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JP5129111B2 - LAMINATE MANUFACTURING METHOD AND CIRCUIT WIRING BOARD MANUFACTURING METHOD - Google Patents
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LAMINATE MANUFACTURING METHOD AND CIRCUIT WIRING BOARD MANUFACTURING METHOD Download PDF

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  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

本発明は、電子機器分野等で広く使用される回路配線基板用の積層体の製造方法および回路配線基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a laminate for a circuit wiring board and a method for manufacturing a circuit wiring board widely used in the field of electronic equipment and the like.

電子機器の電子回路には、絶縁材と導電材からなる積層板を回路加工したプリント配線板が使用されている。プリント配線板は、絶縁基板の表面(及び内部)に、電気設計に基づく導体パターンを、導電性材料で形成固着したものであり、基材となる絶縁樹脂の種類によって、板状のリジットプリント配線板と、柔軟性に富んだフレキシブルプリント配線板とに大別される。フレキシブルプリント配線板は、可撓性を持つことが特徴であり、常時屈曲を繰り返すような可動部では接続用の必需部品となっている。また、フレキシブルプリント配線板は、電子機器内で折り曲げた状態で収納することも可能であるために、省スペース配線材料としても用いられる。フレキシブルプリント配線板の材料となるフレキシブル基板の基材には、絶縁樹脂例えばポリイミドエステルやポリイミド樹脂が多く用いられているが、使用量としては耐熱性のあるポリイミド樹脂が圧倒的に多い。一方、導電材には導電性の点から一般に銅箔が用いられている。   In an electronic circuit of an electronic device, a printed wiring board obtained by processing a laminated board made of an insulating material and a conductive material is used. A printed wiring board is formed by fixing a conductive pattern based on electrical design on the surface (and inside) of an insulating substrate with a conductive material. It is roughly divided into a board and a flexible printed wiring board which is rich in flexibility. The flexible printed wiring board is characterized by having flexibility, and is a necessary component for connection in a movable part that constantly bends. In addition, since the flexible printed wiring board can be stored in a bent state in an electronic device, it is also used as a space-saving wiring material. Insulating resins such as polyimide esters and polyimide resins are often used for the base material of the flexible substrate that is the material of the flexible printed wiring board, but the amount of heat-resistant polyimide resin is overwhelmingly large. On the other hand, copper foil is generally used as the conductive material from the viewpoint of conductivity.

近年の電子部品の小型化や信号伝達速度の高速化に伴い、フレキシブルプリント基板などの回路基板において微細なファインピッチ回路が必要になっている。微細なファインピッチ回路を形成する方法としては、蒸着法やスパッタリング法などの手法が知られているが、これらの方法によって形成される金属膜は、ポリイミド樹脂基材との接着強度のばらつきが大きかったり、配線におけるピンホールの発生が生じ易かったりするという問題があった。   With recent miniaturization of electronic components and increase in signal transmission speed, fine fine pitch circuits are required on circuit boards such as flexible printed boards. As a method for forming a fine fine pitch circuit, methods such as vapor deposition and sputtering are known. However, the metal film formed by these methods has a large variation in adhesive strength with the polyimide resin substrate. There is a problem that pinholes are easily generated in the wiring.

近年、ポリイミド樹脂基材と金属膜との密着性を比較的良好に維持できるものとして、例えば特許文献1に開示されているようなダイレクトメタライゼーション法という手法が提案されている。このような手法で得られた金属膜は、その一部がポリイミド樹脂基材の樹脂中に埋包されており、高い密着性が得られる。このような方法を採用することで、ポリイミド樹脂基材に導体層を直接形成しても、高い密着性を確保しつつ、導体層を薄く形成することが可能となってきた。しかしながら、このようにして形成された導体層は、加熱処理後、ポリイミド樹脂基材との密着性が著しく低下する傾向にあった。このような加熱処理後の密着性の低下を改善すべく、例えば特許文献2では、ポリイミド樹脂基材の再表面から3〜5nmの深さの層内にケイ素を含んだポリイミド樹脂基材が提案されている。しかしながら、特許文献2のポリイミド樹脂基材は、加熱処理後の導体層との密着性が加熱処理前の20%〜50%程度まで低下しており、実用的に十分な密着性を持たせるには至っていない。特許文献2では、ポリイミド樹脂をプラズマ処理した後、シランカップリング剤で処理し、その後アルカリ処理を行ってポリイミド樹脂のイミド環を開裂させる手順を採用している。プラズマ処理は、ポリイミド樹脂表面の結合を切断し、ポリイミド樹脂表面に水酸基等の化学的に活性な官能基を生成させる処理であり(非特許文献1参照)、この生成した官能基がシランカップリング剤のアルコキシシランと結合するものと考えられるが、その後アルカリ処理を行うことで、この結合がアルカリの作用によって加水分解を受け、ポリイミド樹脂からカップリング剤が脱離してしまうため、カップリング剤の効果を十分に発揮できないことが加熱処理後の密着性低下の原因と考えられる。また、特許文献2では、シランカップリング剤の種類も特定されておらず、どのような構造のシランカップリング剤を使用することがよいかについて十分な検討はなされていない。   In recent years, for example, a technique called a direct metallization method as disclosed in Patent Document 1 has been proposed as a technique that can maintain relatively good adhesion between a polyimide resin substrate and a metal film. A part of the metal film obtained by such a method is embedded in the resin of the polyimide resin base material, and high adhesion can be obtained. By adopting such a method, it has become possible to form a thin conductor layer while ensuring high adhesion even if the conductor layer is directly formed on the polyimide resin substrate. However, the conductor layer formed in this manner has a tendency that the adhesiveness with the polyimide resin base material is remarkably lowered after the heat treatment. In order to improve such a decrease in adhesion after heat treatment, for example, Patent Document 2 proposes a polyimide resin base material containing silicon in a layer having a depth of 3 to 5 nm from the resurface of the polyimide resin base material. Has been. However, in the polyimide resin base material of Patent Document 2, the adhesiveness with the conductor layer after the heat treatment is reduced to about 20% to 50% before the heat treatment, so that practically sufficient adhesiveness is provided. Has not reached. In Patent Document 2, a procedure is adopted in which a polyimide resin is plasma-treated, then treated with a silane coupling agent, and then subjected to an alkali treatment to cleave the imide ring of the polyimide resin. The plasma treatment is a treatment for cutting the bond on the surface of the polyimide resin and generating a chemically active functional group such as a hydroxyl group on the surface of the polyimide resin (see Non-Patent Document 1). The generated functional group is a silane coupling. It is thought that it binds to the alkoxysilane of the agent, but by performing an alkali treatment thereafter, this bond is hydrolyzed by the action of alkali, and the coupling agent is detached from the polyimide resin. Insufficient effect is considered to be the cause of the decrease in adhesion after heat treatment. Moreover, in patent document 2, the kind of silane coupling agent is not specified, and sufficient examination is not made about what kind of structure the silane coupling agent should be used.

また、特許文献3では、ポリイミド樹脂に対してアルカリ処理を行わず、プラズマ処理を行った後に、シランカップリング剤で処理し、その後、無電解めっきの触媒を付着させる方法が提案されている。しかし、この特許文献3の技術でも、そもそもプラズマ処理によって形成される化学的に活性な官能基とシランカップリング剤のアルコキシシランとの結合が不安定になりやすく、さらに、プラズマ処理による改質層がポリイミド樹脂の表面付近に薄く形成されるにとどまることから、シランカップリング剤の処理が不十分になりやすいなどの問題があり、接着効果を十分に発揮できていない。   Further, Patent Document 3 proposes a method in which an alkali treatment is not performed on a polyimide resin, a plasma treatment is performed, a treatment with a silane coupling agent is performed, and then an electroless plating catalyst is attached. However, even in the technique of Patent Document 3, the bond between the chemically active functional group formed by the plasma treatment and the alkoxysilane of the silane coupling agent tends to be unstable, and the modified layer by the plasma treatment However, since it is only thinly formed in the vicinity of the surface of the polyimide resin, there is a problem that the treatment of the silane coupling agent tends to be insufficient, and the adhesive effect cannot be sufficiently exhibited.

さらに、樹脂層と導体層との密着性を向上させるために、特許文献4では、塩化パラジウムとアゾール系シランカップリング剤とを含む溶液でポリイミド樹脂を処理する方法が提案されている。しかし、この方法では、無電解めっきの触媒となる金属(パラジウム)を捕捉する官能基として、アゾールやイミダゾールなどの含窒素複素環を用いている。つまり、ポリイミド樹脂を処理するより前に、塩化パラジウムとアゾール系シランカップリング剤とを水溶液中で混合していることから、アゾール構造はパラジウムイオンによって消費され、さらに、アゾール構造やシランカップリング剤の加水分解により生成するシラノール基は、アミノ基と比べてポリイミドとのカップリング反応性が低い。従って、このような処理ではシランカップリング剤がポリイミド樹脂との結合に関与することが困難となるため、特許文献4の方法で形成された導体層と樹脂層との密着性は十分に満足できるものではなかった。   Furthermore, in order to improve the adhesion between the resin layer and the conductor layer, Patent Document 4 proposes a method of treating a polyimide resin with a solution containing palladium chloride and an azole silane coupling agent. However, in this method, a nitrogen-containing heterocycle such as azole or imidazole is used as a functional group that captures a metal (palladium) serving as a catalyst for electroless plating. In other words, since the palladium chloride and the azole silane coupling agent are mixed in an aqueous solution before the polyimide resin is treated, the azole structure is consumed by the palladium ions, and further, the azole structure and the silane coupling agent. The silanol group produced by the hydrolysis of is less coupled with polyimide than the amino group. Therefore, in such a treatment, it becomes difficult for the silane coupling agent to participate in the bonding with the polyimide resin, and therefore, the adhesion between the conductor layer formed by the method of Patent Document 4 and the resin layer can be sufficiently satisfied. It was not a thing.

特開2002−256443号公報JP 2002-256443 A 国際公開WO2005/39258号パンフレットInternational Publication WO2005 / 39258 Pamphlet 特開2006−54357号公報JP 2006-54357 A 特開2002−226972号公報JP 2002-226972 A 「表面技術」vol.55,No.12,2004,第960〜961頁(社団法人表面技術協会)“Surface Technology” vol.55, No.12, 2004, pp.960-961 (Surface Technology Association)

本発明は、加熱処理された後でもポリイミド樹脂基材と導体層との密着性の低下が少なく、微細配線の加工に適した積層体の製造方法及び回路配線基板の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention provides a method for producing a laminate and a method for producing a circuit wiring board, which are less likely to cause a decrease in adhesion between a polyimide resin base material and a conductor layer even after heat treatment and are suitable for processing fine wiring. Objective.

本発明に係る積層体の製造方法は、回路配線基板に用いられる、ポリイミド樹脂層に導体層が積層された積層体の製造方法であって、
a)ポリイミド樹脂層の前記導体層が積層される側の表面をアルカリ水溶液で処理して、ポリイミド樹脂のイミド環を開裂させることによってカルボキシル基を導入したポリイミド改質層を、1nm〜700nmの厚みの範囲で形成する工程、
b)前記ポリイミド改質層に、アミノ基を有するシランカップリング剤を含む極性溶媒の溶液を含浸させ、シランカップリング剤のアミノ基と前記カルボキシル基とを反応させることによって、シランカップリング剤のアミノ基と結合したカルボキシル基及び未反応のカルボキシル基を含有し、且つシランカップリング剤のアミノ基と結合したカルボキシル基が、前記シランカップリング剤のアミノ基と結合したカルボキシル基及び未反応のカルボキシル基の合計に対して10%以上の割合で存在するポリイミド改質層を形成する工程、
c)前記ポリイミド改質層中に含まれる前記未反応のカルボキシル基に、パラジウムイオン含有溶液を接触させて、カルボキシル基のパラジウム塩を生成する工程、
d)前記パラジウム塩を還元して、前記ポリイミド改質層の表層部に金属パラジウムを析出させる工程、
e)前記金属パラジウムを触媒として、無電解めっきによりめっき金属を析出させる工程、並びに、
f)前記ポリイミド改質層におけるカルボキシル基を熱処理によってイミド環に閉環する工程、
を備えている。この場合、前記工程b)は、前記ポリイミド改質層に、アミノ基を有するシランカップリング剤を含む極性溶媒の溶液を含浸させた後に、120〜130℃の範囲内の温度で行う加熱処理を含んでいてもよい。
The method for producing a laminate according to the present invention is a method for producing a laminate in which a conductor layer is laminated on a polyimide resin layer, which is used for a circuit wiring board,
a) Treating the surface of the polyimide resin layer on the side where the conductor layer is laminated with an alkaline aqueous solution to cleave the imide ring of the polyimide resin to introduce a carboxyl-modified polyimide layer having a thickness of 1 nm to 700 nm Forming in a range of
b) The polyimide modified layer is impregnated with a polar solvent solution containing a silane coupling agent having an amino group, and the amino group of the silane coupling agent and the carboxyl group are reacted, thereby A carboxyl group bonded to an amino group of the silane coupling agent containing a carboxyl group bonded to an amino group and an unreacted carboxyl group, and the carboxyl group bonded to the amino group of the silane coupling agent and an unreacted carboxyl group Forming a polyimide modified layer present at a ratio of 10% or more based on the total of the groups,
c) a step of bringing a palladium ion-containing solution into contact with the unreacted carboxyl group contained in the polyimide modified layer to produce a palladium salt of a carboxyl group;
d) reducing the palladium salt to deposit metal palladium on the surface portion of the polyimide modified layer;
e) a step of depositing a plated metal by electroless plating using the metal palladium as a catalyst, and
f) a step of closing a carboxyl group in the polyimide-modified layer into an imide ring by heat treatment;
It has. In this case, in the step b), after the polyimide modified layer is impregnated with a polar solvent solution containing a silane coupling agent having an amino group, a heat treatment is performed at a temperature in the range of 120 to 130 ° C. May be included.

本発明の回路配線基板の製造方法は、上記積層体の製造方法における工程a)〜f)に加え、
g)前記ポリイミド改質層の表面にマスクパターンを形成し、該ポリイミド改質層を選択的に露出させる工程、
を備えていてもよい。この場合、工程g)を、工程c)の前に行うことが好ましく、工程g)を、工程b)の後に行うことがより好ましい。
In addition to steps a) to f) in the method for manufacturing a laminate, the method for manufacturing a circuit wiring board of the present invention includes:
g) forming a mask pattern on the surface of the polyimide modified layer, and selectively exposing the polyimide modified layer;
May be provided. In this case, step g) is preferably performed before step c), and step g) is more preferably performed after step b).

本発明の積層体の製造方法によれば、アルカリ水溶液で処理してポリイミド改質層を1nm〜700nmの厚みの範囲で形成した後、シランカップリング剤のアミノ基とポリイミド改質層のカルボキシル基とを反応させることによって、シランカップリング剤のアミノ基と結合したカルボキシル基及び未反応のカルボキシル基を形成せしめる。そして、この未反応のカルボキシル基にパラジウムイオン含有溶液を接触させて、カルボキシル基のパラジウム塩を生成させるので、後の工程d)でパラジウム塩を還元し、工程e)でパラジウムを触媒として、無電解めっきによりめっき金属(例えばニッケル)を析出させた時、ポリイミドと結合したシランカップリング剤が有するシラノール構造とめっき金属がポリイミド改質層内部で接触し、強固なメタロシロキサン結合(M−O−Si)が形成される。すなわち、アミノ基を有するシランカップリング剤を介してポリイミドとめっき金属が改質層内部で化学結合を形成するため、加熱処理を行った後でも、ポリイミド樹脂層と導体層との十分な密着性を維持できるので、回路配線基板用途に適した積層体を提供できる。   According to the method for producing a laminate of the present invention, after treatment with an alkaline aqueous solution to form a polyimide modified layer in a thickness range of 1 nm to 700 nm, an amino group of the silane coupling agent and a carboxyl group of the polyimide modified layer To form a carboxyl group bonded to an amino group of the silane coupling agent and an unreacted carboxyl group. Then, a palladium ion-containing solution is brought into contact with the unreacted carboxyl group to produce a palladium salt of the carboxyl group. Therefore, the palladium salt is reduced in the subsequent step d), and palladium is used as a catalyst in the step e). When a plating metal (for example, nickel) is deposited by electrolytic plating, the silanol structure of the silane coupling agent bonded to the polyimide and the plating metal come into contact with each other inside the polyimide modified layer, and a strong metallosiloxane bond (MO— Si) is formed. That is, since the polyimide and the plating metal form a chemical bond inside the modified layer via the silane coupling agent having an amino group, sufficient adhesion between the polyimide resin layer and the conductor layer even after the heat treatment. Therefore, it is possible to provide a laminate suitable for circuit wiring board applications.

また、本発明の回路配線基板の製造方法によれば、シード層(金属析出層)のエッチング工程が不要になるなど、従来の煩雑な製造工程を簡略化した簡易な工程で微細なファインピッチ回路を形成できるため、大規模な設備投資を必要としない。しかも、回路配線と絶縁樹脂層(ポリイミド樹脂層)との密着信頼性が高い回路配線基板を製造することができるので、その工業的価値は高いものである。   In addition, according to the method for manufacturing a circuit wiring board of the present invention, a fine fine pitch circuit is simplified by a simple process that simplifies the conventional complicated manufacturing process, such as eliminating the need for an etching process of the seed layer (metal deposition layer). Therefore, large-scale capital investment is not required. In addition, since a circuit wiring board having high adhesion reliability between the circuit wiring and the insulating resin layer (polyimide resin layer) can be manufactured, its industrial value is high.

以下、本発明の実施の形態に係る積層体の製造方法および回路基板の製造方法について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。まず、ポリイミド樹脂層について説明し、次に、本発明方法における各工程の詳細について順に説明する。   Hereinafter, a laminate manufacturing method and a circuit board manufacturing method according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings as appropriate. First, a polyimide resin layer is demonstrated, and the detail of each process in this invention method is demonstrated in order next.

<ポリイミド樹脂層>
本発明で用いられるポリイミド樹脂層は特に限定されるものではなく、ポリイミド樹脂からなるフィルム(シート)であってもよく、銅箔、ガラス板、樹脂フィルム等の基材に積層された状態のポリイミド樹脂層であってもよい。しかし、ポリイミド樹脂層の少なくとも片面は表面層として存在する。また、ポリイミド樹脂層の厚みは、3〜100μm、好ましくは3〜50μmの範囲にある。
<Polyimide resin layer>
The polyimide resin layer used in the present invention is not particularly limited, and may be a film (sheet) made of polyimide resin, and is a polyimide laminated on a substrate such as a copper foil, a glass plate, or a resin film. It may be a resin layer. However, at least one surface of the polyimide resin layer exists as a surface layer. The thickness of the polyimide resin layer is 3 to 100 μm, preferably 3 to 50 μm.

ポリイミド樹脂層を形成するポリイミド樹脂としては、いわゆるポリイミド樹脂を含めて、ポリアミドイミド、ポリベンズイミダゾール、ポリイミドエステル、ポリエーテルイミド、ポリシロキサンイミド等の構造中にイミド基を有する耐熱性樹脂をいう。また、市販のポリイミド樹脂又はポリイミドフィルムも好適に使用可能であり、例えば東レ・デュポン株式会社製のカプトンEN(商品名)、鐘淵化学株式会社製のアピカルNPI(商品名)、宇部興産株式会社製のユーピレックス(商品名)等が挙げられる。   The polyimide resin that forms the polyimide resin layer refers to a heat-resistant resin having an imide group in the structure such as polyamideimide, polybenzimidazole, polyimide ester, polyetherimide, polysiloxaneimide, including so-called polyimide resin. Commercially available polyimide resins or polyimide films can also be suitably used. For example, Kapton EN (trade name) manufactured by Toray DuPont Co., Ltd. Apical NPI (trade name) manufactured by Kaneka Chemical Co., Ltd., Ube Industries, Ltd. For example, Iupilex (trade name) manufactured by the company is listed.

ポリイミド樹脂は、前駆体をイミド化(硬化)することによって形成することができるが、ここでいう前駆体とは、その分子骨格中に感光性基、例えばエチレン性不飽和炭化水素基を含有するものも含まれる。イミド化の詳細については後述する。   The polyimide resin can be formed by imidizing (curing) a precursor. The precursor here contains a photosensitive group, for example, an ethylenically unsaturated hydrocarbon group, in its molecular skeleton. Also included. Details of imidization will be described later.

回路配線基板の絶縁樹脂層がポリイミド樹脂層で構成され、且つポリイミド樹脂層が単一層で構成される場合には、低熱膨張性のポリイミド樹脂が好適に利用できる。具体的には、線熱膨張係数(CTE)が1×10−6〜30×10−6(1/K)の範囲内、好ましくは1×10−6〜25×10−6(1/K)の範囲内、より好ましくは15×10−6〜25×10−6(1/K)の範囲内である低熱膨張性のポリイミド樹脂である。このようなポリイミド樹脂を絶縁樹脂層として適用すると、回路配線基板としての反りを抑制できるので有利である。しかし、上記線熱膨張係数を超えるポリイミド樹脂も使用可能であり、その場合には金属析出層との密着性を向上させることができる。 When the insulating resin layer of the circuit wiring board is composed of a polyimide resin layer and the polyimide resin layer is composed of a single layer, a low thermal expansion polyimide resin can be suitably used. Specifically, the coefficient of linear thermal expansion (CTE) is in the range of 1 × 10 −6 to 30 × 10 −6 (1 / K), preferably 1 × 10 −6 to 25 × 10 −6 (1 / K ), More preferably in the range of 15 × 10 −6 to 25 × 10 −6 (1 / K). Applying such a polyimide resin as an insulating resin layer is advantageous because warpage as a circuit wiring board can be suppressed. However, a polyimide resin exceeding the linear thermal expansion coefficient can also be used, and in this case, the adhesion with the metal deposition layer can be improved.

上記ポリイミド樹脂としては、一般式(1)で現される構造単位を有するポリイミド樹脂が好ましい。   As said polyimide resin, the polyimide resin which has a structural unit represented by General formula (1) is preferable.

Figure 0005129111
Figure 0005129111

但し、Arは式(2)又は式(3)で表される4価の芳香族基を示し、Arは式(4)又は式(5)で表される2価の芳香族基を示し、Rは独立に炭素数1〜6の1価の炭化水素基又はアルコキシ基を示し、X及びYは独立に単結合又は炭素数1〜15の2価の炭化水素基、O、S、CO、SO、SO若しくはCONHから選ばれる2価の基を示し、nは独立に0〜4の整数を示し、qは構成単位の存在モル比を示し、0.1〜1.0の値である。 However, Ar 1 represents a tetravalent aromatic group represented by Formula (2) or Formula (3), and Ar 3 represents a divalent aromatic group represented by Formula (4) or Formula (5). R 1 is independently a monovalent hydrocarbon group or alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, X and Y are independently a single bond or a divalent hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms, O, S , CO, SO, SO 2 or CONH represents a divalent group, n independently represents an integer of 0 to 4, q represents the molar ratio of constituent units, and 0.1 to 1.0 Value.

Figure 0005129111
Figure 0005129111

上記構造単位は、単独重合体中に存在しても、共重合体の構造単位として存在してもよい。構造単位を複数有する共重合体である場合は、ブロック共重合体として存在しても、ランダム共重合体として存在してもよい。このような構造単位を有するポリイミド樹脂の中で、好適に利用できるポリイミド樹脂は、非熱可塑性のポリイミド樹脂である。   The structural unit may be present in the homopolymer or may be present as a structural unit of the copolymer. In the case of a copolymer having a plurality of structural units, it may exist as a block copolymer or a random copolymer. Among polyimide resins having such a structural unit, a polyimide resin that can be suitably used is a non-thermoplastic polyimide resin.

ポリイミド樹脂は、一般に、ジアミンと酸無水物とを反応させて製造されるので、ジアミンと酸無水物を説明することにより、ポリイミド樹脂の具体例が理解される。上記一般式(1)において、Arはジアミンの残基ということができ、Arは酸無水物の残基ということができるので、好ましいポリイミド樹脂をジアミンと酸無水物により説明する。しかし、ポリイミド樹脂は、ここで説明するジアミンと酸無水物から得られるものに限定されることはない。 Since a polyimide resin is generally produced by reacting a diamine and an acid anhydride, a specific example of the polyimide resin can be understood by explaining the diamine and the acid anhydride. In the general formula (1), Ar 3 can be referred to as a diamine residue, and Ar 1 can be referred to as an acid anhydride residue. Therefore, a preferred polyimide resin will be described using a diamine and an acid anhydride. However, the polyimide resin is not limited to those obtained from the diamine and acid anhydride described here.

酸無水物としては、無水ピロメリット酸、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'-ジフェニルスルフォンテトラカルボン酸二無水物、4,4'-オキシジフタル酸無水物が好ましく例示される。また、酸無水物として、2,2',3,3'-、2,3,3',4'-又は3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3',3,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3',3,4'-ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物等も好ましく例示される。さらに、酸無水物として、3,3'',4,4''-、2,3,3'',4''-又は2,2'',3,3''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、ビス(2,3-又は3.4-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、1,1-ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物等も好ましく例示される。   Examples of acid anhydrides include pyromellitic anhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 4, A preferred example is 4'-oxydiphthalic anhydride. Moreover, 2,2 ', 3,3'-, 2,3,3', 4'- or 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,3 ', 3,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2', 3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3 ', 3,4'-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride Bis (2,3-dicarboxyphenyl) ether dianhydride and the like are also preferred. In addition, 3,3``, 4,4 ''-, 2,3,3 '', 4 ''-or 2,2 '', 3,3 ''-p-terphenyltetra Carboxylic dianhydride, 2,2-bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) -propane dianhydride, bis (2,3- or 3.4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis Preferred examples include (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, 1,1-bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride and the like.

その他の酸無水物としては、例えば1,2,7,8-、1,2,6,7-又は1,2,9,10-フェナンスレン-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)テトラフルオロプロパン二無水物、2,3,5,6-シクロヘキサン二無水物、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、2,6-又は2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-(又は1,4,5,8-)テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-(又は2,3,6,7-)テトラカルボン酸二無水物、2,3,8,9-、3,4,9,10-、4,5,10,11-又は5,6,11,12-ペリレン-テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、4,4’-ビス(2,3-ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルメタン二無水物等が挙げられる。   Examples of other acid anhydrides include 1,2,7,8-, 1,2,6,7- or 1,2,9,10-phenanthrene-tetracarboxylic dianhydride, 2,3,6, 7-anthracenetetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) tetrafluoropropane dianhydride, 2,3,5,6-cyclohexane dianhydride, 2,3,6, 7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 4,8-dimethyl-1, 2,3,5,6,7-hexahydronaphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 2,6- or 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetra Carboxylic dianhydride, 2,3,6,7- (or 1,4,5,8-) tetrachloronaphthalene-1,4,5,8- (or 2,3,6,7-) tetracarboxylic Acid dianhydride, 2,3,8,9-, 3,4,9,10-, 4,5,10,11- or 5,6,11,12-perylene-tetracarboxylic dianhydride, cyclo Pentane-1,2,3,4-te Tracarboxylic dianhydride, pyrazine-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, thiophene-2,3,4,5 -Tetracarboxylic dianhydride, 4,4'-bis (2,3-dicarboxyphenoxy) diphenylmethane dianhydride and the like.

ジアミンとしては、4,4'-ジアミノジフェニルエーテル、2'-メトキシ-4,4'-ジアミノベンズアニリド、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2'-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニル、3,3'-ジヒドロキシ-4,4'-ジアミノビフェニル、4,4'-ジアミノベンズアニリド等が好ましく例示される。また、ジアミンとしては、2,2-ビス-[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4-(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)]ビフェニル、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[1-(4-アミノフェノキシ)]ビフェニル、ビス[1-(3-アミノフェノキシ)]ビフェニル、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)]ベンゾフェノン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)]ベンゾフェノン、ビス[4,4'-(4-アミノフェノキシ)]ベンズアニリド、ビス[4,4'-(3-アミノフェノキシ)]ベンズアニリド、9,9-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]フルオレン、9,9-ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]フルオレン等が好ましく例示される。   Diamines include 4,4'-diaminodiphenyl ether, 2'-methoxy-4,4'-diaminobenzanilide, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) Benzene, 2,2'-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dihydroxy-4,4'-diaminobiphenyl 4,4′-diaminobenzanilide and the like are preferred. Diamines include 2,2-bis- [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, and bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl. ] Sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy)] biphenyl, bis [4- (3-aminophenoxy) biphenyl, bis [1- (4-aminophenoxy)] biphenyl, bis [1- (3-aminophenoxy) )] Biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (4-aminophenoxy)] benzophenone, bis [4- (3-aminophenoxy)] benzophenone, bis [4,4 '-(4-aminophenoxy)] Ben Anilide, bis [4,4 '-(3-aminophenoxy)] benzanilide, 9,9-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (3-aminophenoxy) Preferred examples include phenyl] fluorene and the like.

その他のジアミンとして、例えば2,2−ビス-[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス-[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、4,4'-メチレンジ-o-トルイジン、4,4'-メチレンジ-2,6-キシリジン、4,4'-メチレン-2,6-ジエチルアニリン、4,4'-ジアミノジフェニルプロパン、3,3'-ジアミノジフェニルプロパン、4,4'-ジアミノジフェニルエタン、3,3'-ジアミノジフェニルエタン、4,4'-ジアミノジフェニルメタン、3,3'-ジアミノジフェニルメタン、4,4'-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3'-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4'-ジアミノジフェニルスルホン、3,3'-ジアミノジフェニルスルホン、4,4'-ジアミノジフェニルエーテル、3,3-ジアミノジフェニルエーテル、3,4'-ジアミノジフェニルエーテル、ベンジジン、3,3'-ジアミノビフェニル、3,3'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニル、3,3'-ジメトキシベンジジン、4,4''-ジアミノ-p-テルフェニル、3,3''-ジアミノ-p-テルフェニル、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、2,6-ジアミノピリジン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4'-[1,4-フェニレンビス(1-メチルエチリデン)]ビスアニリン、4,4'-[1,3-フェニレンビス(1-メチルエチリデン)]ビスアニリン、ビス(p-アミノシクロヘキシル)メタン、ビス(p-β-アミノ-t-ブチルフェニル)エーテル、ビス(p-β-メチル-δ-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(2-メチル-4-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(1,1-ジメチル-5-アミノペンチル)ベンゼン、1,5-ジアミノナフタレン、2,6-ジアミノナフタレン、2,4-ビス(β-アミノ-t-ブチル)トルエン、2,4-ジアミノトルエン、m-キシレン-2,5-ジアミン、p-キシレン-2,5-ジアミン、m-キシリレンジアミン、p-キシリレンジアミン、2,6-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノ-1,3,4-オキサジアゾール、ピペラジン等が挙げられる。   Examples of other diamines include 2,2-bis- [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis- [4- (3-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 4'-methylenedi-o-toluidine, 4,4'-methylenedi-2,6-xylidine, 4,4'-methylene-2,6-diethylaniline, 4,4'-diaminodiphenylpropane, 3,3'- Diaminodiphenylpropane, 4,4'-diaminodiphenylethane, 3,3'-diaminodiphenylethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3 '-Diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, benzidine, 3,3'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethoxybenzidine, 4,4``-diamino-p-terphenyl, 3,3 ''- Diamino-p-terphenyl, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 2,6-diaminopyridine, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 4,4 '-[1,4-phenylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline, 4,4'-[1,3-phenylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline, bis (p-aminocyclohexyl) methane Bis (p-β-amino-t-butylphenyl) ether, bis (p-β-methyl-δ-aminopentyl) benzene, p-bis (2-methyl-4-aminopentyl) benzene, p-bis ( 1,1-dimethyl-5-aminopentyl) benzene, 1,5-diaminonaphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, 2,4-bis (β-amino-t-butyl) ) Toluene, 2,4-diaminotoluene, m-xylene-2,5-diamine, p-xylene-2,5-diamine, m-xylylenediamine, p-xylylenediamine, 2,6-diaminopyridine, 2 , 5-diaminopyridine, 2,5-diamino-1,3,4-oxadiazole, piperazine and the like.

酸無水物およびジアミンは、それぞれ、その1種のみを使用することもできるし、あるいは2種以上を併用して使用することもできる。また、上記一般式(1)に含まれないその他の酸無水物又はジアミンを上記の酸無水物又はジアミンと共に使用することもでき、この場合、上記一般式(1)に含まれない酸無水物又はジアミンの使用割合は90モル%以下、好ましくは50モル%以下とすることがよい。酸無水物又はジアミンの種類や、2種以上の酸無水物又はジアミンを使用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、熱膨張性、接着性、ガラス転移点(Tg)等を制御することができる。   Each of acid anhydrides and diamines can be used alone or in combination of two or more. Further, other acid anhydrides or diamines not included in the general formula (1) can be used together with the acid anhydrides or diamines. In this case, acid anhydrides not included in the general formula (1) Alternatively, the proportion of diamine used is 90 mol% or less, preferably 50 mol% or less. By controlling the types of acid anhydrides or diamines and the molar ratios when using two or more acid anhydrides or diamines, the thermal expansion, adhesion, glass transition point (Tg), etc. are controlled. be able to.

前駆体の合成は、ほぼ等モルの酸無水物及びジアミンを溶媒中で反応させることにより行うことができる。使用する溶媒については、例えば、N,N-ジメチルアセトアミド(DMAc)、n-メチルピロリジノン、2-ブタノン、ジグライム、キシレン等が挙げられ、これらの1種若しくは2種以上併用して使用することもできる。   Synthesis of the precursor can be performed by reacting approximately equimolar acid anhydride and diamine in a solvent. Examples of the solvent to be used include N, N-dimethylacetamide (DMAc), n-methylpyrrolidinone, 2-butanone, diglyme, xylene and the like, and these may be used alone or in combination of two or more. it can.

ポリイミド樹脂として、熱可塑性のポリイミド樹脂を用いることもできる。熱可塑性のポリイミド樹脂に使用される前駆体としては、一般式(6)で表される構造単位を有する前駆体が好ましい。一般式(6)において、Arは式(7)、式(8)又は式(9)で表される2価の芳香族基を示し、Arは式(10)又は式(11)で表される4価の芳香族基を示し、Rは独立に炭素数1〜6の1価の炭化水素基又はアルコキシ基を示し、V及びWは独立に単結合、炭素数1〜15の2価の炭化水素基、O、S、CO、SO若しくはCONHから選ばれる2価の基を示し、mは独立に0〜4の整数を示し、pは構成単位の存在モル比を示し、0.1〜1.0の値である。 A thermoplastic polyimide resin can also be used as the polyimide resin. As a precursor used for a thermoplastic polyimide resin, a precursor having a structural unit represented by the general formula (6) is preferable. In General Formula (6), Ar 4 represents a divalent aromatic group represented by Formula (7), Formula (8), or Formula (9), and Ar 5 represents Formula (10) or Formula (11). Represents a tetravalent aromatic group, R 2 independently represents a monovalent hydrocarbon group or alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, V and W each independently represents a single bond, and has 1 to 15 carbon atoms. A divalent hydrocarbon group, a divalent group selected from O, S, CO, SO 2 or CONH, m independently represents an integer of 0 to 4, p represents a molar ratio of constituent units, A value of 0.1 to 1.0.

Figure 0005129111
Figure 0005129111

上記一般式(6)において、Arはジアミンの残基ということができ、Arは酸無水物の残基ということができるので、好ましい熱可塑性のポリイミド樹脂をジアミンと酸無水物により説明する。しかし、熱可塑性のポリイミド樹脂は、ここで説明するジアミンと酸無水物から得られるものに限定されることはない。 In the general formula (6), Ar 4 can be referred to as a diamine residue, and Ar 5 can be referred to as an acid anhydride residue. Therefore, a preferred thermoplastic polyimide resin will be described using a diamine and an acid anhydride. . However, the thermoplastic polyimide resin is not limited to those obtained from the diamine and acid anhydride described herein.

熱可塑性のポリイミド樹脂の形成に好適に用いられるジアミンとしては、例えば、4,4'-ジアミノジフェニルエーテル、2'-メトキシ-4,4'-ジアミノベンズアニリド、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニル、3,3'-ジヒドロキシ-4,4'-ジアミノビフェニル、4,4'-ジアミノベンズアニリド等が挙げられる。その他、上記ポリイミド樹脂の説明で挙げたジアミンを挙げることができる。   Examples of diamines suitably used for forming a thermoplastic polyimide resin include 4,4′-diaminodiphenyl ether, 2′-methoxy-4,4′-diaminobenzanilide, 1,4-bis (4-aminophenoxy). ) Benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3 3,3′-dihydroxy-4,4′-diaminobiphenyl, 4,4′-diaminobenzanilide and the like. In addition, the diamine mentioned by description of the said polyimide resin can be mentioned.

熱可塑性のポリイミド樹脂の形成に好適に用いられる酸無水物としては、例えば、無水ピロメリット酸、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'-ジフェニルスルフォンテトラカルボン酸二無水物、4,4'-オキシジフタル酸無水物が挙げられる。その他、上記ポリイミド樹脂の説明で挙げた酸無水物を挙げることができる。   Examples of the acid anhydride suitably used for forming the thermoplastic polyimide resin include pyromellitic anhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4, Examples thereof include 4′-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride and 4,4′-oxydiphthalic anhydride. In addition, the acid anhydride mentioned by description of the said polyimide resin can be mentioned.

熱可塑性のポリイミド樹脂の形成に好適に用いられるジアミンおよび酸無水物は、それぞれ、その1種のみを使用してもよく2種以上を併用して使用することもできる。また、上記以外のジアミン及び酸無水物を併用することもできる。   As for the diamine and the acid anhydride that are preferably used for forming the thermoplastic polyimide resin, only one of them may be used, or two or more of them may be used in combination. In addition, diamines and acid anhydrides other than those described above can be used in combination.

熱可塑性ポリイミド樹脂の前駆体において、式(6)で表される構造単位は、単独重合体中に存在しても、共重合体の構造単位として存在してもよい。構造単位を複数有する共重合体である場合は、ブロック共重合体として存在しても、ランダム共重合体として存在してもよい。式(6)で表される構造単位は複数であるが、1種であっても2種以上であってもよい。有利には、式(6)で表される構造単位を主成分とすることであり、好ましくは60モル%以上、より好ましくは80モル%以上含む前駆体であることがよい。   In the precursor of the thermoplastic polyimide resin, the structural unit represented by the formula (6) may be present in the homopolymer or as a structural unit of the copolymer. In the case of a copolymer having a plurality of structural units, it may exist as a block copolymer or a random copolymer. There are a plurality of structural units represented by formula (6), but they may be one type or two or more types. Advantageously, the main component is the structural unit represented by the formula (6), and the precursor preferably contains 60 mol% or more, more preferably 80 mol% or more.

合成されたポリイミド樹脂(熱可塑性のポリイミド樹脂を含む)の前駆体は溶液として使用される。通常、反応溶媒溶液として使用することが有利であるが、必要により濃縮、希釈又は他の有機溶媒に置換することができる。また、ポリイミド前駆体樹脂は一般に溶媒可溶性に優れるので、有利に使用される。   A precursor of a synthesized polyimide resin (including a thermoplastic polyimide resin) is used as a solution. Usually, it is advantageous to use as a reaction solvent solution, but if necessary, it can be concentrated, diluted or replaced with another organic solvent. In addition, since the polyimide precursor resin is generally excellent in solvent solubility, it is advantageously used.

前駆体の層を形成する方法は特に限定されず、例えば、前駆体の溶液を任意の下地層(例えば、基材)上に塗布した後に乾燥することで形成できる。塗布する方法は特に制限されず、例えばコンマ、ダイ、ナイフ、リップ等のコーターにて塗布することが可能である。   The method for forming the precursor layer is not particularly limited. For example, the precursor layer may be formed by applying a solution of the precursor on an arbitrary underlayer (for example, a substrate) and then drying. The method of applying is not particularly limited, and it is possible to apply with a coater such as a comma, die, knife, lip or the like.

ポリイミド樹脂層は、単層のみから形成されるものでも、複数層からなるものでもよい。ポリイミド樹脂層を複数層とする場合、異なる構成成分からなる前駆体の層の上に他の前駆体を順次塗布して形成することができる。前駆体の層が3層以上からなる場合、同一の構成の前駆体を2回以上使用してもよい。層構造が簡単である2層又は単層、特に単層は、工業的に有利に得ることができるので好ましい。また、前駆体の層の厚み(乾燥後)は、3〜100μmの範囲内、好ましくは3〜50μmの範囲内にあることがよい。   The polyimide resin layer may be formed of only a single layer or may be formed of a plurality of layers. In the case where a plurality of polyimide resin layers are used, other precursors can be sequentially formed on the precursor layers made of different components. When the precursor layer is composed of three or more layers, the precursor having the same configuration may be used twice or more. Two layers or a single layer having a simple layer structure, particularly a single layer, is preferable because it can be advantageously obtained industrially. The thickness of the precursor layer (after drying) may be in the range of 3 to 100 μm, preferably in the range of 3 to 50 μm.

ポリイミド前駆体樹脂溶液としては、市販品も好適に使用可能であり、例えば宇部興産株式会社製の非熱可塑性ポリイミド前駆体樹脂ワニスであるU-ワニス-A(商品名)、同U-ワニス-S(商品名)、新日鐵化学株式会社製の熱可塑性ポリイミド前駆体樹脂ワニスSPI−200N(商品名)、同SPI−300N(商品名)、同SPI−1000G(商品名)、東レ株式会社製のトレニース#3000(商品名)等が挙げられる。   As the polyimide precursor resin solution, commercially available products can also be suitably used. For example, U-Varnish-A (trade name), which is a non-thermoplastic polyimide precursor resin varnish manufactured by Ube Industries, Ltd., U-Varnish- S (trade name), thermoplastic polyimide precursor resin varnish SPI-200N (trade name), SPI-300N (trade name), SPI-1000G (trade name) manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., Toray Industries, Inc. Examples include Trenys # 3000 (trade name) manufactured by the manufacturer.

また、乾燥、イミド化の方法も特に制限されず、例えば、80〜400℃の温度条件で1〜60分間加熱するといった熱処理が好適に採用される。このような熱処理を行うことで、ポリアミック酸の脱水閉環が進行するため、基材上にポリイミド樹脂層を形成させることができる。基材上にポリイミド樹脂層を形成させたポリイミド樹脂層はそのまま使用してもよく、剥がすなどして使用してもよい。   Moreover, the method of drying and imidation is not particularly limited, and for example, heat treatment such as heating for 1 to 60 minutes at a temperature of 80 to 400 ° C. is suitably employed. By performing such heat treatment, dehydration and ring closure of the polyamic acid proceeds, so that a polyimide resin layer can be formed on the substrate. The polyimide resin layer in which the polyimide resin layer is formed on the substrate may be used as it is, or may be used after being peeled off.

図1に示したように、本実施の形態の積層体の製造方法は、工程a)〜工程f)を備えており、必要に応じて、他に任意の工程を含めることができる。
工程a):
この工程では、ポリイミド樹脂層の表面側の層をアルカリ水溶液で処理して、ポリイミド樹脂のイミド環を開裂させることによってカルボキシル基を導入したポリイミド改質層を、1nm〜700nmの厚みの範囲で形成する。なお、ここでいうカルボキシル基とは、カルボン酸(−COOH)を意味するが、カルボン酸がプロトンを放出したカルボキシラート(−COO)も含まれる。
As shown in FIG. 1, the manufacturing method of the laminated body of this Embodiment is equipped with the process a)-the process f), and can include other arbitrary processes as needed.
Step a):
In this step, a polyimide-modified layer having a carboxyl group introduced is formed in a thickness range of 1 nm to 700 nm by treating the surface side of the polyimide resin layer with an alkaline aqueous solution and cleaving the imide ring of the polyimide resin. To do. Note that the carboxyl group herein is meant a carboxylic acid (-COOH), carboxylate of carboxylic acid is to release protons (-COO -) is also included.

アルカリ水溶液としては、濃度0.01〜10mol/L、液温が5〜80℃の水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムのアルカリ水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液は、例えば浸漬法、スプレー法あるいは刷毛塗り等の方法でポリイミド樹脂層に適用することができる。例えば、浸漬法を適用する場合、ポリイミド樹脂層をアルカリ水溶液で5秒〜10分間程度処理することが有効であり、好ましくは濃度0.1〜5mol/L、液温が25〜60℃のアルカリ水溶液で、20秒〜5分間かけてポリイミド樹脂層を処理することがよい。ポリイミド樹脂層の構造によって、適宜、その処理条件を変更することができる。一般的にアルカリ水溶液の濃度が薄い場合、ポリイミド樹脂層の表面処理時間は長くなる。また、アルカリ水溶液の液温が高くなると、処理時間は短縮される。   As the alkaline aqueous solution, it is preferable to use an alkaline aqueous solution of sodium hydroxide or potassium hydroxide having a concentration of 0.01 to 10 mol / L and a liquid temperature of 5 to 80 ° C. The alkaline aqueous solution can be applied to the polyimide resin layer by, for example, a dipping method, a spray method, or a brush coating method. For example, when applying the dipping method, it is effective to treat the polyimide resin layer with an alkaline aqueous solution for about 5 seconds to 10 minutes, preferably an alkali having a concentration of 0.1 to 5 mol / L and a liquid temperature of 25 to 60 ° C. The polyimide resin layer is preferably treated with an aqueous solution for 20 seconds to 5 minutes. Depending on the structure of the polyimide resin layer, the processing conditions can be appropriately changed. In general, when the concentration of the alkaline aqueous solution is low, the surface treatment time of the polyimide resin layer becomes long. Further, when the temperature of the alkaline aqueous solution increases, the processing time is shortened.

アルカリ水溶液で処理すると、ポリイミド樹脂層の表面側からアルカリ水溶液が浸透し、ポリイミド樹脂のイミド環が開裂し、ポリイミド樹脂層の表面側の層にカルボキシル基を導入したポリイミド改質層が形成される。この反応は主にイミド結合の加水分解であると考えられる。改質処理して形成されるポリイミド改質層の厚みは、1〜700nmの範囲内、好ましくは5〜500nmの範囲内、より好ましくは5〜100nmの範囲内がよい。また、別の観点からは、ポリイミド改質層の厚みは、ポリイミド樹脂層全体の厚みの1/25000〜1/36、好ましくは1/5000〜1/50の範囲内がよい。イミド化後のポリイミド改質層の特性は、改質していないポリイミド樹脂層に比べ、引張強さ、靭性等の機械特性が低下する傾向にある。したがって、ポリイミド改質層の厚みは、上記範囲の上限値を超えないようにすることがよい。ポリイミド改質層の厚みが上記上限値を上回ると、ポリイミド樹脂層全体の厚み(改質していないポリイミド樹脂層とポリイミド改質層の厚みの合計)に対するポリイミド改質層の厚みが占める割合が高くなるので、絶縁樹脂層全体の特性としてポリイミド改質層由来の脆弱な機械特性が発現しやすい傾向になることや、絶縁樹脂層と導体層との密着力が強くなるに従いポリイミド改質層自体にクラックが発生しやすくなる傾向があるので好ましくない。また、ポリイミド改質層の厚みが上記下限値を下回ると、後述するパラジウムイオンのポリイミド改質層への吸着量が少なくなり、その後の無電解めっきにおけるパラジウムの触媒機能を発揮しにくい。なお、アルカリ水溶液によって処理した後は、水洗、乾燥して工程b)に供することがよい。   When treated with an aqueous alkaline solution, the aqueous alkaline solution penetrates from the surface side of the polyimide resin layer, the imide ring of the polyimide resin is cleaved, and a polyimide modified layer is formed by introducing carboxyl groups into the surface side of the polyimide resin layer. . This reaction is thought to be mainly imide bond hydrolysis. The thickness of the polyimide modified layer formed by the modification treatment is in the range of 1 to 700 nm, preferably in the range of 5 to 500 nm, more preferably in the range of 5 to 100 nm. From another point of view, the thickness of the polyimide modified layer is in the range of 1/25000 to 1/36, preferably 1/5000 to 1/50 of the total thickness of the polyimide resin layer. The properties of the polyimide-modified layer after imidation tend to decrease mechanical properties such as tensile strength and toughness as compared to a polyimide resin layer that has not been modified. Therefore, it is preferable that the thickness of the polyimide modified layer does not exceed the upper limit of the above range. If the thickness of the polyimide modified layer exceeds the above upper limit, the ratio of the thickness of the polyimide modified layer to the total thickness of the polyimide resin layer (the total thickness of the unmodified polyimide resin layer and the polyimide modified layer) is Therefore, the fragile mechanical properties derived from the polyimide-modified layer tend to be manifested as the overall properties of the insulating resin layer, and the polyimide-modified layer itself as the adhesion between the insulating resin layer and the conductor layer increases. It is not preferable because cracks tend to be generated. Moreover, when the thickness of the polyimide modified layer is less than the lower limit, the amount of palladium ions adsorbed on the polyimide modified layer described later decreases, and the catalytic function of palladium in subsequent electroless plating is hardly exhibited. In addition, after processing with aqueous alkali solution, it is good to use for process b) by washing with water and drying.

アルカリ処理して形成されるポリイミド処理層中には、アルカリ水溶液に起因するアルカリ金属とポリイミド樹脂末端のカルボキシル基との塩等が形成されている場合がある。このカルボキシル基のアルカリ金属塩は、後述するシランカップリング剤による処理やパラジウムイオンの処理によって、それぞれの塩に置換することが可能であるので、次工程に付す前にカルボキシル基のアルカリ金属塩が存在していても問題はない。また、アルカリ性に変化したポリイミド樹脂の表面層を、酸水溶液で中和してもよい。酸水溶液としては、酸性であればいかなる水溶液も用いることができるが、特に、塩酸水溶液や硫酸水溶液が好ましい。また、酸水溶液の濃度は、例えば0.5〜50重量%の範囲内にあることがよいが、好ましくは0.5〜5重量%の範囲内にあることがよい。酸水溶液のpHは2以下とすることが更に好ましい。酸水溶液による洗浄後は、水洗した後、乾燥して、次工程に供することがよい。   In the polyimide treatment layer formed by the alkali treatment, there may be a case where a salt of an alkali metal and a carboxyl group at the end of the polyimide resin due to an aqueous alkali solution is formed. Since this carboxyl group alkali metal salt can be replaced with the respective salt by treatment with a silane coupling agent or treatment with palladium ions, which will be described later, the carboxyl group alkali metal salt is added before the next step. There is no problem even if it exists. Moreover, you may neutralize the surface layer of the polyimide resin changed into alkalinity with acid aqueous solution. As an acid aqueous solution, any aqueous solution can be used as long as it is acidic, but a hydrochloric acid aqueous solution and a sulfuric acid aqueous solution are particularly preferable. The concentration of the acid aqueous solution is, for example, preferably in the range of 0.5 to 50% by weight, but preferably in the range of 0.5 to 5% by weight. The pH of the aqueous acid solution is more preferably 2 or less. After washing with an acid aqueous solution, it is preferred to wash with water and then dry and use in the next step.

工程b):
この工程では、前記ポリイミド改質層に、アミノ基を有するシランカップリング剤を含む極性溶媒の溶液を含浸した後、シランカップリング剤のアミノ基とカルボキシル基とを反応させることによってポリイミド改質層を形成する。このポリイミド改質層は、シランカップリング剤のアミノ基と結合したカルボキシル基及び未反応のカルボキシル基を含有し、且つシランカップリング剤のアミノ基と結合したカルボキシル基が、シランカップリング剤のアミノ基と結合したカルボキシル基及び未反応のカルボキシル基の合計に対して10%以上の割合で存在する。
Step b):
In this step, the polyimide modified layer is impregnated with a solution of a polar solvent containing a silane coupling agent having an amino group and then reacted with an amino group and a carboxyl group of the silane coupling agent. Form. This polyimide modified layer contains a carboxyl group bonded to the amino group of the silane coupling agent and an unreacted carboxyl group, and the carboxyl group bonded to the amino group of the silane coupling agent is an amino group of the silane coupling agent. It exists in the ratio of 10% or more with respect to the sum total of the carboxyl group couple | bonded with group and the unreacted carboxyl group.

アミノ基を有するシランカップリング剤は、アミノ基がポリイミド改質層のカルボキシル基と化学結合で固定され、また、その構造中にケイ素を化学結合で固定していることにより、ポリイミド樹脂層と金属との接着強度を向上させる効果を奏する。この効果を有効に発現させるためには、ポリイミド改質層中に存在させる、シランカップリング剤のアミノ基と結合したカルボキシル基の割合を、シランカップリング剤のアミノ基と結合したカルボキシル基及び未反応のカルボキシル基の合計に対して、少なくとも10%以上とし、好ましくは30%以上、より好ましくは70%以上とすることがよい。また、シランカップリング剤のアミノ基と結合したカルボキシル基の割合の上限値は100%未満であればよく、好ましくは95%以下、より好ましくは90%以下とすることがよい。シランカップリング剤のアミノ基と結合したカルボキシル基の割合が90%を超える場合、すなわち、シランカップリング剤との化学結合に関与しない未反応のカルボキシル基(以下、フリーのカルボキシル基ともいう)の割合が10%未満の場合、ポリイミド改質層中で生成するカルボキシル基のパラジウム塩が占める割合が低くなるので、無電解めっきにおける触媒機能を発揮させるのに必要な金属パラジウムの析出量を確保しにくい傾向になる。このような場合には、工程c)及び工程d)を複数回繰り返すことによって、析出する金属パラジウムの析出量を増加させることが好ましいが、工程c)及び工程d)の繰り返し回数が多いほど、金属パラジウムの析出にムラを生じやすい傾向になる。このように、カップリング剤の接着効果とパラジウムイオンの吸着効果を両立させることの観点から、ポリイミド改質層中に存在させるシランカップリング剤のアミノ基と結合したカルボキシル基の割合を、シランカップリング剤のアミノ基と結合したカルボキシル基及び未反応のカルボキシル基の合計に対して、好ましくは10〜90%の範囲内、より好ましくは30〜90%の範囲内、更に好ましくは70〜90%の範囲内とすることがよい。   A silane coupling agent having an amino group has an amino group fixed to the carboxyl group of the polyimide modified layer by a chemical bond, and silicon is fixed to the structure by a chemical bond. There is an effect of improving the adhesive strength. In order to effectively express this effect, the ratio of the carboxyl group bonded to the amino group of the silane coupling agent, which is present in the polyimide modified layer, is changed from the carboxyl group bonded to the amino group of the silane coupling agent to the unmodified group. The total amount of carboxyl groups in the reaction is at least 10% or more, preferably 30% or more, more preferably 70% or more. Moreover, the upper limit of the ratio of the carboxyl group couple | bonded with the amino group of a silane coupling agent should just be less than 100%, Preferably it is 95% or less, More preferably, it is 90% or less. When the ratio of the carboxyl group bonded to the amino group of the silane coupling agent exceeds 90%, that is, the unreacted carboxyl group (hereinafter also referred to as a free carboxyl group) that does not participate in the chemical bond with the silane coupling agent. If the proportion is less than 10%, the proportion occupied by the palladium salt of the carboxyl group generated in the polyimide modified layer is low, so the amount of deposited metal palladium necessary to exert the catalytic function in electroless plating is secured. It tends to be difficult. In such a case, it is preferable to increase the amount of deposited metal palladium by repeating step c) and step d) a plurality of times, but as the number of repetitions of step c) and step d) increases, It tends to cause unevenness in the deposition of metallic palladium. Thus, from the viewpoint of achieving both the adhesion effect of the coupling agent and the adsorption effect of palladium ions, the ratio of the carboxyl group bonded to the amino group of the silane coupling agent to be present in the polyimide modified layer is determined as the silane cup. Preferably it is in the range of 10 to 90%, more preferably in the range of 30 to 90%, still more preferably 70 to 90%, based on the total of the carboxyl group bonded to the amino group of the ring agent and the unreacted carboxyl group. It is preferable to be within the range of.

アミノ基を有するシランカップリング剤としては、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、3−トリエトキシシリル−N−(1,3−ジメチルブチリデン)プロピルアミン及びN−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシランから選択される少なくとも1種であることがよい。特に、3−アミノプロピルトリエトキシシラン又は3−アミノプロピルトリメトキシシランが好ましい。   Examples of the silane coupling agent having an amino group include 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N-2- (amino At least one selected from ethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N- (1,3-dimethylbutylidene) propylamine and N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane There should be. In particular, 3-aminopropyltriethoxysilane or 3-aminopropyltrimethoxysilane is preferable.

シランカップリング剤は極性溶媒の溶液として使用する。極性溶媒を用いることで、シランカップリング剤をポリイミド改質層中に均一に含浸させる効果を奏する。極性溶媒としては、水又は水を含有する極性有機溶媒が適する。極性有機溶媒としては、水との親和性を有する極性の液体であれば、特に限定されない。このような極性有機溶媒として、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、アセトン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等が挙げられる。シランカップリング剤溶液におけるシランカップリング剤の濃度は、0.1〜5重量%が好ましく、0.5〜1重量%がより好ましい。シランカップリング剤の濃度が高いと、該シランカップリング剤がポリイミド改質層に含浸するにとどまらず、ポリイミド改質層面上に付着する量が多くなるので、高濃度は望ましくない。   The silane coupling agent is used as a polar solvent solution. By using a polar solvent, the polyimide modified layer is uniformly impregnated with the silane coupling agent. As the polar solvent, water or a polar organic solvent containing water is suitable. The polar organic solvent is not particularly limited as long as it is a polar liquid having an affinity for water. Examples of such a polar organic solvent include methanol, ethanol, propanol, isopropanol, acetone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide and the like. The concentration of the silane coupling agent in the silane coupling agent solution is preferably 0.1 to 5% by weight, and more preferably 0.5 to 1% by weight. If the concentration of the silane coupling agent is high, the amount of the silane coupling agent not only impregnates the polyimide modified layer but also adheres to the surface of the polyimide modified layer, so that a high concentration is not desirable.

含浸方法は、ポリイミド改質層面に、シランカップリング剤を含む極性溶媒の溶液を接触させ得る方法であれば、特に限定されず、公知の方法を利用することができる。例えば、浸漬法、スプレー法、刷毛塗りあるいは印刷法等を用いることができる。温度は0〜100℃、好ましくは10〜40℃付近の常温でよい。また、含浸時間は、浸漬法を適用する場合、30秒〜1時間、好ましくは1〜15分間処理することが有効である。この処理によって、ポリイミド改質層中に、シランカップリング剤のアミノ基とカルボキシル基との塩を存在させることができる。   The impregnation method is not particularly limited as long as it is a method capable of bringing a solution of a polar solvent containing a silane coupling agent into contact with the polyimide modified layer surface, and a known method can be used. For example, a dipping method, a spray method, a brush coating method or a printing method can be used. The temperature may be 0 to 100 ° C., preferably 10 to 40 ° C. Moreover, as for the impregnation time, when applying the dipping method, it is effective to treat for 30 seconds to 1 hour, preferably 1 to 15 minutes. By this treatment, a salt of an amino group and a carboxyl group of the silane coupling agent can be present in the polyimide modified layer.

ポリイミド改質層中に一定比率でフリーのカルボキシル基を残しておくために、シランカップリング剤を含む極性溶媒を含浸した後、含浸後のポリイミド改質層を極性溶媒で洗浄することが好ましい。なお、フリーのカルボキシル基を残す方法は、前述の含浸方法における処理条件を制御することによっても可能である。極性溶媒で洗浄する場合、使用できる極性溶媒としては、水又は極性有機溶媒が適する。極性有機溶媒としては、水との親和性を有する極性の液体であれば、特に限定されない。このような極性有機溶媒として、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、アセトン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等が挙げられる。この工程では、ポリイミド改質層面上に付着した余分なシランカップリング剤も除去することができる。   In order to leave free carboxyl groups in a fixed ratio in the polyimide-modified layer, it is preferable to impregnate a polar solvent containing a silane coupling agent and then wash the polyimide-modified layer after impregnation with a polar solvent. In addition, the method of leaving a free carboxyl group is also possible by controlling the processing conditions in the above-mentioned impregnation method. In the case of washing with a polar solvent, water or a polar organic solvent is suitable as the polar solvent that can be used. The polar organic solvent is not particularly limited as long as it is a polar liquid having an affinity for water. Examples of such a polar organic solvent include methanol, ethanol, propanol, isopropanol, acetone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide and the like. In this step, excess silane coupling agent adhering to the polyimide modified layer surface can also be removed.

ポリイミド改質層中に含有する未反応のカルボキシル基の割合は、以下の操作で求めることができる。まず、工程b)を経由した後の目的のサンプルAを準備し、該サンプルのポリイミド改質層を0.1〜5重量%、好ましくは0.5〜1重量%の濃度に調整した塩酸、硫酸、酢酸等の酸性水溶液で5〜30分洗浄したのち、該ポリイミド改質層のIRスペクトルをATR(全反射測定)法により各吸収の強度を測定する。得られた吸収の中から、カルボキシル基に由来するカルボニル基の吸収(約1710cm−1)の強度(S1)と、工程a)及びb)によってもその変化がない吸収(例えば、ベンゼン環に由来する約1500cm−1の吸収等)の強度(S2)及び波数(W1)を読み取った後、S1をS2で除して値X(S1/S2)を得る。 The ratio of the unreacted carboxyl group contained in the polyimide modified layer can be determined by the following operation. First, a target sample A after passing through step b) is prepared, hydrochloric acid in which the polyimide-modified layer of the sample is adjusted to a concentration of 0.1 to 5% by weight, preferably 0.5 to 1% by weight, After washing with an acidic aqueous solution such as sulfuric acid or acetic acid for 5 to 30 minutes, the IR spectrum of the polyimide modified layer is measured for the intensity of each absorption by the ATR (total reflection measurement) method. Among the obtained absorptions, the intensity (S1) of the absorption of the carbonyl group derived from the carboxyl group (approximately 1710 cm −1 ) and the absorption that does not change even with steps a) and b) (for example, derived from the benzene ring) After reading the intensity (S2) and wave number (W1) of about 1500 cm −1 , etc., S1 is divided by S2 to obtain the value X (S1 / S2).

次に、工程a)を経由した後のサンプルBを準備し、該サンプルのポリイミド改質層を前記と同様に酸性水溶液で洗浄したのち当該層のIRスペクトルをATR法により各吸収の強度を測定する。得られた吸収の中から、カルボキシル基に由来するカルボニル基の吸収(約1710cm−1)の強度(P1)と、前記サンプルAで観測された波数W1と同じ波数の位置に現れる吸収の強度(P2)を読み取った後、P1をP2で除して値Y(P1/P2)を得る。このようにして得られたXをYで除することによって未反応のカルボキシル基の割合を求めることができる。なお、本発明では、シランカップリング剤のアミノ基と結合したカルボキシル基及び未反応のカルボキシル基の割合を百分率(%)で表した。 Next, sample B after passing through step a) is prepared, the polyimide-modified layer of the sample is washed with an acidic aqueous solution in the same manner as described above, and the IR spectrum of the layer is measured by the ATR method. To do. Among the obtained absorptions, the intensity (P1) of the absorption (about 1710 cm −1 ) of the carbonyl group derived from the carboxyl group and the intensity of the absorption appearing at the same wave number position as the wave number W1 observed in the sample A ( After reading P2), P1 is divided by P2 to obtain the value Y (P1 / P2). By dividing X thus obtained by Y, the proportion of unreacted carboxyl groups can be determined. In the present invention, the ratio of the carboxyl group bonded to the amino group of the silane coupling agent and the unreacted carboxyl group is expressed as a percentage (%).

なお、ATR法によるIRスペクトルにおいては、プリズムとしてゲルマニウムを用いた場合でも、波数によっては赤外線がサンプル表面から深さ0.3〜0.5μm程度まで潜り込むため、工程b)を経由した後のポリイミド改質層を直接測定すると、その層が0.5μmより薄い場合、ポリイミド改質層のみならず、改質されていないポリイミド樹脂の赤外吸収も同時に測定されるため、未反応のカルボキシル基の割合を正しく把握することが困難となる。この場合、ポリイミド改質層だけをSAICAS(Surface And Interfacial Cutting Analysis System;例えば、ダイプラ・ウィンテス株式会社製)やウルトラミクロトーム(例えば、株式会社日立ハイテクノロジーズ社製)等で切り取ったのち、当該層を測定すると未反応のカルボキシル基の割合を正しく把握できる。   In addition, in the IR spectrum by the ATR method, even when germanium is used as the prism, depending on the wave number, the infrared rays may penetrate from the sample surface to a depth of about 0.3 to 0.5 μm, so the polyimide after passing through step b) When the modified layer is directly measured, if the layer is thinner than 0.5 μm, not only the polyimide modified layer but also the infrared absorption of the unmodified polyimide resin is simultaneously measured. It becomes difficult to correctly grasp the ratio. In this case, after cutting only the polyimide-modified layer with SAICAS (Surface And Interfacial Cutting Analysis System; for example, manufactured by Daipura Wintes Co., Ltd.) or ultramicrotome (for example, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation), the layer is removed. When measured, the proportion of unreacted carboxyl groups can be correctly grasped.

ポリイミド改質層面にシランカップリング剤を含む極性溶媒の溶液を含浸させた後、乾燥する。乾燥方法は、特に限定されず、例えば自然乾燥、エアガンによる吹きつけ乾燥、あるいはオーブンによる乾燥等を用いることができる。乾燥条件は、極性溶媒の種類にもよるが、例えば10〜150℃で5秒〜60分間、好ましくは25〜150℃で10秒〜30分間、更に好ましくは30〜120℃で1分〜10分間である。   The polyimide modified layer surface is impregnated with a polar solvent solution containing a silane coupling agent and then dried. The drying method is not particularly limited, and for example, natural drying, spray drying with an air gun, drying with an oven, or the like can be used. The drying conditions depend on the type of polar solvent, but are, for example, 10 to 150 ° C. for 5 seconds to 60 minutes, preferably 25 to 150 ° C. for 10 seconds to 30 minutes, and more preferably 30 to 120 ° C. for 1 minute to 10 minutes. For minutes.

乾燥後、ポリイミド改質層のカルボキシル基とシランカップリング剤のアミノ基とを縮合させるため、加熱処理を行う。加熱処理方法は、例えばオーブンによる熱処理等を用いることができる。加熱処理条件は、カルボキシル基とアミノ基とを縮合させるために、好ましくは110℃以上、より好ましくは110℃〜150℃で1分〜50分間、更に好ましくは120℃〜130℃で5分〜10分間がよい。150℃を超える温度で処理した場合、シランカップリング剤が有するシラノール基同士が縮合し、シロキサン構造となり、後述する無電解めっきによるめっき金属との結合が十分でなくなるため、接着力が低下する傾向になるので好ましくない。なお、この加熱工程は、加熱温度と時間を調節することによって、前記乾燥工程と同時に行うことができる。   After drying, heat treatment is performed to condense the carboxyl group of the polyimide modified layer and the amino group of the silane coupling agent. As the heat treatment method, for example, heat treatment using an oven or the like can be used. The heat treatment conditions are preferably 110 ° C. or higher, more preferably 110 ° C. to 150 ° C. for 1 minute to 50 minutes, further preferably 120 ° C. to 130 ° C. for 5 minutes to condense the carboxyl group and the amino group. 10 minutes is good. When treated at a temperature exceeding 150 ° C., the silanol groups of the silane coupling agent condense together to form a siloxane structure, and the bond with the plated metal by electroless plating described later tends to be insufficient, and the adhesive force tends to decrease. This is not preferable. In addition, this heating process can be performed simultaneously with the said drying process by adjusting heating temperature and time.

工程c):
この工程では、ポリイミド改質層中に含まれる未反応のカルボキシル基に、パラジウムイオン含有溶液を接触させて、カルボキシル基のパラジウム塩を生成する。
Step c):
In this step, a palladium ion-containing solution is brought into contact with an unreacted carboxyl group contained in the polyimide modified layer to generate a carboxyl salt palladium salt.

パラジウムイオン含有溶液は、パラジウムの塩や有機物錯体を極性溶媒に溶解して調製することができる。極性溶媒としては、例えば水、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、アセトン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等が好適に利用できる。パラジウムの塩としては、例えば塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラジウムなどを挙げることができる。パラジウムの有機物錯体としては、例えばパラジウムアセチルアセトン錯体、シアン化パラジウム、パラジウム−ポルフィリン錯体などを挙げることができる。パラジウムイオン含有溶液中には、上記パラジウムの塩またはパラジウムの有機物錯体を1〜300mMの範囲内で含有することが好ましく、5〜100mMの範囲内で含有することがより好ましい。パラジウム化合物の濃度が1mM未満では、パラジウムイオンをポリイミド改質層中のフリーのカルボキシル基に吸着させるのに時間がかかり過ぎるので好ましくなく、300mM超では、経済的に高価になりすぎるので好ましくない。   The palladium ion-containing solution can be prepared by dissolving a palladium salt or an organic complex in a polar solvent. As the polar solvent, for example, water, methanol, ethanol, propanol, isopropanol, acetone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide and the like can be suitably used. Examples of the palladium salt include palladium chloride, palladium bromide, palladium iodide and the like. Examples of the palladium organic complex include palladium acetylacetone complex, palladium cyanide, palladium-porphyrin complex, and the like. The palladium ion-containing solution preferably contains the palladium salt or palladium organic complex within a range of 1 to 300 mM, and more preferably within a range of 5 to 100 mM. If the concentration of the palladium compound is less than 1 mM, it is not preferable because it takes too much time to adsorb the palladium ions to the free carboxyl group in the polyimide-modified layer, and if it exceeds 300 mM, it is not preferable because it becomes too expensive.

パラジウムイオン含有溶液は、パラジウムの塩またはパラジウムの有機物錯体のほかに、例えばアンモニアや緩衝液などのpH調整を目的とする成分を含有することができる。   The palladium ion-containing solution can contain, in addition to the palladium salt or the palladium organic compound complex, components for the purpose of pH adjustment such as ammonia and a buffer solution.

カルボキシル基のパラジウム塩は、パラジウムイオン含有溶液をポリイミド改質層に含浸させることによって生成させることが可能である。含浸方法は、前記ポリイミド改質層面にパラジウムイオン含有溶液を接触させ得る方法であれば、特に限定されず、公知の方法を利用することができる。例えば、浸漬法、スプレー法、刷毛塗りあるいは印刷法等を用いることができる。温度は0〜100℃、好ましくは20〜40℃付近の常温でよい。また、含浸時間は、浸漬法を適用する場合、例えば1分〜5時間が好ましく、5分〜2時間がより好ましい。浸漬時間が1分より短い場合には、ポリイミド改質層におけるフリーのカルボキシル基へのパラジウムイオンの吸着が不十分となり、後の無電解めっきが困難となる。一方、浸漬時間が5時間を越えても問題はないが、パラジウムイオンのフリーのカルボキシル基への吸着の程度は、ほぼ横ばいになっていく傾向になる。   The palladium salt of a carboxyl group can be produced by impregnating a polyimide-modified layer with a palladium ion-containing solution. The impregnation method is not particularly limited as long as it is a method capable of bringing a palladium ion-containing solution into contact with the polyimide modified layer surface, and a known method can be used. For example, a dipping method, a spray method, a brush coating method or a printing method can be used. The temperature may be 0 to 100 ° C., preferably about 20 to 40 ° C. The impregnation time is preferably 1 minute to 5 hours, for example, and more preferably 5 minutes to 2 hours, when applying the dipping method. When the immersion time is shorter than 1 minute, the adsorption of palladium ions to free carboxyl groups in the polyimide modified layer becomes insufficient, and subsequent electroless plating becomes difficult. On the other hand, there is no problem if the immersion time exceeds 5 hours, but the degree of adsorption of palladium ions on free carboxyl groups tends to be almost flat.

パラジウムイオン含有溶液を含浸させた後は、ポリイミド改質層を乾燥する。乾燥方法は、特に限定されず、自然乾燥、エアガンによる吹きつけ乾燥、あるいはオーブンによる乾燥等を用いることができる。乾燥条件は、10〜150℃で5秒〜60分間、好ましくは25〜150℃で10秒〜30分間、更に好ましくは30〜120℃で、1分〜10分間である。   After impregnating the palladium ion-containing solution, the polyimide modified layer is dried. The drying method is not particularly limited, and natural drying, spray drying with an air gun, oven drying, or the like can be used. Drying conditions are 10 to 150 ° C. for 5 seconds to 60 minutes, preferably 25 to 150 ° C. for 10 seconds to 30 minutes, and more preferably 30 to 120 ° C. for 1 minute to 10 minutes.

工程d):
この工程では、パラジウム塩を還元して、ポリイミド改質層の表層部に金属パラジウムを析出させる。
Step d):
In this step, the palladium salt is reduced to deposit metal palladium on the surface layer portion of the polyimide modified layer.

還元の方法は、例えば、湿式還元法や水素還元法を利用することができる。特に、湿式還元法は、還元剤を含有する溶液(還元剤溶液)中に浸漬して金属イオンを還元する方法であり、水素還元法に比べて大掛かりな装置を使用する必要がないため、好適に用いられる。   As a reduction method, for example, a wet reduction method or a hydrogen reduction method can be used. In particular, the wet reduction method is a method of reducing metal ions by dipping in a solution containing a reducing agent (reducing agent solution), and it is not necessary to use a large-scale apparatus compared to the hydrogen reduction method. Used for.

還元剤としては、例えば、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム、ジメチルアミンボラン等のホウ素化合物が好ましい。ここで、ポリイミド改質層中にナトリウムやカリウム等のアルカリ金属が混入すると、回路配線を形成した後に、マイグレーション現象が生じる懸念があるため、アルカリ金属を含まないジメチルアミンボランを使用することが好ましい。水素化ホウ素ナトリウム等のアルカリ金属を含むホウ素化合物も使用可能であるが、アルカリ金属を除去する工程を加えることがよい。アルカリ金属を除去する工程については、後述する。前記ホウ素化合物は、例えば水、次亜燐酸ナトリウム、ホルマリン、ヒドラジン類等の溶液(還元剤溶液)にして用いることができる。還元剤溶液中のホウ素化合物の濃度は、例えば0.005〜0.5mol/Lの範囲内が好ましく、0.01〜0.1mol/Lの範囲内がより好ましい。還元剤溶液中のホウ素化合物の濃度が0.005mol/L未満では、ポリイミド改質層中に含まれるパラジウムイオンの還元が不十分になることがあり、0.5mol/Lを超えるとホウ素化合物の作用で、ポリイミド改質層が溶解してしまうことがある。   As the reducing agent, for example, boron compounds such as sodium borohydride, potassium borohydride, dimethylamine borane and the like are preferable. Here, when alkali metal such as sodium or potassium is mixed in the polyimide modified layer, there is a concern that a migration phenomenon may occur after the circuit wiring is formed. Therefore, it is preferable to use dimethylamine borane not containing alkali metal. . A boron compound containing an alkali metal such as sodium borohydride can also be used, but it is preferable to add a step of removing the alkali metal. The step of removing the alkali metal will be described later. The boron compound can be used as a solution (reducing agent solution) of water, sodium hypophosphite, formalin, hydrazine, and the like. The concentration of the boron compound in the reducing agent solution is preferably in the range of 0.005 to 0.5 mol / L, for example, and more preferably in the range of 0.01 to 0.1 mol / L. If the concentration of the boron compound in the reducing agent solution is less than 0.005 mol / L, the reduction of palladium ions contained in the polyimide modified layer may be insufficient, and if it exceeds 0.5 mol / L, The polyimide modified layer may be dissolved by the action.

また、湿式還元処理では、ポリイミド改質層を、10〜90℃の範囲内、好ましくは50〜70℃の範囲内の還元剤溶液中に、例えば20秒〜30分、好ましくは30秒〜10分、更に好ましくは1分〜5分の時間で浸漬する。   In the wet reduction treatment, the polyimide-modified layer is placed in a reducing agent solution in the range of 10 to 90 ° C., preferably in the range of 50 to 70 ° C., for example, for 20 seconds to 30 minutes, preferably 30 seconds to 10 seconds. Soak for a period of 1 minute to 5 minutes.

湿式還元法でパラジウムイオンを還元する場合、還元剤溶液が接触するポリイミド改質層表面からパラジウムイオンの還元が起こり、パラジウムの金属が析出していくが、一方で、パラジウムは還元速度が非常に速いため、ポリイミド改質層の表層部のみならずポリイミド改質層の内部でも、浸透した還元剤溶液によってパラジウムイオンの還元が起こり、金属パラジウムが析出する。このように析出した金属パラジウムが触媒となって、後の工程e)でポリイミド改質層の内部にもめっき金属を析出させることが可能となる。これにより、めっき金属がポリイミド改質層中に存在するシランカップリング剤と接触し、シランカップリング剤のシラノール構造とめっき金属とが、強固なメタロシロキサン結合(M−O−Si)を形成する。このようにして、ポリイミド樹脂層と導体層との高い接着強度を発現でき、特に加熱後においてもその高い接着強度を保持することが可能となる。   When palladium ions are reduced by the wet reduction method, palladium ions are reduced from the surface of the polyimide modified layer in contact with the reducing agent solution, and palladium metal is deposited. On the other hand, palladium has a very high reduction rate. Since it is fast, palladium ions are reduced by the permeated reducing agent solution not only in the surface layer portion of the polyimide modified layer but also inside the polyimide modified layer, and metallic palladium is deposited. The metal palladium thus precipitated serves as a catalyst, and it becomes possible to deposit the plating metal in the polyimide modified layer in the subsequent step e). Thereby, the plating metal comes into contact with the silane coupling agent present in the polyimide-modified layer, and the silanol structure of the silane coupling agent and the plating metal form a strong metallosiloxane bond (M—O—Si). . In this manner, a high adhesive strength between the polyimide resin layer and the conductor layer can be exhibited, and the high adhesive strength can be maintained even after heating.

工程e):
この工程では、金属パラジウムを触媒として、無電解めっきによりめっき金属を析出させる。
Step e):
In this step, the plating metal is deposited by electroless plating using metal palladium as a catalyst.

無電解めっきは、パラジウムの金属が析出したポリイミド改質層を無電解めっき液に浸漬することによって行われる(無電解めっき工程)。この無電解めっきにより、無電解めっき層が形成される。この無電解めっきによって形成される金属皮膜の膜厚は、適宜設定されるが、通常20nm〜5μmである。また、無電解めっき皮膜上に、電気めっきにより更に電気めっき皮膜を形成することも可能である。   Electroless plating is performed by immersing the polyimide-modified layer on which palladium metal is deposited in an electroless plating solution (electroless plating step). By this electroless plating, an electroless plating layer is formed. The film thickness of the metal film formed by this electroless plating is appropriately set, but is usually 20 nm to 5 μm. Further, it is possible to further form an electroplating film on the electroless plating film by electroplating.

無電解めっき工程で用いる無電解めっき液としては、ポリイミド改質層への影響を考慮して、中性〜弱酸性の次亜燐酸系のニッケルめっき液や、ホウ素系のニッケルめっき液および弱アルカリ性のニッケル−銅合金系のニッケルめっき液を選択することが好ましい。次亜燐酸系のニッケルめっき液の市販品として、例えば、トップニコロン(商品名;奥野製薬工業株式会社製)、ニムデンKTYVer.3(商品名;上村工業株式会社製)を挙げることができる。また、ホウ素系のニッケルめっき液の市販品として、例えばトップケミアロイB−1(商品名;奥野製薬工業株式会社製)、トップケミアロイ66(商品名;奥野製薬工業株式会社製)を挙げることができる。さらに、ニッケル−銅合金系のニッケルメッキ液の市販品として、PFPカッパーFF(商品名;奥野製薬工業株式会社製)を挙げることができる。また、無電解めっき液のpHは4〜9の弱酸性〜弱アルカリ性に調整することが好ましい。この場合、例えば硫酸、塩酸、硝酸、ホウ酸、炭酸等の無機酸、酢酸、グリコール酸、クエン酸、酒石酸等の有機酸、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、アンモニア等の無機塩基、エチレンジアミン、トリエチルアミン、ピリジン等の有機塩基を組み合わせてpHを調整する。更に、例えば、ホウ酸、炭酸、酢酸、クエン酸等の弱酸と、これらのアルカリ塩を組み合わせて緩衝作用を持たせてもよい。無電解めっき処理の温度は、例えば40〜95℃の範囲内とすることができ、好ましくは45〜90℃の範囲内である。また、無電解めっき工程の処理温度は、5秒〜30分とすることができ、好ましくは10秒〜20分、より好ましくは20秒〜10分である。また、回路配線を形成した後の耐マイグレーションを考慮して、無電解めっき皮膜は回路配線のシード層とすることが好ましく、無電解めっきにより析出する金属は、ニッケル又はニッケルを主成分とする合金であることが好ましい。   The electroless plating solution used in the electroless plating process is a neutral to weakly acidic hypophosphite-based nickel plating solution, boron-based nickel plating solution and weakly alkaline in consideration of the influence on the polyimide modified layer. It is preferable to select a nickel-copper alloy-based nickel plating solution. Commercially available products of hypophosphorous acid nickel plating solutions include, for example, Top Nicolon (trade name; manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.), Nimden KTYVer. 3 (trade name; manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.). Examples of commercially available boron-based nickel plating solutions include Top Chemialoy B-1 (trade name; manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) and Top Chemialoy 66 (trade name; manufactured by Okuno Pharmaceutical Industries, Ltd.). Can do. Furthermore, PFP copper FF (trade name; manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) can be mentioned as a commercial product of nickel-copper alloy-based nickel plating solution. The pH of the electroless plating solution is preferably adjusted to 4-9 weak acidity to weak alkalinity. In this case, for example, inorganic acids such as sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, boric acid and carbonic acid, organic acids such as acetic acid, glycolic acid, citric acid and tartaric acid, inorganic bases such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, calcium hydroxide and ammonia PH is adjusted by combining organic bases such as ethylenediamine, triethylamine and pyridine. Further, for example, a weak acid such as boric acid, carbonic acid, acetic acid, and citric acid and an alkali salt thereof may be combined to provide a buffering action. The temperature of the electroless plating treatment can be, for example, in the range of 40 to 95 ° C, and preferably in the range of 45 to 90 ° C. The treatment temperature in the electroless plating step can be 5 seconds to 30 minutes, preferably 10 seconds to 20 minutes, and more preferably 20 seconds to 10 minutes. In consideration of migration resistance after circuit wiring is formed, the electroless plating film is preferably a seed layer for circuit wiring, and the metal deposited by electroless plating is nickel or an alloy containing nickel as a main component. It is preferable that

以上の工程a)から工程e)までの間に、ポリイミド樹脂基板の表層部で生じる化学変化を図2に模式的に示した。図2中、符号1はポリイミド樹脂基板、符号2はポリイミド改質層を意味する。   FIG. 2 schematically shows chemical changes that occur in the surface layer portion of the polyimide resin substrate between the above steps a) to e). In FIG. 2, reference numeral 1 denotes a polyimide resin substrate, and reference numeral 2 denotes a polyimide modified layer.

工程f):
この工程では、ポリイミド改質層におけるカルボキシル基を熱処理によってイミド環に閉環する。
Step f):
In this step, the carboxyl group in the polyimide modified layer is closed to the imide ring by heat treatment.

イミド化の方法は、特に制限されず、例えば、80〜400℃の温度条件で1〜60分間加熱するといった熱処理が好適に採用される。還元又はめっきにより形成した金属層の酸化を抑制するため、低酸素雰囲気下での熱処理が好ましく、具体的には、窒素又は希ガスなどの不活性ガス雰囲気下、水素などの還元ガス雰囲気下、あるいは真空中で行うことが好ましい。また、工程f)は、工程e)の前に行った場合、熱処理の影響で、工程d)で形成した金属パラジウムの分散状態が変化し、工程e)における無電解めっきが著しく困難になり、析出する無電解めっき被膜が不均一になることがある。また、工程f)を工程e)の前に行うと、シランカップリング剤自体のシラノール基の縮合が生じ、無電解めっきにより形成されるめっき金属とシラノール基との結合形成が困難となり、接着性が著しく低下する傾向があるので、工程f)は工程e)の後に行うことが好ましい。   The imidization method is not particularly limited, and for example, heat treatment such as heating for 1 to 60 minutes under a temperature condition of 80 to 400 ° C. is suitably employed. In order to suppress oxidation of the metal layer formed by reduction or plating, heat treatment in a low oxygen atmosphere is preferable, specifically, in an inert gas atmosphere such as nitrogen or a rare gas, in a reducing gas atmosphere such as hydrogen, Or it is preferable to carry out in a vacuum. In addition, when the step f) is performed before the step e), the dispersion state of the metal palladium formed in the step d) is changed due to the influence of the heat treatment, and the electroless plating in the step e) becomes extremely difficult. The deposited electroless plating film may become non-uniform. Further, if step f) is carried out before step e), condensation of silanol groups of the silane coupling agent itself occurs, making it difficult to form a bond between the plated metal formed by electroless plating and the silanol groups, and adhesion Step f) is preferably performed after step e).

<電気めっき>
次に、無電解めっき層を核として電気めっきを施し、電気めっき層を形成することが好ましい(電気めっき工程)。電気めっきにより、無電解めっき層を覆うように電気めっき層が形成される。電気めっきは、公知の方法が適用できるが、例えば硫酸、硫酸銅、塩酸および光沢剤[例えば、市販品として日本マクダーミット製のマキュスペック(商品名)や奥野製薬工業社製のトップルチナSF(商品名)等]を含有する組成のめっき液中で、無電解めっき層を陰極とし、Cu等の金属を陽極として実施する。電気めっきにおける電流密度は、例えば0.2〜3.5A/dmの範囲内とすることが好ましい。なお、電気めっきの陽極としては、例えばCu以外にNi、Co等の金属を用いることができる。また、めっき液には必要に応じて塩化ナトリウム等の塩化物を添加することもできる。
<Electroplating>
Next, it is preferable to perform electroplating using the electroless plating layer as a core to form an electroplating layer (electroplating step). An electroplating layer is formed by electroplating so as to cover the electroless plating layer. For electroplating, a known method can be applied. For example, sulfuric acid, copper sulfate, hydrochloric acid, and brightener [for example, commercially available products such as McCuspec (trade name) manufactured by Nihon McDermitt and Top Lucina SF (trade name) manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd. ) Etc.] in the plating solution having the composition containing the electroless plating layer as a cathode and a metal such as Cu as the anode. Current density in electroplating, for example, is preferably in the range of 0.2~3.5A / dm 2. As the anode for electroplating, for example, metals such as Ni and Co can be used in addition to Cu. Moreover, chlorides, such as sodium chloride, can also be added to a plating solution as needed.

以上のようにして、絶縁樹脂層の表面に導体層が形成された積層体を製造することができる。この積層体は、例えば硬質プリント基板、フレキシブルプリント基板、TAB(Tape Automated Bonding)材料やCSP(Chip Size Package)材料、COG(Chip on Glass)材料などの用途に好適に使用できる。本発明によって得られる積層体から、このような回路配線基板を製造するためには、公知の手順に従えばよく、特に制限はないが、加工方法としては、例えば積層体をエッチングにより所定の形状に加工して、回路配線基板を製造する方法が挙げられる。   As described above, a laminate in which a conductor layer is formed on the surface of the insulating resin layer can be manufactured. This laminated body can be suitably used for applications such as a hard printed board, a flexible printed board, a TAB (Tape Automated Bonding) material, a CSP (Chip Size Package) material, and a COG (Chip on Glass) material. In order to manufacture such a circuit wiring board from the laminate obtained by the present invention, a known procedure may be followed, and there is no particular limitation. As a processing method, for example, the laminate is etched into a predetermined shape. And a method of manufacturing a circuit wiring board.

工程g):
回路配線基板を形成する場合、工程a)〜f)に加えて、ポリイミド改質層の表面にマスクパターンを形成し、該ポリイミド改質層を選択的に露出させる工程、を備えることが好ましい。
Step g):
In the case of forming a circuit wiring board, it is preferable to include a step of forming a mask pattern on the surface of the polyimide modified layer and selectively exposing the polyimide modified layer in addition to steps a) to f).

レジストパターンの形成には、公知の方法が適用でき、特に限定されない。例えば、感光性レジストを、ポリイミド改質層の表面にラミネート又は塗布して、レジスト層を形成した後、露光、現像、硬化し、レジストパターンを形成するフォトリソグラフィー技術を利用することができる。   A known method can be applied to the formation of the resist pattern, and is not particularly limited. For example, it is possible to use a photolithography technique in which a photosensitive resist is laminated or coated on the surface of a polyimide modified layer to form a resist layer, and then exposed, developed, and cured to form a resist pattern.

工程g)は、工程c)の前に行うことが好ましく、工程c)の前であれば、工程a)又は工程b)のいずれかの工程の後に行うことができる。特に、工程g)を工程b)の後に備えることがより好ましく、このような工程順にすれば、レジスト層で被覆されていない部分に選択的にカルボキシル基のパラジウム塩を生成させることができる。その結果、無電解めっき皮膜も選択的に形成でき、無電解めっき皮膜を回路配線のシード層とする場合には、最終的にシード層を除去するためのフラッシュエッチング工程が不要となり、工程数の削減と、回路配線基板の信頼性の向上を図ることが可能である。   Step g) is preferably performed before step c), and can be performed after either step a) or step b) as long as it is before step c). In particular, it is more preferable that step g) is provided after step b). If such a step order is adopted, a palladium salt of a carboxyl group can be selectively generated in a portion not covered with the resist layer. As a result, an electroless plating film can also be selectively formed. When the electroless plating film is used as a seed layer for circuit wiring, a flash etching process for finally removing the seed layer is unnecessary, and the number of processes is reduced. It is possible to reduce and improve the reliability of the circuit wiring board.

回路配線を形成した後は、不要となったレジスト層を剥離する。レジスト層を剥離する方法は問われないが、例えば1〜4重量%濃度の水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液などのアルカリ溶液に浸漬する方法などが好ましい。なお、イミド化後にレジスト層の剥離を行うと、レジスト剥離用のアルカリ溶液等の作用によって、ポリイミド樹脂に変質などの悪影響を与えるおそれがあるため、レジスト層の剥離は、ポリイミド改質層のイミド化よりも前に行うことが好ましい。また、この際に、アルカリ溶液の作用によるポリイミド改質層の変質を抑制するため、アルカリ溶液の濃度は4重量%以下にすることが好ましい。ただし、レジスト層を回路配線の回路間絶縁層の一部とする場合には、レジスト層の剥離は必要としないので、この限りではない。   After the circuit wiring is formed, the resist layer that has become unnecessary is peeled off. Although the method of peeling a resist layer is not ask | required, For example, the method of immersing in alkaline solutions, such as 1 to 4 weight% concentration sodium hydroxide aqueous solution and potassium hydroxide aqueous solution, etc. are preferable. Note that if the resist layer is peeled after imidization, the resist layer may be affected by the alkaline solution for removing the resist, and the polyimide resin may be adversely affected. It is preferable to carry out before the conversion. At this time, the concentration of the alkaline solution is preferably 4% by weight or less in order to suppress the alteration of the polyimide modified layer due to the action of the alkaline solution. However, in the case where the resist layer is used as a part of the inter-circuit insulating layer of the circuit wiring, the resist layer is not required to be peeled off.

<金属イオンの除去>
ここで、ポリイミド改質層中の金属イオンの除去について説明する。湿式還元処理において、例えば、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム等のアルカリ金属塩を使用した場合、又はレジスト層の剥離において、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属の水酸化物を使用した場合、前記金属塩由来の金属イオンがポリイミド改質層中に存在する場合があるので、これを除去することが好ましい。金属イオンの除去は、酸の水溶液に浸漬して行うことがよく、その際に適用可能な酸は、ポリイミド改質層のカルボキシル基と配位結合している金属イオンを解離させるため、ポリアミド酸よりも強い酸(酸解離定数pKaが3.5以下)を選択することが好ましく、更には、還元によって析出した金属を溶解しない酸を選択することが好ましい。このような酸の具体例としては、例えばクエン酸(pKa=2.87)、シュウ酸(pKa=1.04)等が挙げられる。なお、塩酸、硝酸、硫酸などの強い酸はパラジウムの金属又は無電解めっき金属を溶解する恐れがあり、また酢酸(pKa=4.56)は酸の強度が低く、金属イオンの除去が困難となるので好ましくない。金属イオンを除去するための浸漬処理の条件として、濃度が1〜15重量%の範囲内、好ましくは5〜10重量%の範囲内で、温度20〜50℃の範囲内の酸性水溶液に、2〜10分間の範囲内で浸漬させることが好ましい。このような酸処理を行うことで、還元終了後又はレジスト層剥離後において、ポリイミド改質層中に残留する金属イオンも同時に除去することができる。なお、金属イオンを除去する方法は、例えば、「第17回マイクロエレクトロニクスシンポジウム予稿集」、2007年9月、179頁〜182頁にも開示されている。
<Removal of metal ions>
Here, the removal of metal ions in the polyimide modified layer will be described. In the wet reduction process, for example, when alkali metal salts such as sodium borohydride and potassium borohydride are used, or when removing the resist layer, alkali metal hydroxides such as sodium hydroxide and potassium hydroxide are used. In this case, metal ions derived from the metal salt may be present in the polyimide modified layer, and it is preferable to remove them. The removal of metal ions is preferably performed by immersing in an aqueous solution of acid, and the applicable acid is a polyamic acid because it dissociates metal ions coordinated with the carboxyl groups of the polyimide-modified layer. It is preferable to select a stronger acid (acid dissociation constant pKa of 3.5 or less), and it is more preferable to select an acid that does not dissolve the metal deposited by reduction. Specific examples of such acids include citric acid (pKa = 2.87), oxalic acid (pKa = 1.04), and the like. Note that strong acids such as hydrochloric acid, nitric acid, and sulfuric acid may dissolve the palladium metal or electroless plating metal, and acetic acid (pKa = 4.56) has low acid strength, making it difficult to remove metal ions. This is not preferable. The conditions of the immersion treatment for removing metal ions are as follows. The concentration is within the range of 1 to 15% by weight, preferably within the range of 5 to 10% by weight, and within the range of the temperature of 20 to 50 ° C. It is preferable to immerse within a range of 10 minutes. By performing such an acid treatment, metal ions remaining in the polyimide modified layer can be simultaneously removed after the reduction is completed or after the resist layer is peeled off. The method for removing metal ions is also disclosed in, for example, “17th Microelectronics Symposium Proceedings”, September 2007, pages 179-182.

以下、本発明を実施例により具体例を説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。なお、本発明の実施例において特にことわりない限り各種測定、評価は下記によるものである。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention based on an Example, this invention is not limited at all by these Examples. In the examples of the present invention, unless otherwise specified, various measurements and evaluations are as follows.

[接着強度の測定]
接着強度の測定は、ポリイミド樹脂上に導体層を形成した後、プレス機を用いて幅5mmの短冊状に切断し、東洋精機社製STROGRAPH V1を用いて、銅箔を180°方向に引き剥がし測定した。接着強度の評価は、150℃で168時間、大気雰囲気下で加熱処理した後のポリイミド樹脂層と導体層の接着強度が0.5kN/m以上であるものを合格とした。また、加熱処理前に対する加熱処理後の接着強度の保持率が80%以上であるものを「優れる」と評価し、85%以上であるものを「特に優れる」と評価した。
[Measurement of adhesive strength]
To measure the adhesive strength, after forming a conductor layer on a polyimide resin, cut it into a strip with a width of 5 mm using a press machine, and peel off the copper foil in a 180 ° direction using STROGRAPH V1 manufactured by Toyo Seiki Co., Ltd. It was measured. The adhesive strength was evaluated as acceptable if the adhesive strength between the polyimide resin layer and the conductor layer after heat treatment at 150 ° C. for 168 hours in air was 0.5 kN / m or more. Moreover, the thing with 80% or more of the adhesive strength retention after the heat treatment before the heat treatment was evaluated as “excellent” and the one with 85% or more was evaluated as “particularly excellent”.

[ポリイミド処理層の厚みの測定]
ポリイミド処理層の厚みの測定は、走査型透過電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ社製)を用いてサンプルの断面を観察することで行った。
[Measurement of thickness of polyimide treatment layer]
The thickness of the polyimide treatment layer was measured by observing a cross section of the sample using a scanning transmission electron microscope (manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation).

[ポリイミド改質層中に含有する未反応のカルボキシル基の測定及び割合の算出]
ポリイミド改質層中に含有する未反応のカルボシル基の測定は、シランカップリング剤の処理を施した後のポリイミド改質層を準備し、1重量%濃度の塩酸水溶液(25℃)で5分間洗浄し、ポリイミド改質層をウルトラミクロトームで切り取ったのち、IRスペクトルをATR法により測定し、カルボキシル基に由来するカルボニル基の吸収(1703cm−1)の強度(S1)と、ベンゼン環に由来する1496cm−1の吸収の強度(S2)を読み取った後、S1をS2で除して値Xを求めた。
[Measurement of unreacted carboxyl group contained in polyimide modified layer and calculation of ratio]
The unreacted carbosyl group contained in the polyimide modified layer is measured by preparing a polyimide modified layer after the treatment with the silane coupling agent, and using a 1% by weight hydrochloric acid aqueous solution (25 ° C.) for 5 minutes. After washing and cutting the polyimide modified layer with an ultramicrotome, the IR spectrum is measured by the ATR method, and the strength (S1) of the absorption (1703 cm −1 ) of the carbonyl group derived from the carboxyl group is derived from the benzene ring. After reading the absorption intensity (S2) at 1496 cm −1 , the value X was determined by dividing S1 by S2.

次に、シランカップリング剤の処理を施す前のポリイミド改質層を準備し、1重量%濃度の塩酸水溶液(25℃)で5分間洗浄し、ウルトラミクロトームで切り取ったのち、当該層のIRスペクトルをATR法により測定し、カルボキシル基に由来するカルボニル基の吸収(1703cm−1)の強度(P1)と、1496cm−1での吸収の強度(P2)を読み取った後、P1をP2で除して値Yを求めた。値Xを値Yで除すことで、シランカップリング剤の処理を施した後のポリイミド改質層における未反応のカルボキシル基の割合を百分率で求めた。 Next, a polyimide-modified layer before the treatment with the silane coupling agent is prepared, washed with a 1% by weight hydrochloric acid aqueous solution (25 ° C.) for 5 minutes, cut with an ultramicrotome, and then the IR spectrum of the layer. Was measured by the ATR method, and after reading the intensity (P1) of absorption (1703 cm −1 ) of the carbonyl group derived from the carboxyl group and the intensity of absorption (P2) at 1496 cm −1 , P1 was divided by P2. The value Y was obtained. By dividing the value X by the value Y, the ratio of unreacted carboxyl groups in the polyimide modified layer after the treatment with the silane coupling agent was obtained as a percentage.

次に、以下の実施例に基づいて、本発明を具体的に説明する。本発明はこれに限定されないことは勿論である。   Next, the present invention will be specifically described based on the following examples. Of course, the present invention is not limited to this.

実施例1
0.5規定の水酸化カリウム水溶液の中に、ポリイミドフィルム(東レ・デュポン社製、カプトンEN;厚さ25μm)を50℃、45秒間浸漬した後、浸漬したポリイミドフィルムをイオン交換水で充分洗浄し、表面改質ポリイミドフィルムA1を作製した。このときのポリイミド改質層の厚みは10nmであった。フィルムA1におけるポリイミド改質層の赤外吸収スペクトルを測定したところ、カルボキシル基のカリウム塩に由来する1580cm−1及び1406cm−1の吸収が確認された。次に、フィルムA1を1重量%濃度の3−アミノプロピルトリメトキシシラン(γ−APS)水溶液(25℃)に1分間浸漬した後、イオン交換水へ1分間浸漬し、圧縮空気を吹き付けて乾燥し、さらに120℃で5分間熱処理して表面改質ポリイミドフィルムB1を作製した。フィルムB1におけるポリイミド改質層の赤外吸収スペクトルを測定したところ、シロキサン構造に由来する1050cm−1の吸収が確認された。また、未反応のカルボキシル基の割合は、16.3%(シランカップリング剤と結合したカルボキシル基の割合は83.7%)であった。フィルムB1を、10mM濃度の酢酸パラジウムと60mM濃度のアンモニアを混合した水溶液(25℃)に60分間浸漬した後、圧縮空気を吹き付けて乾燥し、表面改質ポリイミドフィルムC1を作製した。フィルムC1を、50mM濃度のジメチルアミンボラン水溶液(30℃)へ5分間浸漬し、さらに無電解ニッケルめっき(ニッケル−リン合金系)水溶液(90℃)へ20秒間浸漬したのち圧縮空気を吹き付けて乾燥し、ニッケルめっきを施した表面改質ポリイミドフィルム1を作製した。続いて、フィルム1を真空下、300℃で10分間加熱処理したのち、電解銅めっきを行うことで積層体1を作製した。銅層の厚みは15μmであり、ポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は0.8kN/mであった。
Example 1
A polyimide film (manufactured by Toray DuPont, Kapton EN; thickness 25 μm) is immersed in a 0.5 N aqueous potassium hydroxide solution at 50 ° C. for 45 seconds, and then the immersed polyimide film is sufficiently washed with ion-exchanged water. Thus, a surface-modified polyimide film A1 was produced. The thickness of the polyimide modified layer at this time was 10 nm. It was measured infrared absorption spectrum of the polyimide modified layer in the film A1, absorption of 1580 cm -1 and 1406cm -1 derived from the potassium salt of a carboxyl group was confirmed. Next, after immersing the film A1 in a 1% by weight aqueous 3-aminopropyltrimethoxysilane (γ-APS) solution (25 ° C.) for 1 minute, the film A1 is immersed in ion-exchanged water for 1 minute, and dried by blowing compressed air. Further, the surface-modified polyimide film B1 was produced by heat treatment at 120 ° C. for 5 minutes. When the infrared absorption spectrum of the polyimide modified layer in film B1 was measured, the absorption of 1050 cm −1 derived from the siloxane structure was confirmed. The proportion of unreacted carboxyl groups was 16.3% (the proportion of carboxyl groups bonded to the silane coupling agent was 83.7%). The film B1 was immersed in an aqueous solution (25 ° C.) mixed with 10 mM palladium acetate and 60 mM ammonia for 60 minutes, and then dried by spraying compressed air to produce a surface-modified polyimide film C1. The film C1 is immersed in a 50 mM dimethylamine borane aqueous solution (30 ° C.) for 5 minutes, further immersed in an electroless nickel plating (nickel-phosphorus alloy) aqueous solution (90 ° C.) for 20 seconds, and then dried by spraying compressed air. Then, a surface-modified polyimide film 1 subjected to nickel plating was produced. Then, after heat-processing the film 1 for 10 minutes at 300 degreeC under vacuum, the laminated body 1 was produced by performing electrolytic copper plating. The thickness of the copper layer was 15 μm, and the adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer was 0.8 kN / m.

次に、積層体1を、150℃で168時間、大気雰囲気下で加熱処理した。加熱処理後のポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は0.75kN/mであった。加熱処理前に対する加熱処理後の接着強度の保持率は93.8%であった。   Next, the laminated body 1 was heat-treated at 150 ° C. for 168 hours in an air atmosphere. The adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer after the heat treatment was 0.75 kN / m. The retention rate of the adhesive strength after the heat treatment with respect to that before the heat treatment was 93.8%.

実施例2〜11
ポリイミドフィルムを表1に示す条件で実施例1と同様に水酸化カリウム水溶液で処理した後、実施例1と同様にして、積層体2〜11を作製した。各積層体におけるポリイミド樹脂層と金属層の接着強度を測定した。結果をまとめて表1に示す。
Examples 2-11
After the polyimide film was treated with an aqueous potassium hydroxide solution in the same manner as in Example 1 under the conditions shown in Table 1, laminates 2 to 11 were produced in the same manner as in Example 1. The adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer in each laminate was measured. The results are summarized in Table 1.

Figure 0005129111
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実施例12
実施例1における0.5規定の水酸化カリウム水溶液(50℃)の45秒間浸漬の代わりに、0.5規定の水酸化カリウム水溶液(50℃)の10秒間浸漬を行った以外は、実施例1と同様にして、表面改質ポリイミドフィルムA12及びB12を作製した。フィルムA12におけるポリイミド改質層の厚みは2nmであり、未反応のカルボキシル基の割合は、16.0%(シランカップリング剤と結合したカルボキシル基の割合は84.0%)であった。フィルムB12を、実施例1と同様にして、酢酸パラジウム及びアンモニアで処理し、表面改質ポリイミドフィルムC12を作製した後、ジメチルアミンボラン処理を行った。フィルムB12にこの一連の処理を2回繰り返した後、実施例1と同様にして、無電解ニッケルめっき及び電解銅めっきを行って、表面改質ポリイミドフィルム12及び積層体12を作製した。ポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は0.69kN/mであった。
Example 12
Example of Example 1 except that a 0.5 N aqueous potassium hydroxide solution (50 ° C.) was immersed for 10 seconds instead of a 0.5 N aqueous potassium hydroxide solution (50 ° C.) for 45 seconds in Example 1. In the same manner as in Example 1, surface-modified polyimide films A12 and B12 were produced. The thickness of the polyimide-modified layer in film A12 was 2 nm, and the ratio of unreacted carboxyl groups was 16.0% (the ratio of carboxyl groups bonded to the silane coupling agent was 84.0%). The film B12 was treated with palladium acetate and ammonia in the same manner as in Example 1 to produce a surface-modified polyimide film C12, and then treated with dimethylamine borane. After repeating this series of treatments twice on film B12, electroless nickel plating and electrolytic copper plating were performed in the same manner as in Example 1 to produce surface-modified polyimide film 12 and laminate 12. The adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer was 0.69 kN / m.

次に、積層体12を、150℃で168時間、大気雰囲気下で加熱処理した。加熱処理後のポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は0.52kN/mであった。加熱処理前に対する加熱処理後の接着強度の保持率は75.4%であった。   Next, the laminate 12 was heat-treated at 150 ° C. for 168 hours in an air atmosphere. The adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer after the heat treatment was 0.52 kN / m. The retention rate of the adhesive strength after the heat treatment with respect to that before the heat treatment was 75.4%.

実施例13
実施例1におけるγ−APS水溶液に浸漬した後のイオン交換水への浸漬を行わなかったこと以外は、実施例1と同様にして、表面改質ポリイミドフィルムA13及びB13を作製した。フィルムB13のポリイミド改質層における未反応のカルボキシル基の割合は、8.5%(シランカップリング剤と結合したカルボキシル基の割合は91.5%)であった。フィルムB13を、実施例1と同様にして、酢酸パラジウム及びアンモニアで処理し、表面改質ポリイミドフィルムC13を作製した後、ジメチルアミンボラン処理を行った。フィルムB13にこの一連の処理を3回繰り返した後、実施例1と同様にして、無電解ニッケルめっき及び電解銅めっきを行って、表面改質ポリイミドフィルム13及び積層体13を作製した。ポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は0.76kN/mであった。
Example 13
Surface-modified polyimide films A13 and B13 were produced in the same manner as in Example 1 except that the immersion in ion exchange water after immersion in the γ-APS aqueous solution in Example 1 was not performed. The ratio of unreacted carboxyl groups in the polyimide-modified layer of film B13 was 8.5% (the ratio of carboxyl groups bonded to the silane coupling agent was 91.5%). The film B13 was treated with palladium acetate and ammonia in the same manner as in Example 1 to produce a surface-modified polyimide film C13, and then treated with dimethylamine borane. After repeating this series of treatments for film B13 three times, electroless nickel plating and electrolytic copper plating were performed in the same manner as in Example 1 to produce surface-modified polyimide film 13 and laminate 13. The adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer was 0.76 kN / m.

次に、積層体13を、150℃で168時間、大気雰囲気下で加熱処理した。加熱処理後のポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は0.70kN/mであった。加熱処理前に対する加熱処理後の接着強度の保持率は92.1%であった。   Next, the laminate 13 was heat-treated at 150 ° C. for 168 hours in an air atmosphere. The adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer after the heat treatment was 0.70 kN / m. The retention rate of the adhesive strength after the heat treatment before the heat treatment was 92.1%.

実施例14
実施例1と同様にして、表面改質ポリイミドフィルムA14及びB14を作製した。フィルムB14におけるポリイミド改質層の表面にドライフィルムレジスト(旭化成株式会社製、商品名:サンフォートAQ、10μm厚さ)を温度110℃にてラミネートし、フォトマスクを介して紫外線露光し、0.5重量%の炭酸ナトリウム水溶液にて現像して50μm{配線幅/配線間隔(L/S)=20μm/30μm}のレジストパターンを形成して、レジストパターンが形成されたフィルムB14’を得た。フィルムB14’を、実施例1と同様にして、酢酸パラジウム及びアンモニアで処理、並びにジメチルアミンボラン処理を行った後、無電解ニッケルめっきを施してフィルム14’を作製した。続いて、電解銅めっきを行い、銅配線形成フィルム14’を作製した後、2重量%の水酸化ナトリウム水溶液(25℃)に3分間浸漬してレジストパターンを剥離した後、10重量%のシュウ酸水溶液(25℃)に2分間浸漬することで、残留金属イオンを除去した。
Example 14
In the same manner as in Example 1, surface-modified polyimide films A14 and B14 were produced. A dry film resist (manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd., trade name: Sunfort AQ, 10 μm thickness) was laminated at a temperature of 110 ° C. on the surface of the polyimide modified layer in the film B14, and exposed to ultraviolet rays through a photomask. Development was performed with a 5% by weight aqueous sodium carbonate solution to form a resist pattern of 50 μm {wiring width / wiring spacing (L / S) = 20 μm / 30 μm} to obtain a film B14 ′ having a resist pattern. Film B14 ′ was treated with palladium acetate and ammonia and treated with dimethylamine borane in the same manner as in Example 1, and then electroless nickel plating was performed to produce film 14 ′. Subsequently, electrolytic copper plating was performed to prepare a copper wiring forming film 14 ′, and after immersion in a 2% by weight sodium hydroxide aqueous solution (25 ° C.) for 3 minutes to remove the resist pattern, 10% by weight Shu Residual metal ions were removed by immersion in an acid aqueous solution (25 ° C.) for 2 minutes.

上記銅配線形成フィルム14’をイオン交換水で洗浄した後、真空下で300℃、10分間かけて加熱処理することで、銅配線形成フィルム14を得た。   The copper wiring formation film 14 ′ was washed with ion exchange water, and then heat-treated at 300 ° C. for 10 minutes under vacuum to obtain a copper wiring formation film 14.

比較例1
実施例1における0.5規定の水酸化カリウム水溶液(50℃)の45秒間浸漬の代わりに、5規定の水酸化カリウム水溶液(50℃)の343秒間浸漬をしたこと以外は、実施例1と同様にして、γ−APS水溶液による処理、酢酸パラジウム及びアンモニアで処理、並びにジメチルアミンボラン処理を行った後、無電解ニッケルめっき及び電解銅めっきを行うことで、ポリイミド樹脂層の上に導体層が積層したフィルムを得た。このフィルムにおけるポリイミド改質層の厚みは800nmであり、ポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は0.63kN/mであった。また、150℃で168時間、大気雰囲気下で加熱処理後のポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は加熱処理後の接着強度は0.47kN/mであり、接着強度の保持率は74.6%であった。
Comparative Example 1
Example 1 and Example 1 except that a 0.5 N aqueous potassium hydroxide solution (50 ° C.) was immersed for 45 seconds instead of a 0.5 N aqueous potassium hydroxide solution (50 ° C.) for 343 seconds. Similarly, after the treatment with the γ-APS aqueous solution, the treatment with palladium acetate and ammonia, and the dimethylamine borane treatment, the electroless nickel plating and the electrolytic copper plating are performed, so that the conductor layer is formed on the polyimide resin layer. A laminated film was obtained. The thickness of the polyimide modified layer in this film was 800 nm, and the adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer was 0.63 kN / m. The adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer after heat treatment at 150 ° C. for 168 hours in the air atmosphere is 0.47 kN / m after heat treatment, and the adhesive strength retention is 74.6. %Met.

比較例2
実施例1におけるγ−APS水溶液による処理を行わなかったこと以外は、実施例1と同様にして、ポリイミド樹脂層の上に導体層が積層したフィルムを得た。このフィルムにおけるポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は0.35kN/mであった。また、150℃で168時間、大気雰囲気下で加熱処理後のポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は加熱処理後の接着強度は0.01kN/m未満であった。
Comparative Example 2
A film having a conductor layer laminated on a polyimide resin layer was obtained in the same manner as in Example 1 except that the treatment with the γ-APS aqueous solution in Example 1 was not performed. The adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer in this film was 0.35 kN / m. Further, the adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer after the heat treatment at 150 ° C. for 168 hours in the air atmosphere was less than 0.01 kN / m after the heat treatment.

比較例3
実施例5におけるγ−APS水溶液による処理を行わなかったこと以外は、実施例5と同様にして、ポリイミド樹脂層の上に導体層が積層したフィルムを得た。このフィルムにおけるポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は0.10kN/mであった。また、150℃で168時間、大気雰囲気下で加熱処理後のポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は加熱処理後の接着強度は0.01kN/m未満であった。
Comparative Example 3
A film having a conductor layer laminated on a polyimide resin layer was obtained in the same manner as in Example 5 except that the treatment with the γ-APS aqueous solution in Example 5 was not performed. The adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer in this film was 0.10 kN / m. Further, the adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer after the heat treatment at 150 ° C. for 168 hours in the air atmosphere was less than 0.01 kN / m after the heat treatment.

比較例4
実施例6におけるγ−APS水溶液による処理を行わなかったこと以外は、実施例6と同様にして、ポリイミド樹脂層の上に導体層が積層したフィルムを得た。このフィルムにおけるポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は0.10kN/m未満であった。
Comparative Example 4
A film in which a conductor layer was laminated on a polyimide resin layer was obtained in the same manner as in Example 6 except that the treatment with the γ-APS aqueous solution in Example 6 was not performed. The adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer in this film was less than 0.10 kN / m.

比較例5
実施例7におけるγ−APS水溶液による処理を行わなかったこと以外は、実施例7と同様にして、ポリイミド樹脂層の上に導体層が積層したフィルムを得た。このフィルムにおけるポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は0.10kN/m未満であった。
Comparative Example 5
A film in which a conductor layer was laminated on a polyimide resin layer was obtained in the same manner as in Example 7 except that the treatment with the γ-APS aqueous solution in Example 7 was not performed. The adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer in this film was less than 0.10 kN / m.

比較例6
実施例1におけるγ−APS水溶液による処理及びイオン交換水による洗浄を、ジメチルアミンボラン処理を行った後に実施した以外は、実施例1と同様にして、ポリイミド樹脂層の上に導体層が積層したフィルムを得た。このフィルムにおけるポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は0.35kN/mであった。また、150℃で168時間、大気雰囲気下で加熱処理後のポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は加熱処理後の接着強度は0.15kN/mであった。
Comparative Example 6
The conductor layer was laminated on the polyimide resin layer in the same manner as in Example 1 except that the treatment with the γ-APS aqueous solution and the washing with ion-exchanged water in Example 1 were performed after the dimethylamine borane treatment. A film was obtained. The adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer in this film was 0.35 kN / m. The adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer after heat treatment at 150 ° C. for 168 hours in the air was 0.15 kN / m after heat treatment.

比較例7
実施例1におけるγ−APS水溶液の濃度を、0.001重量%濃度とした以外は、実施例1と同様にして、ポリイミド樹脂層の上に導体層が積層したフィルムを得た。このフィルムにおけるポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は0.50kN/mであった。また、150℃で168時間、大気雰囲気下で加熱処理後のポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は加熱処理後の接着強度は0.32kN/mであった。なお、γ−APS水溶液による処理後の表面改質ポリイミドフィルムのポリイミド改質層における未反応のカルボキシル基の割合は、93.0%(シランカップリング剤と結合したカルボキシル基の割合は7.0%)であった。
Comparative Example 7
A film in which a conductor layer was laminated on a polyimide resin layer was obtained in the same manner as in Example 1 except that the concentration of the γ-APS aqueous solution in Example 1 was 0.001% by weight. The adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer in this film was 0.50 kN / m. The adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer after the heat treatment at 150 ° C. for 168 hours in the air atmosphere was 0.32 kN / m after the heat treatment. In addition, the ratio of the unreacted carboxyl group in the polyimide modified layer of the surface modified polyimide film after the treatment with the γ-APS aqueous solution was 93.0% (the ratio of the carboxyl group bonded to the silane coupling agent was 7.0). %)Met.

比較例8
実施例1における0.5規定の水酸化カリウム水溶液への浸漬及びイオン交換水による洗浄の代わりに、酸素プラズマ(モリエンジニアリング社製、VE−1500II)による処理を、酸素圧力17Pa、プラズマ出力700Wの条件で30秒間行った以外は、実施例1と同様にして、ポリイミド樹脂層の上に導体層が積層したフィルムを得た。このフィルムにおけるポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は0.30kN/mであった。また、150℃で168時間、大気雰囲気下で加熱処理後のポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は加熱処理後の接着強度は0.05kN/mであった。
Comparative Example 8
Instead of immersion in 0.5 N aqueous potassium hydroxide and cleaning with ion-exchanged water in Example 1, treatment with oxygen plasma (manufactured by Mori Engineering, VE-1500II) was performed at an oxygen pressure of 17 Pa and a plasma output of 700 W. A film in which a conductor layer was laminated on a polyimide resin layer was obtained in the same manner as in Example 1 except that the conditions were 30 seconds. The adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer in this film was 0.30 kN / m. Further, the adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer after the heat treatment at 150 ° C. for 168 hours in the air atmosphere was 0.05 kN / m after the heat treatment.

比較例9
実施例1における0.5規定の水酸化カリウム水溶液への浸漬及びイオン交換水による洗浄の代わりに、酸素プラズマ(モリエンジニアリング社製、VE−1500II)による処理を、酸素圧力17Pa、プラズマ出力700Wの条件で30秒間行ったこと、並びに、10mM濃度の酢酸パラジウムと60mM濃度のアンモニアを混合した水溶液(25℃)に60分間浸漬する前に、0.5規定の水酸化カリウム水溶液(50℃)へ45秒間浸漬処理したこと以外は、実施例1と同様にして、ポリイミド樹脂層の上に導体層が積層したフィルムを得た。このフィルムにおけるポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は0.35kN/mであった。また、150℃で168時間、大気雰囲気下で加熱処理後のポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は加熱処理後の接着強度は0.08kN/mであった。
Comparative Example 9
Instead of immersion in 0.5 N aqueous potassium hydroxide and cleaning with ion-exchanged water in Example 1, treatment with oxygen plasma (manufactured by Mori Engineering, VE-1500II) was performed at an oxygen pressure of 17 Pa and a plasma output of 700 W. Before being immersed in an aqueous solution (25 ° C.) mixed with 10 mM palladium acetate and 60 mM ammonia for 60 minutes before being immersed in a 0.5 N aqueous potassium hydroxide solution (50 ° C.). A film having a conductor layer laminated on a polyimide resin layer was obtained in the same manner as in Example 1 except that the immersion treatment was performed for 45 seconds. The adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer in this film was 0.35 kN / m. Further, the adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer after the heat treatment at 150 ° C. for 168 hours in the air atmosphere was 0.08 kN / m after the heat treatment.

比較例10
実施例1におけるγ−APS水溶液への浸漬処理と、酢酸パラジウムとアンモニアを混合した水溶液への浸漬処理の代わりに、1重量%濃度のγ−APS水溶液へ酢酸パラジウムとアンモニアをそれぞれ10mM濃度および60mM濃度になるよう混合した水溶液(25℃)へ60分間浸漬処理した以外は、実施例1と同様にして、ポリイミド樹脂層の上に導体層が積層したフィルムを得た。このフィルムにおけるポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は0.54kN/mであった。また、150℃で168時間、大気雰囲気下で加熱処理後のポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は加熱処理後の接着強度は0.38kN/mであった。
Comparative Example 10
Instead of the immersion treatment in the aqueous γ-APS solution in Example 1 and the immersion treatment in the aqueous solution in which palladium acetate and ammonia are mixed, palladium acetate and ammonia are added to the 1 wt% aqueous solution of γ-APS at a concentration of 10 mM and 60 mM, respectively. A film in which a conductor layer was laminated on a polyimide resin layer was obtained in the same manner as in Example 1 except that immersion treatment was performed for 60 minutes in an aqueous solution (25 ° C.) mixed to have a concentration. The adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer in this film was 0.54 kN / m. The adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer after heat treatment at 150 ° C. for 168 hours in the air atmosphere was 0.38 kN / m after heat treatment.

比較例11
実施例1におけるγ−APS水溶液の代わりに、γ−APSトルエン溶液を用いた以外は、実施例1と同様にして、ポリイミド樹脂層の上に導体層が積層したフィルムを得た。このフィルムにおけるポリイミド樹脂層と金属層の接着強度は0.59kN/mであった。また、150℃で168時間、大気雰囲気下で加熱処理後のポリイミド樹脂層と金属層の加熱処理後の接着強度は0.39kN/mであった。
Comparative Example 11
A film in which a conductor layer was laminated on a polyimide resin layer was obtained in the same manner as in Example 1 except that a γ-APS toluene solution was used instead of the γ-APS aqueous solution in Example 1. The adhesive strength between the polyimide resin layer and the metal layer in this film was 0.59 kN / m. Moreover, the adhesive strength after heat treatment of the polyimide resin layer and the metal layer after heat treatment at 150 ° C. for 168 hours in the air atmosphere was 0.39 kN / m.

上記比較例1〜11の結果を表2にまとめて示す。   The results of Comparative Examples 1 to 11 are summarized in Table 2.

Figure 0005129111
Figure 0005129111

以上の結果から、本発明方法(実施例1〜13)で形成された積層体は、ポリイミド樹脂層と導体層との密着性に優れたものであり、回路配線基板(実施例14)として有用なものであることが確認された。これは、ポリイミド改質層を1nm〜700nmの厚みの範囲で形成した後、シランカップリング剤のアミノ基とポリイミド改質層のカルボキシル基とを反応させ、シランカップリング剤のアミノ基と結合したカルボキシル基及び未反応のカルボキシル基を形成せしめ、このうちの未反応のカルボキシル基にパラジウム塩を形成させる過程を経ることによって、シランカップリング剤のシラノール基を無電解めっき層との接着に最大限有効に利用できたためであると考えられた。   From the above results, the laminate formed by the method of the present invention (Examples 1 to 13) has excellent adhesion between the polyimide resin layer and the conductor layer, and is useful as a circuit wiring board (Example 14). It was confirmed that In this method, after the polyimide modified layer is formed in a thickness range of 1 nm to 700 nm, the amino group of the silane coupling agent and the carboxyl group of the polyimide modified layer are reacted to bond with the amino group of the silane coupling agent. By forming a carboxyl group and an unreacted carboxyl group and forming a palladium salt on the unreacted carboxyl group, the silanol group of the silane coupling agent is maximized for adhesion to the electroless plating layer. It was thought that it was because it was available effectively.

以上、本発明の実施の形態を述べたが、本発明は上記実施の形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。なお、上記実施の形態では、イミド化工程の後で電気めっきを行ったが、イミド化工程の前に電気めっき工程を行ってもよい。   Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made. In addition, in the said embodiment, although electroplating was performed after the imidation process, you may perform an electroplating process before an imidation process.

本発明の一実施の形態に係る積層体の製造方法の手順の概略を示す図面である。It is drawing which shows the outline of the procedure of the manufacturing method of the laminated body which concerns on one embodiment of this invention. 工程a)から工程e)までの間にポリイミド基板の表層部で生じる化学変化を説明する図面である。It is drawing explaining the chemical change which arises in the surface layer part of a polyimide substrate between process a) to process e).

符号の説明Explanation of symbols

1…ポリイミド樹脂基板、2…ポリイミド改質層   1 ... polyimide resin substrate, 2 ... polyimide modified layer

Claims (6)

回路配線基板に用いられる、ポリイミド樹脂層に導体層が積層された積層体の製造方法であって、
a)ポリイミド樹脂層の前記導体層が積層される側の表面をアルカリ水溶液で処理して、ポリイミド樹脂のイミド環を開裂させることによってカルボキシル基を導入したポリイミド改質層を、1nm〜700nmの厚みの範囲で形成する工程、
b)前記ポリイミド改質層に、アミノ基を有するシランカップリング剤を含む極性溶媒の溶液を含浸させ、シランカップリング剤のアミノ基と前記カルボキシル基とを反応させることによって、シランカップリング剤のアミノ基と結合したカルボキシル基及び未反応のカルボキシル基を含有し、且つシランカップリング剤のアミノ基と結合したカルボキシル基が、前記シランカップリング剤のアミノ基と結合したカルボキシル基及び未反応のカルボキシル基の合計に対して10%以上の割合で存在するポリイミド改質層を形成する工程、
c)前記ポリイミド改質層中に含まれる前記未反応のカルボキシル基に、パラジウムイオン含有溶液を接触させて、カルボキシル基のパラジウム塩を生成させる工程、
d)前記パラジウム塩を還元して、前記ポリイミド改質層の表層部に金属パラジウムを析出させる工程、
e)前記金属パラジウムを触媒として、無電解めっきによりめっき金属を析出させる工程、並びに、
f)前記ポリイミド改質層におけるカルボキシル基を熱処理によってイミド環に閉環する工程、
を備えることを特徴とする積層体の製造方法。
A method for producing a laminate in which a conductor layer is laminated on a polyimide resin layer used in a circuit wiring board,
a) Treating the surface of the polyimide resin layer on the side where the conductor layer is laminated with an alkaline aqueous solution to cleave the imide ring of the polyimide resin to introduce a carboxyl-modified polyimide layer having a thickness of 1 nm to 700 nm Forming in a range of
b) The polyimide modified layer is impregnated with a polar solvent solution containing a silane coupling agent having an amino group, and the amino group of the silane coupling agent and the carboxyl group are reacted, thereby A carboxyl group bonded to an amino group of the silane coupling agent containing a carboxyl group bonded to an amino group and an unreacted carboxyl group, and the carboxyl group bonded to the amino group of the silane coupling agent and an unreacted carboxyl group Forming a polyimide modified layer present at a ratio of 10% or more based on the total of the groups,
c) a step of bringing a palladium ion-containing solution into contact with the unreacted carboxyl group contained in the polyimide-modified layer to generate a carboxyl group palladium salt;
d) reducing the palladium salt to deposit metal palladium on the surface portion of the polyimide modified layer;
e) a step of depositing a plated metal by electroless plating using the metal palladium as a catalyst, and
f) a step of closing a carboxyl group in the polyimide-modified layer into an imide ring by heat treatment;
The manufacturing method of the laminated body characterized by comprising.
前記工程b)は、前記ポリイミド改質層に、アミノ基を有するシランカップリング剤を含む極性溶媒の溶液を含浸させた後に、120〜130℃の範囲内の温度で行う加熱処理を含むことを特徴とする請求項1に記載の積層体の製造方法。  The step b) includes a heat treatment performed at a temperature in a range of 120 to 130 ° C. after impregnating the polyimide modified layer with a solution of a polar solvent containing a silane coupling agent having an amino group. The manufacturing method of the laminated body of Claim 1 characterized by the above-mentioned. 回路配線基板の製造方法であって、
a)ポリイミド樹脂層の前記導体層が積層される側の表面をアルカリ水溶液で処理して、ポリイミド樹脂のイミド環を開裂させることによってカルボキシル基を導入したポリイミド改質層を、1nm〜700nmの厚みの範囲で形成する工程、
b)前記ポリイミド改質層に、アミノ基を有するシランカップリング剤を含む極性溶媒の溶液を含浸させ、シランカップリング剤のアミノ基と前記カルボキシル基とを反応させることによって、シランカップリング剤のアミノ基と結合したカルボキシル基及び未反応のカルボキシル基を含有し、且つシランカップリング剤のアミノ基と結合したカルボキシル基が、前記シランカップリング剤のアミノ基と結合したカルボキシル基及び未反応のカルボキシル基の合計に対して10%以上の割合で存在するポリイミド改質層を形成する工程、
c)前記ポリイミド改質層中に含まれる前記未反応のカルボキシル基に、パラジウムイオン含有溶液を接触させて、カルボキシル基のパラジウム塩を生成させる工程、
d)前記パラジウム塩を還元して、前記ポリイミド改質層の表層部に金属パラジウムを析出させる工程、
e)前記金属パラジウムを触媒として、無電解めっきによりめっき金属を析出させる工程、並びに、
f)前記ポリイミド改質層におけるカルボキシル基を熱処理によってイミド環に閉環する工程、
g)前記ポリイミド改質層の表面にマスクパターンを形成し、該ポリイミド改質層を選択的に露出させる工程、
を備えることを特徴とする回路配線基板の製造方法。
A method for manufacturing a circuit wiring board, comprising:
a) Treating the surface of the polyimide resin layer on the side where the conductor layer is laminated with an alkaline aqueous solution to cleave the imide ring of the polyimide resin to introduce a carboxyl-modified polyimide layer having a thickness of 1 nm to 700 nm Forming in a range of
b) The polyimide modified layer is impregnated with a polar solvent solution containing a silane coupling agent having an amino group, and the amino group of the silane coupling agent and the carboxyl group are reacted, thereby A carboxyl group bonded to an amino group of the silane coupling agent containing a carboxyl group bonded to an amino group and an unreacted carboxyl group, and the carboxyl group bonded to the amino group of the silane coupling agent and an unreacted carboxyl group Forming a polyimide modified layer present at a ratio of 10% or more based on the total of the groups,
c) a step of bringing a palladium ion-containing solution into contact with the unreacted carboxyl group contained in the polyimide-modified layer to generate a carboxyl group palladium salt;
d) reducing the palladium salt to deposit metal palladium on the surface portion of the polyimide modified layer;
e) a step of depositing a plated metal by electroless plating using the metal palladium as a catalyst, and
f) a step of closing a carboxyl group in the polyimide-modified layer into an imide ring by heat treatment;
g) forming a mask pattern on the surface of the polyimide modified layer, and selectively exposing the polyimide modified layer;
A method of manufacturing a circuit wiring board, comprising:
工程g)を、工程c)の前に行うことを特徴とする請求項に記載の回路配線基板の製造方法。 4. The method for manufacturing a circuit wiring board according to claim 3 , wherein step g) is performed before step c). 工程g)を、工程b)の後に行うことを特徴とする請求項に記載の回路配線基板の製造方法。 5. The method of manufacturing a circuit wiring board according to claim 4 , wherein step g) is performed after step b). 前記工程b)は、前記ポリイミド改質層に、アミノ基を有するシランカップリング剤を含む極性溶媒の溶液を含浸させた後に、120〜130℃の範囲内の温度で行う加熱処理を含むことを特徴とする請求項3から5のいずれか1項に記載の回路配線基板の製造方法。  The step b) includes a heat treatment performed at a temperature in a range of 120 to 130 ° C. after impregnating the polyimide modified layer with a solution of a polar solvent containing a silane coupling agent having an amino group. The method for manufacturing a circuit wiring board according to any one of claims 3 to 5, wherein
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