JP5219633B2 - High frequency measurement probe - Google Patents
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Description
本発明は、高周波測定用プローブに関し、さらに詳しくは、インピーダンスの変化を抑制できる構造とした高周波測定用プローブおよび外来ノイズを拾い難い構造とした高周波測定用プローブに関する。 The present invention relates to a high-frequency measurement probe, and more particularly to a high-frequency measurement probe having a structure capable of suppressing a change in impedance and a high-frequency measurement probe having a structure that hardly picks up external noise.
従来、導体を誘電体で担持したコプレーナ導体構造物の導体の第1端を同軸ケーブルに接続し、導体の第2端を誘電体より突出させて被測定物に対する接触部とし、誘電体の一面に金属をコーティングしてシールドとした高周波測定プローブが知られている(例えば、特許文献1参照。)。
上記従来の高周波測定プローブでは、コプレーナ導体構造物の導体を用いており、例えばマイクロストリップライン構造の被測定物に接触させるのに好適であった。また、誘電体の一面がシールドになっており、外来ノイズを拾い難くなっていた。
しかし、被測定物に対する接触部においては誘電体が無いため、インピーダンスが変化してしまう問題点がある。また、シールドが無いため、外来ノイズを拾ってしまう問題点がある。
そこで、本発明の目的は、インピーダンスの変化を抑制できる構造とした高周波測定用プローブおよび外来ノイズを拾い難い構造とした高周波測定用プローブを提供することにある。
The conventional high-frequency measurement probe uses a conductor of a coplanar conductor structure, and is suitable for contacting a measurement object having a microstrip line structure, for example. Also, one side of the dielectric is a shield, making it difficult to pick up external noise.
However, since there is no dielectric at the contact portion with the object to be measured, there is a problem that the impedance changes. Moreover, since there is no shield, there is a problem of picking up external noise.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a high-frequency measurement probe having a structure capable of suppressing a change in impedance and a high-frequency measurement probe having a structure difficult to pick up external noise.
第1の観点では、本発明は、同軸コネクタ(10)と、複数の導体ストリップ(3a,3b,3c)を第1絶縁フィルム(3d)と第2絶縁フィルム(3e)とで挟んだ構造であり且つ前記同軸コネクタ(10)に第1端(31)を接続され且つ前記導体ストリップ(3a,3b,3c)の第2端(32)の前記第1絶縁フィルム(3d)側面が露出し被測定物に対する接触部(33)になっており且つ前記導体ストリップ(3a,3b,3c)の第2端(32)の前記第2絶縁フィルム(3e)側面は前記第2絶縁フィルム(3e)で被覆されたフレキシブル・フラット・ケーブル(30)とを具備したことを特徴とする高周波測定用プローブ(101,102)を提供する。
上記第1の観点による高周波測定用プローブ(101,102)では、フレキシブル・フラット・ケーブル(30)の導体を用いており、例えばマイクロストリップライン構造の被測定物に接触させるのに好適である。そして、被測定物に対する接触部(33)の裏面にも第2絶縁フィルム(3e)があるので、インピーダンスの変化を抑制できる。
In a first aspect, the present invention has a structure in which a coaxial connector (10) and a plurality of conductor strips (3a, 3b, 3c) are sandwiched between a first insulating film (3d) and a second insulating film (3e). And the first end (31) is connected to the coaxial connector (10) and the side surface of the first insulating film (3d) of the second end (32) of the conductor strip (3a, 3b, 3c) is exposed and covered. The side surface of the second insulating film (3e) at the second end (32) of the conductor strip (3a, 3b, 3c) is the second insulating film (3e) which is a contact portion (33) for the object to be measured. Provided is a high-frequency measurement probe (101, 102) comprising a coated flexible flat cable (30).
The high-frequency measurement probe (101, 102) according to the first aspect uses the conductor of the flexible flat cable (30), which is suitable for contacting with a measurement object having a microstrip line structure, for example. And since the 2nd insulating film (3e) also exists in the back surface of the contact part (33) with respect to a to-be-measured object, the change of an impedance can be suppressed.
第2の観点では、本発明は、同軸コネクタ(10)と、前記同軸コネクタ(10)に第1端(21)を接続された同軸ケーブル(20)と、複数の導体ストリップ(3a,3b,3c)を第1絶縁フィルム(3d)と第2絶縁フィルム(3e)とで挟んだ構造であり且つ前記同軸ケーブル(20)の第2端(22)に第1端(31)を接続され且つ前記導体ストリップ(3a,3b,3c)の第2端(32)の前記第1絶縁フィルム(3d)側面が露出し被測定物に対する接触部(33)になっており且つ前記導体ストリップ(3a,3b,3c)の第2端(32)の前記第2絶縁フィルム(3e)側面は前記第2絶縁フィルム(3e)で被覆されたフレキシブル・フラット・ケーブル(30)とを具備したことを特徴とする高周波測定用プローブ(200)を提供する。
上記第2の観点による高周波測定用プローブ(200)では、フレキシブル・フラット・ケーブル(30)の導体を用いており、例えばマイクロストリップライン構造の被測定物に接触させるのに好適である。そして、被測定物に対する接触部(33)の裏面にも第2絶縁フィルム(3e)があるので、被測定物に対する接触部(33)においてもインピーダンスの変化を抑制できる。さらに、同軸コネクタ(10)とフレキシブル・フラット・ケーブル(30)の間に同軸ケーブル(20)を介在させるので、被測定物に対する接触部(33)から同軸コネクタ(10)までの長さを容易に伸張することが出来る。
In a second aspect, the present invention relates to a coaxial connector (10), a coaxial cable (20) having a first end (21) connected to the coaxial connector (10), and a plurality of conductor strips (3a, 3b, 3c) is sandwiched between the first insulating film (3d) and the second insulating film (3e), and the first end (31) is connected to the second end (22) of the coaxial cable (20); The side surface of the first insulating film (3d) at the second end (32) of the conductor strip (3a, 3b, 3c) is exposed to be a contact portion (33) for the object to be measured, and the conductor strip (3a, 3 The side surface of the second insulating film (3e) at the second end (32) of 3b, 3c) comprises a flexible flat cable (30) covered with the second insulating film (3e). High frequency measurement To provide over Breakfast (200).
In the high-frequency measurement probe (200) according to the second aspect, the conductor of the flexible flat cable (30) is used, which is suitable, for example, for contacting a measurement object having a microstrip line structure. And since the 2nd insulating film (3e) also exists in the back surface of the contact part (33) with respect to a to-be-measured object, the change of an impedance can be suppressed also in the contact part (33) with respect to a to-be-measured object. Furthermore, since the coaxial cable (20) is interposed between the coaxial connector (10) and the flexible flat cable (30), the length from the contact portion (33) to the object to be measured to the coaxial connector (10) is easy. Can be stretched.
第3の観点では、本発明は、前記第1または第2の観点による高周波測定用プローブ(101,102,200)において、前記第2絶縁フィルム(3e)に貼着されたシールド箔(41)を具備したことを特徴とする高周波測定用プローブ(101,102,200)を提供する。
上記第3の観点による高周波測定用プローブ(101,102,200)では、第2絶縁フィルム(3e)側にシールド箔(41)があるので、外来ノイズを拾い難くなる。
In a third aspect, the present invention provides a shield foil (41) attached to the second insulating film (3e) in the high-frequency measurement probe (101, 102, 200) according to the first or second aspect. The high-frequency measurement probe (101, 102, 200) is provided.
In the high frequency measurement probe (101, 102, 200) according to the third aspect, since the shield foil (41) is provided on the second insulating film (3e) side, it is difficult to pick up external noise.
第4の観点では、本発明は、前記第1から第3のいずれかの観点による高周波測定用プローブ(101,102,200)において、前記第1絶縁フィルム(3d)に貼着されたシールド箔(42)を具備したことを特徴とする高周波測定用プローブ(101,102,200)を提供する。
上記第4の観点による高周波測定用プローブ(101,102,200)では、第1絶縁フィルム(3d)側にシールド箔(42)があるので、外来ノイズを拾い難くなる。
In a fourth aspect, the present invention provides a shielding foil adhered to the first insulating film (3d) in the high-frequency measurement probe (101, 102, 200) according to any one of the first to third aspects. A high-frequency measurement probe (101, 102, 200) characterized by comprising (42) is provided.
In the high frequency measurement probe (101, 102, 200) according to the fourth aspect, since the shield foil (42) is provided on the first insulating film (3d) side, it is difficult to pick up external noise.
第5の観点では、本発明は、前記第1から第4のいずれかの観点による高周波測定用プローブ(101,102,200)において、前記接触部(33)に凸部(34)を設けたことを特徴とする高周波測定用プローブ(101,102,200)を提供する。
上記第5の観点による高周波測定用プローブ(101,102,200)では、被測定物に対する接触部(33)に凸部(34)を設けたので、被測定物に対する接触性を良好かつ安定に出来る。
In a fifth aspect, the present invention provides the high-frequency measurement probe (101, 102, 200) according to any one of the first to fourth aspects, wherein a convex portion (34) is provided on the contact portion (33). A high-frequency measurement probe (101, 102, 200) is provided.
In the high frequency measurement probe (101, 102, 200) according to the fifth aspect, since the convex portion (34) is provided on the contact portion (33) with respect to the object to be measured, the contact with the object to be measured is excellent and stable. I can do it.
本発明の高周波測定用プローブによれば、被測定物に対する接触部の裏面にも絶縁フィルムがあるので、インピーダンスの変化を抑制でき、インピーダンス整合を向上できる。。また、シールド箔があるので、外来ノイズを拾い難くすることが出来る。さらに、柔軟で薄いフレキシブル・フラット・ケーブルを用いるので、同軸ケーブルやリジッドな電極では接触させることが困難な部分にも容易に接触させることが可能になり、高周波測定対象を大きく広げることが可能となった。 According to the high frequency measurement probe of the present invention, since there is an insulating film on the back surface of the contact portion with respect to the object to be measured, a change in impedance can be suppressed and impedance matching can be improved. . Moreover, since there is a shield foil, it is difficult to pick up external noise. In addition, since flexible and thin flexible flat cables are used, it is possible to easily contact parts that are difficult to contact with coaxial cables and rigid electrodes, which can greatly expand the range of high-frequency measurement objects. became.
以下、図に示す実施の形態により本発明をさらに詳細に説明する。なお、これにより本発明が限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to embodiments shown in the drawings. Note that the present invention is not limited thereby.
図1は、実施例1に係る高周波測定用プローブ101を示す上面図である。図2は、同一部破断正面図である。
FIG. 1 is a top view illustrating the high-
この高周波測定用プローブ101は、同軸コネクタ10と、フレキシブル・フラット・ケーブル30と、シールド箔41,42とを具備してなる。
The high
フレキシブル・フラット・ケーブル30は、中心導体ストリップ3aと両側導体ストリップ3b,3cとを、第1絶縁フィルム3dと第2絶縁フィルム3eとで挟んで、接着した構造である。
フレキシブル・フラット・ケーブル30の第1端31では、露出した導体ストリップ3a,3b,3cが、半田付けにより、同軸コネクタ10に接続されている。
フレキシブル・フラット・ケーブル30の第2端32では、第1絶縁フィルム3d側面のみ導体ストリップ3a,3b,3cが露出し、半田被覆され、被測定物に対する接触部33になっている。接触部33には、凸部34が設けられている。一方、第2絶縁フィルム3e側面は第2絶縁フィルム3eで被覆されており、導体ストリップ3a,3b,3cは露出していない。
The flexible
At the
At the
シールド箔41は第2絶縁フィルム3eに貼着され、シールド箔42は第1絶縁フィルム3dに貼着されている。
The
具体例を示すと、導体ストリップ3a,3b,3cは、幅0.4mmの銅箔である。導体ストリップ3aと3bの間のギャップ幅および導体ストリップ3aと3cの間のギャップ幅は0.3mmである。第1絶縁フィルム3dおよび第2絶縁フィルム3eは、幅2.1mmのPETフィルムである。シールド箔41,42はアルミ箔である。フレキシブル・フラット・ケーブル30のインピーダンスは50Ωである。
As a specific example, the conductor strips 3a, 3b, 3c are copper foils having a width of 0.4 mm. The gap width between the conductor strips 3a and 3b and the gap width between the conductor strips 3a and 3c are 0.3 mm. The first insulating film 3d and the second insulating film 3e are PET films having a width of 2.1 mm. The
実施例1の高周波測定用プローブ101によれば、被測定物に対する接触部33の裏面にも第2絶縁フィルム3eがあるので、インピーダンスの変化を抑制できる。また、シールド箔41があるので、外来ノイズを拾い難くすることが出来る。さらに、被測定物に対する接触部33に凸部34を設けたので、被測定物に対する接触性を良好かつ安定に出来る。
According to the high
図3は、実施例2に係る高周波測定用プローブ102を示す上面図である。図4は、同一部破断正面図である。
この高周波測定用プローブ102は、フレキシブル・フラット・ケーブル30の第1端31で、露出した導体ストリップ3a,3b,3cが、挟み込みにより、同軸コネクタ10に接続されている。それ以外の構成は、実施例1に係る高周波測定用プローブ101と同じである。
FIG. 3 is a top view illustrating the high-
In the high-
図5は、実施例3に係る高周波測定用プローブ200を示す上面図である。図6は、同一部破断正面図である。
FIG. 5 is a top view illustrating the high-
この高周波測定用プローブ200は、同軸コネクタ(SMAコネクタ)10と、同軸ケーブル20と、フレキシブル・フラット・ケーブル30と、シールド箔41,42とを具備してなる。
The high-
同軸コネクタ10には、同軸ケーブル20の第1端21の中心導体とシールド導体とが挟み込みにより接続されている。
A central conductor of the
フレキシブル・フラット・ケーブル30は、中心導体ストリップ3aと両側導体ストリップ3b,3cとを、第1絶縁フィルム3dと第2絶縁フィルム3eとで挟んで、接着した構造である。
フレキシブル・フラット・ケーブル30の第1端31では、露出した導体ストリップ3a,3b,3cが、半田付けにより、同軸ケーブル20の第2端22の中心導体とシールド導体とに接続されている。
フレキシブル・フラット・ケーブル30の第2端32では、第1絶縁フィルム3d側面のみ導体ストリップ3a,3b,3cが露出し、被測定物に対する接触部33になっている。接触部33には、凸部34が設けられている。一方、第2絶縁フィルム3e側面は第2絶縁フィルム3eで被覆されており、導体ストリップ3a,3b,3cは露出していない。
The flexible
At the
At the
シールド箔41は第2絶縁フィルム3eに貼着され、シールド箔42は第1絶縁フィルム3dに貼着されている。
The
具体例を示すと、導体ストリップ3a,3b,3cは、幅0.4mmの銅箔である。導体ストリップ3aと3bの間のギャップ幅および導体ストリップ3aと3cの間のギャップ幅は0.3mmである。第1絶縁フィルム3dおよび第2絶縁フィルム3eは、幅2.1mmのPETフィルムである。シールド箔41,42はアルミ箔である。フレキシブル・フラット・ケーブル30のインピーダンスは50Ωである。同軸ケーブル20のインピーダンスは50Ωである。
As a specific example, the conductor strips 3a, 3b, 3c are copper foils having a width of 0.4 mm. The gap width between the conductor strips 3a and 3b and the gap width between the conductor strips 3a and 3c are 0.3 mm. The first insulating film 3d and the second insulating film 3e are PET films having a width of 2.1 mm. The shield foils 41 and 42 are aluminum foils. The impedance of the flexible
実施例3の高周波測定用プローブ200によれば、被測定物に対する接触部33の裏面にも第2絶縁フィルム3eがあるので、インピーダンスの変化を抑制できる。また、シールド箔41があるので、外来ノイズを拾い難くすることが出来る。また、被測定物に対する接触部33に凸部34を設けたので、被測定物に対する接触性を良好かつ安定に出来る。さらに、同軸ケーブル20の長さを変えることにより、接触部33から同軸コネクタ10までの長さを容易に伸張することが出来る。
According to the high
フレキシブル・フラット・ケーブル30のインピーダンスは、導体ストリップ3a,3b,3cや第1絶縁フィルム3dや第2絶縁フィルム3eの材料や寸法を変えることにより、また、導体ストリップ3a,3b,3cに第1絶縁フィルム3dや第2絶縁フィルム3eを接着する接着剤の材料や厚さを変えることにより変更でき、被測定物のインピーダンスとマッチングさせることが出来る。導体ストリップ3a,3b,3cの材料としては、銅の他、銀やニッケルを用いてもよい。
The impedance of the flexible
なお、導体ストリップ3a,3b,3cの寸法、導体ストリップ3aと3bの間のギャップ幅、導体ストリップ3aと3cの間のギャップ幅は、被測定物の寸法(例えば配線パターン幅やギャップ幅、ICチップのピン幅やピッチ)に合わせる必要があるため、選択の自由度は制限される。 The dimensions of the conductor strips 3a, 3b, 3c, the gap width between the conductor strips 3a and 3b, and the gap width between the conductor strips 3a and 3c are the dimensions of the object to be measured (for example, the wiring pattern width, gap width, IC The degree of freedom of selection is limited because it is necessary to match the chip pin width and pitch.
本発明の高周波測定用プローブは、例えば10GHz程度までの高周波の測定に利用できる。 The probe for high frequency measurement of the present invention can be used for high frequency measurement up to about 10 GHz, for example.
3a,3b,3c 導体ストリップ
3d 第1絶縁フィルム
3e 第2絶縁フィルム
10 同軸コネクタ
20 同軸ケーブル
30 フレキシブル・フラット・ケーブル
33 接触部
34 凸部
41,42 シールド箔
101,102,200 高周波測定用プローブ
3a, 3b, 3c Conductor strip 3d First insulating film 3e
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