JP6758064B2

JP6758064B2 - Electronic circuit boards and electronic devices

Info

Publication number: JP6758064B2
Application number: JP2016069098A
Authority: JP
Inventors: 仁中山
Original assignee: Seiko Instruments Inc
Current assignee: Seiko Instruments Inc
Priority date: 2016-03-30
Filing date: 2016-03-30
Publication date: 2020-09-23
Anticipated expiration: 2036-03-30
Also published as: JP2017183538A

Description

本発明は、電子回路基板、及びそれを備える電子デバイスに関する。 The present invention relates to an electronic circuit board and an electronic device including the electronic circuit board.

従来より、基板表面に下地層が形成されており、該下地層上に形成された導電層を介して信号伝達が行われる電子回路基板、及び、この電子回路基板を回路部に備える電子デバイスが知られている。
例えば特許文献１には、スパッタによって形成された下地層と、下地層の表面に形成されためっき導電層を有する電子回路基板が開示されている。また特許文献２には、銅によって形成された下地層の表面に、加圧接合された銅の導電層が形成されている電子回路基板が開示されている。 Conventionally, an electronic circuit board in which a base layer is formed on the surface of the substrate and signals are transmitted via a conductive layer formed on the base layer, and an electronic device having this electronic circuit board in a circuit unit have been used. Are known.
For example, Patent Document 1 discloses an electronic circuit board having a base layer formed by sputtering and a plated conductive layer formed on the surface of the base layer. Further, Patent Document 2 discloses an electronic circuit board in which a pressure-bonded copper conductive layer is formed on the surface of a base layer formed of copper.

特開２００３−１３３６６９号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-133669 特開２００３−０８６９２２号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-086922

しかしながら上記従来技術には次の課題がある。
即ち、スパッタなどの従来の成膜技術によって下地層を形成する場合、下地層の側面など、下地層の露出部分から下地層が浸食され、下地層が基板から剥がれやすい。その結果、下地層と共に導電層も基板から剥がれ、接続不良、動作不良等の課題が生じ、つまり電子回路基板の耐久性が低下するといった課題がある。 However, the above-mentioned prior art has the following problems.
That is, when the base layer is formed by a conventional film forming technique such as sputtering, the base layer is eroded from the exposed portion of the base layer such as the side surface of the base layer, and the base layer is easily peeled off from the substrate. As a result, the conductive layer is peeled off from the substrate together with the base layer, which causes problems such as poor connection and poor operation, that is, the durability of the electronic circuit board is lowered.

特に、屋外に設置される太陽光発電機器や、各種ディスプレイ、タッチパネルなど、電子回路基板が外部に露出しやすい環境下では、電子回路基板に水分や粉塵等が付着し、これにより下地層が浸食されやすい。その結果、電子回路基板の耐久性が低下しやすい。 In particular, in an environment where the electronic circuit board is easily exposed to the outside, such as a photovoltaic power generation device installed outdoors, various displays, and a touch panel, moisture, dust, etc. adhere to the electronic circuit board, which erodes the underlying layer. Easy to be done. As a result, the durability of the electronic circuit board tends to decrease.

そこで本発明は、この課題を解決すべくなされたものであり、下地層と導電層が形成されている電子回路基板、及びそれを備える電子デバイスにおいて、耐久性を向上させることが可能な電子回路基板、及びそれを備える電子デバイスを提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been made to solve this problem, and is an electronic circuit capable of improving durability in an electronic circuit board on which a base layer and a conductive layer are formed and an electronic device including the base layer and the conductive layer. It is an object of the present invention to provide a substrate and an electronic device including the substrate.

上記目的を達成するために本発明にあっては、
基板と、
前記基板表面に形成されている下地層と、
前記下地層上に形成されている導電層と、を有し、
前記下地層がカップリング剤によって形成されていると共に、前記導電層の厚みが、前記下地層の厚みよりも厚いことを特徴とする。 In order to achieve the above object, in the present invention,
With the board
The base layer formed on the surface of the substrate and
It has a conductive layer formed on the base layer and
The base layer is formed of a coupling agent, and the thickness of the conductive layer is larger than the thickness of the base layer.

また、上記発明にあっては、
前記導電層の表面がＡｕによって形成されていると好適である。 Further, in the above invention,
It is preferable that the surface of the conductive layer is formed of Au.

また、上記発明にあっては、
前記導電層を構成する主成分がＡｕであると好適である。 Further, in the above invention,
It is preferable that the main component constituting the conductive layer is Au.

また、上記発明にあっては、
前記導電層がめっき層であると好適である。 Further, in the above invention,
It is preferable that the conductive layer is a plating layer.

また、上記発明にあっては、
前記下地層の厚みが２０ｎｍ以下であると好適である。 Further, in the above invention,
It is preferable that the thickness of the base layer is 20 nm or less.

また、上記発明にあっては、
前記下地層が単分子層であると好適である。 Further, in the above invention,
It is preferable that the base layer is a monomolecular layer.

また、上記発明にあっては、
前記カップリング剤として、アミノ系シランカップリング剤、又はメルカプト系シランカップリング剤が用いられていると好適である。 Further, in the above invention,
It is preferable that an amino silane coupling agent or a mercapto silane coupling agent is used as the coupling agent.

また、上記発明にあっては、
前記基板が透明材料によって形成されていると好適である。 Further, in the above invention,
It is preferable that the substrate is made of a transparent material.

また、本発明の電子デバイスは、上記電子回路基板を有することを特徴とする。 Further, the electronic device of the present invention is characterized by having the above-mentioned electronic circuit board.

以上説明したように、本発明によれば、下地層と導電層が形成されている電子回路基板、及びそれを備える電子デバイスにおいて、耐久性を向上させることが可能な電子回路基板、及びそれを備える電子デバイスを提供することが可能になる。 As described above, according to the present invention, in an electronic circuit board on which a base layer and a conductive layer are formed, and an electronic device including the electronic circuit board, an electronic circuit board capable of improving durability, and an electronic circuit board thereof. It becomes possible to provide an electronic device to be provided.

第１実施形態に係る導電層形成方法の概略工程図である。It is a schematic process diagram of the conductive layer forming method which concerns on 1st Embodiment. 第２実施形態に係る導電層形成方法の概略工程図である。It is a schematic process diagram of the conductive layer forming method which concerns on 2nd Embodiment. 第３実施形態に係る導電層形成方法の概略工程図である。It is a schematic process diagram of the conductive layer forming method which concerns on 3rd Embodiment. 第４実施形態に係る導電層形成方法の概略工程図である。It is a schematic process diagram of the conductive layer forming method which concerns on 4th Embodiment. 第５実施形態に係る導電層形成方法の概略工程図である。It is a schematic process diagram of the conductive layer forming method which concerns on 5th Embodiment. 第６実施形態に係る導電層形成方法の概略工程図である。It is a schematic process diagram of the conductive layer forming method which concerns on 6th Embodiment. 第７実施形態に係る導電層形成方法の概略工程図である。It is a schematic process diagram of the conductive layer forming method which concerns on 7th Embodiment. 第８実施形態に係る導電層形成方法の概略工程図である。It is a schematic process diagram of the conductive layer forming method which concerns on 8th Embodiment. 第９実施形態に係る導電層形成方法の概略工程図である。It is a schematic process diagram of the conductive layer forming method which concerns on 9th Embodiment. 第１０実施形態に係る導電層形成方法の概略工程図である。It is a schematic process diagram of the conductive layer forming method which concerns on tenth embodiment.

以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を例示的に詳しく説明する。ただし、以下の実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail exemplarily with reference to the drawings. However, the dimensions, materials, shapes, relative arrangements, etc. of the components described in the following embodiments are not intended to limit the scope of the present invention to those unless otherwise specified. Absent.

［第１実施形態］
図１を参照して、本発明の第１実施形態に係る電子回路基板１０について説明する。なお、図１は、本実施形態に係る電子回路基板１０の製造プロセスを示す概略図である。 [First Embodiment]
The electronic circuit board 10 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Note that FIG. 1 is a schematic view showing a manufacturing process of the electronic circuit board 10 according to the present embodiment.

（１−１：電子回路基板の概略構成）
図１（ｆ）を参照して、電子回路基板１０の概略構成について説明する。
電子回路基板１０は、基板１１と、その表面に形成されている下地層１３と、下地層１２上に形成されている導電層１５とを有している。また、基板１１において下地層１３が形成されていない領域には、保護層１２が形成されている。 (1-1: Schematic configuration of electronic circuit board)
The schematic configuration of the electronic circuit board 10 will be described with reference to FIG. 1 (f).
The electronic circuit board 10 has a substrate 11, a base layer 13 formed on the surface thereof, and a conductive layer 15 formed on the base layer 12. Further, a protective layer 12 is formed in a region of the substrate 11 where the base layer 13 is not formed.

基板１１は、従来公知の各種基板を用いることができるが、表面が親水化処理された基板が用いられている。なお、本実施形態では、透明材料によって形成される基板１１が用いられているが、透明材料ではない材料であってもよい。また、下地層１３は、カップリング剤を含有する材料によって形成されており、ここでは、アミノ系シランカップリング剤が用いられている。なお、カップリング剤としてはこれに限られるものではなく、メルカプト系シランカップリング剤を用いてもよい。 As the substrate 11, various conventionally known substrates can be used, but a substrate whose surface has been hydrophilized is used. Although the substrate 11 formed of a transparent material is used in the present embodiment, it may be a material that is not a transparent material. Further, the base layer 13 is formed of a material containing a coupling agent, and here, an amino silane coupling agent is used. The coupling agent is not limited to this, and a mercapto-based silane coupling agent may be used.

ここでアミノ系シランカップリング剤としては、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ，Ｎ-（１，３−ジメチルブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、１−（３−アミノプロピル）−１,１,３,３,３−ペンタメチルジシロキサン、３−アミノプロピルトリス（トリメチルシロキシ）シラン等を用いることができる。 Here, examples of the amino-based silane coupling agent include N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, and N- (2-). Aminoethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N, N- (1,3-dimethylbutylidene) propylamine, Use N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, 1- (3-aminopropyl) -1,1,3,3,3-pentamethyldisiloxane, 3-aminopropyltris (trimethylsiloxy) silane, etc. Can be done.

また、メルカプト系シランカップリング剤としては、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、１,３−ビス（メルカプトメチル）−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン、１,３−ビス（３−メルカプトメチル）−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン等を用いることができる。 Examples of the mercapto-based silane coupling agent include 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 1,3-bis (mercaptomethyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane. 1,3-Bis (3-mercaptomethyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane and the like can be used.

上述のカップリング剤によれば、下地層１３を基板１１上に確実に接着できつつ、一方で、基板１１と反対側では、後述するＰｄとＳｎの混合材料によって形成される触媒層１４と下地層１３とを結合しやすくなる。つまり、本実施形態の下地層１３は、基板１１及び触媒層１４のそれぞれに対する接着力が非常に高い層といえる。 According to the above-mentioned coupling agent, the base layer 13 can be reliably adhered to the substrate 11, while on the opposite side of the substrate 11, the catalyst layer 14 formed by the mixed material of Pd and Sn, which will be described later, is below. It becomes easy to bond with the stratum 13. That is, it can be said that the base layer 13 of the present embodiment has a very high adhesive force to each of the substrate 11 and the catalyst layer 14.

また、下地層１３は、上述のカップリング剤に含有される官能基によって形成される単分子層である。即ち、スパッタ等で形成する従来の下地層と比較すると、その厚みが非常に薄い。具体的には、数ｎｍ〜十数ｎｍであり、つまり２０ｎｍ以下の厚みを有している。 Further, the base layer 13 is a monomolecular layer formed by the functional groups contained in the above-mentioned coupling agent. That is, the thickness is very thin as compared with the conventional base layer formed by sputtering or the like. Specifically, it has a thickness of several nm to a dozen nm or less, that is, 20 nm or less.

また、下地層１３以外の領域に形成されている保護層１２は疎水性を有しているので、この保護層１２によって下地層１３及び基板１１が保護されると共に、後述する製造工程において、下地層１３上にのみ触媒層１４を形成することができる（保護層１２上には触媒層１４、導電層１５が形成されない）。
即ち、保護層１２が形成されていることによって、下地層１３及び基板１１の耐久性を向上させると共に、製造プロセスにおいて保護層１２のパターニングに基づいて導電層を形成することができ、即ち、導電層の形状精度を向上させることができる。 Further, since the protective layer 12 formed in the region other than the base layer 13 has hydrophobicity, the base layer 13 and the substrate 11 are protected by the protective layer 12, and in the manufacturing process described later, the lower layer 12 is protected. The catalyst layer 14 can be formed only on the stratum 13 (the catalyst layer 14 and the conductive layer 15 are not formed on the protective layer 12).
That is, by forming the protective layer 12, the durability of the base layer 13 and the substrate 11 can be improved, and the conductive layer can be formed based on the patterning of the protective layer 12 in the manufacturing process, that is, conductive. The shape accuracy of the layer can be improved.

保護層１２は、少なくともその表面が疎水性を有しており、後述する触媒層１４とは結合しないカップリング剤によって形成されている。該カップリング剤として、例えば、アルキルシラン系、又はフッ化アルキルシラン系のカップリング剤を用いることができる。 The protective layer 12 has at least a hydrophobic surface thereof, and is formed of a coupling agent that does not bind to the catalyst layer 14 described later. As the coupling agent, for example, an alkylsilane-based or fluorinated alkylsilane-based coupling agent can be used.

また、導電層１５は、下地層１３上にＡｕとＮｉによるめっき層によって形成されている。なお、本実施形態では、ＡｕとＮｉを用いているが、導電層１５のめっき材料はこれに限られるものではなく、Ａｕのみであってもよいし、Ａｇ、Ｃｕなどを用いることも可能である。しかしながら、導電層１５の耐久性を考慮すると、少なくとも導電層１５の表面がＡｕなどの貴金属類によって形成されていることが好ましい。
また、導電層１５を一般的なアンカー効果で密着させる場合際、めっき層に含まれるＮｉの６０％以上がＡｕに置換されると導電層１５が接着しにくくなるが、本実施形態のように、下地層１３にカップリング剤を用いることで、例えば、めっき層に含まれるＮｉの９０％以上をＡｕに置換しても、導電層１５の接着力を高く保つことが出来る。即ち、従来と比較すると、導電層１５の耐久性を大幅に向上させることが可能になる。なお、めっき層の組成は、エネルギー分散型Ｘ線分析装置等で測定することが出来る。
なお、導電層１５の厚みは、めっき処理の条件によって可変であるが、本実施形態のように無電解めっきによって導電層１５を形成する場合は、導電層１５は２０ｎｍよりも厚い。 Further, the conductive layer 15 is formed by a plating layer made of Au and Ni on the base layer 13. Although Au and Ni are used in the present embodiment, the plating material of the conductive layer 15 is not limited to this, and Au alone may be used, or Ag, Cu, or the like may be used. is there. However, considering the durability of the conductive layer 15, it is preferable that at least the surface of the conductive layer 15 is formed of a noble metal such as Au.
Further, when the conductive layer 15 is brought into close contact with a general anchor effect, if 60% or more of Ni contained in the plating layer is replaced with Au, the conductive layer 15 becomes difficult to adhere, as in the present embodiment. By using a coupling agent for the base layer 13, for example, even if 90% or more of Ni contained in the plating layer is replaced with Au, the adhesive strength of the conductive layer 15 can be kept high. That is, as compared with the conventional case, the durability of the conductive layer 15 can be significantly improved. The composition of the plating layer can be measured with an energy dispersive X-ray analyzer or the like.
The thickness of the conductive layer 15 is variable depending on the plating treatment conditions, but when the conductive layer 15 is formed by electroless plating as in the present embodiment, the conductive layer 15 is thicker than 20 nm.

（１−２：電子回路基板の製造方法）
図１（ａ）〜図１（ｆ）を参照して、電子回路基板１０の製造方法について説明する。
本実施形態では、まず基板１１の準備を行う（図１（ａ））。ここでは、基板１１の表面の親水化を行う。即ち、基板１１の材料に基づいて、アルカリ洗浄、オゾン処理、ＵＶ照射、プラズマ処理等を適宜選択し、基板１１の表面を親水化する。 (1-2: Manufacturing method of electronic circuit board)
A method for manufacturing the electronic circuit board 10 will be described with reference to FIGS. 1 (a) to 1 (f).
In the present embodiment, the substrate 11 is first prepared (FIG. 1 (a)). Here, the surface of the substrate 11 is made hydrophilic. That is, based on the material of the substrate 11, alkaline cleaning, ozone treatment, UV irradiation, plasma treatment and the like are appropriately selected to make the surface of the substrate 11 hydrophilic.

次に、基板１１の表面に気相法、又はカップリング剤を含有する溶液への浸漬によって保護層１２を形成する（図１（ｂ））。保護層１２は、上述のように、少なくともその表面が疎水性を有しており、後述する触媒層１４とは結合しないカップリング剤によって形成されている。 Next, the protective layer 12 is formed on the surface of the substrate 11 by a vapor phase method or by immersing it in a solution containing a coupling agent (FIG. 1 (b)). As described above, the protective layer 12 has at least a hydrophobic surface, and is formed of a coupling agent that does not bind to the catalyst layer 14 described later.

保護層１２を形成した後、保護層１２に対してレーザ光を照射することで保護層１２をパターニングする。このパターニングは、後の工程で形成される導電層１５に基づいて形成されるものである、これにより、レーザ光が照射された部分の保護層１２が除去され基板１１が露出し、基板１１上に導電層１５に倣ったパターンが形成される（図１（ｃ））。 After forming the protective layer 12, the protective layer 12 is patterned by irradiating the protective layer 12 with a laser beam. This patterning is formed based on the conductive layer 15 formed in a later step, whereby the protective layer 12 of the portion irradiated with the laser beam is removed, the substrate 11 is exposed, and the substrate 11 is exposed. A pattern following the conductive layer 15 is formed in (FIG. 1 (c)).

次に、上述の保護層形成工程においてレーザ加工によって形成されたパターンに対して、導電材料と結合する下地層１３を形成する。下地層１３の形成方法は、保護層１２の形成方法と同一方法であってもよい。なお、上述のように保護層１２は、少なくともその表面が疎水性を有しているので、下地層１３を形成する工程において、保護層１２の表面に下地層１３が付着することはない。よって、下地層１３は、保護層１２が形成されていない基板１１の露出領域にのみ付着する。 Next, the base layer 13 to be bonded to the conductive material is formed on the pattern formed by the laser processing in the above-mentioned protective layer forming step. The method of forming the base layer 13 may be the same as the method of forming the protective layer 12. As described above, since the surface of the protective layer 12 is at least hydrophobic, the base layer 13 does not adhere to the surface of the protective layer 12 in the step of forming the base layer 13. Therefore, the base layer 13 adheres only to the exposed region of the substrate 11 on which the protective layer 12 is not formed.

次に、上述の下地層形成工程において形成された下地層１３上に、厚み数十ｎｍ程度の触媒層１４を形成し（図１（ｅ））、さらに触媒層１４に対してめっき処理を施してめっき層を形成し、所望の導電層１５を得る（図１（ｆ））。導電層１５の厚さは上述のように２０ｎｍよりも厚い。 Next, a catalyst layer 14 having a thickness of about several tens of nm is formed on the base layer 13 formed in the above-mentioned base layer forming step (FIG. 1 (e)), and the catalyst layer 14 is further plated. A plating layer is formed to obtain a desired conductive layer 15 (FIG. 1 (f)). The thickness of the conductive layer 15 is thicker than 20 nm as described above.

触媒層１４としては、上述のように、ＰｄとＳｎの混合材料が用いられ、このような材料を用いた場合、主にパラジウムが触媒作用を発揮することになる。なお、触媒層１４の形成方法は、下地層１３のカップリング分子に対して触媒を確実に結合させることができれば、特に方法を限定するものではないが、例えば、センシタイザー・アクチベータ法、又はキャタリスト・アクセレーター法を採用することができる。 As described above, a mixed material of Pd and Sn is used as the catalyst layer 14, and when such a material is used, palladium mainly exerts a catalytic action. The method for forming the catalyst layer 14 is not particularly limited as long as the catalyst can be reliably bonded to the coupling molecule of the base layer 13, but for example, the sensitizer activator method or the catalyzer The list accelerator method can be adopted.

センシタイザー・アクチベータ法とは、Ｓｎ溶液に基板１１を浸漬し、続いてＰｄ溶液に浸漬して下地層１３上にパラジウムを付着させる方法であり、複数回、この工程を繰り返すことで、下地層１３に対するパラジウム触媒の付着量を増やすことができる。 The sensitizer activator method is a method in which the substrate 11 is immersed in a Sn solution and then immersed in a Pd solution to attach palladium on the base layer 13. By repeating this step a plurality of times, the base layer is formed. The amount of the palladium catalyst attached to 13 can be increased.

また、キャタリスト・アクセレーター法とは、ＳｎとＰｄのコロイド溶液に基板１１を浸漬し、続いて酸性溶液にて錫を除去することでパラジウム触媒を基板１１上に付着する方法である。 The catalyst accelerator method is a method of immersing the substrate 11 in a colloidal solution of Sn and Pd, and then removing tin with an acidic solution to attach a palladium catalyst onto the substrate 11.

これらの方法によって触媒層１４を形成した後、触媒層１４に対してめっき処理（本実施形態では無電解めっき）を施して、めっき層を形成する。本実施形態では、上述のようにＡｕのめっきを形成している。 After the catalyst layer 14 is formed by these methods, the catalyst layer 14 is subjected to plating treatment (electroless plating in this embodiment) to form a plating layer. In this embodiment, Au plating is formed as described above.

即ち、めっき処理を施すことで、触媒層１４を取り込むようにしてめっき層が成長し、その結果、導電層１５が形成される。より具体的には、まず、触媒層１４を囲むようにＮｉ層が形成され、さらにＮｉ層がＡｕ層に置換されることで、Ａｕによる耐腐食性に優れた導電層１５を得ることができる。 That is, by performing the plating treatment, the plating layer grows so as to take in the catalyst layer 14, and as a result, the conductive layer 15 is formed. More specifically, first, a Ni layer is formed so as to surround the catalyst layer 14, and further, the Ni layer is replaced with an Au layer, so that a conductive layer 15 having excellent corrosion resistance due to Au can be obtained. ..

（１−３：電子デバイスの構成）
本実施形態では、上述の電子回路基板１０を介して、入出力信号が伝送される電子デバイスとして、太陽光発電機器（不図示）が挙げられる。本実施形態に係る電子回路基板１０は透明材料であり、かつ、耐久性に優れているので、屋外での使用においても、耐久性に優れた太陽光発電機器を提供することができる。 (1-3: Configuration of electronic device)
In the present embodiment, as an electronic device in which input / output signals are transmitted via the above-mentioned electronic circuit board 10, a photovoltaic power generation device (not shown) can be mentioned. Since the electronic circuit board 10 according to the present embodiment is a transparent material and has excellent durability, it is possible to provide a photovoltaic power generation device having excellent durability even when used outdoors.

さらには、上述のように導電層１５の形状精度が高いので、即ち、微細な導電パターンを形成可能である。よって、従来と比較して、電子回路基板１０を透過する太陽光を増加させることができるので、太陽光発電機器の発電効率を向上させることができる。また、発電効率が向上することにより、機器の小型化も達成できる。 Furthermore, as described above, the shape accuracy of the conductive layer 15 is high, that is, a fine conductive pattern can be formed. Therefore, as compared with the conventional case, the amount of sunlight transmitted through the electronic circuit board 10 can be increased, so that the power generation efficiency of the photovoltaic power generation equipment can be improved. In addition, by improving the power generation efficiency, it is possible to achieve miniaturization of equipment.

（１−４：本実施形態の効果）
本実施形態によれば、従来と比較すると厚さが薄く、かつ接着力の高い下地層１３を形成し、その上に導電層１５が形成されるので、下地層１３が侵食されにくい。よって、下地層１３が基板から剥がれにくく、下地層１３、導電層１５の耐久性を向上させることができる。 (1-4: Effect of this embodiment)
According to the present embodiment, the base layer 13 is formed to be thinner and have higher adhesive strength than the conventional one, and the conductive layer 15 is formed on the base layer 13, so that the base layer 13 is less likely to be eroded. Therefore, the base layer 13 is not easily peeled off from the substrate, and the durability of the base layer 13 and the conductive layer 15 can be improved.

また、導電層１５以外の領域には、疎水性を有する保護層１２が形成されているので、これによっても、電子回路基板１０の耐久性を向上させることが可能である。 Further, since the protective layer 12 having hydrophobicity is formed in the region other than the conductive layer 15, it is also possible to improve the durability of the electronic circuit board 10.

また、上述の電子回路基板１０を有する電子デバイスによれば、耐久性が向上するので、屋外使用が可能になるなど、使用用途を大幅に増やすことができる。また、上述のように、発電効率の向上、及び小型化等、従来では得ることのできない効果を得ることが出来る。なお、本実施形態では、電子デバイスとして太陽光発電機器を挙げているが、例えば、ディスプレイや、タッチパネル等に電子回路基板１０を適用することも可能である。 Further, according to the electronic device having the above-mentioned electronic circuit board 10, the durability is improved, so that the usage can be greatly increased, such as being able to be used outdoors. Further, as described above, it is possible to obtain effects that cannot be obtained in the past, such as improvement of power generation efficiency and miniaturization. In the present embodiment, the photovoltaic power generation device is mentioned as the electronic device, but for example, the electronic circuit board 10 can be applied to a display, a touch panel, or the like.

このように本実施形態では、下地層１３と導電層１５が形成されている電子回路基板１０、及びそれを備える電子デバイスにおいて、耐久性を向上させることが可能な電子回路基板１０、及びそれを備える電子デバイスを提供することが可能になる。 As described above, in the present embodiment, in the electronic circuit board 10 on which the base layer 13 and the conductive layer 15 are formed, and the electronic device including the electronic circuit board 10, the electronic circuit board 10 capable of improving the durability, and the electronic circuit board 10 thereof. It becomes possible to provide an electronic device to be provided.

［第２実施形態］
図２を参照して、本発明の第２実施形態に係る導電層形成方法について説明する。なお、図２は、本実施形態における導電層形成方法の概略工程を示す図であるが、上述の第１実施形態と同一内容に関してはここでは説明を省略する。 [Second Embodiment]
The conductive layer forming method according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Note that FIG. 2 is a diagram showing a schematic step of the conductive layer forming method in the present embodiment, but the description thereof will be omitted here with respect to the same contents as the above-described first embodiment.

（２−１：下地層形成工程）
本実施形態では、まず基板２１を準備し（図２（ａ））、表面の親水化を行った後、基板２１に下地層２３を形成する（図２（ｂ））。なお、下地層２３に用いられるカップリング剤は、上述の実施形態で用いられたカップリング剤と同一のカップリング剤であればよい。 (2-1: Underlayer formation step)
In the present embodiment, the substrate 21 is first prepared (FIG. 2A), the surface is hydrophilized, and then the substrate layer 23 is formed on the substrate 21 (FIG. 2B). The coupling agent used for the base layer 23 may be the same coupling agent as the coupling agent used in the above-described embodiment.

その後、レーザ加工によって下地層２３をパターニングし、後の工程で形成される導電層２５以外の領域の下地層２３を、基板２１表面から除去する。即ち、本実施形態では、レーザ加工における非加工領域に対して、導電層２５が形成されることになる。 After that, the base layer 23 is patterned by laser processing, and the base layer 23 in a region other than the conductive layer 25 formed in a later step is removed from the surface of the substrate 21. That is, in the present embodiment, the conductive layer 25 is formed on the non-processed region in the laser processing.

（２−２：保護層形成工程）
次に、基板１１の表面に保護層２２を形成する（図２（ｄ））。保護層２２は疎水性を有し、上述の第１実施形態と同一の材料を用いることができる。 (2-2: Protective layer forming step)
Next, the protective layer 22 is formed on the surface of the substrate 11 (FIG. 2 (d)). The protective layer 22 has hydrophobicity, and the same material as in the first embodiment described above can be used.

（２−３：導電層形成工程）
次に、下地層２３上に厚み数十ｎｍ程度の触媒層２４を形成し（図２（ｅ））、さらに触媒層１４に対してめっき処理を施してめっき層を形成し、所望の導電層２５を得る（図２（ｆ））。なお、この工程は上述の実施形態と同一であるので、説明は省略する。 (2-3: Conductive layer forming step)
Next, a catalyst layer 24 having a thickness of about several tens of nm is formed on the base layer 23 (FIG. 2 (e)), and the catalyst layer 14 is further plated to form a plating layer to form a desired conductive layer. 25 is obtained (FIG. 2 (f)). Since this step is the same as that of the above-described embodiment, the description thereof will be omitted.

このように本実施形態では、下地層２３と導電層２５が形成されている電子回路基板２０、及びそれを備える電子デバイスにおいて、耐久性を向上させることが可能な電子回路基板１０、及びそれを備える電子デバイスを提供することが可能になる。 As described above, in the present embodiment, in the electronic circuit board 20 on which the base layer 23 and the conductive layer 25 are formed, and the electronic device including the electronic circuit board 10, the electronic circuit board 10 capable of improving the durability, and the electronic circuit board 10 thereof. It becomes possible to provide an electronic device to be provided.

［第３実施形態］
図３を参照して、本発明の第３実施形態に係る導電層形成方法について説明する。なお、図３は、本実施形態における導電層形成方法の概略工程を示す図であるが、上述の実施形態と同一内容に関してはここでは説明を省略する。 [Third Embodiment]
The conductive layer forming method according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Note that FIG. 3 is a diagram showing a schematic process of the conductive layer forming method in the present embodiment, but the same contents as those in the above-described embodiment will not be described here.

（３−１：保護層形成工程）
本実施形態では、準備済みの基板３１（図３（ａ））に対して、保護層３２としてレジスト膜を用い、基板３１上に形成することが特徴である（図３（ｂ））。そしてレーザ加工によってレジスト膜をパターニングする（図３（ｃ））。 (3-1: Protective layer forming step)
The present embodiment is characterized in that a resist film is used as the protective layer 32 with respect to the prepared substrate 31 (FIG. 3 (a)) and formed on the substrate 31 (FIG. 3 (b)). Then, the resist film is patterned by laser processing (FIG. 3 (c)).

（３−２：下地層形成工程、導電層形成工程）
次に、図３（ｄ）〜図３（ｆ）に図示するように、保護層３２がパターニングされた基板３１に対して、下地層３３を形成し、さらに触媒層３４、導電層３５を形成する（上記第１実施形態と同一であるので説明は省略する）。
なお、導電層３５を形成する際に、保護層３２上に導電層３５が形成された場合は、レジスト除去によって、保護層３２ごと、導電層３５を除去することが可能になる。よって、不要な領域に導電層３５を形成することなく、導電層３５を高精度に形成することができる。 (3-2: Underlayer layer forming step, conductive layer forming step)
Next, as shown in FIGS. 3 (d) to 3 (f), a base layer 33 is formed on the substrate 31 in which the protective layer 32 is patterned, and further, a catalyst layer 34 and a conductive layer 35 are formed. (Since it is the same as the first embodiment described above, the description thereof will be omitted).
If the conductive layer 35 is formed on the protective layer 32 when the conductive layer 35 is formed, the conductive layer 35 can be removed together with the protective layer 32 by removing the resist. Therefore, the conductive layer 35 can be formed with high accuracy without forming the conductive layer 35 in an unnecessary region.

このように本実施形態では、下地層３３と導電層３５が形成されている電子回路基板３０、及びそれを備える電子デバイスにおいて、耐久性を向上させることが可能な電子回路基板３０、及びそれを備える電子デバイスを提供することが可能になる。 As described above, in the present embodiment, in the electronic circuit board 30 on which the base layer 33 and the conductive layer 35 are formed, and the electronic device including the electronic circuit board 30, the electronic circuit board 30 capable of improving durability, and the electronic circuit board 30 thereof. It becomes possible to provide an electronic device to be provided.

［第４実施形態］
図４を参照して、本発明の第４実施形態に係る導電層形成方法について説明する。なお、図４は、本実施形態における導電層形成方法の概略工程を示す図であるが、上述の実施形態と同一内容に関してはここでは説明を省略する。 [Fourth Embodiment]
A method for forming a conductive layer according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Note that FIG. 4 is a diagram showing a schematic process of the conductive layer forming method in the present embodiment, but the same contents as those in the above-described embodiment will be omitted here.

本実施形態では、第１実施形態の保護層形成工程において、印刷によって基板４１に保護層４２を形成する点が特徴である（図４（ｂ））。これにより、導電層４５の形状精度を高めることが可能になる。その他の工程、即ち、下地層形成工程、導電層形成工程は、上述の第１実施形態と同一であるので、説明は省略する。（なお、図中４３が下地層、４４が触媒層、４５が導電層である） The present embodiment is characterized in that the protective layer 42 is formed on the substrate 41 by printing in the protective layer forming step of the first embodiment (FIG. 4B). This makes it possible to improve the shape accuracy of the conductive layer 45. Since the other steps, that is, the base layer forming step and the conductive layer forming step are the same as those in the first embodiment described above, the description thereof will be omitted. (In the figure, 43 is the base layer, 44 is the catalyst layer, and 45 is the conductive layer.)

このように本実施形態では、下地層４３と導電層４５が形成されている電子回路基板４０、及びそれを備える電子デバイスにおいて、耐久性を向上させることが可能な電子回路基板４０、及びそれを備える電子デバイスを提供することが可能になる。 As described above, in the present embodiment, in the electronic circuit board 40 on which the base layer 43 and the conductive layer 45 are formed, and the electronic device including the electronic circuit board 40, the electronic circuit board 40 capable of improving the durability, and the electronic circuit board 40 thereof. It becomes possible to provide an electronic device to be provided.

［第５実施形態］
図５を参照して、本発明の第５実施形態に係る導電層形成方法について説明する。なお、図５は、本実施形態における導電層形成方法の概略工程を示す図であるが、上述の実施形態と同一内容に関してはここでは説明を省略する。 [Fifth Embodiment]
A method for forming a conductive layer according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Note that FIG. 5 is a diagram showing a schematic process of the conductive layer forming method in the present embodiment, but the same contents as those in the above-described embodiment will be omitted here.

本実施形態では、第２実施形態の下地層形成工程において、印刷によって基板５１に下地層５３を形成する点が特徴である（図５（ｂ））。これにより、導電層５５の形状精度を高めることが可能になる。その他の工程、即ち、保護層形成工程、導電層形成工程は、上述の第２実施形態と同一であるので、説明は省略する（なお、図中５２が保護層、５４が触媒層、５５が導電層である）。 The present embodiment is characterized in that the base layer 53 is formed on the substrate 51 by printing in the base layer forming step of the second embodiment (FIG. 5 (b)). This makes it possible to improve the shape accuracy of the conductive layer 55. Since the other steps, that is, the protective layer forming step and the conductive layer forming step are the same as those in the second embodiment described above, the description thereof will be omitted (in the figure, 52 is the protective layer, 54 is the catalyst layer, and 55 is. It is a conductive layer).

このように本実施形態では、下地層５３と導電層５５が形成されている電子回路基板５０、及びそれを備える電子デバイスにおいて、耐久性を向上させることが可能な電子回路基板５０、及びそれを備える電子デバイスを提供することが可能になる。 As described above, in the present embodiment, in the electronic circuit board 50 on which the base layer 53 and the conductive layer 55 are formed, and the electronic device provided with the electronic circuit board 50, the electronic circuit board 50 capable of improving durability and the electronic circuit board 50 thereof can be used. It becomes possible to provide an electronic device to be provided.

［第６実施形態］
図６を参照して、本発明の第６実施形態に係る導電層形成方法について説明する。なお、図６は、本実施形態における導電層形成方法の概略工程を示す図であるが、上述の実施形態と同一内容に関してはここでは説明を省略する。 [Sixth Embodiment]
The conductive layer forming method according to the sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Note that FIG. 6 is a diagram showing a schematic step of the conductive layer forming method in the present embodiment, but the same contents as those in the above-described embodiment will not be described here.

本実施形態では、第１実施形態の導電層形成工程において、基板６１上にパターニングされた保護層６２、さらに下地層６３に対し、めっき処理ではなく、スパッタで導電層６５を形成することを特徴とする。これによれば、疎水性を有する保護層６２には導電層６５は形成されないので、導電層６５の形状精度を高めることが可能になる。その他の工程、即ち、保護層形成工程、下地層形成工程は、上述の第１実施形態と同一であるので、説明は省略する。 The present embodiment is characterized in that, in the conductive layer forming step of the first embodiment, the conductive layer 65 is formed on the protective layer 62 and the base layer 63 patterned on the substrate 61 by sputtering instead of plating. And. According to this, since the conductive layer 65 is not formed on the hydrophobic protective layer 62, it is possible to improve the shape accuracy of the conductive layer 65. Since the other steps, that is, the protective layer forming step and the base layer forming step are the same as those in the first embodiment described above, the description thereof will be omitted.

このように本実施形態では、下地層６３と導電層６５が形成されている電子回路基板６０、及びそれを備える電子デバイスにおいて、耐久性を向上させることが可能な電子回路基板６０、及びそれを備える電子デバイスを提供することが可能になる。 As described above, in the present embodiment, in the electronic circuit board 60 on which the base layer 63 and the conductive layer 65 are formed, and the electronic device provided with the electronic circuit board 60, the electronic circuit board 60 capable of improving durability and the electronic circuit board 60 thereof can be used. It becomes possible to provide an electronic device to be provided.

［第７実施形態］
図７を参照して、本発明の第７実施形態に係る導電層形成方法について説明する。なお、図７は、本実施形態における導電層形成方法の概略工程を示す図であるが、上述の第２実施形態と同一内容に関してはここでは説明を省略する。 [7th Embodiment]
The conductive layer forming method according to the seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 7. Note that FIG. 7 is a diagram showing a schematic process of the conductive layer forming method in the present embodiment, but the description thereof will be omitted here with respect to the same contents as the above-mentioned second embodiment.

本実施形態では、第２実施形態の導電層形成工程において、基板７１上にパターニングされた下地層７３、さらに保護層７２に対し、めっき処理ではなく、スパッタで導電層７５を形成することを特徴とする。これによれば、疎水性を有する保護層７２には導電層７５は形成されないので、導電層７５の形状精度を高めることが可能になる。その他の工程、即ち、保護層形成工程、下地層形成工程は、上述の第２実施形態と同一であるので、説明は省略する。 The present embodiment is characterized in that, in the conductive layer forming step of the second embodiment, the conductive layer 75 is formed on the base layer 73 and the protective layer 72 patterned on the substrate 71 by sputtering instead of plating. And. According to this, since the conductive layer 75 is not formed on the hydrophobic protective layer 72, it is possible to improve the shape accuracy of the conductive layer 75. Since the other steps, that is, the protective layer forming step and the base layer forming step are the same as those in the second embodiment described above, the description thereof will be omitted.

このように本実施形態では、下地層７３と導電層７５が形成されている電子回路基板７０、及びそれを備える電子デバイスにおいて、耐久性を向上させることが可能な電子回路基板７０、及びそれを備える電子デバイスを提供することが可能になる。 As described above, in the present embodiment, in the electronic circuit board 70 on which the base layer 73 and the conductive layer 75 are formed, and the electronic device provided with the electronic circuit board 70, the electronic circuit board 70 capable of improving the durability, and the electronic circuit board 70 thereof. It becomes possible to provide an electronic device to be provided.

［第８実施形態］
図８を参照して、本発明の第８実施形態に係る導電層形成方法について説明する。なお、図８は、本実施形態における導電層形成方法の概略工程を示す図であるが、上述の第３実施形態と同一内容に関してはここでは説明を省略する。 [8th Embodiment]
The conductive layer forming method according to the eighth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Note that FIG. 8 is a diagram showing a schematic process of the conductive layer forming method in the present embodiment, but the same contents as those in the above-described third embodiment will not be described here.

本実施形態では、第３実施形態の導電層形成工程において、基板８１上にパターニングされた保護層８２、さらに下地層８３に対し、めっき処理ではなく、スパッタで導電層８５を形成することを特徴とする。これによれば、疎水性を有する保護層８２には導電層８５は形成されないので、導電層８５の形状精度を高めることが可能になる。その他の工程、即ち、保護層形成工程、下地層形成工程は、上述の第３実施形態と同一であるので、説明は省略する。 The present embodiment is characterized in that, in the conductive layer forming step of the third embodiment, the conductive layer 85 is formed on the protective layer 82 and the base layer 83 patterned on the substrate 81 by sputtering instead of plating. And. According to this, since the conductive layer 85 is not formed on the hydrophobic protective layer 82, it is possible to improve the shape accuracy of the conductive layer 85. Since the other steps, that is, the protective layer forming step and the base layer forming step are the same as those in the third embodiment described above, the description thereof will be omitted.

このように本実施形態では、下地層８３と導電層８５が形成されている電子回路基板８０、及びそれを備える電子デバイスにおいて、耐久性を向上させることが可能な電子回路基板８０、及びそれを備える電子デバイスを提供することが可能になる。 As described above, in the present embodiment, in the electronic circuit board 80 on which the base layer 83 and the conductive layer 85 are formed, and the electronic device provided with the electronic circuit board 80, the electronic circuit board 80 capable of improving durability and the electronic circuit board 80 thereof can be used. It becomes possible to provide an electronic device to be provided.

［第９実施形態］
図９を参照して、本発明の第９実施形態に係る導電層形成方法について説明する。なお、図９は、本実施形態における導電層形成方法の概略工程を示す図であるが、上述の第４実施形態と同一内容に関してはここでは説明を省略する。 [9th Embodiment]
The conductive layer forming method according to the ninth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Note that FIG. 9 is a diagram showing a schematic step of the conductive layer forming method in the present embodiment, but the same contents as those in the above-described fourth embodiment will not be described here.

本実施形態では、第４実施形態の導電層形成工程において、基板９１上に印刷によってパターニングされた保護層９２、さらに下地層９３に対し、めっき処理ではなく、スパッタで導電層９５を形成することを特徴とする。これによれば、疎水性を有する保護層８２には導電層９５は形成されないので、導電層９５の形状精度を高めることが可能になる。その他の工程、即ち、保護層形成工程、下地層形成工程は、上述の第４実施形態と同一であるので、説明は省略する。 In the present embodiment, in the conductive layer forming step of the fourth embodiment, the conductive layer 95 is formed on the protective layer 92 and the base layer 93 patterned by printing on the substrate 91 by sputtering instead of plating. It is characterized by. According to this, since the conductive layer 95 is not formed on the hydrophobic protective layer 82, it is possible to improve the shape accuracy of the conductive layer 95. Since the other steps, that is, the protective layer forming step and the base layer forming step are the same as those in the above-described fourth embodiment, the description thereof will be omitted.

このように本実施形態では、下地層９３と導電層９５が形成されている電子回路基板９０、及びそれを備える電子デバイスにおいて、耐久性を向上させることが可能な電子回路基板９０、及びそれを備える電子デバイスを提供することが可能になる。 As described above, in the present embodiment, in the electronic circuit board 90 on which the base layer 93 and the conductive layer 95 are formed, and the electronic device provided with the electronic circuit board 90, the electronic circuit board 90 capable of improving durability and the electronic circuit board 90 thereof. It becomes possible to provide an electronic device to be provided.

［第１０実施形態］
図１０を参照して、本発明の第１０実施形態に係る導電層形成方法について説明する。なお、図１０は、本実施形態における導電層形成方法の概略工程を示す図であるが、上述の実施形態と同一内容に関してはここでは説明を省略する。 [10th Embodiment]
The conductive layer forming method according to the tenth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Note that FIG. 10 is a diagram showing a schematic process of the conductive layer forming method in the present embodiment, but the same contents as those in the above-described embodiment will not be described here.

本実施形態では、第５実施形態の導電層形成工程において、基板１０１上に印刷によってパターニングされた下地層１０３、さらに保護層１０２に対し、めっき処理ではなく、スパッタで導電層１０５を形成することを特徴とする。これによれば、疎水性を有する保護層１０２には導電層１０５は形成されないので、導電層１０５の形状精度を高めることが可能になる。その他の工程、即ち、保護層形成工程、下地層形成工程は、上述の第５実施形態と同一であるので、説明は省略する。 In the present embodiment, in the conductive layer forming step of the fifth embodiment, the conductive layer 105 is formed on the substrate 101 by printing on the base layer 103 and the protective layer 102 by sputtering instead of plating. It is characterized by. According to this, since the conductive layer 105 is not formed on the protective layer 102 having hydrophobicity, it is possible to improve the shape accuracy of the conductive layer 105. Since the other steps, that is, the protective layer forming step and the base layer forming step are the same as those in the above-described fifth embodiment, the description thereof will be omitted.

このように本実施形態では、下地層１０３と導電層１０５が形成されている電子回路基板１００、及びそれを備える電子デバイスにおいて、耐久性を向上させることが可能な電子回路基板１００、及びそれを備える電子デバイスを提供することが可能になる。 As described above, in the present embodiment, in the electronic circuit board 100 on which the base layer 103 and the conductive layer 105 are formed, and the electronic device including the electronic circuit board 100, the electronic circuit board 100 capable of improving the durability, and the electronic circuit board 100 thereof. It becomes possible to provide an electronic device to be provided.

１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００…電子回路基板、１１、２１、３１、４１、５１、６１、７１、８１、９１、１０１…基板、１２、２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２、１０２…保護層、１３、２３、３３、４３、５３、６３、７３、８３、９３、１０３…下地層、１４、２４、３４、４４、５４…触媒層、１５、２５、３５、４５、５５、６５、７５、８５、９５、１０５…導電層 10, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100 ... Electronic circuit boards, 11, 21, 31, 41, 51, 61, 71, 81, 91, 101 ... Substrate, 12, 22, 32, 42, 52, 62, 72, 82, 92, 102 ... Protective layer, 13, 23, 33, 43, 53, 63, 73, 83, 93, 103 ... Underlayer, 14, 24, 34, 44, 54 ... Catalyst layer, 15, 25, 35, 45, 55, 65, 75, 85, 95, 105 ... Conductive layer

Claims

With the board
The base layer formed on the surface of the substrate and
It has a conductive layer formed on the base layer and
The base layer is formed by a coupling agent, and the thickness of the conductive layer is thicker than the thickness of the base layer.
It is an electronic circuit board
On the surface of the substrate, a protective layer is formed around the base layer.
The base layer is a monomolecular layer formed by functional groups contained in the coupling agent.
An electronic circuit board characterized in that the protective layer is formed of a coupling agent having at least a hydrophobic surface, which is different from the coupling agent forming the base layer .

The electronic circuit board according to claim 1, wherein the surface of the conductive layer is formed of Au.

The electronic circuit board according to claim 1 or 2, wherein the main component constituting the conductive layer is Au.

The electronic circuit board according to any one of claims 1 to 3, wherein the conductive layer is a plating layer.

The electronic circuit board according to any one of claims 1 to 4, wherein the thickness of the base layer is 20 nm or less.

The invention according to any one of claims 1 to 5, wherein an alkylsilane-based coupling agent or a fluorinated alkylsilane-based coupling agent is used as the coupling agent forming the protective layer. The electronic circuit board described.

The electronic circuit according to any one of claims 1 to 6, wherein an amino silane coupling agent or a mercapto silane coupling agent is used as the coupling agent forming the underlying layer. substrate.

The electronic circuit board according to any one of claims 1 to 7, wherein the substrate is made of a transparent material.

An electronic device comprising the electronic circuit board according to any one of claims 1 to 8.