, in which the insulation sheath of the ground wire is melted and removed, and the braid of the shielded wire and the core wire of the ground wire are made conductive, according to the position of the joint surface of the upper and lower resin chips, and A pair of ground wire holding banks for holding the ground wire are formed at positions on the left and right sides of the shielded electric wire, and the resin on the upper side A pair of earth wire holding banks and a pair of earth wire holding banks of the resin chip on the lower side so that the earth wires in the upper and lower resin chips are in a substantially straight state in the left-right direction, It is characterized by a vertically asymmetric shape.
このような特徴を有する本発明によれば、上下の樹脂チップは、この内部におけるアース線が左右方向略ストレートな状態となるように上下非対称形状に形成されることから、超音波加振の最中に、仮に樹脂チップにずれが生じたとしても、アース線がシールド電線を変形させるような移動をすることはなく、結果、導通不良につながるような変形が防止される。 According to the present invention having such a feature, the upper and lower resin chips are formed in an asymmetrical shape so that the ground wire inside thereof is in a substantially straight state in the left-right direction. Even if the resin chip is displaced in the middle, the ground wire does not move so as to deform the shielded wire, and as a result, deformation that leads to poor conduction is prevented.
請求項2記載の本発明のシールド電線のシールド処理構造は、請求項1に記載のシールド電線のシールド処理構造において、下側となる前記樹脂チップの一対のアース線保持用土手の間に曲面を有する溝底部を形成し、該曲面の少なくとも一部の曲率半径を前記シールド電線の絶縁外皮の半径よりも大きく設定することを特徴としている。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a shield processing structure for a shielded electric wire according to the first aspect, wherein a curved surface is formed between a pair of ground wire holding banks of the resin chip on the lower side. The groove bottom portion is formed, and the radius of curvature of at least a part of the curved surface is set larger than the radius of the insulating sheath of the shielded electric wire.
このような特徴を有する本発明によれば、溶着後のチップ内部の断面積が略同一になり、シールド電線の編組とアース線の芯線との接続性能が満足する。また、斜めからシールド電線への圧力を低減することが可能になる。 According to the present invention having such characteristics, the cross-sectional areas inside the chip after welding are substantially the same, and the connection performance between the braided shielded wire and the core wire of the ground wire is satisfied. In addition, it is possible to reduce the pressure on the shielded wire from an oblique direction.
請求項3記載の本発明のシールド電線のシールド処理構造は、請求項1に記載のシールド電線のシールド処理構造において、下側となる前記樹脂チップの一対のアース線保持用土手の間隔を、一部、前記シールド電線の絶縁外皮の直径よりも小さく設定することを特徴としている。 According to a third aspect of the present invention, there is provided a shield processing structure for a shielded electric wire according to the first aspect of the present invention, wherein the distance between the pair of ground wire holding banks of the resin chip on the lower side is one. And a diameter smaller than the diameter of the insulation sheath of the shielded wire.
このような特徴を有する本発明によれば、溶着後のチップ内部の断面積が略同一になり、シールド電線の編組とアース線の芯線との接続性能が満足する。また、横からシールド電線への圧力を低減することが可能になる。 According to the present invention having such characteristics, the cross-sectional areas inside the chip after welding are substantially the same, and the connection performance between the braided shielded wire and the core wire of the ground wire is satisfied. In addition, the pressure from the side to the shielded wire can be reduced.
請求項1に記載された本発明によれば、導通不良を防止して導通検査工程の廃止を図ることができるという効果を奏する。また、請求項2、3に記載された本発明によれば、シールド電線の編組とアース線の芯線との接続性能を満足させることができるという効果や、シールド電線への圧力を低減することができるというを奏する。
According to the first aspect of the present invention, there is an effect that it is possible to prevent conduction failure and abolish the conduction inspection process. In addition, according to the present invention described in
以下、図面を参照しながら説明する。図1は本発明のシールド電線のシールド処理構造の一実施の形態を示す接続部及びこの周辺の斜視図である。また、図2は図1のA−A線断面図である。尚、従来例と同一の構成部材には同一の符号を付して詳細な説明を省略する。 Hereinafter, description will be given with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a connection portion and its periphery showing an embodiment of a shield processing structure for a shielded wire according to the present invention. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same structural member as a prior art example, and detailed description is abbreviate | omitted.
図1において、コネクタ9の手前には、このコネクタ9に接続されたシールド電線1の編組5と、同じくコネクタ9に接続されたアース線2の芯線7とが接続されて、接続部Sが形成されている。本発明のシールド電線のシールド処理構造は、上側となる樹脂チップ21と下側となる樹脂チップ22とが従来例と異なるだけである。従って、以下、上下の樹脂チップ21、22について説明する。
In FIG. 1, the
図2において、上側となる樹脂チップ21は、下側となる樹脂チップ22との接合面23の位置に合わせ、且つ、シールド電線1の左右両側となる位置に、アース線2を保持するための一対のアース線保持用土手24を有している。接合面23は、上下の樹脂チップ21、22内におけるアース線2が左右方向略ストレートな状態となる位置に配置形成されている。一対のアース線保持用土手24の間には、浅底となる溝部25が形成されている。
In FIG. 2, the
下側となる樹脂チップ22は、接合面23の位置に合わせ、且つ、シールド電線1の左右両側となる位置に、アース線2を保持するための一対のアース線保持用土手26を有している。一対のアース線保持用土手26の間には、深い底となる溝部27が形成されている。上下の樹脂チップ21、22は、図示の如く、上下非対称形状となるように形成されている。
The
溝部27には、複数の曲面を有する溝底部28が形成されている。溝底部28の曲面29は、この曲率半径がシールド電線1の絶縁外皮6(図中の仮想線が絶縁外皮6の外径位置となる)の半径よりも大きく設定されている(溶着後のチップ内部の断面積を略同一にするため。また、斜めからシールド電線1への圧力を低減するため)。溝部27は、シールド電線1のサイズに合わせて深さが設定されている。また、溝部27は、アース線2が左右方向略ストレートな状態となるように深さが設定されている。
A
シールド電線1とアース線2とを接続するには、従来例と同様に、先ず、接続部Sにてシールド電線1の上にアース線2を交差させるように重ね、次に、重ねた部分を上下の樹脂チップ21、22で挟み込み、超音波溶着ホーン11(図7参照)とアンビル12(図7参照)とで上下の樹脂チップ21、22をこの外側から加圧する。そして、この加圧状態で超音波加振をする。超音波加振によってシールド電線1の絶縁外皮6とアース線2の絶縁外皮8とが溶融除去されるとともに、シールド電線1の編組5とアース線2の芯線7とが導通し、また、上下の樹脂チップ21、22が相互に溶着されて接続部S周辺が密封される。
In order to connect the shielded
本発明によれば、上下の樹脂チップ21、22は、この内部におけるアース線2が左右方向略ストレートな状態となるように上下非対称形状に形成されることから、超音波加振の最中に仮に樹脂チップ21、22にずれが生じたとしても、アース線2がシールド電線1を変形させるような移動をすることはなく、結果、導通不良につながるような変形が防止される。
According to the present invention, the upper and
図3は図1のA−A線断面図(他の例)である。図3においては、上下の樹脂チップ21、22′によって接続部Sが形成されている。上側となる樹脂チップ21は、図2のものと同じである。以下、下側となる樹脂チップ22′について説明する。
FIG. 3 is a cross-sectional view along line AA in FIG. 1 (another example). In FIG. 3, a connecting portion S is formed by upper and
下側となる樹脂チップ22′は、接合面23の位置に合わせ、且つ、シールド電線1の左右両側となる位置に、アース線2を保持するための一対のアース線保持用土手26が形成されている。一対のアース線保持用土手26の間には、深い底となる溝部27′が形成されている。上下の樹脂チップ21、22′は、図示の如く、上下非対称形状となるように形成されている。
The
溝部27′には、曲面30を有する溝底部31と、溝部27′の横壁を内側に寄せてなる垂直壁部32とが形成されている。曲面30は、この曲率半径がシールド電線1の絶縁外皮6の半径に合わせて設定されている。垂直壁部32は、この間隔がシールド電線1の絶縁外皮6(図中の仮想線が絶縁外皮6の外径位置となる)の直径よりも小さく設定(短く設定)されている(溶着後のチップ内部の断面積を略同一にするため。また、横からシールド電線1への圧力を低減するため)。溝部27′は、シールド電線1のサイズに合わせて深さが設定されている。また、溝部27′は、アース線2が左右方向略ストレートな状態となるように深さが設定されている。
In the
上下の樹脂チップ21、22′を用いてシールド電線1とアース線2とを接続するには、図1及び図2の例と同様に、先ず、接続部Sにてシールド電線1の上にアース線2を交差させるように重ね、次に、重ねた部分を上下の樹脂チップ21、22′で挟み込み、超音波溶着ホーン11(図7参照)とアンビル12(図7参照)とで上下の樹脂チップ21、22′をこの外側から加圧する。そして、この加圧状態で超音波加振をする。超音波加振によってシールド電線1の絶縁外皮6とアース線2の絶縁外皮8とが溶融除去されるとともに、シールド電線1の編組5とアース線2の芯線7とが導通し、また、上下の樹脂チップ21、22′が相互に溶着されて接続部S周辺が密封される。
In order to connect the shielded
本発明によれば、上下の樹脂チップ21、22′は、この内部におけるアース線2が左右方向略ストレートな状態となるように上下非対称形状に形成されることから、超音波加振の最中に仮に樹脂チップ21、22′にずれが生じたとしても、アース線2がシールド電線1を変形させるような移動をすることはなく、結果、導通不良につながるような変形が防止される。
According to the present invention, the upper and
以上、図1ないし図3を参照しながら説明してきたように、本発明によれば、上下の樹脂チップ21、22(21、22′)の形状によって導通不良を防止することができるという効果を奏する。従って、導通検査工程の廃止を図ることができるという効果を奏する。
As described above with reference to FIGS. 1 to 3, according to the present invention, it is possible to prevent conduction failure by the shape of the upper and
図4は上側となる樹脂チップの他の例となる斜視図である。また、図5は下側となる樹脂チップの他の例となる斜視図である。 FIG. 4 is a perspective view showing another example of the upper resin chip. FIG. 5 is a perspective view showing another example of the lower resin chip.
図4において、上側となる樹脂チップ41は、下側となる樹脂チップ42(図5参照)との接合面43の位置に合わせて一対のアース線保持用土手44を有している。接合面43は、上下の樹脂チップ41、42内におけるアース線2(図2参照)が左右方向略ストレートな状態となる位置に配置形成されている。一対のアース線保持用土手44の間には、浅底となる溝部45が形成されている。引用符号46はアース線収容溝を示している。
In FIG. 4, the
図5において、下側となる樹脂チップ42は、接合面43の位置に合わせ、且つ、シールド電線1(図2参照)の左右両側となる位置に、アース線2(図2参照)を保持するための一対のアース線保持用土手47を有している。一対のアース線保持用土手47の間には、深い底となる溝部48が形成されている。図4及び図5の上下の樹脂チップ41、42は、上下非対称形状となるように形成されている。下側となる樹脂チップ42における引用符号49はシールド電線収容溝を示している。また、引用符号50はアース線収容溝を示している。
In FIG. 5, the
図6は、ずらし量と沿面距離との関係を示すグラフである。ここで、グラフ横軸のずらし量(比率)とは、図8のチップ幅αとチップずれ量βとをβ/αで示した量であるものとする。また、グラフ縦軸の沿面距離とは、シールド電線1の芯線3と編組5との間の最短距離を指すものとする。
FIG. 6 is a graph showing the relationship between the shift amount and the creepage distance. Here, the shift amount (ratio) on the horizontal axis of the graph is assumed to be an amount expressed by β / α of the chip width α and the chip shift amount β in FIG. The creepage distance on the vertical axis of the graph indicates the shortest distance between the
グラフ中の四角印(□)のプロットは、従来例の上下の樹脂チップ10、10を用いた場合のものである。一方、バツ印(×)のプロットは、図2の上下の樹脂チップ21、22を用いた場合のものである。丸印(○)のプロットは、図3の上下の樹脂チップ21、22′を用いた場合のものである。
The plots of square marks (□) in the graph are obtained when the upper and
グラフから分かるように、本発明に係る上下の樹脂チップ21、22(21、22′)は、従来例の上下の樹脂チップ10、10を用いた場合よりも、沿面距離の減少が小さいことから、ショート発生の問題を解決することができると考えることができる。従って、導通検査を廃止しても品質の良い接続部Sを形成することが可能であると言える。
As can be seen from the graph, the upper and
本発明は本発明の主旨を変えない範囲で種々変更実施可能なことは勿論である。 It goes without saying that the present invention can be variously modified without departing from the spirit of the present invention.
S 接続部
1 シールド電線
2 アース線
3 芯線
4 絶縁内皮
5 編組
6 絶縁外皮
7 芯線
8 絶縁外皮
9 コネクタ
11 超音波溶着ホーン
12 アンビル
21 上側となる樹脂チップ
22、22′ 下側となる樹脂チップ
23 接合面
24、26 アース線保持用土手
25、27、27′ 溝部
28、31 溝底部
29、30 曲面
32 垂直壁部
DESCRIPTION OF SYMBOLS S
Claims (3)
前記上下の樹脂チップの接合面の位置に合わせ、且つ、前記シールド電線の左右両側となる位置に、前記アース線を保持する一対のアース線保持用土手を形成するとともに、上側となる前記樹脂チップの一対のアース線保持用土手及び下側となる前記樹脂チップの一対のアース線保持用土手を、前記上下の樹脂チップ内における前記アース線が左右方向略ストレートな状態となるように、上下非対称形状とする
ことを特徴とするシールド電線のシールド処理構造。 A ground wire having a core wire and an insulating sheath is overlapped with a shielded electric wire having a core wire, an insulating inner skin, a braid, and an insulating sheath, and the upper and lower resin chips are sandwiched between the upper and lower resin chips. Is applied from the outside, and the insulation sheath of the shield wire and the insulation sheath of the ground wire are melted and removed, and the braid of the shield wire and the core wire of the ground wire are electrically connected. In the shield processing structure of shielded wire,
A pair of ground wire holding banks for holding the ground wire are formed at positions on the left and right sides of the shielded electric wire in accordance with the positions of the joint surfaces of the upper and lower resin chips, and the resin chip on the upper side A pair of ground wire holding banks and a pair of ground wire holding banks of the lower resin chip are vertically asymmetric so that the ground wires in the upper and lower resin chips are in a substantially straight state in the left-right direction. Shield processing structure for shielded wire, characterized by its shape.
下側となる前記樹脂チップの一対のアース線保持用土手の間に曲面を有する溝底部を形成し、該曲面の少なくとも一部の曲率半径を前記シールド電線の絶縁外皮の半径よりも大きく設定する
ことを特徴とするシールド電線のシールド処理構造。 In the shield processing structure of the shielded electric wire according to claim 1,
A groove bottom portion having a curved surface is formed between a pair of ground wire holding banks of the resin chip on the lower side, and a radius of curvature of at least a part of the curved surface is set to be larger than a radius of the insulating sheath of the shielded wire. Shield processing structure for shielded wire, characterized by
下側となる前記樹脂チップの一対のアース線保持用土手の間隔を、一部、前記シールド電線の絶縁外皮の直径よりも小さく設定する
ことを特徴とするシールド電線のシールド処理構造。 In the shield processing structure of the shielded electric wire according to claim 1,
The shield processing structure for a shielded wire, characterized in that a part of the gap between the pair of ground wire holding banks of the resin chip on the lower side is set smaller than the diameter of the insulating sheath of the shielded wire.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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