JP5346745B2 - 無線タグ運用システム - Google Patents
無線タグ運用システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5346745B2 JP5346745B2 JP2009196378A JP2009196378A JP5346745B2 JP 5346745 B2 JP5346745 B2 JP 5346745B2 JP 2009196378 A JP2009196378 A JP 2009196378A JP 2009196378 A JP2009196378 A JP 2009196378A JP 5346745 B2 JP5346745 B2 JP 5346745B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wireless tag
- circuit
- reader
- writer
- memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 67
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 110
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 101100206390 Caenorhabditis briggsae tag-125 gene Proteins 0.000 description 6
- 101100102886 Caenorhabditis elegans wdr-5.1 gene Proteins 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- 230000008571 general function Effects 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Description
(実施の形態1)
(実施の形態2)
102 無線タグ
103 リーダ/ライタ
104 物品
105 無線タグ
106 リーダ/ライタ
111 プロット
112 プロット
114 プロット
122 無線タグ
123 リーダ/ライタ
124 距離制御手段
125 無線タグ
126 領域
127 領域
131 一般ユーザー
132 上級ユーザー
135 机
136 エリア
137 エリア
138 引き出し
139 柱
140 門扉
141 詰め所
142 ガラス窓
143 小部屋
144 小部屋
Claims (4)
- 無線タグと、第1の通信装置と、第2の通信装置と、を用いた無線タグ運用システムであって、
前記無線タグは、メモリと、第1の回路と、第2の回路と、を有し、
前記第1の回路は、前記メモリからデータを読み出すことができる機能を有し、
前記第2の回路は、前記メモリにデータを書き込むことができる機能を有し、
前記第1の通信装置は、前記無線タグに前記1の回路を動作させことができる電力を出力することができる機能を有し、
前記第2の通信装置は、前記無線タグに前記第1の回路及び前記第2の回路を動作させることができる電力を出力することができる機能を有し、
前記第1の通信装置と前記第2の通信装置とは、Q値が異なることを特徴とする無線タグ運用システム。 - 無線タグと、第1の通信装置と、第2の通信装置と、を用いた無線タグ運用システムであって、
前記無線タグは、メモリと、第1の回路と、第2の回路と、を有し、
前記第1の回路は、前記メモリからデータを読み出すことができる機能を有し、
前記第2の回路は、前記メモリにデータを書き込むことができる機能を有し、
前記第1の通信装置は、前記無線タグに前記1の回路を動作させことができる電力を出力することができる機能を有し、
前記第2の通信装置は、前記無線タグに前記第1の回路及び前記第2の回路を動作させることができる電力を出力することができる機能を有し、
前記第1の通信装置と前記第2の通信装置とは、共振周波数が異なることを特徴とする無線タグ運用システム。 - 無線タグと、第1の通信装置と、第2の通信装置と、を用いた無線タグ運用システムであって、
前記無線タグは、メモリと、第1の回路と、第2の回路と、を有し、
前記第1の回路は、前記メモリからデータを読み出すことができる機能を有し、
前記第2の回路は、前記メモリにデータを書き込むことができる機能を有し、
前記第1の通信装置は、第1のアンテナを有し、
前記第2の通信装置は、第2のアンテナを有し、
前記第1の通信装置は、前記無線タグに前記1の回路を動作させことができる電力を出力することができる機能を有し、
前記第2の通信装置は、前記無線タグに前記第1の回路及び前記第2の回路を動作させることができる電力を出力することができる機能を有し、
前記第1アンテナと前記第2のアンテナとは、指向性が異なることを特徴とする無線タグ運用システム。 - 請求項1乃至3のいずれか一項において、
前記第1の通信装置のユーザーを、物品の購入予定者とし、
前記第2の通信装置のユーザーを、物品の販売者とすることを特徴とする無線タグ運用システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009196378A JP5346745B2 (ja) | 2009-08-27 | 2009-08-27 | 無線タグ運用システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009196378A JP5346745B2 (ja) | 2009-08-27 | 2009-08-27 | 無線タグ運用システム |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011048617A JP2011048617A (ja) | 2011-03-10 |
| JP2011048617A5 JP2011048617A5 (ja) | 2012-09-13 |
| JP5346745B2 true JP5346745B2 (ja) | 2013-11-20 |
Family
ID=43834868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009196378A Expired - Fee Related JP5346745B2 (ja) | 2009-08-27 | 2009-08-27 | 無線タグ運用システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5346745B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101754095B1 (ko) * | 2011-04-29 | 2017-07-05 | 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 | 세탁용 rfid 태그 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4455722B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2010-04-21 | 株式会社日立国際電気 | Icカードのリーダライタ装置 |
| JPWO2006106579A1 (ja) * | 2005-03-31 | 2008-09-11 | 富士通株式会社 | リーダライタ装置、リーダライタ制御方法およびリーダライタ制御プログラム |
| JP2006350541A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Hitachi Maxell Ltd | 非接触通信担体 |
| JP2007026143A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非接触icカードリーダライタ |
-
2009
- 2009-08-27 JP JP2009196378A patent/JP5346745B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2011048617A (ja) | 2011-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7471488B2 (ja) | 半導体装置 | |
| CN1808689B (zh) | 半导体器件制作方法 | |
| US7465647B2 (en) | Manufacturing method of thin film integrated circuit device and manufacturing method of non-contact type thin film integrated circuit device | |
| JP4942998B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 | |
| JP4494003B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US7561052B2 (en) | ID label, ID tag, and ID card | |
| JP5376706B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| TWI390733B (zh) | 無線晶片及其製造方法 | |
| KR101098406B1 (ko) | 반도체장치, 무선 칩, ic 카드, ic 태그, 트랜스폰더,지폐, 유가증권, 여권, 전자 기기, 가방 및 의류 | |
| KR101258671B1 (ko) | 반도체장치의 제조방법, ic 카드, ic 태그, rfid,트랜스폰더, 지폐, 유가증권, 여권, 전자 기기, 가방 및의류 | |
| KR20060041894A (ko) | 반도체 디바이스, ic카드, ic 태그, rfid, 트랜스폰더, 지폐, 유가 증권, 여권, 전자 기기, 가방 및 의복 | |
| JP2009009558A (ja) | 半導体装置及び当該半導体装置を具備するicラベル、icタグ、icカード | |
| JP5346745B2 (ja) | 無線タグ運用システム | |
| JP5089037B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP5100012B2 (ja) | 半導体装置及びその作製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120731 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120731 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130516 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130529 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130621 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130806 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130819 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5346745 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |