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JP5311486B2 - Hybrid integrated circuit for microwave - Google Patents
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Description

この発明は、マイクロ波用ハイブリッド集積回路に係り、詳しくは、能動素子や受動素子等の回路素子から構成された複数のモジュールがそれぞれ封止される複数のキャビティを有するモジュール支持基板と、このモジュール支持基板を封止すると共に各モジュールにそれぞれ電気的接続される複数の接続端子を絶縁支持する封止容器とを備えるマイクロ波用ハイブリッド集積回路に関する。   The present invention relates to a microwave hybrid integrated circuit, and more specifically, a module support substrate having a plurality of cavities in which a plurality of modules each composed of a circuit element such as an active element and a passive element are sealed, and the module The present invention relates to a microwave hybrid integrated circuit including a sealing substrate that seals a support substrate and insulatively supports a plurality of connection terminals that are electrically connected to each module.

半導体装置の代表である集積回路(Integrated Circuit:IC)はシステム構成上、モノリシック(Monolithic)ICと、ハイブリッドIC(Hybrid Integrated Circuit、以下、単にHICとも言う)とに大別される。モノリシックICは、トランジスタ等の能動素子や、必要に応じてキャパシタ等の受動素子を1枚の半導体基板に集積して所望の機能を発揮させるように構成する。一方、HICは、個別の半導体デバイス又はIC及びそれらに付随する周辺回路等を構成する回路素子をそれぞれ回路基板に実装した複数のモジュール(以下、単にHICモジュールとも称する)を、相互に電気的接続して所望の機能を発揮させるように構成したものである。   Integrated circuits (ICs), which are representative of semiconductor devices, are broadly classified into monolithic ICs and hybrid integrated circuits (hereinafter also simply referred to as HICs) in terms of system configuration. The monolithic IC is configured such that an active element such as a transistor and a passive element such as a capacitor are integrated on a single semiconductor substrate as necessary to exhibit a desired function. On the other hand, the HIC electrically connects a plurality of modules (hereinafter also simply referred to as HIC modules) each having a circuit board on which circuit elements constituting individual semiconductor devices or ICs and peripheral circuits associated therewith are mounted. Thus, it is configured to exhibit a desired function.

ここで、HICは、各HICモジュールを高周波特性、高出力特性等の高性能を有する回路素子を用いて構成できるという自由度があるので、多機能化、高利得化が可能になるため、例えばマイクロ波領域において使用される通信機器等の電子機器に広く適用されている。   Here, since the HIC has a degree of freedom that each HIC module can be configured by using circuit elements having high performance such as high frequency characteristics and high output characteristics, it becomes possible to achieve multi-function and high gain. It is widely applied to electronic devices such as communication devices used in the microwave region.

図5は、この発明に関連する技術(以下、関連技術と言う)により作成されるHICの構成を示す平面図、また、図6は図5のB―B矢視断面図である。同HIC100は、図5及び図6に示すように、個別の半導体デバイス又はIC及びそれらに付随する周辺回路等を構成する回路素子101をそれぞれ回路基板102に実装した複数(例えば、2個)のモジュール103が、それぞれ封止される2個のキャビティ104A、104Bを有するモジュール支持基板105と、このモジュール支持基板105を封止すると共に、各モジュール103にそれぞれ電気的接続される2個の接続端子である入力端子106及び出力端子107を、それぞれ封止ガラス108を介して絶縁支持する金属パッケージ(封止容器)109とを備えている。   FIG. 5 is a plan view showing a configuration of an HIC created by a technique related to the present invention (hereinafter referred to as a related technique), and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. As shown in FIGS. 5 and 6, the HIC 100 includes a plurality of (for example, two) semiconductor devices or ICs and circuit elements 101 each constituting a peripheral circuit and the like associated therewith mounted on a circuit board 102. Module support substrate 105 having two cavities 104A and 104B to be sealed by module 103, and two connection terminals for sealing module support substrate 105 and being electrically connected to each module 103 A metal package (sealing container) 109 that insulates and supports the input terminal 106 and the output terminal 107 through the sealing glass 108 is provided.

モジュール支持基板105には、3個の横壁105A〜105Cが設けられて、2個のキャビティ104A、104Bが仕切られている。また、各横壁105A〜105Cの底部にはそれぞれ貫通ライン(フィードスルーライン)110A〜110Cが設けられている。さらに、入力端子106と貫通ライン110Aの一端との間、貫通ライン110Aの他端と一の回路基板102の一端との間、一の回路基板102の他端と貫通ライン110Bの一端との間、貫通ライン110Bの他端と他の回路基板102の一端との間、他の貫通ライン110Bの他端と貫通ライン110Cの一端との間、貫通ライン110Cの他端と出力端子107との間の計6箇所にはボンディングワイヤ111が接続されている。また、各キャビティ104A、104Bの内部空間はそれぞれ絶縁性基板から成る内部カバー112A、112Bによって封止されると共に、金属パッケージ109の内部空間は金属から成る外部カバー113によって封止されている。なお、図5では内容を理解し易くするために、内部カバー112A、112B及び外部カバー113を開放した状態で示している。さらに、各内部空間にはHIC100の特性を安定に維持するために、各モジュール103の酸化を防止する窒素のような不活性ガスが充填されている。符号114は、金属パッケージ109の内部空間にモジュール支持基板105を位置決めして固定するための枠体である。   The module support substrate 105 is provided with three lateral walls 105A to 105C to partition the two cavities 104A and 104B. Further, through lines (feed-through lines) 110A to 110C are provided at the bottoms of the horizontal walls 105A to 105C, respectively. Further, between the input terminal 106 and one end of the through line 110A, between the other end of the through line 110A and one end of the one circuit board 102, and between the other end of the one circuit board 102 and one end of the through line 110B. , Between the other end of the through line 110B and one end of the other circuit board 102, between the other end of the other through line 110B and one end of the through line 110C, and between the other end of the through line 110C and the output terminal 107. Bonding wires 111 are connected to a total of six locations. The internal spaces of the cavities 104A and 104B are sealed by internal covers 112A and 112B made of an insulating substrate, respectively, and the internal space of the metal package 109 is sealed by an external cover 113 made of metal. In FIG. 5, the inner covers 112 </ b> A and 112 </ b> B and the outer cover 113 are shown in an opened state for easy understanding of the contents. Furthermore, in order to maintain the characteristics of the HIC 100 stably, each internal space is filled with an inert gas such as nitrogen that prevents oxidation of each module 103. Reference numeral 114 denotes a frame for positioning and fixing the module support substrate 105 in the internal space of the metal package 109.

ところで、関連技術により作成されるHIC100では、図5及び図6から明らかなように、入力端子106と出力端子107とがともに金属パッケージ109の内部空間に配置されているので、両端子106、107間のアイソレーションが不十分であるという問題がある。このように両端子106、107間のアイソレーションが十分に確保できていない状態では、外部カバー113による金属パッケージ109の気密封止の前後で、両端子106、107間のマイクロ波信号(RF信号)の漏れ込み状態に変動が生じ、これによって特性の変化が大きくなるという不都合が生じる。加えて、両端子106、107間のアイソレーションの不十分さに基づいて、以下のような問題も発生する。すなわち、HIC100の組立時にはモジュール支持基板105に実装した各モジュール103の電気調整を行う必要があるが、これは入力端子106から出力端子107に信号を流して、出力信号を観察しながら電気調整が必要なモジュールのキャビティの内部カバーを開放した(外部カバー113も開放した)状態で行われる。あるいは、両端子106,107間には信号を流さずに、内部カバーを開放した状態で測定プローブを用いることでモジュールを調整する場合もある。例えば、キャビティ104Bのモジュール103の電気調整を行うときは、内部カバー112Bのみを開放して、モジュール103の電気調整が行われる。   By the way, in the HIC 100 produced by the related technology, as apparent from FIGS. 5 and 6, both the input terminal 106 and the output terminal 107 are arranged in the internal space of the metal package 109. There is a problem that the isolation between them is insufficient. Thus, in a state where the isolation between the terminals 106 and 107 is not sufficiently ensured, the microwave signal (RF signal) between the terminals 106 and 107 before and after the metal package 109 is hermetically sealed by the outer cover 113. ) Fluctuates in the leakage state, and this causes a disadvantage that the characteristic change becomes large. In addition, the following problems also occur based on insufficient isolation between the terminals 106 and 107. That is, when the HIC 100 is assembled, it is necessary to perform electrical adjustment of each module 103 mounted on the module support board 105. This is because electrical adjustment is performed while a signal is sent from the input terminal 106 to the output terminal 107 and the output signal is observed. It is performed in a state where the inner cover of the necessary module cavity is opened (the outer cover 113 is also opened). Alternatively, the module may be adjusted by using a measurement probe with the inner cover opened without passing a signal between the terminals 106 and 107. For example, when the electrical adjustment of the module 103 in the cavity 104B is performed, only the inner cover 112B is opened and the electrical adjustment of the module 103 is performed.

しかしながら、このようないずれの調整方法においても、内部カバー112Bを開放した状態では、そのキャビティ104Bと両端子106、107間のアイソレーションも十分に確保できないので、上述の場合と同様に特性の大きな変化が避けられない。特に、利得の大きいモジュールを用いる場合は、両端子106、107及び両キャビティ104A、104B間のフィードバックによって発振が生じて、そのモジュールの機能を損なう恐れがある。また、HIC100の多機能化、高利得化を図るためには、各モジュールを分割して各構成部分のアイソレーションを確保する必要性が生ずるので、その分金属パッケージ109のサイズが大きくなって、HIC100を適用する電子機器の小型軽量化が困難になる原因にもなる。   However, in any of these adjustment methods, when the inner cover 112B is opened, sufficient isolation cannot be secured between the cavity 104B and both the terminals 106 and 107. Change is inevitable. In particular, when a module having a large gain is used, oscillation may occur due to feedback between the terminals 106 and 107 and the cavities 104A and 104B, and the function of the module may be impaired. In addition, in order to increase the functionality and gain of the HIC 100, it becomes necessary to divide each module and ensure the isolation of each component. Therefore, the size of the metal package 109 is increased accordingly, This also becomes a cause of difficulty in reducing the size and weight of electronic devices to which the HIC 100 is applied.

このような観点から、金属パッケージ109内の両端子106、107間に電気的な仕切りを設けて十分なアイソレーションを確保する改善策が考えられているが、このようにすれば、金属パッケージ109の構造及び改善作業が複雑になるので、HIC100のコストアップが避けられなくなり、実用的でなくなる。   From such a point of view, an improvement measure for providing an electrical partition between both terminals 106 and 107 in the metal package 109 to ensure sufficient isolation is considered. Since the structure and improvement work are complicated, an increase in the cost of the HIC 100 is unavoidable and impractical.

一方、パッケージを構成する部品点数を減らすと共に組立作業の効率向上を目的としたHICが特許文献1に記載されている。図7は、特許文献1に記載のハイブリッド集積回路(HIC200)の構成を示す断面図である。特許文献1に記載のHIC200は、同図に示すように、基板201の同一面(一方の側)に、電源回路部207がパルストランス部202及び通信制御回路部203との間に電磁遮蔽用金属板211を介して搭載されて、全体が金属容器212内に収納されている。基板201の反対側には外部接続用ピン205が接続されている。   On the other hand, Patent Document 1 discloses an HIC for reducing the number of parts constituting a package and improving the efficiency of assembly work. FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a hybrid integrated circuit (HIC 200) described in Patent Document 1. In FIG. As shown in FIG. 1, the HIC 200 described in Patent Document 1 is for electromagnetic shielding between the power supply circuit unit 207 and the pulse transformer unit 202 and the communication control circuit unit 203 on the same surface (one side) of the substrate 201. It is mounted via the metal plate 211 and is entirely housed in the metal container 212. An external connection pin 205 is connected to the opposite side of the substrate 201.

また、特にマイクロ波用電子部品間に生ずる電気的干渉を除去し得るマイクロ波用電子部品間接続構造が特許文献2に開示されている。同接続構造は、一方のマイクロ波用電子部品の出力端子と他方のマイクロ波用電子部品の入力端子とが高周波伝送線路により接続してあり、同出力端子と同入力端子とを外部導体内において封じ込める導電性仕切板が設けてある。   In addition, Patent Document 2 discloses a connection structure between microwave electronic components that can eliminate electrical interference generated between microwave electronic components. In the connection structure, the output terminal of one microwave electronic component and the input terminal of the other microwave electronic component are connected by a high-frequency transmission line, and the output terminal and the input terminal are connected in an external conductor. A conductive partition plate is provided for containment.

実開平02−127070号公報Japanese Utility Model Publication No. 02-127070 特開昭63−310203号公報JP-A-63-310203

ところで、特許文献1に記載のHICでは、複数の接続端子が封止容器の内部空間において相互に絶縁される構成にはなっておらず、図7からも明らかなように、電磁遮蔽用金属板211が設けてあっても同接続端子に相当する両外部接続用ピン205はともに金属容器212の内部空間に配置されているので、両ピン205間のアイソレーションが不十分になるという、上述の関連技術と同様の問題点が発生する。なお、特許文献1に記載のHIC200では、同電磁遮蔽用金属板211は、電源回路部207とパルストランス部202及び通信制御回路部203との間の電磁遮蔽を行うために用いられている。また、同HIC200で示されている金属容器212は、この発明の前提となる金属パッケージ9のように複数の接続端子6A、6Bを絶縁支持するような構成にはなっておらず、図7からも明らかなように、両外部接続用ピン205の周囲は外部雰囲気と絶縁されていない。   Incidentally, in the HIC described in Patent Document 1, a plurality of connection terminals are not insulated from each other in the internal space of the sealing container. As is apparent from FIG. Even if 211 is provided, both the external connection pins 205 corresponding to the same connection terminal are disposed in the internal space of the metal container 212, so that the isolation between the two pins 205 is insufficient. Problems similar to those of related technologies occur. In the HIC 200 described in Patent Document 1, the electromagnetic shielding metal plate 211 is used for electromagnetic shielding between the power supply circuit unit 207, the pulse transformer unit 202, and the communication control circuit unit 203. Further, the metal container 212 shown in the HIC 200 is not configured to insulate and support the plurality of connection terminals 6A and 6B unlike the metal package 9 which is a premise of the present invention. As is apparent, the periphery of the external connection pins 205 is not insulated from the external atmosphere.

また、特許文献2に記載のマイクロ波用電子部品間接続構造では、一方のマイクロ波用電子部品の出力端子と他方のマイクロ波用電子部品の入力端子とを外部導体内において封じ込める導電性仕切板を設けているが、特許文献1に記載の電磁遮蔽用仕切板211も含めて、関連技術の説明で言及したように、金属パッケージの構造及び改善作業が複雑になるので、HICのコストアップが避けられなくなり、実用的でなくなる。   Moreover, in the connection structure between the electronic components for microwaves of patent document 2, the conductive partition plate which encloses the output terminal of one microwave electronic component and the input terminal of the other microwave electronic component in an external conductor However, as mentioned in the description of the related art, including the electromagnetic shielding partition plate 211 described in Patent Document 1, the structure and improvement work of the metal package become complicated, so that the cost of the HIC increases. Inevitable and impractical.

この発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、複数のモジュールにそれぞれ電気的接続される複数の接続端子を絶縁支持する封止容器を備える構成において、複数の接続端子間のアイソレーションを十分に確保することができるようにしたマイクロ波用ハイブリッド集積回路を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and in a configuration including a sealing container that insulates and supports a plurality of connection terminals that are electrically connected to a plurality of modules, isolation between the plurality of connection terminals is achieved. An object of the present invention is to provide a microwave hybrid integrated circuit that can be sufficiently secured.

上記課題を解決するために、この発明は、回路素子から構成された複数のモジュールがそれぞれ封止される複数のキャビティを有するモジュール支持基板と、該モジュール支持基板を封止すると共に、前記モジュールにそれぞれ電気的接続される複数の接続端子を絶縁支持する封止容器とを備えるマイクロ波用ハイブリッド集積回路に係り、入力用の前記接続端子と出力用の前記接続端子とが、外部から貫入され、かつ、互いに異なる前記キャビティの内部空間にそれぞれの端部が露出する態様で配置されている、ことを特徴としている。 In order to solve the above-described problems, the present invention provides a module support substrate having a plurality of cavities in which a plurality of modules each composed of a circuit element are sealed, and sealing the module support substrate. The present invention relates to a microwave hybrid integrated circuit including a sealing container that insulates and supports a plurality of connection terminals that are electrically connected to each other, and the connection terminal for input and the connection terminal for output are inserted from the outside, And it is arrange | positioned in the aspect which each edge part exposes to the internal space of the said cavity which is mutually different , It is characterized by the above-mentioned.

この発明のマイクロ波用ハイブリッド集積回路によれば、回路素子から構成された複数のモジュールがそれぞれ封止される複数のキャビティを有するモジュール支持基板と、このモジュール支持基板を封止すると共に、各モジュールにそれぞれ電気的接続される複数の接続端子を絶縁支持する封止容器とを備える構成において、入力用の上記接続端子と出力用の前記接続端子とが、外部から貫入され、かつ、互いに異なる上記キャビティの内部空間にそれぞれの端部が露出するように配置されるので、複数の接続端子間のアイソレーションを十分に確保できる。 According to the microwave hybrid integrated circuit of the present invention, a module support substrate having a plurality of cavities in which a plurality of modules each composed of circuit elements are sealed, and the module support substrate are sealed, and each module is sealed. And a sealing container that insulates and supports a plurality of connection terminals that are electrically connected to each other, wherein the connection terminal for input and the connection terminal for output are penetrated from the outside and are different from each other. Since each end is exposed in the internal space of the cavity, sufficient isolation between the plurality of connection terminals can be ensured.

この発明の実施形態であるマイクロ波用ハイブリッド集積回路の構成を示す平面図である。1 is a plan view showing a configuration of a microwave hybrid integrated circuit according to an embodiment of the present invention. 図1のA−A矢視断面図である。It is AA arrow sectional drawing of FIG. 同ハイブリッド集積回路の組立方法を工程順に示す工程図である。It is process drawing which shows the assembly method of the hybrid integrated circuit in process order. 同ハイブリッド集積回路の組立方法を工程順に示す工程図である。It is process drawing which shows the assembly method of the hybrid integrated circuit in process order. 関連技術により作成されるハイブリッド集積回路の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the hybrid integrated circuit produced by related technology. 図5のB−B矢視断面図である。It is BB arrow sectional drawing of FIG. 特許文献1に記載のハイブリッド集積回路の構成を示す断面図である。10 is a cross-sectional view showing a configuration of a hybrid integrated circuit described in Patent Document 1. FIG.

個別の半導体デバイス又はIC及びそれらに付随する周辺回路等を構成する回路素子1をそれぞれ回路基板2に実装した2個のモジュール3が、それぞれ封止される2個のキャビティ4A、4Bを有するモジュール支持基板5と、このモジュール支持基板5を封止すると共に、各モジュール3にそれぞれ電気的接続される2個の接続端子である入力端子6及び出力端子7を、それぞれ封止ガラス8を介して絶縁支持する金属パッケージ9とを備える構成において、入力端子6及び出力端子7はそれぞれモジュール支持基板5の対応した各キャビティ4A、4Bの内部空間にその端部が露出されるように配置されるので、両端子6、7は金属パッケージ9の内部空間において相互に絶縁される。   A module having two cavities 4A and 4B in which two modules 3 each mounted on a circuit board 2 are mounted with individual semiconductor devices or ICs and circuit elements 1 constituting peripheral circuits associated therewith. The support substrate 5 and the module support substrate 5 are sealed, and the input terminal 6 and the output terminal 7 which are two connection terminals electrically connected to each module 3 are respectively connected through the sealing glass 8. In the configuration including the metal package 9 for insulating support, the input terminal 6 and the output terminal 7 are arranged so that the ends thereof are exposed in the internal spaces of the corresponding cavities 4A and 4B of the module support substrate 5, respectively. Both terminals 6 and 7 are insulated from each other in the internal space of the metal package 9.

実施形態Embodiment

図1は、この発明の実施形態であるマイクロ波用ハイブリッド集積回路の構成を示す平面図、図2は図1のA−A矢視断面図、図3(a)〜(c)は同ハイブリッド集積回路の組立方法を工程順に示す工程図、また、図4(d)、(e)は同ハイブリッド集積回路の組立方法を工程順に示す工程図である。
この実施形態のマイクロ波用ハイブリッド集積回路20は、図1及び図2に示すように、個別の半導体デバイス又はIC及びそれらに付随する周辺回路等を構成する回路素子1をそれぞれ回路基板2に実装した2個のモジュール3が、それぞれ封止される2個のキャビティ4A、4Bを有するモジュール支持基板5と、このモジュール支持基板5を封止すると共に、各モジュール3にそれぞれ電気的接続される2個の接続端子である入力端子6及び出力端子7を、それぞれ封止ガラス8を介して絶縁支持する金属パッケージ(封止容器)9とを備えている。モジュール支持基板5としては、一般に高密度配線の実現の点で優れている例えば、セラミック等から構成された多層配線基板が用いられている。
FIG. 1 is a plan view showing the configuration of a microwave hybrid integrated circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 1, and FIGS. FIGS. 4D and 4E are process diagrams showing the assembly method of the hybrid integrated circuit in the order of steps.
In the microwave hybrid integrated circuit 20 of this embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, circuit elements 1 constituting individual semiconductor devices or ICs and peripheral circuits associated therewith are mounted on a circuit board 2. The module support substrate 5 having two cavities 4A and 4B to be sealed, and the module support substrate 5 are sealed and electrically connected to each module 3 respectively. A metal package (sealing container) 9 is provided that insulates and supports the input terminal 6 and the output terminal 7 that are individual connection terminals via a sealing glass 8. As the module support substrate 5, for example, a multilayer wiring substrate made of ceramic or the like that is generally excellent in realizing high-density wiring is used.

モジュール支持基板5には、3個の横壁5A〜5Cが設けられて、2個のキャビティ4A、4Bが仕切られている。また、各横壁5A〜5Cのうち中央の横壁5Bのみの底部に貫通ライン(フィードスルーライン)10が設けられている。ここで、後述の組立方法でも説明するように、モジュール支持基板5の底面には予め各キャビティ4A、4B内に貫通する抜け穴15が設けられて、この抜け穴15には、上述のように両端子6、7をそれぞれ封止ガラス8を介して一体に絶縁支持して、金属パッケージ9の一部となるように金属パッケージ9と気密を保持して一体化された金属凸部16がせり出ている。このような構成により、入力端子6及び出力端子7はそれぞれ、モジュール支持基板5の対応した各キャビティ4A、4Bの内部空間にその端部が露出されるように配置される。符号14は、金属パッケージ9の内部空間にモジュール支持基板5を位置決めして固定するための枠体、符号17は、各金属凸部16上に配置された中継基板である。   The module support substrate 5 is provided with three lateral walls 5A to 5C, and the two cavities 4A and 4B are partitioned. A through-line (feed-through line) 10 is provided at the bottom of only the central lateral wall 5B among the lateral walls 5A to 5C. Here, as will be described later in the assembling method, the bottom surface of the module support substrate 5 is provided with a through hole 15 penetrating into the cavities 4A and 4B in advance, and both terminals are provided in the through hole 15 as described above. 6 and 7 are integrally insulated and supported through the sealing glass 8, and the metal convex part 16 that is integrated with the metal package 9 so as to become a part of the metal package 9 protrudes. Yes. With such a configuration, the input terminal 6 and the output terminal 7 are arranged so that the end portions thereof are exposed in the internal spaces of the corresponding cavities 4 </ b> A and 4 </ b> B of the module support substrate 5. Reference numeral 14 denotes a frame for positioning and fixing the module support board 5 in the internal space of the metal package 9, and reference numeral 17 denotes a relay board arranged on each metal protrusion 16.

入力端子6と一の中継基板17の一端との間、一の中継基板17の他端と一の回路基板2の一端との間、一の回路基板2の他端と貫通ライン10の一端との間、貫通ライン10の他端と他の回路基板2の一端との間、他の回路基板2の他端と他の中継基板17の一端との間、他の中継基板17の他端と出力端子7との間の計6箇所にはボンディングワイヤ11が接続されている。また、各キャビティ4A、4Bの内部空間はそれぞれ絶縁性材料から成る内部カバー12A、12Bによって封止されると共に、金属パッケージ9の内部空間は金属から成る外部カバー13によって封止されている。なお、図1では内容を理解し易くするために、内部カバー12A、12B及び外部カバー13を開放した状態で示している。内部カバー12A、12Bは各キャビティ4A、4Bの本来の目的であるHICモジュール内部機能の分割を得るためのものである。一方、外部カバー13は、多層配線基板等から構成されるモジュール支持基板5を含んだ金属パッケージ9内の気密を保つためのものである。入力端子6及び出力端子7は、封止ガラス8の最適な厚み、径等によって気密が保たれており、モジュール支持基板5内の各キャビティ4A、4Bの気密を損なうことなく、HICモジュール外部とRF信号の伝達を実現させることができる。さらに、各内部空間にはHIC20の特性を安定に維持するために、各モジュール3の酸化を防止する窒素のような不活性ガスが充填されている。   Between the input terminal 6 and one end of one relay board 17, between the other end of one relay board 17 and one end of one circuit board 2, the other end of one circuit board 2, and one end of the penetration line 10 Between the other end of the through line 10 and one end of the other circuit board 2, between the other end of the other circuit board 2 and one end of the other relay board 17, and the other end of the other relay board 17 Bonding wires 11 are connected to a total of six locations between the output terminals 7. The internal spaces of the cavities 4A and 4B are sealed with internal covers 12A and 12B made of an insulating material, respectively, and the internal space of the metal package 9 is sealed with an external cover 13 made of metal. In FIG. 1, the inner covers 12 </ b> A and 12 </ b> B and the outer cover 13 are shown in an opened state for easy understanding of the contents. The inner covers 12A and 12B are for obtaining division of the internal function of the HIC module, which is the original purpose of the cavities 4A and 4B. On the other hand, the external cover 13 is for keeping airtightness in the metal package 9 including the module support substrate 5 composed of a multilayer wiring board or the like. The input terminal 6 and the output terminal 7 are kept airtight by the optimum thickness, diameter, etc. of the sealing glass 8, and without damaging the airtightness of the cavities 4 </ b> A and 4 </ b> B in the module support substrate 5. Transmission of the RF signal can be realized. Further, each internal space is filled with an inert gas such as nitrogen that prevents oxidation of each module 3 in order to maintain the characteristics of the HIC 20 stably.

上記構成のハイブリッド集積回路20において、入力端子6から入力されたRF信号は一の中継基板17を介して一のキャビティ4A内のモジュール3を構成する一の回路素子1に入力され、貫通ライン10を経由して他のキャビティ4B内に伝達される。このように伝達されたRF信号は、入力部分と同様にモジュール3を構成する他の回路素子1に入力され、他の中継基板17を介して出力端子7からモジュール3の外部へ出力される。   In the hybrid integrated circuit 20 having the above-described configuration, the RF signal input from the input terminal 6 is input to one circuit element 1 constituting the module 3 in one cavity 4A via one relay substrate 17, and the through line 10 Is transmitted to the other cavities 4B. The RF signal transmitted in this way is input to the other circuit elements 1 constituting the module 3 in the same manner as the input portion, and is output from the output terminal 7 to the outside of the module 3 via the other relay board 17.

次に、図3及び図4を参照して、この実施形態によるハイブリッド集積回路20の組立方法を工程順に説明する。
まず、図3(a)に示すように、枠体14により囲まれた金属パッケージ9の内部に位置し、かつ両端子6、7がそれぞれ封止ガラス8を介して一体に絶縁支持された金属凸部16を、気密を保持するように一体化した金属パッケージ9を用意する。金属凸部16は金属パッケージ9の形成時に切削等により一体化して形成される。
Next, the assembly method of the hybrid integrated circuit 20 according to this embodiment will be described in the order of steps with reference to FIGS.
First, as shown in FIG. 3 (a), a metal that is located inside a metal package 9 surrounded by a frame 14 and in which both terminals 6 and 7 are insulated and supported integrally through a sealing glass 8, respectively. A metal package 9 is prepared in which the protrusions 16 are integrated so as to maintain airtightness. The metal protrusions 16 are integrally formed by cutting or the like when the metal package 9 is formed.

次に、図3(b)に示すように、金属パッケージ9内に2個のキャビティ4A、4Bを有するモジュール支持基板5を接着剤等により固定する。以上により、入力端子6の端部が一のキャビティ4A内に露出すると共に、出力端子7の端部が他のキャビティ4B内に露出するようになる。続いて、モジュール支持基板5の一のキャビティ4A内に一の回路素子1及び回路基板2から成る一のモジュール3を実装するともに、他のキャビティ4B内に他の回路素子1及び回路基板2から成る他のモジュール3を実装する。さらに、金属凸部15上に中継基板17を接着剤等により固定する。   Next, as shown in FIG. 3B, the module support substrate 5 having two cavities 4A and 4B in the metal package 9 is fixed with an adhesive or the like. As a result, the end of the input terminal 6 is exposed in one cavity 4A, and the end of the output terminal 7 is exposed in the other cavity 4B. Subsequently, one module 3 composed of one circuit element 1 and circuit board 2 is mounted in one cavity 4A of the module support substrate 5, and another circuit element 1 and circuit board 2 are mounted in another cavity 4B. The other module 3 is mounted. Further, the relay substrate 17 is fixed on the metal convex portion 15 with an adhesive or the like.

次に、図3(c)に示すように、通常のワイヤボンディング方法により、入力端子6と一の中継基板17の一端との間、一の中継基板17の他端と一の回路基板2の一端との間、一の回路基板2の他端と貫通ライン10の一端との間、貫通ライン10の他端と他の回路基板2の一端との間、他の回路基板2の他端と他の中継基板17の一端との間、他の中継基板17の他端と出力端子7との間の計6箇所に、ボンディングワイヤ11を接続する。以上により、入力端子6と出力端子7との間に電気的経路が形成される。   Next, as shown in FIG. 3C, between the input terminal 6 and one end of one relay board 17, between the other end of one relay board 17 and one circuit board 2 by a normal wire bonding method. Between one end, between the other end of one circuit board 2 and one end of the through line 10, between the other end of the through line 10 and one end of the other circuit board 2, and the other end of the other circuit board 2 The bonding wires 11 are connected to a total of six locations between one end of the other relay substrate 17 and between the other end of the other relay substrate 17 and the output terminal 7. As a result, an electrical path is formed between the input terminal 6 and the output terminal 7.

次に、各キャビティ4A、4B内に配置されている各モジュール3の電気調整を行う。例えば、他のキャビティ4B内のモジュール3の電気調整を行うものとすると、図4(d)に示すように、一のキャビティ4A内を内部カバー12Aによって仮止めすることにより閉じて、他のキャビティ4Bのみを開放した状態で、入力端子6から出力端子7に信号を流して、出力信号を観察しながらそのモジュールの電気調整を行う。あるいは、両端子6,7間には信号を流さずに、内部カバーを開放した状態で測定プローブを用いることで調整するようにしてもよい。以上により、入力端子6と出力端子7とは同一空間に配置されていないので、両端子6、7間のアイソレーションが十分に確保された状態で電気調整を行うことができる。   Next, electrical adjustment of each module 3 arranged in each cavity 4A, 4B is performed. For example, when the electrical adjustment of the module 3 in the other cavity 4B is performed, as shown in FIG. 4D, the inside of the one cavity 4A is temporarily closed by the inner cover 12A, and the other cavity is closed. With only 4B open, a signal is sent from the input terminal 6 to the output terminal 7, and the module is electrically adjusted while observing the output signal. Or you may make it adjust by using a measurement probe in the state which opened the internal cover, without sending a signal between both the terminals 6 and 7. FIG. As described above, since the input terminal 6 and the output terminal 7 are not arranged in the same space, electrical adjustment can be performed in a state in which the isolation between the terminals 6 and 7 is sufficiently ensured.

次に、図4(e)に示すように、逆に他のキャビティ4B内を内部カバー12Bによって閉じて、一のキャビティ4Aのみを開放した状態で、上述に準じてモジュールの電気調整を行う。電気調整が終了したら、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気内で両内部カバー12A、12Bを横壁5A〜5C上に半田付け等により固定して、各キャビティ4A、4Bを封止する。続いて、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気内で外部カバー13を枠体14上に溶接等により固定して金属パッケージ9を封止することにより、図1及び図2のハイブリッド集積回路20が完成する。   Next, as shown in FIG. 4 (e), the other cavity 4B is closed by the inner cover 12B, and only one cavity 4A is opened, and the module is electrically adjusted according to the above. When the electrical adjustment is completed, the inner covers 12A and 12B are fixed on the lateral walls 5A to 5C by soldering or the like in an inert gas atmosphere such as nitrogen gas, and the cavities 4A and 4B are sealed. Subsequently, the outer cover 13 is fixed on the frame body 14 by welding or the like in an inert gas atmosphere such as nitrogen gas, and the metal package 9 is sealed, thereby completing the hybrid integrated circuit 20 of FIGS. 1 and 2. To do.

以上のようにして組立てられたこの実施形態のハイブリッド集積回路20によれば、封止容器の内部空間において、複数の接続端子(入力端子6及び出力端子7)が、マイクロ波信号の伝導を、相互に絶縁する態様で配置されることで、両端子6,7間のアイソレーションが十分に確保できるので、外部カバー13による金属パッケージ9の気密封止の前後でも、両端子6、7間のマイクロ波信号の漏れ込み状態に変動が生じなくなり、これによって特性の変化が大きくなるという不都合は解消される。また、両端子6,7間で十分なアイソレーションが確保されることに基づいて、各モジュール3の電気調整時においても、必要なモジュールのキャビティの内部カバーを開放しても、上述の場合と同様に特性の大きな変化を回避することができる。   According to the hybrid integrated circuit 20 of this embodiment assembled as described above, a plurality of connection terminals (input terminal 6 and output terminal 7) conduct microwave signals in the internal space of the sealed container. Since the two terminals 6 and 7 are sufficiently isolated from each other by being arranged so as to be insulated from each other, between the terminals 6 and 7 even before and after the metal package 9 is hermetically sealed by the outer cover 13. The inconvenience that fluctuations in the leakage state of the microwave signal do not occur and the characteristics change greatly is eliminated. Also, based on the fact that sufficient isolation is ensured between the terminals 6 and 7, even when the electrical adjustment of each module 3 is performed, even if the inner cover of the necessary module cavity is opened, Similarly, large changes in characteristics can be avoided.

さらに、特に、利得の大きいモジュールを用いる場合でも、両端子6、7及び両キャビティ4A、4B間のフィードバックによって発振が生じることもなくなり、そのモジュールの機能を損なうことを防止することができる。また、HIC20の多機能化、高利得化を図る場合でも、各モジュールを分割する必要性はなくなるので、金属パッケージ9のサイズを関連技術と略同じに保つことができるため、HIC20を適用する電子機器の小型軽量化を図ることができる。   In particular, even when a module with a large gain is used, oscillation does not occur due to feedback between the terminals 6 and 7 and the cavities 4A and 4B, and the function of the module can be prevented from being impaired. Even when the HIC 20 is multi-functional and has a high gain, it is not necessary to divide each module, so that the size of the metal package 9 can be kept substantially the same as the related technology. The device can be reduced in size and weight.

このように、この実施形態のハイブリッド集積回路20によれば、個別の半導体デバイス又はIC及びそれらに付随する周辺回路等を構成する回路素子1をそれぞれ回路基板2に実装した2個のモジュール3が、それぞれ封止される2個のキャビティ4A、4Bを有するモジュール支持基板5と、このモジュール支持基板5を封止すると共に、各モジュール3にそれぞれ電気的接続される2個の接続端子である入力端子6及び出力端子7を、それぞれ封止ガラス8を介して絶縁支持する金属パッケージ9とを備える構成において、入力端子6及び出力端子7はそれぞれモジュール支持基板5の対応した各キャビティ4A、4Bの内部空間にその端部が露出されるように配置されるので、両端子6、7は金属パッケージ9の内部空間において相互に絶縁される。
したがって、複数のモジュールにそれぞれ電気的接続される複数の接続端子を絶縁支持する封止容器を備える構成において、複数の接続端子間のアイソレーションを十分に確保することができる。また、モジュール支持基板5は多層配線基板を用いる例で説明したが、これに限らない。
As described above, according to the hybrid integrated circuit 20 of this embodiment, the two modules 3 in which the circuit elements 1 constituting the individual semiconductor devices or ICs and the peripheral circuits associated therewith are mounted on the circuit board 2 are provided. The module support board 5 having two cavities 4A and 4B to be sealed, and the input which is the two connection terminals that seal the module support board 5 and are electrically connected to each module 3, respectively. In the configuration including the metal package 9 that insulates and supports the terminal 6 and the output terminal 7 via the sealing glass 8, the input terminal 6 and the output terminal 7 respectively correspond to the corresponding cavities 4 </ b> A and 4 </ b> B of the module support substrate 5. The terminals 6 and 7 are arranged in the internal space of the metal package 9 because their ends are exposed in the internal space. It is insulated.
Therefore, in the configuration including the sealing container that insulates and supports the plurality of connection terminals that are electrically connected to the plurality of modules, sufficient isolation between the plurality of connection terminals can be ensured. Moreover, although the module support board | substrate 5 demonstrated in the example using a multilayer wiring board, it is not restricted to this.

この実施形態では、一例としてモジュール支持基板5に2個のキャビティを設ける例で説明したが、このキャビティの個数は、HICの機能、目的、用途等に応じて任意に増加することができる。また、モジュール支持基板5の底面に設ける抜け穴15の位置は、モジュール支持基板5の各キャビティ4A、4B内に入力端子6及び出力端子7の端部を露出させることができるような位置であれば任意に選ぶことができる。入力端子6及び出力端子7の個数も必要に応じて任意に選択できる。   In this embodiment, an example in which two cavities are provided in the module support substrate 5 has been described as an example, but the number of cavities can be arbitrarily increased according to the function, purpose, application, etc. of the HIC. Further, the position of the through hole 15 provided on the bottom surface of the module support substrate 5 is a position where the end portions of the input terminal 6 and the output terminal 7 can be exposed in the cavities 4A, 4B of the module support substrate 5. You can choose arbitrarily. The number of input terminals 6 and output terminals 7 can be arbitrarily selected as necessary.

マイクロ波領域を対象とする用途に限らず、デジタル回路を用いた用途全般にも応用可能である。特に多機能、高機能によってHICモジュールの入出力端子及びモジュール支持基板内のキャビティが増加するほど、各構成部分のアイソレーション、信号リークの低減が必要になってくるので、このような用途にこの発明を適用することにより効果が十分に発揮される。   The present invention is not limited to the use for the microwave region, but can be applied to all uses using a digital circuit. In particular, as the number of input / output terminals of the HIC module and the cavity in the module support board increase due to multiple functions and high functions, it becomes necessary to reduce the isolation and signal leakage of each component. The effect is sufficiently exerted by applying the invention.

1 回路素子
2 回路基板
3 モジュール
4A、4B キャビティ
5 モジュール支持基板
6 入力端子(接続端子)
7 出力端子(接続端子)
8 封止ガラス
9 金属パッケージ(封止容器)
10 貫通ライン
11 ボンディングワイヤ
12A、12B 内部カバー
13 外部カバー
14 枠体
15 抜け穴
16 金属凸部
17 中継基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Circuit element 2 Circuit board 3 Module 4A, 4B Cavity 5 Module support board 6 Input terminal (connection terminal)
7 Output terminal (connection terminal)
8 Sealing glass 9 Metal package (sealing container)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Through-line 11 Bonding wire 12A, 12B Inner cover 13 Outer cover 14 Frame 15 Hole 16 Metal convex part 17 Relay substrate

Claims (7)

回路素子から構成された複数のモジュールがそれぞれ封止される複数のキャビティを有するモジュール支持基板と、該モジュール支持基板を封止すると共に、前記モジュールにそれぞれ電気的接続される複数の接続端子を絶縁支持する封止容器とを備えるマイクロ波用ハイブリッド集積回路であって、
入力用の前記接続端子と出力用の前記接続端子とが、外部から貫入され、かつ、互いに異なる前記キャビティの内部空間にそれぞれの端部が露出する態様で配置されている、
ことを特徴とするマイクロ波用ハイブリッド集積回路。
A module support substrate having a plurality of cavities in which a plurality of modules each composed of circuit elements are sealed, and the module support substrate are sealed, and a plurality of connection terminals that are electrically connected to the modules are insulated. A microwave hybrid integrated circuit comprising a supporting sealing container,
The connection terminal for input and the connection terminal for output are arranged from the outside, and arranged in such a manner that the respective end portions are exposed in the internal spaces of the cavities different from each other .
A hybrid integrated circuit for microwaves.
前記モジュール支持基板が、多層配線基板から構成されていることを特徴とする請求項記載のマイクロ波用ハイブリッド集積回路。 It said module supporting substrate, a microwave hybrid integrated circuit according to claim 1, wherein Tei Rukoto is composed of a multilayer wiring board. 前記モジュール支持基板が、セラミックから構成されていることを特徴とする請求項又は記載のマイクロ波用ハイブリッド集積回路。 It said module supporting substrate, a microwave hybrid integrated circuit according to claim 1, wherein the Tei Rukoto composed of ceramic. 前記封止容器が、金属から構成されていることを特徴とする請求項1、2又は3記載のマイクロ波用ハイブリッド集積回路。 The sealing container, according to claim 1, 2 or 3 microwave hybrid integrated circuit wherein Tei Rukoto composed of metal. 前記封止容器の前記内部空間が、金属カバーによって封止されていることを特徴とする請求項記載のマイクロ波用ハイブリッド集積回路。 Wherein the internal space of the sealed container, microwave hybrid integrated circuit according to claim 4, wherein Tei Rukoto sealed by the metal cover. 前記封止容器の前記内部空間及び前記キャビティの前記内部空間に、不活性ガスが充填されていることを特徴とする請求項乃至のいずれか1に記載のマイクロ波用ハイブリッド集積回路。 Wherein in the internal space and the internal space of the cavity of the sealed container, microwave hybrid integrated circuit according to any one of claims 1 to 5 inert gas, characterized in Tei Rukoto filled. 前記複数の接続端子はそれぞれ、一体に絶縁支持された金属凸部が前記封止容器の一部として前記封止容器に気密に保持された状態で、前記金属凸部が前記モジュール支持基板の底面の一部に設けられた抜け穴にせり出るように配置されていることを特徴とする請求項1乃至のいずれか1に記載のマイクロ波用ハイブリッド集積回路。 Each of the plurality of connection terminals has a metal convex portion integrally insulated and supported by the sealing container as a part of the sealing container, and the metal convex portion is a bottom surface of the module support substrate. The hybrid integrated circuit for microwaves according to any one of claims 1 to 6 , wherein the hybrid integrated circuit for microwaves is disposed so as to protrude into a through hole provided in a part of the microwave.
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