JP5400545B2 - Anisotropic conductive material, connection structure manufacturing method, and connection structure - Google Patents
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Description
本発明は、複数の導電性粒子を含む異方性導電材料であって、例えば、フレキシブルプリント基板、ガラス基板及び半導体チップなどの様々な接続対象部材の電極間を、導電性粒子を介して電気的に接続するために好適に用いることができる異方性導電材料、並びに該異方性導電材料を用いた接続構造体の製造方法及び接続構造体に関する。 The present invention is an anisotropic conductive material including a plurality of conductive particles. For example, the electrodes of various connection target members such as a flexible printed board, a glass substrate, and a semiconductor chip are electrically connected via conductive particles. The present invention relates to an anisotropic conductive material that can be suitably used for connection, and a connection structure manufacturing method and connection structure using the anisotropic conductive material.
様々な接続対象部材の電気的な接続に、導電性粒子を含む異方性導電ペーストが用いられている。 An anisotropic conductive paste containing conductive particles is used for electrical connection of various connection target members.
上記異方性導電ペーストは、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、又は半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))等に使用されている。 The anisotropic conductive paste is, for example, a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), a connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF (Chip on Film)), or a semiconductor chip. It is used for connection with a glass substrate (COG (Chip on Glass)) and the like.
上記異方性導電ペーストの一例として、下記の特許文献1には、異方性導電材料をエポキシ樹脂と、ゴム状ポリマー粒子と、熱活性な潜在性エポキシ硬化剤と、高軟化点ポリマー粒子と、導電性粒子とを含有する異方性導電ペーストが開示されている。この異方性導電材料により、例えば、半導体チップの電極とガラス基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラス基板上に、導電性粒子を含む異方性導電ペーストを塗布する。次に、半導体チップを積層して、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電ペーストを硬化させて、かつ導電性粒子を介して電極間を電気的に接続する。
As an example of the anisotropic conductive paste, the following
上記接続の際に、ガラス基板上に塗布された異方性導電ペースト及び該異方性導電ペーストに含まれている導電性粒子が、硬化前に大きく流動することがある。このため、導電性粒子を特定の領域に配置できないことがある。さらに、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を配置できなかったり、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続されたりすることがある。このため、得られた接続構造体の導通信頼性が低いことがある。 During the connection, the anisotropic conductive paste applied on the glass substrate and the conductive particles contained in the anisotropic conductive paste may flow greatly before curing. For this reason, the conductive particles may not be arranged in a specific region. Furthermore, the conductive particles may not be disposed between the upper and lower electrodes to be connected, or adjacent electrodes that should not be connected may be electrically connected via a plurality of conductive particles. For this reason, the conduction | electrical_connection reliability of the obtained connection structure may be low.
本発明の目的は、接続対象部材の電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性を高めることができる異方性導電材料、並びに該異方性導電材料を用いた接続構造体の製造方法及び接続構造体を提供することである。 An object of the present invention is to provide an anisotropic conductive material that can enhance conduction reliability when electrodes of connection target members are electrically connected, and a manufacturing of a connection structure using the anisotropic conductive material. It is to provide a method and a connection structure.
本発明の広い局面によれば、内層と、該内層の一方側及び該一方側とは反対側の他方側に積層された外層とを有し、上記内層が、硬化性化合物と、熱硬化剤及び光硬化開始剤の内の少なくとも一種と、導電性粒子とを含み、かつ、上記外層が、硬化性化合物と、熱硬化剤及び光硬化開始剤の内の少なくとも一種とを含む、異方性導電材料が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, it has an inner layer and an outer layer laminated on one side of the inner layer and the other side opposite to the one side, the inner layer comprising a curable compound and a thermosetting agent. And at least one of photocuring initiator and conductive particles, and the outer layer contains a curable compound and at least one of thermosetting agent and photocuring initiator. A conductive material is provided.
本発明に係る異方性導電材料のある特定の局面では、上記内層は、熱硬化性化合物及び光硬化性化合物の混合物と、熱硬化剤と、光硬化開始剤と、導電性粒子とを含むか、又は光硬化性化合物と、光硬化開始剤と、導電性粒子とを含み、かつ、上記外層は、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含む。 In a specific aspect of the anisotropic conductive material according to the present invention, the inner layer includes a mixture of a thermosetting compound and a photocurable compound, a thermosetting agent, a photocuring initiator, and conductive particles. Or a photocurable compound, a photocuring initiator, and conductive particles, and the outer layer includes a thermosetting compound and a thermosetting agent.
本発明に係る異方性導電材料の他の特定の局面では、上記内層は、熱硬化性化合物及び光硬化性化合物の混合物と、熱硬化剤と、光硬化開始剤と、導電性粒子とを含む。 In another specific aspect of the anisotropic conductive material according to the present invention, the inner layer comprises a mixture of a thermosetting compound and a photocurable compound, a thermosetting agent, a photocuring initiator, and conductive particles. Including.
本発明に係る異方性導電材料のさらに他の特定の局面では、上記内層に含まれている硬化性化合物が(メタ)アクリロイル基を有する硬化性化合物を含有し、かつ上記外層に含まれている硬化性化合物が、エポキシ基及びエピスルフィド基の内の少なくとも一種を有する硬化性化合物を含有する。 In still another specific aspect of the anisotropic conductive material according to the present invention, the curable compound contained in the inner layer contains a curable compound having a (meth) acryloyl group, and is contained in the outer layer. The curable compound contains a curable compound having at least one of an epoxy group and an episulfide group.
本発明に係る異方性導電材料の別の特定の局面では、上記内層の粘度は、上記外層の粘度よりも高い。 In another specific aspect of the anisotropic conductive material according to the present invention, the viscosity of the inner layer is higher than the viscosity of the outer layer.
本発明に係る異方性導電材料のさらに別の特定の局面では、上記外層が、上記内層の外周面を取り囲むように上記内層を被覆している。 In still another specific aspect of the anisotropic conductive material according to the present invention, the outer layer covers the inner layer so as to surround the outer peripheral surface of the inner layer.
本発明に係る接続構造体は、第1の接続対象部材の上面に、本発明に従って構成された異方性導電材料を配置し、上記第1の接続対象部材と上記内層との間に上記外層が位置するように、異方性導電材料層を形成する工程と、上記異方性導電材層に光を照射又は熱を付与し、上記内層の硬化を進行させることにより、上記内層をBステージ化させ、Bステージ化された内層が上記第1の接続対象部材の上面に近づくように、上記Bステージ化された内層を移動させる工程と、上記Bステージ化された内層が移動した後に、上記異方性導電材料層の上面に第2の接続対象部材をさらに積層して、上記Bステージ化された内層及び上記外層を硬化させ、接続構造体を得る工程とを備える。 In the connection structure according to the present invention, an anisotropic conductive material configured according to the present invention is disposed on the upper surface of the first connection target member, and the outer layer is disposed between the first connection target member and the inner layer. And forming the anisotropic conductive material layer so as to be positioned, and irradiating light or applying heat to the anisotropic conductive material layer to advance the curing of the inner layer, thereby causing the inner layer to move to the B stage. And moving the B-staged inner layer so that the B-staged inner layer approaches the upper surface of the first connection target member, and after moving the B-staged inner layer, A step of further laminating a second connection target member on the upper surface of the anisotropic conductive material layer, curing the B-staged inner layer and the outer layer, and obtaining a connection structure.
本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、上記内層を移動させる工程において、上記Bステージ化された内層が上記第1の接続対象部材の上面に接するように、上記Bステージ化された内層を移動させる。 In a specific aspect of the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, in the step of moving the inner layer, the B stage is arranged such that the B-staged inner layer contacts the upper surface of the first connection target member. The converted inner layer is moved.
本発明に係る接続構造体は、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材と、該第1,第2の接続対象部材を接続している硬化物層とを備えており、上記硬化物層が、本発明に従って構成された異方性導電材料を硬化させることにより形成されている。 The connection structure according to the present invention includes a first connection target member, a second connection target member, and a cured product layer connecting the first and second connection target members. The cured product layer is formed by curing the anisotropic conductive material configured according to the present invention.
本発明に係る異方性導電材料は、内層と、該内層の一方側及び該一方側とは反対側の他方側に積層された外層とを有し、上記内層が、硬化性化合物と、熱硬化剤及び光硬化開始剤の内の少なくとも一種と、導電性粒子とを含み、上記外層が、硬化性化合物と、熱硬化剤及び光硬化開始剤の内の少なくとも一種とを含むので、光の照射又は加熱により、内層を選択的に硬化させて、導電性粒子の流動を抑制できる。例えば、光の照射又は加熱により、内層の硬化を進行させて、導電性粒子の流動を抑制した後に、加熱により外層を硬化させることにより、導電性粒子を特定の領域に配置できる。 An anisotropic conductive material according to the present invention has an inner layer and an outer layer laminated on one side of the inner layer and the other side opposite to the one side, and the inner layer comprises a curable compound, a heat compound, Since the outer layer contains at least one of a curing agent and a photocuring initiator and conductive particles, and the outer layer contains a curable compound and at least one of a thermosetting agent and a photocuring initiator, By irradiation or heating, the inner layer can be selectively cured to suppress the flow of the conductive particles. For example, after the inner layer is cured by light irradiation or heating to suppress the flow of the conductive particles, the outer layer is cured by heating, whereby the conductive particles can be arranged in a specific region.
従って、本発明に係る異方性導電性材料を用いて、第1,第2の接続対象部材の電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性を高めることができる。例えば、接続されるべき上下の電極間を導電性粒子により容易に接続でき、かつ接続されてはならない隣り合う電極間が複数の導電性粒子を介して接続されるのを抑制できる。 Therefore, when the electrodes of the first and second connection target members are electrically connected using the anisotropic conductive material according to the present invention, conduction reliability can be improved. For example, the upper and lower electrodes to be connected can be easily connected with conductive particles, and adjacent electrodes that should not be connected can be prevented from being connected via a plurality of conductive particles.
以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。 Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments of the present invention with reference to the drawings.
図1(a)に、本発明の一実施形態に係る異方性導電材料を斜視図で示す。図1(b)は、図1(a)のI−I線に沿う断面図である。図1(c)は、図1(a)のII−II線に沿う断面図である。 FIG. 1A is a perspective view showing an anisotropic conductive material according to an embodiment of the present invention. FIG.1 (b) is sectional drawing which follows the II line | wire of Fig.1 (a). FIG.1 (c) is sectional drawing which follows the II-II line | wire of Fig.1 (a).
図1(a)〜(c)では、図1(a)に示すディスペンサー31を矢印Xの方向に移動させながら、ディスペンサー31の先端31aから矢印Aの方向に異方性導電材料1が吐出され、該異方性導電材料1が接続対象部材22の上面22aに配置されたときの状態が示されている。
1A to 1C, the anisotropic
図1(a)〜(c)に示すように、異方性導電材料1は、内層2と、該内層2の一方2a側及び他方2b側に積層された外層3とを有する。外層3は、内層2の外周面を取り囲むように内層2を被覆している。外層3は筒状であり、筒状の外層3内に内層2が配置されている。内層2及び外層3はそれぞれペーストである。
As shown in FIGS. 1A to 1C, the anisotropic
内層2は、硬化性化合物と、熱硬化剤及び光硬化開始剤の内の少なくとも一種と、導電性粒子4とを含む。外層3は、硬化性化合物と、熱硬化剤及び光硬化開始剤の内の少なくとも一種とを含む。
The
内層2と外層3とを異なる時期に硬化させる観点からは、内層2は、熱硬化性化合物及び光硬化性化合物の混合物と、熱硬化剤と、光硬化開始剤と、導電性粒子4とを含むか、又は光硬化性化合物と、光硬化開始剤と、導電性粒子とを含み、かつ、外層3は、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含むことが好ましい。光の照射により、内層2の硬化を進行させて、Bステージ化された内層を得た後に、熱の付与によりBステージ化された内層をさらに硬化させることができるので、内層2は、熱硬化性化合物及び光硬化性化合物の混合物と、熱硬化剤と、光硬化開始剤と、導電性粒子4とを含むことがより好ましい。
From the viewpoint of curing the
内層2と外層3とをさらに一層容易に異なる時期に硬化させる観点からは、内層2に含まれている硬化性化合物が(メタ)アクリロイル基を有する硬化性化合物を含有し、かつ外層3に含まれている硬化性化合物が、エポキシ基及びエピスルフィド基の内の少なくとも一種を有する硬化性化合物を含有することが好ましい。上記(メタ)アクリロイルは、アクリロイル又はメタクリロイルを示す。
From the viewpoint of curing the
導電性粒子4の意図しない流動をより一層抑制する観点からは、内層2の粘度は、外層3の粘度よりも高いことが好ましい。硬化前の内層2の25℃での粘度(以下、粘度η1と略記することがある)は、硬化前の外層3の25℃での粘度(以下、粘度η2と略記することがある)よりも高いことが好ましい。内層2の粘度η1は、外層の粘度η2よりも30Pa・s以上高いことが好ましく、50Pa・s以上高いことがより好ましい。このような粘度η1と粘度η2との関係を満たすと、導電性粒子4の意図しない流動をさらに一層抑制できる。さらに、第1,第2の接続対象部材の間に異方性導電材料1を配置し、圧着した時に、第1,第2の接続対象部材と内層2との間に配置された外層3を容易に除去できる。このため、接続構造体の導通信頼性をより一層高めることができる。
From the viewpoint of further suppressing unintended flow of the
内層2の粘度η1の好ましい下限は50Pa・s、より好ましい下限は100Pa・s、好ましい上限は250Pa・s、より好ましい上限は200Pa・sである。粘度η1が上記好ましい下限及び上限を満たすと、導電性粒子4の意図しない流動をより一層抑制できる。さらに、内層2中において導電性粒子4が沈降し難くなり、導電性粒子4の分散性を高めることができる。
The preferable lower limit of the viscosity η1 of the
外層3の粘度η2の好ましい下限は20Pa・s、より好ましい下限は50Pa・s、好ましい上限は200Pa・s、より好ましい上限は150Pa・sである。粘度η2が上記好ましい下限及び上限を満たすと、内層2をBステージ化したときに、Bステージ化した内層が降下しやすくなる。また、第1,第2の接続対象部材の間に異方性導電材料1を配置し、圧着した時に、第1,第2の接続対象部材と内層2との間に配置された外層3をより一層容易に除去できる。さらに、電極と導電性粒子4との間の導電性粒子4以外の成分を容易に取り除くことができ、電極と導電性粒子4との接触面積を大きくすることができる。さらに、第1の接続対象部材の表面が凹凸である場合に、該凹凸の表面に異方性導電材料1を充分に充填させることができ、硬化後にボイドが生じ難くなる。
A preferable lower limit of the viscosity η2 of the
異方性導電材料1の内層2及び外層3を形成するための組成物の製造方法は特に限定されない。上記組成物の製造方法としては、例えば、上記硬化性化合物と、上記熱硬化剤及び上記光硬化開始剤の内の少なくとも一種と、必要に応じて添加される上記導電性粒子と他の成分とを配合し、遊星式攪拌機等を用いて充分に混合する製造方法が挙げられる。
The manufacturing method of the composition for forming the
図2に、図1(a)〜(c)に示す異方性導電材料を用いた接続構造体の一例を模式的に正面断面図で示す。 FIG. 2 is a front sectional view schematically showing an example of a connection structure using the anisotropic conductive material shown in FIGS.
図2に示す接続構造体21は、第1の接続対象部材22と、第2の接続対象部材23と、第1,第2の接続対象部材22,23を接続している硬化物層24とを備える。硬化物層24は、異方性導電材料1を硬化させることにより形成されている。
The
第1の接続対象部材22の上面22aの一部の領域に、複数の電極22bが設けられている。第2の接続対象部材23の下面23aの一部の領域に、複数の電極23bが設けられている。電極22bと電極23bとが、1つ又は複数の導電性粒子4により電気的に接続されている。
A plurality of
接続構造体21では、第1の接続対象部材22としてガラス基板が用いられており、第2の接続対象部材23として半導体チップが用いられている。第1,第2の接続対象部材22,23は、特に限定されない。第1,第2の接続対象部材22,23としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板及びガラス基板等の回路基板等が挙げられる。
In the
図2に示す接続構造体21は、例えば、以下のようにして得ることができる。
The
先ず、電極22bを上面22aに有する第1の接続対象部材22を用意する。次に、図1(a)に示すディスペンサー31を用いて、第1の接続対象部材22の上面22aに、異方性導電材料1を吐出する。
First, the first
図4に、ディスペンサー31を用いて、異方性導電材料1を吐出する際の状態を部分切欠縦断面図で示す。
In FIG. 4, the state at the time of discharging the anisotropic
ディスペンサー31は、外壁32と、外壁32の内部に仕切壁33とを有する。外壁32と仕切壁33とは間隔を隔てられている。外壁32及び仕切壁33の形状はそれぞれ筒状である。仕切壁33の内側の領域R1は、内層2を吐出するための領域である。外壁32と仕切壁33との間の領域R2は、外層3を吐出するための領域である。このようなディスペンサー31の使用により、内層2と、内層2の外周面を取り囲む外層3とを有する異方性導電材料1を容易に吐出できる。
The
図1(a)〜(c)に示すように、ディスペンサー31から吐出された異方性導電材料1を、第1の接続対象部材22の上面22aに配置する。第1の接続対象部材22の上面22aに、異方性導電材料1を内層2の一方2a側に積層された外層3から、配置する。これによって、第1の接続対象部材22の上面22aに、外層3と、内層2と、外層3とがこの順に積層される。従って、第1の接続対象部材22と内層2との間に外層3が位置する。このようにして、第1の接続対象部材22の上面22aに異方性導電材料層1Aを形成する。このとき、電極22bの上方に、1つ又は複数の導電性粒子4が配置されていることが好ましい。
As shown in FIGS. 1A to 1C, the anisotropic
次に、図1(b)に対応する図である図3(a)に示すように、異方性導電材料層1Aに光を照射又は熱を付与することにより、内層2の硬化を進行させる。内層2の硬化を進行させて、内層2をBステージ化する。第1の接続対象部材22の上面22aに、Bステージ化された内層2Aを形成する。このとき、外層3は、硬化されておらず、かつBステージ化されていないことが好ましい。従って、外層3は、内層2よりも光硬化が進行しないことが好ましく、光硬化しないことがより好ましい。内層2と外層3との硬化性化合物を硬化させるための手段を異ならせたり、内層2と外層3との硬化速度を異ならせたりすることにより、内層2のみを選択的にBステージ化することができる。
Next, as shown in FIG. 3A corresponding to FIG. 1B, the curing of the
Bステージ化された内層2Aでは、Bステージ化される前の内層2よりも、導電性粒子4の流動が抑制される。このため、電極22b,23b間に、導電性粒子4が配置されやすくなる。
In the B-staged
内層2の硬化を進行させて、内層2をBステージ化する際には、Bステージ化された内層2Aの粘度(以下、η11と略記することがある)が2000〜3500Pa・sの範囲内であるように、内層2AをBステージ化することが好ましい。粘度η11を上記範囲内にすることにより、導電性粒子4の流動を充分に抑制できる。このため、電極22b,23b間に、導電性粒子4が配置されやすくなる。
When the hardening of the
導電性粒子4の流動をより一層抑制する観点からは、粘度η11の好ましい下限は2250Pa・s、好ましい上限は3250Pa・sである。粘度η11の測定温度の好ましい下限は20℃、好ましい上限は30℃である。粘度η11の測定温度は25℃であることが特に好ましい。
From the viewpoint of further suppressing the flow of the
第1の接続対象部材22の上面22aに、異方性導電材料層1を配置しながら、異方性導電材料層1Aに光を照射又は熱を付与することが好ましい。さらに、第1の接続対象部材22の上面22aに異方性導電材料1を配置するのと同時に、又は配置した直後に、異方性導電材料層1Aに光を照射又は熱を付与することも好ましい。異方性導電材料1の配置と光の照射又は熱の付与とが上記のように行われた場合には、導電性粒子4の流動をより一層抑制できる。このため、得られた接続構造体21の導通信頼性をより一層高めることができる。第1の接続対象部材22の上面22aに異方性導電材料1を配置してから光を照射又は熱を付与するまでの時間は、0〜3秒の範囲内であることが好ましく、0〜2秒の範囲内であることがより好ましい。
It is preferable to irradiate or apply heat to the anisotropic
光の照射により内層2をBステージ化させる場合には、内層2の硬化を適度に進行させるための光照射強度は、例えば、0.1〜100mW/cm2程度である。
When the
光を照射する際に用いる光源は特に限定されない。該光源としては、例えば、波長420nm以下に充分な発光分布を有する光源等が挙げられる。また、光源の具体例としては、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、ブラックライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀灯、及びメタルハライドランプ等が挙げられる。 The light source used when irradiating light is not specifically limited. Examples of the light source include a light source having a sufficient light emission distribution at a wavelength of 420 nm or less. Specific examples of the light source include, for example, a low-pressure mercury lamp, a medium-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultrahigh-pressure mercury lamp, a chemical lamp, a black light lamp, a microwave excitation mercury lamp, and a metal halide lamp.
熱の付与により内層2をBステージ化させる場合には、内層2の硬化を適度に進行させるための加熱温度の好ましい下限は100℃、好ましい上限は150℃、より好ましい上限は130℃である。
When the
次に、図3(b)に示すように、第1の接続対象部材22の上面2aに近づくように、Bステージ化された内層2Aを移動させる。内層2をBステージ化することにより、Bステージ化された内層2Aを、第1の接続対象部材22の上面2aに近づくように移動させることができる。すなわち、Bステージ化された内層2Aは、一方2a側に移動するように、次第に降下する。第1の接続対象部材22の上面22aに接するように、Bステージ化された内層2Aを移動させることが好ましい。第1の接続対象部材22の上面2aに近づくように、Bステージ化された内層2Aを移動させるための放置時間は30秒以上であることが好ましく、60秒以上であることがより好ましく、120秒以下であることが好ましく、90秒以下であることがより好ましい。
Next, as shown in FIG. 3B, the B-stage
次に、図3(c)に示すように、Bステージ化された内層2Aが移動した後に、異方性導電材料層1Aの上面1aに、第2の接続対象部材23を矢印Bの方向に積層する。第1の接続対象部材2の上面22aの電極22bと、第2の接続対象部材23の下面23aの電極23bとが対向するように、第2の接続対象部材22を積層する。
Next, as shown in FIG. 3C, after the B-staged
さらに、第2の接続対象部材23の積層の際に、異方性導電材料層1Aに光を照射又は熱を付与することにより、異方性導電材料層1Aをさらに硬化させ、硬化物層24を形成する。すなわち、Bステージ化された内層2Aと外層3とを硬化させ、硬化物層24を形成する。ただし、第2の接続対象部材23の積層の前に、異方性導電材料層1Aに光を照射又は熱を付与してもよい。さらに、第2の接続対象部材22の積層の後に、異方性導電材料層1Aに光を照射又は熱を付与してもよい。
Further, when the second
光の照射によりBステージ化された内層2Aと外層3とを硬化させる場合には、充分に硬化させるための光照射強度は、例えば、0.1〜100mW/cm2程度である。
When the
熱の付与によりBステージ化された内層2Aと外層3とを硬化させる場合には、充分に硬化させるための加熱温度の好ましい下限は160℃、好ましい上限は250℃、より好ましい上限は200℃である。
When the
異方性導電材料層1Aを硬化させる際に、加圧する。加圧によって、Bステージ化された内層2A及び外層3に含まれている導電性粒子4以外の成分を排除し、電極22bと電極23bとで導電性粒子4を圧縮する。これによって、電極22bと電極23bとを導電性粒子4により電気的に接続できる。さらに、電極22b,23bと導電性粒子4との接触面積を大きくすることができる。このため、導通信頼性を高めることができる。
Pressure is applied when the anisotropic
Bステージ化された内層2Aと外層3とを硬化させることにより、第1の接続対象部材22と第2の接続対象部材23とが、硬化物層4を介して接続される。また、電極22bと電極24bとが、導電性粒子4を介して電気的に接続される。このようにして、図2に示す接続構造体21を得ることができる。
By curing the B-staged
接続構造体21を得る際に、異方性導電材料層1Aに光を照射し、Bステージ化された内層2Aを形成した後、異方性導電材料層1Aに熱を付与することが好ましい。光硬化と熱硬化との併用により、異方性導電材料を短時間で硬化させることができる。
When obtaining the
本発明に係る接続構造体の製造方法は、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、又は半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))等に使用できる。なかでも、本発明に係る接続構造体の製造方法は、COG用途に好適である。本発明に係る接続構造体の製造方法は、半導体チップとガラス基板との接続に好適に用いられる。ただし、本発明に係る接続構造体の製造方法の使用は、上記用途に限定されない。 The connection structure manufacturing method according to the present invention includes, for example, a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), a connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF (Chip on Film)), Or it can use for the connection (COG (Chip on Glass)) etc. of a semiconductor chip and a glass substrate. Especially, the manufacturing method of the connection structure concerning the present invention is suitable for COG use. The method for manufacturing a connection structure according to the present invention is suitably used for connection between a semiconductor chip and a glass substrate. However, the use of the method for manufacturing a connection structure according to the present invention is not limited to the above-described application.
COG用途では、特に、半導体チップとガラス基板との電極間を、異方性導電材料の導電性粒子により確実に接続することが困難なことが多い。例えば、COG用途の場合には、半導体チップの隣り合う電極間、及びガラス基板の隣り合う電極間の間隔が10〜20μm程度であることがあり、微細な配線が形成されていることが多い。微細な配線が形成されていても、本発明に係る接続構造体の製造方法により、半導体チップとガラス基板との電極間を高精度に接続でき、導通信頼性を高めることができる。 In COG applications, in particular, it is often difficult to reliably connect the electrodes of the semiconductor chip and the glass substrate with conductive particles of an anisotropic conductive material. For example, in the case of COG use, the distance between adjacent electrodes of a semiconductor chip and the distance between adjacent electrodes of a glass substrate may be about 10 to 20 μm, and fine wiring is often formed. Even if fine wiring is formed, the connection structure body manufacturing method according to the present invention can connect the electrodes of the semiconductor chip and the glass substrate with high accuracy, and can improve conduction reliability.
以下、上記異方性導電材料に含まれている各成分の詳細を説明する。 Hereinafter, the detail of each component contained in the said anisotropic conductive material is demonstrated.
(硬化性化合物)
上記硬化性化合物としては、従来公知の硬化性化合物を用いることができ、特に限定されない。上記硬化性化合物は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Curable compound)
A conventionally known curable compound can be used as the curable compound, and is not particularly limited. As for the said sclerosing | hardenable compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記硬化性化合物としては、光及び熱硬化性化合物、光硬化性化合物、並びに熱硬化性化合物が挙げられる。上記光及び熱硬化性化合物は、光硬化性と熱硬化性とを有する。上記光硬化性化合物は、例えば光硬化性を有し、かつ熱硬化性を有しない。上記熱硬化性化合物は、例えば光硬化性を有さず、かつ熱硬化性を有する。 Examples of the curable compound include light and thermosetting compounds, photocurable compounds, and thermosetting compounds. The light and thermosetting compounds have photocuring properties and thermosetting properties. The said photocurable compound has photocurability, for example, and does not have thermosetting. The said thermosetting compound does not have photocurability, for example, and has thermosetting.
上記熱硬化性化合物及び光硬化性化合物の混合物には、熱硬化性化合物と光硬化性化合物とを併用した場合だけでなく、光及び熱硬化性化合物も含まれる。 The mixture of the thermosetting compound and the photocurable compound includes not only the case where the thermosetting compound and the photocurable compound are used in combination, but also the light and the thermosetting compound.
上記硬化性化合物は特に限定されない。上記硬化性化合物としては、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、(メタ)アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。上記(メタ)アクリルは、アクリル又はメタクリルを意味する。 The curable compound is not particularly limited. Examples of the curable compound include epoxy compounds, episulfide compounds, (meth) acrylic compounds, phenolic compounds, amino compounds, unsaturated polyester compounds, polyurethane compounds, silicone compounds, and polyimide compounds. The (meth) acryl means acryl or methacryl.
[熱硬化性化合物]
異方性導電材料の硬化を容易に制御したり、接続構造体の導通信頼性をより一層高めたりする観点からは、上記熱硬化性化合物は、エポキシ化合物及びエピスルフィド化合物(チイラン基含有化合物)の内の少なくとも一種を含むことが好ましく、エピスルフィド化合物を含むことがより好ましい。
[Thermosetting compound]
From the viewpoint of easily controlling the curing of the anisotropic conductive material and further enhancing the conduction reliability of the connection structure, the thermosetting compound is an epoxy compound or an episulfide compound (thiirane group-containing compound). It is preferable that at least one of them is included, and it is more preferable that an episulfide compound is included.
上記エピスルフィド化合物は、下記式(1)又は(2)で表される構造を有することが好ましい。 The episulfide compound preferably has a structure represented by the following formula (1) or (2).
上記式(1)中、R1及びR2はそれぞれ炭素数1〜5のアルキレン基を表し、R3、R4、R5及びR6の4個の基の内の2〜4個の基は水素を表し、R3、R4、R5及びR6の内の水素ではない基は下記式(3)で表される基を表す。 In the above formula (1), R1 and R2 each represent an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, 2 to 4 groups out of 4 groups of R3, R4, R5 and R6 represent hydrogen, and R3 , R4, R5 and R6 which are not hydrogen represent a group represented by the following formula (3).
上記式(1)中のR3、R4、R5及びR6の4個の基の全てが水素であってもよい。R3、R4、R5及びR6の4個の基の内の1個又は2個が下記式(3)で表される基であり、かつR3、R4、R5及びR6の4個の基の内の下記式(3)で表される基ではない基は水素であってもよい。 All four groups of R3, R4, R5 and R6 in the above formula (1) may be hydrogen. One or two of the four groups of R3, R4, R5 and R6 are groups represented by the following formula (3), and among the four groups of R3, R4, R5 and R6 The group that is not a group represented by the following formula (3) may be hydrogen.
上記式(2)中、R51及びR52はそれぞれ炭素数1〜5のアルキレン基を表し、R53、R54、R55、R56、R57及びR58の6個の基の内の4〜6個の基は水素を表し、R53、R54、R55、R56、R57及びR58の内の水素ではない基は、下記式(4)で表される基を表す。 In the above formula (2), R51 and R52 each represent an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and 4 to 6 groups out of 6 groups of R53, R54, R55, R56, R57 and R58 are hydrogen. The group which is not hydrogen among R53, R54, R55, R56, R57 and R58 represents a group represented by the following formula (4).
上記式(2)中のR53、R54、R55、R56、R57及びR58の6個の基の全てが水素であってもよい。R53、R54、R55、R56、R57及びR58の6個の基の内の1個又は2個が下記式(4)で表される基であり、かつR53、R54、R55、R56、R57及びR58の内の下記式(4)で表される基ではない基は水素であってもよい。 All of the six groups of R53, R54, R55, R56, R57 and R58 in the above formula (2) may be hydrogen. One or two of the six groups of R53, R54, R55, R56, R57 and R58 are groups represented by the following formula (4), and R53, R54, R55, R56, R57 and R58. Of these, the group that is not a group represented by the following formula (4) may be hydrogen.
上記式(3)中、R7は炭素数1〜5のアルキレン基を表す。 In said formula (3), R7 represents a C1-C5 alkylene group.
上記式(4)中、R59は炭素数1〜5のアルキレン基を表す。 In said formula (4), R59 represents a C1-C5 alkylene group.
上記式(1)又は(2)で表される構造を有するエピスルフィド化合物は、チイラン基(エピスルフィド基)を少なくとも2つ有する。また、チイラン基を有する基が、ベンゼン環又はナフタレン環に結合されている。このような構造を有するので、異方性導電材料を加熱することにより、異方性導電材料を低温で速やかに硬化させることができる。なお、本明細書において、低温とは200℃以下の温度を意味する。 The episulfide compound having a structure represented by the above formula (1) or (2) has at least two thiirane groups (episulfide groups). In addition, a group having a thiirane group is bonded to a benzene ring or a naphthalene ring. Since it has such a structure, the anisotropic conductive material can be rapidly cured at a low temperature by heating the anisotropic conductive material. In this specification, low temperature means a temperature of 200 ° C. or lower.
上記式(1)又は(2)で表される構造を有するエピスルフィド化合物は、上記式(1)又は(2)中のチイラン基がエポキシ基である化合物に比べて、反応性が高い。これは、チイラン基はエポキシ基よりも、開環しやすく、反応性が高いためである。上記式(1)又は(2)で表される構造を有するエピスルフィド化合物は反応性が高いので、異方性導電材料を低温で速やかに硬化させることができる。 The episulfide compound having a structure represented by the above formula (1) or (2) has higher reactivity than a compound in which the thiirane group in the above formula (1) or (2) is an epoxy group. This is because a thiirane group is easier to open a ring and has higher reactivity than an epoxy group. Since the episulfide compound having the structure represented by the above formula (1) or (2) has high reactivity, the anisotropic conductive material can be rapidly cured at a low temperature.
上記式(1)中のR1及びR2、上記式(2)中のR51及びR52、上記式(3)中のR7、及び上記式(4)中のR59は、炭素数1〜5のアルキレン基である。該アルキレン基の炭素数が5を超えると、上記エピスルフィド化合物の硬化速度が遅くなる傾向がある。 R1 and R2 in the formula (1), R51 and R52 in the formula (2), R7 in the formula (3), and R59 in the formula (4) are alkylene groups having 1 to 5 carbon atoms. It is. If the alkylene group has more than 5 carbon atoms, the curing rate of the episulfide compound tends to be slow.
上記式(1)中のR1及びR2、上記式(2)中のR51及びR52、上記式(3)中のR7、及び上記式(4)中のR59はそれぞれ、炭素数1〜3のアルキレン基であることが好ましく、メチレン基であることがより好ましい。上記アルキレン基は直鎖構造を有するアルキレン基であってもよく、分岐構造を有するアルキレン基であってもよい。 R1 and R2 in the above formula (1), R51 and R52 in the above formula (2), R7 in the above formula (3), and R59 in the above formula (4) are each an alkylene having 1 to 3 carbon atoms. It is preferably a group, more preferably a methylene group. The alkylene group may be an alkylene group having a straight chain structure or an alkylene group having a branched structure.
上記硬化性化合物は、下記式(11)又は(12)で表されるエポキシ化合物を含んでいてもよい。上記硬化性化合物は、上記式(1)又は(2)で表されるエピスルフィド化合物と、下記式(11)又は(12)で表されるエポキシ化合物とを含むことが好ましい。 The said curable compound may contain the epoxy compound represented by following formula (11) or (12). The curable compound preferably contains an episulfide compound represented by the above formula (1) or (2) and an epoxy compound represented by the following formula (11) or (12).
上記式(11)中、R11及びR12はそれぞれ炭素数1〜5のアルキレン基を表し、R13、R14、R15及びR16の4個の基の内の2〜4個の基は水素を表し、R13、R14、R15及びR16の内の水素ではない基は下記式(13)で表される基を表す。 In said formula (11), R11 and R12 represent a C1-C5 alkylene group, respectively, 2-4 groups among four groups of R13, R14, R15, and R16 represent hydrogen, R13 , R14, R15 and R16, which are not hydrogen, represent a group represented by the following formula (13).
上記式(11)中のR13、R14、R15及びR16の4個の基の全てが水素であってもよい。R13、R14、R15及びR16の4個の基の内の1個又は2個が下記式(13)で表される基であり、かつR13、R14、R15及びR16の4個の基の内の下記式(13)で表される基ではない基は水素であってもよい。 All four groups of R13, R14, R15 and R16 in the above formula (11) may be hydrogen. One or two of the four groups of R13, R14, R15 and R16 is a group represented by the following formula (13), and among the four groups of R13, R14, R15 and R16 The group that is not a group represented by the following formula (13) may be hydrogen.
上記式(12)中、R61及びR62はそれぞれ炭素数1〜5のアルキレン基を表し、R63、R64、R65、R66、R67及びR68の6個の基の内の4〜6個の基は水素を表し、R63、R64、R65、R66、R67及びR68の内の水素ではない基は、下記式(14)で表される基を表す。 In the above formula (12), R61 and R62 each represent an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and 4 to 6 groups out of 6 groups of R63, R64, R65, R66, R67 and R68 are hydrogen. The group which is not hydrogen among R63, R64, R65, R66, R67 and R68 represents a group represented by the following formula (14).
上記式(12)中のR63、R64、R65、R66、R67及びR68の6個の基の全てが水素であってもよい。R63、R64、R65、R66、R67及びR68の6個の基の内の1個又は2個が下記式(14)で表される基であり、かつR63、R64、R65、R66、R67及びR68の6個の基の内の下記式(14)で表される基ではない基は水素であってもよい。 All of the six groups of R63, R64, R65, R66, R67 and R68 in the above formula (12) may be hydrogen. One or two of the six groups R63, R64, R65, R66, R67 and R68 are groups represented by the following formula (14), and R63, R64, R65, R66, R67 and R68. Of these six groups, a group that is not a group represented by the following formula (14) may be hydrogen.
上記式(13)中、R17は炭素数1〜5のアルキレン基を表す。 In said formula (13), R17 represents a C1-C5 alkylene group.
上記式(14)中、R69は炭素数1〜5のアルキレン基を表す。 In said formula (14), R69 represents a C1-C5 alkylene group.
上記式(11)中のR11及びR12、上記式(12)中のR61及びR62、上記式(13)中のR17、及び上記式(14)中のR69は、炭素数1〜5のアルキレン基である。該アルキレン基の炭素数が5を超えると、上記式(11)又は(12)で表される化合物の硬化速度が遅くなりやすくなる。 R11 and R12 in the formula (11), R61 and R62 in the formula (12), R17 in the formula (13), and R69 in the formula (14) are alkylene groups having 1 to 5 carbon atoms. It is. When the number of carbon atoms of the alkylene group exceeds 5, the curing rate of the compound represented by the formula (11) or (12) tends to be slow.
上記式(11)中のR11及びR12、上記式(12)中のR61及びR62、上記式(13)中のR17、及び上記式(14)中のR69はそれぞれ、炭素数1〜3のアルキレン基であることが好ましく、メチレン基であることがより好ましい。上記アルキレン基は直鎖構造を有するアルキレン基であってもよく、分岐構造を有するアルキレン基であってもよい。 R11 and R12 in the above formula (11), R61 and R62 in the above formula (12), R17 in the above formula (13), and R69 in the above formula (14) are each an alkylene having 1 to 3 carbon atoms. It is preferably a group, more preferably a methylene group. The alkylene group may be an alkylene group having a straight chain structure or an alkylene group having a branched structure.
上記式(1)又は(2)で表される構造を有するエピスルフィド化合物と、上記式(11)又は(12)で表されるエポキシ化合物との混合物(以下、混合物Aと略記することがある)の製造方法は特に限定されない。この製造方法として、例えば、上記式(11)又は(12)で表されるエポキシ化合物を用意し、該エポキシ化合物の一部のエポキシ基をチイラン基に変換する製造方法が挙げられる。 A mixture of an episulfide compound having a structure represented by the above formula (1) or (2) and an epoxy compound represented by the above formula (11) or (12) (hereinafter sometimes abbreviated as “mixture A”) The manufacturing method is not particularly limited. Examples of the production method include a production method in which an epoxy compound represented by the above formula (11) or (12) is prepared and a part of the epoxy group of the epoxy compound is converted into a thiirane group.
上記混合物Aの製造方法は、チオシアン酸塩を含む第1の溶液に、上記式(11)又は(12)で表されるエポキシ化合物又は該エポキシ化合物を含む溶液を連続的又は断続的に添加した後、チオシアン酸塩を含む第2の溶液を連続的又は断続的にさらに添加する方法が好ましい。この方法により、上記エポキシ化合物の一部のエポキシ基をチイラン基に変換できる。この結果、上記混合物Aを得ることができる。 In the method for producing the mixture A, the epoxy compound represented by the above formula (11) or (12) or a solution containing the epoxy compound was continuously or intermittently added to the first solution containing thiocyanate. Thereafter, a method of further adding the second solution containing thiocyanate continuously or intermittently is preferable. By this method, some epoxy groups of the epoxy compound can be converted into thiirane groups. As a result, the mixture A can be obtained.
上記硬化性化合物は、下記式(21)で表される構造を有するエポキシ化合物の単量体、該エポキシ化合物が少なくとも2個結合された多量体、又は該単量体と該多量体との混合物を含んでいてもよい。 The curable compound is a monomer of an epoxy compound having a structure represented by the following formula (21), a multimer in which at least two epoxy compounds are bonded, or a mixture of the monomer and the multimer. May be included.
上記式(21)中、R1は炭素数1〜5のアルキレン基を表し、R2は炭素数1〜5のアルキレン基を表し、R3は水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は下記式(22)で表される構造を表し、R4は水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は下記式(23)で表される構造を表す。 In said formula (21), R1 represents a C1-C5 alkylene group, R2 represents a C1-C5 alkylene group, R3 is a hydrogen atom, a C1-C5 alkyl group, or following formula ( 22), R4 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a structure represented by the following formula (23).
上記式(22)中、R5は炭素数1〜5のアルキレン基を表す。 In said formula (22), R5 represents a C1-C5 alkylene group.
上記式(23)中、R6は炭素数1〜5のアルキレン基を表す。 In said formula (23), R6 represents a C1-C5 alkylene group.
上記式(21)で表される構造を有するエポキシ化合物は、不飽和二重結合と、少なくとも2個のエポキシ基とを有することを特徴とする。上記式(21)で表される構造を有するエポキシ化合物の使用により、異方性導電材料を低温で速やかに硬化させることができる。 The epoxy compound having the structure represented by the above formula (21) has an unsaturated double bond and at least two epoxy groups. By using an epoxy compound having a structure represented by the above formula (21), the anisotropic conductive material can be rapidly cured at a low temperature.
上記硬化性化合物は、下記式(31)で表される構造を有する化合物の単量体、該化合物が少なくとも2個結合された多量体、又は該単量体と該多量体との混合物を含んでいてもよい。 The curable compound includes a monomer having a structure represented by the following formula (31), a multimer in which at least two of the compounds are bonded, or a mixture of the monomer and the multimer. You may go out.
上記式(31)中、R1は水素原子もしくは炭素数1〜5のアルキル基又は下記式(32)で表される構造を表し、R2は炭素数1〜5のアルキレン基を表し、R3は炭素数1〜5のアルキレン基を表し、X1は酸素原子又は硫黄原子を表し、X2は酸素原子又は硫黄原子を表す。
In the above formula (31), R1 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a structure represented by the following formula (32), R2 represents an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and R3 represents carbon.
上記式(32)中、R4は炭素数1〜5のアルキレン基を表し、X3は酸素原子又は硫黄原子を表す。 In said formula (32), R4 represents a C1-C5 alkylene group, X3 represents an oxygen atom or a sulfur atom.
上記式(31)で表される構造を有する化合物に相当するエポキシ化合物は、例えば、以下のようにして合成できる。 The epoxy compound corresponding to the compound having the structure represented by the above formula (31) can be synthesized, for example, as follows.
原料化合物である、水酸基を有するフルオレン化合物と、エピクロルヒドリンと、水酸化ナトリウムと、メタノールとを混合し、冷却し、反応させる。その後、水酸化ナトリウム水溶液を滴下する。滴下の後、さらに反応させ、反応液を得る。次に、反応液に水とトルエンとを加え、トルエン層を取り出す。トルエン層を水で洗浄した後、乾燥し、水と溶媒とを除去する。このようにして、上記式(31)で表される構造を有する化合物に相当するエポキシ化合物を容易に得ることができる。なお、原料化合物である、水酸基を有するフルオレン化合物は、例えばJFEケミカル社等から市販されている。 A raw material compound, a fluorene compound having a hydroxyl group, epichlorohydrin, sodium hydroxide, and methanol are mixed, cooled, and reacted. Thereafter, an aqueous sodium hydroxide solution is dropped. After dripping, it is further reacted to obtain a reaction solution. Next, water and toluene are added to the reaction solution, and the toluene layer is taken out. The toluene layer is washed with water and then dried to remove water and the solvent. In this way, an epoxy compound corresponding to the compound having the structure represented by the formula (31) can be easily obtained. In addition, the fluorene compound which has a hydroxyl group which is a raw material compound is marketed, for example from JFE Chemical Company etc., for example.
また、上記式(31)で表される構造を有する化合物に相当するチイラン基含有化合物は、上記式(31)で表される構造を有する化合物に相当するエポキシ化合物のエポキシ基を、チイラン基に変換することにより合成できる。例えば、チオシアン酸塩を含む溶液に、原料化合物であるエポキシ化合物又は該エポキシ化合物を含む溶液を添加した後、チオシアン酸塩を含む溶液をさらに添加することにより、エポキシ基をチイラン基に容易に変換できる。 Further, the thiirane group-containing compound corresponding to the compound having the structure represented by the above formula (31) has the epoxy group of the epoxy compound corresponding to the compound having the structure represented by the above formula (31) as a thiirane group. It can be synthesized by conversion. For example, after adding an epoxy compound that is a raw material compound or a solution containing the epoxy compound to a solution containing thiocyanate, an epoxy group is easily converted into a thiirane group by further adding a solution containing thiocyanate. it can.
上記硬化性化合物は、窒素原子を含む複素環を有するエポキシ化合物を含んでいてもよい。上記窒素原子を含む複素環を有するエポキシ化合物は、下記式(41)で表されるエポキシ化合物、又は下記式(42)で表されるエポキシ化合物であることが好ましい。このような硬化性化合物の使用により、異方性導電材料の硬化速度をより一層速くし、異方性導電材料の硬化物の耐熱性をより一層高めることができる。 The said curable compound may contain the epoxy compound which has a heterocyclic ring containing a nitrogen atom. The epoxy compound having a heterocyclic ring containing a nitrogen atom is preferably an epoxy compound represented by the following formula (41) or an epoxy compound represented by the following formula (42). By using such a curable compound, the curing rate of the anisotropic conductive material can be further increased, and the heat resistance of the cured product of the anisotropic conductive material can be further enhanced.
上記式(41)中、R1〜R3はそれぞれ炭素数1〜5のアルキレン基を表し、Zはエポキシ基又はヒドロキシメチル基を表す。R21〜R23は同一であってもよく、異なっていてもよい。 In said formula (41), R1-R3 represents a C1-C5 alkylene group, respectively, Z represents an epoxy group or a hydroxymethyl group. R21 to R23 may be the same or different.
上記式(42)中、R1〜R3はそれぞれ炭素数1〜5のアルキレン基を示し、p、q及びrはそれぞれ1〜5の整数を表し、R4〜R6はそれぞれ炭素数1〜5のアルキレン基を表す。R1〜R3は同一であってもよく、異なっていてもよい。p、q及びrは同一であってもよく、異なっていてもよい。R4〜6は同一であってもよく、異なっていてもよい。 In the above formula (42), R1 to R3 each represent an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, p, q and r each represents an integer of 1 to 5, and R4 to R6 each represent an alkylene having 1 to 5 carbon atoms. Represents a group. R1 to R3 may be the same or different. p, q and r may be the same or different. R4-6 may be the same or different.
上記窒素原子を含む複素環を有するエポキシ化合物は、トリグリシジルイソシアヌレート、又はトリスヒドロキシエチルイソシアヌレートトリグリシジルエーテルであることが好ましい。これらの硬化性化合物の使用により、異方性導電材料の硬化速度をさらに一層速くすることができる。 The epoxy compound having a heterocyclic ring containing a nitrogen atom is preferably triglycidyl isocyanurate or trishydroxyethyl isocyanurate triglycidyl ether. By using these curable compounds, the curing rate of the anisotropic conductive material can be further increased.
上記硬化性化合物は、芳香族環を有するエポキシ化合物を含むことが好ましい。芳香族環を有するエポキシ化合物の使用により、異方性導電材料の硬化速度をより一層速くし、異方性導電材料を塗布しやすくすることができる。異方性導電材料の塗布性をより一層高める観点からは、上記芳香族環は、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環であることが好ましい。上記芳香族環を有するエポキシ化合物としては、レゾルシノールジグリシジルエーテル又は1,6−ナフタレンジグリシジルエーテルが挙げられる。なかでも、レゾルシノールジグリシジルエーテルが特に好ましい。レゾルシノールジグリシジルエーテルの使用により、異方性導電材料の硬化速度を速くし、異方性導電材料を塗布しやすくすることができる。 The curable compound preferably includes an epoxy compound having an aromatic ring. By using an epoxy compound having an aromatic ring, the curing rate of the anisotropic conductive material can be further increased and the anisotropic conductive material can be easily applied. From the viewpoint of further improving the applicability of the anisotropic conductive material, the aromatic ring is preferably a benzene ring, a naphthalene ring or an anthracene ring. Examples of the epoxy compound having an aromatic ring include resorcinol diglycidyl ether or 1,6-naphthalenediglycidyl ether. Of these, resorcinol diglycidyl ether is particularly preferable. By using resorcinol diglycidyl ether, the curing rate of the anisotropic conductive material can be increased and the anisotropic conductive material can be easily applied.
[光硬化性化合物]
本発明に係る硬化性化合物は、光の照射によっても硬化するように、光硬化性化合物を含有していてもよい。光の照射により硬化性化合物を半硬化させ、硬化性化合物の流動性を低下させることができる。
[Photocurable compound]
The curable compound according to the present invention may contain a photocurable compound so as to be cured by light irradiation. The curable compound can be semi-cured by light irradiation, and the fluidity of the curable compound can be reduced.
上記光硬化性化合物としては特に限定されず、(メタ)アクリル樹脂及び環状エーテル基含有樹脂等が挙げられる。 It does not specifically limit as said photocurable compound, (meth) acrylic resin, cyclic ether group containing resin, etc. are mentioned.
上記(メタ)アクリル樹脂として、例えば、(メタ)アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物、(メタ)アクリル酸とエポキシ化合物とを反応させて得られるエポキシ(メタ)アクリレート、イソシアネートに水酸基を有する(メタ)アクリル酸誘導体を反応させて得られるウレタン(メタ)アクリレート等が好適に用いられる。 Examples of the (meth) acrylic resin include an ester compound obtained by reacting (meth) acrylic acid and a compound having a hydroxyl group, and an epoxy (meth) acrylate obtained by reacting (meth) acrylic acid and an epoxy compound. Urethane (meth) acrylate obtained by reacting a (meth) acrylic acid derivative having a hydroxyl group with isocyanate is preferably used.
[光及び熱硬化性化合物]
上記硬化性化合物が例えば熱硬化性化合物及び光硬化性化合物を含む場合には、異方性導電材料の硬化を容易に制御したり、接続構造体の導通信頼性をより一層高めたりする観点からは、上記硬化性化合物は、エポキシ基及びチイラン基の内の少なくとも一種の基と、(メタ)アクリロイル基とを有する光及び熱硬化性化合物(以下、部分(メタ)アクリレート化エポキシ樹脂ともいう)を含むことが好ましい。上記(メタ)アクリレートは、アクリレート又はメタクリレートを意味する。
[Light and thermosetting compounds]
In the case where the curable compound includes, for example, a thermosetting compound and a photocurable compound, from the viewpoint of easily controlling the curing of the anisotropic conductive material or further improving the conduction reliability of the connection structure. The curable compound is a light and thermosetting compound having at least one group selected from an epoxy group and a thiirane group and a (meth) acryloyl group (hereinafter also referred to as a partially (meth) acrylated epoxy resin). It is preferable to contain. The (meth) acrylate means acrylate or methacrylate.
上記部分(メタ)アクリレート化エポキシ樹脂は、例えば、エポキシ樹脂と(メタ)アクリル酸とを、常法に従って塩基性触媒の存在下で反応することにより得られる。エポキシ基の20%以上が(メタ)アクリロイル基に変換され(転化率)、部分(メタ)アクリル化されていることが好ましい。エポキシ基の50%が(メタ)アクリロイル基に変換されていることがより好ましい。上記(メタ)アクリロイルは、アクリロイル又はメタクリロイルを示す。 The partially (meth) acrylated epoxy resin can be obtained, for example, by reacting an epoxy resin and (meth) acrylic acid in the presence of a basic catalyst according to a conventional method. It is preferable that 20% or more of the epoxy groups are converted to (meth) acryloyl groups (conversion rate) and partially (meth) acrylated. More preferably, 50% of the epoxy groups are converted to (meth) acryloyl groups. The (meth) acryloyl represents acryloyl or methacryloyl.
異方性導電材料の硬化性を高める観点からは、上記硬化性化合物100重量%中、上記部分(メタ)アクリレート化エポキシ樹脂の含有量の好ましい下限は0.1重量%、より好ましい下限は0.5重量%、好ましい上限は2重量%、より好ましい上限は1.5重量%である。 From the viewpoint of increasing the curability of the anisotropic conductive material, the preferable lower limit of the content of the partially (meth) acrylated epoxy resin is 0.1% by weight and the more preferable lower limit is 0 in 100% by weight of the curable compound. 0.5 wt%, the preferred upper limit is 2 wt%, and the more preferred upper limit is 1.5 wt%.
上記エポキシ(メタ)アクリレートとしては、ビスフェノール型エポキシ(メタ)アクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ(メタ)アクリレート、カルボン酸無水物変性エポキシ(メタ)アクリレート、及びフェノールノボラック型エポキシ(メタ)アクリレート等が挙げられる。 Examples of the epoxy (meth) acrylate include bisphenol type epoxy (meth) acrylate, cresol novolac type epoxy (meth) acrylate, carboxylic acid anhydride-modified epoxy (meth) acrylate, and phenol novolac type epoxy (meth) acrylate. .
上述した硬化性化合物以外の光硬化性化合物が含まれる場合には、該光硬化性化合物は、架橋性化合物であってもよく、非架橋性化合物であってもよい。 When a photocurable compound other than the above-described curable compound is included, the photocurable compound may be a crosslinkable compound or a non-crosslinkable compound.
上記架橋性化合物の具体例としては、例えば、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、グリセリンメタクリレートアクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、(メタ)アクリル酸アリル、(メタ)アクリル酸ビニル、ジビニルベンゼン、ポリエステル(メタ)アクリレート、及びウレタン(メタ)アクリレート等が挙げられる。 Specific examples of the crosslinkable compound include 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, (poly ) Ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, pentaerythritol di (meth) acrylate, glycerol methacrylate acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tri Examples include methylolpropane trimethacrylate, allyl (meth) acrylate, vinyl (meth) acrylate, divinylbenzene, polyester (meth) acrylate, and urethane (meth) acrylate.
上記非架橋性化合物の具体例としては、エチル(メタ)アクリレート、n−プロピル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、t−ブチル(メタ)アクリレート、ペンチル(メタ)アクリレート、ヘキシル(メタ)アクリレート、ヘプチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、n−オクチル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)アクリレート、ノニル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、ウンデシル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、トリデシル(メタ)アクリレート、及びテトラデシル(メタ)アクリレート等が挙げられる。 Specific examples of the non-crosslinkable compound include ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) ) Acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, n-octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl Examples include (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, and tetradecyl (meth) acrylate.
(熱硬化剤)
上記熱硬化剤は、従来公知の熱硬化剤を用いることができ特に限定されない。上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤及び酸無水物等が挙げられる。上記熱硬化剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Thermosetting agent)
A conventionally well-known thermosetting agent can be used for the said thermosetting agent, and it is not specifically limited. Examples of the thermosetting agent include imidazole curing agents, amine curing agents, phenol curing agents, polythiol curing agents, and acid anhydrides. As for the said thermosetting agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
異方性導電材料を低温でより一層速やかに硬化させることができるので、上記熱硬化剤は、イミダゾール硬化剤、ポリチオール硬化剤又はアミン硬化剤であることが好ましい。また、異方性導電材料の保存安定性を高めることができるので、潜在性の硬化剤が好ましい。該潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性ポリチオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。 Since the anisotropic conductive material can be cured more rapidly at a low temperature, the thermosetting agent is preferably an imidazole curing agent, a polythiol curing agent, or an amine curing agent. In addition, a latent curing agent is preferable because the storage stability of the anisotropic conductive material can be improved. The latent curing agent is preferably a latent imidazole curing agent, a latent polythiol curing agent or a latent amine curing agent. The thermosetting agent may be coated with a polymer material such as polyurethane resin or polyester resin.
上記イミダゾール硬化剤としては、特に限定されず、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン及び2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。 The imidazole curing agent is not particularly limited, and 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2, 4-Diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine and 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s- Examples include triazine isocyanuric acid adducts.
上記ポリチオール硬化剤としては、特に限定されず、トリメチロールプロパン トリス−3−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトール テトラキス−3−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトール ヘキサ−3−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。 The polythiol curing agent is not particularly limited, and examples include trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate, pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate, and dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate. .
上記アミン硬化剤としては、特に限定されず、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、3,9−ビス(3−アミノプロピル)−2,4,8,10−テトラスピロ[5.5]ウンデカン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。 The amine curing agent is not particularly limited, and hexamethylene diamine, octamethylene diamine, decamethylene diamine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetraspiro [5.5]. Examples include undecane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, metaphenylenediamine, and diaminodiphenylsulfone.
上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記熱硬化剤が含有される場合に、上記硬化性化合物の合計100重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量の好ましい下限は5重量部、より好ましい下限は10重量部、好ましい上限は30重量部、より好ましい上限は20重量部である。上記熱硬化剤の含有量が上記好ましい下限及び上限を満たすと、異方性導電材料を充分に熱硬化させることができる。 The content of the thermosetting agent is not particularly limited. When the thermosetting agent is contained, the preferable lower limit of the content of the thermosetting agent is 5 parts by weight, the more preferable lower limit is 10 parts by weight, and the preferable upper limit is 100 parts by weight of the curable compound. 30 parts by weight, and a more preferable upper limit is 20 parts by weight. If content of the said thermosetting agent satisfy | fills the said preferable minimum and upper limit, an anisotropic conductive material can fully be thermosetted.
(光硬化開始剤)
上記光硬化開始剤は、従来公知の光硬化開始剤を用いることができ特に限定されない。上記光硬化開始剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Photocuring initiator)
A conventionally well-known photocuring initiator can be used for the said photocuring initiator, and it is not specifically limited. As for the said photocuring initiator, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記光硬化開始剤としては、特に限定されず、アセトフェノン光硬化開始剤、ベンゾフェノン光硬化開始剤、チオキサントン、ケタール光硬化開始剤、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド及びアシルホスフォナート等が挙げられる。 The photocuring initiator is not particularly limited, and examples thereof include acetophenone photocuring initiator, benzophenone photocuring initiator, thioxanthone, ketal photocuring initiator, halogenated ketone, acyl phosphinoxide, and acyl phosphonate. .
上記アセトフェノン光硬化開始剤の具体例としては、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、メトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、及び2−ヒドロキシ−2−シクロヘキシルアセトフェノン等が挙げられる。上記ケタール光硬化開始剤の具体例としては、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。 Specific examples of the acetophenone photocuring initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, methoxy Examples include acetophenone, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, and 2-hydroxy-2-cyclohexylacetophenone. Specific examples of the ketal photocuring initiator include benzyldimethyl ketal.
上記光硬化開始剤の含有量は特に限定されない。上記光硬化開始剤が含有される場合に、上記硬化性化合物の合計100重量部に対して、上記光硬化開始剤の含有量の好ましい下限は0.1重量部、より好ましい下限は0.2重量部、好ましい上限は2重量部、より好ましい上限は1重量部である。上記光硬化開始剤の含有量が上記好ましい下限及び上限を満たすと、異方性導電材料を適度に光硬化させることができる。例えば、異方性導電材料に光を照射し、Bステージ化することにより、異方性導電材料の流動を抑制できる。 The content of the photocuring initiator is not particularly limited. When the photocuring initiator is contained, the preferable lower limit of the content of the photocuring initiator is 0.1 parts by weight and the more preferable lower limit is 0.2 with respect to 100 parts by weight of the curable compound. Part by weight, the preferred upper limit is 2 parts by weight, and the more preferred upper limit is 1 part by weight. If content of the said photocuring initiator satisfy | fills the said preferable minimum and upper limit, an anisotropic conductive material can be photocured moderately. For example, the anisotropic conductive material can be prevented from flowing by irradiating the anisotropic conductive material with light to form a B-stage.
(導電性粒子)
内層2に含まれている導電性粒子として、例えば、電極間を電気的に接続できる従来公知の導電性粒子が用いられる。上記導電性粒子は、外表面に導電層を有する粒子であることが好ましい。上記導電性粒子は、導電層の表面に絶縁粒子が付着していたり、導電層の表面が絶縁層により被覆されていたりしてもよい。この場合には、電極の接続の際の加圧により、絶縁粒子又は絶縁層が取り除かれる。
(Conductive particles)
As the conductive particles contained in the
上記導電性粒子としては、例えば、有機粒子、無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子、もしくは金属粒子等の表面が導電層で被覆された導電性粒子、並びに実質的に金属のみで構成される金属粒子等が挙げられる。上記導電層は特に限定されない。上記導電層としては、金層、銀層、銅層、ニッケル層、パラジウム層又は錫を含有する導電層等が挙げられる。 Examples of the conductive particles include organic particles, inorganic particles, organic-inorganic hybrid particles, or conductive particles whose surfaces are covered with a conductive layer, and metal particles that are substantially composed of only metal. Is mentioned. The conductive layer is not particularly limited. Examples of the conductive layer include a gold layer, a silver layer, a copper layer, a nickel layer, a palladium layer, or a conductive layer containing tin.
内層2の100重量%中、上記導電性粒子の含有量は1〜15重量%の範囲内であることが好ましい。上記導電性粒子の含有量のより好ましい下限は5重量%、より好ましい上限は10重量%である。上記導電性粒子の含有量が上記範囲内にある場合には、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を容易に配置できる。さらに、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続され難くなる。すなわち、隣り合う電極間の短絡を防止できる。
In 100% by weight of the
(他の成分)
上記異方性導電材料は、溶剤を含有していてもよい。該溶剤の使用により、内層2及び外層3の粘度を容易に調整できる。さらに、例えば、上記硬化性化合物が固形である場合に、固形の硬化性化合物に溶剤を添加し、溶解させることにより、硬化性化合物の分散性を高めることができる。上記溶剤としては、例えば、酢酸エチル、メチルセロソルブ、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、n−ヘキサン、テトラヒドロフラン及びジエチルエーテル等が挙げられる。
(Other ingredients)
The anisotropic conductive material may contain a solvent. By using the solvent, the viscosity of the
異方性導電材料の硬化物の接着力を高めることができるので、上記異方性導電材料は、接着力調整剤を含有することが好ましい。接着力をより一層高める観点からは、上記接着力調整剤は、シランカップリング剤であることが好ましい。 Since the adhesive force of the cured product of the anisotropic conductive material can be increased, the anisotropic conductive material preferably contains an adhesive strength adjusting agent. From the viewpoint of further increasing the adhesive strength, the adhesive strength modifier is preferably a silane coupling agent.
上記異方性導電材料は、フィラーを含有することが好ましい。該フィラーの使用により、異方性導電材料の硬化物の潜熱膨張を抑制できる。上記フィラーは特に限定されない。上記フィラーとしては、シリカ、窒化アルミニウム及びアルミナ等が挙げられる。上記フィラーは1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The anisotropic conductive material preferably contains a filler. By using the filler, latent heat expansion of the cured product of the anisotropic conductive material can be suppressed. The filler is not particularly limited. Examples of the filler include silica, aluminum nitride, and alumina. As for the said filler, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記フィラーの含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物の合計100重量部に対して、上記フィラーの含有量の好ましい下限は70重量部、より好ましい下限は80重量部、好ましい上限は100重量部、より好ましい上限は90重量部である。上記フィラーの含有量が上記好ましい下限及び上限を満たすと、異方性導電材料の硬化物の潜熱膨張を充分に抑制でき、更に異方性導電材料中にフィラーを充分に分散させることができる。 The content of the filler is not particularly limited. The preferable lower limit of the filler content is 70 parts by weight, the more preferable lower limit is 80 parts by weight, the preferable upper limit is 100 parts by weight, and the more preferable upper limit is 90 parts by weight with respect to the total of 100 parts by weight of the curable compound. . When content of the said filler satisfy | fills the said preferable minimum and upper limit, the latent thermal expansion of the cured | curing material of an anisotropic conductive material can fully be suppressed, and also a filler can fully be disperse | distributed in an anisotropic conductive material.
以下、本発明について、実施例および比較例を挙げて具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.
(実施例1)
(1)内層を形成するための組成物の調製
エピスルフィド化合物含有混合物の調製:
攪拌機、冷却機及び温度計を備えた2Lの容器内に、エタノール250mLと、純水250mLと、チオシアン酸カリウム20gとを加え、チオシアン酸カリウムを溶解させ、第1の溶液を調製した。その後、容器内の温度を20〜25℃の範囲内に保持した。次に、20〜25℃に保持された容器内の第1の溶液を攪拌しながら、該第1の溶液中に、レゾルシノールジグリシジルエーテル160gを5mL/分の速度で滴下した。滴下後、30分間さらに攪拌し、エポキシ化合物含有混合液を得た。
Example 1
(1) Preparation of composition for forming inner layer Preparation of episulfide compound-containing mixture:
In a 2 L container equipped with a stirrer, a cooler, and a thermometer, 250 mL of ethanol, 250 mL of pure water, and 20 g of potassium thiocyanate were added to dissolve potassium thiocyanate, thereby preparing a first solution. Thereafter, the temperature in the container was kept in the range of 20 to 25 ° C. Next, 160 g of resorcinol diglycidyl ether was dropped into the first solution at a rate of 5 mL / min while stirring the first solution in the container maintained at 20 to 25 ° C. After dropping, the mixture was further stirred for 30 minutes to obtain an epoxy compound-containing mixed solution.
次に、純水100mLと、エタノール100mLとを含む溶液に、チオシアン酸カリウム20gを溶解させた第2の溶液を用意した。得られたエポキシ基含有混合液に、得られた第2の溶液を5mL/分の速度で添加した後、30分攪拌した。攪拌後、純水100mLとエタノール100mLとを含む溶液に、チオシアン酸カリウム20gを溶解させた第2の溶液をさらに用意し、該第2の溶液を5mL/分の速度で容器内にさらに添加し、30分間攪拌した。その後、容器内の温度を10℃に冷却し、2時間攪拌し、反応させた。 Next, a second solution in which 20 g of potassium thiocyanate was dissolved in a solution containing 100 mL of pure water and 100 mL of ethanol was prepared. The obtained second solution was added to the obtained epoxy group-containing mixed solution at a rate of 5 mL / min, and then stirred for 30 minutes. After stirring, a second solution in which 20 g of potassium thiocyanate is dissolved in a solution containing 100 mL of pure water and 100 mL of ethanol is further prepared, and the second solution is further added to the container at a rate of 5 mL / min. And stirred for 30 minutes. Thereafter, the temperature in the container was cooled to 10 ° C., and stirred for 2 hours to be reacted.
次に、容器内に飽和食塩水100mLを加え、10分間攪拌した。攪拌後、容器内にトルエン300mLをさらに加え、10分間攪拌した。その後、容器内の溶液を分液ロートに移し、2時間静置し、溶液を分離させた。分液ロート内の下方の溶液を排出し、上澄み液を取り出した。取り出された上澄み液にトルエン100mLを加え、攪拌し、2時間静置した。更に、トルエン100mLをさらに加え、攪拌し、2時間静置した。 Next, 100 mL of saturated saline was added to the container and stirred for 10 minutes. After stirring, 300 mL of toluene was further added to the container and stirred for 10 minutes. Thereafter, the solution in the container was transferred to a separating funnel and allowed to stand for 2 hours to separate the solution. The lower solution in the separatory funnel was discharged, and the supernatant was taken out. 100 mL of toluene was added to the removed supernatant, stirred, and allowed to stand for 2 hours. Further, 100 mL of toluene was further added, stirred and allowed to stand for 2 hours.
次に、トルエンが加えられた上澄み液に、硫酸マグネシウム50gを加え、5分間攪拌した。攪拌後、ろ紙により硫酸マグネシウムを取り除いて、溶液を分離した。真空乾燥機を用いて、分離された溶液を80℃で減圧乾燥することにより、残存している溶剤を除去した。このようにして、エピスルフィド化合物含有混合物を得た。 Next, 50 g of magnesium sulfate was added to the supernatant liquid to which toluene was added and stirred for 5 minutes. After stirring, magnesium sulfate was removed with a filter paper to separate the solution. The remaining solvent was removed by drying the separated solution under reduced pressure at 80 ° C. using a vacuum dryer. In this way, an episulfide compound-containing mixture was obtained.
クロロホルムを溶媒として、得られたエピスルフィド化合物含有混合物の1H−NMRの測定を行った。この結果、エポキシ基の存在を示す6.5〜7.5ppmの領域のシグナルが減少し、エピスルフィド基の存在を示す2.0〜3.0ppmの領域にシグナルが現れた。これにより、レゾルシノールジグリシジルエーテルの一部のエポキシ基がエピスルフィド基に変換されていることを確認した。また、1H−NMRの測定結果の積分値より、エピスルフィド化合物含有混合物は、レゾルシノールジグリシジルエーテル70重量%と、下記式(1B)で表される構造を有するエピスルフィド化合物30重量%とを含有することを確認した。 1 H-NMR measurement of the obtained episulfide compound-containing mixture was performed using chloroform as a solvent. As a result, the signal in the region of 6.5 to 7.5 ppm indicating the presence of the epoxy group decreased, and the signal appeared in the region of 2.0 to 3.0 ppm indicating the presence of the episulfide group. This confirmed that some epoxy groups of resorcinol diglycidyl ether were converted into episulfide groups. Moreover, from the integral value of the measurement result of 1 H-NMR, the episulfide compound-containing mixture contains 70% by weight of resorcinol diglycidyl ether and 30% by weight of the episulfide compound having a structure represented by the following formula (1B). It was confirmed.
内層を形成するための組成物の調製:
得られたエピスルフィド化合物含有混合物30重量部に、熱硬化剤としてのアミンアダクト(味の素ファインテクノ社製「PN−23J」)5重量部と、光硬化性化合物としてのエポキシアクリレート(ダイセル・サイテック社製「EBECRYL3702」)5重量部と、光重合開始剤としてのアシルホスフィンオキサイド系化合物(チバ・ジャパン社製「DAROCUR TPO」)0.1重量部と、硬化促進剤としての2−エチル−4−メチルイミダゾール1重量部と、フィラーとしての平均粒子径0.25μmのシリカ20重量部及び平均粒子径0.5μmのアルミナ20重量部とを配合し、さらに平均粒子径3μmの導電性粒子を配合物100重量%中での含有量が10重量%となるように添加した後、遊星式攪拌機を用いて2000rpmで5分間攪拌することにより、配合物を得た。
Preparation of the composition for forming the inner layer:
30 parts by weight of the resulting episulfide compound-containing mixture, 5 parts by weight of an amine adduct (“PN-23J” manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co.) as a thermosetting agent, and an epoxy acrylate (manufactured by Daicel Cytec Co., Ltd.) as a photocurable compound “EBECRYL 3702”) 5 parts by weight, 0.1 part by weight of an acylphosphine oxide compound (“DAROCUR TPO” manufactured by Ciba Japan) as a photopolymerization initiator, and 2-ethyl-4-methyl as a curing
なお、用いた上記導電性粒子は、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面にニッケルめっき層が形成されており、かつ該ニッケルめっき層の表面に金めっき層が形成されている金属層を有する導電性粒子である。 The conductive particles used are conductive particles having a metal layer in which a nickel plating layer is formed on the surface of divinylbenzene resin particles and a gold plating layer is formed on the surface of the nickel plating layer. is there.
得られた配合物を、ナイロン製ろ紙(孔径10μm)を用いてろ過することにより、導電性粒子の含有量が10重量%である内層を形成するための組成物を得た。 The composition for forming the inner layer whose content of electroconductive particle is 10 weight% was obtained by filtering the obtained compound using nylon filter paper (pore diameter 10 micrometers).
(2)外層を形成するための組成物の調製
内層を形成するための組成物の調製の際に得られたエピスルフィド化合物含有混合物30重量部に、熱硬化剤としてのアミンアダクト(味の素ファインテクノ社製「PN−23J」)5重量部と、硬化促進剤としての2−エチル−4−メチルイミダゾール1重量部と、フィラーとしての平均粒子径0.25μmのシリカ10重量部及び平均粒子径0.5μmのアルミナ10重量部とを配合し、外層を形成するための組成物を得た。
(2) Preparation of composition for forming outer layer An amine adduct (Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.) as a thermosetting agent was added to 30 parts by weight of the episulfide compound-containing mixture obtained in the preparation of the composition for forming the inner layer. “PN-23J”) 5 parts by weight, 1 part by weight of 2-ethyl-4-methylimidazole as a curing accelerator, 10 parts by weight of silica having an average particle diameter of 0.25 μm and an average particle diameter of 0. A composition for forming an outer layer was obtained by blending 10 parts by weight of 5 μm alumina.
(3)接続構造体の作製
L/Sが30μm/30μmのITO電極パターンが上面に形成された透明ガラス基板を用意した。また、L/Sが30μm/30μmの銅電極パターンが下面に形成された半導体チップを用意した。
(3) Production of Connection Structure A transparent glass substrate having an ITO electrode pattern with an L / S of 30 μm / 30 μm formed on the upper surface was prepared. Further, a semiconductor chip was prepared in which a copper electrode pattern having L / S of 30 μm / 30 μm was formed on the lower surface.
図1(a)〜(c)に示すようにして、図4に示すディスペンサー31の先端31aから、内層を形成するための組成物と外層を形成するための組成物とを吐出することにより、透明ガラス基板の上面に異方性導電材料を配置し、異方性導電材料層を形成した。配置された異方性導電材料層の内層の厚みは15μm、内層の一方側と他方側とに積層された外層の各厚みは7.5μm(両側の合計の厚み15μm)、異方性導電材料層の厚みは30μmであった。異方性導電材料を配置しながら、異方性導電材料層に紫外線照射ランプを用いて、420nmの紫外線を光照射強度が50mW/cm2となるように照射し、光重合によって内層をBステージ化した。異方性導電材料層が上記透明ガラス基板に接したときから、異方性導電材料層に光が照射されるまでの時間Tは、0.5秒であった。
As shown in FIGS. 1A to 1C, by discharging the composition for forming the inner layer and the composition for forming the outer layer from the
光の照射の後、60秒間放置した。光の照射の直後から、Bステージ化された内層は次第に降下した。上記時間の放置により、Bステージ化された内層が降下して、透明ガラス基板の上面に接した。 After irradiation with light, it was left for 60 seconds. Immediately after the light irradiation, the B-stage inner layer gradually descended. By allowing the time to stand, the B-staged inner layer dropped and contacted the upper surface of the transparent glass substrate.
次に、Bステージ化された内層及び外層を含む異方性導電材料層の上面に、上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電ペースト層の温度が185℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、10kg/cm2の圧力をかけて、Bステージ化された内層及び外層を185℃で完全硬化させ、接続構造体を得た。 Next, the semiconductor chip was laminated on the upper surface of the anisotropic conductive material layer including the inner layer and the outer layer which were B-staged so that the electrodes face each other. Then, while adjusting the temperature of the head so that the temperature of the anisotropic conductive paste layer becomes 185 ° C., a pressure heating head is placed on the upper surface of the semiconductor chip and a pressure of 10 kg / cm 2 is applied to form a B stage. The inner and outer layers thus obtained were completely cured at 185 ° C. to obtain a connection structure.
(実施例2)
配置された異方性導電材料層の内層の厚みを20μm、内層の一方側と他方側とに積層された外層の各厚みを5μm(両側の合計の厚み10μm)、異方性導電材料層の厚みを30μmにそれぞれ変更したこと以外は実施例1と同様にして、接続構造体を得た。
(Example 2)
The thickness of the inner layer of the disposed anisotropic conductive material layer is 20 μm, the thickness of each outer layer laminated on one side and the other side of the inner layer is 5 μm (total thickness of both sides is 10 μm), A connection structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness was changed to 30 μm.
(実施例3)
異方性導電材料層が上記透明ガラス基板に接したときから、異方性導電材料層に光が照射されるまでの時間Tを3秒に変更したこと以外は実施例1と同様にして、接続構造体を得た。
(Example 3)
Except that the time T from when the anisotropic conductive material layer was in contact with the transparent glass substrate to when the anisotropic conductive material layer was irradiated with light was changed to 3 seconds, the same as in Example 1, A connection structure was obtained.
(実施例4)
光の照射後の放置時間を120秒間に変更したこと以外は実施例1と同様にして、接続構造体を得た。
Example 4
A connection structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that the standing time after irradiation with light was changed to 120 seconds.
(実施例5)
内層を形成するための組成物を調製する際に、導電性粒子の含有量を10重量%から1重量%に変更したこと以外は実施例1と同様にして、内層を形成するための組成物を得た。得られた内層を形成するための組成物を用いたこと以外は実施例1と同様にして接続構造体を得た。
(Example 5)
Composition for forming the inner layer in the same manner as in Example 1 except that the content of the conductive particles was changed from 10% by weight to 1% by weight when preparing the composition for forming the inner layer. Got. A connection structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that the composition for forming the obtained inner layer was used.
(実施例6)
内層を形成するための組成物を調製する際に、導電性粒子の含有量を10重量%から15重量%に変更したこと以外は実施例1と同様にして、内層を形成するための組成物を得た。得られた内層を形成するための組成物を用いたこと以外は実施例1と同様にして接続構造体を得た。
(Example 6)
Composition for forming the inner layer in the same manner as in Example 1 except that the content of the conductive particles was changed from 10% by weight to 15% by weight when preparing the composition for forming the inner layer. Got. A connection structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that the composition for forming the obtained inner layer was used.
(実施例7)
内層を形成するための組成物を調製する際に、光硬化性化合物としてのエポキシアクリレートをウレタンアクリレート(ダイセル・サイテック社製「EBECRYL8804」)に変更したこと以外は実施例1と同様にして、内層を形成するための組成物を得た。得られた内層を形成するための組成物を用いたこと以外は実施例1と同様にして接続構造体を得た。
(Example 7)
In preparing the composition for forming the inner layer, the inner layer was changed in the same manner as in Example 1 except that the epoxy acrylate as the photocurable compound was changed to urethane acrylate ("EBECRYL8804" manufactured by Daicel-Cytec). A composition for forming was obtained. A connection structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that the composition for forming the obtained inner layer was used.
(実施例8)
内層を形成するための組成物を調製する際に、熱硬化性化合物としてのエピスルフィド化合物含有混合物をビスフェノールA型エピスルフィド化合物含有混合物(ビスフェノールA型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製「jER1001」)を実施例1に記載のエピスルフィド化合物含有混合物の調製と同様に作製)に変更したこと以外は実施例1と同様にして、内層を形成するための組成物を得た。得られた内層を形成するための組成物を用いたこと以外は実施例1と同様にして接続構造体を得た。
(Example 8)
When preparing a composition for forming an inner layer, an episulfide compound-containing mixture as a thermosetting compound was subjected to a bisphenol A-type episulfide compound-containing mixture (bisphenol A-type epoxy resin (“jER1001” manufactured by Japan Epoxy Resin)) A composition for forming an inner layer was obtained in the same manner as in Example 1 except that the production was performed in the same manner as in the preparation of the episulfide compound-containing mixture described in Example 1. A connection structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that the composition for forming the obtained inner layer was used.
(実施例9)
外層を形成するための組成物を調製する際に、熱硬化性化合物としてのエピスルフィド化合物含有混合物をビスフェノールA型エピスルフィド化合物含有混合物(ビスフェノールA型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製「jER1001」)を実施例1に記載のエピスルフィド化合物含有混合物の調製と同様に作製)に変更したこと以外は実施例1と同様にして、外層を形成するための組成物を得た。得られた外層を形成するための組成物を用いたこと以外は実施例1と同様にして接続構造体を得た。
Example 9
When preparing the composition for forming the outer layer, the episulfide compound-containing mixture as a thermosetting compound was subjected to a bisphenol A-type episulfide compound-containing mixture (bisphenol A-type epoxy resin (“jER1001” manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.)). A composition for forming an outer layer was obtained in the same manner as in Example 1 except that the composition was changed to the preparation of episulfide compound-containing mixture described in Example 1). A connection structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that the composition for forming the obtained outer layer was used.
(参考例1)
実施例1で得られた内層を形成するための組成物を単独で、異方性導電材料として用いた。
(Reference Example 1)
The composition for forming the inner layer obtained in Example 1 was used alone as an anisotropic conductive material.
実施例1で用意した透明ガラス基板の上面に、ディスペンサーのノズルから、得られた異方性導電材料を厚さ30μmとなるように塗布し、異方性導電材料層を形成した。異方性導電材料の塗布の際及び塗布の後に光を照射しなかった。 The obtained anisotropic conductive material was applied to the upper surface of the transparent glass substrate prepared in Example 1 from a dispenser nozzle so as to have a thickness of 30 μm to form an anisotropic conductive material layer. No light was irradiated during and after application of the anisotropic conductive material.
次に、異方性導電ペースト層の上面に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電ペースト層の温度が185℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、10kg/cm2の圧力をかけて異方性導電ペースト層を185℃で完全硬化させ、接続構造体を得た。 Next, the semiconductor chip was laminated on the upper surface of the anisotropic conductive paste layer so that the electrodes face each other. After that, while adjusting the head temperature so that the temperature of the anisotropic conductive paste layer becomes 185 ° C., a pressure heating head is placed on the upper surface of the semiconductor chip, and a pressure of 10 kg / cm 2 is applied to apply the anisotropic conductive paste. The paste layer was completely cured at 185 ° C. to obtain a connection structure.
(評価)
(1)硬化前の内層の粘度η1及び硬化前の外層の粘度η2
硬化前の内層の粘度η1及び硬化前の外層の粘度η2を、E型粘度計(東機産業社製)を用いて、25℃及び2.5rpmの条件で測定した。
(Evaluation)
(1) The viscosity η1 of the inner layer before curing and the viscosity η2 of the outer layer before curing
The viscosity η1 of the inner layer before curing and the viscosity η2 of the outer layer before curing were measured using an E-type viscometer (manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) at 25 ° C. and 2.5 rpm.
(2)Bステージ化された異方性導電ペースト層の粘度
実施例及び比較例において、光重合によって内層をBステージ化させた後であって、Bステージ化された内層の上面に半導体チップを積層する直前のBステージ化された内層の粘度を、E型粘度計(東機産業社製)を用いて、25℃及び2.5rpmの条件で測定した。
(2) Viscosity of B-staged anisotropic conductive paste layer In Examples and Comparative Examples, after the inner layer was B-staged by photopolymerization, a semiconductor chip was placed on the upper surface of the B-staged inner layer. The viscosity of the B-staged inner layer immediately before lamination was measured using an E-type viscometer (manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) at 25 ° C. and 2.5 rpm.
(3)リーク評価
得られた接続構造体を用いて、隣り合う電極20個においてリークが生じているか否かを、テスターで測定した。
(3) Leak Evaluation Using the obtained connection structure, it was measured with a tester whether or not a leak occurred in 20 adjacent electrodes.
(4)ボイドの有無
得られた接続構造体において、異方性導電ペースト層により形成された硬化物層にボイドが生じているか否かを、透明ガラス基板の下面側から目視により観察した。
(4) Presence / absence of voids In the obtained connection structure, whether or not voids were generated in the cured product layer formed of the anisotropic conductive paste layer was visually observed from the lower surface side of the transparent glass substrate.
結果を下記の表1に示す。 The results are shown in Table 1 below.
1…異方性導電材料
1A…異方性導電材料層
1a…上面
2…内層
2a…一方
2b…他方
2A…Bステージ化された内層
3…外層
4…導電性粒子
21…接続構造体
22…第1の接続対象部材
22a…上面
22b…電極
23…第2の接続対象部材
23a…上面
23b…電極
24…硬化物層
31…ディスペンサー
31a…先端
32…外壁
33…仕切壁
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記内層の外周面を取り囲むように前記内層を被覆していることによって、前記内層の一方側及び該一方側とは反対側の他方側に前記外層が積層されており、
前記内層が、硬化性化合物と、熱硬化剤及び光硬化開始剤の内の少なくとも一種と、導電性粒子とを含み、かつ、
前記外層が、硬化性化合物と、熱硬化剤及び光硬化開始剤の内の少なくとも一種とを含む、異方性導電材料。 An inner layer and an outer layer covering the inner layer so as to surround the outer peripheral surface of the inner layer;
By covering the inner layer so as to surround the outer peripheral surface of the inner layer, the outer layer is laminated on one side of the inner layer and the other side opposite to the one side ,
The inner layer includes a curable compound, at least one of a thermosetting agent and a photocuring initiator, and conductive particles; and
An anisotropic conductive material, wherein the outer layer includes a curable compound and at least one of a thermosetting agent and a photocuring initiator.
前記外層が、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含む、請求項1に記載の異方性導電材料。 The inner layer includes a mixture of a thermosetting compound and a photocurable compound, a thermosetting agent, a photocuring initiator, and conductive particles, or a photocurable compound, a photocuring initiator, and a conductive material. Sex particles, and
The anisotropic conductive material according to claim 1, wherein the outer layer includes a thermosetting compound and a thermosetting agent.
前記外層に含まれている硬化性化合物が、エポキシ基及びエピスルフィド基の内の少なくとも一種を有する硬化性化合物を含有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の異方性導電材料。 The curable compound contained in the inner layer contains a curable compound having a (meth) acryloyl group, and
The anisotropic conductive material of any one of Claims 1-3 in which the curable compound contained in the said outer layer contains the curable compound which has at least 1 type of an epoxy group and an episulfide group.
前記異方性導電材層に光を照射又は熱を付与し、前記内層の硬化を進行させることにより、前記内層をBステージ化させ、Bステージ化された内層が前記第1の接続対象部材の上面に近づくように、上記Bステージ化された内層を移動させる工程と、
前記Bステージ化された内層が移動した後に、前記異方性導電材料層の上面に第2の接続対象部材をさらに積層して、前記Bステージ化された内層及び前記外層を硬化させ、接続構造体を得る工程とを備える、接続構造体の製造方法。 The anisotropic conductive material according to any one of claims 1 to 5 is disposed on an upper surface of a first connection target member, and the outer layer is positioned between the first connection target member and the inner layer. A step of forming an anisotropic conductive material layer,
By irradiating light or applying heat to the anisotropic conductive material layer and proceeding curing of the inner layer, the inner layer is made into a B-stage, and the B-staged inner layer is the first connection target member. Moving the B-stage inner layer so as to approach the upper surface;
After the B-staged inner layer moves, a second connection target member is further laminated on the upper surface of the anisotropic conductive material layer, and the B-staged inner layer and the outer layer are cured, thereby connecting structure The manufacturing method of a connection structure provided with the process of obtaining a body.
前記硬化物層が、請求項1〜5のいずれか1項に記載の異方性導電材料を硬化させることにより形成されている、接続構造体。 A first connection target member, a second connection target member, and a cured product layer connecting the first and second connection target members,
The connection structure body in which the said hardened | cured material layer is formed by hardening the anisotropic electrically-conductive material of any one of Claims 1-5 .
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