JP5113908B2 - ガスセンサ用金属酸化物半導体材料の製造方法 - Google Patents
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Description
[実施例1]
(1)酸化物前駆体
・アルカリ水溶液
1.5wt%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液 60ml
・金属塩の水溶液
硝酸インジウム 1.28g
イオン交換水 30ml
(2)貴金属コロイド
Pdコロイド(パラジウムコロイド)
(3)洗浄液
エタノール
(4)沈殿物の分離
自然沈降による分離
(5)乾燥
液体窒素を用いた凍結乾燥
[実施例2]
(1)酸化物前駆体
・アルカリ水溶液
1.5wt%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液 60ml
・金属塩の水溶液
硝酸インジウム 1.28g
イオン交換水 30ml
(2)貴金属コロイド
Ptコロイド(白金コロイド)
(3)洗浄液
エタノール
(4)沈殿物の分離
自然沈降による分離
(5)乾燥
液体窒素を用いた凍結乾燥
[比較例1]
(1)酸化物前駆体
・アルカリ水溶液
3wt%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液60ml
テトラプロピルアンモニウムブロミド0.959g
・金属塩の水溶液
硝酸インジウム1.28g
酢酸スズ0.0078g
酢酸コバルト0.00737g
イオン交換水35ml
(2)貴金属コロイド
Pdコロイド(パラジウムコロイド)
(3)洗浄液
イオン交換水
(4)上澄みと沈殿物の分離
遠心分離機を用いた強制分離
(5)乾燥
200℃、3時間
図4(A)及び(B)は、実施例1及び実施例2の酸化物半導体材料をガスセンサに用いてCOガスを測定した場合の、CO濃度(ppm)と抵抗値R(kΩ)の関係を示すグラフである。なお、実施例1及び2については、再現性を確認するため、複数のサンプルを用いた。
[実施例3]
(1)酸化物前駆体
・アルカリ水溶液
1.5wt%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液 60ml
・金属塩の水溶液
硝酸インジウム 1.28g
イオン交換水 30ml
(2)貴金属コロイド
Ptコロイド
(3)洗浄液
イオン交換水
(4)沈殿物の分離
自然沈降による分離
(5)乾燥
液体窒素を用いた凍結乾燥
[実施例4]
(1)酸化物前駆体
・アルカリ水溶液
1.583wt%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液 60ml
・金属塩の水溶液
硝酸インジウム 1.28g
イオン交換水 30ml
(2)貴金属コロイド
Ptコロイド
(3)洗浄液
イオン交換水
(4)沈殿物の分離
自然沈降による分離
(5)乾燥
液体窒素を用いた凍結乾燥
[実施例5]
(1)酸化物前駆体
・アルカリ水溶液
1.452wt%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液 60ml
・金属塩の水溶液
硝酸インジウム 1.28g
イオン交換水 30ml
(2)貴金属コロイド
Ptコロイド
(3)洗浄液
イオン交換水
(4)沈殿物の分離
自然沈降による分離
(5)乾燥
液体窒素を用いた凍結乾燥
[比較例2]
(1)酸化物前駆体
・アルカリ水溶液
1.4wt%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液 60ml
・金属塩の水溶液
硝酸インジウム 1.28g
イオン交換水 30ml
(2)貴金属コロイド
Ptコロイド(白金コロイド)
(3)洗浄液
イオン交換水
(4)沈殿物の分離
自然沈降による分離
(5)乾燥
液体窒素を用いた凍結乾燥
[比較例3]
(1)酸化物前駆体
・アルカリ水溶液
1.6wt%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液 60ml
・金属塩の水溶液
硝酸インジウム 1.28g
イオン交換水 30ml
(2)貴金属コロイド
Ptコロイド(白金コロイド)
(3)洗浄液
イオン交換水
(4)沈殿物の分離
自然沈降による分離
(5)乾燥
液体窒素を用いた凍結乾燥
特に図示しないが、実施例3乃至実施例5では、上述の実施例1及び実施例2が示すセンサ特性および自然沈降し易い等の諸効果(図2乃至図5参照)と同様のセンサ特性及び諸効果が得られる。すなわち、実施例3乃至実施例5並びに比較例1及び比較例2から、アルカリ溶液としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液の濃度を1.452wt%〜1.583wt%の範囲であれば、極性溶媒としてイオン交換水を用いた場合でも、極性溶媒としてエタノールを用いた場合と同等のセンサ特性および自然沈降し易い等の効果が得られることが分かった。
Claims (12)
- ガスの吸着により抵抗値が変化するガスセンサ用金属酸化物半導体材料の製造方法において、
アルカリ水溶液を撹拌しながら前記アルカリ水溶液に金属塩の水溶液を滴下して酸化物前駆体が分散した酸化物前駆体溶液を合成する前駆体溶液合成工程と、
前記酸化物前駆体溶液のpHが低下するように前記酸化物前駆体溶液に極性溶媒を加えて前記酸化物前駆体溶液の前記pHを調整するpH調整工程と、
前記pHを調整した前記酸化物前駆体溶液に、貴金属コロイドが分散した貴金属コロイド溶液を加えて前記酸化物前駆体と前記貴金属コロイドとがほぼ均一に分散した酸化物前駆体−貴金属コロイド分散液を調製する前駆体−コロイド分散液調製工程と、
前記酸化物前駆体−貴金属コロイド分散液に前記極性溶媒を加えて前記酸化物前駆体−貴金属コロイド分散液を前記極性溶媒で洗浄して前記酸化物前駆体−貴金属コロイド分散液中の不純物を除去した浄化酸化物前駆体−貴金属コロイド分散液を得る洗浄工程と、
前記浄化酸化物前駆体−貴金属コロイド分散液の沈殿物を凍結乾燥する凍結乾燥工程とを含み、
前記洗浄工程では、
前記極性溶媒を加えた前記酸化物前駆体−貴金属コロイド分散液を自然沈降により前記不純物を含む上澄みと前記酸化物前駆体−貴金属コロイド分散液の沈殿物とに分離し、
前記上澄みを除去し、
前記上澄みを除去して残った前記沈殿物にさらに前記極性溶媒を加えて前記浄化酸化物前駆体−貴金属コロイド分散液を調製することを特徴とするガスセンサ用金属酸化物半導体材料の製造方法。 - 前記極性溶媒は、イオン交換水、エタノール、またはこれらの混合物から選択した極性溶媒である請求項1に記載のガスセンサ用金属酸化物半導体材料の製造方法。
- 前記極性溶媒が前記エタノールまたは前記混合物の場合には、前記洗浄工程の後、前記凍結乾燥工程の前に、前記浄化酸化物前駆体−貴金属コロイド分散液中のエタノール濃度が低下するように前記浄化酸化物前駆体−貴金属コロイド分散液にイオン交換水を加えて前記エタノールを前記イオン交換水で置換する置換工程をさらに含む請求項2に記載のガスセンサ用金属酸化物半導体材料の製造方法。
- 前記貴金属コロイドが、白金コロイドまたはパラジウムコロイドである請求項1に記載のガスセンサ用金属酸化物半導体材料の製造方法。
- 前記pH調整工程では、前記酸化物前駆体溶液の前記pHがpH6〜10になるように前記酸化物前駆体溶液の前記pHを調整する請求項1または4に記載のガスセンサ用金属酸化物半導体材料の製造方法。
- 前記洗浄工程では、
前記不純物を含む前記上澄みの除去を傾斜法により行う請求項1または4に記載のガスセンサ用金属酸化物半導体材料の製造方法。 - 前記洗浄工程では、
前記酸化物前駆体−貴金属コロイド分散液を前記上澄みと前記沈殿物とに分離し、前記上澄みを除去し、前記上澄みを除去した後の前記沈殿物にさらに極性溶媒を加える操作を少なくとも2回繰り返す請求項1または4に記載のガスセンサ用金属酸化物半導体材料の製造方法。 - 前記凍結乾燥工程では、前記浄化酸化物前駆体−貴金属コロイド分散液を自然沈降により上澄みと前記浄化酸化物前駆体−貴金属コロイド分散液の沈殿物とに分離して得られた前記浄化酸化物前駆体−貴金属コロイド分散液の前記沈殿物を凍結乾燥する請求項1または4に記載のガスセンサ用金属酸化物半導体材料の製造方法。
- 前記金属塩が、インジウム塩である請求項1または4に記載のガスセンサ用金属酸化物半導体材料の製造方法。
- 前記アルカリ水溶液が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液である請求項1または4に記載のガスセンサ用金属酸化物半導体材料の製造方法。
- 前記金属塩が、インジウム塩であり、
前記アルカリ水溶液が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液である請求項1または4に記載のガスセンサ用金属酸化物半導体材料の製造方法。 - 前記金属塩が、インジウム塩であり、
前記アルカリ水溶液が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液であり、
前記テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液の濃度が、1.45〜1.59wt%である請求項1または4に記載のガスセンサ用金属酸化物半導体材料の製造方法。
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