JP5437395B2

JP5437395B2 - Vacuum deposition apparatus and vacuum deposition method

Info

Publication number: JP5437395B2
Application number: JP2011547504A
Authority: JP
Inventors: 万里深尾; 博菊地
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 2009-12-28
Filing date: 2010-12-16
Publication date: 2014-03-12
Anticipated expiration: 2030-12-16
Also published as: TW201137138A; WO2011081025A1; JPWO2011081025A1

Description

本発明は有機ＥＬ装置を製造する技術に関し、特に大型基板に対してマスクを用いて蒸着を行う技術に関する。 The present invention relates to a technique for manufacturing an organic EL device, and more particularly to a technique for performing vapor deposition on a large substrate using a mask.

従来、有機ＥＬ装置を作成する方法としては、シャドウマスク（以下「マスク」という。）を用い、真空蒸着法によって基板上に所定のパターンを形成する方法が広く知られている。
近年、有機ＥＬ装置の生産効率を向上させるため、成膜対象物である基板の大きさを大きくしようとする要望があり、このため、マスク及びマスクを固定するマスク支持部も大型化している。
このようなマスクは、高精細のパターンを基板上に形成するため、熱による延びを極力小さくする必要がある。そのため、マスク及びマスク支持部の材料としては、熱による延びの小さいインバー等が用いられている。
しかしながら、現時点では、幅が最大１０００ｍｍ程度のマスクを作成することしかできず、大型基板を用いた真空蒸着の妨げとなっている。Conventionally, as a method for producing an organic EL device, a method of forming a predetermined pattern on a substrate by a vacuum vapor deposition method using a shadow mask (hereinafter referred to as “mask”) is widely known.
In recent years, in order to improve the production efficiency of an organic EL device, there is a demand for increasing the size of a substrate that is a film formation target. For this reason, a mask and a mask support portion for fixing the mask are also increased in size.
Since such a mask forms a high-definition pattern on a substrate, it is necessary to minimize the extension due to heat. Therefore, as a material for the mask and the mask support portion, invar or the like having a small extension due to heat is used.
However, at present, only a mask having a maximum width of about 1000 mm can be created, which hinders vacuum deposition using a large substrate.

特開２００１−２３７０７３号公報JP 2001-237073 A 特開２００６−３７２０３号公報JP 2006-37203 A

本発明は、このような従来の技術の課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、大型基板を用いて真空蒸着法による有機ＥＬ装置を製造可能にする技術を提供することにある。 The present invention has been made in order to solve the above-described problems of the conventional technique, and an object of the present invention is to provide a technique capable of manufacturing an organic EL device by vacuum evaporation using a large substrate. There is.

かかる課題を解決するためになされた本発明は、真空槽内において、マスクを介して蒸着対象物上に蒸着を行う真空蒸着装置であって、一つの蒸着対象物に対してマスクをそれぞれ支持する複数のマスク支持部と、前記複数のマスク支持部を非接触の状態でそれぞれ位置合わせを行う複数の位置合わせ手段とを有するものである。
本発明では、前記位置合わせ手段は、少なくとも三辺を有する形状に形成されている場合にも効果的である。
本発明では、前記位置合わせ手段は、コ字形状に形成されている場合にも効果的である。
本発明では、前記位置合わせ手段は、一つの蒸着対象物に対して二つ設けられ、当該二つの位置合わせ手段の端部がそれぞれ対向するように配置されている場合にも効果的である。
本発明では、前記位置合わせ手段は、一つのマスクを使用する場合に、電気的又は機械的に同期して移動し、前記マスク及び前記マスク支持部に対して位置合わせを行うように構成されている場合にも効果的である。
一方、本発明は、真空中において、マスクを介して蒸着対象物上に蒸着を行う真空蒸着方法であって、一つの蒸着対象物に対して複数のマスクを配置し、前記蒸着対象物に対して前記複数のマスクを非接触の状態でそれぞれ位置合わせを行う工程と、当該各マスクを介して蒸発材料の蒸気を前記蒸着対象物に到達させる工程とを有するものである。
本発明では、前記蒸発材料が、有機ＥＬ装置の有機膜用の有機材料からなる場合にも効果的である。The present invention made in order to solve such a problem is a vacuum vapor deposition apparatus that performs vapor deposition on a vapor deposition object through a mask in a vacuum chamber, and supports each mask with respect to one vapor deposition object. A plurality of mask support portions and a plurality of alignment means for aligning the plurality of mask support portions in a non-contact state.
In the present invention, the positioning means is also effective when formed in a shape having at least three sides.
In the present invention, the positioning means is also effective when formed in a U-shape.
In the present invention, two alignment means are provided for one vapor deposition object, and this is also effective when the two alignment means are arranged so as to face each other.
In the present invention, when using one mask, the alignment means is configured to move in synchronism electrically or mechanically and perform alignment with respect to the mask and the mask support. It is also effective when
On the other hand, the present invention is a vacuum deposition method in which deposition is performed on a deposition object through a mask in a vacuum, and a plurality of masks are arranged for one deposition object, and the deposition object is And a step of aligning the plurality of masks in a non-contact state and a step of causing vapor of the evaporation material to reach the deposition object through the masks.
The present invention is also effective when the evaporating material is made of an organic material for an organic film of an organic EL device.

本発明にあっては、一つの蒸着対象物に対してマスクをそれぞれ支持する複数のマスク支持部と、これら複数のマスク支持部を非接触の状態でそれぞれ位置合わせを行う複数の位置合わせ手段とを有することから、大型基板に対して複数のマスクをそれぞれ位置合わせして蒸着による成膜を行うことが可能になる。
また、本発明によれば、大型基板と同等の大型のマスクを製作する必要がなくなる。
さらに、本発明によれば、大型マスクを位置合わせする場合に比べて小型マスクを位置合わせする方が操作が容易になるため、成膜の際のタクトタイムを短くすることができるので、生産効率を向上させることができる。
本発明において、位置合わせ手段が、例えばコ字形状のように同一平面上において少なくとも三辺を有する場合には、マスク支持部によって支持されたマスク同士を近接して配置することができるとともに、マスク支持部によって蒸発材料の蒸気が遮られる領域をより小さくすることができるので、蒸着対象物上において蒸着されない領域をより小さくすることができる。
この場合、位置合わせ手段が、一つの蒸着対象物に対して二つ設けられ、当該二つの位置合わせ手段の端部がそれぞれ対向するように配置されている場合には、マスク支持部によって支持されたマスク同士を容易に近接配置することができるので、マスク支持部によって蒸発材料の蒸気が遮られる領域をより小さくすることができる。In the present invention, a plurality of mask support portions that respectively support the mask with respect to one deposition target, and a plurality of alignment means that align the plurality of mask support portions in a non-contact state, respectively. Therefore, it is possible to form a film by vapor deposition by aligning a plurality of masks with respect to the large substrate.
Further, according to the present invention, it is not necessary to manufacture a large mask equivalent to a large substrate.
Furthermore, according to the present invention, since the operation becomes easier when the small mask is aligned than when aligning the large mask, the tact time at the time of film formation can be shortened. Can be improved.
In the present invention, when the alignment means has at least three sides on the same plane, for example, a U-shape, the masks supported by the mask support portion can be arranged close to each other, and the mask Since the region where the vapor of the evaporation material is blocked by the support portion can be made smaller, the region that is not deposited on the deposition target can be made smaller.
In this case, when two alignment means are provided for one deposition object and the end portions of the two alignment means are arranged to face each other, the alignment means is supported by the mask support portion. Since the masks can be easily arranged close to each other, the area where the vapor of the evaporation material is blocked by the mask support portion can be further reduced.

さらに、本発明において、位置合わせ手段が、電気的又は機械的に同期して移動し、マスク及びマスク支持部に対して位置合わせを行うように構成されている場合には、一つのマスクを使用する場合であっても、円滑に位置合わせを行うことができる。
そして、本発明において、蒸発材料が、有機ＥＬ装置の有機膜用の有機材料からなる場合には、有機ＥＬ装置用の大型基板に対して複数のマスクを用いて蒸着による成膜を行うことが可能になる。
また、本発明によれば、成膜の際のタクトタイムを短くすることができるので、有機ＥＬ装置の生産効率を向上させることができる。Further, in the present invention, when the alignment means is configured to move in synchronism electrically or mechanically and perform alignment with respect to the mask and the mask support portion, one mask is used. Even if it is a case, it can align smoothly.
In the present invention, when the evaporation material is made of an organic material for an organic film of an organic EL device, a film can be formed by vapor deposition using a plurality of masks on a large substrate for the organic EL device. It becomes possible.
In addition, according to the present invention, the tact time during film formation can be shortened, so that the production efficiency of the organic EL device can be improved.

以上述べたように本発明によれば、大型基板を用いて真空蒸着法による有機ＥＬ装置を効率良く製造することができる。 As described above, according to the present invention, an organic EL device using a vacuum deposition method can be efficiently manufactured using a large substrate.

（ａ）：本実施の形態におけるＸＹθステージの要部構成を示す平面図（ｂ）：図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図(A): Plan view showing the main configuration of the XYθ stage in the present embodiment (b): AA line sectional view of FIG. （ａ）：同実施の形態におけるＸＹθステージ上にマスクを配置した状態を示す平面図（ｂ）：図２（ａ）のＢ−Ｂ線断面図(A): Plan view showing a state in which a mask is arranged on the XYθ stage in the same embodiment (b): BB sectional view of FIG. 2 (a) （ａ）：同実施の形態におけるＸＹθステージ、第１及び第２のマスク並びに蒸着対象物である基板との関係を示すもので、基板の平面図（ｂ）：第１及び第２のマスクの平面図（ｃ）：ＸＹθステージ、第１及び第２のマスク並びに基板の縦断面図(A): shows the relationship between the XYθ stage, the first and second masks, and the substrate that is the deposition target in the same embodiment, and the plan view of the substrate (b): of the first and second masks Plan view (c): longitudinal sectional view of XYθ stage, first and second masks and substrate 同実施の形態のＸＹθステージを適用した真空蒸着装置の内部構成を示す部分断面図The fragmentary sectional view which shows the internal structure of the vacuum evaporation system which applied the XYtheta stage of the embodiment 同真空蒸着装置による真空蒸着方法の例を示す内部構成部分断面図Internal configuration partial sectional view showing an example of a vacuum deposition method by the vacuum deposition apparatus 同真空蒸着装置による真空蒸着方法の例を示す内部構成部分断面図Internal configuration partial sectional view showing an example of a vacuum deposition method by the vacuum deposition apparatus （ａ）（ｂ）：本発明の他の実施の形態を示す平面図(A) (b): Plan view showing another embodiment of the present invention

以下、本発明の好ましい実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本実施の形態におけるＸＹθステージの要部構成を示すもので、図１（ａ）は、平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
本実施の形態のＸＹθステージ１０は、後述する真空蒸着装置に用いられるもので、例えば、ステンレスや鋼鉄等の金属材料からなるものである。
このＸＹθステージ１０は、第１のステージ部１１と、第２のステージ部１２とを有している。Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
1A and 1B show the configuration of the main part of an XYθ stage in the present embodiment. FIG. 1A is a plan view, and FIG. is there.
The XYθ stage 10 of the present embodiment is used in a vacuum vapor deposition apparatus to be described later, and is made of, for example, a metal material such as stainless steel or steel.
The XYθ stage 10 has a first stage unit 11 and a second stage unit 12.

第１のステージ部１１は、例えば矩形平板状の基部１３を有し、この基部１３の一方の長辺１３ａ側に、例えば矩形形状の切り欠き部１３ｂが蒸気放出手段２０と対向するように形成されている。
また、第１のステージ部１１の基部１３の蒸気放出手段２０側の面上には、図示しない駆動機構によって駆動され、それぞれＸ方向、Ｙ方向及びθ方向に移動可能な第１のＸＹθステージ１５が設けられている。
この第１のＸＹθステージ１５は、第１のステージ部１１の基部１３の切り欠き部１３ｂの周囲の位置で、第１のステージ部１１の基部１３の縁部に設けられ、少なくとも三つの辺を有している。The first stage portion 11 has, for example, a rectangular flat plate-like base portion 13, and is formed on one long side 13 a side of the base portion 13 so that, for example, a rectangular cutout portion 13 b faces the vapor discharge means 20. Has been.
A first XYθ stage 15 that is driven by a driving mechanism (not shown) on the surface of the base 13 of the first stage portion 11 on the side of the vapor discharge means 20 and is movable in the X, Y, and θ directions, respectively. Is provided.
The first XYθ stage 15 is provided on the edge of the base 13 of the first stage 11 at a position around the notch 13b of the base 13 of the first stage 11, and has at least three sides. Have.

図１（ａ）に示すように、本実施の形態の場合、第１のＸＹθステージ１５は、連結された直線状の三辺からなり、「コ」字形状（例えば、角を有するＵ字形状）に形成されている。この場合、「コ」字の両端部が、基部１３の一方の長辺１３ａ側に位置するように、第１のＸＹθステージ１５が配置されている。
また、第１のステージ部１１の蒸気放出手段２０と反対側の面には、上述した基部１３の切り欠き部１３ｂの縁部に、例えば「コ」字形状のマスク支持部１７が設けられている。As shown in FIG. 1A, in the case of the present embodiment, the first XYθ stage 15 is composed of three connected straight sides, and has a “U” shape (for example, a U shape having a corner). ). In this case, the first XYθ stage 15 is arranged so that both end portions of the “U” shape are located on the one long side 13 a side of the base portion 13.
Further, on the surface of the first stage portion 11 opposite to the vapor discharge means 20, for example, a “U” -shaped mask support portion 17 is provided at the edge portion of the notch portion 13 b of the base portion 13 described above. Yes.

一方、本実施の形態では、第２のステージ部１２は、第１のステージ部１１と対応するように配置構成されている。
すなわち、第２のステージ部１２は、例えば矩形平板状の基部１４を有し、この基部１４の一方の長辺１４ａ側に、例えば矩形形状の切り欠き部１４ｂが形成されている。
ここで、第２のステージ部１２は、基部１４の一方の長辺１４ａが、第１のステージ部１１の基部１３の一方の長辺１３ａと対向するように配置されている。
なお、第１のステージ部１１の基部１３の長辺１３ａと、第２のステージ部１２の基部１４の長辺１４ａとの間隔は、数ｍｍ程度であり、この間隔は、位置合わせに要するマージンを考慮してできるだけ小さくすることが好ましい。On the other hand, in the present embodiment, the second stage unit 12 is arranged and configured to correspond to the first stage unit 11.
That is, the second stage portion 12 has, for example, a rectangular flat plate-like base portion 14, and a rectangular cutout portion 14 b is formed on one long side 14 a side of the base portion 14.
Here, the second stage portion 12 is disposed so that one long side 14 a of the base portion 14 faces one long side 13 a of the base portion 13 of the first stage portion 11.
The distance between the long side 13a of the base portion 13 of the first stage portion 11 and the long side 14a of the base portion 14 of the second stage portion 12 is about several millimeters, which is a margin required for alignment. It is preferable to make it as small as possible in consideration of the above.

また、第２のステージ部１２の蒸気放出手段２０側の面上には、第２のＸＹθステージ１６が設けられている。この第２のＸＹθステージ１６は、上記第１のＸＹθステージ１５と独立して図示しない駆動機構によって駆動され、それぞれＸ方向、Ｙ方向及びθ方向に移動可能に構成されている。
第２のＸＹθステージ１６は、第２のステージ部１２の基部１４の切り欠き部１４ｂの周囲の位置で、第２のステージ部１２の縁部に設けられ、少なくとも三つの辺を有している。
本実施の形態の場合、第２のＸＹθステージ１６は、連結された直線状の三辺からなり、「コ」字形状に形成されている。この場合、「コ」字の両端部が、基部１４の一方の長辺１４ａ側に位置するように、第２のＸＹθステージ１６が配置されている。
また、第２のステージ部１２の蒸気放出手段２０と反対側の面には、上述した切り欠き部１４ｂの縁部に、例えば「コ」字形状のマスク支持部１８が設けられている。A second XYθ stage 16 is provided on the surface of the second stage portion 12 on the vapor discharge means 20 side. The second XYθ stage 16 is driven by a drive mechanism (not shown) independently of the first XYθ stage 15, and is configured to be movable in the X direction, the Y direction, and the θ direction, respectively.
The second XYθ stage 16 is provided at the edge of the second stage portion 12 at a position around the notch portion 14b of the base portion 14 of the second stage portion 12, and has at least three sides. .
In the case of the present embodiment, the second XYθ stage 16 is composed of three connected straight sides and is formed in a “U” shape. In this case, the second XYθ stage 16 is arranged so that both ends of the “U” shape are located on the one long side 14 a side of the base 14.
Further, on the surface of the second stage portion 12 opposite to the vapor discharge means 20, for example, a “U” -shaped mask support portion 18 is provided at the edge portion of the notch portion 14 b described above.

なお、上述した第１及び第２のステージ部１１、１２は、基準直線Ｌに対して線対称の形状に形成されている。
そして、これら第１及び第２のステージ部１１、１２は、第１及び第２のＸＹθステージ１５、１６によって非接触の状態でそれぞれ位置合わせを行うことができるように構成されている。
さらに、上述したマスク支持部１７、１８は、蒸着の妨げとならないようにそれぞれ断面がテーパー状に形成されている。The first and second stage portions 11 and 12 described above are formed in a line-symmetric shape with respect to the reference straight line L.
And these 1st and 2nd stage parts 11 and 12 are comprised so that it can respectively align with a 1st and 2nd XY (theta) stage 15 and 16 in a non-contact state.
Further, the mask support portions 17 and 18 described above are each formed in a tapered shape so as not to hinder the vapor deposition.

図２（ａ）（ｂ）は、本実施の形態におけるＸＹθステージ上にマスクを配置した状態を示すもので、図２（ａ）は、平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
図２（ａ）（ｂ）に示すように、本実施の形態においては、第１のＸＹθステージ１５上に、第１のマスク３１が配置され、第２のＸＹθステージ１６上に、第２のマスク３２が配置されるように構成されている。
ここで、第１及び第２のマスク３１、３２は、それぞれ第１及び第２のステージ部１１、１２のマスク支持部１７、１８上に位置決めされて支持されるようになっている。
第１のマスク３１は、例えば矩形形状の枠体３３の内側の領域に複数のパターン３５が設けられている。そして、第１のマスク３１の枠体３３上には、複数（ここでは４個）のアライメントマーク４１、４２、４３、４４が、枠体３３の各隅部に設けられている。2A and 2B show a state in which a mask is arranged on the XYθ stage in this embodiment. FIG. 2A is a plan view and FIG. 2B is a plan view of FIG. It is a BB line sectional view of).
As shown in FIGS. 2A and 2B, in the present embodiment, the first mask 31 is disposed on the first XYθ stage 15 and the second XYθ stage 16 has the second mask. A mask 32 is arranged.
Here, the first and second masks 31 and 32 are positioned and supported on the mask support portions 17 and 18 of the first and second stage portions 11 and 12, respectively.
For example, the first mask 31 is provided with a plurality of patterns 35 in a region inside a rectangular frame 33. On the frame 33 of the first mask 31, a plurality of (here, four) alignment marks 41, 42, 43, 44 are provided at each corner of the frame 33.

一方、第２のマスク３２は、例えば矩形形状の枠体３４の内側の領域に複数のパターン３６が設けられている。そして、第２のマスク３２の枠体３４上には、複数（ここでは４個）のアライメントマーク４５、４６、４７、４８が、枠体３４の各隅部に設けられている。
なお、第１及び第２のマスク３１、３２は、それぞれの枠体３３、３４が、例えば第１及び第２のステージ部１１、１２の基部１３、１４の長辺１３ａ、１４ａと面一（つらいち）の状態で位置決めされるようになっている。
また、上述した枠体３３、３４は、蒸着の妨げとならないようにそれぞれ断面がテーパー状に形成されている。On the other hand, the second mask 32 is provided with a plurality of patterns 36 in a region inside a rectangular frame 34, for example. On the frame 34 of the second mask 32, a plurality (four in this case) of alignment marks 45, 46, 47, 48 are provided at each corner of the frame 34.
The first and second masks 31 and 32 have the same frame bodies 33 and 34 as the long sides 13a and 14a of the base portions 13 and 14 of the first and second stage portions 11 and 12, for example ( Positioning is performed in the state of icicle.
Further, the above-described frames 33 and 34 are each formed with a tapered cross section so as not to hinder vapor deposition.

図３（ａ）〜（ｃ）は、本実施の形態におけるＸＹθステージ、第１及び第２のマスク並びに蒸着対象物である基板との関係を示すもので、図３（ａ）は、基板の平面図、図３（ｂ）は、第１及び第２のマスクの平面図、図３（ｃ）は、ＸＹθステージ、第１及び第２のマスク並びに基板の縦断面図である。
図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、本実施の形態においては、上述した第１及び第２のマスク３１、３２に対向するように１枚の基板５０が配置される。すなわち、本実施の形態においては、１枚の基板５０に対して２枚のマスク（第１及び第２のマスク３１、３２）が適用される。
ここで、基板５０には、第１のマスク３１の複数のパターン３５ａ〜３５ｃにそれぞれ対応する成膜領域５０ａ〜５０ｃが設けられるとともに、第２のマスクの複数のパターン３５ｄ〜３５ｆにそれぞれ対応する成膜領域５０ｄ〜５０ｆが設けられている。FIGS. 3A to 3C show the relationship between the XYθ stage, the first and second masks, and the substrate that is the deposition object in this embodiment. FIG. FIG. 3B is a plan view of the first and second masks, and FIG. 3C is a longitudinal sectional view of the XYθ stage, the first and second masks, and the substrate.
As shown in FIGS. 3A to 3C, in the present embodiment, one substrate 50 is disposed so as to face the first and second masks 31 and 32 described above. That is, in the present embodiment, two masks (first and second masks 31 and 32) are applied to one substrate 50.
Here, the substrate 50 is provided with film formation regions 50a to 50c corresponding to the plurality of patterns 35a to 35c of the first mask 31, respectively, and corresponds to the plurality of patterns 35d to 35f of the second mask, respectively. Deposition regions 50d to 50f are provided.

また、基板５０上には、第１及び第２のマスク３１、３２のアライメントマーク４１〜４４、４５〜４８と対応する位置に、複数（ここでは８個）のアライメントマーク５１〜５８が、基板５０の隅部並びに縁部に設けられている。
そして、第１及び第２のマスク３１、３２の幅Ｄは、最大１０００ｍｍ程度のものが使用される。したがって、基板５０としては、幅が２０００ｍｍ程度のものを用いることができる。On the substrate 50, a plurality (eight in this case) of alignment marks 51 to 58 are provided at positions corresponding to the alignment marks 41 to 44 and 45 to 48 of the first and second masks 31 and 32, respectively. 50 corners and edges are provided.
The width D of the first and second masks 31 and 32 is about 1000 mm at maximum. Therefore, the substrate 50 having a width of about 2000 mm can be used.

図４は、本実施の形態のＸＹθステージを適用した真空蒸着装置の内部構成を示す部分断面図である。
また、図５及び図６は、同真空蒸着装置による真空蒸着方法の例を示す内部構成部分断面図である。FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing the internal configuration of a vacuum vapor deposition apparatus to which the XYθ stage of the present embodiment is applied.
5 and 6 are internal structural partial cross-sectional views showing an example of a vacuum vapor deposition method using the vacuum vapor deposition apparatus.

図４に示すように、本実施の形態の真空蒸着装置１は、図示しない真空排気系に接続された真空槽２を有し、この真空槽２内の下部に蒸気放出手段２０が設けられている。
この蒸気放出手段２０は、その上部に複数の蒸気放出口２１が平面上に設けられている。そして、図示しない蒸発源から供給される、例えばＡｌｑ３等の有機ＥＬ装置の有機層を形成するための有機材料のガスを蒸気放出口２１から上方へ放出するように構成されている。
また、真空槽２内の下部には、昇降機構３、４が設けられ、これら昇降機構３、４の上部に設けられた支持テーブル５、６上に、上述した第１及び第２のＸＹθステージ１５、１６がそれぞれ支持されている。As shown in FIG. 4, the vacuum vapor deposition apparatus 1 of the present embodiment has a vacuum chamber 2 connected to a vacuum exhaust system (not shown), and a vapor discharge means 20 is provided in the lower part of the vacuum chamber 2. Yes.
The vapor discharge means 20 is provided with a plurality of vapor discharge ports 21 on a plane at the top thereof. And it is comprised so that the gas of the organic material for forming the organic layer of organic electroluminescent apparatuses, such as Alq3, supplied from the evaporation source which is not shown in figure may be discharge | released upwards from the vapor | steam discharge port 21. FIG.
Further, elevating mechanisms 3 and 4 are provided in the lower part of the vacuum chamber 2, and the first and second XYθ stages described above are provided on the support tables 5 and 6 provided on the upper parts of the elevating mechanisms 3 and 4. 15 and 16 are supported respectively.

本実施の形態のＸＹθステージ１０は、上述したように、第１及び第２のＸＹθステージ１５、１６は、「コ」字形状に形成されており、当該「コ」字の両端部が、互いに対向するように配置されているため、これら第１及び第２のＸＹθステージ１５、１６によって囲まれる空間に蒸気放出手段２０の上部蒸気放出口２１の部分を配置することができる。
また、第１及び第２のＸＹθステージ１５、１６は、それぞれ個別の制御手段７、８に接続され、各制御手段７、８からの命令によって独立して位置合わせを行うように構成されている。
そして、第１及び第２のＸＹθステージ１５、１６上には、上述した第１及び第２のマスク３１、３２が支持されている。In the XYθ stage 10 of the present embodiment, as described above, the first and second XYθ stages 15 and 16 are formed in a “U” shape, and both ends of the “U” shape are mutually connected. Since they are arranged so as to face each other, the portion of the upper vapor discharge port 21 of the vapor discharge means 20 can be arranged in a space surrounded by the first and second XYθ stages 15 and 16.
The first and second XYθ stages 15 and 16 are connected to the individual control means 7 and 8, respectively, and are configured to perform alignment independently according to commands from the control means 7 and 8. .
The first and second masks 31 and 32 described above are supported on the first and second XYθ stages 15 and 16.

一方、真空槽２内の第１及び第２のマスク３１、３２の上方には、トレイ５０ａによって保持された基板５０が配置されるようになっている。
ここで、トレイ５０ａは、その両側の縁部が、それぞれ駆動モータ６１、６２によって回転駆動される一対の搬送ローラ６３、６４によって水平に支持される。
さらに、本実施の形態においては、トレイ５０ａの両側部を把持して支持するための保持部６５、６６が設けられ、これら一対の保持部６５、６６は、例えば真空槽２の外部に設けられた駆動機構６７、６８によってそれぞれ動作するように構成されている。On the other hand, a substrate 50 held by a tray 50 a is arranged above the first and second masks 31 and 32 in the vacuum chamber 2.
Here, the edges of both sides of the tray 50a are horizontally supported by a pair of conveying rollers 63 and 64 that are rotationally driven by drive motors 61 and 62, respectively.
Further, in the present embodiment, holding portions 65 and 66 are provided for gripping and supporting both sides of the tray 50a, and the pair of holding portions 65 and 66 are provided outside the vacuum chamber 2, for example. The drive mechanisms 67 and 68 are configured to operate.

一方、真空槽２外部の上方には、例えばＣＣＤカメラ等を有する第１及び第２の撮像手段７１、７２が設けられている。
これら第１及び第２の撮像手段７１、７２は、上述した基板５０のアライメントマーク５１〜５８及び第１及び第２のマスク３１、３２のアライメントマーク４１〜４４、４５〜４８の画像を透明な窓部７３、７４を介してそれぞれ取り込むように構成されている。
第１及び第２の撮像手段７１、７２は、第１及び第２のＸＹθステージ１５、１６の動作を制御するための制御手段７、８にそれぞれ接続され、取り込んだ画像を所定の画像処理を行い、その結果に基づいて第１及び第２のＸＹθステージ１５、１６を独立して動作させるように構成されている。On the other hand, first and second imaging means 71 and 72 having, for example, a CCD camera or the like are provided above the vacuum chamber 2.
These first and second imaging means 71 and 72 transparently transmit the images of the alignment marks 51 to 58 of the substrate 50 and the alignment marks 41 to 44 and 45 to 48 of the first and second masks 31 and 32 described above. It is comprised so that it may each take in through the window parts 73 and 74. FIG.
The first and second imaging means 71 and 72 are respectively connected to the control means 7 and 8 for controlling the operations of the first and second XYθ stages 15 and 16, and the captured images are subjected to predetermined image processing. And the first and second XYθ stages 15 and 16 are independently operated based on the result.

なお、本実施の形態においては、基板５０と第１及び第２のマスク３１、３２の位置合わせを行う際に基板５０を吸着する基板吸着手段８０が設けられている。
この基板吸着手段８０は、図示しない昇降機構によって上下方向に駆動される駆動ロッド８１及びこの駆動ロッド８１の先端部（下端部）に取り付けられた例えば平板状の本体部８２を有し、この本体部８２の下部に例えば鉛直方向に延びる複数の吸着ピン８４が設けられている。
ここで、各吸着ピン８４の先端部（下端部）には、図示しない接着剤層が設けられ、この接着剤層の接着力によって基板５０を保持するように構成されている。 In the present embodiment, substrate adsorbing means 80 that adsorbs the substrate 50 when the substrate 50 is aligned with the first and second masks 31 and 32 is provided.
The substrate adsorption unit 80 has a vertically driven drive rod 81 and the drive rod 81 of the front end portion (lower end portion) attached for example plate-shaped in the main body portion 82 by the elevating mechanism (not shown) , a plurality of suction pins 84 extending at the bottom of the body 82 for example in the vertical direction is provided.
Here, an adhesive layer (not shown) is provided at the tip (lower end) of each suction pin 84, and the substrate 50 is held by the adhesive force of this adhesive layer.

また、基板吸着手段８０は、駆動ロッド８１と同軸で駆動ロッド８１に対し独立して昇降可能な駆動棒８３を有し、この駆動棒８３の先端部（下端部）には、図示しない吸着電源に接続され図示しない吸着電極を有する静電チャック８５が設けられている。
静電チャック８５には、上述した各吸着ピン８４が挿入可能な貫通孔が設けられ、駆動ロッド８１に対して本体部８２を下降させた場合には、各吸着ピン８４の先端部が静電チャック８５の下面から突出し、駆動ロッド８１に対して本体部８２を上昇させた場合には、各吸着ピン８４の先端部が静電チャック８５の下面から引き込まれて突出しない状態となるように構成されている。 The substrate adsorption device 80, and independently of the driving rod 81 by the drive rod 81 coaxially has a vertically movable drive rod 83 to the distal end of the drive rod 83 (lower portion), not shown An electrostatic chuck 85 having an attracting electrode (not shown) connected to the attracting power source is provided.
The electrostatic chuck 85, when the suction pin 84 described above is provided insertable through holes, which lowers the body portion 82 to the driving rod 81, the tip portion of the suction pin 84 protrudes from the lower surface of the electrostatic chuck 85, when raising the body portion 82 relative to the drive rod 81 includes a state in which the leading end portion of each suction pin 84 does not protrude drawn from the lower surface of the electrostatic chuck 85 It is comprised so that it may become.

このような構成を有する本実施の形態において、所定位置に位置決めされた基板５０に対して第１及び第２のマスク３１、３２を位置合わせし、蒸着を行う場合には、まず、図４に示すように、基板吸着手段８０の各吸着ピン８４の先端部を静電チャック８５の下面から突出させた状態で本体部８２を下降させ、各吸着ピン８４の先端部の接着剤によって基板５０の成膜面と反対側の面即ちその上側の面を吸着する。
そして、静電チャック８５を動作させ（又は予め動作させておき）、図５に示すように、静電チャック８５を下降させて静電チャック８５によって基板５０を吸着する。その後、吸着の際に基板５０をより平坦化させるため、本体部８２を上昇させて各吸着ピン８４を基板５０から引き剥がし、静電チャック８５のみによって基板５０を吸着する。 In the present embodiment having such a configuration, when the first and second masks 31 and 32 are aligned with respect to the substrate 50 positioned at a predetermined position and vapor deposition is performed, first, FIG. as shown, it lowers the body portion 82 in a state of protruding a front end portion of each suction pin 84 from the lower surface of the electrostatic chuck 85 of the substrate adsorption unit 80, the substrate 50 by the adhesive of the distal end of each suction pin 84 The surface opposite to the film formation surface, that is, the upper surface is adsorbed.
Then, the electrostatic chuck 85 is operated (or previously operated), and the electrostatic chuck 85 is lowered and the substrate 50 is attracted by the electrostatic chuck 85 as shown in FIG. Thereafter, in order to further flatten the substrate 50 during the adsorption, the respective suction pin 84 raises the body portion 82 peeled from the substrate 50, for adsorbing the substrate 50 only by the electrostatic chuck 85.

この状態において、第１及び第２の撮像手段７１、７２を動作させ、基板５０のアライメントマーク５１〜５８及び第１及び第２のマスク３１、３２のアライメントマーク４１〜４４、４５〜４８の画像を窓部７３、７４を介してそれぞれ取り込み、各制御手段７、８において、取り込んだ画像に対して所定の画像処理を行う。
そして、この画像処理によって得られた結果に基づいて、図５に示すように、第１及び第２のＸＹθステージ１５、１６を独立して動作させ、基板５０と第１及び第２のマスク３１、３２との位置合わせをそれぞれ行う。
その後、図６に示すように、昇降機構３、４を駆動して支持テーブル５、６を上昇させ、第１及び第２のマスク３１、３２を基板５０に接近させる。
この状態において、蒸気放出手段２０の上部蒸気放出口２１から蒸発材料の蒸気９０を放出させ、この蒸気９０を第１及び第２のマスク３１、３２を介して基板５０に到達させて基板５０上に所定パターンの膜を形成する。In this state, the first and second imaging means 71 and 72 are operated, and the images of the alignment marks 51 to 58 on the substrate 50 and the alignment marks 41 to 44 and 45 to 48 on the first and second masks 31 and 32 are displayed. Are respectively received through the windows 73 and 74, and the control means 7 and 8 perform predetermined image processing on the captured images.
Then, based on the result obtained by this image processing, as shown in FIG. 5, the first and second XYθ stages 15 and 16 are independently operated, and the substrate 50 and the first and second masks 31 are operated. , 32 are respectively aligned.
Thereafter, as shown in FIG. 6, the elevating mechanisms 3 and 4 are driven to raise the support tables 5 and 6, thereby bringing the first and second masks 31 and 32 closer to the substrate 50.
In this state, the vapor 90 of the vaporized material is discharged from the upper vapor discharge port 21 of the vapor discharge means 20, and the vapor 90 reaches the substrate 50 through the first and second masks 31 and 32 to be on the substrate 50. A film having a predetermined pattern is formed.

以上述べたように本実施の形態にあっては、一つの基板５０に対して第１及び第２のマスク３１、３２をそれぞれ支持する第一、第二のステージ部１１、１２と、これら第一、第二のステージ部１１、１２を非接触の状態でそれぞれ位置合わせを行う第１及び第２のＸＹθステージ１５、１６とを有することから、従来より大型の基板に対して第１及び第２のマスク３１、３２を用いて蒸着による成膜を行うことが可能になる。
また、本実施の形態によれば、成膜の際のタクトタイムを短くすることができるので、生産効率を向上させることができる。 As described above, in the present embodiment, the first and second stage portions 11 and 12 that respectively support the first and second masks 31 and 32 with respect to one substrate 50, and the first and second stage portions 11 and 12 are supported . Since the first and second XYθ stages 15 and 16 align the first and second stage portions 11 and 12 in a non-contact state, respectively, the first and second XYθ stages 15 and 16 are compared with each other. It is possible to perform film formation by vapor deposition using the two masks 31 and 32.
In addition, according to the present embodiment, the tact time during film formation can be shortened, so that the production efficiency can be improved.

特に、本実施の形態においては、コ字形状の第１及び第２ＸＹθステージ１５、１６の端部がそれぞれ対向するように配置されていることから、マスク支持部１７、１８によって支持された第１及び第２のマスク３１、３２同士を近接配置することができるので、マスク支持部１７、１８によって蒸発材料の蒸気が遮られる領域をより小さくすることができる。その結果、基板５０上において蒸着されない領域をより小さくすることができるので、基板５０上における蒸着を効率良く行うことができる。
このように、本実施の形態によれば、有機ＥＬ装置用の大型基板に対してマスク蒸着による成膜を行うことが可能になるとともに、成膜の際のタクトタイムを短くすることができるので、有機ＥＬ装置の生産効率を向上させることができる。In particular, in the present embodiment, since the ends of the U-shaped first and second XYθ stages 15 and 16 are arranged to face each other, the first supported by the mask support portions 17 and 18. Since the second masks 31 and 32 can be disposed close to each other, the area where the vapor of the evaporation material is blocked by the mask support portions 17 and 18 can be further reduced. As a result, since the area | region which is not vapor-deposited on the board | substrate 50 can be made smaller, vapor deposition on the board | substrate 50 can be performed efficiently.
As described above, according to this embodiment, it is possible to perform film formation by mask vapor deposition on a large substrate for an organic EL device, and it is possible to shorten the tact time during film formation. The production efficiency of the organic EL device can be improved.

図７（ａ）（ｂ）は、本発明の他の実施の形態を示す平面図である。
図７（ａ）に示すように、本実施の形態のＸＹθステージ１１０は、それぞれ独立して動作が可能な第１のステージ部１１１と、第２のステージ部１１２と、第３のステージ部１１３と、第４のステージ部１１４とを有し、これら第１〜第４のステージ部１１１〜１１４には、それぞれ独立して動作が可能な第１〜第４のＸＹθステージ１１１Ａ〜１１４Ａが設けられている。
第１のステージ部１１１は、例えば矩形平板状の基部１１５を有し、この基部１１５の一方の長辺１１５ａ側に、例えば矩形形状の切り欠き部１１５ｂが形成されている。
また、第１のステージ部１１１の基部１１５の上記蒸気放出手段２０（例えば図１参照）側の面上には、第１のＸＹθステージ１１１Ａが設けられている。
この第１のＸＹθステージ１１１Ａは、第１のステージ部１１１の基部１１５の切り欠き部１１５ｂの周囲の位置で、基部１１５の縁部に設けられ、少なくとも三つの辺を有している。7A and 7B are plan views showing other embodiments of the present invention.
As shown in FIG. 7A, the XYθ stage 110 of the present embodiment includes a first stage unit 111, a second stage unit 112, and a third stage unit 113 that can be independently operated. And a fourth stage unit 114, and the first to fourth stage units 111 to 114 are provided with first to fourth XYθ stages 111A to 114A that can operate independently. ing.
The first stage portion 111 has a base 115 having a rectangular flat plate shape, for example, and a notch 115b having a rectangular shape, for example, is formed on one long side 115a side of the base 115.
A first XYθ stage 111A is provided on the surface of the base 115 of the first stage 111 on the side of the vapor discharge means 20 (see, for example, FIG. 1).
The first XYθ stage 111A is provided at the edge of the base 115 at a position around the notch 115b of the base 115 of the first stage 111, and has at least three sides.

本実施の形態の場合、第１のＸＹθステージ１１１Ａは、連結された直線状の三つの辺１１１ａ〜１１１ｃからなり、ほぼ「コ」字形状に形成されている。この場合、「コ」字の両端部が、基部１１５の一辺１１５ａ側に位置するように、第１のＸＹθステージ１１１Ａが配置されている。なお、第１のＸＹθステージ１１１Ａを構成する平行な辺１１１ａ、１１１ｃのうち、成膜する領域の内側の辺１１１ｃは、上記蒸気放出手段２０からの蒸気の妨げにならないようにするため、成膜する領域の外側の辺１１１ａより短く形成されている。
また、第１のステージ部１１１の上記蒸気放出手段２０と反対側の面には、上述した基部１１５の切り欠き部１１５ｂの縁部に、例えば「コ」字形状のマスク支持部１１５ｄが設けられている。
一方、本実施の形態では、第１のステージ部１１１の基部１１５の一辺１１５ａ側に、基準直線Ｌに対して線対称の形状の第２のステージ部１１２が配置されている。In the case of the present embodiment, the first XYθ stage 111A is composed of three connected straight sides 111a to 111c, and is formed in a substantially “U” shape. In this case, the first XYθ stage 111 </ b> A is arranged so that both ends of the “U” shape are located on the side 115 a side of the base 115. Of the parallel sides 111a and 111c constituting the first XYθ stage 111A, the inner side 111c of the film forming region does not interfere with the vapor from the vapor discharge means 20, so that the film is formed. It is shorter than the side 111a outside the area to be processed.
Further, on the surface of the first stage 111 opposite to the vapor discharge means 20, for example, a “U” -shaped mask support portion 115 d is provided at the edge of the notch 115 b of the base 115 described above. ing.
On the other hand, in the present embodiment, the second stage portion 112 having a line-symmetric shape with respect to the reference straight line L is disposed on the side 115 a side of the base portion 115 of the first stage portion 111.

すなわち、この第２のステージ部１１２は、矩形平板状の基部１１６の一長辺１１６ａ側に、例えば矩形形状の切り欠き部１１６ｂが形成され、さらに、この基部１１６の上記蒸気放出手段２０側の面上に、第２のＸＹθステージ１１２Ａが設けられている。
この第２のＸＹθステージ１１２Ａは、第２のステージ部１１２の基部１１６の切り欠き部１１６ｂの周囲の位置で、基部１１６の縁部に設けられ、少なくとも三つの辺を有している。That is, the second stage portion 112 has, for example, a rectangular cutout portion 116b formed on the long side 116a side of the rectangular flat plate-like base portion 116, and further, the base portion 116 on the vapor discharge means 20 side. A second XYθ stage 112A is provided on the surface.
The second XYθ stage 112A is provided at the edge of the base 116 at a position around the notch 116b of the base 116 of the second stage 112, and has at least three sides.

本実施の形態の場合、第２のＸＹθステージ１１２Ａは、連結された直線状の三つの辺１１２ａ〜１１２ｃからなり、ほぼ「コ」字形状に形成されている。この場合、「コ」字の両端部が、基部１１６の一辺１１６ａ側に位置するように、第２のＸＹθステージ１１２Ａが配置されている。なお、第２のＸＹθステージ１１２Ａを構成する平行な辺１１２ａ、１１２ｃのうち、成膜する領域の内側の辺１１２ｃは、上記蒸気放出手段２０からの蒸気の妨げにならないようにするため、成膜する領域の外側の辺１１２ａより短く形成されている。
また、第２のステージ部１１２の上記蒸気放出手段２０と反対側の面には、上述した基部１１６の切り欠き部１１６ｂの縁部に、例えば「コ」字形状のマスク支持部１１６ｄが設けられている。In the case of the present embodiment, the second XYθ stage 112A is composed of three connected straight sides 112a to 112c, and is formed in a substantially “U” shape. In this case, the second XYθ stage 112 </ b> A is arranged so that both ends of the “U” shape are positioned on the side 116 a side of the base 116. Of the parallel sides 112a and 112c constituting the second XYθ stage 112A, the side 112c inside the film formation region does not hinder the vapor from the vapor discharge means 20, so that the film is formed. It is shorter than the side 112a outside the area to be processed.
Further, on the surface of the second stage portion 112 opposite to the vapor discharge means 20, for example, a “U” -shaped mask support portion 116 d is provided at the edge portion of the notch portion 116 b of the base portion 116 described above. ing.

さらに、本実施の形態においては、第１のＸＹθステージ１１１の成膜する領域の内側の辺１１１ｃ側並びに第２のＸＹθステージ１１２の成膜する領域の内側の辺１１２ｃ側に、上記基準直線Ｌと直交する基準直線Ｎに対して線対称の形状の第３のステージ部１１３及び第４のステージ部１１４が設けられている。
ここで、第３のステージ部１１３は、矩形平板状の基部１１７の一辺１１７ａ側に、例えば矩形形状の切り欠き部１１７ｂが形成され、また、この基部１１７の上記蒸気放出手段２０側の面上に、第３のＸＹθステージ１１３Ａが設けられている。
この第３のＸＹθステージ１１３Ａは、第３のステージ部１１３の基部１１７の切り欠き部１１７ｂの周囲の位置で、第３のステージ部１１３の基部１１７の縁部に設けられ、少なくとも三つの辺を有している。Further, in the present embodiment, the reference straight line L is formed on the side 111c side inside the region where the first XYθ stage 111 is formed and on the side 112c side inside the region where the second XYθ stage 112 is formed. A third stage portion 113 and a fourth stage portion 114 that are symmetrical with respect to a reference straight line N that is orthogonal to the first straight line N are provided.
Here, the third stage portion 113 has, for example, a rectangular cutout portion 117b formed on the side 117a side of the rectangular flat plate-shaped base portion 117, and the surface of the base portion 117 on the vapor discharge means 20 side. In addition, a third XYθ stage 113A is provided.
The third XYθ stage 113A is provided on the edge of the base 117 of the third stage 113 at a position around the notch 117b of the base 117 of the third stage 113, and has at least three sides. Have.

本実施の形態の場合、第３のＸＹθステージ１１３Ａは、連結された直線状の三つの辺１１３ａ〜１１３ｃからなり、ほぼ「コ」字形状に形成されている。この場合、「コ」字の一方の端部が、基部１１７の一辺１１７ａ側に位置するように、第３のＸＹθステージ１１３Ａが配置されている。なお、第３のＸＹθステージ１１３Ａを構成する平行な辺１１３ａ、１１３ｃのうち、成膜する領域の内側の辺１１３ｃは、上記蒸気放出手段２０からの蒸気の妨げにならないようにするため、成膜する領域の外側の辺１１３ａより短く形成されている。
また、第３のステージ部１１３の上記蒸気放出手段２０と反対側の面には、基部１１７の切り欠き部１１７ｂの縁部に、例えば「コ」字形状のマスク支持部１１７ｄが設けられている。In the case of the present embodiment, the third XYθ stage 113A is composed of three connected straight sides 113a to 113c, and is formed in a substantially “U” shape. In this case, the third XYθ stage 113 </ b> A is arranged so that one end portion of the “U” shape is located on the side 117 a side of the base portion 117. Of the parallel sides 113a and 113c constituting the third XYθ stage 113A, the inner side 113c of the film formation region does not interfere with the vapor from the vapor discharge means 20, so that the film is formed. It is shorter than the side 113a outside the region to be processed.
Further, on the surface of the third stage portion 113 opposite to the vapor discharge means 20, for example, a “U” -shaped mask support portion 117 d is provided at the edge of the notch portion 117 b of the base portion 117. .

一方、第４のステージ部１１４は、矩形平板状の基部１１８の一辺１１８ａ側に、例えば矩形形状の切り欠き部１１８ｂが形成され、また、この基部１１８の上記蒸気放出手段２０側の面上に、第４のＸＹθステージ１１４Ａが設けられている。
この第４のＸＹθステージ１１４Ａは、第４のステージ部１１４の基部１１８の切り欠き部１１８ｂの周囲の位置で、基部１１８の縁部に設けられ、少なくとも三つの辺を有している。On the other hand, the fourth stage portion 114 has, for example, a rectangular cutout portion 118b formed on one side 118a side of the rectangular flat plate-like base portion 118, and the base portion 118 has a surface on the vapor discharge means 20 side. A fourth XYθ stage 114A is provided.
The fourth XYθ stage 114A is provided on the edge of the base 118 at a position around the notch 118b of the base 118 of the fourth stage 114, and has at least three sides.

本実施の形態の場合、第４のＸＹθステージ１１４Ａは、連結された直線状の三つの辺１１４ａ〜１１４ｃからなり、ほぼ「コ」字形状に形成されている。この場合、「コ」字の一方の端部が、基部１１８の一辺１１８ａ側に位置するように、第４のＸＹθステージ１１４Ａが配置されている。なお、第４のＸＹθステージ１１４Ａの平行な辺１１４ａ、１１４ｃのうち、成膜する領域の内側の辺１１４ｃは、上記蒸気放出手段２０からの蒸気の妨げにならないようにするため、成膜する領域の外側の辺１１４ａより短く形成されている。
また、第４のステージ部１１４の上記蒸気放出手段２０と反対側の面には、切り欠き部１１８ｂの縁部に、例えば「コ」字形状のマスク支持部１１８ｄが設けられている。In the case of the present embodiment, the fourth XYθ stage 114A is composed of three connected straight sides 114a to 114c, and is formed in a substantially “U” shape. In this case, the fourth XYθ stage 114 </ b> A is arranged so that one end portion of the “U” shape is located on the side 118 a side of the base portion 118. Of the parallel sides 114a and 114c of the fourth XYθ stage 114A, the side 114c on the inner side of the film forming region does not hinder the vapor from the vapor discharge means 20, so that the film forming region is used. It is shorter than the outer side 114a.
Further, on the surface of the fourth stage 114 opposite to the vapor discharge means 20, for example, a “U” -shaped mask support 118d is provided at the edge of the notch 118b.

図７（ｂ）は、上述した第１〜第４のステージ部１１１〜１１４上に第１〜第４のマスク１２１〜１２４を配置した状態を示すものである。
図７（ｂ）に示すように、第１〜第４のマスク１２１〜１２４は、それぞれ例えば矩形形状に形成されており、それぞれパターン１３１〜１３４が複数（ここでは２個）設けられている。
また、第１〜第４のマスク１２１〜１２４の各隅部には、それぞれアライメントマーク１２１ａ〜１２１ｄ、１２２ａ〜１２２ｄ、１２３ａ〜１２３ｄ、１２４ａ〜１２４ｄが設けられている。
これら四つの第１〜第４のマスク１２１〜１２４は、１枚の基板（ここでは図示せず）に対応して蒸着を行うように、その大きさ及びパターン１３１〜１３４の大きさが設定され、また、それぞれのアライメントマーク１２１ａ〜１２１ｄ、１２２ａ〜１２２ｄ、１２３ａ〜１２３ｄ、１２４ａ〜１２４ｄの位置が定められている。FIG. 7B shows a state in which the first to fourth masks 121 to 124 are arranged on the first to fourth stage portions 111 to 114 described above.
As shown in FIG. 7B, each of the first to fourth masks 121 to 124 is formed in, for example, a rectangular shape, and a plurality of (here, two) patterns 131 to 134 are provided.
In addition, alignment marks 121a to 121d, 122a to 122d, 123a to 123d, and 124a to 124d are provided at corners of the first to fourth masks 121 to 124, respectively.
The size of the four first to fourth masks 121 to 124 and the sizes of the patterns 131 to 134 are set so as to perform vapor deposition corresponding to one substrate (not shown here). In addition, the positions of the alignment marks 121a to 121d, 122a to 122d, 123a to 123d, and 124a to 124d are determined.

このような構成を有する本実施の形態によれば、マスク支持部１１５ｄ〜１１８ｄによって支持された第１〜第４のマスク１２１〜１２４同士を近接して配置することができるとともに、１枚の大型基板に対して成膜する領域をより大きくすることができるので、成膜の際のタクトタイムを短くすることができ、生産効率を向上させることができる。 According to the present embodiment having such a configuration, the first to fourth masks 121 to 124 supported by the mask support portions 115d to 118d can be disposed close to each other, and one large-sized sheet is provided. Since a region for film formation on the substrate can be made larger, the tact time during film formation can be shortened, and the production efficiency can be improved.

なお、本発明は上述の実施の形態に限られることなく、種々の変更を行うことができる。
例えば、上記実施の形態においては、それぞれのＸＹθステージの形状を「コ」字形状としたが、本発明はこれに限られず、例えば、ＸＹθステージを分割して少なくとも三つの辺を有するように構成することもできる。
また、上記実施の形態においては、蒸発源から供給される蒸発材料のガスを複数の蒸気放出口から放出するようにしたが、本発明はこれに限られず、蒸発源自体をマスクに対向するように配置することもでき、また、直線状の蒸発源をその延びる方向と直交する方向へ移動させることもできる。
さらに、複数のマスクのパターンは、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、種々のパターンを適用することができる。The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes can be made.
For example, in the above-described embodiment, the shape of each XYθ stage is a “U” shape, but the present invention is not limited to this. For example, the XYθ stage is divided to have at least three sides. You can also
In the above embodiment, the gas of the evaporation material supplied from the evaporation source is discharged from the plurality of vapor discharge ports. However, the present invention is not limited to this, and the evaporation source itself faces the mask. In addition, the linear evaporation source can be moved in a direction perpendicular to the extending direction.
Furthermore, the patterns of the plurality of masks may be the same or different, and various patterns can be applied.

さらにまた、本発明は有機ＥＬ装置の有機層を形成するための真空蒸着装置のみならず、種々の真空蒸着装置に適用することができる。
ただし、本発明は、大型基板に対してマスクを用いて蒸着を行う有機ＥＬ装置用の真空蒸着装置に適用した場合に最も効果があるものである。
なお、蒸着対象物として小型基板やピッチの大きなマスク等を使用する場合には、１枚のマスクを使用することもできる。この場合、１枚のマスクを複数のマスク支持部上に載置し、ＸＹθステージによって複数のマスク支持部を電気的又は機械的に同期させて移動させ、位置合わせをすることもできる。Furthermore, the present invention can be applied not only to a vacuum deposition apparatus for forming an organic layer of an organic EL device but also to various vacuum deposition apparatuses.
However, the present invention is most effective when applied to a vacuum deposition apparatus for an organic EL device that performs deposition on a large substrate using a mask.
In addition, when using a small substrate, a mask with a large pitch, etc. as a vapor deposition target object, one mask can also be used. In this case, one mask can be placed on a plurality of mask support portions, and the plurality of mask support portions can be moved in synchronism with each other electrically or mechanically by an XYθ stage.

１…真空蒸着装置、１０…ＸＹθステージ、１１…第１のステージ部、１２…第２のステージ部、１７，１８…マスク支持部、３１…第１のマスク、３２…第２のマスク DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Vacuum evaporation apparatus, 10 ... XY (theta) stage, 11 ... 1st stage part, 12 ... 2nd stage part, 17, 18 ... Mask support part, 31 ... 1st mask, 32 ... 2nd mask

Claims

In a vacuum chamber, a vacuum deposition apparatus that performs deposition on a deposition target through a mask,
A plurality of mask support portions that respectively support the mask with respect to one deposition object;
And a plurality of alignment means for aligning the plurality of mask support portions in a non-contact state.

The vacuum deposition apparatus according to claim 1, wherein the alignment unit is formed in a shape having at least three sides.

The vacuum deposition apparatus according to claim 1, wherein the alignment unit is formed in a U shape.

The vacuum deposition apparatus according to claim 3, wherein two alignment means are provided for one deposition object, and are arranged so that ends of the two alignment means face each other.

2. The alignment means is configured to move in synchronism electrically or mechanically and align the mask and the mask support when using one mask. or vacuum deposition device according to any one of the 4.

In a vacuum, a vacuum vapor deposition method for vapor deposition on a vapor deposition object through a mask,
Arranging a plurality of masks with respect to one deposition object, and aligning the plurality of masks in a non-contact state with respect to the deposition object;
And a step of causing vapor of the evaporating material to reach the deposition object through each of the masks.

The vacuum evaporation method according to claim 6, wherein the evaporation material is made of an organic material for an organic film of an organic EL device.