JP5517741B2 - Substrate transfer method - Google Patents
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Description
本発明は、半導体ウェーハ、PDP用ガラス基板、磁気ディスク用基板、またはフォトマスク用基板等の基板の膜厚を測定する膜厚測定器と、基板を搬送する搬送用ロボットとを備え、膜厚測定器と搬送用ロボットとの間で基板の受け渡しを行いながら搬送用ロボットで基板を搬送する基板搬送方法に関する。 The present invention comprises a film thickness measuring device for measuring the film thickness of a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for PDP, a magnetic disk substrate, or a photomask substrate, and a transport robot for transporting the substrate. The present invention relates to a substrate transfer method for transferring a substrate by a transfer robot while transferring the substrate between a measuring instrument and a transfer robot.
従来、基板表面を研磨する研磨装置にあっては、基板表面の研磨の前後で基板の膜厚を測定する膜厚測定器と、例えば膜厚測定器とカセットとの間、及び膜厚測定器と基板を次の処理部に搬送するための載置台との間を走行して基板を搬送する搬送用ロボットとを備え、膜厚測定器と搬送用ロボットとの間で基板の受渡しを行いながら基板の搬送を行うようにした基板搬送系を備えたものが知られている。
Conventionally, in a polishing apparatus for polishing a substrate surface, a film thickness measuring device that measures the film thickness of the substrate before and after polishing the substrate surface, for example, between a film thickness measuring device and a cassette, and a film thickness measuring device And a transfer robot that transports the substrate by traveling between the substrate and the mounting table for transporting the substrate to the next processing unit, while delivering the substrate between the film thickness measuring instrument and the
例えばITM等の膜厚測定器は、一般に高価であり、このため、研磨装置には、通常1台の膜厚測定器が備えられている。そして、膜厚測定器は、一般に内部に搬入された基板に対する膜厚測定を終了した時点で膜厚測定終了信号を出力し、搬送用ロボットは、膜厚測定器から出力される膜厚測定終了信号を受けて搬送動作を開始するように制御される。つまり、搬送用ロボットは、膜厚測定器から膜厚測定終了信号が出力されるまで膜厚測定器から離れた場所で待機している。このため、搬送用ロボットの待機時間を削除または減少させれば、研磨装置全体のスループットを向上させることができる。 For example, a film thickness measuring instrument such as ITM is generally expensive. For this reason, a polishing apparatus is usually provided with one film thickness measuring instrument. The film thickness measuring device outputs a film thickness measurement end signal when the film thickness measurement for the substrate carried into the inside is generally completed, and the transfer robot completes the film thickness measurement output from the film thickness measuring device. In response to the signal, it is controlled to start the conveying operation. That is, the transfer robot stands by at a place away from the film thickness measuring device until a film thickness measurement end signal is output from the film thickness measuring device. For this reason, if the waiting time of the transfer robot is deleted or reduced, the throughput of the entire polishing apparatus can be improved.
未処理基板を予めカセット内から搬出してチャンバの前で待機させておき、処理終了後に未処理基板をチャンバ内にセットした後、処理済み基板をチャンバから搬出してカセット内に収納するように搬送装置を制御することにより、基板処理と基板交換を部分的に並列的に行って、処理タクトを短くすることが提案されている(特許文献1参照)。 Unprocessed substrates are unloaded from the cassette in advance and kept waiting in front of the chamber. After the processing is completed, the unprocessed substrates are set in the chamber, and then the processed substrates are unloaded from the chamber and stored in the cassette. It has been proposed to shorten the processing tact by performing substrate processing and substrate replacement partially in parallel by controlling the transfer device (see Patent Document 1).
例えば、1台の膜厚測定器を備えた研磨装置において、未研磨基板を搬送用ロボットでカセットから取り出し、研磨済み基板を搬送用ロボットでカセットに戻すまでの間に、未研磨基板の膜厚測定と研磨済み基板の膜厚測定の合計2回の膜厚測定を膜厚測定器で行うと、基板搬送は、研磨後の基板の膜厚測定時に律速されることになる。ここに、前述のように、膜厚測定器から出力される膜厚測定終了信号を受けて搬送動作を開始するように搬送用ロボットを制御すると、搬送用ロボットに待機時間といった無駄な時間が発生する。このため、研磨装置全体としてのスループットが膜厚測定器を含まない研磨装置に比べて低くなる。 For example, in a polishing apparatus equipped with a single film thickness measuring device, the film thickness of an unpolished substrate is taken between the removal of the unpolished substrate from the cassette by the transfer robot and the return of the polished substrate to the cassette by the transfer robot. If the film thickness measurement is performed twice with the film thickness measurement device in total, that is, the measurement of the film thickness of the polished substrate, the substrate conveyance is limited when the film thickness of the substrate after polishing is measured. Here, as described above, when the transfer robot is controlled so as to start the transfer operation in response to the film thickness measurement end signal output from the film thickness measuring device, useless time such as a standby time is generated in the transfer robot. To do. For this reason, the throughput of the polishing apparatus as a whole is lower than that of a polishing apparatus that does not include a film thickness measuring device.
なお、特許文献1に記載の発明は、未処理基板を予めカセット内から搬出してチャンバの前で待機させるように搬送装置を制御しているが、チャンバ内での基板の処理時間に関係なく搬送装置の動作を制御するようにしており、このため、基板の処理状況に応じて搬送装置の動作を制御するようにしたものではない。
In the invention described in
本発明は上記事情に鑑みて為されたもので、基板を搬送し膜厚測定器との間で基板の受渡しを行う搬送用ロボットの待機時間を削除または減少させるように搬送用ロボットの基板搬送動作を制御することで、装置全体としてのスループットを向上させることができるようにした基板搬送方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and the substrate transfer of the transfer robot is performed so as to eliminate or reduce the waiting time of the transfer robot that transfers the substrate to and from the film thickness measuring device. An object of the present invention is to provide a substrate transfer method capable of improving the throughput of the entire apparatus by controlling the operation.
本発明の一態様は、基板の膜厚を測定する膜厚測定器との間で基板の受渡しを行いながら搬送用ロボットで基板を搬送する基板搬送方法において、前記膜厚測定器は、一枚の基板に対して前記膜厚測定器で膜厚測定を行う測定ポイント総数から、内部に搬入された基板に対して前記膜厚測定器で実際に膜厚測定を行った測定ポイント数を差し引いた未測定の測定ポイント数が予め指定した測定ポイント数に達した時点で、事前終了予告信号を出力し、前記膜厚測定器から出力された前記事前終了予告信号を受けて基板搬送動作を開始するように前記搬送用ロボットを制御することを特徴とする基板搬送方法。 One aspect of the present invention is a substrate transfer method for transferring a substrate by the transfer robot while transferring a substrate between the film thickness measuring device for measuring the thickness of the substrate, the film thickness measuring device, one From the total number of measurement points at which film thickness measurement is performed with respect to the substrate of the substrate, the number of measurement points at which film thickness measurement was actually performed with the film thickness measurement device is subtracted from the substrate carried inside. Once at the measurement points of the measurement points previously designated unmeasured, and outputs the pre-termination warning signal starts the substrate carrying operation by receiving the pre-termination warning signal outputted from the thickness measuring device A substrate transfer method comprising controlling the transfer robot as described above.
膜厚測定器の内部に搬入された基板に対する膜厚測定が終了する所定時間前(事前)に膜厚測定器から出力された事前終了予告信号を受けて基板搬送動作を開始するように搬送用ロボットを制御することで、内部に搬入された基板に対する膜厚測定器による膜厚測定が終了する前に、例えば次に膜厚測定を行う膜厚未測定基板を搬送用ロボットで受け取って膜厚測定器に引き渡す直前まで搬送し、膜厚測定器による基板の膜厚測定が終了した時点で、膜厚未測定基板を膜厚測定器に引き渡して、膜厚測定済み基板を膜厚測定器から受け取ることができる。これにより、搬送用ロボットの無駄な待機時間を削除または減少させて装置全体のスループットを向上させることができる。 For transporting to start the substrate transport operation in response to a prior termination notice signal output from the film thickness meter for a predetermined time (prior time) before the end of film thickness measurement for the substrate loaded into the film thickness meter By controlling the robot, before the film thickness measurement by the film thickness measuring device for the substrate carried into the inside is completed, for example, the film thickness unmeasured substrate to be measured next is received by the transfer robot. It is transported until just before delivery to the measuring instrument, and when the film thickness measurement of the substrate by the film thickness measuring instrument is completed, the substrate that has not been measured is handed over to the film thickness measuring instrument, and the film thickness measured substrate is transferred from the film thickness measuring instrument. Can receive. Thereby, it is possible to improve the throughput of the entire apparatus by deleting or reducing the useless waiting time of the transfer robot.
未測定の測定ポイント数が予め指定した測定ポイント数に達した時点で膜厚測定器から事前終了予告信号を出力することで、膜厚測定器から事前終了予告信号を出力するタイミングを任意に指定することができる。これにより、膜厚測定器による膜厚測定時間が膜厚測定条件(レシピ)によって変動することにも柔軟に対応させ、その膜厚測定条件での最適なタイミングで膜厚測定器から事前終了予告信号を出力することができる。 When the number of unmeasured measurement points reaches the number of measurement points specified in advance, the timing to output the advance end warning signal from the film thickness measuring device is arbitrarily specified by outputting the advance end warning signal from the film thickness measuring device. can do. As a result, the film thickness measuring time by the film thickness measuring instrument can be flexibly accommodated to fluctuate depending on the film thickness measuring condition (recipe), and the film thickness measuring instrument will notify the end in advance at the optimal timing under the film thickness measuring condition. A signal can be output.
本発明の好ましい態様は、前記膜厚測定器は、モニタリングして求めた、以前に処理した基板に対する膜厚測定時間と搬送用ロボットが基板を膜厚測定器まで搬送するのに要したロボット搬送時間とを基にして、前記事前終了予告信号を出力することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、所定枚数の基板に対する前記膜厚測定を行い、前記所定枚数の基板の膜厚測定時間を前記基板の枚数で除算して平均膜厚測定時間を求め、前記搬送用ロボットによって前記所定枚数の基板を前記膜厚測定器に搬送したときのロボット搬送時間を前記基板の枚数で除算して平均ロボット搬送時間を求め、前記平均膜厚測定時間が前記平均ロボット搬送時間よりも長い場合、前記平均膜厚測定時間から前記平均ロボット搬送時間を減算し、前記膜厚測定を開始してから該減算によって求められた時間が経過した時に前記事前終了予告信号を出力し、前記平均膜厚測定時間が前記平均ロボット搬送時間以下である場合、前記膜厚測定を開始すると同時に、前記事前終了予告信号を出力することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記所定枚数の基板に対する前記膜厚測定が終了する毎に前記膜厚測定時間および前記ロボット搬送時間の平均値を求め、前記平均値に基づいて前記膜厚測定器が前記事前終了予告信号を出力するタイミングを決定することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、一枚の基板に対する膜厚測定が終了する毎に前記所定枚数の基板に対する前記膜厚測定時間および前記ロボット測定時間の平均値を求め、前記平均値に基づいて前記膜厚測定器が前記事前終了予告信号を出力するタイミングを決定することを特徴とする。
In a preferred aspect of the present invention, the film thickness measuring device is obtained by monitoring, the film thickness measuring time for the previously processed substrate and the robot transport required for the transport robot to transport the substrate to the film thickness measuring device. and time and based on, you and outputting the pre-termination warning signal.
In a preferred aspect of the present invention, the film thickness measurement is performed on a predetermined number of substrates, and the film thickness measurement time of the predetermined number of substrates is divided by the number of the substrates to obtain an average film thickness measurement time. The robot transport time when the predetermined number of substrates are transported to the film thickness measuring instrument is divided by the number of substrates to obtain an average robot transport time, and the average film thickness measurement time is less than the average robot transport time. If it is long, subtract the average robot transport time from the average film thickness measurement time, and when the time determined by the subtraction from the start of the film thickness measurement, the advance end warning signal is output, When the average film thickness measurement time is equal to or less than the average robot conveyance time, the advance end notice signal is output simultaneously with the start of the film thickness measurement.
In a preferred aspect of the present invention, every time the film thickness measurement for the predetermined number of substrates is completed, an average value of the film thickness measurement time and the robot transport time is obtained, and the film thickness measuring device is based on the average value. The timing for outputting the advance end warning signal is determined.
A preferred aspect of the present invention is to obtain an average value of the film thickness measurement time and the robot measurement time for the predetermined number of substrates every time the film thickness measurement for one substrate is completed, and based on the average value, the film The thickness measuring device determines a timing for outputting the advance notice signal.
基板の膜厚測定時間と搬送用ロボットが基板を膜厚測定器まで搬送するのに要するロボット搬送時間とを常にモニタリングし、この膜厚測定時間とロボット搬送時間とを基に、膜厚測定器から事前終了予告信号を出力することで、プロセスが変わったかどうかを知ることができ、しかも、基板の膜厚測定時間の変化に応じて、膜厚測定器から事前終了予告信号を出力するタイミングを自動で調整することができる。 The film thickness measurement time and the robot transfer time required for the transfer robot to transfer the substrate to the film thickness measurement device are constantly monitored, and the film thickness measurement device is based on the film thickness measurement time and the robot transfer time. By outputting the advance end warning signal from, it is possible to know whether the process has changed, and the timing to output the advance end warning signal from the film thickness meter according to the change in the film thickness measurement time of the substrate. It can be adjusted automatically.
本発明によれば、膜厚測定器内に搬入された基板に対する膜厚測定が終了する所定時間前に膜厚測定器から出力された事前終了予告信号を受けて基板搬送動作を開始するように搬送用ロボットを制御することで、基板を搬送し膜厚測定器との間で基板の受渡しを行う搬送用ロボットの無駄な待機時間を削除または減少させて、装置全体のスループットを向上させることができる。 According to the present invention, the substrate carrying operation is started in response to the advance end notice signal output from the film thickness measuring device before the predetermined time before the film thickness measurement for the substrate carried into the film thickness measuring device is completed. By controlling the transfer robot, it is possible to eliminate or reduce the unnecessary waiting time of the transfer robot that transfers the substrate and delivers the substrate to and from the film thickness measuring instrument, thereby improving the throughput of the entire apparatus. it can.
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、以下の例では、半導体ウェーハ等の基板の表面を平坦に研磨する研磨装置に本発明の基板搬送方法を適用した例を示す。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following example, an example is shown in which the substrate transport method of the present invention is applied to a polishing apparatus that flatly polishes the surface of a substrate such as a semiconductor wafer.
図1は、本発明の基板搬送方法が適用される基板搬送系を備えた研磨装置の全体配置図を示す。図1に示すように、この研磨装置は、内部に多数の半導体ウェーハ等の基板を収納したカセット204をそれぞれ載置する4つのロードポート203a〜203dを備えている。このロードポート203a〜203dに沿って走行レール200が設けられており、この走行レール200の上には、2つのハンドを有する搬送用ロボット202が走行自在に配置されている。走行レール200に隣接して、後述するITM(膜厚測定器)224が配置され、走行レール200を挟んでロードポート203a〜203dの反対側には、載置台206が配置されている。搬送用ロボット202のハンドは、ロードステージ203a〜203d上の各カセット204、ITM224及び載置台206にアクセス可能となっている。
FIG. 1 is an overall layout view of a polishing apparatus provided with a substrate transfer system to which a substrate transfer method of the present invention is applied. As shown in FIG. 1, the polishing apparatus includes four
載置台206とロータリトランスポータ210との間に位置して、搬送用ロボット208が配置されている。そして、ロータリトランスポータ210上の基板を、後述するトップリング1に保持させつつ研磨テーブル100上に位置させることにより、複数枚の基板を連続して研磨処理することができるようになっている。
A
研磨装置には、研磨後の基板を洗浄し乾燥させる第1洗浄機214a,214b及び第2洗浄機212a,212b、基板表面の研磨を行う研磨テーブル100,216、研磨テーブル100,216のドレッシングを行うドレッサ218,220、及びドレッサ218を洗浄する水桶222が備えられている。なお、複数の研磨液や複数の研磨条件(研磨レシピ)を切替ることにより、1台の研磨テーブル100で2段研磨やそれ以上の複数段研磨を行うことも可能になっている。
In the polishing apparatus, the
研磨装置は、研磨前、あるいは研磨後に洗浄及び乾燥処理を経た基板表面における被研磨膜の膜厚を測定する膜厚測定器としてのITM(In-line Thickness Monitor)224を備えている。この例では、図1に示すように、走行レール200の延長線上に、搬送用ロボット202が研磨後の基板(研磨済み基板)をカセット204内に収納する前、若しくは搬送用ロボット202が研磨前の基板(未研磨基板)をカセット204から取り出した後(In-line)に、光学的手段により基板表面へ入射し反射した光学信号により、半導体ウェーハ等の基板表面における酸化膜等の絶縁膜の膜厚、導電性膜の銅膜やバリア膜等の研磨状態を測定するITM(膜厚測定器)224が配置されている。
The polishing apparatus is provided with an ITM (In-line Thickness Monitor) 224 as a film thickness measuring device for measuring the film thickness of a film to be polished on the substrate surface that has been subjected to cleaning and drying treatment before polishing or after polishing. In this example, as shown in FIG. 1, before the
研磨装置は、基板の研磨中及び/または研磨後に、基板表面の導電性膜が配線部などの必要な領域を除いて除去され、または絶縁膜が除去されることをセンサ信号や計測値を監視することにより検出して、多段研磨プロセスにおける各段の研磨条件や、研磨処理工程の終点を決定し、適切な研磨処理を繰返すことができるようになっている。ITM224は、基板の膜厚を測定することができ、これにより、基板の特定の箇所における研磨結果や、基板の全体的な研磨結果について調べることができる。
The polishing device monitors sensor signals and measurement values to confirm that the conductive film on the surface of the substrate is removed except for necessary areas such as the wiring part or the insulating film is removed during and / or after polishing the substrate. Thus, it is possible to detect and determine the polishing conditions of each stage in the multi-stage polishing process and the end point of the polishing process, and repeat an appropriate polishing process. The
研磨装置の研磨部は、基板を保持して研磨テーブル上の研磨面に押圧し、これによって、基板の表面を平坦に研磨する。図2は、図1に示す研磨装置の研磨部の詳細を示す。図2に示すように、トップリング1の下方には、上面に研磨パッド(研磨布)101を貼付した研磨テーブル100が設置されている。研磨テーブル100の上方には、研磨液供給ノズル102が設置されており、この研磨液供給ノズル102によって研磨テーブル100上の研磨パッド101上に研磨液(スラリ)Qが供給される。また、トップリング1は、上面に研磨パッド(研磨テーブル)217を貼着した研磨テーブル216(図1参照)の直上方位置にも移動できようになっている。この研磨テーブル216は、いわゆるスクロール運転するように構成され、研磨テーブル216の内部には、研磨パッド217の上に研磨液を供給する研磨液供給部(図示せず)が設けられている。
The polishing unit of the polishing apparatus holds the substrate and presses it against the polishing surface on the polishing table, thereby polishing the surface of the substrate flatly. FIG. 2 shows details of the polishing section of the polishing apparatus shown in FIG. As shown in FIG. 2, below the
図1に示す研磨装置では、トップリング1で基板Wを保持したまま、研磨テーブル100で基板Wに対する1段目の研磨を、研磨テーブル216で基板Wに対する2段目の研磨を行うようにしている。このため、研磨テーブル100の研磨パッド101には、例えば酸化膜等の基板Wの最上層に形成された被研磨膜の表面に対する段差解消特性は低いが、該被研磨膜に対する研磨レートの高い研磨液(スラリ)Qが供給される。研磨テーブル216の研磨パッド217には、酸化膜等の基板Wの最上層に形成された被研磨膜に対する研磨レートは低いが、該被研磨膜の表面に対する段差解消能力の高い研磨液(スラリ)が供給される。
In the polishing apparatus shown in FIG. 1, with the
市場で入手できる研磨パッド101,217としては種々のものがあり、例えば、ロデール社製のSUBA800、IC−1000、IC−1000/SUBA400(二層クロス)、フジミインコーポレイテッド社製のSurfin xxx−5、Surfin 000等がある。SUBA800、Surfin xxx−5、Surfin 000は、繊維をウレタン樹脂で固めた不織布であり、IC−1000は、硬質の発泡ポリウレタン(単層)である。発泡ポリウレタンは、ポーラス(多孔質状)になっており、その表面に多数の微細な凹みまたは孔を有している。研磨パッド101,217は、基本的には消耗部材であり、基板の表面を研磨することによりすり減っていく。実際の研磨プロセスにおいては、研磨パッド101,217が所定の厚さになるか、または研磨速度が低下した時に、新しい研磨パッド101,217への張り替えを行っている。
There are various types of polishing
図2に示すように、トップリング1は、自在継手部10を介してトップリング駆動軸11に接続されており、トップリング駆動軸11は、トップリングヘッド110に固定されたトップリング用エアシリンダ111に連結されている。トップリング用エアシリンダ111によってトップリング駆動軸11は上下動し、トップリング1の全体を昇降させるとともに、トップリング本体2の下端に固定されたリテーナリング3を研磨テーブル100,216に押圧する。トップリング用エアシリンダ111は、圧縮空気源120に接続されており、トップリング用エアシリンダ111に供給される加圧空気の空気圧等の流体圧力を調整することができる。これにより、リテーナリング3で保持した基板Wで研磨パッド101,217を押圧する押圧力を調整することができる。
As shown in FIG. 2, the
トップリング駆動軸11は、キー(図示せず)を介して回転筒112に連結されている。回転筒112は、その外周部にタイミングプーリ113を備えている。トップリングヘッド110には、回転駆動部としてのトップリング用モータ114が固定されており、タイミングプーリ113は、タイミングベルト115を介してトップリング用モータ114に設けられたタイミングプーリ116に接続されている。従って、トップリング用モータ114を回転駆動することによって、タイミングプーリ116、タイミングベルト115及びタイミングプーリ113を介して回転筒112及びトップリング駆動軸11が一体に回転し、トップリング1が回転する。トップリングヘッド110は、フレーム(図示せず)に固定支持されたトップリングヘッドシャフト117によって支持されている。
The top
ITM224からの出力信号は、図1に示すように、制御部400に入力される。制御部400は、図3に示すように、操作パネルなどのマン−マシン・インターフェイス等の入力部401からの入力や、各種データ処理を行うホストコンピュータ402からの入力に基づいて、所望形状などの目標プロフィールになるように基板を目標研磨レート(研磨量)で研磨するように研磨装置を制御する。制御部400は、図1に示すように、搬送用ロボット202の動作も制御する。
The output signal from the
図1に示す研磨装置において、各ロードポート203a〜203dに載置されたカセット204に収容された基板を搬送用ロボット202,208によって、順次ロータリトランスポート210に搬送し、トップリング1で保持する。そして、このトップリング1で保持した基板Wに対して、研磨テーブル100による1段目の研磨と、研磨テーブル216による2段目の研磨を行う。そして、研磨後の基板を第1洗浄機214aまたは214b及び第2洗浄機212aまたは212bで洗浄し乾燥させてカセット204に戻す。
In the polishing apparatus shown in FIG. 1, the substrates accommodated in the
この研磨処理に先立って、カセット204内の研磨前の基板(未研磨基板)を搬送用ロボット202でカセット204からITM224に搬送し、このITM224で未研磨基板の最上層に形成された被研磨膜である酸化膜等の膜厚を測定する。そして、膜厚が測定された未研磨基板を搬送用ロボット202でITM224から載置台206に搬送する。
Prior to this polishing process, the substrate (unpolished substrate) in the
載置台206に搬送された未研磨基板を、搬送用ロボット208でロータリトランスポータ210に搬送し、トップリング1で保持する。そして、先ず、研磨テーブル100を使用し、予め設定した研磨条件で基板Wに対する1段目の研磨を行う。つまり、図2に示すように、トップリング1で保持した基板Wを、研磨テーブル100の研磨パッド101に所定の押圧力で押圧しつつ、研磨テーブル100及びトップリング1を回転させ、同時に、研磨液供給ノズル102から研磨テーブル100の研磨パッド101に研磨液Qを供給する。そして、例えば、酸化膜等を完全に除去することなく、酸化膜等が僅かに残った状態で、1段目の研磨を終了する。
The unpolished substrate transported to the mounting table 206 is transported to the
次に、この1段目の研磨が終了した基板Wを、トップリング1で保持したまま研磨テーブル216の直上方まで移動させ、この研磨テーブル216を使用して、予め設定した研磨条件で基板Wに対する2段目の研磨を行う。つまり、トップリング1で保持した基板Wを、研磨テーブル216の研磨パッド217に所定の押圧力で押圧しつつ、研磨テーブル216及びトップリング1を回転させ、同時に、研磨テーブル216に形成した研磨液供給部を通して研磨テーブル216の研磨パッド217に研磨液を供給する。この第2の研磨では、例えばバリア膜上の酸化膜を完全に研磨し、更に、バリア膜を研磨目標まで研磨する。
Next, the substrate W that has been polished in the first stage is moved to a position directly above the polishing table 216 while being held by the
搬送用ロボット208は、2段目の研磨が終了した基板(研磨済み基板)をロータリトランスポータ210から第1洗浄機214aまたは214b、更には第2洗浄機212aまたは212bに順次搬送し、ここで基板を洗浄し乾燥させる。搬送用ロボット202は、第2洗浄機212aまたは212bから研磨後の研磨済み基板を受け取ってITM224に搬送し、このITM224で研磨済み基板表面のバリア膜等の膜厚を測定する。搬送用ロボット202は、膜厚測定後の研磨済み基板をITM224から受け取ってカセット204に戻す。
The
次に、図4及び図5を参照して、ロードポート203c、ITM224、載置台206及び第2洗浄機212a,212bの相互間における基板の搬送を行う搬送用ロボット202の従来の一般的な制御例について説明する。
Next, with reference to FIGS. 4 and 5,
先ず、搬送用ロボット202によって、研磨済み基板が第2洗浄機212aまたは212bからITM224内に搬入され、ITM224内で研磨済み基板の膜厚測定を行っている時、搬送用ロボット202は、未研磨基板をITM224から受け取って載置台206に搬送した後であるため、図4に実線で示すように、載置台206とアクセス可能な位置Aで待機している。
First, when a polished substrate is carried into the
そして、ITM224が基板の膜厚測定を終了しITM224から膜厚測定終了信号が出力されて制御部400に入力されると、制御部400は、搬送用ロボット202に動作開始信号を出力する。搬送用ロボット202は、制御部400からの動作開始信号を受けて、先ず図4に矢印(1)で示すように、ロードポート203cとアクセス可能な位置Bに移動して、ロードポート203cのカセット204(図1参照)から未研磨基板を受け取り、しかる後、図4に矢印(2)で示すように、ITM224とアクセス可能な位置Cに移動する。搬送用ロボット202は、この位置Cで未研磨基板をITM224に引き渡し、膜厚測定が終了した研磨済み基板をITM224から受け取る。
Then, when the
次に、搬送用ロボット202は、図4に矢印(3)で示すように、ロードポート203cのカセット204とアクセス可能な位置Bに移動し、ITM224から受け取った膜厚測定が終了した研磨済み基板をロードポート203cのカセット204に戻す。そして、搬送用ロボット202は、この位置Bで次の動作開始信号を入力するまで待機する。
Next, as shown by an arrow (3) in FIG. 4, the
搬送用ロボット202によって、未研磨基板がロードポート203cのカセット204からITM224内に搬入され、ITM224内で未研磨基板の膜厚測定を行っている時、搬送用ロボット202は、膜厚測定が終了した研磨済み基板をITM224から受け取ってロードポート203cのカセット204に搬送した後であるため、図5に実線で示すように、ロードポート203cのカセット204とアクセス可能な位置Bで待機している。
When the unpolished substrate is carried into the
そして、ITM224が基板の膜厚測定を終了しITM224から膜厚測定終了信号が出力されて制御部400に入力されると、制御部400は、搬送用ロボット202に動作開始信号を出力する。搬送用ロボット202は、制御部400からの動作開始信号を受けて、先ず図5に矢印(1)で示すように、第2洗浄機212a(または第2洗浄機212b)とアクセス可能な位置Dに移動して、第2洗浄機212a(または第2洗浄機212b)から乾燥後の研磨済み基板を受け取り、しかる後、図5に矢印(2)で示すように、ITM224とアクセス可能な位置Cに移動する。搬送用ロボット202は、この位置Cで、乾燥後の研磨済み基板をITM224に引き渡し、膜厚測定を終了した未研磨基板をITM224から受け取る。
Then, when the
次に、搬送用ロボット202は、図5に矢印(3)で示すように、載置台206とアクセス可能な位置Aに移動し、ITM224から受け取った膜厚測定を終了した未研磨基板を載置台206に引き渡す。そして、搬送用ロボット202は、この位置Aで次の動作開始信号を入力するまで待機する。
Next, as shown by an arrow (3) in FIG. 5, the
上記の従来の制御例を纏めると、搬送用ロボット202は、図6(a)に示すように、ITM224が前の基板に対する膜厚測定を終了した後、次に基板に対する膜厚測定を開始するまでの間に、(1)膜厚未研磨基板をITM224とアクセス可能な位置Cまで搬送する、(2)位置CでITM224に膜厚未測定基板を引き渡す、(3)位置CでITM224から基板を引き取る、の3つの動作を行う。
To summarize the above-described conventional control example, as shown in FIG. 6A, the
次に、図4及び図5を参照して、ロードポート203c、ITM224、載置台206及び第2洗浄機212a,212bの相互間における基板の搬送を行う搬送用ロボット202の本発明の制御例について説明する。
Next, a control example of with reference to FIGS. 4 and 5,
先ず、搬送用ロボット202によって、研磨済み基板が第2洗浄機212aまたは212bからITM224内に搬入され、ITM224内で研磨済み基板の膜厚測定を行っている時、搬送用ロボット202は、未研磨基板をITM224から受け取って載置台206に搬送した後であるため、図4に実線で示すように、載置台206とアクセス可能な位置Aで待機している。
First, when a polished substrate is carried into the
そして、ITM224が基板の膜厚測定を終了する所定時間前(事前)にITM224から事前終了予告信号が出力されて制御部400に入力されると、制御部400は、搬送用ロボット202に動作開始信号を出力する。搬送用ロボット202は、制御部400からの動作開始信号を受けて、先ず図4に矢印(1)で示すように、ロードポート203cとアクセス可能な位置Bに移動して、ロードポート203cのカセット204(図1参照)から未研磨基板を受け取り、しかる後、図4に矢印(2)で示すように、ITM224とアクセス可能な位置Cに移動する。
Then, when the
そして、ITM224が基板の膜厚測定を終了しITM224から膜厚測定終了信号が出力されて制御部400に入力されると、搬送用ロボット202は、この位置Cで未研磨基板をITM224に引き渡し、しかる後、膜厚測定が終了した研磨済み基板をITM224から受け取る。次に、搬送用ロボット202は、図4に矢印(3)で示すように、ロードポート203cのカセット204とアクセス可能な位置Bに移動し、ITM224から受け取った膜厚測定が終了した研磨済み基板をロードポート203cのカセット204に戻す。そして、搬送用ロボット202は、この位置Bで次の動作開始信号を入力するまで待機する。
When the
搬送用ロボット202によって、未研磨基板がロードポート203cのカセット204からITM224内に搬入され、ITM224内で未研磨基板の膜厚測定を行っている時、搬送用ロボット202は、膜厚測定が終了した研磨済み基板をITM224から受け取ってロードポート203cのカセット204に搬送した後であるため、図5に実線で示すように、ロードポート203cのカセット204とアクセス可能な位置Bで待機している。
When the unpolished substrate is carried into the
そして、ITM224が基板の膜厚測定を終了する所定時間前(事前)にITM224から事前終了予告信号が出力されて制御部400に入力されると、制御部400は、搬送用ロボット202に動作開始信号を出力する。搬送用ロボット202は、制御部400からの動作開始信号を受けて、先ず図5に矢印(1)で示すように、第2洗浄機212a(または第2洗浄機212b)とアクセス可能な位置Dに移動して、第2洗浄機212a(または第2洗浄機212b)から乾燥後の研磨済み基板を受け取り、しかる後、図5に矢印(2)で示すように、ITM224とアクセス可能な位置Cに移動する。
Then, when the
そして、ITM224が基板の膜厚測定を終了しITM224から膜厚測定終了信号が出力されて制御部400に入力されると、搬送用ロボット202は、この位置Cで、乾燥後の研磨済み基板をITM224に引き渡し、膜厚測定を終了した未研磨基板をITM224から受け取る。次に、搬送用ロボット202は、図5に矢印(3)で示すように、載置台206とアクセス可能な位置Aに移動し、ITM224から受け取った膜厚測定を終了した未研磨基板を載置台206に引き渡す。そして、搬送用ロボット202は、この位置Aで次の動作開始信号を入力するまで待機する。
Then, when the
上記の本発明の制御例を纏めると、搬送用ロボット202は、図6(b)に示すように、(1)膜厚未研磨基板をITM224とアクセス可能な位置Cまで搬送する動作をITM224が前の基板に対する膜厚測定を終了する前に行う。このため、ITM224が前の基板に対する膜厚測定を終了した後、次に基板に対する膜厚測定を開始するまでの間に、搬送用ロボット202は、(2)位置CでITM224に膜厚未測定基板を引き渡す、(3)位置CでITM224から基板を引き取る、の2つの動作を行う。つまり、図6(a)に示す従来の制御例と比較すると、(1)の動作の分だけスループットを向上させることができる。
Summarizing the above control example of the present invention, as shown in FIG. 6 (b), the transfer robot 202 (1) operates the
この例では、ITM224が内部に搬入された基板の膜厚測定を行う測定ポイント数の総数(測定ポイント総数)に対して、残り測定ポイント数を指定することで、ITM224が事前終了予告信号を制御部400に出力するタイミングを決定するようにしている。例えば、ITM224内に搬入された1枚の基板に対して10箇所の測定ポイントが設定されている、測定ポイント総数が10の場合に、残り測定ポイント数を5に指定する。この場合、ITM224が内部に搬入された基板の5つの測定ポイントで基板の膜厚を測定し、まだ測定していない未測定ポイント数が5に達した時点で、つまり5番目の測定ポイントの膜厚測定が終了した時点で、ITM224から事前終了予告信号が出力されて制御部400に入力される。
In this example, the
ここで、1枚の基板の膜厚測定ポイント総数が10に設定された基板に対して、残りの測定ポイント数を5に指定した時、ITM224から膜厚測定終了の5秒前に事前終了予告信号が出力されて制御部400に入力され、搬送用ロボット202が基板搬送動作を開始すると仮定する。この場合、タクトタイムが基板2枚分の実測値で平均170.5秒であったとすると、5秒の搬送時間が4回分(2枚の未研磨基板の膜厚測定と2枚の研磨済み基板の膜厚測定)が短縮される。
Here, when the number of remaining measurement points is designated as 5 for a substrate in which the total number of film thickness measurement points on one substrate is set to 10, advance notice is given 5 seconds before the end of film thickness measurement from
従って、この場合の研磨装置のスループットは、
{3600/(170.5−5×4)}×2=47.8(枚/h)
となる。
Therefore, the throughput of the polishing apparatus in this case is
{3600 / (170.5-5 × 4)} × 2 = 47.8 (sheets / h)
It becomes.
これに対して、従来の制御例、つまり膜厚測定が終了した時点でITM224から膜厚測定終了信号が出力されて制御部400に入力され、搬送用ロボット202が基板搬送動作を開始する場合に、タクトタイムが基板2枚分の実測値で平均170.5秒であったとすると、この場合の研磨装置のスループットは、
{3600/170.5}×2=42.2(枚/h)
となる。
On the other hand, in the conventional control example, that is, when the film thickness measurement end signal is output from the
{3600 / 170.5} × 2 = 42.2 (sheets / h)
It becomes.
このように、ITM224から膜厚測定終了の、例えば5秒前に事前終了予告信号が出力されて制御部400に入力され、搬送用ロボット202が基板搬送動作を開始するようにすることで、研磨装置のスループットを5.6(=47.8−42.2)(枚/h)だけ向上させることができる。
In this way, for example, the advance end warning signal is output from the
この例では、未測定の測定ポイント数が予め指定した測定ポイント数に達した時点でITM224から事前終了予告信号を出力するようにすることで、ITM224から事前終了予告信号を出力するタイミングを任意に指定することができる。これにより、ITM224による膜厚測定時間が膜厚測定条件(レシピ)によって変動することにも柔軟に対応させ、その膜厚測定条件での最適なタイミングでITM224から事前終了予告信号を出力することができる。
In this example, when the number of unmeasured measurement points reaches the number of measurement points specified in advance, the advance end notice signal is output from the
また、ITM224が事前終了予告信号を出力するタイミングを任意に変更可能にするようにしても良く、これにより、基板搬送方法を変更した場合でも、最適なスループットが得られるようにすることができる。つまり、ITM224が事前終了予告信号を出力するタイミングを決定した後に、研磨装置側で基板の研磨時間または洗浄時間を変更すれば、搬送用ロボット202の動きが変わるため、ITM224が事前終了予告信号を出力するタイミングが最適ではなくなる。
In addition, the timing at which the
つまり、このタイミングが早すぎれば、図7に示すように、ITM224で膜厚測定を終了するまでの待ち時間αが発生してしまい、タイミングが遅すぎれば、前述の図6(a)に示す「従来の制御方法」と同じになる。このため、ITM224が事前終了予告信号を出力するタイミングを任意に変更可能であれば、搬送方法の変更にも柔軟に対応できる。
That is, if this timing is too early, a waiting time α until the film thickness measurement is completed in the
以下、研磨装置で各部の動作時間をモニタリングして、ITM224が事前終了予告信号を出力するタイミングを決定する方法について説明する。
Hereinafter, a method for determining the timing at which the
図8に示すように、ITM224が実際に基板の膜厚測定に要した膜厚測定時間をTi1,Ti2…、搬送用ロボット202が実際にITM224から膜厚測定終了信号または事前終了予告信号を受けてから基板をITM224に受け渡すまでのロボット搬送時間をTR1,TR2…とする。
As shown in FIG. 8, the film thickness measurement time required for the
先ず、ITM224が事前終了予告信号を最初に出力するタイミングを決定する時には、ITM224から事前終了予告信号を出力することなく、n枚の基板に対する膜厚測定を行った後、平均膜厚測定時間Ti(AVE)と平均ロボット搬送時間TR(AVE)を下記の式で求める。
Ti(AVE)=(Ti1+Ti2+…Tin)/n
TR(AVE)=(TR1+TR2+…TRn)/n
First, when the timing at which the
T i (AVE) = (T i1 + T i2 +... T in ) / n
T R (AVE) = (T R1 + T R2 +... T Rn ) / n
そして、Ti(AVE)>TR(AVE)の場合は、ITM224で基板の膜厚測定を開始した後から〔Ti(AVE)−TR(AVE)〕秒後に、ITM224が事前終了予告信号を出力するようにする。一方、Ti(AVE)≦TR(AVE)の場合は、ITM224で基板の膜厚測定を開始するのと同時に、ITM224が事前終了予告信号を出力するようにする。
Then, T case i in (AVE)> T R (AVE ) is the [T i (AVE) -TR (AVE ) ] seconds after after starting thickness measurements of the substrate ITM224, ITM224 pre termination notifying signal Is output. On the other hand, if T i (AVE) ≦ TR (AVE) , the
前述のようにして、ITM224が事前終了予告信号を最初に出力するタイミングを決定した後も、膜厚測定時間及びロボット搬送時間をモニタリングし続け、n枚の基板に対する膜厚測定が終了する毎に膜厚測定時間及びロボット搬送時間の平均値を求め、その時の最適なITM224が事前終了予告信号を出力するタイミングを決定する。このn値は、研磨装置のホストコンピュータ402で任意に決定され、n枚の基板に対する膜厚測定が終了する毎に、ITM224から事前終了予告信号を出力し続ける。
As described above, the
これによって、ITM224が事前終了予告信号を出力するタイミングが任意に変更可能となる。
なお、n枚の基板に対する膜厚測定が終了する毎に、ITM224から事前終了予告信号を出力し続ける以外に、1枚の基板に対する膜厚測定が終了する毎に、n枚前までの基板に対する膜厚測定時間及びロボット測定時間の平均値を求めて、ITM224から事前終了予告信号を出力するようにしてもよい。
As a result, the timing at which the
Each time film thickness measurement for n substrates is completed, in addition to continuing to output a prior termination notice signal from
例えば、CuプロセスやWプロセス等のプロセスの種類によって、ITMの膜厚測定時間が決まる。通常、半導体ウェーハ等の基板を研磨する時は、処理する基板1枚1枚が異なるプロセスである場合は殆どなく、ロット単位等、ある程度の枚数の基板を同じプロセスで連続して研磨する。 For example, the ITM film thickness measurement time is determined by the type of process such as Cu process or W process. Usually, when a substrate such as a semiconductor wafer is polished, there is almost no case where each substrate to be processed is a different process, and a certain number of substrates such as lot units are polished continuously in the same process.
従って、前述のように、より以前に処理された基板の膜厚測定時間をモニタリングすることで、プロセスが変わったかどうかを知ることができ、また膜厚測定時間の変化に応じて、ITMから事前終了予告出力を出力するタイミングを自動で調整することができる。 Therefore, as described above, it is possible to know whether or not the process has changed by monitoring the film thickness measurement time of the substrate processed earlier, and from ITM in advance according to the change in the film thickness measurement time. The timing for outputting the end notice output can be automatically adjusted.
特に、n枚の基板毎に更新を行うことで、ITMから事前終了予告出力を出力するタイミングを最適に絞り込むことができ、しかも、例えばレシピが変更されて、研磨時間や洗浄時間等が変化した場合にも、ITMから事前終了予告出力を出力するタイミングを最適に設定し直すことができる。 In particular, by updating every n substrates, it is possible to optimally narrow down the timing of outputting the preliminary end notice output from the ITM, and, for example, the recipe has been changed, and the polishing time, cleaning time, etc. have changed. Even in this case, the timing for outputting the preliminary end notice output from the ITM can be optimally reset.
以上により、ITM224及び搬送用ロボット202の待機時間を削減させ、基板搬送全体のスループットを向上させることができる。
As described above, the waiting time of the
これまで本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことはいうまでもない。 Although one embodiment of the present invention has been described so far, it is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and may be implemented in various forms within the scope of the technical idea.
1 トップリング
100,216 研磨テーブル
101 研磨パッド
200 走行レール
202,208 搬送用ロボット
203a〜203d ロードポート
204 カセット
206 載置台
210 ロータリトランスポータ
212a,212b 第2洗浄機
214a,214b 第1洗浄機
224 ITM(膜厚測定器)
400 制御部
402 ホストコンピュータ
DESCRIPTION OF
400
Claims (5)
前記膜厚測定器は、一枚の基板に対して前記膜厚測定器で膜厚測定を行う測定ポイント総数から、内部に搬入された基板に対して前記膜厚測定器で実際に膜厚測定を行った測定ポイント数を差し引いた未測定の測定ポイント数が予め指定した測定ポイント数に達した時点で、事前終了予告信号を出力し、
前記膜厚測定器から出力された前記事前終了予告信号を受けて基板搬送動作を開始するように前記搬送用ロボットを制御することを特徴とする基板搬送方法。 In the substrate transfer method of transferring a substrate with a transfer robot while delivering the substrate to and from a film thickness measuring device that measures the thickness of the substrate,
The film thickness measuring device actually measures the film thickness with the film thickness measuring device for the substrate carried in from the total number of measurement points for measuring the film thickness with the film thickness measuring device for one substrate. When the number of unmeasured measurement points after subtracting the number of measured points has reached the number of measurement points specified in advance , a preliminary end warning signal is output,
Substrate transfer method characterized by receiving said pre-termination warning signal output from the film thickness measuring device for controlling the conveying robot to start the substrate transport operation.
前記搬送用ロボットによって前記所定枚数の基板を前記膜厚測定器に搬送したときのロボット搬送時間を前記基板の枚数で除算して平均ロボット搬送時間を求め、Dividing the robot transfer time when the predetermined number of substrates are transferred to the film thickness measuring instrument by the transfer robot by the number of the substrates to obtain an average robot transfer time;
前記平均膜厚測定時間が前記平均ロボット搬送時間よりも長い場合、前記平均膜厚測定時間から前記平均ロボット搬送時間を減算し、前記膜厚測定を開始してから該減算によって求められた時間が経過した時に前記事前終了予告信号を出力し、When the average film thickness measurement time is longer than the average robot transport time, the average robot transport time is subtracted from the average film thickness measurement time, and the time obtained by the subtraction after starting the film thickness measurement When the time has passed, the advance end warning signal is output,
前記平均膜厚測定時間が前記平均ロボット搬送時間以下である場合、前記膜厚測定を開始すると同時に、前記事前終了予告信号を出力することを特徴とする請求項1または2に記載の基板搬送方法。3. The substrate transfer according to claim 1, wherein when the average film thickness measurement time is equal to or less than the average robot transfer time, the advance completion warning signal is output simultaneously with the start of the film thickness measurement. Method.
前記平均値に基づいて前記膜厚測定器が前記事前終了予告信号を出力するタイミングを決定することを特徴とする請求項3記載の基板搬送方法。4. The substrate transfer method according to claim 3, wherein the timing at which the film thickness measuring device outputs the advance end warning signal is determined based on the average value.
前記平均値に基づいて前記膜厚測定器が前記事前終了予告信号を出力するタイミングを決定することを特徴とする請求項3記載の基板搬送方法。4. The substrate transfer method according to claim 3, wherein the timing at which the film thickness measuring device outputs the advance end warning signal is determined based on the average value.
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