Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP5430520B2 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP5430520B2 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents

太陽電池の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5430520B2
JP5430520B2 JP2010185683A JP2010185683A JP5430520B2 JP 5430520 B2 JP5430520 B2 JP 5430520B2 JP 2010185683 A JP2010185683 A JP 2010185683A JP 2010185683 A JP2010185683 A JP 2010185683A JP 5430520 B2 JP5430520 B2 JP 5430520B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solar cell
layer
powder
substrate
paste
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2010185683A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010272890A5 (ja
JP2010272890A (ja
Inventor
健次 福井
勝彦 白沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2010185683A priority Critical patent/JP5430520B2/ja
Publication of JP2010272890A publication Critical patent/JP2010272890A/ja
Publication of JP2010272890A5 publication Critical patent/JP2010272890A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5430520B2 publication Critical patent/JP5430520B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/546Polycrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

太陽電池の製造方法に関する。
従来の太陽電池は、p型Si基板の表面側に、n+層を設けると共に、裏面側にp+層を設けてn+/p/p+接合を形成し、n+層上に受光面電極を形成すると共に、p+層上に裏面電極を形成した構造を有している。また、一般には受光面側に反射防止膜等も設けられる。
この太陽電池の受光面電極と裏面電極の形成には、自動化が容易で生産性が高いことから、印刷法が広く用いられている。この印刷法は、金属粉末とガラス粉末などを有機結合剤や有機溶剤と混練したペースト状の物質をスクリーン印刷法などで塗布して焼き付ける方法である。
一方、p+層の形成にも印刷法が広く用いられており、このためのペースト状物質もp+層形成用アルミニウムペーストとして市販されている。このアルミニウムペーストは、例えばAl粉末が70重量%、ガラスフリットが1重量%、有機結合剤が3重量%、有機結合剤が26重量%などから成る。
しかし、従来のアルミニウムペーストをSi基板上に印刷して乾燥して焼き付けると、次のような問題があった。すなわち、アルミニウムペーストを焼き付けると、Al層とSi基板の熱膨張率の違いから、焼き付け後にSi基板が反り、焼き付け後のカセット収納や次工程での製造プロセスにおいて、自動機のハンドリングミス等が生じ易く、太陽電池素子の割れや欠けを発生させ、製造歩留りを低下させるという問題があった。
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたものであり、電極材料やp+層を
形成するためのペースト材料を焼き付けて形成する際に、Si基板の反りによる製造歩留
りの低下を招くという従来の問題点を解消した太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係る太陽電池の製造方法は、Si基板の一主面側に、p 層および電極のうち少なくとも一方が設けられている太陽電池の製造方法であって、前記p 層および前記電極のうち少なくとも一方は、前記Si基板の一主面側に、粒径10μm以下のAl粉末と該Al粉末100重量部に対して0.5〜50重量部の粒径10μm以下のSi粉末と多価アルコール系の有機溶剤と有機結合剤とを有するペースト材料を空気中で焼き付けて形成することを特徴とする。
本発明に係る太陽電池の一実施形態を説明するための断面図である。 反り量を説明するための図である。
以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づき詳細に説明する。
図1は太陽電池の構成を示す図であり、1はSi基板、2はn+層、3はp+層、4は受光面電極、5は裏面電極であるSi基板1としては、一主面側に0.3〜0.5μm程度の深さを有する比抵抗約1.5×10-3Ω・cm程度のn+層2を形成した比抵抗1〜5Ω・cm程度のp型Si基板1を用いる。
ペースト材料は、Al粉末と、このAl粉末100重量部に対して0.5〜50重量部のSiと、有機溶剤と、必要に応じて加えられる有機結合剤とからなる。
ペーストの構成成分中のAl粉末、有機溶剤、有機結合剤は、従来のAlペーストで用いられるものと同様のものを用いることができる。Al粉末としては粒径10μm以下のものが、有機溶剤としては多価アルコール系のものが、有機結合剤としてはセルロース系化合物やポリメタクリレート系化合物などが特に好適に用いられる。Si粉末としては表面を安定化処理したものが用いられる。
表面を安定化処理した粒径10μm以下のAl粉末と安定化処理した粒径10μm以下のSi粉末に、エチルセルロースをα−テルピネオールに溶解したものを加えながら混練し、粘度が約200ポイズ(ずり速度100/秒)のペースト材料を調整する。
このペースト材料をp型Si基板1の反対面の全面にスクリーン印刷して乾燥し、空気中の700〜850℃で10分〜30分間程度焼き付けてp+層3と裏面電極5を形成する。
次に、前記n+層2にAgペーストをくし歯状にスクリーン印刷して、空気中の600℃程度で10分間程度焼き付けて受光面電極4を形成する。
ペースト材料は、Si基板1上に印刷して焼き付けても、Si基板に反りが発生しない。このAlペーストが従来のAlペーストに比べて非常に良好なペースト材料であるのは、次のような理由による。p+層3を形成するために必要な焼成温度は約700℃以上であり、Alペーストを焼き付けると、Alが溶解してp型ドーパントとしてp+層3を形成する。また、電極として用いる場合には、必要な焼成温度は約500〜800℃である。このときもAlペーストを焼き付けると、Alが溶解してAl層が形成される。いずれの場合においても、熱膨張率がSiでは2.5×10-6deg-1、アルミニウムでは23.25×10-6deg-1と約10倍程度異なるため、焼き付け後にはSi基板1に反りが発生する。一方、本発明によるペースト材料では、Siを添加したことによって熱膨張率の差が低減され、反りが低減される。
さらに、Siの配合割合はAl粉末100重量部に対し、0.5〜50重量部としなければならない。0.5重量部未満の配合割合では、Si基板1に反りが発生する。50重量部を超える配合割合では、均一なp+層3が形成されず、また電極の固有抵抗がやや高くなり、太陽電池の効率低下を招き易くなる。
したがって、上記ペースト材料は、従来のペーストを用いた場合のように、焼き付け後にSi基板1が反り、焼き付け後のカセット収納や次工程での製造プロセスにおいて自動機のハンドリングミスなどを生じ易く、素子の割れや欠けを発生させたり、製造歩留りを低下させるという問題がない。
また、このペースト材料は、Al粉末と、このAl粉末100重量部に対して0.5〜50重量部のSiと、有機溶剤と、必要に応じて加えられる有機結合剤とからなるものであり、太陽電池の電極用ペースト材料として用いると、比較的大面積の素子に均一な電極を有する太陽電池素子を形成することができる。さらに、比較的大面積の素子に均一な接合を有する太陽電池素子を形成することができる。
表面を安定化処理した粒径10μm以下のAl粉末と表面を安定化処理した粒径10μm以下のSi粉末(配合割合はAl粉末100重量部に対して10重量部)とを秤量した
。これにエチルセルロース10重量部をα−テルピネオール90重量部に溶解したものを加えながら混練し、粘度が約200ポイズ(ずり速度100/秒)のペースト材料を調整した。
図1に示すp型Si基板1(比抵抗1.5Ω・cm、15cm角ウェハ)の表面にイオン打ち込み法で深さ0.5μmのn+層2(比抵抗約1.5×10-3Ω・cm)を形成したものを用いた。
次に、このp型Si基板1の反対面の全面に上記ペーストをスクリーン印刷し、150℃、10分間の乾燥処理をした。
次に、これを空気中の750℃で30分間焼き付けてp+層3と裏面電極5を形成した。
次に、前記n+層2にAgペーストをくし型状にスクリーン印刷し、150℃で10分間の乾燥処理をした。
次に、これを空気中で600℃で10分間焼き付けて受光面電極4を形成した。このようにして作成した太陽電池の反り量および光照射下での電流−電圧特性(V−I)を調べた。なお、反り量とは、図2に示すように、Si基板1の厚さ方向における最底部と最上部との間の寸法である。
Figure 0005430520
表1に示したごとく、Si粉末を配合したペースト材料を用いた太陽電池は、反りを防止するのみでなく、有効なp+層および電極としても使用でき、従来のAlペースト(表1の比較例)に比べて非常に優れていることが確認された。
1:p型Si基板、
2:n+層、
3:p+層、
4:受光面電極、
5:裏面電極

Claims (2)

  1. Si基板の一主面側に、p層および電極のうち少なくとも一方が設けられている太陽電池の製造方法であって、
    前記p層および前記電極のうち少なくとも一方は、前記Si基板の一主面側に、粒径10μm以下のAl粉末と該Al粉末100重量部に対して0.5〜50重量部の粒径10μm以下のSi粉末と多価アルコール系の有機溶剤と有機結合剤とを有するペースト材料を空気中で焼き付けて形成ることを特徴とする太陽電池の製造方法
  2. 前記有機結合剤としてセルロース系化合物を用いることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法
JP2010185683A 2010-08-21 2010-08-21 太陽電池の製造方法 Expired - Fee Related JP5430520B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010185683A JP5430520B2 (ja) 2010-08-21 2010-08-21 太陽電池の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010185683A JP5430520B2 (ja) 2010-08-21 2010-08-21 太陽電池の製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000130857A Division JP2001313402A (ja) 2000-04-28 2000-04-28 太陽電池用ペースト材料

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010272890A JP2010272890A (ja) 2010-12-02
JP2010272890A5 JP2010272890A5 (ja) 2011-10-06
JP5430520B2 true JP5430520B2 (ja) 2014-03-05

Family

ID=43420611

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010185683A Expired - Fee Related JP5430520B2 (ja) 2010-08-21 2010-08-21 太陽電池の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5430520B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011056087B4 (de) 2011-12-06 2018-08-30 Solarworld Industries Gmbh Solarzellen-Wafer und Verfahren zum Metallisieren einer Solarzelle
US20140158192A1 (en) * 2012-12-06 2014-06-12 Michael Cudzinovic Seed layer for solar cell conductive contact
DK179374B1 (en) 2016-06-12 2018-05-28 Apple Inc Handwriting keyboard for monitors

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5927579A (ja) * 1982-08-04 1984-02-14 Hoxan Corp 太陽電池の製造方法
JPS60140881A (ja) * 1983-12-28 1985-07-25 Hitachi Ltd 太陽電池の製造方法
JPS629680A (ja) * 1985-07-08 1987-01-17 Hitachi Ltd 太陽電池の製造方法
JP3469729B2 (ja) * 1996-10-31 2003-11-25 三洋電機株式会社 太陽電池素子
JPH10247418A (ja) * 1997-03-04 1998-09-14 Murata Mfg Co Ltd Si太陽電池用導電性組成物
JPH10335267A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JP2000114556A (ja) * 1998-09-30 2000-04-21 Sharp Corp 太陽電池およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010272890A (ja) 2010-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2472526B1 (en) Paste composition for electrode of solar cell and solar cell including the same
JP5591716B2 (ja) 有機金属修飾剤を有する導電性インク
KR101309809B1 (ko) 태양전지용 알루미늄 페이스트 및 이를 이용한 태양전지
CN104867535B (zh) 太阳能电池浆料中的包含钨和铅的玻璃
JP2011519150A (ja) シリコン太陽電池用導電ペーストおよびグリッド電極
JP5438113B2 (ja) アルミニウムペーストおよびシリコン太陽電池の製造におけるアルミニウムペーストの使用
TWI638367B (zh) 含有氧化銻之厚膜組成物及其於製造半導體裝置的用途
JP6534786B2 (ja) 厚膜伝導性組成物およびその使用
KR20110040713A (ko) 은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지
CN103733349A (zh) 不具有烧透能力或具有较差烧透能力的铝浆及其用于钝化发射极和背面触点硅太阳能电池的背面电极的用途
KR101786148B1 (ko) 태양전지의 전극용 페이스트 조성물 및 태양 전지
EP3076401A1 (en) Electro-conductive pastes comprising a metal compound
KR100801168B1 (ko) 태양전지 제조용 후면 전극재료
US20100252111A1 (en) Paste composition and solar cell element
CN105190779A (zh) 用于形成太阳电池电极的组成物及由其形成的电极
JP5430520B2 (ja) 太陽電池の製造方法
KR101853417B1 (ko) 태양전지 전극용 도전성 페이스트 조성물 및 이를 사용하여 제조된 전극을 포함하는 태양전지
KR20150089939A (ko) 유리 조성물 및 이를 이용한 태양전지용 전극 조성물
US20120145237A1 (en) Electrically conductive paste, electrode for semiconductor device, semiconductor device and method for producing semiconductor device
JP2001313402A (ja) 太陽電池用ペースト材料
JP5910509B2 (ja) 導電性ペースト及び該導電性ペーストを用いた太陽電池素子
KR101611456B1 (ko) 인계 분산제를 포함하는 전극 형성용 페이스트 조성물
JP4907331B2 (ja) 光電変換素子用導電性ペースト、光電変換素子、および光電変換素子の作製方法
KR20130018344A (ko) 태양전지 전극용 페이스트, 그 제조방법 및 이를 이용한 태양전지 전극
KR20200043199A (ko) 나노텍스쳐링 기판 함유 태양 전지의 전극 형성용 조성물, 이로부터 제조된 전극 및 이로부터 제조된 전극을 포함하는 태양 전지

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100830

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110818

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121002

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121203

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130423

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131105

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131203

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5430520

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees