JP5422912B2

JP5422912B2 - 磁気記録媒体及びその製造方法及び磁気記録再生装置

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Publication number: JP5422912B2
Application number: JP2008118926A
Authority: JP
Inventors: 努田中; 賢治佐藤
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2008-04-30
Filing date: 2008-04-30
Publication date: 2014-02-19
Anticipated expiration: 2028-04-30
Also published as: JP2009271958A; US8067104B2; US20090273861A1

Description

本発明は磁気記録媒体及びその製造方法及び磁気記録再生装置に係り、特にイオンドープにより磁気パターンを形成する磁気記録媒体及びその製造方法及び磁気記録再生装置に関する。

ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）は、データの高速アクセス及び高速転送が可能な大容量記憶装置として主流であり、年率１００％近く面記録密度が向上しており、更なる記録密度向上が求められている。

ＨＤＤの記録密度を向上させるためには、トラック幅の縮小、記録ビット長の短縮が必要であるが、トラック幅を縮小させると、隣接するトラック同士が干渉し易くなる問題が発生する。トラック幅の縮小は、記録時においては磁気記録情報が隣接するトラックに重ね書きされ易いという問題や、再生時においては隣接するトラックからの漏洩磁界によるクロストークの問題が起き易い問題を生じる。

これらの問題は、いずれも再生信号のＳ／Ｎ比の低下を招き、エラーレートが劣化するという問題を引き起こす要因となる。また、記録ビット長の短縮を進めると、ビットの安定性が低下する、熱揺らぎ現象が発生する。

こうした問題に対し、隣接するトラック間の影響を低減し、かつ、高いトラック密度を実現する方法として、ビットパターンド型の磁気記録媒体が提案されている（特許文献１参照）。

しかしながら、ビットパターンド型の磁気記録媒体の作成方法は、ビット以外の部分をエッチング加工して磁性膜を除去し、その後非磁性物質を充填して平坦化加工することで、磁気記録媒体上での磁気ヘッドの浮上特性を安定なものとする、非常に複雑な製造プロセスを行う必要があり、製造コストも増大する問題が生じる。

これらの問題を回避するための方法として、イオンを磁性膜にドープして局所的に磁気状態を変える加工方法が検討されている。イオンをドープして磁気状態を変えるため、エッチングや充填、平坦化などの複雑な製造プロセスが必要ではなくなり、製造コスト増大を押さえることが可能となる。
特公平０６−０２８０９３号公報

しかしながら、従来のイオンをドーピングする方法においては、イオンドープした領域（ガード領域という）における磁性の消失を十分に行うことができなかった。また、これを改善するために磁性膜に希土類-遷移金属などのアモルファス磁性膜を用いた場合には、磁気状態を維持するベース部分（記録領域となる）の飽和磁化が小さく、高記録密度に適さないなどの問題が生じ、実用化には至っていなかった。

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、下地層を設けることによりガード領域の飽和磁化を低減することにより記録領域に対する良好な磁気記録を可能とした磁気記録媒体及びその製造方法及び磁気記録再生装置を提供することを目的とする。

上記の課題は、本発明の第１の観点からは、基板と、該基板上に形成されると共に、局所的にイオンドープを行うことにより記録領域と、該記録領域よりも飽和磁化の小さいガード領域とが形成された主磁性膜を有する記録膜とが設けられた磁気記録媒体であって、
前記主磁性膜の前記基板側に、B、Mo、Al、Si、Cから選択される少なくとも一種の元素を主成分とする下地層を設け、前記主磁性膜が、前記下地層の原子が拡散したことにより飽和磁化が低減した領域を有する磁気記録媒体により解決することができる。

また上記の課題は、本発明の第２の観点からは、基板上にB、Mo、Al、Si、Cから選択される少なくとも一種の元素を主成分とする下地層を形成する工程と、該下地層を形成した後、該下地層上に主磁性膜を形成する工程と、該主磁性膜に局所的にイオンドープを行うことにより、記録領域と、該記録領域よりも飽和磁化の小さいガード領域とを形成すると共に、前記主磁性膜に前記下地層の原子が拡散したことにより飽和磁化が低減した領域を形成する工程と、を有する磁気記録媒体の製造方法により解決することができる。

上記の磁気記録媒体によれば、主磁性膜の前記基板側にCr、B、Mo、Al、Si、Cから選択される少なくとも一種の元素を主成分とする下地層を設けたことにより、イオンドープされた領域の飽和磁気を低減することができ、よって記録領域に対する良好な磁気記録を行うことが可能となる。

次に、本発明を実施するための最良の形態について図面と共に説明する。

図１は、本発明の一実施形態である磁気記録媒体１を示す概略断面図である。この磁気記録媒体１は垂直磁気記録媒体であり、非磁性材料で形成された非磁性基板２の上に記録膜３を積層した構造を有する。

非磁性基板２は、石英ガラス、アルミニウム、Ｓｉ等の非磁性材料で形成されている。本実施形態では、非磁性基板２の材料としてガラスを適用している（以下、ガラス基板２という）。このガラス基板２は、磁気記録媒体１の全体としての強度を確保する機能を奏するものである。

記録膜３は、ガラス基板２側からベース層４、下地層５、主磁性膜６、及び保護膜７を積層した構造とされている。ベース層４は例えばRuからなる薄膜で、その厚さは例えば20nmとされている。このベース層４は、その上部に形成される主磁性膜６の結晶性を向上するための層であり、単層又は複数層で形成される。尚、ベース層４の材質はRuに限定されるものではなく、例えば、アモルファスＴａ層、ＮｉＦｅＣｒ層、Ｒｕ層の積層、ＮｉＦｅＣｒ層等を用いることもできる。

主磁性膜６は、CoとPtを主成分とする強磁性材料、CoとPdを主成分とする強磁性材料、或いはFeとPtを主成分とする強磁性材料を用いることができる。具体的には、CoPt或いはCoCrPt等のCoPtの磁性合金、Co膜とPd膜を積層した人工格子構造からなる強磁性膜、又はFe膜とPt膜を積層した人工格子構造からなる強磁性膜等を用いることができる。この主磁性膜６の厚さは、例えば20nmとされている。

この主磁性膜６は、後述するようにイオンドープ（イオン注入）が行われることにより、記録領域９とガード領域１０が形成される。図３（Ｃ）は、この記録領域９とガード領域１０を模式的に示している。主磁性膜６に対してイオンドープがされた領域は、局所的に磁気状態が変化して飽和磁化が低減する。これに対し、主磁性膜６のイオンドープが行われない領域は、高い飽和磁化を維持する。

よって、イオンドープがされた領域であるガード領域１０は、記録領域９から磁界が漏洩するのをガード（防止）する機能を奏する。これにより、隣接する記録領域９はガード領域１０により磁気的に隔離された構成となり、高密度な磁気記録を行うことが可能となる。

保護膜７は、主磁性膜６を保護する機能を奏するものである。この保護膜７の材料としては、例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等を用いることができる。この保護膜７の厚さは、例えば3nmとされている。

下地層５は、本願の要部となるものであり、上記のベース層４と主磁性膜６との間に設けられている。即ち、下地層５は、主磁性膜６のガラス基板２側に形成されている。また、下地層５の材質は、Cr、B、Mo、Al、Si、Cから選択される少なくとも一種の元素を主成分とする材料が用いられている。

本実施形態のように、主磁性膜６のガラス基板２側に上記材料よりなる下地層５を形成することにより、イオンドープされたガード領域１０の飽和磁気をより確実に低減することができ、よって記録領域９に対して良好な磁気記録を行うことが可能となる（これについては、後に詳述する）。

次に、本発明の一実施例である磁気記録媒体１の製造方法について説明する。図２及び図３は、磁気記録媒体１の製造方法を製造手順に沿って示している。尚、図２及び図３において、図１に示した構成と対応する構成については同一符号を付して、適宜その説明を省略する。

本実施例に係る磁気記録媒体１を作製するには、先ず図２（Ａ）に示すように、記録膜３を保持する非磁性基板となるガラス基板２を用意する。尚、本実施形態では基板としてガラス基板２を用いているが、基板の材質はガラスに限定されるものではなく、アルミニウム、Ｓｉ等の他の非磁性材料を用いることも可能である。

このガラス基板２の上面には、ベース層４が形成される。このベース層４は、ガラス基板２上に厚さ20nmのRu層をＡｒガス圧4.0Pa，0.4ｋＷのスパッタリングで成膜することにより形成する。図２（Ｂ）は、ガラス基板２上にベース層４が形成された状態を示している。

次に、ベース層４の上部に下地層５を形成する。このベース層４は、Cr、B、Mo、Al、Si、Cから選択される少なくとも一種の元素を主成分とする材料をターゲットとし、ベース層４の上にＡｒガス圧4.0Pa，0.4ｋＷのスパッタリングで5nmの厚さで成膜することにより形成する。図２（Ｃ）は、ベース層４上に下地層５が形成された状態を示している。

上記のように下地層５が形成されると、この下地層５上に主磁性膜６が形成される。本実施形態では、主磁性膜６としてCoPtを用いているため、CoPtをターゲットとし、下地層５上にＡｒガス圧0.5Pa，0.1ｋＷのスパッタリングで20nmの厚さで成膜する。図２（Ｄ）は、下地層５上に主磁性膜６が形成された状態を示している。

この際、主磁性膜６としてCoCrPtを用いた場合には、CoCrPtをターゲットとしてスパッタリングを行う。また、Co膜とPd膜を積層した人工格子構造からなる強磁性膜を形成する場合には、Coをターゲットとして先ずCo膜を形成し、続いてこのCo膜上にPdをターゲットとしてPd膜を形成する。そして、このCo膜及びPd膜の形成を交互に繰り返し所定回数実施することにより、Co膜とPd膜の人工格子構造を形成する。

また、Fe膜とPt膜を積層した人工格子構造からなる強磁性膜を形成する場合には、Feをターゲットとして先ずFe膜を形成し、続いてこのFe膜上にPtをターゲットとしてPt膜を形成する。そして、このFe膜とPt膜の形成を繰り返し所定回数実施することにより、Fe膜とPt膜の人工格子構造を形成する。尚、この人工格子構造を形成するときのスパッタリング条件は、例えばＡｒガス圧0.5 Pa，スパッタ電力0.1ｋWとすることができる。

そして、最後に主磁性膜６の上部に、厚さ３ｎｍのＤＬＣ層を保護膜７として形成した。実際に使用する場合は、保護膜７の上部に更に液体潤滑層を塗布することが好ましい。図２（Ｅ）は、保護膜７が形成された状態を示している。上記の図２（Ａ）〜（Ｅ）に示す各工程を行うことにより、ガラス基板２上にベース層４，下地層５，主磁性膜６，及び保護膜７を含む記録膜３が形成される。

上記のようにガラス基板２上に記録膜３が形成されると、続いて記録膜３の上部に紫外線（ＵＶ）硬化樹脂８を配設する。続いて、このＵＶ硬化樹脂８をナノインプリント用型１１を用いて成型する。このナノインプリント用型１１は、記録領域９及びガード領域１０に対応した凹凸を有している。具体的には、記録領域９に対応する位置には凹部１１ａが形成され、ガード領域１０に対応する位置には凸部１１ｂが形成されている。

この凹部１１ａ及び凸部１１ｂが形成されたナノインプリント用型１１をＵＶ硬化樹脂８にプレスすることにより、ＵＶ硬化樹脂８にはナノインプリント用型１１の凹部１１ａ及び凸部１１ｂに対応した凸部８ａと凹部８ｂが形成される。よって、凸部８ａは記録領域９に対応した位置に形成され、凹部８ｂはガード領域１０に対応した位置に形成される。

このプレスを行った後、ＵＶ照射を行うことにより、ＵＶ硬化樹脂８を硬化させる。図３（Ａ）は、ナノインプリント用型１１によりＵＶ硬化樹脂８を成型し、ＵＶ照射を行っている状態を示している。

ＵＶ硬化樹脂８の硬化処理が終了すると、ナノインプリント用型１１は除去される。そして、ＵＶ硬化樹脂８をマスクとして記録膜３（具体的には、主磁性膜６）に対してイオンドープ処理が行われる。このイオンドープ処理は、周知のイオン注入装置を用いて実施される。

この際実施されるイオンドープは、打ち込みエネルギー等を調整することにより、下地層５と主磁性膜６との間を狙ったイオンドープとなるよう設定する。また、イオンドープするイオンとしては、主磁性膜６の飽和磁化を低減しうるイオン種であれば特定されることはない。本実施形態では、ドープイオンとしてArイオンを用いた。また、イオンドープ条件は、電圧25keV、ドーズ量5×10¹⁵atoms/cm²とした。図３（Ｂ）は、記録膜３に対してイオンドープを行っている状態を示している（図３（Ｂ）では、ＵＶ硬化樹脂８の図示は省略している）。

記録膜３に対するイオンドープ処理は、凸部８ａ及び凹部８ｂが形成されたＵＶ硬化樹脂８を介して実施される。よって、肉厚とされた凸部８ａが形成された部位では、イオン注入装置から出射されたイオンは凸部８ａ内で散乱し、記録膜３に対するイオン注入量が低下する。これに対し、凸部８ａよりも肉薄とされた凹部８ｂでは、イオン注入装置から出射されたイオンは凹部８ｂを通過して記録膜３に強く打ち込まれる。

これにより、記録膜３の主磁性膜６の凸部８ａと対向する位置にはイオンドープ処理によっても飽和磁化の低下のない記録領域９が形成される。これに対し、主磁性膜６の凹部８ｂと対向する位置にはイオンが打ち込まれるため、飽和磁気は記録領域９に比べて低下し、ガード領域１０が形成される。図３（Ｃ）は、主磁性膜６に記録領域９及びガード領域１０が形成された状態を示している。尚、図３（Ｃ）では図示の便宜上、記録膜３の厚さ方向全体が記録領域９及びガード領域１０であるように図示しているが、実際は主磁性膜６のみにおいて記録領域９及びガード領域１０が形成される。

以上の工程を実施することにより、磁気記録媒体１が製造される。この磁気記録媒体１の製造処理は、下地層５の形成を除き、従来から行われている処理と同一である。また、下地層５の形成処理は、記録膜３を構成する他の膜（ベース層４，主磁性膜６，保護膜７）と一連的な工程（同一真空環境下）で実施できる。このため、下地層５を有する磁気記録媒体１の製造は容易に行うことができ、特に製造工程が複雑化したり製造コストが上昇したりするようなことはない。

次に、上記のように製造される磁気記録媒体１の特性を図４〜図７を用いて説明する。

図４は、主磁性膜６の材料としてCoPtを用いると共に、下地層５の材料をCr，B，Mo，Mg，Cu，Al，C，Ti，Siとした各磁気記録媒体に対し、主磁性膜６に対してArイオンをドープしたときの保持力及び飽和磁気を測定した実施例を示している（イオンドープ条件は、電圧25keV、ドーズ量5×10¹⁵atoms/cm²）。

同様に、図５は主磁性膜６の材料としてCoCrPtを用いると共に下地層５の材料をCr，B，Mo，Mg，Cu，Al，C，Ti，Siとした場合、図６は主磁性膜６としてCo膜とPd膜を積層した人工格子構造膜を用いると共に下地層５の材料をCr，B，Mo，Mg，Cu，Al，C，Ti，Siとした場合、図７は主磁性膜６としてFe膜とPt膜を積層した人工格子構造膜を用いると共に下地層５の材料をCr，B，Mo，Mg，Cu，Al，C，Ti，Siとした場合の各磁気記録媒体に対してイオンドープしたとき（イオンドープ条件はCoCrPtを用いたときと同一）の保持力及び飽和磁気を測定した実施例を示している。

また、各図において「イオンドープ前」とした比較例は、主磁性膜６に対してイオンドープ処理を行う前における磁気記録媒体１の保持力及び飽和磁化の測定を行った結果である。また、各図において「下地層なし（従来）」とした比較例は、図９に示す磁気記録媒体１００のようにガラス基板１０２の上部にベース層１０４，主磁性膜１０６，保護膜１０７を積層した記録膜１０３を形成し、主磁性膜１０６に対してのみイオンドープを行ったときの保持力及び飽和磁化の測定結果を示している。

尚、上記の従来の磁気記録媒体１００は、下地層５のみが存在しないことのみが本実施形態に係る磁気記録媒体１と異なり、他の各膜１０４，１０６，１０７は磁気記録媒体１のベース層４，ベース層４，保護膜７と同一構成である。

先ず、図４の主磁性膜６の材料としてCoPtを用いた磁気記録媒体１の特性に注目する。同図より、イオンドープを行った実施例１−１〜１−９は、イオンドープを行う前の比較例１−１及びイオンドープを実施しない比較例１−２に比べて飽和磁化が低減していることが分る。

この飽和磁化の低減は、図５〜図７に示す他の磁気記録媒体に対しても同様に生じる。即ち、図５に示すように主磁性膜６の材料としてCoCrPtを用いた場合、実施例２−１〜２−９は比較例２−１及び比較例２−２に比べて飽和磁化が低減している。また、図６に示すように主磁性膜６の材料としてCo膜とPd膜を交互に積層した人工格子構造とした場合、実施例３−１〜３−９は比較例３−１及び比較例３−２に比べて飽和磁化が低減している。また、図７に示すように主磁性膜６の材料としてFe膜とPt膜を交互に積層した人工格子構造とした場合も、実施例４−４〜４−９は比較例４−１及び比較例４−２に比べて飽和磁化が低減している。

上記の主磁性膜６のガラス基板２側に、Cr，B，Mo，Mg，Cu，Al，C，Ti，Si等よりなる下地層５を形成し、この下地層５と主磁性膜６との間を狙ったイオンドープを行うことによりドープ位置における飽和磁化が低減するのは、イオンドープにより下地層５の原子が主磁性膜６に拡散したことによるものと考えられる。下地層５の原子が主磁性膜６に拡散すると、主磁性膜６の原子（図４に示す例ではCoPr）と下地層５の原子（Cr，B，Mo，Mg，Cu，Al，C，Ti，Si）とが混ざり合い、これにより非磁性化が生じたものと考えられる。この観点より、ガード領域１０の飽和磁化を確実に低減するためには、主磁性膜６を下地層５上に直接形成することが必要となる。

次に、図４〜図７より、主磁性膜６の非磁性化を有効に実現できる下地層５の材質について検討する。磁気記録媒体１を垂直磁気記録媒体として使用する際、隣接した記録領域９間で干渉が発生しないためには、図４及び図５に示すCoPt及びCoCrPtよりなる主磁性膜６である場合には、ガード領域１０の飽和磁化は370emu/cm²未満であることが望ましい。また、図６及び図７に示すCo膜とPd膜とよりなる人工格子構造及びFe膜とPt膜とよりなる人工格子構造を有した主磁性膜６である場合には、ガード領域１０の飽和磁化は250emu/cm²未満であることが望ましい。

この観点に基づき、図４〜図７に判定結果として○（良好），△（やや不良），×（不良）を示している。この判定結果より、下地層５の材料としては、Cr、B、Mo、Al、Si、Cから選択される少なくとも一種の元素を主成分とする材質を用いることが望ましいことが判明した。

よって、Cr、B、Mo、Al、Si、Cから選択される少なくとも一種の元素を主成分とする材質よりなる下地層５を形成し、この下地層５上にCoPt，CoCrPt，Co／Pd人工格子構造，Fe／Pt等よりなる人工格子構造よりなる主磁性膜６を形成し、下地層５を狙ってイオンドープすることにより、ガード領域１０の飽和磁化を低減でき、記録領域９にクロストークのない良好な磁気記録を行うことができる。

次に、本実施形態の磁気記録媒体１を備えた磁気記録再生装置２０ついて説明する。図８は、磁気記録再生装置２０の平面図である。この磁気記録再生装置２０は、パーソナルコンピュータやテレビの録画装置に搭載されるハードディスク装置である。

この磁気記録再生装置２０では、磁気記録媒体１が、スピンドルモータ等によって回転可能な状態でハードディスクとして筐体１７に収められる。更に、筐体１７の内部には、軸１６を中心にしてＶＣＭ１８（ボイスコイルモータ）により回転可能なキャッリッジアーム１４が設けられている。磁気ヘッド１３はキャリッジアーム１４の先端に設けられており、磁気ヘッド１３が磁気記録媒体１０の上方を走査することにより磁気記録媒体１０への磁気情報の書き込みと読み取りが行われる。

尚、磁気ヘッド１３の種類は特に限定されず、GMR(Giant Magneto-Resistive)素子やTuMR(Tunneling Magneto-Resistive)素子等の磁気抵抗素子で磁気ヘッドを構成してよい。また、磁気記録再生装置２０は、上記のようなハードディスク装置に限定されず、可撓性のテープ状の磁気記録媒体に対して磁気情報を記録するための装置であってもよい。

以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は上記した特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能なものである。

以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
（付記１）
基板と、
該基板上に形成されると共に、局所的にイオンドープを行うことにより記録領域と、該記録領域よりも飽和磁化の小さいガード領域とが形成された主磁性膜を有する記録膜とが設けられた磁気記録媒体であって、
前記主磁性膜の前記基板側に、Cr、B、Mo、Al、Si、Cから選択される少なくとも一種の元素を主成分とする下地層を設けてなる磁気記録媒体。
（付記２）
前記主磁性膜が、CoPtからなる付記１に記載の磁気記録媒体。
（付記３）
前記主磁性膜が、CoCrPtからなる付記１に記載の磁気記録媒体。
（付記４）
前記主磁性膜が、Co膜とP膜とを積層した人工格子構造からなる付記１に記載の磁気記録媒体。
（付記５）
前記主磁性膜が、Fe膜とPt膜とを積層した人工格子構造からなる付記１に記載の磁気記録媒体。
（付記６）
前記記録膜は、前記基板側からベース層、前記下地層、前記主磁性膜、保護膜が積層された構成である付記１乃至５のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
（付記７）
基板上にCr、B、Mo、Al、Si、Cから選択される少なくとも一種の元素を主成分とする下地層を形成する工程と、
該下地層を形成した後、該下地層上に主磁性膜を形成する工程と、
該主磁性膜に局所的にイオンドープを行うことにより、記録領域と、該記録領域よりも飽和磁化の小さいガード領域とを形成する工程と、
を有する磁気記録媒体の製造方法。
（付記８）
前記主磁性膜が、CoPtからなる付記７に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記９）
前記主磁性膜が、CoCrPtからなる付記７に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１０）
前記主磁性膜が、Co膜とP膜とを積層した人工格子構造からなる付記７に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１１）
前記主磁性膜が、Fe膜とPt膜とを積層した人工格子構造からなる付記７に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１２）
前記主磁性膜を形成する工程は、
前記基板上にベース層を形成する工程と、該ベース層上に前記下地層を形成する工程と、該下地層上に前記主磁性膜を形成する工程と、該主磁性膜上に前記保護膜を形成する工程とを有する付記６乃至１１のいずれか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１３）
付記１乃至６のいずれ一項に記載の磁気記録媒体と、
該磁気記録媒体に対して磁気記録再生処理を行う磁気ヘッドと、
該磁気ヘッドを支持するアームと、
該アームを移動させる移動手段とを有する磁気記録再生装置。

図１は、本発明の一実施形態である磁気記録媒体の断面図である。図２は、本発明の一実施形態である磁気記録媒体の製造方法を説明するための図である（その１）。図３は、本発明の一実施形態である磁気記録媒体の製造方法を説明するための図である（その２）。図４は、磁性膜としてCoPtを用いた本発明の一実施形態である磁気記録媒体の磁気特性を比較例と共に示す図である。図５は、磁性膜としてCoCrPtを用いた本発明の一実施形態である磁気記録媒体の磁気特性を比較例と共に示す図である。図６は、磁性膜としてCo薄膜とPt薄膜を積層したものを用いた本発明の一実施形態である磁気記録媒体の磁気特性を比較例と共に示す図である。図７は、磁性膜としてFe薄膜とPt薄膜を積層したものを用いた本発明の一実施形態である磁気記録媒体の磁気特性を比較例と共に示す図である。図８は、本発明の一実施形態である磁気記録再生装置を示す平面図である。図９は、従来の一例（比較例）である磁気記録媒体の断面図である。

符号の説明

１磁気記録媒体
２ガラス基板
３記録膜
４ベース層
５下地層
６主磁性膜
７保護膜
８ＵＶ硬化樹脂
９記録領域
１０ガード領域
１１ディスク
１３磁気ヘッド
１４アーム
１８ＶＣＭ
２０磁気記録再生装置

Claims

基板と、
該基板上に形成されると共に、局所的にイオンドープを行うことにより記録領域と、該記録領域よりも飽和磁化の小さいガード領域とが形成された主磁性膜を有する記録膜とが設けられた磁気記録媒体であって、
前記主磁性膜の前記基板側に、B、Mo、Al、Si、Cから選択される少なくとも一種の元素を主成分とする下地層を設け、
前記主磁性膜が、前記下地層の原子が拡散したことにより飽和磁化が低減した領域を有する磁気記録媒体。
前記主磁性膜が、CoPtからなる請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記主磁性膜が、Co膜とPd膜とを積層した人工格子構造からなる請求項１に記載の磁気記録媒体。
基板上にB、Mo、Al、Si、Cから選択される少なくとも一種の元素を主成分とする下地層を形成する工程と、
該下地層を形成した後、該下地層上に主磁性膜を形成する工程と、
該主磁性膜に局所的にイオンドープを行うことにより、記録領域と、該記録領域よりも飽和磁化の小さいガード領域とを形成すると共に、前記主磁性膜に前記下地層の原子が拡散したことにより飽和磁化が低減した領域を形成する工程と、
を有する磁気記録媒体の製造方法。
請求項１乃至３のいずれ一項に記載の磁気記録媒体と、
該磁気記録媒体に対して磁気記録再生処理を行う磁気ヘッドと、
該磁気ヘッドを支持するアームと、
該アームを移動させる移動手段とを有する磁気記録再生装置。