JP5337304B2 - マイクロリソグラフィ投影露光装置及びそこに収容される光学面に関連するパラメータを測定する方法 - Google Patents
マイクロリソグラフィ投影露光装置及びそこに収容される光学面に関連するパラメータを測定する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5337304B2 JP5337304B2 JP2012519891A JP2012519891A JP5337304B2 JP 5337304 B2 JP5337304 B2 JP 5337304B2 JP 2012519891 A JP2012519891 A JP 2012519891A JP 2012519891 A JP2012519891 A JP 2012519891A JP 5337304 B2 JP5337304 B2 JP 5337304B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light beam
- optical surface
- mirror
- area
- illumination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
- G02B13/14—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation
- G02B13/143—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation for use with ultraviolet radiation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
- G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
- G02B17/0647—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
- G02B17/0663—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which not all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry, e.g. at least one of the mirrors is warped, tilted or decentered with respect to the other elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0825—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a flexible sheet or membrane, e.g. for varying the focus
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
Description
ここで、選択された区域kに関する面関連パラメータは、xkで与えられ、ykは、区域kに向けて誘導された測定光ビームに対して検出器ユニットによって測定された特性であり、Aklは、実数係数である。これらの実数係数は、例えば、較正により又はシミュレーションによって判断することができる。
図1は、投影光ビームを生成するための照明系12を含むVUV投影露光装置10の非常に簡略化した斜視図である。投影光ビームは、微細構造18を含むマスク16上の視野14を照明する。この実施形態では、照明視野14は、ほぼリングセグメントの形状を有する。しかし、照明視野14の他の形状、例えば、矩形形状も考えられている。
図2は、図1に示しているVUV照明系12を通るより詳細な子午断面図である。明瞭化の目的で、図2の図はかなり簡略化したものであり、正確な縮尺のものではない。これは、特に、異なる光学ユニットを非常に少数の光学要素のみで表すことを意味する。実際には、これらのユニットは、有意により多くのレンズ及び他の光学要素を含むことができる。
ミラーの向き、すなわち、傾斜軸56x、56y(図3を参照されたい)に関する傾斜角は、非常に正確に制御すべきである。この正確な制御の必要性は、感光面22上に生成されるパターンが、ミラーMijの向きに依存する系瞳平面70内の強度分布の変化に非常に影響され易いことによる。
新しい手法により、照明部材103によって照明されるスポットは、近接ミラーMijに延びることが許される。言い換えれば、放射照度分布118は、少なくとも1つの他のミラーMijに延びている。図8に図示の実施形態では、照明スポットは、全ての隣接ミラーMijに延びている。図9は、図7で仮定したように2つの照明部材が各ミラーMijに関連付けられる場合に関するこの手法を示している。図9で明らかなように、放射照度分布118a、118bは、隣のミラー要素Mijのうちの少なくとも1つに延びている。
測定精度の劣化は、ミラーMijの向きを個別に、すなわち、各ミラーMijに対して離間してではなく、隣のミラーMijのうちの少なくとも1つに対して得られた測定値に基づいて判断することによって防止される。
ここで、
=(y1,y2,...,yN)は、ミラーM1からMNに対して得られた測定値であり、
=(x1,x2,...,XN)は、ミラーM1からMNの傾斜角であり、
は、相対強度Aklを含む行列である。
は、完全に正確になることは決してなく、ある程度の欠陥を有する。従って、傾斜角:
は、欠陥を有する測定値に基づいて計算されることになり、それによって計算傾斜角:
は、一般的に実際の傾斜角とは若干異なることになる。当然ながら、傾斜角:
は、測定値:
に対して利用可能な精度よりも高い精度で判断することができない。むしろ測定傾斜角:
の精度が、測定値:
の精度よりも数桁分悪い危険性さえも存在する。しかし、シミュレーションにより、式(2)では、計算傾斜角:
の最大測定誤差が、測定値:
の測定誤差よりも若干しか大きくない(1.2倍よりも小さい)ことが示されている。計算傾斜角:
の平均測定誤差の場合には、いくつかの測定値が全ての計算値:
内に入ることから統計誤差が低減することに起因して、この平均測定誤差は、単一のミラーMkが照明されたかのように一層小さい。
ミラーMij上に照明されるスポットの最大強度点が、何故完全にミラーMijの面の中心に位置すべきであるかといういかなる確固たる理由も存在しない。むしろこれらの点のミラー面に対する若干ではあるが不規則な変位は、上述の計算方式の数値的安定性に対してプラスの効果を有することになる。それによってこの方式の関連におけるある一定の許容範囲を緩和することができる。放射照度分布118の中心120が、選択されたミラーMsの中心に位置しない例を図10に示している。
式(1)における係数Aklを判断するために、以下の較正法を適用することができる。
線形方程式の系(2)を解くことができるためには、全てのミラーに対して測定値:
を把握すべきである。言い換えれば、特定のミラーMkの傾斜角:
は、ミラーアレイ46の全てのミラーに関する測定値:
が得られた後にのみ判断することができる。
図13は、EUV放射線源30を有する照明系12と、反射マスク16と、投影対物系20とを含むEUV投影露光装置の概略図である。対物系20は、支持体24上に付加された感光面22上にマスク16の縮小像を形成する6つのミラーM1からM6を含む。
118 放射照度分布
120 最大強度点
Mji ミラー
Ms 選択されたミラー
Claims (15)
- マイクロリソグラフィ投影露光装置であって、
光学面(46;M6)と、
前記光学面(46;M6)上の複数の別々の区域(Mij)で該光学面に関連するパラメータを測定するように構成された測定デバイス(90)と、
を含み、
前記測定デバイス(90)は、
a)個々の測定光ビーム(94)を前記光学面上の前記区域(Mij)に向けて誘導するように構成された照明ユニット(92)であって、各測定光ビーム(94)が、区域(Mij)のうちの該測定光ビーム(94)に関連付けられた少なくとも一部分と、隣接区域(Mij)のうちの該測定光ビーム(94)に関連付けられていない少なくとも一部分とを照明する前記照明ユニット(92)と、
b)各測定光ビーム(94)に関する特性をそれが前記光学面(46;M6)と相互作用した後に測定するように構成された検出器ユニット(96)と、
c)選択された区域(Ms)に関する前記面に関連のパラメータを、
i)前記選択された区域(Ms)に関連付けられた前記測定光ビーム(94)と、
ii)前記選択された区域(Ms)に隣接する区域(Mij)に関連付けられた少なくとも1つの測定光ビーム(94)と、
に対して前記検出器ユニット(96)によって判断された前記特性に基づいて判断するように構成された評価ユニット(102)と、
を含む、
ことを特徴とする装置。 - 前記光学面(46;M6)に関連し、かつ前記複数の区域で測定される前記パラメータは、該光学面の形状を定めることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記光学面(46;M6)を変形するように構成された面変形ユニット(130)を含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の装置。
- 前記光学面(46;M6)は、それが前記測定光ビームの少なくとも実質的な部分を反射するように構成されることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の装置。
- 前記光学面は、制御信号に応答して可変である反射角によって入射光線を反射するようになったミラー(Mij)のアレイ(46)で形成され、
少なくとも1つの区域が、各ミラー面に関連付けられる、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - ミラー(Mij)の前記アレイ(46)は、装置の照明系(12)に配置され、
前記ミラー(Mij)は、投影光を前記照明系(12)の系瞳面(70)に向けて誘導する、
ことを特徴とする請求項5に記載の装置。 - 各測定光ビーム(94)が、前記関連付けられた区域(Mij)上に最大強度の点(120)を生成し、
前記最大強度の点(120)は、前記ミラー(Mij)の中心に関して僅かにかつ不規則に変位される、
ことを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の装置。 - 前記光学面上に前記測定光ビーム(94)によって照明されるスポットが、少なくとも部分的に重なることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の装置。
- 前記評価ユニット(102)は、前記照明ユニット(92)によって生成された全ての測定光ビーム(94)に対して前記検出器ユニット(96)によって判断された前記特性に基づいて、前記選択された区域(Ms)に関する前記面関連パラメータを判断するように構成されることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の装置。
- 前記係数Aklは、較正によって判断されることを特徴とする請求項10に記載の装置。
- 前記評価ユニット(102)は、前記選択された区域(Ms)に関する前記面関連パラメータを該選択された区域(Ms)の隣及び1つ置いて隣のものである区域(Mij)に向けて誘導された前記測定光ビーム(94)に対して前記検出器ユニット(96)によって判断された前記特性だけに基づいて判断するように構成されることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の装置。
- 前記照明ユニット(92)は、前記測定光ビーム(94)のうちの1つを放出するように構成された光射出ファセット(106)を各々が有する複数の照明部材(103)を含み、
前記光学面上で照明される前記区域(Mij)は、前記光射出ファセット(106)の像である、
ことを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の装置。 - 前記光学面(46)上に1つよりも多い光射出ファセット(106)を共通して結像する結像系(114,116)を含むことを特徴とする請求項13に記載の装置。
- マイクロリソグラフィ投影露光装置に収容された光学面に関連するパラメータを該光学面上の複数の別々の区域で測定する方法であって、
a)個々の測定光ビームを光学面上の区域に向けて誘導し、各測定光ビームが、該区域のうちの該測定光ビームに関連付けられた少なくとも一部分と隣接区域のうちの該測定光ビームに関連付けられていない少なくとも一部分とを照明する段階と、
b)各測定光ビームに関する特性をそれが前記光学面と相互作用した後に測定する段階と、
c)選択された区域に関する前記面に関連のパラメータを、
i)前記選択された区域に関連付けられた前記測定光ビームと、
ii)前記選択された区域に隣接する区域に関連付けられた少なくとも1つの測定光ビームと、
に対して段階b)で判断された前記特性に基づいて判断する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/EP2009/005225 WO2011006522A1 (en) | 2009-07-17 | 2009-07-17 | Microlithographic projection exposure apparatus and method of measuring a parameter related to an optical surface contained therein |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012533871A JP2012533871A (ja) | 2012-12-27 |
| JP5337304B2 true JP5337304B2 (ja) | 2013-11-06 |
Family
ID=42017926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012519891A Expired - Fee Related JP5337304B2 (ja) | 2009-07-17 | 2009-07-17 | マイクロリソグラフィ投影露光装置及びそこに収容される光学面に関連するパラメータを測定する方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8593645B2 (ja) |
| EP (1) | EP2454636B1 (ja) |
| JP (1) | JP5337304B2 (ja) |
| KR (1) | KR101373380B1 (ja) |
| CN (1) | CN102472974B (ja) |
| WO (1) | WO2011006522A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101680754B1 (ko) * | 2010-02-18 | 2016-12-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광학 헤드의 중첩 거리 결정 방법 및 이를 이용한 디지털 노광 장치 |
| DE102011075316A1 (de) * | 2011-05-05 | 2012-11-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Modul mit einer Messeinrichtung |
| CN102385082B (zh) * | 2011-10-31 | 2013-05-29 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种用于euv光刻系统的复眼反射镜制作方法 |
| WO2013094733A1 (ja) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | 株式会社ニコン | 計測方法、メンテナンス方法及びその装置 |
| DE102012207377A1 (de) * | 2012-05-03 | 2013-11-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik sowie optisches System für die EUV-Projektionslithographie |
| CN103424979A (zh) * | 2012-05-23 | 2013-12-04 | 华晶科技股份有限公司 | 远景检测装置及其远景检测方法 |
| TW201348689A (zh) * | 2012-05-23 | 2013-12-01 | Altek Corp | 遠景檢測裝置及其遠景檢測方法 |
| DE102012209412A1 (de) * | 2012-06-04 | 2013-12-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Verfahren und optische Messvorrichtung zum Messen von Winkellagen von Facetten zumindest eines Facettenspiegels für EUV-Anwendungen |
| DE102012212757A1 (de) * | 2012-07-20 | 2014-01-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum betreiben einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage |
| DE102012218221A1 (de) | 2012-10-05 | 2014-04-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Monitorsystem zum Bestimmen von Orientierungen von Spiegelelementen und EUV-Lithographiesystem |
| NL2011457A (en) | 2012-10-15 | 2014-04-16 | Asml Netherlands Bv | Actuation mechanism, optical apparatus, lithography apparatus and method of manufacturing devices. |
| CN103399463B (zh) * | 2013-07-19 | 2015-07-29 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 投影光刻机照明装置和使用方法 |
| DE102016203990A1 (de) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Beleuchtungssystems für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, Beleuchtungssystem und Messverfahren |
| US10909708B2 (en) * | 2016-12-09 | 2021-02-02 | Hand Held Products, Inc. | Calibrating a dimensioner using ratios of measurable parameters of optic ally-perceptible geometric elements |
| JP7087268B2 (ja) * | 2017-03-16 | 2022-06-21 | 株式会社ニコン | 検査装置及び検査方法、露光装置及び露光方法、並びに、デバイス製造方法 |
| JP7020859B2 (ja) * | 2017-10-24 | 2022-02-16 | キヤノン株式会社 | 照明光学系、露光装置および物品の製造方法 |
| KR102678312B1 (ko) * | 2018-10-18 | 2024-06-25 | 삼성전자주식회사 | Euv 노광 장치와 노광 방법, 및 그 노광 방법을 포함한 반도체 소자 제조 방법 |
| CN111367070A (zh) * | 2020-03-20 | 2020-07-03 | 清华大学 | 一种具有高效倍频性能的大口径激光频率转换系统与方法 |
| CN116472498A (zh) | 2020-11-24 | 2023-07-21 | Asml控股股份有限公司 | 多物镜量测系统、光刻设备及其方法 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5523193A (en) * | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
| NL9100410A (nl) * | 1991-03-07 | 1992-10-01 | Asm Lithography Bv | Afbeeldingsapparaat voorzien van een focusfout- en/of scheefstandsdetectie-inrichting. |
| WO1997033204A1 (en) * | 1996-03-04 | 1997-09-12 | Asm Lithography B.V. | Lithopraphic apparatus for step-and-scan imaging of a mask pattern |
| JP3927774B2 (ja) * | 2000-03-21 | 2007-06-13 | キヤノン株式会社 | 計測方法及びそれを用いた投影露光装置 |
| DE20122615U1 (de) * | 2000-08-03 | 2006-09-14 | Reflectivity Inc., Sunnyvale | Mikrospiegelelemente, Gehäuse für Mikrospiegelelemente und zugehöriges Projektionssystem |
| EP1365270B1 (en) * | 2001-01-30 | 2012-01-18 | Panasonic Corporation | Variable mirror and information apparatus comprising variable mirror |
| JP4401060B2 (ja) * | 2001-06-01 | 2010-01-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リトグラフ装置、およびデバイス製造方法 |
| JP4324957B2 (ja) | 2002-05-27 | 2009-09-02 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
| KR100480620B1 (ko) | 2002-09-19 | 2005-03-31 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법 |
| DE10327733C5 (de) | 2003-06-18 | 2012-04-19 | Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zur Formung eines Lichtstrahls |
| US7714983B2 (en) | 2003-09-12 | 2010-05-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for a microlithography projection exposure installation |
| SG110196A1 (en) * | 2003-09-22 | 2005-04-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US6847461B1 (en) * | 2004-01-29 | 2005-01-25 | Asml Holding N.V. | System and method for calibrating a spatial light modulator array using shearing interferometry |
| ATE511668T1 (de) | 2004-02-17 | 2011-06-15 | Zeiss Carl Smt Gmbh | Beleuchtungssystem für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsvorrichtung |
| US7116404B2 (en) * | 2004-06-30 | 2006-10-03 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20060087634A1 (en) | 2004-10-25 | 2006-04-27 | Brown Jay M | Dynamic illumination uniformity and shape control for lithography |
| US7548302B2 (en) * | 2005-03-29 | 2009-06-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7197828B2 (en) * | 2005-05-31 | 2007-04-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing FPD chuck Z position measurement |
| US7567756B2 (en) * | 2005-08-03 | 2009-07-28 | Capella Photonics | Method of automatic adjustment of dither amplitude of MEMS mirror arrays |
| US7804603B2 (en) * | 2006-10-03 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Measurement apparatus and method |
| WO2008095695A2 (de) * | 2007-02-06 | 2008-08-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren und vorrichtung zur überwachung von mehrfachspiegelanordnungen in einem beleuchtungssystem einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage |
| JP5267029B2 (ja) * | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
| JP5639894B2 (ja) | 2007-12-21 | 2014-12-10 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置用の照明系 |
| EP2388649B1 (en) * | 2007-12-21 | 2013-06-19 | Carl Zeiss SMT GmbH | Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic exposure apparatus |
| CN102349026B (zh) * | 2009-03-13 | 2015-07-29 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 微光刻投射曝光设备 |
-
2009
- 2009-07-17 EP EP09777279.2A patent/EP2454636B1/en active Active
- 2009-07-17 CN CN200980160470.1A patent/CN102472974B/zh active Active
- 2009-07-17 JP JP2012519891A patent/JP5337304B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-07-17 WO PCT/EP2009/005225 patent/WO2011006522A1/en not_active Ceased
- 2009-07-17 KR KR1020127004134A patent/KR101373380B1/ko active Active
-
2011
- 2011-12-20 US US13/330,964 patent/US8593645B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2454636A1 (en) | 2012-05-23 |
| KR101373380B1 (ko) | 2014-03-13 |
| CN102472974A (zh) | 2012-05-23 |
| CN102472974B (zh) | 2014-05-07 |
| EP2454636B1 (en) | 2013-06-05 |
| US20120105865A1 (en) | 2012-05-03 |
| JP2012533871A (ja) | 2012-12-27 |
| WO2011006522A1 (en) | 2011-01-20 |
| US8593645B2 (en) | 2013-11-26 |
| KR20120037995A (ko) | 2012-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5337304B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置及びそこに収容される光学面に関連するパラメータを測定する方法 | |
| JP5587917B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置 | |
| US10191382B2 (en) | Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic exposure apparatus | |
| JP5525608B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置においてマスクを照明するための照明系 | |
| US8797507B2 (en) | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus having a temperature control device | |
| JP6643466B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影装置を動作させる方法およびそのような装置の照明システム | |
| KR20140063761A (ko) | 공간 광 변조기의 검사 방법 및 장치, 및 노광 방법 및 장치 | |
| CN119013619A (zh) | 校准分面反射镜的配置、方法、与计算机程序产品 | |
| KR20250068696A (ko) | 조명 광학 장치 내에서 조명 빔 경로를 조정하는 방법 및 조정 시스템을 갖춘 조명 광학 장치 | |
| JP2014203905A (ja) | 照明方法及び装置、並びに露光方法及び装置 | |
| EP4625047A1 (en) | Method for optimizing the emission of electromagnetic radiation of an illumination system of a projection exposure apparatus, illumination system, projection exposure apparatus | |
| JP2012099687A (ja) | 光源調整方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120319 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130624 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130703 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130802 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5337304 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |