JP5148944B2 - 基板処理システム - Google Patents

Description

この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）であって、レジスト膜が形成された基板を露光する処理と、その露光の前に行うレジスト膜の塗布処理、または／および、その露光の後に行う現像処理を行う基板処理システムに係る。

リソグラフィー工程の概略フローは、（１）レジスト塗布、（２）露光、（３）ポストエクスポージャベーク（以下、適宜「ＰＥＢ」と記載する）、（４）現像、（５）エッチング、（６）レジスト除去に大別される。ここで、（２）露光の工程で始まる、露光された部分のレジスト膜の反応は、（３）ＰＥＢの工程においても継続され、基板を冷却処理したときに停止する。このように、リソグラフィー工程の中で、（２）露光と（３）ＰＥＢおよびこれに付随する冷却処理とは一連に行う必要があり、時間的に切り離すことはできない。

また、パターンの線幅寸法のさらなる微細化のために、２種類のマスクを使用して異なるパターンで露光を２回行う方法がある（いわゆる２重露光である）。例えば、一方のマスクを縦方向のパターン用とし、他方のマスクを横方向のパターン用として使い分ける方法がある。または、一方のマスクによって投影される隣接するパターン間に、他方のマスクに応じたパターンが位置するように露光する方法がある。また、２重露光の場合のリソグラフィー工程としては、（２）露光のみを２回続けて繰り返す手順、または、（１）レジスト塗布から（６）レジスト除去まで等、複数工程を２回繰り返す手順等がある。

上述した（１）レジスト塗布から（４）現像の各処理を行う従来装置の概略例を図８に示す。この基板処理装置は、インデクサブロック８１と、レジストブロック８３と、現像ブロック８５と、インターフェイスブロック８７と、露光機８９とを備え、これらが１列にインラインで接続されている。レジストブロック８３および現像ブロック８５には、それぞれレジスト塗布ユニットＳＣ、現像ユニットＳＤのほかに、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰが付設されており、レジスト塗布または現像の工程において基板Ｗに対して適宜熱処理を行う。なお、上述の（３）ポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）の処理に用いられる加熱ユニットＨＰは、現像ブロック８５に付設されている。また、各ブロック８１、８３、８５にはそれぞれ基板Ｗを搬送する搬送機構９１、９３、９５が設けられており、インターフェイスブロック８７にも図示省略の搬送機構が設けられている。

このように構成される基板処理装置によって、まず、インデクサブロック８１からレジストブロック８３に基板Ｗを送り、レジスト塗布ユニットＳＣに搬入する。基板Ｗにレジスト膜を形成すると、この基板Ｗを露光機８９に搬送する。基板Ｗが露光されると、基板Ｗを現像ブロック８５に搬送する。現像ブロック８５では、ＰＥＢ用の加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰ、現像ユニットＳＤの順に基板Ｗを送り、各ユニットＨＰ、ＣＰ、ＳＤにおいて基板Ｗに所定の処理を行う。現像ブロック８５での処理が済むと、再び、基板Ｗをインデクサブロック８１に搬送する。搬送機構９１はこの一連の処理が行われた基板Ｗを収容器Ｃに収納する（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
特開２００３−３２４１３９号公報 特開平１１−１５４６３７号公報

しかしながら、従来の装置によって２重露光によるリソグラフィー工程を行うとき、特に、（２）露光の工程において続けて２回露光を行う場合は、次のような問題がある。すなわち、露光機８９が１枚の基板を露光する時間が概ね２倍に増大し、露光機８９の処理時間に引きずられるようにレジストブロック８３および現像ブロック８５の稼動率が低下する。

この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、露光機の処理時間が増大することによる影響を抑制しつつ、リソグラフィー工程の所定の処理を効率よく行うことができる基板処理システムを提供することを目的とする。

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理システムにおいて、基板上にレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニットを有する塗布装置と、前記塗布装置とは別体に設けられ、レジスト膜が形成された基板を露光する露光機と、露光された基板を加熱する熱処理ユニットと、を有する露光装置と、前記塗布装置および前記露光装置における各処理のスケジュールを調整しつつ、前記レジスト塗布ユニットと前記露光機と前記熱処理ユニットを制御する制御手段と、を備え、前記塗布装置および前記露光装置はそれぞれ、複数枚の基板を収容する収容器に対して基板を出し入れするインデクサブロックを備え、さらに、前記システムは、前記塗布装置および前記露光装置の各インデクサブロックの間で前記収容器を搬送する搬送手段を備え、前記制御手段は、さらに、前記搬送手段を制御することを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、露光機を有する露光装置と別体に塗布装置を設けたので、レジスト塗布ユニットによってレジスト膜が形成された基板が特定の露光機のみに送られるという制約がない。よって、露光機の処理時間が増大した場合であっても、塗布装置の稼働率は影響を受けない。よって、基板にレジストを塗布してレジスト膜を形成する処理を効率よく行うことができる。
また、別体で設けられる塗布装置と露光装置との連携を好適に実現できる。

本発明において、前記制御手段は、前記塗布装置において、前記露光装置に渡すための基板を処理していないときは、前記露光装置以外の装置に渡すための基板を処理することを許容することが好ましい（請求項２）。塗布装置を効率よく稼働させることができる。

各発明において、前記塗布装置は、前記塗布ユニットを制御する第１制御部を備え、前記露光装置は、前記露光機と前記熱処理ユニットを制御し、かつ、前記第１制御部と通信可能な第２制御部を備え、前記制御手段は、前記第１、第２制御部で構成されていることが好ましい（請求項３）。別体で設けられる塗布装置および露光装置における処理を互いに連携しつつ行うことができる。

各発明において、前記制御手段は、さらに、前記第１、第２制御部と通信するホストコンピュータを含むことが好ましい（請求項４）。別体で設けられる塗布装置および露光装置における処理を互いに連携しつつ行うことができる。

各発明において、前記塗布装置と前記露光装置とは互いに離して設けられ、前記搬送手段は、前記塗布装置および前記露光装置の外部に設けられ、前記塗布装置のインデクサブロックに載置される収容器および前記露光装置のインデクサブロック上に載置される収容器は、一直線上に並び、前記搬送手段が前記収容器を搬送する搬送経路は、前記塗布装置のインデクサブロックと前記露光装置のインデクサブロックとを結ぶ直線上とすることが好ましい。

各発明において、前記塗布装置は、さらに、露光された基板に現像処理を行う現像ユニットを有するが好ましい（請求項６）。現像処理を効率よく行うことができる。

また、請求項７に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理システムにおいて、基板を露光する露光機と、露光された基板を加熱する熱処理ユニットと、を有する露光装置と、前記露光装置とは別体に設けられ、露光された基板を現像する現像ユニットを有する現像装置と、前記露光装置および前記現像装置における各処理のスケジュールを調整しつつ、前記露光機と前記熱処理ユニットと前記現像ユニットとを制御する制御手段と、を備え、前記現像装置および前記露光装置はそれぞれ、複数枚の基板を収容する収容器に対して基板を出し入れするインデクサブロックを備え、さらに、前記システムは、前記現像装置および前記露光装置の各インデクサブロックの間で前記収容器を搬送する搬送手段を備え、前記制御手段は、さらに、前記搬送手段を制御することを特徴とする。

［作用・効果］請求項７に記載の発明によれば、露光機を有する露光装置と別体に現像装置を設けたので、現像ユニットは特定の露光機で露光された基板のみしか現像しないという制限がない。よって、露光機の処理時間が増大した場合であっても、現像装置の稼働率は影響を受けない。よって、現像処理を効率よく行うことができる。
また、別体で設けられる露光装置と現像装置との連携を好適に実現できる。

各発明において、前記制御手段は、前記現像装置において、前記露光装置から受け渡された基板を処理していないときは、前記露光装置以外の装置から受け渡された基板を処理することを許容することが好ましい（請求項８）。現像装置を効率よく稼働させることができる。

各発明において、前記現像装置は、前記現像ユニットを制御する第１制御部を備え、前記露光装置は、前記露光機と前記熱処理ユニットを制御し、かつ、前記第１制御部と通信可能な第２制御部を備え、前記制御手段は、前記第１、第２制御部で構成されていることが好ましい（請求項９）。別体で設けられる露光装置および現像装置における処理を互いに連携しつつ行うことができる。

各発明において、前記制御手段は、さらに、前記第１、第２制御部と通信するホストコンピュータを含むことが好ましい（請求項１０）。別体で設けられる塗布装置および露光装置における処理を互いに連携しつつ行うことができる。

各発明において、前記現像装置と前記露光装置とは互いに離して設けられ、前記搬送手段は、前記現像装置および前記露光装置の外部に設けられ、前記現像装置のインデクサブロックに載置される収容器および前記露光装置のインデクサブロック上に載置される収容器は、一直線上に並び、前記搬送手段が前記収容器を搬送する搬送経路は、前記現像装置のインデクサブロックと前記露光装置のインデクサブロックとを結ぶ直線上とすることが好ましい。

なお、本明細書は、次のような基板処理システムに係る発明も開示している。

（１）請求項１から請求項１１のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、前記露光機と前記熱処理ユニットとは、インライン接続されていることを特徴とする基板処理システム。

前記（１）に記載の発明によれば、露光装置において、露光された基板に対して熱処理を好適に行うことができる。

（２）請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、前記露光装置は、さらに、露光された基板に現像処理を行う現像ユニットを有することを特徴とする基板処理システム。

前記（２）に記載の発明によれば、露光装置において現像処理を行うことができる。

（３）請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、さらに、前記塗布装置および前記露光装置とは別体に設けられ、露光された基板に現像処理を行う現像ユニットを有する現像装置を備えていることを特徴とする基板処理システム。

前記（３）に記載の発明によれば、現像装置を効率よく稼働させることができる。

（４）請求項７から請求項１０のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、前記露光装置は、さらに、基板上にレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニットを有することを特徴とする基板処理システム。

前記（４）に記載の発明によれば、レジスト膜を基板に形成することができる。

（５）請求項７から請求項１０のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、さらに、前記現像装置および前記露光装置とは別体に設けられ、基板上にレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニットを有する塗布装置を備えていることを特徴とする基板処理システム。

前記（５）に記載の発明によれば、塗布装置を効率よく稼働させることができる。

（６）請求項１から請求項６のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、前記レジスト膜は化学増幅型であることを特徴とする基板処理システム。

（７）請求項５に記載の記載の基板処理システムにおいて、前記搬送手段が前記収容器を搬送する搬送経路は、前記塗布装置のインデクサブロックと前記露光装置のインデクサブロックとを結ぶ直線上とすることを特徴とする基板処理システム。

前記（７）に記載の発明によれば、搬送手段は効率よく収容器を搬送することができる。

（８）請求項１１に記載の記載の基板処理システムにおいて、前記搬送手段が前記収容器を搬送する搬送経路は、前記現像装置のインデクサブロックと前記露光装置のインデクサブロックとを結ぶ直線上とすることを特徴とする基板処理システム。

前記（８）に記載の発明によれば、搬送手段は効率よく収容器を搬送することができる。

この発明に係る基板処理システムによれば、露光機を有する露光装置と別体に塗布装置を設けたので、レジスト塗布ユニットによってレジスト膜が形成された基板が特定の露光機のみに送られるという制約がない。よって、露光機の処理時間が増大した場合であっても、塗布装置の稼働率は影響を受けない。よって、リソグラフィー工程の所定の処理を効率よく行うことができる。

以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
図１は、実施例に係る基板処理システムの概略構成を示す斜視図であり、図２は、塗布現像装置の概略構成を示す平面図と断面図であり、図３は、露光装置の概略構成を示す平面図と断面図である。

本実施例に係る基板処理システムは、基板Ｗ（例えば、半導体ウエハ）についてレジスト塗布、露光、現像等の処理を行うシステムとして構築されている。本基板処理システムは、別体に設けられる塗布現像装置１および露光装置３と、これら塗布現像装置１と露光装置３との間で基板Ｗを収容する収容器Ｃを搬送する上方搬送機構５とを備えている。収容器Ｃとしては、密閉型のいわゆるＦＯＵＰ（front opening unified pod）が例示される。なお、塗布現像装置１は、この発明における塗布装置および現像装置に相当する。

塗布現像装置１は、インデクサブロック１１とレジストブロック１３と現像ブロック１５とがこの順序で１列に並んで設けられている。各ブロック１１、１３、１５の間には、それぞれ雰囲気を遮断する隔壁１７が立設されている。各隔壁１７には、平面視略中央の位置に開口が形成されている。この開口に基板Ｗを載置する載置部１９、２０が設けられている。

インデクサブロック１１は、収容器Ｃを載置する収容器載置台２１と、収容器載置台２１に沿ってスライド移動可能に設けられるインデクサ搬送機構２３を備えている。インデクサ搬送機構２３は、さらに、昇降自在かつ旋回自在に構成され、載置台２１上の各収容器Ｃと、インデクサブロック１１とレジストブロック１３との間に配備される載置部１９との間で基板Ｗを搬送する。

レジストブロック１３は、その一側方に多段に積層された複数個のレジスト塗布ユニットＳＣを備え、他側方には複数個の加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰを備えている。レジストブロック１３の中央には、レジスト搬送機構２５が昇降自在、かつ、旋回自在に設けられている。このレジスト搬送機構２５は、両側方に積層される各ユニットＳＣ、ＨＰ、ＣＰ、および、前後双方に位置する載置部１９、２０との間で基板Ｗを搬送する。各レジスト塗布ユニットＳＣは、基板Ｗを水平姿勢で回転可能に保持する基板保持部２６ａと、基板Ｗにレジスト（例えば、化学増幅型レジスト）を塗布するノズル２６ｂとを備え、基板Ｗにレジスト膜を形成する処理を行う。加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰは、それぞれ所定温度に調節される加熱プレート、冷却プレート（いずれも図示省略）を有し、基板Ｗを所定温度で加熱または冷却する処理を行う。

現像ブロック１５は、複数個の現像ユニットＳＤを一側方に多段に積層しており、他側方には複数個の加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰを備えている。現像ブロック１５の中央にも、昇降自在、かつ、旋回自在に現像搬送機構２７が設けられている。この現像搬送機構２７は、各ユニットＳＤ、ＨＰ、ＣＰ、および、載置部２０との間で基板Ｗを搬送する。現像ユニットＳＤは、基板Ｗを水平姿勢で回転可能に保持する基板保持部２８ａと、基板Ｗに現像液を供給するノズル２８ｂとを備え、基板Ｗに対して現像処理を行う。

次に、露光装置３について図３を参照して説明する。露光装置３は、インデクサブロック３１とＰＥＢブロック３３とインターフェイスブロック３５と露光機３７とがこの順序で１列に並んで設けられている。なお、露光機３７は、インターフェイスブロック３５によってＰＥＢブロック３３等とインライン接続されている。露光装置３の各ブロック３１、３３、３５の間は、雰囲気を遮断する隔壁３９が立設されている。各隔壁３９には、平面視中央から露光装置３の側端側へ寄った位置に開口が形成されており、各開口位置には基板Ｗを載置する載置部４１、４２が設けられている。また、インターフェイスブロック３５と露光機３７の間は露光機３７の筐体によって雰囲気が遮断されているとともに、シャッター装置５３によって開閉される基板搬入口によって連通可能に構成されている。

インデクサブロック３１は、塗布現像装置１に配備されるインデクサブロック１１と略同じ構成である。すなわち、収容器Ｃを載置する収容器載置台４５と、自在に可動するインデクサ搬送機構４７を備えている。インデクサ搬送機構４７は、収容器載置台４５に載置される収容器Ｃと載置部４１との間で基板Ｗを搬送する。

ＰＥＢブロック３３は、一側方に複数個の加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰを備え、他側方にＰＥＢ搬送機構４９を備えている。加熱、冷却ユニットＨＰ、ＣＰは、それぞれ所定温度に調節される加熱プレート４８ａおよび冷却プレート４８ｂを備え、加熱、冷却プレート４８ａ、４８ｂに載置される基板Ｗに所定の熱処理を行う。ＰＥＢ搬送機構４９は、各ユニットＨＰ、ＣＰ、および、前後双方の載置部４１、４２との間で基板Ｗを搬送する。ＰＥＢブロック３３に配備される加熱ユニットＨＰは、この発明における熱処理ユニットに相当する。

インターフェイスブロック３５は、旋回自在に設けられるインターフェイス搬送機構５１を備えている。インターフェイス搬送機構５１は、シャッター機構５３と連動して露光機５１に対して基板Ｗを搬入、搬出するとともに、載置部４２を介してＰＥＢ搬送機構３９との間で基板Ｗを受け渡しする。

露光機３７は、基板Ｗを載置するステージ５５と、照明系５６と、マスク５７と、マスク５７のパターンの像をステージ上の基板Ｗに投影する投影光学像５８と、を備え、基板Ｗを露光する処理を行う。照明系５６の光源としては、ＡｒＦ等が例示される。また、マスク５７は複数であり、マスク５７を切り換えるマスク切換機構（図示省略）を備えている。

次に上方搬送機構５を説明する。上方搬送機構５は、塗布現像装置１、露光装置３の各収容器載置台２１、４５の上方を直線的に結ぶように水平に設けられたレール６１と、レール６１に沿って移動可能な搬送部６３と、搬送部６３の下方に伸縮自在に延びる支柱６５と、前記支柱６５の下端に設けられる保持具６７とを備えている。保持具６７には、収容器Ｃの上部と係止して収容器Ｃを保持可能、かつ、この係止を解除して収容器Ｃと離脱可能な係合機構（図示省略）が配備されている。搬送部６３内には各種駆動機構が配備されており、これら駆動機構によって搬送部６３の移動、支柱６５の伸縮、および係合機構の係止、離脱等の動作が行われる。このように構成される上方搬送機構５は、塗布現像装置１と露光装置３の間で収容器Ｃを搬送する。上方搬送機構５は、この発明における搬送手段に相当する。

次に、図４を参照して本基板処理システムの制御系について説明する。図４は、基板処理システムにおける制御系のブロック図である。塗布現像装置１と露光装置３とは、それぞれ第１制御部７１と第２制御部７３とを備えている。第１制御部７１は、各ユニットＳＤ、ＳＣ、ＨＰ、ＣＰと、塗布現像装置１の各搬送機構２３、２５、２７（これらを適宜「第１搬送系ＴＲ１」と総称する）を統括的に制御する。第２制御部３は、加熱、冷却プレートＨＰ、ＣＰ、露光機３７、露光装置３の各搬送機構４７、４９、５１（これらを適宜「第２搬送機構ＴＲ２」と総称する）を統括的に制御する。さらに、第１、第２制御部７１、７３は、それぞれ基板Ｗに関する処理の履歴等の情報を個別に管理する。

これら各第１、第２制御部７１、７３は相互に通信可能であるとともに、それぞれ上方搬送機構５とも通信可能に構成されている。そして、各第１、第２制御部７１、７３は、互いに連携しつつ、それぞれ塗布現像装置１、露光装置３内において基板Ｗに対して各処理を行う。また、第１、第２制御部７１、７３は上方搬送機構５を操作して、塗布現像装置１、露光装置３間のカセットＣの搬送を制御する。第１、第２制御部７１、７３は、所定のプログラムを読み出して実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）や、各種情報を記憶するＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random-Access Memory）や固定ディスク等の記憶媒体等で実現される。

次に、実施例１に係る基板処理システムの動作について説明する。
＜塗布現像装置と露光装置の調整＞
まず、第１制御部７１は、第２制御部７３に対して露光処理のスケジュールを問い合わせる。例えば、レジスト膜が形成された基板Ｗを露光装置３に搬送する最適な時刻または期間について問い合わせる。あるいは、レジスト膜を形成する処理に要する時間から逆算して今から所定時間後に露光装置３に基板Ｗを新たに搬送すると、速やかにその基板Ｗを露光することができるか否かについて問い合わせる。

これに対して、第２制御部７３は、現在露光装置３が保有する未処理の基板Ｗの枚数等を参照して露光処理のスケジュールを推定し、このスケジュールに基づいて上記第１制御部７１の問い合わせに対して回答する。このとき、露光等、露光装置３における処理が終了する時刻についても併せて返答する。

このように第１、第２制御部７１、７３がそれぞれ塗布現像装置１、露光装置３の処理スケジュールをつき合わせて、露光装置３において適切に基板Ｗを露光することができるタイミングと、そのタイミングで適切に露光することができる基板Ｗの枚数とが調整される。また、露光前後のレジスト塗布や現像処理等、所定のリソグラフィー工程のスケジュールについても調整される。

第１制御部７１は、上述のように第２制御部７３と連携して、レジスト膜を形成する処理を開始する時刻、処理期間、処理する基板Ｗの枚数等といったレジスト塗布ユニットＳＣの稼働予定を決定する。併せて、現像処理を開始する時刻、処理期間等の現像ユニットＳＤの稼働予定を決定する。

＜レジスト膜形成処理＞
上記レジスト膜を形成する処理を開始する時刻になると、塗布現像装置１は次のように動作する。すなわち、搬送系ＴＲ１は、収容器載置台２１に載置される収容器Ｃから基板Ｗを取り出し、レジスト塗布ユニットＳＣに搬送する。レジスト塗布ユニットＳＣは、基板Ｗの表面に所定の膜厚のレジスト膜を形成する。搬送系ＴＲ１は、レジスト膜が形成された基板Ｗを再び収容器Ｃ内の元の位置に収納する。ここで、レジスト塗布ユニットＳＣにおける処理の前後に、加熱、冷却ユニットＨＰ、ＣＰにおいて基板Ｗに熱処理を適宜に行ってもよい。このような処理をその他の基板Ｗに対しても行い、レジスト膜が形成された基板Ｗを予め特定した枚数分だけ得る。なお、以上の動作はすべて第１制御部７１の制御による。

なお、上記レジスト膜を形成する処理を開始する時刻になるまでは、露光装置３以外の装置に対応する処理があれば、その処理を行うことが許容されている。

＜塗布現像装置から露光装置への搬送＞
第１制御部７１は、上方搬送機構５を操作する。これにより、上方搬送機構５は、収容器載置台２１に載置される所定の収容器Ｃを露光装置３の収容器載置台４５へ搬送する。

＜露光およびポストエクスポージャベーク＞
収容器載置台４５に収容器Ｃが載置されると、露光装置３は次のように動作する。すなわち、搬送系ＴＲ２は、収容器載置台４５に載置された収容器Ｃから基板Ｗを取り出し、露光機３７に搬送する。露光機３７は、基板Ｗを続けて２回露光する。搬送系ＴＲ２は露光機３７から加熱ユニットＨＰに基板Ｗを搬送し、加熱ユニットＨＰは基板Ｗを所定の時間、加熱処理する（ポストエクスポージャベーク）。さらに、搬送系ＴＲ２は加熱ユニットＨＰから冷却ユニットＣＰに基板Ｗを搬送し、冷却ユニットＣＰは基板Ｗを冷却処理する。これにより、露光された部分のレジスト膜の反応は停止する。最後に、搬送系ＴＲ２は、冷却ユニットＣＰから基板Ｗを搬出し、再び収容器Ｃ内の元の位置に収納する。なお、以上の動作はすべて第２制御部７３の制御による。

＜露光装置から塗布現像装置への搬送＞
第２制御部７３は、上方搬送機構５を操作する。これにより、上方搬送機構５は、収容器載置台４５から塗布現像装置１の収容器載置台２１へに所定の収容器Ｃを搬送する。

＜現像処理＞
収容器載置台２１に収容器Ｃが載置されると、塗布現像装置１は次のように動作する。すなわち、搬送系ＴＲ１は、収容器載置台２１に載置される収容器Ｃから基板Ｗを取り出し、現像ユニットＳＤに搬送する。現像ユニットＳＤは、基板Ｗに現像液を供給して現像処理を行う。搬送系ＴＲ１は、現像された基板Ｗを再び収容器Ｃ内の元の位置に収納する。ここで、現像ユニットＳＤにおける処理の前後に、加熱、冷却ユニットＨＰ、ＣＰにおいて基板Ｗに熱処理を適宜に行ってもよい。

＜稼働予定がないとき＞
なお、塗布現像装置１は、第１制御部７１と第２制御部７３との連携の結果、レジスト塗布ユニットＳＣや現像ユニットＳＤの稼働予定が空いている場合には、露光装置３以外の装置（不図示）に対応した処理を行なうことができる。具体的には、第１制御部７１が、露光装置３以外の装置に渡すために基板Ｗを処理するようにスケジュール調整を行うことが許容されており、レジスト塗布ユニットＳＣや現像ユニットＳＤについて露光装置３以外の装置（不図示）に対応した稼働予定を決定することができる。

このように、本実施例に係る基板処理システムによれば、露光機３７を有する露光装置３と別体に塗布現像装置１を設けたので、露光機３７で２重露光すること等によって露光機３７の処理時間が増大した場合であっても、塗布現像装置１の稼働率は影響を受けない。また、露光装置３以外の装置に対応する処理を行うことが許容されているので、塗布現像装置１を効率よく稼働させることができる。

また、相互に通信可能な第１制御部７１と第２制御部７３とを備えることで、塗布現像装置１と露光装置３との処理スケジュールをつき合わせて調整することができる。これによって、塗布現像装置１を適切に稼働させることができる。言い換えれば、塗布現像装置１は、露光機３７が処理できないタイミングで露光装置３に基板Ｗを供給したり、露光機３７の処理能力を超えて基板Ｗを供給することがない。また、露光機３７の処理予定、現像ユニットＳＤの処理予定の時刻も予め推定できるので、適切にこれらの処理を行うことができる。

また、上方搬送機構５を備え、第１制御部７１および第２制御部７３がこの上方搬送機構５を操作することで、塗布現像装置１と露光装置３との連携を好適に実現できる。

この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した実施例では、第１制御部７１が第２制御部７３に問い合わせし、第２制御部７３が返答する形式で、塗布現像装置１と露光装置３とにおけるスケジュールを調整したが、調整の方法はこれに限られない。たとえば、第２制御部７３から問い合わせをするように変更してもよい。また、第２制御部７３が露光機３７の稼働予定を第１制御部７１に提示し、第１制御部７１が露光機３７の稼働予定が空いている期間に新たな稼働予定を追加するように調整してもよい。また、調整する事項についても、時刻、期間、基板Ｗの処理枚数等を例示したが、これに限らず、適宜に設計変更することができる。

（２）上述した実施例では、基板処理システムは基板Ｗに処理を行う装置として塗布現像装置１および露光装置３を備えている構成であったが、装置台数を３以上に変更してもよい。図５を参照する。図５は、変形実施例にかかる基板処理システムにおける制御系のブロック図である。図示するように、この基板処理システムは、塗布現像装置１と露光装置３と露光装置４とが相互に連携するように構成されている。露光装置４は、露光装置３と同様の構成、すなわち、ＰＥＢブロック３３と露光機３７とをインターフェイスブロック３５によってインラインで接続し、装置７の側端部にインデクサブロック３１を配備している（図３を参照）。このように構成することで、基板Ｗを露光する処理に要する時間が増大しても、塗布現像装置１を効率的に稼働させることができる。

（３）上述した実施例では、これら第１、第２制御部７１、７３は相互に通信可能であるとともに、それぞれ上方搬送機構５とも通信可能に構成されていたが、これに限られない。たとえば、図５に示すように、第１、第２制御部７１、７３をホストコンピュータ９と通信可能に構成してもよい。そして、ホストコンピュータ９が、塗布現像装置１、露光装置３の処理スケジュールを調整して、適宜第１、第２制御部７１、７３に各処理のタイミングや処理する基板Ｗの枚数等を与えるように機能させてもよい。また、この場合、ホストコンピュータ９が上方搬送機構５を操作するように構成してもよい。

（４）上述した実施例では、塗布現像装置１は、レジストブロック１３と現像ブロック１５とが並設され、レジスト塗布ユニットＳＣと現像ユニットＳＤとを有していたが、これに限られない。たとえば、さらに、現像された基板Ｗにエッチング処理を行うエッチングユニットが配備されたブロック、基板Ｗ上のレジストパターンを除去するレジスト除去ユニットが配備されたブロック、または、基板Ｗを洗浄する洗浄ユニットが配備されたブロックを追加してもよい。

また、レジストブロック１３と現像ブロック１５とを別個の装置に分けるように構成してもよい。図６を参照する。図６は、変形実施例に係る基板処理システムの概略を示す模式図である。図示するように、変形実施例に係るシステムは、塗布装置７５、露光装置３、現像装置７７を有し、上方搬送機構５はこれら各装置７５、３、７７間で収容器Ｃを搬送するように構成されている。塗布装置７５は、インデクサブロック１１にレジストブロック１３が接続されており、レジスト塗布ユニットＳＣを有する。また、現像装置７７は、インデクサブロック１１に現像ブロック１５が接続されており、現像ユニットＳＤを有する。さらに、現像装置７７としては、図示するように、現像ブロック１５に続いて上述のエッチングユニットが配備されたエッチングブロック７８と洗浄ユニットが配備された洗浄ブロック７９とを接続して、各種処理を基板Ｗに行うように構成してもよい。

さらに、図６において、塗布装置７５または現像装置７７のいずれかを省略して、塗布装置７５と露光装置３、または、露光装置３と現像装置７７とで基板処理システムを構成するように変更してもよい。

（５）上述した実施例では、露光装置３はＰＥＢブロック３３と露光機３７とが並設されていたが、これに限られない。たとえば、図７（ａ）に示すように、レジストブロック１３を露光装置３に加えるように変更してもよいし、図７（ｂ）に示すように露光装置３に現像ブロック１５を加えるように変更してもよい。このとき、露光装置３と別体に設けられるのは、現像ユニットＳＤを有する現像装置７７（図７（ａ）参照）、または、レジスト塗布ユニットＳＣを有する塗布装置７５（図７（ｂ）参照）のみでよい。このような場合であっても、露光装置３と別体に設けられる塗布装置７５または現像装置７７を効率よく稼働させることができる。

（６）上述した実施例では、上方搬送機構５によって塗布現像装置１と露光装置３との間で収容器Ｃを搬送する構成であったが、これに限られない。たとえば、床上を走行して収容器Ｃを搬送する搬送機構に変更してもよい。

（７）上述した実施例では、露光機３７は基板Ｗを続けて２回露光するように動作させたが、１回または３回以上に適宜に変更してもよい。

（８）上記（１）から（７）で説明した基板処理システムの各変形実施例については、さらに各構成を他の変形実施例の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。

実施例に係る基板処理システムの概略構成を示す斜視図である。 （ａ）は塗布現像装置の概略構成を示す平面図であり、（ｂ）はその断面図である。 （ａ）は露光装置の概略構成を示す平面図であり、（ｂ）はその断面図である。 基板処理システムの制御系のブロック図である。 変形実施例にかかる基板処理システムの制御系のブロック図である。 変形実施例に係る基板処理システムの概略を示す模式図である。 変形実施例に係る基板処理システムの概略を示す模式図である。 従来例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。

符号の説明

１ …塗布現像装置
３、４ …露光装置
５ …上方搬送機構
１１、３１ …インデクサブロック
３７ …露光機
７１ …第１制御部
７３ …第２制御部
７５ …塗布装置
７７ …現像装置
Ｗ …基板
Ｃ …収容器
ＳＣ …レジスト塗布ユニット
ＳＤ …現像ユニット
ＨＰ …加熱ユニット

Claims (11)

1. 基板に処理を行う基板処理システムにおいて、
   基板上にレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニットを有する塗布装置と、
   前記塗布装置とは別体に設けられ、レジスト膜が形成された基板を露光する露光機と、露光された基板を加熱する熱処理ユニットと、を有する露光装置と、
   前記塗布装置および前記露光装置における各処理のスケジュールを調整しつつ、前記レジスト塗布ユニットと前記露光機と前記熱処理ユニットを制御する制御手段と、
   を備え、
   前記塗布装置および前記露光装置はそれぞれ、複数枚の基板を収容する収容器に対して基板を出し入れするインデクサブロックを備え、
   さらに、前記システムは、
   前記塗布装置および前記露光装置の各インデクサブロックの間で前記収容器を搬送する搬送手段を備え、
   前記制御手段は、さらに、前記搬送手段を制御することを特徴とする基板処理システム。
2. 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
   前記制御手段は、前記塗布装置において、前記露光装置に渡すための基板を処理していないときは、前記露光装置以外の装置に渡すための基板を処理することを許容することを特徴とする基板処理システム。
3. 請求項１または請求項２に記載の基板処理システムにおいて、
   前記塗布装置は、前記塗布ユニットを制御する第１制御部を備え、
   前記露光装置は、前記露光機と前記熱処理ユニットを制御し、かつ、前記第１制御部と通信可能な第２制御部を備え、
   前記制御手段は、前記第１、第２制御部で構成されていることを特徴とする基板処理システム。
4. 請求項３に記載の基板処理システムにおいて、
   前記制御手段は、さらに、前記第１、第２制御部と通信するホストコンピュータを含むことを特徴とする基板処理システム。
5. 請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、
   前記塗布装置と前記露光装置とは互いに離して設けられ、
   前記搬送手段は、前記塗布装置および前記露光装置の外部に設けられ、
   前記塗布装置のインデクサブロックに載置される収容器および前記露光装置のインデクサブロック上に載置される収容器は、一直線上に並び、
   前記搬送手段が前記収容器を搬送する搬送経路は、前記塗布装置のインデクサブロックと前記露光装置のインデクサブロックとを結ぶ直線上とすることを特徴とする基板処理システム。
6. 請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、
   前記塗布装置は、さらに、露光された基板に現像処理を行う現像ユニットを有することを特徴とする基板処理システム。
7. 基板に処理を行う基板処理システムにおいて、
   基板を露光する露光機と、露光された基板を加熱する熱処理ユニットと、を有する露光装置と、
   前記露光装置とは別体に設けられ、露光された基板を現像する現像ユニットを有する現像装置と、
   前記露光装置および前記現像装置における各処理のスケジュールを調整しつつ、前記露光機と前記熱処理ユニットと前記現像ユニットとを制御する制御手段と、
   を備え、
   前記現像装置および前記露光装置はそれぞれ、複数枚の基板を収容する収容器に対して基板を出し入れするインデクサブロックを備え、
   さらに、前記システムは、
   前記現像装置および前記露光装置の各インデクサブロックの間で前記収容器を搬送する搬送手段を備え、
   前記制御手段は、さらに、前記搬送手段を制御することを特徴とする基板処理システム。
8. 請求項７に記載の基板処理システムにおいて、
   前記制御手段は、前記現像装置において、前記露光装置から受け渡された基板を処理していないときは、前記露光装置以外の装置から受け渡された基板を処理することを許容することを特徴とする基板処理システム。
9. 請求項７または請求項８に記載の基板処理システムにおいて、
   前記現像装置は、前記現像ユニットを制御する第１制御部を備え、
   前記露光装置は、前記露光機と前記熱処理ユニットを制御し、かつ、前記第１制御部と通信可能な第２制御部を備え、
   前記制御手段は、前記第１、第２制御部で構成されていることを特徴とする基板処理システム。
10. 請求項９に記載の基板処理システムにおいて、
    前記制御手段は、さらに、前記第１、第２制御部と通信するホストコンピュータを含むことを特徴とする基板処理システム。
11. 請求項７から請求項１０のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、
    前記現像装置と前記露光装置とは互いに離して設けられ、
    前記搬送手段は、前記現像装置および前記露光装置の外部に設けられ、
    前記現像装置のインデクサブロックに載置される収容器および前記露光装置のインデクサブロック上に載置される収容器は、一直線上に並び、
    前記搬送手段が前記収容器を搬送する搬送経路は、前記現像装置のインデクサブロックと前記露光装置のインデクサブロックとを結ぶ直線上とすることを特徴とする基板処理システム。

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