JP5394012B2

JP5394012B2 - 電子部品のメッキ装置

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Inventors: 利文溝上
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Description

本発明は、電子部品素子が形成され側面に金属膜が形成された長尺基板にメッキを施す電子部品のメッキ装置に関し、例えば、チップ形電子部品の電極等にメッキを施すことが可能な電子部品のメッキ装置に関するものである。

チップ形抵抗器、チップ形コンデンサ、チップ形インダクタ等の小型電子部品は、回路基板上にハンダ付けする際のハンダ付け性能の向上や電気的導通を確保するため、それら小型電子部品の外部電極にメッキが施されている。

これらの外部電極にメッキを施す装置には、従来よりバレル法（バレルメッキ法）が一般的に用いられている（例えば、特許文献１参照）。バレル法は、チップ状に分割した小型電子部品をダミーボールとともに筒状のバレル内に投入し、メッキ液が満たされたメッキ槽内でバレルを回転させながら小型電子部品に電気メッキを施す方法である。
一方、帯状の可撓性長尺基板にメッキを施して配線基板を製造するための装置として、例えば、特許文献２に記載の技術が知られている。

特開２０００−２６０６１１号公報特開２００３−３２１７９６号公報

上述したバレル法は、一度に多数の小型電子部品にメッキ処理できるが、小型電子部品どうしが互いに重なり合う可能性があり、重なり合いの結果生じる不良品の発生が避けられない。

また、通電媒体としての大量のダミーボールが必要となるため設備が大型化し、バレルを回転させるためのエネルギー消費が大きい上、廃液も多いという問題がある。

さらに、ダミーボールにもメッキが付着し、メッキの付着によって規格サイズを外れたダミーボールは廃棄することになるため、その分のメッキ材料が無駄となるという問題もある。

本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、ダミーボールを使用しない小型の装置によりメッキ厚のばらつきの小さいメッキ処理が可能な電子部品のメッキ装置を提供することである。

かかる目的を達成し、上述した課題を解決する一手段として、例えば、以下の構成を備える。すなわち、電子部品素子が形成され側面に金属膜が形成された長尺基板にメッキを施す電子部品のメッキ装置であって、内部に電極が配設されたメッキ槽と、前記メッキ槽の前記長尺基板搬入口近傍に配設され前記金属膜に接触可能な第１の接触電極と、前記メッキ槽の前記長尺基板搬出口近傍に配設され前記金属膜に接触可能な第２の接触電極と、前記メッキ槽内の電極にプラス電位を印加可能であるとともに前記第１の接触電極と第２の接触電極とにマイナス電位を印加可能な電源と、前記金属膜を前記第１の接触電極に接触させつつ前記長尺基板を前記メッキ槽内に搬送すると共に前記金属膜を前記第２の接触電極に接触させつつメッキ槽外に搬送する搬送手段とを備え、前記電源は、前記第１の接触電極への供給電流が前記第２の接触電極への供給電流よりも大きくなるように供給することを特徴とする。

そして例えば、前記搬送手段は、第１の接触電極と第２の接触電極に前記金属膜を接触させながら複数の前記長尺基板を縦列状態に連続して前記メッキ槽を通過させることを特徴とする。

また例えば、前記第１の接触電極と第２の接触電極は、それぞれ所定間隔離間した１対の電極からなり、前記搬送手段は、前記接触電極間を前記長尺基板両側面の前記金属膜が接触した状態で搬送することを特徴とする。

さらに例えば、前記メッキ槽内の電極は、前記長尺基板をはさむ様に２つ備えられ、前記電源は、前記長尺基板の両側面のそれぞれの金属膜に対応するよう２系統に分けて各側面毎に備えることを特徴とする。

また例えば、前記長尺基板は、当該電子部品をチップ状に個片化する前の短冊状態の基板であることを特徴とする。あるいは、前記長尺基板は、セラミック製の基板であることを特徴とする。

本発明によれば、連続する長尺基板間で生じるメッキ膜厚のばらつきを抑えるとともに、小型の装置で電子部品へのメッキ処理を効率的に行うことができる電子部品のメッキ装置を提供することができる。

以下、添付図面を参照して、本発明に係る一実施の形態例を詳細に説明する。最初に図１乃至図８を参照して、本実施の形態例に係るメッキ装置におけるメッキ対象としてのチップ形電子部品（長尺基板ともいう。）の製造方法について説明する。図１乃至図８は、本発明に係る一実施の形態例に係るメッキ装置におけるメッキ対象であるチップ形電子部品（長尺基板）の製造方法を説明するための図である。

まず、図1に示すチップ形電子部品の基板となる大判の平面基板を用意する。図１は、後述する電極形成や抵抗体の印刷を行うための大判の平面基板１０の例であり、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）と、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）等からなるガラス材料との混合物からなる所定厚のガラス・セラミック基板（セラミック基板）である。

続いて図１に示す平板基板１０の表面と裏面それぞれに、１次ブレイク用の溝１１と２次ブレイク用の溝１３を形成する。１次ブレイク用の溝１１と２次ブレイク用の溝１３を形成した基板の例を図２に示す。

次に、ブレイク用の溝１１，１３が形成された平板基板１０の表面と裏面とに電極を形成する。電極は、平板基板１０の表面と裏面にそれぞれ整然と規則正しく形成される、平板基板１０の表面に表面電極１５を形成した状態を図３に示す。また、平板基板１０の裏面に電極（裏面電極）１７を形成した状態を図４に示す。
本実施の形態例では、例えば、平板基板１０上にガラスフリット入り銀電極素材を例えば図３及び図４に示すパターン様に印刷し、その後焼成して表面電極及び裏面電極を形成する。

次に、図３に示す表面電極１５のそれぞれの間に、所定の成分（例えば、酸化ルテニウム系等）からなる抵抗体２１をスクリーン印刷し、その後焼成する。抵抗体２１をスクリーン印刷し、焼成した状態を図５に示す。

次に、これら焼成した抵抗体２１を覆うように、例えば、スクリーン印刷等によって絶縁膜としても機能を有する保護膜（ガラス保護コート）を印刷し、その後焼成する。

その後、例えば、レーザトリミングによって抵抗体２１のパターンに切れ込みを入れて抵抗値のトリミング（抵抗値調整）を行う。具体的には、抵抗体２１の抵抗値をその両端の２つの電極間で測定し、その値をもとに抵抗体２１に対してレーザー等により切れ込みを入れることで抵抗値のトリミングを行ない、所望の抵抗値の抵抗体となる様に調整する。

次に、保護膜（ガラス保護コート）が形成され、抵抗値が調整された抵抗体の上に、絶縁膜として機能する、例えば、エポキシ樹脂からなる保護膜２３を形成する。保護膜２３が形成された状態を図６に示す。

次に、上述したブレイク用の溝１１を分割ラインとする１次ブレイクを行い、基板１０を短冊状に破断（分割）する。基板１０を短冊状に破断（分割）した状態を図７に示す。分断された短冊状の基板を長尺基板という。

チップ形電子部品においては、表面電極と裏面電極とを電気的に接続する必要がある。そのため、基板の表面電極と裏面電極間を電気的に接続するために側面に外部電極（側面電極）を形成する。

側面に電極を形成するために、例えば、長尺基板の破断面（両側面）を露出させ、それら両側面に例えば、スパッタリングなどにより導電性金属、例えばニッケル−クロム（Ｎｉ／Ｃｒ）の薄膜２７を形成する。この長尺基板に側面電極を形成した状態を図８に示す。

このようにして本実施の形態例のメッキ装置によりメッキ（電解メッキ）を行う前の、側面に電極２７が形成された長尺基板が製造される。
次に、このようにして製造された長尺基板の電極表面にメッキを施す本実施の形態例の電子部品のメッキ装置について説明する。

以下、本実施の形態例に係る電子部品のメッキ装置およびメッキ処理工程を図９を参照して詳細に説明する。図９は、本実施の形態例に係るメッキ装置の全体構成を模式的に示す図であり、図９に（ａ）で示すのは本実施の形態例に係るメッキ装置の平面図、図９に（ｂ）で示すのは、本実施の形態例に係るメッキ装置の側面図である。

本実施の形態例のメッキ装置３０は、複数のメッキ槽３４，３６と洗浄槽３３，３５，３７を交互に縦列配置し、それらの槽の中を順次、メッキ対象である長尺基板を縦列状態で連続して投入搬送し、通過させることで連続メッキ処理可能な構成を備えている。

図９において、３１は長尺基板の押出し機構であり、メッキ対象の長尺基板をメッキ装置３０側へ押し出すためのもので、その長手方向に往復動作する押出部３２を備える。押出部３２は、メッキを開始する際に図９の左端部側に鎖線で示す位置に後退する。この状態で、所定の位置に載置されているメッキ処理前の長尺基板２８の一つが、後退前の押出部３２の位置（図の実線の位置）に搬送位置決めされる。

メッキ槽３４，３６の入口側と出口側には、それぞれ１対のローラが配設されている。具体的には、メッキ槽３４の入口側にはローラＲ１，Ｒ２が、出口側にはローラＲ３，Ｒ４が配され、メッキ槽３６の入口側にはローラＲ５，Ｒ６が、出口側にはローラＲ７，Ｒ８が配設されている。

これらのローラは、導電性材料で形成されたローラであり、長尺基板の側面電極に接触してメッキ槽への長尺基板の搬入と搬出を支持・補助するとともに、接触している長尺基板の側面電極に所定の電圧（マイナス電圧）を印加するための接触電極としての機能を有する。

メッキ対象の長尺基板を所定位置に位置決めした後、押出部３２が鎖線で示す位置から実線で示す位置へ移動することで、位置決めされた長尺基板は洗浄槽３３に向けて押し出され、先端部分は洗浄槽３３を抜けてローラＲ１，Ｒ２間に移動してくる。

この洗浄槽３３には、長尺基板表面に付着している不純物を除去するための酸（例えば、硫酸）や水等が貯留されており、次工程のメッキ処理の前段階として長尺基板に付着した汚れ等を洗浄し、洗い流す様に構成されている。前処理の仕様により洗浄槽３３内の洗浄液は適宜最適なものを選択すればよい。なお、メッキ対象の長尺基板の表面状態が清浄な状態である場合などメッキ不良を生じない状態である場合などには、洗浄槽３３を設けない構成にしてもよい。

先端部分が洗浄槽３３を抜けてローラＲ１，Ｒ２間に移動してくる。以後は、押出し機構３１により押出された長尺基板によって、基板Ｓ４〜Ｓ１が一連となって順次押されることで、メッキ工程内を搬送させる。なお、ローラ（Ｒ１，Ｒ２等）をモータ等で駆動させ、長尺基板をローラの回転により搬送させるようにしてもよい。

押出し機構３１は長尺基板２８をローラＲ１，Ｒ２間に搬送すると、再び図９の左端部の鎖線位置に戻り、次のメッキ対象となる新たな長尺基板が３２の鎖線位置に搬送位置決めされてくる。

このとき、即ち、押出部３２が後退し、新たな長尺基板が位置決めされ、長尺基板の押出しを開始するまでの間は、電源からのメッキ電流の供給を停止することが望ましい。このようにすることで、メッキ槽内の長尺基板へのメッキ厚のバラツキを抑えることができる。

そして新たな長尺基板が押出部３２により洗浄槽３３側へ送られる。このようにして順次新たな長尺基板が洗浄槽３３からローラＲ１，Ｒ２に押し出し搬送されることになる。

洗浄槽３３を通過した長尺基板は、ローラＲ１，Ｒ２の回転に伴いニッケル（Ｎｉ）メッキ槽３４内を経てローラＲ３，Ｒ４間に搬送される。ニッケルメッキ槽３４は、上面が開口したメッキ槽であり、メッキする金属であるニッケルを含有するメッキ液が貯留されている。

また、このニッケルメッキ層３４内の長尺基板の側面にあたる両側面近傍には、所定間隔離間して配設された一対の陽極電極（アノード）４１ａ，４１ｂが浸漬配置されている。

陽極電極（アノード）４１ａ，４１ｂは後述する電源のプラス側に接続される。後述する電源のマイナス側をローラＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４に接続することにより、陽極電極（アノード）４１ａ，４１ｂと、カソード（陰極）としてのローラＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４に電気的に接続された長尺基板２８の側面電極との間に電位差が生じ、陽極電極４１ａ，４１ｂ間を通過する長尺基板の電極に対して電解メッキ（ニッケルメッキ）を行う。

ニッケルメッキ槽３４を通過した長尺基板は、後続の長尺基板に押されて、水などの洗浄液が貯留された洗浄槽３５内に搬送される。洗浄槽３５では、ニッケルメッキを施した長尺基板から、残留しているメッキ液等を除去する。

次に、洗浄槽３５でメッキ液が除去された長尺基板は、ローラＲ５，Ｒ６間ににまで搬送されると、後続の長尺基板に押されて、さらにスズ（Ｓｎ）メッキ槽３６内にからローラＲ７，Ｒ８間に搬送されスズメッキ槽３６を通過する（図９の基板Ｓ２，Ｓ１を参照）。

このスズメッキ槽３６は、ニッケルメッキ槽３４と同様、上面が開口したメッキ槽であり、メッキする金属であるスズを含有するメッキ液が貯留されている。また、ニッケルメッキ槽３４と同様に槽内のスズメッキ液には、電源のプラス側に接続される所定間隔離間して配設された一対の陽極電極（アノード）４３ａ，４３ｂが対向して浸漬配置されている。

スズメッキ槽３６の入口側近傍には少なくとも表面が導電材料で形成されたローラＲ５，Ｒ６が、また出口側には同じくローラＲ７，Ｒ８が配設されており、これらのローラを電源のマイナス側に接続することにより、陽極電極（アノード）４３ａ，４３ｂ間を搬送される、カソード（陰極）として機能するローラＲ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８に接触している長尺基板電極との間に電位差が生じ長尺基板表面の電極に対して電解メッキを施すことができる。

スズメッキ槽３６を通過した長尺基板は、ローラＲ７，Ｒ８に到達し、次に、水等の洗浄液が貯留された洗浄槽３７へ送られる（図９の基板Ｓ１を参照）。この洗浄槽３７は、スズメッキを施した長尺基板から、残留しているメッキ液を除去するためのものである。その後、長尺基板は不図示の乾燥工程を経て、２次ブレイク工程へと進む。

なお、ニッケルメッキ槽３４とスズメッキ槽３６それぞれの下部には、メッキ槽から溢れたメッキ液を回収するための回収槽３８，３９が配設されており、ここで回収されたメッキ液は、再び各メッキ槽３４，３６へと還元される様に制御する不図示のメッキ液循環機構が設けられている。

次に、図１０を参照して本実施の形態例に係るメッキ装置におけるメッキ槽でのメッキ電流の調整部の詳細構成を説明する。図１０は本実施の形態例メッキ装置のメッキ電流調整部の詳細を説明するための図である。

以下の説明はニッケルメッキ槽３４を例に説明するが、スズメッキ槽３６においても同様構成を備えており、同様にしてメッキ電流の制御を行っている。なお、図１０において、図９に示す構成と同一構成には同一符号を付してある。

ニッケルメッキ槽３４に貯留されたニッケルメッキ液には、一対の陽極電極（アノード）４１ａ，４１ｂが浸漬されており、陽極電極４１ａには電源Ａ５１のプラス電位が、陽極電極４１ｂには電源Ｂ５３のプラス電位がそれぞれ印加されている。

また、ローラＲ１には電源Ａ５１のマイナス電位が、ローラＲ２には電源Ｂ５３のマイナス電位がそれぞれ印加されている。ローラＲ３は、電流バランスをとるための抵抗器５５を介して電源Ａ５１のマイナス電位側に接続され、同様にローラＲ４は、抵抗器５７を介して電源Ｂ５３のマイナス電位側に接続されている。

ここで、これらのローラＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４に対して抵抗器を介在させない場合、すなわち、電流バランスをとらずにメッキ処理をした場合について説明する。

例えば、図１１の（ａ）に示すように、ローラＲ１，Ｒ２に挟まれた状態で長尺基板Ｓａがメッキ槽３４内に搬送されると、長尺基板の表面電極には、接触状態のローラＲ１，Ｒ２からの通電により、長尺基板Ｓａのうちメッキ槽３４に侵入した部分（側面電極部分）にメッキが施される。

そして、この長尺基板Ｓａに続く長尺基板Ｓｂにより長尺基板Ｓａがメッキ槽の出口方向へ押し出され、図１１の（ｂ）に示すように長尺基板Ｓｂがメッキ槽３４に侵入してきた状態では、長尺基板Ｓｂに対するメッキ形成はそれほど進行していない。そのため、その側面金属膜の抵抗値が高く、メッキされにくい。

一方、長尺基板Ｓａには既にメッキが形成されているため、側面金属膜の抵抗値が低く、メッキされ易い。このことは、ニッケルメッキ槽３４に長尺基板Ｓａに続けて長尺基板Ｓｂを投入したことで、ニッケルメッキ槽の入口側のローラＲ１，Ｒ２と、出口側のローラＲ３，Ｒ４とで電流バランスがくずれ、長尺基板Ｓａに偏重してメッキ処理が進行することを意味している。

そのため、長尺基板Ｓａのメッキ厚の分布は、その基板のうち先にメッキ槽に投入された側（前端）よりも、後端側のメッキが厚くなる。また、左右の膜厚にもばらつきが生じる、という問題が発生する。

そこで、本実施の形態例のメッキ装置では、図１０に示すように電源Ａ５１および電源Ｂ５３それぞれのマイナス側電源とニッケルメッキ槽３４の出口側のローラＲ３，Ｒ４との間に抵抗器５５，５７を介在させることで、ニッケルメッキ槽３４の入口側のローラＲ１，Ｒ２への電流（Ｉａとする。）が、出口側のローラＲ３，Ｒ４への電流（Ｉｂとする。）よりも大きくなるように制御している。

このようにしてメッキ対象に供給するメッキ電流が（Ｉａ＞Ｉｂ）となる様に制御し、入口側と出口側の長尺基板電極と陽極電極との間のメッキ電流がほぼ同じ電流値となる様に抵抗値を適切な値とすることにより、電流バランスがとれ、長尺基板Ｓａ，Ｓｂ間で生じるメッキ膜厚のばらつきを抑えることが可能となる。

さらには、図１０に示すように、メッキ対象である長尺基板Ｓａ，Ｓｂの左右の側面金属膜ごとに電源系統を分ける（それぞれ独立した電源を設ける。）ことにより、各電極間のメッキ電流のばらつきを解消することが可能となり、メッキ槽を通過する長尺基板の側面電極膜としてのメッキ膜厚にばらつきが生じるのを抑制することができる。この抵抗値は、実験により選択しても、不図示の電極間に流れるメッキ電流を測定して所望の電流値となる様に抵抗値を制御する構成を備えてもよい。

以上の工程によりメッキ処理された長尺基板は、その後２次ブレイク工程により個片化したチップ状電子部品となる。２次ブレイク工程により個片化したチップ状電子部品（以上の説明の例では抵抗器）の断面構成を図１２に示す。

図１２において基体６１は平面基板１０を分割したセラミックス基板部分である。基体６１の表面（上面）の両端部には、図３に示す上電極（表面電極）１５が形成されている。同様に、基板裏面（下面）の端部には、図４に示す下電極（裏面電極）１７が形成されている。

基体６１表面の上電極１５間には図５に示す抵抗体２１がスクリーン印刷等で形成されて焼成されて抵抗層が形成されている。抵抗体層２１と上電極１５とは電気的に接続状態となっている。

抵抗体（抵抗層）２１は、ガラスコート６３で覆われ、さらにその上に絶縁膜として機能する図６に示す保護膜２３が形成されている。基体６１の各端部側面には、上電極１５と下電極１７とを電気的に接続するため、これらの電極間に図８に示す端部電極としてのニッケル−クロム（Ｎｉ-Ｃｒ）膜２７が、例えば、スパッタリングにより形成されている。

さらに、上電極７１と下電極７２、および端部電極（Ｎｉ-Ｃｒ膜）２７を覆うように、本実施の形態例メッキ装置によりメッキされたニッケルメッキ層６７、その上にスズメッキ層６８がそれぞれ形成されている。

以上説明したように、短冊状に破断してなる長尺基板を縦列状態に連続してメッキ槽に投入する際、メッキ槽の入口側ローラへの電流を出口側のローラへの電流よりも大きくして、ローラに供給されるメッキ電流について入口側と出口側のローラ間でバランスをとることにより、連続する長尺基板間で生じるメッキ膜厚のばらつきを抑えることができる。それと同時にダミーボールが不要となるため、装置の小型化や省エネルギー化が可能となる。

また、メッキ対象のメッキしたい部分を特定して、すなわち、上記実施の形態例では長尺基板の側面電極部分にのみメッキを施すことができるので、メッキ液の無駄を排するとともに、廃液や排水量を少なくすることができる。

なお、上述した実施の形態例では、電流調整に抵抗を使用しているが、それに限定されず、同一の目的を達成できれば、抵抗以外の素子を使用してもよい。
また、上記の例では、長尺基板の左右の側面金属膜ごとに電源系統を分けているが、これに限定されず、入口側ローラへの電流Ｉａと出口側ローラへの電流ＩｂとがＩａ＞Ｉｂの関係を満たす限り、例えば、各ローラ別々に４個の電源を配する（４系統とする。）ことで、各ローラへのメッキ電流を調整するようにしてもよい。

一方、単一の電源からの電流系統を制御可能なコントローラを用意して、その単一の電源から各ローラへのメッキ電流を調整するようにしてもよい。また、メッキ対象はチップ形の抵抗器に限定されず、例えば、チップ形インダクタ、チップ形コンデンサ、これらの複合部品、多連抵抗器等、電極端子を有する電子部品にも適用できる。

以上説明した様に本実施の形態例によれば、短冊状に破断した長尺基板Ｓａ，Ｓｂを縦列状態に連続してメッキ槽３４に投入する際に、一方電極にメッキ電流を供給するメッキ槽３４の入口側ローラＲ１，Ｒ２への電流を出口側のローラＲ３，Ｒ４への電流よりも大きくすることで、メッキ槽への長尺基板の入口側電極の電流を長尺基板の出口側電極の電流よりも大きくして、入口側と出口側の電極間で電流バランスをとることにより、連続する長尺基板Ｓａ，Ｓｂの表面電極と陽極電極間で生じるメッキ電流のばらつきを無くしメッキ膜厚のばらつきを抑えることが可能となる。小型の装置で電子部品へのメッキ処理を効率的に行うことができる。

本発明に係る一発明の実施の形態例に係るメッキ装置におけるメッキ対象であるチップ形電子部品（長尺基板）の電極形成や抵抗体の印刷を行うための大判の平面基板の例を示す図である。本実施の形態例の表面と裏面それぞれに１次ブレイク用の溝と２次ブレイク用の溝を形成した平面基板の例を示す図である。本実施の形態例の平面基板に表面電極を形成した状態例を示す図である。本実施の形態例の平面基板に裏面電極を形成した状態例を示す図である。

本実施の形態例の平面基板の表面電極間に抵抗体を形成した状態を示す図である。本実施の形態例の平面基板の表面の抵抗体上部に保護膜を形成した状態を示す図である。本実施の形態例の平面基板を短冊状に破断（分割）した状態を示す図である。本実施の形態例の長尺基板に側面電極を形成した状態を示す図である。本実施の形態例に係るメッキ装置の全体構成を模式的に示す図である。

本実施の形態例に係るメッキ装置のメッキ槽におけるメッキ電流の調整構成を示す図である。電流バランスをとらないメッキ処理について説明するための図である。本実施の形態例に係る装置でメッキ処理された長尺基板を２次ブレイク工程により個片化したチップ状電子部品の断面構成を示す図である。

符号の説明

Ｒ１〜Ｒ８ローラ
１０平面基板
１１，１３ブレイク用溝
１５表面電極（上電極）
１７裏面電極（下電極）
２１抵抗体層
２３保護膜
２５，２８，Ｓ１〜Ｓ４，Ｓａ，Ｓｂ長尺基板
２７ニッケル−クロム膜
３０メッキ装置
３１長尺基板の押出し機構
３２押出部
３３，３５，３７洗浄槽
３４ニッケルメッキ槽
３６スズメッキ槽
３８，３９回収槽
４１ａ，４１ｂ，４３ａ，４３ｂ陽極（アノード）電極
５１電源Ａ
５３電源Ｂ
５５，５７抵抗器
６１基体
６３ガラスコート
６７ニッケルメッキ層
６８スズメッキ層

Claims

電子部品素子が形成され側面に金属膜が形成された長尺基板にメッキを施す電子部品のメッキ装置であって、
内部に電極が配設されたメッキ槽と、
前記メッキ槽の前記長尺基板搬入口近傍に配設され前記金属膜に接触可能な第１の接触電極と、
前記メッキ槽の前記長尺基板搬出口近傍に配設され前記金属膜に接触可能な第２の接触電極と、
前記メッキ槽内の電極にプラス電位を印加可能であるとともに前記第１の接触電極と第２の接触電極とにマイナス電位を印加可能な電源と、
前記金属膜を前記第１の接触電極に接触させつつ前記長尺基板を前記メッキ槽内に搬送すると共に前記金属膜を前記第２の接触電極に接触させつつメッキ槽外に搬送する搬送手段とを備え、
前記電源は、前記第１の接触電極への供給電流が前記第２の接触電極への供給電流よりも大きくなるように供給することを特徴とする電子部品のメッキ装置。
前記搬送手段は、第１の接触電極と第２の接触電極に前記金属膜を接触させながら複数の前記長尺基板を縦列状態に連続して前記メッキ槽を通過させることを特徴とする請求項１に記載の電子部品のメッキ装置。
前記第１の接触電極と第２の接触電極は、それぞれ所定間隔離間した１対の電極からなり、
前記搬送手段は、前記接触電極間を前記長尺基板両側面の前記金属膜が接触した状態で搬送することを特徴とする請求項１に記載の電子部品のメッキ装置。
前記メッキ槽内の電極は、前記長尺基板をはさむ様に２つ備えられ、
前記電源は、前記長尺基板の両側面のそれぞれの金属膜に対応するよう２系統に分けて各側面毎に備えることを特徴とする請求項３に記載の電子部品のメッキ装置。
前記長尺基板は、当該電子部品をチップ状に個片化する前の短冊状態の基板であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電子部品のメッキ装置。
前記長尺基板は、セラミック製の基板であることを特徴とする請求項５に記載の電子部品のメッキ装置。