JP5527715B2 - Board inspection equipment - Google Patents
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Description
本発明は、基板検査装置に関し、特に基板検査に用いる治具であるプローバフレームの交換に関し、LCD製造に際に用いるTFTアレイ検査装置に好適である。 The present invention relates to a substrate inspection apparatus, and more particularly to replacement of a prober frame, which is a jig used for substrate inspection, and is suitable for a TFT array inspection apparatus used in LCD manufacturing.
TFT(薄膜トランジスタ)をアレイ状に配列した構成として例えば液晶基板があり、液晶ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ(FPD)等に用いられている。 As a configuration in which TFTs (thin film transistors) are arranged in an array, for example, there is a liquid crystal substrate, which is used for a flat panel display (FPD) such as a liquid crystal display.
TFTを用いて構成される液晶ディスプレイは、TFT及びピクセル電極が形成された一方のガラス基板と対向電極が形成された他方のガラス基板との間に液晶を流しこんだ液晶パネルを基本構造としている。 A liquid crystal display composed of TFTs has a basic structure of a liquid crystal panel in which liquid crystal is poured between one glass substrate on which TFTs and pixel electrodes are formed and the other glass substrate on which counter electrodes are formed. .
TFT及びピクセル電極が形成されたガラス基板(以下「TFT基板」という。)の検査においては、電子線の電圧コントラスト技術を用いることによって、非接触で基板上の各ピクセルの状態を判定する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。 In the inspection of a glass substrate (hereinafter referred to as “TFT substrate”) on which a TFT and a pixel electrode are formed, there is a method for determining the state of each pixel on the substrate in a non-contact manner by using an electron beam voltage contrast technique. It is known (see, for example, Patent Document 1).
電圧コントラスト技術を用いたTFTアレイ検査装置では、検査されるTFT基板は高真空室内に搬送され、ステージ上に配置された状態において検査信号が印加され、このときに電圧状態を検出することでTFTアレイ検査が行われる In a TFT array inspection apparatus using voltage contrast technology, a TFT substrate to be inspected is transferred into a high-vacuum chamber, and an inspection signal is applied in a state of being placed on a stage. At this time, a TFT is detected by detecting the voltage state. Array inspection is performed
このようなTFTアレイ検査装置は、電子線発生源、二次電子検出器及びデータ処理手段を備える。電子線発生源は、TFT基板の各ピクセルに電子線を照射し、二次電子検出器は電子線をTFT基板の各ピクセルに照射して発生した二次電子を検出する。また、二次電子検出器は、二次電子の検出量に基づいてピクセルの電圧波形に対応した波形を表わす信号をデータ処理手段(コンピュータシステム等)に出力する。データ処理手段は、二次電子検出器の出力信号を解析して、ピクセルの状態、特に、ピクセルの欠陥の有無や欠陥の内容を検査する。 Such a TFT array inspection apparatus includes an electron beam generation source, a secondary electron detector, and data processing means. The electron beam generation source irradiates each pixel on the TFT substrate with an electron beam, and the secondary electron detector detects secondary electrons generated by irradiating each pixel on the TFT substrate with an electron beam. The secondary electron detector outputs a signal representing a waveform corresponding to the voltage waveform of the pixel to the data processing means (computer system or the like) based on the detected amount of secondary electrons. The data processing means analyzes the output signal of the secondary electron detector and inspects the state of the pixel, in particular, the presence / absence of the pixel defect and the content of the defect.
基板検査は、高真空のメインチャンバ内のステージ上に検査対象の基板を搬送し、この基板上にプローバフレームを載せて、基板とプローバフレームとの各電極を接触させ、プローバフレームから基板に検査信号を印加することで行われる。 In the substrate inspection, the substrate to be inspected is transported on the stage in the main chamber of high vacuum, the prober frame is placed on the substrate, the electrodes of the substrate and the prober frame are brought into contact, and the prober frame to the substrate is inspected. This is done by applying a signal.
図11は、TFTアレイ基板検査装置の従来構成を説明するための概略図である。TFTアレイ基板検査装置201は、検査対象の基板をメインチャンバ202内に搬出入するために、ロードロックチャンバ203をメインチャンバ202に隣接させて配置している。メインチャンバとロードロックチャンバの配置については、例えば、特許文献2に記載されている。 FIG. 11 is a schematic diagram for explaining a conventional configuration of a TFT array substrate inspection apparatus. In the TFT array substrate inspection apparatus 201, a load lock chamber 203 is disposed adjacent to the main chamber 202 in order to carry the substrate to be inspected into and out of the main chamber 202. The arrangement of the main chamber and the load lock chamber is described in Patent Document 2, for example.
検査対象の基板は、その基板寸法、基板上に形成されるパネルのパターンの形状や寸法、パネルに設けられた電極配置等の各仕様が異なることがある。これらの種々の仕様の基板を検査するには、各仕様に対応した各種プローバフレームが必要になる。そこで、これら各種の基板に対応した各種のプローバフレームを用意して、プローバフレームストッカ204に格納しており、このプローバフレームストッカ204から検査対象の基板に対応したプローバフレームを取り出して、メインチャンバに導入することが行われる。 The substrate to be inspected may have different specifications such as the substrate size, the shape and size of the pattern of the panel formed on the substrate, and the arrangement of the electrodes provided on the panel. In order to inspect the substrates having these various specifications, various prober frames corresponding to the respective specifications are required. Therefore, various prober frames corresponding to these various substrates are prepared and stored in the prober frame stocker 204. The prober frame corresponding to the substrate to be inspected is taken out from the prober frame stocker 204 and is stored in the main chamber. Introduction is done.
そこで、複数のプローバフレームを格納可能なプローバフレームストッカ204をメインチャンバ202に隣接させて配置し、プローバフレームストッカ204とメインチャンバ202との間でプローバフレーム210を入れ替えることで、検査対象に適したプローバフレーム210をメインチャンバ202内に導入する。 Therefore, a prober frame stocker 204 capable of storing a plurality of prober frames is disposed adjacent to the main chamber 202, and the prober frame 210 is exchanged between the prober frame stocker 204 and the main chamber 202, so that it is suitable for an inspection object. The prober frame 210 is introduced into the main chamber 202.
なお、ロードロックチャンバ203には大気側との間にゲートバルブ211が設けられ、このロードロックチャンバ203とメインチャンバ202との間にはゲートバルブ212を設け、さらに、メインチャンバ202とプローバフレームストッカ204との間にはゲートバルブ213を設ける。また、メインチャンバ202、ロードロックチャンバ203内には基板を搬送するための搬送機構を設け、プローバフレームストッカ204内にはプローバフレーム210を搬送する搬送機構を設ける。 Note that a gate valve 211 is provided between the load lock chamber 203 and the atmosphere side, a gate valve 212 is provided between the load lock chamber 203 and the main chamber 202, and further, the main chamber 202 and the prober frame stocker. A gate valve 213 is provided between the terminal 204 and the terminal 204. A transport mechanism for transporting the substrate is provided in the main chamber 202 and the load lock chamber 203, and a transport mechanism for transporting the prober frame 210 is provided in the prober frame stocker 204.
図11(a)〜図11(d)は、プローバフレームの交換の動作例を示している。なお、ここでは、メインチャンバ内に導入されているプローバフレームを、プローバフレームストッカに格納された別のプローバフレームと入れ替える例を示している。図11(a)では、メインチャンバ202内にプローバフレーム210aが設置され、プローバフレームストッカ204にプローバフレーム210b,210cが格納された状態を示している。 FIG. 11A to FIG. 11D show an example of the operation of replacing the prober frame. Here, an example is shown in which the prober frame introduced into the main chamber is replaced with another prober frame stored in the prober frame stocker. FIG. 11A shows a state in which the prober frame 210 a is installed in the main chamber 202 and the prober frames 210 b and 210 c are stored in the prober frame stocker 204.
メインチャンバ202は、通常、真空状態にあるため、メインチャンバ202内に窒素を導入して大気圧とした後にゲートバルブ213を開き、プローバフレーム210aをプローバフレームストッカ204に移動させる(図11(b))。次に、プローバフレームストッカ204を移動させて、次に使用するプローバフレーム210bが格納されている段をメインチャンバ202側の高さに位置合わせする(図11(c))。プローバフレーム210bをメインチャンバ202内に移動させた後、ゲートバルブ213を閉じ、その後メインチャンバ202内を真空引きして検査が可能な状態とする(図11(d))。 Since the main chamber 202 is normally in a vacuum state, nitrogen is introduced into the main chamber 202 to bring it to atmospheric pressure, and then the gate valve 213 is opened to move the prober frame 210a to the prober frame stocker 204 (FIG. 11B). )). Next, the prober frame stocker 204 is moved, and the stage in which the prober frame 210b to be used next is stored is aligned with the height on the main chamber 202 side (FIG. 11C). After the prober frame 210b is moved into the main chamber 202, the gate valve 213 is closed, and then the inside of the main chamber 202 is evacuated to enable inspection (FIG. 11 (d)).
TFTアレイ基板上には、パネルの他に、パネルとの間で各種信号を授受するために電極が設けられる。この電極の配置位置は、TFTアレイ基板上に形成されるパネルの個数やサイズ等のパネル仕様に応じて異なる。 On the TFT array substrate, in addition to the panel, electrodes are provided in order to exchange various signals with the panel. The arrangement position of the electrodes varies depending on the panel specifications such as the number and size of the panels formed on the TFT array substrate.
プローバフレームは、TFTアレイ基板に検査信号を供給するために、TFTアレイ基板の電極と電気的に接触するコンタクトピンを備える。このコンタクトピンは、パネル仕様に応じて配置位置を設定する必要がある。 The prober frame includes contact pins that are in electrical contact with the electrodes of the TFT array substrate in order to supply inspection signals to the TFT array substrate. The contact pins need to be arranged according to the panel specifications.
従来、各種のパネル仕様に応じたコンタクトピンの配置を設定した専用のプローバフレームを用意してプローバフレームストッカに格納しておき、検査対象のパネル仕様に応じたプローバフレームを選択している。 Conventionally, a dedicated prober frame in which the arrangement of contact pins according to various panel specifications is prepared and stored in a prober frame stocker, and a prober frame according to the panel specifications to be inspected is selected.
したがって、従来では、パネル仕様ごとに専用のプローバフレームを用意しておく必要があるという問題がある。例えば、パネルサイズが32インチ、40インチ、46インチ、52インチ、60インチの5種類のパネル仕様が設定されたTFTアレイ基板を検査する場合には、各パネル仕様に応じた5種類のプローバフレームを予め用意しておく必要がある。 Therefore, conventionally, there is a problem that it is necessary to prepare a dedicated prober frame for each panel specification. For example, when inspecting a TFT array substrate in which five types of panel specifications of 32 inch, 40 inch, 46 inch, 52 inch, and 60 inch are set, five types of prober frames corresponding to each panel specification are used. Must be prepared in advance.
増加するパネル仕様に対してプローバフレームを追加することで対応するには、パネル仕様の種類数だけプローバフレームの個数を用意する必要がある。しかしながら、プローバフレームストッカに収納できるプローバフレームの個数は、プローバフレームストッカの収納量を越えることはできず、限りがあるため、限度を超えて増加するパネル仕様に対して対応することができないという問題がある。 In order to respond to the increasing panel specifications by adding prober frames, it is necessary to prepare as many prober frames as the number of types of panel specifications. However, the number of prober frames that can be stored in the prober frame stocker cannot exceed the storage amount of the prober frame stocker, and because it is limited, it cannot cope with panel specifications that increase beyond the limit. There is.
また、パネル仕様の増加に対してプローバフレームストッカの収納量を増加させることで対応する場合には、プローバフレームストッカの容積を増加させる必要があり、プローバフレームストッカの容積の増加に伴って検査装置の容積が大きくなる等、プローバフレームの保管場所の問題が発生する。 In addition, when responding to the increase in panel specifications by increasing the storage capacity of the prober frame stocker, it is necessary to increase the volume of the prober frame stocker. The problem of the storage location of the prober frame occurs, for example, the volume of the prober increases.
そこで、本発明は上記課題を解決し、TFTアレイ基板検査装置において、プローバフレームの個数やプローバフレームストッカの容積を増やすことなく、多種類のパネル仕様に対するプローバフレームの対応を可能とすることを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to solve the above-mentioned problems and to enable the prober frame to cope with various types of panel specifications without increasing the number of prober frames and the volume of the prober frame stocker in the TFT array substrate inspection apparatus. And
上記目的を解決するために、本発明は、プローバフレームのコンタクトピンの配置位置を変更自在とし、このプローバフレームのコンタクトピンの配置位置変更をプローバフレームストッカにおいて行う構成とする。これによって、多種類のパネル仕様に対応した限られた個数のプローバフレームでの対応を可能とする。 In order to solve the above-mentioned object, the present invention is configured such that the arrangement position of the contact pin of the prober frame can be changed and the arrangement position of the contact pin of the prober frame is changed in the prober frame stocker. As a result, it is possible to cope with a limited number of prober frames corresponding to various types of panel specifications.
本発明のTFTアレイ基板検査装置は、TFTアレイ基板にプローバフレームのコンタクトピンを通して検査信号を印加し、TFTアレイ基板上で電子線を走査させて検査を行うTFTアレイ検査装置において、真空状態でTFTアレイ基板の検査を行うメインチャンバと、大気側との間及びメインチャンバとの間でTFTアレイ基板の搬出入を行うロードロックチャンバと、プローバフレームを格納するプローバフレームストッカとを備える。 The TFT array substrate inspection apparatus of the present invention is a TFT array inspection apparatus that applies an inspection signal to a TFT array substrate through a contact pin of a prober frame and scans the electron beam on the TFT array substrate for inspection. A main chamber for inspecting the array substrate, a load lock chamber for carrying in and out the TFT array substrate between the atmosphere side and the main chamber, and a prober frame stocker for storing the prober frame.
本発明のプローバフレームはコンタクトピンの配置位置を変更自在とすると共に、プローバフレームストッカ内に、プローバフレームのコンタクトピンの配置位置を変更するコンタクトピン配置位置変更部を備える。 The prober frame of the present invention includes a contact pin arrangement position changing unit that changes the arrangement position of the contact pins in the prober frame stocker while making the arrangement position of the contact pins freely changeable.
本発明のプローバフレームストッカは、ロードロックチャンバを通して、二つのプローバフレームをプローバフレームストッカとメインチャンバとの間で交互に入れ替えを行い、内部に備えたコンタクトピン配置位置変更部は、プローバフレームのコンタクトピンの配置位置を変更する。メインチャンバ内では、プローバフレームのコンタクトピンを通してTFTアレイ基板に検査信号を印加する。 According to the prober frame stocker of the present invention, the two prober frames are alternately exchanged between the prober frame stocker and the main chamber through the load lock chamber. Change the pin placement position. In the main chamber, an inspection signal is applied to the TFT array substrate through the contact pin of the prober frame.
本発明は、二つのプローバフレームの内、一方のプローバフレームをメインチャンバ内に配してTFTアレイ基板の検査等の処理を行っている間に、他方のプローバフレームをプローバフレームストッカ内のコンタクトピン配置位置変更部においてコンタクトピンの配置位置をパネル仕様に応じて変更する。この構成によって、パネル仕様毎にプローバフレームを用意することなく、二つのプローバフレームによって多種類のパネル仕様に対応することができる。 In the present invention, one prober frame of two prober frames is arranged in a main chamber and processing such as inspection of a TFT array substrate is performed while the other prober frame is connected to a contact pin in a prober frame stocker. In the arrangement position changing unit, the arrangement position of the contact pins is changed according to the panel specifications. With this configuration, it is possible to cope with various types of panel specifications with two prober frames without preparing a prober frame for each panel specification.
プローバフレームのコンタクトピンの配置位置の変更は、メインチャンバ内において一方のプローバフレームを用いてTFTアレイ基板の検査を行っている間に行うことができるため、タクトタイムに影響を与えることなくコンタクトピンの配置位置を変更することができる。 The change of the arrangement position of the contact pin of the prober frame can be performed while inspecting the TFT array substrate using one prober frame in the main chamber, so that the contact pin is not affected by the tact time. The arrangement position of can be changed.
本発明のコンタクトピン配置位置変更部は、TFTアレイ基板のパネルレイアウト情報に基づいて、プローバフレームのコンタクトピンの配置位置を変更する。 The contact pin placement position changing unit of the present invention changes the contact pin placement position of the prober frame based on the panel layout information of the TFT array substrate.
本発明のプローバフレームは、少なくともTFTアレイ基板の外周を囲むフレーム枠とフレーム枠の対向する辺部間において位置を自在とするフレームバーと、フレームバーの長さ方向の任意の位置に着脱自在とするコンタクトピンユニットとを備えた構成を用いることができる。 The prober frame of the present invention includes a frame bar that surrounds at least the outer periphery of the TFT array substrate, a frame bar that can be freely positioned between opposing sides of the frame frame, and a frame bar that can be freely attached and detached at any position in the length direction of the frame bar. The structure provided with the contact pin unit to perform can be used.
本発明のコンタクトピン配置位置変更部は、上記した構成のプローバフレームにおいて、フレーム枠に対するフレームバーの位置と、フレームバー上のコンタクトピンユニットの位置を変更することによってコンタクトピンの配置位置を変更する。 The contact pin arrangement position changing unit of the present invention changes the position of the contact pin by changing the position of the frame bar with respect to the frame frame and the position of the contact pin unit on the frame bar in the prober frame having the above-described configuration. .
フレーム枠の辺部に対するフレームバーの位置の変更は、パネルレイアウト情報のパネル配置に基づいて行う。また、フレームバーの長さ方向に対するコンタクトピンユニットの位置の変更は、パネルレイアウト情報の電極配置に基づいて行う。 The change of the position of the frame bar with respect to the side of the frame frame is performed based on the panel arrangement of the panel layout information. Further, the change of the position of the contact pin unit with respect to the length direction of the frame bar is performed based on the electrode arrangement of the panel layout information.
本発明のTFTアレイ基板検査装置は、プローバフレームストッカとメインチャンバとの間においてプローバフレームで交互に入れ替えるプローバフレーム搬送部を備える。 The TFT array substrate inspection apparatus according to the present invention includes a prober frame transfer unit that alternately switches between a prober frame stocker and a main chamber with a prober frame.
本発明のプローバフレーム搬送部は、プローバフレームを支持するプローバフレーム支持部と、ロードロックチャンバを閉じる天板とを備える。 The prober frame transport unit of the present invention includes a prober frame support unit that supports the prober frame and a top plate that closes the load lock chamber.
プローバフレーム搬送部の天板は、ロードロックチャンバを介して、メインチャンバとプローバフレームストッカとの間でプローバフレームを交換するときには、天板はプローバフレーム支持部と共に移動するためロードロックチャンバの上部は開放され、プローバフレームを交換することができる。 When the prober frame is exchanged between the main chamber and the prober frame stocker via the load lock chamber, the top plate of the prober frame transport unit moves together with the prober frame support unit. Opened and the prober frame can be replaced.
一方、メインチャンバとロードロックチャンバとの間でTFTアレイ基板を搬出入するときには、ロードロックチャンバの上部を閉じ、ロードロックチャンバ内を密閉することができる。 On the other hand, when the TFT array substrate is carried in and out between the main chamber and the load lock chamber, the upper portion of the load lock chamber can be closed and the inside of the load lock chamber can be sealed.
本発明のTFTアレイ基板検査装置によれば、プローバフレームの交換をロードロックチャンバとプローバフレームストッカとの間で行い、メインチャンバに対するプローバフレームの導出入はロードロックチャンバとの間で行うため、ロードロックチャンバを真空状態としてメインチャンバとの間でプローバフレームの入れ替えを行うことができる。これによって、メインチャンバはチャンバ内を真空状態に保持したままで、プローバフレームの入れ替えを行うことができる。 According to the TFT array substrate inspection apparatus of the present invention, the prober frame is exchanged between the load lock chamber and the prober frame stocker, and the prober frame is led into and out of the main chamber with the load lock chamber. The prober frame can be exchanged between the main chamber and the lock chamber in a vacuum state. As a result, the prober frame can be replaced while the main chamber is kept in a vacuum state.
さらに、大気圧状態に戻す必要がないため、大気圧状態とするために電子銃等の電源を停止する必要がなく、電源を停止したことによって初期状態から駆動状態に至るために要するいわゆる暖機時間が不要となり、検査時間の長時間化を防ぐことができる。 Furthermore, since it is not necessary to return to the atmospheric pressure state, it is not necessary to stop the power source of the electron gun or the like in order to achieve the atmospheric pressure state, and so-called warm-up required to reach the driving state from the initial state by stopping the power source. Time is not required, and the inspection time can be prevented from being prolonged.
本発明のTFTアレイ基板検査装置によれば、プローバフレームの個数やプローバフレームストッカの容積を増やすことなく、多種類のパネル仕様に対するプローバフレームの対応を可能とすることができる。 According to the TFT array substrate inspection apparatus of the present invention, the prober frame can be adapted to various types of panel specifications without increasing the number of prober frames and the volume of the prober frame stocker.
以下、本発明の実施の形態について図を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明のTFTアレイ基板検査装置が検査対象とする基板は、液晶基板等のTFT基板に限らず、有機ELの基板、半導体基板など各種の基板に適用することができる。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The substrate to be inspected by the TFT array substrate inspection apparatus of the present invention is not limited to a TFT substrate such as a liquid crystal substrate, but can be applied to various substrates such as an organic EL substrate and a semiconductor substrate.
以下では、本発明のTFTアレイ基板検査装置について図1,2を用いて説明し、プローバフレームの構成について図3,4を用いて説明し、図5〜図8を用いてプローバフレームのコンタクトピンの配置位置の変更およびプローバフレームの交換動作の第1の例について説明し、図9〜図10を用いてプローバフレームのコンタクトピンの配置位置の変更およびプローバフレームの交換動作の第2の例について説明する。 In the following, the TFT array substrate inspection apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2, the configuration of the prober frame will be described with reference to FIGS. 3 and 4, and the probe pins of the prober frame will be described with reference to FIGS. The first example of the change of the arrangement position of the prober and the replacement operation of the prober frame will be described, and the second example of the change of the arrangement position of the contact pin of the prober frame and the replacement operation of the prober frame will be described with reference to FIGS. explain.
本発明のTFTアレイ基板検査装置について、図1,2を用いて説明する。
図1に示すTFTアレイ基板検査装置1は、TFTアレイ基板にプローバフレーム10のコンタクトピンを通して検査信号を印加し、TFTアレイ基板上で電子線を走査させて検査を行うTFTアレイ検査装置である。プローバフレーム10は、コンタクトピンの配置位置を変更自在としている。
The TFT array substrate inspection apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS.
A TFT array substrate inspection apparatus 1 shown in FIG. 1 is a TFT array inspection apparatus that applies an inspection signal to a TFT array substrate through a contact pin of a prober frame 10 and scans the TFT array substrate by scanning an electron beam. The prober frame 10 can change the arrangement position of the contact pins.
TFTアレイ基板検査装置1は、真空状態で基板の検査を行うメインチャンバ2と、大気側との間及びメインチャンバ2との間でTFTアレイ基板の搬出入を行うロードロックチャンバ3と、プローバフレーム10を格納するプローバフレームストッカ4とを備える。 The TFT array substrate inspection apparatus 1 includes a main chamber 2 for inspecting a substrate in a vacuum state, a load lock chamber 3 for carrying in and out the TFT array substrate between the atmosphere side and the main chamber 2, and a prober frame. And a prober frame stocker 4 for storing 10.
メインチャンバ2とロードロックチャンバ3との間にはゲートバルブ12が設けられる。TFTアレイ基板およびプローバフレーム10はゲートバルブ12を通して搬出入が行われる。メインチャンバ2には、電子線源8および検出器(二次電子検出器)9が設けられる A gate valve 12 is provided between the main chamber 2 and the load lock chamber 3. The TFT array substrate and the prober frame 10 are carried in and out through the gate valve 12. The main chamber 2 is provided with an electron beam source 8 and a detector (secondary electron detector) 9.
ロードロックチャンバ3と外部との間にはゲートバルブ11が設けられる。TFTアレイ基板はゲートバルブ11を通して搬出入が行われる。 A gate valve 11 is provided between the load lock chamber 3 and the outside. The TFT array substrate is carried in and out through the gate valve 11.
メインチャンバ2の上方にはプローバフレームストッカ4が設けられる。プローバフレームストッカ4は、プローバフレームのコンタクトピンのピン配置位置を変更するコンタクトピン配置位置変更部5および、プローバフレームの交換時にプローバフレームを一時的に保持するプローバフレーム保持部6A,6Bを備える。 A prober frame stocker 4 is provided above the main chamber 2. The prober frame stocker 4 includes a contact pin arrangement position changing unit 5 that changes the pin arrangement position of the contact pins of the prober frame, and prober frame holding units 6A and 6B that temporarily hold the prober frame when the prober frame is replaced.
プローバフレーム保持部6Aは、コンタクトピン配置位置変更部5によるコンタクトピンの配置位置を変更する処理中にプローバフレームを保持する。プローバフレーム保持部6Bは、プローバフレーム10Aとプローバフレーム10Bとを交換する際に、一方のプローバフレームを保持する。 The prober frame holding unit 6 </ b> A holds the prober frame during the process of changing the contact pin arrangement position by the contact pin arrangement position changing unit 5. The prober frame holding unit 6B holds one prober frame when the prober frame 10A and the prober frame 10B are exchanged.
メインチャンバ2とロードロックチャンバ3との間にはプローバフレーム搬送部7が設けられる。プローバフレーム搬送部7は、プローバフレーム支持部7aと上板7bを備える。プローバフレーム支持部7aは、メインチャンバ2とロードロックチャンバ3との間の搬出入時においてプローバフレームを支持する。上板7bは、TFTアレイ基板の搬出時において、ロードロックチャンバ3の上方の開口部を閉じ、ロードロックチャンバ3内を密閉する。 A prober frame transfer unit 7 is provided between the main chamber 2 and the load lock chamber 3. The prober frame transport section 7 includes a prober frame support section 7a and an upper plate 7b. The prober frame support portion 7 a supports the prober frame when carrying in / out between the main chamber 2 and the load lock chamber 3. The upper plate 7b closes the opening above the load lock chamber 3 and seals the inside of the load lock chamber 3 when the TFT array substrate is carried out.
TFTアレイ基板検査装置1は、各制御部21〜28を備える。
検査信号生成部21は、メインチャンバ2内に搬入されたプローバフレーム10Aに検査信号を供給する。走査制御部22は、メインチャンバ2に設け電子線源8から照射する電子線の走査を制御する。プローバフレーム移動制御部23は、メインチャンバ2内およびメインチャンバ2とロードロックチャンバ3との間におけるプローバフレーム10の移動を制御する。
The TFT array substrate inspection apparatus 1 includes control units 21 to 28.
The inspection signal generator 21 supplies an inspection signal to the prober frame 10A carried into the main chamber 2. The scanning control unit 22 is provided in the main chamber 2 and controls scanning of the electron beam irradiated from the electron beam source 8. The prober frame movement control unit 23 controls the movement of the prober frame 10 in the main chamber 2 and between the main chamber 2 and the load lock chamber 3.
検出信号処理部24は、二次電子検出器等の検出器9で検出した検出信号を信号処理する。欠陥検出部25は、検出信号処理部24で得られた信号に基づいてTFTアレイ基板の欠陥検出を行う。 The detection signal processing unit 24 processes the detection signal detected by the detector 9 such as a secondary electron detector. The defect detection unit 25 detects a defect of the TFT array substrate based on the signal obtained by the detection signal processing unit 24.
ピン配置位置制御部26は、パネル仕様の情報に基づいてプローバフレームストッカ4内に配置したコンタクトピン配置位置変更部5を制御する。コンタクトピン配置位置変更部5は、プローバフレームストッカ4内のプローバフレーム10Bのピン配置位置を変更する。 The pin arrangement position control unit 26 controls the contact pin arrangement position changing unit 5 arranged in the prober frame stocker 4 based on the panel specification information. The contact pin arrangement position changing unit 5 changes the pin arrangement position of the prober frame 10 </ b> B in the prober frame stocker 4.
プローバフレーム搬送制御部27は、プローバフレーム搬送部7を制御し、プローバフレームストッカ4とロードロックチャンバ3との間のプローバフレームの搬送を行う。 The prober frame transport control unit 27 controls the prober frame transport unit 7 to transport the prober frame between the prober frame stocker 4 and the load lock chamber 3.
基板搬送制御部28は、ゲートバルブ11,12および基板搬送装置(図示していない)を制御して、メインチャンバ2とロードロックチャンバ3との間のTFTアレイ基板の搬出動作、およびロードロックチャンバ3と外部との間のTFTアレイ基板の搬出動作を行う。 The substrate transfer control unit 28 controls the gate valves 11 and 12 and the substrate transfer device (not shown) to carry out the TFT array substrate carry-out operation between the main chamber 2 and the load lock chamber 3, and the load lock chamber. The TFT array substrate is carried out between 3 and the outside.
メインチャンバ2内のステージ(図示していない)上には、検査対象であるTFTアレイ基板、およびプローバフレーム10がロードロックチャンバ3を介して搬送され、プローバフレーム10によってTFTアレイ基板に検査信号が印加されるとともに、電子線源8から電子線が照射される。電子線の照射によって、TFTアレイ基板は電圧状態に応じた二次電子を放出す。検出器9(二次電子検出器)はこの二次電子を検出する。二次電子量と電圧状態とは関連性があるため、検出した二次電子量から電圧波形を求め、検出した電圧波形と、正常状態において検査信号を印加した際に検出される電圧波形とを比較する。この電圧波形を比較することによって、基板の欠陥検査を行うことができる。 On the stage (not shown) in the main chamber 2, the TFT array substrate to be inspected and the prober frame 10 are transported through the load lock chamber 3, and an inspection signal is sent to the TFT array substrate by the prober frame 10. While being applied, an electron beam is irradiated from the electron beam source 8. The electron beam irradiation causes the TFT array substrate to emit secondary electrons according to the voltage state. The detector 9 (secondary electron detector) detects the secondary electrons. Since the amount of secondary electrons and the voltage state are related, the voltage waveform is obtained from the detected amount of secondary electrons, and the detected voltage waveform and the voltage waveform detected when the inspection signal is applied in the normal state are obtained. Compare. By comparing the voltage waveforms, the substrate can be inspected for defects.
ロードロックチャンバ3は、大気側との間、およびメインチャンバ2との間で、TFTアレイ基板の搬出入を行う他、メインチャンバ2との間でプローバフレーム10の入れ替えを行う。これらのTFTアレイ基板及びプローバフレーム10のチャンバ間の移動は、各チャンバに設けた搬送機構によって行う。なお、ロードロックチャンバ3と大気側との間、ロードロックチャンバ3とメインチャンバ2との間は、各ゲートバルブ11,12の開閉を制御することによって、各チャンバにおける真空引きあるいは窒素等の導入による大気圧への圧力制御を行う。 The load lock chamber 3 exchanges the prober frame 10 with the main chamber 2 in addition to carrying in and out the TFT array substrate between the load lock chamber 3 and the main chamber 2. The TFT array substrate and the prober frame 10 are moved between the chambers by a transport mechanism provided in each chamber. In addition, between the load lock chamber 3 and the atmosphere side, and between the load lock chamber 3 and the main chamber 2, the opening and closing of each gate valve 11 and 12 is controlled, and evacuation or introduction of nitrogen or the like in each chamber is performed. Control the pressure to atmospheric pressure by.
なお、図1、図2では、メインチャンバ2およびロードロックチャンバ3を真空引きする真空ポンプ等に排気機構や、各チャンバ内に窒ガスを導入して大気圧に戻すためのガス導入機構については省略し図示していない。 In FIGS. 1 and 2, an exhaust mechanism for a vacuum pump or the like for evacuating the main chamber 2 and the load lock chamber 3, and a gas introduction mechanism for introducing nitrogen gas into each chamber to return it to atmospheric pressure. Omitted and not shown.
プローバフレームストッカ4は、複数種のプローバフレームを格納して保持する部分であり、搬送機構によってプローバフレームの搬出入を行う。 The prober frame stocker 4 is a part that stores and holds a plurality of types of prober frames , and the prober frames are carried in and out by a transport mechanism .
ロードロックチャンバ3の上端は開口部を有し、開口部は上板7bによって開閉自在としている。なお、上板7bによってロードロックチャンバ3の開口部を閉じる場合には、この上板7bはロードロックチャンバ3を閉じる蓋部として作用する。上板7bの下方には、プローバフレーム10を搬送する際にプローバフレーム10を支持するプローバフレーム支持部7aが設けられる。なお、上板7bがロードロックチャンバ3を閉じた状態では、プローバフレーム支持部7a、ロードロックチャンバ3内に収納される。 The upper end of the load lock chamber 3 has an opening, and the opening can be freely opened and closed by an upper plate 7b. When the opening of the load lock chamber 3 is closed by the upper plate 7b, the upper plate 7b acts as a lid for closing the load lock chamber 3. A prober frame support portion 7a that supports the prober frame 10 when the prober frame 10 is conveyed is provided below the upper plate 7b . In the state where the upper plate 7 b closes the load lock chamber 3, the prober frame support portion 7 a and the load lock chamber 3 are accommodated.
プローバフレーム支持部7aおよび上板7bは、昇降機構(図示していない)によって一体で昇降動作を行う。 The prober frame support portion 7a and the upper plate 7b are integrally moved up and down by a lifting mechanism (not shown).
図2は、プローバフレームストッカ4内のプローバフレーム保持部6Aにプローバフレーム10Aを保持し、プローバフレーム搬送部7のプローバフレーム支持部7aにプローバフレーム10Bを支持した状態を示している。この状態は、プローバフレーム搬送部7のプローバフレーム支持部7aおよび上板7bを昇降機構(図示していない)によって上昇させた状態を示している。 FIG. 2 shows a state in which the prober frame holding part 6A in the prober frame stocker 4 holds the prober frame 10A and the prober frame support part 7a of the prober frame transport part 7 supports the prober frame 10B. This state shows a state in which the prober frame support part 7a and the upper plate 7b of the prober frame transport part 7 are raised by an elevating mechanism (not shown).
図2に示す状態において、上板7bは図示しない昇降機構によってロードロックチャンバ3から上昇してロードロックチャンバ3を開放するとともに、プローバフレーム支持部7aに支持されたプローバフレーム10Bをロードロックチャンバ3の上方に取り出される。なお、ロードロックチャンバ3内が真空状態にある場合には、上板7bを上昇させる前に、ロードロックチャンバ3内に窒素ガス等を導入し、ロードロックチャンバ3内の圧力を大気圧としておく。 In the state shown in FIG. 2 , the upper plate 7b is lifted from the load lock chamber 3 by a lifting mechanism (not shown) to open the load lock chamber 3, and the prober frame 10B supported by the prober frame support portion 7a is connected to the load lock chamber 3. Is taken out above. When the load lock chamber 3 is in a vacuum state, nitrogen gas or the like is introduced into the load lock chamber 3 before raising the upper plate 7b, and the pressure in the load lock chamber 3 is set to atmospheric pressure. .
また、プローバフレーム支持部7aは、プローバフレームストッカ4のプローバフレーム保持部6A,6Bとの間でプローバフレーム10A,10Bの移動を行うことで、プローバフレームの入れ替えを行う。 In addition, the prober frame support part 7a moves the prober frames 10A and 10B between the prober frame holding parts 6A and 6B of the prober frame stocker 4, thereby exchanging the prober frames.
一方、上板7bを下降させ、ロードロックチャンバ3の開口部に当接させてロードロックチャンバ3を閉じるとともに、上板7bの下部に設けられたプローバフレーム支持部7aをロードロックチャンバ3内に導入する。この上板7bを下降させてロードロックチャンバ3を閉じた後には、ロードロックチャンバ3内を真空排気して真空状態とし、ゲートバルブ12を開くことで、真空状態のメインチャンバ2との間でプローバフレーム10の入れ替えを行うことができる。なお、搬送機構は、例えば、ローラ搬送機構を用いることができる。 On the other hand, the upper plate 7b is lowered and brought into contact with the opening of the load lock chamber 3 to close the load lock chamber 3, and the prober frame support portion 7a provided at the lower portion of the upper plate 7b is placed in the load lock chamber 3. Introduce. After the upper plate 7b is lowered and the load lock chamber 3 is closed, the inside of the load lock chamber 3 is evacuated to a vacuum state, and the gate valve 12 is opened so that the main chamber 2 in a vacuum state is opened. The prober frame 10 can be replaced. For example, a roller transport mechanism can be used as the transport mechanism.
メインチャンバ2内のステージ(図示していない)上には、検査対象であるTFTアレイ基板、およびプローバフレーム10がロードロックチャンバ3を介して搬送される。TFTアレイ基板には、プローバフレーム10によって検査信号が印加され、電子線源8から電子線が照射される。電子線照射によって、TFTアレイ基板はその電圧状態に応じた二次電子を放出する。検出器9(二次電子検出器)は放出された二次電子を検出する。検出信号処理部24は検出した二次電子量から電圧波形を求め、欠陥検出部25は、検出した電圧波形と、正常状態において検査信号を印加した際に検出される電圧波形とを比較して、TFTアレイ基板の欠陥検査を行う。 On the stage (not shown) in the main chamber 2, the TFT array substrate to be inspected and the prober frame 10 are transported through the load lock chamber 3. An inspection signal is applied to the TFT array substrate by the prober frame 10, and an electron beam is irradiated from the electron beam source 8. By the electron beam irradiation, the TFT array substrate emits secondary electrons corresponding to the voltage state. The detector 9 (secondary electron detector) detects the emitted secondary electrons. The detection signal processing unit 24 obtains a voltage waveform from the detected amount of secondary electrons, and the defect detection unit 25 compares the detected voltage waveform with the voltage waveform detected when an inspection signal is applied in a normal state. The defect inspection of the TFT array substrate is performed.
プローバフレーム10は、TFTアレイ基板の電極と電気的に接続するコンタクトピンを備える。TFTアレイ基板の検査を行うには、ステージに載置したTFTアレイ基板にプローバフレームを配置し、TFTアレイ基板とプローバフレームとの間において、電極端子とコンタクトピンを接触させることによって電気的接続を行い、コンタクトピンと電極端子との接続を通してTFTアレイに検査信号を供給する。また、プローバフレームとステージとの間の接続は、プローバフレーム及びステージ側に設けたコネクタにより行われる。 The prober frame 10 includes contact pins that are electrically connected to the electrodes of the TFT array substrate. In order to inspect the TFT array substrate, a prober frame is arranged on the TFT array substrate placed on the stage, and the electrical connection is established between the TFT array substrate and the prober frame by bringing the electrode terminals and contact pins into contact with each other. The inspection signal is supplied to the TFT array through the connection between the contact pin and the electrode terminal. The connection between the prober frame and the stage is made by a connector provided on the prober frame and the stage side.
図3は本発明のTFTアレイ基板検査装置に用いるプローバフレームを説明するため概略図である。なお、図3では、検査対象のTFTアレイ基板101は9枚のパネル102を有し、各パネルの電極端子はパネルの一つの位置(図3中でTFTアレイ基板に対して上方右方の位置)に配置される例を示しているが、TFTアレイ基板101のパネル仕様および電極配置は任意とすることができる。 FIG. 3 is a schematic view for explaining a prober frame used in the TFT array substrate inspection apparatus of the present invention. In FIG. 3, the TFT array substrate 101 to be inspected has nine panels 102, and the electrode terminal of each panel is located at one position of the panel (the position on the upper right side with respect to the TFT array substrate in FIG. 3). The panel specification and electrode arrangement of the TFT array substrate 101 can be arbitrary.
図3において、TFTアレイ基板101には、ガラス基板等の絶縁性基板の上に、TFTアレイ、ITO電極等(図示していない)で形成される複数個のピクセルが格子状に形成され、これらのピクセルに駆動信号を供給する配線が設けられている。 In FIG. 3, the TFT array substrate 101 is formed with a plurality of pixels formed in a lattice pattern on an insulating substrate such as a glass substrate, with a TFT array, ITO electrodes, etc. (not shown). Wiring for supplying drive signals to the pixels is provided.
プローバフレーム10は、TFTアレイ基板101の外周を囲むフレーム枠10aとフレーム枠10aの対向する辺部間に設置されるフレームバー10bとを備え、フレームバー10bはフレーム枠10aの少なくとも一方の軸方向に対して設置位置を自在とする。 The prober frame 10 includes a frame frame 10a that surrounds the outer periphery of the TFT array substrate 101, and a frame bar 10b that is installed between opposing sides of the frame frame 10a. The frame bar 10b is in the axial direction of at least one of the frame frames 10a. The installation position can be freely set.
フレーム枠10aには、複数のコンタクトピン10cを備えるコンタクトピンユニット10dが着脱自在に設けられ、配置位置を変更可能としている。 A contact pin unit 10d including a plurality of contact pins 10c is detachably provided on the frame 10a so that the arrangement position can be changed.
プローバフレーム10は、内側を中空としてパネルを見通せるように外周部分の枠体で形成した矩形のフレーム枠10aと、このフレーム枠10aに取り付けられるフレームバー10bを備え、フレームバー10bはフレーム枠10aに対してX軸方向に配置され、フレーム枠10aの対向するY軸方向の2本の辺部に対してY軸方向の任意の位置に設置する。なお、図3では、フレームバー10bをフレーム枠10aに固定する固定部は示していないが、フレーム枠10aの任意の位置に固定することができる。フレームバー10bは、図3で示すX方向に配置する他、Y方向に配置する構成としてもよい。 Prober frame 10 includes a rectangular framework 10a formed in the frame body of the outer peripheral portion so as to line of sight of the panel inner as hollow, comprises a frame bar 10b attached to the framework 10a, full Remuba 10b in the frame frame 10a On the other hand, it is arranged in the X-axis direction, and is installed at an arbitrary position in the Y-axis direction with respect to two opposite sides of the frame 10a in the Y-axis direction. In addition, in FIG. 3, although the fixing | fixed part which fixes the frame bar 10b to the frame 10a is not shown, it can fix to the arbitrary positions of the frame 10a. The frame bar 10b may be arranged in the Y direction in addition to being arranged in the X direction shown in FIG.
また、フレームバー10bは長さ方向に沿ってフレームバー配線(図示していない)を配設している。このフレームバー配線は、プローバフレーム10の外部からコンタクトピンを介してTFTアレイ基板101の電極端子に検査信号を印加するための配線であり、例えば、プリント基板をフレームバー10bの部材を用いることができる。 The frame bar 10b is provided with frame bar wiring (not shown) along the length direction. This frame bar wiring is a wiring for applying an inspection signal to the electrode terminal of the TFT array substrate 101 from the outside of the prober frame 10 via a contact pin. For example, a member of the frame bar 10b is used for a printed circuit board. it can.
コンタクトピンユニット10dは、フレームバー10bの長さ方向の任意の位置に着脱自在であり、TFTアレイ基板101の電極端子と接触する複数本のコンタクトピン10cとを備える。コンタクトピン10cとTFTアレイ基板101の電極端子との接触によって、TFTアレイ基板に検査信号を供給する。 The contact pin unit 10d is detachable at an arbitrary position in the length direction of the frame bar 10b, and includes a plurality of contact pins 10c that come into contact with the electrode terminals of the TFT array substrate 101. An inspection signal is supplied to the TFT array substrate by contact between the contact pins 10c and the electrode terminals of the TFT array substrate 101.
プローバフレーム10において、フレーム枠10aに対してフレームバー10bの設置位置をY軸方向で変更可能であり、また、コンタクトピンユニット10dのフレームバー10bに対する設置位置をX軸方向で変更可能であるため、コンタクトピン10cをTFTアレイ基板101上に設けられた電極端子に対して位置合わせを行うことが可能であり、パネル仕様に対応させることができる。 In the prober frame 10, the installation position of the frame bar 10b with respect to the frame frame 10a can be changed in the Y-axis direction, and the installation position of the contact pin unit 10d with respect to the frame bar 10b can be changed in the X-axis direction. The contact pins 10c can be aligned with the electrode terminals provided on the TFT array substrate 101, and can correspond to the panel specifications.
図4を用いて、本発明のプローバフレームのコンタクトピンの配置位置の変更について説明する。 The change of the arrangement position of the contact pin of the prober frame of this invention is demonstrated using FIG.
図4は、TFTアレイ基板に形成されるパネル数および電極端子の配置位置が異なる例を示している。 FIG. 4 shows an example in which the number of panels formed on the TFT array substrate and the arrangement positions of the electrode terminals are different.
図4(a)のTFTアレイ基板101aと図4(c)のTFTアレイ基板101bとは、パネル数および電極端子の配置位置を異にする。 The TFT array substrate 101a in FIG. 4A and the TFT array substrate 101b in FIG. 4C are different in the number of panels and the arrangement positions of the electrode terminals.
図4(a)に示すTFTアレイ基板101aでは、4枚のパネルを有し、各パネルの下方左方位置に電極端子103が設けられる例を示し、図4(c)に示すTFTアレイ基板101bでは、6枚のパネルを有し、各パネルの下方右方位置に電極端子103が設けられる例を示している。 In FIGS. 4 (a) to show the TFT array substrate 101a, has four panels, an example in which the electrode terminals 103 downward left position is provided for each panel, a TFT array substrate 101b shown in FIG. 4 (c) In the example, six panels are provided, and the electrode terminal 103 is provided at the lower right position of each panel.
したがって、TFTアレイ基板101aとTFTアレイ基板101bとは、パネル数および電極端子の配置において異なる構成であるため、何れか一方のTFTアレイ基板に対応してコンタクトピンの配置位置を設定されたプローバフレームは、他方のTFTアレイ基板については使用することができない。 Accordingly, since the TFT array substrate 101a and the TFT array substrate 101b have different configurations in terms of the number of panels and the arrangement of electrode terminals, the prober frame in which the contact pin arrangement position is set corresponding to one of the TFT array substrates. Cannot be used for the other TFT array substrate.
図4(b)に示すプローバフレーム10は、図4(a)に示すTFTアレイ基板101aの電極端子103の配置位置に対応させて、フレームバー10bをフレーム枠に対して移動させ、フレームバー10bに対してコンタクトピンユニット10dの配置位置を変更することによって、コンタクトピン10cの位置とTFTアレイ基板101aの電極端子103の位置とを位置合わせることができる。 The prober frame 10 shown in FIG. 4B moves the frame bar 10b with respect to the frame frame in accordance with the arrangement position of the electrode terminals 103 of the TFT array substrate 101a shown in FIG. On the other hand, by changing the arrangement position of the contact pin unit 10d, the position of the contact pin 10c and the position of the electrode terminal 103 of the TFT array substrate 101a can be aligned.
図4(d)に示すプローバフレーム10は、図4(c)に示すTFTアレイ基板101bの電極端子103の配置位置に対応させて、フレームバー10bをフレーム枠に対して移動させ、フレームバー10bに対してコンタクトピンユニット10dの配置位置を変更することによって、コンタクトピン10cの位置とTFTアレイ基板101aの電極端子103の位置とを位置合わせることができる。 The prober frame 10 shown in FIG. 4 (d) moves the frame bar 10b relative to the frame frame in accordance with the arrangement position of the electrode terminals 103 of the TFT array substrate 101b shown in FIG. On the other hand, by changing the arrangement position of the contact pin unit 10d, the position of the contact pin 10c and the position of the electrode terminal 103 of the TFT array substrate 101a can be aligned.
次に、本発明のTFTアレイ基板検査装置1において、プローバフレームのピン配置位置の変更および移動動作例について図5〜図8を用いて説明する。 Next, in the TFT array substrate inspection apparatus 1 of the present invention, an example of changing and moving the pin arrangement position of the prober frame will be described with reference to FIGS.
なお、ここでは、メインチャンバ2内に一方のプローバフレーム10Aが配置され、プローバフレームストッカ4内に他方のプローバフレーム10Bが配置された状態からの動作について説明する。 Here, the operation from the state in which one prober frame 10A is arranged in the main chamber 2 and the other prober frame 10B is arranged in the prober frame stocker 4 will be described.
メインチャンバ2において、プローバフレーム10AによってTFTアレイ基板(図示していない)の検査信号を供給して基板検査を行い、プローバフレームストッカ4において、コンタクトピン配置位置変更部5によってプローバフレーム10Bのコンタクトピンの配置位置を変更する。 In the main chamber 2, an inspection signal for the TFT array substrate (not shown) is supplied by the prober frame 10A to inspect the substrate. In the prober frame stocker 4, the contact pins of the prober frame 10B are changed by the contact pin arrangement position changing unit 5. Change the placement position of.
コンタクトピンの配置位置の変更が完了したプローバフレーム10Bを、プローバフレーム保持部6Aからプローバフレーム支持部7aに載置する(図5(a))。 The prober frame 10B in which the change of the arrangement position of the contact pin is completed is placed on the prober frame support part 7a from the prober frame holding part 6A (FIG. 5A).
プローバフレーム搬送部7を上方に移動させ、プローバフレーム支持部7aに載置したプローバフレーム10Bを、プローバフレームストッカ4のプローバフレーム保持部6Bに高さに位置合わせする(図5(b))。 The prober frame transport section 7 is moved upward, and the prober frame 10B placed on the prober frame support section 7a is aligned with the prober frame holding section 6B of the prober frame stocker 4 (FIG. 5B).
プローバフレーム10Bをプローバフレーム支持部7aからプローバフレーム保持部6Bに移動させ、一時的に保持させる(図5(c))。 The prober frame 10B is moved from the prober frame support portion 7a to the prober frame holding portion 6B and temporarily held (FIG. 5C).
プローバフレーム搬送部7を下方に移動させ、プローバフレーム支持部7aをロードロックチャンバ3内に導入し、上板7bによってロードロックチャンバ3の上部の開放部を閉じ、ロードロックチャンバを排気する((図5(d))。 The prober frame transport section 7 is moved downward, the prober frame support section 7a is introduced into the load lock chamber 3, the upper opening portion of the load lock chamber 3 is closed by the upper plate 7b, and the load lock chamber is exhausted (( FIG. 5 (d)).
ゲートバルブ12を開いて、メインチャンバ2からロードロックチャンバ3にプローバフレーム10Aを搬出して、プローバフレーム支持部7a上に載置する((図6(a))。 The gate valve 12 is opened, the prober frame 10A is unloaded from the main chamber 2 to the load lock chamber 3, and placed on the prober frame support portion 7a ((a) of FIG. 6).
プローバフレーム搬送部7を上方に移動させ、プローバフレーム支持部7aに載置したプローバフレーム10Aを、プローバフレームストッカ4のプローバフレーム保持部6Aに高さに位置合わせ、プローバフレーム10Aをプローバフレーム保持部6Aに移動する。プローバフレーム10Aは、コンタクトピン配置位置変更部5によってコンタクトピンの配置位置を変更することができる。コンタクトピン配置位置変更部5による変更は、TFTアレイ基板のパネルレイアウト情報に基づいて行う(図6(c))。 The prober frame transport section 7 is moved upward, the prober frame 10A placed on the prober frame support section 7a is aligned with the prober frame holding section 6A of the prober frame stocker 4, and the prober frame 10A is positioned at the prober frame holding section. Move to 6A. The prober frame 10 </ b> A can change the contact pin placement position by the contact pin placement position changing unit 5. The change by the contact pin arrangement position changing unit 5 is performed based on the panel layout information of the TFT array substrate (FIG. 6C).
プローバフレーム搬送部7を上方に移動させ、プローバフレーム支持部7aを、プローバフレームストッカ4のプローバフレーム保持部6Bに高さに位置合わせする(図6(d))。 The prober frame transport section 7 is moved upward, and the prober frame support section 7a is aligned with the prober frame holding section 6B of the prober frame stocker 4 (FIG. 6 (d)).
プローバフレームストッカ4のプローバフレーム保持部6Bに保持されるプローバフレーム10Bをプローバフレーム支持部7a上に載置する(図7(a))。 The prober frame 10B held by the prober frame holding part 6B of the prober frame stocker 4 is placed on the prober frame support part 7a (FIG. 7A).
プローバフレーム搬送部7を下方に移動させ、プローバフレーム10Bを載置したプローバフレーム支持部7aをロードロックチャンバ3内に導入し、上板7bによってロードロックチャンバ3の上部の開放部を閉じ、ロードロックチャンバを排気する((図7(b))。 The prober frame transport section 7 is moved downward, the prober frame support section 7a on which the prober frame 10B is placed is introduced into the load lock chamber 3, and the upper portion of the load lock chamber 3 is closed by the upper plate 7b. The lock chamber is evacuated ((b) in FIG. 7).
ゲートバルブ12を開いて、ロードロックチャンバ3からメインチャンバ2にプローバフレーム10Bを搬入する。これによってプローバフレームの入れ替えが行われる((図7(c))。 The gate valve 12 is opened, and the prober frame 10B is carried from the load lock chamber 3 to the main chamber 2. As a result, the prober frame is replaced ((c) in FIG. 7).
ゲートバルブ12を閉じ、ロードロックチャンバ3内を大気圧に戻した後、ゲートバルブ11を開いて、検査対象のTFTアレイ基板101をロードロックチャンバ3内に搬入する((図7(d))。 After the gate valve 12 is closed and the load lock chamber 3 is returned to atmospheric pressure, the gate valve 11 is opened, and the TFT array substrate 101 to be inspected is carried into the load lock chamber 3 ((d) in FIG. 7). .
ゲートバルブ11を閉じてロードロックチャンバ3内を排気した後(図7(c))、ゲートバルブ12を開いてロードロックチャンバ3からメインチャンバ2内にTFTアレイ基板101を搬入する(図8(a))。 After the gate valve 11 is closed and the load lock chamber 3 is evacuated (FIG. 7C), the gate valve 12 is opened and the TFT array substrate 101 is carried into the main chamber 2 from the load lock chamber 3 (FIG. 8 (FIG. 8 (c)). a)).
ゲートバルブ11を閉じ、メインチャンバ2内において、先に搬入しておいたプローバフレーム10BをTFTアレイ基板101側に移動させて、プローバフレーム10BのコンタクトピンをTFTアレイ基板101の電極端子に接触させてTFTアレイ基板に検査信号を供給し、TFTアレイ基板の検査を行う(図8(b))。 The gate valve 11 is closed, and the prober frame 10B previously carried in the main chamber 2 is moved to the TFT array substrate 101 side, and the contact pins of the prober frame 10B are brought into contact with the electrode terminals of the TFT array substrate 101. Then, an inspection signal is supplied to the TFT array substrate to inspect the TFT array substrate (FIG. 8B).
TFTアレイ基板の検査が終了した後、ロードロックチャンバ3を排気し、ゲートバルブ12を開き、検査済みのTFTアレイ基板101をメインチャンバ2からロードロックチャンバ3に搬出する(図8(c))。 After the inspection of the TFT array substrate is completed, the load lock chamber 3 is evacuated, the gate valve 12 is opened, and the inspected TFT array substrate 101 is carried out from the main chamber 2 to the load lock chamber 3 (FIG. 8C). .
ゲートバルブ12を閉じた後、ロードロックチャンバ3を大気圧に戻し、ゲートバルブ11を開いてTFTアレイ基板101を搬出する。この後は、同種のパネル仕様のTFTアレイ基板について検査を行う。 After the gate valve 12 is closed, the load lock chamber 3 is returned to atmospheric pressure, the gate valve 11 is opened, and the TFT array substrate 101 is unloaded. Thereafter, the TFT array substrate of the same type of panel specification is inspected.
このTFTアレイ基板の検査を行っている間に、プローバフレームストッカ4においてコンタクトピン配置位置変更部5で他方のプローバフレーム10Aのコンタクトピンの配置を、次に検査を行うTFTアレイ基板のパネル仕様に応じて変更しておく(図8(d))。 While the TFT array substrate is being inspected , the contact pin arrangement position changing unit 5 in the prober frame stocker 4 changes the contact pin arrangement of the other prober frame 10A to the panel specification of the TFT array substrate to be inspected next. Changes are made accordingly (FIG. 8D).
次に、本発明のTFTアレイ基板検査装置1において、プローバフレームのピン配置位置の変更および移動動作の別の例について図9〜図10を用いて説明する。 Next, in the TFT array substrate inspection apparatus 1 of the present invention, another example of the change of the pin arrangement position of the prober frame and the movement operation will be described with reference to FIGS.
この動作例は、プローバフレームストッカ内に二つのコンタクトピン配置位置変更部を備える例である。 This operation example is an example in which two contact pin arrangement position changing units are provided in the prober frame stocker.
メインチャンバ2において、プローバフレーム10AによってTFTアレイ基板(図示していない)の検査信号を供給して基板検査を行い、プローバフレームストッカ4において、コンタクトピン配置位置変更部5によってプローバフレーム10Bのコンタクトピンの配置位置を変更する。このとき、プローバフレーム搬送部7の上板7bはロードロックチャンバ3の開放部を閉じている(図9(a))。 In the main chamber 2, an inspection signal for the TFT array substrate (not shown) is supplied by the prober frame 10A to inspect the substrate. In the prober frame stocker 4, the contact pins of the prober frame 10B are changed by the contact pin arrangement position changing unit 5. Change the placement position of. At this time, the upper plate 7b of the prober frame transport unit 7 closes the open part of the load lock chamber 3 (FIG. 9A).
ゲートバルブ12を開いて、メインチャンバ2からロードロックチャンバ3にプローバフレーム10Aを搬出し、ゲートバルブ12を閉じる(図9(b))。 The gate valve 12 is opened, the prober frame 10A is carried out from the main chamber 2 to the load lock chamber 3, and the gate valve 12 is closed (FIG. 9B).
ロードロックチャンバ3内を大気圧に戻した後、プローバフレーム搬送部7を上昇させて、ロードロックチャンバ3の開放部を開き、プローバフレーム支持部7a上に載置したプローバフレーム10Aを、プローバフレームストッカ4のプローバフレーム保持部6Aの高さに位置合わせする(図9(c))。 After returning the load lock chamber 3 to atmospheric pressure, the prober frame transport unit 7 is raised to open the open part of the load lock chamber 3, and the prober frame 10A placed on the prober frame support unit 7a is replaced with the prober frame. The position is aligned with the height of the prober frame holding portion 6A of the stocker 4 (FIG. 9C).
プローバフレーム10Aをプローバフレーム支持部7aからプローバフレームストッカ4のプローバフレーム保持部6Aに移動する(図9(d))。 The prober frame 10A is moved from the prober frame support portion 7a to the prober frame holding portion 6A of the prober frame stocker 4 (FIG. 9 (d)).
プローバフレーム支持部7aをプローバフレームストッカ4のプローバフレーム保持部6Bの高さに位置合わせし(図10(a))、プローバフレーム保持部6B上に載置されたプローバフレーム10Bをプローバフレーム支持部7a上の移動する(図10(b))。 The prober frame support part 7a is aligned with the height of the prober frame holding part 6B of the prober frame stocker 4 (FIG. 10A), and the prober frame 10B placed on the prober frame holding part 6B is replaced with the prober frame support part. It moves on 7a (FIG. 10 (b)).
プローバフレーム搬送部7を下降させ、プローバフレーム10Bをロードロックチャンバ3内に移動させる。このとき、プローバフレーム搬送部7の上板7bはロードロックチャンバ3の開放部を閉じている(図10(c))。 The prober frame transport unit 7 is lowered, and the prober frame 10B is moved into the load lock chamber 3. At this time, the upper plate 7b of the prober frame transport unit 7 closes the open part of the load lock chamber 3 (FIG. 10C).
ロードロックチャンバ3内を排気した後、ゲートバルブ12を開いて、プローバフレーム10Bをロードロックチャンバ3からメインチャンバ2内に搬入する(図10(d))。 After evacuating the load lock chamber 3, the gate valve 12 is opened, and the prober frame 10B is carried into the main chamber 2 from the load lock chamber 3 (FIG. 10D).
以後、前記図8で示した動作と同様に、ゲートバルブ11を閉じてロードロックチャンバ3内を排気した後、ゲートバルブ12を開いてロードロックチャンバ3からメインチャンバ2内にTFTアレイ基板101を搬入する。 Thereafter, similarly to the operation shown in FIG. 8, after the gate valve 11 is closed and the load lock chamber 3 is exhausted, the gate valve 12 is opened and the TFT array substrate 101 is moved from the load lock chamber 3 into the main chamber 2. Carry in.
ゲートバルブ11を閉じ、メインチャンバ2内において、先に搬入しておいたプローバフレーム10BをTFTアレイ基板101側に移動させて、プローバフレーム10BのコンタクトピンをTFTアレイ基板101の電極端子に接触させてTFTアレイ基板に検査信号を供給し、TFTアレイ基板の検査を行う。 The gate valve 11 is closed, and the prober frame 10B previously carried in the main chamber 2 is moved to the TFT array substrate 101 side, and the contact pins of the prober frame 10B are brought into contact with the electrode terminals of the TFT array substrate 101. An inspection signal is supplied to the TFT array substrate to inspect the TFT array substrate.
TFTアレイ基板の検査が終了した後、ロードロックチャンバ3を排気し、ゲートバルブ12を開き、検査済みのTFTアレイ基板101をメインチャンバ2からロードロックチャンバ3に搬出する。 After the inspection of the TFT array substrate is completed, the load lock chamber 3 is evacuated, the gate valve 12 is opened, and the inspected TFT array substrate 101 is carried out from the main chamber 2 to the load lock chamber 3.
ゲートバルブ12を閉じた後、ロードロックチャンバ3を大気圧に戻し、ゲートバルブ11を開いてTFTアレイ基板101を搬出する。この後は、同種のパネル仕様のTFTアレイ基板について検査を行う。 After the gate valve 12 is closed, the load lock chamber 3 is returned to atmospheric pressure, the gate valve 11 is opened, and the TFT array substrate 101 is unloaded. Thereafter, the TFT array substrate of the same type of panel specification is inspected.
このTFTアレイ基板を行っている間に、プローバフレームストッカ4においてコンタクトピン配置位置変更部5で他方のプローバフレーム10Aのコンタクトピンの配置を、次に検査を行うTFTアレイ基板のパネル仕様に応じて変更しておく。 While performing this TFT array substrate, the contact pin arrangement position changing unit 5 in the prober frame stocker 4 arranges the contact pins of the other prober frame 10A according to the panel specification of the TFT array substrate to be inspected next. Change it.
上述した本発明のプローバフレームの入れ替え、および基板の入れ替えの何れにおいても、メインチャンバ2内は真空状態を保持することができ、電子銃等の電源を停止させることなく、駆動状態を維持することができる。そのため、電源を停止することで、装置を再度駆動するために要する、いわゆる暖機時間を省くことができ、プローバフレームの交換時における装置のダウンタイムを短くすることができる。 In both the replacement of the prober frame of the present invention and the replacement of the substrate, the main chamber 2 can maintain a vacuum state, and the driving state can be maintained without stopping the power source of the electron gun or the like. Can do. Therefore, by stopping the power supply, the so-called warm-up time required for driving the apparatus again can be omitted, and the downtime of the apparatus when replacing the prober frame can be shortened.
本発明のTFTアレイ基板検査装置は、液晶のTFT基板の検査に限らず真空下で行う検査装置に適用することができ、また、電子線やイオンビームを用いた露光装置、電子顕微鏡等の真空処理室及びロードロック室を利用する装置に適応することができる。 The TFT array substrate inspection apparatus of the present invention can be applied not only to the inspection of a liquid crystal TFT substrate but also to an inspection apparatus that is performed in a vacuum, and is also suitable for an exposure apparatus using an electron beam or an ion beam, a vacuum such as an electron microscope, etc. The present invention can be applied to an apparatus using a processing chamber and a load lock chamber.
1 TFTアレイ基板検査装置
2 メインチャンバ
3 ロードロックチャンバ
4 プローバフレームストッカ
5 コンタクトピン配置位置変更部
6 搬送機構
6A,6B プローバフレーム保持部
7 プローバフレーム搬送部
7a プローバフレーム支持部
7b 上板
8 電子線源
9 検出器
10,10A,10B プローバフレーム
10a フレーム枠
10b フレームバー
10c コンタクトピン
10d コンタクトピンユニット
11,12 ゲートバルブ
20 プローバフレーム
21 検査信号生成部
22 走査制御部
23 プローバフレーム移動制御部
24 検出信号処理部
25 欠陥検出部
26 ピン配置位置制御部
27 プローバフレーム搬送制御部
28 基板搬送制御部
101,101a,101b アレイ基板
102 パネル
103 電極端子
201 アレイ基板検査装置
202 メインチャンバ
203 ロードロックチャンバ
204 プローバフレームストッカ
210,210a,210b、210c プローバフレーム
211、212,213 ゲートバルブ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 TFT array board | substrate inspection apparatus 2 Main chamber 3 Load lock chamber 4 Prober frame stocker 5 Contact pin arrangement position change part 6 Transport mechanism 6A, 6B Prober frame holding part 7 Prober frame conveyance part 7a Prober frame support part 7b Upper plate 8 Electron beam Source 9 Detector 10, 10A, 10B Prober frame 10a Frame frame 10b Frame bar 10c Contact pin 10d Contact pin unit 11, 12 Gate valve 20 Prober frame 21 Inspection signal generator 22 Scan controller 23 Prober frame movement controller 24 Detection signal Processing unit 25 Defect detection unit 26 Pin arrangement position control unit 27 Prober frame conveyance control unit 28 Substrate conveyance control unit 101, 101a, 101b Array substrate 102 Panel 103 Electrode terminal 2 1 array substrate inspecting apparatus 202 main chamber 203 load lock chamber 204 prober frame stocker 210, 210a, 210 b, 210c prober frame 211, 212 and 213 gate valve
Claims (4)
前記プローバフレームは、コンタクトピンの配置位置を変更自在とし、
真空状態でTFTアレイ基板の検査を行うメインチャンバと、
大気側との間及び前記メインチャンバとの間でTFTアレイ基板の搬出入を行うロードロックチャンバと、
前記プローバフレームを格納するプローバフレームストッカとを備え、
前記プローバフレームストッカは、前記プローバフレームのコンタクトピンの配置位置を変更するコンタクトピン配置位置変更部を備え、
前記ロードロックチャンバを通して、二つのプローバフレームを前記プローバフレームストッカと前記メインチャンバとの間で交互に入れ替え、
前記プローバフレームストッカ内において、プローバフレームのコンタクトピンの配置位置を前記コンタクトピン配置位置変更部によって変更し、
前記メインチャンバ内において、プローバフレームのコンタクトピンを通してTFTアレイ基板に検査信号を印加することを特徴とする、TFTアレイ基板検査装置。 In a TFT array inspection apparatus that applies an inspection signal to a TFT array substrate through a contact pin of a prober frame and scans the electron beam on the TFT array substrate for inspection.
The prober frame can freely change the arrangement position of the contact pins,
A main chamber for inspecting the TFT array substrate in a vacuum state;
A load lock chamber for carrying in and out the TFT array substrate between the atmosphere side and the main chamber;
A prober frame stocker for storing the prober frame;
The prober frame stocker includes a contact pin arrangement position changing unit that changes an arrangement position of contact pins of the prober frame,
Through the load lock chamber, the two prober frames are alternately switched between the prober frame stocker and the main chamber,
In the prober frame stocker, the contact pin placement position changing portion changes the contact pin placement position of the prober frame,
An inspection apparatus for a TFT array substrate, wherein an inspection signal is applied to the TFT array substrate through a contact pin of a prober frame in the main chamber.
少なくともTFTアレイ基板の外周を囲むフレーム枠と前記フレーム枠の対向する辺部間において位置を自在とするフレームバーと、
前記フレームバーの長さ方向の任意の位置に着脱自在とするコンタクトピンユニットとを備え、
前記コンタクトピン配置位置変更部は、
前記パネルレイアウト情報のパネル配置に基づいて、フレーム枠の辺部に対して前記フレームバーの位置を変更し、
前記パネルレイアウト情報の電極配置に基づいて、
フレームバーの長さ方向に対して前記コンタクトピンユニットの位置を変更することを特徴とする、請求項2に記載のTFTアレイ基板検査装置。 The prober frame is
A frame bar that surrounds at least the outer periphery of the TFT array substrate and a frame bar that can be freely positioned between opposing sides of the frame frame;
A contact pin unit that is detachable at an arbitrary position in the length direction of the frame bar;
The contact pin arrangement position changing unit is
Based on the panel layout of the panel layout information, change the position of the frame bar relative to the side of the frame,
Based on the electrode layout of the panel layout information,
The TFT array substrate inspection apparatus according to claim 2, wherein a position of the contact pin unit is changed with respect to a length direction of the frame bar.
前記プローバフレーム搬送部は、
プローバフレームを支持するプローバフレーム支持部と、
前記ロードロックチャンバを閉じる天板とを備え、
前記メインチャンバと前記ロードロックチャンバとの間にTFTアレイ基板の搬出入時には、前記天板はロードロックチャンバの上部を閉じることを特徴とする、請求項1から3の何れか一つに記載のTFTアレイ基板検査装置。 Provided with a prober frame transfer section that is alternately replaced with a prober frame between the prober frame stocker and the main chamber;
The prober frame transport unit is
A prober frame support for supporting the prober frame;
A top plate for closing the load lock chamber,
4. The method according to claim 1, wherein when the TFT array substrate is carried in and out between the main chamber and the load lock chamber, the top plate closes an upper portion of the load lock chamber. 5. TFT array substrate inspection equipment.
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