JP5538260B2 - 導電パターン形成基板の製造方法 - Google Patents
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Description
真空成形や圧空成形によって二次元形状(平面)の基板を三次元形状に成形する際には、成形後に得られる三次元形状の導電パターン形成基板における導電パターンの位置がタッチパネルにおける所定の位置となるように、型に対する基板の位置を正確に調整する必要がある。しかし、真空成形や圧空成形においては、型に対する基板の位置を正確に調整することが困難であるため、成形後に得られる三次元形状の導電パターン形成基板においては、導電パターンの位置がタッチパネルにおける所定の位置からずれてしまうことがある。
図1は、本発明の製造方法によって得られる導電パターン形成基板の一例を示す断面図である。導電パターン形成基板10は、絶縁基板11の上に、導電部Cおよび絶縁部Iを有する導電膜12が形成されたドーム部と、配線ライン(図示略)が形成された配線接続部と、少なくともドーム部の導電膜12の表面を被覆する加飾層14と、少なくとも加飾層14の表面を被覆する保護膜16と、を備えている。
絶縁基板11としては、三次元成形によって成形可能のものが用いられる。また、絶縁基板11としては、絶縁性を有するとともに、表面に導電膜12を形成でき、かつ後述するレーザ加工に対して所定の照射条件において外観変化の生じにくいものを用いることが好ましい。具体的には、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート(PET)を代表とするポリエステル、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合樹脂(ABS樹脂)等の絶縁性材料が挙げられる。絶縁基板11は透明であってもよく、着色されていてもよい。
図2に示すように、導電膜12の導電部Cは、絶縁性を有する基体2内に導電性を有する金属からなる網状部材3を備えている。すなわち、導電膜12の導電部Cは、基体2内に、厚さ方向に垂直な面方向に沿うように展開された無機物のネットワーク部材である網状部材3が保持されて形成されている。
また、絶縁基板11と基体2とは、互いに同一材料または同一系統の樹脂材料からなるものを用いることが好ましい。詳しくは、例えば絶縁基板11がPETフィルムの場合、基体2にはポリエステル系樹脂を用いることが好ましい。
詳しくは、これら金属極細繊維4同士は、絶縁基板11の表面(導電膜12が形成される面)の面方向に沿って互いに異なる向きに不規則に延在しているとともに、その少なくとも一部以上が互いに重なり合う(接触し合う)程度に密集して配置されており、このような配置によって互いに電気的に連結(接続)されている。
導電膜12の基体2内において、網状部材3の少なくとも一部が除去されることによって絶縁部Iが形成されている。すなわち、図3に示すように、基体2には、網状部材3の金属極細繊維4が除去されることによって空隙5が複数形成されており、これら空隙5が密集するように配置された領域が、絶縁部Iとされている。
このように、絶縁部Iにおいては、基体2から金属極細繊維4が除去されていることから、該基体2(導電膜12)における導電部Cと絶縁部Iとでは、互いに化学的組成が異なっている。それにも関わらず、金属極細繊維4に相当位置に対応する空隙5が存在するため、光学的な特性が互いに大きく異ならず、絶縁性と視認不可性の2つの条件を満たすことが可能となる。
配線ライン(図示略)は、導電膜12の導電部Cと、入力信号を検出するインターフェース回路等の検出手段(図示略)等とを電気的に接続するものである。
配線ラインの材料としては、銀、銅等の導電性金属材料が挙げられる。
加飾層14は、フィルム基材の表面に加飾用の模様、文字、図形、記号等が公知の印刷法によって形成されたものである。
フィルム基材としては、PET、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート、アクリル樹脂等が挙げられる。フィルム基材は透明であってもよく、着色されていてもよい。
保護膜16は、透明な材料からなり、加飾層14や配線接続部(図示略)の表面を保護するものである。
保護膜16としては、透明な粘着材と透明なフィルム基材とからなるもの;紫外線、熱、電子線、放射線等により硬化する性質の硬化性樹脂の硬化物からなる膜;SiO2からなる膜;射出成形等で作られた板状や三次元形状を有する成形品;その他、公知のハードコート層等が挙げられる。
フィルム基材としては、PET、PEN、ポリカーボネート、アクリル樹脂等が挙げられる。
なお、本発明における導電パターン形成基板は、図示例の導電パターン形成基板10に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。
例えば、導電パターン形成基板10を透明タッチパネルに用いる場合、加飾層14を設けなくてもよい。
また、加飾層14を省略し、絶縁基板11に印刷を施してもよく、絶縁基板11にラミネート、転写等によって加飾層を設けてもよい。
導電パターン形成基板10の用途としては、三次元成形品の表面に設けられる静電容量センサ(自動車のハンドル等に付随する静電容量入力装置等)等における電極シートが挙げられる。
次に、本発明の導電パターン形成基板の製造方法について、図4および図5を用いて説明する。
(a)絶縁基板11の上に基礎膜aを形成し、成形用基板18を得る工程。
(b)ドーム部に対応する領域の基礎膜aの上にレジスト膜(図示略)を形成する工程。
(c)配線接続部(図示略)の基礎膜aをエッチングによって除去した後、レジスト膜(図示略)を除去する工程。
(d)配線接続部(図示略)の絶縁基板11の上に、基礎膜a(導電膜12の導電部C)に電気的に接続する配線ライン(図示略)を形成する工程。
(e)成形用基板18を三次元成形し、ドーム部を形成することによって三次元形状基板20とする工程。
(f)ドーム部の基礎膜aにレーザ光Lを照射することによって空隙5を形成し、導電膜12とする工程。
(g)少なくとも導電膜12の上に、加飾層14を設ける工程。
(h)少なくとも加飾層14の上に、保護膜16を設ける工程。
図4に示されるように、まず、絶縁基板11上のドーム部に対応する領域および配線接続部(図示略)に、基体2内に網状部材3が配置される基礎膜aを形成する。基礎膜aは、上述した図2に示される導電膜12の導電部Cと同一の構成を有する導電性コーティング膜である。例えば、絶縁基板11上に金属極細繊維4を含むインク(液体)を塗布する過程を経て、該絶縁基板11上に金属極細繊維4が分散配置されることにより網状部材3が形成される。そして、絶縁基板11上に分散配置された金属極細繊維4同士の間に、液状の硬化性樹脂を充填した後、硬化させることで基体2が形成されているとともに、網状部材3は基体2内に固定配置される。
次いで、フォトリソグラフィによるプロセスを用いて、絶縁基板11上の基礎膜aのうち、配線接続部(図示略)に対応する部位を除去する。
詳しくは、まず、基礎膜a上のドーム部に対応する領域にレジスト膜50を形成する。
次いで、基礎膜aのうち配線接続部(図示略)に対応する部位をエッチングにより除去した後、レジスト膜50を除去する。なお、エッチングとしては、ウェットエッチングおよびドライエッチングのいずれを用いても構わない。
配線接続部(図示略)の絶縁基板11上に、基礎膜a(導電膜12の導電部C)に電気的に接続する配線ライン(図示略)を形成する。詳しくは、配線ラインは、配線接続部(図示略)における絶縁基板11上、および基礎膜aの一部(周縁端部)に、銀や銅からなるペースト状の導電性金属材料を印刷する、または銀や銅からなる導電性金属材料を蒸着することによって形成されている。
次いで、図4に示されるように、成形用基板18のドーム部に対応する領域を三次元成形し、ドーム部を形成することによって三次元形状基板20とする。
三次元成形法としては、成形用基板18を加熱し、軟らかい状態にした後、型に押し付ける、いわゆる熱成形法が挙げられる。熱成形法としては、真空成形法、圧空成形法等が挙げられる。
次いで、図4に示されるように、三次元形状基板20のドーム部の基礎膜aにレーザ光Lを照射することによって、空隙5を形成するとともに絶縁部Iを形成して、絶縁部Iと、絶縁部I以外の部位である導電部Cと、を備えた導電膜12とする。なお、絶縁基板11が透明な場合は、絶縁基板11の側から絶縁基板11越しに基礎膜aにレーザ光Lを照射しても構わない。
金属極細繊維4からなる2次元ネットワークである網状部材3に短パルスのパルス状レーザであるレーザ光Lを照射することによって、網状部材3の少数箇所を破壊するだけで効率よく絶縁化が可能であり、レーザ光Lの照射によって金属極細繊維4の相当位置に対応して互いに離間する複数の空隙5が存在する絶縁部Iを形成することが可能となる。
このパルス状レーザとしては、例えばYAGレーザまたはYVO4レーザを用いることができる。YAGレーザまたはYVO4レーザを用いる場合、パルス幅が5〜300n秒程度の、加工機として一般に広く使用されているものが利用可能である。
本実施形態では、ドーム部の基礎膜aに、短パルスのパルス状レーザであるレーザ光Lを所定のパターンで照射する方法を用いている。
そして、レーザ光発生手段41から集光レンズ42を介して基礎膜aにレーザ光Lを照射して、該基礎膜aに絶縁部Iを形成するとともに導電パターンを形成する。
ステージ43は、絶縁基板11が透明でレーザ光Lの出力が1Wを超える場合、ナイロン系もしくはフッ素系の樹脂材料、またはシリコーンゴム系の高分子材料を用いることが好ましい。
まず、ステージ43の上面に、三次元形状基板20を、基礎膜aが絶縁基板11の上側に配置されるように載置する。
例えば、パルス幅が1〜100n秒のレーザ(YAGレーザまたはYVO4レーザ)では、エネルギ密度1×1011〜7×1013W/m2、単位面積あたりの照射エネルギは1×104〜1×106J/m2が好ましく、1×105〜3×105J/m2がより好ましい。
エネルギ密度・照射エネルギが前記数値範囲よりも小さな値に設定された場合、絶縁部Iの絶縁が不十分になるおそれがある。また、前記数値範囲よりも大きな値に設定された場合、加工痕が目立つようになり、透明タッチパネルや透明電磁波シールド等の用途では不適当となるおそれがある。
また、スポット径面積Sは、下記式により定義される。
S=S0×D/FL
S0:レンズで集光されるレーザのビーム面積
FL:レンズの焦点距離
D:基礎膜aの表面(上面)と焦点との距離
次いで、図4に示されるように、少なくとも導電膜12上に、加飾層14を設ける。
加飾層14は、例えば、フィルム基材の表面に加飾用の模様、文字、図形、記号等が公知の印刷法によって形成された加飾用フィルムを、真空圧着等の公知の方法によって、導電膜12上にラミネートすることによって設けられる。
次いで、図4に示されるように、少なくとも加飾層14上に保護膜16を設ける。保護膜16は、配線接続部(図示略)の配線ライン(図示略)を覆うように配線接続部(図示略)の絶縁基板11上の全体にも設けることが好ましい。
フィルム基材からなる保護膜16は、例えば、導電膜12上に、透明な粘着材を介して透明なフィルム基材をラミネートして設けることができる。
硬化性樹脂の硬化物からなる保護膜16は、例えば、導電膜12上に、液状の硬化性樹脂を塗工し、硬化して形成できる。
SiO2からなる保護膜16は、例えば、導電膜12上に、SiO2をスパッタリングして形成できる。
以上説明したように、本実施形態に係る導電パターン形成基板10の製造方法によれば、まず製造の初期段階で、絶縁基板11上の全体(ドーム部に対応する領域および配線接続部)に基礎膜aを形成している。そして、この絶縁基板11上において、配線接続部(図示略)については、フォトリソプロセスを用いて基礎膜aを広範囲かつ迅速に除去するので、作業性がよい。
一方、本実施形態の構成によれば、絶縁部Iの網状部材3(金属極細繊維4)が空隙5に置き換わるように除去されていて、絶縁部Iと導電部Cとでは互いに化学的組成が異なっている。これにより、絶縁部Iが確実に絶縁されることから、導電膜12における電気的特性(性能)が安定するとともに、製品(入力装置)としての信頼性が高められている。
なお、本発明の導電パターン形成基板の製造方法は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。
厚さ75μmのPETフィルム(東レ社製、ルミラーS10 #75)に、Cambrios社のOhm(商品名)インク(線径50nm程度、長さ15μm程度の銀繊維を含む混合液)を塗布し、乾燥した後、紫外線硬化性のポリエステル樹脂インクを上塗りして、乾燥・紫外線処理を施した。これにより、PETフィルム上に銀繊維からなる導電性の2次元ネットワークを有する基礎膜aを形成し、成形用基板18を得た。
レーザ光照射装置として、ガルバノミラーを備えたYVO4基本波のレーザ加工機(キーエンス社製、MD−V9920)を用意した。
三次元形状基板20を厚さ5mmのポリアセタール製ステージの上に載置し、下記照射条件でレーザ光Lを照射して、絶縁パターンを設けた。
焦点から三次元形状基板20までの距離:0mm
出力:30%
移動速度:600mm/秒
発振周波数:100kHz
3 網状部材
4 金属極細繊維
5 空隙
10 導電パターン形成基板
11 絶縁基板
12 導電膜
18 成形用基板
20 三次元形状基板
a 基礎膜
C 導電部
I 絶縁部
L レーザ光
Claims (1)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板の上に設けられ、絶縁性を有する基体内に導電性を有する金属からなる網状部材が配置される導電部および前記基体内の前記網状部材が除去されることにより形成された空隙が配置される絶縁部を有する導電膜と、
を備えた三次元形状を有する導電パターン形成基板を製造する方法であって、
前記絶縁基板の上に、前記基体内に前記網状部材が配置される基礎膜が少なくとも形成された成形用基板を得る工程と、
前記成形用基板を三次元成形し、三次元形状基板とする工程と、
前記三次元形状基板における前記基礎膜にレーザ光を照射することによって前記空隙を形成し、前記導電膜とする工程と、
を有する、導電パターン形成基板の製造方法。
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