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JP5517741B2 - Substrate transfer method - Google Patents
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JP5517741B2 - Substrate transfer method - Google Patents

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Description

本発明は、半導体ウェーハ、PDP用ガラス基板、磁気ディスク用基板、またはフォトマスク用基板等の基板の膜厚を測定する膜厚測定器と、基板を搬送する搬送用ロボットとを備え、膜厚測定器と搬送用ロボットとの間で基板の受け渡しを行いながら搬送用ロボットで基板を搬送する基板搬送方法に関する。   The present invention comprises a film thickness measuring device for measuring the film thickness of a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for PDP, a magnetic disk substrate, or a photomask substrate, and a transport robot for transporting the substrate. The present invention relates to a substrate transfer method for transferring a substrate by a transfer robot while transferring the substrate between a measuring instrument and a transfer robot.

従来、基板表面を研磨する研磨装置にあっては、基板表面の研磨の前後で基板の膜厚を測定する膜厚測定器と、例えば膜厚測定器とカセットとの間、及び膜厚測定器と基板を次の処理部に搬送するための載置台との間を走行して基板を搬送する搬送用ロボットとを備え、膜厚測定器と搬送用ロボットとの間で基板の受渡しを行いながら基板の搬送を行うようにした基板搬送系を備えたものが知られている。   Conventionally, in a polishing apparatus for polishing a substrate surface, a film thickness measuring device that measures the film thickness of the substrate before and after polishing the substrate surface, for example, between a film thickness measuring device and a cassette, and a film thickness measuring device And a transfer robot that transports the substrate by traveling between the substrate and the mounting table for transporting the substrate to the next processing unit, while delivering the substrate between the film thickness measuring instrument and the transport robot 2. Description of the Related Art A substrate having a substrate transport system that transports a substrate is known.

例えばITM等の膜厚測定器は、一般に高価であり、このため、研磨装置には、通常1台の膜厚測定器が備えられている。そして、膜厚測定器は、一般に内部に搬入された基板に対する膜厚測定を終了した時点で膜厚測定終了信号を出力し、搬送用ロボットは、膜厚測定器から出力される膜厚測定終了信号を受けて搬送動作を開始するように制御される。つまり、搬送用ロボットは、膜厚測定器から膜厚測定終了信号が出力されるまで膜厚測定器から離れた場所で待機している。このため、搬送用ロボットの待機時間を削除または減少させれば、研磨装置全体のスループットを向上させることができる。   For example, a film thickness measuring instrument such as ITM is generally expensive. For this reason, a polishing apparatus is usually provided with one film thickness measuring instrument. The film thickness measuring device outputs a film thickness measurement end signal when the film thickness measurement for the substrate carried into the inside is generally completed, and the transfer robot completes the film thickness measurement output from the film thickness measuring device. In response to the signal, it is controlled to start the conveying operation. That is, the transfer robot stands by at a place away from the film thickness measuring device until a film thickness measurement end signal is output from the film thickness measuring device. For this reason, if the waiting time of the transfer robot is deleted or reduced, the throughput of the entire polishing apparatus can be improved.

未処理基板を予めカセット内から搬出してチャンバの前で待機させておき、処理終了後に未処理基板をチャンバ内にセットした後、処理済み基板をチャンバから搬出してカセット内に収納するように搬送装置を制御することにより、基板処理と基板交換を部分的に並列的に行って、処理タクトを短くすることが提案されている(特許文献1参照)。   Unprocessed substrates are unloaded from the cassette in advance and kept waiting in front of the chamber. After the processing is completed, the unprocessed substrates are set in the chamber, and then the processed substrates are unloaded from the chamber and stored in the cassette. It has been proposed to shorten the processing tact by performing substrate processing and substrate replacement partially in parallel by controlling the transfer device (see Patent Document 1).

特許第3174691号公報Japanese Patent No. 3174691

例えば、1台の膜厚測定器を備えた研磨装置において、未研磨基板を搬送用ロボットでカセットから取り出し、研磨済み基板を搬送用ロボットでカセットに戻すまでの間に、未研磨基板の膜厚測定と研磨済み基板の膜厚測定の合計2回の膜厚測定を膜厚測定器で行うと、基板搬送は、研磨後の基板の膜厚測定時に律速されることになる。ここに、前述のように、膜厚測定器から出力される膜厚測定終了信号を受けて搬送動作を開始するように搬送用ロボットを制御すると、搬送用ロボットに待機時間といった無駄な時間が発生する。このため、研磨装置全体としてのスループットが膜厚測定器を含まない研磨装置に比べて低くなる。   For example, in a polishing apparatus equipped with a single film thickness measuring device, the film thickness of an unpolished substrate is taken between the removal of the unpolished substrate from the cassette by the transfer robot and the return of the polished substrate to the cassette by the transfer robot. If the film thickness measurement is performed twice with the film thickness measurement device in total, that is, the measurement of the film thickness of the polished substrate, the substrate conveyance is limited when the film thickness of the substrate after polishing is measured. Here, as described above, when the transfer robot is controlled so as to start the transfer operation in response to the film thickness measurement end signal output from the film thickness measuring device, useless time such as a standby time is generated in the transfer robot. To do. For this reason, the throughput of the polishing apparatus as a whole is lower than that of a polishing apparatus that does not include a film thickness measuring device.

なお、特許文献1に記載の発明は、未処理基板を予めカセット内から搬出してチャンバの前で待機させるように搬送装置を制御しているが、チャンバ内での基板の処理時間に関係なく搬送装置の動作を制御するようにしており、このため、基板の処理状況に応じて搬送装置の動作を制御するようにしたものではない。   In the invention described in Patent Document 1, the transfer device is controlled so that an unprocessed substrate is unloaded from the cassette in advance and is placed on standby in front of the chamber. However, regardless of the processing time of the substrate in the chamber. The operation of the transfer device is controlled, and therefore, the operation of the transfer device is not controlled according to the processing status of the substrate.

本発明は上記事情に鑑みて為されたもので、基板を搬送し膜厚測定器との間で基板の受渡しを行う搬送用ロボットの待機時間を削除または減少させるように搬送用ロボットの基板搬送動作を制御することで、装置全体としてのスループットを向上させることができるようにした基板搬送方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and the substrate transfer of the transfer robot is performed so as to eliminate or reduce the waiting time of the transfer robot that transfers the substrate to and from the film thickness measuring device. An object of the present invention is to provide a substrate transfer method capable of improving the throughput of the entire apparatus by controlling the operation.

本発明の一態様は、基板の膜厚を測定する膜厚測定器との間で基板の受渡しを行いながら搬送用ロボットで基板を搬送する基板搬送方法において、前記膜厚測定器は、一枚の基板に対して前記膜厚測定器で膜厚測定を行う測定ポイント総数から、内部に搬入された基板に対して前記膜厚測定器で実際に膜厚測定を行った測定ポイント数を差し引いた未測定の測定ポイント数が予め指定した測定ポイント数に達した時点で、事前終了予告信号を出力し、前記膜厚測定器から出力された前記事前終了予告信号を受けて基板搬送動作を開始するように前記搬送用ロボットを制御することを特徴とする基板搬送方法。 One aspect of the present invention is a substrate transfer method for transferring a substrate by the transfer robot while transferring a substrate between the film thickness measuring device for measuring the thickness of the substrate, the film thickness measuring device, one From the total number of measurement points at which film thickness measurement is performed with respect to the substrate of the substrate, the number of measurement points at which film thickness measurement was actually performed with the film thickness measurement device is subtracted from the substrate carried inside. Once at the measurement points of the measurement points previously designated unmeasured, and outputs the pre-termination warning signal starts the substrate carrying operation by receiving the pre-termination warning signal outputted from the thickness measuring device A substrate transfer method comprising controlling the transfer robot as described above.

膜厚測定器の内部に搬入された基板に対する膜厚測定が終了する所定時間前(事前)に膜厚測定器から出力された事前終了予告信号を受けて基板搬送動作を開始するように搬送用ロボットを制御することで、内部に搬入された基板に対する膜厚測定器による膜厚測定が終了する前に、例えば次に膜厚測定を行う膜厚未測定基板を搬送用ロボットで受け取って膜厚測定器に引き渡す直前まで搬送し、膜厚測定器による基板の膜厚測定が終了した時点で、膜厚未測定基板を膜厚測定器に引き渡して、膜厚測定済み基板を膜厚測定器から受け取ることができる。これにより、搬送用ロボットの無駄な待機時間を削除または減少させて装置全体のスループットを向上させることができる。   For transporting to start the substrate transport operation in response to a prior termination notice signal output from the film thickness meter for a predetermined time (prior time) before the end of film thickness measurement for the substrate loaded into the film thickness meter By controlling the robot, before the film thickness measurement by the film thickness measuring device for the substrate carried into the inside is completed, for example, the film thickness unmeasured substrate to be measured next is received by the transfer robot. It is transported until just before delivery to the measuring instrument, and when the film thickness measurement of the substrate by the film thickness measuring instrument is completed, the substrate that has not been measured is handed over to the film thickness measuring instrument, and the film thickness measured substrate is transferred from the film thickness measuring instrument. Can receive. Thereby, it is possible to improve the throughput of the entire apparatus by deleting or reducing the useless waiting time of the transfer robot.

未測定の測定ポイント数が予め指定した測定ポイント数に達した時点で膜厚測定器から事前終了予告信号を出力することで、膜厚測定器から事前終了予告信号を出力するタイミングを任意に指定することができる。これにより、膜厚測定器による膜厚測定時間が膜厚測定条件(レシピ)によって変動することにも柔軟に対応させ、その膜厚測定条件での最適なタイミングで膜厚測定器から事前終了予告信号を出力することができる。   When the number of unmeasured measurement points reaches the number of measurement points specified in advance, the timing to output the advance end warning signal from the film thickness measuring device is arbitrarily specified by outputting the advance end warning signal from the film thickness measuring device. can do. As a result, the film thickness measuring time by the film thickness measuring instrument can be flexibly accommodated to fluctuate depending on the film thickness measuring condition (recipe), and the film thickness measuring instrument will notify the end in advance at the optimal timing under the film thickness measuring condition. A signal can be output.

本発明の好ましい態様は、前記膜厚測定器は、モニタリングして求めた、以前に処理した基板に対する膜厚測定時間と搬送用ロボットが基板を膜厚測定器まで搬送するのに要したロボット搬送時間とを基にして、前記事前終了予告信号を出力することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、所定枚数の基板に対する前記膜厚測定を行い、前記所定枚数の基板の膜厚測定時間を前記基板の枚数で除算して平均膜厚測定時間を求め、前記搬送用ロボットによって前記所定枚数の基板を前記膜厚測定器に搬送したときのロボット搬送時間を前記基板の枚数で除算して平均ロボット搬送時間を求め、前記平均膜厚測定時間が前記平均ロボット搬送時間よりも長い場合、前記平均膜厚測定時間から前記平均ロボット搬送時間を減算し、前記膜厚測定を開始してから該減算によって求められた時間が経過した時に前記事前終了予告信号を出力し、前記平均膜厚測定時間が前記平均ロボット搬送時間以下である場合、前記膜厚測定を開始すると同時に、前記事前終了予告信号を出力することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記所定枚数の基板に対する前記膜厚測定が終了する毎に前記膜厚測定時間および前記ロボット搬送時間の平均値を求め、前記平均値に基づいて前記膜厚測定器が前記事前終了予告信号を出力するタイミングを決定することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、一枚の基板に対する膜厚測定が終了する毎に前記所定枚数の基板に対する前記膜厚測定時間および前記ロボット測定時間の平均値を求め、前記平均値に基づいて前記膜厚測定器が前記事前終了予告信号を出力するタイミングを決定することを特徴とする。
In a preferred aspect of the present invention, the film thickness measuring device is obtained by monitoring, the film thickness measuring time for the previously processed substrate and the robot transport required for the transport robot to transport the substrate to the film thickness measuring device. and time and based on, you and outputting the pre-termination warning signal.
In a preferred aspect of the present invention, the film thickness measurement is performed on a predetermined number of substrates, and the film thickness measurement time of the predetermined number of substrates is divided by the number of the substrates to obtain an average film thickness measurement time. The robot transport time when the predetermined number of substrates are transported to the film thickness measuring instrument is divided by the number of substrates to obtain an average robot transport time, and the average film thickness measurement time is less than the average robot transport time. If it is long, subtract the average robot transport time from the average film thickness measurement time, and when the time determined by the subtraction from the start of the film thickness measurement, the advance end warning signal is output, When the average film thickness measurement time is equal to or less than the average robot conveyance time, the advance end notice signal is output simultaneously with the start of the film thickness measurement.
In a preferred aspect of the present invention, every time the film thickness measurement for the predetermined number of substrates is completed, an average value of the film thickness measurement time and the robot transport time is obtained, and the film thickness measuring device is based on the average value. The timing for outputting the advance end warning signal is determined.
A preferred aspect of the present invention is to obtain an average value of the film thickness measurement time and the robot measurement time for the predetermined number of substrates every time the film thickness measurement for one substrate is completed, and based on the average value, the film The thickness measuring device determines a timing for outputting the advance notice signal.

基板の膜厚測定時間と搬送用ロボットが基板を膜厚測定器まで搬送するのに要するロボット搬送時間とを常にモニタリングし、この膜厚測定時間とロボット搬送時間とを基に、膜厚測定器から事前終了予告信号を出力することで、プロセスが変わったかどうかを知ることができ、しかも、基板の膜厚測定時間の変化に応じて、膜厚測定器から事前終了予告信号を出力するタイミングを自動で調整することができる。   The film thickness measurement time and the robot transfer time required for the transfer robot to transfer the substrate to the film thickness measurement device are constantly monitored, and the film thickness measurement device is based on the film thickness measurement time and the robot transfer time. By outputting the advance end warning signal from, it is possible to know whether the process has changed, and the timing to output the advance end warning signal from the film thickness meter according to the change in the film thickness measurement time of the substrate. It can be adjusted automatically.

本発明によれば、膜厚測定器内に搬入された基板に対する膜厚測定が終了する所定時間前に膜厚測定器から出力された事前終了予告信号を受けて基板搬送動作を開始するように搬送用ロボットを制御することで、基板を搬送し膜厚測定器との間で基板の受渡しを行う搬送用ロボットの無駄な待機時間を削除または減少させて、装置全体のスループットを向上させることができる。   According to the present invention, the substrate carrying operation is started in response to the advance end notice signal output from the film thickness measuring device before the predetermined time before the film thickness measurement for the substrate carried into the film thickness measuring device is completed. By controlling the transfer robot, it is possible to eliminate or reduce the unnecessary waiting time of the transfer robot that transfers the substrate and delivers the substrate to and from the film thickness measuring instrument, thereby improving the throughput of the entire apparatus. it can.

本発明の基板搬送方法が適用される研磨装置を示す全体配置図である。1 is an overall layout diagram showing a polishing apparatus to which a substrate carrying method of the present invention is applied. 図1の研磨装置の研磨部を拡大して示す概要図である。It is a schematic diagram which expands and shows the grinding | polishing part of the grinding | polishing apparatus of FIG. 図1の研磨装置の制御ブロック図である。FIG. 2 is a control block diagram of the polishing apparatus in FIG. 1. ロートポート、ITM、載置台及び洗浄機の相互間における基板の搬送を行う搬送用ロボットの従来の一般的な制御例及び本発明の制御例の説明に付する図である。It is a figure attached | subjected to description of the conventional general control example of the transfer robot which transfers a board | substrate between a funnel, ITM, a mounting base, and a washing machine, and the control example of this invention. ロートポート、ITM、載置台及び洗浄機の相互間における基板の搬送を行う搬送用ロボットの従来の一般的な制御例及び本発明の制御例の説明に付する図である。It is a figure attached | subjected to description of the conventional general control example of the transfer robot which transfers a board | substrate between a funnel, ITM, a mounting base, and a washing machine, and the control example of this invention. (a)は、従来の制御例におけるITMによる膜厚測定と搬送用ロボットによる基板搬送動作との関係を示す図で、(b)は、本発明の制御例におけるITMによる膜厚測定と搬送用ロボットによる基板搬送動作との関係を示す図である。(A) is a figure which shows the relationship between the film thickness measurement by ITM in the conventional control example, and the board | substrate conveyance operation by the robot for conveyance, (b) is the film thickness measurement by ITM and the object for conveyance in the control example of this invention. It is a figure which shows the relationship with the board | substrate conveyance operation by a robot. ITMが事前終了予告信号を出力するタイミングが早すぎた場合におけるITMによる膜厚測定と搬送用ロボットによる基板搬送動作との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the film thickness measurement by ITM, and the board | substrate conveyance operation | movement by the robot for conveyance when the timing which ITM outputs a prior termination notice signal is too early. ITMが膜厚測定に要する膜厚測定時間と搬送用ロボットがITMからの膜厚測定終了信号または事前終了予告信号を受けて基板をITMに受け渡すまでのロボット搬送時間とを示す図である。It is a figure which shows the film thickness measurement time which ITM requires for film thickness measurement, and the robot conveyance time until a robot for conveyance receives a film thickness measurement completion signal or a prior completion notice signal from ITM, and delivers a board | substrate to ITM.

以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、以下の例では、半導体ウェーハ等の基板の表面を平坦に研磨する研磨装置に本発明の基板搬送方法を適用した例を示す。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following example, an example is shown in which the substrate transport method of the present invention is applied to a polishing apparatus that flatly polishes the surface of a substrate such as a semiconductor wafer.

図1は、本発明の基板搬送方法が適用される基板搬送系を備えた研磨装置の全体配置図を示す。図1に示すように、この研磨装置は、内部に多数の半導体ウェーハ等の基板を収納したカセット204をそれぞれ載置する4つのロードポート203a〜203dを備えている。このロードポート203a〜203dに沿って走行レール200が設けられており、この走行レール200の上には、2つのハンドを有する搬送用ロボット202が走行自在に配置されている。走行レール200に隣接して、後述するITM(膜厚測定器)224が配置され、走行レール200を挟んでロードポート203a〜203dの反対側には、載置台206が配置されている。搬送用ロボット202のハンドは、ロードステージ203a〜203d上の各カセット204、ITM224及び載置台206にアクセス可能となっている。   FIG. 1 is an overall layout view of a polishing apparatus provided with a substrate transfer system to which a substrate transfer method of the present invention is applied. As shown in FIG. 1, the polishing apparatus includes four load ports 203 a to 203 d on which cassettes 204 each containing a plurality of substrates such as semiconductor wafers are placed. A travel rail 200 is provided along the load ports 203a to 203d, and a transport robot 202 having two hands is movably disposed on the travel rail 200. An ITM (film thickness measuring device) 224, which will be described later, is disposed adjacent to the traveling rail 200, and a mounting table 206 is disposed on the opposite side of the load ports 203a to 203d across the traveling rail 200. The hand of the transfer robot 202 can access the cassettes 204, the ITM 224, and the mounting table 206 on the load stages 203a to 203d.

載置台206とロータリトランスポータ210との間に位置して、搬送用ロボット208が配置されている。そして、ロータリトランスポータ210上の基板を、後述するトップリング1に保持させつつ研磨テーブル100上に位置させることにより、複数枚の基板を連続して研磨処理することができるようになっている。   A transfer robot 208 is disposed between the mounting table 206 and the rotary transporter 210. Then, by holding the substrate on the rotary transporter 210 on the polishing table 100 while being held by the top ring 1 described later, a plurality of substrates can be polished continuously.

研磨装置には、研磨後の基板を洗浄し乾燥させる第1洗浄機214a,214b及び第2洗浄機212a,212b、基板表面の研磨を行う研磨テーブル100,216、研磨テーブル100,216のドレッシングを行うドレッサ218,220、及びドレッサ218を洗浄する水桶222が備えられている。なお、複数の研磨液や複数の研磨条件(研磨レシピ)を切替ることにより、1台の研磨テーブル100で2段研磨やそれ以上の複数段研磨を行うことも可能になっている。   In the polishing apparatus, the first cleaning machines 214a and 214b and the second cleaning machines 212a and 212b for cleaning and drying the polished substrate, the polishing tables 100 and 216 for polishing the substrate surface, and the dressing of the polishing tables 100 and 216 are performed. Dressers 218 and 220 to be performed, and a water tank 222 for cleaning the dresser 218 are provided. In addition, by switching a plurality of polishing liquids and a plurality of polishing conditions (polishing recipes), it is also possible to perform two-step polishing or more than one-step polishing with one polishing table 100.

研磨装置は、研磨前、あるいは研磨後に洗浄及び乾燥処理を経た基板表面における被研磨膜の膜厚を測定する膜厚測定器としてのITM(In-line Thickness Monitor)224を備えている。この例では、図1に示すように、走行レール200の延長線上に、搬送用ロボット202が研磨後の基板(研磨済み基板)をカセット204内に収納する前、若しくは搬送用ロボット202が研磨前の基板(未研磨基板)をカセット204から取り出した後(In-line)に、光学的手段により基板表面へ入射し反射した光学信号により、半導体ウェーハ等の基板表面における酸化膜等の絶縁膜の膜厚、導電性膜の銅膜やバリア膜等の研磨状態を測定するITM(膜厚測定器)224が配置されている。   The polishing apparatus is provided with an ITM (In-line Thickness Monitor) 224 as a film thickness measuring device for measuring the film thickness of a film to be polished on the substrate surface that has been subjected to cleaning and drying treatment before polishing or after polishing. In this example, as shown in FIG. 1, before the transfer robot 202 stores the polished substrate (polished substrate) in the cassette 204 on the extended line of the traveling rail 200, or the transfer robot 202 before the polishing. After the substrate (unpolished substrate) is taken out from the cassette 204 (In-line), an optical signal incident and reflected on the substrate surface by optical means is used to generate an insulating film such as an oxide film on the substrate surface such as a semiconductor wafer. An ITM (film thickness measuring instrument) 224 for measuring the film thickness and the polished state of the copper film or the barrier film of the conductive film is disposed.

研磨装置は、基板の研磨中及び/または研磨後に、基板表面の導電性膜が配線部などの必要な領域を除いて除去され、または絶縁膜が除去されることをセンサ信号や計測値を監視することにより検出して、多段研磨プロセスにおける各段の研磨条件や、研磨処理工程の終点を決定し、適切な研磨処理を繰返すことができるようになっている。ITM224は、基板の膜厚を測定することができ、これにより、基板の特定の箇所における研磨結果や、基板の全体的な研磨結果について調べることができる。   The polishing device monitors sensor signals and measurement values to confirm that the conductive film on the surface of the substrate is removed except for necessary areas such as the wiring part or the insulating film is removed during and / or after polishing the substrate. Thus, it is possible to detect and determine the polishing conditions of each stage in the multi-stage polishing process and the end point of the polishing process, and repeat an appropriate polishing process. The ITM 224 can measure the film thickness of the substrate, whereby the polishing result at a specific portion of the substrate and the overall polishing result of the substrate can be examined.

研磨装置の研磨部は、基板を保持して研磨テーブル上の研磨面に押圧し、これによって、基板の表面を平坦に研磨する。図2は、図1に示す研磨装置の研磨部の詳細を示す。図2に示すように、トップリング1の下方には、上面に研磨パッド(研磨布)101を貼付した研磨テーブル100が設置されている。研磨テーブル100の上方には、研磨液供給ノズル102が設置されており、この研磨液供給ノズル102によって研磨テーブル100上の研磨パッド101上に研磨液(スラリ)Qが供給される。また、トップリング1は、上面に研磨パッド(研磨テーブル)217を貼着した研磨テーブル216(図1参照)の直上方位置にも移動できようになっている。この研磨テーブル216は、いわゆるスクロール運転するように構成され、研磨テーブル216の内部には、研磨パッド217の上に研磨液を供給する研磨液供給部(図示せず)が設けられている。   The polishing unit of the polishing apparatus holds the substrate and presses it against the polishing surface on the polishing table, thereby polishing the surface of the substrate flatly. FIG. 2 shows details of the polishing section of the polishing apparatus shown in FIG. As shown in FIG. 2, below the top ring 1, a polishing table 100 having a polishing pad (polishing cloth) 101 attached on the upper surface is installed. A polishing liquid supply nozzle 102 is installed above the polishing table 100, and a polishing liquid (slurry) Q is supplied onto the polishing pad 101 on the polishing table 100 by the polishing liquid supply nozzle 102. The top ring 1 can also be moved to a position immediately above a polishing table 216 (see FIG. 1) having a polishing pad (polishing table) 217 attached to the upper surface. The polishing table 216 is configured to perform a so-called scroll operation, and a polishing liquid supply unit (not shown) for supplying a polishing liquid onto the polishing pad 217 is provided inside the polishing table 216.

図1に示す研磨装置では、トップリング1で基板Wを保持したまま、研磨テーブル100で基板Wに対する1段目の研磨を、研磨テーブル216で基板Wに対する2段目の研磨を行うようにしている。このため、研磨テーブル100の研磨パッド101には、例えば酸化膜等の基板Wの最上層に形成された被研磨膜の表面に対する段差解消特性は低いが、該被研磨膜に対する研磨レートの高い研磨液(スラリ)Qが供給される。研磨テーブル216の研磨パッド217には、酸化膜等の基板Wの最上層に形成された被研磨膜に対する研磨レートは低いが、該被研磨膜の表面に対する段差解消能力の高い研磨液(スラリ)が供給される。   In the polishing apparatus shown in FIG. 1, with the top ring 1 holding the substrate W, the polishing table 100 performs the first stage polishing on the substrate W, and the polishing table 216 performs the second stage polishing on the substrate W. Yes. For this reason, the polishing pad 101 of the polishing table 100 has a low level difference elimination characteristic with respect to the surface of the film to be polished formed on the uppermost layer of the substrate W such as an oxide film, but has a high polishing rate for the film to be polished. A liquid (slurry) Q is supplied. The polishing pad 217 of the polishing table 216 has a low polishing rate with respect to the polishing target film formed on the uppermost layer of the substrate W such as an oxide film, but has a high step resolution capability (slurry) with respect to the surface of the polishing target film. Is supplied.

市場で入手できる研磨パッド101,217としては種々のものがあり、例えば、ロデール社製のSUBA800、IC−1000、IC−1000/SUBA400(二層クロス)、フジミインコーポレイテッド社製のSurfin xxx−5、Surfin 000等がある。SUBA800、Surfin xxx−5、Surfin 000は、繊維をウレタン樹脂で固めた不織布であり、IC−1000は、硬質の発泡ポリウレタン(単層)である。発泡ポリウレタンは、ポーラス(多孔質状)になっており、その表面に多数の微細な凹みまたは孔を有している。研磨パッド101,217は、基本的には消耗部材であり、基板の表面を研磨することによりすり減っていく。実際の研磨プロセスにおいては、研磨パッド101,217が所定の厚さになるか、または研磨速度が低下した時に、新しい研磨パッド101,217への張り替えを行っている。   There are various types of polishing pads 101 and 217 available on the market. For example, SUBA800, IC-1000, IC-1000 / SUBA400 (double-layer cloth) manufactured by Rodel, and Surfin xxx-5 manufactured by Fujimi Incorporated. , Surfin 000, etc. SUBA800, Surfin xxx-5, and Surfin 000 are nonwoven fabrics in which fibers are hardened with urethane resin, and IC-1000 is a hard foamed polyurethane (single layer). The polyurethane foam is porous (porous) and has a number of fine recesses or holes on the surface thereof. The polishing pads 101 and 217 are basically consumable members and are worn away by polishing the surface of the substrate. In the actual polishing process, when the polishing pads 101 and 217 have a predetermined thickness or when the polishing rate is reduced, the new polishing pads 101 and 217 are replaced.

図2に示すように、トップリング1は、自在継手部10を介してトップリング駆動軸11に接続されており、トップリング駆動軸11は、トップリングヘッド110に固定されたトップリング用エアシリンダ111に連結されている。トップリング用エアシリンダ111によってトップリング駆動軸11は上下動し、トップリング1の全体を昇降させるとともに、トップリング本体2の下端に固定されたリテーナリング3を研磨テーブル100,216に押圧する。トップリング用エアシリンダ111は、圧縮空気源120に接続されており、トップリング用エアシリンダ111に供給される加圧空気の空気圧等の流体圧力を調整することができる。これにより、リテーナリング3で保持した基板Wで研磨パッド101,217を押圧する押圧力を調整することができる。   As shown in FIG. 2, the top ring 1 is connected to a top ring drive shaft 11 via a universal joint 10, and the top ring drive shaft 11 is fixed to a top ring head 110. 111. The top ring drive shaft 11 is moved up and down by the top ring air cylinder 111 to raise and lower the entire top ring 1 and press the retainer ring 3 fixed to the lower end of the top ring body 2 against the polishing tables 100 and 216. The top ring air cylinder 111 is connected to the compressed air source 120 and can adjust the fluid pressure such as the air pressure of the pressurized air supplied to the top ring air cylinder 111. Thereby, the pressing force for pressing the polishing pads 101 and 217 with the substrate W held by the retainer ring 3 can be adjusted.

トップリング駆動軸11は、キー(図示せず)を介して回転筒112に連結されている。回転筒112は、その外周部にタイミングプーリ113を備えている。トップリングヘッド110には、回転駆動部としてのトップリング用モータ114が固定されており、タイミングプーリ113は、タイミングベルト115を介してトップリング用モータ114に設けられたタイミングプーリ116に接続されている。従って、トップリング用モータ114を回転駆動することによって、タイミングプーリ116、タイミングベルト115及びタイミングプーリ113を介して回転筒112及びトップリング駆動軸11が一体に回転し、トップリング1が回転する。トップリングヘッド110は、フレーム(図示せず)に固定支持されたトップリングヘッドシャフト117によって支持されている。   The top ring drive shaft 11 is connected to the rotary cylinder 112 via a key (not shown). The rotating cylinder 112 includes a timing pulley 113 on the outer periphery thereof. A top ring motor 114 as a rotation drive unit is fixed to the top ring head 110, and the timing pulley 113 is connected to a timing pulley 116 provided on the top ring motor 114 via a timing belt 115. Yes. Accordingly, when the top ring motor 114 is rotationally driven, the rotary cylinder 112 and the top ring drive shaft 11 rotate together via the timing pulley 116, the timing belt 115, and the timing pulley 113, and the top ring 1 rotates. The top ring head 110 is supported by a top ring head shaft 117 fixedly supported on a frame (not shown).

ITM224からの出力信号は、図1に示すように、制御部400に入力される。制御部400は、図3に示すように、操作パネルなどのマン−マシン・インターフェイス等の入力部401からの入力や、各種データ処理を行うホストコンピュータ402からの入力に基づいて、所望形状などの目標プロフィールになるように基板を目標研磨レート(研磨量)で研磨するように研磨装置を制御する。制御部400は、図1に示すように、搬送用ロボット202の動作も制御する。   The output signal from the ITM 224 is input to the control unit 400 as shown in FIG. As shown in FIG. 3, the control unit 400 has a desired shape or the like based on an input from an input unit 401 such as a man-machine interface such as an operation panel or an input from a host computer 402 that performs various data processing. The polishing apparatus is controlled so that the substrate is polished at a target polishing rate (polishing amount) so as to have a target profile. The control unit 400 also controls the operation of the transfer robot 202 as shown in FIG.

図1に示す研磨装置において、各ロードポート203a〜203dに載置されたカセット204に収容された基板を搬送用ロボット202,208によって、順次ロータリトランスポート210に搬送し、トップリング1で保持する。そして、このトップリング1で保持した基板Wに対して、研磨テーブル100による1段目の研磨と、研磨テーブル216による2段目の研磨を行う。そして、研磨後の基板を第1洗浄機214aまたは214b及び第2洗浄機212aまたは212bで洗浄し乾燥させてカセット204に戻す。   In the polishing apparatus shown in FIG. 1, the substrates accommodated in the cassettes 204 placed on the load ports 203 a to 203 d are sequentially transferred to the rotary transport 210 by the transfer robots 202 and 208 and are held by the top ring 1. . Then, the first-stage polishing by the polishing table 100 and the second-stage polishing by the polishing table 216 are performed on the substrate W held by the top ring 1. Then, the polished substrate is cleaned by the first cleaner 214a or 214b and the second cleaner 212a or 212b, dried, and returned to the cassette 204.

この研磨処理に先立って、カセット204内の研磨前の基板(未研磨基板)を搬送用ロボット202でカセット204からITM224に搬送し、このITM224で未研磨基板の最上層に形成された被研磨膜である酸化膜等の膜厚を測定する。そして、膜厚が測定された未研磨基板を搬送用ロボット202でITM224から載置台206に搬送する。   Prior to this polishing process, the substrate (unpolished substrate) in the cassette 204 before being polished is transferred from the cassette 204 to the ITM 224 by the transfer robot 202, and the film to be polished formed on the uppermost layer of the unpolished substrate by this ITM 224. The thickness of the oxide film or the like is measured. Then, the unpolished substrate whose thickness has been measured is transferred from the ITM 224 to the mounting table 206 by the transfer robot 202.

載置台206に搬送された未研磨基板を、搬送用ロボット208でロータリトランスポータ210に搬送し、トップリング1で保持する。そして、先ず、研磨テーブル100を使用し、予め設定した研磨条件で基板Wに対する1段目の研磨を行う。つまり、図2に示すように、トップリング1で保持した基板Wを、研磨テーブル100の研磨パッド101に所定の押圧力で押圧しつつ、研磨テーブル100及びトップリング1を回転させ、同時に、研磨液供給ノズル102から研磨テーブル100の研磨パッド101に研磨液Qを供給する。そして、例えば、酸化膜等を完全に除去することなく、酸化膜等が僅かに残った状態で、1段目の研磨を終了する。   The unpolished substrate transported to the mounting table 206 is transported to the rotary transporter 210 by the transport robot 208 and held by the top ring 1. First, using the polishing table 100, the first stage polishing is performed on the substrate W under preset polishing conditions. That is, as shown in FIG. 2, while the substrate W held by the top ring 1 is pressed against the polishing pad 101 of the polishing table 100 with a predetermined pressing force, the polishing table 100 and the top ring 1 are rotated and simultaneously polished. The polishing liquid Q is supplied from the liquid supply nozzle 102 to the polishing pad 101 of the polishing table 100. Then, for example, without removing the oxide film or the like completely, the first-stage polishing is finished in a state where the oxide film or the like remains slightly.

次に、この1段目の研磨が終了した基板Wを、トップリング1で保持したまま研磨テーブル216の直上方まで移動させ、この研磨テーブル216を使用して、予め設定した研磨条件で基板Wに対する2段目の研磨を行う。つまり、トップリング1で保持した基板Wを、研磨テーブル216の研磨パッド217に所定の押圧力で押圧しつつ、研磨テーブル216及びトップリング1を回転させ、同時に、研磨テーブル216に形成した研磨液供給部を通して研磨テーブル216の研磨パッド217に研磨液を供給する。この第2の研磨では、例えばバリア膜上の酸化膜を完全に研磨し、更に、バリア膜を研磨目標まで研磨する。   Next, the substrate W that has been polished in the first stage is moved to a position directly above the polishing table 216 while being held by the top ring 1, and the substrate W is used under the polishing conditions set in advance using the polishing table 216. The second stage of polishing is performed. That is, while the substrate W held by the top ring 1 is pressed against the polishing pad 217 of the polishing table 216 with a predetermined pressing force, the polishing table 216 and the top ring 1 are rotated, and at the same time, the polishing liquid formed on the polishing table 216 The polishing liquid is supplied to the polishing pad 217 of the polishing table 216 through the supply unit. In this second polishing, for example, the oxide film on the barrier film is completely polished, and the barrier film is further polished to the polishing target.

搬送用ロボット208は、2段目の研磨が終了した基板(研磨済み基板)をロータリトランスポータ210から第1洗浄機214aまたは214b、更には第2洗浄機212aまたは212bに順次搬送し、ここで基板を洗浄し乾燥させる。搬送用ロボット202は、第2洗浄機212aまたは212bから研磨後の研磨済み基板を受け取ってITM224に搬送し、このITM224で研磨済み基板表面のバリア膜等の膜厚を測定する。搬送用ロボット202は、膜厚測定後の研磨済み基板をITM224から受け取ってカセット204に戻す。   The transfer robot 208 sequentially transfers the substrate after the second stage polishing (polished substrate) from the rotary transporter 210 to the first cleaning machine 214a or 214b and further to the second cleaning machine 212a or 212b. The substrate is cleaned and dried. The transfer robot 202 receives the polished substrate from the second cleaning machine 212a or 212b and transfers it to the ITM 224. The ITM 224 measures the thickness of the barrier film or the like on the polished substrate surface. The transfer robot 202 receives the polished substrate after the film thickness measurement from the ITM 224 and returns it to the cassette 204.

次に、図4及び図5を参照して、ローポート203c、ITM224、載置台206及び第2洗浄機212a,212bの相互間における基板の搬送を行う搬送用ロボット202の従来の一般的な制御例について説明する。 Next, with reference to FIGS. 4 and 5, load port 203c, ITM224, conventional manner common transfer robot 202 for transferring substrates between each other of the mounting table 206 and the second washer 212a, 212b A control example will be described.

先ず、搬送用ロボット202によって、研磨済み基板が第2洗浄機212aまたは212bからITM224内に搬入され、ITM224内で研磨済み基板の膜厚測定を行っている時、搬送用ロボット202は、未研磨基板をITM224から受け取って載置台206に搬送した後であるため、図4に実線で示すように、載置台206とアクセス可能な位置Aで待機している。   First, when a polished substrate is carried into the ITM 224 from the second cleaning machine 212a or 212b by the transfer robot 202 and the film thickness of the polished substrate is measured in the ITM 224, the transfer robot 202 is not polished. Since the substrate has been received from the ITM 224 and transferred to the mounting table 206, as shown by a solid line in FIG.

そして、ITM224が基板の膜厚測定を終了しITM224から膜厚測定終了信号が出力されて制御部400に入力されると、制御部400は、搬送用ロボット202に動作開始信号を出力する。搬送用ロボット202は、制御部400からの動作開始信号を受けて、先ず図4に矢印(1)で示すように、ロードポート203cとアクセス可能な位置Bに移動して、ロードポート203cのカセット204(図1参照)から未研磨基板を受け取り、しかる後、図4に矢印(2)で示すように、ITM224とアクセス可能な位置Cに移動する。搬送用ロボット202は、この位置Cで未研磨基板をITM224に引き渡し、膜厚測定が終了した研磨済み基板をITM224から受け取る。   Then, when the ITM 224 finishes measuring the film thickness of the substrate and a film thickness measurement end signal is output from the ITM 224 and input to the control unit 400, the control unit 400 outputs an operation start signal to the transfer robot 202. Upon receiving the operation start signal from the control unit 400, the transfer robot 202 first moves to a position B accessible to the load port 203c as shown by an arrow (1) in FIG. An unpolished substrate is received from 204 (see FIG. 1), and then moved to a position C accessible to the ITM 224 as indicated by an arrow (2) in FIG. The transfer robot 202 delivers the unpolished substrate to the ITM 224 at this position C and receives the polished substrate from which the film thickness measurement has been completed from the ITM 224.

次に、搬送用ロボット202は、図4に矢印(3)で示すように、ロードポート203cのカセット204とアクセス可能な位置Bに移動し、ITM224から受け取った膜厚測定が終了した研磨済み基板をロードポート203cのカセット204に戻す。そして、搬送用ロボット202は、この位置Bで次の動作開始信号を入力するまで待機する。   Next, as shown by an arrow (3) in FIG. 4, the transfer robot 202 moves to the position B accessible to the cassette 204 of the load port 203c and finishes the film thickness measurement received from the ITM 224. Is returned to the cassette 204 of the load port 203c. Then, the transfer robot 202 waits until the next operation start signal is input at this position B.

搬送用ロボット202によって、未研磨基板がロードポート203cのカセット204からITM224内に搬入され、ITM224内で未研磨基板の膜厚測定を行っている時、搬送用ロボット202は、膜厚測定が終了した研磨済み基板をITM224から受け取ってロードポート203cのカセット204に搬送した後であるため、図5に実線で示すように、ロードポート203cのカセット204とアクセス可能な位置Bで待機している。   When the unpolished substrate is carried into the ITM 224 from the cassette 204 of the load port 203c by the transfer robot 202 and the film thickness of the unpolished substrate is measured in the ITM 224, the transfer robot 202 finishes the film thickness measurement. Since the polished substrate is received from the ITM 224 and transferred to the cassette 204 of the load port 203c, it stands by at a position B accessible to the cassette 204 of the load port 203c as shown by a solid line in FIG.

そして、ITM224が基板の膜厚測定を終了しITM224から膜厚測定終了信号が出力されて制御部400に入力されると、制御部400は、搬送用ロボット202に動作開始信号を出力する。搬送用ロボット202は、制御部400からの動作開始信号を受けて、先ず図5に矢印(1)で示すように、第2洗浄機212a(または第2洗浄機212b)とアクセス可能な位置Dに移動して、第2洗浄機212a(または第2洗浄機212b)から乾燥後の研磨済み基板を受け取り、しかる後、図5に矢印(2)で示すように、ITM224とアクセス可能な位置Cに移動する。搬送用ロボット202は、この位置Cで、乾燥後の研磨済み基板をITM224に引き渡し、膜厚測定を終了した未研磨基板をITM224から受け取る。   Then, when the ITM 224 finishes measuring the film thickness of the substrate and a film thickness measurement end signal is output from the ITM 224 and input to the control unit 400, the control unit 400 outputs an operation start signal to the transfer robot 202. The transfer robot 202 receives the operation start signal from the control unit 400, and first, as shown by an arrow (1) in FIG. 5, the position D accessible to the second cleaning machine 212a (or the second cleaning machine 212b). To receive the dried polished substrate from the second cleaning machine 212a (or the second cleaning machine 212b), and then, as shown by the arrow (2) in FIG. 5, the position C accessible to the ITM 224. Move to. At this position C, the transfer robot 202 delivers the dried polished substrate to the ITM 224 and receives the unpolished substrate whose film thickness measurement has been completed from the ITM 224.

次に、搬送用ロボット202は、図5に矢印(3)で示すように、載置台206とアクセス可能な位置Aに移動し、ITM224から受け取った膜厚測定を終了した未研磨基板を載置台206に引き渡す。そして、搬送用ロボット202は、この位置Aで次の動作開始信号を入力するまで待機する。   Next, as shown by an arrow (3) in FIG. 5, the transfer robot 202 moves to a position A accessible to the mounting table 206, and the unpolished substrate that has received the film thickness measurement received from the ITM 224 is mounted on the mounting table. Deliver to 206. Then, the transfer robot 202 stands by until the next operation start signal is input at this position A.

上記の従来の制御例を纏めると、搬送用ロボット202は、図6(a)に示すように、ITM224が前の基板に対する膜厚測定を終了した後、次に基板に対する膜厚測定を開始するまでの間に、(1)膜厚未研磨基板をITM224とアクセス可能な位置Cまで搬送する、(2)位置CでITM224に膜厚未測定基板を引き渡す、(3)位置CでITM224から基板を引き取る、の3つの動作を行う。   To summarize the above-described conventional control example, as shown in FIG. 6A, the transfer robot 202 starts the film thickness measurement for the substrate after the ITM 224 finishes the film thickness measurement for the previous substrate. (1) Transfer the unpolished substrate to the position C accessible to the ITM 224, (2) Deliver the unmeasured substrate to the ITM 224 at the position C, and (3) The substrate from the ITM 224 at the position C. The following three operations are performed.

次に、図4及び図5を参照して、ローポート203c、ITM224、載置台206及び第2洗浄機212a,212bの相互間における基板の搬送を行う搬送用ロボット202の本発明の制御例について説明する。 Next, a control example of with reference to FIGS. 4 and 5, load port 203c, ITM224, mounting table 206 and the second cleaning machine 212a, the present invention of the transfer robot 202 for transferring substrates between 212b mutual Will be described.

先ず、搬送用ロボット202によって、研磨済み基板が第2洗浄機212aまたは212bからITM224内に搬入され、ITM224内で研磨済み基板の膜厚測定を行っている時、搬送用ロボット202は、未研磨基板をITM224から受け取って載置台206に搬送した後であるため、図4に実線で示すように、載置台206とアクセス可能な位置Aで待機している。   First, when a polished substrate is carried into the ITM 224 from the second cleaning machine 212a or 212b by the transfer robot 202 and the film thickness of the polished substrate is measured in the ITM 224, the transfer robot 202 is not polished. Since the substrate has been received from the ITM 224 and transferred to the mounting table 206, as shown by a solid line in FIG.

そして、ITM224が基板の膜厚測定を終了する所定時間前(事前)にITM224から事前終了予告信号が出力されて制御部400に入力されると、制御部400は、搬送用ロボット202に動作開始信号を出力する。搬送用ロボット202は、制御部400からの動作開始信号を受けて、先ず図4に矢印(1)で示すように、ロードポート203cとアクセス可能な位置Bに移動して、ロードポート203cのカセット204(図1参照)から未研磨基板を受け取り、しかる後、図4に矢印(2)で示すように、ITM224とアクセス可能な位置Cに移動する。   Then, when the ITM 224 outputs a prior completion notice signal from the ITM 224 and inputs it to the control unit 400 before the ITM 224 finishes the film thickness measurement of the substrate, the control unit 400 starts to operate the transfer robot 202. Output a signal. Upon receiving the operation start signal from the control unit 400, the transfer robot 202 first moves to a position B accessible to the load port 203c as shown by an arrow (1) in FIG. An unpolished substrate is received from 204 (see FIG. 1), and then moved to a position C accessible to the ITM 224 as indicated by an arrow (2) in FIG.

そして、ITM224が基板の膜厚測定を終了しITM224から膜厚測定終了信号が出力されて制御部400に入力されると、搬送用ロボット202は、この位置Cで未研磨基板をITM224に引き渡し、しかる後、膜厚測定が終了した研磨済み基板をITM224から受け取る。次に、搬送用ロボット202は、図4に矢印(3)で示すように、ロードポート203cのカセット204とアクセス可能な位置Bに移動し、ITM224から受け取った膜厚測定が終了した研磨済み基板をロードポート203cのカセット204に戻す。そして、搬送用ロボット202は、この位置Bで次の動作開始信号を入力するまで待機する。   When the ITM 224 finishes measuring the film thickness of the substrate and outputs a film thickness measurement end signal from the ITM 224 and is input to the control unit 400, the transfer robot 202 delivers the unpolished substrate to the ITM 224 at this position C, Thereafter, the polished substrate whose film thickness measurement has been completed is received from the ITM 224. Next, as shown by an arrow (3) in FIG. 4, the transfer robot 202 moves to the position B accessible to the cassette 204 of the load port 203c and finishes the film thickness measurement received from the ITM 224. Is returned to the cassette 204 of the load port 203c. Then, the transfer robot 202 waits until the next operation start signal is input at this position B.

搬送用ロボット202によって、未研磨基板がロードポート203cのカセット204からITM224内に搬入され、ITM224内で未研磨基板の膜厚測定を行っている時、搬送用ロボット202は、膜厚測定が終了した研磨済み基板をITM224から受け取ってロードポート203cのカセット204に搬送した後であるため、図5に実線で示すように、ロードポート203cのカセット204とアクセス可能な位置Bで待機している。   When the unpolished substrate is carried into the ITM 224 from the cassette 204 of the load port 203c by the transfer robot 202 and the film thickness of the unpolished substrate is measured in the ITM 224, the transfer robot 202 finishes the film thickness measurement. Since the polished substrate is received from the ITM 224 and transferred to the cassette 204 of the load port 203c, it stands by at a position B accessible to the cassette 204 of the load port 203c as shown by a solid line in FIG.

そして、ITM224が基板の膜厚測定を終了する所定時間前(事前)にITM224から事前終了予告信号が出力されて制御部400に入力されると、制御部400は、搬送用ロボット202に動作開始信号を出力する。搬送用ロボット202は、制御部400からの動作開始信号を受けて、先ず図5に矢印(1)で示すように、第2洗浄機212a(または第2洗浄機212b)とアクセス可能な位置Dに移動して、第2洗浄機212a(または第2洗浄機212b)から乾燥後の研磨済み基板を受け取り、しかる後、図5に矢印(2)で示すように、ITM224とアクセス可能な位置Cに移動する。   Then, when the ITM 224 outputs a prior completion notice signal from the ITM 224 and inputs it to the control unit 400 before the ITM 224 finishes the film thickness measurement of the substrate, the control unit 400 starts to operate the transfer robot 202. Output a signal. The transfer robot 202 receives the operation start signal from the control unit 400, and first, as shown by an arrow (1) in FIG. 5, the position D accessible to the second cleaning machine 212a (or the second cleaning machine 212b). To receive the dried polished substrate from the second cleaning machine 212a (or the second cleaning machine 212b), and then, as shown by the arrow (2) in FIG. 5, the position C accessible to the ITM 224. Move to.

そして、ITM224が基板の膜厚測定を終了しITM224から膜厚測定終了信号が出力されて制御部400に入力されると、搬送用ロボット202は、この位置Cで、乾燥後の研磨済み基板をITM224に引き渡し、膜厚測定を終了した未研磨基板をITM224から受け取る。次に、搬送用ロボット202は、図5に矢印(3)で示すように、載置台206とアクセス可能な位置Aに移動し、ITM224から受け取った膜厚測定を終了した未研磨基板を載置台206に引き渡す。そして、搬送用ロボット202は、この位置Aで次の動作開始信号を入力するまで待機する。   Then, when the ITM 224 finishes measuring the film thickness of the substrate and a film thickness measurement end signal is output from the ITM 224 and input to the control unit 400, the transfer robot 202 reads the dried polished substrate at this position C. The unpolished substrate that has been delivered to the ITM 224 and has finished film thickness measurement is received from the ITM 224. Next, as shown by an arrow (3) in FIG. 5, the transfer robot 202 moves to a position A accessible to the mounting table 206, and the unpolished substrate that has received the film thickness measurement received from the ITM 224 is mounted on the mounting table. Deliver to 206. Then, the transfer robot 202 stands by until the next operation start signal is input at this position A.

上記の本発明の制御例を纏めると、搬送用ロボット202は、図6(b)に示すように、(1)膜厚未研磨基板をITM224とアクセス可能な位置Cまで搬送する動作をITM224が前の基板に対する膜厚測定を終了する前に行う。このため、ITM224が前の基板に対する膜厚測定を終了した後、次に基板に対する膜厚測定を開始するまでの間に、搬送用ロボット202は、(2)位置CでITM224に膜厚未測定基板を引き渡す、(3)位置CでITM224から基板を引き取る、の2つの動作を行う。つまり、図6(a)に示す従来の制御例と比較すると、(1)の動作の分だけスループットを向上させることができる。   Summarizing the above control example of the present invention, as shown in FIG. 6 (b), the transfer robot 202 (1) operates the ITM 224 to transfer the unpolished substrate to the position C accessible to the ITM 224. This is performed before the film thickness measurement for the previous substrate is completed. For this reason, after the ITM 224 finishes measuring the film thickness of the previous substrate and before starting the next film thickness measurement of the substrate, the transfer robot 202 (2) does not measure the film thickness at ITM 224 at the position C. Two operations are performed: handing over the substrate and (3) picking up the substrate from the ITM 224 at position C. That is, compared with the conventional control example shown in FIG. 6A, the throughput can be improved by the operation of (1).

この例では、ITM224が内部に搬入された基板の膜厚測定を行う測定ポイント数の総数(測定ポイント総数)に対して、残り測定ポイント数を指定することで、ITM224が事前終了予告信号を制御部400に出力するタイミングを決定するようにしている。例えば、ITM224内に搬入された1枚の基板に対して10箇所の測定ポイントが設定されている、測定ポイント総数が10の場合に、残り測定ポイント数を5に指定する。この場合、ITM224が内部に搬入された基板の5つの測定ポイントで基板の膜厚を測定し、まだ測定していない未測定ポイント数が5に達した時点で、つまり5番目の測定ポイントの膜厚測定が終了した時点で、ITM224から事前終了予告信号が出力されて制御部400に入力される。   In this example, the ITM 224 controls the advance end warning signal by designating the number of remaining measurement points with respect to the total number of measurement points (total number of measurement points) for measuring the film thickness of the substrate loaded into the ITM 224. The timing to output to the unit 400 is determined. For example, when 10 measurement points are set for one substrate carried into the ITM 224 and the total number of measurement points is 10, the number of remaining measurement points is designated as 5. In this case, the film thickness of the substrate is measured at the five measurement points of the substrate into which the ITM 224 is loaded, and when the number of unmeasured points that have not yet been measured reaches 5, that is, the film at the fifth measurement point. When the thickness measurement is completed, the ITM 224 outputs a prior termination notice signal and inputs it to the control unit 400.

ここで、1枚の基板の膜厚測定ポイント総数が10に設定された基板に対して、残りの測定ポイント数を5に指定した時、ITM224から膜厚測定終了の5秒前に事前終了予告信号が出力されて制御部400に入力され、搬送用ロボット202が基板搬送動作を開始すると仮定する。この場合、タクトタイムが基板2枚分の実測値で平均170.5秒であったとすると、5秒の搬送時間が4回分(2枚の未研磨基板の膜厚測定と2枚の研磨済み基板の膜厚測定)が短縮される。   Here, when the number of remaining measurement points is designated as 5 for a substrate in which the total number of film thickness measurement points on one substrate is set to 10, advance notice is given 5 seconds before the end of film thickness measurement from ITM 224. It is assumed that a signal is output and input to the control unit 400, and the transfer robot 202 starts a substrate transfer operation. In this case, if the tact time is an average of 170.5 seconds as an actual measurement value for two substrates, the transfer time of 5 seconds is equivalent to four times (measurement of film thickness of two unpolished substrates and two polished substrates) Measurement of the film thickness) is shortened.

従って、この場合の研磨装置のスループットは、
{3600/(170.5−5×4)}×2=47.8(枚/h)
となる。
Therefore, the throughput of the polishing apparatus in this case is
{3600 / (170.5-5 × 4)} × 2 = 47.8 (sheets / h)
It becomes.

これに対して、従来の制御例、つまり膜厚測定が終了した時点でITM224から膜厚測定終了信号が出力されて制御部400に入力され、搬送用ロボット202が基板搬送動作を開始する場合に、タクトタイムが基板2枚分の実測値で平均170.5秒であったとすると、この場合の研磨装置のスループットは、
{3600/170.5}×2=42.2(枚/h)
となる。
On the other hand, in the conventional control example, that is, when the film thickness measurement end signal is output from the ITM 224 and is input to the control unit 400, and the transfer robot 202 starts the substrate transfer operation. Assuming that the tact time is an average of 170.5 seconds as measured values for two substrates, the throughput of the polishing apparatus in this case is
{3600 / 170.5} × 2 = 42.2 (sheets / h)
It becomes.

このように、ITM224から膜厚測定終了の、例えば5秒前に事前終了予告信号が出力されて制御部400に入力され、搬送用ロボット202が基板搬送動作を開始するようにすることで、研磨装置のスループットを5.6(=47.8−42.2)(枚/h)だけ向上させることができる。   In this way, for example, the advance end warning signal is output from the ITM 224, for example, 5 seconds before the end of the film thickness measurement, and is input to the control unit 400 so that the transfer robot 202 starts the substrate transfer operation. The throughput of the apparatus can be improved by 5.6 (= 47.8-42.2) (sheets / h).

この例では、未測定の測定ポイント数が予め指定した測定ポイント数に達した時点でITM224から事前終了予告信号を出力するようにすることで、ITM224から事前終了予告信号を出力するタイミングを任意に指定することができる。これにより、ITM224による膜厚測定時間が膜厚測定条件(レシピ)によって変動することにも柔軟に対応させ、その膜厚測定条件での最適なタイミングでITM224から事前終了予告信号を出力することができる。   In this example, when the number of unmeasured measurement points reaches the number of measurement points specified in advance, the advance end notice signal is output from the ITM 224, so that the timing for outputting the advance end notice signal from the ITM 224 is arbitrarily set. Can be specified. Accordingly, it is possible to flexibly cope with the fluctuation of the film thickness measurement time according to the ITM 224 depending on the film thickness measurement condition (recipe), and to output the advance end warning signal from the ITM 224 at the optimum timing under the film thickness measurement condition. it can.

また、ITM224が事前終了予告信号を出力するタイミングを任意に変更可能にするようにしても良く、これにより、基板搬送方法を変更した場合でも、最適なスループットが得られるようにすることができる。つまり、ITM224が事前終了予告信号を出力するタイミングを決定した後に、研磨装置側で基板の研磨時間または洗浄時間を変更すれば、搬送用ロボット202の動きが変わるため、ITM224が事前終了予告信号を出力するタイミングが最適ではなくなる。   In addition, the timing at which the ITM 224 outputs the advance end warning signal may be arbitrarily changed, so that optimum throughput can be obtained even when the substrate transfer method is changed. That is, if the polishing time or cleaning time of the substrate is changed on the polishing apparatus side after the timing at which the ITM 224 outputs the pre-end notice signal is changed, the movement of the transfer robot 202 changes, so the ITM 224 sends the pre-end notice signal. The output timing is not optimal.

つまり、このタイミングが早すぎれば、図7に示すように、ITM224で膜厚測定を終了するまでの待ち時間αが発生してしまい、タイミングが遅すぎれば、前述の図6(a)に示す「従来の制御方法」と同じになる。このため、ITM224が事前終了予告信号を出力するタイミングを任意に変更可能であれば、搬送方法の変更にも柔軟に対応できる。   That is, if this timing is too early, a waiting time α until the film thickness measurement is completed in the ITM 224 occurs as shown in FIG. 7, and if the timing is too late, it is shown in FIG. This is the same as the “conventional control method”. For this reason, if the timing at which the ITM 224 outputs the advance end notice signal can be arbitrarily changed, it is possible to flexibly cope with a change in the transport method.

以下、研磨装置で各部の動作時間をモニタリングして、ITM224が事前終了予告信号を出力するタイミングを決定する方法について説明する。   Hereinafter, a method for determining the timing at which the ITM 224 outputs the advance end warning signal by monitoring the operation time of each unit with the polishing apparatus will be described.

図8に示すように、ITM224が実際に基板の膜厚測定に要した膜厚測定時間をTi1,Ti2…、搬送用ロボット202が実際にITM224から膜厚測定終了信号または事前終了予告信号を受けてから基板をITM224に受け渡すまでのロボット搬送時間をTR1,TR2…とする。 As shown in FIG. 8, the film thickness measurement time required for the ITM 224 to actually measure the film thickness of the substrate is T i1 , T i2 ..., And the transfer robot 202 actually receives the film thickness measurement end signal or advance end notice signal from the ITM 224. T R1 , T R2, and so on are the robot transfer times from receiving the substrate to the ITM 224.

先ず、ITM224が事前終了予告信号を最初に出力するタイミングを決定する時には、ITM224から事前終了予告信号を出力することなく、n枚の基板に対する膜厚測定を行った後、平均膜厚測定時間Ti(AVE)と平均ロボット搬送時間TR(AVE)を下記の式で求める。
i(AVE)=(Ti1+Ti2+…Tin)/n
R(AVE)=(TR1+TR2+…TRn)/n
First, when the timing at which the ITM 224 first outputs the advance end warning signal is determined, the average thickness measurement time T is measured after the film thickness measurement is performed on n substrates without outputting the advance end warning signal from the ITM 224. i (AVE) and average robot transfer time TR (AVE) are obtained by the following formula.
T i (AVE) = (T i1 + T i2 +... T in ) / n
T R (AVE) = (T R1 + T R2 +... T Rn ) / n

そして、Ti(AVE)>TR(AVE)の場合は、ITM224で基板の膜厚測定を開始した後から〔Ti(AVE)−TR(AVE)〕秒後に、ITM224が事前終了予告信号を出力するようにする。一方、Ti(AVE)≦TR(AVE)の場合は、ITM224で基板の膜厚測定を開始するのと同時に、ITM224が事前終了予告信号を出力するようにする。 Then, T case i in (AVE)> T R (AVE ) is the [T i (AVE) -TR (AVE ) ] seconds after after starting thickness measurements of the substrate ITM224, ITM224 pre termination notifying signal Is output. On the other hand, if T i (AVE) ≦ TR (AVE) , the ITM 224 outputs a prior termination notice signal at the same time as the ITM 224 starts measuring the film thickness of the substrate.

前述のようにして、ITM224が事前終了予告信号を最初に出力するタイミングを決定した後も、膜厚測定時間及びロボット搬送時間をモニタリングし続け、n枚の基板に対する膜厚測定が終了する毎に膜厚測定時間及びロボット搬送時間の平均値を求め、その時の最適なITM224が事前終了予告信号を出力するタイミングを決定する。このn値は、研磨装置のホストコンピュータ402で任意に決定され、n枚の基板に対する膜厚測定が終了する毎に、ITM224から事前終了予告信号を出力し続ける。   As described above, the ITM 224 continues to monitor the film thickness measurement time and the robot transport time after determining the timing at which the advance end warning signal is first output, and every time the film thickness measurement for the n substrates is completed. The average value of the film thickness measurement time and the robot transport time is obtained, and the timing at which the optimum ITM 224 at that time outputs the advance end warning signal is determined. The n value is arbitrarily determined by the host computer 402 of the polishing apparatus, and the ITM 224 continues to output a prior termination notice signal every time film thickness measurement on n substrates is completed.

これによって、ITM224が事前終了予告信号を出力するタイミングが任意に変更可能となる。
なお、n枚の基板に対する膜厚測定が終了する毎に、ITM224から事前終了予告信号を出力し続ける以外に、1枚の基板に対する膜厚測定が終了する毎に、n枚前までの基板に対する膜厚測定時間及びロボット測定時間の平均値を求めて、ITM224から事前終了予告信号を出力するようにしてもよい。
As a result, the timing at which the ITM 224 outputs the advance end notice signal can be arbitrarily changed.
Each time film thickness measurement for n substrates is completed, in addition to continuing to output a prior termination notice signal from ITM 224, every time film thickness measurement for one substrate is completed, for n substrates before An average value of the film thickness measurement time and the robot measurement time may be obtained, and an advance end warning signal may be output from the ITM 224.

例えば、CuプロセスやWプロセス等のプロセスの種類によって、ITMの膜厚測定時間が決まる。通常、半導体ウェーハ等の基板を研磨する時は、処理する基板1枚1枚が異なるプロセスである場合は殆どなく、ロット単位等、ある程度の枚数の基板を同じプロセスで連続して研磨する。   For example, the ITM film thickness measurement time is determined by the type of process such as Cu process or W process. Usually, when a substrate such as a semiconductor wafer is polished, there is almost no case where each substrate to be processed is a different process, and a certain number of substrates such as lot units are polished continuously in the same process.

従って、前述のように、より以前に処理された基板の膜厚測定時間をモニタリングすることで、プロセスが変わったかどうかを知ることができ、また膜厚測定時間の変化に応じて、ITMから事前終了予告出力を出力するタイミングを自動で調整することができる。   Therefore, as described above, it is possible to know whether or not the process has changed by monitoring the film thickness measurement time of the substrate processed earlier, and from ITM in advance according to the change in the film thickness measurement time. The timing for outputting the end notice output can be automatically adjusted.

特に、n枚の基板毎に更新を行うことで、ITMから事前終了予告出力を出力するタイミングを最適に絞り込むことができ、しかも、例えばレシピが変更されて、研磨時間や洗浄時間等が変化した場合にも、ITMから事前終了予告出力を出力するタイミングを最適に設定し直すことができる。   In particular, by updating every n substrates, it is possible to optimally narrow down the timing of outputting the preliminary end notice output from the ITM, and, for example, the recipe has been changed, and the polishing time, cleaning time, etc. have changed. Even in this case, the timing for outputting the preliminary end notice output from the ITM can be optimally reset.

以上により、ITM224及び搬送用ロボット202の待機時間を削減させ、基板搬送全体のスループットを向上させることができる。   As described above, the waiting time of the ITM 224 and the transfer robot 202 can be reduced, and the overall throughput of the substrate transfer can be improved.

これまで本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことはいうまでもない。   Although one embodiment of the present invention has been described so far, it is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and may be implemented in various forms within the scope of the technical idea.

1 トップリング
100,216 研磨テーブル
101 研磨パッド
200 走行レール
202,208 搬送用ロボット
203a〜203d ロードポート
204 カセット
206 載置台
210 ロータリトランスポータ
212a,212b 第2洗浄機
214a,214b 第1洗浄機
224 ITM(膜厚測定器)
400 制御部
402 ホストコンピュータ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Top ring 100,216 Polishing table 101 Polishing pad 200 Running rail 202,208 Transfer robot 203a-203d Load port 204 Cassette 206 Mounting stand 210 Rotary transporters 212a, 212b 2nd washing machine 214a, 214b 1st washing machine 224 ITM (Thickness measuring device)
400 Control unit 402 Host computer

Claims (5)

基板の膜厚を測定する膜厚測定器との間で基板の受渡しを行いながら搬送用ロボットで基板を搬送する基板搬送方法において、
前記膜厚測定器は、一枚の基板に対して前記膜厚測定器で膜厚測定を行う測定ポイント総数から、内部に搬入された基板に対して前記膜厚測定器で実際に膜厚測定を行った測定ポイント数を差し引いた未測定の測定ポイント数が予め指定した測定ポイント数に達した時点で、事前終了予告信号を出力し、
前記膜厚測定器から出力された前記事前終了予告信号を受けて基板搬送動作を開始するように前記搬送用ロボットを制御することを特徴とする基板搬送方法。
In the substrate transfer method of transferring a substrate with a transfer robot while delivering the substrate to and from a film thickness measuring device that measures the thickness of the substrate,
The film thickness measuring device actually measures the film thickness with the film thickness measuring device for the substrate carried in from the total number of measurement points for measuring the film thickness with the film thickness measuring device for one substrate. When the number of unmeasured measurement points after subtracting the number of measured points has reached the number of measurement points specified in advance , a preliminary end warning signal is output,
Substrate transfer method characterized by receiving said pre-termination warning signal output from the film thickness measuring device for controlling the conveying robot to start the substrate transport operation.
前記膜厚測定器は、モニタリングして求めた、以前に処理した基板に対する膜厚測定時間と搬送用ロボットが基板を膜厚測定器まで搬送するのに要したロボット搬送時間とを基にして、前記事前終了予告信号を出力することを特徴とする請求項1記載の基板搬送方法。   The film thickness measuring device is obtained by monitoring, based on the film thickness measuring time for the previously processed substrate and the robot transport time required for the transport robot to transport the substrate to the film thickness measuring device, The substrate transfer method according to claim 1, wherein the advance completion notice signal is output. 所定枚数の基板に対する前記膜厚測定を行い、前記所定枚数の基板の膜厚測定時間を前記基板の枚数で除算して平均膜厚測定時間を求め、The film thickness measurement is performed on a predetermined number of substrates, and the average film thickness measurement time is obtained by dividing the film thickness measurement time of the predetermined number of substrates by the number of substrates.
前記搬送用ロボットによって前記所定枚数の基板を前記膜厚測定器に搬送したときのロボット搬送時間を前記基板の枚数で除算して平均ロボット搬送時間を求め、Dividing the robot transfer time when the predetermined number of substrates are transferred to the film thickness measuring instrument by the transfer robot by the number of the substrates to obtain an average robot transfer time;
前記平均膜厚測定時間が前記平均ロボット搬送時間よりも長い場合、前記平均膜厚測定時間から前記平均ロボット搬送時間を減算し、前記膜厚測定を開始してから該減算によって求められた時間が経過した時に前記事前終了予告信号を出力し、When the average film thickness measurement time is longer than the average robot transport time, the average robot transport time is subtracted from the average film thickness measurement time, and the time obtained by the subtraction after starting the film thickness measurement When the time has passed, the advance end warning signal is output,
前記平均膜厚測定時間が前記平均ロボット搬送時間以下である場合、前記膜厚測定を開始すると同時に、前記事前終了予告信号を出力することを特徴とする請求項1または2に記載の基板搬送方法。3. The substrate transfer according to claim 1, wherein when the average film thickness measurement time is equal to or less than the average robot transfer time, the advance completion warning signal is output simultaneously with the start of the film thickness measurement. Method.
前記所定枚数の基板に対する前記膜厚測定が終了する毎に前記膜厚測定時間および前記ロボット搬送時間の平均値を求め、Each time the film thickness measurement for the predetermined number of substrates is completed, an average value of the film thickness measurement time and the robot transfer time is obtained.
前記平均値に基づいて前記膜厚測定器が前記事前終了予告信号を出力するタイミングを決定することを特徴とする請求項3記載の基板搬送方法。4. The substrate transfer method according to claim 3, wherein the timing at which the film thickness measuring device outputs the advance end warning signal is determined based on the average value.
一枚の基板に対する膜厚測定が終了する毎に前記所定枚数の基板に対する前記膜厚測定時間および前記ロボット測定時間の平均値を求め、Every time the film thickness measurement for one substrate is completed, the average value of the film thickness measurement time and the robot measurement time for the predetermined number of substrates is obtained,
前記平均値に基づいて前記膜厚測定器が前記事前終了予告信号を出力するタイミングを決定することを特徴とする請求項3記載の基板搬送方法。4. The substrate transfer method according to claim 3, wherein the timing at which the film thickness measuring device outputs the advance end warning signal is determined based on the average value.
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