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JP5244482B2 - クランクシャフトの高周波焼入装置 - Google Patents
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JP5244482B2 - クランクシャフトの高周波焼入装置 - Google Patents

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本発明は、クランクシャフトの高周波誘導加熱装置に関し、さらに詳しくは、ディスクトランスの横部に組付けられた高周波誘導加熱コイルを、軸線を中心に回転されるクランクシャフトのジャーナル部又はピン部に追従させながら前記ジャーナル部又はピン部を高周波誘導加熱して冷却することにより焼入を行うようにしたクランクシャフトの高周波焼入装置に関するものである。
図4は、従来のクランクシャフトの高周波焼入装置40を示すものであって、この高周波焼入装置40には、図外の高周波電源から高周波電流が供給されるディスクトランス(カレントトランス)41と、このディスクトランス41の下部に吊り下げ状態で取付けられた、高周波誘導加熱コイル32を保持する高周波誘導加熱コイル体43とが設けられている。さらに、フレーム44に設けられた旋回軸45には追従アーム46が旋回自在に片持ち支持されており、この追従アーム46に旋回軸47を介して上述のディスクトランス41が旋回自在に吊り下げられている。そして、一端がフレーム48に支持されたバランススプリング49の他端にチェーン50が連結されており、このチェーン39がスプロケット51を介して上述の追従アーム46の自由端に結合されている。かくして、ディスクトランス41,高周波誘導加熱コイル体43,及び後述のホース52,53などからなる追従ユニット54の重量がバランススプリング38の引張り力にて軽減されるようになっている(例えば、特開2005−89811参照)。
なお、ディスクトランス41には、冷却液を供給又は排出するための複数のホース52が接続されており、高周波誘導加熱コイル体43にも、冷却液を供給又は排出するための複数のホース53が接続されている。
また、図示を省略したが、高周波誘導加熱コイル体43には、高周波誘導加熱コイル42の下方箇所に焼入冷却部(冷却ジャケット)が一体に取付けられており、クランクシャフトのジャーナル部又はピン部が高周波誘導加熱された後に、クランクシャフトジャーナル部又はピン部に焼入冷却部から冷却液が噴射されるように構成されている。なお、高周波誘導加熱コイル体43の下方箇所に焼入冷却部が設けられる場合もある。
特開2005−89811公報
上述の如き従来のクランクシャフトの高周波焼入装置40にあっては、次に述べるような種々の問題点がある。まず、焼入処理すべきクランクシャフトの種類に応じてバランススプリング49の引張り力を調整するためにバランススプリング49の長さを調節するようにしているが、バランススプリング49の配設位置は高周波焼入装置40の最上部にあるため、バランススプリング49の長さ調節は高所における作業となり、その作業が面倒である。また、追従ユニット54の重量の軽減のためにバランススプリング49を使用しているため、使用の時間によって引張り力が変化してしまう上に、劣化によってバランススプリング49が破断してしまうおそれがある。
また、チェーン50とスプロケット51とが接触しているため、磨耗によりチェーン50が破損するおそれがある。
また、追従ユニット54は旋回軸47を介して追従アーム46に常に自由状態で自重で吊り下がっているので、ホース52,53などの影響を受けて位置調整が困難であり、例えば、高周波焼入装置40の運搬後、ホース52,53の交換後、高周波誘導加熱コイル42の交換後、各種部品の交換後などにおいて加熱コイルタイ43ひいては高周波誘導加熱コイル42の位置にばらつきが生じる。
また、上述の如きいわゆる吊り下げ型の追従ユニット54にあっては、ディスクトランス41と高周波誘導加熱コイル42とを互いに接続する電極部(図示せず)、並びに、ディスクトランス41が、加熱位置の真上にあり、加熱・冷却時の蒸気が電極部及びディスクトランス41に上がってくるため、電極部においてスパークを生じ、ひいてはディスクトランス41及び高周波誘導加熱コイル42の寿命が短縮されてしまう問題点がある。
また、高周波誘導加熱コイル42が誤って加工部位以外のところに乗り上げた場合には、バランススプリング49が緩んだ分の力が高周波誘導加熱コイル42に掛かることとなるため、高周波誘導加熱コイル42が破損するおそれがある。
本発明は、上述の如き種々の問題点に鑑みてなされたものであって、その主目的は、構成が簡素(コンパクト)で安価であり、長寿命であり、保全性の高いコイル追従機構を有するクランクシャフトの高周波焼入装置を提供することにある。
上述の目的を達成するために、本発明では、ディスクトランスの横部に取付けられた高周波誘導加熱コイルを、軸線を中心に回転されるクランクシャフトのジャーナル部又はピン部に追従させながら前記ジャーナル部又はピン部を高周波誘導加熱して冷却することにより焼入を行うようにしたクランクシャフトの高周波焼入装置において、前記ディスクトランス及び高周波誘導加熱コイルをジャーナル部又はピン部に追従させるための機構を、左右追従ガイド機構と、前後追従ガイド機構と、上下旋回ガイド機構とで構成し、前記ディスクトランス及び高周波誘導加熱コイルを含む追従ユニットの重心を前記上下旋回ガイド機構の旋回支点よりも前記高周波誘導加熱コイルの側の位置に配置するようにしている。
本発明は、ディスクトランス及び高周波誘導加熱コイルをジャーナル部又はピン部に追従させるための機構を、左右追従ガイド機構と、前後追従ガイド機構と、上下旋回ガイド機構とで構成し、ディスクトランス及び高周波誘導加熱コイルを含む追従ユニットの重心を上下旋回ガイド機構の旋回支点よりも高周波誘導加熱コイルの側の位置に配置するようにしたものであるから、上下旋回ガイド機構の旋回支点と追従ユニットの重心の位置を調整することにより、従来のように高い位置にあるバランススプリングを用いなくても、クランシャフトのジャーナル部又はピン部(ワーク)と、高周波誘導加熱コイルをワークに対して僅かな隙間を介して支持するためのガイドチップとの接触部に掛かる力を軽減させることができるため、従来用いていたバランススプリングの省略により、高周波焼入装置の高さを抑えることができ、ひいては高周波焼入装置の簡素化(コンパクト化)を図り得て安価なものとすることができる。しかも、高周波誘導加熱コイル体(高周波誘導加熱コイル及びガイドチップなどを保持する構造体)からクランクシャフトのジャーナル部又はピン部に掛かる重量の調整は、追従ユニットの重心と上下旋回ガイド機構の旋回支点との間の距離を普通の高さの場所で調節することにより行うことが可能であるため、その調整作業を容易に行うことができる。また、追従ユニットの重さを追従ユニットの重心と上下旋回ガイド機構の旋回支点との相互間の位置関係で軽減するようにしているので、その軽減の程度は高周波焼入装置の使用時間によっては変化しない上に、折損や磨耗する部品を使用せずに済むという利点がある。また、本発明の高周波焼入装置は、いわゆる横置き型のディスクトランスを用いているため、焼入時に影響を与える部品は、このディスクトランスの横部に配置された高周波誘導加熱コイル体のみであり、高周波誘導加熱コイル体の上方には電極やディスクトランスなどは存在せず、従って、ワークの加熱・冷却時に生じる蒸気により電極やディスクトランスに悪影響を与えることがなく、長寿命化を図ることが可能である。さらに、クランクシャフトのジャーナル部を高周波焼入する装置にあっては、クランクシャフトを軸線を中心に回転させたときのジャーナル部の変動が小さいため、本発明の高周波焼入装置をどのようなジャーナル部に対しても適用可能である。
また、本発明の高周波焼入装置によれば、追従ユニットの重心のバランスでワークに対する重さを調整するようにしているため、高周波誘導加熱コイル体が誤って加工部位以外のところに乗り上げた場合でも重さの変化が殆どなく、高周波誘導加熱コイル体の破損を防止できる。また、高周波誘導加熱コイル体が大きく持ち上がると、追従ユニットの重心が旋回支点(旋回軸の支点)に対して反対側に移るため、高周波誘導加熱コイル体が自動的にワークから逃げ、持ち上がった状態を保持することとなる。そのため、このような場合にも高周波誘導加熱コイル体の破損を防止できる。
以下、本発明の一実施形態に係るクランクシャフトの高周波焼入装置について図1〜図3を参照して説明する。
図1(a),(b)は、本発明の一実施形態に係るクランクシャフトの高周波焼入装置1を示すものであって、この高周波焼入装置1は、横置き型ディスクトランス(カレントトランス)2を備えている。そして、横置き型ディスクトランス2の横部2aには取付機構3により高周波誘導加熱コイル体4が取付けられている。なお、高周波誘導加熱コイル体4は、図1(b)に示す如く、ワークであるクランクシャフトのジャーナル部5(又は、図外のピン部)を高周波誘導加熱する高周波誘導加熱コイル6と、ジャーナル部5の上部及び両側部に当接して高周波誘導加熱コイル6をジャーナル部5に対して僅かな隙間をもって対応配置するガイドチップ7a,7b,7cとを保持している。
一方、固定フレーム8には複数の接続ホース9の一端部がそれぞれ取付けられており、これらの接続ホース9の他端部が複数の集合管10にそれぞれ接続されると共に、集合管10とディスクトランス2との間にこのディスクトランス2を冷却するための冷却液を供給或いは排出する複数の冷却液ホース11が接続されている。さらに、上述の集合管10と高周波誘導加熱コイル体4との間には高周波誘導加熱コイル6及びガイドチップ7a〜7cを冷却するための冷却液ホース12が接続されており、図示を省略したが、この冷却液ホース12から高周波誘導加熱コイル6及びガイドチップ7a〜7cを介して流れた冷却液を排出する排出ホースも加熱コイル4体に接続されている。かくして、ディスクトランス2、取付機構3、高周波誘導加熱コイル体4、各種のホース9,11,12、集合管10、及びディスクトランス2に取付けられた各種部品などにより追従ユニット13が構成されている。
軸線を中心に回転されるクランクシャフトのジャーナル部5に上述の追従ユニット13を追従させるための機構は、次のように構成されている。すなわち、図1(a),(b)に示すように、基台15に固着された一対のガイドレール16aと、これら一対のガイドレール16aに摺動自在に取付けられた前後動ガイド16bとで前後追従ガイド機構17が構成されると共に、上述の前後動ガイド16bに設けられた一対のガイドレール18a(前記ガイドレール16aに対して直角に設けられる)と、これら一対のガイドレール18aに摺動自在に取付けられた左右動ガイド18bとで左右追従ガイド機構19が構成されている。さらに、上述の左右動ガイド18bに設けられた軸支部材20に、横置き型ディスクトランス2に支持部材21を介して一体に取付けられた旋回軸22が回転自在に軸支され、これによりディスクトランス2及び高周波誘導加熱コイル体4を円弧運動で自由に動かすための上下旋回ガイド機構23が構成されている。かくして、前後追従ガイド機構17、左右追従ガイド機構19、及び上下旋回ガイド機構23によって追従機構24が構成されている。
また、本実施形態においては、図1(b)に示すように、ディスクトランス2、高周波誘導加熱コイル6を保持する高周波誘導加熱コイル体4、各種のホース9,11,12、集合管10などから成る追従ユニット13の重心Mが、上下旋回ガイド機構23を構成する旋回軸22の旋回支点Nよりも高周波誘導加熱コイル体4ひいては高周波誘導加熱コイル6の側の位置に配置されるようになっている。この場合、追従ユニット13の重さをGとし、追従ユニット13の重心Mを通る鉛直線と旋回軸22の旋回支点Nを通る鉛直線との間の距離をAとし、旋回軸22の旋回支点Nを通る鉛直線とジャーナル部5に加わる力点(上部側のガイドチップ7aとジャーナル部5との接触点)を通る鉛直線との間の距離をBとすれば、上部側のガイドチップ7aとジャーナル部5との接触部に加わる力Fは、F=G×A÷Bとなる。よって、旋回軸22の旋回支点Nと追従ユニット13の重心Mの位置を調整することにより、従来のようにバランススプリングを用いなくても、上部側のガイドチップ7aとジャーナル部5との接触部に加わる力を軽減することができる。
また、上述の基台15には、ロックピン挿通孔25が形成されたガイド部材26が取付けられると共に、このピン挿通孔25に摺動自在に貫通配置されたロックピン26を上下動するためのシリンダ27が取付けられている。なお、図2(a),(b)に示すように、ロックピン26の下端部(先端部)は、小径部26aとなされ、この小径部26aよりも上方の上端部分は大径部26bとなされている。一方、左右追従ガイド機構19の左右動ガイド18bには、図1(b)に示すように、ロックピン26が出し入れされるピン孔28を有する円筒部材29が取付けられている。かくして、図2(a)に示すように、ロックピン26がシリンダ27にて引き上げられてロックピン26の小径部26aと円筒部材29のピン孔28との間に隙間を生じた状態になると、その隙間分だけ左右追従ガイド機構19の左右動ガイド18b及び前後追従ガイド機構17の前後動ガイド16bが移動可能な状態となされ、図2(b)に示すように、ロックピン26がシリンダ27にて押し下げられてロックピン26の大径部26bが円筒部材29のピン孔28内に隙間なく入り込んだ状態になると、左右追従ガイド機構19の左右動ガイド18b移動が阻止されて左右追従ガイド機構19の左右動ガイド18b及び前後追従ガイド機構17の前後動ガイド16bが所定位置にロックされるようになっている。従って、ロックした状態での位置固定が可能であり、コイル交換、ホース交換などによる位置のばらつきを抑えることができるようになっている。
また、図1(a),(b)及び図3(a),(b)に示すように、左右追従ガイド機構19の左右動ガイド18bの上にはV字形状凸部を有する位置決めストッパ30が設けられ、この位置決めストッパ30に対応するV字状凹部を有する位置決め部材31がディスクトランス2の側に取付けられている。かくして、高周波誘導加熱コイル体4が旋回軸22を中心に自重で下方へ回動して上部側のガイドチップ7aがジャーナル部5に当接した状態の下では、位置決め部材31のV字状凹部が位置決めストッパ30のV字形状凸部に当接し(図3(a)参照)、これにより、ジャーナル部5を高周波誘導加熱していないときの高周波誘導加熱コイル体4の位置決めがなされ、各種ホースのねじれ力などによる高周波誘導加熱コイル体4ひいては高周波誘導加熱コイル6の位置のばらつきが抑えられて高周波誘導加熱コイル体4の位置が一定の位置になるように構成されている。従って、位置決めストッパ30はいわゆるVヤゲン形となっているので、位置決めストッパ30のV字形状凸部が前記位置決め部材31のV字形状凹部に入り込んで前記位置決め部材31が位置決めストッパ30上に乗っている場合には、繰り返しその乗り上げ動作を行っても高周波誘導加熱コイル体4の位置は常に一定(横にもずれない)となるようになっている。そして、前記位置決め部材31のV字形状凹部が図3(b)に示す如く位置決めストッパ30から上方に離れると、高周波誘導加熱コイル体4は自由状態となるようになっている。
なお、図示を省略したが、高周波誘導加熱コイル体4には、高周波誘導加熱コイル6の下方箇所に冷却ジャケットが一体に配設されており、所要の焼入温度に高周波誘導加熱されたジャーナル部5に向けて冷却ジャケットから冷却液が噴射されるようになっている。また、冷却ジャケットを高周波誘導加熱コイル体4の下方位置に配置する場合もある。
次に上述の如き構成の高周波焼入装置1によりクランクシャフトのジャーナル部5を焼入処理する場合の操作手順に付き述べると、以下の通りである。まず、ロックピン26をシリンダ27にて下方に移動させてロックピン26の大径部26bを円筒部材29の中に差し込んだ状態(図2(b)参照)にして左右追従ガイド機構19及び前後追従ガイド機構17をロック状態すると共に、位置決めストッパ30の上に位置決め部材31を乗せた状態(図3(a)参照)にして、加熱コイル対4ひいては高周波誘導加熱コイル6を毎回同じ位置に戻す。
一方、ワークであるクランクシャフトを図外の昇降装置により支持してクランクシャフトのジャーナル部5を高周波誘導加熱コイル体4の開口部34(図1(b)参照)を通して上昇移動させ、ジャーナル部5を上部側のガイドチップ7aに当接させる。そして、クランクシャフトをさらに上方に上昇させて位置決めストッパ30から位置決め部材31が図1(a)及び図3(b)に示すように離れた位置にきた時点(上部側のガイドチップ7aを介して高周波誘導加熱コイル体4ひいては追従ユニット13を持ち上げた時点)でクランクシャフトの上昇を停止する。これに伴い、高周波誘導加熱コイル体4は上部側のガイドチップ7aを介してジャーナル部5の上に一定の力で乗っかっている状態となる。なお、この場合、乗っかっている力Fは、既述の如くF=G×A÷Bであることから、上下旋回ガイド機構23の旋回支点Nを通る鉛直線から追従ユニット24の重心Mを通る鉛直線までの距離Aと、上下旋回ガイド機構23の旋回軸22の旋回支点Nを通る鉛直線から上部側のガイドチップ7aとジャーナル部5とが接触する点を通る鉛直線までの距離Bとの比で決まることとなる。そのため、この比を調整することによって、乗っかっている力Fを調整することができる。
次いで、このような状態の下で、ロックピン26をシリンダ27により引き上げて図2(a)に示す如く円筒部材29から外し、左右追従ガイド機構19及び前後追従ガイド機構17をアンロック状態にして、高周波誘導加熱コイル体4及びディスクトランス2を含む追従ユニット13の前後方向及び左右方向の移動を自由の状態にする。
しかる後に、クランクシャフトを軸線を中心に回転させ、ジャーナル部5の高周波誘導加熱を行う。この際、高周波誘導加熱コイル体4ひいては高周波誘導加熱コイル6は、前後方向、左右方向、及び上下方向(旋回方向)の移動が自由であるため、高周波誘導加熱中におけるクランクシャフトの曲がりなどにあわせて高周波誘導加熱コイル体4ひいては高周波誘導加熱コイル6が追従移動されることとなる。
次いで、所要の焼入温度に高周波誘導加熱されたクランクシャフトのジャーナル部5に、高周波誘導加熱コイル体4に一体に設けられた冷却ジャケット(図示せず)から冷却液を噴射することにより焼入を行う。或いは、クランクシャフトを下降移動させることにより、高周波誘導加熱したジャーナル部5を図外の冷却ジャケットから噴射する冷却液に当たる位置に配置し、その冷却液をジャーナル部5に噴射することにより焼入を行う。
なお、この際、クランクシャフトを下降させ、上部側のガイドチップ7aとジャーナル部5との接触がなくなることで、高周波誘導加熱コイル体4が下方に下降(回動)し、これに伴って位置決め部材31が位置決めストッパ30の上に乗っかり、上述の如く高周波誘導加熱コイル体4が持ち上げる前の位置に戻ることとなる。しかる後に、ロックピン26をシリンダ27にて下降させてロック状態にすることにより、追従ユニット13を前後方向及び左右方向の位置決めを行なって加工前の位置に戻す。
以上、本発明の一実施形態について述べたが、本発明はこの実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて各種の変形及び変更が可能である。例えば、既述の実施形態ではクランクシャフトのジャーナル部5を焼入処理する場合につき述べたが、例えばロボットなどで高周波焼入装置をクランクシャフトのピン部に追従させるようにした場合には、本発明の高周波焼入装置をクランクシャフトのピン部の高周波焼入に適用することが可能である。
本発明の一実施形態に係るクランクシャフトの高周波焼入装置を示すものであって、図1(a)は高周波焼入装置の正面図、図1(b)は高周波焼入装置の側面図である。 前後追従ガイド機構及び左右追従ガイド機構をアンロック状態又はロック状態に切り換える機構を示すものであって、図2(a)はアンロック状態を示す断面図、図2(b)はロック状態を示す断面図である。 高周波誘導加熱コイル体のストッパ機構を示すものであって、図3(a)は位置決めストッパに位置決め部材が係合した状態を示す正面図、図3(b)は位置決めストッパから位置決め部材が離れた状態を示す正面図である。 従来のクランクシャフトの高周波焼入装置を示す側面図である。
符号の説明
1 高周波焼入装置
2 ディスクトランス(カレントトランス)
4 高周波誘導加熱コイル体
5 ジャーナル部
6 高周波誘導加熱コイル
7a,7b,7c ガイドチップ
9 接続ホース
10 集合管
11,12 冷却ホース
13 追従ユニット
17 前後追従ガイド機構
19 左右追従ガイド機構
22 旋回軸
23 上下旋回ガイド機構
24 追従機構
26 ロックピン
29 円筒部材
30 位置決めストッパ
31 位置決め部材

Claims (1)

  1. ディスクトランスの横部に取付けられた高周波誘導加熱コイルを、軸線を中心に回転されるクランクシャフトのジャーナル部又はピン部に追従させながら前記ジャーナル部又はピン部を高周波誘導加熱して冷却することにより焼入を行うようにしたクランクシャフトの高周波焼入装置であって、
    前記ディスクトランス及び高周波誘導加熱コイルをジャーナル部又はピン部に追従させるための機構を、左右追従ガイド機構と、前後追従ガイド機構と、上下旋回ガイド機構とで構成し、
    前記ディスクトランス及び高周波誘導加熱コイルを含む追従ユニットの重心を前記上下旋回ガイド機構の旋回支点よりも前記高周波誘導加熱コイルの側の位置に配置するようにしたこと、
    を特徴とするクランクシャフトの高周波焼入装置。
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