JP5115466B2

JP5115466B2 - Plasma processing equipment

Info

Publication number: JP5115466B2
Application number: JP2008320786A
Authority: JP
Inventors: 孝司齋場
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2008-12-17
Filing date: 2008-12-17
Publication date: 2013-01-09
Anticipated expiration: 2028-12-17
Also published as: JP2010147140A

Description

本発明は、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。 The present invention relates to a plasma processing apparatus and a plasma processing method.

材料の表面を加工する方法の１つとして、電圧または高周波を印加した電極間に反応ガスを供給し、反応ガスに基づくラジカルを発生させ、該ラジカルとワークとのラジカル反応によって生成された生成物質を除去することで加工を行う、いわゆるプラズマＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒｉｚａｔｉｏｎＭａｃｈｉｎｉｎｇ（以下、「プラズマＣＶＭ」と略す。）が知られている。 As one of methods for processing the surface of a material, a reaction gas is supplied between electrodes to which a voltage or a high frequency is applied, a radical based on the reaction gas is generated, and a product generated by a radical reaction between the radical and a workpiece A so-called plasma chemical machining (hereinafter, abbreviated as “plasma CVM”) is known in which processing is performed by removing slag.

このようなプラズマＣＶＭでは、電極またはワークを走査するなどして、互いの位置関係を変化させながらワークの被処理面に対しプラズマ処理する方法が行われている（例えば、特許文献１）。 In such plasma CVM, a method of performing plasma processing on a surface to be processed of a workpiece while changing the positional relationship by scanning an electrode or a workpiece is performed (for example, Patent Document 1).

また、ワークの被処理面のプラズマ処理前の形状データ（座標データ）と目標形状データ（座標データ）とに基づいて、プラズマ放出部とワークとの相対的走査速度（移動速度）や停止時間（処理時間）等の移動機構の駆動を制御（数値制御：ＮＣ）して、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置が提案されている（例えば、特許文献２）。 Further, based on the shape data (coordinate data) of the workpiece surface before plasma processing and the target shape data (coordinate data), the relative scanning speed (moving speed) and stop time of the plasma emitting part and the work (stop time) There has been proposed a plasma processing apparatus that performs plasma processing by controlling the driving of a moving mechanism such as (processing time) (numerical control: NC) (for example, Patent Document 2).

具体的な装置構成としては、放電用ガスに励起電圧を印加してプラズマを発生させるプラズマ発生機構、当該プラズマ発生機構で発生したプラズマをワークに向けて噴射する噴射口及びワークに噴射されるプラズマの周囲を吸引する吸引口を有するプラズマ発生機構、当該プラズマ発生機構とワークとを相対移動させる移動機構とを有する構成が提案されている。このような装置を用いて、例えばステージ上に載置されたワークのエッチングを行うようになっている。
特開平１−１２５８２９号公報特開平４−２４６１８４号公報 As a specific device configuration, a plasma generation mechanism that generates plasma by applying an excitation voltage to a discharge gas, an injection port that injects plasma generated by the plasma generation mechanism toward a workpiece, and plasma that is injected into the workpiece There has been proposed a structure having a plasma generation mechanism having a suction port for sucking the periphery of the substrate, and a moving mechanism for moving the plasma generation mechanism and the workpiece relative to each other. Using such an apparatus, for example, a workpiece placed on a stage is etched.
Japanese Patent Laid-Open No. 1-125829 JP-A-4-246184

しかしながら、上記構成においては、例えばワークを載置するステージの形状によってワークの被処理面の形状が変動したり、プラズマ発生機構の吸引孔の位置によってワークの被処理面上に放出されるプラズマの密度が変動し加工量が変動したりする場合がある。このような被処理面の形状の変動や加工量の変動によって、加工後のワークの被処理面の高さ位置が目標形状に対してバラついてしまい、ワークの加工精度の向上の妨げとなっていた。 However, in the above configuration, for example, the shape of the work surface of the work varies depending on the shape of the stage on which the work is placed, or the plasma released on the work surface of the work depends on the position of the suction hole of the plasma generation mechanism. The density may fluctuate and the processing amount may fluctuate. Due to such variations in the shape of the surface to be processed and variations in the amount of processing, the height position of the surface to be processed of the workpiece after processing varies with respect to the target shape, which hinders improvement in workpiece machining accuracy. It was.

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、ワークを加工精度を向上させることが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することにある。 In view of the circumstances as described above, an object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method capable of improving the machining accuracy of a workpiece.

上記目的を達成するため、本発明に係るプラズマ処理装置は、プラズマを用いてワークを加工するプラズマ処理装置であって、放電用ガスに励起電圧を印加してプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、前記プラズマと前記ワークとを相対移動させる移動機構と、少なくとも前記ワークの目標形状データと、前記ワークの加工前形状データと、前記プラズマによる加工量データと、前記プラズマを用いた加工後の前記ワークの形状に基づく加工分布データとに基づいて前記ワークの加工計画データを生成し、前記加工計画データに基づいて前記ワークの加工を行わせる制御装置とを備えることを特徴とする。 In order to achieve the above object, a plasma processing apparatus according to the present invention is a plasma processing apparatus that processes a workpiece using plasma, and a plasma generation mechanism that generates plasma by applying an excitation voltage to a discharge gas; A moving mechanism for relatively moving the plasma and the workpiece, at least target shape data of the workpiece, shape data before processing of the workpiece, processing amount data by the plasma, and the workpiece after processing using the plasma And a control device that generates machining plan data of the workpiece based on machining distribution data based on the shape of the workpiece and performs machining of the workpiece based on the machining plan data.

本発明によれば、制御装置が加工計画データを生成するのに際し、目標形状データ、加工前形状データ及び加工量データに加え、加工分布データに基づいて生成することとしたので、加工時のワークの形状の変動やプラズマによる加工量の変動など、加工後のワークの形状のバラつきの要因となるデータが織り込まれた加工計画データが生成されることとなる。これにより、これらの変動によるワークの形状のバラつきを抑制し、加工後のワークの形状を目標形状により近づけることができるので、加工精度を向上させることができる。 According to the present invention, when the control device generates the processing plan data, the control device generates the processing plan data based on the processing distribution data in addition to the target shape data, the shape data before processing, and the processing amount data. The machining plan data is generated in which data that causes variations in the shape of the workpiece after machining, such as fluctuations in the shape of the workpiece and fluctuations in the machining amount due to plasma, are incorporated. Thereby, the variation in the shape of the workpiece due to these fluctuations can be suppressed, and the shape of the workpiece after machining can be brought closer to the target shape, so that machining accuracy can be improved.

上記のプラズマ処理装置は、前記プラズマ発生機構は、前記ワークに向けて噴射する噴射口及び前記噴射口の周囲の空間を吸引する吸引口を有し、前記プラズマ発生機構と前記ワークとを相対移動させる移動機構を更に備えることを特徴とする。
本発明によれば、プラズマ発生機構がワークに向けて噴射する噴射口及び噴射口の周囲の空間を吸引する吸引口を有し、当該プラズマ発生機構とワークとを相対移動させる移動機構を更に備えることとしたので、プラズマ発生機構とワークとを相対移動させながらワークを微細加工することが可能となる。これにより、一層の加工精度の向上を図ることができる。 In the plasma processing apparatus, the plasma generation mechanism has an injection port for spraying toward the workpiece and a suction port for sucking a space around the injection port, and relatively moves the plasma generation mechanism and the workpiece. It is further characterized by further including a moving mechanism.
According to the present invention, the plasma generation mechanism further includes an injection port that injects the workpiece toward the workpiece and a suction port that sucks the space around the injection port, and further includes a moving mechanism that relatively moves the plasma generation mechanism and the workpiece. Therefore, the workpiece can be finely processed while the plasma generation mechanism and the workpiece are moved relative to each other. Thereby, the improvement of the further processing precision can be aimed at.

上記のプラズマ処理装置は、前記制御装置は、前記加工計画データに基づいて、前記移動機構に前記相対移動の速度を調整させることを特徴とする。
本発明によれば、加工分布データが織り込まれた加工計画データに基づいてプラズマ放出装置とワークとの相対移動の速度が調整されるので、加工後のワークの形状を目標形状により近づけることができる。 In the plasma processing apparatus, the control device causes the moving mechanism to adjust the speed of the relative movement based on the processing plan data.
According to the present invention, since the speed of relative movement between the plasma emission device and the workpiece is adjusted based on the machining plan data in which the machining distribution data is incorporated, the shape of the workpiece after machining can be made closer to the target shape. .

上記のプラズマ処理装置は、前記制御装置は、前記ワークの所定領域毎に前記相対移動の速度を調整させることを特徴とする。
本発明によれば、ワークの所定領域毎に相対移動の速度が調整されることとなるため、効率的に加工処理を行うことができる。 The plasma processing apparatus is characterized in that the control device adjusts the speed of the relative movement for each predetermined region of the workpiece.
According to the present invention, since the speed of relative movement is adjusted for each predetermined region of the workpiece, the processing can be performed efficiently.

上記のプラズマ処理装置は、前記加工分布データは、前記プラズマを用いて加工された前記データ取得用ワークの加工後の形状に基づくデータであることを特徴とする。
本発明によれば、データ取得用ワークを用いて取得した加工分布データを用いることにより、実際に加工を行うワークの無駄を無くすことができる。 The plasma processing apparatus is characterized in that the processing distribution data is data based on a shape after processing of the data acquisition workpiece processed using the plasma.
According to the present invention, by using the machining distribution data acquired using the data acquisition workpiece, it is possible to eliminate the waste of the workpiece that is actually processed.

上記のプラズマ処理装置は、前記制御装置は、少なくとも前記加工分布データを記憶させる記憶部を有することを特徴とする。
本発明によれば、加工分布データを記憶させておくことにより、制御装置による制御を効率的に行うことができる。 In the plasma processing apparatus, the control device includes a storage unit that stores at least the processing distribution data.
According to the present invention, control by the control device can be efficiently performed by storing the machining distribution data.

本発明に係るプラズマ処理方法は、放電用ガスに励起電圧を印加して前記プラズマを発生させ、発生した前記プラズマを用いて前記ワークを加工するプラズマ処理方法であって、少なくとも前記ワークの目標形状データと、前記ワークの加工前形状データと、前記プラズマによる加工量データと、前記プラズマを用いた加工後の前記ワークの形状に基づく加工分布データとに基づいて前記ワークの加工計画データを生成し、前記加工計画データに基づいて前記ワークの加工を行うことを特徴とする。 The plasma processing method according to the present invention is a plasma processing method for applying an excitation voltage to a discharge gas to generate the plasma, and processing the workpiece using the generated plasma, and at least a target shape of the workpiece Processing plan data for the workpiece is generated based on data, shape data before processing of the workpiece, processing amount data by the plasma, and processing distribution data based on the shape of the workpiece after processing using the plasma. The workpiece is machined based on the machining plan data.

本発明によれば、加工計画データを生成するのに際し、目標形状データ、加工前形状データ及び加工量データに加え、加工分布データに基づいて生成することとしたので、加工時のワークの形状の変動やプラズマによる加工量の変動など、加工後のワークの形状のバラつきの要因となるデータが織り込まれた加工計画データが生成されることとなる。これにより、これらの変動によるワークの形状のバラつきを抑制し、加工後のワークの形状を目標形状により近づけることができるので、加工精度を向上させることができる。 According to the present invention, when generating the machining plan data, in addition to the target shape data, the shape data before processing and the processing amount data, the processing plan data is generated based on the processing distribution data. Machining plan data including data that causes variations in the shape of the workpiece after machining, such as fluctuations and fluctuations in the machining amount due to plasma, is generated. Thereby, the variation in the shape of the workpiece due to these fluctuations can be suppressed, and the shape of the workpiece after machining can be brought closer to the target shape, so that machining accuracy can be improved.

上記のプラズマ処理方法は、前記プラズマを前記ワークに向けて噴射すると共に前記プラズマが噴射される噴射部の周囲を吸引し、前記プラズマの噴射部及び吸引部と前記ワークとを相対移動させながら前記ワークを加工することを特徴とする。
本発明によれば、プラズマ発生機構とワークとを相対移動させながらワークを微細加工することが可能となる。これにより、一層の加工精度の向上を図ることができる。 In the plasma processing method, the plasma is jetted toward the workpiece, the periphery of the jetting unit to which the plasma is jetted is sucked, and the plasma jetting unit, the sucking unit, and the work are moved relative to each other. It is characterized by machining a workpiece.
According to the present invention, the workpiece can be finely processed while the plasma generating mechanism and the workpiece are relatively moved. Thereby, the improvement of the further processing precision can be aimed at.

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置を説明する。
図１は、本発明のプラズマ処理装置の実施形態を示す模式的に示す図である。図２は、図１に示すプラズマ処理装置のプラズマ処理装置本体を示す縦断面図である。図３は、図２におけるＡ−Ａ断面に沿った構成を示す図である。 Hereinafter, a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram schematically showing an embodiment of a plasma processing apparatus of the present invention. FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a main body of the plasma processing apparatus of the plasma processing apparatus shown in FIG. FIG. 3 is a diagram showing a configuration along the section AA in FIG.

以下の説明では、図１中互いに直交する３つの方向をｘ軸方向、ｙ軸方向およびｚ軸方向とする。そのうち、ワーク１０の被処理面１０１をｘｙ平面とし、被処理面１０１の法線方向をｚ軸方向とする。以下、対応する方向はその他の図においても同様である。また、図２中の上側を「上」、下側を「下」と表記する。 In the following description, three directions orthogonal to each other in FIG. 1 are defined as an x-axis direction, a y-axis direction, and a z-axis direction. Among them, the processing target surface 101 of the workpiece 10 is an xy plane, and the normal direction of the processing target surface 101 is a z-axis direction. Hereinafter, the corresponding directions are the same in other drawings. Further, the upper side in FIG. 2 is expressed as “upper” and the lower side is expressed as “lower”.

図１に示すように、プラズマ処理装置１は、対向する電極間に電圧を印加することによって電極間にプラズマを発生させ、電極間に発生したプラズマ中にワークを配置させてワークをプラズマに曝露させるダイレクトプラズマ方式のプラズマ処理装置である。プラズマ処理装置１は、装置本体１１と、ワーク１０に処理ガスを噴出するノズル５を有するプラズマ発生機構８０とワーク１０とを相対的にｘ軸方向およびｙ軸方向に移動させる移動機構２０と、プラズマ発生機構８０とワーク１０とを相対的にｚ軸方向に移動させるｚ軸方向移動機構２５とを備えている。 As shown in FIG. 1, the plasma processing apparatus 1 generates a plasma between electrodes by applying a voltage between opposing electrodes, and places the workpiece in the plasma generated between the electrodes to expose the workpiece to the plasma. This is a direct plasma type plasma processing apparatus. The plasma processing apparatus 1 includes an apparatus main body 11, a plasma generation mechanism 80 having a nozzle 5 for ejecting a processing gas to the work 10, and a moving mechanism 20 that relatively moves the work 10 in the x-axis direction and the y-axis direction, A z-axis direction moving mechanism 25 that moves the plasma generating mechanism 80 and the workpiece 10 relatively in the z-axis direction is provided.

図２に示す装置本体１１は、ワーク１０を介して互いに対向して設けられた上部電極２および下部電極３と、一対の電極間に処理ガスを噴出するノズル５と、処理ガスをノズル５に供給する処理ガス供給流路６と、上部電極２および下部電極３間に電圧を印加する高周波電源（電源）７２を備えた電源回路７と、プラズマ生成のための処理ガスを供給するガス供給部８とを備えている。 The apparatus main body 11 shown in FIG. 2 includes an upper electrode 2 and a lower electrode 3 provided to face each other with a work 10 interposed therebetween, a nozzle 5 that ejects a processing gas between a pair of electrodes, and a processing gas to the nozzle 5. A processing gas supply channel 6 to be supplied, a power supply circuit 7 having a high frequency power source (power source) 72 for applying a voltage between the upper electrode 2 and the lower electrode 3, and a gas supply unit for supplying a processing gas for plasma generation 8 and.

この装置本体１１は、上部電極２および下部電極３間に処理ガスを供給しつつ、電圧を印加することにより、処理ガスを活性化してプラズマを生成させ、該プラズマによりワーク１０の被処理面１０１をプラズマ処理してエッチング（研摩を含む）する装置、すなわち、ワーク１０の被処理面１０１に対してプラズマ処理によるエッチング加工（エッチング処理）を行う装置である。以下、プラズマ処理してエッチングすること（プラズマ処理によるエッチング加工を行うこと）を、単に、プラズマ処理またはエッチング（エッチング加工）とも言う。 The apparatus main body 11 activates the processing gas by applying a voltage while supplying the processing gas between the upper electrode 2 and the lower electrode 3 to generate plasma, and the surface to be processed 101 of the workpiece 10 is generated by the plasma. Is a device that performs etching (including polishing), that is, a device that performs etching processing (etching processing) by plasma processing on the surface 101 of the workpiece 10. Hereinafter, performing plasma processing and etching (performing etching processing by plasma processing) is also simply referred to as plasma processing or etching (etching processing).

以下、装置本体１１の各部の構成について説明する。図２および図３に示すように、誘電体部４は、誘電体材料で構成された四角柱状の形状をなしている。誘電体部４の上面には、凹部４１が形成されている。凹部４１は下端側に向かって外径が縮径されるように形成されている。凹部４１には、上部電極２（図２では上面以外全て）が挿入されている。上部電極２が挿入されることにより、一対の電極間において、電極である金属等が露出しないため、電極間に電界を均一に発生させることができる。また、上部電極２を誘電体部４で覆っているため、インピーダンスの増大を防止することができ、比較的低電圧で所望の放電を生じさせ、プラズマを確実に発生させることができる。さらに、電圧印加時における絶縁破壊を防止して、アーク放電が生じるのを好適に防止し、グローライクな安定した放電を得ることもできる。なお、誘電体部４の形状は、例えば円錐台や円柱状など、特に限定されない。 Hereinafter, the configuration of each part of the apparatus main body 11 will be described. As shown in FIGS. 2 and 3, the dielectric portion 4 has a quadrangular prism shape made of a dielectric material. A recess 41 is formed on the upper surface of the dielectric portion 4. The recess 41 is formed such that the outer diameter is reduced toward the lower end side. The upper electrode 2 (all except the upper surface in FIG. 2) is inserted into the recess 41. By inserting the upper electrode 2, the metal or the like as an electrode is not exposed between the pair of electrodes, so that an electric field can be uniformly generated between the electrodes. Further, since the upper electrode 2 is covered with the dielectric portion 4, an increase in impedance can be prevented, and a desired discharge can be generated at a relatively low voltage, and plasma can be generated reliably. Furthermore, it is possible to prevent dielectric breakdown during voltage application, suitably prevent arc discharge from occurring, and obtain glow-like stable discharge. The shape of the dielectric portion 4 is not particularly limited, for example, a truncated cone or a columnar shape.

このような誘電体部４の構成材料としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート等の各種プラスチック、石英ガラス等の各種ガラス、無機酸化物等が挙げられる。前記無機酸化物としては、例えば、Ａｌ２Ｏ_３（アルミナ）、ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２等の金属酸化物、窒化シリコンなどの窒化物、ＢａＴｉＯ_３（チタン酸バリウム）等の複合酸化物等の誘電体材料等が挙げられる。これらのうち、金属酸化物が好ましく、アルミナがより好ましい。このような材料を用いることにより、電界におけるアーク放電の発生をより確実に防止することができる。 Examples of the constituent material of the dielectric portion 4 include various plastics such as polytetrafluoroethylene and polyethylene terephthalate, various glasses such as quartz glass, and inorganic oxides. Examples of the inorganic oxide include metal oxides such as Al ₂ O ₃ (alumina), SiO ₂ , ZrO ₂ , and TiO ₂ , nitrides such as silicon nitride, and composite oxides such as BaTiO ₃ (barium titanate). A dielectric material etc. are mentioned. Of these, metal oxides are preferred, and alumina is more preferred. By using such a material, the occurrence of arc discharge in an electric field can be prevented more reliably.

上部電極２は、上面が誘電体部４から露出している。上部電極２は、励起電圧を印加する電極であるため、露出した位置で電気的接続をとるために導線７１を介して高周波電源７２に接続されている。上部電極２の上面には、後述するプラズマ生成のための処理ガスを供給するガス供給部８が接続されている。上部電極２の内部には、ガス供給部８から供給された処理ガスをプラズマ発生領域３０に導く処理ガス供給流路６が設けられている。 The upper surface of the upper electrode 2 is exposed from the dielectric portion 4. Since the upper electrode 2 is an electrode for applying an excitation voltage, the upper electrode 2 is connected to a high-frequency power source 72 via a conducting wire 71 in order to make an electrical connection at an exposed position. Connected to the upper surface of the upper electrode 2 is a gas supply unit 8 for supplying a processing gas for generating plasma, which will be described later. Inside the upper electrode 2, there is provided a processing gas supply channel 6 that guides the processing gas supplied from the gas supply unit 8 to the plasma generation region 30.

上部電極２は、断面視で円柱状に形成されており、下端部の外径が縮径されている。上部電極２は、凹部４１と密着するように当該凹部４１の形状と対応した形状に形成されている。このような形状により、上部電極２と凹部４１とが密着するため、凹部４１に確実に上部電極２を挿入することができるとともに、上部電極２の電流密度を高めることができるようになっている。上部電極２の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、銅、アルミニウム、鉄、銀等の金属単体、ステンレス鋼、真鍮、アルミニウム合金等の各種合金、金属間化合物、各種炭素材料等が挙げられる。 The upper electrode 2 is formed in a columnar shape in a sectional view, and the outer diameter of the lower end is reduced. The upper electrode 2 is formed in a shape corresponding to the shape of the recess 41 so as to be in close contact with the recess 41. With such a shape, the upper electrode 2 and the recess 41 are in close contact with each other, so that the upper electrode 2 can be reliably inserted into the recess 41 and the current density of the upper electrode 2 can be increased. . The constituent material of the upper electrode 2 is not particularly limited, and examples thereof include simple metals such as copper, aluminum, iron, and silver, various alloys such as stainless steel, brass, and aluminum alloys, intermetallic compounds, and various carbon materials. It is done.

上部電極２は、ワーク１０から第１距離だけ離れた位置に配置される。この第１距離は、電源回路７の出力や、ワーク１０に施すプラズマ処理の種類等を考慮して適宜設定される。常圧でプラズマ処理する場合、インピーダンス、ガス流量、ガス放電寿命等より０．５〜１０ｍｍであるのがより好ましい。これにより、プラズマ発生領域３０に電界を確実に発生させることができる。 The upper electrode 2 is disposed at a position separated from the workpiece 10 by a first distance. The first distance is appropriately set in consideration of the output of the power supply circuit 7 and the type of plasma treatment applied to the workpiece 10. In the case of performing plasma treatment at normal pressure, the thickness is more preferably 0.5 to 10 mm from the viewpoint of impedance, gas flow rate, gas discharge life and the like. Thereby, an electric field can be reliably generated in the plasma generation region 30.

誘電体部４は、ワーク１０から第２距離（＜第１距離）だけ離れた位置に配置される。この第２距離は、電源回路７の出力や、ワーク１０に施すプラズマ処理の種類等を考慮して適宜設定される。常圧でプラズマ処理する場合、インピーダンス、ガス流量、ガス放電寿命、ガス圧力等より０．１〜１０ｍｍであるのがより好ましい。これにより、アーク放電を起こすことなく、プラズマ発生領域３０に電界を確実に発生させることができる。なお、上部電極２は、その下面（ワーク１０と対面する側）が誘電体部４に覆われていれば、その外周面が誘電体部４に覆われていなくてもよい。これにより、プラズマ発生領域３０に金属などの電極材料が露出しないため、少ない量の誘電体材料で、電界の集中によるワーク１０の破損などを効率的に防止することができる。 The dielectric portion 4 is disposed at a position away from the workpiece 10 by a second distance (<first distance). This second distance is appropriately set in consideration of the output of the power supply circuit 7 and the type of plasma treatment applied to the workpiece 10. In the case of plasma treatment at normal pressure, the thickness is more preferably 0.1 to 10 mm from the impedance, gas flow rate, gas discharge life, gas pressure and the like. Thereby, an electric field can be reliably generated in the plasma generation region 30 without causing arc discharge. The upper electrode 2 may not be covered with the dielectric portion 4 as long as the lower surface (the side facing the workpiece 10) is covered with the dielectric portion 4. Thereby, since electrode materials, such as a metal, are not exposed to the plasma generation area | region 30, damage of the workpiece | work 10 by the concentration of an electric field, etc. can be prevented efficiently with a small amount of dielectric materials.

下部電極３は、接地電極としての機能を有する電極であり、導線７１を介して直接接地されている。これにより、下部電極３の帯電を防止することができ、プラズマ発生領域３０に確実に電界を発生させることができる。また、下部電極３はワーク１０の台（支持部）としての機能も有するため、下部電極３の上面に、ワーク１０が接触して設置（載置）されている。これにより、確実に、ワーク１０の被処理面１０１をプラズマ処理することができる。下部電極３の形状は、例えば平板状、円柱状など、特に限定されない。また、下部電極３の構成材料は、上部電極２と同様に、特に限定されない。 The lower electrode 3 is an electrode having a function as a ground electrode, and is directly grounded via a conducting wire 71. Thereby, charging of the lower electrode 3 can be prevented, and an electric field can be reliably generated in the plasma generation region 30. Further, since the lower electrode 3 also has a function as a base (support part) of the work 10, the work 10 is placed (placed) on the upper surface of the lower electrode 3 in contact with the work. Thereby, the to-be-processed surface 101 of the workpiece | work 10 can be reliably plasma-processed. The shape of the lower electrode 3 is not particularly limited, for example, a flat plate shape, a cylindrical shape, or the like. Further, the constituent material of the lower electrode 3 is not particularly limited as in the case of the upper electrode 2.

ノズル５は、誘電体部４の下面４２に開口され、ワーク１０に対面するように位置している。ノズル５は、誘電体部４の下面４２の中心に１つ形成されている。このように、誘電体部４の下面４２の中心に開口して設けられていることにより、上部電極２と下部電極３との間の空間（以下、「プラズマ発生領域３０」という。）の中心に処理ガスを噴出できるため、該ガスがプラズマ発生領域３０に均一に広がり、プラズマを均一に発生させることができる。なお、図示例では、ノズル５の孔の形状は、円形状に形成されているが、例えば四角形状や楕円形状など、その形状は特に限定されない。 The nozzle 5 is opened on the lower surface 42 of the dielectric portion 4 and is positioned so as to face the workpiece 10. One nozzle 5 is formed at the center of the lower surface 42 of the dielectric portion 4. As described above, the center of the space between the upper electrode 2 and the lower electrode 3 (hereinafter, referred to as “plasma generation region 30”) is provided by being opened at the center of the lower surface 42 of the dielectric portion 4. Since the processing gas can be jetted out, the gas spreads uniformly in the plasma generation region 30 and plasma can be generated uniformly. In the illustrated example, the shape of the hole of the nozzle 5 is formed in a circular shape, but the shape is not particularly limited, for example, a square shape or an elliptical shape.

ノズル５の周囲には、吸引孔４５が形成されている。吸引孔４５は、断面視円環状に形成されており、誘電体部４の下部から上部へ徐々に径を広げるように形成されている。吸引孔４５は、例えばポンプなどの吸引機構４６に接続されている。当該吸引孔４５が設けられることによって、ノズル５の周囲の空間が吸引されるようになっている。 A suction hole 45 is formed around the nozzle 5. The suction hole 45 is formed in an annular shape in cross section, and is formed so that the diameter gradually increases from the lower part to the upper part of the dielectric part 4. The suction hole 45 is connected to a suction mechanism 46 such as a pump. By providing the suction hole 45, the space around the nozzle 5 is sucked.

処理ガス供給流路６は、上部電極２の上面に開口し、上部電極２の内部に上下方向に延在して設けられている。そして、その下流端は、誘電体部４を貫通してノズル５に連通している。処理ガス供給流路６の横断面形状は、例えば円形状、帯状など、特に限定されない。プラズマ発生機構８０は、これら上部電極２と、誘電体部４と、ノズル５と、処理ガス供給流路６とが一体に形成された構成となっている。 The processing gas supply channel 6 is opened on the upper surface of the upper electrode 2 and extends in the vertical direction inside the upper electrode 2. The downstream end thereof passes through the dielectric portion 4 and communicates with the nozzle 5. The cross-sectional shape of the processing gas supply channel 6 is not particularly limited, for example, a circular shape or a belt shape. The plasma generation mechanism 80 has a configuration in which the upper electrode 2, the dielectric portion 4, the nozzle 5, and the processing gas supply channel 6 are integrally formed.

電源回路７は、上部電極２および下部電極３間に電圧を印加する高周波電源７２と、上部電極２と高周波電源７２と下部電極３とを導通する導線７１とを備えている。高周波電源７２は、後述する制御装置７０によりその駆動が制御される図示しない電力調整部を有しており、制御装置７０の制御により、供給する電力の大きさを可変し得るようになっている。また、図示されていないが、供給する電力に対する整合回路や、高周波電源７２の周波数を変える周波数調整機構や、高周波電源７２の印加電圧の最大値（振幅）を変える電圧調整装置などが必要に応じて設置されている。これにより、ワーク１０に対するプラズマ処理の処理条件を適宜調整することができる。 The power supply circuit 7 includes a high-frequency power source 72 that applies a voltage between the upper electrode 2 and the lower electrode 3, and a conductive wire 71 that conducts the upper electrode 2, the high-frequency power source 72, and the lower electrode 3. The high-frequency power source 72 has a power adjusting unit (not shown) whose driving is controlled by a control device 70 to be described later, and the magnitude of power to be supplied can be varied under the control of the control device 70. . Although not shown, a matching circuit for the power to be supplied, a frequency adjustment mechanism for changing the frequency of the high-frequency power source 72, a voltage adjustment device for changing the maximum value (amplitude) of the applied voltage of the high-frequency power source 72, and the like are required. Installed. Thereby, the processing conditions of the plasma processing with respect to the workpiece | work 10 can be adjusted suitably.

上部電極２に、導線７１を介して、高周波電源７２が接続され、また、下部電極３に、導線７１を介して、高周波電源７２が接続されており、これにより、電源回路７が構成されている。この電源回路７は、その一部、すなわち、下部電極３側の導線７１が接地されている。ワーク１０にプラズマ処理によるエッチング加工を行うときは、高周波電源７２が作動して下部電極３と上部電極２との間に電圧が印加される。このとき、その下部電極３と上部電極２との間には、電界が発生し、ガスが供給されると、放電が生じて、プラズマが発生する。また、高周波電源７２の周波数は、特に限定されないが、１０〜７０ＭＨｚであるのが好ましく、１０〜４０ＭＨｚであるのがより好ましい。 A high-frequency power source 72 is connected to the upper electrode 2 via a conducting wire 71, and a high-frequency power source 72 is connected to the lower electrode 3 via a conducting wire 71, thereby forming a power circuit 7. Yes. A part of the power supply circuit 7, that is, the conductive wire 71 on the lower electrode 3 side is grounded. When etching the workpiece 10 by plasma treatment, the high frequency power source 72 is activated and a voltage is applied between the lower electrode 3 and the upper electrode 2. At this time, an electric field is generated between the lower electrode 3 and the upper electrode 2, and when gas is supplied, discharge occurs and plasma is generated. Moreover, the frequency of the high frequency power supply 72 is not particularly limited, but is preferably 10 to 70 MHz, and more preferably 10 to 40 MHz.

ガス供給部８は、プラズマ生成のための処理ガスを処理ガス供給流路６に供給する。このガス供給部８は、所定のガスを充填し供給するガスボンベ８１と、ガスボンベ８１から供給されるガスの流量を調整するマスフローコントロ−ラ８２と、マスフローコントロ−ラ８２より下流端側で、処理ガス管８４内の流路を開閉するバルブ８３と、処理ガス供給流路６の上端部に接続された処理ガス管８４とを有している。 The gas supply unit 8 supplies a processing gas for generating plasma to the processing gas supply channel 6. The gas supply unit 8 includes a gas cylinder 81 that is charged and supplied with a predetermined gas, a mass flow controller 82 that adjusts the flow rate of the gas supplied from the gas cylinder 81, and a downstream end side of the mass flow controller 82. The valve 83 opens and closes the flow path in the gas pipe 84, and the process gas pipe 84 is connected to the upper end of the process gas supply flow path 6.

このようなガス供給部８は、ガスボンベ８１から所定のガスを送り出し、マスフローコントロ−ラ８２で流量を調節する。そして、処理ガス管８４を通って、上部電極２の上面に開口し、上部電極２の内部に形成された処理ガス供給流路６に処理ガスを導入する。 Such a gas supply unit 8 sends out a predetermined gas from a gas cylinder 81 and adjusts the flow rate with a mass flow controller 82. Then, the processing gas is introduced through the processing gas pipe 84 into the processing gas supply channel 6 that opens to the upper surface of the upper electrode 2 and is formed inside the upper electrode 2.

このようなプラズマ処理によるエッチング加工に用いる放電用ガスとしては、例えば、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_３Ｆ_６、Ｃ_４Ｆ_８、ＣＣｌＦ_３、ＳＦ_６等のフッ素原子含有化合物ガスやＣｌ_２、ＢＣｌ_３、ＣＣｌ_４等の塩素原子含有化合物ガスなどの各種ハロゲン系ガスが用いられる。 Examples of the discharge gas used for the etching process by the plasma treatment include fluorine atom-containing compound gases such as CF ₄ , C ₂ F ₆ , C ₃ F ₆ , C ₄ F ₈ , CClF ₃ , and SF ₆ , and Cl. Various halogen-based gases such as a chlorine atom-containing compound gas such as ₂ , BCl ₃ , CCl ₄ are used.

また、このような処理ガスは、一般に、上記処理ガスとキャリアガスとからなる混合ガス（以下、単に「ガス」とも言う）が用いられる。なお、「キャリアガス」とは、放電開始と放電維持のために導入するガスのことを言う。この場合、ガスボンベ８１内に、混合ガス（処理ガス＋キャリアガス）を充填して用いてもよいし、処理ガスとキャリアガスとがそれぞれ別のガスボンベに充填され、処理ガス管８４の途中でこれらが所定の混合比で混合されるような構成であってもよい。キャリアガスとしては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ等の希ガスを用いることができる。これらは、単独でも２種以上を混合した形態でも用いることができる。 Further, as such a processing gas, a mixed gas composed of the processing gas and the carrier gas (hereinafter, also simply referred to as “gas”) is generally used. The “carrier gas” refers to a gas introduced for starting discharge and maintaining discharge. In this case, the gas cylinder 81 may be filled with a mixed gas (processing gas + carrier gas), or the processing gas and the carrier gas may be filled in separate gas cylinders, and these gas cylinders 81 may be in the middle of the processing gas pipe 84. May be mixed at a predetermined mixing ratio. As the carrier gas, a rare gas such as He, Ne, Ar, or Xe can be used. These can be used alone or in a mixed form of two or more.

混合ガス中における処理ガスの占める割合（混合比）は、特に限定されないが、例えば、混合ガス中の処理ガスの割合が１〜１０％であるのが好ましく、５〜１０％であるのがより好ましい。これにより、効率的に放電が開始され、処理ガスにより、所望のプラズマ処理をすることができる。供給するガスの流量は、ガスの種類、処理の程度等に応じて適宜決定される。通常は、３０ＳＣＣＭ〜５０ＳＬＭ程度であるのが好ましい。これにより、効率的にプラズマ発生領域３０の中央部の圧力が上がるため、微細な加工をすることができる。 The ratio (mixing ratio) of the processing gas in the mixed gas is not particularly limited, but for example, the ratio of the processing gas in the mixed gas is preferably 1 to 10%, more preferably 5 to 10%. preferable. Thereby, discharge is efficiently started, and a desired plasma treatment can be performed with the treatment gas. The flow rate of the gas to be supplied is appropriately determined according to the type of gas, the degree of processing, and the like. Usually, it is preferably about 30 SCCM to 50 SLM. As a result, the pressure in the central portion of the plasma generation region 30 is increased efficiently, so that fine processing can be performed.

装置本体１１のプラズマ発生機構８０とワーク１０とを相対的にｘ軸方向およびｙ軸方向に移動させる移動機構２０としては、ワーク１０および図示しないデータ取得用ワークが設置される下部電極３をｘ軸方向およびｙ軸方向に移動させるＮＣステージ移動装置が用いられている。この移動機構２０は、ワーク１０およびデータ取得用ワークをプラズマ処理してエッチング加工する際に、それぞれ、下部電極３をｘ軸方向およびｙ軸方向に移動して、それらの被処理面１０１をプラズマ発生機構８０に対して２次元的に走査する走査機構であり、プラズマ発生機構８０とワーク１０およびデータ取得用ワークとの相対的な移動速度や停止時間等を調整することができるように構成されている。 As the moving mechanism 20 that relatively moves the plasma generation mechanism 80 and the workpiece 10 of the apparatus main body 11 in the x-axis direction and the y-axis direction, the lower electrode 3 on which the workpiece 10 and a data acquisition workpiece (not shown) are installed is x An NC stage moving device that moves in the axial direction and the y-axis direction is used. The moving mechanism 20 moves the lower electrode 3 in the x-axis direction and the y-axis direction and plasmas the surfaces to be processed 101 when the workpiece 10 and the data acquisition workpiece are etched and etched. It is a scanning mechanism that scans the generating mechanism 80 two-dimensionally, and is configured to be able to adjust the relative movement speed, stop time, and the like of the plasma generating mechanism 80, the workpiece 10 and the data acquisition workpiece. ing.

また、移動機構２０の駆動は、ＮＣ制御装置１６により制御されるようになっている。なお、本発明では、例えば、ｘ軸方向およびｙ軸方向について、下部電極３側が固定され、移動機構２０は、プラズマ発生機構８０側をｘ軸方向およびｙ軸方向に移動させるように構成されていてもよい。 Further, the driving of the moving mechanism 20 is controlled by the NC control device 16. In the present invention, for example, the lower electrode 3 side is fixed in the x-axis direction and the y-axis direction, and the moving mechanism 20 is configured to move the plasma generation mechanism 80 side in the x-axis direction and the y-axis direction. May be.

プラズマ発生機構８０とワーク１０とを相対的にｚ軸方向に移動させるｚ軸方向移動機構２５としては、プラズマ発生機構８０をｚ軸方向に移動させる移動装置が用いられている。このｚ軸方向移動機構２５により、プラズマ発生機構８０と、ワーク１０の被処理面１０１およびデータ取得用ワークの被処理面との間の間隙距離を調整することができる。また、ｚ軸方向移動機構２５の駆動は、制御装置７０により制御されるようになっている。 As the z-axis direction moving mechanism 25 that relatively moves the plasma generating mechanism 80 and the workpiece 10 in the z-axis direction, a moving device that moves the plasma generating mechanism 80 in the z-axis direction is used. The z-axis direction moving mechanism 25 can adjust the gap distance between the plasma generating mechanism 80 and the processing target surface 101 of the workpiece 10 and the processing target surface of the data acquisition workpiece. The drive of the z-axis direction moving mechanism 25 is controlled by the control device 70.

なお、本発明では、例えば、ｚ軸方向について、プラズマ発生機構８０側が固定され、ｚ軸方向移動機構２５は、下部電極３側をｚ軸方向に移動させるように構成されていてもよい。以上の構成により、プラズマ発生機構８０は、ワーク１０の被処理面１０１およびデータ取得用ワークの被処理面の上方の空間（作業空間）において、ワーク１０およびデータ取得用ワークに対して、相対的に、ｘｙｚ３次元空間内で任意の位置に移動可能となっている。 In the present invention, for example, the plasma generating mechanism 80 side may be fixed in the z-axis direction, and the z-axis direction moving mechanism 25 may be configured to move the lower electrode 3 side in the z-axis direction. With the configuration described above, the plasma generation mechanism 80 is relative to the workpiece 10 and the data acquisition workpiece in the space (work space) above the processing surface 101 of the workpiece 10 and the processing surface of the data acquisition workpiece. In addition, it can be moved to an arbitrary position in the xyz three-dimensional space.

次に、プラズマ処理装置１の回路構成について説明する。図１に示すように、このプラズマ処理装置１は、入力等の各操作を行う操作部５０と、記憶装置６０と、プラズマ処理装置１の全体の駆動を制御する制御装置７０と、目標形状データ入力部１３と、表面測定器１４と、ＮＣ制御により移動機構２０の駆動を制御するＮＣ制御装置１６とを備えている。 Next, the circuit configuration of the plasma processing apparatus 1 will be described. As shown in FIG. 1, the plasma processing apparatus 1 includes an operation unit 50 that performs various operations such as input, a storage device 60, a control device 70 that controls the overall driving of the plasma processing apparatus 1, and target shape data. An input unit 13, a surface measuring device 14, and an NC control device 16 that controls driving of the moving mechanism 20 by NC control are provided.

操作部５０としては、例えば、キーボード、液晶表示パネル、ＥＬ表示パネル等を備えたタッチパネル等を用いることができ、この場合は、操作部５０は、各種の情報を表示する表示装置を兼ねるものでもよい。記憶装置６０は、プラズマ処理の際の処理時間（以下、単に「処理時間」とも言う）またはプラズマ発生機構８０とワーク１０との相対的な移動速度（以下、単に「移動速度」とも言う）と、各種の情報、データ、演算式、テーブル、プラズマ処理装置１の動作のシーケンスプログラム、プラズマ処理のシーケンスプログラム、加工計画データを作成するためのプログラムなどのプログラム等が記憶（記録とも言う）される記憶媒体を有している。 As the operation unit 50, for example, a touch panel provided with a keyboard, a liquid crystal display panel, an EL display panel, or the like can be used. In this case, the operation unit 50 may also serve as a display device that displays various types of information. Good. The storage device 60 has a processing time during plasma processing (hereinafter also simply referred to as “processing time”) or a relative moving speed between the plasma generation mechanism 80 and the workpiece 10 (hereinafter also simply referred to as “moving speed”). Various types of information, data, arithmetic expressions, tables, sequence programs for the operation of the plasma processing apparatus 1, plasma processing sequence programs, programs for creating machining plan data, etc. are stored (also referred to as recording). It has a storage medium.

この記憶媒体は、例えば、ＲＡＭ等の揮発性メモリー、ＲＯＭ等の不揮発性メモリー、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリー等の書き換え可能な不揮発性メモリー等、各種半導体メモリー、ＩＣメモリー、磁気記録媒体、光記録媒体、光磁気記録媒体等で構成される。この記憶装置６０における書き込み、書き換え、消去、読み出し等の制御は、制御装置７０によりなされる。 This storage medium is, for example, volatile memory such as RAM, non-volatile memory such as ROM, rewritable non-volatile memory such as EPROM, EEPROM, flash memory, etc., various semiconductor memories, IC memory, magnetic recording medium, optical recording It is comprised with a medium, a magneto-optical recording medium, etc. Control such as writing, rewriting, erasing, and reading in the storage device 60 is performed by the control device 70.

目標形状データ入力部１３は、ワーク１０の被処理面１０１の目標形状を示す目標形状データを入力する。目標形状データは、目標形状データ入力部１３から制御装置７０に入力される。表面測定器１４は、ワーク１０の被処理面１０１の形状および図示しないデータ取得用ワークの被処理面の形状をそれぞれ検出する検出部と、その検出結果に基づいて、ワーク１０の被処理面１０１の形状を示す形状データおよびデータ取得用ワークの被処理面の形状を示す形状データをそれぞれ作成するデータ作成部とを有している。従って、この表面測定器１４により、ワーク１０の被処理面１０１の形状を検出するワーク被処理面形状検出機構と、データ取得用ワークの被処理面の形状を検出するデータ取得用ワーク被処理面検出機構とが構成される。ワーク１０の被処理面１０１の形状データおよびデータ取得用ワークの被処理面の形状データは、それぞれ、表面測定器１４から制御装置７０に入力される。 The target shape data input unit 13 inputs target shape data indicating the target shape of the processed surface 101 of the workpiece 10. The target shape data is input from the target shape data input unit 13 to the control device 70. The surface measuring instrument 14 detects a shape of the processing target surface 101 of the workpiece 10 and a shape of a processing target surface of a data acquisition workpiece (not shown), and the processing target surface 101 of the workpiece 10 based on the detection result. And a data creation unit that creates shape data indicating the shape of the workpiece and the shape data indicating the shape of the surface to be processed of the data acquisition workpiece. Therefore, the workpiece measuring surface shape detecting mechanism for detecting the shape of the processing target surface 101 of the workpiece 10 by the surface measuring instrument 14 and the data acquiring workpiece processing surface for detecting the shape of the processing target surface of the data acquiring workpiece. And a detection mechanism. The shape data of the processing target surface 101 of the workpiece 10 and the shape data of the processing target surface of the data acquisition workpiece are respectively input from the surface measuring instrument 14 to the control device 70.

制御装置７０は、例えば、ＣＰＵあるいはこれを備えるマイクロコンピュータやパーソナルコンピュータ等のコンピュータで構成されており、制御装置７０には、操作部５０からの信号（入力）、目標形状データ入力部１３および表面測定器１４からのデータ等が、それぞれ入力される。 The control device 70 is constituted by, for example, a CPU or a computer such as a microcomputer or a personal computer including the CPU. The control device 70 includes a signal (input) from the operation unit 50, a target shape data input unit 13, and a surface. Data and the like from the measuring device 14 are input respectively.

制御装置７０は、操作部５０からの信号、目標形状データ入力部１３および表面測定器１４からのデータ等に基づき、予め設定されたプログラムに従って、加工計画データを作成する。制御装置７０は、プラズマ処理装置１の各部の駆動、例えば、ガス供給部８（マスフローコントロ−ラ８２、バルブ８３等）、電源回路７（高周波電源７２等）、ｚ軸方向移動機構２５、表面測定器１４、記憶装置６０等の作動をそれぞれ制御する。 The control device 70 creates machining plan data in accordance with a preset program based on signals from the operation unit 50, data from the target shape data input unit 13 and the surface measuring instrument 14, and the like. The control device 70 drives each part of the plasma processing apparatus 1, for example, a gas supply unit 8 (mass flow controller 82, valve 83, etc.), a power supply circuit 7 (high frequency power source 72, etc.), z-axis direction moving mechanism 25, surface The operations of the measuring instrument 14, the storage device 60, and the like are controlled.

ＮＣ制御装置１６は、例えば、ＣＰＵあるいはこれを備えるマイクロコンピュータやパーソナルコンピュータ等のコンピュータで構成されており、ＮＣ制御装置１６には、制御装置７０により作成された加工計画データ等が入力される。ＮＣ制御装置１６は、制御装置７０からの加工計画データ等に基づき、予め設定されたプログラムに従って、ＮＣ制御により移動機構２０の作動を制御する。 The NC control device 16 is constituted by, for example, a CPU or a computer such as a microcomputer or personal computer including the CPU, and the machining plan data created by the control device 70 is input to the NC control device 16. The NC control device 16 controls the operation of the moving mechanism 20 by NC control according to a preset program based on the machining plan data from the control device 70 and the like.

ワーク１０としては、特に限定されないが、本実施形態では、例えば、電子デバイスの基板として用いられるものが挙げられる。具体的な材料としては、例えば、石英ガラス、無アルカリガラス、水晶等の各種ガラス、アルミナ、シリカ、チタニア等の各種セラミックス、シリコン、ガリウム−ヒ素等の各種半導体材料、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイミド、液晶ポリマー、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等各種プラスチック（樹脂材料）のような誘電体材料で構成されたものが挙げられる。これらのうち、特に、水晶や石英などの各種ガラスや各種半導体材料に好ましく用いられる。ワーク１０の形状としては、板状のもの、長尺な層状のものなどが挙げられる。 Although it does not specifically limit as the workpiece | work 10, In this embodiment, what is used as a board | substrate of an electronic device is mentioned, for example. Specific materials include, for example, various types of glass such as quartz glass, alkali-free glass and quartz, various ceramics such as alumina, silica and titania, various semiconductor materials such as silicon and gallium-arsenic, polyethylene, polypropylene, polystyrene and polycarbonate. , Polyethylene terephthalate, polytetrafluoroethylene, polyimide, liquid crystal polymer, phenol resin, epoxy resin, acrylic resin, and other dielectric materials such as plastics (resin materials). Among these, it is particularly preferably used for various glasses such as quartz and quartz and various semiconductor materials. Examples of the shape of the workpiece 10 include a plate-like shape and a long layer-like shape.

次に、上記のように構成されたプラズマ処理装置１の動作を説明する。図４は、加工計画データの生成を含めたプラズマ処理装置１の動作手順を示すフローチャートである。
図４に示すように、プラズマ処理装置１の動作として、加工痕データ取得ステップ（ステップ０１）、加工量データ取得ステップ（ステップ０２）、加工分布データ取得ステップ（ステップ０３）、加工前形状データ取得ステップ（ステップ０４）、目標形状データ入力ステップ（ステップ０５）、加工計画データ生成ステップ（ステップ０６）、加工ステップ（ステップ０７）、加工後形状測定ステップ（ステップ０８）が行われる。ステップ０１〜ステップ０３は、例えばデータ取得用ワークを用いて行われる。ステップ０４〜ステップ０８は、例えばワーク１０を用いて行われる。以下、各ステップを順に説明する。 Next, the operation of the plasma processing apparatus 1 configured as described above will be described. FIG. 4 is a flowchart showing an operation procedure of the plasma processing apparatus 1 including generation of machining plan data.
As shown in FIG. 4, the operation of the plasma processing apparatus 1 includes a processing mark data acquisition step (step 01), a processing amount data acquisition step (step 02), a processing distribution data acquisition step (step 03), and pre-processing shape data acquisition. A step (step 04), a target shape data input step (step 05), a machining plan data generation step (step 06), a machining step (step 07), and a post-machining shape measurement step (step 08) are performed. Steps 01 to 03 are performed using, for example, a data acquisition work. Steps 04 to 08 are performed using, for example, the workpiece 10. Hereinafter, each step will be described in order.

加工痕取得ステップは、静止状態のデータ取得用ワークに所定時間プラズマを照射し、プラズマ照射後のデータ取得用ワークの形状のデータを所定時間ごとに取得するステップである。例えばプラズマ照射の前後におけるデータ取得用ワークの形状を検出し、両者を比較することにより、加工痕データを取得することができる。このステップによって取得される加工痕データは、例えば図５に示すような形状データとなる。図５に示す３つのデータは、プラズマ処理の時間を例えば１０秒、３０秒及び６０秒としたときにそれぞれ取得されるデータである。プラズマ処理時間が長くなるほど、加工深度の大きい加工痕が形成されることとなる。図６は、図５に示す加工痕データを関数によって近似したときのグラフである。グラフの縦軸は加工深度であり、グラフの横軸はプラズマ処理の時間である。図６では、例えば一次関数を用いて近似を行っている。制御装置７０は、近似によって求められた値についても加工痕データに含めて記憶装置６０に記憶させる。 The machining trace acquisition step is a step of irradiating a stationary data acquisition workpiece with plasma for a predetermined time and acquiring data of the shape of the data acquisition workpiece after plasma irradiation every predetermined time. For example, machining trace data can be acquired by detecting the shape of the data acquisition workpiece before and after plasma irradiation and comparing the two. The processing mark data acquired by this step is, for example, shape data as shown in FIG. The three data shown in FIG. 5 are data acquired when the plasma processing time is set to 10 seconds, 30 seconds, and 60 seconds, for example. The longer the plasma processing time is, the more processing marks with a large processing depth are formed. FIG. 6 is a graph when the machining mark data shown in FIG. 5 is approximated by a function. The vertical axis of the graph is the processing depth, and the horizontal axis of the graph is the plasma processing time. In FIG. 6, approximation is performed using, for example, a linear function. The control device 70 also stores the value obtained by the approximation in the processing trace data and stores it in the storage device 60.

加工量データ取得ステップは、上記プラズマ発生機構８０とデータ取得用ワークとを一定速度で相対移動させ、当該データ取得用ワークにプラズマを照射し、プラズマ照射の前後のデータ取得用ワークの変化量のデータを取得するステップである。加工量データ取得ステップでは、例えば図７に示すようにデータ取得用ワーク１１０を複数の領域に区画し、当該区画毎にプラズマ照射を行い、変化量のデータを取得する。本実施形態では、図７に示すように、例えばＡ列〜Ｈ列の１０列×６行の所定領域１１０ｓに区画するものとする。制御装置７０は、データ取得用ワーク１１０の各所定領域１１０ｓがプラズマ発生機構８０に重なるようにプラズマ発生機構８０とデータ取得用ワーク１１０との間で相対移動させる。図８は、このステップによって得られるデータを示すグラフである。グラフの縦軸は加工量であり、グラフの横軸は列を示している。図８は、図７の上から３行目の所定領域１１０ｓについてのデータを例に挙げて示している。図８に示すように、Ａ列〜Ｈ列の各所定領域１１０ｓにおいてはそれぞれ加工量が異なっている。データ取得用ワーク１１０の各所定領域１１０ｓにおいても同様にそれぞれ加工量が異なるものとなる。本ステップでは、全所定領域１１０ｓについて、所定領域１１０ｓ毎に得られた変化量を平均化した値を加工量データとして取得する。 In the processing amount data acquisition step, the plasma generation mechanism 80 and the data acquisition work are relatively moved at a constant speed, the data acquisition work is irradiated with plasma, and the change amount of the data acquisition work before and after the plasma irradiation is measured. This is a step of acquiring data. In the processing amount data acquisition step, for example, as shown in FIG. 7, the data acquisition work 110 is partitioned into a plurality of regions, and plasma irradiation is performed for each of the sections to acquire change amount data. In this embodiment, as shown in FIG. 7, for example, a predetermined area 110 s of 10 columns × 6 rows of A columns to H columns is defined. The control device 70 relatively moves the plasma generation mechanism 80 and the data acquisition work 110 such that each predetermined region 110 s of the data acquisition work 110 overlaps the plasma generation mechanism 80. FIG. 8 is a graph showing data obtained by this step. The vertical axis of the graph represents the machining amount, and the horizontal axis of the graph represents a column. FIG. 8 shows an example of data for the predetermined area 110s in the third row from the top in FIG. As shown in FIG. 8, the processing amount is different in each of the predetermined regions 110 s of the A row to the H row. Similarly, each predetermined area 110s of the data acquisition work 110 has a different processing amount. In this step, for all the predetermined areas 110s, a value obtained by averaging the amount of change obtained for each predetermined area 110s is acquired as machining amount data.

加工分布データ取得ステップは、各所定領域１１０ｓにおいて得られた実際の加工量に基づいて、データ取得用ワーク１１０全体における加工量の分布のデータを取得するステップである。一定速度でプラズマを照射しながら相対移動させると、全所定領域１１０ｓについて加工量は一定となるはずである。しかしながら、例えばデータ取得用ワーク１１０を載置する下部電極３の形状によって被処理面の形状が変動したり、プラズマ発生機構８０の吸引孔４５の位置によってプラズマの密度が変動したりすることで、実際の加工量は図８のグラフに示すように、所定領域１１０ｓによって大小の分布が形成された状態になっている。 The processing distribution data acquisition step is a step of acquiring processing amount distribution data in the entire data acquisition work 110 based on the actual processing amount obtained in each predetermined region 110s. If the relative movement is performed while irradiating the plasma at a constant speed, the processing amount should be constant for all the predetermined regions 110s. However, for example, the shape of the surface to be processed varies depending on the shape of the lower electrode 3 on which the data acquisition work 110 is placed, or the plasma density varies depending on the position of the suction hole 45 of the plasma generation mechanism 80. As shown in the graph of FIG. 8, the actual processing amount is in a state where a large and small distribution is formed by the predetermined region 110s.

以上説明した加工痕データ取得ステップ、加工量データ取得ステップ及び加工分布データ取得ステップは、実際にワーク１０の処理を行う前に、予め行っておくようにする。各ステップで得られたデータは、記憶装置６０に記憶させておく。データ取得用ワークを用いる場合、移動速度または処理時間以外の各条件（例えば、ガスの組成、ガス流量、電力、電源周波数、プラズマ発生機構８０とデータ取得用ワークとの間の離間距離等）は、すべて、ワーク１０に対してプラズマ処理するときの条件と同一に設定する。 The processing trace data acquisition step, processing amount data acquisition step, and processing distribution data acquisition step described above are performed in advance before actually processing the workpiece 10. The data obtained in each step is stored in the storage device 60. When using a data acquisition work, each condition other than the moving speed or processing time (for example, gas composition, gas flow rate, power, power frequency, separation distance between the plasma generation mechanism 80 and the data acquisition work, etc.) All are set to the same conditions as when plasma processing is performed on the workpiece 10.

次に、実際にワーク１０の加工を行う際の動作を説明する。本実施形態では、上記データ取得用ワーク１１０を所定領域１１０ｓに区画してデータを取得したように、制御装置７０はワーク１０を上記と同一の所定領域１０ｓに区画されているものとして処理を行わせる。 Next, an operation when the workpiece 10 is actually processed will be described. In the present embodiment, the control device 70 performs processing assuming that the work 10 is partitioned into the same predetermined area 10s as described above, so that the data acquisition work 110 is partitioned into the predetermined area 110s and data is acquired. Make it.

加工前形状データ取得ステップは、実際にワーク１０の加工を行う際に最初に行われるステップであり、ワーク１０の被処理面１０１の形状データを取得するステップである。このステップでは、ワーク１０を下部電極３上に載置し、表面測定器１４によってワーク１０の被処理面１０１の形状データを加工前形状データとして取得する。制御装置７０は、被処理面１０１の加工前形状データを所定領域１０ｓごとに取得させる。制御装置７０は、この加工前形状データを記憶装置６０に記憶させる。 The pre-processing shape data acquisition step is a step that is first performed when the workpiece 10 is actually processed, and is a step of acquiring the shape data of the processing target surface 101 of the workpiece 10. In this step, the workpiece 10 is placed on the lower electrode 3, and the shape data of the processing target surface 101 of the workpiece 10 is acquired as the shape data before processing by the surface measuring instrument 14. The control device 70 causes the pre-processing shape data of the processing target surface 101 to be acquired for each predetermined region 10s. The control device 70 causes the storage device 60 to store the shape data before processing.

目標形状データ入力ステップは、ワーク１０の被処理面１０１の目標形状を示す目標形状データを入力するステップである。制御装置７０は、例えば目標形状データ入力部１３に当該データの入力を行わせる。入力させる目標形状データとしては、所定領域１０ｓごとのデータであり、例えば記憶装置６０に記憶されているデータを用いることができる。 The target shape data input step is a step of inputting target shape data indicating the target shape of the processing target surface 101 of the workpiece 10. For example, the control device 70 causes the target shape data input unit 13 to input the data. The target shape data to be input is data for each predetermined region 10 s, and for example, data stored in the storage device 60 can be used.

加工計画データ生成ステップは、上記加工痕データ、加工量データ、加工分布データ、加工前形状データ及び目標形状データに基づいて、ワーク１０の加工計画データを生成するステップである。本ステップにおいて生成する加工計画データとしては、例えばプラズマ発生機構８０とワーク１０との間の相対移動の速度などの設定データが挙げられる。本実施形態では、ワーク１０を上記と同一の所定領域１０ｓに区画されているものとして処理されるため、加工計画データについても、所定領域１０ｓ毎に相対移動の速度が設定される。 The machining plan data generation step is a step of generating machining plan data for the workpiece 10 based on the machining trace data, machining amount data, machining distribution data, pre-machining shape data, and target shape data. Examples of the processing plan data generated in this step include setting data such as the speed of relative movement between the plasma generation mechanism 80 and the workpiece 10. In the present embodiment, since the workpiece 10 is processed as being partitioned into the same predetermined area 10s as described above, the relative movement speed is set for each predetermined area 10s in the machining plan data.

本実施形態では、加工計画データを生成する際、加工分布データを反映させるようにする。具体的には、まず制御装置７０は、区画された所定領域毎に加工分布データと加工量データとを比較する。比較の結果、加工分布データの値が加工量データの値（平均値）を上回っている所定領域１０ｓについては、相対移動の速度を他の所定領域１０ｓよりも大きくして短時間の処理を行わせるにように設定する。逆に、加工分布データの値が加工量データの値を下回っている所定領域１０ｓについては、相対移動の速度を他の所定領域１０ｓよりも低下させて長時間の処理を行わせるように設定する。相対移動の速度の上昇量及び低下量については、加工分布データの値と加工量データの値との差の大きさに依存するように設定することができる。 In the present embodiment, the machining distribution data is reflected when the machining plan data is generated. Specifically, first, the control device 70 compares the machining distribution data and the machining amount data for each of the divided predetermined areas. As a result of the comparison, for the predetermined area 10s where the value of the machining distribution data exceeds the value (average value) of the machining amount data, the relative movement speed is made larger than that of the other predetermined areas 10s and the processing is performed for a short time. Set to On the other hand, for the predetermined area 10s where the value of the machining distribution data is lower than the value of the machining amount data, the relative movement speed is set to be lower than that of the other predetermined area 10s so that a long-time process is performed. . The amount of increase and decrease in the relative movement speed can be set so as to depend on the magnitude of the difference between the value of the machining distribution data and the value of the machining amount data.

加工ステップは、生成された加工分布データに基づいてワーク１０の加工を行うステップである。本ステップでは、まず電源回路７を作動させるとともに、バルブ８３を開く。マスフローコントロ−ラ８２によりガスの流量を調整し、ガスボンベ８１からガスを送り出す。これにより、ガスボンベ８１から送り出されたガスは、処理ガス管８４内を流れ、所定の流量で処理ガス供給流路６に供給される。そして、処理ガス供給流路６に供給されたガスは、ノズル５から噴出される。 The processing step is a step of processing the workpiece 10 based on the generated processing distribution data. In this step, first, the power supply circuit 7 is operated and the valve 83 is opened. The gas flow rate is adjusted by the mass flow controller 82, and the gas is sent out from the gas cylinder 81. Thereby, the gas sent out from the gas cylinder 81 flows through the processing gas pipe 84 and is supplied to the processing gas supply channel 6 at a predetermined flow rate. The gas supplied to the processing gas supply channel 6 is ejected from the nozzle 5.

ノズル５から噴出された処理ガスは、噴出直後は真下に向かって噴出されるが、ノズル５の噴射面に設けられた吸引孔５ａによって上部電極２の外周方向へと流れる。一方、電源回路７の作動により、上部電極２と下部電極３の間に高周波電圧が印加され、プラズマ発生領域３０に電界が発生する。プラズマ発生領域３０に流入した処理ガスは、放電によって活性化され、プラズマが発生する。そして、発生したプラズマが、ワーク１０の被処理面１０１に接触し、その被処理面１０１にエッチング加工が施される。 The processing gas ejected from the nozzle 5 is ejected directly right after the ejection, but flows toward the outer periphery of the upper electrode 2 through the suction hole 5 a provided in the ejection surface of the nozzle 5. On the other hand, by the operation of the power supply circuit 7, a high frequency voltage is applied between the upper electrode 2 and the lower electrode 3, and an electric field is generated in the plasma generation region 30. The processing gas that has flowed into the plasma generation region 30 is activated by discharge to generate plasma. Then, the generated plasma comes into contact with the surface to be processed 101 of the workpiece 10, and the surface to be processed 101 is etched.

被処理面１０１の加工は、移動機構２０によってワーク１０をｘ軸方向、ｙ軸方向に移動しながら行うことができる。この場合、プラズマ発生機構８０のｚ軸方向の移動は固定した状態とする。すなわち、プラズマ発生機構８０の誘電体部４とワーク１０との間の離間距離を一定にして加工を行う。 The processed surface 101 can be processed while the workpiece 10 is moved in the x-axis direction and the y-axis direction by the moving mechanism 20. In this case, the movement of the plasma generation mechanism 80 in the z-axis direction is fixed. That is, the processing is performed with the separation distance between the dielectric portion 4 of the plasma generation mechanism 80 and the workpiece 10 constant.

例えば、プラズマを発生させた状態で、図７に示すように、ｘ軸プラス方向にワーク１０を走査した後、所定のピッチ分ｙ軸方向に移動し、ｘ軸マイナス方向に走査する。このような走査を順次繰り返し、ワーク１０の被処理面１０１の全面を各所定領域１０ｓごとに処理する。このとき、各所定領域１０ｓごとの移動速度については、上記加工計画データ生成ステップにおいて生成された加工計画データに基づいて設定する。 For example, in a state where plasma is generated, as shown in FIG. 7, after the workpiece 10 is scanned in the x-axis plus direction, the workpiece 10 is moved in the y-axis direction by a predetermined pitch and scanned in the x-axis minus direction. Such scanning is sequentially repeated, and the entire surface 101 of the workpiece 10 is processed for each predetermined region 10s. At this time, the moving speed for each predetermined area 10s is set based on the machining plan data generated in the machining plan data generation step.

また、上記のワーク１０の走査方法において、所定のピッチ分ｙ軸方向に移動させる際、１度プラズマの発生を停止し、所定のピッチ分ｙ軸方向に移動した後、再度プラズマを発生させて加工を行ってもよい。また、被処理面１０１を浅く加工したい場合には、ｚ軸方向移動機構２５を作動させ、プラズマ発生機構８０と被処理面１０１との間の離間距離を大きくすればよい。このような移動機構２０やｚ軸方向移動機構２５により、ワーク１０の被処理面１０１を所望の形状、所望の範囲で簡単、迅速にプラズマ処理することができる。 Further, in the above scanning method of the workpiece 10, when moving in the y-axis direction by a predetermined pitch, the generation of plasma is stopped once, and after moving in the y-axis direction by a predetermined pitch, the plasma is generated again. Processing may be performed. Further, when it is desired to process the surface to be processed 101 shallowly, the z-axis direction moving mechanism 25 may be operated to increase the separation distance between the plasma generating mechanism 80 and the surface to be processed 101. By such a moving mechanism 20 and z-axis direction moving mechanism 25, the surface 101 to be processed of the workpiece 10 can be easily and rapidly plasma-processed in a desired shape and in a desired range.

なお、ワーク１０を連続的に移動させつつプラズマ処理を行ってもよく、また、ワーク１０の移動と停止とを交互に行って、そのワーク１０を段階的に移動させつつ、プラズマ処理を行ってもよい。ワーク１０を連続的に移動させる場合は、移動速度等の調整により、プラズマ照射時間が調整される。また、ワーク１０を段階的に移動さる場合は、各所定領域１０ｓごとの滞在時間の調整により、プラズマ照射時間が調整される。この場合、上記加工計画データ生成ステップにおいては、各所定領域１０ｓごとのプラズマ発生機構８０の滞在時間に基づいて加工計画データを生成しておくようにする。 The plasma treatment may be performed while the workpiece 10 is continuously moved. Alternatively, the plasma treatment may be performed while the workpiece 10 is moved and stopped alternately and the workpiece 10 is moved stepwise. Also good. When the workpiece 10 is moved continuously, the plasma irradiation time is adjusted by adjusting the moving speed or the like. Moreover, when moving the workpiece | work 10 in steps, plasma irradiation time is adjusted by adjustment of the residence time for every predetermined area | region 10s. In this case, in the machining plan data generation step, the machining plan data is generated based on the residence time of the plasma generation mechanism 80 for each predetermined region 10s.

具体的には、加工分布データの値が加工量データの値（平均値）を上回っている所定領域１０ｓについては、滞在時間を他の所定領域１０ｓよりも短くし、短時間の処理を行わせるにように設定する。逆に、加工分布データの値が加工量データの値を下回っている所定領域１０ｓについては、滞在時間を他の所定領域よりも長くし、長時間の処理を行わせるように設定する。滞在時間の変化量については、加工分布データの値と加工量データの値との差の大きさに依存するように設定することができる。 Specifically, for the predetermined area 10s where the value of the machining distribution data exceeds the value (average value) of the machining amount data, the staying time is made shorter than the other predetermined areas 10s, and a short time process is performed. Set as follows. On the contrary, for the predetermined area 10s where the value of the machining distribution data is lower than the value of the machining amount data, the staying time is set longer than the other predetermined areas so that a long time process is performed. The amount of change in stay time can be set so as to depend on the magnitude of the difference between the value of the machining distribution data and the value of the machining amount data.

加工後形状測定ステップは、加工ステップの終了後、表面測定器１４によってワーク１０の被処理面１０１の形状データを取得するステップである。本ステップについては、行っても行わなくても構わない。 The post-processing shape measurement step is a step of acquiring the shape data of the processing target surface 101 of the workpiece 10 by the surface measuring instrument 14 after the processing step is completed. This step may or may not be performed.

以上のように、本実施形態によれば、制御装置７０が加工計画データを生成するのに際し、目標形状データ、加工前形状データ及び加工量データに加え、加工分布データに基づいて生成することとしたので、加工時のワーク１０の形状の変動やプラズマ発生機構８０の加工量の変動など、加工後のワーク１０の形状のバラつきの要因となるデータが織り込まれた加工計画データが生成されることとなる。これにより、これらの変動によるワーク１０の形状のバラつきを抑制し、加工後のワーク１０の形状を目標形状により近づけることができるので、加工精度を向上させることができる。 As described above, according to the present embodiment, when the control device 70 generates the processing plan data, the control device 70 generates the processing plan data based on the processing distribution data in addition to the target shape data, the pre-processing shape data, and the processing amount data. Therefore, machining plan data is generated in which data that causes variations in the shape of the workpiece 10 after machining, such as a variation in the shape of the workpiece 10 during machining and a variation in the machining amount of the plasma generation mechanism 80, is generated. It becomes. Thereby, variation in the shape of the workpiece 10 due to these fluctuations can be suppressed, and the shape of the workpiece 10 after processing can be made closer to the target shape, so that the processing accuracy can be improved.

本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
上記実施形態では、プラズマ処理を開始する前に、ワーク１０の被処理面１０１の形状データを得、加工計画データを作成するようになっているが、これに限られることは無く例えばプラズマ処理の最中に、ワーク１０の被処理面１０１の形状データを得るようにし、加工計画データを随時更新するようになっていてもよい。 The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and appropriate modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
In the above embodiment, the shape data of the processing target surface 101 of the workpiece 10 is obtained and the processing plan data is created before starting the plasma processing. However, the present invention is not limited to this. During the process, the shape data of the processing target surface 101 of the workpiece 10 may be obtained, and the machining plan data may be updated as needed.

また、プラズマ発生機構８０やその上部電極２を変更してプラズマ処理を行う場合でも、容易かつ迅速に対応することができる。また、プラズマ処理装置１の組み立ての際や、プラズマ発生機構８０が劣化、破損し、プラズマ発生機構８０、上部電極２等を交換する際において、調整時間を短縮することができる。 Further, even when plasma processing is performed by changing the plasma generation mechanism 80 or the upper electrode 2 thereof, it is possible to easily and quickly respond. In addition, when the plasma processing apparatus 1 is assembled, or when the plasma generation mechanism 80 is deteriorated or damaged and the plasma generation mechanism 80, the upper electrode 2 or the like is replaced, the adjustment time can be shortened.

以上、本発明のプラズマ処理装置について、図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。プラズマ処理装置を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。また、本発明では、電源は、高周波電源に限らず、例えば、低周波電源であってもよい。 As mentioned above, although the plasma processing apparatus of this invention was demonstrated based on each embodiment of illustration, this invention is not limited to these. Each unit constituting the plasma processing apparatus can be replaced with any component that can exhibit the same function. Arbitrary components and processes may be added. In the present invention, the power source is not limited to the high frequency power source, and may be a low frequency power source, for example.

また、本発明のプラズマ処理装置は、プラズマ発生機構８０が一対の電極を有する形態のものでもよい。また、本発明のプラズマ装置の用途は、特に限定されないが、本発明は、例えば、酸化絶縁膜の加工、除去、ガラス（石英）などの無歪加工、水晶加工などに適用することができる。また、ＭＥＭＳ等への応用も可能である。 Further, the plasma processing apparatus of the present invention may be configured such that the plasma generation mechanism 80 has a pair of electrodes. The use of the plasma apparatus of the present invention is not particularly limited, but the present invention can be applied to, for example, processing and removing of an oxide insulating film, non-strain processing such as glass (quartz), and crystal processing. Moreover, application to MEMS etc. is also possible.

また、上記実施形態においては、ワーク１０及びデータ取得用ワーク１１０上をそれぞれ複数の所定領域１０ｓ及び複数の所定領域１１０ｓに区画し、所定領域１０ｓ毎及び所定領域１１０ｓ毎にデータを取得あるいは加工を行うようにしたが、これに限られることは無く、ワーク１０及びデータ取得用ワーク１１０上について連続的にデータを取得あるいは加工を行うようにしても、勿論構わない。 In the above embodiment, the workpiece 10 and the data acquisition workpiece 110 are partitioned into a plurality of predetermined areas 10s and a plurality of predetermined areas 110s, respectively, and data is acquired or processed for each of the predetermined areas 10s and for each predetermined area 110s. However, the present invention is not limited to this, and it is of course possible to continuously acquire or process data on the workpiece 10 and the data acquisition workpiece 110.

また、上記実施形態においては、対向する電極間に電圧を印加することによって電極間にプラズマを発生させ、電極間に発生したプラズマ中にワークを配置させてワークをプラズマに曝露させるダイレクトプラズマ方式のプラズマ処理装置を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えばリモートプラズマ方式のプラズマ処理装置であっても、本発明の適用は勿論可能である。 In the above embodiment, a plasma is generated between the electrodes by applying a voltage between the opposing electrodes, and a workpiece is placed in the plasma generated between the electrodes to expose the workpiece to the plasma. The plasma processing apparatus has been described as an example. However, the present invention is not limited to this. For example, the present invention can be applied to a remote plasma type plasma processing apparatus.

本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置の構成を示す概略図。Schematic which shows the structure of the plasma processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本実施形態に係るプラズマ処理装置の一部の構成を示す図。The figure which shows the structure of a part of plasma processing apparatus which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るプラズマ処理装置の一部の構成を示す図。The figure which shows the structure of a part of plasma processing apparatus which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るプラズマ処理装置の動作を示すフローチャート。The flowchart which shows operation | movement of the plasma processing apparatus which concerns on this embodiment. プラズマ処理装置の動作によって得られる結果を示すグラフ。The graph which shows the result obtained by operation | movement of a plasma processing apparatus. プラズマ処理装置の動作によって得られる結果を示すグラフ。The graph which shows the result obtained by operation | movement of a plasma processing apparatus. プラズマ処理装置の動作の様子を示す図。The figure which shows the mode of operation | movement of a plasma processing apparatus. プラズマ処理装置の動作によって得られる結果を示すグラフ。The graph which shows the result obtained by operation | movement of a plasma processing apparatus.

Explanation of symbols

１…プラズマ処理装置１１…装置本体１３…目標形状データ入力部１４…表面測定器１６…ＮＣ制御装置２…上部電極３…下部電極４…誘電体部５…ノズル６…処理ガス供給流路１０…ワーク１１０…データ取得用ワーク１０ｓ、１１０ｓ…所定領域２０…移動機構６０…記憶装置７０…制御装置８０…プラズマ発生機構 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Plasma processing apparatus 11 ... Apparatus main body 13 ... Target shape data input part 14 ... Surface measuring device 16 ... NC control apparatus 2 ... Upper electrode 3 ... Lower electrode 4 ... Dielectric part 5 ... Nozzle 6 ... Process gas supply flow path 10 ... Work 110 ... Work for data acquisition 10s, 110s ... Predetermined region 20 ... Movement mechanism 60 ... Storage device 70 ... Control device 80 ... Plasma generation mechanism

Claims

A plasma processing apparatus for processing a workpiece using plasma,
A plasma generation mechanism for generating plasma by applying an excitation voltage to the discharge gas;
A moving mechanism for relatively moving the plasma generating mechanism and the workpiece;
Target shape data of the workpiece, shape data before processing of the workpiece, processing amount data by the plasma , processing trace data acquired in advance using a data acquisition workpiece before processing the workpiece, The machining distribution data based on the shape of the workpiece after machining using the plasma is generated based on the machining distribution data, and the workpiece machining based on the machining plan data is moved to the plasma generation mechanism and moved. A control device for the mechanism to perform,
With
The plasma generation mechanism has an injection port for spraying toward the work and a suction port for sucking a space around the injection port,
The control device adjusts the speed of the relative movement for each predetermined area of the workpiece,
The plasma processing apparatus, wherein the processing plan data includes data on a variation in a processing amount accompanying a change in the density of the plasma depending on a position of the suction port .

The controller is
The working planning data based plasma processing apparatus according to claim 1, characterized in that to adjust the speed of the relative movement in said moving mechanism.

The processing distribution data is
The plasma processing apparatus according to claim 1 or claim 2, wherein the the data based on the shape after working of the processed the data acquisition work using plasma.

The said control apparatus has a memory | storage part which memorize | stores the said process distribution data. The plasma processing apparatus as described in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned.