JP5050426B2

JP5050426B2 - Non-contact IC tag manufacturing method and apparatus

Info

Publication number: JP5050426B2
Application number: JP2006188914A
Authority: JP
Inventors: 英人坂田; 昭彦五十嵐; 栄長谷川
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2005-12-07
Filing date: 2006-07-10
Publication date: 2012-10-17
Anticipated expiration: 2026-07-10
Also published as: JP2007183909A

Description

本発明は、外部のリーダ・ライタと非接触でデータの授受を行うことができる非接触ＩＣタグの製造方法及び装置に関する。 The present invention relates to a method and an apparatus for manufacturing a non-contact IC tag that can exchange data with an external reader / writer in a non-contact manner.

従来、外部のリーダ・ライタと非接触でデータの授受を行う非接触ＩＣタグは、ＩＣチップと、外部のリーダ・ライタと非接触でデータの送受信を行うアンテナ回路とを有しており、このような非接触ＩＣタグを基材シートに設けることにより非接触ＩＣタグ付シートが得られる。 Conventionally, a non-contact IC tag that exchanges data without contact with an external reader / writer has an IC chip and an antenna circuit that transmits and receives data without contact with the external reader / writer. By providing such a non-contact IC tag on the base sheet, a sheet with a non-contact IC tag can be obtained.

このような非接触ＩＣタグ付シートを製造するには、例えば特許文献１に開示された発明がある。この発明は、帯状の導電体の中央部をスリッタ装置により切断することにより、スリットにより分離された一対の導電体シートを得て、この一対の導電体シートが、その後基材シート上に積層される。次いで、上記スリットを跨いで上記一対の導電体シート間に、複数のＩＣチップが実装され、このＩＣチップ上が保護フィルムにより覆われる。 In order to manufacture such a sheet with a non-contact IC tag, for example, there is an invention disclosed in Patent Document 1. This invention obtains a pair of conductor sheets separated by slits by cutting the central portion of the strip-shaped conductor with a slitter device, and the pair of conductor sheets is then laminated on the base sheet. The Next, a plurality of IC chips are mounted between the pair of conductor sheets across the slit, and the IC chips are covered with a protective film.

そして、上記基材シート、一対の導電体シート、ＩＣチップ及び保護フィルムからなるシート体は、カッタにより切断されて非接触ＩＣタグ付シートが得られる。 And the sheet | seat body which consists of the said base material sheet, a pair of conductor sheet | seat, IC chip, and a protective film is cut | disconnected with a cutter, and a sheet | seat with a non-contact IC tag is obtained.

なお、上記特許文献１に開示された発明では、上記帯状の導電体の中央部をカッタやレーザ装置により切断することも開示されている。
特開２００５−６３２０１号公報 The invention disclosed in Patent Document 1 also discloses that the central portion of the strip-shaped conductor is cut by a cutter or a laser device.
JP-A-2005-63201

ところで、近年のＩＣチップは、その長さを３００μｍとし、ＩＣチップの電極バンプの幅を５０〜１００μｍとした場合、スリットの幅が１００μｍとなる。最近では、ＩＣチップの微小化が一段と進み、スリットの幅も一層狭小にする必要性が生じてきている。 By the way, in recent IC chips, when the length is 300 μm and the width of the electrode bump of the IC chip is 50 to 100 μm, the width of the slit is 100 μm. Recently, the miniaturization of IC chips has further progressed, and it has become necessary to further reduce the width of the slits.

上記特許文献１に開示された発明では、帯状の導電体の中央部をスリッタ装置により切断し、スリットにより分離された一対の導電体シートを基材シート上に積層することから、その積層の際、両者の精細な位置決めが困難であるため、スリットの幅を狭くするには、自ずと限界がある。 In the invention disclosed in Patent Document 1, the center portion of the strip-shaped conductor is cut by a slitter device, and the pair of conductor sheets separated by the slits are stacked on the base material sheet. Since it is difficult to finely position the both, there is a limit in reducing the width of the slit.

したがって、従来では、導電体の中央部をカッタやレーザ装置により切断したとしても、スリット幅１００μｍが限界となり、これにより長さ３００μｍより微小なＩＣチップを実装することができないという問題がある。 Therefore, conventionally, even if the central portion of the conductor is cut by a cutter or a laser device, there is a problem that the slit width is 100 μm, which makes it impossible to mount an IC chip smaller than 300 μm in length.

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、より微小なＩＣチップを実装可能な非接触ＩＣタグの製造方法及び装置を提供することにある。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a method and an apparatus for manufacturing a non-contact IC tag capable of mounting a smaller IC chip.

上記課題を解決するため、本発明は次のような構成を採用する。 In order to solve the above problems, the present invention employs the following configuration.

請求項１に係る発明は、基材（２）を走行させつつその表面に接着剤層（５）を介してアンテナパターンと当該アンテナパターンから分岐された静電容量を可変するための複数のコンデンサパターンとを有する導電層（３）を接着する接着工程と、基材（２）上で導電層（３）を所定のパターンに打ち抜く打ち抜き工程と、アンテナパターンに狭小なギャップ（７）を形成するギャップ形成工程と、ギャップ（７）を跨いでアンテナパターンにＩＣチップ（８）を実装するＩＣチップ実装工程とを包含してなり、前記分岐された複数のコンデンサパターンのいずれかを切断することにより前記非接触ＩＣタグとしての共振周波数を調整し、前記ギャップ形成工程は、レーザ照射手段（１１）によりレーザ光を照射してギャップ（７）を形成するものであって、前記ギャップの開口端の両側にバリを発生させる出力でレーザ光を照射した後に、当該ギャップの開口端の両側に前記ギャップを形成する際のレーザ光の出力より低い値のレーザ光を照射して前記バリを取り除く非接触ＩＣタグの製造方法であることを特徴とする。 The invention according to claim 1 is a plurality of capacitors for varying the antenna pattern and the capacitance branched from the antenna pattern on the surface of the substrate (2) via the adhesive layer (5) while traveling. A bonding step of bonding the conductive layer (3) having a pattern, a punching step of punching the conductive layer (3) into a predetermined pattern on the substrate (2), and forming a narrow gap (7) in the antenna pattern Including a gap forming step and an IC chip mounting step of mounting the IC chip (8) on the antenna pattern across the gap (7), and cutting one of the branched capacitor patterns to adjust the resonance frequency as the non-contact IC tag, the gap forming step, to form a gap (7) is irradiated with laser light by the laser irradiation means (11) A laser having a value lower than the output of the laser beam when the gap is formed on both sides of the opening end of the gap after irradiating the laser beam with an output that generates burrs on both sides of the opening end of the gap. It is a method of manufacturing a non-contact IC tag that removes the burr by irradiating light .

請求項２に係る発明は、請求項１に記載の非接触ＩＣタグ（１）の製造方法において、前記ＩＣチップ実装工程の直前に前記ギャップ形成工程を行うことを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, in the manufacturing method of the non-contact IC tag (1) according to claim 1, wherein: performing the gap forming step immediately before the IC chip mounting step.

請求項３に係る発明は、請求項１に記載の非接触ＩＣタグの製造方法において、前記ギャップ形成工程を行った後に、前記導電層（３）のパターンのギャップ形成部位を加熱プレスする熱プレス工程を行うことを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in the method for manufacturing a non-contact IC tag according to the first aspect , after performing the gap forming step, a hot press for heating and pressing a gap forming portion of the pattern of the conductive layer (3) A process is performed.

請求項４に係る発明は、基材（２）の表面に接着剤層（５）を介してアンテナパターンと当該アンテナパターンから分岐された静電容量を可変するための複数のコンデンサパターンとを有する導電層（３）を接着する接着手段と、基材（２）上で導電層（３）を所定のパターンに打ち抜く打ち抜き手段と、アンテナパターンに狭小なギャップ（７）を形成するギャップ形成手段と、ギャップ（７）を跨いでアンテナパターンにＩＣチップ（８）を実装するＩＣチップ実装手段（１２）とを包含してなり、前記分岐された複数のコンデンサパターンのいずれかを切断することにより前記非接触ＩＣタグとしての共振周波数を調整し、前記ギャップ形成手段は、レーザ光を照射してギャップ（７）を形成するレーザ照射装置（１１）であって、前記ギャップの開口端の両側にバリを発生させる出力でレーザ光を照射した後に、当該ギャップの開口端の両側に前記ギャップを形成する際のレーザ光の出力より低い値のレーザ光を照射して前記バリを取り除く非接触ＩＣタグの製造装置であることを特徴とする。 The invention according to claim 4 has an antenna pattern and a plurality of capacitor patterns for changing the capacitance branched from the antenna pattern on the surface of the base material (2) via the adhesive layer (5). Bonding means for bonding the conductive layer (3), punching means for punching the conductive layer (3) into a predetermined pattern on the substrate (2), and gap forming means for forming a narrow gap (7) in the antenna pattern; And IC chip mounting means (12) for mounting the IC chip (8) on the antenna pattern across the gap (7), and by cutting any of the branched capacitor patterns, to adjust the resonance frequency of the non-contact IC tag, the gap forming means is a laser irradiation apparatus to form a gap (7) is irradiated with a laser beam (11), before After irradiating the laser beam with an output that generates burrs on both sides of the opening end of the gap, the laser beam having a value lower than the output of the laser beam at the time of forming the gap is irradiated on both sides of the opening end of the gap. A non-contact IC tag manufacturing apparatus that removes burrs .

請求項５に係る発明は、請求項４に記載の非接触ＩＣタグの製造装置において、前記レーザ照射装置は、ＹＡＧレーザ照射装置であって、このＹＡＧレーザ照射装置から出力１０〜５０Ｗ程度でＹＡＧ基本波を照射することを特徴とする。 The invention according to claim 5 is the non-contact IC tag manufacturing apparatus according to claim 4 , wherein the laser irradiation device is a YAG laser irradiation device, and the YAG laser irradiation device outputs about 10 to 50 W from the YAG laser irradiation device. It is characterized by irradiating a fundamental wave.

請求項６に係る発明は、請求項４に記載の非接触ＩＣタグの製造装置において、前記導電層のパターンのギャップ形成部位を加熱プレスする熱プレス手段を設けたことを特徴とする。 According to a sixth aspect of the present invention, in the non-contact IC tag manufacturing apparatus according to the fourth aspect of the present invention, there is provided a heat pressing means for heating and pressing a gap forming portion of the pattern of the conductive layer.

本発明に係る非接触ＩＣタグ（１）とその製造方法及び装置によれば、導電層（３）のパターンに狭小なギャップ（７）を形成し、このギャップ（７）を跨いで導電層（３）のパターンにＩＣチップ（８）を実装して製造することにより、数１０μｍの狭小なギャップ（７）が形成されるため、極めて微小なＩＣチップ（８）を確実かつ容易に実装することができる。 According to the non-contact IC tag (1) and the manufacturing method and apparatus according to the present invention, a narrow gap (7) is formed in the pattern of the conductive layer (3), and the conductive layer ( Since a narrow gap (7) of several tens of μm is formed by mounting the IC chip (8) on the pattern 3), an extremely small IC chip (8) can be mounted reliably and easily. Can do.

以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。 The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.

＜実施形態＞
図１〜図４に示すように、非接触ＩＣタグ１は、基材２の表裏面にそれぞれ熱可塑性接着剤層が所定のパターンに形成され、基材２の表裏面における熱可塑性接着剤層の上に熱可塑性接着剤層のパターンと同じ形状のパターンの導電層３，４が接着されている。 <Embodiment>
As shown in FIGS. 1 to 4, in the non-contact IC tag 1, a thermoplastic adhesive layer is formed in a predetermined pattern on the front and back surfaces of the base material 2, and the thermoplastic adhesive layer on the front and back surfaces of the base material 2. The conductive layers 3 and 4 having the same shape as the pattern of the thermoplastic adhesive layer are bonded to the top.

基材２は、例えば紙、樹脂等のシート又はそれらを積層したシートにより形成される。また、図示例では長方形に形成されるが、その他の所望の形状とすることができる。 The base material 2 is formed of, for example, a sheet of paper, resin, or a sheet obtained by laminating them. Moreover, although it forms in a rectangle in the example of illustration, it can be set as other desired shapes.

導電層３，４は、アルミニウム、銅、銅合金、リン青銅、ＳＵＳ等の金属箔又は合金箔により形成される。例えば、アルミニウム箔の場合、厚さが７μｍ〜３５μｍのものが使用可能である。 The conductive layers 3 and 4 are formed of metal foil or alloy foil such as aluminum, copper, copper alloy, phosphor bronze, and SUS. For example, in the case of an aluminum foil, one having a thickness of 7 μm to 35 μm can be used.

導電層３，４のうち基材２の表側の導電層３は、アンテナのパターン及びコンデンサの一方の電極のパターンにそれぞれ形成される。また、導電層３，４のうち基材２の裏側の導電層４は、ブリッジのパターン及びコンデンサの他方の電極のパターンにそれぞれ形成される。図４及び図５において、符号３ａはアンテナのパターンに対応した導電層、符号３ｂはコンデンサの一方の電極のパターンに対応した導電層、符号４ａはブリッジのパターンに対応した導電層、符号４ｂはコンデンサの他方の電極のパターンに対応した導電層をそれぞれ示す。 Of the conductive layers 3 and 4, the conductive layer 3 on the front side of the substrate 2 is formed in an antenna pattern and a capacitor electrode pattern, respectively. In addition, the conductive layer 4 on the back side of the base material 2 among the conductive layers 3 and 4 is formed in a bridge pattern and a pattern of the other electrode of the capacitor, respectively. 4 and 5, reference numeral 3a is a conductive layer corresponding to the antenna pattern, reference numeral 3b is a conductive layer corresponding to the pattern of one electrode of the capacitor, reference numeral 4a is a conductive layer corresponding to the bridge pattern, and reference numeral 4b is Each of the conductive layers corresponding to the pattern of the other electrode of the capacitor is shown.

アンテナのパターンは、図示例では渦巻状パターンとされるが、それ以外にも通信周波数帯によってバー形状パターン、パット形状パターン、クロス形状パターンなど様々のパターンとすることができる。 The antenna pattern is a spiral pattern in the illustrated example, but other patterns such as a bar-shaped pattern, a pad-shaped pattern, and a cross-shaped pattern can be used depending on the communication frequency band.

ブリッジのパターンは、図示例では細長い長方形であるが、それ以外の形状に適宜変更可能である。 The bridge pattern is an elongated rectangle in the illustrated example, but can be appropriately changed to other shapes.

また、コンデンサのパターンは、一方の電極について細長い長方形に形成されるが、他方の電極については多数個の互いに電気的に接続された細片に形成される。非接触ＩＣタグ１が完成した後、細片間のつなぎ部の導電層４ｃを切断することにより、静電容量を可変し、非接触ＩＣタグ１としての共振周波数を最適値に調整することができる。 Further, the capacitor pattern is formed in an elongated rectangular shape for one electrode, while the other electrode is formed in a number of electrically connected strips. After the non-contact IC tag 1 is completed, by cutting the conductive layer 4c between the strips, the capacitance can be varied and the resonance frequency of the non-contact IC tag 1 can be adjusted to an optimum value. it can.

熱可塑性接着剤層は、上記導電層３，４の各種パターンに合致したパターンで基材２の表裏面又は導電層３，４にそれぞれ付着形成され、導電層３，４を基材２上に付着させる。図４において、符号５はアンテナのパターンに対応した表側の熱可塑性接着剤層を示している。 The thermoplastic adhesive layer is attached to the front and back surfaces of the base material 2 or the conductive layers 3 and 4 in a pattern that matches the various patterns of the conductive layers 3 and 4, and the conductive layers 3 and 4 are formed on the base material 2. Adhere. In FIG. 4, the code | symbol 5 has shown the thermoplastic adhesive layer of the front side corresponding to the pattern of an antenna.

熱可塑性接着剤層５は、インクジェット印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷等の印刷方式により基材２又は導電層３に塗布される。熱可塑性接着剤層５が基材２又は導電層３に薄く形成されることにより、導電層３は大きく盛り上がることなく基材２上に貼着され、また、導電層３下からの熱可塑性接着剤の食み出しが防止される。 The thermoplastic adhesive layer 5 is applied to the substrate 2 or the conductive layer 3 by a printing method such as ink jet printing, gravure printing, flexographic printing, or screen printing. By forming the thermoplastic adhesive layer 5 thinly on the base material 2 or the conductive layer 3, the conductive layer 3 is stuck on the base material 2 without being greatly raised, and the thermoplastic adhesion from below the conductive layer 3 is performed. Protruding agent is prevented.

図１に示すように、アンテナの両端子のパターンに対応した導電層３ｃとブリッジのパターンに対応した導電層４ａとは、導通手段である図示しないスルーホールにより電気的に導通している。導電層３ｃ，４ａの上から基材２を厚さ方向で超音波溶接することによっても表裏の導電層３，４間を電気的に接続することも可能である。 As shown in FIG. 1, the conductive layer 3c corresponding to the pattern of both terminals of the antenna and the conductive layer 4a corresponding to the bridge pattern are electrically connected by a through hole (not shown) which is a conductive means. It is also possible to electrically connect the front and back conductive layers 3 and 4 by ultrasonic welding the base material 2 in the thickness direction from above the conductive layers 3c and 4a.

図２に示すように、非接触ＩＣタグ１におけるアンテナのパターンの導電層３ａは、ＩＣチップ接続電極に対応する導電層３ｄを含んでいる。この導電層３ｄは、後述するＹＡＧレーザ照射装置によりレーザ光を照射して切断除去することで、図４に示すような１００μｍ未満の狭小なギャップ７が形成される。 As shown in FIG. 2, the conductive layer 3a of the antenna pattern in the non-contact IC tag 1 includes a conductive layer 3d corresponding to the IC chip connection electrode. The conductive layer 3d is cut and removed by irradiating laser light with a YAG laser irradiation apparatus described later, thereby forming a narrow gap 7 of less than 100 μm as shown in FIG.

このギャップ７は、ＩＣチップ８の入出力用ギャップであり、ギャップ７を跨いで導電層３ｄにＩＣチップ８が配置され、このＩＣチップ８は電極バンプ９を有し、この電極バンプ９を介して導電層３ｄとＩＣチップ８とが電気的に接続される。すなわち、電極バンプ９は、ギャップ７近傍の導電層３ｄに接続されている。 The gap 7 is an input / output gap of the IC chip 8. The IC chip 8 is disposed on the conductive layer 3 d across the gap 7, and the IC chip 8 has an electrode bump 9. Thus, the conductive layer 3d and the IC chip 8 are electrically connected. That is, the electrode bump 9 is connected to the conductive layer 3d near the gap 7.

また、基材２上にＩＣチップ８が実装された非接触ＩＣタグ１は、図４に示すように、紙、樹脂フィルム等からなる保護層１０で覆われる。この保護層１０はアンテナのパターン等を形成する導電層３を保護するためのもので、その表面には所望の内容が印刷等により表示される。 Further, the non-contact IC tag 1 in which the IC chip 8 is mounted on the substrate 2 is covered with a protective layer 10 made of paper, a resin film or the like as shown in FIG. The protective layer 10 is for protecting the conductive layer 3 forming the antenna pattern and the like, and desired contents are displayed on the surface thereof by printing or the like.

したがって、本実施形態の非接触ＩＣタグ１によれば、導電層３のパターンにレーザ照射による狭小なギャップ７が形成され、このギャップ７を跨いで導電層３のパターンにＩＣチップ８を配置したことにより、数１０μｍの狭小なギャップ７が形成されるため、長さ３００μｍより微小なＩＣチップを実装することができる。 Therefore, according to the non-contact IC tag 1 of the present embodiment, the narrow gap 7 is formed in the pattern of the conductive layer 3 by laser irradiation, and the IC chip 8 is arranged in the pattern of the conductive layer 3 across the gap 7. As a result, a narrow gap 7 of several tens of μm is formed, so that an IC chip smaller than 300 μm in length can be mounted.

また、本実施形態の非接触ＩＣタグ１によれば、ＩＣチップ８の電極バンプ９をギャップ７近傍の導電層３のパターンに接続したことにより、一段と微小なＩＣチップを実装することができる。 Further, according to the non-contact IC tag 1 of the present embodiment, the IC bump 8 of the IC chip 8 is connected to the pattern of the conductive layer 3 in the vicinity of the gap 7 so that a much smaller IC chip can be mounted.

次に、図５及び図６に基づき、上記非接触ＩＣタグ１の製造方法について製造装置と共に説明する。 Next, based on FIG.5 and FIG.6, the manufacturing method of the said non-contact IC tag 1 is demonstrated with a manufacturing apparatus.

この製造方法は、基材２を走行させつつその表面において表側熱可塑性接着剤層５の上から表側導電層３を所定のパターンで打ち抜くと同時に加熱プレスにより接着し、表側導電層３のパターンにＹＡＧレーザ照射装置によりレーザ光を照射して狭小なギャップ７を形成し、次に、このギャップ７を跨いで表側導電層３のパターンにＩＣチップ８を実装するものである。 In this manufacturing method, while the base material 2 is running, the surface side conductive layer 3 is punched out from the surface side thermoplastic adhesive layer 5 in a predetermined pattern on the surface thereof, and at the same time, the surface side conductive layer 3 is bonded by a hot press to form a pattern of the surface side conductive layer 3. A narrow gap 7 is formed by irradiating laser light with a YAG laser irradiation apparatus, and then the IC chip 8 is mounted on the pattern of the front conductive layer 3 across the gap 7.

この製造方法を実施するための製造装置は、図５に示すように基材２の表面において表側熱可塑性接着剤層５の上から表側導電層３を所定のパターンで打ち抜くと同時に加熱プレスする打ち抜き手段としての表側成形型１８と、表側導電層３のパターンにレーザ光を照射して狭小なギャップ７を形成するＹＡＧレーザ照射装置１１と、図６に示すようにギャップ７を跨いで表側導電層３のパターンにＩＣチップ８を実装するＩＣチップ実装装置１２とを備える。 As shown in FIG. 5, the manufacturing apparatus for carrying out this manufacturing method is a punching process in which the front side conductive layer 3 is punched in a predetermined pattern on the surface of the base material 2 on the surface of the substrate 2 and simultaneously heated and pressed. A front side mold 18 as a means, a YAG laser irradiation device 11 for forming a narrow gap 7 by irradiating a pattern of the front side conductive layer 3 with laser light, and a front side conductive layer straddling the gap 7 as shown in FIG. And an IC chip mounting device 12 for mounting the IC chip 8 on the three patterns.

以下にこの製造方法と製造装置をより詳しく説明する。
（１）図５に示すように、まず、基材２の連続体２ｘと金属箔である表側導電層３の連続体３ｘとを用意し、双方の連続体２ｘ，３ｘを矢印方向に同速度で連続走行させる。 This manufacturing method and manufacturing apparatus will be described in more detail below.
(1) As shown in FIG. 5, first, a continuum 2x of the base material 2 and a continuum 3x of the front conductive layer 3 which is a metal foil are prepared, and both continuums 2x and 3x have the same speed in the direction of the arrow. To run continuously.

（２）基材２の連続体２ｘの走行路の上方にはインクジェットノズル２０が配置され、このインクジェットノズル２０が液状の熱可塑性接着剤５ｘを基材２の連続体２ｘの表面に向かって吐出する。これにより、基材２の連続体２ｘの表面にアンテナのパターンおよびコンデンサの一方の電極のパターンと同じパターンで表側熱可塑性接着剤層５が一定間隔で印刷される。 (2) The inkjet nozzle 20 is disposed above the travel path of the continuum 2x of the substrate 2, and the inkjet nozzle 20 discharges the liquid thermoplastic adhesive 5x toward the surface of the continuum 2x of the substrate 2. To do. Thereby, the front side thermoplastic adhesive layer 5 is printed on the surface of the continuous body 2x of the base material 2 in the same pattern as the antenna pattern and the one electrode pattern of the capacitor at regular intervals.

（３）インクジェットノズル２０より下流側には乾燥機２１が配置される。基材２の連続体２ｘの表面に印刷された表側熱可塑性接着剤層５は乾燥機２１によりその含有する溶剤等が除去され乾燥される。乾燥機２１は使用する熱可塑性接着剤５ｘの種類によっては省略される。 (3) A dryer 21 is disposed on the downstream side of the inkjet nozzle 20. The front-side thermoplastic adhesive layer 5 printed on the surface of the continuous body 2x of the substrate 2 is dried by removing the solvent contained therein by the dryer 21. The dryer 21 is omitted depending on the type of the thermoplastic adhesive 5x used.

なお、上記（２）（３）におけるインクジェットノズル２０及び乾燥機２１を省略し、表側熱可塑性接着剤層５をあらかじめ所定のパターンで塗布し乾燥させた基材２を使用することも可能である。この場合は、インクジェットノズル２０等の印刷装置又は塗布装置を製造ラインから除去し、製造装置を簡素化することができる。 In addition, it is also possible to omit the inkjet nozzle 20 and the dryer 21 in the above (2) and (3), and to use the base material 2 on which the front side thermoplastic adhesive layer 5 is applied in a predetermined pattern and dried. . In this case, the printing apparatus or the coating apparatus such as the inkjet nozzle 20 can be removed from the production line, and the production apparatus can be simplified.

（４）金属箔である表側導電層３の連続体３ｘが、ガイドローラ２２により案内されつつ基材２の連続体２ｘにその表側熱可塑性接着剤層５の上から重ね合わされる。 (4) The continuous body 3x of the front conductive layer 3 that is a metal foil is superimposed on the continuous body 2x of the base material 2 from above the front thermoplastic adhesive layer 5 while being guided by the guide roller 22.

（５）ガイドローラ２２の下流側には、表側成形型１８が配置される。この表側成形型１８は、平盤式プレス機であり、平盤状の打ち抜き型１８ａと受け台１８ｂとを具備する。 (5) The front side mold 18 is disposed on the downstream side of the guide roller 22. The front-side mold 18 is a flat plate type press, and includes a flat plate-shaped punching die 18a and a cradle 18b.

打ち抜き型１８ａはその下面にアンテナ、コンデンサの一方の電極等のパターンに合致した形状の刃２３を備える。打ち抜き型１８ａは図示しない電熱ヒータを内蔵し、刃と刃の間のパターンに合致する部分には伝熱体２４が挿入され、パターンに合致しない部分は熱プレスされないよう空洞とされる。伝熱体２４は、望ましくはゴム、耐熱樹脂等で出来たクッション性のある材料で作られる。導電層３の連続体３ｘにパターンを打ち抜くための刃２３は、図１に示す一つの非接触型データキャリア用導電部材１の表側のパターンに対応したものが、打ち抜き型１８ａに一セット又は複数セット取り付けられる。 The punching die 18a includes a blade 23 having a shape matching the pattern of the antenna, one electrode of the capacitor, and the like on the lower surface thereof. The punching die 18a incorporates an electric heater (not shown), and the heat transfer body 24 is inserted into a portion that matches the pattern between the blades, and the portion that does not match the pattern is hollow so as not to be hot pressed. The heat transfer body 24 is preferably made of a cushioning material made of rubber, heat resistant resin or the like. The blades 23 for punching a pattern in the continuous body 3x of the conductive layer 3 correspond to the pattern on the front side of the one non-contact data carrier conductive member 1 shown in FIG. Set-mounted.

受け台１８ｂは基材２の裏面に当たる平滑面を備える。受け台１８ｂの平滑面には、シート状のクッション性押圧体１８ｃが取り付けられている。これにより、打ち抜き及び加熱プレスの際に導電層３と基材２との重畳体を適度な加圧力で加圧することができる。 The cradle 18 b includes a smooth surface that hits the back surface of the substrate 2. A sheet-like cushioning pressing body 18c is attached to the smooth surface of the cradle 18b. Thereby, the superposition body of the conductive layer 3 and the base material 2 can be pressurized with a moderate pressurizing force at the time of punching and hot pressing.

この打ち抜き型１８ａと受け台１８ｂとが基材２の連続体２ｘと金属箔である導電層３の連続体３ｘとを挟むように水平に配置される。 The punching die 18a and the cradle 18b are horizontally arranged so as to sandwich the continuous body 2x of the base material 2 and the continuous body 3x of the conductive layer 3 which is a metal foil.

基材２の連続体２ｘと金属箔である導電層３の連続体３ｘは、打ち抜き型１８ａと受け台１８ｂとの間に一定ピッチで間欠送りされ、両連続体２ｘ，３ｘが停止する都度打ち抜き型１８ａが受け台１８ｂに対して上下に往復運動をする。そして、打ち抜き型１８ａは、一往復運動するごとに金属箔である導電層３の連続体３ｘを刃２３でアンテナ等のパターンに打ち抜き、伝熱体２４で基材２の連続体２ｘ上の熱可塑性接着剤層５を溶かし、導電層３の各種パターンを溶融した熱可塑性接着剤層５に押圧する。これにより、図２に示すように所定パターンの導電層３が基材２の表面に加熱プレスされる。 The continuum 2x of the base material 2 and the continuum 3x of the conductive layer 3 which is a metal foil are intermittently fed at a constant pitch between the punching die 18a and the cradle 18b, and each time the continuums 2x and 3x stop. The mold 18a reciprocates up and down with respect to the cradle 18b. The punching die 18a punches the continuum 3x of the conductive layer 3 that is a metal foil into a pattern such as an antenna with a blade 23 every time it reciprocates, and the heat transfer body 24 heats the continuum 2x of the base material 2 on the continuum 2x. The plastic adhesive layer 5 is melted, and various patterns of the conductive layer 3 are pressed against the molten thermoplastic adhesive layer 5. As a result, the conductive layer 3 having a predetermined pattern is heated and pressed on the surface of the substrate 2 as shown in FIG.

なお、必要に応じて、打ち抜き型１８ａにおける伝熱体２４以外の不要部対応箇所には、空気孔２５が形成される。打ち抜き型１８ａの刃２３が、金属箔である導電層３の連続体３ｘを打ち抜く時に空気孔２５より空気を刃２３側すなわち矢印ａ方向に吸引することにより、導電層３の不要部３ｙを刃２３側に吸引する。これにより、導電層３がより正確なパターンで打ち抜かれる。また、打ち抜いた後に空気孔２５より空気を矢印ｂ方向に吹き出して導電層３の不要部３ｙを刃２３の外へと押し出す。これにより、導電層３の不要部３ｙの回収を容易に行うことができる。また、不要部３ｙが打ち抜き型１８ａにおける伝熱体２４以外の不要部対応箇所に詰まるのを防止することができる。 If necessary, air holes 25 are formed in locations corresponding to unnecessary portions other than the heat transfer body 24 in the punching die 18a. When the blade 23 of the punching die 18a punches the continuous body 3x of the conductive layer 3 that is a metal foil, air is sucked from the air hole 25 toward the blade 23, that is, in the direction of the arrow a, so that the unnecessary portion 3y of the conductive layer 3 is removed. Aspirate to 23 side. Thereby, the conductive layer 3 is punched with a more accurate pattern. Further, after punching, air is blown out from the air holes 25 in the direction of the arrow b, and the unnecessary portion 3 y of the conductive layer 3 is pushed out of the blade 23. Thereby, collection | recovery of the unnecessary part 3y of the conductive layer 3 can be performed easily. Further, it is possible to prevent the unnecessary portion 3y from clogging with the unnecessary portion corresponding portions other than the heat transfer body 24 in the punching die 18a.

（６）表側成形型１８よりも下流側には、表側導電層３のパターンにレーザ光を照射して狭小なギャップ７を形成するＹＡＧレーザ照射装置１１が配置されている。このＹＡＧレーザ照射装置１１は、ＩＣチップ接続電極に対応する導電層３ｄに出力１０〜５０Ｗ程度でＹＡＧ基本波を照射して切断除去することにより、後述するようにＩＣチップ８の実装用として導電層３ｄに狭小なギャップ７を形成するようにしている。 (6) A YAG laser irradiation device 11 that irradiates the pattern of the front conductive layer 3 with laser light to form a narrow gap 7 is disposed downstream of the front mold 18. This YAG laser irradiation device 11 irradiates the conductive layer 3d corresponding to the IC chip connection electrode with a YAG fundamental wave with an output of about 10 to 50 W and cuts and removes the conductive layer for mounting the IC chip 8 as described later. A narrow gap 7 is formed in the layer 3d.

なお、レーザ照射装置としては、ＹＡＧレーザ等の固体レーザ以外に、炭酸ガスレーザ等の気体レーザも適用可能である。ＹＡＧレーザを用いた場合には、切断除去部分の位置精度を数μｍに設定することができるため、本実施形態のように微小なギャップを形成するのに好適である。 As a laser irradiation apparatus, a gas laser such as a carbon dioxide laser can be applied in addition to a solid-state laser such as a YAG laser. When the YAG laser is used, the position accuracy of the cut and removed portion can be set to several μm, which is suitable for forming a minute gap as in this embodiment.

（７）ＹＡＧレーザ照射装置１１よりも下流側には、基材２の表面から表側導電層３の不要部３ｙを除去する表側不要部除去手段として、分離ローラ２６と、表側導電層３の不要部３ｙを吸引する吸引筒２７と、表側導電層３の不要部３ｙと基材２との間に気体を吹き掛けるノズル２８とが設けられる。 (7) On the downstream side of the YAG laser irradiation device 11, the separation roller 26 and the front side conductive layer 3 are unnecessary as a front side unnecessary part removing means for removing the unnecessary part 3 y of the front side conductive layer 3 from the surface of the base material 2. A suction cylinder 27 that sucks the portion 3 y and a nozzle 28 that blows gas between the unnecessary portion 3 y of the front conductive layer 3 and the substrate 2 are provided.

金属箔である表側導電層３の連続体３ｘが、表側成形型１８の打ち抜き型１８ａと受け台１８ｂとにより、アンテナ等のパターンに対応した箇所だけ基材２の連続体２ｘに加熱接着された後、基材２の連続体２ｘが吸引管２７と分離ローラ２６の設置箇所に到来すると、表側導電層３の不要部３ｙが吸引管２７により吸引され、一方基材２の連続体２ｘは分離ローラ２６に案内されつつ鋭角状に反転走行する。これにより、表側導電層３の不要部３ｙは基材２の連続体２ｘ上から適正に引き剥がされ、吸引管２７が繋がる図示しない回収箱に回収される。アンテナのパターンが渦巻状である場合、表側導電層３の不要部３ｙも渦巻状に発生するが、このように吸引管２７で吸引すると、渦巻状の不要部３ｙを円滑に回収することができる。 The continuum 3x of the front conductive layer 3 which is a metal foil was heat-bonded to the continuum 2x of the base material 2 only at a portion corresponding to the pattern of the antenna or the like by the punching die 18a and the cradle 18b of the front mold 18. Thereafter, when the continuum 2x of the base material 2 arrives at the place where the suction tube 27 and the separation roller 26 are installed, the unnecessary portion 3y of the front conductive layer 3 is sucked by the suction tube 27, while the continuum 2x of the base material 2 is separated. While being guided by the roller 26, it reversely travels in an acute angle shape. Thereby, the unnecessary part 3y of the front side conductive layer 3 is appropriately peeled off from the continuous body 2x of the base material 2, and is recovered in a recovery box (not shown) to which the suction pipe 27 is connected. When the antenna pattern is spiral, the unnecessary portion 3y of the front conductive layer 3 is also generated in a spiral shape. However, when sucked by the suction tube 27 in this manner, the spiral unnecessary portion 3y can be collected smoothly. .

導電層３の不要部３ｙが基材２の連続体２ｘ上から分離する箇所には、空気等の気体を噴出するノズル２８が必要に応じて配置される。このノズル２８から噴射される気体が基材２の連続体２ｘと表側導電層３の不要部３ｙとの境界部に向かって吹き掛けられることにより、表側導電層３の不要部３ｙの剥離除去が促進される。 A nozzle 28 for ejecting a gas such as air is disposed as necessary at a place where the unnecessary portion 3y of the conductive layer 3 is separated from the continuous body 2x of the base material 2. The gas ejected from the nozzle 28 is blown toward the boundary between the continuum 2x of the base material 2 and the unnecessary portion 3y of the front conductive layer 3, thereby removing and removing the unnecessary portion 3y of the front conductive layer 3. Promoted.

なお、表側不要部除去手段として、互いに接触する一対の分離ローラを設けてもよい。一対の分離ローラを設けた場合は、基材２の連続体２ｘと金属箔である表側導電層３の連続体３ｘとの重畳体が一対の分離ローラ間を通過したところで、両連続体２ｘ，３ｘを互いに異方向に引っ張り、アンテナ等の表側導電層３は基材２の連続体２ｘ上に担持されたまま矢印方向に走行し、表側導電層３の不要部３ｙは基材２の連続体２ｘから分離されつつ矢印方向に走行する。 In addition, as a front side unnecessary part removal means, you may provide a pair of separation roller which mutually contacts. When a pair of separation rollers is provided, when a superposed body of the continuum 2x of the base material 2 and the continuum 3x of the front conductive layer 3 that is a metal foil passes between the pair of separation rollers, the continuum 2x, 3x are pulled in different directions, and the front side conductive layer 3 such as an antenna travels in the direction of the arrow while being supported on the continuous body 2x of the base material 2, and the unnecessary portion 3y of the front side conductive layer 3 is a continuous body of the base material 2 Travel in the direction of the arrow while being separated from 2x.

（８）アンテナ等の表側導電層３を担持した基材２の連続体２ｘは、加熱プレス手段により加熱プレスされる。具体的には、加熱ローラ２９と圧ローラ３０とで熱プレスされる。これにより、表側導電層３と基材２との間に気泡等が混入していたり、表側導電層３のパターンのエッジが基材２から浮き上がっていたり、表側導電層３の表面が波打っていたりしても、表側導電層３のパターンがその全体にわたり基材２上に平滑に接着される。 (8) The continuum 2x of the base material 2 carrying the front conductive layer 3 such as an antenna is heated and pressed by a heating press means. Specifically, heat pressing is performed by the heating roller 29 and the pressure roller 30. Thereby, bubbles or the like are mixed between the front side conductive layer 3 and the base material 2, the edge of the pattern of the front side conductive layer 3 is lifted from the base material 2, or the surface of the front side conductive layer 3 is wavy. Even if it does, even if the pattern of the front side conductive layer 3 adheres smoothly on the base material 2 over the whole.

特に、（６）において導電層３ｄに狭小なギャップ７を形成した部位には、若干バリが形成されるものの、加熱ローラ２９と圧ローラ３０とで熱プレスされることで、そのバリを除去し、狭小なギャップ７を形成した部位の導電層３ｄを平滑にすることができる。 In particular, although the burr is slightly formed in the portion where the narrow gap 7 is formed in the conductive layer 3d in (6), the burr is removed by being hot pressed by the heating roller 29 and the pressure roller 30. The conductive layer 3d in the portion where the narrow gap 7 is formed can be smoothed.

（９）図５に示すように、基材２の連続体２ｘがターンバー３１により走行方向を変更し、裏面を上に向けて走行する。 (9) As shown in FIG. 5, the continuous body 2x of the base material 2 changes the traveling direction by the turn bar 31, and travels with the back surface facing up.

（１０）図６に示すように、基材２の連続体２ｘの走行路の上方にはインクジェットノズル３２が配置され、このインクジェットノズル３２が液状の熱可塑性接着剤６ｘを基材２の連続体２ｘの裏面に向かって吐出する。これにより、基材２の連続体２ｘの裏面にブリッジのパターンおよびコンデンサの他方の電極のパターンとそれぞれ同じパターンで裏側熱可塑性接着剤層６が一定間隔で印刷される。 (10) As shown in FIG. 6, an inkjet nozzle 32 is disposed above the travel path of the continuous body 2 x of the base material 2, and the inkjet nozzle 32 applies a liquid thermoplastic adhesive 6 x to the continuous body of the base material 2. Discharge toward 2x back side. Thereby, the back side thermoplastic adhesive layer 6 is printed on the back surface of the continuous body 2x of the base material 2 in the same pattern as the bridge pattern and the other electrode pattern of the capacitor at regular intervals.

（１１）インクジェットノズル３２より下流側には乾燥機３３が配置される。基材２の連続体２ｘの裏面に印刷された裏側熱可塑性接着剤層６は乾燥機３３によりその含有する溶剤等が除去され乾燥される。乾燥機３３は使用する熱可塑性接着剤６ｘの種類によっては省略可能である。 (11) A dryer 33 is disposed on the downstream side of the inkjet nozzle 32. The back side thermoplastic adhesive layer 6 printed on the back surface of the continuous body 2x of the substrate 2 is dried by removing the solvent contained therein by the dryer 33. The dryer 33 can be omitted depending on the type of the thermoplastic adhesive 6x used.

（１２）金属箔である裏側導電層４の連続体４ｘがガイドローラ３４により案内されつつ基材２の連続体２ｘにその裏側熱可塑性接着剤層６の上から重なり合う。 (12) The continuous body 4x of the back side conductive layer 4 which is a metal foil overlaps the continuous body 2x of the base material 2 from above the back side thermoplastic adhesive layer 6 while being guided by the guide roller 34.

（１３）ガイドローラ３４の下流側には、平盤式プレス機である裏側成形型１９が配置される。この裏側成形型１９は、それぞれ平盤状の打ち抜き型１９ａと受型１７とを具備する。 (13) On the downstream side of the guide roller 34, a back side mold 19 that is a flat plate type press is disposed. The back side mold 19 includes a flat plate-shaped punching die 19 a and a receiving die 17.

打ち抜き型１９ａはその下面にブリッジ、コンデンサの他方の電極等のパターンに合致した形状の刃３５を備える。打ち抜き型１９ａは図示しない電熱ヒータを内蔵し、刃と刃の間のパターンに合致する部分には伝熱体３６が設けられ、パターンに合致しない部分には熱プレスされないよう空洞が設けられる。伝熱体３６は、望ましくはゴム、耐熱樹脂等で出来たクッション性のある材料で作られる。裏側導電層４の連続体４ｘにパターンを打ち抜くための刃３５は、図１に示す一つの非接触ＩＣタグの裏側パターン４に対応したものが、打ち抜き型１９ａに一セット又は複数セット取り付けられる。 The punching die 19a includes a blade 35 having a shape matching the pattern of the bridge, the other electrode of the capacitor, and the like on the lower surface. The punching die 19a incorporates an electric heater (not shown). A heat transfer body 36 is provided in a portion that matches the pattern between the blades, and a cavity is provided in a portion that does not match the pattern so as not to be hot pressed. The heat transfer body 36 is preferably made of a cushioning material made of rubber, heat resistant resin or the like. One or a plurality of sets of blades 35 for punching a pattern in the continuous body 4x of the back side conductive layer 4 corresponding to the back side pattern 4 of one non-contact IC tag shown in FIG. 1 are attached to the punching die 19a.

受型１７は下向きとなったパターンの表側導電層３が嵌り込む凹部１７ａを有する。この凹部１７ａは平滑な金属材料をマシニングセンタ等の工作機械で切削することにより形成される。あるいは、表側導電層３のパターンを打ち抜いた後に残る表側導電層３ｙを利用することもできる。基材２が裏側成形型１９内で一時停止すると、その下面に担持されたアンテナのパターン等の導電層３が受型１７の凹部１７ａに正対する。 The receiving die 17 has a concave portion 17a into which the front conductive layer 3 having a downward pattern is fitted. The recess 17a is formed by cutting a smooth metal material with a machine tool such as a machining center. Alternatively, the front conductive layer 3y remaining after the pattern of the front conductive layer 3 is punched can be used. When the base material 2 is temporarily stopped in the back-side mold 19, the conductive layer 3 such as the antenna pattern carried on the lower surface thereof faces the concave portion 17 a of the receiving mold 17.

（１４）裏側成形型１７の近傍には、基材２及び裏側導電層４を同期的に搬送する図示しない搬送手段が設けられる。この搬送手段により基材２の連続体２ｘ及び裏側導電層４の連続体４ｘを同期的に送り、裏側成形型１７内の定位置で停止させ、アンテナのパターン等の導電層３を受型１７の凹部１７ａに正対させる。そこで、打ち抜き型１９ａと受型１７とが両連続体２ｘ，４ｘを挟み込み、裏側導電層４の連続体４ｘに対し加熱プレス及び打ち抜きを行い、ブリッジ等のパターンの裏側導電層４を基材２の裏面に付着させる。このとき基材２の表側導電層３が受型１７の凹部１７ａ内に嵌り込むので、基材２の表裏における導電層３，４のパターンが相互に異なるものであっても、基材２は平坦に保持され、表側導電層３の縁が段差となって作用せず、裏面の導電層４が基材２に正確に貼着される。 (14) In the vicinity of the back-side mold 17, a transport means (not shown) that transports the base material 2 and the back-side conductive layer 4 synchronously is provided. By this conveying means, the continuum 2x of the substrate 2 and the continuum 4x of the back side conductive layer 4 are sent synchronously, stopped at a fixed position in the back side mold 17, and the conductive layer 3 such as an antenna pattern is received by the receiving die 17 Is directly opposed to the concave portion 17a. Therefore, the punching die 19a and the receiving die 17 sandwich the continuums 2x and 4x, the continuum 4x of the backside conductive layer 4 is heated and punched, and the backside conductive layer 4 having a pattern such as a bridge is formed on the base 2 Adhere to the back of the. At this time, since the front side conductive layer 3 of the base material 2 is fitted into the recess 17a of the receiving die 17, even if the patterns of the conductive layers 3 and 4 on the front and back sides of the base material 2 are different from each other, It is held flat, the edge of the front side conductive layer 3 does not act as a step, and the back side conductive layer 4 is adhered to the substrate 2 accurately.

（１５）裏側成形型１９と上記搬送手段との連動により、基材２の連続体２ｘと金属箔である裏側導電層４の連続体４ｘは、打ち抜き型１９ａと受型１７との間に一定ピッチで間欠送りされ、両連続体２ｘ，４ｘが停止する都度、受型１７が上昇して基材２の連続体２ｘを表側導電層３側から支え、裏側導電層４の連続体４ｘに対して打ち抜き型１９ａが下降してブリッジ等のパターンを打ち抜き、伝熱体３６で基材２の連続体２ｘ上の裏側熱可塑性接着剤層６を溶かし、裏側導電層４のパターンを溶融した裏側熱可塑性接着剤層６に押圧する。これにより、図３に示すように所定パターンの裏側導電層４が基材２の裏面に加熱プレスされる。 (15) Due to the interlocking between the back-side mold 19 and the conveying means, the continuum 2x of the substrate 2 and the continuum 4x of the back-side conductive layer 4 that is a metal foil are constant between the punching die 19a and the receiving die 17. Each time the continuous members 2x and 4x are intermittently fed at a pitch, the receiving die 17 rises to support the continuous member 2x of the base material 2 from the front conductive layer 3 side, and against the continuous member 4x of the back conductive layer 4 Then, the punching die 19a is lowered to punch out a pattern such as a bridge, the backside thermoplastic adhesive layer 6 on the continuum 2x of the base material 2 is melted by the heat transfer body 36, and the backside conductive layer 4 pattern is melted. Press against the plastic adhesive layer 6. Thereby, as shown in FIG. 3, the back side conductive layer 4 of a predetermined pattern is heat-pressed on the back surface of the base material 2.

なお、必要に応じて、打ち抜き型１９ａにおける伝熱体３６以外の不要部対応箇所には、空気孔４０が形成される。刃３５が、金属箔である導電層４の連続体４ｘを打ち抜く時に空気孔４０より空気を刃３５側すなわち矢印ａ方向に吸引することにより、導電層４の不要部４ｙを刃３５側に吸引する。これにより、導電層４がより正確なパターンで打ち抜かれる。また、打ち抜いた後に空気孔４０より空気を矢印ｂ方向に吹き出して導電層４の不要部４ｙを刃３５の外へと押し出す。これにより、導電層４の不要部４ｙの回収を容易に行うことができる。また、不要部４ｙが打ち抜き型１９ａにおける伝熱体３６以外の不要部対応箇所に詰まるのを防止することができる。 If necessary, air holes 40 are formed in locations corresponding to unnecessary portions other than the heat transfer body 36 in the punching die 19a. When the blade 35 punches out the continuous body 4x of the conductive layer 4 which is a metal foil, the unnecessary portion 4y of the conductive layer 4 is sucked toward the blade 35 by sucking air from the air hole 40 toward the blade 35, that is, in the direction of arrow a. To do. Thereby, the conductive layer 4 is punched with a more accurate pattern. Further, after punching, air is blown out from the air hole 40 in the direction of the arrow b, and the unnecessary portion 4y of the conductive layer 4 is pushed out of the blade 35. Thereby, collection | recovery of the unnecessary part 4y of the conductive layer 4 can be performed easily. Further, it is possible to prevent the unnecessary portion 4y from clogging with the unnecessary portion corresponding portion other than the heat transfer body 36 in the punching die 19a.

（１６）裏側成形型１９よりも下流側には、基材２の裏面から裏側導電層４の不要部４ｙを除去する裏側不要部除去手段として、分離ローラ４１と、裏側導電層４の不要部４ｙを吸引する吸引筒４２と、裏側導電層４の不要部４ｙと基材２との間に気体を吹き掛けるノズル４３とが設けられる。 (16) On the downstream side of the back side mold 19, as a back side unnecessary part removing means for removing the unnecessary part 4 y of the back side conductive layer 4 from the back surface of the substrate 2, the separation roller 41 and the unnecessary part of the back side conductive layer 4 are provided. A suction cylinder 42 that sucks 4y and a nozzle 43 that blows gas between the unnecessary portion 4y of the back side conductive layer 4 and the substrate 2 are provided.

金属箔である裏側導電層３の連続体４ｘが、裏側成形型１９の打ち抜き型１９ａと受型１７とにより、ブリッジ等のパターンに対応した箇所だけ基材２の連続体２ｘに加熱接着された後、基材２の連続体２ｘが吸引管４２と分離ローラ４１の設置箇所に到来すると、裏側導電層４の不要部４ｙが吸引管４２により吸引され、一方基材２の連続体２ｘは分離ローラ４１に案内されつつ鋭角状に反転走行する。これにより、裏側導電層４の不要部４ｙは基材２の連続体２ｘ上から適正に引き剥がされ、吸引管４２が繋がる図示しない回収箱に回収される。アンテナのパターンが渦巻状である場合、裏側導電層４の不要部４ｙも渦巻状に発生するが、このように吸引管４２で吸引すると、渦巻状の不要部４ｙを円滑に回収することができる。 The continuous body 4x of the back-side conductive layer 3 which is a metal foil was heat-bonded to the continuous body 2x of the base material 2 only at a portion corresponding to a pattern such as a bridge by the punching die 19a and the receiving die 17 of the back-side forming die 19. Thereafter, when the continuum 2x of the base material 2 arrives at the installation location of the suction tube 42 and the separation roller 41, the unnecessary portion 4y of the back side conductive layer 4 is sucked by the suction tube 42, while the continuum 2x of the base material 2 is separated. While being guided by the roller 41, it reversely travels in an acute angle shape. Thereby, the unnecessary part 4y of the back side conductive layer 4 is appropriately peeled off from the continuous body 2x of the base material 2, and is recovered in a recovery box (not shown) to which the suction pipe 42 is connected. When the antenna pattern is spiral, the unnecessary portion 4y of the back side conductive layer 4 is also generated in a spiral shape. However, when sucked by the suction tube 42 in this manner, the spiral unnecessary portion 4y can be smoothly collected. .

裏側導電層４の不要部４ｙが基材２の連続体２ｘ上から分離する箇所には、空気等の気体を噴出するノズル４３が必要に応じて配置される。このノズル４３から噴射される気体が基材２の連続体２ｘと裏側導電層４の不要部４ｙとの境界部に向って吹き掛けられることにより、裏側導電層４の不要部４ｙの剥離除去が促進される。 A nozzle 43 for ejecting a gas such as air is disposed as necessary at a location where the unnecessary portion 4y of the back side conductive layer 4 is separated from the continuous body 2x of the base material 2. The gas ejected from the nozzle 43 is blown toward the boundary between the continuum 2x of the base material 2 and the unnecessary portion 4y of the back side conductive layer 4, thereby removing and removing the unnecessary portion 4y of the back side conductive layer 4. Promoted.

（１７）アンテナ等の表側導電層３及びブリッジ等の裏側導電層４を担持した基材２の連続体２ｘは、加熱プレス手段により加熱プレスされる。具体的には、加熱ローラ４４と圧ローラ４５とで熱プレスされる。これにより、裏側導電層４と基材２との間に気泡等が混入していたり、裏側導電層４のパターンのエッジが基材２から浮き上がっていたり、裏側導電層４の表面が波打っていたりしても、裏側導電層４のパターンがその全体にわたり基材２上に平滑に接着される。 (17) The continuous body 2x of the base material 2 carrying the front side conductive layer 3 such as an antenna and the back side conductive layer 4 such as a bridge is heated and pressed by a heating press means. Specifically, hot pressing is performed by the heating roller 44 and the pressure roller 45. Thereby, bubbles or the like are mixed between the back side conductive layer 4 and the base material 2, the edge of the pattern of the back side conductive layer 4 is lifted from the base material 2, or the surface of the back side conductive layer 4 is wavy. Even if it does, the pattern of the back side conductive layer 4 adheres smoothly on the base material 2 over the whole.

なお、この加熱プレス手段を設けることにより、図５に示した表側導電層３を加熱プレスする加熱ローラ２９及び圧ローラ３０は省略することができる。 By providing this heating press means, the heating roller 29 and the pressure roller 30 for heating and pressing the front conductive layer 3 shown in FIG. 5 can be omitted.

（１８）表裏面に各種導電層３，４のパターンを備えた基材４の連続体４ａは、ターンバー４６で走行方向を変え、ロール状に巻き取られ、あるいはＩＣチップ実装装置１２によりＩＣチップ８を取り付けられ、このＩＣチップ８を実装することで非接触ＩＣタグが製造される。すなわち、図４に示すようにＩＣチップ８は、（６）のギャップ形成工程により形成されたギャップ７を跨いで導電層３ｄに配置され、ＩＣチップ８の電極バンプ９がギャップ７近傍の導電層３ｄに接続される。 (18) The continuous body 4a of the base material 4 provided with the patterns of the various conductive layers 3 and 4 on the front and back surfaces is changed in the traveling direction by the turn bar 46 and wound up in a roll shape, or the IC chip mounting device 12 is used for the IC chip. 8 is attached, and the IC chip 8 is mounted to manufacture a non-contact IC tag. That is, as shown in FIG. 4, the IC chip 8 is disposed on the conductive layer 3d across the gap 7 formed by the gap forming step (6), and the electrode bumps 9 of the IC chip 8 are conductive layers near the gap 7. Connected to 3d.

なお、この（１８）のＩＣチップ実装工程は、上述したようにアンテナ形成のインラインにて行ったが、これに限らず上記（６）のギャップ形成工程の直後に行うことにより、ＩＣチップ８を実装する際の位置決めが極めて容易になる。 Although the IC chip mounting step (18) is performed in-line for antenna formation as described above, the present invention is not limited to this, and the IC chip 8 is mounted immediately after the gap forming step (6). Positioning when mounting is extremely easy.

したがって、本実施形態の非接触ＩＣタグ１の製造方法及び製造装置によれば、導電層３のパターンにＹＡＧレーザ照射装置１１によりレーザ光を照射して狭小なギャップ７を形成し、このギャップ７を跨いで導電層３のパターンにＩＣチップ８を実装するように製造することにより、数１０μｍの狭小なギャップ７が形成されるため、長さ３００μｍより微小なＩＣチップを確実かつ容易に実装することができる。 Therefore, according to the manufacturing method and manufacturing apparatus of the non-contact IC tag 1 of the present embodiment, the narrow gap 7 is formed by irradiating the pattern of the conductive layer 3 with the laser beam by the YAG laser irradiation apparatus 11. By manufacturing so that the IC chip 8 is mounted on the pattern of the conductive layer 3 across the gap, a narrow gap 7 of several tens of μm is formed. Therefore, an IC chip smaller than 300 μm in length can be mounted reliably and easily. be able to.

また、本実施形態の非接触ＩＣタグ１の製造装置によれば、ＹＡＧレーザ照射装置１１から出力１０〜５０Ｗ程度でＹＡＧ基本波を照射してギャップ７を形成するので、数１０μｍの狭小なギャップ７を容易に形成することができる。 Moreover, according to the manufacturing apparatus of the non-contact IC tag 1 of the present embodiment, the gap 7 is formed by irradiating the YAG fundamental wave from the YAG laser irradiating apparatus 11 with an output of about 10 to 50 W, so a narrow gap of several tens of μm is formed. 7 can be formed easily.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されることなく、種々の変更が可能である。例えば、上記実施形態では、アンテナの両端子のパターンに対応した導電層３ｃとブリッジのパターンに対応した導電層４ａとは、導通手段である図示しないスルーホールにより導通させて表裏の導電層３，４間を電気的に接続するようにしたが、これに限らず導電層３ｃに直接導電層４ａを接続するようにしてもよい。この場合には、導電層４ａにおけるアンテナのパターンの導電層３ａに接合する部分に絶縁層が積層されるものの、裏側導電層４を形成する必要がなくなる。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made. For example, in the above-described embodiment, the conductive layer 3c corresponding to the pattern of both terminals of the antenna and the conductive layer 4a corresponding to the pattern of the bridge are made conductive by a through hole (not shown) which is a conductive means, and the conductive layers 3, However, the present invention is not limited to this, and the conductive layer 4a may be directly connected to the conductive layer 3c. In this case, although the insulating layer is laminated on the conductive layer 4a where the antenna pattern is joined to the conductive layer 3a, it is not necessary to form the back side conductive layer 4.

また、本実施形態では、コンデンサの他方の電極のパターンに対応した導電層４ｂを打ち抜き型１９ａにより形成するようにしたが、これ以外に上記ＹＡＧレーザ照射装置１１によりレーザ光を照射して形成するようにしてもよい。 In the present embodiment, the conductive layer 4b corresponding to the pattern of the other electrode of the capacitor is formed by the punching die 19a. However, the conductive layer 4b is formed by irradiating the YAG laser irradiation device 11 with laser light. You may do it.

さらに、本実施形態では、導電層３のパターンにＹＡＧレーザ照射装置１１によりレーザ光を照射して狭小なギャップ７を形成するようにしたが、これに限定することなく、ナノインプリント・リソグラフィ等の微細加工技術を用いて形成するようにしてもよい。 Furthermore, in the present embodiment, the narrow gap 7 is formed by irradiating the pattern of the conductive layer 3 with laser light by the YAG laser irradiation device 11. However, the present invention is not limited to this, and fine patterns such as nanoimprint lithography can be used. You may make it form using a processing technique.

＜実験例＞
次に、導電層３のパターンにＹＡＧレーザ照射装置１１によりレーザ光を照射して狭小なギャップ７を形成するための実験を本発明者らは諸条件に基づいて行った結果、以下のような知見を得た。 <Experimental example>
Next, the inventors conducted an experiment for forming a narrow gap 7 by irradiating the pattern of the conductive layer 3 with a laser beam from the YAG laser irradiation device 11 based on various conditions. Obtained knowledge.

（実験例１）
実験例１では、ＹＡＧレーザ照射装置１１のレーザ出力［Ｗ］が低く、レーザスイッチング周波数［Ｈｚ］を高くし、スキャン速度［ｍｍ／ｓｅｃ］を速くし、導電層３のパターンに対して同一線上に複数回スキャンすることにより、加工時間を短縮し、ギャップ７の開口端にバリを発生させず、装置を大型化することなく、数１０μｍの狭小なギャップ７を確実に形成可能であることが判明した。 (Experimental example 1)
In Experimental Example 1, the laser output [W] of the YAG laser irradiation apparatus 11 is low, the laser switching frequency [Hz] is increased, the scan speed [mm / sec] is increased, and the pattern of the conductive layer 3 is on the same line. By scanning multiple times, the processing time is shortened, no burrs are generated at the opening end of the gap 7, and the narrow gap 7 of several tens of μm can be reliably formed without increasing the size of the apparatus. found.

具体的には、ＹＡＧレーザ照射装置１１から照射するレーザスポット径を０．０５ｍｍとし、厚さが６〜２０μｍのアルミニウムからなる導電層３に数１０μｍの狭小なギャップ７を形成する場合、レーザ出力が１０〜３０［Ｗ］の範囲、レーザスイッチング周波数が１５０００〜５００００［Ｈｚ］の範囲、スキャン速度が１０００〜１５００［ｍｍ／ｓｅｃ］の範囲、導電層３のパターンに対する同一線上のスキャン回数が２〜９回であることが望ましいことが判明した。 Specifically, when the diameter of the laser spot irradiated from the YAG laser irradiation apparatus 11 is 0.05 mm and the narrow gap 7 of several tens of μm is formed in the conductive layer 3 made of aluminum having a thickness of 6 to 20 μm, the laser output Is in the range of 10 to 30 [W], the laser switching frequency is in the range of 15000 to 50000 [Hz], the scan speed is in the range of 1000 to 1500 [mm / sec], and the number of scans on the same line with respect to the pattern of the conductive layer 3 is 2 It has been found desirable to be ~ 9 times.

次に、各パラメータの数値限定の理由について説明する。 Next, the reason for the numerical limitation of each parameter will be described.

導電層３の厚さが６〜２０μｍのアルミニウムを用いる理由は、導電層３の厚さが５μｍ未満では、アルミニウムの場合、導電層３を形成するのが困難でコストが高くなり汎用性に乏しい。導電層３の厚さが２０μｍを超えると、加工時間が長くなり、限られた時間で狭小なギャップ７を形成しようとすると、バリが発生し易くなる。 The reason why aluminum having a thickness of 6 to 20 μm is used for the conductive layer 3 is that when the thickness of the conductive layer 3 is less than 5 μm, it is difficult to form the conductive layer 3 in the case of aluminum, and the cost becomes high and the versatility is poor. . If the thickness of the conductive layer 3 exceeds 20 μm, the processing time becomes long, and if an attempt is made to form the narrow gap 7 in a limited time, burrs are likely to occur.

レーザ出力を１０〜３０［Ｗ］の範囲とする理由は、レーザ出力が１０［Ｗ］未満では、スキャン回数が多くなるため、加工時間が長くなる。レーザ出力が３０［Ｗ］を超えると、バリの高さが１０μｍ以上に形成されてＩＣチップ８を実装することが困難な場合がある。 The reason why the laser output is in the range of 10 to 30 [W] is that when the laser output is less than 10 [W], the number of scans increases, and the processing time becomes long. When the laser output exceeds 30 [W], it may be difficult to mount the IC chip 8 because the height of the burr is formed to 10 μm or more.

レーザスイッチング周波数を１５０００〜５００００［Ｈｚ］の範囲とする理由は、レーザスイッチング周波数が１５０００［Ｈｚ］未満では、ギャップ７が線状に形成されず、点線状に形成されることになる。５００００［Ｈｚ］を超えると、装置を大型化する必要がある。 The reason why the laser switching frequency is in the range of 15000 to 50000 [Hz] is that when the laser switching frequency is less than 15000 [Hz], the gap 7 is not formed in a line but in a dotted line. If it exceeds 50000 [Hz], it is necessary to enlarge the apparatus.

スキャン速度を１０００〜１５００［ｍｍ／ｓｅｃ］の範囲とする理由は、スキャン速度が１０００［ｍｍ／ｓｅｃ］未満では、バリの高さが１０μｍ以上に形成されてＩＣチップ８を実装することが困難な場合がある。スキャン速度が１５００［ｍｍ／ｓｅｃ］を超えると、同一周波数の場合、ギャップ７が線状に形成されず、点線状に形成されることになる。 The reason why the scanning speed is in the range of 1000 to 1500 [mm / sec] is that if the scanning speed is less than 1000 [mm / sec], the burr height is formed to be 10 μm or more and it is difficult to mount the IC chip 8. There are cases. When the scanning speed exceeds 1500 [mm / sec], the gap 7 is not formed in a linear shape but is formed in a dotted line shape at the same frequency.

したがって、上記の条件において、レーザスイッチング周波数をｆ［Ｈｚ］、スキャン速度をＶ［ｍｍ／ｓｅｃ］、レーザスポット径をａ［ｍｍ］とし、このレーザスポット径ａが０．０５ｍｍの場合には、図７のグラフに示すような関係になる。 Therefore, under the above conditions, when the laser switching frequency is f [Hz], the scan speed is V [mm / sec], the laser spot diameter is a [mm], and the laser spot diameter a is 0.05 mm, The relationship is as shown in the graph of FIG.

すなわち、境界線ＢＬより上の領域Ａ１は、ギャップ７が線状に形成されず、点線状に形成される。また、境界線ＢＬより下の領域Ａ２は、ギャップ７を確実に形成することのできる条件領域となる。このような関係から、ギャップ７を確実に形成可能な条件領域は、Ｖ≦Ａ×ｆ（１）の関係式で表される。 That is, in the region A1 above the boundary line BL, the gap 7 is not formed in a linear shape, but is formed in a dotted line shape. Further, the region A2 below the boundary line BL is a condition region where the gap 7 can be reliably formed. From such a relationship, the condition region in which the gap 7 can be reliably formed is represented by the relational expression V ≦ A × f (1).

導電層３のパターンに対する同一線上のスキャン回数を２〜９回の範囲とする理由は、スキャン回数が２回未満、すなわち１回では、レーザ出力［Ｗ］を高くせざるを得ないため、バリが発生し易くなる。スキャン回数が１０回を超えると、加工時間が長くなる。 The reason why the number of scans on the same line with respect to the pattern of the conductive layer 3 is in the range of 2 to 9 is that the number of scans is less than 2, that is, the laser output [W] must be increased at one time. Is likely to occur. When the number of scans exceeds 10, the processing time becomes long.

このように実験例１によれば、ＹＡＧレーザ照射装置１１から照射するレーザスポット径を０．０５ｍｍとし、厚さが６〜２０μｍのアルミニウムからなる導電層３に数１０μｍの狭小なギャップ７を形成する場合には、レーザ出力を１０〜３０［Ｗ］の範囲、レーザスイッチング周波数を１５０００〜５００００［Ｈｚ］の範囲、スキャン速度を１０００〜１５００［ｍｍ／ｓｅｃ］の範囲、導電層３のパターンに対する同一線上のスキャン回数を２〜９回の範囲とすることにより、加工時間を短縮し、ギャップ７の開口端にバリを発生させず、装置を大型化することなく、数１０μｍの狭小なギャップ７を確実に形成することができた。 As described above, according to Experimental Example 1, the narrow spot 7 having a diameter of several tens of μm is formed in the conductive layer 3 made of aluminum having a thickness of 6 to 20 μm with the laser spot diameter irradiated from the YAG laser irradiation device 11 being 0.05 mm. When the laser output is in the range of 10 to 30 [W], the laser switching frequency is in the range of 15000 to 50000 [Hz], the scan speed is in the range of 1000 to 1500 [mm / sec], and the pattern of the conductive layer 3 is By setting the number of scans on the same line in the range of 2 to 9, the processing time is shortened, burrs are not generated at the opening end of the gap 7, and the apparatus is not enlarged. Was able to be formed reliably.

また、実験例１によれば、レーザ出力を１０〜３０［Ｗ］の範囲、レーザスイッチング周波数を１５０００〜５００００［Ｈｚ］の範囲、スキャン速度を１０００〜１５００［ｍｍ／ｓｅｃ］の範囲、導電層３のパターンに対する同一線上のスキャン回数を２〜９回の範囲であって、ＹＡＧレーザ照射装置１１から照射するレーザスポット径ａを０．０５ｍｍとし、レーザスイッチング周波数をｆ［Ｈｚ］、スキャン速度をＶ［ｍｍ／ｓｅｃ］とした場合に式（１）を満足するようにレーザスイッチング周波数ｆ［Ｈｚ］、スキャン速度Ｖ［ｍｍ／ｓｅｃ］を設定することにより、数１０μｍの狭小なギャップ７を一段と確実に形成することができた。 Further, according to Experimental Example 1, the laser output is in the range of 10 to 30 [W], the laser switching frequency is in the range of 15000 to 50000 [Hz], the scan speed is in the range of 1000 to 1500 [mm / sec], the conductive layer The number of scans on the same line for the pattern 3 is in the range of 2 to 9, the laser spot diameter a irradiated from the YAG laser irradiation device 11 is 0.05 mm, the laser switching frequency is f [Hz], and the scan speed is By setting the laser switching frequency f [Hz] and the scanning speed V [mm / sec] so as to satisfy the formula (1) when V [mm / sec] is satisfied, a narrow gap 7 of several tens of μm is further increased. It was possible to form reliably.

（実験例２）
図８（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は、実験例２による導電層３のパターンに対するスキャン状態を示す断面図である。 (Experimental example 2)
8A, 8 </ b> B, and 8 </ b> C are cross-sectional views illustrating a scan state for the pattern of the conductive layer 3 according to Experimental Example 2. FIG.

この実験例２では、導電層３のパターンに対して異なる線上を３回スキャンする例である。すなわち、実験例２では、１回目のスキャンでは、導電層３のパターンにギャップ７が形成されるとともに、ギャップ７の開口端の両側にそれぞれバリ３ｅが発生する程度のレーザ出力でスキャンし、２回目及び３回目では、１回目のスキャンのレーザ出力より低い出力にてギャップ７の開口端の両側に形成されたバリ３ｅを順次除去するようにスキャンする。 In Experimental Example 2, a different line with respect to the pattern of the conductive layer 3 is scanned three times. That is, in Experimental Example 2, in the first scan, the gap 7 is formed in the pattern of the conductive layer 3, and the scan is performed with a laser output such that burrs 3e are generated on both sides of the opening end of the gap 7. In the first and third scans, the burrs 3e formed on both sides of the opening end of the gap 7 are scanned sequentially at an output lower than the laser output of the first scan.

具体的には、ＹＡＧレーザ照射装置１１から照射するレーザスポット径ａを０．０５ｍｍとし、１回目のスキャンでは、レーザ出力を３０〜５０［Ｗ］の範囲、レーザスイッチング周波数を３００００［Ｈｚ］の範囲、スキャン速度を１５００［ｍｍ／ｓｅｃ］の範囲で行う。 Specifically, the laser spot diameter a irradiated from the YAG laser irradiation apparatus 11 is 0.05 mm, and in the first scan, the laser output is in the range of 30 to 50 [W], and the laser switching frequency is 30000 [Hz]. The range and scan speed are set in the range of 1500 [mm / sec].

このようにして１回目のスキャンを行うと、図８（Ａ）に示すように導電層３のパターンにギャップ７が形成されるとともに、ギャップ７の開口端の両側にそれぞれバリ３ｅが発生する。 When the first scan is performed in this manner, a gap 7 is formed in the pattern of the conductive layer 3 as shown in FIG. 8A, and burrs 3e are generated on both sides of the opening end of the gap 7, respectively.

次いで、２回目のスキャンでは、レーザ出力を３０［Ｗ］未満とし、レーザスイッチング周波数を３００００［Ｈｚ］の範囲、スキャン速度を１５００［ｍｍ／ｓｅｃ］の範囲で行う。 Next, in the second scan, the laser output is set to less than 30 [W], the laser switching frequency is in the range of 30000 [Hz], and the scan speed is in the range of 1500 [mm / sec].

このようにして２回目のスキャンを行うと、図８（Ｂ）に示すようにギャップ７の開口端に形成されたバリ３ｅの一方が除去される。 When the second scan is performed in this way, one of the burrs 3e formed at the opening end of the gap 7 is removed as shown in FIG. 8B.

さらに、３回目のスキャンでは、２回目のスキャンと同様にレーザ出力を３０［Ｗ］未満とし、レーザスイッチング周波数を３００００［Ｈｚ］の範囲、スキャン速度を１５００［ｍｍ／ｓｅｃ］の範囲で行う。 Further, in the third scan, similarly to the second scan, the laser output is set to less than 30 [W], the laser switching frequency is set to 30000 [Hz], and the scan speed is set to 1500 [mm / sec].

このようにして３回目のスキャンを行うと、図８（Ｃ）に示すようにギャップ７の開口端に形成されたバリ３ｅの他方が除去され、全てのバリ３ｅが除去される。 When the third scan is performed in this way, the other burr 3e formed at the opening end of the gap 7 is removed as shown in FIG. 8C, and all the burr 3e is removed.

このように実験例２によれば、１回目のスキャンでは、導電層３のパターンにギャップ７が形成されるとともに、このギャップ７の開口端の両側にそれぞれバリ３ｅが発生する程度のレーザ出力でスキャンし、２回目及び３回目のスキャンではレーザ出力を１回目のスキャンより低くしてバリ３ｅを順次除去するようにスキャンすることにより、実験例１と同様に、加工時間を短縮し、ギャップ７の開口端にバリを発生させず、装置を大型化することなく、数１０μｍの狭小なギャップ７を確実に形成することができた。 Thus, according to Experimental Example 2, in the first scan, the gap 7 is formed in the pattern of the conductive layer 3, and the laser output is such that burrs 3e are generated on both sides of the opening end of the gap 7. In the second and third scans, the laser output is made lower than that in the first scan and the burrs 3e are sequentially removed, so that the processing time is shortened and the gap 7 Thus, a narrow gap 7 of several tens of μm could be reliably formed without generating burrs at the opening end and without increasing the size of the apparatus.

なお、実験例２では、導電層３のパターンに対して異なる線上を３回スキャンする例について説明したが、これに限らず、導電層３のパターンにおいてギャップ７を形成する部位と、バリ３ｅがそれぞれ形成される部位との３箇所にレーザ光を照射するような光学系を設けるようにすれば、１回のスキャンで済み、加工時間を大幅に短縮することができる。 In Experimental Example 2, an example in which a different line is scanned three times with respect to the pattern of the conductive layer 3 has been described. However, the present invention is not limited to this, and a portion where the gap 7 is formed in the pattern of the conductive layer 3 and the burr 3e If an optical system for irradiating laser light to three portions, each of which is formed, is provided, one scan is sufficient, and the processing time can be greatly shortened.

本発明に係る非接触ＩＣタグの一実施形態を示す表面図である。It is a surface view which shows one Embodiment of the non-contact IC tag which concerns on this invention. ＩＣチップの実装前の導電層を示す表面図である。It is a surface view which shows the conductive layer before mounting of an IC chip. 図２の裏面図である。FIG. 3 is a rear view of FIG. 2. 図１のＩＣチップの実装状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the mounting state of the IC chip of FIG. 本発明に係る非接触ＩＣタグの製造方法の一実施形態を示し、図１に示す非接触ＩＣタグの前段の製造工程を示す概略側面図である。FIG. 2 is a schematic side view showing one embodiment of the method for manufacturing the non-contact IC tag according to the present invention and showing the manufacturing process of the previous stage of the non-contact IC tag shown in FIG. 1. 図５に示す製造工程に続いて行われる後段の製造工程を示す概略側面図である。FIG. 6 is a schematic side view illustrating a subsequent manufacturing process performed subsequent to the manufacturing process illustrated in FIG. 5. 実験例１においてレーザスポット径ａが０．０５ｍｍの場合にレーザスイッチング周波数ｆとスキャン速度Ｖとの関係を示すグラフである。6 is a graph showing a relationship between a laser switching frequency f and a scan speed V when the laser spot diameter a is 0.05 mm in Experimental Example 1. （Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は実験例２による導電層のパターンに対するスキャン状態を示す断面図である。(A), (B), (C) is sectional drawing which shows the scanning state with respect to the pattern of the conductive layer by Experimental example 2. FIG.

Explanation of symbols

１…非接触ＩＣタグ
２…基材
２ｘ…基材の連続体
３，４…導電層
３ａ…アンテナのパターンの導電層
４ａ…ブリッジのパターンの導電層
３ｃ…アンテナの両端子の導電層
３ｘ，４ｘ…導電層の連続体
３ｙ，４ｙ…導電層の不要部
５，６…熱可塑性接着剤層
５ａ…アンテナのパターンの熱可塑性接着剤層
６ａ…ブリッジのパターンの熱可塑性接着剤層
７…ギャップ
８…ＩＣチップ
９…電極バンプ
１０…保護層
１１…ＹＡＧレーザ照射装置
１２…ＩＣチップ実装装置
１７…受型
１７ａ…凹部
１８…表側成形型
１９…裏側成形型
２４…クッション性伝熱体
２５…空気孔
２６，４１…分離ローラ
２７，４２…吸引筒
２８，４３…ノズル
２９…加熱ローラ
３０…圧ローラ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Non-contact IC tag 2 ... Base material 2x ... Continuous body of base material 3, 4 ... Conductive layer 3a ... Conductive layer of antenna pattern 4a ... Conductive layer of bridge pattern 3c ... Conductive layer of antenna both terminals 3x, 4x ... Continuous body of conductive layer 3y, 4y ... Unnecessary portion of conductive layer 5,6 ... thermoplastic adhesive layer 5a ... thermoplastic adhesive layer of antenna pattern 6a ... thermoplastic adhesive layer of bridge pattern 7 ... gap DESCRIPTION OF SYMBOLS 8 ... IC chip 9 ... Electrode bump 10 ... Protective layer 11 ... YAG laser irradiation apparatus 12 ... IC chip mounting apparatus 17 ... Receiving die 17a ... Recess 18 ... Front side shaping | molding die 19 ... Back side shaping | molding die 24 ... Cushioning heat transfer body 25 ... Air hole 26, 41 ... Separation roller 27, 42 ... Suction cylinder 28, 43 ... Nozzle 29 ... Heating roller 30 ... Pressure roller

Claims

Adhering step of adhering a conductive layer having an antenna pattern and a plurality of capacitor patterns for changing the capacitance branched from the antenna pattern through an adhesive layer on the surface while running the substrate; A punching step of punching the conductive layer in a predetermined pattern on the substrate, a gap forming step of forming a narrow gap in the antenna pattern, and an IC chip mounting step of mounting an IC chip on the antenna pattern across the gap And
Adjusting the resonant frequency as the non-contact IC tag by cutting any of the branched capacitor patterns ;
The gap forming step is to form a gap by irradiating a laser beam by a laser irradiation means,
After irradiating the laser beam with an output that generates burrs on both sides of the opening end of the gap, irradiating a laser beam having a value lower than the output of the laser beam when forming the gap on both sides of the opening end of the gap A method of manufacturing a non-contact IC tag, wherein the burr is removed .

2. The method of manufacturing a non-contact IC tag according to claim 1 , wherein the gap forming step is performed immediately before the IC chip mounting step.

2. The non-contact IC tag manufacturing method according to claim 1 , wherein after the gap forming step is performed, a hot pressing step of heating and pressing a gap forming portion of the pattern of the conductive layer is performed. 3. Tag manufacturing method.

An adhesive means for adhering a conductive layer having an antenna pattern and a plurality of capacitor patterns for changing the capacitance branched from the antenna pattern to the surface of the base material via an adhesive layer; Punching means for punching the conductive layer into a predetermined pattern; gap forming means for forming a narrow gap in the antenna pattern; and IC chip mounting means for mounting an IC chip on the antenna pattern across the gap. And
Adjusting the resonant frequency as the non-contact IC tag by cutting any of the branched capacitor patterns ;
The gap forming means is a laser irradiation apparatus that forms a gap by irradiating a laser beam,
After irradiating the laser beam with an output that generates burrs on both sides of the opening end of the gap, irradiating a laser beam having a value lower than the output of the laser beam when forming the gap on both sides of the opening end of the gap An apparatus for producing a non-contact IC tag, wherein the burr is removed .

5. The non-contact IC tag manufacturing apparatus according to claim 4 , wherein the laser irradiation device is a YAG laser irradiation device, and emits a YAG fundamental wave from the YAG laser irradiation device with an output of about 10 to 50 W. Non-contact IC tag manufacturing equipment.

5. The non-contact IC tag manufacturing apparatus according to claim 4 , further comprising a heat pressing unit that heat-presses a gap forming portion of the pattern of the conductive layer.