JP5375199B2 - 電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品の製造方法に関し、より特定的には、複数の絶縁体層が積層されてなる積層体を有する電子部品の製造方法に関する。

従来の電子部品の製造方法としては、例えば、特許文献１に記載の多層セラミック基板の製造方法が知られている。図１０は、特許文献１に記載の多層セラミック基板の積層体１０１の分解図である。

積層体１０１は、基体用グリーンシート１０２及び収縮抑制用グリーンシート１０３，１０４が積層されて構成されている。基体用グリーンシート１０２は、例えば、ＢａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系のセラミック材料からなる層である。収縮抑制用グリーンシート１０３，１０４は、例えば、アルミナなどからなる層であり、基体用グリーンシート１０２の焼結温度では焼結しない。また、収縮抑制用グリーンシート１０３は、図１０に示すように、周縁部１０５が、中央部１０６よりも厚く形成されている。

特許文献１に記載の多層セラミック基板によれば、周縁部１０５が、中央部１０６よりも厚く形成されているので、周縁部１０５における収縮抑制効果を発揮させる拘束力がより強くなる。その結果、焼成後の積層体１０１において、反りのような不所望な変形が生じることを抑制できる。

しかしながら、特許文献１に記載の多層セラミック基板では、積層体１０１にデラミネーション（層間剥離）が発生するおそれがある。より詳細には、収縮抑制用グリーンシート１０３は、周縁部１０５と中央部１０６との境界において段差を有している。そのため、圧着時に、周縁部１０５と中央部１０６との境界の段差に、基体用グリーンシート１０２が十分に回り込まず、隙間が形成されてしまうおそれがある。その結果、積層体１０１において、かかる隙間からデラミネーションが発生するおそれがある。

特開２００１−１４４４３７号公報

そこで、本発明の目的は、積層体に反りが発生することを抑制できると共に、デラミネーションが発生することを抑制できる電子部品の製造方法を提供することである。

本発明の一形態に係る電子部品の製造方法は、複数の第１の絶縁体層が積層されてなる積層体を有する電子部品の製造方法であって、焼成時に消失する樹脂ビーズを含有するペーストからなる消失層が、積層方向の上面又は下面の一部に設けられた前記積層体を作製する工程と、前記積層体に対して積層方向に圧着を施して、該積層体の上面又は下面に前記消失層を埋没させる工程と、前記積層体を焼成する工程と、を備えていること、を特徴とする。

本発明によれば、積層体に反りが発生することを抑制できると共に、デラミネーションが発生することを抑制できる。

本発明の実施形態に係る多層基板の製造方法において作製される多層基板を備えた回路モジュールの外観斜視図である。 第１の実施形態に係る多層基板の製造方法にて作製される多層基板の断面構造図である。 積層体の製造過程における工程断面図である。 積層体の製造過程における工程断面図である。 積層体の製造過程における工程断面図である。 積層体の製造過程における工程断面図である。 実験の説明図である。 第２の実施形態に係る多層基板の製造方法にて作製される多層基板を備えた回路モジュールの断面構造図である。 図８の多層基板の模式図である。 特許文献１に記載の多層セラミック基板の積層体の分解図である。

以下に本発明に係る電子部品の製造方法の実施形態である多層基板の製造方法について説明する。

（第１の実施形態）
（多層基板の構成）
以下に、本発明の第１の実施形態に係る多層基板の製造方法において作製される多層基板の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施形態に係る多層基板の製造方法において作製される多層基板１０ａ，１０ｂを備えた回路モジュール１ａ，１ｂの外観斜視図である。図２は、多層基板１０ａの断面構造図である。多層基板１０ａにおいて、ｚ軸方向は、積層方向を示す。ただし、本実施形態では、ｚ軸方向の正方向側の絶縁体層から負方向側の絶縁体層へと順に積層される。しかしながら、以下では、便宜上、ｚ軸方向の正方向側を上側とし、ｚ軸方向の負方向側を下側とする。また、積層体１２の長辺に沿った方向をｘ軸方向とし、積層体１２の短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。また、ｘ軸方向、ｙ軸方向及びｚ軸方向の正方向及び負方向は、積層体１２の中心を基準とする。なお、図２以下の断面構造図では、理解の容易のために、図１の外観斜視図の縦横比及び窪みＧの広さを変更して記載してある。

回路モジュール１ａは、図１に示すように、多層基板１０ａ及び複数の実装部品８０により構成されている。多層基板１０ａは、図１に示すように、積層体１２、外部電極１４（１４ａ〜１４ｆ）を備えている。積層体１２は、図２に示すように、絶縁体層１６（１６ａ〜１６ｒ）が積層されることにより構成され、直方体状をなしている。絶縁体層１６は、Ｂａ−Ａｌ−Ｓｉ系セラミックからなる長方形状の層である。

積層体１２には、図１及び図２に示すように、ｚ軸方向の正方向側に位置する上面において、窪みＧが設けられている。窪みＧは、図１及び図２に示すように、ｚ軸方向の最も正方向側に位置している絶縁体層１６ａの対角線の交点Ｂを含む領域に設けられている。なお、図１及び図２において、窪みＧは、強調して記載してある。したがって、実際に形成される窪みＧは、図１及び図２に示したものよりも浅い場合が多い。

また、積層体１２は、配線からなる回路、及び、コイルやコンデンサ等の回路素子（図１及び図２では図示せず）を内蔵している。回路及び回路素子は、例えば、絶縁体層１６に設けられている内部導体（図示せず）やビアホール導体（図示せず）等により構成されている。

外部電極１４（１４ａ〜１４ｆ）、図１に示すように、積層体１２のｚ軸方向の負方向側の底面に設けられている。具体的には、外部電極１４ａ〜１４ｃは、積層体１２のｚ軸方向の負方向側の底面において、ｘ軸方向の正方向側の辺に沿って、ｙ軸方向の正方向側に向かってこの順に並んでいる。外部電極１４ｄ〜１４ｆは、積層体１２のｚ軸方向の負方向側の底面において、ｘ軸方向の負方向側の辺に沿って、ｙ軸方向の正方向側に向かってこの順に並んでいる。また、外部電極１４は、積層体１２に内蔵されている配線及び回路素子に接続されている。

実装部品８０は、図１に示すように、多層基板１０ａのｚ軸方向の正方向側の上面において、窪みＧ内部に実装されている。該実装部品８０は、例えば、コイル、コンデンサ或いは抵抗などの素子又は半導体集積回路であり、多層基板１０ａのｚ軸方向の正方向側の上面に設けられた端子（図示せず）を介して多層基板１０ａ内部の回路及び回路素子と接続されている。

（多層基板の製造方法）
次に、多層基板１０ａの製造方法について図面を参照しながら説明する。図３ないし図６は、積層体１２の製造過程における工程断面図である。なお、図３から図６では、一つの積層体１２の製造過程が示されている。しかしながら、実際には、マザー積層体がカットされることにより複数の積層体１２が同時に作製される。

まず、絶縁体層１６となるべきセラミックグリーンシートを準備する。具体的には、酸化バリウム（ＢａＯ）、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）及び酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を、調合・混合し、８００℃〜１０００℃の温度で仮焼した。得られた仮焼粉末をジルコニアボールミルにより１２時間かけて粉砕して、セラミック粉末を得る。

このセラミック粉末に対して、トルエン・エキネン等の有機溶媒、バインダー及び可塑剤を加えて混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、図３（ａ）に示すように、キャリアシート１１８（１１８ａ〜１１８ｒ）上にシート状に形成して乾燥させ、絶縁体層１６（１６ａ〜１６ｒ）となるべきセラミックグリーンシート１１６（１１６ａ〜１１６ｒ）を作製する。この際、セラミックグリーンシート１１６の厚みを５０μｍとした。

次に、最上層となるセラミックグリーンシート１１６ａ上に、端子パターン（図示せず）を形成する。また、最下層となるセラミックグリーンシート１１６ｒ上に、外部電極１４となる表面電極パターンを形成する。また、セラミックグリーンシート１１６上に、回路素子となる内部導体パターン（図示せず）及びビアホール導体パターン（図示せず）を形成する。端子パターン、表面電極パターン及び内部導体パターンの形成は、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより行われる。また、ビアホール導体パターンの形成は、セラミックグリーンシート１１６にレーザビームを照射してスルーホールを形成し、該スルーホールに導体ペーストを充填することにより行われる。

次に、図３（ｂ）に示すように、セラミックグリーンシート１１６ａ上に、５μｍ〜５０μｍの厚みを有する消失層２０を、スクリーン印刷法により形成する。消失層２０は、積層体１２の焼成時に消失する樹脂ビーズを含有するペーストからなる層である。消失層２０は、セラミックグリーンシート１１６ａにおいて、絶縁体層１６ａの対角線の交点Ｂを含む領域に形成される。また、消失層２０は、絶縁体層１６ａの面積の３０％〜８０％の面積を有していることが望ましい。

次に、各セラミックグリーンシート１１６を積層する。具体的には、図４（ａ）に示すように、消失層２０が台５０に対向するように、セラミックグリーンシート１１６ａを台５０上に配置する。そして、セラミックグリーンシート１１６ａからキャリアシート１１８ａを剥がす。

次に、図４（ｂ）に示すように、セラミックグリーンシート１１６ａ上に、セラミックグリーンシート１１６ｂを配置する。この際、キャリアシート１１８ｂを下側に押えて、セラミックグリーンシート１１６ｂをセラミックグリーンシート１１６ａに対して仮圧着する。３０ＭＰａ〜５０ＭＰａの圧力で、２秒〜１０秒間の長さで仮圧着を行う。この後、セラミックグリーンシート１１６ｃ〜１１６ｒも、セラミックグリーンシート１１６ｂと同じ方法により仮圧着する。以上の工程により、図５に示すように、消失層２０がｚ軸方向の上面の一部に設けられたマザー積層体が作製される。なお、本実施形態では、１８層のセラミックグリーンシート１１６を積層したが、後述する実施例では、３０層のセラミックグリーンシート１１６を積層した。

次に、マザー積層体を袋に入れ、静水圧プレスなどにより本圧着を施す。１４０ＭＰａ〜１８０ＭＰａの圧力で、６０秒間の長さで本圧着を行う。これにより、消失層２０は、図６（ａ）に示すように、マザー積層体の上面に埋没する。このときの消失層２０の厚みは、１５μｍである。

次に、マザー積層体に焼成を施す。焼成は、例えば、９８０℃で２時間の条件で行う。焼成において、図６（ｂ）に示すように、消失層２０は消失する。その結果、マザー積層体の上面には、窪みＧが形成される。更に、焼成により、絶縁体層、内部導体、ビアホール導体、端子及び外部電極となる表面導体からなる積層体１２の集合体を得る。この後、ダイサーにより、該積層体１２の集合体を所定寸法（６．７５ｍｍ×５．１５ｍｍ×０．６ｍｍ）の積層体１２にカットできるように、マザー積層体に溝を形成する。そして、マザー積層体を溝に沿って積層体１２に分割する。

最後に、銅からなる表面電極に、Ｎｉめっき／Ａｕめっきを施すことにより、外部電極１４を形成する。以上の工程を経て、図１及び図２に示すような多層基板１０ａが完成する。

（効果）
以上のような多層基板１０ａの製造方法によれば、以下に説明するように、積層体１２に反りが発生することを抑制できる。より詳細には、多層基板１０ａの製造方法では、図５に示すような消失層２０が設けられたマザー積層体に対して本圧着を行っている。これにより、マザー積層体の上面は、図６（ａ）に示すように、消失層２０により圧縮されて窪む。その結果、図６（ａ）に示すように、消失層２０よりもｚ軸方向の負方向側の領域Ｒ１の密度は、その他の領域Ｒ２，Ｒ３の密度よりも高くなる。ここで、マザー積層体の焼成時において、相対的に密度が高い領域Ｒ１は、相対的に密度が低い領域Ｒ２，Ｒ３に比べて、収縮しにくい。その結果、マザー積層体の焼成時に、領域Ｒ１においてマザー積層体の収縮が抑制されることにより、積層体１２に大きな反りが発生することが抑制される。

なお、消失層２０の面積は、絶縁体層１６ａの面積の３０％以上８０％以下であることが望ましい。以下に説明する。

消失層２０の面積が絶縁体層１６ａの面積の３０％未満である場合には、領域Ｒ１の面積が小さいため、収縮が低減されない領域Ｒ２，Ｒ３が広くなってしまう。そのため、領域Ｒ２，Ｒ３において大きな反りが発生してしまう。よって、消失層２０の面積は、絶縁体層１６ａの面積の３０％以上であることが好ましい。

一方、消失層２０の面積が絶縁体層１６ａの面積の８０％より大きい場合には、領域Ｒ１の面積が大きすぎて、本圧着の力が分散されて、十分な深さを有する窪みＧが形成されない。そのため、領域Ｒ１の密度が十分に高くならず、領域Ｒ１の収縮が十分に低減されない。よって、消失層２０の面積は、絶縁体層１６ａの面積の８０％以下であることが好ましい。

また、多層基板１０ａの製造方法では、以下に説明するように、積層体１２にデラミネーションが発生することを抑制できる。より詳細には、特許文献１に記載の多層セラミック基板では、図１０に示すように、収縮抑制用グリーンシート１０３は、周縁部１０５と中央部１０６との境界において段差を有している。そのため、圧着時に、周縁部１０５と中央部１０６との境界の段差に、基体用グリーンシート１０２が十分に回り込まず、隙間が形成されてしまうおそれがある。その結果、積層体１０１において、かかる隙間からデラミネーションが発生するおそれがある。

一方、多層基板１０ａでは、ｚ軸方向の最も正方向側に位置するセラミックグリーンシート１１６ａ以外のセラミックグリーンシート１１６ｂ〜１１６ｒは、図１０に示した段差を有していない。そのため、セラミックグリーンシート１１６ａ〜１１６ｒの間において隙間が発生しにくい。その結果、積層体１２においてデラミネーションが発生することが抑制される。

また、多層基板１０ａの製造方法では、以下に説明するように、比較的簡単な方法により多層基板１０ａを作成することができる。より詳細には、特許文献１に記載の多層セラミック基板では、図１０に示すように、収縮抑制用グリーンシート１０３において、周縁部１０５は、中央部１０６よりも厚く形成されている。このような収縮抑制用グリーンシート１０３は、均一な厚みを有するグリーンシートに、ペーストがスクリーン印刷等によって塗布されることにより作製される。よって、収縮抑制用グリーンシート１０３の作製は、複雑な工程が必要であった。

一方、多層基板１０ａの製造方法では、セラミックグリーンシート１１６は、均一な厚みを有している。そのため、セラミックグリーンシート１１６は、収縮抑制用グリーンシート１０３に比べて容易に作製可能である。その結果、多層基板１０ａの製造方法では、比較的簡単な方法により多層基板１０ａを作成することができる。

（実施例）
以下に、実施例に係る多層基板１０ａの製造方法について説明する。

第１の実施例に係る多層基板１０ａの製造方法では、消失層２０の樹脂ビーズとして、表１に示す架橋アクリル樹脂ビーズ（試料番号Ｂ−１）を用いた。

次に、第１の実施例に係る多層基板１０ａの製造方法では、消失層２０の形成に用いられるペーストを、以下の手順により作製した。まず、表２に示すエチルセルロース樹脂（バインダー樹脂（試料番号Ｐ−１））を、表３に示すジヒドロターピニルアセテート（有機溶媒（試料番号Ｌ−１））に表４に示す割合で溶解して、有機ビヒクル（試料番号ＣＶ−１）を作製した。そして、表１の架橋アクリル樹脂ビーズ（試料番号Ｂ−１）と有機ビヒクル（試料番号ＣＶ−１）とを、表５に示した組成で調合し、３本ロールにより混練・分散させることにより、消失層２０のペーストを得た。そして、該ペーストを用いて、多層基板１０ａを作製した。

表１には、樹脂ビーズの粒子径Ｄ₅₀が示されている。Ｄ₅₀とは、体積換算で積算分布が５０％となるときの粒子径である。ここでは、以下の条件で測定を行った。

装置名：マイクロトラックＨＲＡ
溶媒：エキネン
前処理：３００Ｗ×６０秒
屈折率：１．５１

また、表３には、三次元溶解性パラメーターの極性成分が示されている。三次元溶解性パラメーターは、以下の式（１）に示される。

σｐ＝（ΣＦｐｉ²）^1/2／Ｖ ・・・（１）
σｐ：極性力成分（Ｊ／ｍｌ）^1/2
Ｆｐｉ：モル引力定数の極性力成分（Ｊ^1/2・ｍｌ^-3/2・／ｍｏｌ^-1）
Ｖ：モル体積：（ｍｌ／ｍｏｌ）

次に、第２の実施例に係る多層基板１０ａの製造方法について説明する。第２の実施例に係る多層基板１０ａの製造方法では、消失層２０の樹脂ビーズとして、表６に示すプロピレン樹脂ビーズ（試料番号Ｂ−２）を用いた。

次に、第２の実施例に係る多層基板１０ａの製造方法では、消失層２０の形成に用いるペーストを、以下の手順により作製した。まず、表２に示すエチルセルロース樹脂（バインダー樹脂（試料番号Ｐ−１））を、表７に示すテキサノール（有機溶媒（試料番号Ｌ−２））に表８に示す割合で溶解して、有機ビヒクル（試料番号ＣＶ−２）を作製した。そして、表６のプロピレン樹脂ビーズ（試料番号Ｂ−２）と有機ビヒクル（試料番号ＣＶ−２）とを、表９に示した組成で調合し、３本ロールにより混練・分散させることにより、消失層２０のペーストを得た。そして、該ペーストを用いて、多層基板１０ａを作製した。

次に、第３の実施例ないし第１８の実施例に係る多層基板１０ａの製造方法について説明する。第３の実施例ないし第１０の実施例に係る多層基板１０ａの製造方法では、消失層２０の樹脂ビーズとして、表１に示す架橋アクリル樹脂ビーズ（試料番号Ｂ−１）を用いた。また、第１１の実施例ないし第１８の実施例に係る多層基板１０ａの製造方法では、消失層２０の樹脂ビーズとして、表６に示すプロピレン樹脂ビーズ（試料番号Ｂ−２）を用いた。

次に、第３の実施例ないし第１８の実施例に係る多層基板１０ａの製造方法では、消失層２０の形成に用いるペーストを、以下の手順により作製した。まず、表２に示すエチルセルロース樹脂（バインダー樹脂（試料番号Ｐ−１））を、表１０に示す８種類の有機溶媒（試料番号Ｌ−３〜Ｌ−１０）に表１１に示す割合で溶解して、８種類の有機ビヒクル（試料番号ＣＶ３〜ＣＶ１０）を作製した。

次に、表１の架橋アクリル樹脂ビーズ（試料番号Ｂ−１）又は表６のプロピレン樹脂ビーズ（試料番号Ｂ−２）と表１１の有機ビヒクル（試料番号ＣＶ３〜ＣＶ１０）とを、表１２に示した組成で調合し、３本ロールにより混練・分散させることにより、消失層２０のペーストを得た。そして、該ペーストを用いて、多層基板１０ａを作製した。

（実験結果）
本願発明者は、本実施形態に係る多層基板１０ａの製造方法が奏する効果をより明確なものとするために、以下に説明する第１の実験を行った。具体的には、第１の実施例ないし第１８の実施例に係る多層基板１０ａの製造方法（以下、第１の実施例ないし第１８の実施例に係る製造方法と称す）にて多層基板１０ａを作製すると共に、以下に説明する第１の比較例及び第２の比較例に係る電子部品の製造方法（以下、第１の比較例及び第２の比較例に係る製造方法と称す）にて電子部品を作製した。第１の比較例に係る製造方法は、消失層２０を形成しない点においてのみ、第１の実施例に係る製造方法と異なる。また、第２の比較例に係る製造方法は、第１の実施例に係る製造方法の表５に示すペーストの代わりに、樹脂ビーズを含有しないペーストであって、表４に示す有機ビヒクル（試料番号ＣＶ−１）のみからなるペーストを塗布した点においてのみ、第１の実施例に係る製造方法と異なる。

本願発明者は、第１の実施例ないし第１８の実施例に係る製造方法にて製造した多層基板１０ａ、並びに、第１の比較例及び第２の比較例に係る製造方法にて製造した多層基板２１０を用いて、以下の実験を行った。図７は、実験の説明図である。本願発明者は、多層基板１０ａ，２１０をガラス板３００上に配置した。本願発明者は、多層基板１０ａ，２１０とガラス板３００とが最も離れた位置における隙間の大きさを、反り量ｈとして計測した。本実施形態では、多層基板１０ａ，２１０の長手方向における一方端側をガラス板３００に押し付けたときに、他方端側において多層基板１０ａ，２１０とガラス基板３００とが最も離れた位置における隙間の大きさを反り量ｈとした。反り量ｈの計測には、レーザー変位計を用いた。そして、本願発明者は、反り量ｈが、６０μｍ未満の電子部品を良品（◎）と判定し、１００μｍ未満の電子部品を良品（○）と判定し、１００μｍ以上の電子部品を不良品（×）と判定した。表１３は、実験結果を示した表である。

表１３に示すように、第１の実施例ないし第１８の実施例の製造方法により作製された多層基板１０ａは、全て良品（○）であると判定された。一方、第１の比較例及び第２の比較例に係る製造方法により作製された多層基板２１０は、いずれも不良品（×）であると判定された。なお、多層基板２１０では、反り量ｈは、１２０μｍであった。以上の第１の実験により、多層基板１０ａの製造方法において、樹脂ビーズ及び有機ビヒクルからなるペーストにより消失層２０を形成し、本圧着時にマザー積層体に消失層２０を埋没させることにより、焼成後において多層基板１０ａに発生する反りを抑制できることが分かる。

また、本願発明者は、消失層２０の形成に用いるペーストの保存安定性を調べるために、以下に説明する第２の実験を行った。より詳細には、第１の実施例ないし第１８の実施例に係る製造方法において用いたペーストを、ラボラン瓶（３０ｍｌ）に投入後、４０℃の熱風乾燥炉内に７日間保管した。そして、保管前と７日経過後におけるペーストの粘度変化率をブルックフィールド型粘度計２０ｒｐｍにて測定した。本願発明者は、粘度変化率が、１０％未満のペーストを良品（◎）と判定し、１０％以上２０％未満のペーストを良品（○）と判定し、２０％以上のペーストを不良品（×）と判定した。表１３は、実験結果を示した表である。

表１３によれば、全ての実施例に係る製造方法で用いたペーストが良品であると判定された。特に、第１の実施例ないし第５の実施例、第８の実施例ないし第１３の実施例、及び、第１５の実施例に係る製造方法で用いるペーストは、粘度変化率が極めて小さかった。

以上の第２の実験を総括すると、第１の実施例、及び、第３の実施例ないし第１０の実施例に係る製造方法では、樹脂ビーズとして架橋アクリル樹脂ビーズ（試料番号Ｂ−１）を含有するペーストを用いている。そして、第１の実施例、第３の実施例ないし第５の実施例、並びに、第８の実施例ないし第１０の実施例に係る製造方法に用いたペーストが、特に、保存安定性に優れていることが分かる。これらの実施例に係る製造方法に用いたペーストの有機溶媒（試料番号Ｌ−１，Ｌ−３〜Ｌ−５，Ｌ−８〜Ｌ−１０）は、５．３（Ｊ／ｍｌ）^1/2以上６．６（Ｊ／ｍｌ）^1/2以下、又は、２．３（Ｊ／ｍｌ）^1/2以下の三次元溶解性パラメーターの極性成分を有している（表３及び表１０を参照）。よって、樹脂ビーズとして、架橋アクリル樹脂ビーズ（試料番号Ｂ−１）を用いた場合には、有機ビヒクルの有機溶媒の三次元溶解性パラメーターの極性成分は、５．３（Ｊ／ｍｌ）^1/2以上６．６（Ｊ／ｍｌ）^1/2以下、又は、２．３（Ｊ／ｍｌ）^1/2以下であることが好ましい。

また、第１１の実施例ないし第１８の実施例に係る製造方法では、樹脂ビーズとしてプロピレン樹脂ビーズ（試料番号Ｂ−２）を含有するペーストを用いている。そして、第１１の実施例ないし第１３の実施例、及び、第１５の実施例に係る製造方法に用いたペーストが、特に、保存安定性に優れていることが分かる。これらの実施例に係る製造方法に用いたペーストの有機溶媒（Ｌ−３〜Ｌ−５，Ｌ−７）は、４．６（Ｊ／ｍｌ）^1/2以上６．６（Ｊ／ｍｌ）^1/2以下の三次元溶解性パラメーターの極性成分を有している（表１０参照）。よって、樹脂ビーズとして、プロピレン樹脂ビーズ（試料番号Ｂ−２）を用いた場合には、有機ビヒクルの有機溶媒の三次元溶解性パラメーターの極性成分は、４．６（Ｊ／ｍｌ）^1/2以上６．６（Ｊ／ｍｌ）^1/2以下であることが好ましい。

ところで、第２の実施例に係る製造方法においても、樹脂ビーズとしてプロピレン樹脂ビーズ（試料番号Ｂ−２）を含有するペーストを用いている。該ペーストが含有している有機ビヒクル（試料番号ＣＶ−２）の有機溶媒（試料番号Ｌ−２）の三次元溶解性パラメーターの極性成分は、表７によれば３．１（Ｊ／ｍｌ）^1/2である。よって、該ペーストが含有している有機ビヒクル（試料番号ＣＶ−２）の有機溶媒（試料番号Ｌ−２）の三次元溶解性パラメーターの極性成分は、４．６（Ｊ／ｍｌ）^1/2以上６．６（Ｊ／ｍｌ）^1/2以下から外れている。しかしながら、第２の実験によれば、第２の実施例に係る製造方法に用いたペーストは、優れた保存安定性を有している。これは、有機ビヒクルが有機溶媒としてテキサノール（試料番号Ｌ−２）を含有しているためと考えられる。よって、樹脂ビーズとしてプロピレン樹脂ビーズ（試料番号Ｂ−２）を用いた場合には、テキサノール（試料番号Ｌ−２）を含有する有機ビヒクルを用いることにより、ペーストが優れた保存安定性を有するようになる。

（第２の実施形態）
以下に、本発明の第２の実施形態に係る多層基板の製造方法について図面を参照しながら説明する。図８は、多層基板１０ｂの断面構造図である。多層基板１０ｂにおいて、ｚ軸方向は、積層方向を示す。ただし、本実施形態では、ｚ軸方向の正方向側の絶縁体層から負方向側の絶縁体層へと順に積層される。しかしながら、以下では、便宜上、ｚ軸方向の正方向側を上側とし、ｚ軸方向の負方向側を下側とする。また、積層体１２の長辺に沿った方向をｘ軸方向とし、積層体１２の短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。また、ｘ軸方向、ｙ軸方向及びｚ軸方向の正方向及び負方向は、積層体１２の中心を基準とする。

以下、多層基板１０ａと多層基板１０ｂとの相違点を中心に説明を行う。図８に示すように、多層基板１０ｂの積層体１２は、絶縁体層２６ａ，１６ｂ，２６ｃ，１６ｄ，２６ｅ，１６ｆ，２６ｇ，１６ｈ，２６ｉ，１６ｊ，２６ｋ，１６ｌ，２６ｍ，１６ｎ，２６ｏ，１６ｐ，２６ｑ，１６ｒがこの順に積層されることにより構成されている。すなわち、多層基板１０ｂの積層体１２では、多層基板１０ａの積層体１２において、絶縁体層１６ａ，１６ｃ，１６ｅ，１６ｇ，１６ｉ，１６ｋ，１６ｍ，１６ｏ，１６ｑが、絶縁体層２６（２６ａ，２６ｃ，２６ｅ，２６ｇ，２６ｉ，２６ｋ，２６ｍ，２６ｏ，２６ｑ）に置き換えられている。

ここで、絶縁体層２６は、絶縁体層１６の焼結温度（９８０℃）では焼結しない収縮抑制用セラミック材料により構成されている。収縮抑制用セラミック材料は、例えば、Ａｌ₂Ｏ₃粉末、ガラスフリット及び有機ビヒクルにより構成されている。該絶縁体層２６は、焼結しないので、焼成によって殆ど収縮しない。よって、絶縁体層２６が用いられることにより、多層基板１０ｂにおいて、積層体１２に反りが発生することが効果的に抑制される。

更に、多層基板１０ｂでは、絶縁体層２６が積層されたマザー積層体に対して消失層２０を埋没させている。そのため、図９の多層基板１０ｂの模式図に示すように、領域Ｒ１内の絶縁体層２６は、領域Ｒ２，Ｒ３内の絶縁体層２６に比べて、ｚ軸方向の負方向側に押し下げられている。その結果、領域Ｒ１と領域Ｒ２，Ｒ３との境界において、絶縁体層２６が階段状をなしている。すなわち、絶縁体層２６は、ｘｙ平面内に広がっているだけでなく、ｚ軸方向にも広がりを有している。そのため、積層体１２では、絶縁体層２６によって、ｘ軸方向及びｙ軸方向の収縮のみならず、ｚ軸方向の収縮も抑制されている。その結果、多層基板１０ｂでは、積層体１２に反りが発生することがより効果的に抑制される。なお、図８では、図面が煩雑になることを防止するために、絶縁体層２６を階段状に記載していない。また、図９では、絶縁体層２６の内、一部の絶縁体層２６を抽出して太線で記載してある。

以下に、多層基板１０ｂの製造方法について、多層基板１０ａの製造方法との相違点を中心に説明する。多層基板１０ｂの製造方法では、絶縁体層２６に用いるペーストを、Ａｌ₂Ｏ₃粉末、ガラスフリット及び有機ビヒクルを混合することにより作製する。そして、絶縁体層１６ｂ，１６ｄ，１６ｆ，１６ｈ，１６ｊ，１６ｌ，１６ｎ，１６ｐ，１６ｒとなるべきセラミックグリーンシート上に、絶縁体層２６に用いるペーストを塗布する。そして、得られたセラミックグリーンシートを積層することにより、積層体１２が得られる。なお、多層基板１０ｂにおけるその他の工程は、多層基板１０ａのその他の工程と同じであるので説明を省略する。

（実施例）
以下に、実施例に係る多層基板１０ｂの製造方法について説明する。実施例に係る多層基板１０ｂの製造方法は、絶縁体層２６を用いる点以外において第１の実施例に係る多層基板１０ａの製造方法と同じである。具体的には、実施例に係る多層基板１０ｂの製造方法では、消失層２０の樹脂ビーズとして、表１に示す架橋アクリル樹脂ビーズ（試料番号Ｂ−１）を用いた。

次に、実施例に係る多層基板１０ｂの製造方法では、消失層２０の形成に用いるペーストを、以下の手順により作製した。まず、表２に示すエチルセルロース樹脂（バインダー樹脂（試料番号Ｐ−１））を、表３に示すジヒドロターピニルアセテート（有機溶媒（試料番号Ｌ−１））に表４に示す割合で溶解して、有機ビヒクル（試料番号ＣＶ−１）を作製した。そして、表１の架橋アクリル樹脂ビーズ（試料番号Ｂ−１）と有機ビヒクル（試料番号ＣＶ−１）とを、表５に示した組成で調合し、３本ロールにより混練・分散させることにより、消失層２０のペーストを得た。そして、該ペーストを用いて、多層基板１０ｂを作製した。

以上のような実施例に係る多層基板１０ｂにおいても、多層基板１０ａと同様に第１の実験及び第２の実験を行った。その結果、多層基板１０ａは、基板の反り及び保存安定性の両方において、良品（◎）と判定された。よって、多層基板１０ｂでは、絶縁体層２６を用いることにより、多層基板１０ａに比べて、より効果的に反りの発生を抑制できていることが分かる。

（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品の製造方法は、第１の実施形態及び第２の実施形態に示した多層基板１０ａ，１０ｂの製造方法に限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。例えば、多層基板１０ｂでは、絶縁体層１６と絶縁体層２６とが交互に設けられている。しかしながら、絶縁体層１６と絶縁体層２６とは、交互に並んでいる必要はない。例えば、絶縁体層１６の数の方が絶縁体層２６の数よりも多くてもよい。また、図８では、ｚ軸方向の最も正方向側に絶縁体層２６が位置している。しかしながら、絶縁体層１６がｚ軸方向の最も正方向側に位置していてもよい。

また、多層基板１０ａにおいて、積層体１２は、絶縁体層１６ａ〜１６ｒの順に積層されることにより作製されている。しかしながら、絶縁体層１６の積層順はこれに限らない。したがって、絶縁体層１６ｒから絶縁体層１６ａへと順に積層されてもよい。なお、多層基板１０ｂについても同様のことが言える。

また、消失層２０は、積層体１２の上面に設けられるとしたが、下面に設けられてもよい。

なお、消失層２０は、マザー積層体に埋没したときに、１５μｍの厚みとなっている。ただし、該消失層２０は、マザー積層体に埋没したときに、１０μｍ〜５０μｍの厚みを有していればよく、より好ましくは、２０μｍ〜４０μｍの厚みを有していることが望ましい。なお、消失層２０の厚みの調整は、ペーストを重ね塗りする回数を調整することによって行うことができる。多層基板１０ａ，１０ｂの製造方法では、特に、１５μｍの厚みにペーストを２回塗布することが好ましい。

本発明は、電子部品の製造方法に有用であり、特に、積層体に反りが発生することを抑制できると共に、デラミネーションが発生することを抑制できる点において優れている。

１ａ，１ｂ 回路モジュール
１０ａ，１０ｂ 多層基板
１２ 積層体
１４ａ〜１４ｆ 外部電極
１６ａ〜１６ｒ，２６ａ，２６ｃ ，２６ｅ，２６ｇ，２６ｉ，２６ｋ，２６ｍ，２６ｏ，２６ｑ 絶縁体層
２０ 消失層
８０ 実装部品
１１６ａ〜１１６ｒ セラミックグリーンシート

Claims (8)

1. 複数の第１の絶縁体層が積層されてなる積層体を有する電子部品の製造方法であって、
   焼成時に消失する樹脂ビーズを含有するペーストからなる消失層が、積層方向の上面又は下面の一部に設けられた前記積層体を作製する工程と、
   前記積層体に対して積層方向に圧着を施して、該積層体の上面又は下面に前記消失層を埋没させる工程と、
   前記積層体を焼成する工程と、
   を備えていること、
   を特徴とする電子部品の製造方法。
2. 前記積層体を作製する工程において、前記第１の絶縁体層の焼結温度では焼結しない収縮抑制用セラミック材料を含む第２の絶縁体層、及び、該第１の絶縁体層を積層することを、
   特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
3. 前記ペーストは、前記樹脂ビーズ及びビヒクルを含有していること、
   を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
4. 前記樹脂ビーズは、架橋アクリル樹脂ビーズであり、
   前記ビヒクルは、５．３（Ｊ／ｍｌ）^1/2以上６．６（Ｊ／ｍｌ）^1/2以下又は２．３（Ｊ／ｍｌ）^1/2以下の三次元溶解性パラメーターの極性成分を有する有機溶媒、及び、バ
   インダー樹脂からなること、
   を特徴とする請求項３に記載の電子部品の製造方法。
5. 前記樹脂ビーズは、プロピレン樹脂ビーズであり、
   前記ビヒクルは、４．６（Ｊ／ｍｌ）^1/2以上６．６（Ｊ／ｍｌ）^1/2以下の三次元溶解性パラメーターの極性成分を有する有機溶媒、及び、バインダー樹脂からなること、
   を特徴とする請求項３に記載の電子部品の製造方法。
6. 前記樹脂ビーズは、ポリプロピレン樹脂ビーズであり、
   前記ビヒクルは、テキサノール及びバインダー樹脂からなること、
   を特徴とする請求項３に記載の電子部品の製造方法。
7. 前記積層体の前記上面又は前記下面は、長方形状をなしており、
   前記消失層は、前記上面又は前記下面の対角線の交点を含む領域に設けられていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
8. 前記積層体に圧着を施す工程において、前記消失層は、前記積層体の前記上面又は前記下面に埋没すること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の電子部品の製造方法。

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