JP4342147B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの基板（以下、単に「基板」と称する）に、一連の処理を施す基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、このような基板処理装置は、例えば、フォトレジスト膜を基板に塗布形成し、フォトレジスト膜が塗布されたその基板に対して露光処理を行い、さらに露光処理後の基板を現像するフォトリソグラフィ工程に用いられている。
【０００３】
これを図１１の平面図に示し、以下に説明する。この基板処理装置は、未処理の複数枚（例えば２５枚）の基板Ｗ又は後述する処理部１０４での処理が完了した基板Ｗが収納されるカセットＣが複数個載置されるカセット載置台１０１と、各カセットＣの前を水平移動し、各カセットＣと後述する処理部１０４間で基板Ｗの受け渡しを行う搬送機構１０８ａとを備えたインデクサ１０３と、複数個の処理部１０４と、複数個の処理部１０４間で基板Ｗを搬送する経路である基板主搬送経路１０５と、処理部１０４および外部処理装置１０７間で基板Ｗの受け渡しを中継するインターフェイス１０６とから構成されている。
【０００４】
外部処理装置１０７は、基板処理装置とは別体の装置であって、基板処理装置のインターフェイス１０６に対して着脱可能に構成されている。基板処理装置が、上述したレジスト塗布および現像処理を行う装置である場合、この外部処理装置１０７は、基板Ｗの露光処理を行う露光装置となる。
【０００５】
また、基板主搬送経路１０５上を搬送する主搬送機構１０８ｂと、インターフェイス１０６の搬送経路上を搬送する搬送機構１０８ｃとがそれぞれ配設されている。その他に、インデクサ１０３と基板主搬送経路１０５との連結部には載置台１０９ａ、基板主搬送経路１０５とインターフェイス１０６との連結部には載置台１０９ｂがそれぞれ配設されている。
【０００６】
上述した基板処理装置において、以下の手順で基板処理が行われる。未処理の基板Ｗを収納したカセットＣから１枚の基板を搬送機構１０８ａが取り出して、主搬送機構１０８ｂに基板Ｗを渡すために、載置台１０９ａまで搬送する。主搬送機構１０８ｂは、載置台１０９ａに載置された基板Ｗを受け取った後、各処理部１０４内で所定の処理（例えば、レジスト塗布などの処理）をそれぞれ行うために、それらの処理部１０４に基板Ｗをそれぞれ搬入する。所定の各処理がそれぞれ終了すると、主搬送機構１０８ｂはそれらの処理部１０４から基板Ｗをそれぞれ搬出して、次の処理を行うために別の処理部１０４（例えば、熱処理）に基板Ｗを搬入する。
【０００７】
このように露光前の一連の処理が終了すると、主搬送機構１０８ｂは、処理部１０４で処理された基板Ｗを載置部１０９ｂまで搬送する。搬送機構１０８ｃに基板Ｗを渡すために、上述した載置台１０９ｂに基板Ｗを載置する。搬送機構１０８ｃは、載置台１０９ｂに載置された基板Ｗを受け取った後、外部処理装置１０７まで搬送する。外部処理装置１０７に搬入して、所定の処理（例えば、露光処理などの処理）が終了すると、搬送機構１０８ｃは外部処理装置１０７から基板Ｗを搬出して、載置部１０９ｂまで搬送する。後は、主搬送機構１０８ｂによって各処理部１０４に基板が搬送され、露光後の一連の加熱処理、冷却処理、現像処理が行われ、全ての処理を完了した基板は搬送機構１０８ａを通じて所定のカセットＣに搬入される。そして、カセット載置台１０１から払い出されて、一連の基板処理が終了する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の基板処理装置は、基板主搬送経路１０５に沿って走行する１台の主搬送機構１０８ｂが全ての処理部１０４に対して基板Ｗを受け渡しするので、主搬送機構１０８ｂの動作速度の関係から、短時間の間に多くの処理部１０４に対してアクセスすることができない。そのため従来の基板処理装置は、最近のスループット向上の要請に応えることができないという問題点がある。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、スループットを向上することができる基板処理装置を提供することを主たる目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１記載の発明は、基板に対して一連の薬液処理と熱処理とを行う基板処理装置において、薬液処理を行う薬液処理部と、前記薬液処理に関連した熱処理を行う熱処理部と、前記薬液処理部および前記熱処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の処理ブロックを構成し、異なる薬液処理ごとに構成された複数個の処理ブロックを並設してあり、前記各処理ブロックの主搬送機構は、基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載置部を介して、互いに基板の受け渡しを行い、前記基板載置部は、ある処理ブロックから基板を払出すための払出し用基板載置部と、ある処理ブロックへ基板を戻すための戻し用基板載置部との少なくとも２つの基板載置部を上下に近接して設けられて構成されるとともに、前記基板は、並設された各処理ブロックを往路と復路を通じて、前記各処理ブロックの単一の主搬送機構によって往復して移送され、前記主搬送機構を使って基板を特定の位置から別の位置に搬送する工程を１搬送工程とした場合に、前記基板の前記往路における移送は、前記主搬送機構が往路の上流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記往路の上流側にある払出し用基板載置部から次々と受け取ると共に、前記主搬送機構が往路の下流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記往路の下流側にある払出し用基板載置部に次々と載置することで行われ、前記基板の前記復路における移送は、前記主搬送機構が復路の上流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記復路の上流側にある戻し用基板載置部から次々と受け取ると共に、前記主搬送機構が復路の下流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記復路の下流側にある戻し用基板載置部に次々と載置することで行われることを特徴としている。
ことを特徴としている。
【００１１】
請求項１記載の発明によれば、基板に対する一連の薬液処理と熱処理とが並設された複数個の処理ブロックで順に行われる。各処理ブロックでは、各々の主搬送機構が薬液処理部および熱処理部に対して基板の受け渡しを並行して行う。つまり、各処理ブロックの主搬送機構が同時並行的に作動することによって、各処理部に対する基板の受け渡しの速度が等価的に向上するので、基板処理装置のスループットを向上させることができる。また、請求項１記載の発明によれば、基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載置部を介して、互いに基板の受け渡しを行う。このようにすれば、ある処理ブロックの主搬送機構は、その処理ブロックでの処理が終わった基板を基板載置部に置くだけで、次の処理に進むことができる。つまり、隣接する処理ブロックの主搬送機構の動作状態にかかわらず、処理を進めることができるので、基板処理装置のスループットを一層向上させることができる。そして、請求項１記載の発明によれば、ある処理ブロックから基板を払出すための払出し用基板載置部と、ある処理ブロックへ基板を戻すための戻し用基板載置部との少なくとも２つの基板載置部から構成される。このように構成すれば、２つの基板載置部を使って、ある処理ブロックからの基板の払出し（搬出）と、ある処理ブロックへの基板の戻し（搬入）を略同時に行うことができるので、基板処理装置のスループットを一層向上させることができる。さらに、請求項１記載の発明よれば、払出し用基板載置部と戻し用基板載置部は、上下に近接して設けられているので、単一の主搬送機構を使って基板を搬入・搬出するときの主搬送機構の移動距離が短くなるので、基板処理装置のスループットを一層向上させることができる。
【００１２】
上記の基板処理装置において、前記各処理ブロックの主搬送機構が負担する搬送工程数のバラツキは２搬送工程以内であることが好ましい（請求項２記載の発明）。
【００１３】
複数個の搬送機構を使って一連の基板処理を順に進める場合、特定の搬送機構の搬送負担が多くなって、所定枚数以上の基板を単位時間あたりに処理できなくなると、他の搬送機構に余裕があっても、基板処理装置全体としては、それ以上の処理効率の向上を望めない。本発明によれば、各処理ブロックの主搬送機構が負担する搬送工程数のバラツキは２搬送工程以内であるので、特定の主搬送機構だけが早く搬送処理の限界に陥ることが回避でき、結果として、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
【００１４】
（削除）
【００１５】
（削除）
【００１６】
（削除）
【００１７】
本発明において、前記基板載置部を設ける位置は特に限定されないが、処理ブロック間に雰囲気遮断のために隔壁が設けられている場合には、基板載置部は前記隔壁を部分的に貫通して設けられる（請求項３記載の発明）。これにより、隣接する処理ブロック間の雰囲気の相互影響を最小限にして、処理ブロック間の基板の受け渡しを円滑に行うことができる。
【００１８】
前記基板載置部に、基板の有無を検出するセンサを設けるのが好ましい（請求項４記載の発明）。センサの検出信号に基づき、主搬送機構が基板載置部に対して基板を受け渡しできるか否かを判断することができるので、同じ基板載置部に重ねて基板を載置するなどのトラブルを防止することができるとともに、主搬送機構によるいわゆる「空取り」などの無駄な動作を省くこともできる。
【００１９】
処理ブロック内における薬液処理部、熱処理部、および主搬送機構のレイアウトは任意であるが、好ましくは、主搬送機構を挟んで薬液処理部と熱処理部とが対向して配置される（請求項５記載の発明）。このように配置すれば、薬液処理部と熱処理部とが隔たるので、薬液処理部が熱処理部から受ける熱的影響を抑えることができる。
【００２０】
本発明において、好ましくは、前記薬液処理部が複数個あって、これらが上下に積層配置されており、かつ、前記熱処理部が複数個あって、これらが上下に積層配置されている（請求項６記載の発明）。このように薬液処理部と熱処理部を多段に構成すれば、基板処理装置の占有スペースを小さくすることができる。
【００２１】
さらに、好ましくは、前記熱処理部は、上下に積層配置されたものが複数列にわたり並設される（請求項７記載の発明）。このように構成すれば、熱処理部のメンテナンスが容易であり、また熱処理部に必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなる。
【００２２】
本発明において、熱処理部の構成は特に限定されないが、好ましくは、熱処理部は、基板を載置して加熱処理をする加熱プレートと、この加熱プレートから離れた上方位置または下方位置に基板を載置しておく基板仮置部と、前記加熱プレートと基板仮置部との間で基板を搬送する熱処理部用のローカル搬送機構とを備えた基板仮置部付きの熱処理部で構成される（請求項８記載の発明）。このような基板仮置部付きの熱処理部によれば、主搬送機構の動作に無関係に、熱処理された基板を加熱プレートから基板仮置部に移して待機させておくことができるので、主搬送機構が他の動作を行っていたために、あるいは故障のために、基板が過度に加熱されるという事態を防止することができる。なお、熱処理部のすべてが、基板仮置部付きの熱処理部である必要はなく、過度の加熱を防止する必要性の高い熱処理部に用いればよい。
【００２３】
前記基板仮置部付き熱処理部のローカル搬送機構は、好ましくは、前記加熱プレートから基板仮置部へ基板を搬送する過程で基板を冷却する冷却手段を備える（請求項９記載の発明）。このように構成すれば、加熱プレートから取り上げられた基板が即座に冷却される。換言すれば、搬送途中に余熱で熱せられることがないので、基板の加熱時間を厳密にコントロールすることができ、基板処理の品質を向上することができる。
【００２４】
さらに、前記主搬送機構は、前記基板仮置部に対して基板の受け渡しを行うのが好ましい（請求項１０記載の発明）。主搬送機構が熱処理部の加熱プレートにアクセスすると、主搬送機構の温度が上昇し、主搬送機構によって搬送される基板に熱的悪影響を与えることがある。これに対し、主搬送機構が基板仮置部に対して基板の受け渡しを行うように構成すれば、主搬送機構の温度上昇を防止することができ、基板処理の品質を一層向上することができる。
【００２５】
さらに好ましくは、前記基板仮置部付きの熱処理部の少なくとも加熱プレートは筐体で覆われており、この筐体内の加熱プレートに対して前記ローカル搬送機構が基板を受け渡すために前記筐体に設けられた開口部は、前記主搬送機構が配置された側とは反対側に位置している（請求項１１記載の発明）。このようにすれば、開口部から漏れ出た熱雰囲気が主搬送機構に及ぼす影響が少なくなるので、主搬送機構の温度上昇を一層軽減することができる。
【００２６】
また、本発明は、基板に対して一連の薬液処理と熱処理とを行う基板処理装置において、 基板を多段に収容する複数個のカセットを載置するカセット載置台と、各カセットから未処理の基板を順に取り出すとともに、各カセットへ処理済の基板を順に収納するインデクサ用搬送機構とを備えたインデクサブロックと、基板表面に反射防止膜を塗布形成する反射防止膜用塗布処理部と、反射防止膜の塗布形成に関連して基板を熱処理する反射防止膜用熱処理部と、前記反射防止膜用塗布処理部および反射防止膜用熱処理部に対して基板の受け渡しをする第１の主搬送機構とを備え、前記インデクサブロックに隣接して設けられる反射防止膜用処理ブロックと、反射防止膜が塗布形成された基板にフォトレジスト膜を塗布形成するレジスト膜用塗布処理部と、フォトレジスト膜の塗布形成に関連して基板を熱処理するレジスト膜用熱処理部と、前記レジスト膜用塗布処理部およびレジスト膜用熱処理部に対して基板の受け渡しをする第２の主搬送機構とを備え、前記反射防止膜用処理ブロックに隣接して設けられるレジスト膜用処理ブロックと、フォトレジスト膜が塗布形成され、さらに露光された基板に現像処理をする現像処理部と、現像処理に関連して基板を熱処理する現像用熱処理部と、前記現像処理部および現像用熱処理部に対して基板の受け渡しをする第３の主搬送機構とを備え、前記レジスト膜用処理ブロックに隣接して設けられる現像処理ブロックと、前記現像処理ブロックに隣接して設けられ、本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置に対して基板の受け渡しをするインターフェイス用搬送機構を備えたインターフェイスブロックとを備え、前記インデクサブロックのインデクサ用搬送機構と前記反射防止膜用処理ブロックの第１の主搬送機構とは、基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載置部を介して、互いに基板の受け渡しを行い、同様に、前記第１の主搬送機構と前記レジスト膜用処理ブロックの第２の主搬送機構、前記第２の主搬送機構と前記現像処理ブロックの第３の主搬送機構、前記第３の主搬送機構と前記第４の主搬送機構、および前記第４の主搬送機構と前記インターフェイスブロックのインターフェイス用搬送機構のそれぞれは、基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載置部を介して、互いに基板の受け渡しを行い、前記基板載置部は、ある処理ブロックから基板を払出すための払出し用基板載置部と、ある処理ブロックへ基板を戻すための戻し用基板載置部との少なくとも２つの基板載置部を上下に近接して設けられて構成されるとともに、前記基板は、並設された各処理ブロックを往路と復路を通じて、前記各処理ブロックの単一の主搬送機構によって往復して移送され、前記主搬送機構を使って基板を特定の位置から別の位置に搬送する工程を１搬送工程とした場合に、前記基板の前記往路における移送は、前記主搬送機構が往路の上流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記往路の上流側にある払出し用基板載置部から次々と受け取ると共に、前記主搬送機構が往路の下流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記往路の下流側にある払出し用基板載置部に次々と載置することで行われ、前記基板の前記復路における移送は、前記主搬送機構が復路の上流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記復路の上流側にある戻し用基板載置部から次々と受け取ると共に、前記主搬送機構が復路の下流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記復路の下流側にある戻し用基板載置部に次々と載置することで行われることを特徴とする（請求項１２の発明）。
【００２７】
本発明によれば、インデクサブロックから取り出された未処理の基板が反射防止膜用処理ブロックに渡され、この処理ブロックで基板上に反射防止膜が塗布形成される。反射防止膜が塗布形成された基板は、レジスト膜用処理ブロックに渡され、この処理ブロックでフォトレジスト膜が塗布形成される。フォトレジスト膜が塗布形成された基板は、現像処理ブロックを素通りしてインターフェイスブロックに渡される。インターフェイスブロックは、その基板を外部装置である露光装置に渡す。露光処理された基板は、インターフェイスブロックを介して、現像処理ブロックに渡され、この処理ブロックで現像処理される。現像処理された基板は、レジスト膜用処理ブロックと反射防止膜用処理ブロックを素通りして、インデクサブロックに返される。インデクサブロックは、処理済みの基板をカセットに収納する。各処理ブロックでは、各々の主搬送機構が各々の薬液処理部（反射防止膜用塗布処理部、レジスト膜用塗布処理部、現像処理部）および熱処理部に対して基板の受け渡しを並行して行う。つまり、各処理ブロックの主搬送機構が同時並行的に作動することによって、各処理部に対する基板の受け渡しの速度が等価的に向上するので、基板処理装置のスループットを向上させることができる。また、本発明の基板処理装置において、前記インデクサブロックのインデクサ用搬送機構と前記反射防止膜用処理ブロックの第１の主搬送機構とは、基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載置部を介して、互いに基板の受け渡しを行い、同様に、前記第１の主搬送機構と前記レジスト膜用処理ブロックの第２の主搬送機構、前記第２の主搬送機構と前記現像処理ブロックの第３の主搬送機構、前記第３の主搬送機構と前記第４の主搬送機構、および前記第４の主搬送機構と前記インターフェイスブロックのインターフェイス用搬送機構のそれぞれは、基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載置部を介して、互いに基板の受け渡しを行う。このようにすれば、各処理ブロックの主搬送機構は、その処理ブロックでの処理が終わった基板を基板載置部に置くだけで、次の処理に進むことができるので、基板処理装置のスループットを一層向上させることができる。
【００２８】
上記の基板処理装置において、少なくとも前記インデクサブロックと前記反射防止膜用処理ブロックとの間は、基板受け渡し用の開口部位を除いて隔壁で区画され、かつ、反射防止膜用処理ブロック内の気圧がインデクサブロック内の気圧よりも高くなるように設定するのが好ましい（請求項１３記載の発明）。このように構成すれば、インデクサブロック内の雰囲気が反射防止膜用処理ブロックに流入しないので、外部の雰囲気の影響を受けずに処理を行うことができ、処理の品質を向上させることができる。
【００２９】
さらに、上記の基板処理装置において、好ましくは、前記現像処理ブロックの熱処理部は、基板を載置して加熱処理をする加熱プレートと、この加熱プレートから離れた上方位置または下方位置に基板を載置しておく基板仮置部と、前記加熱プレートと基板仮置部との間で基板を搬送する熱処理部用のローカル搬送機構とを備えた基板仮置部付きの熱処理部を含み、前記インターフェイスブロックはさらに、フォトレジストが塗布された基板の周縁部を露光するエッジ露光部と、前記基板仮置部付きの熱処理部および前記エッジ露光部に対して基板を受け渡しする第４の主搬送機構とを備える（請求項１４記載の発明）。この構成によれば、フォトレジスト膜が塗布形成された基板は、現像処理ブロックを素通りして、インターフェイスブロックの第４の主搬送機構に受け渡されて、エッジ露光部に搬入される。エッジ露光された基板は、インターフェイスブロックのインターフェイス用搬送機構によって外部装置である露光装置に渡される。露光された基板はインターフェイス搬送機構用搬送機構から第４の主搬送機構に受け渡されて、基板仮置部付きの熱処理部に搬入される。熱処理された基板は現像処理ブロックに渡されて現像処理される。露光された基板を基板仮置部付きの熱処理部へ搬入するための搬送を、現像処理ブロックの第３の主搬送機構に依らず、独立した第４の主搬送機構で行っているので、仮に現像処理ブロックに異常が生じて第３の主搬送機構が停止しても、露光後の加熱を確実に行うことができる。フォトレジストとして化学増幅型フォトレジストを用いた場合、露光後の加熱を速やかに行う必要があるので、この点で本発明は好適である。
【００３０】
この場合、前記熱処理部用のローカル搬送機構が、前記加熱プレートから基板仮置部へ基板を搬送する過程で基板を冷却する冷却手段を備えると（請求項１５記載の発明）、露光後の加熱時間を一層厳密にコントロールできるので好ましい。
【００３１】
（削除）
【００３２】
さらに、本発明の基板処理装置において、好ましくは、前記インターフェイスブロックは、露光機が基板の受け入れをできないときに、露光処理前の基板を収納する送り用バッファと、露光処理後の基板を現像処理できないときに、現像処理前の基板を収納する戻りバッファと備え、前記インターフェイス用搬送機構は、露光機が基板の受け入れをできないときに、露光処理前の基板を前記送り用バッファに収納し、前記第４の主搬送機構は、露光処理後の基板を現像処理できないときに、現像処理前の基板を、前記現像処理ブロックの基板仮置部付きの熱処理部で熱処理した後に、前記戻りバッファに収納する（請求項１６記載の発明）。この構成によれば、現像処理ブロックなどに異常が生じて基板の現像処理ができない場合に、露光後の加熱処理を行った後に戻りバッファへ収納するので、露光された基板が熱処理を受けずに長時間放置されることがない。これは露光後の加熱を速やかに行う必要がある化学増幅型フォトレジストを用いた場合に好適である。
【００３３】
（削除）
【００３４】
（削除）
【００３５】
（削除）
【００３６】
また、本発明は、請求項１または請求項１３に記載の基板処理装置において、処理ブロックの各々には、コントローラが備えられており、コントローラの各々が主搬送機構の各々を独立に制御することを特徴とするものである（請求項１７記載の発明）。
【００３７】
また、本発明は、薬液処理を行う薬液処理部と、前記薬液処理に関連した熱処理を行う熱処理部と、前記薬液処理部および前記熱処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、異なる薬液処理ごとに構成された複数個の被制御ユニットを並設してある基板処理装置であって、前記各被制御ユニットの主搬送機構は、基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載置部を介して、互いに基板の受け渡しを行い、前記基板載置部は、ある被制御ユニットから基板を払出すための払出し用基板載置部と、ある被制御ユニットへ基板を戻すための戻し用基板載置部との少なくとも２つの基板載置部を上下に近接して設けられて構成されており、前記主搬送機構を使って基板を特定の位置から別の位置に搬送する工程を１搬送工程とした場合に、前記各被制御ユニットの主搬送機構が負担する搬送工程数のバラツキは２搬送工程以内であるとともに、前記基板は、並設された各被制御ユニットを往路と復路を通じて、前記各被制御ユニットの単一の主搬送機構によって往復して移送され、前記基板の前記往路における移送は、前記主搬送機構が往路の上流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記往路の上流側にある払出し用基板載置部から次々と受け取ると共に、前記主搬送機構が往路の下流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記往路の下流側にある払出し用基板載置部に次々と載置することで行われ、前記基板の前記復路における移送は、前記主搬送機構が復路の上流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記復路の上流側にある戻し用基板載置部から次々と受け取ると共に、前記主搬送機構が復路の下流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記復路の下流側にある戻し用基板載置部に次々と載置することで行われることを特徴とする（請求項１８記載の発明）。
【００３８】
また、本発明は、請求項１８に記載の基板処理装置において、被制御ユニットの各々には、コントローラが備えられており、コントローラの各々が主搬送機構の各々を独立に制御することを特徴とするものである（請求項１９記載の発明）。
【００３９】
本発明によれば、各被制御ユニットの主搬送機構が負担する搬送工程数のバラツキは２搬送工程以内であるので、特定の主搬送機構だけが早く搬送処理の限界に陥ることが回避でき、結果として、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
【００４０】
なお、本発明において、各被制御ユニット（または、請求項２記載の発明の各処理ブロック）の主搬送機構は、完全に同数の搬送工程を負担する必要はない。基板処理装置のスループットを向上し得る程度に、主要な被制御ユニットの主搬送機構の搬送負担が均等化されていればよい。現実的には、各主搬送機構が負担する搬送工程数のバラツキは、２搬送工程以内が好ましい。また、特定の被制御ユニットにおける処理時間を厳密に管理する必要がある場合や、その被制御ユニットにオプションとして別の処理部が追加されることが予想される場合には、その被制御ユニットの主搬送機構の搬送負担に余裕をもたせる意味で、その搬送負担を他の被制御ユニットに比べて故意に低く設定してもよい。
【００４１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
図１は実施例に係る基板処理装置の平面図、図２はその正面図、図３は熱処理部の正面図である。
【００４２】
ここでは、半導体ウエハ（以下、単に「基板」という）に、反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、露光された基板に現像処理などの薬液処理を行う基板処理装置を例に採って説明する。もちろん、本発明に係る基板処理装置が取り扱い得る基板は、半導体ウエハに限らず、液晶表示器用のガラス基板など種々の基板を含む。また、薬液処理は、フォトレジスト膜などの塗布形成処理や現像処理に限らず、種々の薬液処理を含む。
【００４３】
図１を参照する。本実施例に係る基板処理装置は大きく分けて、インデクサブロック１と、基板に対して所要の薬液処理を行う３つの処理ブロック（具体的には反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、および現像処理ブロック４）と、インターフェイスブロック５とからなり、これらのブロックを並設して構成されている。インターフェイスブロック５には、本実施例に係る基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置（ステッパー）ＳＴＰが並設される。以下、各ブロックの構成を説明する。
【００４４】
まず、インデクサブロック１について説明する。インンデクサブロック１は、基板Ｗを多段に収納するカセットＣからの基板の取り出しや、カセットＣへの基板Ｗの収納を行う機構である。具体的には、複数個のカッセトＣを並べて載置するカセット載置台６と、各カセットＣから未処理の基板Ｗを順に取り出すとともに、各カセットＣへ処理済の基板Ｗを順に収納するインデクサ用搬送機構７とを備えている。インデクサ用搬送機構７は、カセット載置台６に沿って（Ｙ方向に)水平移動可能な可動台７ａを備えている。この可動台７ａに基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム７ｂが搭載されている。保持アーム７ｂは、可動台７ａ上を昇降（Ｚ方向）移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。
【００４５】
上述したインデクサブロック１に隣接して反射防止膜処理ブロック２が設けられている。図４に示すように、インデクサブロック１と反射防止膜処理ブロック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３にインデクサブロック１と反射防止膜処理ブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられている。上側の基板載置ＰＡＳＳ１はインデクサブロック１から反射防止膜処理ブロック２へ基板Ｗを払い出すために、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は反射防止膜処理ブロック２からインデクサブロック１へ基板Ｗを戻すために、それぞれ設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は、隔壁１３を部分的に貫通して設けられている。なお、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は、固定設置された複数本の支持ピンから構成されており、この点は後述する他の基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０も同様である。また、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する図示しない光学式のセンサが設けられており、各センサの検出信号に基づいてインデクサ用搬送機構７や、後述する反射防止膜用処理ブロック２の第1の主搬送機構１０Ａが、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対して基板を受け渡しできる状態であるかどうかを判断するようになっている。同様のセンサは他の基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０にも設けられている。
【００４６】
反射防止膜処理ブロック２について説明する。反射防止膜処理ブロック２は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下部に反射防止膜を塗布形成するための機構である。具体的には、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成する反射防止膜用塗布処理部８と、反射防止膜の塗布形成に関連して基板Ｗを熱処理する反射防止膜用熱処理部９と、反射防止膜用塗布処理部８および反射防止膜用熱処理部９に対して基板Ｗの受け渡しをする第１の主搬送機構１０Ａとを備える。
【００４７】
反射防止膜処理ブロック２は、第１の主搬送機構１０Ａを挟んで反射防止膜用塗布処理部８と反射防止膜用熱処理部９とが対向して配置されている。具体的には、塗布処理部８が装置正面側に、熱処理部９が装置背面側に、それぞれ位置している。このように薬液処理部と熱処理部とを主搬送機構を挟んで対向配置する点は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４においても同様である。このような配置にすれば、薬液処理部と熱処理部とが隔たるので、薬液処理部が熱処理部から受ける熱的影響を抑えることができる。また、本実施例では、熱処理部９の正面側に図示しない熱隔壁を設けて、反射防止膜用塗布処理部８への熱的影響を回避している。同様な熱隔壁は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４にも設けられている。
【００４８】
反射防止膜用塗布処理部８は、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃ（以下、特に区別しない場合は符号「８」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各塗布処理部８は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１１や、このスピンチャック１１上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を供給するノズル１２などを備えている。
【００４９】
反射防止膜用熱処理部９は、図３に示すように、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する複数個の加熱プレートＨＰ、加熱された基板Ｗを常温にまで冷却する複数個の冷却プレートＣＰ、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する複数個のアドヒージョン処理部ＡＨＬなどの熱処理部を含む。これらの熱処理部９の下部には、ヒータコントローラ（ＣＯＮＴ）が配設され、また熱処理部９の上部（図３中に「×」印で示した個所）には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている。
【００５０】
反射防止膜用熱処理部９は、各熱処理部（ＨＰ，ＣＰ，ＡＨＬ）を上下に積層配置して構成されているとともに、積層配置された一群の熱処理部が複数例（本実施例では２列）にわたり並設されている。薬液処理部を上下に積層配置している点、および上下に積層配置した一群の熱処理部を複数列にわたり並設している点は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４においても同様である。
【００５１】
上述したように各処理ブロック２〜４で薬液処理部や熱処理部を上下に積層配置することにより、基板処理装置の占有スペースを小さくすることができる。また、積層配置した一群の記熱処理部を複数列のわたり並設することにより、熱処理部のメンテナンスが容易になるとともに、熱処理部に必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなるという利点がある。
【００５２】
第１の主搬送機構１０Ａについて説明する。なお、後述する他のレジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４、およびインターフェイスブロック５にそれぞれ備えられた第２、第３、第４の各主搬送機構１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄも同様に構成されている。以下、第１〜第４の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄを特に区別しない場合は、主搬送機構１０として説明する。
【００５３】
図６を参照する。同図（ａ）は主搬送機構１０の平面図、（ｂ）はその正面図である。主搬送機構１０は、基板Ｗを水平姿勢で保持する２個の保持アーム１０ａ、１０ｂを上下に近接して備えている。保持アーム１０ａ、１０ｂは、先端部が「Ｃ］の字状になっており、この「Ｃ」の字状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピン１０ｃで基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。主搬送機構１０の基台１０ｄは装置基台に対して固定設置されている。この基台１０ｄ上に螺軸１０ｅが回転可能に立設支持されている。基台１０ｄに螺軸１０ｅを回転駆動するモータ１０ｆが設けられている。螺軸１０ｅに昇降台１０ｇが螺合されており、モータ１０ｆが螺軸１０ｅを回転駆動することにより、昇降台１０ｇがガイド軸１０ｊに案内されて昇降移動するようになっている。昇降台１０ｇ上にアーム基台１０ｈが縦軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降台１０ｇにはアーム基台１０ｈを旋回駆動するモータ１０ｉが設けられている。アーム基台１０ｈ上に上述した２つの保持アーム１０ａ、１０ｂが上下に配設されている。各保持アーム１０ａ、１０ｂは、アーム基台１０ｈ内に装備された駆動機構（図示せず）によって、各々が独立してアーム基台１０ｈの旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。
【００５４】
上述した反射防止膜処理ブロック２に隣接してレジスト膜処理ブロック３が設けられている。図４に示すように、反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜処理ブロック３との間にも、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３に反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜処理ブロック３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられている。上述した基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２の場合と同様に、上側の基板載置部ＰＡＳＳ３が基板Ｗの払出し用、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４が基板Ｗの戻し用になっているとともに、これらの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４は隔壁１３を部分的に貫通している。また、基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するために水冷式の２つの冷却プレートＷＣＰが隔壁１３を貫通して上下に設けられている。
【００５５】
レジスト膜用処理ブロック３について説明する。レジスト膜用処理ブロック３は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を塗布形成する機構である。なお、本実施例では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト膜用処理ブロック３は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗにフォトレジスト膜を塗布形成するレジスト膜用塗布処理部１５と、フォトレジスト膜の塗布形成に関連して基板を熱処理するレジスト膜用熱処理部１６と、レジスト膜用塗布処理部１５およびレジスト膜用熱処理部１６に対して基板Ｗの受け渡しをする第２の主搬送機構１０Ｂとを備える。
【００５６】
レジスト膜用塗布処理部１５は、図２に示すように、同様の構成を備えた３つのレジスト膜用塗布処理部１５ａ〜１５ｃ（以下、特に区別しない場合は符号「１５」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各塗布処理部１５は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１７や、このスピンチャック１７上に保持された基板Ｗ上にレジスト膜用の塗布液を供給するノズル１８などを備えている。
【００５７】
レジスト膜用熱処理部１６は、図３に示すように、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する基板仮置部付きの複数個の加熱部ＰＨＰ、基板Ｗを常温にまで高い精度で冷却する複数個の冷却プレートＣＰなどの熱処理部を含む。各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置されている点は、反射防止膜用処理ブロック２の場合と同様である。
【００５８】
基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰについて説明する。
図７を参照する。同図（ａ）は加熱部ＰＨＰの破断側面図、（ｂ）は破断平面図である。加熱部ＰＨＰは、基板Ｗを載置して加熱処理をする加熱プレートＨＰと、この加熱プレートＨＰから離れた上方位置または下方位置（本実施例では上方位置）に基板Ｗを載置しておく基板仮置部１９と、加熱プレートＨＰと基板仮置部１９との間で基板Ｗを搬送する熱処理部用のローカル搬送機構２０とを備えている。加熱プレートＨＰには、プレート表面に出没する複数本の可動支持ピン２１が設けられている。加熱プレートＨＰの上方には加熱処理時に基板Ｗを覆う昇降自在の上蓋２２が設けられている。基板仮置部１９には基板Ｗを支持する複数本の固定支持ピン２３が設けられている。
【００５９】
ローカル搬送機構２０は、基板Ｗを水平姿勢で保持する保持プレート２４を備え、この保持プレート２４がネジ送り駆動機構２５によって昇降移動されるとともに、ベルト駆動機構２６によって進退移動されるようになっている。保持プレート２４は、これが加熱プレートＨＰや基板仮置部１９の上方に進出したときに、可動支持ピン２１や固定支持ピン２３と干渉しなように複数本のスリット２４ａが形成されている。また、ローカル搬送機構２０は、加熱プレートＨＰから基板仮置部１９へ基板Ｗを搬送する過程で基板を冷却する手段を備えている。この冷却手段は、例えば保持プレート２４の内部に冷却水流路２４ｂを設け、この冷却水流路２４ｂに冷却水を流通させることによって構成されている。
【００６０】
上述したローカル搬送機構２０は、加熱プレートＨＰおよび基板仮置部１９を挟んでは第２の主搬送機構１０Ｂとは反対側、すなわち装置背面側に設置されている。そして、加熱プレートＨＰおよび基板仮置部１９を覆う筐体２７の上部、すなわち基板仮置部１９を覆う部位には、その正面側に第２の主搬送機構１０Ｂの進入を許容する開口部１９ａが、その背面側にはローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｂが、それぞれ設けられている。また、筐体２７の下部、すなわち加熱プレートＨＰを覆う部位は、その正面側が閉塞し、その背面側にローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｃが設けられている。
【００６１】
上述した加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの出し入れは以下のようにして行われる。まず、主搬送機構１０（レジスト膜用処理ブロック３の場合は、第２の主搬送機構１０Ｂ）が基板Ｗを保持して、基板仮置部１９の固定支持ピン２３の上に基板Ｗを載置する。続いてローカル搬送機構２０の保持プレート２４が基板Ｗの下側に進入してから少し上昇することにより、固定支持ピン２３から基板Ｗを受け取る。基板Ｗを保持した保持プレート２４は筐体２７から退出して、加熱プレートＨＰに対向する位置にまで下降する。このとき加熱プレートＨＰの可動支持ピン２１は下降しているとともに、上蓋２２は上昇している。基板Ｗを保持した保持プレート２４は加熱プレートＨＰの上方に進出する。可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを受け取った後に保持プレート２４が退出する。続いて可動支持ピン２１が下降して基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に載せるとともに、上蓋２２が下降して基板Ｗを覆う。この状態で基板Ｗが加熱処理される。加熱処理が終わると上蓋２２が上昇するとともに、可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを持ち上げる。続いて保持プレート２４が基板Ｗの下に進出した後、可動支持ピン２３が下降することにより、基板Ｗが保持プレート２４に受け渡される。基板Ｗを保持した保持プレート２４が退出して、さらに上昇して基板Ｗを基板仮置部１９に搬送する。この搬送過程で保持プレート２４に支持された基板Ｗが、保持プレート２４が有する冷却機能によって冷却される。保持プレート２４は、冷却した（常温に戻した）基板Ｗを基板仮置部１９に移載する。この基板Ｗを主搬送機構１０が取り出して搬送する。
【００６２】
以上のように、主搬送機構１０は、基板仮置部１９に対して基板Ｗの受け渡しをするだけで、加熱プレートＨＰに対して基板の受け渡しをしないので、主搬送機構１０が温度上昇するのを回避することができる。また、加熱プレートＨＰに基板Ｗを出し入れするための開口部１９ｃが、主搬送機構１０が配置された側とは反対側に位置しているので、開口部１９ｃから漏れ出た熱雰囲気で主搬送機構１０が温度上昇することがなく、またレジスト膜用塗布処理部１５が開口部１９ｃから漏れ出た熱雰囲気で悪影響を受けることもない。
【００６３】
上述したレジスト膜処理ブロック３に隣接して現像処理ブロック４が設けられている。図４に示すように、レジスト膜処理ブロック３と現像処理ブロック４との間にも、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられており、この隔壁１３に両処理ブロック３、４間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，６と、基板Ｗを大まかに冷却するために水冷式の２つの冷却プレートＷＣＰが上下に積層して設けられている。
【００６４】
現像処理ブロック４について説明する。現像処理ブロック４は、露光された基板Ｗに対して現像処理をする機構である。具体的には、露光された基板Ｗに現像処理をする現像処理部３０と、現像処理に関連して基板を熱処理する現像用熱処理部３１と、現像処理部３０および現像用熱処理部３１に対して基板Ｗの受け渡しをする第３の主搬送機構１０Ｃとを備える。
【００６５】
現像処理部３０は、図２に示すように、同様の構成を備えた５つの現像処理部３０ａ〜３０ｅ（以下、特に区別しない場合は符号「３０」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各現像処理部３０は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３２や、このスピンチャック３２上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル３３などを備えている。
【００６６】
現像用熱処理部３１は、図３に示すように、各々複数個の加熱プレートＨＰ、基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰ、冷却プレートＣＰなどの熱処理部を含む。各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置されている点は、他の処理ブロック２、３の場合と同様である。現像用熱処理部３１の右側（インターフェイスブロック５に隣接している側）の熱処理部の列には、現像処理ブロック４と、これに隣接するインターフェイスブロック５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７が基板Ｗの払出し用、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８が基板Ｗの戻し用になっている。
【００６７】
インターフェイスブロック５について説明する。インターフェイスブロック５は、本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しをする機構である。本実施例装置におけるインターフェイスブロック５には、露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しをするためのインターフェイス用搬送機構３５の他に、フォトレジストが塗布された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光部ＥＥＷと、現像処理ブロック４内に配設された基板仮置部付きの熱処理部ＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷに対して基板Ｗを受け渡しする第４の主搬送機構１０Ｄを備えている。
【００６８】
エッジ露光部ＥＥＷは、図２に示すように、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３６や、このスピンチャック３６上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器３７などを備えている。２つのエッジ露光部ＥＥＷは、インターフェイスブロック５の中央部に上下に積層配置されている。このエッジ露光部ＥＥＷと現像処理ブロック４の熱処理部とに隣接して配置されている第４の主搬送機構１０Ｄは、図６で説明した主搬送機構１０と同様の構成を備えている。
【００６９】
図２および図５を参照する。図５はインターフェイスブロック５の側面図である。２つのエッジ露光部ＥＥＷの下側に、基板戻し用のバッファＲＢＦがあり、さらにその下側に２つの基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０が積層配置されている。基板戻し用のバッファＲＢＦは、故障などのために現像処理ブロック４が基板Ｗの現像処理をすることができない場合に、現像処理ブロック４の加熱部ＰＨＰで露光後の加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。このバッファＲＢＦは、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０は、第４の主搬送機構１０Ｄとインターフェイス用搬送機構３５との間で基板Ｗの受け渡しを行うためのもので、上側が基板払出し用、下側が基板戻し用になっている。
【００７０】
インターフェイス用搬送機構３５は、図１および図５に示すように、Ｙ方向に水平移動可能な可動台３５ａを備え、この可動台３５ａ上に基板Ｗを保持する保持アーム３５ｂを搭載している。保持アーム３５ｂは、昇降・旋回および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。インターフェイス用搬送機構３５の搬送経路の一端（図５中に示す位置Ｐ１）は、積層された基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０の下方にまで延びており、この位置Ｐ１で露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行う。また、搬送経路の他端位置Ｐ２では、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、送り用バッファＳＢＦに対する基板Ｗの収納と取り出しとを行う。送り用バッファＳＢＦは、露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。
【００７１】
以上のように構成された基板処理装置は、インデクサブロック１、各処理ブロック２、３、４、およびインターフェイスブロック５内に清浄空気がダウンフローの状態で供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれて、外部環境からのパーティクルや汚染物質の侵入などを防いでいる。特に、反射防止膜用処理ブロック２内の気圧はインデクサブロク１内の気圧よりも高くなるように設定されている。これにより、インデクサブロック１内の雰囲気が反射防止膜用処理ブロック２に流入しないので、外部の雰囲気の影響を受けずに各処理ブロック２、３、４で処理を行うことができる。
【００７２】
次に本実施例に係る基板処理装置の制御系、特に基板搬送に係る制御手法について説明する。
上述したインデクサブロック１、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４、およびインターフェイスブロック５は、本実施例に係る基板処理装置を機構的に分割した要素である。具体的には、各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置が構成されている（図８（ａ）参照）。
【００７３】
一方、本発明の特徴の一つとして、基板搬送に係る被制御ユニットの単位を機械的要素である各ブロックとは別に構成している。すなわち、基板に所要の処理を行う処理部と、前記処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、前記被制御ユニットを並設して基板処理装置を構成している。そして、各被制御ユニットの主搬送機構は、基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載置部を介して、互いに基板の受け渡しを行い、かつ、各被制御ユニットの主搬送機構の基板受け渡し動作を少なくとも制御する制御手段を各被制御ユニットごとに備え、各被制御ユニットの制御手段は、前記処理部に対する基板の受け渡しおよび前記基板載置部に対する基板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、各々独立して行うようになっている。
【００７４】
以下、本実施例装置における被制御ユニットの単位を「セル」という。実施例装置の制御系を構成する各セルの配置を図８（ｂ）に示す。
【００７５】
インデクサセルＣ１は、カセット載置台６とインデクサ用搬送機構７とを含む。このセルＣ１は、結果として機械的に分割した要素であるインデクサブロック１と同じ構成になっている。反射防止膜用処理セルＣ２は、反射防止膜用塗布処理部８と反射防止膜用熱処理部９と第１の主搬送機構１０Ａとを含む。このセルＣ２も、結果として機械的に分割した要素である反射防止膜用処理ブロック２と同じ構成になっている。レジスト膜用処理セルＣ３は、レジスト膜用塗布処理部１５とレジスト膜用熱処理部１６と第２の主搬送機構１０Ｂとを含む。このセルＣ３も、結果として機械的に分割した要素であるレジスト膜用処理ブロック３と同じ構成になっている。
【００７６】
一方、現像処理セルＣ４は、現像処理部３０と、露光後加熱に使われる熱処理部（実施例では、加熱部ＰＨＰ）を除いた現像用熱処理部３１と、第３の主搬送機構１０Ｃとを含む。このセルＣ３は、露光加熱に使われる加熱部ＰＨＰを含んでいない点で、機械的に分割した要素である現像処理ブロック４とは異なる構成になっている。
【００７７】
露光後加熱用処理セルＣ５は、露光された基板Ｗを現像前に加熱処理する露光後加熱用の熱処理部（実施例では、現像処理ブロック４に設けられた加熱部ＰＨＰ）と、エッジ露光部ＥＥＷと、第４の主搬送機構１０Ｄとを含む。このセルＣ５は、機械的に分割した要素である現像処理ブロック４とインターフェイスブロック５とにまたがるもので、本実施例装置の特徴的なセルである。このように露光後加熱用の熱処理部（加熱部ＰＨＰ）と第４の主搬送機構１０Ｄとを含んで一つのセルを構成しているので、露光された基板を速やかに加熱部ＰＨＰに搬入して熱処理を行うことができる。これは露光後の加熱を速やかに行う必要がある化学増幅型フォトレジストを用いた場合に好適である。
【００７８】
インターフェイスセルＣ６は、外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しをするインターフェイス用搬送機構３５を含む。このセルＣ６は、第４の主搬送機構１０Ｄやエッジ露光部ＥＥＷを含まない点で、機械的に分割した要素であるインターフェイスブロック５とは異なる構成になっている。
【００７９】
本実施例装置は、上述した６つのセルＣ１〜Ｃ６を並設して構成されており、
各セルＣ１〜Ｃ６間の基板の受け渡しは、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０を介して行われる。換言すれば、本発明における単一の被制御ユニット（セル）は、単一の主搬送機構を含み、その主搬送機構が、特定の基板載置部から受け取った基板を別の基板載置部に置くまでに、基板の受け渡しを行う処理部を含んで構成される。
【００８０】
セルＣ１〜Ｃ６は、各々のセルの主搬送機構（インデクサ用搬送機構７およびインターフェイス用搬送機構３５を含む）の基板受け渡し動作を少なくとも制御するコントローラＣＴ１〜ＣＴ６を個別に備えている。各コントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、所定の基板載置部に置かれた基板の受け取りから始まって、所定の基板載置部に基板を置くことによって完結する一連の制御を、各々独立して行うようになっている。具体的には、図９（ａ）に示すように、各セルＣ１〜Ｃ６のコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、所定の基板載置部に基板を置いたという情報を、隣のセルのコントローラに送り、その基板を受け取ったセルのコントローラは、所定の基板載置部から基板を受け取ったという情報を元のセルのコントローラに返すという情報のやり取りを行う。
【００８１】
つまり、各コントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、隣接するセル内での主搬送機構の動きを考慮することなく、各セル内の基板の受け渡しだけを対象にして制御を進めている。したがって、各コントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御の負担が少なくなる。これに対して、従来の基板処理装置の制御手法によると、図９（ｂ）に示すように、各ブロック１〜５が基板処理のスケジュール管理用のコントローラＣＴ０に基板搬送に係る情報を与えて、コントローラＣＴ０が統括的に基板搬送を管理しているので、コントローラＣＴ１０の負担が多くなる。
【００８２】
以上のように本実施例によれば各セルのコントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御負担が少なくなるので、それだけ基板処理装置のスループットを向上させることができる。また、図９に示した従来の制御手法によると、新たに処理部を追加すると、コントローラＣＴ０のスケジュール管理用のプログラムを大幅に修正する必要が生じるが、本発明に係る制御手法によれば、新たにセルを追加しても、隣接するセルに影響を与えないので、セルの追加を容易に行うことができる。追加するセルの種類は特に限定されないが、例えば、レジスト膜用処理セルＣ３と現像処理セルＣ４との間に、基板Ｗに塗布されたレジスト膜の厚みを検査したり、あるいは現像後のレジスト膜の線幅を検査する検査用セルを追加してもよい。この場合、検査用セルは、本実施例装置の他のセルと同様に、基板を検査する基板検査部と、この検査部に対して基板を搬送する基板検査用の主搬送機構とを含んで構成される。また、検査用セルと隣接セルとの間の基板の受け渡しは、基板載置部を介して行われる。
【００８３】
本実施例に係る基板処理装置の他の特徴は、異なる薬液処理ごとに構成された被制御ユニットである反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、および現像処理セルＣ４が、主搬送機構を使って基板Ｗを特定の位置から別の位置に搬送する工程を１工程とした場合に、各セルＣ２、Ｃ３、Ｃ４の第１、第２、第３の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、略同数の搬送工程を負担している点にある。詳しくは、後述する本実施例装置の動作説明で明らかにするが、図１０に示したように、上記主搬送機構１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、略６つの搬送工程を負担している。
【００８４】
本実施例装置において、主搬送機構１０が１搬送工程に要する時間は約４秒である。したがって、各セルＣ２〜Ｃ３において、主搬送機構１０は６搬送工程を負担するので、各セルＣ２〜Ｃ３は２４秒に１回の割合（２４秒の処理周期）で基板Ｗを隣接するセルに排出することになる。つまり、本実施例装置は、１時間あたり１５０枚の基板Ｗを処理することができる。仮に、一つの主搬送機構が負担する搬送工程の数が、他の主搬送機構に比べて多くなると、その主搬送機構が属するセルの処理周期によって、基板処理装置のスループットが決定される。例えば、セルＣ２、Ｃ４の各主搬送機構１０Ａ、１０Ｃが各々５つの搬送工程を負担し、セルＣ３の主搬送機構１０Ｂが８つの搬送工程を負担する場合、セルＣ２〜Ｃ４間では、セルＣ３の処理周期（この場合、３２秒）でしか基板Ｗが流れないので、セルＣ２、Ｃ４の主搬送機構１０Ａ、１０Ｃに余裕があったとしても、その基板処理装置は１時間あたり１１２．５枚しか基板Ｗを処理することができない。
【００８５】
これに対して本実施例装置では、反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、および現像処理セルＣ４の各主搬送機構１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃが略同数の搬送工程を負担するので、いずれか一つの主搬送機構が早く搬送処理の限界に陥ることが回避でき、結果として、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
【００８６】
一方、現像処理セルＣ４に隣接する露光後加熱用処理セルＣ５に関しては、そのセルＣ５に属する第４の主搬送機構１０Ｄの負担する搬送工程が５つに設定されている。露光後加熱用処理セルＣ５は、基板Ｗが露光されてから加熱処理を行うまでの時間を厳密に管理する必要があるので、第４の主搬送機構１０Ｄの搬送負担に余裕をもたせる意味で、その搬送負担を他のセルに比べて低く設定してある。第４の主搬送機構１０Ｄに特に余裕をもたせる必要がなければ、本処理セルＣ５は、１搬送工程分だけの空きをもっていることになる。この空き搬送工程を利用して、露光後加熱用処理セルＣ５に新たな処理部、例えば基板Ｗの検査部を追加することも可能である。基板検査部を追加してもセルＣ５の主搬送機構１０Ｄは、他のセルの主搬送機構と同様に６つの搬送工程を負担することになる。つまり、搬送工程に余裕のあるセルＣ５に基板検査部を追加しても、セルＣ５の処理周期は他のセルと同じ２４秒になるだけであるので、基板処理装置のスループットが低下することはない。
【００８７】
次に、本実施例に係る基板処理装置の動作を説明する。特に、反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、現像処理セルＣ４、および露光後加熱用処理セルＣ５の各主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄによる各搬送工程については図１０を参照されたい。
【００８８】
まず、インデクサセルＣ１（インデクサブロック１）のインデクサ用搬送機構７が、所定のカセットＣに対向する位置にまで水平移動する。続いて、保持アーム７ｂが昇降および進退移動することにより、そのカセットＣに収納されている未処理の基板Ｗを取り出す。保持アーム７ｂに基板Ｗを保持した状態で、インデクサ用搬送機構７が、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置にまで水平移動する。そして、保持アーム７ｂ上の基板Ｗを基板払出し用の上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板戻し用の下側の基板載置部ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合、インデクサ用搬送機構７は、その処理済みの基板Ｗを保持アーム７ｂ上に受け取って、所定のカッセトＣに処理済みの基板Ｗを収納する。以下、同様にカセットＣから未処理基板Ｗを取り出して基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送するとともに、処理済み基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２から受け取ってカセットＣに収納するという動作を繰り返し行う。
【００８９】
反射防止膜用処理セルＣ２（反射防止膜用処理ブロック２）の動作を説明する。基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理基板Ｗが置かれると、図１０に示すように、セルＣ２の第１の主搬送機構１０Ａは、保持アーム１０ａ、１０ｂを基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置にまで一体に昇降および旋回移動させる。そして、一方の保持アーム１０ｂに保持している処理済みの基板Ｗを下側の戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ２に置き、その後、上側の払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ１に置かれている未処理基板Ｗを他方の保持アーム１０ａ上に受け取るという、処理済み基板Ｗおよび未処理基板Ｗの受け渡し動作を行う。具体的には、保持アーム１０ｂを前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ２上に処理済みの基板Ｗを置く。処理済みの基板Ｗを渡した保持アーム１０ｂは元の位置にまで後退する。続いて、保持アーム１０ａ、１０ｂを一体に少し上昇させた後、保持アーム１０ａを前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ１上の未処理基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。基板Ｗを受け取った保持アーム１０ａは元の位置にまで後退する。
【００９０】
以上の基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する未処理基板Ｗおよび処理済み基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（１＋α）で示されている。ここで、「α」は、未処理基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１から受け取るために、保持アーム１０ａ、１０ｂを基板載置部ＰＡＳＳ２に対向する位置から基板載置部ＰＡＳＳ１に対向する位置にまで少し上昇移動させた搬送工程を示している。上述したように、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は上下に近接して配置されているので、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２間の移動に要する時間は僅かであり無視することができる。したがって、搬送工程（１＋α）は、１搬送工程（本実施例では、主搬送機構を使って所定時間（例えば、４秒）以内に行われる基板の受け渡し動作）であるとして取り扱うことができる。
【００９１】
基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第１の主搬送機構１０Ａは、未処理基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、基板Ｗを保持していない空の保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、反射防止膜用熱処理部９の所定の冷却プレートＣＰに対向させる。通常、この冷却プレートＣＰには、先行処理されている基板Ｗが入っている。そこで、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。続いて未処理基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。冷却プレートＣＰに載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に、常温にまで精度よく冷却される。なお、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを使った冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しは、保持アーム１０ａ、１０ｂの昇降動作を伴わずに行われるので、この冷却プレートＣＰに対する基板の受け渡しは、第１の主搬送機構１０Ａの１搬送工程内に行われる（図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（２）参照）。
【００９２】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、空の保持アーム１０ａと、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、所定の反射防止膜用塗布処理部８に対向させる。通常、この反射防止膜用塗布処理部８には、先行処理されている基板Ｗが入っている。そこで、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その反射防止膜用塗布処理部８にあるスピンチャック１１上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。続いて基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂを前進移動させて、基板Ｗをそのスピンチャック１１上に置く。スピンチャック１１上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に、反射防止膜が塗布形成される。スピンチャック１１に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（３）に相当する。なお、図１０中の「ＢＡＲＣ」は反射防止膜用塗布処理部８を意味する。
【００９３】
スピンチャック１１への基板Ｗの受け渡しが終わると、反射防止膜が塗布された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、所定の加熱プレートＨＰに対向させる。通常、この加熱プレートＨＰにも先行処理されている基板Ｗが入っているので、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その加熱プレートＨＰ上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。続いて、保持アーム１０ａを前進移動させて、基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に置く。加熱プレートＨＰ上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に熱処理されて、基板Ｗ上の反射防止膜に含まれる余剰の溶剤が除去される。この加熱プレートＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（４）に相当する。
【００９４】
加熱プレートＨＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、空の保持アーム１０ａと、熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、隔壁１３に設置された水冷式の冷却プレートＷＣＰに対向させる。上述したと同様に、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＷＣＰ上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、基板Ｗを冷却プレートＷＣＰ上に置く。冷却プレートＷＣＰ上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に大まかに冷却処理される。この冷却プレートＷＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（５）に相当する。
【００９５】
冷却プレートＷＣＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、大まかに冷却された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂと一体に上昇させて、冷却プレートＷＣＰの上方に配設されている基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対向させる。そして、保持アーム１０ａを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ３上に基板Ｗを置く。通常、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ４に、レジスト膜用処理セルＣ３を介して現像処理セルＣ４から送られてきた現像処理済みの基板Ｗが置かれている。そこで、保持アーム１０ａ、１０ｂを一体に少し下降させた後、保持アーム１０ｂを前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ４上の現像処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。
【００９６】
基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（６＋α）に相当する。「α」は上述したと同様に、保持アーム１０ａ、１０ｂが僅かに昇降する短時間の搬送工程である。したがって、搬送工程（６＋α）は１搬送工程であるとして取り扱うことができる。
【００９７】
反射防止膜用処理セルＣ２に備えられた第１の主搬送機構１０Ａは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）を合計すると、第１の主搬送機構１０Ａは、略６つの搬送工程を負担することになる。１搬送工程に要する搬送時間を４秒とすると、第１の主搬送機構１０Ａは略２４秒で基板搬送の１周期を完了する。換言すれば、２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣のレジスト膜用処理セルＣ３に払い出される。
【００９８】
レジスト膜用処理セルＣ３（レジスト膜用処理ブロック３）の動作を説明する。反射防止膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に置かれると、図１０に示すように、セルＣ３の第２の主搬送機構１０Ｂは、上述した第１の主搬送機構１０Ａの場合と同様に、一方の保持アーム１０ｂに保持した現像処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４上に置く。そして、基板載置部ＰＡＳＳ３上の基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（１＋α）で示されている。上述したように、「α」は時間には無視することができるので、搬送工程（１＋α）は１搬送工程として取り扱うことができる。
【００９９】
基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第２の主搬送機構１０Ｂは、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用熱処理部１６の所定の冷却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（２）に相当する。
【０１００】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、空の保持アーム１０ａと、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、所定のレジスト膜用塗布処理部１５に対向する位置にまで移動させる。先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、そのレジスト膜用塗布処理部１５にあるスピンチャック１７上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂを前進移動させて、その基板Ｗをスピンチャック１７上に置く。スピンチャック１７上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｂが他の搬送動作を行っている間に、レジスト膜が塗布形成される。スピンチャック１７に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（３）に相当する。なお、図１０中の「ＰＲ」はレジスト膜用塗布処理部１５を意味する。
【０１０１】
スピンチャック１７への基板Ｗの受け渡しが終わると、レジスト膜が塗布形成された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを、所定の基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰに対向させる。先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その加熱部ＰＨＰ上の基板仮置部１９に載置されている処理済みの基板Ｗを受け取る。続いて、保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗを基板仮置部１９上に置く。基板仮置部１９上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｂが他の搬送動作を行っている間に、その加熱部ＰＨＰのローカル搬送機構２０によって、その加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰ上に移されて熱処理される。この加熱プレートＨＰ上で熱処理された基板Ｗは、同じローカル搬送機構２０によって基板仮置部２０に戻される。その基板Ｗは、ローカル搬送機構２０の保持プレート２０に保持されて基板仮置部２０に戻される過程で、保持プレート２４の冷却機構によって冷却される。この加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（４）に相当する。
【０１０２】
加熱部ＰＨＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、空の保持アーム１０ａと、熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用熱処理部１６の冷却プレートＣＰに対向させる。そして、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗを冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（５）に相当する。
【０１０３】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、冷却された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを、基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対向させる。続いて、保持アーム１０ａを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ５上に基板Ｗを置くとともに、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ６に載置されている現像処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂで受け取る。
【０１０４】
基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（６＋α）に相当する。搬送工程（６＋α）は１搬送工程であるとして取り扱われる。
【０１０５】
レジスト膜用処理セルＣ３に備えられた第２の主搬送機構１０Ｂは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）を合計すると、第２の主搬送機構１０Ｂは、第１の主搬送機構１０Ａと同様に略６つの搬送工程を負担することになる。したがって、第２の主搬送機構１０Ｂは、第１の主搬送機構１０Ａと同じ周期（この実施例では、略２４秒）で基板搬送の１周期を完了する。換言すれば、２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣の現像処理セルＣ４に払い出される。
【０１０６】
現像処理セルＣ４の動作を説明する。レジスト膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に置かれると、図１０に示すように、セルＣ４の第３の主搬送機構１０Ｃは、先ず保持アーム１０ｂに保持した現像処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６上に置き、その後、基板載置部ＰＡＳＳ５上の基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（１＋α）で示されている。
【０１０７】
基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０Ｃは、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の積層構造の中に配設された基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対向する位置にまで移動させる。続いて、保持アーム１０ａを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ７上に、レジスト膜が塗付形成された基板Ｗを置き、その後、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ８に載置されている露光後の加熱処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂで受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（２＋α）で示されている。
【０１０８】
基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０Ｃは、空の保持アーム１０ａと、露光後の加熱処理済みの基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の所定の冷却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（３）に相当する。
【０１０９】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを、所定の現像処理部３０に対向する位置にまで移動させる。先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その現像処理部３０にあるスピンチャック３２上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、その基板Ｗをスピンチャック３２上に置く。スピンチャック３２上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｃが他の搬送動作を行っている間に、現像処理される。スピンチャック３２に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（４）に相当する。なお、図１０中の「ＳＤ」は現像処理部３０を意味する。
【０１１０】
スピンチャック３２への基板Ｗの受け渡しが終わると、空の保持アーム１０ａと、現像処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の所定の加熱プレートＨＰに対向させる。先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱プレートＨＰ上に載置されている処理済みの基板Ｗを受け取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に置く。この加熱プレートＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（５）に相当する。
【０１１１】
加熱プレートＨＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、加熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用処理セルＣ３の側にある隔壁１３に設置された水冷式の冷却プレートＷＣＰに対向させる。そして、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＷＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗを冷却プレートＷＣＰ上に置く。この冷却プレートＷＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（６）に相当する。
【０１１２】
現像処理セルＣ４に備えられた第３の主搬送機構１０Ｃは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（６）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（１＋α）から搬送工程（６）を合計すると、第３の主搬送機構１０Ｃは、第１、第２の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂと同様に略６つの搬送工程を負担することになる。したがって、第３の主搬送機構１０Ｂは、第１、第２の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂと同じ周期（この実施例では、略２４秒）で基板搬送の１周期を完了する。換言すれば、２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣の露光後加熱用処理セルＣ５に払い出される。
【０１１３】
露光後加熱用処理セルＣ５の動作を説明する。レジスト膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ７に置かれると、図１０に示すように、セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄは、保持アーム１０ｂに保持した露光後加熱処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８上に置き、その後で基板載置部ＰＡＳＳ７上の基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（１＋α）に相当する。
【０１１４】
基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の保持アーム１０ｂとを、所定のエッジ露光部ＥＥＷに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、そのエッジ露光部ＥＥＷのスピンチャック３６上にある周辺露光済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗをそのスピンチャック３６上に置く。スピンチャック３６上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｄが他の搬送動作を行っている間に、その周縁部が露光される。このスピンチャック３６に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（２）に相当する。
【０１１５】
スピンチャック３６に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、空の保持アーム１０ａと、周辺露光された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１にある冷却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ｂを前進移動させて、周辺露光された基板Ｗを冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（３）に相当する。
【０１１６】
冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対向する位置にまで移動させる。続いて、保持アーム１０ａを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ９上に基板Ｗを置くとともに、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置されている、露光装置ＳＴＰで露光された基板Ｗを保持アーム１０ｂで受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（４＋α）に相当する。
【０１１７】
基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｃは、空の保持アーム１０ａと、露光済みの基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１にある所定の基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱部ＰＨＰ（具体的には、基板仮置部１９の上）にある露光後の加熱処理済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進移動させて、露光済みの基板Ｗを加熱部ＰＨＰ（具体的には、基板仮置部１９の上）に置く。基板仮置部１９に置かれた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｄが他の搬送動作を行っている間に、ローカル搬送機構２０によって加熱プレートＨＰに移されて加熱処理された後に、同じくローカル搬送機構２０によって冷却されながら基板仮置部１９に戻される。この加熱部ＰＨＰに対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（５）に相当する。
【０１１８】
露光後加熱用処理セルＣ５に備えられた第４の主搬送機構１０Ｄは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（５）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（１＋α）から搬送工程（５）を合計すると、第４の主搬送機構１０Ｄは、第１〜第３の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｃよりも１つ少ない略５つの搬送工程を負担することになる。露光後加熱用処理セルＣ５だけをみれば、第４の主搬送機構１０Ｄは、１搬送工程に要する時間を４秒とした場合に、２０秒周期で動作可能であるが、他の第１〜第３の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｃが２４秒周期で動くので、結局、露光後加熱用処理セルＣ５からは、他のセルと同様に、２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣のインターフェイスセルＣ６に払い出される。
【０１１９】
インターフェイスセルＣ６の動作を説明する。周辺露光された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ９に置かれると、インターフェイスセルＣ６のインターフェイス用搬送機構３５が基板載置部ＰＡＳＳ９から基板Ｗを受け取って、隣接する露光装置ＳＴＰに渡す。さらに、インターフェイス用搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰから露光済みの基板Ｗを受け取って、その基板を基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ１０に載せる。インターフェイス用搬送機構３５は、このような基板搬送動作を繰り返し行う。
【０１２０】
以上のように、本実施例に係る基板処理装置は、各セルＣ１〜Ｃ６が各コントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御の下で、主搬送機構１０（ただし、インデクサセルＣ１の場合はインデクサ用搬送機構７、インターフェイスセルＣ６の場合ははインターフェイス用搬送機構３５）を使って基板Ｗの搬送を行い、隣接するセル間では、基板搬送に関しては、基板載置部ＰＡＳＳに基板Ｗを置いたという情報と、基板を受け取ったという情報とをやり取りするだけである。つまり、各セルは、隣接するセルにおける基板搬送の状態を監視することなく、各セルが独立してセル内の基板搬送を独立して行っている。そのために各セルからの基板の払出しは必ずしも同時には行われず、多少の時間的ズレが生じる。しかし、この時間的ズレは、隣接セル間で基板を受け渡すために設けられた基板載置部に置かれる時間が多少長くなるか、あるいは短くなるかによって吸収されるので、セル間に基板受け渡しの時間的ズレが生じたために基板搬送に支障をきたすということはない。
【０１２１】
したがって、本実施例装置によれば、各セルＣ１〜Ｃ６を制御するコントローラＣＴ１〜ＣＴ６の負担が小さくなり、それだけ基板処理装置のスループットが向上するとともに、装置構成を簡素化することができる。また、適当なセル間に基板検査部と主搬送機構とを含む基板検査用セルを容易に設置することができるので、汎用性の高い基板処理装置を実現することもできる。さらに、他のセルに比べて、搬送工程の数が少ないセルを設けておくと（実施例装置では、露光後加熱用処理セルＣ５）、他のセルに影響を与えることなく、当該セルに新たな処理部（例えば、基板検査部）を容易に追加することができる。
【０１２２】
次に、露光装置ＳＴＰや現像処理セルＣ４などが、例えば故障で基板を受け入れることができなくなった場合の動作を説明する。
【０１２３】
いま露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れをできなくなったとする。この場合、インターフェイスセルＣ６のインターフェイス用搬送機構３５は、基板載置部ＰＡＳＳ９に置かれた基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを送り用バッファＳＢＦに一時的に収納する。バッファＳＢＦに収納可能な枚数だけ処理が継続され、バッファＳＢＦに収納不能になると予測された場合に、インデクサセルＣ１から基板Ｗを払い出すのを停止する。露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れが可能になると、インターフェイス用搬送機構３５は、バッファＳＢＦに収納した各基板を収納した順に取り出して露光装置ＳＴＰに渡し、以下、通常の動作に戻る。
【０１２４】
一方、現像処理セルＣ４が基板Ｗの受け入れをできなくなったとする。この場合、インターフェイス用搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰから順に戻されてくる露光済みの基板Ｗを、通常動作通りに基板載置部ＰＡＳＳ１０に渡す。露光後加熱用処理セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄは、通常動作通りに受け取って加熱部ＰＨＰに渡す。そして、加熱部ＰＨＰで露光後の加熱処理が行われた基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に置かずに、第４の主搬送機構１０ＤがセルＣ５内にある基板戻し用のバッファＲＢＦに一時的に収納する。露光装置ＳＴＰ内に搬入されている枚数の基板Ｗについて、同様に露光後の加熱処理を行った後に基板戻し用のバッファＲＢＦに収納する。現像処理セルＣ４が基板Ｗの受け入れが可能になると、第４の主搬送機構１０Ｄは、バッファＲＢＦに収納した各基板を収納した順に取り出して基板載置部ＰＡＳＳ８に渡し、以下、通常の動作に戻る。
【０１２５】
以上のように本実施例装置では、基板戻し用のバッファＲＢＦを露光後加熱用処理セルＣ５に設け、露光装置ＳＴＰから払い出される基板Ｗを加熱部ＰＨＰで加熱処理した後にバッファＲＢＦに収納保管するようにしたので、露光装置ＳＴＰから払い出された基板Ｗが露光後の加熱処理を受けずに長時間にわたり放置されることがない。因みに、従来の基板処理装置は、送り用バッファと戻し用バッファとが同じ個所に設置されており、露光装置から払い出された基板Ｗをインターフェイス用搬送機構が直接に戻し用バッファに収納していたので、露光装置ＳＴＰから払い出された基板Ｗが露光後の加熱処理を受けずに長時間にわたり放置される状態になっている。
【０１２６】
化学増幅型フォトレジストは、露光後の加熱を速やかに行う必要があるので、上述した従来装置の保管手法では、戻りバッファに基板を収納しても結局、レジスト膜の品位が悪くなるので、レジスト膜を剥離して再生処理を行わなくてならないという問題がある。これに対して、本実施例装置によれば、露光装置ＳＴＰから払い出される基板Ｗに速やかに加熱処理を行った後にバッファＲＢＦに収納保管するようにしたので、フォトレジスト膜の品位が保たれ結果、従来装置のような再生処理を行う必要もない。
【０１２７】
本発明は、上述した実施例のものに限らず、例えば次のように変形実施することもできる。
（１）実施例では、第１〜第４の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄは水平方向には移動せずに、保持アームだけが昇降・旋回・進退移動可能に構成したが、これらの主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄが水平方向に移動するものであってもよい。
【０１２８】
（２）第１〜第４の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄは、それぞれ２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを備えていたが、単一の保持アームを備えるものであってもよい。
【０１２９】
（３）実施例では、露光後加熱用処理セルＣ５を、現像処理ブロック４とインターフェイスブロック５とに跨って配設したが、露光後加熱用処理セルＣ５を独立したブロック（個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられた要素）として構成してもよい。
【０１３０】
（４）実施例では、反射防止膜用処理ブロック２とレジスト膜用処理ブロック３とを個別に設けたが、単一の処理ブロックで反射防止膜塗付処理とレジスト膜塗付処理を行うようにしてもよい。また、反射防止膜の塗布処理が不要である場合は、反射防止膜用処理ブロック２を備えなくてもよい。
【０１３１】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１および請求項１２記載の発明によれば、各処理ブロックの主搬送機構が同時並行的に作動することによって、各処理部に対する基板の受け渡しの速度が等価的に向上するので、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
【０１３２】
（削除）
【０１３３】
さらに、請求項１８記載の発明によれば、各被制御ユニットの主搬送機構が略同数の搬送工程を負担するので、特定の主搬送機構だけが早く搬送限界に陥ることが回避でき、結果として、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例に係る基板処理装置の概略構成を示した平面図である。
【図２】 実施例装置の概略構成を示した正面図である。
【図３】 熱処理部の正面図である。
【図４】 隔壁に設けられた基板載置部の周辺構成を示す破断正面図である。
【図５】 インターフェイスブロックの概略構成を示す側面図である。
【図６】 （ａ）は主搬送機構の概略構成を示す平面図、（ｂ）はその正面図である。
【図７】 （ａ）は基板仮置部付きの加熱部の破断側面図、（ｂ）は破断平面図である。
【図８】 （ａ）は実施例装置のブロック配置を示した平面図、（ｂ）は実施例装置のセル配置を示した平面図である。
【図９】 （ａ）は実施例装置の制御系を示したブロック図、（ｂ）は比較のために示した従来装置の制御系のブロック図である。
【図１０】 第１〜第４の主搬送機構による基板搬送の流れを示した図である。
【図１１】 従来の基板処理装置の概略構成を示した平面図である。
【符号の説明】
１ …インデクサブロック
２ …反射防止膜用処理ブロック
３ …レジスト膜用処理ブロック
４ …現像処理ブロック
５ …インターフェイスブロック
７ …インデクサ用搬送機構
１０Ａ〜１０Ｄ …第１〜第４の主搬送機構
３５ …インターフェイス用搬送機構
Ｃ１ …インデクサセル
Ｃ２ …反射防止膜用処理セル
Ｃ３ …レジスト膜用処理セル
Ｃ４ …現像処理セル
Ｃ５ …露光後加熱用処理セル
Ｃ６ …インターフェイスセル
Ｗ …基板
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０ …基板載置部
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの基板（以下、単に「基板」と称する）に、一連の処理を施す基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、このような基板処理装置は、例えば、フォトレジスト膜を基板に塗布形成し、フォトレジスト膜が塗布されたその基板に対して露光処理を行い、さらに露光処理後の基板を現像するフォトリソグラフィ工程に用いられている。
【０００３】
これを図１１の平面図に示し、以下に説明する。この基板処理装置は、未処理の複数枚（例えば２５枚）の基板Ｗ又は後述する処理部１０４での処理が完了した基板Ｗが収納されるカセットＣが複数個載置されるカセット載置台１０１と、各カセットＣの前を水平移動し、各カセットＣと後述する処理部１０４間で基板Ｗの受け渡しを行う搬送機構１０８ａとを備えたインデクサ１０３と、複数個の処理部１０４と、複数個の処理部１０４間で基板Ｗを搬送する経路である基板主搬送経路１０５と、処理部１０４および外部処理装置１０７間で基板Ｗの受け渡しを中継するインターフェイス１０６とから構成されている。
【０００４】
外部処理装置１０７は、基板処理装置とは別体の装置であって、基板処理装置のインターフェイス１０６に対して着脱可能に構成されている。基板処理装置が、上述したレジスト塗布および現像処理を行う装置である場合、この外部処理装置１０７は、基板Ｗの露光処理を行う露光装置となる。
【０００５】
また、基板主搬送経路１０５上を搬送する主搬送機構１０８ｂと、インターフェイス１０６の搬送経路上を搬送する搬送機構１０８ｃとがそれぞれ配設されている。その他に、インデクサ１０３と基板主搬送経路１０５との連結部には載置台１０９ａ、基板主搬送経路１０５とインターフェイス１０６との連結部には載置台１０９ｂがそれぞれ配設されている。
【０００６】
上述した基板処理装置において、以下の手順で基板処理が行われる。未処理の基板Ｗを収納したカセットＣから１枚の基板を搬送機構１０８ａが取り出して、主搬送機構１０８ｂに基板Ｗを渡すために、載置台１０９ａまで搬送する。主搬送機構１０８ｂは、載置台１０９ａに載置された基板Ｗを受け取った後、各処理部１０４内で所定の処理（例えば、レジスト塗布などの処理）をそれぞれ行うために、それらの処理部１０４に基板Ｗをそれぞれ搬入する。所定の各処理がそれぞれ終了すると、主搬送機構１０８ｂはそれらの処理部１０４から基板Ｗをそれぞれ搬出して、次の処理を行うために別の処理部１０４（例えば、熱処理）に基板Ｗを搬入する。
【０００７】
このように露光前の一連の処理が終了すると、主搬送機構１０８ｂは、処理部１０４で処理された基板Ｗを載置部１０９ｂまで搬送する。搬送機構１０８ｃに基板Ｗを渡すために、上述した載置台１０９ｂに基板Ｗを載置する。搬送機構１０８ｃは、載置台１０９ｂに載置された基板Ｗを受け取った後、外部処理装置１０７まで搬送する。外部処理装置１０７に搬入して、所定の処理（例えば、露光処理などの処理）が終了すると、搬送機構１０８ｃは外部処理装置１０７から基板Ｗを搬出して、載置部１０９ｂまで搬送する。後は、主搬送機構１０８ｂによって各処理部１０４に基板が搬送され、露光後の一連の加熱処理、冷却処理、現像処理が行われ、全ての処理を完了した基板は搬送機構１０８ａを通じて所定のカセットＣに搬入される。そして、カセット載置台１０１から払い出されて、一連の基板処理が終了する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の基板処理装置は、基板主搬送経路１０５に沿って走行する１台の主搬送機構１０８ｂが全ての処理部１０４に対して基板Ｗを受け渡しするので、主搬送機構１０８ｂの動作速度の関係から、短時間の間に多くの処理部１０４に対してアクセスすることができない。そのため従来の基板処理装置は、最近のスループット向上の要請に応えることができないという問題点がある。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、スループットを向上することができる基板処理装置を提供することを主たる目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１記載の発明は、基板に対して一連の薬液処理と熱処理とを行う基板処理装置において、薬液処理を行う薬液処理部と、前記薬液処理に関連した熱処理を行う熱処理部と、前記薬液処理部および前記熱処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の処理ブロックを構成し、異なる薬液処理ごとに構成された複数個の処理ブロックを並設してあり、前記各処理ブロックの主搬送機構は、基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載置部を介して、互いに基板の受け渡しを行い、前記基板載置部は、ある処理ブロックから基板を払出すための払出し用基板載置部と、ある処理ブロックへ基板を戻すための戻し用基板載置部との少なくとも２つの基板載置部を上下に近接して設けられて構成されるとともに、前記基板は、並設された各処理ブロックを往路と復路を通じて、前記各処理ブロックの単一の主搬送機構によって往復して移送され、前記主搬送機構を使って基板を特定の位置から別の位置に搬送する工程を１搬送工程とした場合に、前記基板の前記往路における移送は、前記主搬送機構が往路の上流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記往路の上流側にある払出し用基板載置部から次々と受け取ると共に、前記主搬送機構が往路の下流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記往路の下流側にある払出し用基板載置部に次々と載置することで行われ、前記基板の前記復路における移送は、前記主搬送機構が復路の上流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記復路の上流側にある戻し用基板載置部から次々と受け取ると共に、前記主搬送機構が復路の下流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記復路の下流側にある戻し用基板載置部に次々と載置することで行われることを特徴としている。
ことを特徴としている。
【００１１】
請求項１記載の発明によれば、基板に対する一連の薬液処理と熱処理とが並設された複数個の処理ブロックで順に行われる。各処理ブロックでは、各々の主搬送機構が薬液処理部および熱処理部に対して基板の受け渡しを並行して行う。つまり、各処理ブロックの主搬送機構が同時並行的に作動することによって、各処理部に対する基板の受け渡しの速度が等価的に向上するので、基板処理装置のスループットを向上させることができる。また、請求項１記載の発明によれば、基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載置部を介して、互いに基板の受け渡しを行う。このようにすれば、ある処理ブロックの主搬送機構は、その処理ブロックでの処理が終わった基板を基板載置部に置くだけで、次の処理に進むことができる。つまり、隣接する処理ブロックの主搬送機構の動作状態にかかわらず、処理を進めることができるので、基板処理装置のスループットを一層向上させることができる。そして、請求項１記載の発明によれば、ある処理ブロックから基板を払出すための払出し用基板載置部と、ある処理ブロックへ基板を戻すための戻し用基板載置部との少なくとも２つの基板載置部から構成される。このように構成すれば、２つの基板載置部を使って、ある処理ブロックからの基板の払出し（搬出）と、ある処理ブロックへの基板の戻し（搬入）を略同時に行うことができるので、基板処理装置のスループットを一層向上させることができる。さらに、請求項１記載の発明よれば、払出し用基板載置部と戻し用基板載置部は、上下に近接して設けられているので、単一の主搬送機構を使って基板を搬入・搬出するときの主搬送機構の移動距離が短くなるので、基板処理装置のスループットを一層向上させることができる。
【００１２】
上記の基板処理装置において、前記各処理ブロックの主搬送機構が負担する搬送工程数のバラツキは２搬送工程以内であることが好ましい（請求項２記載の発明）。
【００１３】
複数個の搬送機構を使って一連の基板処理を順に進める場合、特定の搬送機構の搬送負担が多くなって、所定枚数以上の基板を単位時間あたりに処理できなくなると、他の搬送機構に余裕があっても、基板処理装置全体としては、それ以上の処理効率の向上を望めない。本発明によれば、各処理ブロックの主搬送機構が負担する搬送工程数のバラツキは２搬送工程以内であるので、特定の主搬送機構だけが早く搬送処理の限界に陥ることが回避でき、結果として、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
【００１４】
（削除）
【００１５】
（削除）
【００１６】
（削除）
【００１７】
本発明において、前記基板載置部を設ける位置は特に限定されないが、処理ブロック間に雰囲気遮断のために隔壁が設けられている場合には、基板載置部は前記隔壁を部分的に貫通して設けられる（請求項３記載の発明）。これにより、隣接する処理ブロック間の雰囲気の相互影響を最小限にして、処理ブロック間の基板の受け渡しを円滑に行うことができる。
【００１８】
前記基板載置部に、基板の有無を検出するセンサを設けるのが好ましい（請求項４記載の発明）。センサの検出信号に基づき、主搬送機構が基板載置部に対して基板を受け渡しできるか否かを判断することができるので、同じ基板載置部に重ねて基板を載置するなどのトラブルを防止することができるとともに、主搬送機構によるいわゆる「空取り」などの無駄な動作を省くこともできる。
【００１９】
処理ブロック内における薬液処理部、熱処理部、および主搬送機構のレイアウトは任意であるが、好ましくは、主搬送機構を挟んで薬液処理部と熱処理部とが対向して配置される（請求項５記載の発明）。このように配置すれば、薬液処理部と熱処理部とが隔たるので、薬液処理部が熱処理部から受ける熱的影響を抑えることができる。
【００２０】
本発明において、好ましくは、前記薬液処理部が複数個あって、これらが上下に積層配置されており、かつ、前記熱処理部が複数個あって、これらが上下に積層配置されている（請求項６記載の発明）。このように薬液処理部と熱処理部を多段に構成すれば、基板処理装置の占有スペースを小さくすることができる。
【００２１】
さらに、好ましくは、前記熱処理部は、上下に積層配置されたものが複数列にわたり並設される（請求項７記載の発明）。このように構成すれば、熱処理部のメンテナンスが容易であり、また熱処理部に必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなる。
【００２２】
本発明において、熱処理部の構成は特に限定されないが、好ましくは、熱処理部は、基板を載置して加熱処理をする加熱プレートと、この加熱プレートから離れた上方位置または下方位置に基板を載置しておく基板仮置部と、前記加熱プレートと基板仮置部との間で基板を搬送する熱処理部用のローカル搬送機構とを備えた基板仮置部付きの熱処理部で構成される（請求項８記載の発明）。このような基板仮置部付きの熱処理部によれば、主搬送機構の動作に無関係に、熱処理された基板を加熱プレートから基板仮置部に移して待機させておくことができるので、主搬送機構が他の動作を行っていたために、あるいは故障のために、基板が過度に加熱されるという事態を防止することができる。なお、熱処理部のすべてが、基板仮置部付きの熱処理部である必要はなく、過度の加熱を防止する必要性の高い熱処理部に用いればよい。
【００２３】
前記基板仮置部付き熱処理部のローカル搬送機構は、好ましくは、前記加熱プレートから基板仮置部へ基板を搬送する過程で基板を冷却する冷却手段を備える（請求項９記載の発明）。このように構成すれば、加熱プレートから取り上げられた基板が即座に冷却される。換言すれば、搬送途中に余熱で熱せられることがないので、基板の加熱時間を厳密にコントロールすることができ、基板処理の品質を向上することができる。
【００２４】
さらに、前記主搬送機構は、前記基板仮置部に対して基板の受け渡しを行うのが好ましい（請求項１０記載の発明）。主搬送機構が熱処理部の加熱プレートにアクセスすると、主搬送機構の温度が上昇し、主搬送機構によって搬送される基板に熱的悪影響を与えることがある。これに対し、主搬送機構が基板仮置部に対して基板の受け渡しを行うように構成すれば、主搬送機構の温度上昇を防止することができ、基板処理の品質を一層向上することができる。
【００２５】
さらに好ましくは、前記基板仮置部付きの熱処理部の少なくとも加熱プレートは筐体で覆われており、この筐体内の加熱プレートに対して前記ローカル搬送機構が基板を受け渡すために前記筐体に設けられた開口部は、前記主搬送機構が配置された側とは反対側に位置している（請求項１１記載の発明）。このようにすれば、開口部から漏れ出た熱雰囲気が主搬送機構に及ぼす影響が少なくなるので、主搬送機構の温度上昇を一層軽減することができる。
【００２６】
また、本発明は、基板に対して一連の薬液処理と熱処理とを行う基板処理装置において、 基板を多段に収容する複数個のカセットを載置するカセット載置台と、各カセットから未処理の基板を順に取り出すとともに、各カセットへ処理済の基板を順に収納するインデクサ用搬送機構とを備えたインデクサブロックと、基板表面に反射防止膜を塗布形成する反射防止膜用塗布処理部と、反射防止膜の塗布形成に関連して基板を熱処理する反射防止膜用熱処理部と、前記反射防止膜用塗布処理部および反射防止膜用熱処理部に対して基板の受け渡しをする第１の主搬送機構とを備え、前記インデクサブロックに隣接して設けられる反射防止膜用処理ブロックと、反射防止膜が塗布形成された基板にフォトレジスト膜を塗布形成するレジスト膜用塗布処理部と、フォトレジスト膜の塗布形成に関連して基板を熱処理するレジスト膜用熱処理部と、前記レジスト膜用塗布処理部およびレジスト膜用熱処理部に対して基板の受け渡しをする第２の主搬送機構とを備え、前記反射防止膜用処理ブロックに隣接して設けられるレジスト膜用処理ブロックと、フォトレジスト膜が塗布形成され、さらに露光された基板に現像処理をする現像処理部と、現像処理に関連して基板を熱処理する現像用熱処理部と、前記現像処理部および現像用熱処理部に対して基板の受け渡しをする第３の主搬送機構とを備え、前記レジスト膜用処理ブロックに隣接して設けられる現像処理ブロックと、前記現像処理ブロックに隣接して設けられ、本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置に対して基板の受け渡しをするインターフェイス用搬送機構を備えたインターフェイスブロックとを備え、前記インデクサブロックのインデクサ用搬送機構と前記反射防止膜用処理ブロックの第１の主搬送機構とは、基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載置部を介して、互いに基板の受け渡しを行い、同様に、前記第１の主搬送機構と前記レジスト膜用処理ブロックの第２の主搬送機構、前記第２の主搬送機構と前記現像処理ブロックの第３の主搬送機構、前記第３の主搬送機構と前記第４の主搬送機構、および前記第４の主搬送機構と前記インターフェイスブロックのインターフェイス用搬送機構のそれぞれは、基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載置部を介して、互いに基板の受け渡しを行い、前記基板載置部は、ある処理ブロックから基板を払出すための払出し用基板載置部と、ある処理ブロックへ基板を戻すための戻し用基板載置部との少なくとも２つの基板載置部を上下に近接して設けられて構成されるとともに、前記基板は、並設された各処理ブロックを往路と復路を通じて、前記各処理ブロックの単一の主搬送機構によって往復して移送され、前記主搬送機構を使って基板を特定の位置から別の位置に搬送する工程を１搬送工程とした場合に、前記基板の前記往路における移送は、前記主搬送機構が往路の上流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記往路の上流側にある払出し用基板載置部から次々と受け取ると共に、前記主搬送機構が往路の下流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記往路の下流側にある払出し用基板載置部に次々と載置することで行われ、前記基板の前記復路における移送は、前記主搬送機構が復路の上流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記復路の上流側にある戻し用基板載置部から次々と受け取ると共に、前記主搬送機構が復路の下流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記復路の下流側にある戻し用基板載置部に次々と載置することで行われることを特徴とする（請求項１２の発明）。
【００２７】
本発明によれば、インデクサブロックから取り出された未処理の基板が反射防止膜用処理ブロックに渡され、この処理ブロックで基板上に反射防止膜が塗布形成される。反射防止膜が塗布形成された基板は、レジスト膜用処理ブロックに渡され、この処理ブロックでフォトレジスト膜が塗布形成される。フォトレジスト膜が塗布形成された基板は、現像処理ブロックを素通りしてインターフェイスブロックに渡される。インターフェイスブロックは、その基板を外部装置である露光装置に渡す。露光処理された基板は、インターフェイスブロックを介して、現像処理ブロックに渡され、この処理ブロックで現像処理される。現像処理された基板は、レジスト膜用処理ブロックと反射防止膜用処理ブロックを素通りして、インデクサブロックに返される。インデクサブロックは、処理済みの基板をカセットに収納する。各処理ブロックでは、各々の主搬送機構が各々の薬液処理部（反射防止膜用塗布処理部、レジスト膜用塗布処理部、現像処理部）および熱処理部に対して基板の受け渡しを並行して行う。つまり、各処理ブロックの主搬送機構が同時並行的に作動することによって、各処理部に対する基板の受け渡しの速度が等価的に向上するので、基板処理装置のスループットを向上させることができる。また、本発明の基板処理装置において、前記インデクサブロックのインデクサ用搬送機構と前記反射防止膜用処理ブロックの第１の主搬送機構とは、基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載置部を介して、互いに基板の受け渡しを行い、同様に、前記第１の主搬送機構と前記レジスト膜用処理ブロックの第２の主搬送機構、前記第２の主搬送機構と前記現像処理ブロックの第３の主搬送機構、前記第３の主搬送機構と前記第４の主搬送機構、および前記第４の主搬送機構と前記インターフェイスブロックのインターフェイス用搬送機構のそれぞれは、基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載置部を介して、互いに基板の受け渡しを行う。このようにすれば、各処理ブロックの主搬送機構は、その処理ブロックでの処理が終わった基板を基板載置部に置くだけで、次の処理に進むことができるので、基板処理装置のスループットを一層向上させることができる。
【００２８】
上記の基板処理装置において、少なくとも前記インデクサブロックと前記反射防止膜用処理ブロックとの間は、基板受け渡し用の開口部位を除いて隔壁で区画され、かつ、反射防止膜用処理ブロック内の気圧がインデクサブロック内の気圧よりも高くなるように設定するのが好ましい（請求項１３記載の発明）。このように構成すれば、インデクサブロック内の雰囲気が反射防止膜用処理ブロックに流入しないので、外部の雰囲気の影響を受けずに処理を行うことができ、処理の品質を向上させることができる。
【００２９】
さらに、上記の基板処理装置において、好ましくは、前記現像処理ブロックの熱処理部は、基板を載置して加熱処理をする加熱プレートと、この加熱プレートから離れた上方位置または下方位置に基板を載置しておく基板仮置部と、前記加熱プレートと基板仮置部との間で基板を搬送する熱処理部用のローカル搬送機構とを備えた基板仮置部付きの熱処理部を含み、前記インターフェイスブロックはさらに、フォトレジストが塗布された基板の周縁部を露光するエッジ露光部と、前記基板仮置部付きの熱処理部および前記エッジ露光部に対して基板を受け渡しする第４の主搬送機構とを備える（請求項１４記載の発明）。この構成によれば、フォトレジスト膜が塗布形成された基板は、現像処理ブロックを素通りして、インターフェイスブロックの第４の主搬送機構に受け渡されて、エッジ露光部に搬入される。エッジ露光された基板は、インターフェイスブロックのインターフェイス用搬送機構によって外部装置である露光装置に渡される。露光された基板はインターフェイス搬送機構用搬送機構から第４の主搬送機構に受け渡されて、基板仮置部付きの熱処理部に搬入される。熱処理された基板は現像処理ブロックに渡されて現像処理される。露光された基板を基板仮置部付きの熱処理部へ搬入するための搬送を、現像処理ブロックの第３の主搬送機構に依らず、独立した第４の主搬送機構で行っているので、仮に現像処理ブロックに異常が生じて第３の主搬送機構が停止しても、露光後の加熱を確実に行うことができる。フォトレジストとして化学増幅型フォトレジストを用いた場合、露光後の加熱を速やかに行う必要があるので、この点で本発明は好適である。
【００３０】
この場合、前記熱処理部用のローカル搬送機構が、前記加熱プレートから基板仮置部へ基板を搬送する過程で基板を冷却する冷却手段を備えると（請求項１５記載の発明）、露光後の加熱時間を一層厳密にコントロールできるので好ましい。
【００３１】
（削除）
【００３２】
さらに、本発明の基板処理装置において、好ましくは、前記インターフェイスブロックは、露光機が基板の受け入れをできないときに、露光処理前の基板を収納する送り用バッファと、露光処理後の基板を現像処理できないときに、現像処理前の基板を収納する戻りバッファと備え、前記インターフェイス用搬送機構は、露光機が基板の受け入れをできないときに、露光処理前の基板を前記送り用バッファに収納し、前記第４の主搬送機構は、露光処理後の基板を現像処理できないときに、現像処理前の基板を、前記現像処理ブロックの基板仮置部付きの熱処理部で熱処理した後に、前記戻りバッファに収納する（請求項１６記載の発明）。この構成によれば、現像処理ブロックなどに異常が生じて基板の現像処理ができない場合に、露光後の加熱処理を行った後に戻りバッファへ収納するので、露光された基板が熱処理を受けずに長時間放置されることがない。これは露光後の加熱を速やかに行う必要がある化学増幅型フォトレジストを用いた場合に好適である。
【００３３】
（削除）
【００３４】
（削除）
【００３５】
（削除）
【００３６】
また、本発明は、請求項１または請求項１３に記載の基板処理装置において、処理ブロックの各々には、コントローラが備えられており、コントローラの各々が主搬送機構の各々を独立に制御することを特徴とするものである（請求項１７記載の発明）。
【００３７】
また、本発明は、薬液処理を行う薬液処理部と、前記薬液処理に関連した熱処理を行う熱処理部と、前記薬液処理部および前記熱処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、異なる薬液処理ごとに構成された複数個の被制御ユニットを並設してある基板処理装置であって、前記各被制御ユニットの主搬送機構は、基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載置部を介して、互いに基板の受け渡しを行い、前記基板載置部は、ある被制御ユニットから基板を払出すための払出し用基板載置部と、ある被制御ユニットへ基板を戻すための戻し用基板載置部との少なくとも２つの基板載置部を上下に近接して設けられて構成されており、前記主搬送機構を使って基板を特定の位置から別の位置に搬送する工程を１搬送工程とした場合に、前記各被制御ユニットの主搬送機構が負担する搬送工程数のバラツキは２搬送工程以内であるとともに、前記基板は、並設された各被制御ユニットを往路と復路を通じて、前記各被制御ユニットの単一の主搬送機構によって往復して移送され、前記基板の前記往路における移送は、前記主搬送機構が往路の上流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記往路の上流側にある払出し用基板載置部から次々と受け取ると共に、前記主搬送機構が往路の下流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記往路の下流側にある払出し用基板載置部に次々と載置することで行われ、前記基板の前記復路における移送は、前記主搬送機構が復路の上流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記復路の上流側にある戻し用基板載置部から次々と受け取ると共に、前記主搬送機構が復路の下流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記復路の下流側にある戻し用基板載置部に次々と載置することで行われることを特徴とする（請求項１８記載の発明）。
【００３８】
また、本発明は、請求項１８に記載の基板処理装置において、被制御ユニットの各々には、コントローラが備えられており、コントローラの各々が主搬送機構の各々を独立に制御することを特徴とするものである（請求項１９記載の発明）。
【００３９】
本発明によれば、各被制御ユニットの主搬送機構が負担する搬送工程数のバラツキは２搬送工程以内であるので、特定の主搬送機構だけが早く搬送処理の限界に陥ることが回避でき、結果として、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
【００４０】
なお、本発明において、各被制御ユニット（または、請求項２記載の発明の各処理ブロック）の主搬送機構は、完全に同数の搬送工程を負担する必要はない。基板処理装置のスループットを向上し得る程度に、主要な被制御ユニットの主搬送機構の搬送負担が均等化されていればよい。現実的には、各主搬送機構が負担する搬送工程数のバラツキは、２搬送工程以内が好ましい。また、特定の被制御ユニットにおける処理時間を厳密に管理する必要がある場合や、その被制御ユニットにオプションとして別の処理部が追加されることが予想される場合には、その被制御ユニットの主搬送機構の搬送負担に余裕をもたせる意味で、その搬送負担を他の被制御ユニットに比べて故意に低く設定してもよい。
【００４１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
図１は実施例に係る基板処理装置の平面図、図２はその正面図、図３は熱処理部の正面図である。
【００４２】
ここでは、半導体ウエハ（以下、単に「基板」という）に、反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、露光された基板に現像処理などの薬液処理を行う基板処理装置を例に採って説明する。もちろん、本発明に係る基板処理装置が取り扱い得る基板は、半導体ウエハに限らず、液晶表示器用のガラス基板など種々の基板を含む。また、薬液処理は、フォトレジスト膜などの塗布形成処理や現像処理に限らず、種々の薬液処理を含む。
【００４３】
図１を参照する。本実施例に係る基板処理装置は大きく分けて、インデクサブロック１と、基板に対して所要の薬液処理を行う３つの処理ブロック（具体的には反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、および現像処理ブロック４）と、インターフェイスブロック５とからなり、これらのブロックを並設して構成されている。インターフェイスブロック５には、本実施例に係る基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置（ステッパー）ＳＴＰが並設される。以下、各ブロックの構成を説明する。
【００４４】
まず、インデクサブロック１について説明する。インンデクサブロック１は、基板Ｗを多段に収納するカセットＣからの基板の取り出しや、カセットＣへの基板Ｗの収納を行う機構である。具体的には、複数個のカッセトＣを並べて載置するカセット載置台６と、各カセットＣから未処理の基板Ｗを順に取り出すとともに、各カセットＣへ処理済の基板Ｗを順に収納するインデクサ用搬送機構７とを備えている。インデクサ用搬送機構７は、カセット載置台６に沿って（Ｙ方向に)水平移動可能な可動台７ａを備えている。この可動台７ａに基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム７ｂが搭載されている。保持アーム７ｂは、可動台７ａ上を昇降（Ｚ方向）移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。
【００４５】
上述したインデクサブロック１に隣接して反射防止膜処理ブロック２が設けられている。図４に示すように、インデクサブロック１と反射防止膜処理ブロック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３にインデクサブロック１と反射防止膜処理ブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられている。上側の基板載置ＰＡＳＳ１はインデクサブロック１から反射防止膜処理ブロック２へ基板Ｗを払い出すために、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は反射防止膜処理ブロック２からインデクサブロック１へ基板Ｗを戻すために、それぞれ設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は、隔壁１３を部分的に貫通して設けられている。なお、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は、固定設置された複数本の支持ピンから構成されており、この点は後述する他の基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０も同様である。また、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する図示しない光学式のセンサが設けられており、各センサの検出信号に基づいてインデクサ用搬送機構７や、後述する反射防止膜用処理ブロック２の第1の主搬送機構１０Ａが、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対して基板を受け渡しできる状態であるかどうかを判断するようになっている。同様のセンサは他の基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０にも設けられている。
【００４６】
反射防止膜処理ブロック２について説明する。反射防止膜処理ブロック２は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下部に反射防止膜を塗布形成するための機構である。具体的には、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成する反射防止膜用塗布処理部８と、反射防止膜の塗布形成に関連して基板Ｗを熱処理する反射防止膜用熱処理部９と、反射防止膜用塗布処理部８および反射防止膜用熱処理部９に対して基板Ｗの受け渡しをする第１の主搬送機構１０Ａとを備える。
【００４７】
反射防止膜処理ブロック２は、第１の主搬送機構１０Ａを挟んで反射防止膜用塗布処理部８と反射防止膜用熱処理部９とが対向して配置されている。具体的には、塗布処理部８が装置正面側に、熱処理部９が装置背面側に、それぞれ位置している。このように薬液処理部と熱処理部とを主搬送機構を挟んで対向配置する点は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４においても同様である。このような配置にすれば、薬液処理部と熱処理部とが隔たるので、薬液処理部が熱処理部から受ける熱的影響を抑えることができる。また、本実施例では、熱処理部９の正面側に図示しない熱隔壁を設けて、反射防止膜用塗布処理部８への熱的影響を回避している。同様な熱隔壁は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４にも設けられている。
【００４８】
反射防止膜用塗布処理部８は、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃ（以下、特に区別しない場合は符号「８」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各塗布処理部８は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１１や、このスピンチャック１１上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を供給するノズル１２などを備えている。
【００４９】
反射防止膜用熱処理部９は、図３に示すように、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する複数個の加熱プレートＨＰ、加熱された基板Ｗを常温にまで冷却する複数個の冷却プレートＣＰ、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する複数個のアドヒージョン処理部ＡＨＬなどの熱処理部を含む。これらの熱処理部９の下部には、ヒータコントローラ（ＣＯＮＴ）が配設され、また熱処理部９の上部（図３中に「×」印で示した個所）には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている。
【００５０】
反射防止膜用熱処理部９は、各熱処理部（ＨＰ，ＣＰ，ＡＨＬ）を上下に積層配置して構成されているとともに、積層配置された一群の熱処理部が複数例（本実施例では２列）にわたり並設されている。薬液処理部を上下に積層配置している点、および上下に積層配置した一群の熱処理部を複数列にわたり並設している点は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４においても同様である。
【００５１】
上述したように各処理ブロック２〜４で薬液処理部や熱処理部を上下に積層配置することにより、基板処理装置の占有スペースを小さくすることができる。また、積層配置した一群の記熱処理部を複数列のわたり並設することにより、熱処理部のメンテナンスが容易になるとともに、熱処理部に必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなるという利点がある。
【００５２】
第１の主搬送機構１０Ａについて説明する。なお、後述する他のレジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４、およびインターフェイスブロック５にそれぞれ備えられた第２、第３、第４の各主搬送機構１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄも同様に構成されている。以下、第１〜第４の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄを特に区別しない場合は、主搬送機構１０として説明する。
【００５３】
図６を参照する。同図（ａ）は主搬送機構１０の平面図、（ｂ）はその正面図である。主搬送機構１０は、基板Ｗを水平姿勢で保持する２個の保持アーム１０ａ、１０ｂを上下に近接して備えている。保持アーム１０ａ、１０ｂは、先端部が「Ｃ］の字状になっており、この「Ｃ」の字状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピン１０ｃで基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。主搬送機構１０の基台１０ｄは装置基台に対して固定設置されている。この基台１０ｄ上に螺軸１０ｅが回転可能に立設支持されている。基台１０ｄに螺軸１０ｅを回転駆動するモータ１０ｆが設けられている。螺軸１０ｅに昇降台１０ｇが螺合されており、モータ１０ｆが螺軸１０ｅを回転駆動することにより、昇降台１０ｇがガイド軸１０ｊに案内されて昇降移動するようになっている。昇降台１０ｇ上にアーム基台１０ｈが縦軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降台１０ｇにはアーム基台１０ｈを旋回駆動するモータ１０ｉが設けられている。アーム基台１０ｈ上に上述した２つの保持アーム１０ａ、１０ｂが上下に配設されている。各保持アーム１０ａ、１０ｂは、アーム基台１０ｈ内に装備された駆動機構（図示せず）によって、各々が独立してアーム基台１０ｈの旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。
【００５４】
上述した反射防止膜処理ブロック２に隣接してレジスト膜処理ブロック３が設けられている。図４に示すように、反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜処理ブロック３との間にも、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３に反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜処理ブロック３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられている。上述した基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２の場合と同様に、上側の基板載置部ＰＡＳＳ３が基板Ｗの払出し用、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４が基板Ｗの戻し用になっているとともに、これらの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４は隔壁１３を部分的に貫通している。また、基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するために水冷式の２つの冷却プレートＷＣＰが隔壁１３を貫通して上下に設けられている。
【００５５】
レジスト膜用処理ブロック３について説明する。レジスト膜用処理ブロック３は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を塗布形成する機構である。なお、本実施例では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト膜用処理ブロック３は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗにフォトレジスト膜を塗布形成するレジスト膜用塗布処理部１５と、フォトレジスト膜の塗布形成に関連して基板を熱処理するレジスト膜用熱処理部１６と、レジスト膜用塗布処理部１５およびレジスト膜用熱処理部１６に対して基板Ｗの受け渡しをする第２の主搬送機構１０Ｂとを備える。
【００５６】
レジスト膜用塗布処理部１５は、図２に示すように、同様の構成を備えた３つのレジスト膜用塗布処理部１５ａ〜１５ｃ（以下、特に区別しない場合は符号「１５」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各塗布処理部１５は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１７や、このスピンチャック１７上に保持された基板Ｗ上にレジスト膜用の塗布液を供給するノズル１８などを備えている。
【００５７】
レジスト膜用熱処理部１６は、図３に示すように、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する基板仮置部付きの複数個の加熱部ＰＨＰ、基板Ｗを常温にまで高い精度で冷却する複数個の冷却プレートＣＰなどの熱処理部を含む。各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置されている点は、反射防止膜用処理ブロック２の場合と同様である。
【００５８】
基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰについて説明する。
図７を参照する。同図（ａ）は加熱部ＰＨＰの破断側面図、（ｂ）は破断平面図である。加熱部ＰＨＰは、基板Ｗを載置して加熱処理をする加熱プレートＨＰと、この加熱プレートＨＰから離れた上方位置または下方位置（本実施例では上方位置）に基板Ｗを載置しておく基板仮置部１９と、加熱プレートＨＰと基板仮置部１９との間で基板Ｗを搬送する熱処理部用のローカル搬送機構２０とを備えている。加熱プレートＨＰには、プレート表面に出没する複数本の可動支持ピン２１が設けられている。加熱プレートＨＰの上方には加熱処理時に基板Ｗを覆う昇降自在の上蓋２２が設けられている。基板仮置部１９には基板Ｗを支持する複数本の固定支持ピン２３が設けられている。
【００５９】
ローカル搬送機構２０は、基板Ｗを水平姿勢で保持する保持プレート２４を備え、この保持プレート２４がネジ送り駆動機構２５によって昇降移動されるとともに、ベルト駆動機構２６によって進退移動されるようになっている。保持プレート２４は、これが加熱プレートＨＰや基板仮置部１９の上方に進出したときに、可動支持ピン２１や固定支持ピン２３と干渉しなように複数本のスリット２４ａが形成されている。また、ローカル搬送機構２０は、加熱プレートＨＰから基板仮置部１９へ基板Ｗを搬送する過程で基板を冷却する手段を備えている。この冷却手段は、例えば保持プレート２４の内部に冷却水流路２４ｂを設け、この冷却水流路２４ｂに冷却水を流通させることによって構成されている。
【００６０】
上述したローカル搬送機構２０は、加熱プレートＨＰおよび基板仮置部１９を挟んでは第２の主搬送機構１０Ｂとは反対側、すなわち装置背面側に設置されている。そして、加熱プレートＨＰおよび基板仮置部１９を覆う筐体２７の上部、すなわち基板仮置部１９を覆う部位には、その正面側に第２の主搬送機構１０Ｂの進入を許容する開口部１９ａが、その背面側にはローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｂが、それぞれ設けられている。また、筐体２７の下部、すなわち加熱プレートＨＰを覆う部位は、その正面側が閉塞し、その背面側にローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｃが設けられている。
【００６１】
上述した加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの出し入れは以下のようにして行われる。まず、主搬送機構１０（レジスト膜用処理ブロック３の場合は、第２の主搬送機構１０Ｂ）が基板Ｗを保持して、基板仮置部１９の固定支持ピン２３の上に基板Ｗを載置する。続いてローカル搬送機構２０の保持プレート２４が基板Ｗの下側に進入してから少し上昇することにより、固定支持ピン２３から基板Ｗを受け取る。基板Ｗを保持した保持プレート２４は筐体２７から退出して、加熱プレートＨＰに対向する位置にまで下降する。このとき加熱プレートＨＰの可動支持ピン２１は下降しているとともに、上蓋２２は上昇している。基板Ｗを保持した保持プレート２４は加熱プレートＨＰの上方に進出する。可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを受け取った後に保持プレート２４が退出する。続いて可動支持ピン２１が下降して基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に載せるとともに、上蓋２２が下降して基板Ｗを覆う。この状態で基板Ｗが加熱処理される。加熱処理が終わると上蓋２２が上昇するとともに、可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを持ち上げる。続いて保持プレート２４が基板Ｗの下に進出した後、可動支持ピン２３が下降することにより、基板Ｗが保持プレート２４に受け渡される。基板Ｗを保持した保持プレート２４が退出して、さらに上昇して基板Ｗを基板仮置部１９に搬送する。この搬送過程で保持プレート２４に支持された基板Ｗが、保持プレート２４が有する冷却機能によって冷却される。保持プレート２４は、冷却した（常温に戻した）基板Ｗを基板仮置部１９に移載する。この基板Ｗを主搬送機構１０が取り出して搬送する。
【００６２】
以上のように、主搬送機構１０は、基板仮置部１９に対して基板Ｗの受け渡しをするだけで、加熱プレートＨＰに対して基板の受け渡しをしないので、主搬送機構１０が温度上昇するのを回避することができる。また、加熱プレートＨＰに基板Ｗを出し入れするための開口部１９ｃが、主搬送機構１０が配置された側とは反対側に位置しているので、開口部１９ｃから漏れ出た熱雰囲気で主搬送機構１０が温度上昇することがなく、またレジスト膜用塗布処理部１５が開口部１９ｃから漏れ出た熱雰囲気で悪影響を受けることもない。
【００６３】
上述したレジスト膜処理ブロック３に隣接して現像処理ブロック４が設けられている。図４に示すように、レジスト膜処理ブロック３と現像処理ブロック４との間にも、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられており、この隔壁１３に両処理ブロック３、４間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，６と、基板Ｗを大まかに冷却するために水冷式の２つの冷却プレートＷＣＰが上下に積層して設けられている。
【００６４】
現像処理ブロック４について説明する。現像処理ブロック４は、露光された基板Ｗに対して現像処理をする機構である。具体的には、露光された基板Ｗに現像処理をする現像処理部３０と、現像処理に関連して基板を熱処理する現像用熱処理部３１と、現像処理部３０および現像用熱処理部３１に対して基板Ｗの受け渡しをする第３の主搬送機構１０Ｃとを備える。
【００６５】
現像処理部３０は、図２に示すように、同様の構成を備えた５つの現像処理部３０ａ〜３０ｅ（以下、特に区別しない場合は符号「３０」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各現像処理部３０は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３２や、このスピンチャック３２上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル３３などを備えている。
【００６６】
現像用熱処理部３１は、図３に示すように、各々複数個の加熱プレートＨＰ、基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰ、冷却プレートＣＰなどの熱処理部を含む。各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置されている点は、他の処理ブロック２、３の場合と同様である。現像用熱処理部３１の右側（インターフェイスブロック５に隣接している側）の熱処理部の列には、現像処理ブロック４と、これに隣接するインターフェイスブロック５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７が基板Ｗの払出し用、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８が基板Ｗの戻し用になっている。
【００６７】
インターフェイスブロック５について説明する。インターフェイスブロック５は、本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しをする機構である。本実施例装置におけるインターフェイスブロック５には、露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しをするためのインターフェイス用搬送機構３５の他に、フォトレジストが塗布された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光部ＥＥＷと、現像処理ブロック４内に配設された基板仮置部付きの熱処理部ＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷに対して基板Ｗを受け渡しする第４の主搬送機構１０Ｄを備えている。
【００６８】
エッジ露光部ＥＥＷは、図２に示すように、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３６や、このスピンチャック３６上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器３７などを備えている。２つのエッジ露光部ＥＥＷは、インターフェイスブロック５の中央部に上下に積層配置されている。このエッジ露光部ＥＥＷと現像処理ブロック４の熱処理部とに隣接して配置されている第４の主搬送機構１０Ｄは、図６で説明した主搬送機構１０と同様の構成を備えている。
【００６９】
図２および図５を参照する。図５はインターフェイスブロック５の側面図である。２つのエッジ露光部ＥＥＷの下側に、基板戻し用のバッファＲＢＦがあり、さらにその下側に２つの基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０が積層配置されている。基板戻し用のバッファＲＢＦは、故障などのために現像処理ブロック４が基板Ｗの現像処理をすることができない場合に、現像処理ブロック４の加熱部ＰＨＰで露光後の加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。このバッファＲＢＦは、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０は、第４の主搬送機構１０Ｄとインターフェイス用搬送機構３５との間で基板Ｗの受け渡しを行うためのもので、上側が基板払出し用、下側が基板戻し用になっている。
【００７０】
インターフェイス用搬送機構３５は、図１および図５に示すように、Ｙ方向に水平移動可能な可動台３５ａを備え、この可動台３５ａ上に基板Ｗを保持する保持アーム３５ｂを搭載している。保持アーム３５ｂは、昇降・旋回および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。インターフェイス用搬送機構３５の搬送経路の一端（図５中に示す位置Ｐ１）は、積層された基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０の下方にまで延びており、この位置Ｐ１で露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行う。また、搬送経路の他端位置Ｐ２では、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、送り用バッファＳＢＦに対する基板Ｗの収納と取り出しとを行う。送り用バッファＳＢＦは、露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。
【００７１】
以上のように構成された基板処理装置は、インデクサブロック１、各処理ブロック２、３、４、およびインターフェイスブロック５内に清浄空気がダウンフローの状態で供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれて、外部環境からのパーティクルや汚染物質の侵入などを防いでいる。特に、反射防止膜用処理ブロック２内の気圧はインデクサブロク１内の気圧よりも高くなるように設定されている。これにより、インデクサブロック１内の雰囲気が反射防止膜用処理ブロック２に流入しないので、外部の雰囲気の影響を受けずに各処理ブロック２、３、４で処理を行うことができる。
【００７２】
次に本実施例に係る基板処理装置の制御系、特に基板搬送に係る制御手法について説明する。
上述したインデクサブロック１、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４、およびインターフェイスブロック５は、本実施例に係る基板処理装置を機構的に分割した要素である。具体的には、各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置が構成されている（図８（ａ）参照）。
【００７３】
一方、本発明の特徴の一つとして、基板搬送に係る被制御ユニットの単位を機械的要素である各ブロックとは別に構成している。すなわち、基板に所要の処理を行う処理部と、前記処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、前記被制御ユニットを並設して基板処理装置を構成している。そして、各被制御ユニットの主搬送機構は、基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載置部を介して、互いに基板の受け渡しを行い、かつ、各被制御ユニットの主搬送機構の基板受け渡し動作を少なくとも制御する制御手段を各被制御ユニットごとに備え、各被制御ユニットの制御手段は、前記処理部に対する基板の受け渡しおよび前記基板載置部に対する基板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、各々独立して行うようになっている。
【００７４】
以下、本実施例装置における被制御ユニットの単位を「セル」という。実施例装置の制御系を構成する各セルの配置を図８（ｂ）に示す。
【００７５】
インデクサセルＣ１は、カセット載置台６とインデクサ用搬送機構７とを含む。このセルＣ１は、結果として機械的に分割した要素であるインデクサブロック１と同じ構成になっている。反射防止膜用処理セルＣ２は、反射防止膜用塗布処理部８と反射防止膜用熱処理部９と第１の主搬送機構１０Ａとを含む。このセルＣ２も、結果として機械的に分割した要素である反射防止膜用処理ブロック２と同じ構成になっている。レジスト膜用処理セルＣ３は、レジスト膜用塗布処理部１５とレジスト膜用熱処理部１６と第２の主搬送機構１０Ｂとを含む。このセルＣ３も、結果として機械的に分割した要素であるレジスト膜用処理ブロック３と同じ構成になっている。
【００７６】
一方、現像処理セルＣ４は、現像処理部３０と、露光後加熱に使われる熱処理部（実施例では、加熱部ＰＨＰ）を除いた現像用熱処理部３１と、第３の主搬送機構１０Ｃとを含む。このセルＣ３は、露光加熱に使われる加熱部ＰＨＰを含んでいない点で、機械的に分割した要素である現像処理ブロック４とは異なる構成になっている。
【００７７】
露光後加熱用処理セルＣ５は、露光された基板Ｗを現像前に加熱処理する露光後加熱用の熱処理部（実施例では、現像処理ブロック４に設けられた加熱部ＰＨＰ）と、エッジ露光部ＥＥＷと、第４の主搬送機構１０Ｄとを含む。このセルＣ５は、機械的に分割した要素である現像処理ブロック４とインターフェイスブロック５とにまたがるもので、本実施例装置の特徴的なセルである。このように露光後加熱用の熱処理部（加熱部ＰＨＰ）と第４の主搬送機構１０Ｄとを含んで一つのセルを構成しているので、露光された基板を速やかに加熱部ＰＨＰに搬入して熱処理を行うことができる。これは露光後の加熱を速やかに行う必要がある化学増幅型フォトレジストを用いた場合に好適である。
【００７８】
インターフェイスセルＣ６は、外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しをするインターフェイス用搬送機構３５を含む。このセルＣ６は、第４の主搬送機構１０Ｄやエッジ露光部ＥＥＷを含まない点で、機械的に分割した要素であるインターフェイスブロック５とは異なる構成になっている。
【００７９】
本実施例装置は、上述した６つのセルＣ１〜Ｃ６を並設して構成されており、
各セルＣ１〜Ｃ６間の基板の受け渡しは、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０を介して行われる。換言すれば、本発明における単一の被制御ユニット（セル）は、単一の主搬送機構を含み、その主搬送機構が、特定の基板載置部から受け取った基板を別の基板載置部に置くまでに、基板の受け渡しを行う処理部を含んで構成される。
【００８０】
セルＣ１〜Ｃ６は、各々のセルの主搬送機構（インデクサ用搬送機構７およびインターフェイス用搬送機構３５を含む）の基板受け渡し動作を少なくとも制御するコントローラＣＴ１〜ＣＴ６を個別に備えている。各コントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、所定の基板載置部に置かれた基板の受け取りから始まって、所定の基板載置部に基板を置くことによって完結する一連の制御を、各々独立して行うようになっている。具体的には、図９（ａ）に示すように、各セルＣ１〜Ｃ６のコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、所定の基板載置部に基板を置いたという情報を、隣のセルのコントローラに送り、その基板を受け取ったセルのコントローラは、所定の基板載置部から基板を受け取ったという情報を元のセルのコントローラに返すという情報のやり取りを行う。
【００８１】
つまり、各コントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、隣接するセル内での主搬送機構の動きを考慮することなく、各セル内の基板の受け渡しだけを対象にして制御を進めている。したがって、各コントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御の負担が少なくなる。これに対して、従来の基板処理装置の制御手法によると、図９（ｂ）に示すように、各ブロック１〜５が基板処理のスケジュール管理用のコントローラＣＴ０に基板搬送に係る情報を与えて、コントローラＣＴ０が統括的に基板搬送を管理しているので、コントローラＣＴ１０の負担が多くなる。
【００８２】
以上のように本実施例によれば各セルのコントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御負担が少なくなるので、それだけ基板処理装置のスループットを向上させることができる。また、図９に示した従来の制御手法によると、新たに処理部を追加すると、コントローラＣＴ０のスケジュール管理用のプログラムを大幅に修正する必要が生じるが、本発明に係る制御手法によれば、新たにセルを追加しても、隣接するセルに影響を与えないので、セルの追加を容易に行うことができる。追加するセルの種類は特に限定されないが、例えば、レジスト膜用処理セルＣ３と現像処理セルＣ４との間に、基板Ｗに塗布されたレジスト膜の厚みを検査したり、あるいは現像後のレジスト膜の線幅を検査する検査用セルを追加してもよい。この場合、検査用セルは、本実施例装置の他のセルと同様に、基板を検査する基板検査部と、この検査部に対して基板を搬送する基板検査用の主搬送機構とを含んで構成される。また、検査用セルと隣接セルとの間の基板の受け渡しは、基板載置部を介して行われる。
【００８３】
本実施例に係る基板処理装置の他の特徴は、異なる薬液処理ごとに構成された被制御ユニットである反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、および現像処理セルＣ４が、主搬送機構を使って基板Ｗを特定の位置から別の位置に搬送する工程を１工程とした場合に、各セルＣ２、Ｃ３、Ｃ４の第１、第２、第３の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、略同数の搬送工程を負担している点にある。詳しくは、後述する本実施例装置の動作説明で明らかにするが、図１０に示したように、上記主搬送機構１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、略６つの搬送工程を負担している。
【００８４】
本実施例装置において、主搬送機構１０が１搬送工程に要する時間は約４秒である。したがって、各セルＣ２〜Ｃ３において、主搬送機構１０は６搬送工程を負担するので、各セルＣ２〜Ｃ３は２４秒に１回の割合（２４秒の処理周期）で基板Ｗを隣接するセルに排出することになる。つまり、本実施例装置は、１時間あたり１５０枚の基板Ｗを処理することができる。仮に、一つの主搬送機構が負担する搬送工程の数が、他の主搬送機構に比べて多くなると、その主搬送機構が属するセルの処理周期によって、基板処理装置のスループットが決定される。例えば、セルＣ２、Ｃ４の各主搬送機構１０Ａ、１０Ｃが各々５つの搬送工程を負担し、セルＣ３の主搬送機構１０Ｂが８つの搬送工程を負担する場合、セルＣ２〜Ｃ４間では、セルＣ３の処理周期（この場合、３２秒）でしか基板Ｗが流れないので、セルＣ２、Ｃ４の主搬送機構１０Ａ、１０Ｃに余裕があったとしても、その基板処理装置は１時間あたり１１２．５枚しか基板Ｗを処理することができない。
【００８５】
これに対して本実施例装置では、反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、および現像処理セルＣ４の各主搬送機構１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃが略同数の搬送工程を負担するので、いずれか一つの主搬送機構が早く搬送処理の限界に陥ることが回避でき、結果として、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
【００８６】
一方、現像処理セルＣ４に隣接する露光後加熱用処理セルＣ５に関しては、そのセルＣ５に属する第４の主搬送機構１０Ｄの負担する搬送工程が５つに設定されている。露光後加熱用処理セルＣ５は、基板Ｗが露光されてから加熱処理を行うまでの時間を厳密に管理する必要があるので、第４の主搬送機構１０Ｄの搬送負担に余裕をもたせる意味で、その搬送負担を他のセルに比べて低く設定してある。第４の主搬送機構１０Ｄに特に余裕をもたせる必要がなければ、本処理セルＣ５は、１搬送工程分だけの空きをもっていることになる。この空き搬送工程を利用して、露光後加熱用処理セルＣ５に新たな処理部、例えば基板Ｗの検査部を追加することも可能である。基板検査部を追加してもセルＣ５の主搬送機構１０Ｄは、他のセルの主搬送機構と同様に６つの搬送工程を負担することになる。つまり、搬送工程に余裕のあるセルＣ５に基板検査部を追加しても、セルＣ５の処理周期は他のセルと同じ２４秒になるだけであるので、基板処理装置のスループットが低下することはない。
【００８７】
次に、本実施例に係る基板処理装置の動作を説明する。特に、反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、現像処理セルＣ４、および露光後加熱用処理セルＣ５の各主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄによる各搬送工程については図１０を参照されたい。
【００８８】
まず、インデクサセルＣ１（インデクサブロック１）のインデクサ用搬送機構７が、所定のカセットＣに対向する位置にまで水平移動する。続いて、保持アーム７ｂが昇降および進退移動することにより、そのカセットＣに収納されている未処理の基板Ｗを取り出す。保持アーム７ｂに基板Ｗを保持した状態で、インデクサ用搬送機構７が、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置にまで水平移動する。そして、保持アーム７ｂ上の基板Ｗを基板払出し用の上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板戻し用の下側の基板載置部ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合、インデクサ用搬送機構７は、その処理済みの基板Ｗを保持アーム７ｂ上に受け取って、所定のカッセトＣに処理済みの基板Ｗを収納する。以下、同様にカセットＣから未処理基板Ｗを取り出して基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送するとともに、処理済み基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２から受け取ってカセットＣに収納するという動作を繰り返し行う。
【００８９】
反射防止膜用処理セルＣ２（反射防止膜用処理ブロック２）の動作を説明する。基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理基板Ｗが置かれると、図１０に示すように、セルＣ２の第１の主搬送機構１０Ａは、保持アーム１０ａ、１０ｂを基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置にまで一体に昇降および旋回移動させる。そして、一方の保持アーム１０ｂに保持している処理済みの基板Ｗを下側の戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ２に置き、その後、上側の払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ１に置かれている未処理基板Ｗを他方の保持アーム１０ａ上に受け取るという、処理済み基板Ｗおよび未処理基板Ｗの受け渡し動作を行う。具体的には、保持アーム１０ｂを前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ２上に処理済みの基板Ｗを置く。処理済みの基板Ｗを渡した保持アーム１０ｂは元の位置にまで後退する。続いて、保持アーム１０ａ、１０ｂを一体に少し上昇させた後、保持アーム１０ａを前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ１上の未処理基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。基板Ｗを受け取った保持アーム１０ａは元の位置にまで後退する。
【００９０】
以上の基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する未処理基板Ｗおよび処理済み基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（１＋α）で示されている。ここで、「α」は、未処理基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１から受け取るために、保持アーム１０ａ、１０ｂを基板載置部ＰＡＳＳ２に対向する位置から基板載置部ＰＡＳＳ１に対向する位置にまで少し上昇移動させた搬送工程を示している。上述したように、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は上下に近接して配置されているので、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２間の移動に要する時間は僅かであり無視することができる。したがって、搬送工程（１＋α）は、１搬送工程（本実施例では、主搬送機構を使って所定時間（例えば、４秒）以内に行われる基板の受け渡し動作）であるとして取り扱うことができる。
【００９１】
基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第１の主搬送機構１０Ａは、未処理基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、基板Ｗを保持していない空の保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、反射防止膜用熱処理部９の所定の冷却プレートＣＰに対向させる。通常、この冷却プレートＣＰには、先行処理されている基板Ｗが入っている。そこで、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。続いて未処理基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。冷却プレートＣＰに載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に、常温にまで精度よく冷却される。なお、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを使った冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しは、保持アーム１０ａ、１０ｂの昇降動作を伴わずに行われるので、この冷却プレートＣＰに対する基板の受け渡しは、第１の主搬送機構１０Ａの１搬送工程内に行われる（図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（２）参照）。
【００９２】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、空の保持アーム１０ａと、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、所定の反射防止膜用塗布処理部８に対向させる。通常、この反射防止膜用塗布処理部８には、先行処理されている基板Ｗが入っている。そこで、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その反射防止膜用塗布処理部８にあるスピンチャック１１上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。続いて基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂを前進移動させて、基板Ｗをそのスピンチャック１１上に置く。スピンチャック１１上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に、反射防止膜が塗布形成される。スピンチャック１１に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（３）に相当する。なお、図１０中の「ＢＡＲＣ」は反射防止膜用塗布処理部８を意味する。
【００９３】
スピンチャック１１への基板Ｗの受け渡しが終わると、反射防止膜が塗布された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、所定の加熱プレートＨＰに対向させる。通常、この加熱プレートＨＰにも先行処理されている基板Ｗが入っているので、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その加熱プレートＨＰ上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。続いて、保持アーム１０ａを前進移動させて、基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に置く。加熱プレートＨＰ上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に熱処理されて、基板Ｗ上の反射防止膜に含まれる余剰の溶剤が除去される。この加熱プレートＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（４）に相当する。
【００９４】
加熱プレートＨＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、空の保持アーム１０ａと、熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、隔壁１３に設置された水冷式の冷却プレートＷＣＰに対向させる。上述したと同様に、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＷＣＰ上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、基板Ｗを冷却プレートＷＣＰ上に置く。冷却プレートＷＣＰ上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に大まかに冷却処理される。この冷却プレートＷＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（５）に相当する。
【００９５】
冷却プレートＷＣＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、大まかに冷却された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂと一体に上昇させて、冷却プレートＷＣＰの上方に配設されている基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対向させる。そして、保持アーム１０ａを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ３上に基板Ｗを置く。通常、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ４に、レジスト膜用処理セルＣ３を介して現像処理セルＣ４から送られてきた現像処理済みの基板Ｗが置かれている。そこで、保持アーム１０ａ、１０ｂを一体に少し下降させた後、保持アーム１０ｂを前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ４上の現像処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。
【００９６】
基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（６＋α）に相当する。「α」は上述したと同様に、保持アーム１０ａ、１０ｂが僅かに昇降する短時間の搬送工程である。したがって、搬送工程（６＋α）は１搬送工程であるとして取り扱うことができる。
【００９７】
反射防止膜用処理セルＣ２に備えられた第１の主搬送機構１０Ａは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）を合計すると、第１の主搬送機構１０Ａは、略６つの搬送工程を負担することになる。１搬送工程に要する搬送時間を４秒とすると、第１の主搬送機構１０Ａは略２４秒で基板搬送の１周期を完了する。換言すれば、２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣のレジスト膜用処理セルＣ３に払い出される。
【００９８】
レジスト膜用処理セルＣ３（レジスト膜用処理ブロック３）の動作を説明する。反射防止膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に置かれると、図１０に示すように、セルＣ３の第２の主搬送機構１０Ｂは、上述した第１の主搬送機構１０Ａの場合と同様に、一方の保持アーム１０ｂに保持した現像処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４上に置く。そして、基板載置部ＰＡＳＳ３上の基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（１＋α）で示されている。上述したように、「α」は時間には無視することができるので、搬送工程（１＋α）は１搬送工程として取り扱うことができる。
【００９９】
基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第２の主搬送機構１０Ｂは、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用熱処理部１６の所定の冷却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（２）に相当する。
【０１００】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、空の保持アーム１０ａと、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、所定のレジスト膜用塗布処理部１５に対向する位置にまで移動させる。先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、そのレジスト膜用塗布処理部１５にあるスピンチャック１７上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂを前進移動させて、その基板Ｗをスピンチャック１７上に置く。スピンチャック１７上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｂが他の搬送動作を行っている間に、レジスト膜が塗布形成される。スピンチャック１７に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（３）に相当する。なお、図１０中の「ＰＲ」はレジスト膜用塗布処理部１５を意味する。
【０１０１】
スピンチャック１７への基板Ｗの受け渡しが終わると、レジスト膜が塗布形成された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを、所定の基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰに対向させる。先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その加熱部ＰＨＰ上の基板仮置部１９に載置されている処理済みの基板Ｗを受け取る。続いて、保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗを基板仮置部１９上に置く。基板仮置部１９上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｂが他の搬送動作を行っている間に、その加熱部ＰＨＰのローカル搬送機構２０によって、その加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰ上に移されて熱処理される。この加熱プレートＨＰ上で熱処理された基板Ｗは、同じローカル搬送機構２０によって基板仮置部２０に戻される。その基板Ｗは、ローカル搬送機構２０の保持プレート２０に保持されて基板仮置部２０に戻される過程で、保持プレート２４の冷却機構によって冷却される。この加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（４）に相当する。
【０１０２】
加熱部ＰＨＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、空の保持アーム１０ａと、熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用熱処理部１６の冷却プレートＣＰに対向させる。そして、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗを冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（５）に相当する。
【０１０３】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、冷却された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを、基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対向させる。続いて、保持アーム１０ａを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ５上に基板Ｗを置くとともに、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ６に載置されている現像処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂで受け取る。
【０１０４】
基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（６＋α）に相当する。搬送工程（６＋α）は１搬送工程であるとして取り扱われる。
【０１０５】
レジスト膜用処理セルＣ３に備えられた第２の主搬送機構１０Ｂは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）を合計すると、第２の主搬送機構１０Ｂは、第１の主搬送機構１０Ａと同様に略６つの搬送工程を負担することになる。したがって、第２の主搬送機構１０Ｂは、第１の主搬送機構１０Ａと同じ周期（この実施例では、略２４秒）で基板搬送の１周期を完了する。換言すれば、２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣の現像処理セルＣ４に払い出される。
【０１０６】
現像処理セルＣ４の動作を説明する。レジスト膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に置かれると、図１０に示すように、セルＣ４の第３の主搬送機構１０Ｃは、先ず保持アーム１０ｂに保持した現像処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６上に置き、その後、基板載置部ＰＡＳＳ５上の基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（１＋α）で示されている。
【０１０７】
基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０Ｃは、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の積層構造の中に配設された基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対向する位置にまで移動させる。続いて、保持アーム１０ａを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ７上に、レジスト膜が塗付形成された基板Ｗを置き、その後、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ８に載置されている露光後の加熱処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂで受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（２＋α）で示されている。
【０１０８】
基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０Ｃは、空の保持アーム１０ａと、露光後の加熱処理済みの基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の所定の冷却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（３）に相当する。
【０１０９】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを、所定の現像処理部３０に対向する位置にまで移動させる。先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その現像処理部３０にあるスピンチャック３２上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、その基板Ｗをスピンチャック３２上に置く。スピンチャック３２上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｃが他の搬送動作を行っている間に、現像処理される。スピンチャック３２に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（４）に相当する。なお、図１０中の「ＳＤ」は現像処理部３０を意味する。
【０１１０】
スピンチャック３２への基板Ｗの受け渡しが終わると、空の保持アーム１０ａと、現像処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の所定の加熱プレートＨＰに対向させる。先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱プレートＨＰ上に載置されている処理済みの基板Ｗを受け取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に置く。この加熱プレートＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（５）に相当する。
【０１１１】
加熱プレートＨＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、加熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用処理セルＣ３の側にある隔壁１３に設置された水冷式の冷却プレートＷＣＰに対向させる。そして、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＷＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗを冷却プレートＷＣＰ上に置く。この冷却プレートＷＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（６）に相当する。
【０１１２】
現像処理セルＣ４に備えられた第３の主搬送機構１０Ｃは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（６）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（１＋α）から搬送工程（６）を合計すると、第３の主搬送機構１０Ｃは、第１、第２の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂと同様に略６つの搬送工程を負担することになる。したがって、第３の主搬送機構１０Ｂは、第１、第２の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂと同じ周期（この実施例では、略２４秒）で基板搬送の１周期を完了する。換言すれば、２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣の露光後加熱用処理セルＣ５に払い出される。
【０１１３】
露光後加熱用処理セルＣ５の動作を説明する。レジスト膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ７に置かれると、図１０に示すように、セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄは、保持アーム１０ｂに保持した露光後加熱処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８上に置き、その後で基板載置部ＰＡＳＳ７上の基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（１＋α）に相当する。
【０１１４】
基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の保持アーム１０ｂとを、所定のエッジ露光部ＥＥＷに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、そのエッジ露光部ＥＥＷのスピンチャック３６上にある周辺露光済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗをそのスピンチャック３６上に置く。スピンチャック３６上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｄが他の搬送動作を行っている間に、その周縁部が露光される。このスピンチャック３６に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（２）に相当する。
【０１１５】
スピンチャック３６に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、空の保持アーム１０ａと、周辺露光された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１にある冷却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ｂを前進移動させて、周辺露光された基板Ｗを冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（３）に相当する。
【０１１６】
冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対向する位置にまで移動させる。続いて、保持アーム１０ａを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ９上に基板Ｗを置くとともに、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置されている、露光装置ＳＴＰで露光された基板Ｗを保持アーム１０ｂで受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（４＋α）に相当する。
【０１１７】
基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｃは、空の保持アーム１０ａと、露光済みの基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１にある所定の基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱部ＰＨＰ（具体的には、基板仮置部１９の上）にある露光後の加熱処理済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進移動させて、露光済みの基板Ｗを加熱部ＰＨＰ（具体的には、基板仮置部１９の上）に置く。基板仮置部１９に置かれた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｄが他の搬送動作を行っている間に、ローカル搬送機構２０によって加熱プレートＨＰに移されて加熱処理された後に、同じくローカル搬送機構２０によって冷却されながら基板仮置部１９に戻される。この加熱部ＰＨＰに対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（５）に相当する。
【０１１８】
露光後加熱用処理セルＣ５に備えられた第４の主搬送機構１０Ｄは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（５）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（１＋α）から搬送工程（５）を合計すると、第４の主搬送機構１０Ｄは、第１〜第３の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｃよりも１つ少ない略５つの搬送工程を負担することになる。露光後加熱用処理セルＣ５だけをみれば、第４の主搬送機構１０Ｄは、１搬送工程に要する時間を４秒とした場合に、２０秒周期で動作可能であるが、他の第１〜第３の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｃが２４秒周期で動くので、結局、露光後加熱用処理セルＣ５からは、他のセルと同様に、２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣のインターフェイスセルＣ６に払い出される。
【０１１９】
インターフェイスセルＣ６の動作を説明する。周辺露光された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ９に置かれると、インターフェイスセルＣ６のインターフェイス用搬送機構３５が基板載置部ＰＡＳＳ９から基板Ｗを受け取って、隣接する露光装置ＳＴＰに渡す。さらに、インターフェイス用搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰから露光済みの基板Ｗを受け取って、その基板を基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ１０に載せる。インターフェイス用搬送機構３５は、このような基板搬送動作を繰り返し行う。
【０１２０】
以上のように、本実施例に係る基板処理装置は、各セルＣ１〜Ｃ６が各コントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御の下で、主搬送機構１０（ただし、インデクサセルＣ１の場合はインデクサ用搬送機構７、インターフェイスセルＣ６の場合ははインターフェイス用搬送機構３５）を使って基板Ｗの搬送を行い、隣接するセル間では、基板搬送に関しては、基板載置部ＰＡＳＳに基板Ｗを置いたという情報と、基板を受け取ったという情報とをやり取りするだけである。つまり、各セルは、隣接するセルにおける基板搬送の状態を監視することなく、各セルが独立してセル内の基板搬送を独立して行っている。そのために各セルからの基板の払出しは必ずしも同時には行われず、多少の時間的ズレが生じる。しかし、この時間的ズレは、隣接セル間で基板を受け渡すために設けられた基板載置部に置かれる時間が多少長くなるか、あるいは短くなるかによって吸収されるので、セル間に基板受け渡しの時間的ズレが生じたために基板搬送に支障をきたすということはない。
【０１２１】
したがって、本実施例装置によれば、各セルＣ１〜Ｃ６を制御するコントローラＣＴ１〜ＣＴ６の負担が小さくなり、それだけ基板処理装置のスループットが向上するとともに、装置構成を簡素化することができる。また、適当なセル間に基板検査部と主搬送機構とを含む基板検査用セルを容易に設置することができるので、汎用性の高い基板処理装置を実現することもできる。さらに、他のセルに比べて、搬送工程の数が少ないセルを設けておくと（実施例装置では、露光後加熱用処理セルＣ５）、他のセルに影響を与えることなく、当該セルに新たな処理部（例えば、基板検査部）を容易に追加することができる。
【０１２２】
次に、露光装置ＳＴＰや現像処理セルＣ４などが、例えば故障で基板を受け入れることができなくなった場合の動作を説明する。
【０１２３】
いま露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れをできなくなったとする。この場合、インターフェイスセルＣ６のインターフェイス用搬送機構３５は、基板載置部ＰＡＳＳ９に置かれた基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを送り用バッファＳＢＦに一時的に収納する。バッファＳＢＦに収納可能な枚数だけ処理が継続され、バッファＳＢＦに収納不能になると予測された場合に、インデクサセルＣ１から基板Ｗを払い出すのを停止する。露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れが可能になると、インターフェイス用搬送機構３５は、バッファＳＢＦに収納した各基板を収納した順に取り出して露光装置ＳＴＰに渡し、以下、通常の動作に戻る。
【０１２４】
一方、現像処理セルＣ４が基板Ｗの受け入れをできなくなったとする。この場合、インターフェイス用搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰから順に戻されてくる露光済みの基板Ｗを、通常動作通りに基板載置部ＰＡＳＳ１０に渡す。露光後加熱用処理セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄは、通常動作通りに受け取って加熱部ＰＨＰに渡す。そして、加熱部ＰＨＰで露光後の加熱処理が行われた基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に置かずに、第４の主搬送機構１０ＤがセルＣ５内にある基板戻し用のバッファＲＢＦに一時的に収納する。露光装置ＳＴＰ内に搬入されている枚数の基板Ｗについて、同様に露光後の加熱処理を行った後に基板戻し用のバッファＲＢＦに収納する。現像処理セルＣ４が基板Ｗの受け入れが可能になると、第４の主搬送機構１０Ｄは、バッファＲＢＦに収納した各基板を収納した順に取り出して基板載置部ＰＡＳＳ８に渡し、以下、通常の動作に戻る。
【０１２５】
以上のように本実施例装置では、基板戻し用のバッファＲＢＦを露光後加熱用処理セルＣ５に設け、露光装置ＳＴＰから払い出される基板Ｗを加熱部ＰＨＰで加熱処理した後にバッファＲＢＦに収納保管するようにしたので、露光装置ＳＴＰから払い出された基板Ｗが露光後の加熱処理を受けずに長時間にわたり放置されることがない。因みに、従来の基板処理装置は、送り用バッファと戻し用バッファとが同じ個所に設置されており、露光装置から払い出された基板Ｗをインターフェイス用搬送機構が直接に戻し用バッファに収納していたので、露光装置ＳＴＰから払い出された基板Ｗが露光後の加熱処理を受けずに長時間にわたり放置される状態になっている。
【０１２６】
化学増幅型フォトレジストは、露光後の加熱を速やかに行う必要があるので、上述した従来装置の保管手法では、戻りバッファに基板を収納しても結局、レジスト膜の品位が悪くなるので、レジスト膜を剥離して再生処理を行わなくてならないという問題がある。これに対して、本実施例装置によれば、露光装置ＳＴＰから払い出される基板Ｗに速やかに加熱処理を行った後にバッファＲＢＦに収納保管するようにしたので、フォトレジスト膜の品位が保たれ結果、従来装置のような再生処理を行う必要もない。
【０１２７】
本発明は、上述した実施例のものに限らず、例えば次のように変形実施することもできる。
（１）実施例では、第１〜第４の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄは水平方向には移動せずに、保持アームだけが昇降・旋回・進退移動可能に構成したが、これらの主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄが水平方向に移動するものであってもよい。
【０１２８】
（２）第１〜第４の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄは、それぞれ２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを備えていたが、単一の保持アームを備えるものであってもよい。
【０１２９】
（３）実施例では、露光後加熱用処理セルＣ５を、現像処理ブロック４とインターフェイスブロック５とに跨って配設したが、露光後加熱用処理セルＣ５を独立したブロック（個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられた要素）として構成してもよい。
【０１３０】
（４）実施例では、反射防止膜用処理ブロック２とレジスト膜用処理ブロック３とを個別に設けたが、単一の処理ブロックで反射防止膜塗付処理とレジスト膜塗付処理を行うようにしてもよい。また、反射防止膜の塗布処理が不要である場合は、反射防止膜用処理ブロック２を備えなくてもよい。
【０１３１】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１および請求項１２記載の発明によれば、各処理ブロックの主搬送機構が同時並行的に作動することによって、各処理部に対する基板の受け渡しの速度が等価的に向上するので、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
【０１３２】
（削除）
【０１３３】
さらに、請求項１８記載の発明によれば、各被制御ユニットの主搬送機構が略同数の搬送工程を負担するので、特定の主搬送機構だけが早く搬送限界に陥ることが回避でき、結果として、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例に係る基板処理装置の概略構成を示した平面図である。
【図２】 実施例装置の概略構成を示した正面図である。
【図３】 熱処理部の正面図である。
【図４】 隔壁に設けられた基板載置部の周辺構成を示す破断正面図である。
【図５】 インターフェイスブロックの概略構成を示す側面図である。
【図６】 （ａ）は主搬送機構の概略構成を示す平面図、（ｂ）はその正面図である。
【図７】 （ａ）は基板仮置部付きの加熱部の破断側面図、（ｂ）は破断平面図である。
【図８】 （ａ）は実施例装置のブロック配置を示した平面図、（ｂ）は実施例装置のセル配置を示した平面図である。
【図９】 （ａ）は実施例装置の制御系を示したブロック図、（ｂ）は比較のために示した従来装置の制御系のブロック図である。
【図１０】 第１〜第４の主搬送機構による基板搬送の流れを示した図である。
【図１１】 従来の基板処理装置の概略構成を示した平面図である。
【符号の説明】
１ …インデクサブロック
２ …反射防止膜用処理ブロック
３ …レジスト膜用処理ブロック
４ …現像処理ブロック
５ …インターフェイスブロック
７ …インデクサ用搬送機構
１０Ａ〜１０Ｄ …第１〜第４の主搬送機構
３５ …インターフェイス用搬送機構
Ｃ１ …インデクサセル
Ｃ２ …反射防止膜用処理セル
Ｃ３ …レジスト膜用処理セル
Ｃ４ …現像処理セル
Ｃ５ …露光後加熱用処理セル
Ｃ６ …インターフェイスセル
Ｗ …基板
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０ …基板載置部
Claims (19)
- 基板に対して一連の薬液処理と熱処理とを行う基板処理装置において、
薬液処理を行う薬液処理部と、前記薬液処理に関連した熱処理を行う熱処理部と、前記薬液処理部および前記熱処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の処理ブロックを構成し、
異なる薬液処理ごとに構成された複数個の処理ブロックを並設してあり、
前記各処理ブロックの主搬送機構は、基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載置部を介して、互いに基板の受け渡しを行い、
前記基板載置部は、ある処理ブロックから基板を払出すための払出し用基板載置部と、ある処理ブロックへ基板を戻すための戻し用基板載置部との少なくとも２つの基板載置部を上下に近接して設けられて構成されるとともに、
前記基板は、並設された各処理ブロックを往路と復路を通じて、前記各処理ブロックの単一の主搬送機構によって往復して移送され、
前記主搬送機構を使って基板を特定の位置から別の位置に搬送する工程を１搬送工程とした場合に、
前記基板の前記往路における移送は、前記主搬送機構が往路の上流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記往路の上流側にある払出し用基板載置部から次々と受け取ると共に、前記主搬送機構が往路の下流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記往路の下流側にある払出し用基板載置部に次々と載置することで行われ、
前記基板の前記復路における移送は、前記主搬送機構が復路の上流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記復路の上流側にある戻し用基板載置部から次々と受け取ると共に、前記主搬送機構が復路の下流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記復路の下流側にある戻し用基板載置部に次々と載置することで行われることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１記載の基板処理装置において、
前記各処理ブロックの主搬送機構が負担する搬送工程数のバラツキは２搬送工程以内であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１または２のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理ブロックの間には隔壁が設けられており、
前記基板載置部は、前記隔壁を部分的に貫通して設けられている基板処理装置。 - 請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記基板載置部に、基板の有無を検出するセンサが設けられている基板処理装置。 - 請求項１記載の基板処理装置において、
前記処理ブロックは、主搬送機構を挟んで薬液処理部と熱処理部とが対向して配置されている基板処理装置。 - 請求項５記載の基板処理装置において、
前記薬液処理部が複数個あって、これらが上下に積層配置されており、
かつ、前記熱処理部が複数個あって、これらが上下に積層配置されている基板処理装置。 - 請求項６記載の基板処理装置において、
前記熱処理部は、上下に積層配置されたものが複数列にわたり並設されている基板処理装置。 - 請求項１記載の基板処理装置において、
前記熱処理部は、基板を載置して加熱処理をする加熱プレートと、この加熱プレートから離れた上方位置または下方位置に基板を載置しておく基板仮置部と、前記加熱プレートと基板仮置部との間で基板を搬送する熱処理部用のローカル搬送機構とを備えた基板仮置部付きの熱処理部を含む基板処理装置。 - 請求項８記載の基板処理装置において、
前記熱処理部用のローカル搬送機構は、前記加熱プレートから基板仮置部へ基板を搬送する過程で基板を冷却する冷却手段を備える基板処理装置。 - 請求項８または９記載の基板処理装置において、
前記主搬送機構は、前記基板仮置部に対して基板の受け渡しを行う基板処理装置。 - 請求項８〜１０のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記基板仮置部付きの熱処理部の少なくとも加熱プレートは筐体で覆われており、この筐体内の加熱プレートに対して前記ローカル搬送機構が基板を受け渡すために前記筐体に設けられた開口部は、前記主搬送機構が配置された側とは反対側に位置している基板処理装置。 - 基板に対して一連の薬液処理と熱処理とを行う基板処理装置において、
基板を多段に収容する複数個のカセットを載置するカセット載置台と、各カセットから未処理の基板を順に取り出すとともに、各カセットへ処理済の基板を順に収納するインデクサ用搬送機構とを備えたインデクサブロックと、
基板表面に反射防止膜を塗布形成する反射防止膜用塗布処理部と、反射防止膜の塗布形成に関連して基板を熱処理する反射防止膜用熱処理部と、前記反射防止膜用塗布処理部および反射防止膜用熱処理部に対して基板の受け渡しをする第１の主搬送機構とを備え、前記インデクサブロックに隣接して設けられる反射防止膜用処理ブロックと、
反射防止膜が塗布形成された基板にフォトレジスト膜を塗布形成するレジスト膜用塗布処理部と、フォトレジスト膜の塗布形成に関連して基板を熱処理するレジスト膜用熱処理部と、前記レジスト膜用塗布処理部およびレジスト膜用熱処理部に対して基板の受け渡しをする第２の主搬送機構とを備え、前記反射防止膜用処理ブロックに隣接して設けられるレジスト膜用処理ブロックと、
フォトレジスト膜が塗布形成され、さらに露光された基板に現像処理をする現像処理部と、現像処理に関連して基板を熱処理する現像用熱処理部と、前記現像処理部および現像用熱処理部に対して基板の受け渡しをする第３の主搬送機構とを備え、前記レジスト膜用処理ブロックに隣接して設けられる現像処理ブロックと、
前記現像処理ブロックに隣接して設けられ、本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置に対して基板の受け渡しをするインターフェイス用搬送機構を備えたインターフェイスブロックとを備え、
前記インデクサブロックのインデクサ用搬送機構と前記反射防止膜用処理ブロックの第１の主搬送機構とは、基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載置部を介して、互いに基板の受け渡しを行い、
同様に、前記第１の主搬送機構と前記レジスト膜用処理ブロックの第２の主搬送機構、前記第２の主搬送機構と前記現像処理ブロックの第３の主搬送機構、前記第３の主搬送機構と前記第４の主搬送機構、および前記第４の主搬送機構と前記インターフェイスブロックのインターフェイス用搬送機構のそれぞれは、基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載置部を介して、互いに基板の受け渡しを行い、
前記基板載置部は、ある処理ブロックから基板を払出すための払出し用基板載置部と、ある処理ブロックへ基板を戻すための戻し用基板載置部との少なくとも２つの基板載置部を上下に近接して設けられて構成されるとともに、
前記基板は、並設された各処理ブロックを往路と復路を通じて、前記各処理ブロックの単一の主搬送機構によって往復して移送され、
前記主搬送機構を使って基板を特定の位置から別の位置に搬送する工程を１搬送工程とした場合に、
前記基板の前記往路における移送は、前記主搬送機構が往路の上流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記往路の上流側にある払出し用基板載置部から次々と受け取ると共に、前記主搬送機構が往路の下流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記往路の下流側にある払出し用基板載置部に次々と載置することで行われ、
前記基板の前記復路における移送は、前記主搬送機構が復路の上流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記復路の上流側にある戻し用基板載置部から次々と受け取ると共に、前記主搬送機構が復路の下流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記復路の下流側にある戻し用基板載置部に次々と載置することで行われることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１２記載の基板処理装置において、
少なくとも前記インデクサブロックと前記反射防止膜用処理ブロックとの間は、基板受け渡し用の開口部位を除いて隔壁で区画され、かつ、反射防止膜用処理ブロック内の気圧がインデクサブロック内の気圧よりも高くなるように設定されている基板処理装置。 - 請求項１２記載の基板処理装置において、
前記現像処理ブロックの熱処理部は、基板を載置して加熱処理をする加熱プレートと、この加熱プレートから離れた上方位置または下方位置に基板を載置しておく基板仮置部と、前記加熱プレートと基板仮置部との間で基板を搬送する熱処理部用のローカル搬送機構とを備えた基板仮置部付きの熱処理部を含み、
前記インターフェイスブロックはさらに、フォトレジストが塗布された基板の周縁部を露光するエッジ露光部と、前記基板仮置部付きの熱処理部および前記エッジ露光部に対して基板を受け渡しする第４の主搬送機構とを備える基板処理装置。 - 請求項１４記載の基板処理装置において、
前記熱処理部用のローカル搬送機構は、前記加熱プレートから基板仮置部へ基板を搬送する過程で基板を冷却する冷却手段を備える基板処理装置。 - 請求項１５記載の基板処理装置において、
前記インターフェイスブロックは、露光機が基板の受け入れをできないときに、露光処理前の基板を収納する送り用バッファと、露光処理後の基板を現像処理できないときに、現像処理前の基板を収納する戻りバッファと備え、
前記インターフェイス用搬送機構は、露光機が基板の受け入れをできないときに、露光処理前の基板を前記送り用バッファに収納し、
前記第４の主搬送機構は、露光処理後の基板を現像処理できないときに、現像処理前の基板を、前記現像処理ブロックの基板仮置部付きの熱処理部で熱処理した後に、前記戻りバッファに収納する基板処理装置。 - 請求項１または請求項１２に記載の基板処理装置において、
前記処理ブロックの各々には、コントローラが備えられており、前記コントローラの各々が前記主搬送機構の各々を独立に制御することを特徴とする基板処理装置。 - 薬液処理を行う薬液処理部と、前記薬液処理に関連した熱処理を行う熱処理部と、前記薬液処理部および前記熱処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、
異なる薬液処理ごとに構成された複数個の被制御ユニットを並設してある基板処理装置であって、
前記各被制御ユニットの主搬送機構は、基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載置部を介して、互いに基板の受け渡しを行い、
前記基板載置部は、ある被制御ユニットから基板を払出すための払出し用基板載置部と、ある被制御ユニットへ基板を戻すための戻し用基板載置部との少なくとも２つの基板載置部を上下に近接して設けられて構成されており、
前記主搬送機構を使って基板を特定の位置から別の位置に搬送する工程を１搬送工程とした場合に、前記各被制御ユニットの主搬送機構が負担する搬送工程数のバラツキは２搬送工程以内であるとともに、
前記基板は、並設された各被制御ユニットを往路と復路を通じて、前記各被制御ユニットの単一の主搬送機構によって往復して移送され、
前記基板の前記往路における移送は、前記主搬送機構が往路の上流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記往路の上流側にある払出し用基板載置部から次々と受け取ると共に、前記主搬送機構が往路の下流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記往路の下流側にある払出し用基板載置部に次々と載置することで行われ、
前記基板の前記復路における移送は、前記主搬送機構が復路の上流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記復路の上流側にある戻し用基板載置部から次々と受け取ると共に、前記主搬送機構が復路の下流側にある払出し用基板載置部と戻し用基板載置部に対して１搬送工程で基板の受け渡しを行うことによって、前記主搬送機構の各々が前記基板を前記復路の下流側にある戻し用基板載置部に次々と載置することで行われることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１８に記載の基板処理装置において、
前記被制御ユニットの各々には、コントローラが備えられており、前記コントローラの各々が前記主搬送機構の各々を独立に制御することを特徴とする基板処理装置。
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| JP5154007B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2013-02-27 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置 |
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| JP4490801B2 (ja) * | 2004-12-16 | 2010-06-30 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
| US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
| US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
| US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
| US20060130767A1 (en) | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Applied Materials, Inc. | Purged vacuum chuck with proximity pins |
| JP4401285B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2010-01-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| US7245348B2 (en) * | 2005-01-21 | 2007-07-17 | Tokyo Electron Limited | Coating and developing system and coating and developing method with antireflection film and an auxiliary block for inspection and cleaning |
| JP4459831B2 (ja) | 2005-02-01 | 2010-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置 |
| JP4515331B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2010-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理システム |
| JP4716362B2 (ja) * | 2005-06-07 | 2011-07-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
| JP4522329B2 (ja) | 2005-06-24 | 2010-08-11 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
| JP4514657B2 (ja) * | 2005-06-24 | 2010-07-28 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
| JP4753641B2 (ja) * | 2005-07-01 | 2011-08-24 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理システム |
| US7766565B2 (en) | 2005-07-01 | 2010-08-03 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate drying apparatus, substrate cleaning apparatus and substrate processing system |
| JP4937559B2 (ja) * | 2005-09-14 | 2012-05-23 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置および基板処理方法 |
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| US7694688B2 (en) | 2007-01-05 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Wet clean system design |
| US7950407B2 (en) * | 2007-02-07 | 2011-05-31 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for rapid filling of a processing volume |
| JP4949064B2 (ja) * | 2007-02-15 | 2012-06-06 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置 |
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| US9050634B2 (en) * | 2007-02-15 | 2015-06-09 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
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| JP5064069B2 (ja) * | 2007-03-20 | 2012-10-31 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板搬送装置および熱処理装置 |
| JP4908304B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2012-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法、基板の処理システム及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
| US20080279658A1 (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-13 | Bachrach Robert Z | Batch equipment robots and methods within equipment work-piece transfer for photovoltaic factory |
| US20080292433A1 (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-27 | Bachrach Robert Z | Batch equipment robots and methods of array to array work-piece transfer for photovoltaic factory |
| US20080279672A1 (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-13 | Bachrach Robert Z | Batch equipment robots and methods of stack to array work-piece transfer for photovoltaic factory |
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| KR101100833B1 (ko) | 2008-11-25 | 2012-01-02 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| US8941809B2 (en) | 2008-12-22 | 2015-01-27 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP5237082B2 (ja) * | 2008-12-24 | 2013-07-17 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置 |
| US20100192844A1 (en) * | 2009-01-30 | 2010-08-05 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
| JP5181306B2 (ja) * | 2009-01-30 | 2013-04-10 | セメス株式会社 | 基板処理システム、露光前後処理ユニット及び基板処理方法 |
| JP5462506B2 (ja) | 2009-03-18 | 2014-04-02 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置 |
| JP5410212B2 (ja) | 2009-09-15 | 2014-02-05 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置、基板処理システムおよび検査周辺露光装置 |
| JP5381592B2 (ja) * | 2009-10-06 | 2014-01-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| JP4906140B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2012-03-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
| JP4906141B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2012-03-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
| CN102064095A (zh) * | 2010-12-03 | 2011-05-18 | 孙丽杰 | 半导体基板加工设备 |
| CN102354665B (zh) * | 2011-09-28 | 2016-03-02 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 内置光刻胶检测单元的退火装置、光刻胶的检测方法 |
| JP5841389B2 (ja) | 2011-09-29 | 2016-01-13 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP5608148B2 (ja) * | 2011-11-25 | 2014-10-15 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ | 基板処理装置 |
| US9196515B2 (en) | 2012-03-26 | 2015-11-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Litho cluster and modulization to enhance productivity |
| US8903532B2 (en) * | 2012-03-26 | 2014-12-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Litho cluster and modulization to enhance productivity |
| JP5890255B2 (ja) | 2012-04-02 | 2016-03-22 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ | 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法 |
| JP2013247197A (ja) * | 2012-05-24 | 2013-12-09 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP6239813B2 (ja) | 2012-07-18 | 2017-11-29 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP6001961B2 (ja) * | 2012-08-29 | 2016-10-05 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP6049367B2 (ja) | 2012-09-13 | 2016-12-21 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ | 基板処理装置および基板処理システム |
| JP5442889B2 (ja) * | 2013-05-17 | 2014-03-12 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置 |
| JP5442890B2 (ja) * | 2013-05-17 | 2014-03-12 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置 |
| JP5977728B2 (ja) * | 2013-11-14 | 2016-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
| JP5852219B2 (ja) * | 2014-12-24 | 2016-02-03 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP6548513B2 (ja) * | 2015-08-21 | 2019-07-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| JP6503280B2 (ja) * | 2015-11-12 | 2019-04-17 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| JP6195601B2 (ja) * | 2015-12-03 | 2017-09-13 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ | 基板処理方法および基板処理装置 |
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| JP6860365B2 (ja) * | 2017-01-31 | 2021-04-14 | キヤノン株式会社 | 基板処理装置、基板処理システム、基板処理方法、物品製造方法、およびプログラム |
| JP7358044B2 (ja) * | 2018-02-09 | 2023-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| CN111063645A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-24 | 昆山晟丰精密机械有限公司 | 半导体基板自动收放料系统及方法 |
| CN111421545B (zh) * | 2020-04-08 | 2022-08-09 | 广东工业大学 | 一种液晶屏机器人搬运系统及其搬运方法 |
| CN114367447A (zh) * | 2020-10-16 | 2022-04-19 | 深圳顺丰泰森控股(集团)有限公司 | 物流系统 |
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| US6099643A (en) * | 1996-12-26 | 2000-08-08 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for processing a substrate providing an efficient arrangement and atmospheric isolation of chemical treatment section |
| JP3445757B2 (ja) * | 1999-05-06 | 2003-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US6402400B1 (en) * | 1999-10-06 | 2002-06-11 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
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