JP5533718B2 - Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、該マスクブランク用の機能膜付基板 - Google Patents
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Description
本発明は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用反射型マスクブランク（以下、本明細書において、「ＥＵＶマスクブランク」という。）、および該マスクブランクの製造に使用される導電膜付基板に関する。
従来、半導体産業において、シリコン基板等に微細なパターンからなる集積回路を形成する上で必要な微細パターンの転写技術として、可視光や紫外光を用いたフォトリソグラフィ法が用いられてきた。しかし、半導体デバイスの微細化が加速している一方で、従来のフォトリソグラフィ法の限界に近づいてきた。フォトリソグラフィ法の場合、パターンの解像限界は露光波長の１／２程度であり、液浸法を用いても露光波長の１／４程度と言われており、ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）の液浸法を用いても４５ｎｍ程度が限界と予想される。そこで４５ｎｍ以降の露光技術として、ＡｒＦレーザよりさらに短波長のＥＵＶ光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。本明細書において、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光線を指し、具体的には波長１０〜２０ｎｍ程度、特に１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線を指す。
ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすく、かつこの波長で物質の屈折率が１に近いため、従来の可視光または紫外光を用いたフォトリソグラフィのような屈折光学系を使用することができない。このため、ＥＵＶ光リソグラフィでは、反射光学系、すなわち反射型フォトマスクとミラーとが用いられる。
マスクブランクは、フォトマスク製造に用いられるパターニング前の積層体である。ＥＵＶマスクブランクの場合、ガラス製等の基板上にＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とがこの順で形成された構造を有している。反射層としては、高屈折層であるモリブデン（Ｍｏ）層と低屈折層であるケイ素（Ｓｉ）層とを交互に積層することで、ＥＵＶ光を層表面に照射した際の光線反射率が高められたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が通常使用される。
吸収層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、クロム（Ｃｒ）やタンタル（Ｔａ）を主成分とする材料が用いられる。
吸収層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、クロム（Ｃｒ）やタンタル（Ｔａ）を主成分とする材料が用いられる。
多層反射膜および吸収層は、イオンビームスパッタリング法やマグネトロンスパッタリング法を用いてガラス基板の光学面上に成膜される。多層反射膜および吸収層を成膜する際、ガラス基板は支持手段によって保持される。ガラス基板の支持手段として、機械的チャックおよび静電チャックがあるが、発塵性の問題から、静電チャックが好ましく用いられる。また、マスクパターニングプロセス時、あるいは露光時のマスクハンドリングの際にも、ガラス基板の支持手段として静電チャックが用いられる。
静電チャックは、半導体装置の製造プロセスにおいて、シリコンウェハの支持手段として従来用いられている技術である。このため、ガラス基板のように、誘電率および導電率の低い基板の場合、シリコンウェハの場合と同程度のチャック力を得るには、高電圧を印加する必要があるため、絶縁破壊を生じる危険性がある。
このような問題を解消するため、特許文献１には、基板の静電チャッキングを促進する層として、通常のＣｒ以外の材料、例えばＳｉ，Ｍｏ，オキシ窒化クロム（ＣｒＯＮ）、又はＴａＳｉのような、ガラス基板よりも高い誘電率および高い導電率の物質の裏面コーティング（裏面導電膜）を有するマスク基板が記載されている。
このような問題を解消するため、特許文献１には、基板の静電チャッキングを促進する層として、通常のＣｒ以外の材料、例えばＳｉ，Ｍｏ，オキシ窒化クロム（ＣｒＯＮ）、又はＴａＳｉのような、ガラス基板よりも高い誘電率および高い導電率の物質の裏面コーティング（裏面導電膜）を有するマスク基板が記載されている。
近年、反射型フォトマスク用のマスクブランクにおいて、パターンが微細化するにつれて、吸収層の厚みによるＳｈａｄｏｗｉｎｇの影響（パターン精度の悪化）が問題となっており、このＳｈｏｄｏｗｉｎｇの影響を抑制するために吸収層の薄膜化が検討されている。これは、反射層表面と吸収層表面とのＥＵＶ反射光の位相効果を利用することにより、吸収層の薄膜化を達成する技術である。すなわち、吸収層を薄膜化することにより、吸収層表面のＥＵＶ反射光は増大するが、吸収層表面の反射光と反射層表面の反射光と位相を１８０度ずらすことにより、Ｓｉウエハ上で十分なパターンコントラストを得ることができる。しかしながら、パターン形成領域においては、前記の位相効果が利用することにより吸収層を薄膜化できるが、非パターン形成領域（露光領域の外周部）では十分な位相効果が得られないため、ＥＵＶリソグラフィを実施した際にＳｉウエハ上の不必要なレジストが感光するという問題が生じる。これを解決する手法として、露光領域の外周部の吸収層及び反射層をエッチングで除去する技術がある（特許文献２）。この技術によれば、露光領域の外周部はガラス表面が露出するため、ＥＵＶ光は反射されず、Ｓｉウエハ上の不必要なレジストの感光を防ぐことができる。
しかしながら、ＥＵＶ露光に用いられる光源には、ＥＵＶ波長（１０〜２０ｎｍ程度）の光だけでなく、真空紫外光領域（波長１９０〜４００ｎｍ）の光も含まれているため、露光領域の外周部の吸収層および反射層をエッチングしてガラス表面を露出させた場合、ガラス基板を透過した真空紫外領域の光が裏面導電膜で反射されて反射光を生じ、この反射光によってＳｉウエハ上の不必要なレジストが感光してしまい、パターン精度が悪化するという問題が引き起こされる。このような問題を防止するためには、真空紫外光領域（波長１９０〜４００ｎｍ）の反射率を１０％以下とすることが求められる。
上記した従来技術の問題点を解決するため、本発明は、裏面導電膜からの真空紫外領域の反射光を抑制することができるＥＵＶマスクブランクス用の導電膜付基板を提供することを目的とする。
また、本発明は、該導電膜付基板を用いたＥＵＶマスクブランクの多層反射膜付基板、およびＥＵＶマスクブランクを提供することを目的とする。
また、本発明は、該導電膜付基板を用いたＥＵＶマスクブランクの多層反射膜付基板、およびＥＵＶマスクブランクを提供することを目的とする。
本発明者は、ガラス基板と導電膜との間に、特定の光学条件を満たす中間膜を設け
ることにより、裏面導電膜側からの真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射を抑制し、真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率を１０％以下にすることができることを見出した。
ることにより、裏面導電膜側からの真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射を抑制し、真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率を１０％以下にすることができることを見出した。
本発明は、上記の知見に基づいてなされたものであり、ガラス基板上に導電膜が形成された、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される導電膜付基板であって、前記ガラス基板と導電膜との間に中間膜を有し、前記中間膜は、波長１９０ｎｍ〜４００ｎｍに対して、屈折率（ｎ）が１．４７から３．００の範囲で、消衰係数（ｋ）が０から１．０の範囲であり、前記中間膜および前記導電膜の合計膜厚が５０〜２００ｎｍであることを特徴とする導電膜付基板を提供する。
本発明の導電膜付基板において、前記中間膜は、クロム（Ｃｒ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群から選ばれる少なくとも１つと、酸素（Ｏ）と、を含有し、クロム（Ｃｒ）およびタンタル（Ｔａ）の合計含有率が１０〜９０ａｔ％であり、酸素（Ｏ）の含有率が１０〜９０ａｔ％であることが好ましい。
また、本発明の導電膜付基板において、前記中間膜は、クロム（Ｃｒ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群から選ばれる少なくとも１つと、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、クロム（Ｃｒ）およびタンタル（Ｔａ）の合計含有率が１０〜８０ａｔ％であり、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）の合計含有率が２０〜９０ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が、Ｏ：Ｎ＝９：１〜５：５であることが好ましい。
また、本発明の導電膜付基板において、前記導電膜は、クロム（Ｃｒ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群から選ばれる少なくとも１つと、窒素（Ｎ）と、を含み、クロム（Ｃｒ）およびタンタル（Ｔａ）の合計含有率が６０ａｔ％以上９９．９ａｔ％未満であり、窒素（Ｎ）の含有率が０．１ａｔ％以上４０ａｔ％未満であることが好ましい。
また、本発明の導電膜付基板において、前記中間膜および前記導電膜の合計膜厚が５０〜１９５ｎｍであることが好ましく、５０〜１９０ｎｍであることがより好ましく、５０〜１００ｎｍであることがさらに好ましく、５０〜９５ｎｍであることがさらに好ましく、５０〜９０ｎｍであることが特に好ましい。
また、本発明の導電膜付基板において、前記中間膜および導電膜のシート抵抗値が０．１〜１００Ω／□であることが好ましい。
また、本発明は、本発明の導電膜付基板の前記導電膜が設けられた面に対して、反対側に多層反射膜を形成してなるＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの多層反射膜付基板を提供する。
また、本発明は、本発明の多層反射膜付基板の多層反射膜上に吸収層を形成してなるＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクを提供する。
また、本発明は、本発明のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクをパターニングしたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクを提供する。
本発明の導電膜付基板によれば、裏面導電膜側からの真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射を抑制し、真空紫外領域（波長１９０〜４００ｎｍ）の反射率を１０％以下にすることができる。
このため、本発明の導電膜付基板を用いて作成したＥＵＶマスクにおいて、露光領域の外周部の吸収層および反射層をエッチングして、ガラス基板を露出した場合に、露光領域の外周部からの真空紫外領域の反射光によって、Ｓｉウエハ上の不必要なレジストが感光することが抑制され、パターン精度が向上する。
このため、本発明の導電膜付基板を用いて作成したＥＵＶマスクにおいて、露光領域の外周部の吸収層および反射層をエッチングして、ガラス基板を露出した場合に、露光領域の外周部からの真空紫外領域の反射光によって、Ｓｉウエハ上の不必要なレジストが感光することが抑制され、パターン精度が向上する。
以下、図面を参照して本発明を説明する。図１は、本発明の導電膜付基板の模式図である。図１において、成膜用のガラス基板１の一方の面側には導電膜２が形成されている。基板１に多層反射膜および吸収層を成膜する際、ガラス基板１は導電膜２を介して静電チャックに固定される。後で述べるように、多層反射膜および吸収層は、ガラス基板１の導電膜２が形成されている面に対して反対側（成膜面）に成膜される。要するに、導電膜２は、ガラス基板１の成膜面に対して裏面側に形成された裏面導電膜である。
本発明の導電膜付基板では、ガラス基板１と導電膜２との間に、以下に述べる光学特性を満たす中間膜３が形成されることで、導電膜２からの真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射光を抑制し、真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率を１０％以下とする。なお、ここで言う導電膜２からの反射光とは、図中下方から導電膜２表面に入射した光が該導電膜２表面で反射されることによって生じるものではなく、図中上方から基板１を透過してきた光が、基板１と導電膜２との界面で反射されることによって生じるものを言う。
本発明の導電膜付基板では、ガラス基板１と導電膜２との間に、以下に述べる光学特性を満たす中間膜３が形成されることで、導電膜２からの真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射光を抑制し、真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率を１０％以下とする。なお、ここで言う導電膜２からの反射光とは、図中下方から導電膜２表面に入射した光が該導電膜２表面で反射されることによって生じるものではなく、図中上方から基板１を透過してきた光が、基板１と導電膜２との界面で反射されることによって生じるものを言う。
真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の光に対するガラス基板１、中間膜３および導電膜２の屈折率をそれぞれＮ1、Ｎ3、Ｎ2とするとき、中間膜３表面（ガラス基板１と中間膜３との界面）の反射率Ｒ3および導電膜２表面（中間膜３と導電膜２との界面）の反射率Ｒ2は、それぞれ下記のように表される。
（式１） Ｒ3＝（Ｎ1−Ｎ3）／（Ｎ1＋Ｎ3）
（式２） Ｒ2＝（Ｎ3−Ｎ2）／（Ｎ3＋Ｎ2）
ここで、Ｒ3とＲ2が等しいとき、真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の光に対して低反射特性が得られることとなる。このときの最適な中間膜３の屈折率Ｎ3は以下の（式３）で表される。
（式３） Ｎ3＝（Ｎ1Ｎ2）1/2
（式１） Ｒ3＝（Ｎ1−Ｎ3）／（Ｎ1＋Ｎ3）
（式２） Ｒ2＝（Ｎ3−Ｎ2）／（Ｎ3＋Ｎ2）
ここで、Ｒ3とＲ2が等しいとき、真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の光に対して低反射特性が得られることとなる。このときの最適な中間膜３の屈折率Ｎ3は以下の（式３）で表される。
（式３） Ｎ3＝（Ｎ1Ｎ2）1/2
ＥＵＶマスクブランクのガラス基板１には、ドーパントとしてＴｉＯ2を含むシリカガラス（ＳｉＯ2−ＴｉＯ2ガラス）が、石英ガラスよりも小さい線熱膨張係数（Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ；ＣＴＥ）を有する超低熱膨張材料として知られ、またガラス中のＴｉＯ2含有量によって線熱膨張係数を制御することにより、線熱膨張係数が０に近いゼロ膨張ガラスが得られることから、好ましく用いられる。ＳｉＯ2−ＴｉＯ2ガラス基板の真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の光に対する屈折率（Ｎ1）は１．４５〜１．６５の範囲に含まれる。
一方、ＥＵＶマスクブランクの裏面導電膜には、ガラス基板よりも高い誘電率および導電率を有することが求められることから、Ｃｒ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｔｉおよびこれらの窒素化物などの金属性膜（例えば、ＣｒＮ膜）が使用される。これらの金属性膜の真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の光に対する屈折率（Ｎ2）は、１．５〜５．５の範囲に含まれる。
上記のＮ1およびＮ2の範囲と、（式３）と、から、中間膜３の屈折率（Ｎ3）は、１．４７〜３．００が好ましいことになる。
一方、ＥＵＶマスクブランクの裏面導電膜には、ガラス基板よりも高い誘電率および導電率を有することが求められることから、Ｃｒ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｔｉおよびこれらの窒素化物などの金属性膜（例えば、ＣｒＮ膜）が使用される。これらの金属性膜の真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の光に対する屈折率（Ｎ2）は、１．５〜５．５の範囲に含まれる。
上記のＮ1およびＮ2の範囲と、（式３）と、から、中間膜３の屈折率（Ｎ3）は、１．４７〜３．００が好ましいことになる。
さらに、真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の光に対して上記の低反射特性を得る、すなわち、真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率を１０％以下とするのに最適な中間膜３の膜厚は、（式４）から算出される。
（式４） ２Ｎ3ｄ3＝λ／２
ここで、ｄ3は中間膜３の膜厚を表わす。
中間膜３での光の吸収が無いと仮定した場合、中間膜３の膜厚ｄ3は１５ｎｍ〜７０ｎｍの範囲で選択することができることになる。
しかしながら、現実には、中間膜３での光の吸収は不可避であるため、中間膜３の消衰係数（ｋ3）も考慮する必要がある。
ここで、中間膜３の消衰係数（ｋ3）が大きい場合、真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の光に対して十分な低反射特性が得られないため、中間膜３の消衰係数（ｋ3）は０以上、１．０以下の範囲が望ましい。その理由を以下に示す。
（式４） ２Ｎ3ｄ3＝λ／２
ここで、ｄ3は中間膜３の膜厚を表わす。
中間膜３での光の吸収が無いと仮定した場合、中間膜３の膜厚ｄ3は１５ｎｍ〜７０ｎｍの範囲で選択することができることになる。
しかしながら、現実には、中間膜３での光の吸収は不可避であるため、中間膜３の消衰係数（ｋ3）も考慮する必要がある。
ここで、中間膜３の消衰係数（ｋ3）が大きい場合、真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の光に対して十分な低反射特性が得られないため、中間膜３の消衰係数（ｋ3）は０以上、１．０以下の範囲が望ましい。その理由を以下に示す。
図２、３は、ガラス基板１をＳｉＯ2−ＴｉＯ2ガラス基板（厚さ６．３５ｍｍ）、裏面導電膜２をＣｒＮ膜（厚さ５０ｎｍ）とした場合における、中間膜３の膜厚（１５〜７５ｎｍ）および消衰係数（ｋ3）をパラメータとしたときの、波長４００ｎｍの反射率を示す。なお、ここでいう反射率とは、図１の上方、すなわち、ガラス基板１の成膜面側から光線を入射した場合の反射率である。また、上記したガラス基板１および裏面導電膜２の膜厚は、ＥＵＶマスクブランクにおける一般的な膜厚である。
図２は中間膜３の屈折率（Ｎ3）を上記した好適範囲（１．４７〜３．００）の下限（１．４７）とした場合の反射率、図３は中間膜３の屈折率（Ｎ3）を上記した好適範囲（１．４７〜３．００）の上限（３．００）とした場合の反射率である。図から明らかなように、中間膜３の屈折率（Ｎ3）が大きい場合（図３）、ｋ3＝１．１であっても反射率が１０％以下となる中間膜３の膜厚は存在するが、中間膜３の屈折率（Ｎ3）が小さい場合（図２）、ｋ3＝１．１だと反射率１０％以下となる中間膜３の膜厚は存在しない。一方、ｋ3≦１．０であれば、中間膜３の屈折率（Ｎ3）が小さい場合（図２）、反射率が１０％以下となる中間膜３の膜厚は存在する。すなわち、ｋ3≦１．０であれば、中間膜３の屈折率（Ｎ3）が上記した好適範囲（１．４７〜３．００）で、反射率を１０％以下にする中間膜３の膜厚が存在する。別の言い方をすると、ｋ3≦１．０であれば、中間膜３の屈折率（Ｎ3）が上記した好適範囲（１．４７〜３．００）である場合、中間膜３の膜厚を調節することで反射率を１０％以下とすることができる。なお、消衰係数の下限は０であるので、上記の「ｋ3≦１．０」は、０≦ｋ3≦１．０を意味する。
図２は中間膜３の屈折率（Ｎ3）を上記した好適範囲（１．４７〜３．００）の下限（１．４７）とした場合の反射率、図３は中間膜３の屈折率（Ｎ3）を上記した好適範囲（１．４７〜３．００）の上限（３．００）とした場合の反射率である。図から明らかなように、中間膜３の屈折率（Ｎ3）が大きい場合（図３）、ｋ3＝１．１であっても反射率が１０％以下となる中間膜３の膜厚は存在するが、中間膜３の屈折率（Ｎ3）が小さい場合（図２）、ｋ3＝１．１だと反射率１０％以下となる中間膜３の膜厚は存在しない。一方、ｋ3≦１．０であれば、中間膜３の屈折率（Ｎ3）が小さい場合（図２）、反射率が１０％以下となる中間膜３の膜厚は存在する。すなわち、ｋ3≦１．０であれば、中間膜３の屈折率（Ｎ3）が上記した好適範囲（１．４７〜３．００）で、反射率を１０％以下にする中間膜３の膜厚が存在する。別の言い方をすると、ｋ3≦１．０であれば、中間膜３の屈折率（Ｎ3）が上記した好適範囲（１．４７〜３．００）である場合、中間膜３の膜厚を調節することで反射率を１０％以下とすることができる。なお、消衰係数の下限は０であるので、上記の「ｋ3≦１．０」は、０≦ｋ3≦１．０を意味する。
この関係は、真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）で波長を変えた場合も同様の傾向であり、０≦ｋ3≦１．０であれば、真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）のいずれの波長に対しても、中間膜３の屈折率（Ｎ3）が上記した好適範囲（１．４７〜３．００）である場合、反射率を１０％以下となる中間膜３の膜厚が存在する。
なお、裏面導電膜として十分な導電性を得るためには、導電膜２は４０ｎｍ以上の膜厚が必要であること、および、裏面導電膜として用いられる上記した金属性膜の波長１９０〜４００ｎｍに対する消衰係数は十分大きいことから、導電膜２の裏面（図中、下側の面）からの反射は十分小さくなる。
そのため、真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の光に対して十分な低反射特性を得るために、導電膜２の消衰係数を考慮する必要はない。
なお、裏面導電膜として十分な導電性を得るためには、導電膜２は４０ｎｍ以上の膜厚が必要であること、および、裏面導電膜として用いられる上記した金属性膜の波長１９０〜４００ｎｍに対する消衰係数は十分大きいことから、導電膜２の裏面（図中、下側の面）からの反射は十分小さくなる。
そのため、真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の光に対して十分な低反射特性を得るために、導電膜２の消衰係数を考慮する必要はない。
中間膜３は、屈折率（Ｎ3）、および、消衰係数（ｋ3）が上記範囲を満たすことに加えて、基板１からの膜剥がれを起こしにくく、欠点の発生を抑制するのに効果的という観点から、ガラス基板との密着性が良好であることが求められる。
上記を満たす中間膜３としては、クロム（Ｃｒ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群から選ばれる少なくとも１つと、酸素（Ｏ）を含有する中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｏ）が挙げられる。このような中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｏ）の具体例としては、ＣｒＯ膜、ＴａＯ膜、および、ＣｒＴａＯ膜が挙げられる。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｏ）において、クロム（Ｃｒ）およびタンタル（Ｔａ）の合計含有率が１０〜９０ａｔ％であり、酸素（Ｏ）の含有率が１０〜９０ａｔ％である。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｏ）におけるＣｒおよびＴａの合計含有率が１０ａｔ％未満だと、スパッタ成膜時に放電が不安定となり、異常放電が起こるため、安定した成膜が困難となるなどの問題がある。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｏ）におけるＣｒおよびＴａの合計含有率が９０ａｔ％超だと、上記の光学条件（屈折率（Ｎ3）、消衰係数（ｋ3））を満たすことができない、特に吸収係数（ｋ3）が１．０より大きくなるなどの問題がある。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｏ）におけるＯの含有率が１０ａｔ％未満だと、上記の光学条件（屈折率（Ｎ3）、消衰係数（ｋ3））を満たすことができない、特に吸収係数（ｋ3）が１．０より大きくなるなどの問題がある。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｏ）におけるＯの含有率が９０ａｔ％超だと、スパッタ成膜時に放電が不安定となり、異常放電が起こるため、安定した成膜が困難となるなどの問題がある。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｏ）は、ＣｒおよびＴａの合計含有率が１０〜８５ａｔ％であることが好ましく、１５〜８５ａｔ％であることがより好ましく、１５〜８０ａｔ％であることがさらに好ましい。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｏ）は、Ｏの含有率が１５〜９０ａｔ％であることが好ましく、１５〜８５ａｔ％であることがより好ましく、２０〜８５ａｔ％であることがさらに好ましい。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｏ）において、クロム（Ｃｒ）およびタンタル（Ｔａ）の合計含有率が１０〜９０ａｔ％であり、酸素（Ｏ）の含有率が１０〜９０ａｔ％である。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｏ）におけるＣｒおよびＴａの合計含有率が１０ａｔ％未満だと、スパッタ成膜時に放電が不安定となり、異常放電が起こるため、安定した成膜が困難となるなどの問題がある。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｏ）におけるＣｒおよびＴａの合計含有率が９０ａｔ％超だと、上記の光学条件（屈折率（Ｎ3）、消衰係数（ｋ3））を満たすことができない、特に吸収係数（ｋ3）が１．０より大きくなるなどの問題がある。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｏ）におけるＯの含有率が１０ａｔ％未満だと、上記の光学条件（屈折率（Ｎ3）、消衰係数（ｋ3））を満たすことができない、特に吸収係数（ｋ3）が１．０より大きくなるなどの問題がある。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｏ）におけるＯの含有率が９０ａｔ％超だと、スパッタ成膜時に放電が不安定となり、異常放電が起こるため、安定した成膜が困難となるなどの問題がある。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｏ）は、ＣｒおよびＴａの合計含有率が１０〜８５ａｔ％であることが好ましく、１５〜８５ａｔ％であることがより好ましく、１５〜８０ａｔ％であることがさらに好ましい。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｏ）は、Ｏの含有率が１５〜９０ａｔ％であることが好ましく、１５〜８５ａｔ％であることがより好ましく、２０〜８５ａｔ％であることがさらに好ましい。
なお、中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｏ）は、必要に応じてＣｒおよびＴａからなる群から選ばれる少なくとも１つと、Ｏ以外の元素を含んでいてもよい。この場合、上記の中間膜に含める元素は、上記した中間膜３に要求される特性を満たす必要がある。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｏ）に含めることができる元素の一例として、窒素（Ｎ）が挙げられる。上記の中間膜がＮを含有することにより、中間膜表面の平滑性が向上すると考えられる。中間膜表面の平滑性が向上すると、該中間膜上に形成される導電膜についても表面の平滑性が向上することが期待される。
このような中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）の具体例としては、ＣｒＯＮ膜、ＴａＯＮ膜、および、ＣｒＴａＯＮ膜が挙げられる。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｏ）に含めることができる元素の一例として、窒素（Ｎ）が挙げられる。上記の中間膜がＮを含有することにより、中間膜表面の平滑性が向上すると考えられる。中間膜表面の平滑性が向上すると、該中間膜上に形成される導電膜についても表面の平滑性が向上することが期待される。
このような中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）の具体例としては、ＣｒＯＮ膜、ＴａＯＮ膜、および、ＣｒＴａＯＮ膜が挙げられる。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）は、ＣｒおよびＴａの合計含有率が２０〜８０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が２０〜８０ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であることが好ましい。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）におけるＣｒおよびＴａの合計含有率が２０ａｔ％未満であると、スパッタ成膜時に放電が不安定となり、異常放電が起こるため、安定した成膜が困難となるなどの問題がある。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）におけるＣｒおよびＴａの合計含有率が８０ａｔ％超だと、上記の光学条件（屈折率（Ｎ3）、消衰係数（ｋ3））を満たすことができない、特に吸収係数（ｋ3）が１．０より大きくなるなどの問題がある。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）におけるＯおよびＮの含有率が２０ａｔ％未満だと、上記の光学条件（屈折率（Ｎ3）、消衰係数（ｋ3））を満たすことができない、特に吸収係数（ｋ3）が１．０より大きくなるなどの問題がある。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）におけるＯおよびＮの含有率が８０ａｔ％超だと、スパッタ成膜時に放電が不安定となり、異常放電が起こるため、安定した成膜が困難となるなどの問題がある。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）のＯが上記組成比より低い場合、上記の光学条件（屈折率（Ｎ3）、消衰係数（ｋ3））を満たすことができない、特に吸収係数（ｋ3）が１．０より大きくなるなどの問題がある。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）のＯが上記組成比より高い場合、Ｎ添加による中間膜表面の平滑性が向上する効果が十分に得られないなどの問題がある。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）におけるＣｒおよびＴａの合計含有率が２０ａｔ％未満であると、スパッタ成膜時に放電が不安定となり、異常放電が起こるため、安定した成膜が困難となるなどの問題がある。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）におけるＣｒおよびＴａの合計含有率が８０ａｔ％超だと、上記の光学条件（屈折率（Ｎ3）、消衰係数（ｋ3））を満たすことができない、特に吸収係数（ｋ3）が１．０より大きくなるなどの問題がある。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）におけるＯおよびＮの含有率が２０ａｔ％未満だと、上記の光学条件（屈折率（Ｎ3）、消衰係数（ｋ3））を満たすことができない、特に吸収係数（ｋ3）が１．０より大きくなるなどの問題がある。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）におけるＯおよびＮの含有率が８０ａｔ％超だと、スパッタ成膜時に放電が不安定となり、異常放電が起こるため、安定した成膜が困難となるなどの問題がある。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）のＯが上記組成比より低い場合、上記の光学条件（屈折率（Ｎ3）、消衰係数（ｋ3））を満たすことができない、特に吸収係数（ｋ3）が１．０より大きくなるなどの問題がある。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）のＯが上記組成比より高い場合、Ｎ添加による中間膜表面の平滑性が向上する効果が十分に得られないなどの問題がある。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）は、ＣｒおよびＴａの合計含有率が２０〜７８ａｔ％であることが好ましく、２２〜７８ａｔ％であることがより好ましく、２２〜７５ａｔ％であることがさらに好ましい。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）は、ＯおよびＮの合計含有率が２２〜８０ａｔ％であることが好ましく、ＣｒおよびＴａの合計含有率が２２〜７８ａｔ％であることがより好ましく、２５〜７８ａｔ％であることがさらに好ましい。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）は、ＯとＮの組成比が８．８：１．２〜５．２：４．８であることが好ましく、８．５：１．５〜５．５：４．５であることがより好ましく、８：２〜６：４であることがさらに好ましい。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）は、ＯおよびＮの合計含有率が２２〜８０ａｔ％であることが好ましく、ＣｒおよびＴａの合計含有率が２２〜７８ａｔ％であることがより好ましく、２５〜７８ａｔ％であることがさらに好ましい。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）は、ＯとＮの組成比が８．８：１．２〜５．２：４．８であることが好ましく、８．５：１．５〜５．５：４．５であることがより好ましく、８：２〜６：４であることがさらに好ましい。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）は、その結晶状態はアモルファスであり、その表面が平滑性に優れている。具体的には、中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下である。
詳しくは後述するが、導電膜表面の平滑性に優れることが、導電膜付基板を静電チャックで吸着保持した際に、静電チャックと導電膜との擦れによるパーティクルの発生を防止するうえで好ましい。中間膜表面の平滑性が向上すると、該中間膜上に形成される導電膜についても表面の平滑性が向上することが期待される。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であれば、中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）表面が十分平滑であるため、該該中間膜上に形成される導電膜表面の表面粗さ（ｒｍｓ）も０．５ｎｍ以下になることが期待される。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）表面の表面粗さ（ｒｍｓ）は０．４ｎｍ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
なお、中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）の結晶状態がアモルファスであること、すなわち、アモルファス構造であること、または微結晶構造であることは、Ｘ線回折（ＸＲＤ）法によって確認することができる。中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）の結晶状態がアモルファス構造であるか、または微結晶構造であれば、ＸＲＤ測定により得られる回折ピークにシャープなピークが見られない。
詳しくは後述するが、導電膜表面の平滑性に優れることが、導電膜付基板を静電チャックで吸着保持した際に、静電チャックと導電膜との擦れによるパーティクルの発生を防止するうえで好ましい。中間膜表面の平滑性が向上すると、該中間膜上に形成される導電膜についても表面の平滑性が向上することが期待される。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であれば、中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）表面が十分平滑であるため、該該中間膜上に形成される導電膜表面の表面粗さ（ｒｍｓ）も０．５ｎｍ以下になることが期待される。
中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）表面の表面粗さ（ｒｍｓ）は０．４ｎｍ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
なお、中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）の結晶状態がアモルファスであること、すなわち、アモルファス構造であること、または微結晶構造であることは、Ｘ線回折（ＸＲＤ）法によって確認することができる。中間膜（Ｃｒ，Ｔａ：ＯＮ）の結晶状態がアモルファス構造であるか、または微結晶構造であれば、ＸＲＤ測定により得られる回折ピークにシャープなピークが見られない。
中間膜３は、導電膜２との合計膜厚が５０〜２００ｎｍである。上述したように、裏面導電膜として十分な導電性を得るためには、導電膜２は４０ｎｍ以上の膜厚が必要であることから、導電膜２と中間膜３との合計膜厚が５０ｎｍ未満だと、中間膜３の膜厚が小さくなりすぎるため、導電膜２側からの真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射を十分抑制することができず、真空紫外領域（波長１９０〜４００ｎｍ）の反射率を１０％以下とすることができない。
導電膜２と中間膜３との合計膜厚が２００ｎｍ超である場合、膜厚の増加は導電膜２および中間膜３の機能の向上にはもはや寄与せず、導電膜２および中間膜３の形成に要する時間が増加し、導電膜２および中間膜３の形成に要するコストが増加する。また、導電膜２および中間膜３の合計膜厚が必要以上に大きくなるため、膜剥れが発生するおそれが増加する。
導電膜２と中間膜３との合計膜厚は５０〜１９５ｎｍであることが好ましく、５０〜１９０ｎｍであることがより好ましく、５０〜１００ｎｍであることがさらに好ましく、５０〜９５ｎｍであることがさらに好ましく、５０〜９０ｎｍであることが特に好ましい。
中間膜３の膜厚は１０〜５０ｎｍであることが好ましく、１０〜４５ｎｍであることがより好ましく、１０〜４０ｎｍであることがさらに好ましい。
導電膜２と中間膜３との合計膜厚が２００ｎｍ超である場合、膜厚の増加は導電膜２および中間膜３の機能の向上にはもはや寄与せず、導電膜２および中間膜３の形成に要する時間が増加し、導電膜２および中間膜３の形成に要するコストが増加する。また、導電膜２および中間膜３の合計膜厚が必要以上に大きくなるため、膜剥れが発生するおそれが増加する。
導電膜２と中間膜３との合計膜厚は５０〜１９５ｎｍであることが好ましく、５０〜１９０ｎｍであることがより好ましく、５０〜１００ｎｍであることがさらに好ましく、５０〜９５ｎｍであることがさらに好ましく、５０〜９０ｎｍであることが特に好ましい。
中間膜３の膜厚は１０〜５０ｎｍであることが好ましく、１０〜４５ｎｍであることがより好ましく、１０〜４０ｎｍであることがさらに好ましい。
中間膜３の形成手順を以下に示す。
中間膜３が、ＣｒＯ膜の場合、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスで希釈した酸素（Ｏ2）雰囲気中でＣｒターゲットを放電させることによって形成する。
中間膜３が、ＴａＯ膜の場合、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスで希釈した酸素（Ｏ2）雰囲気中でＴａターゲットを放電させることによって形成する。
中間膜３が、ＣｒＯ膜の場合、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスで希釈した酸素（Ｏ2）雰囲気中でＣｒターゲットを放電させることによって形成する。
中間膜３が、ＴａＯ膜の場合、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスで希釈した酸素（Ｏ2）雰囲気中でＴａターゲットを放電させることによって形成する。
中間膜３が、ＣｒＯＮ膜の場合、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスで希釈した酸素（Ｏ2）および窒素（Ｎ2）雰囲気中で、Ｃｒターゲットを用いたスパッタリング法、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法を実施することにより形成できる。または、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスで希釈した窒素（Ｎ2）雰囲気中でＣｒターゲットを放電させてＣｒＮ膜を形成した後、例えば酸素プラズマ中にさらしたり、酸素を用いたイオンビームを照射することによって、形成された膜を酸化することにより、ＣｒＯＮ膜としてもよい。
中間膜３が、ＴａＯＮ膜の場合、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスで希釈した酸素（Ｏ2）および窒素（Ｎ2）雰囲気中で、Ｔａターゲットを用いたスパッタリング法、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法を実施することにより形成できる。または、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスで希釈した窒素（Ｎ2）雰囲気中でＴａターゲットを放電させてＴａＮ膜を形成した後、例えば酸素プラズマ中にさらしたり、酸素を用いたイオンビームを照射することによって、形成された膜を酸化することにより、ＴａＯＮ膜としてもよい。
中間膜３が、ＴａＯＮ膜の場合、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスで希釈した酸素（Ｏ2）および窒素（Ｎ2）雰囲気中で、Ｔａターゲットを用いたスパッタリング法、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法を実施することにより形成できる。または、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスで希釈した窒素（Ｎ2）雰囲気中でＴａターゲットを放電させてＴａＮ膜を形成した後、例えば酸素プラズマ中にさらしたり、酸素を用いたイオンビームを照射することによって、形成された膜を酸化することにより、ＴａＯＮ膜としてもよい。
上記した方法で中間膜３を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
ＣｒＯ膜、ＴａＯ膜を形成する場合
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜６０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜４０ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-1Ｐａ〜５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：０．０１〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．０５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは０．１〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
ＣｒＯＮ膜、ＴａＯＮ膜を形成する場合
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度５〜８０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度５〜７５ｖｏｌ％、好ましくはＯ2ガス濃度６〜７０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度６〜３５ｖｏｌ％、より好ましくはＯ2ガス濃度１０〜３０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度１０〜３０ｖｏｌ％。Ａｒガス濃度５〜９０ｖｏｌ％、好ましくは１０〜８８ｖｏｌ％、より好ましくは２０〜８０ｖｏｌ％、ガス圧１．０×１０-1Ｐａ〜５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：０．０１〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．０５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは０．１〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
なお、アルゴン以外の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの濃度が上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。また、複数種類の不活性ガスを使用する場合、不活性ガスの合計濃度を上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。
ＣｒＯ膜、ＴａＯ膜を形成する場合
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜６０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜４０ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-1Ｐａ〜５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：０．０１〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．０５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは０．１〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
ＣｒＯＮ膜、ＴａＯＮ膜を形成する場合
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度５〜８０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度５〜７５ｖｏｌ％、好ましくはＯ2ガス濃度６〜７０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度６〜３５ｖｏｌ％、より好ましくはＯ2ガス濃度１０〜３０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度１０〜３０ｖｏｌ％。Ａｒガス濃度５〜９０ｖｏｌ％、好ましくは１０〜８８ｖｏｌ％、より好ましくは２０〜８０ｖｏｌ％、ガス圧１．０×１０-1Ｐａ〜５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：０．０１〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．０５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは０．１〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
なお、アルゴン以外の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの濃度が上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。また、複数種類の不活性ガスを使用する場合、不活性ガスの合計濃度を上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。
導電膜２としては、ＣｒおよびＴａからなる群から選ばれる少なくとも１つと、Ｎと、を含む導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）が好ましい。導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）において、ＣｒおよびＴａの合計含有率が６０ａｔ％以上９９．９ａｔ％未満であり、Ｎの含有率が０．１ａｔ％以上４０ａｔ％未満である。
導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）であれば、シート抵抗値が低く、２７Ω／□以下となる。このため、後述する導電膜２および中間膜３のシート抵抗値を１００Ω／□以下にすることができる。また、その結晶状態がアモルファスとなるため、その表面が平滑性に優れている。具体的には、導電膜表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下となる。
このような導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）の具体例としては、ＣｒＮ膜、ＴａＮ膜、および、ＣｒＴａＮ膜が挙げられる。
導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）であれば、シート抵抗値が低く、２７Ω／□以下となる。このため、後述する導電膜２および中間膜３のシート抵抗値を１００Ω／□以下にすることができる。また、その結晶状態がアモルファスとなるため、その表面が平滑性に優れている。具体的には、導電膜表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下となる。
このような導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）の具体例としては、ＣｒＮ膜、ＴａＮ膜、および、ＣｒＴａＮ膜が挙げられる。
導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）におけるＮの含有率が０．１ａｔ％未満であると、結晶状態が、結晶性、すなわち、結晶構造を有する膜となるため、導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）表面の表面粗さが大きくなる。この結果、静電チャックとの密着性が低下し、静電チャックと導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）との擦れによりパーティクルが発生しやすくなる。また、導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）におけるＮの含有率が０．１ａｔ％未満だと、導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）の表面硬度が低下するので、このことによっても、静電チャックと導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）との擦れによりパーティクルが発生する。また、導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）におけるＮの含有率が０．１ａｔ％未満だと、導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）の化学的耐久性が低下しやすくなる。
一方、導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）におけるＮの含有率が４０ａｔ％以上の場合も、結晶状態が、結晶性、すなわち、結晶構造を有する膜となるため、導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）表面の表面粗さが大きくなる。また、導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）におけるＮの平均濃度が４０ａｔ％以上の場合、導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）のシート抵抗が増加して、静電チャックによるチャック力が低下するので、静電チャックとの密着性が低下し、静電チャックと導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）との擦れによりパーティクルが発生しやすくなる。
導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）におけるＮの含有率は１０ａｔ％以上４０ａｔ％未満であることが好ましく、１５〜３６ａｔ％であることがより好ましい。
導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）におけるＣｒおよびＴａの合計含有率は６０〜９０ａｔ％であることが好ましく、６４〜８５ａｔ％であることがより好ましい。
一方、導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）におけるＮの含有率が４０ａｔ％以上の場合も、結晶状態が、結晶性、すなわち、結晶構造を有する膜となるため、導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）表面の表面粗さが大きくなる。また、導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）におけるＮの平均濃度が４０ａｔ％以上の場合、導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）のシート抵抗が増加して、静電チャックによるチャック力が低下するので、静電チャックとの密着性が低下し、静電チャックと導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）との擦れによりパーティクルが発生しやすくなる。
導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）におけるＮの含有率は１０ａｔ％以上４０ａｔ％未満であることが好ましく、１５〜３６ａｔ％であることがより好ましい。
導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）におけるＣｒおよびＴａの合計含有率は６０〜９０ａｔ％であることが好ましく、６４〜８５ａｔ％であることがより好ましい。
導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）は、シート抵抗が低く、２７Ω／□以下である。導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）のシート抵抗が低いことにより、静電チャックによるチャック力が高められる。この結果、静電チャックとの密着性が向上し、静電チャックと導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）との擦れによるパーティクルの発生が防止される。導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）のシート抵抗は２５Ω／□以下であることがより好ましく、２３Ω／□以下であることがさらに好ましい。
導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）は、その結晶状態はアモルファスであり、その表面が平滑性に優れている。具体的には、導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下である。導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）の表面粗さが０．５ｎｍ以下であれば、静電チャックとの密着性が向上し、静電チャックと導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）との擦れによるパーティクルの発生が防止される。
導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）の表面粗さはｒｍｓで０．４ｎｍ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
なお、導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）の結晶状態がアモルファスであること、すなわち、アモルファス構造であること、または微結晶構造であることは、Ｘ線回折（ＸＲＤ）法によって確認することができる。導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）の結晶状態がアモルファス構造であるか、または微結晶構造であれば、ＸＲＤ測定により得られる回折ピークにシャープなピークが見られない。
導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）の表面粗さはｒｍｓで０．４ｎｍ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
なお、導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）の結晶状態がアモルファスであること、すなわち、アモルファス構造であること、または微結晶構造であることは、Ｘ線回折（ＸＲＤ）法によって確認することができる。導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）の結晶状態がアモルファス構造であるか、または微結晶構造であれば、ＸＲＤ測定により得られる回折ピークにシャープなピークが見られない。
導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）は、表面硬度が１２ＧＰａ以上であることが好ましい。導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）の表面硬度が１２ＧＰａ以上であれば、導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）が表面硬度に優れており、導電膜付基板を静電チャックに固定してＥＵＶマスクブランクの製造に使用した際に、静電チャックと導電膜との擦れによってパーティクルが発生することを防止する効果に優れている。ここで、導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）の表面硬度の測定方法は特に限定されず、公知の方法、具体的には例えば、ビッカース硬さ試験、ロックウェル硬さ試験、ブリネル硬さ試験、ナノインデンテーション試験等を用いることができる。これらの中でも、ナノインデンテーション試験は、薄膜の表面硬度を測定する際に広く使用される。
導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）の表面硬度は、１５ＧＰａ以上であることがより好ましい。
導電膜（Ｃｒ，Ｔａ：Ｎ）の表面硬度は、１５ＧＰａ以上であることがより好ましい。
上述したように、裏面導電膜として十分な導電性を得るためには、導電膜２は４０ｎｍ以上の膜厚が必要である。
また、上述したように、本発明の導電膜付基板における導電膜２と中間膜３との合計膜厚が５０〜２００ｎｍである。
導電膜２の膜厚は、４０〜１９０ｎｍであることが好ましく、４０〜１８５ｎｍであることがより好ましく、４０〜１８０ｎｍであることがさらに好ましく、４０〜９０ｎｍであることがさらに好ましく、４０〜８５ｎｍであることがさらに好ましく、４０〜８０ｎｍであることが特に好ましい。
また、上述したように、本発明の導電膜付基板における導電膜２と中間膜３との合計膜厚が５０〜２００ｎｍである。
導電膜２の膜厚は、４０〜１９０ｎｍであることが好ましく、４０〜１８５ｎｍであることがより好ましく、４０〜１８０ｎｍであることがさらに好ましく、４０〜９０ｎｍであることがさらに好ましく、４０〜８５ｎｍであることがさらに好ましく、４０〜８０ｎｍであることが特に好ましい。
導電膜２の形成手順を以下に示す。
導電膜２がＣｒＮ膜の場合、ターゲットをＣｒターゲットとし、スパッタガスをＡｒとＮ2の混合ガスとして、マグネトロンスパッタリング法を用いて導電膜を成膜すればよい。
導電膜２がＴａＮ膜の場合、ターゲットをＴａターゲットとし、スパッタガスをＡｒとＮ2の混合ガスとして、マグネトロンスパッタリング法を用いて導電膜を成膜すればよい。
導電膜２がＣｒＮ膜の場合、ターゲットをＣｒターゲットとし、スパッタガスをＡｒとＮ2の混合ガスとして、マグネトロンスパッタリング法を用いて導電膜を成膜すればよい。
導電膜２がＴａＮ膜の場合、ターゲットをＴａターゲットとし、スパッタガスをＡｒとＮ2の混合ガスとして、マグネトロンスパッタリング法を用いて導電膜を成膜すればよい。
上記した方法で導電膜２を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
ＣｒＮ膜を形成する場合
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜４５ｖｏｌ％、好ましくは５〜４０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜３５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜５０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜４０×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３０×１０-１Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
ＴａＮ膜を形成する場合
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜４５ｖｏｌ％、好ましくは５〜４０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜３５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜５０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜４０×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３０×１０-１Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
ＣｒＮ膜を形成する場合
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜４５ｖｏｌ％、好ましくは５〜４０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜３５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜５０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜４０×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３０×１０-１Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
ＴａＮ膜を形成する場合
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜４５ｖｏｌ％、好ましくは５〜４０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜３５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜５０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜４０×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３０×１０-１Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
本発明の導電膜付基板において、成膜用のガラス基板１は、ＥＵＶマスクブランク用のガラス基板としての特性を満たすことが要求される。
そのため、ガラス基板１は、低熱膨張係数（０±１．０×１０-7／℃であることが好ましく、より好ましくは０±０．３×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．２×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．１×１０-7／℃、特に好ましくは０±０．０５×１０-7／℃）を有し、平滑性、平坦度、およびマスクブランクまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。ガラス基板１としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス等を用いることができる。
ガラス基板１は、０．１５ｎｍ ｒｍｓ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有していることがパターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好ましい。
ガラス基板１の大きさや厚みなどはマスクの設計値等により適宜決定されるものである。後で示す実施例では外形６インチ（１５２．４ｍｍ）角で、厚さ０．２５インチ（６．３ｍｍ）のＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラスを用いた。
そのため、ガラス基板１は、低熱膨張係数（０±１．０×１０-7／℃であることが好ましく、より好ましくは０±０．３×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．２×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．１×１０-7／℃、特に好ましくは０±０．０５×１０-7／℃）を有し、平滑性、平坦度、およびマスクブランクまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。ガラス基板１としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス等を用いることができる。
ガラス基板１は、０．１５ｎｍ ｒｍｓ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有していることがパターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好ましい。
ガラス基板１の大きさや厚みなどはマスクの設計値等により適宜決定されるものである。後で示す実施例では外形６インチ（１５２．４ｍｍ）角で、厚さ０．２５インチ（６．３ｍｍ）のＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラスを用いた。
次に、本発明の多層反射膜付基板について説明する。図４は、本発明の多層反射膜付基板の模式図である。図４において、ガラス基板１の中間膜３および導電膜２が形成された面に対して反対側に多層反射膜４が形成されている。ここで、ガラス基板１、中間膜３および導電膜２は、図１に示したもの（本発明の導電膜付基板）である。本発明の多層反射膜付基板は、本発明の導電膜付基板を静電チャックに固定した後、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法を用いて、ガラス基板１の成膜面に多層反射膜４を成膜することによって得られる。
ガラス基板１の成膜面に成膜される多層反射膜４は、ＥＵＶマスクブランクの多層反射膜として所望の特性を有するものである限り特に限定されない。ここで、多層反射膜４に特に要求される特性は、高ＥＵＶ光線反射率の膜であることである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を多層反射膜表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６５％以上であることがより好ましい。
上記の特性を満たす多層反射膜４としては、Ｓｉ膜とＭｏ膜とを交互に積層させたＳｉ／Ｍｏ多層反射膜、ＢｅとＭｏ膜とを交互に積層させたＢｅ／Ｍｏ多層反射膜、Ｓｉ化合物とＭｏ化合物層とを交互に積層させたＳｉ化合物／Ｍｏ化合物多層反射膜、Ｓｉ膜、Ｍｏ膜およびＲｕ膜をこの順番に積層させたＳｉ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜、Ｓｉ膜、Ｒｕ膜、Ｍｏ膜およびＲｕ膜をこの順番に積層させたＳｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜が挙げられる。
ガラス基板１の成膜面に成膜される多層反射膜４は、ＥＵＶマスクブランクの多層反射膜として所望の特性を有するものである限り特に限定されない。ここで、多層反射膜４に特に要求される特性は、高ＥＵＶ光線反射率の膜であることである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を多層反射膜表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６５％以上であることがより好ましい。
上記の特性を満たす多層反射膜４としては、Ｓｉ膜とＭｏ膜とを交互に積層させたＳｉ／Ｍｏ多層反射膜、ＢｅとＭｏ膜とを交互に積層させたＢｅ／Ｍｏ多層反射膜、Ｓｉ化合物とＭｏ化合物層とを交互に積層させたＳｉ化合物／Ｍｏ化合物多層反射膜、Ｓｉ膜、Ｍｏ膜およびＲｕ膜をこの順番に積層させたＳｉ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜、Ｓｉ膜、Ｒｕ膜、Ｍｏ膜およびＲｕ膜をこの順番に積層させたＳｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜が挙げられる。
ガラス基板１の成膜面に多層反射膜４を成膜する手順は、スパッタリング法を用いて多層反射膜を成膜する際に通常実施される手順であってよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いてＳｉ／Ｍｏ多層反射膜を形成する場合、ターゲットとしてＳｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ４．５ｎｍとなるようにＳｉ膜を成膜し、次に、ターゲットとしてＭｏターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ２．３ｎｍとなるようにＭｏ膜を成膜することが好ましい。これを１周期として、Ｓｉ膜およびＭｏ膜を４０〜５０周期積層させることによりＳｉ／Ｍｏ多層反射膜が成膜される。多層反射膜４を成膜する際、均一な成膜を得るために、回転体を用いてガラス基板１を回転させながら成膜を行うことが好ましい。
本発明の多層反射膜付基板は、多層反射膜４表面が酸化されるのを防止するため、多層反射膜４の最上層は酸化されにくい材料の層とすることが好ましい。酸化されにくい材料の層は多層反射膜４のキャップ層として機能する。キャップ層として機能する酸化されにくい材料の層の具体例としては、Ｓｉ層を例示することができる。多層反射膜がＳｉ／Ｍｏ膜である場合、最上層をＳｉ層とすることによって、該最上層をキャップ層として機能させることができる。その場合キャップ層の膜厚は、１１±２ｎｍであることが好ましい。
本発明の多層反射膜付基板は、本発明の導電膜付基板を用いているため、導電膜付基板を静電チャックに固定して多層反射膜を成膜する際に、静電チャックと導電膜との擦れによってパーティクルが発生することが防止されている。このため、パーティクルによる表面欠陥が極めて少ない優れた多層反射膜付基板である。
次に、本発明のＥＵＶマスクブランクについて説明する。図５は、本発明のＥＵＶマスクブランクの模式図である。図５において、多層反射膜４上には吸収層５が設けられている。ここで、ガラス基板１、中間膜３、導電膜２および多層反射膜４は、図４に示したもの（本発明の多層反射膜付基板）である。本発明のＥＵＶマスクブランクは、本発明の多層反射膜付基板を静電チャックに固定した後、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法を用いて、多層反射膜４上に吸収層５を成膜することによって得られる。
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、多層反射膜４上に成膜される吸収層５の構成材料としては、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的には、Ｃｒ、Ｔａおよびこれらの窒化物などが挙げられる。中でも、ＴａＮがアモルファスになりやすく表面の平滑性に優れる、表面粗さが小さいという理由で好ましい。吸収層５の厚さは、５０〜１００ｎｍであることが好ましい。吸収層５の成膜方法は、スパッタリング法である限り特に限定されず、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法のいずれであってもよい。
イオンビームスパッタリング法を用いて、吸収層としてＴａＮ層を成膜する場合、ターゲットとしてＴａターゲットを用い、スパッタガスとしてＮ2ガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０１〜０．１ｎｍ／ｓｅｃで厚さ５０〜１００ｎｍとなるように成膜することが好ましい。
スパッタリング法を用いて、吸収層５を成膜する際、均一な成膜を得るために、回転体を用いてガラス基板１を回転させながら成膜を行うことが好ましい。
スパッタリング法を用いて、吸収層５を成膜する際、均一な成膜を得るために、回転体を用いてガラス基板１を回転させながら成膜を行うことが好ましい。
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、多層反射膜４と、吸収層５と、の間にバッファ層が存在してもよい。
バッファ層を構成する材料としては、たとえば、Ｃｒ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｔａおよびこれらの窒化物、ならびにＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3などが挙げられる。バッファ層は厚さ１０〜６０ｎｍであることが好ましい。
バッファ層を構成する材料としては、たとえば、Ｃｒ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｔａおよびこれらの窒化物、ならびにＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3などが挙げられる。バッファ層は厚さ１０〜６０ｎｍであることが好ましい。
本発明のＥＵＶマスクブランクは、本発明の多層反射膜付基板を用いているため、多層反射膜にパーティクルによる表面欠陥が極めて少ない。しかも、該多層反射膜付基板を静電チャックに固定して吸収層を成膜する際に、静電チャックと導電膜との擦れによってパーティクルが発生することが防止されている。このため、吸収層もパーティクルによる表面欠陥が極めて少ない。
さらに、上記ＥＵＶマスクブランクをパターニングすることで、表面欠陥の少ないＥＵＶマスクを形成することが可能である。欠陥を減少させることで、欠点の少ない露光を行うことができ、生産性にも優れる。
さらに、上記ＥＵＶマスクブランクをパターニングすることで、表面欠陥の少ないＥＵＶマスクを形成することが可能である。欠陥を減少させることで、欠点の少ない露光を行うことができ、生産性にも優れる。
ＥＵＶマスクブランクにパターン形成する際、すなわち、マスクパターニングプロセスの際、微細なパターンを形成するために、通常は電子ビーム描画技術を用いてパターン形成を行う。
電子ビーム描画技術を用いたパターン形成をするためには、まず始めに、ＥＵＶマスクブランクの吸収層表面に電子ビーム描画用のレジストを塗布し、ベーキング処理、たとえば２００℃でベーキング処理を行う。次に、レジスト表面上に電子ビーム描画装置を用いて電子ビームを照射し、その後現像することでレジストパターンを形成する。上記手順でパターン形成されたマスクは、ＥＵＶ光を用いた露光プロセスに供される。これらの手順は、ＥＵＶマスクブランク（またはパターン形成されたマスク）を静電チャックに固定した状態で実施される。
上記のパターン形成やＥＵＶ光による露光の際、ガラス基板の温度が上昇する。ガラス基板の温度上昇はパターン精度に悪影響を及ぼすおそれがあることから好ましくない。このため、パターン形成の際にガラス基板を冷却することが検討されている。ガラス基板の冷却方法としては、様々な方法が考えられるが、例えば、静電チャック内部に液体や気体を流通させて基板を冷却する方法、ピンチャックと基板との空隙部分に気体を流通させて基板を冷却する方法がある。これらの方法において、ガラス基板の冷却効率という点から、導電膜２と静電チャックとの密着性が高く、両者の接触部での熱伝導性が高いことが好ましい。本発明のＥＵＶマスクブランクは、導電膜２と静電チャックとの密着性が高いため、この点において好適である。
電子ビーム描画技術を用いたパターン形成をするためには、まず始めに、ＥＵＶマスクブランクの吸収層表面に電子ビーム描画用のレジストを塗布し、ベーキング処理、たとえば２００℃でベーキング処理を行う。次に、レジスト表面上に電子ビーム描画装置を用いて電子ビームを照射し、その後現像することでレジストパターンを形成する。上記手順でパターン形成されたマスクは、ＥＵＶ光を用いた露光プロセスに供される。これらの手順は、ＥＵＶマスクブランク（またはパターン形成されたマスク）を静電チャックに固定した状態で実施される。
上記のパターン形成やＥＵＶ光による露光の際、ガラス基板の温度が上昇する。ガラス基板の温度上昇はパターン精度に悪影響を及ぼすおそれがあることから好ましくない。このため、パターン形成の際にガラス基板を冷却することが検討されている。ガラス基板の冷却方法としては、様々な方法が考えられるが、例えば、静電チャック内部に液体や気体を流通させて基板を冷却する方法、ピンチャックと基板との空隙部分に気体を流通させて基板を冷却する方法がある。これらの方法において、ガラス基板の冷却効率という点から、導電膜２と静電チャックとの密着性が高く、両者の接触部での熱伝導性が高いことが好ましい。本発明のＥＵＶマスクブランクは、導電膜２と静電チャックとの密着性が高いため、この点において好適である。
以下、実施例を用いて本発明をさらに説明する。
（実施例１）
本実施例では、図１に示す導電膜付基板、すなわち、ガラス基板１の一方の面に中間膜３および導電膜２がこの順に形成された導電膜付基板を作製した。
成膜用のガラス基板１として、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系のガラス基板（外形６インチ（１５２．４ｍｍ）角、厚さが６．３ｍｍ）を使用した。
中間膜３の形成
ガラス基板１の表面上に、マグネトロンスパッタリング法を用いて、中間膜３としてＣｒＯＮ膜を成膜した。具体的には、成膜チャンバー内を１×１０-4Ｐａ以下の真空にした後、Ｃｒターゲットを用いて、ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス雰囲気中でマグネトロンスパッタリングを行い、厚さ３０ｎｍの中間膜３（ＣｒＯＮ膜）を形成した。中間膜３（ＣｒＯＮ膜）の成膜条件は以下の通りである。
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ａｒ：３６ｖｏｌ％、Ｏ2：５０ｖｏｌ％、Ｎ2：１４ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：１５０Ｗ
成膜速度：０．１１ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３０ｎｍ
中間膜３（ＣｒＯＮ膜）の組成分析
中間膜３（ＣｒＯＮ膜）の組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（ＰＥＲＫＩＮ ＥＬＥＭＥＲ−ＰＨＩ社製）、ラザフォード後方散乱分光装置（Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａｃｋ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）（神戸製鋼社製）を用いて測定する。中間膜３（ＣｒＯＮ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｃｒ：Ｏ：Ｎ＝２５：６５：１０である。
中間膜３（ＣｒＯＮ膜）の光学定数
中間膜３（ＣｒＯＮ膜）の波長１９０〜４００ｎｍに対する、屈折率（ｎ）及び消衰係数（ｋ）を、分光エリプソメーター（Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ社製）を用いて測定したところ、ｎ＝１．７０〜２．１１およびｋ＝０．１０〜０．８３であった。
（実施例１）
本実施例では、図１に示す導電膜付基板、すなわち、ガラス基板１の一方の面に中間膜３および導電膜２がこの順に形成された導電膜付基板を作製した。
成膜用のガラス基板１として、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系のガラス基板（外形６インチ（１５２．４ｍｍ）角、厚さが６．３ｍｍ）を使用した。
中間膜３の形成
ガラス基板１の表面上に、マグネトロンスパッタリング法を用いて、中間膜３としてＣｒＯＮ膜を成膜した。具体的には、成膜チャンバー内を１×１０-4Ｐａ以下の真空にした後、Ｃｒターゲットを用いて、ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス雰囲気中でマグネトロンスパッタリングを行い、厚さ３０ｎｍの中間膜３（ＣｒＯＮ膜）を形成した。中間膜３（ＣｒＯＮ膜）の成膜条件は以下の通りである。
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ａｒ：３６ｖｏｌ％、Ｏ2：５０ｖｏｌ％、Ｎ2：１４ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：１５０Ｗ
成膜速度：０．１１ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３０ｎｍ
中間膜３（ＣｒＯＮ膜）の組成分析
中間膜３（ＣｒＯＮ膜）の組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（ＰＥＲＫＩＮ ＥＬＥＭＥＲ−ＰＨＩ社製）、ラザフォード後方散乱分光装置（Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａｃｋ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）（神戸製鋼社製）を用いて測定する。中間膜３（ＣｒＯＮ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｃｒ：Ｏ：Ｎ＝２５：６５：１０である。
中間膜３（ＣｒＯＮ膜）の光学定数
中間膜３（ＣｒＯＮ膜）の波長１９０〜４００ｎｍに対する、屈折率（ｎ）及び消衰係数（ｋ）を、分光エリプソメーター（Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ社製）を用いて測定したところ、ｎ＝１．７０〜２．１１およびｋ＝０．１０〜０．８３であった。
導電膜２の形成
次に、中間膜３上に、マグネトロンスパッタリング法を用いて、導電膜２としてＣｒＮ膜を成膜した。具体的には、成膜チャンバー内を１×１０-4Ｐａ以下の真空にした後、Ｃｒターゲットを用いて、ＡｒとＮ2の混合ガス雰囲気中でマグネトロンスパッタリングを行い、厚さ４０ｎｍの導電膜２（ＣｒＮ膜）を形成した。導電膜２（ＣｒＮ膜）の成膜条件は以下の通りである。
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ａｒ：７０ｖｏｌ％、Ｎ2：３０ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：１５０Ｗ
成膜速度：０．１１ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：４０ｎｍ
導電膜２（ＣｒＮ膜）の組成分析
導電膜２（ＣｒＮ膜）の組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ-ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）を用いて測定した。導電膜２（ＣｒＮ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｃｒ：Ｎ＝６３．１：３６．９である。
次に、中間膜３上に、マグネトロンスパッタリング法を用いて、導電膜２としてＣｒＮ膜を成膜した。具体的には、成膜チャンバー内を１×１０-4Ｐａ以下の真空にした後、Ｃｒターゲットを用いて、ＡｒとＮ2の混合ガス雰囲気中でマグネトロンスパッタリングを行い、厚さ４０ｎｍの導電膜２（ＣｒＮ膜）を形成した。導電膜２（ＣｒＮ膜）の成膜条件は以下の通りである。
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ａｒ：７０ｖｏｌ％、Ｎ2：３０ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：１５０Ｗ
成膜速度：０．１１ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：４０ｎｍ
導電膜２（ＣｒＮ膜）の組成分析
導電膜２（ＣｒＮ膜）の組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ-ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）を用いて測定した。導電膜２（ＣｒＮ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｃｒ：Ｎ＝６３．１：３６．９である。
反射率特性
上記の手順で得られた導電膜付基板について、ガラス基板１の導電膜２および中間膜３が形成されていない側の面（図１におけるガラス基板１の上方の面）から光線を入射した際の、導電膜２側からの真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率を測定した。反射率測定は、分光光度計（Ｕ−４１００、日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて実施した。真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率は、いずれも１０％以下であり、中間膜３を設けることにより、１９０〜４００ｎｍのすべての波長に対して、反射率を１０％以下とすることが可能であった。
上記の手順で得られた導電膜付基板について、ガラス基板１の導電膜２および中間膜３が形成されていない側の面（図１におけるガラス基板１の上方の面）から光線を入射した際の、導電膜２側からの真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率を測定した。反射率測定は、分光光度計（Ｕ−４１００、日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて実施した。真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率は、いずれも１０％以下であり、中間膜３を設けることにより、１９０〜４００ｎｍのすべての波長に対して、反射率を１０％以下とすることが可能であった。
（実施例２）
本実施例では、中間膜３としてＣｒＯ膜を以下の手順で形成した以外は、実施例１と同様である。
中間膜３（ＣｒＯ膜）の形成
ガラス基板１の表面上に、マグネトロンスパッタリング法を用いて、中間膜３としてＣｒＯ膜を成膜した。具体的には、成膜チャンバー内を１×１０-4Ｐａ以下の真空にした後、Ｃｒターゲットを用いて、ＡｒとＯ2の混合ガス雰囲気中でマグネトロンスパッタリングを行い、厚さ３０ｎｍの中間膜３（ＣｒＯ膜）を形成した。中間膜３（ＣｒＯ膜）の成膜条件は以下の通りである。
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ａｒ：３６ｖｏｌ％、Ｏ2：６４ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：１５０Ｗ
成膜速度：０．１５ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３０ｎｍ
中間膜３（ＣｒＯ膜）の組成分析
中間膜３（ＣｒＯ膜）の組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（ＰＥＲＫＩＮ ＥＬＥＭＥＲ−ＰＨＩ社製）、ラザフォード後方散乱分光装置（Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａｃｋ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）（神戸製鋼社製）を用いて測定する。中間膜３（ＣｒＯ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｃｒ：Ｏ＝２５：７５である。
中間膜３（ＣｒＯ膜）の光学定数
中間膜３（ＣｒＯ膜）の波長１９０〜４００ｎｍに対する、屈折率（ｎ）及び消衰係数（ｋ）を実施例１と同様に測定したところ、ｎ＝１．６８〜２．２０およびｋ＝０．１０〜０．９３であった。
本実施例では、中間膜３としてＣｒＯ膜を以下の手順で形成した以外は、実施例１と同様である。
中間膜３（ＣｒＯ膜）の形成
ガラス基板１の表面上に、マグネトロンスパッタリング法を用いて、中間膜３としてＣｒＯ膜を成膜した。具体的には、成膜チャンバー内を１×１０-4Ｐａ以下の真空にした後、Ｃｒターゲットを用いて、ＡｒとＯ2の混合ガス雰囲気中でマグネトロンスパッタリングを行い、厚さ３０ｎｍの中間膜３（ＣｒＯ膜）を形成した。中間膜３（ＣｒＯ膜）の成膜条件は以下の通りである。
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ａｒ：３６ｖｏｌ％、Ｏ2：６４ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：１５０Ｗ
成膜速度：０．１５ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３０ｎｍ
中間膜３（ＣｒＯ膜）の組成分析
中間膜３（ＣｒＯ膜）の組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（ＰＥＲＫＩＮ ＥＬＥＭＥＲ−ＰＨＩ社製）、ラザフォード後方散乱分光装置（Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａｃｋ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）（神戸製鋼社製）を用いて測定する。中間膜３（ＣｒＯ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｃｒ：Ｏ＝２５：７５である。
中間膜３（ＣｒＯ膜）の光学定数
中間膜３（ＣｒＯ膜）の波長１９０〜４００ｎｍに対する、屈折率（ｎ）及び消衰係数（ｋ）を実施例１と同様に測定したところ、ｎ＝１．６８〜２．２０およびｋ＝０．１０〜０．９３であった。
反射率特性
上記の手順で得られた導電膜付基板について、導電膜側からの真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率を実施例１と同様の手順で測定した。真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率は、いずれも１０％以下であり、中間膜３を設けることにより、１９０〜４００ｎｍのすべての波長に対して、反射率を１０％以下とすることが可能であった。
上記の手順で得られた導電膜付基板について、導電膜側からの真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率を実施例１と同様の手順で測定した。真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率は、いずれも１０％以下であり、中間膜３を設けることにより、１９０〜４００ｎｍのすべての波長に対して、反射率を１０％以下とすることが可能であった。
（実施例３）
本実施例では、中間膜３として、以下の手順でＴａＯＮ膜を形成した以外は、実施例１と同様である。
ガラス基板１の表面上に、マグネトロンスパッタリング法を用いて、中間膜３としてＴａＯＮ膜を成膜した。具体的には、成膜チャンバー内を１×１０-4Ｐａ以下の真空にした後、Ｔａターゲットを用いて、ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス雰囲気中でマグネトロンスパッタリングを行い、厚さ１０ｎｍの中間膜３（ＴａＯＮ膜）を形成した。
中間膜３（ＴａＯＮ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ａｒ：３６ｖｏｌ％、Ｏ2：５０ｖｏｌ％、Ｎ2：１４ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：４５０Ｗ
成膜速度：１．１ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：１０ｎｍ
中間膜３（ＴａＯＮ膜）の組成分析
中間膜３（ＴａＯＮ膜）の組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（ＰＥＲＫＩＮ ＥＬＥＭＥＲ−ＰＨＩ社製）、ラザフォード後方散乱分光装置（Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａｃｋ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）（神戸製鋼社製）を用いて測定する。中間膜３（ＴａＯＮ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｔａ：Ｏ：Ｎ＝２４：７０：６である。
中間膜３の光学定数
中間膜３（ＴａＯＮ膜）の波長１９０〜４００ｎｍに対する、屈折率（ｎ）及び消衰係数（ｋ）を実施例１と同様に測定したところ、ｎ＝１．９０〜２．９９およびｋ＝０．０〜０．９８であった。
本実施例では、中間膜３として、以下の手順でＴａＯＮ膜を形成した以外は、実施例１と同様である。
ガラス基板１の表面上に、マグネトロンスパッタリング法を用いて、中間膜３としてＴａＯＮ膜を成膜した。具体的には、成膜チャンバー内を１×１０-4Ｐａ以下の真空にした後、Ｔａターゲットを用いて、ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス雰囲気中でマグネトロンスパッタリングを行い、厚さ１０ｎｍの中間膜３（ＴａＯＮ膜）を形成した。
中間膜３（ＴａＯＮ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ａｒ：３６ｖｏｌ％、Ｏ2：５０ｖｏｌ％、Ｎ2：１４ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：４５０Ｗ
成膜速度：１．１ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：１０ｎｍ
中間膜３（ＴａＯＮ膜）の組成分析
中間膜３（ＴａＯＮ膜）の組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（ＰＥＲＫＩＮ ＥＬＥＭＥＲ−ＰＨＩ社製）、ラザフォード後方散乱分光装置（Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａｃｋ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）（神戸製鋼社製）を用いて測定する。中間膜３（ＴａＯＮ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｔａ：Ｏ：Ｎ＝２４：７０：６である。
中間膜３の光学定数
中間膜３（ＴａＯＮ膜）の波長１９０〜４００ｎｍに対する、屈折率（ｎ）及び消衰係数（ｋ）を実施例１と同様に測定したところ、ｎ＝１．９０〜２．９９およびｋ＝０．０〜０．９８であった。
反射率特性
上記の手順で得られた導電膜付基板について、導電膜側からの真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率を実施例１と同様の手順で測定した。真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率は、いずれも１０％以下であり、中間膜３を設けることにより、１９０〜４００ｎｍのすべての波長に対して、反射率を１０％以下とすることが可能であった。
上記の手順で得られた導電膜付基板について、導電膜側からの真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率を実施例１と同様の手順で測定した。真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率は、いずれも１０％以下であり、中間膜３を設けることにより、１９０〜４００ｎｍのすべての波長に対して、反射率を１０％以下とすることが可能であった。
（実施例４）
本実施例では、中間膜３として、以下の手順でＴａＯ膜を形成した以外は、実施例１と同様である。
中間膜３（ＴａＯ膜）の形成
ガラス基板１の表面上に、マグネトロンスパッタリング法を用いて、中間膜３としてＴａＯ膜を成膜した。具体的には、成膜チャンバー内を１×１０-4Ｐａ以下の真空にした後、Ｃｒターゲットを用いて、ＡｒとＯ2の混合ガス雰囲気中でマグネトロンスパッタリングを行い、厚さ３０ｎｍの中間膜３（ＴａＯ膜）を形成した。中間膜３（ＴａＯ膜）の成膜条件は以下の通りである。
中間膜３（ＴａＯ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ａｒ：３６ｖｏｌ％、Ｏ2：６４ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：１５０Ｗ
成膜速度：０．２１ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３０ｎｍ
中間膜３（ＴａＯ膜）の組成分析
中間膜３（ＴａＯ膜）の組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（ＰＥＲＫＩＮ ＥＬＥＭＥＲ−ＰＨＩ社製）、ラザフォード後方散乱分光装置（Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａｃｋ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）（神戸製鋼社製）を用いて測定する。中間膜３（ＴａＯ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｔａ：Ｏ＝２４：７６である。
中間膜３（ＴａＯ膜）の光学定数
中間膜３（ＴａＯ膜）の波長１９０〜４００ｎｍに対する、屈折率（ｎ）及び消衰係数（ｋ）を実施例１と同様に測定したところ、ｎ＝１．９５〜２．８９およびｋ＝０．０〜０．９５であった。
本実施例では、中間膜３として、以下の手順でＴａＯ膜を形成した以外は、実施例１と同様である。
中間膜３（ＴａＯ膜）の形成
ガラス基板１の表面上に、マグネトロンスパッタリング法を用いて、中間膜３としてＴａＯ膜を成膜した。具体的には、成膜チャンバー内を１×１０-4Ｐａ以下の真空にした後、Ｃｒターゲットを用いて、ＡｒとＯ2の混合ガス雰囲気中でマグネトロンスパッタリングを行い、厚さ３０ｎｍの中間膜３（ＴａＯ膜）を形成した。中間膜３（ＴａＯ膜）の成膜条件は以下の通りである。
中間膜３（ＴａＯ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ａｒ：３６ｖｏｌ％、Ｏ2：６４ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：１５０Ｗ
成膜速度：０．２１ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３０ｎｍ
中間膜３（ＴａＯ膜）の組成分析
中間膜３（ＴａＯ膜）の組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（ＰＥＲＫＩＮ ＥＬＥＭＥＲ−ＰＨＩ社製）、ラザフォード後方散乱分光装置（Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａｃｋ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）（神戸製鋼社製）を用いて測定する。中間膜３（ＴａＯ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｔａ：Ｏ＝２４：７６である。
中間膜３（ＴａＯ膜）の光学定数
中間膜３（ＴａＯ膜）の波長１９０〜４００ｎｍに対する、屈折率（ｎ）及び消衰係数（ｋ）を実施例１と同様に測定したところ、ｎ＝１．９５〜２．８９およびｋ＝０．０〜０．９５であった。
反射率特性
上記の手順で得られた導電膜付基板について、導電膜側からの真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率を実施例１と同様の手順で測定した。真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率は、いずれも１０％以下であり、中間膜３を設けることにより、１９０〜４００ｎｍのすべての波長に対して、反射率を１０％以下とすることが可能であった。
上記の手順で得られた導電膜付基板について、導電膜側からの真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率を実施例１と同様の手順で測定した。真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率は、いずれも１０％以下であり、中間膜３を設けることにより、１９０〜４００ｎｍのすべての波長に対して、反射率を１０％以下とすることが可能であった。
（比較例１）
本比較例では、中間膜３を設けないこと以外は、実施例１と同様である。すなわち、ガラス基板１の上に導電膜２として、厚さ４０ｎｍのＣｒＮ膜を実施例１に記載の条件で形成した。
上記の手順で得られた導電膜付基板について、導電膜側からの真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率を実施例１と同様の手順で測定した。真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）のうち、波長１９０〜２９０ｎｍに対する反射率は１０％以下であったが、波長２９０〜４００ｎｍに対する反射率は１０％以上であり、真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）のすべての波長範囲で反射率を１０％以下とすることができなかった。
本比較例では、中間膜３を設けないこと以外は、実施例１と同様である。すなわち、ガラス基板１の上に導電膜２として、厚さ４０ｎｍのＣｒＮ膜を実施例１に記載の条件で形成した。
上記の手順で得られた導電膜付基板について、導電膜側からの真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率を実施例１と同様の手順で測定した。真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）のうち、波長１９０〜２９０ｎｍに対する反射率は１０％以下であったが、波長２９０〜４００ｎｍに対する反射率は１０％以上であり、真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）のすべての波長範囲で反射率を１０％以下とすることができなかった。
（比較例２）
本比較例では、中間膜３の組成が異なることによって、該中間膜３の消衰係数ｋは１．０超である以外は、実施例１と同様である。
ガラス基板１上に、中間膜３（ＣｒＯＮ膜）の成膜条件を調整することにより、組成比（ａｔ％）がＣｒ：Ｏ：Ｎ＝２５：５：７５となる中間膜３（ＣｒＯＮ膜、膜厚３０ｎｍ）を形成した。中間膜３（ＣｒＯＮ膜）の光学定数を、実施例１と同様に測定した結果、ｎ＝１．５０〜２．２１、ｋ＝１．４０〜２．１０であり、消衰係数ｋは１．０超であった。
次に、実施例１と同様の手順で厚さ４０ｎｍの導電膜２（ＣｒＮ）を形成して、導電膜側からの真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率測定を行ったが、真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）のすべての波長範囲で反射率が１０％以下にならなかった。
本比較例では、中間膜３の組成が異なることによって、該中間膜３の消衰係数ｋは１．０超である以外は、実施例１と同様である。
ガラス基板１上に、中間膜３（ＣｒＯＮ膜）の成膜条件を調整することにより、組成比（ａｔ％）がＣｒ：Ｏ：Ｎ＝２５：５：７５となる中間膜３（ＣｒＯＮ膜、膜厚３０ｎｍ）を形成した。中間膜３（ＣｒＯＮ膜）の光学定数を、実施例１と同様に測定した結果、ｎ＝１．５０〜２．２１、ｋ＝１．４０〜２．１０であり、消衰係数ｋは１．０超であった。
次に、実施例１と同様の手順で厚さ４０ｎｍの導電膜２（ＣｒＮ）を形成して、導電膜側からの真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）の反射率測定を行ったが、真空紫外領域（１９０〜４００ｎｍ）のすべての波長範囲で反射率が１０％以下にならなかった。
１：ガラス基板
２：導電膜
３：中間膜
４：多層反射膜
５：吸収層
２：導電膜
３：中間膜
４：多層反射膜
５：吸収層
Claims (9)
- ガラス基板上に導電膜が形成された、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される導電膜付基板であって、前記ガラス基板と前記導電膜との間に中間膜を有し、前記中間膜は、波長１９０ｎｍ〜４００ｎｍに対して、屈折率（ｎ）が１．４７から３．００の範囲で、消衰係数（ｋ）が０から１．０の範囲であり、
前記中間膜は、クロム（Ｃｒ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群から選ばれる少なくとも１つと、酸素（Ｏ）と、を含有し、クロム（Ｃｒ）およびタンタル（Ｔａ）の合計含有率が１０〜９０ａｔ％であり、酸素（Ｏ）の含有率が１０〜９０ａｔ％であり、
前記中間膜および前記導電膜の合計膜厚が５０〜２００ｎｍであることを特徴とする導電膜付基板。 - ガラス基板上に導電膜が形成された、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される導電膜付基板であって、前記ガラス基板と前記導電膜との間に中間膜を有し、前記中間膜は、波長１９０ｎｍ〜４００ｎｍに対して、屈折率（ｎ）が１．４７から３．００の範囲で、消衰係数（ｋ）が０から１．０の範囲であり、
前記中間膜は、クロム（Ｃｒ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群から選ばれる少なくとも１つと、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、クロム（Ｃｒ）およびタンタル（Ｔａ）の合計含有率が１０〜８０ａｔ％であり、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）の合計含有率が２０〜９０ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が、Ｏ：Ｎ＝９：１〜５：５であり、
前記中間膜および前記導電膜の合計膜厚が５０〜２００ｎｍであることを特徴とする導電膜付基板。 - 前記導電膜は、クロム（Ｃｒ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群から選ばれる少なくとも１つと、窒素（Ｎ）と、を含み、前記導電膜は、クロム（Ｃｒ）およびタンタル（Ｔａ）の合計含有率が６０ａｔ％以上９９．９ａｔ％未満であり、窒素（Ｎ）の含有率が０．１ａｔ％以上４０ａｔ％未満であることを特徴とする請求項１または２に記載の導電膜付基板。
- 前記中間膜および導電膜のシート抵抗値が０．１〜１００Ω／□であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の導電膜付基板。
- 前記中間膜は、表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の導電膜付基板。
- 前記中間膜は、結晶状態がアモルファスであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の導電膜付基板。
- 請求項１〜６のいずれかに記載の導電膜付基板の前記導電膜が設けられた面に対して、反対側に多層反射膜を形成してなるＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの多層反射膜付基板。
- 請求項７に記載の多層反射膜付基板の多層反射膜上に吸収層を形成してなるＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
- 請求項８に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクをパターニングしたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク。
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